JP5455622B2 - 電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法 - Google Patents

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Description

発明の背景
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、半導体基板上にデバイスを製造する方法に関する。より詳細には、本発明は、電界効果トランジスタ、特に電界効果トランジスタのゲート誘電体を製造する方法に関する。
関連技術の説明
[0002]集積回路は、基板上に形成され協働して回路内の種々の機能を行う１００万を超える超小型電子回路の電界効果トランジスタ（例えば、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタ）を含むことができる。ＣＭＯＳトランジスタは、トランジスタのソースとドレインの間に形成されたチャネル領域の上に堆積されたゲート構造を備える。ゲート構造は、通常は、ゲート電極とゲート誘電体を備える。ゲート電極は、ゲート誘電体の上に配置され、動作中、ゲート誘電体の真下のチャネル領域における電荷キャリヤ（即ち、電流）の流れを制御するために用いる。
[0003]ゲート誘電体は、典型的には、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）から形成される。トランジスタのスピードを上げるために、改良集積回路におけるゲート誘電体の厚さは、約２０〜３０オングストローム以下の範囲で選択される。しかしながら、このような極薄ゲート誘電体を持つゲート構造の製造は、やりがいのある仕事である。一つの特定の問題は、現在の製造技術がトランジスタのシリコン／ゲート誘電体接合部に多量の窒素（Ｎ２）が拡散するために、ゲート誘電体を通って高リーク電流を引き起こし、チャネル領域における電荷キャリヤの移動度が減少する。更に、窒素とゲート電極の多結晶シリコンとの相互作用がＶＦＢ／Ｖｔ（ここで、ＶＦＢはフラットバンド電圧であり、Ｖｔは閾値電圧である）を変える。
[0004]それ故、電界効果トランジスタのゲート誘電体を製造する改善された方法が当該技術において求められている。
発明の概要
[0005]本発明の実施形態は、一般的には、電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法に関する。本発明は、マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＣＩ）、電子メモリデバイス等の集積回路デバイスに用いることができる。
[0006]一実施形態において、本方法は、シリコン基板からの自然酸化物層を除去するステップと、基板上に第一酸化物層を形成するステップと、第一酸化物層の上にゲート誘電体層（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、ケイ酸ハフニウム（ＨｆＳｉｘＯｙ、ここで、ｘ及びｙは整数である）等）を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に第二酸化物層を形成するステップと、形成された層と、第一酸化物層と基板の間の接合部とをアニールするステップとを含む。所望により、基板上の第一酸化物層は、ゲート誘電体層を形成する前に窒化されてもよい。所望により、ゲート誘電体層は、ゲート誘電体層上に第二酸化物層を形成する前に窒化されてもよい。一実施形態において、本方法の少なくとも一部は、統合半導体基板処理システム（即ち、クラスターツール）の処理リアクタを用いて行われてもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、第一酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、ゲート誘電体層を酸化することによって形成される。他の実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、ゲート誘電体層上の第二酸化物層を堆積させることによって形成される。
[0007]他の実施形態において、基板の上の電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法は、基板から自然酸化物層を除去するステップと、窒素パージ環境又は真空環境に基板を入れるステップと、シリコン基板上に第一熱酸化物層を形成するステップと、第一熱酸化物層上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層上に第二酸化物層を形成するステップと、第一熱酸化物層と酸化されたゲート誘電体層がその上に形成された基板を熱的にアニールするステップとを含む。一実施形態において、基板上の酸化物層は、第一酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、基板上の酸化物層は、第一酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に第二酸化物層を堆積させることによって形成される。
[0008]本発明の他の様態において、電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造のための統合半導体基板処理システムが開示される。一実施形態において、システムは、シリコン基板上に熱酸化物を形成するように構成された少なくとも一つの第一リアクタと、熱酸化物層上にゲート誘電体層を堆積するように構成された少なくとも一つの第二リアクタと、ゲート誘電体層を酸化するように構成された少なくとも一つの第三リアクタと、少なくとも一つのロードロックチャンバと、リアクタとロードロックチャンバのそれぞれに結合した少なくとも一つの基板搬送チャンバと、処理システムの動作を管理し監視するコントローラとを含む。
[0009]本発明の他の様態において、電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造のための統合半導体基板処理システムが開示される。一実施形態において、システムは、シリコン基板上に熱酸化物層を形成するように構成されたリアクタと、熱酸化物層上にゲート誘電体層を堆積するように構成され且つゲート誘電体層上に熱酸化物層を形成するように構成されたリアクタと；分離プラズマソースと；一つ以上のロードロックチャンバと；リアクタとロードロックチャンバに結合した少なくとも一つの基板搬送チャンバと；処理システムの動作を管理し監視するコントローラとを含む。
[0010]本発明の教示は、添付の図面と共に以下の詳細な説明を考慮することにより明らかになる。
[0015]可能であれば、同じ符号は、図に共通する同じ要素を表すために本明細書に用いる。
[0016]添付の図面は、本発明の例示的実施形態を示し、それだけで、本発明の範囲を限定するとみなされるべきでなく、他の等しく有効な実施形態を許容することができる。
詳細な説明
[0017]本発明は、極薄ゲート誘電体（例えば、約２０-３０オングストローム未満）を持つ電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法である。本発明は、統合半導体デバイスと回路の製造に用いることができる。
[0018]図１は、本発明の一実施形態による電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法１００を示す流れ図である。方法１００は、例示的ＣＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート構造の製造の間に、基板上で行われる処理ステップを含む。一部の実施形態において、これらの処理ステップは、示された順序で行われる。別の実施形態において、これらのステップの少なくとも二つは、同時期に又は異なる順序で行われてもよい。サブステップと補助手順（例えば、処理リアクタ、プロセス制御ステップ等の間の基板の搬送）は、当該技術において周知であり、そのようなものとして、本明細書では省略される。
[0019]方法１００の少なくとも一部は、統合半導体基板処理システム（即ち、クラスターツール）の処理リアクタを用いてを行われる。このような一処理システムは、カリフォルニア、サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できるＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）統合処理システムである。適切な処理システム３００と適切なＣＶＤチャンバ４００の一般的な説明を、それぞれ図３と図４によって以下に述べる。
[0020]図２Ａ-図２Ｅは、共に、ゲート構造が図１の方法を用いて製造される基板を示す一連の概略断面図である。図２Ａ-図２Ｅの断面図は、ゲート誘電体を製造するために行われる個々の処理ステップに関する。図２Ａ-図２Ｅの図面は、一定の比率で縮小されてなく、説明のために簡略化されている。本発明を最良に理解するために、読者は、図１と図２Ａ-図２Ｅを同時に参照すべきである。
[0021]方法１００は、ステップ１０２から開始し、ステップ１０４に進む。
[0022]ステップ１０４において、シリコン（Ｓｉ）基板２００を準備し（例えば、２００ｍｍのウエハ、３００ｍｍのウエハ等）、基板の表面から自然酸化物（ＳｉＯ２）層２０４を除去する溶液にさらす（図２Ａ）。説明的に、方法１００を用いて、トランジスタのゲート構造（図示せず）を形成することができる。ゲート構造は、通常は、例えば、トランジスタのチャネル領域２２６とソースとドレインの領域２２２、２２４（破線で示されている）の上の領域２２０に配置される。図を明瞭にするために、領域２２０-２２６を図２Ａだけに示す。
[0023]一実施形態において、層２０４は、フッ化水素（ＨＦ）と純水（ＤＩ）を含む溶液（即ち、フッ化水素酸溶液）を用いて除去される。一実施形態において、溶液は、約０.１〜１０質量％のＨＦと約２０-３０℃の温度を有する。他の実施形態において、溶液は、約０.５％のＨＦと２５℃の温度を有する。ステップ１０４は、基板２００を溶液に湿式浸漬した後、純水ですすぐ工程を用い、超音波増強槽を含む単一ウエハ槽か又はバッチ槽で行うことができる。或いは、ステップ１０４は、統合処理システム３００の単一基板湿式洗浄リアクタを用いて行うことができる。他の実施形態において、基板２０４は、ＲＣＡ洗浄法を用いて除去することができる。ステップ１０２の完了時に、基板２００を、真空ロードロック又は窒素（Ｎ２）パージ環境に入れる。
[0024]ステップ１０６において、熱酸化物（ＳｉＯ２）層２０６は、基板２００（図２Ｂ）上で成長する。層２０６の厚さは、一般的には約２-４０オングストローム、好ましくは約２-１０オングストロームである。一実施形態において、層２０６の厚さは、約６-１０オングストロームである。ステップ１０６は、例えば、統合プロセスシステム３００のＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）急速熱処理（ＲＴＰ）リアクタ、分離プラズマ酸化(ＤＰＯ)リアクタ、又はプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）リアクタを用いて行うことができる。ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）リアクタは、カリフォルニア、サンタクララのＡｐｐｌｉｄｅＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できる。
[0025]一実施形態において、ステップ１０６は、約７５０℃-８５０℃の基板温度と約０.１-５０トールの反応チャンバの圧力を維持しつつ、ＲＴＰリアクタを用いて行われ、約０.５-１０ｓｌｍの酸素（Ｏ２）を供給することによって層２０６を成長させることができる。プロセスの時間は、約５-３０秒であるのがよい。一実施形態において、Ｏ２は、約８００℃の温度と約２トールの圧力を維持しつつ、約２ｓｌｍで供給する。
[0026]他の実施形態において、層２０６は、約７００℃-８５０℃の基板温度を維持しつつ、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を約１-１０ｓｌｍの流量で、水素（Ｈ２）を約１０-５００ｓｃｃｍの流量で（即ち、Ｎ２Ｏ：Ｈ２の流量比は約２：１-１０００：１の範囲にある）を供給することによってＲＴＰリアクタ内で成長させることができる。更に、ステップ１０６は、反応チャンバの圧力を約０.５-２０トールに維持する。プロセスの時間は、約５-６０秒間であってもよい。特定の一プロセス法は、約８００℃の温度において、Ｎ２Ｏを約４.９ｓｌｍの流量でＨ２を約５０ｓｃｃｍの流量で（即ち、Ｎ２Ｏ：Ｈ２の流量比約９８：１）を供給する。
[0027]他の実施形態において、ステップ１０６は、ＤＰＯチャンバのような低エネルギープラズマを生成するのに適したプロセスチャンバを用いて行うことができる。プラズマの低エネルギーは、基板更に／又は層の表面での反応を制御することを援助する。例えば、プラズマは、他のプラズマソースの中でも、準リモートプラズマソース、誘導性プラズマソース、更に／又はＲＬＳＡソースを用いて生成するのがよい。別の実施形態において、ＣＷソース更に／又はパルスマイクロ波電力、例えば、マグネトロン又はＲＬＳＡマイクロ波ソースを、層２０６を形成するために用いることができる。
[0028]一実施形態において、層２０６は、基板２００を酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）等の少なくとも一つを含有するプラズマにさらすことによってＤＰＯリアクタ内で成長させることができる。更に、プラズマは、所望により、窒素（Ｎ２）更に／又は場合によっては不活性ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等）を含有してもよい。
[0029]一実施形態において、層２０６は、ＤＰＯリアクタを用いて、約１０-２０００ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）、約２０℃-５００℃の基板ペデスタル温度、約５-１０００ミリトールの反応チャンバの圧力を供給することによって形成することができる。高周波（ＲＦ）プラズマは、最大約３-５ｋＷまでの連続波（ＣＷ）か又はパルスプラズマ電源を用いて、例えば、１３.５６ＭＨｚのエネルギーを与える。パルスの間、ピークＲＦ電力は、約１０-３０００Ｗの範囲にあってもよく、周波数は、約２-１００ｋＨｚの範囲にあってもよく、負荷サイクルは、約２-５０％の範囲にあってもよい。このプロセスは、約１-１８０秒間行われるのがよい。一実施形態において、Ｏ２は、約２００ｓｃｃｍで供給され、約５００ＷのピークＲＦ電力は、約５％の負荷サイクルが誘導性プラズマソースに適用された約１０ｋＨｚで、約２５℃の温度と約４０-８０ミリトールの圧力において約１５-６０秒間パルスされる。
[0030]実施形態において、更に、熱酸化物層２０６は、図４について記載されたＰＥ-ＣＶＤチャンバを用いて堆積させることができる。酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）等は、上のガスインジェクタ４３５を介して噴射され、シラン（ＳｉＨ４）は、下のガスインジェクタを介して噴射される。或いは、本明細書に記載される実施形態に開示された他のシリコンソースが用いられてもよい。上のガスインジェクタ４３５を通って噴射されたガスは、誘導結合プラズマによって励起することができる。酸素は、例えば、１３.５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）プラズマによって励起される。プラズマソースは、パルス方式で作動させてもＣＷ方式で作動させてもよい。パルスＲＦプラズマが適用される場合、ピーク電力は、１０-３０００ワットの範囲にあるのがよい。ＣＷ方式プラズマが適用される場合、ピーク電力は１０Ｗ-１０００Ｗの範囲にあるのがよい。
[0031]層２０６は、約１０-２０００ｓｃｃｍの酸素、約２０℃〜５００℃のペデスタル温度、１〜５０ミリトールのチャンバ内の圧力を提供することによって成長させることができる。
[0032]所望によるステップ１０７において、酸化物層２０６を窒化することができる。層２０６は、例えば、プラズマプロセス又は熱プロセスにおいて窒化することができる。説明的に、ステップ１０７は、層２０６の上の部分に窒化された物質の副層２０７を形成する（図２Ｃ）。窒化された副層２０７の厚さは、典型的には、約０.５-５オングストローム、好ましくは約１-３オングストロームの範囲に形成される。
[0033]一実施形態において、層２０６は、窒素含有プラズマにさらされる。一実施形態において、プラズマは、窒素（Ｎ２）を含有し、所望により、一つ以上の場合によっては不活性ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等）を含有してもよい。ステップ１０７は、例えば、統合処理システム３００の分離プラズマ窒化（ＤＰＮ）プラズマリアクタを用いて行うことができる。
[0034]一実施形態において、副層２０７は、ＤＰＮリアクタを用いて約１０-２０００ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）、約２０-５００℃の基板ペデスタル温度、約５-１０００ミリトールの反応チャンバ内圧力を供給することによって形成することができる。高周波（ＲＦ）プラズマは、例えば、最大約３-５ｋＷまでの連続波（ＣＷ）又はパルスプラズマ電源を用いて、１３.５６ＭＨｚのエネルギーを与える。パルスの間、ピークＲＦ電力、周波数、負荷サイクルは、典型的には、それぞれ約１０-３０００Ｗ、約２-１００ｋＨｚ、約２-５０％の範囲で選ばれる。このプロセスは、約１-１８０秒間行われるのがよい。一実施形態において、Ｎ２は、約２００ｓｃｃｍで供給され、約１０００ＷのピークＲＦ電力は、約５％の負荷サイクルが誘導性プラズマソースに適用された約１０ｋＨｚで約２５℃の温度と約４０-８０ミリトールの圧力において約１５-６０秒間パルスされる。プラズマは、他のプラズマソースの中でも、準リモートプラズマソース、誘導性プラズマソース、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）ソースを用いて生成するのがよい。別の実施形態において、ＣＷ更に／又はパルスマイクロ波電源を用いて副層２０７を形成することができる。
[0035]所望によるステップ１０７において、熱酸化物層２０６もまた、窒化された物質の副層２０７を形成するためのＲＴＰリアクタ内で、高温で、アンモニア（ＮＨ３）ガス、又は、ＮＨ３とＮ２又は一つ以上の不活性ガス、例えば、ヘリウム、アルゴン等の混合物にさらすことによって熱的に窒化することができる。
[0036]一実施形態において、副層２０７は、７００℃-１０００℃の基板温度、約０.１-１０トールの反応チャンバの圧力を維持しつつ、アンモニア（ＮＨ３）ガスを５-１０００ｓｃｃｍで供給することによってＲＴＰリアクタを用いて形成することができる。プロセス時間は、約５-１２０秒間であるのがよい。一実施形態において、ＮＨ３は、約８００℃の温度と０.３トールの圧力を維持しつつ１００ｓｃｃｍで１５秒間供給される。所望により、バッチ炉を用いて、副層２０７を形成してもよい。
[0037]ステップ１０８において、ゲート誘電体層２０８は、熱酸化物層２０６（図２Ｄ）の上に堆積される。層２０８は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）から約２-２０オングストロームの厚さに、又は酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、ケイ酸ハフニウム（例えば、ＨｆｘＳｉｙＯ、ここで、ｘとｙは整数である）等又はこれらの組み合わせのような高ｋ物質から約１０-６０オングストロームの厚さに形成することができる。ステップ１０８は、例えば、ＣＶＤリアクタ又はＡＬＤリアクタのような統合処理システム３００の化学気相堆積（ＣＶＤ）リアクタ又は原子層堆積（ＡＬＤ）リアクタを用いて行うことができる。一つの適切なＣＶＤリアクタは、ＡｐｐｌｉｄｅＭａｔｅｒｉａｌｓ社から入手できるＸＧｅｎ ＣＶＤリアクタである。
[0038]一実施形態において、ＣＶＤリアクタを用いたゲート誘電体層２０８は、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含むことができ、約４００-７５０℃の基板ペデスタル温度と約０.１-５０トールの反応チャンバ内の圧力を維持しつつ、アンモニア（ＮＨ３）を約１００-１０００ｓｃｃｍで、シラン（ＳｉＨ４）を約１-１００ｓｃｃｍで（即ち、ＮＨ３：ＳｉＨ４の流量比は１：１〜１０００：１の範囲にある）、窒素（Ｎ２）を約１０-１０００ｓｃｃｍで供給することによって形成することができる。このプロセスは、約３０-１８０秒間行うのがよい。一実施形態において、チャンバ内の温度約６００℃と圧力約５トールを維持しつつ、ＮＨ３を約５００ｓｃｃｍで、ＳｉＨ４を約１０ｓｃｃｍで、（即ち、ＮＨ３：ＳｉＨ４の流量比約５０：１）、Ｎ２を約２５ｓｃｃｍで供給する。シラン（ＳｉＨ４）の代わりに他のシリコンソースガス又は化学物質、例えば、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（ＤＣＳ）、トリクロロシラン（ＴＣＳ）、テトラクロロシラン（ＴＣＳ）又はヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）を使用し得る。
[0039]他の実施形態において、ゲート誘電体層２０８は、酸化ハフニウム又はケイ酸ハフニウムを含むのがよく、ＣＶＤ又はＡＬＤプロセスを用いて堆積させるのがよい。酸化ハフニウム又はケイ酸ハフニウムゲート誘電体層２０８は、ハフニウムとシリコンの金属有機又は無機前駆物質をオゾン、水、又はリモートプラズマ酸素ラジカルの少なくとも一つを含む酸化剤と共に用いて形成することができる。
[0040]一実施形態において、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）から形成される誘電体層は、図４について記載されたＰＥ-ＣＶＤチャンバ内で堆積される。アンモニア（ＮＨ３）更に／又は窒素（Ｎ２）は、上のガスインジェクタを介して噴射されるが、シラン（ＳｉＨ４）は、下のガスインジェクタを介して噴射される。一実施形態によれば、ＮＨ３は、約１００-１０００ｓｃｃｍで噴射され、シランは、約１-１００ｓｃｃｍで、即ち、１：１〜１０００：１の範囲にある流量比で噴射される。更に、Ｎ２が１０-１０００ｓｃｃｍの流量比で噴射されてもよい。ペデスタルは、約４００℃〜約７５０℃の温度で維持され、リアクタチャンバ内の圧力は、約１ミリトール〜５０ミリトール、典型的には、１ミリトール〜２０ミリトールである。或いは、本明細書に記載された実施形態において開示される他のシリコンソースが用いられてもよい。
[0041]ＮＨ３更に／又はＮ２は、誘導結合プラズマによって励起される。アンモニア更に／又は窒素は、例えば、１３.５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）プラズマによって励起される。プラズマソースは、パルス方式で作動させてもＣＷ方式で作動させてもよい。パルスＲＦプラズマが適用される場合、ピーク電力は、１０〜３０００ワットの範囲であるのがよい。ＣＷ方式プラズマが適用される場合、ピーク電力は１０Ｗ〜１０００Ｗの範囲であるのがよい。
[0042]ステップ１１０において、ゲート誘電体層２０８は、酸素含有プラズマにさらすことによって酸化される。説明的に、ステップ１１０は、層２０８の上部に酸化された物質の副層２１０を形成する（図２Ｅ）。酸化された副層２１０の厚さは、典型的には、約０.２-１０オングストローム、好ましくは約０.５-５オングストロームの範囲で選ばれる。
[0043]一実施形態において、プラズマは、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）等の少なくとも一つを含有するだけでなく、所望により、窒素（Ｎ２）更に／又は場合によっては不活性ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等）を含有してもよい。ステップ１１０は、低エネルギープラズマを生成するのに適したプロセスチャンバを用いて行われてもよい。プラズマの低エネルギーは、基板更に／又は層の表面で反応を制御することを援助する。例えば、プラズマは、他のプラズマソースの中でも、準リモートプラズマソース、誘導プラズマソース、更に／又はＲＬＳＡソースを用いて生成するのがよい。別の実施形態において、マグネトロン又はＲＬＳＡマイクロ波ソースのようなＣＷ更に／又はパルスマイクロ波電源を用いて副層２１０を形成することもできる。一実施形態において、ステップ１１０は、例えば、統合処理システム３００のＤＰＮプラズマリアクタを用いて行うことができる。
[0044]副層２１０は、酸素（Ｏ２）を約１０-２０００ｓｃｃｍで供給することによって形成することができる。酸素は、所望により、Ｎ２更に／又はＨｅ更に／又はＡｒと混合してもよい。基板ペデスタル温度は、約２０-５００℃に維持され、反応チャンバ内の圧力は、約５-１０００ミリトールであるのがよい。高周波（ＲＦ）プラズマは、最大約３-５ｋＷの連続波（ＣＷ）か又はパルスプラズマ電源を用いて、例えば、約１３.５６ＭＨｚのエネルギーを与える。パルスの間、ピークＲＦ電力、周波数、負荷サイクルは、典型的には、それぞれ約１０-３０００Ｗ、約２-１００ｋＨｚ、約２-５０％の範囲で選ばれる。酸化プロセスは、約１-１８０秒間行うのがよい。一実施形態において、Ｏ２は、約２００ｓｃｃｍで、約５％の負荷サイクルが誘導プラズマソースに適用された約１０ｋＨｚでパルスされた約１０００ＷのピークＲＦ電力により約２５℃の温度と約４０ミリトールの圧力で約３０秒間供給される。
[0045]一実施形態において、更に又は或いはゲート誘電体層を酸化するために、酸化シリコン層を窒化シリコン誘電体層２０８上で成長させる。熱酸化シリコン層を、図４について記載されたＰＥ-ＣＶＤチャンバを用いて堆積させる。酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）等は、誘導結合プラズマによって励起され、ガスは上のガスインジェクタから噴射され、シリコンソース（例えば、シラン）は下のガスインジェクタによって供給される。或いは、本明細書に記載される実施形態に開示される他のシリコンソースが用いられてもよい。プラズマソースは、パルス方式で作動させてもＣＷ方式で動作させてもよい。窒化シリコン層の最上部上の酸化シリコン層は、２-２０オングストロームの範囲の厚さで堆積され、酸素を約１０-２０００ｓｃｃｍ、約２０℃-５００℃のペデスタル温度、１〜５０ミリトールのチャンバ内の圧力で供給することによって成長させることができる。酸素は、例えば、１３.５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）プラズマによって励起される。パルスＲＦパルスが適用される場合、ピーク電力は、１０-３０００ワットの範囲であるのがよい。ＣＷ方式が適用される場合、ピーク電力は１０Ｗ-１０００Ｗの範囲であるのがよい。
[0046]図４に開示されるように、ＰＥ-ＣＶＤチャンバ内で行われるステップ１０６、ステップ１０８、ステップ１１０に関連した実施形態によれば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＯ２のスタックを同一チャンバ内で堆積させてもよい。スタックにおける層を堆積させるステップは、所望により、プラズマ援助により行われてもよい。プラズマ増強プロセスが、より低い基板温度を可能にする。
[0047]低圧と、プラズマソース４１０と、下のチャンバ本体４２０とを含むチャンバ装置は、薄層の成長を可能にし、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２から形成されるゲート誘電体スタックを熱的に堆積させることができる。
[0048]ステップ１１２において、ゲート誘電体層２０８と層２０６と基板２００の間の酸化物／シリコン接合部をアニールする。ステップ１１２は、層２０６と層２１０のリーク電流の減少を向上し、（図２Ａに示されている）チャネル領域２２６の電荷キャリヤの移動度を増加するだけでなく、酸化物／シリコン接合部の信頼性を向上させる。ステップ１１２は、統合処理システム３００のＲＴＰ（例えば、ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）又はＲＴＰＸＥ＋）リアクタ、又は単一基板或いはバッチ炉のような適切な熱アニールチャンバを用いて行うことができる。
[0049]一実施形態において、ステップ１１２のアニールプロセスは、約８００-１１００℃の基板表面温度と約０.１-５０トールの反応チャンバ内の圧力を維持しつつ、約２-５０００ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）と約１００-５０００ｓｃｃｍの一酸化窒素（ＮＯ）の少なくとも一つを供給することによって行うことができ、所望により、いずれのガスも窒素（Ｎ２）と混合されてもよい。プロセスは、約５-１８０秒間行われるのがよい。一実施形態において、チャンバを約１０００℃の温度と約０.１トールの圧力に維持しつつ、Ｏ２を約５００ｓｃｃｍで約１５秒間供給する。他の実施形態において、チャンバを約１０００℃の温度と約０.５トールの圧力に維持しつつ、ＮＯを約５００ｓｃｃｍで約１５秒間供給する。
[0050]ステップ１１２の完了時に、ステップ１１４において、方法１００が終了する。集積回路の製造において、方法１００は、有利には、リーク電流のための高比抵抗路を示す極薄ゲート誘電体を形成し、電界効果トランジスタのチャネル領域の電荷キャリヤの高移動度を容易にする。
[0051]図３は、図１の方法の一部を行うために用いることができる種類の例示的ＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）統合半導体基板処理システム（例えば、クラスターツール）３００を示す概略図である。システム３００の具体的な実施形態は、説明のためのものであり、本発明の範囲を限定するために用いるべきではない。方法１００が、他の半導体基板処理システム更に／又は処理リアクタを用いて行われてもよいことは企図される。
[0052]統合処理システム３００は、一般的には、真空ロードロックチャンバ３２２と、ロボット３３０が基板レセプタクル３３４に供給する真空気密プレナム３２８と、プレナム３２８に結合したプロセスモジュール３１０、３１２、３１４、３１６、３１８と、搬入／搬出モジュール３０２と、場合によっては計測モジュール３２６と、システムコントローラ３４０とを含む。ロードロックチャンバ３２２は、基板カセットのドッキングステーションとして用いられ、大気汚染からプレナム３２８を保護する。ロボットは、ロードロックチャンバとプロセスモジュールの間で基板を搬送する。ロボット３３０の示された実施形態は典型的であり、本発明の範囲を制限すべきではない。搬入／搬出モジュール３０２は、少なくとも一つの前面ドア付きポッド（ＦＯＵＰ）３０６（二つのＦＯＵＰ３０６を示す）を備え、ファクトリインタフェース３２４と、計測モジュール３２６と、ロードロックチャンバ３２２の間の基板カセットの交換を容易にする。
[0053]システムコントローラ３４０は、一般的には、中央処理装置（ＣＰＵ）３４２と、メモリ３４４と、支援回路３４６とを備え、統合処理システム３００のモジュールと装置に結合し制御するだけでなく、それぞれのモジュールからのデータの収集とフィードバックを可能にして、システム３００の性能を最適化する。動作中、コントローラ３４０は、システム３００のモジュールと装置の直接制御を用いるか、或いはこれらのモジュールと装置と関連付けられたコンピュータ（又はコントローラ）を管理する。
[0054]処理モジュール３１０、３１２、３１４、３１６、３１８の少なくとも一つは、ＲＴＰリアクタ（例えば、ＲＡＤＩＡＮＣＥ（登録商標）リアクタ）、ＰＥＣＶＤリアクタ、ＣＶＤリアクタ（例えば、ＸＧｅｎリアクタ）、ＡＬＤリアクタ、ＤＰＮリアクタ、更に／又は上記図１の説明でプロセスを行うのに適した他のリアクタであってもよい。本発明のプロセスを行うためのシステム３００の可能な構成の一例としては、二つのロードロックチャンバ３２２、二つのＲＴＰモジュール３１０と３１２、ＡＬＤモジュール３１４、ＣＶＤモジュール３１６、ＤＰＮモジュール３１８、測定ツール３０４とロボット３０８と３２０を備える計測モジュール３２６、二つのＦＯＵＰ３０６を備える搬入／搬出モジュール３０２が挙げられる。システム３００の他の構成を用いて、本明細書に記載される本発明を実施することも企図される。
[0055]図４は、例示的ＰＥ-ＣＶＤチャンバ４００を示す概略図である。分離プラズマ窒化（ＤＰＮ）プラズマソース４１０は、下のチャンバ本体４２０の処理領域４０２の上に設けられる。チャンバ壁４２２は、処理領域４０２をとり囲んでいる。基板４０１は、ペデスタル４２４上に置かれる。ペデスタル４２４は、ペデスタルのデュアルゾーンヒータの接続を含むステム４５０を持つ。デュアルゾーンヒーターペデスタルに関する詳細は、２００１年１０月１９日出願の米国特許第６,６４６,２３５号により詳細に記載され、この開示内容は本明細書に全体で援用されている。
[0056]コイル４１２は、プラズマソースのドームの上壁の縦軸の周りにらせん状になっている。コイル４１２は、電極プレート４１８の上に位置決めされ、ドーム形と一致する。コイルの一端は、ＲＦソース４６２に接続され、コイルの対向する一端は、接地に接続される。一実施形態によれば、ＲＦ整合回路４６４は、ＲＦソース４６２とコイル４１２の間に設けられてもよい。
[0057]ＲＦソース４６２を作動させて、例えば１３.５６ＭＨｚの周波数でコイル４１２にＲＦ電流を供給することができる。0〜３０００ワットの電力が印加されるのがよい。ＲＦフィールドは、ガスインジェクタ４３５に噴射される窒素ガス又は酸素ガスと結合する。ガスインジェクタ４３５は、Ｎ２、ＮＨ３等を噴射することができる。更に、ガスインジェクタ４３５は、酸化物を成長させる場合には、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を噴射させることができる。ＲＦソース４６２は、パルス方式でもＣＷ方式でも作動させることができる。
[0058]ガスインジェクタ４３５によって噴射され、ＲＦプラズマによってイオン化されるガスと堆積ガスインジェクタ４３０によって噴射される堆積ガスは、プロセス領域４０２内で更に／又は基板上の層の熱的な堆積のために加熱されたウエハ表面上で反応する。
[0059]ターボポンプ４４０は、バルブ４４２とガス排出口４４３を介してチャンバ本体４２０に接続される。一実施形態において、バルブ４４２はスロットバルブであってもよい。ターボポンプ４４０は、基板４０１上の所望の成長条件に適切なレベルまでチャンバ内の圧力を減少させることができる。一実施形態によれば、処理領域の圧力は、約３０ミリトール未満、典型的には約１ミリトール〜約２０ミリトールであるように制御される。
[0060]上記実施形態は、例えば、励起された窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、又は亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）でシリコンの成長を可能にする。窒素更に／又はＮＨ３を用いて、窒化シリコン層を堆積させる。上のガスインジェクタ４３５から導入されるガスは、シリコンソースと混合する前に、パルスＲＦ誘導ソースで励起することができる。それにより、プラズマ増強ＣＶＤは、より低いウエハ温度で行うことができる。
[0061]実施形態を更に形成するためにチャンバ４００内に含むことができるチャンバの詳細は、２００３年６月１２日出願の米国特許第６,８３１,０２１号により詳述されており、この開示内容は本明細書に全体で援用されている。
[0062]本発明は、パラメータが、本発明の精神から逸脱することなく本明細書に開示された教示を用いることによって当業者が許容し得る特徴を達成するように調整することができる他のプロセスを用いて実施することができる。上記は電界効果トランジスタの製造を述べたが、集積回路に用いられるその他のデバイスと構造の製造もまた、本発明から利益を得ることができる。
[0063]上記は、本発明の実施形態に関するが、本発明の他の多くの実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに構成されてもよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
図１は、本発明の一実施形態による電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を示す流れ図である。 図２Ａは、ゲート構造が図１の方法に従って製造された基板を示す一連の概略断面図である。 図２Ｂは、ゲート構造が図１の方法に従って製造された基板を示す一連の概略断面図である。 図２Ｃは、ゲート構造が図１の方法に従って製造された基板を示す一連の概略断面図である。 図２Ｄは、ゲート構造が図１の方法に従って製造された基板を示す一連の概略断面図である。 図２Ｅは、ゲート構造が図１の方法に従って製造された基板を示す一連の概略断面図である。 図３は、本発明の一部を実施するために用いることができる種類の例示的統合半導体基板処理システムを示す概略図である。 図４は、本発明の一部を実施するために用いることができる種類の例示的統合半導体基板処理チャンバを示す概略図である。
符号の説明
２００…基板、２０４…自然酸化物層、２０６…熱酸化物層、２０７…副層、２０８…ゲート誘電体層、２２２…ソース領域、２２４…ドレイン領域、２２６…チャネル領域、３００…処理システム、３０２…搬入／搬出モジュール、３０４…測定ツール、３０６…ＦＯＵＰ、３１０…ＲＴＰモジュール、３１２…ＲＴＰモジュール、３１４…ＡＬＤモジュール、３１６…ＣＶＤモジュール、３１８…ＤＰＮモジュール、３２２…真空ロードロックチャンバ、３２４…ファクトリインタフェース、３２６…計測モジュール、３２８…プレナム、３３０…ロボット、３３４…基板レセプタクル、４００…ＣＶＤチャンバ、４０１…基板、４０２…処理領域、４１０…プラズマソース、４１２…コイル、４２０…チャンバ本体、４２２…チャンバ壁、４２４…ペデスタル、４３５…ガスインジェクタ、４４０…ターボポンプ、４４２…バルブ、４４３…ガス排出口、４５０…ステム、４６２…ＲＦソース、４６４…ＲＦ整合回路。

Claims (8)

  1. 電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法であって：
    （ａ）シリコン基板を準備するステップと；
    （ｂ）該シリコン基板上に第一酸化物層を形成し、該第一酸化物層を窒化するステップと；
    （ｃ）該第一酸化物層上に、約１０−６０オングストロームの厚さで、酸化ハフニウム及びケイ酸ハフニウムの少なくとも一つからゲート誘電体層を形成するステップと；
    （ｄ）該ゲート誘電体層を酸素含有プラズマにさらすことにより該ゲート誘電体層上に第二酸化物層を形成するステップと；
    その後、
    （ｅ）該ゲート誘電体層と、該第一酸化物層と、該第一酸化物層と該シリコン基板の間の接合部とをアニールするステップと；
    を順次含み
    ステップ（ｂ）からステップ（ｄ）まで単一チャンバ内で該シリコン基板を維持する、前記方法。
  2. ステップ（ｂ）が、分離プラズマソースによって生成された酸素、一酸化窒素、又は亜酸化窒素の少なくとも一つを含むプラズマに該第一酸化物層をさらす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
  3. 該第一酸化物層を窒化する工程が、該第一酸化物層を窒素含有プラズマにさらすことを含む、請求項１に記載の方法。
  4. ステップ（ｃ）が、プラズマ増強プロセスにおいて該ゲート誘電体層を形成する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
  5. ステップ（ｄ）における酸素含有プラズマが、低エネルギープラズマソースを用いて形成される、請求項１に記載の方法。
  6. ステップ（ｅ）が、急速熱処理チャンバ又は炉内で該基板を熱的にアニールする工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
  7. ステップ（ｂ）の前に該シリコン基板から自然酸化物層を除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
  8. ステップ（ｄ）の前に該ゲート誘電体層を窒化するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
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Families Citing this family (292)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7727828B2 (en) * 2005-10-20 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor
US7888217B2 (en) * 2005-10-20 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor
WO2007132884A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US7846793B2 (en) * 2007-10-03 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Plasma surface treatment for SI and metal nanocrystal nucleation
US20090142899A1 (en) * 2007-12-04 2009-06-04 Jensen Jacob M Interfacial layer for hafnium-based high-k/metal gate transistors
US7816278B2 (en) * 2008-03-28 2010-10-19 Tokyo Electron Limited In-situ hybrid deposition of high dielectric constant films using atomic layer deposition and chemical vapor deposition
US7638442B2 (en) * 2008-05-09 2009-12-29 Promos Technologies, Inc. Method of forming a silicon nitride layer on a gate oxide film of a semiconductor device and annealing the nitride layer
US8258511B2 (en) * 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
US7981808B2 (en) * 2008-09-30 2011-07-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a gate dielectric by in-situ plasma
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8168462B2 (en) * 2009-06-05 2012-05-01 Applied Materials, Inc. Passivation process for solar cell fabrication
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5371831B2 (ja) * 2010-02-25 2013-12-18 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US8394688B2 (en) 2011-06-27 2013-03-12 United Microelectronics Corp. Process for forming repair layer and MOS transistor having repair layer
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5789149B2 (ja) * 2011-07-21 2015-10-07 Ｊｓｗアフティ株式会社 原子層成長方法及び原子層成長装置
US8741784B2 (en) 2011-09-20 2014-06-03 United Microelectronics Corp. Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
DE102012201953A1 (de) * 2012-02-09 2013-08-14 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Passivierung von Solarzellen mit einer Aluminiumoxid-Schicht
WO2013122874A1 (en) 2012-02-13 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for selective oxidation of a substrate
US8728832B2 (en) * 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9634083B2 (en) 2012-12-10 2017-04-25 United Microelectronics Corp. Semiconductor structure and process thereof
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9761439B2 (en) * 2014-12-12 2017-09-12 Cree, Inc. PECVD protective layers for semiconductor devices
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10510545B2 (en) 2016-06-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Hydrogenation and nitridization processes for modifying effective oxide thickness of a film
US10103027B2 (en) 2016-06-20 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Hydrogenation and nitridization processes for modifying effective oxide thickness of a film
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US20200058497A1 (en) * 2018-08-20 2020-02-20 Applied Materials, Inc Silicon nitride forming precursor control
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
WO2020073158A1 (en) * 2018-10-08 2020-04-16 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Methods for forming three-dimensional memory device having channel structures with native oxide layer
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US11322347B2 (en) * 2018-12-14 2022-05-03 Applied Materials, Inc. Conformal oxidation processes for 3D NAND
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
WO2021150625A1 (en) 2020-01-23 2021-07-29 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a structure and method of depositiing a capping layer in a structure
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202349456A (zh) 2020-11-06 2023-12-16 美商應用材料股份有限公司 增強材料結構的處理
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN116918034A (zh) * 2021-03-04 2023-10-20 应用材料公司 用以改善装置效能的处理
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02303131A (ja) * 1989-05-18 1990-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd 絶縁膜形成方法
JP2937817B2 (ja) * 1995-08-01 1999-08-23 松下電子工業株式会社 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及びｍｏｓ半導体デバイスの製造方法
JPH11261065A (ja) * 1997-11-20 1999-09-24 Lucent Technol Inc シリコンゲートｆｅｔの製造方法
US6319775B1 (en) * 1999-10-25 2001-11-20 Advanced Micro Devices, Inc. Nitridation process for fabricating an ONO floating-gate electrode in a two-bit EEPROM device
JP2001291866A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US7294563B2 (en) * 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
JP3746968B2 (ja) * 2001-08-29 2006-02-22 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法および形成システム
JP2004095918A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Fasl Japan Ltd 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法
US6774000B2 (en) * 2002-11-20 2004-08-10 International Business Machines Corporation Method of manufacture of MOSFET device with in-situ doped, raised source and drain structures
US6821868B2 (en) * 2002-12-27 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming nitrogen enriched gate dielectric with low effective oxide thickness
US6949433B1 (en) * 2003-02-07 2005-09-27 Fasl Llc Method of formation of semiconductor resistant to hot carrier injection stress
JP4261276B2 (ja) * 2003-08-15 2009-04-30 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
US6818517B1 (en) * 2003-08-29 2004-11-16 Asm International N.V. Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ
TWI228789B (en) * 2004-01-20 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Method for producing dielectric layer of high-k gate in MOST
JP2005311061A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁層及びその製造方法
US7727828B2 (en) * 2005-10-20 2010-06-01 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor
US7888217B2 (en) * 2005-10-20 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007131051A1 (en) 2007-11-15
US7727828B2 (en) 2010-06-01
KR20090007633A (ko) 2009-01-19
JP2009536459A (ja) 2009-10-08
TW200743162A (en) 2007-11-16
US20070093013A1 (en) 2007-04-26
EP2022091A1 (en) 2009-02-11
CN101438398A (zh) 2009-05-20
TWI415193B (zh) 2013-11-11

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