KR20190001754A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 초임계 유체를 사용하는 기판 처리 공정에서 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 진행 상황을 감지하고 공정 완료 여부를 판단할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과, 상기 벤트라인에 구비되어 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하는 감지부를 포함하여 구성된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND THE METHOD THEREOF}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 초임계 유체를 사용하는 기판 처리 공정에서 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 진행 상황을 감지하고 공정 완료 여부를 판단할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
물질은 임계점(supercritical point)이라고 불리는 일정한 고온·고압의 한계를 넘으면 기체와 액체의 구별을 할 수 없는 상태인 임계상태가 되는데, 이 상태에 있는 물질을 초임계유체라고 한다.
초임계유체는 분자의 밀도 변화가 큰 특징을 가진다. 분자의 밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 낮아 기체에 가깝기 때문이다. 또 기체처럼 확산이 빨라 열전도성이 물만큼이나 높지만, 액체처럼 용매로 사용되어 용질 주변의 용매 농도가 극히 높아지는 특이한 성질을 가지고 있고, 표면장력의 영향을 받지 않는다. 따라서 초임계 유체는 화학반응에 아주 유용하며 혼합물에서 특정 성분을 추출·분리하는 성질이 강해 여러 분야에서 활용되고 있고, 특히 임계온도가 상온에 비교적 가까우며 비극성 물질인 초임계 이산화탄소의 활용도가 높다.
반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 단위공정에서도 초임계 유체가 다방면으로 활용된다. 특히, 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 지속적으로 감소하여 미세구조 패턴이 주를 이루면서 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)가 급격히 증가하고 있어, 식각공정이나 세정공정과 같은 습식 공정이 완료된 후 약액을 건조하는 과정에서 발생하는 패턴 무너짐(Pattern leaning) 현상의 해결 방법으로 초임계 유체가 이용되고 있다.
도 1을 참조하여 상기 패턴 무너짐 현상을 설명한다.
패턴 무너짐 현상은, 패턴(P)이 형성된 기판(W) 상에 약액(C)이 공급되고(1-1), 공급된 약액(C)이 건조되는 과정에서 패턴(P) 사이사이에 불규칙하게 잔존하는 약액의 표면장력으로 인한 라플라스 압력(Laplace Pressure)이 발생하여(1-2), 패턴(P)간에 브리지(B)가 형성되고(1-3), 공급된 약액(C)이 모두 건조되어도 패턴(P) 간의 흡착력(Adhesive Energy)으로 인해 복원되지 않은 채 패턴(P)이 붕괴되는(1-4) 공정 불량 현상이다.
초임계 유체는 세정과 린스 공정을 거친 기판상에 공급되어 패턴 무너짐 현상이 일어나기 전에 기판을 빠르게 건조시키는 역할을 하며 초임계 이산화탄소가 주로 사용된다. 린스액으로는 순수(DI)가 주로 사용되는데, 초임계 이산화탄소는 비극성 물질이므로 극성 물질인 순수(DI)와 반응하지 않는다.
상기 초임계 이산화탄소와의 반응을 촉진시키기 위하여, 이소프로필알코올(IPA)을 기판 상에 공급하여 순수를 이소프로필알코올(IPA)로 치환시킨다. 즉, 기판상에 공급되는 초임계 이산화탄소는 이소프로필알코올과 반응하여 초임계 혼합물을 이루고 기판으로부터 분리되어 빠른 속도로 기판을 건조한다.
초임계 유체를 지속적으로 공급하며 기판을 건조하면, 챔버 내부의 초임계 혼합물의 농도가 점점 높아지며 고압 상태가 되므로, 챔버 내부의 압력을 낮추기 위해 부분적인 초임계 혼합물의 배출이 반복적으로 진행되고, 이후 건조공정을 마친 후에는 챔버 내부의 초임계 혼합물을 완전히 배출시키는 단계가 수행된다.
이때, 기판을 완전히 건조하여 공정 불량을 방지함과 동시에 불필요하게 과도한 건조 공정 진행을 피하기 위해 기판이 완전히 건조되는 공정 완료 시점 도달에 대한 정확한 판단이 요구된다.
초임계 유체를 이용한 기판 처리 장치와 기판 처리 장치와 관련된 선행기술은 대한민국 공개특허 제10-2017-0006570호에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 초임계 유체를 사용하는 기판 처리 공정에서 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 진행 상황을 감지하고 공정 완료 여부를 판단할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과, 상기 벤트라인에 구비되어 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하는 감지부를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 감지부는 점도계, IPA 농도계, CO2 농도계 등으로 구비될 수 있으며, 상기 챔버 내부에 상기 감지부와 같은 종류의 내부감지부가 더 구비되어 상기 챔버 내부의 유체의 성분을 측정하여 상기 감지부와 비교하도록 구성될 수 있다.
상기 감지부에는 표시부가 연결되어, 상기 표시부를 통해 상기 감지부의 측정 결과를 확인할 수 있도록 구성될 수 있다.
상기 감지부에는 제어부가 연결되고, 상기 제어부는 상기 감지부의 측정값을 기준으로 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하여 상기 챔버에 유체의 출입을 제어함으로써 기판 처리 공정을 종료시키도록 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 초임계 유체를 사용하는 기판 처리 공정에서 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 진행 상황을 감지하고 공정 완료 여부를 판단할 수 있다.
도 1은 패턴 무너짐 현상을 보여주는 개념도.
도 2는 본 발명에 의해 벤트라인에 감지부가 구비되는 기판 처리 장치를 나타내는 개념도.
도 3은 본 발명에 의해 기판 처리 진행 상황을 판단하여 챔버에 공급되는 공급유체량을 조절하는 개념도.
도 4는 본 발명에 의해 기판 처리 진행 상황을 판단하여 챔버로부터 배출되는 배출유체량을 조절하는 개념도.
도 5는 본 발명에 의해 기판 처리 진행 상황을 판단하여 공급유체량과 배출유체량을 조절하는 개념도.
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 순서도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2를 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
본 발명의 일실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버(100)에 연결되어 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하는 벤트라인(V)과, 상기 벤트라인(V)에 구비되어 상기 벤트라인(V)을 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하는 감지부(10)를 포함하여 구성된다.
상기 기판(W)은, 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
상기 기판(W)을 건조하는 기판 처리 공정에서, 상기 챔버(100)에 공급되는 공급유체는 초임계유체일 수 있다. 상기 초임계유체는 상기 기판(W)에 선 공급되는 약액의 종류에 대응하여 구비될 수 있다. 상기 기판(W)에 선 공급되는 약액으로는, 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetrahydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 디메틸에틸(dimethylether), n-프로필알코올(n-propyl alcohol) 등이 있다. 이에 대응하여 상기 유기약액을 제거하기 위한 초임계유체는 초임계 이산화탄소(SCCO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등이 있다.
기판 처리 공정이 원활히 진행되기 위해서는 상기 챔버(100) 내부의 압력이 적절히 유지되어야 하므로, 이를 감지하기 위해 상기 챔버(100) 내부에 압력감지부(200)가 구비될 수 있다.
상기 압력감지부(200)에서 측정되는 압력값을 기준으로 상기 벤트라인(V)을 통해 배출되는 배출유체의 유량을 조절하여 상기 챔버(100) 내부 압력을 적절히 유지할 수 있다.
IPA와 초임계 이산화탄소를 이용하여 기판 처리 공정이 진행되는 상기 챔버(100) 내부에는, IPA, 초임계 이산화탄소, IPA와 초임계 이산화탄소가 반응하여 형성되는 초임계 혼합물이 혼재한다.
따라서, 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체 또한 IPA와 초임계 이산화탄소, 초임계 혼합물의 혼합 유체로 이루어져 있다.
상기 혼합 유체를 구성하는 각 유체의 혼합 비율은 기판 처리 공정의 진행 상황에 따라 달라질 수 있다.
상기 혼합 유체 중 IPA가 차지하는 비율은 기판 처리 공정 초기에 가장 높고, 상기 IPA의 비율은 공정이 진행될수록 점점 줄어들게 되며, 공정이 완료되어 상기 챔버(100) 내부의 IPA가 모두 제거되면 그 비율은 0에 수렴하게 된다.
상기 혼합 유체 중 초임계 이산화탄소가 차지하는 비율은 기판 처리 공정 초기에 가장 낮고, 상기 초임계 이산화탄소의 비율은 공정이 진행될수록 점차 증가하게 되며, 공정이 완료되어 챔버(100) 내부의 IPA 비율이 0에 수렴하면 더 이상 반응이 일어나지 않아 그 비율은 1OO에 수렴하게 된다.
초임계 혼합물은 기판 처리 공정 초기에는 IPA와 초임계 이산화탄소의 반응량이 적어 상대적으로 낮은 비율을 가지며, 상기 비율은 공정이 진행됨에 따라 높아졌다가, 공정이 완료되고 상기 챔버(100) 내부의 IPA 비율이 0에 수렴하면 더이상 혼합물이 생성되지 않아 0에 수렴하게 된다.
즉, 상기 배출유체의 혼합 비율을 분석하면 상기 기판 처리 공정의 진행 상황을 판단할 수 있다.
상기 감지부는 상기 배출유체의 특정 성분을 측정하는 장치로서, 측정값으로부터 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악하기 위해 구비된다.
일실시예로, 상기 감지부는 점도계일 수 있다.
상기 점도계는 유동하는 상기 배출유체의 내부 저항을 측정하며, 상기 배출유체에서 초임계 혼합물의 비율이 높을수록 점도가 높게 측정된다.
즉, 상기 점도계의 측정값이 0에 수렴하면 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단할 수 있다.
다른 실시예로, 상기 감지부는 CO2 농도계일 수 있다.
상기 CO2 농도계는 상기 배출유체의 CO2 비율을 측정하며, 상기 CO2 농도계의 측정값이 100에 수렴하면 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단할 수 있다.
또 다른 실시예로, 상기 감지부는 IPA 농도계일 수 있다.
상기 IPA 농도계는 상기 배출유체의 IPA 비율을 측정하며, 상기 IPA 농도계의 측정값이 0에 수렴하면 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 감지부(10)에 연결되는 표시부(11)를 더 포함할 수 있으며, 상기 표시부(11)는 상기 감지부(10)에서 측정되는 측정값 자체를 표시하거나, 상기 측정값을 기준으로 기판 처리 공정의 진행 상황을 일정 신호로 표시할 수 있다.
상기 표시부(11)는 디스플레이 장치일 수 있으며, 상기 측정값에 따라 기판 처리 공정의 진행 상황을 백분율 또는 기-승-전-결 등의 표시로 나타낼 수 있다.
상기 표시부(11)는 발광체일 수 있으며, 상기 측정값에 따라 기판 처리 공정의 진행 상황을 발광체의 색 또는 진행과 완료를 의미하는 온/오프 표시 등으로 나타낼 수 있다.
또한, 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 기판 처리 장치에는 상기 감지부(10)에 연결되는 제어부(20)가 더 구비되어, 상기 제어부(20)가 상기 감지부(10)에서 측정한 측정값을 기준으로 기판 처리 공정의 진행을 제어하도록 구성할 수 있다.
즉, 상기 제어부(20)는 상기 감지부(10)에서 측정한 측정값을 기준으로 상기 챔버(100) 내부에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단할 수 있다.
상기 제어부(20)에 의해 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단되는 경우, 상기 챔버(100)에 유입되는 유체의 공급을 중단하도록 제어할 수 있다.
이를 위해 상기 공급라인(I)에는 공급 레귤레이터(30I)가 구비될 수 있고, 상기 제어부(20)는 상기 챔버(100)에 유입되는 유체의 공급을 중단되도록 상기 공급 레귤레이터(30I)를 제어하게 된다.
또한, 도 4에 나타난 바와 같이, 상기 제어부(20)에 의해 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단되는 경우, 상기 챔버(100)의 내부유체가 모두 배출되도록 제어할 수 있다.
이를 위해 상기 배출라인(V)에는 벤트 레귤레이터(30V)가 구비될 수 있고, 상기 제어부(20)는 상기 벤트라인(V)이 최대로 개방되도록 상기 벤트 레귤레이터(30V)를 제어하게 된다.
또한, 도 5에 나타난 바와 같이, 상기 제어부(20)에 의해 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단되는 경우, 상기 제어부(20)는 상기 챔버(100)에 유입되는 유체의 공급을 중단시키는 동시에 상기 벤트라인(V)을 최대로 개방하도록 상기 공급 레귤레이터(30I)와 상기 벤트 레귤레이터(30V)를 제어하게 된다.
또한, 상기 챔버(100) 내부에 내부감지부(10-1)가 더 구비되어, 상기 챔버(100) 내부의 유체의 특정 성분을 측정하도록 구성할 수 있다,
이 경우 상기 내부감지부(10-1)의 측정값과 상기 감지부(10)의 측정값을 비교하여 기판 처리 공정 완료 여부를 판단하도록 함으로써 공정 완료 여부의 부정확한 판단으로 인한 기판(W)의 건조 불량을 예방할 수 있다.
상기 내부감지부(10-1)는 상기 표시부(11)에 연결되어 상기 내부감지부(10-1)에서 측정되는 측정값 자체를 표시하거나, 상기 측정값을 기준으로 기판 처리 공정의 진행 상황을 일정 신호로 표시하여 상기 감지부(10)의 측정값과 상기 내부감지부(10-1)의 측정값을 비교할 수 있도록 한다.
또한, 상기 내부감지부(10-1)는 상기 제어부(20)에 연결되고, 상기 제어부(20)는 상기 감지부(10)의 측정값과 상기 내부감지부(10-1)의 측정값을 비교하여 기판 처리 공정의 진행을 제어할 수 있다.
도 6를 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
단계 10은, 기판 처리 공정이 진행되는 단계이다. 공급라인(I)를 통해 챔버(100) 내부에 공급유체를 공급하고, 벤트라인(V)을 통해 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출시키며, 상기 챔버(100) 내부의 압력을 적절하게 유지할 수 있다.
단계 20은, 상기 벤트라인(V)에 구비되는 감지부(10)를 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하고, 상기 배출 유체의 혼합 비율을 파악하는 단계이다.
일실시예로, 상기 감지부(10)는 상기 배출유체의 점도를 측정하는 점도계일 수 있으며, 상기 점도계를 통해 상기 배출유체의 점도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악할 수 있다.
다른 실시예로, 상기 감지부(10)는 상기 배출유체의 CO2 농도를 측정하는 CO2 농도계일 수 있으며, 상기 CO2 농도계를 통해 상기 벤트라인(V)을 통해 배출되는 상기 배출유체의 CO2 농도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악할 수 있다.
또 다른 실시예로, 상기 감지부(10)는 상기 배출유체의 IPA 농도를 측정하는 IPA 농도계일 수 있으며, 상기 IPA 농도계를 통해 상기 벤트라인(V)을 통해 배출되는 상기 배출유체의 IPA 농도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악할 수 있다.
또한, 상기 단계 20은, 상기 챔버(100) 내부에 구비되는 내부감지부(10-1)를 통해 상기 감지부(10)와 같이 상기 챔버(100) 내부의 유체의 성분을 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 내부감지부(10-1)는 상기 감지부(10)와 같은 종류의 감지장치로 구비되어 검출값을 비교할 수 있도록 구성할 수 있다.
단계 S30은, 상기 단계 S20에서 측정한 측정값을 기준으로 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하는 단계이다.
상기 감지부(10)에서 측정한 상기 배출유체의 성분은 상기 감지부(10)에 연결된 제어부(20)로 송신되고, 상기 제어부(20)는 상기 배출유체의 성분을 기준으로 상기 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하게 된다.
단계 S40은, 유체의 출입을 제어하고 상기 기판 처리 공정을 종료시키는 단계이다.
상기 제어부(20)는 상기 기판 처리 공정이 완료되었다고 판단되면, 상기 공급라인(I)에 구비되는 공급 레귤레이터(30I)를 제어하여 상기 공급유체의 유입이 중단되도록 할 수 있다.
또한, 상기 제어부(20)는 상기 배출라인(V)에 구비되는 벤트 레귤레이터(30V)를 제어하여 상기 벤트라인(V)을 최대로 개방하고 상기 챔버(100) 내부의 유체를 모두 배출하도록 할 수 있다.
또한, 상기 제어부(20)는 상기 공급 레귤레이터(30I)와 상기 벤트 레귤레이터(30V)를 동시에 제어하여 상기 유입라인(I)을 막아 공급유체의 유입을 중단시키면서 상기 벤트라인(V)을 최대로 개방하여 상기 챔버(100) 내부의 유체가 모두 배출되도록 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
W : 기판 100 : 챔버
200 : 압력감지부 I : 공급라인
V : 벤트라인 10 : 감지부
10-1 : 내부감지부 11 : 표시부
20 : 제어부 30I : 공급 레귤레이터
30V : 벤트 레귤레이터

Claims (22)

  1. 기판을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과;
    상기 벤트라인에 구비되어 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하는 감지부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 감지부에 연결되는 제어부를 더 포함하고;
    상기 제어부는 상기 감지부에서 측정된 측정값을 기준으로 상기 챔버에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하고 상기 챔버의 유체 출입을 제어하는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부에 공급유체를 공급하는 공급라인과,
    상기 공급라인을 통한 공급유체의 유량을 조절하는 공급 레귤레이터를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 챔버에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부에 따라 상기 공급라인이 개폐되도록 상기 공급 레귤레이터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 벤트라인을 통한 배출유체의 유량을 조절하는 벤트 레귤레이터를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 챔버에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부에 따라 상기 벤트라인이 개폐되도록 상기 벤트 레귤레이터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부에 공급유체를 공급하는 공급라인과,
    상기 공급라인을 통한 공급유체의 유량을 조절하는 공급 레귤레이터를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 챔버에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부에 따라 상기 공급라인이 개폐되도록 상기 공급 레귤레이터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 감지부에 연결되는 표시부를 더 포함하고;
    상기 표시부는 상기 감지부에서 측정된 측정값 또는 상기 측정값을 기준으로 계산되는 상기 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부를 일정 신호로 표시하는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내부에 압력감지부가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 유체의 성분을 측정하는 내부감지부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 감지부에 연결되는 표시부를 더 포함하고;
    상기 감지부와 상기 내부감지부는 상기 표시부에 연결되며;
    상기 표시부는 상기 감지부와 상기 내부감지부에서 측정된 측정값 또는 상기 측정값을 기준으로 계산되는 상기 챔버 내부에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부를 각각 일정 신호로 표시하는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 감지부에 연결되는 제어부를 더 포함되고;
    상기 감지부와 상기 내부감지부는 상기 제어부에 연결되며;
    상기 제어부는 상기 감지부와 상기 내부감지부에서 측정된 측정값을 비교하여 상기 챔버에서 진행되는 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하고 상기 챔버의 유체 출입을 제어하는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감지부는 점도계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감지부는 CO2 농도계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감지부는 IPA 농도계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. a) 기판을 수용하는 챔버 내부에 공급라인을 통해 공급유체를 유입시켜 기판 처리 공정을 진행하는 단계;
    b) 상기 챔버의 벤트라인에 구비되는 감지부를 통해 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체의 벤트시 배출유체에 함유된 성분 변화를 측정하는 단계;
    c) 상기 단계 b)에서 측정한 측정값을 기준으로 상기 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하는 단계;
    d) 상기 챔버의 유체 출입을 제어하여 상기 기판 처리 공정을 종료하는 단계;
    로 이루어지는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 단계 b)는, 상기 챔버 내부에 구비되는 내부감지부를 통해 상기 챔버 내부의 유체의 성분을 측정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 단계 c)는, 상기 단계 b)에서 측정한 상기 감지부의 측정값과 상기 내부감지부의 측정값을 비교하여 상기 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 단계 c)는,
    c-1) 상기 단계 b)에서 측정한 상기 배출유체의 성분을 상기 감지부에 연결된 제어부로 송신하는 단계;
    c-2) 상기 제어부는 상기 배출유체의 성분 변화를 기준으로 상기 기판 처리 공정의 완료 여부를 판단하는 단계;
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 단계 c)에서 상기 기판 처리 공정이 완료된 것으로 판단하면,
    상기 공급라인에 구비되는 공급 레귤레이터를 제어하여 상기 공급유체의 유입을 중단시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 단계 c)에서 상기 기판 처리 공정이 완료된 것으로 판단하면,
    상기 배출라인에 구비되는 벤트 레귤레이터를 제어하여 상기 벤트라인을 최대로 개방하고 상기 챔버 내부의 유체를 모두 배출하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 단계 c)에서 상기 기판 처리 공정이 완료된 것으로 판단하면,
    상기 공급라인에 구비되는 공급 레귤레이터를 제어하여 상기 공급유체의 유입을 중단시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  20. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 감지부는 점도계이고, 상기 점도계를 통해 상기 벤트라인을 통해 배출되는 배출유체의 점도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 감지부는 CO2 농도계이고, 상기 CO2 농도계를 통해 상기 벤트라인을 통해 배출되는 상기 배출유체의 CO2 농도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 b)에서, 상기 감지부는 IPA 농도계이고, 상기 IPA 농도계를 통해 상기 벤트라인을 통해 배출되는 상기 배출유체의 IPA 농도를 측정하여 상기 배출유체의 혼합 비율을 파악하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101982656B1 (ko) * 2019-01-11 2019-05-29 주식회사 코스플로우 고압 이산화탄소 vmb 라인 결로방지 시스템
KR20230051327A (ko) * 2021-10-08 2023-04-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치
US11923219B2 (en) 2019-06-27 2024-03-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101982654B1 (ko) * 2019-01-11 2019-05-27 주식회사 코스플로우 고압 이산화탄소 vmb 라인 결로방지 장치
KR101982656B1 (ko) * 2019-01-11 2019-05-29 주식회사 코스플로우 고압 이산화탄소 vmb 라인 결로방지 시스템
US11923219B2 (en) 2019-06-27 2024-03-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
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