JP2009188113A - 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給装置８は、液体がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０を備えている。第１タンク２９内の液体は、第１連結配管３３、第１バルブ３９、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。また、第２タンク３０内の液体は、第２連結配管３４、第２バルブ４０、送液室３１を介して、複数の送液配管３２から複数の供給対象に供給される。第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液排気管３２に至るまでの経路における流路断面積は、複数の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。
【選択図】図４

Description

この発明は、複数の供給対象に液体を供給するための液体供給装置、および当該液体供給装置から供給された液体によって基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

半導体装置などの製造工程では、半導体ウエハ等の基板に対して処理液による処理を施す基板処理装置が用いられる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、基板を保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給するためのノズルとを含む処理部を備えている。

スピンチャックによって基板を水平面内で回転させつつ、ノズルから基板の回転中心付近に向けて処理液を吐出させることにより、基板の上面全域に処理液が供給され、当該基板が処理される。ノズルには、処理液供給装置から処理液が供給される。処理液供給装置としては、たとえば、処理液が収容されたタンク内を気体により加圧してノズルに向けて処理液を送液させる加圧型のものがある（下記特許文献１参照）。

加圧型の処理液供給装置は、たとえば、処理液が収容されたタンクと、このタンクの上部に接続され当該タンク内に窒素ガスを供給するための窒素ガス供給配管と、タンクの上部に接続され当該タンク内の処理液をノズルに送液するための送液配管とを備えている。窒素ガス供給配管からタンク内に窒素ガスを供給させることにより、当該タンク内が加圧され、この圧力によって、当該タンク内の処理液が送液配管内を通ってノズルに供給される。
特開２００２−２７３３１４号公報

枚葉型の基板処理装置には、処理部が複数設けられているものがある。また、処理部には、ノズルが複数設けられているものがある。すなわち、枚葉型の基板処理装置には、処理液供給装置からの処理液の供給を受ける供給対象が複数設けられているものがある。

処理液供給装置から複数のノズルに処理液を供給する場合、各ノズルに対応する複数の送液配管をタンクの上部に接続し、これらの送液配管から各ノズルに処理液を供給させることが考えられる。しかしながら、複数の送液配管をタンクに接続すると、これらの送液配管が接続されるスペースをタンク上部に確保する必要があるため、タンクが大型化し、ひいては、処理液供給装置が大型化してしまう場合がある。この場合、処理液供給装置が占有する面積（フットプリント）が増大してしまう。

一方、送液配管の数を増やす代わりに、送液配管におけるノズル側の端部を分岐させて、複数のノズルに処理液を供給させることが考えられる。具体的には、送液配管におけるノズル側の端部を分岐させて複数の分岐配管を形成し、これらの分岐配管から複数のノズルに処理液を供給させることが考えられる。この場合、タンクと送液配管との接続部分の数が増加しないのでタンクの大型化を回避できる。しかしながら、送液配管を分岐させると安定した流量でノズルに処理液を供給できないおそれがある。たとえば、タンクから所定のノズルに処理液を供給しているときに、他のノズルへの処理液の供給を開始すると、前記所定のノズルへの処理液供給量が変動するおそれがある。

そこで、この発明の目的は、装置の大型化を抑制しつつ、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供することである。

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、液体がそれぞれ収容された第１タンク（２９）および第２タンク（３０）と、これらの第１および第２タンク内の液体が送液される送液室（３１，１３１）と、この送液室に接続されており、当該送液室に送液された液体を複数の供給対象（６）にそれぞれ送液するための複数の送液配管（３２）と、前記第１および第２タンクと前記送液室とをそれぞれ連結する第１および第２連結配管（３３，３４）と、前記第１および第２連結配管にそれぞれ介装された第１バルブ（３９）および第２バルブ（４０）と、前記第１タンク内を加圧して、当該第１タンク内の液体を、前記第１連結配管、前記第１バルブ、前記送液室および前記送液配管を介して、前記供給対象に送液するための第１送液手段（３５）と、前記第２タンク内を加圧して、当該第２タンク内の液体を、前記第２連結配管、前記第２バルブ、前記送液室および前記送液配管を介して、前記供給対象に送液するための第２送液手段（３６）とを含み、前記第１タンクから各送液配管に至るまでの経路、および前記第２タンクから各送液排気管に至るまでの経路における流路断面積が、前記複数の送液配管の流路断面積の総和よりも大きくされている、液体供給装置（８，１０８）である。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。

この発明によれば、第１送液手段によって第１タンク内を加圧することにより、第１連結配管、第１バルブ、送液室および複数の送液配管を介して、第１タンクから複数の供給対象に液体が供給される。また、第２送液手段によって第２タンク内を加圧することにより、第２連結配管、第２バルブ、送液室および複数の送液配管を介して、第２タンクから複数の供給対象に液体が供給される。これにより、複数の供給対象に対して液体が供給される。第１および第２タンクには、複数の供給対象に向けて液体を送液するための配管がそれぞれ１つ（第１または第２連結配管）しか接続されていないので、装置の大型化が抑制されている。

さらに、第１タンクから各送液配管に至るまでの経路、および第２タンクから各送液配管に至るまでの経路における流路断面積が、複数の送液配管の流路断面積の総和よりも大きくされており、各送液配管に至るまでの流路断面積が十分に確保されている。したがって、他の送液配管の送液状態によらず、各送液配管に対してほぼ均一な圧力で液体を送液することができる。これにより、複数の供給対象に対して安定した流量で液体を供給することができる。

送液室は、たとえば、複数の送液配管の流路断面積の総和よりも流路断面積が大きいタンクなどの容器であってもよいし、請求項４記載の発明のように、複数の送液配管の流路断面積の総和よりも流路断面積が大きい配管であってもよい。

請求項２記載の発明は、前記第１送液手段は、前記第１タンクに接続され、当該第１タンク内を加圧するための気体を当該第１タンク内に供給する第１気体供給配管（５２）を含み、前記第２送液手段は、前記第２タンクに接続され、当該第２タンク内を加圧するための気体を当該第２タンク内に供給する第２気体供給配管（５４）を含み、前記第１および第２連結配管は、前記第１および第２タンクにおける前記第１および第２気体供給配管が接続されていない外表面にそれぞれ接続されている、請求項１記載の液体供給装置である。

この発明によれば、第１タンク内に気体を供給するための第１気体供給配管と前記第１連結配管とが、第１タンクにおける互いに異なる外表面に接続されており、第２タンク内に気体を供給するための第２体供給配管と前記第２連結配管とが、第２タンクにおける互いに異なる外表面に接続されている。たとえば、第１気体供給配管が第１タンクの上面に接続されている場合には、下面などの上面以外の第１タンクの外表面に第１連結配管が接続されている。

各タンクにおける同一の外表面に気体供給配管と連結配管とを接続する場合、当該同一の外表面内にこれらの配管が接続されるスペースを設ける必要があるため、当該同一の外表面が大型化してしまうおそれがある。一方、気体供給配管と連結配管とを各タンクにおける互いに異なる外表面に接続することにより、各タンクにおける所定の外表面の大型化を抑制し、第１および第２タンクの大型化を抑制することができる。これにより、液体供給装置の大型化を抑制することができる。

請求項３記載の発明は、前記送液室は、前記複数の送液配管の流路断面積の総和よりも流路断面積が大きい配管である、請求項１または２に記載の液体供給装置である。

この発明によれば、たとえば汎用の配管を送液室として用いることができるので、送液室の生産等に要するコストを低減することができる。

請求項４記載の発明は、前記第１バルブを開き前記第２バルブを閉じることにより前記第１タンクから前記送液室に液体を供給させる第１送液状態と、前記第１バルブを閉じ前記第２バルブを開くことにより前記第２タンクから前記送液室に液体を供給させる第２送液状態とを含む複数の送液状態に制御する制御手段（９）をさらに含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の液体供給装置である。

この発明によれば、制御手段によって第１および第２バルブを開閉させることにより、第１タンクから送液室に液体を供給させる第１送液状態と、第２タンクから送液室に液体を供給させる第２送液状態とを含む複数の送液状態に液体供給装置を制御することができる。たとえば、液体供給装置の送液状態を、第１送液状態と第２送液状態とに交互に切り換えることができる。

第１送液状態では第２送液手段によって第２タンク内が加圧されていなくてもよいので、当該状態の間に、第２タンク内に液体を供給するための第２液体供給手段（５０）によって、第２タンク内に液体を補充することができる。一方、第２送液状態では第１送液手段によって第１タンク内が加圧されていなくてもよいので、当該状態の間に、第１タンク内に液体を供給するための第１液体供給手段（４４）によって、第１タンク内に液体を補充することができる。したがって、液体供給装置の送液状態を第１送液状態と第２送液状態とに交互に切り換えることによって、供給対象に対して安定して液体を供給することができる。

請求項５記載の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の液体供給装置と、前記複数の供給対象としての複数の処理部（６）とを含み、前記複数の処理部内で前記液体供給装置から供給される液体を基板（Ｗ）に供給して当該基板を処理する、基板処理装置（１）である。

この発明によれば、液体供給装置から複数の処理部に対して安定した流量で液体を供給することができるので、各処理部において基板に安定した処理を行うことができる。また、液体供給装置は、大型化が抑制されているので、基板処理装置に対する液体供給装置のレイアウトの自由度が向上されている。液体供給装置は、基板処理装置に対してその外部から結合されていてもよいし、基板処理装置に内蔵されていてもよい。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１は、この発明の一実施形態に係る液体供給装置としての処理液供給装置８を備える基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。また、図２は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。この基板処理装置１は、各種の処理を半導体ウエハ等の基板Ｗに対して施すための装置である。基板処理装置１は、インデクサブロック２と、このインデクサブロック２に結合された処理ブロック３とを備えている。

インデクサブロック２は、キャリア保持部４と、インデクサロボットＩＲと、インデクサロボット移動機構５（以下では、「ＩＲ移動機構５」という。）とを備えている。キャリア保持部４は、複数枚の基板Ｗを収容できるキャリアＣを保持することができる。キャリアＣは、所定の配列方向Ｕ（以下「キャリア配列方向Ｕ」という。）に沿って配列された状態で、キャリア保持部４に保持されるようになっている。また、インデクサロボットＩＲは、キャリア保持部４に保持されたキャリアＣに対して処理済の基板Ｗを搬入する搬入動作、および、未処理の基板ＷをキャリアＣから搬出する搬出動作を行うことができる。ＩＲ移動機構５は、キャリア配列方向Ｕに沿ってインデクサロボットＩＲを水平に移動させることができる。

一方、処理ブロック３は、基板Ｗに処理を施すための複数の供給対象としての複数の処理部６と、センターロボットＣＲとを備えている。本実施形態では、たとえば４つの処理部６が設けられている。４つの処理部６は、平面視において、センターロボットＣＲを取り囲むように配置されている。キャリア配列方向Ｕに互いに対向する処理部６間には、所定の間隔が設けられている。

センターロボットＣＲは、複数の処理部６に対して未処理の基板Ｗを搬入する搬入動作、および、処理済の基板Ｗを処理部６から搬出する搬出動作を行うことができる。また、センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから未処理の基板Ｗを受け取ることができ、処理済の基板ＷをインデクサロボットＩＲに渡すことができる。インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの動作は、インデクサブロック２に設けられたメイン制御部７によって制御される。メイン制御部７は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなる。

また、基板処理装置１には、各処理部６に処理液を供給するための処理液供給装置８が接続されている。各処理部６では、処理液供給装置８から供給された処理液によって基板Ｗに処理が施される。処理液供給装置８は制御手段としての制御部９を有しており（図２参照）、この制御部９が、メイン制御部７からの指令を受けて、処理液供給装置８を制御することにより、処理液供給装置８から各処理部６に処理液が供給される。

図２に示すように、基板処理装置１のメイン制御部７には、インデクサロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、ＩＲ移動機構５および各処理部６が制御対象として接続されている。また、メイン制御部７には、処理液供給装置８の制御部９が接続されている。

図３は、処理部６の概略構成の正面図である。各処理部６は、図示しない処理室内に、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャック１０と、このスピンチャック１０に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する第１ノズル１１および第２ノズル１２を備えている。本実施形態では、デバイスが形成された基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、当該基板Ｗがスピンチャック１０に保持されるようになっている。

スピンチャック１０は、鉛直な方向に延びる回転軸１３と、回転軸１３の上端に水平に取り付けられた円板状のスピンベース１４とを有している。スピンチャック１０は、スピンベース１４の上面周縁部に立設された複数本のチャックピン１５によって、基板Ｗをほぼ水平に保持することができる。複数本のチャックピン１５は、スピンベース１４の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔をあけて配置されている。複数本のチャックピン１５は、基板Ｗの下面の周縁部を支持しつつ、基板Ｗの周端面におけるそれぞれ異なる位置に当接することにより、互いに協働して基板Ｗをほぼ水平に保持することができる。

また、回転軸１３には、モータなどの駆動源を含むチャック回転駆動機構１６が結合されている。複数本のチャックピン１５で基板Ｗを保持した状態で、チャック回転駆動機構１６から回転軸１３に駆動力を入力することにより、基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線まわりに当該基板Ｗを回転させることができる。

なお、スピンチャック１０としては、このような構成のものに限らず、たとえば、基板Ｗの下面を真空吸着することにより基板Ｗをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Ｗを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。

第１ノズル１１は、その吐出口を基板Ｗ側（下方）に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１アーム１７の先端に取り付けられている。第１アーム１７は、ほぼ鉛直に延びる第１支持軸１８に支持されている。第１アーム１７は、第１支持軸１８の上端部からほぼ水平に延びている。また、第１支持軸１８は、その中心軸線まわりに回転可能にされている。

第１支持軸１８には、第１ノズル移動機構１９が結合されている。第１ノズル移動機構１９は、第１支持軸１８を回転させることにより第１ノズル１１をほぼ水平に移動させることができる。第１ノズル移動機構１９によって、第１ノズル１１をほぼ水平に移動させることにより、第１ノズル１１をスピンチャック１０の上方に配置したり、スピンチャック１０の上方から退避させたりすることができる。

第１ノズル１１には、薬液供給管２０およびリンス液供給管２１が接続されている。薬液供給管２０には、薬液バルブ２２が介装されており、この薬液バルブ２２を開くことにより、処理液供給装置８から第１ノズル１１に薬液を供給させることができる。第１ノズル１１に供給される薬液としては、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水のうちの少なくとも１つを含む液を用いることができる。

また、リンス液供給管２１には、リンス液バルブ２３が介装されている。このリンス液バルブ２３を開くことにより、処理液供給装置８から第１ノズル１１にリンス液を供給させることができる。第１ノズル１１に供給されるリンス液としては、たとえば、純水（脱イオン水）が用いられている。リンス液としては、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水や、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ程度）のアンモニア水などを用いることができる。

第２ノズル１２は、その吐出口を基板Ｗ側（下方）に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２アーム２４の先端に取り付けられている。第２アーム２４は、ほぼ鉛直に延びる第２支持軸２５に支持されている。第２アーム２４は、第２支持軸２５の上端部からほぼ水平に延びている。また、第２支持軸２５は、その中心軸線まわりに回転可能にされている。

第２支持軸２５には、第２ノズル移動機構２６が結合されている。第２ノズル移動機構２６は、第２支持軸２５を回転させることにより第２ノズル１２をほぼ水平に移動させることができる。第２ノズル移動機構２６によって、第２ノズル１２をほぼ水平に移動させることにより、第２ノズル１２をスピンチャック１０の上方に配置したり、スピンチャック１０の上方から退避させたりすることができる。

第２ノズル１２には、ＩＰＡバルブ２８が介装されたＩＰＡ供給管２７が接続されている。このＩＰＡバルブ２８を開くことにより、基板Ｗの乾燥を促進させる乾燥促進液としてのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を処理液供給装置８から第２ノズル１２に供給させることができる。ＩＰＡは、純水よりも表面張力が低く、純水よりも揮発性の高い有機溶剤である。ＩＰＡは、純水を溶け込ませることができる。第２ノズル１２に供給される乾燥促進液としては、ＩＰＡに限らず、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフロロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液を用いることができる。

基板Ｗの上面に対する処理に際しては、スピンチャック１０よって基板Ｗを水平面内で回転させつつ、スピンチャック１０の上方に配置された第１ノズル１１から基板Ｗの回転中心付近に向けて薬液を吐出させる。第１ノズル１１から吐出された薬液は、基板Ｗの上面に供給され、基板Ｗの回転による遠心力を受けて上面に沿ってその周縁部に向けて広がっていく。これにより、基板Ｗの上面全域に薬液が供給され、薬液による処理が基板Ｗの上面全域に施される。

その後、第１ノズル１１からの薬液の吐出が停止され、当該第１ノズル１１からリンス液としての純水が吐出される。これにより、基板Ｗの上面全域に純水が供給され、基板Ｗの上面に付着している薬液が純水によって洗い流される。

次いで、第１ノズル１１からの純水の吐出が停止されるとともに、第１ノズル１１がスピンチャック１０の上方から退避され、第１ノズル１１に代わって第２ノズル１２がスピンチャック１０の上方に配置される。その後、第２ノズル１２からＩＰＡが吐出される。これにより、基板Ｗの上面全域にＩＰＡが供給され、基板Ｗの上面に付着している純水にＩＰＡが溶け込むことにより基板Ｗの上面に付着している純水はＩＰＡに徐々に置き換わる。

基板ＷにＩＰＡが所定の時間供給された後は、基板Ｗの回転速度が予め定める高回転速度に上げられる。これにより、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ上のＩＰＡが振り切られ、基板Ｗが乾燥される。このとき、基板Ｗ上に供給された純水はＩＰＡで置換されているので、純水が基板Ｗ上で蒸発して当該基板Ｗの上面にウォータマークが発生することが抑制されている。また、ＩＰＡは、純水よりも揮発性の高い有機溶剤なので、基板Ｗの乾燥に要する時間が短縮されている。基板Ｗの乾燥が終了すると、スピンチャック１０による基板Ｗの回転が停止されて、処理済の基板ＷがセンターロボットＣＲによって処理部６から搬出されていく。

図４は、処理液供給装置８の概略構成を示す模式図である。処理液供給装置８は、同種の処理液（液体）がそれぞれ収容された第１タンク２９および第２タンク３０と、これらの第１および第２タンク２９，３０内の処理液が送液される送液室３１と、この送液室３１に接続された複数本（たとえば４本）の送液配管３２と、第１および第２タンク２９，３０と送液室３１とをそれぞれ連結する第１連結配管３３および第２連結配管３４とを備えている。第１タンク２９内の処理液は、第１送液手段としての第１送液機構３５によって送液室３１に向けて送液される。また、第２タンク３０内の処理液は、第２送液手段としての第２送液機構３６によって送液室３１に向けて送液される。

本実施形態では、処理液供給装置８から各処理部６に、薬液、純水およびＩＰＡが供給されるので、処理液供給装置８は、これらの複数種類の処理液にそれぞれ対応して、前述の構成を複数個備えている。すなわち、図示はしないが、処理液供給装置８は、薬液に対応する前述の構成、純水に対応する前述の構成およびＩＰＡに対応する前述の構成を備えている。

第１および第２タンク２９，３０は、たとえば、それぞれ円筒形状の密閉容器からなり、円形の底壁部と、円形の上壁部と、これらの底壁部および上壁部の間を結合する円筒状側壁部とを有している。したがって、第１および第２タンク２９，３０は、それぞれ、外表面として、平坦な上面および底面ならびに円筒状の側面を有している。

また、第１および第２タンク２９，３０は、第１連結配管３３、送液室３１および第２連結配管３４を介して互いに連結されている。第１タンク２９内の処理液は、第１連結配管３３を介して送液室３１に送液される。第２タンク３０内の処理液は、第２連結配管３４を介して送液室３１に送液される。第１連結配管３３は、第１タンク２９の下部２９ｂ（底壁部）、すなわち下面に接続されており、第２連結配管３４は、第２タンク３０の下部３０ｂ（底壁部）、すなわち下面に接続されている。第１および第２連結配管３３，３４は、たとえば同種の配管が用いられている。したがって、第１および第２連結配管３３，３４の流路断面積は等しくされている。

また、本実施形態では、送液室３１として配管が用いられている。送液室３１として配管を用いることにより、送液室３１の生産等に要するコストを低減することができる。第１連結配管３３は、送液室３１の一端に接続されており、第２連結配管３４は、送液室３１の他端に接続されている。また、４本の送液配管３２の一端は、送液室３１の長手方向に並んだ状態で、当該送液室３１に接続されている。各送液配管３２は、たとえば同種の配管が用いられている。したがって、複数の送液配管３２の流路断面積は互いに等しくされている。また、送液室３１の内径は、第１および第２連結配管３３，３４の内径と等しくされている。したがって、第１および第２連結配管３３，３４ならびに送液室３１の流路断面積は互いに等しくされている。

第１および第２連結配管３３，３４には、排液バルブ３７が介装された排液配管３８がそれぞれ接続されている。各排液バルブ３７を開くことにより、第１および第２タンク２９，３０内の処理液を排液配管３８を介して図示しない排液タンクに導くことができる。これにより、第１および第２タンク２９，３０内の処理液を排液することができる。排液バルブ３７は常時閉とされており、必要に応じて開かれるようになっている。

また、第１および第２連結配管３３，３４には、それぞれ第１バルブ３９および第２バルブ４０が介装されている。第２バルブ４０を閉じた状態で、第１バルブ３９を開くことにより、第１タンク２９内の処理液を送液室３１に送液することができる（第１送液状態）。また、第１バルブ３９を閉じた状態で、第２バルブ４０を開くことにより、第２タンク３０内の処理液を送液室３１に送液することができる（第２送液状態）。送液室３１に送液された処理液は、いずれかの送液配管３２を介して各処理部６に供給される。

すなわち、４つ送液配管３２は、それぞれ異なる処理部６に接続されており、送液室３１と４つの処理部６とを連結している。各送液配管３２には、処理液バルブ４１、ニードルバルブ４２および流量計４３が介装されている。図４では、処理液バルブ４１、ニードルバルブ４２および流量計４３の一部の図示を省略している。各送液配管３２に介装された処理液バルブ４１を開くことにより、送液室３１から各処理部６に処理液を供給することができる。

また、各送液配管３２に介装されたニードルバルブ４２の開度を変更することにより、当該送液配管３２を流れる処理液の流量を調節することができる。各送液配管３２を流れる処理液の流量は、当該送液配管３２に介装された流量計４３によって計測される。各流量計４３の計測値は、処理液供給装置８の制御部９に入力される。また、各処理液バルブ４１の開閉は、制御部９によって制御される（図７参照）。

本実施形態では、第１連結配管３３、第２連結配管３４および送液室３１のそれぞれの流路断面積が、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。また、開度が全開とされた状態における第１および第２バルブ３９，４０のそれぞれの流路断面積は、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。すなわち、本実施形態では、第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液配管３２に至るまでの経路における流路断面積が、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。各送液配管３２に至るまでの流路断面積が十分に確保されているので、他の送液配管３２への送液状態によらず、各送液配管３２に対してほぼ均一な圧力で処理液を送液することができる。

第１送液機構３５は、第１タンク２９内を気体により加圧することにより、第１タンク２９内の処理液を送液室３１に向けて送液することができる。第１送液機構３５は、第１タンク２９内に気体を供給するための第１気体供給配管５２を備えている。第１タンク２９内に供給される気体としては、たとえば窒素ガスが用いられている。第１タンク２９内に供給される気体としては、窒素ガスに限らず、その他の不活性ガスやクリーンエアー等が用いられていてもよい。

第１気体供給配管５２は、第１タンク２９の上部２９ａ（上壁部）、すなわち上面に接続されている。また、第１気体供給配管５２には、第１気体バルブ５３が介装されている。この第１気体バルブ５３を開くことにより、図示しない窒素ガス供給源から第１タンク２９に窒素ガスを供給させることができる。これにより、第１タンク２９内を加圧することができる。

また、第１タンク２９の上部２９ａ（上壁部）、すなわち上面には、第１排気バルブ５６が介装された第１排気配管５７が接続されている。第１排気バルブ５６を開くことにより、第１タンク２９内から窒素ガスを排出させることができる。これにより、窒素ガスの供給により高められた第１タンク２９内の圧力を低下させることができる。

一方、第２送液機構３６は、第２タンク３０内を気体により加圧することにより、第２タンク３０内の処理液を送液室３１に向けて送液することができる。第２送液機構３６は、第２タンク３０内に気体を供給するための第２気体供給配管５４を備えている。第２タンク３０内に供給される気体としては、たとえば窒素ガスが用いられている。第２タンク３０内に供給される気体としては、窒素ガスに限らず、その他の不活性ガスやクリーンエアー等が用いられていてもよい。

第２気体供給配管５４は、第２タンク３０の上部３０ａ（上壁部）、すなわち上面に接続されている。また、第２気体供給配管５４には、第２気体バルブ５５が介装されている。この第２気体バルブ５５を開くことにより、図示しない窒素ガス供給源から第２タンク３０に窒素ガスを供給させることができる。これにより、第２タンク３０内を加圧することができる。

また、第２タンク３０の上部３０ａ（上壁部）、すなわち上面には、第２排気バルブ５８が介装された第２排気配管５９が接続されている。第２排気バルブ５８を開くことにより、第２タンク３０内から窒素ガスを排出させることができる。これにより、窒素ガスの供給により高められた第２タンク３０内の圧力を低下させることができる。

第２バルブ４０が閉じられ第１バルブ３９が開かれた状態で、第１送液機構３５によって第１タンク２９内が加圧されると、第１タンク２９内の処理液は、第１タンク２９内の圧力によって送液室３１に向けて送液される（第１送液状態）。すなわち、第１タンク２９内の処理液が、第１連結配管３３および第１バルブ３９を介して送液室３１に送液される。そして、送液室３１に送液された処理液は、送液配管３２を介して処理部６に供給される。

一方、第１バルブ３９が閉じられ第２バルブ４０が開かれた状態で、第２送液機構３６によって第２タンク３０内が加圧されると、第２タンク３０内の処理液は、第２タンク３０内の圧力によって送液室３１に向けて送液される（第２送液状態）。すなわち、第２タンク３０内の処理液が、第２連結配管３４および第２バルブ４０を介して送液室３１に送液される。そして、送液室３１に送液された処理液は、送液配管３２を介して処理部６に供給される。

処理液供給装置８から各処理部６には、たとえば、最初に第１タンク２９内の処理液が供給される（第１送液状態）。そして、第１タンク２９内の液量が所定量以下になると、第１および第２バルブ３９，４０の開閉状態が切り換えられて、第２タンク３０内の処理液が各処理部６に供給される（第２送液状態）。第２タンク３０内の処理液が各処理部６に供給されている間、第１タンク２９には第１処理液供給機構４４から処理液が供給され、第１タンク２９に処理液が補充される。

また、第２タンク３０内の液量が所定量以下になると、第１および第２バルブ３９，４０の開閉状態が切り換えられて、再び、第１タンク２９内の処理液が各処理部６に供給される（第１送液状態）。第１タンク２９内の処理液が各処理部６に供給されている間、第２タンク３０には第２処理液供給機構５０から処理液が供給され、第２タンク３０に処理液が補充される。このようにして、処理液供給装置８の送液状態が第１送液状態および第２送液状態に交互に切り換えられ、処理液供給装置８から各処理部６に処理液が安定して供給される。

第１処理液供給機構４４は、第１タンク２９の上部２９ａ（上壁部）、すなわち上面に接続された第１供給配管４５と、この第１供給配管４５に介装された第１供給バルブ４６とを含む。第１供給バルブ４６を開くことにより、図示しない処理液供給源からの処理液を第１タンク２９内に供給することができる。第１処理液供給機構４４から第１タンク２９への処理液の供給は、第１排気バルブ５６が開かれ第１タンク２９内から窒素ガスが排気された状態で行われる。

第１タンク２９内の液量は、処理液の有無を検出する一対の液面センサ４７，４７によって検出される。一対の液面センサ４７，４７は、第１タンク２９内の上下方向に離隔した位置において処理液の有無を検出する。各液面センサ４７によって処理液の存在が検出されると、当該液面センサ４７から信号が出力される。

第１タンク２９内の液量が減少して、下側の液面センサ４７からの信号の出力が停止されると、第１タンク２９内の液量が下限量に達したと判断され、第１供給バルブ４６が開かれる。これにより、第１タンク２９内に処理液が供給される。そして、上側の液面センサ４７から信号が出力されると、第１タンク２９内の液量が上限量に達したと判断され、第１供給バルブ４６が閉じられる。このようにして、第１タンク２９内の液量が所定量以下に減少しないようにされている。

同様に、第２処理液供給機構５０は、第２タンク３０の上部３０ａ（上壁部）、すなわち上面に接続された第２供給配管４８と、この第２供給配管４８に介装された第２供給バルブ４９とを含む。第２供給バルブ４９を開くことにより、図示しない処理液供給源からの処理液を第２タンク３０内に供給することができる。第２処理液供給機構５０から第２タンク３０への処理液の供給は、第２排気バルブ５８が開かれ第２タンク３０内から窒素ガスが排気された状態で行われる。

第２タンク３０内の液量は、処理液の有無を検出する一対の液面センサ５１，５１によって検出される。一対の液面センサ５１，５１は、第２タンク３０内の上下方向に離隔した位置における処理液の有無を検出する。各液面センサ５１によって処理液の存在が検出されると、当該液面センサ５１から信号が出力される。

第２タンク３０内の液量が減少して、下側の液面センサ５１からの信号の出力が停止されると、第２タンク３０内の液量が下限量に達したと判断され、第２供給バルブ４９が開かれる。これにより、第２タンク３０内に処理液が供給される。そして、上側の液面センサ５１から信号が出力されると、第２タンク３０内の液量が上限量に達したと判断され、第２供給バルブ４９が閉じられる。このようにして、第２タンク３０内の液量が所定量以下に減少しないようにされている。

図５は、第１タンク２９およびそれに関連する構成の図解的な縦断面図である。また、図６は、第１タンク２９およびそれに関連する構成の図解的な平面図である。第１および第２タンク２９，３０は、たとえば同種のタンクが用いられている。第１および第２タンク２９，３０には、それぞれのタンクに対応する配管やセンサが接続されている。以下では、第１タンク２９およびそれに関連する構成について説明する。第２タンク３０およびそれに関連する構成についての説明は省略するが、第２タンク３０は、第１タンク２９と同等の構成を備えている。

第１タンク２９は、それぞれ、処理液が収容された有底筒状の収容部材６０と、この収容部材６０の上端に固定された蓋部材６１（上壁部）とを備えている。収容部材６０は、たとえば円筒状の周壁６２（側壁部）と、第１タンク２９の下部２９ｂを構成する底板６３（底壁部）とを含む。周壁６２を円筒状にすることで、当該周壁６２の内周面に対する窒素ガスの圧力を均一にすることができる。これにより、第１タンク２９の耐圧性を向上させることができる。図５に示すように、周壁６２の上端部には、外方に広がる環状のフランジ６４が設けられている。フランジ６４の上面には、Ｏリング６５が配置された環状溝６６が形成されている。また、底板６３には、第１連結配管３３が接続されている。

蓋部材６１は、たとえばフランジ６４とほぼ等しい外径を有する円板状にされている。蓋部材６１は、第１タンク２９の上部２９ａを構成している。蓋部材６１は、収容部材６０の上方からフランジ６４に重ね合わされている。蓋部材６１は、たとえば当該蓋部材６１の周縁部に沿って取り付けられた環状のヒンジ６７によって、フランジ６４に固定されている。これにより、蓋部材６１が収容部材６０に固定されている。フランジ６４に対する蓋部材６１の固定は、ヒンジ６７による固定に限らず、ボルトによる締結やその他の方法により行われていてもよい。

蓋部材６１がフランジ６４に固定された状態で、環状溝６６に配置されたＯリング６５は、蓋部材６１によって押されて弾性的に圧縮変形している。これにより、蓋部材６１とフランジ６４との間がシールされている。また、蓋部材６１の上面には、複数の継手６８が取り付けられている。前述の第１供給配管４４、第１気体供給配管５２および第１排気配管５７は、それぞれ継手６８を介して第１タンク２９に接続されている。

図７は、処理液供給装置８の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御部９には、排液バルブ３７、第１および第２バルブ３９，４０、処理液バルブ４１、第１および第２供給バルブ４６，４９、第１および第２気体バルブ５３，５５、ならびに、第１および第２排気バルブ５６，５８が制御対象として接続されている。また、制御部９には、液面センサ４７，５１、流量計４３および基板処理装置１のメイン制御部７が接続されている。制御部９には、液面センサ４７，５１および流量計４３からの信号が入力される。また、制御部９には、メイン制御部７からの信号が入力される。制御部９は、メイン制御部７からの指令を受けて各処理部６に処理液を供給させる。

制御部９は、第１バルブ３９を開き第２バルブ４０を閉じることにより第１タンク２９から送液室３１に処理液を供給させる第１送液状態と、第１バルブ３９を閉じ第２バルブ４０を開くことにより第２タンク３０から送液室３１に処理液を供給させる第２送液状態とを含む複数の送液状態に処理液供給装置８を制御することができる。以下では、図４を参照して、制御部９による処理液供給装置８の制御の一例について説明する。

制御部９は、第１供給バルブ４６および第１排気バルブ５６を閉じ、第１気体バルブ５３を開いた状態で、第１バルブ３９を開き第２バルブ４０を閉じる。これにより、第１タンク２９内の処理液が送液室３１に向けて送液される（第１送液状態）。

そして、第１タンク２９から送液室３１に所定量の処理液が供給され、第１タンク２９内の液量が下限量に達すると、下側の液面センサ４７から制御部９への信号の入力が停止する。すると、制御部９は、第１バルブ３９を閉じて、第１タンク２９から送液室３１への処理液の供給を停止させる。またそれとほぼ同時に、制御部９は、第２バルブ４０を開く。このとき、制御部９は、第２供給バルブ４９および第２排気バルブ５８を閉じており、第２気体バルブ５５を開いている。したがって、第２タンク３０内が窒素ガスによって予め加圧されており、第２バルブ４０が開かれることによって第２タンク３０内の処理液が送液室３１に向けて送液される（第２送液状態）。これにより、処理液供給装置８の送液状態が第１送液状態から第２送液状態に切り換えられる。

また、第１タンク２９内の液量が下限量に達すると、制御部９は、第１バルブ３９を閉じるとともに、第１排気バルブ５６を開き、第１気体バルブ５３を閉じる。これにより、第１タンク２９内から窒素ガスが排気され、第１タンク２９内の圧力が低下する。さらに、制御部９は、第１供給バルブ４６を開いて、第１タンク２９内に処理液を供給させる。これにより、第１タンク２９内に処理液が補充される。

第１タンク２９内への処理液の供給は、第１タンク２９内の処理液の液量が上限量に達して、上側の液面センサ４７から制御部９に信号が入力されるまで行われる。すなわち、上側の液面センサ４７から制御部９に信号が入力されると、制御部９は、第１供給バルブ４６および第１排気バルブ５６を閉じ、第１気体バルブ５３を開いて、第１タンク２９内を加圧させる。

一方、第２タンク３０から送液室３１に所定量の処理液が供給され、第２タンク３０内の液量が下限量に達すると、下側の液面センサ５１から制御部９への信号の入力が停止する。すると、制御部９は、第２バルブ４０を閉じて、第２タンク３０から送液室３１への処理液の供給を停止させる。またそれとほぼ同時に、制御部９は第１バルブ３９を開く。これにより、第１タンク２９に補充された処理液が送液室３１に向けて送液され、処理液供給装置８の送液状態が第２送液状態から第１送液状態に切り換えられる。

また、第２タンク３０内の液量が下限量に達すると、制御部９は、第２バルブ４０を閉じるとともに、第２排気バルブ５８を開き、第２気体バルブ５５を閉じる。これにより、第２タンク３０内から窒素ガスが排気され、第２タンク３０内の圧力が低下する。さらに、制御部９は、第２供給バルブ４９を開いて、第２タンク３０内に処理液を供給させる。これにより、第２タンク３０内に処理液が補充される。

第２タンク３０内への処理液の供給は、第２タンク３０内の処理液の液量が上限量に達して、上側の液面センサ５１から制御部９に信号が入力されるまで行われる。すなわち、上側の液面センサ５１から制御部９に信号が入力されると、制御部９は、第２供給バルブ４９および第２排気バルブ５８を閉じ、第２気体バルブ５５を開いて、第２タンク３０内を加圧させる。

制御部９は、前述のような制御を繰り返すことにより、処理液供給装置８の送液状態を第１送液状態および第２送液状態に交互に切り換えさせる。これにより、送液室３１に処理液が安定して供給され、その結果、送液室３１から各処理部６に安定して処理液が供給される。

以上のように本実施形態では、第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液配管３２に至るまでの経路における流路断面積が、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされており、各送液配管３２に至るまでの流路断面積が十分に確保されているので、他の送液配管３２への送液状態によらず、各送液配管３２に対してほぼ均一な圧力で処理液を送液することができる。したがって、４つの処理部６に対して安定した流量で処理液を供給することができる。これにより、各処理部６において基板Ｗに安定した処理を行うことができる。また、第１および第２タンク２９，３０には、４つの処理部６に向けて処理液を送液するための配管がそれぞれ１つ（第１または第２連結配管３３，３４）しか接続されていないので、第１および第２タンク２９，３０の大型化が抑制されており、これによって、処理液供給装置８の大型化が抑制されている。そのため、基板処理装置１に対する処理液供給装置８のレイアウトの自由度が向上されている。

また、本実施形態では、第１気体供給配管５２が第１タンク２９の上部２９ａに接続され、第１連結配管３３が第１タンク２９の下部２９ｂに接続されているので、第１タンク２９の大型化が抑制されている。すなわち、第１タンク２９における同一の外表面に第１気体供給配管５２と第１連結配管３３とを接続する場合、当該外表面内にこれらの配管５２，３３が接続されるスペースを設ける必要があるため、当該外表面が大型化してしまう。一方、本実施形態のように、第１気体供給配管５２と第１連結配管３３とを第１タンク２９における互いに異なる外表面に接続することにより、第１タンク２９における所定の外表面の大型化を抑制し、第１タンク２９の大型化を抑制することができる。これにより、処理液供給装置８の大型化を抑制することができる。同様に、第２気体供給配管５４が第２タンク３０の上部３０ａに接続され、第２連結配管３４が第２タンク３０の下部３０ｂに接続されているので、第２タンク３０の大型化が抑制されている。

さらに、第１および第２連結配管３３，３４が、それぞれ、第１および第２タンク２９，３０の下部２９ｂ，３０ｂに接続されているので、窒素ガスによる圧力とタンク２９，３０内の処理液に作用する重力とによって、当該処理液をタンク２９，３０内から送液させることができる。これにより、第１および第２タンク２９，３０に供給される気体の圧力を低下させることができる。したがって、たとえば、窒素ガスを加圧して圧力を発生させるための圧力発生源のランニングコストを低下させることができる。さらにまた、第１および第２気体供給配管５２，５４が、それぞれ、第１および第２タンク２９，３０の上部２９ａ，３０ａに接続されているので、窒素ガスの流れる方向とタンク２９，３０内の処理液が連結配管３３，３４に向けて送液される方向とが一致されている。したがって、タンク２９，３０内の処理液を連結配管３３，３４に向けて円滑に送液させることができる。

図８は、本発明の他の実施形態に係る液体供給装置としての処理液供給装置１０８の概略構成を示す模式図である。この図８において、前述の図１〜図７に示された各部と同等の構成部分については、図１〜図７と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

この実施形態に係る処理液供給装置１０８と、前述の実施形態に係る処理液供給装置８との主要な相違点は、前述の実施形態では、送液室３１として配管が用いられていたのに対し、本実施形態では、送液室１３１としてタンクが用いられていることにある。

送液室１３１は、たとえば、第１および第２タンク２９，３０と同型のタンクであり、その大きさは第１および第２タンク２９，３０よりも小さくされている。第１および第２連結配管３３，３４は、たとえば、送液室１３１の周壁１６２に接続されている。また、４本の送液配管３２は、送液室１３１の上部に接続されている。送液室１３１に対する第１および第２連結配管３３，３４ならびに４本の送液配管３２の接続位置は、前述の位置に限らず送液室１３１におけるその他の位置であってもよい。送液室１３１の流路断面積は、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。

この実施形態では、前述の実施形態と同様に、第１タンク２９から各送液配管３２に至るまでの経路、および第２タンク３０から各送液配管３２に至るまでの経路における流路断面積が、４本の送液配管３２の流路断面積の総和よりも大きくされている。したがって、４つの処理部６に対して安定した流量で処理液を供給することができる。これにより、各処理部６において基板Ｗに安定した処理を行うことができる。

この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、第１タンク２９の下部２９ｂに第１連結配管３３が接続され、第２タンク３０の下部３０ｂに第２連結配管３４が接続されている場合について説明したが、第１タンク２９に対する第１連結配管３３の接続位置および第２タンク３０に対する第２連結配管３４の接続位置は、これに限られない。

すなわち、図９に示すように、第１タンク２９の上部２９ａに第１連結配管３３が接続され、第２タンク３０の上部３０ａに第２連結配管３４が接続されていてもよい。また、図１０に示すように、第１タンク２９の周壁６２に第１連結配管３３が接続され、第２タンク３０の周壁６２に第２連結配管３４が接続されていてもよい。これらの場合、第１および第２タンク２９，３０の大型化を抑制するために、他の配管（第１および第２気体供給配管５２，５４等）は、各タンク２９，３０に対して連結配管３３，３４と異なる外表面に接続されていることが好ましい。また、図９では、第１連結配管３３の一端が、第１タンク２９内における第１タンク２９の下部２９ｂの近傍にまで達しており、第２連結配管３４の一端が、第２タンク３０内における第２タンク３０の下部３０ｂの近傍にまで達している。

また、前述の実施形態では、処理液供給装置８が、基板処理装置１に対してその外部から結合されている場合について説明したが、これに限らず、処理液供給装置８は、基板処理装置１に内蔵されていてもよい。

また、前述の実施形態では、１つの送液室に２つのタンクを接続した例を示したが、１つの送液室に３つ以上のタンクを接続して、これらの３つのタンク内の液体を選択的に送液室に供給できる構成としてもよい。この場合にも、各タンクから送液室に至る流路断面積を全送液配管の流路断面積の総和以上とすることにより、各送液配管を介する液体供給を安定化できる。

また、前述の実施形態では、基板処理装置１に処理部６が４つ設けられている場合について説明したが、処理部６の数は４つに限られない。

また、前述の実施形態では、処理対象となる基板Ｗとしてウエハを取り上げたが、ウエハに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。

この発明の一実施形態に係る液体供給装置としての処理液供給装置を備える基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 処理部の概略構成の正面図である。 処理液供給装置の概略構成を示す模式図である。 第１タンクおよびそれに関連する構成の図解的な縦断面図である。 第１タンクおよびそれに関連する構成の図解的な平面図である。 処理液供給装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 本発明の他の実施形態に係る液体供給装置としての処理液供給装置の概略構成を示す模式図である。 前記一実施形態の第１変形例に係る処理液供給装置の概略構成を示す模式図である。 前記一実施形態の第２変形例に係る処理液供給装置の概略構成を示す模式図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
６ 処理部（供給対象）
８ 処理液供給装置（液体供給装置）
９ 制御部（制御手段）
２９ 第１タンク
２９ａ 第１タンクの上部
２９ｂ 第１タンクの下部
３０ 第２タンク
３０ａ 第２タンクの上部
３０ｂ 第２タンクの下部
３１ 送液室
３２ 送液配管
３３ 第１連結配管
３４ 第２連結配管
３５ 第１送液機構（第１送液手段）
３６ 第２送液機構（第２送液手段）
３９ 第１バルブ
４０ 第２バルブ
５２ 第１気体供給配管
５４ 第２気体供給配管
１０８ 処理液供給装置（液体供給装置）
１３１ 送液室
Ｗ 基板

Claims (5)

1. 液体がそれぞれ収容された第１タンクおよび第２タンクと、
   これらの第１および第２タンク内の液体が送液される送液室と、
   この送液室に接続されており、当該送液室に送液された液体を複数の供給対象にそれぞれ送液するための複数の送液配管と、
   前記第１および第２タンクと前記送液室とをそれぞれ連結する第１および第２連結配管と、
   前記第１および第２連結配管にそれぞれ介装された第１バルブおよび第２バルブと、
   前記第１タンク内を加圧して、当該第１タンク内の液体を、前記第１連結配管、前記第１バルブ、前記送液室および前記送液配管を介して、前記供給対象に送液するための第１送液手段と、
   前記第２タンク内を加圧して、当該第２タンク内の液体を、前記第２連結配管、前記第２バルブ、前記送液室および前記送液配管を介して、前記供給対象に送液するための第２送液手段とを含み、
   前記第１タンクから各送液配管に至るまでの経路、および前記第２タンクから各送液排気管に至るまでの経路における流路断面積が、前記複数の送液配管の流路断面積の総和よりも大きくされている、液体供給装置。
2. 前記第１送液手段は、前記第１タンクに接続され、当該第１タンク内を加圧するための気体を当該第１タンク内に供給する第１気体供給配管を含み、
   前記第２送液手段は、前記第２タンクに接続され、当該第２タンク内を加圧するための気体を当該第２タンク内に供給する第２気体供給配管を含み、
   前記第１および第２連結配管は、前記第１および第２タンクにおける前記第１および第２気体供給配管が接続されていない外表面にそれぞれ接続されている、請求項１記載の液体供給装置。
3. 前記送液室は、前記複数の送液配管の流路断面積の総和よりも流路断面積が大きい配管である、請求項１または２に記載の液体供給装置。
4. 前記第１バルブを開き前記第２バルブを閉じることにより前記第１タンクから前記送液室に液体を供給させる第１送液状態と、前記第１バルブを閉じ前記第２バルブを開くことにより前記第２タンクから前記送液室に液体を供給させる第２送液状態とを含む複数の送液状態に制御する制御手段をさらに含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の液体供給装置。
5. 請求項１〜４の何れか１項に記載の液体供給装置と、
   前記複数の供給対象としての複数の処理部とを含み、
   前記複数の処理部内で前記液体供給装置から供給される液体を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理装置。

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