CN110800086B - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置，包含：吸引单元，用以吸引存在于连通至喷出口的处理液配管的内部的处理液；以及控制装置。所述控制装置执行：吸引步骤，通过所述吸引单元吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液。此外，所述控制装置在所述吸引步骤中选择性地执行：第一吸引步骤，使处理液的前端面后退，并使吸引后的处理液的前端面配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方。此外，所述控制装置在所述第二吸引步骤后进一步执行：待机位置配置步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，将处理液的前端面配置于所述待机位置。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。成为处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示设备用基板、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等FPD(Flat Panel Display；平面显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示设备等制造步骤中，能使用用以处理半导体晶片或液晶显示设备用玻璃基板等基板的基板处理装置。用以逐片地处理基板的单张式的基板处理装置例如包含：旋转卡盘(spin chuck)，将基板保持为水平并使基板旋转；处理液供给单元，对被旋转卡盘保持的基板供给处理液；对向构件，从上方与被旋转卡盘保持的基板对向；中心轴喷嘴，被收容于在对向构件的中央部形成的中央开口；处理液配管，对中心轴喷嘴供给处理液；以及吸引装置，吸引处理液配管的内部的处理液。对向构件是用以接近基板的上表面并将基板的上表面与基板的周围的空间阻隔的构件。已知在从中心轴喷嘴喷出处理液后吸引处理液以使处理液配管内的处理液的前端面后退。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-135843号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
在将处理液配管内的处理液直接使用于下一个基板处理的情形中，只要以处理液不会从喷出口滴落的程度使处理液的前端面后退即可。另一方面，在无法将处理液配管内的处理液使用于下一个基板处理的情形(例如处理液配管内的处理液失活或者温度降低的情形)中，需要在下一个基板处理的前通过吸引将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。
本案发明人们着眼于此种吸引的需求的差异，检讨针对一个处理液配管采用吸引后的前端面不同的两个吸引方式。然而，在此情形中，由于吸引后的前端面不同，因此从处理液阀开启后至从喷出口喷出处理液为止的期间不同。由于将处理液阀的开启时机作为基准来制定处理时间，因此当从处理液阀开启起至从喷出口喷出处理液为止的期间不同时，会有实际的处理液供给时间在每个基板产生偏差从而导致处理在每个基板产生偏差的担心。
因此，本发明的目的之一在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法，不论处理液配管的吸引方式的差异如何皆能以共通的时机从喷出口喷出处理液，由此能对基板施予均匀的处理。
(用以解决课题的手段)
本发明提供一种基板处理装置，包含：基板保持单元，保持基板；处理液配管，连通至喷出口，所述喷出口用以朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出处理液；处理液供给单元，用以对所述处理液配管供给处理液；吸引单元，用以吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；以及控制装置，控制所述处理液供给单元以及所述吸引单元；所述控制装置执行：处理液供给步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，由此从所述喷出口喷出处理液；以及吸引步骤，通过所述吸引单元吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；所述控制装置在所述吸引步骤中选择性地执行：第一吸引步骤，使处理液的前端面后退，并使吸引后的处理液的前端面配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方；所述控制装置在所述第二吸引步骤后进一步执行：待机位置配置步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，并将处理液的前端面配置于所述待机位置。
依据此构成，在吸引步骤中，吸引存在于处理液配管的内部的处理液，由此使处理液的前端面后退。吸引步骤包含：第一吸引步骤，使处理液的前端面配置于待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比待机位置还后方。在第二吸引步骤后所进行的待机位置配置步骤中对处理液配管供给处理液，由此使处理液的前端面前进，使该处理液的前端面配置于待机位置。因此，即使在执行了第一吸引步骤以及第二吸引步骤的任一者的情形中，亦能在下一个处理液的喷出前将处理液的前端面配置于共通的待机位置。由此，不论用以吸引处理液配管的内部的吸引步骤的种类如何，皆能以共通的时机从喷出口喷出处理液。因此，能对基板施予均匀的处理。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置还包含：连接配管，连接至所述处理液配管。而且，所述吸引单元亦可包含：吸引配管，连接至所述连接配管；以及吸引装置，连接至所述吸引配管。此外，所述控制装置亦可在所述第二吸引步骤中执行下述步骤：使处理液的前端面相对于所述连接配管中的所述吸引配管的连接位置后退至所述吸引装置侧。
依据此构成，能在所述第二吸引步骤中使处理液的前端面相对于连接配管中的吸引配管的连接位置后退至吸引装置侧。由此，能够将处理液配管以及连接配管清空，能有效地抑制或防止在处理液配管以及连接配管中处理液劣化或者温度降低。
并且，在第二吸引步骤后从喷出口喷出处理液的情形中，通过执行待机位置配置步骤，来将处理液的前端面配置于待机位置。由此即使是在第二吸引步骤中使处理液的前端面后退至比连接配管还后方的情况中，亦能使从处理液阀开启起至从喷出口喷出处理液为止的时机，在与第一吸引步骤后从喷出口喷出处理液的情形之间为相同的时机。
在本发明的实施方式之一中，所述喷出口以不能在沿着被所述基板保持单元保持的基板的主面的方向移动的方式设置。
依据此构成，喷出口以不能在沿着基板的主面的方向移动的方式设置。
在处理液配管的内部的处理液劣化或温度降低的情形中，需要在下一个基板处理开始前将处理液配管内的处理液全部排出至配管外。然而，在喷出口以不能在沿着被基板保持单元保持的基板的主面的方向移动的方式设置的情形中，无法进行用以从喷出口喷出处理液的方式的处理液排出。因此，需要使用吸引来进行残留于处理液配管的内部的处理液的排出。此外，在喷出口与基板的主面对向的情形中，为了防止处理液从喷出口落液(亦即所谓的滴落)，需要在从喷出口喷出处理液后吸引处理液配管的内部由此使处理液的前端面后退。由于这两种吸引的吸引目的不同，因此吸引后的前端面不同。
在吸引步骤包含用以使处理液的前端面配置于待机位置的第一吸引步骤以及用以使处理液的前端面后退至比待机位置还后方的第二吸引步骤的情形中，即使在已执行了第一吸引步骤以及第二吸引步骤的任一者的情况下，亦能在下一个处理液的喷出前将处理液的前端面配置于待机位置。因此，在进行用以防止滴落的吸引(第一吸引步骤)以及用以排出处理液的吸引(第二吸引步骤)的情形中，在即使执行了用以防止滴落的吸引以及用以排出处理液的吸引的任一者的情况下，亦能在下一个处理液的喷出前将处理液的前端面配置于待机位置。
因此，不论用以吸引处理液配管的内部的吸引步骤的种类为何(是用以防止滴落的吸引或者是用以排出处理液的吸引)，皆能以共通的时机从喷出口喷出处理液。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置还包含：对向构件，与被所述基板保持单元保持的基板的主面对向，并具有不能在沿着所述基板的主面的方向移动的基板对向面。而且，所述喷出口亦可形成于所述基板对向面。
依据此构成，在不能移动的基板对向面形成有喷出口的情形中，无法使喷出口在沿着被基板保持单元保持的基板的主面的方向移动。在此情形中，不论用以吸引处理液配管的内部的吸引步骤的种类如何(是用以防止滴落的吸引或者是用以排出处理液的吸引)，皆能以共通的时机从喷出口喷出处理液。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置还包含：传感器，检测存在于所述处理液配管的处理液。而且，所述控制装置亦可进一步执行：判断步骤，通过所述传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
依据此构成，由于基于传感器的检测结果来判断，所以能准确地进行待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于待机位置的判断。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置还包含：第一传感器，检测存在于所述处理液配管的处理液的前端面。而且，所述控制装置亦可执行：第一判断步骤，与所述待机位置配置步骤并行，通过基于所述第一传感器的检测结果判断处理液的前端面是否位于所述待机位置。
依据此构成，与待机位置配置步骤并行地通过第一传感器检测处理液的前端面的位置是否配置于待机位置。通过与待机位置配置步骤并行地实际检测处理液的前端面的位置，能精度良好地将待机位置配置步骤后的处理液的前端面配置于待机位置。
在本发明的实施方式之一中，所述待机位置是在所述处理液配管中在处理液的流通方向上隔开规定的距离设定的第一位置和第二位置之间的区域，所述第二位置相对于所述第一位置配置在所述喷出口侧，所述第一传感器包含：第一有无传感器，检测所述第一位置中是否存在处理液；以及第二有无传感器，检测所述第二位置中是否存在处理液。而且，所述控制装置亦可在所述第一判断步骤中在通过第一有无传感器检测到所述第一位置中存在处理液且通过所述第二有无传感器检测到所述第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面位于所述待机位置。
依据此构成，在通过第一有无传感器检测到待机位置的第一位置中存在处理液且通过第二有无传感器检测到待机位置的第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面配置于待机位置。由此，能精度良好地检测处理液的前端面位于待机位置。
在本发明其他的实施方式中，所述第一传感器包含：摄影机，用以拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面。而且，所述控制装置亦可在所述第一判断步骤中执行用以依据所述摄影机的拍摄结果进行判断的步骤。
依据此构成，通过摄影机拍摄处理液的前端面。而且，通过摄影机的拍摄结果判断处理液的前端面是否位于待机位置。由此，能精度良好地检测处理液的前端面配置于待机位置。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置包含：第二传感器，用以检测在所述待机位置配置步骤中在所述处理液配管流动的处理液的流量。而且，所述控制装置亦可进一步执行：第二判断步骤，依据所述第二传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
依据此构成，设置有用以检测在待机位置配置步骤中被供给至处理液配管的处理液的流量的第二传感器。依据第二传感器的检测结果，判断待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于待机位置。只要能准确地把握待机位置配置步骤中的处理液的流量，即能管理待机位置配置步骤中的处理液供给时间，由此能精度良好地控制待机位置配置步骤后的处理液的前端面。由此，能精度良好地检测待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否位于待机位置。
在本发明其他的实施方式中，所述处理液供给单元包含：处理液供给配管，对所述处理液配管供给处理液；处理液排液配管，在与所述处理液配管之间选择性地被供给有来自所述处理液供给配管的处理液；以及配管宽度调整单元，以所述处理液配管中的液体的流通时的压损与所述处理液排液配管中的液体的流通时的压损成为一定的关系的方式调整所述处理液配管以及/或者所述处理液排液配管的管宽度。此外，所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，而且，所述控制装置亦可在所述第二判断步骤中执行：流量取得步骤，一边将来自处理液供给配管的处理液导出至所述处理液排液配管而非是导出至所述处理液配管，一边通过所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，取得在所述待机位置配置步骤中在所述处理液配管流动的处理液的流量。
依据此构成，由于以处理液配管中的液体的流通时的压损与处理液排液配管中的液体的流通时的压损成为一定的关系的方式进行调整，因此通过第二传感器检测从处理液供给配管导引至处理液排液配管的处理液的流量，即能精度良好地取得在待机位置配置步骤中在处理液供给配管流动的处理液的流量。由此，无须将处理液供给至处理液配管即能精度良好地取得待机位置配置步骤中的处理液的流量。
在本发明其他的实施方式中，所述配管宽度调整单元包含以所述处理液配管中的液体的流通时的压损与所述处理液排液配管中的液体的流通时的压损一致的方式调整所述处理液配管以及/或者所述处理液排液配管的管宽度的单元。
依据此构成，由于以处理液配管中的液体的流通时的压损与处理液排液配管中的液体的流通时的压损一致的方式进行调整，因此通过第二传感器检测从处理液供给配管导引至处理液排液配管的处理液的流量，即能精度良好地取得在待机位置配置步骤中被供给至处理液供给配管的处理液的流量。由此，无须将处理液供给至处理液配管即能精度良好地取得待机位置配置步骤中的处理液的流量。
所述配管宽度调整单元亦可包含孔口(orifice)。
所述配管宽度调整单元亦可包含马达针(motor needle)。
所述配管宽度调整单元亦可包含固定针。
在本发明的实施方式之一中，所述控制装置进一步执行：错误通报步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置时通报错误。
依据此构成，当发生在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置的情形时，会有实际的处理液供给时间在每个基板产生偏差从而导致处理在每个基板产生偏差的担心。在判断成在待机位置配置步骤后处理液的前端面未位于待机位置时，由于通报错误，因此作业者能得知产生此种事态。由此，能事先防止处理的偏差。
在本发明的实施方式之一中，所述控制装置进一步执行：中断步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置的情形中，不执行所述待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的所述待机位置配置步骤。
依据此构成，当发生在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置的情形时，会有实际的处理液供给时间在每个基板产生偏差从而导致处理在每个基板产生偏差的担心。在判断成在待机位置配置步骤后处理液的前端面未位于待机位置时，由于不执行待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的待机位置配置步骤，因此能事先防止处理的偏差。
在本发明其他的实施方式中，所述基板处理装置还包含：第一液面传感器，检测处理液的前端面已到达所述处理液配管中的预定的第一检测位置；以及速度检测单元，用以检测处理液通过所述处理液配管的速度。而且，所述控制装置在所述待机位置配置步骤中依据所述第一液面传感器的输出，取得处理液的前端面通过所述第一检测位置的通过时机，并取得所述速度检测单元所检测的处理液的前端面的速度，基于所述通过时机以及所述处理液的速度，将处理液的前端面配置于所述待机位置。
依据此构成，检测第一检测位置中的处理液的前端面的通过时机以及处理液的前端面通过处理液配管的速度。依据所检测到的通过时机以及所检测到的速度，将处理液的前端面配置于待机位置。因此，能精度良好地将处理液的前端面配置于待机位置。因此，能谋求被供给至基板的处理液的量的最适当化。因此，能使用处理液良好地处理基板，且能抑制基板间的处理的偏差。
在本发明其他的实施方式中，所述速度检测单元包含：第二液面传感器，检测处理液的前端面已到达设定于比所述第一检测位置还下游侧的第二检测位置。而且，所述控制装置依据由所述第一液面传感器检测出处理液的前端面的第一通过时机以及由所述第二液面传感器检测出处理液的前端面第二通过时机，检测处理液通过所述处理液配管的速度。
依据此构成，依第一通过时机以及第二通过时机，检测处理液的前端面通过处理液配管的速度。由此，无须设置速度传感器等即能以简单的构成检测处理液的前端面通过处理液配管的速度。
在本发明的实施方式之一中，所述吸引单元包含：可变更吸引单元，以可变更吸引力的方式吸引所述处理液配管的内部的处理液。
依据此构成，设置有可变更吸引力且可进行吸引的可变更吸引单元。在处理液的前端面配置于待机位置的第一吸引步骤中以相对性较弱的吸引力进行吸引，在处理液的前端面后退至比待机位置还后方的第二吸引步骤中以相对性较强的吸引力进行吸引。因此，在第二吸引步骤中不会有时间耗费过久的问题。由此，能良好地进行第一吸引步骤以及第二吸引步骤双方。
在本发明的实施方式之一中，所述可变更吸引单元包含：第一吸引装置，以预定的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液；以及第二吸引装置，以比所述第一吸引装置还大的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液。而且，所述控制装置亦可执行：切换步骤，在所述第一吸引装置与所述第二吸引装置之间切换所述处理液配管的吸引源。
依据此构成，在以预定的吸引力进行吸引的第一吸引装置与以比第一吸引装置还大的吸引力进行吸引的第二吸引装置之间切换处理液配管的吸引源，由此能以相对性较简单的构成实现处理液配管内的吸引力的变更。
所述第一吸引装置亦可包含膜片(diaphragm)式的吸引装置。在此情形中，所述基板处理装置亦可还包含：吸引配管，连接至所述处理液配管，并安装有所述膜片式的吸引装置；以及开闭阀，用以开闭所述吸引配管。用以驱动所述膜片式的吸引装置的第一驱动源以及用以驱动所述开闭阀的第二驱动源亦可彼此独立。
若用以驱动膜片式的吸引装置的驱动源与用以驱动开闭阀的驱动源为共通时，会与开闭阀的开闭连动地进行膜片式的吸引装置的吸引以及解除吸引。
依据此构成，由于用以驱动膜片式的吸引装置的驱动源与用以驱动开闭阀的驱动源彼此独立，因此能以各自最适当的动作时机进行开闭阀的开闭以及膜片式的吸引装置的吸引以及解除吸引。
所述第二吸引装置亦可包含喷射器(ejector)式的吸引装置。
所述可变更吸引单元亦可包含利用压缩流体进行动作的喷射器式的吸引装置。而且，所述吸引装置亦可包含：减压状态产生器，供给所述压缩流体；以及电动气动调节器(electric pneumatic regulator)，无级式地变更被供给至所述减压状态产生器的所述压缩流体的供给流量。
依据此构成，通过电动气动调整器调整压缩流体的供给流量，由此能调整减压状态产生器的减压程度。因此，能以相对性较简单的构成实现处理液配管内的吸引力的变更。
在本发明其他的实施方式中，所述控制装置亦可执行：并行吸引步骤，与所述待机位置配置步骤并行，通过所述可变更吸引单元吸引所述处理液配管的内部。
依据此构成，与朝处理液配管供给处理液并行地吸引处理液配管的内部。被供给至处理液配管的处理液进一步接受预定的供给压力。对在处理液配管内朝喷出口移动的处理液作用有与处理液的移动方向相反方向的吸引力。由此，可使在处理液配管移动的处理液减速。
在本发明其他的实施方式中，所述控制装置亦可在所述并行吸引步骤中以所述可变更吸引单元的用以吸引所述处理液配管的吸引力变得比所述第一吸引步骤中的所述可变更吸引单元所为的所述吸引力还大的方式控制所述可变更吸引单元。
依据此构成，在所述并行吸引步骤中用以吸引处理液的吸引力进一步比在所述第一吸引步骤中用以吸引处理液的吸引力还大。因此，使吸引力作用至处理液，由此能调整在处理液配管流动的处理液的速度。
在本发明其他的实施方式中，所述控制装置亦可在所述并行吸引步骤中以通过作用至在所述处理液配管内流动的处理液的所述吸引力与作用至所述处理液的供给压力的平衡使处理液的前端面停止在所述待机位置的方式控制所述可变更吸引单元。
依据此构成，在处理液的前端面位于所述待机位置的状态下，作用至处理液的吸引力与供给压力进一步平衡。由此，能使处理液的前端面自动地停止在待机位置。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室(chamber)。而且，所述控制装置亦可在所述处理单元中在所述基板处理前所执行的前处理中执行所述待机位置配置步骤。此外，所述控制装置亦可在所述处理单元中在所述基板处理前所执行的前处理中执行所述第二吸引步骤。
在本发明其他的实施方式中，所述基板处理装置亦可包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室。而且，所述控制装置亦可在所述处理单元中在所述基板处理后所执行的后处理中执行所述第二吸引步骤。此外，所述控制装置亦可在所述处理单元中结束对预先设定的片数的所述基板的所述基板处理时执行所述第二吸引步骤。这些情形皆能在未执行基板处理时将处理液配管(以及/或者连接配管)清空。由此，能有效地抑制或防止在处理液配管(以及/或者连接配管)中处理液劣化或者温度降低。
本发明提供一种基板处理方法，在包含连通至喷出口的处理液配管的基板处理装置中被执行，所述基板处理方法包含：处理液供给步骤，将处理液供给至所述处理液配管，以从所述喷出口喷出处理液；以及吸引步骤，吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；所述吸引步骤包含：第一吸引步骤，使处理液的前端面后退并配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方；所述第一吸引步骤以及所述第二吸引步骤被选择性地执行；在所述第二吸引步骤后还包含：待机位置配置步骤，对所述处理液配管供给处理液，并将处理液的前端面配置于所述待机位置。
依据此方法，在吸引步骤中吸引存在于处理液配管的内部的处理液，从而使处理液的前端面后退。吸引步骤包含：第一吸引步骤，使处理液的前端面配置于待机位置；以及第二吸引步骤，使处理液的前端面后退至比待机位置还后方。在第二吸引步骤后所进行的待机位置配置步骤中对处理液配管供给处理液，由此使处理液的前端面前进并使所述处理液的前端面配置于待机位置。因此，即使在执行了第一吸引步骤以及第二吸引步骤的任一者的情形中，亦能在下一次处理液的喷出前将处理液的前端面配置于共通的待机位置。由此，不论用以吸引处理液配管的内部的吸引步骤的种类如何，皆能以共通的时机从喷出口喷出处理液。因此，能对基板施予均匀的处理。
在本发明的实施方式之一中，在所述处理液配管上连接有连接配管，在所述连接配管上连接有吸引配管，且在所述吸引配管上连接有吸引装置，所述第二吸引步骤包含用以使处理液的前端面相对于所述连接配管中的所述吸引配管的连接位置后退至所述吸引装置侧。
依据此方法，能在所述第二吸引步骤中使处理液的前端面相对于所述连接配管中的吸引配管的连接位置后退至吸引装置侧。由此，能够将处理液配管以及连接配管清空，能有效地抑制或防止在处理液配管以及连接配管中处理液劣化或者温度降低。
并且，在第二吸引步骤后从喷出口喷出处理液的情形中，通过执行待机位置配置步骤，来将处理液的前端面配置于待机位置。由此即使是在第二吸引步骤中使处理液的前端面后退至比连接配管还后方的情况中，亦能使从处理液阀开启起至从喷出口喷出处理液为止的时机，在在与第一吸引步骤后从喷出口喷出处理液的情形之间，为相同的时机。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理方法还包含：判断步骤，通过用以检测存在于所述处理液配管的处理液的传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
依据此方法，由于基于传感器的检测结果来判断，所以能准确地进行待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于待机位置的判断。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理方法还包含：第一判断步骤，与所述待机位置配置步骤并行，基于用以检测存在于所述处理液配管的处理液的前端面的第一传感器的判断结果判断处理液的前端面是否位于所述待机位置。
依据此方法，与待机位置配置步骤并行地通过第一传感器检测处理液的前端面的位置是否配置于待机位置。通过与待机位置配置步骤并行地实际检测处理液的前端面的位置，能精度良好地将待机位置配置步骤后的处理液的前端面配置于待机位置。
在本发明的实施方式之一中，所述待机位置是在所述处理液配管中在处理液的流通方向上隔开规定的距离设定的第一位置和第二位置之间的区域，所述第二位置相对于所述第一位置配置在所述喷出口侧，所述第一传感器包含：第一有无传感器，检测所述第一位置中是否存在处理液；以及第二有无传感器，检测所述第二位置中是否存在处理液，所述第一判断步骤包含下述步骤：在通过所述第一有无传感器检测到所述第一位置中存在处理液且通过所述第二有无传感器检测到所述第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面位于所述待机位置。
依据此方法，在通过第一有无传感器检测到第一位置中存在处理液且通过第二有无传感器检测到第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面配置于待机位置。由此，能精度良好地检测处理液的前端面位于待机位置。
在本发明其他的实施方式中，所述第一传感器包括：摄影机，用以拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面；所述第一判断步骤包含用以依据所述摄影机拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面的拍摄结果进行判断的步骤。
依据此方法，通过摄影机拍摄处理液的前端面。而且，通过摄影机的拍摄结果判断处理液的前端面是否位于待机位置。由此，能精度良好地检测处理液的前端面配置于待机位置。
在本发明其他的实施方式之一中，还包含：第二判断步骤，依据用以检测在所述处理液配管李东的处理液的流量的第二传感器的检测结果，判断通过所述待机位置配置步骤配置后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
依据此方法，设置有用以检测在待机位置配置步骤中被供给至处理液配管的处理液的流量的第二传感器。依据第二传感器的检测结果，判断待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于待机位置。只要能准确地把握待机位置配置步骤中的处理液的流量，即能管理待机位置配置步骤中的处理液供给时间，由此能精度良好地控制待机位置配置步骤后的处理液的前端面。由此，能精度良好地检测待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否位于待机位置。
在本发明的实施方式之一中，所述第二传感器检测在用以对所述处理液配管供给处理液的处理液供给配管流动的处理液的流量，所述第二判断步骤包含：流量取得步骤，一边将来自处理液供给配管的处理液导出至连接于所述处理液供给配管的处理液排液配管而非是导出至所述处理液配管，一边通过所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，取得在所述待机位置配置步骤中于所述处理液配管流动的处理液的流量。
依据此方法，通过第二传感器检测从处理液供给配管被导引至处理液排液配管的处理液的流量，即能精度良好地取得在待机位置配置步骤中在处理液供给配管流动的处理液的流量。由此，无须将处理液供给至处理液配管即能精度良好地取得待机位置配置步骤中的处理液的流量。
在本发明其他的实施方式中，所述基板处理方法还包含：前端面检测步骤，检测处理液的前端面已到达所述处理液配管中的预定的第一检测位置；以及速度检测步骤，检测处理液通过所述处理液配管的速度。而且，所述待机位置配置步骤亦可包含下述步骤：依据处理液的前端面通过所述第一检测的通过时机以及通过所述处理液配管的处理液的速度，将处理液的前端面配置于所述待机位置。
依据此方法，检测第一检测位置中的处理液的前端面的通过时机以及通过处理液配管的处理液的速度。依据所检测到的通过时机以及所检测到的速度，将处理液的前端面配置于待机位置。因此，能精度良好地将处理液的前端面配置于待机位置。因此，能谋求被供给至基板的处理液的量的最适当化。因此，能使用处理液良好地处理基板，且能抑制基板间的处理的偏差。
在本发明其他的实施方式中，所述速度检测步骤包含下述步骤：依据处理液的前端面通过所述第一检测位置的第一通过时机以及处理液的前端面通过设定于比所述第一检测位置还下游侧的所述第二检测位置的第二通过时机，检测处理液通过所述处理液配管的速度。
依据此方法，依据第一通过时机以及第二通过时机，检测处理液的前端面通过处理液配管的速度。由此，无须设置速度传感器等即能以简单的构成检测处理液的前端面通过处理液配管的速度。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理方法亦可还包含：错误通报步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置时通报错误。
依据此方法，当发生在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置的情形时，会有实际的处理液供给时间在每个基板产生偏差从而导致处理在每个基板产生偏差的担心。在判断步骤已判断成在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置时，由于通报错误，因此作业者能得知产生此种事态。由此，能事先防止处理的偏差。
在本发明的实施方式之一中，所述基板处理方法还包含：中断步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置的情形中，不执行所述待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的所述待机位置配置步骤。
依据此方法，当发生在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置的情形时，会有实际的处理液供给时间在每个基板产生偏差从而导致处理在每个基板产生偏差的担心。在判断步骤判断成在待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于待机位置时，由于不执行待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的待机位置配置步骤，因此能事先防止处理的偏差。
在本发明的实施方式之一中，所述第一吸引步骤包括通过第一吸引装置以预定的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液的步骤。而且，所述第二吸引步骤包括通过第二吸引装置以比所述预定的吸引力还大的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液的步骤。
依据此方法，在第一吸引步骤中，通过第一吸引装置以预定的吸引力进行吸引。此外，在第二吸引步骤中，以比预定的吸引力还大的吸引力进行吸引。通过在第一吸引步骤和第二吸引步骤之间进行切换，由此能以相对性较简单的构成实现处理液配管内的吸引力的变更。
在本发明其他的实施方式中，所述基板处理方法还包含：并行吸引步骤，与所述待机位置配置步骤并行，吸引所述处理液配管的内部。
依据此方法，与朝处理液配管供给处理液并行地吸引处理液配管的内部。被供给至处理液配管的处理液进一步接受预定的供给压力。对在处理液配管内朝喷出口移动的处理液作用有与处理液的移动方向相反方向的吸引力。由此，可使在处理液配管移动的处理液减速。
在本发明其他的实施方式中，所述并行吸引步骤中的用以吸引所述处理液配管的吸引力进一步变得比所述第一吸引步骤中的用以吸引所述处理液配管的吸引力还大。
依据此方法，在并行吸引步骤中用以吸引处理液的吸引力进一步比在所述第一吸引步骤中用以吸引处理液的吸引力还大。因此，使吸引力作用至处理液，由此能调整在处理液配管流动的处理液的速度。
在本发明其他的实施方式中，所述并行吸引步骤进一步以如下的吸引力吸引所述处理液配管：通过作用至在所述处理液配管内流动的处理液的吸引力与作用至所述处理液的供给压力的平衡来使处理液的前端面停止在所述待机位置。
依据此方法，在所述处理液的前端面位于所述待机位置的状态下，作用至处理液的吸引力与供给压力进一步平衡。由此，能使处理液的前端面自动地停止在待机位置。
所述基板处理装置亦可还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室。而且，所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之前执行前处理。而且，亦可在所述前处理中执行所述待机位置配置步骤。
此外，所述基板处理装置亦可包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室。而且，所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之前执行前处理，而且，亦可在所述前处理中执行所述第二吸引步骤。
此外，所述基板处理装置亦可包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室。而且，所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之后执行后处理。而且，亦可在所述后处理中执行所述第二吸引步骤。
此外，所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；所述处理单元执行对基板使用处理液进行处理的基板处理。而且，亦可在对预先设定的片数的基板执行基板处理后执行所述第二吸引步骤。
本发明的所述目的、特征及功效以及其他的目的、特征及功效进一步参照随附图式并通过下述实施方式的说明而明了。
附图说明
图1是用以说明本发明第一实施方式的基板处理装置的内部的布局的示意性的俯视图。
图2是用以说明图1所示的处理单元的构成例的示意性的剖视图。
图3是图2所示的中心轴喷嘴的纵剖视图。
图4是所述中心轴喷嘴的仰视图。
图5是用以说明图2所示的疏水化剂供给单元以及有机溶剂供给单元的概略构成的图。
图6是用以说明所述疏水化剂供给单元的详细的构成的图。
图7A是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电气构成的框图。
图7B是用以说明硬联锁的图。
图8A是用以说明在所述处理单元中所执行的处理的内容的流程图。
图8B是用以显示在所述处理单元中通过预规程(pre-recipe)所执行的前处理的流程的流程图。
图9是用以显示在所述处理单元中通过工艺规程(process recipe)所执行的基板处理的流程的流程图。
图10是用以显示朝所述基板处理装置搬入基板前的所述处理单元的状态的图。
图11是用以说明图8B所示的排出吸引步骤的图。
图12A是用以说明图8B所示的预分配(pre-dispense)步骤的图。
图12B是用以说明图8B所示的填充步骤的图。
图13是用以说明图9所示的第一有机溶剂供给步骤的图。
图14是用以说明在所述第一有机溶剂供给步骤后所执行的甩离步骤的图。
图15是用以说明图9所示的疏水化剂供给步骤的图。
图16是用以说明图9所示的第二有机溶剂供给步骤的图。
图17是用以说明图9所示的旋转干燥(spin-drying)步骤的图。
图18是用以说明第一错误判定的流程图。
图19是用以说明第二错误判定的流程图。
图20是用以说明第一变化例的图。
图21是用以说明第二变化例的图。
图22是用以说明本发明第二实施方式的疏水化剂供给单元的详细构成的图。
图23是用以说明通过所述疏水化剂供给单元所执行的填充步骤的图。
图24是用以说明本发明第三实施方式的疏水化剂供给单元310的详细构成的图。
具体实施方式
图1是用以说明本发明第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的示意性的俯视图。基板处理装置1是用以逐片地处理硅晶片等基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包含：多个处理单元2，以处理液处理基板W；装载埠(load port)LP，载置有基板收容器C，该基板收容器C收容用以在处理单元2进行处理的多片基板W；搬运机械手IR及搬运机械手CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，控制基板处理装置1。搬运机械手IR在基板收容器C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的构成。
图2是用以说明处理单元2的构成例的示意性的剖视图。图3是中心轴喷嘴7的纵剖视图。图4是中心轴喷嘴7的仰视图。
处理单元2包含：箱形的腔室4；旋转卡盘(spin chuck)(基板保持单元)5，在腔室4内将一片基板W保持为水平的姿势，并使基板W绕着通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；对向构件6，与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面对向；中心轴喷嘴7，上下地插通对向构件6的内部，用以朝被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的中央部喷出处理液；药液供给单元8，用以对中心轴喷嘴7供给药液；冲洗(rinse)液供给单元9，用以对中心轴喷嘴7供给冲洗液；疏水化剂供给单元10，对中心轴喷嘴7供给液体的疏水化剂；有机溶剂供给单元11，用以对中心轴喷嘴7供给作为低表面张力液体的有机溶剂，该低表面张力液体具有比重比空气大且比水低的表面张力；以及筒状的处理杯(processing cup)12，围绕旋转卡盘5。
腔室4包含：箱状的间隔壁13，收容旋转卡盘5以及喷嘴；FFU(fan filter unit；风扇过滤器单元)14，从间隔壁13的上部对间隔壁13内输送清净空气(通过过滤器过滤的空气)；以及排气导管15，从间隔壁13的下部排出腔室4内的气体。FFU14配置于间隔壁13的上方，并安装于间隔壁13的顶板。FFU14从间隔壁13的顶板朝下方对腔室4内输送清净空气。排气导管15连接至处理杯12的底部，用以朝设置有基板处理装置1的工厂所设置的排气处理设备导出腔室4内的气体。因此，在腔室4内朝下方流动的下降流(down flow)通过FFU14以及排气导管15所形成。基板W的处理在腔室4内形成有下降流的状态下进行。
采用夹持式的卡盘作为旋转卡盘5，该夹持式的卡盘在水平方向夹着基板W并水平地保持基板W。具体而言，旋转卡盘5包含：旋转马达(spin motor)16；旋转轴(spin axis)17，与该旋转马达16的驱动轴一体化；以及圆板状的旋转基座(spin base)18，大致水平地安装于旋转轴17的上端。
在旋转基座18的上表面的周缘部配置有多个(三个以上，例如为六个)夹持构件19。多个夹持构件19在旋转基座18的上表面周缘部中隔着适当的间隔配置于与基板W的外周形状对应的圆周上。在旋转基座18的上表面中的将旋转轴线A1作为中心的圆周上配置有用以从下方支撑对向构件6的多个(三个以上)对向构件支撑部20。对向构件支撑部20与旋转轴线A1之间的距离设定成比夹持构件19与旋转轴线A1之间的距离还大。
此外，旋转卡盘5并未限定于夹持式的卡盘，例如亦可采用真空吸附式的卡盘(真空卡盘)，该真空吸附式的卡盘真空吸附基板W的背面，由此以水平的姿势保持基板W，并以此状态绕着铅垂的旋转轴线旋转，由此使被旋转卡盘5保持的基板W旋转。
对向构件6是用以随着旋转卡盘5旋转的从动型的对向构件(阻隔构件)。亦即，对向构件6以在基板处理中对向构件6可与旋转卡盘5一体性地旋转的方式被支撑。
对向构件6包含：阻隔板21；卡合部22，以可伴随升降的方式设置于阻隔板21；以及支撑部23，用以与卡合部22卡合并从上方支撑阻隔板21。
阻隔板21为具有比基板W还大的直径的圆板状。阻隔板21在下表面具有：圆形的基板对向面21a，与基板W的整个上表面对向；圆环状的锷部21b，在基板对向面21a的周缘部中朝下方突出；以及旋转卡盘卡合部21c，设置于基板对向面21a，用以与对向构件支撑部20卡合。在基板对向面21a的中央部形成有上下地贯通对向构件6的贯通孔24。贯通孔24被圆筒状的内周面划分。
卡合部22在阻隔板21的上表面包含：圆筒部25，包围贯通孔24的周围；以及凸缘(flange)部26，从圆筒部25的上端朝径方向外侧扩展。凸缘部26比包含于支撑部23的下述的凸缘支撑部28靠上方。凸缘部26的外周作成直径比凸缘支撑部28的内周还大。
支撑部23包含：例如大致圆板状的支撑部本体27；水平的凸缘支撑部28，将中心轴线A2作为中心；以及连接部29，连接支撑部本体27与凸缘支撑部28。
中心轴喷嘴7沿着通过阻隔板21以及基板W的中心的铅垂的轴线亦即旋转轴线A1而在上下方向延伸。中心轴喷嘴7配置于旋转卡盘5的上方，并插通阻隔板21以及支撑部23的内部空间。中心轴喷嘴7与阻隔板21以及支撑部23一起升降。如图2所示，中心轴喷嘴7的下表面配置于比阻隔板21的基板对向面21a稍微靠上方的位置，但亦可为与基板对向面21a大致相同的高度。
中心轴喷嘴7包含：圆柱状的壳体(casing)30，在贯通孔24的内部上下地延伸；以及第一喷嘴配管31、第二喷嘴配管32、第三喷嘴配管33以及第四喷嘴配管34，上下地插通壳体30的内部。壳体30具有：圆筒状的外周面30a；以及对向面30b，设置于壳体30的下端部，并与基板W的上表面的中央部对向。第一喷嘴配管31至第四喷嘴配管34分别为内管(innertube)。
在支撑部23结合有：对向构件升降单元39，用以使支撑部23升降且使对向构件6升降。对向构件升降单元39包含伺服马达以及/或者滚珠螺杆机构等的构成。
对向构件升降单元39将对向构件6以及第一喷嘴配管31至第四喷嘴配管34与支撑部23一起在铅垂方向升降。对向构件升降单元39使阻隔板21以及第一喷嘴配管31至第四喷嘴配管34在接近位置与退避位置之间升降，该接近位置是阻隔板21的基板对向面21a接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的位置，该退避位置是设置于接近位置的上方的位置。对向构件升降单元39可在接近位置与退避位置之间的各位置保持阻隔板21。
通过对向构件升降单元39，能使支撑部23在下位置(图2中以虚线所示的位置)与上位置(图2中以实线所示的位置)之间升降，由此能使对向构件6的阻隔板21在接近位置(图2中以虚线所示的位置)与退避位置(图2中以实线所示的位置)之间升降，该接近位置是接近被旋转卡盘5保持的基板W的上表面的位置，该退避位置是大幅地退避至旋转卡盘5的上方的位置。
具体而言，在支撑部23位于上位置的状态下，支撑部23的凸缘支撑部28与凸缘部26卡合，由此卡合部22、阻隔板21以及中心轴喷嘴7被支撑部23支撑。亦即，阻隔板21被支撑部23垂吊。
在支撑部23位于上位置的状态下，突设于凸缘支撑部28的上表面的突起28a卡合至隔着间隔形成于凸缘部26的周方向的卡合孔26a，由此阻隔板21相对于支撑部23被定位于周方向。
对向构件升降单元39在使支撑部23从上位置下降时，阻隔板21亦从退避位置下降。之后，当阻隔板21的旋转卡盘卡合部21c抵接至对向构件支撑部20时，阻隔板21以及中心轴喷嘴7被对向构件支撑部20承接。接着，当对向构件升降单元39使支撑部23下降时，支撑部23的凸缘支撑部28与凸缘部26之间的卡合被解除，卡合部22、阻隔板21以及中心轴喷嘴7从支撑部23脱离并被旋转卡盘5支撑。在此状态下，阻隔板21伴随着旋转卡盘5(旋转基座18)的旋转而旋转。
第一喷嘴配管31沿着铅垂方向延伸。第一喷嘴配管31的下端在壳体30的对向面30b呈开口，并形成第一喷出口31a。从药液供给单元8对第一喷嘴配管31供给药液。药液供给单元8包含：药液配管35，连接至第一喷嘴配管31的基端侧；以及药液阀36，安装于药液配管35的中途部。当开启药液阀36时，从第一喷出口31a朝下方喷出药液。当关闭药液阀36时，停止从第一喷出口31a喷出药液。药液亦可为例如包含硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH(Tetra Methyl AmmoniumHydroxide；氢氧化四甲铵)等)、界面活性剂以及防腐蚀剂的至少一者的液体。
第二喷嘴配管32沿着铅垂方向延伸。第二喷嘴配管32的下端在壳体30的对向面30b呈开口，并形成第二喷出口32a。从冲洗液供给单元9对第二喷嘴配管32供给冲洗液。冲洗液供给单元9包含：冲洗液配管37，连接至第二喷嘴配管32的基端侧；以及冲洗液阀38，安装于冲洗液配管37的中途部。当开启冲洗液阀38时，从第二喷出口32a朝下方喷出冲洗液。当关闭冲洗液阀38时，停止从第二喷出口32a喷出冲洗液。冲洗液是纯水(去离子水)、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如10ppm至100ppm左右)的氨水中的任一者。
第三喷嘴配管33沿着铅垂方向延伸。第三喷嘴配管33的下端在壳体30的对向面30b呈开口，并形成第三喷出口33a。从疏水化剂供给单元10对第三喷嘴配管33供给液体的疏水化剂。疏水化剂是可为硅系的疏水化剂，亦可为金属系的疏水化剂。
硅系的疏水化剂用以使硅(Si)自身以及包含硅的化合物予以疏水化的疏水化剂。硅系疏水化剂是例如为硅烷耦合剂(silane coupling agent)。硅烷耦合剂是例如为HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二硅氮烷)、TMS(tetramethylsilane；四甲基硅烷)、氟化烷氯硅烷(fluorinated alkylchlorosilane)、烷基二硅氮烷(alkyl disilazane)以及非氯(non-chloro)系疏水化剂中的至少一者。非氯系疏水化剂是例如包含二甲基甲硅烷基二甲胺(DMSDMA；dimethylsilyldimethylamine)、二甲基甲硅烷基二乙胺(DMSDEA；dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二硅氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、四甲基二硅氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、双(二甲基氨)二甲基硅烷(Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、N,N-二甲基三甲基硅胺(DMATMS；N,N-dimethylaminotrimethylsilane)、N-(三甲基硅基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有机硅烷(organosilane)化合物中的至少一者。
金属系的疏水化剂例如为具有高的配位性且主要通过配位结合将金属予以疏水化的溶剂。该疏水化剂是例如包含有机硅化合物以及具有疏水基的胺中的至少一者。
第四喷嘴配管34沿着铅垂方向延伸。第四喷嘴配管34的下端在壳体30的对向面30b呈开口，并形成第四喷出口34a。从有机溶剂供给单元11对第四喷嘴配管34供给液体的有机溶剂。有机溶剂例如为IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)，但除了IPA以外亦能例示例如甲醇、乙醇、丙酮、EG(ethylene glycol；乙二醇)以及HFE(hydrofluoroether；氢氟醚)作为此种有机溶剂。此外，作为有机溶剂，不仅是由单体成分所构成的情形，亦可为与其他成分混合的液体。例如，亦可为IPA与丙酮的混合液，或亦可为IPA与甲醇的混合液。
如图2所示，处理杯12配置于比被旋转卡盘5保持的基板W还外侧(从旋转轴线A1离开的方向)。处理杯12包含：筒状构件40，围绕旋转基座18的周围；多个杯部(第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43)，配置于旋转卡盘5与筒状构件40之间；多个防护罩(guard)(第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46)，接住飞散至基板W的周围的处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、疏水化剂等)；以及防护罩升降单元47，使多个第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46个别单独地升降。处理杯12配置于比被旋转卡盘5保持的基板W的外周还外侧(从旋转轴线A1离开的方向)。在图2中，处理杯12示出在旋转轴线A1的右侧与左侧不同的状态。
各第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43是圆筒状，并在旋转卡盘5与筒状构件40之间围绕旋转卡盘5。从内侧算起第二个的第二杯部42配置于比第一杯部41还外侧，最外侧的第三杯部43配置于比第二杯部42还外侧。第三杯部43例如与第二防护罩45为一体，并与第二防护罩45一起升降。各第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43是形成朝上开放的环状的槽。在各第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43的槽连接有回收配管(未图示)或废液配管(未图示)。被导引至各第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43的底部的处理液通过回收配管或废液配管分别被输送至回收单元(未图示)或废液单元(未图示)。由此，从基板W排出的处理液被回收或废弃。
各第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46是圆筒状，并在旋转卡盘5与筒状构件40之间围绕旋转卡盘5。各第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46包含：圆筒状的导引部48，围绕旋转卡盘5的周围；以及圆筒状的倾斜部49，从导引部48的上端朝中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)沿斜上方延伸。各倾斜部49的上端部构成第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46的内周部，且具有比基板W以及旋转基座18还大的直径。三个倾斜部49上下地重叠，三个导引部48同轴地配置。三个导引部48(第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46的导引部48)可分别出入于对应的第一杯部41、第二杯部42以及第三杯部43。亦即，处理杯12可折叠，防护罩升降单元47使三个第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46的至少一个升降，由此进行处理杯12的展开以及折叠。此外，如图2所示，倾斜部49的剖面形状可为直线状，亦可例如描绘凸状的圆弧并顺畅地延伸。
对基板W供给处理液(药液、冲洗液、有机溶剂、疏水化剂等)以及使基板W干燥在任一个第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46与基板W的周端面对向的状态下进行。例如，为了实现最外侧的第三防护罩46与基板W的周端面对向的状态(图13所示的状态，以下亦有称为“第三防护罩对向状态”的情形)，将第一防护罩44以及第二防护罩45配置于下位置，将第三防护罩46配置于上位置。此外，为了实现从最内侧算起第二个的第二防护罩45与基板W的周端面对向的状态(图15所示的状态，以下亦有称为“第二防护罩对向状态”的情形)，将第一防护罩44配置于下位置，将第二防护罩45以及第三防护罩46配置于上位置。此外，为了实现最内侧的第一防护罩44与基板W的周端面对向的状态(图2所示的状态，以下亦有称为“第一防护罩对向状态”的情形)，将三个第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46全部配置于上位置。
例如，就后述的药液供给步骤E3(参照图9)、冲洗步骤E4(参照图9)、第一有机溶剂供给步骤E5(参照图9)、疏水化剂供给步骤E6(参照图9)、第二有机溶剂供给步骤E7(参照图9)而言，在三个第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46中的某一者与基板W的周端面对向的状态下进行。因此，在对基板W供给处理液时飞散至基板W的周围的处理液被第一防护罩44、第二防护罩45以及第三防护罩46中的某一者导引至某一个杯部41～43。
图5是用以说明疏水化剂供给单元10以及有机溶剂供给单元11的概略构成的图。
疏水化剂供给单元10包含：疏水化剂配管(处理液配管)51，连接至第三喷嘴配管33；第一连接配管52，经由疏水化剂配管51连接至第三喷嘴配管33；以及疏水化剂排液配管53、第一疏水化剂供给配管54、第二疏水化剂供给配管55以及疏水化剂吸引配管56，分别连接至第一连接配管52。
第一连接配管52作成朝一方向延伸且两端闭塞的筒状，并在第一连接配管52的长度方向从一端侧(图5所示的上侧)依序连接有疏水化剂排液配管53、疏水化剂配管51、第一疏水化剂供给配管54、第二疏水化剂供给配管55以及疏水化剂吸引配管56。
疏水化剂配管51具有第一上下方向部分51a以及第一左右方向部分51b。第一上下方向部分51a的下游端连接至第三喷嘴配管33的上游端。第一左右方向部分51b的下游端连接至第一上下方向部分51a的上游端。第一左右方向部分51b的上游端连接至第一连接配管52。在疏水化剂配管51的第一左右方向部分51b安装有用以将疏水化剂配管51予以开闭的疏水化剂阀57。
在疏水化剂配管51的第一左右方向部分51b中的比疏水化剂阀57还下游侧安装有第一疏水化剂吸引装置(第一吸引装置)58。第一疏水化剂吸引装置58为膜片(diaphragm)式的吸引装置。膜片式的吸引装置是如下所述的吸引装置(参照日本特开2016-111306号公报等)，包含：筒状的头部，安装于疏水化剂配管51的中途部；以及膜片，收容于头部内；通过膜片的驱动使形成于头部内的流路的容积变化。
在疏水化剂排液配管53安装有用以将疏水化剂排液配管53予以开闭的疏水化剂排液阀59。在疏水化剂排液配管53的另一端侧连接至装置外的排液设备。
在第一疏水化剂供给配管54安装有用以将第一疏水化剂供给配管54予以开闭的第一疏水化剂供给阀60。从第一疏水化剂原液供给源对第一疏水化剂供给配管54的另一端侧供给有第一疏水化剂原液(疏水化剂1)。
在第二疏水化剂供给配管55安装有用以将第二疏水化剂供给配管55予以开闭的第二疏水化剂供给阀61。从第二疏水化剂原液供给源对第二疏水化剂供给配管55的另一端侧供给有第二疏水化剂原液(疏水化剂2)。通过混合第一疏水化剂原液与第二疏水化剂原液而产生疏水化剂。
在疏水化剂吸引配管56安装有用以将疏水化剂吸引配管56予以开闭的疏水化剂吸引阀(吸引阀)62。在疏水化剂吸引配管56的前端连接有第二疏水化剂吸引装置(第二吸引装置)63。第二疏水化剂吸引装置63是喷射器(ejector)式的吸引装置。喷射器式的吸引装置包含真空产生器或者吸引器(aspirator)。与膜片式的吸引装置或虹吸(siphon)式的吸引装置相比，喷射器式的吸引装置吸引力强(吸引速度快)且可吸引的液体流量多。
当在关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀的状态下开启第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61以及疏水化剂阀57时，来自第一疏水化剂供给配管54的第一疏水化剂原液与来自第二疏水化剂供给配管55的第二疏水化剂原液流入至第一连接配管52，并在第一连接配管52内混合而产生疏水化剂。该疏水化剂经由疏水化剂配管51被供给至第三喷嘴配管33，并从第三喷出口33a朝下方喷出疏水化剂。
此外，当在关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀的状态下开启第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61以及疏水化剂排液阀59时，第一疏水化剂原液从第一疏水化剂供给配管54被供给至疏水化剂排液配管53。由此，能将残留于第一疏水化剂供给配管54的内部的第一疏水化剂原液排出至装置外。
此外，在第二疏水化剂吸引装置63的动作有效化的状态下，当在关闭其他的阀的状态下开启疏水化剂阀57以及疏水化剂吸引阀62时，吸引疏水化剂配管51的内部从而使疏水化剂的前端面(处理液的前端面)F1在疏水化剂配管51的内部后退。
有机溶剂供给单元11包含：有机溶剂配管(处理液配管)81，连接至第四喷嘴配管34；第二连接配管82，经由有机溶剂配管81连接至第四喷嘴配管34；以及有机溶剂排液配管83、有机溶剂供给配管84以及有机溶剂吸引配管(吸引配管)86，分别连接至第二连接配管82。
第二连接配管82作成朝一方向延伸且两端闭塞的筒状，并在第二连接配管82的长度方向从一端侧(图5所示的上侧)依序连接有有机溶剂排液配管83、有机溶剂配管81、有机溶剂供给配管84以及有机溶剂吸引配管86。
有机溶剂配管81具有第二上下方向部分81a以及第二左右方向部分81b。第二上下方向部分81a的下游端连接至第四喷嘴配管34的上游端。第二左右方向部分81b的下游端连接至第二上下方向部分81a的上游端。第二左右方向部分81b的上游端连接至第二连接配管82。在有机溶剂配管81的第二左右方向部分81b安装有用以将有机溶剂配管81予以开闭的有机溶剂阀87。
在有机溶剂配管81的第二左右方向部分81b中的比有机溶剂阀87还下游侧安装有第一有机溶剂吸引装置(第一吸引装置)88。第一有机溶剂吸引装置88为膜片式的吸引装置。
在有机溶剂排液配管83安装有用以将有机溶剂排液配管83予以开闭的有机溶剂排液阀89。在有机溶剂排液配管83的另一端侧连接至装置外的排液设备。
在有机溶剂供给配管84安装有用以将有机溶剂供给配管84予以开闭的有机溶剂供给阀90。从有机溶剂原液供给源对有机溶剂供给配管84的另一端侧供给有机溶剂。
在有机溶剂吸引配管86安装有用以将有机溶剂吸引配管86予以开闭的有机溶剂吸引阀(吸引阀)92。在有机溶剂吸引配管86的前端连接有第二有机溶剂吸引装置(第二吸引装置)93。第二有机溶剂吸引装置93是喷射器式的吸引装置。
当在关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀的状态下开启有机溶剂供给阀90以及有机溶剂阀87时，来自有机溶剂供给配管84的有机溶剂流入至第二连接配管82。该有机溶剂经由有机溶剂配管81被供给至第四喷嘴配管34，并从第四喷出口34a朝下方喷出有机溶剂。
此外，当在关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀的状态下开启有机溶剂供给阀90以及有机溶剂排液阀89时，有机溶剂从有机溶剂供给配管84被供给至有机溶剂排液配管83。由此，能将残留于有机溶剂供给配管84的内部的有机溶剂排出至装置外。
此外，在第二有机溶剂吸引装置93的动作被有效化的状态中，当在关闭其他的阀的状态下开启有机溶剂阀87以及有机溶剂吸引阀92时，吸引有机溶剂配管81的内部从而使有机溶剂的前端面(处理液的前端面)F2在有机溶剂配管81的内部后退。
图6是用以说明疏水化剂供给单元10的详细的构成的图。
与疏水化剂配管51的第一左右方向部分51b的管壁相关地配置有第一传感器64。第一传感器64包含第一有无传感器65以及第二有无传感器66。在疏水化剂配管51的第一左右方向部分51b设定有预定的疏水化剂待机位置(待机位置)P1。疏水化剂待机位置P1在流通方向具有预定的宽度。
第一有无传感器65检侧疏水化剂待机位置P1的上限位置67a中是否存在疏水化剂。在疏水化剂配管51的内部的疏水化剂的前端面F1前进至比上限位置(第一位置)67a还前方时(接近中心轴喷嘴7侧时)，第一有无传感器65检测到疏水化剂；在疏水化剂配管51的内部的疏水化剂的前端面F1后退至比上限位置67a还后方时，第一有无传感器65未检测到疏水化剂。第一有无传感器65将第一有无传感器65的检测输出输送至控制装置3。
第二有无传感器66检侧疏水化剂待机位置P1的下限位置(第二位置)67b中是否存在疏水化剂。在疏水化剂配管51的内部的疏水化剂的前端面F1前进至比下限位置67b还前方时(接近中心轴喷嘴7侧时)，第二有无传感器66检测到疏水化剂；在疏水化剂配管51的内部的疏水化剂的前端面F1后退至比下限位置67b还后方时，第二有无传感器66未检测到疏水化剂。第二有无传感器66将第二有无传感器66的检测输出输送至控制装置3。因此，在疏水化剂的前端面F1位于疏水化剂待机位置P1的情形中，通过第一有无传感器65检测到上限位置67a中存在疏水化剂，且通过第二有无传感器66检测到下限位置67b中未存在疏水化剂(未检测到疏水化剂的存在)。
第一有无传感器65以及第二有无传感器66分别为例如液体检测用的光纤传感器，且直接配置或者接近配置于疏水化剂配管51的外周壁。第一有无传感器65以及第二有无传感器66亦可通过例如静电容量型的传感器所构成。
疏水化剂阀57是气动(air operate)式的开闭阀。作为此种气动式的开闭阀，可例举膜片阀、蝴蝶阀(butterfly valve)、针阀(needle valve)等。在疏水化剂阀57连接有第一气体供给配管(第二驱动源)68，在第一气体供给配管68的中途部安装有用以切换第一气体供给配管68的开闭的第一气体供给阀(第二驱动源)69。在比第一气体供给阀69还下游侧的第一气体供给配管68的中途部连接有第一泄漏配管(未图示)的一端，该第一泄漏配管用以使气体从疏水化剂阀57泄漏至大气中。在该泄漏配管的中途部安装有第一泄漏阀(未图示)。
在开启第一气体供给阀69且关闭第一泄漏阀的状态下，在第一气体供给配管68流动的气体被供给至疏水化剂阀57的内部。由此，开启疏水化剂阀57。另一方面，当在关闭疏水化剂阀57的状态下开启第一泄漏阀且关闭第一气体供给阀69时，停止朝疏水化剂阀57的内部供给气体，且疏水化剂阀57内的气体通过第一泄漏阀排出至大气中。结果，关闭疏水化剂阀57。
由膜片式的吸引装置所构成的第一疏水化剂吸引装置58为气动式的吸引装置。在第一疏水化剂吸引装置58连接有第二气体供给配管(第一驱动源)70，在第二气体供给配管70的中途部安装有用以切换第二气体供给配管70的开闭的第二气体供给阀(第一驱动源)71。第二气体供给阀71例如为电磁阀。在比第二气体供给阀71还下游侧的第二气体供给配管70的中途部连接有第二泄漏配管(未图示)的一端，该第二泄漏配管用以使气体从第一疏水化剂吸引装置58泄漏至大气中。在该泄漏配管的中途部安装有第二泄漏阀(未图示)。
在开启第二气体供给阀71且关闭第二泄漏阀的状态下，在第二气体供给配管70流动的气体被供给至第一疏水化剂吸引装置58的内部。在此状态下，通过膜片的形体，头部内的容积少，因此存在于第二气体供给配管70中的比第一疏水化剂吸引装置58还下游侧部分的疏水化剂不会被吸入至头部内。亦即，在此状态下，第一疏水化剂吸引装置58的动作被无效化。
在此状态下，当开启第二泄漏阀且关闭第二气体供给阀71时，停止朝第一疏水化剂吸引装置58的内部供给气体，且气体通过第二泄漏配管排出至大气中。由此，膜片进行形体变化，头部内的容积增大。结果，存在于第二气体供给配管70中的比第一疏水化剂吸引装置58还下游部分的疏水化剂被吸入至头部内，且该下游侧部分的内部被吸引。换言之，根据第二气体供给阀71用的喷出停止信号的输入，将液体(处理液)吸引至头部内。由此，第一疏水化剂吸引装置58的动作被有效化。
另一方面，当在第一疏水化剂吸引装置58的动作被有效化的状态下开启第二气体供给阀71且关闭第二泄漏阀时，在第二气体供给配管70流动的气体被供给至第一疏水化剂吸引装置58的内部。由此，膜片进行形体变化，头部内的容积减少，由此推出被吸引至头部内的液体(处理液)。亦即，根据第二气体供给阀71用的喷出开始信号的输入，推出头部内的液体(处理液)。结果，第一疏水化剂吸引装置58的动作被无效化。
在疏水化剂排液配管53安装有用以调整在疏水化剂排液配管53流动的疏水化剂的流量的流量调整单元。在本实施方式中，流量调整单元为孔口(orifice)72。孔口72以液体在疏水化剂配管51中流通时的压损与液体在疏水化剂排液配管53中流通时的压损变成相等的方式设定孔口72的大小。
在第一疏水化剂供给配管54中的比第一疏水化剂供给阀60还下游侧进一步安装有第一流量计73，该第一流量计73用以检测在第一疏水化剂供给配管54内流动的第一疏水化剂原液的流量。
在第二疏水化剂供给配管55中的比第二疏水化剂供给阀61还下游侧进一步安装有第二流量计74，该第二流量计74用以检测在第二疏水化剂供给配管55内流动的第二疏水化剂原液的流量。通过第一流量计73以及第二流量计74构成第二传感器77，该第二传感器77用以检测在填充步骤T3中被供给至第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55的疏水化剂(疏水化剂原液)的流量。
此外，在图6的例子中，虽然例举具有第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55这两个配管作为疏水化剂供给配管的情形，但亦可仅设置有一个疏水化剂供给配管作为疏水化剂供给配管。在此情形中，对疏水化剂供给配管供给有疏水化剂(并非是原液，而是制作(混合)后的疏水化剂)。在此情形中，在该疏水化剂供给配管安装有流量计。
由喷射器式的吸引装置所构成的第二疏水化剂吸引装置63包含流体供给配管75以及用以切换流体供给配管75的开闭的流体供给阀76。流体供给阀76例如为电磁阀。在第二疏水化剂吸引装置63的电源导通(ON)状态下开启流体供给阀76使流体在流体供给配管75内流动，由此将第二疏水化剂吸引装置63的内部减压。由此，疏水化剂吸引配管(吸引配管)56的内部被吸引。亦即，第二疏水化剂吸引装置63的动作被有效化。
虽然省略详细的说明，但是有机溶剂供给单元11具有与疏水化剂供给单元10同样的构成。亦即，与有机溶剂配管81的第二左右方向部分81b的管壁相关地配置有第一传感器。有机溶剂阀87是气动式的开闭阀，通过开启第一气体供给阀而开启有机溶剂阀87，通过开启第一泄漏阀而关闭有机溶剂阀87。第一有机溶剂吸引装置88是气动式的吸引装置，通过开启第二气体供给阀而使第一有机溶剂吸引装置88的动作被有效化，通过开启第二泄漏阀而使第一有机溶剂吸引装置88的动作被无效化。
图7A是用以说明基板处理装置1的主要部分的电气构成的框图。
控制装置3使用例如微型计算机(microcomputer)所构成。控制装置3具有CPU(Central Processing Unit；中央处理器)等运算单元101、固态存储器件(solid-statememory device)(未图示)、硬盘驱动器(hard disk drive)等存储单元102以及输出输入单元(未图示)。在存储单元102存储有让运算单元101执行的程序103。
存储单元102包含：规程(recipe)存储部104，存储用以规定针对基板W的各处理的内容的规程。规程存储部104由能电改写数据的非易失性存储器构成。在规程存储部104存储有通过操作部105的操作而作成的工艺规程106、预规程107、后规程(post recipe)108以及流动规程(flow recipe)109。工艺规程106是已制定了针对基板W的处理的内容(包含顺序及条件，以下相同)的规程。预规程107是预备动作规程的一例，且为制定了预先设定的前处理的内容的规程。后规程108是预备动作规程的一例，且为制定了预先设定的后处理的内容的规程。流动规程109是制定了依循工艺规程106的控制(工艺规程控制)、依循预规程107的控制(预规程控制)以及依循后规程108的控制(后规程控制)的执行顺序以及执行次数的规程。
在用以构成一个批次(lot)的预定片数(例如25片)的基板W总括地被收容于基板收容器C(参照图1)的状态下被搬入至基板处理装置1。在基板处理装置1中，对每个基板收容器C设定有一个流动规程109。
再者，在控制装置3连接有作为控制对象的旋转马达16、对向构件升降单元39、防护罩升降单元47、第一疏水化剂吸引装置58、第二疏水化剂吸引装置63、第一有机溶剂吸引装置88、第二有机溶剂吸引装置93等。此外，控制装置3依循预先设定的程序，驱动旋转马达16、对向构件升降单元39、防护罩升降单元47等，并使第一疏水化剂吸引装置58、第二疏水化剂吸引装置63、第一有机溶剂吸引装置88、第二有机溶剂吸引装置93等的动作有效化。再者，控制装置3将药液阀36、冲洗液阀38、疏水化剂阀57、疏水化剂排液阀59、第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61、疏水化剂吸引阀62、第一气体供给阀69、第二气体供给阀71、有机溶剂供给配管84、有机溶剂阀87、有机溶剂排液阀89、有机溶剂吸引阀92等予以开闭。
图7B是用以说明硬联锁(hard interlock)的图。硬联锁在依循被规程存储部104保持的规程进行一连串的基板处理的过程中在各个步骤开始时被执行。在图7B中仅显示防护罩位置与阀的开闭动作之间的硬联锁。
在第一防护罩对向状态中，容许药液阀36以及冲洗液阀38的开动作，但禁止第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61以及有机溶剂供给阀90的开动作。
在第二防护罩对向状态中，容许第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61的开动作，但禁止药液阀36、冲洗液阀38以及有机溶剂供给阀90的开动作。通过此种硬联锁，能防止在疏水化剂供给步骤E6(参照图9)中有机溶剂被供给至基板W，能确实地防止在处理杯12内产生疏水化剂与有机溶剂的混合接触。由于伴随着疏水化剂与有机溶剂的混合接触会有产生颗粒(particle)的担心，因此通过防止此种混合接触而能事先防止颗粒的产生。
在第三防护罩对向状态中，容许有机溶剂供给阀90的开动作，但禁止药液阀36、冲洗液阀38、第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61的开动作。通过此种硬联锁，能防止在第一有机溶剂供给步骤E5(参照图9)以及第二有机溶剂供给步骤E7(参照图9)中疏水化剂被供给至基板W，能确实地防止在处理杯12内产生疏水化剂与有机溶剂的混合接触。由于伴随着疏水化剂与有机溶剂的混合接触会有产生颗粒的担心，因此通过防止此种混合接触而能事先防止颗粒的产生。
图8A是用以说明在处理单元2中所执行的处理的内容的流程图。图8B是用以显示在处理单元2中通过预规程107所执行的前处理的流程的流程图。图9是用以显示在处理单元2中通过工艺规程106所执行的基板处理的流程的流程图。图10是用以显示朝基板处理装置1搬入基板W前的处理单元2的状态的图。图11是用以说明排出吸引步骤T1(第二吸引步骤)的图。图12A是用以说明预分配步骤T2的图。图12B是用以说明填充步骤T3(待机位置配置步骤)的图。图13是用以说明第一有机溶剂供给步骤E5的图。图14是用以说明在第一有机溶剂供给步骤后所执行的甩离步骤的图。图15是用以说明疏水化剂供给步骤E6的图。图16是用以说明第二有机溶剂供给步骤E7的图。图17是用以说明旋转干燥步骤E8的图。图18是用以说明第一错误判定的流程图。图19是用以说明第二错误判定的流程图。
参照图8A至图9，说明处理单元2所执行的基板处理例。适当地参照图10至图19。此外，基板处理例可为蚀刻处理，亦可为清洗处理。
在一个或多个处理单元2中针对一个批次所含有的多片基板W(收容于一个基板收容器C(参照图1)的多片基板W)施予处理。当基板收容器C(参照图1)被载置于基板处理装置1的装载埠LP(参照图1)时，从主计算机对控制装置3发送用以显示基板收容器C所含有的批次的信息的基板信息。主计算机是用以统括设置于半导体制造工厂的多个基板处理装置的计算机。控制装置3依据从主计算机发送的基板信息，从规程存储部104读出与该批次对应的流动规程109。接着，依据流动规程109，依序地进行预规程控制、工艺规程控制以及后规程控制。
首先，在各个处理单元2(参照图1)执行依循了预规程107的控制，由此进行前处理S1(参照图8A)。
之后，反复执行依循了工艺规程106的控制，由此收容于一个基板收容器C的基板W不断连续地被搬入至处理单元2，并在处理单元2中接受基板处理S2(参照图8A)。
接着，依循了工艺规程106的控制被执行与收容于基板收容器C的基板的片数相等的预定次数，当结束一连串的预定次数的处理时，在各个处理单元2中执行依循了后规程108的控制，由此执行后处理S3(参照图8A)。省略针对后处理S3的说明。
说明前处理S1。
如图10所示，在前次的基板处理S2(针对前一个基板W的基板处理S2)后，将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1，并将有机溶剂的前端面F2配置于有机溶剂待机位置(待机位置)P2。有机溶剂待机位置P2在流通方向具有预定的宽度。
控制装置3在前处理S1中执行排出吸引步骤T1(参照图8B)。
排出吸引步骤T1包含用以从疏水化剂配管51以及第一连接配管52排出存在于疏水化剂配管51的内部以及第一连接配管52的内部的疏水化剂的步骤(第二吸引步骤)。在从前次的基板处理S2结束后经过长期间的情形中，会有存在于疏水化剂配管51的内部以及第一连接配管52的内部的疏水化剂失活(劣化)的担心。因此，在基板处理S2之前使存在于疏水化剂配管51的疏水化剂从疏水化剂配管51排出，由此不会将已失活的疏水化剂使用于基板处理S2。
如图10所示，在排出吸引步骤T1中，控制装置3在关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀的状态下开启疏水化剂阀57以及疏水化剂吸引阀62。由此，将疏水化剂吸引配管56的内部以及第一连接配管52的内部排气，且残留于疏水化剂配管51的内部的疏水化剂通过第一连接配管52被吸入至疏水化剂吸引配管56。当所有的疏水化剂从疏水化剂配管51的内部、第一连接配管52的内部以及疏水化剂吸引配管56的内部排出时，控制装置3关闭疏水化剂吸引阀62以及疏水化剂阀57。能通过该排出吸引步骤T1将存在于疏水化剂配管51的内部以及第一连接配管52的内部中(因为湿度以及/或者氧的影响所导致)的已失活的疏水化剂从疏水化剂配管51以及第一连接配管52排出。由于使用由喷射器式的吸引装置所构成的第二疏水化剂吸引装置63进行排出吸引步骤T1，因此能将所有的疏水化剂从疏水化剂配管51以及第一连接配管52排出，且能在短时间内进行疏水化剂的排出动作。
此外，排出吸引步骤T1包含用以从有机溶剂配管81以及第二连接配管82排出存在于有机溶剂配管81的内部以及第二连接配管82的内部的有机溶剂的步骤(第二吸引步骤)。在从前次的基板处理S2结束后经过长期间的情形中，会有存在于有机溶剂配管81的内部以及第二连接配管82的内部的有机溶剂失活(劣化)的担心。因此，在基板处理S2之前使存在于有机溶剂配管81的有机溶剂从有机溶剂配管81排出，由此不会将已失活的有机溶剂使用于基板处理S2。
在排出吸引步骤T1中，控制装置3在关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀的状态下开启有机溶剂阀87以及有机溶剂吸引阀92。由此，将有机溶剂吸引配管86的内部以及第二连接配管82的内部排气，且残留于有机溶剂配管81的内部的有机溶剂通过第二连接配管82被吸入至有机溶剂吸引配管86。当所有的有机溶剂从有机溶剂配管81的内部、第二连接配管82的内部以及有机溶剂吸引配管86的内部排出时，控制装置3关闭有机溶剂吸引阀92以及有机溶剂阀87。能通过该排出吸引步骤T1将存在于有机溶剂配管81的内部以及第二连接配管82的内部中(因为湿度以及/或者氧的影响所导致)的已失活的有机溶剂从有机溶剂配管81以及第二连接配管82排出。由于使用由喷射器式的吸引装置所构成的第二有机溶剂吸引装置93进行排出吸引步骤T1，因此能将所有的有机溶剂从有机溶剂配管81以及第二连接配管82排出，且能在短时间内进行有机溶剂的排出动作。
此外，在图11的例子中，虽然显示并行地进行来自疏水化剂供给配管54的疏水化剂的吸引与来自有机溶剂供给配管84的有机溶剂的吸引的情形，但是亦可以彼此不同的时机进行来自疏水化剂供给配管54的疏水化剂的吸引与来自有机溶剂供给配管84的有机溶剂的吸引。
在结束排出吸引步骤T1后，接着，控制装置3在前处理S1中执行预分配步骤T2(参照图8B)。
预分配步骤T2包含用以从疏水化剂供给配管排出存在于疏水化剂供给配管(第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55)的内部的疏水化剂的步骤。在从前次的基板处理S2结束后经过长期间的情形中，会有存在于第一疏水化剂供给配管54的内部的第一疏水化剂原液失活(劣化)的担心，并且会有存在于第二疏水化剂供给配管55的内部的第二疏水化剂原液失活(劣化)的担心。因此，在基板处理S2之前使存在于第一疏水化剂供给配管54的内部的第一疏水化剂原液以及存在于第二疏水化剂供给配管55的内部的第二疏水化剂原液从疏水化剂配管51排出，由此不会将已失活的第一疏水化剂原液以及第二疏水化剂原液使用于基板处理S2。
如图12A所示，在预分配步骤T2中，控制装置3在关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀的状态下开启疏水化剂排液阀59以及疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)。由此，将存在于第一疏水化剂供给配管54的内部的第一疏水化剂原液供给至疏水化剂排液配管53。通过该预分配步骤T2，能将存在于第一疏水化剂供给配管54的内部中的已失活的第一疏水化剂原液以及存在第二疏水化剂供给配管55的内部中的已失活的第二疏水化剂原液从第一疏水化剂供给配管54的内部或第二疏水化剂供给配管55的内部排出。
在预分配步骤T2中，通过第二传感器77(同时参照图6以及图12A)检测从第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55被导引至疏水化剂排液配管53的疏水化剂的流量。如上所述，由于以疏水化剂配管51中的液体的流通时的压损与疏水化剂排液配管53中的液体的流通时的压损一致的方式通过孔口72进行调整，因此能在预分配步骤T2中精度良好地取得在填充步骤T3中被供给至疏水化剂配管51的疏水化剂的流量。
控制装置3通过第二传感器77的检测来判断填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1是否配置于疏水化剂待机位置P1(第一判断步骤)。此外，控制装置3在判断成填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1未配置于疏水化剂待机位置P1的情形中判定成错误(第一错误判定)。具体而言，控制装置3在第二传感器77所检测到的疏水化剂的流量为预定的阈值范围外的情形中(图18的步骤Q1为否)判定成错误(图18的步骤Q2)后，执行错误处理(图18的步骤Q3)。在第二传感器77所检测到的疏水化剂的流量为预定的阈值范围外的情形(在步骤Q1中为否)中，在填充步骤T3中被供给至疏水化剂配管51的疏水化剂的流量变成预定的流量范围外。在第二传感器77所检测到的疏水化剂的流量在预定的阈值范围内的情形(步骤Q1中为是)中，图18的处理(子程序(subroutine)处理)返回至调取源。
在填充步骤T3中，当被供给至疏水化剂配管51的疏水化剂的流量变成预定的流量范围外时，会有无法准确地控制疏水化剂的前端面F1的位置的担心。在此情形中，在填充步骤T3中会有疏水化剂从喷出口33a滴落或者无法将填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1的担心。因此，在发生此种事态的情形中，不进行填充步骤T3(或者在已执行填充步骤T3的情形中中断填充步骤T3)而是进行错误处理。
此外，预分配步骤T2包含用以从有机溶剂供给配管84排出存在于有机溶剂供给配管84的内部的有机溶剂的步骤。在从前次的基板处理S2结束后经过长期间的情形中，会有存在于有机溶剂供给配管84的内部的有机溶剂失活(劣化)的担心。因此，在基板处理S2之前使存在于有机溶剂供给配管84的内部的有机溶剂从有机溶剂配管81排出，由此不会将已失活的有机溶剂使用于基板处理S2。
在预分配步骤T2中，控制装置3在关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀的状态下开启有机溶剂排液阀89以及有机溶剂供给阀90。由此，如图12A所示，将存在于有机溶剂供给配管84的内部的有机溶剂供给至有机溶剂排液配管83。通过该预分配步骤T2，能将存在于有机溶剂供给配管84的内部中的已失活的有机溶剂从有机溶剂供给配管84的内部排出。此外，在图12A的例子中，虽然显示并行地进行来自疏水化剂供给配管54的疏水化剂的排液与来自有机溶剂供给配管84的有机溶剂的排液的情形，但是亦可以彼此不同的时机进行来自疏水化剂供给配管54的疏水化剂的排液与来自有机溶剂供给配管84的有机溶剂的排液。
在预分配步骤T2结束后，接着，控制装置3在前处理S1中执行填充步骤(待机位置配置步骤)T3(参照图8B)。填充步骤T3是下述步骤：对疏水化剂配管51填充(供给)疏水化剂，由此将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。此外，在本实施方式中，在填充步骤T3中不进行对有机溶剂配管81填充(供给)有机溶剂。
具体而言，在填充步骤T3中，控制装置3在关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀的状态下开启疏水化剂阀57以及疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)。由此，第一疏水化剂原液从第一疏水化剂供给配管54流入至第一连接配管52，且第二疏水化剂原液从第二疏水化剂供给配管55流入至第一连接配管52，并在第一连接配管52内混合从而产生疏水化剂。所产生的疏水化剂通过疏水化剂配管51朝下游侧移动。
当从疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)的开启起经过预定的期间时，控制装置3关闭疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)。由此，如图12B所示，疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。
此外，控制装置3与填充步骤T3并行地监视疏水化剂的前端面F1的位置。具体而言，控制装置3在通过第一有无传感器65(第一传感器64)检测出上限位置67a中存在疏水化剂且通过第二有无传感器66(第一传感器64)检测出下限位置67b中未存在疏水化剂的情形中判断成疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1(第一判断步骤)。
控制装置3在判断成填充步骤T3后的实际的疏水化剂的前端面F1未配置于疏水化剂待机位置P1的情形中判定成错误(第二错误判定)。具体而言，控制装置3在通过第一传感器64判断成填充步骤T3后的实际的疏水化剂的前端面F1未位于疏水化剂待机位置P1的情形(图19的步骤Q11中为否)中判定成错误(图19的步骤Q12)后，执行错误处理(图19的步骤Q13)。在填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1的情形(图19的步骤Q11中为是)中，图19的处理(子程序处理)返回至调取源。
当填充步骤T3结束时，前处理S1结束。
接着，说明基板处理S2(参照图8A)。关于基板处理S2的执行，从规程存储部104(参照图7A)读出的工艺规程106总是被参照。
在执行基板处理S2时，将未处理的基板W搬入至腔室4的内部(图9的步骤E1)。具体而言，使正在保持基板W的搬运机械手CR的手部H进入至腔室4的内部，由此在基板W的表面(器件(device)形成面)朝向上方的状态下将基板W授受至旋转卡盘5。之后，基板W被旋转卡盘5保持。
朝腔室4搬入基板W在阻隔板21配置于退避位置的状态下且在第一防护罩44至第三防护罩46配置于下位置的状态下进行。
之后，控制装置3控制旋转马达16使基板W开始旋转(图9的步骤E2)。基板W上升至预先设定的液体处理速度(在约10rpm至1200rpm的范围内，例如约1000rpm)并维持在该液体处理速度。此外，控制装置3控制对向构件升降单元39，将阻隔板21配置于接近位置。
此外，控制装置3控制防护罩升降单元47，使第一防护罩44至第三防护罩46上升至上位置，由此如图13所示使第一防护罩44与基板W的周端面对向(实现第一防护罩对向状态)。
阻隔板21配置于接近位置后，接着，控制装置3进行用以对基板W的上表面供给药液的药液供给步骤E3(参照图9)。控制装置3开启药液阀36，由此从形成于阻隔板21的基板对向面21a的第一喷出口31a朝基板W的上表面中央部喷出药液。被供给至基板W的上表面的药液受到基板W的旋转所带来的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，使用药液处理基板W的整个上表面。
当从第一喷出口31a开始喷出药液经过工艺规程106规定的期间时，控制装置3关闭药液阀36。
接着，控制装置3进行用以对基板W的上表面供给冲洗液的冲洗步骤E4(参照图9)。控制装置3开启冲洗液阀38。由此，从形成于阻隔板21的基板对向面21a的第二喷出口32a朝基板W的上表面中央部喷出冲洗液。被供给至基板W的上表面的冲洗液受基板W的旋转所带来的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的药液被置换成冲洗液。
当从第二喷出口32a开始喷出冲洗液经过预先设定的期间时，控制装置3关闭冲洗液阀38。由此，停止从第二喷出口32a喷出冲洗液，结束冲洗步骤E4。
接着，控制装置3进行用以将存在于基板W的上表面的冲洗液置换成有机溶剂(例如IPA)的第一有机溶剂供给步骤E5(参照图9)。
具体而言，控制装置3控制防护罩升降单元47，一边将第三防护罩46维持在上位置一边使第一防护罩44以及第二防护罩45下降并配置于下位置，由此如图13所示使第三防护罩46与基板W的周端面对向(实现第三防护罩对向状态)。此时，防护罩的升降动作所需的时间例如为1.5秒。
此外，控制装置3将基板W的旋转维持在液体处理速度，并关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀且开启有机溶剂阀87以及有机溶剂供给阀90。由此，如图13所示，从形成于阻隔板21的基板对向面21a的第四喷出口34a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面的有机溶剂受到基板W的旋转所带来的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的冲洗液被有机溶剂置换。
此外，在第一次的基板处理S2(在处理单元2中针对收容于共通的基板收容器C(参照图1)的基板W所实施的最初的基板处理S2)的第一有机溶剂供给步骤E5(以下亦有仅称为“第一次的第一有机溶剂供给步骤E5”的情形)的有机溶剂喷出前，在有机溶剂配管81的内部、第二连接配管82的内部以及有机溶剂吸引配管86的内部未存在有机溶剂。这是由于在排出吸引步骤T1中从有机溶剂配管81的内部、第二连接配管82的内部以及有机溶剂吸引配管86的内部排出所有的有机溶剂的原因。
另一方面，在第二次以后的基板处理S2的第一有机溶剂供给步骤E5(以下亦有仅称为“第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5”的情形)的有机溶剂的喷出前，将有机溶剂配管81的有机溶剂的前端面F2配置于有机溶剂待机位置P2。因此，在第一次的第一有机溶剂供给步骤E5与第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5之间，在第一有机溶剂供给步骤E5开始时，从开启有机溶剂供给阀90(以及有机溶剂阀87)起至从第四喷出口34a喷出有机溶剂为止之间的期间不同。通常，由于从有机溶剂供给阀90的开启开始第一有机溶剂供给步骤E5的处理期间的计时，因此当从有机溶剂阀87开启至从第四喷出口34a喷出有机溶剂为止之间的期间不同时，会有实际的有机溶剂供给时间在每个基板W产生偏差从而导致处理在每个基板W产生偏差的担心。
在本实施方式中，为了将第一次的有机溶剂供给步骤E5以及第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5双方的实际的供给时间保持一定，将第一次的第一有机溶剂供给步骤E5中的有机溶剂供给阀90的开启时机设定成比预定的时机(第一次的第一有机溶剂供给步骤E5中的有机溶剂供给阀90的开启时机)还快数秒(例如三秒)。亦即，在第一次的第一有机溶剂供给步骤E5中，控制装置3在第一有机溶剂供给步骤E5开始前(亦即防护罩高度的变更前)开启有机溶剂供给阀90(先提供有机溶剂)。
如上所述，参照图7B，在第一防护罩对向状态中，容许药液阀36、冲洗液阀38、有机溶剂供给阀90、第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61的开动作。因此，可从第一有机溶剂供给步骤E5开始前(亦即防护罩高度的变更前)开启有机溶剂供给阀90(能实现先提供有机溶剂)。
此外，在第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5的情形中，第一有机溶剂吸引装置88处于有效化状态。因此，在第一有机溶剂供给步骤E5开始后，控制装置3开启第一有机溶剂吸引装置88用的第二气体供给阀(相当于第二气体供给阀71)且关闭第一有机溶剂吸引装置88用的第二泄漏阀。由此，对第一有机溶剂吸引装置88的内部供给气体，由此第一有机溶剂吸引装置88的动作被无效化，被第一有机溶剂吸引装置88吸引的少量的有机溶剂被喷出至有机溶剂配管81。
在第一有机溶剂供给步骤E5中，当从第四喷出口34a开始喷出有机溶剂起经过工艺规程106规定的期间时，控制装置3关闭有机溶剂阀87以及有机溶剂供给阀90。由此，如图14所示，停止从第四喷出口34a喷出有机溶剂。此外，控制装置3在保持关闭有机溶剂阀87的状态下将第一有机溶剂吸引装置88的动作有效化。如图14所示，有机溶剂配管81中的比第一有机溶剂吸引装置88的安装部分还下游侧部分的内部被排气，残留于该下游侧部分的内部的有机溶剂被吸入至第一有机溶剂吸引装置88的内部(通过膜片的驱动而扩张的区域)。第一有机溶剂吸引装置88的吸引量以有机溶剂的前端面F2后退至设定于第二左右方向部分81b内的预定的有机溶剂待机位置P2的方式设定。此时的有机溶剂的吸引量约0.1毫升至1毫升。当有机溶剂的前端面F2后退至有机溶剂待机位置P2时，控制装置3关闭有机溶剂供给阀90(以及有机溶剂阀87)。由此，将有机溶剂的前端面F2配置于有机溶剂待机位置P2。
基于停止从第四喷出口34a喷出有机溶剂，结束第一有机溶剂供给步骤E5。
接着，如图14所示，控制装置3进行用以甩离存在于基板W的上表面的有机溶剂的甩离步骤。具体而言，控制装置3控制旋转马达16，使基板W加速至比药液供给步骤E3至第一有机溶剂供给步骤E5的各个步骤中的旋转速度还大的甩离旋转速度(例如数千rpm)，并以此甩离旋转速度使基板W旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，附着于基板W的液体被甩离至基板W的周围。如此，从基板W去除有机溶剂。
接着，控制装置3进行用以将存在于基板W的上表面的有机溶剂置换成液体的疏水化剂的疏水化剂供给步骤E6(参照图9)。具体而言，控制装置3控制防护罩升降单元47，一边将第三防护罩46维持在上位置一边使第二防护罩45上升并配置于上位置，由此如图15所示使第二防护罩45与基板W的周端面对向(实现第二防护罩对向状态)。此时的升降动作所需的时间例如为1.5秒。
此外，控制装置3将阻隔板21维持在接近位置，一边关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀一边开启疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)以及疏水化剂阀57。
刚进行过的第一有机溶剂供给步骤E5不论是第一次的第一有机溶剂供给步骤E5还是第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5，在疏水化剂供给步骤E6开始前疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。
此外，在为第二次以后的第一有机溶剂供给步骤E5的情形中，第一疏水化剂吸引装置58处于有效化状态。因此，控制装置3在疏水化剂供给步骤E6开始后开启第二气体供给阀71并关闭第二泄漏阀。由此，对第一疏水化剂吸引装置58的内部供给气体。结果，第一疏水化剂吸引装置58的动作被无效化，被吸引至第一疏水化剂吸引装置58的少量的疏水化剂被喷出至疏水化剂配管51。
通过疏水化剂供给阀(第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)以及疏水化剂阀57的开放，疏水化剂供给配管(第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55)的疏水化剂经由第一连接配管52被供给至疏水化剂配管51。由此，如图15所示，从形成于阻隔板21的基板对向面21a的第三喷出口33a朝基板W的上表面中央部喷出疏水化剂。被供给至基板W的上表面的疏水化剂受到基板W的旋转所带来的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的有机溶剂被疏水化剂置换。
在疏水化剂供给步骤E6中，当从第三喷出口33a开始喷出疏水化剂经过工艺规程106规定的期间时，控制装置3关闭疏水化剂阀57、第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61。由此，如图16所示，停止从第三喷出口33a喷出疏水化剂。此外，控制装置3在保持关闭疏水化剂阀57的状态下开启第一气体供给阀69。如图16所示，疏水化剂配管51中的比第一疏水化剂吸引装置58的安装部分还下游侧部分的内部被排气，残留于该下游侧部分的内部的疏水化剂被吸入至第一疏水化剂吸引装置58的内部(通过膜片的驱动而扩张的区域)。第一疏水化剂吸引装置58的吸引量以疏水化剂的前端面F1后退至设定于第一左右方向部分51b内的预定的疏水化剂待机位置P1的方式设定。此时的疏水化剂的吸引量约0.1毫升至1毫升。由此，将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。
基于停止从第三喷出口33a喷出疏水化剂，结束疏水化剂供给步骤E6。
接着，控制装置3进行用以将存在于基板W的上表面的疏水化剂置换成有机溶剂(例如IPA)的第二有机溶剂供给步骤E7(参照图9)。
具体而言，控制装置3控制防护罩升降单元47，一边将第三防护罩46维持在上位置一边使第二防护罩45下降并配置于下位置，由此如图16所示使第三防护罩46与基板W的周端面对向(实现第三防护罩对向状态)。此时，防护罩的升降动作所需的时间例如为1.5秒。
此外，控制装置3将基板W的旋转维持在液体处理速度，并关闭有机溶剂供给单元11中的其他的阀且开启有机溶剂阀87以及有机溶剂供给阀90。由此，从形成于阻隔板21的基板对向面21a的第四喷出口34a朝基板W的上表面中央部喷出有机溶剂。被供给至基板W的上表面的有机溶剂受到基板W的旋转所带来的离心力而移动至基板W的周缘部。由此，基板W的上表面上的疏水化剂被有机溶剂置换。
此外，在第二有机溶剂供给步骤E7开始后，停止驱动第一有机溶剂吸引装置88。由此，被第一有机溶剂吸引装置88吸引的少量的有机溶剂被喷出至有机溶剂配管81。
在第二有机溶剂供给步骤E7中，当从第四喷出口34a开始喷出有机溶剂经过工艺规程106规定的期间时，控制装置3关闭有机溶剂阀87以及有机溶剂供给阀90。由此，停止从第四喷出口34a喷出有机溶剂。此外，控制装置3在保持关闭有机溶剂阀87的状态下将第一有机溶剂吸引装置88的动作有效化。有机溶剂配管81中的比第一有机溶剂吸引装置88的安装部分还下游侧部分的内部被排气，残留于该下游侧部分的内部的有机溶剂被吸入至第一有机溶剂吸引装置88的内部(通过膜片的驱动而扩张的区域)。第一有机溶剂吸引装置88的吸引量以有机溶剂的前端面F2后退至设定于第二左右方向部分81b内的预定的有机溶剂待机位置P2的方式设定。此时的有机溶剂的吸引量约0.1毫升至1毫升。当有机溶剂的前端面F2后退至有机溶剂待机位置P2时，控制装置3关闭有机溶剂供给阀90(以及有机溶剂阀87)。由此，将有机溶剂的前端面F2配置于有机溶剂待机位置P2。
基于停止从第四喷出口34a喷出有机溶剂，结束第二有机溶剂供给步骤E7。
接着，进行用以使基板W干燥的旋转干燥步骤E8(参照图9)。具体而言，控制装置3在阻隔板21已配置于接近位置的状态下控制旋转马达16，使基板W加速至比药液供给步骤E3至第二有机溶剂供给步骤E7的各个步骤中的旋转速度还大的干燥旋转速度(例如数千rpm)，并以此干燥旋转速度使基板W旋转。由此，大的离心力施加至基板W上的液体，附着于基板W的液体被甩离至基板W的周围。如此，从基板W去除液体而使基板W干燥。
当从基板W的加速经过预先设定的期间时，控制装置3控制旋转马达16，由此使旋转卡盘5停止旋转基板W(图9的步骤E9)。之后，控制装置3控制对向构件升降单元39，使阻隔板21上升并配置于退避位置。此外，控制装置3控制防护罩升降单元47，使第一防护罩44以及第二防护罩45下降并使所有的防护罩从基板W的周端面退避至下方。
之后，从腔室4内搬出基板W(图9的步骤E10)。具体而言，控制装置3使搬运机械手CR的手部进入至腔室4的内部。接着，控制装置3使搬运机械手CR的手部保持旋转卡盘5上的基板W。之后，控制装置3使搬运机械手CR的手部从腔室4内退避。由此，从腔室4搬出处理后的基板W。
如上所述，依据本实施方式，吸引步骤包含：用以将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1的步骤(第一吸引步骤，用以进行防止滴落的吸引)；以及排出吸引步骤T1(第二吸引步骤)，将疏水化剂配管51的内部、第一连接配管52的内部以及疏水化剂吸引配管56的内部的所有的疏水化剂排除(使疏水化剂的前端面F1后退至比至少第一连接配管52的上游端(连接有疏水化剂吸引配管56的部分)还上游侧(疏水化剂吸引配管56侧))。而且，在排出吸引步骤T1之后所进行的填充步骤T3(待机位置配置步骤)中将疏水化剂供给至疏水化剂吸引配管56，由此使疏水化剂的前端面F1前进，并使该疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。因此，即使在执行这些吸引中的任一者的情形中，亦能在后续喷出疏水化剂的前将疏水化剂的前端面F1配置于属于共通的待机位置的疏水化剂待机位置P1。由此，不论用以吸引疏水化剂吸引配管56的内部的吸引步骤的种类为何，皆能在开启疏水化剂阀57以及/或者疏水化剂供给阀后以共通的时机从第三喷出口33a喷出疏水化剂。因此，能对基板W施予使用了疏水化剂的均匀的处理。
尤其是在本实施方式的疏水化剂供给步骤E6中，当朝基板W的上表面(表面)供给的疏水化剂中断时，会有导致基板W的上表面(表面)干燥从而产生图案崩坏的担心。然而，在本实施方式中，在以共通的时机从第三喷出口33a喷出疏水化剂的疏水化剂供给步骤E6中几乎不存在未进行疏水化剂的供给的期间。因此，在疏水化剂供给步骤E6中，能抑制因为促进基板W的上表面(表面)的干燥导致图案崩坏。
此外，在疏水化剂供给步骤E6中实现第二防护罩对向状态。在该第二防护罩对向状态中，虽然容许第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61的开动作，但是禁止药液阀36、冲洗液阀38以及有机溶剂供给阀90的开动作。通过此种硬联锁，能确实地防止在处理杯12内产生疏水化剂与有机溶剂的混合接触，因此能事先防止颗粒的产生。
尤其在本实施方式中，如上所述，参照图7B，在第三防护罩对向状态中禁止第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61的开动作。因此，无法从疏水化剂供给步骤E6开始前(亦即防护罩高度的变更前)开启第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61。亦即，无法进行在第一有机溶剂供给步骤E5中所进行的先提供处理液(先提供疏水化剂)。
即使是在此种硬联锁已经有效地发挥作用的情形中，亦能在前处理S1中在排出吸引步骤T1之后执行填充步骤T3，由此能在疏水化剂供给步骤E6开始前预先将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。
此外，与填充步骤T3并行地通过第一传感器64检测疏水化剂的前端面F1的位置是否已配置于疏水化剂待机位置P1。与填充步骤T3并行地通过第一传感器64实际地检测疏水化剂的前端面F1的位置，由此能精度良好地检测填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1是否位于疏水化剂待机位置P1。
此外，设置有用以检测在填充步骤T3中被供给至第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55的疏水化剂(疏水化剂原液)的流量的第二传感器77。由于以疏水化剂配管51中的液体的流通时的压损与疏水化剂排液配管53中的液体的流通时的压损一致的方式通过孔口72进行调整，因此能在预分配步骤T2中通过第二传感器77检测从第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55导引至疏水化剂排液配管53的疏水化剂的流量，由此能精度良好地取得在填充步骤T3中被供给至第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55的疏水化剂的流量。只要能正确地把握填充步骤T3中的疏水化剂的流量，即能管理填充步骤T3中的疏水化剂的填充时间，由此能精度良好地控制填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1。由此，能精度良好地检测填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1是否位于疏水化剂待机位置P1。
图22是用以说明本发明第二实施方式的疏水化剂供给单元210的详细构成的图。
在第二实施方式中，在与所述第一实施方式共通的部分附上与图1至图19的情形相同的附图标记并省略说明。
与第一实施方式的疏水化剂供给单元10(参照图6)的第一个差异点在于：第二实施方式的疏水化剂供给单元210废弃由膜片式的吸引装置所构成的第一疏水化剂吸引装置58。再者，疏水化剂供给单元210具备有可调整吸引力的第二疏水化剂吸引装置263作为第二疏水化剂吸引装置，以取代不能调整吸引力的第二疏水化剂吸引装置63。
疏水化剂供给单元210包含：疏水化剂配管(处理液配管)251，连接至第三喷嘴配管33；疏水化剂阀257，用以将疏水化剂配管251予以开闭；以及第一连接配管52。疏水化剂配管251除了第一左右方向部分51b中的至少疏水化剂待机位置P1的周围的部分具有透明性此点与疏水化剂配管51(参照图6)不同之外，其余方面与疏水化剂配管51共通。
此外，疏水化剂供给单元210包含疏水化剂排液阀59、第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61以及疏水化剂吸引阀62。通过这些第一连接配管52、疏水化剂阀257、疏水化剂排液阀59、第一疏水化剂供给阀60、第二疏水化剂供给阀61以及疏水化剂吸引阀62构成阀单元V。
除了包含于疏水化剂供给单元210的疏水化剂排液阀59之外，未在疏水化剂阀257安装有用以将疏水化剂配管251予以开闭的阀(包含针阀)。此外，如上所述，未在疏水化剂配管251安装有第一疏水化剂吸引装置58。亦即，在疏水化剂配管251中的阀单元V与中心轴喷嘴7之间的部分未存在有阀以及膜片式的吸引装置。当在疏水化剂配管251中的阀单元V与中心轴喷嘴7之间的部分存在有阀以及/或者膜片式的吸引装置时，会产生下述问题。亦即，会有在阀的内部流路以及膜片式的吸引装置的内部流路中处理液(疏水化剂)的液密状态中断的担心。在此情形中，会有在该内部流路中产生液体残留的情形。因此，即使在疏水化剂配管251的内部的处理液吸引后，亦会有在疏水化剂配管251的内部(亦即内部流路)产生液体残留的担心。
然而，在本实施方式中，在疏水化剂配管251中的阀单元V与中心轴喷嘴7之间未存在有阀以及膜片式的吸引装置。因此，能在疏水化剂配管251的内部的处理液的吸引后确实地防止疏水化剂配管251的内部(亦即内部流路)中产生液体残留。
第二疏水化剂吸引装置263是喷射器式的吸引装置。第二疏水化剂吸引装置263包含：减压状态产生器(真空产生器)263A，通过压缩流体的供给产生减压状态；流体供给配管275，对减压状态产生器263A供给压缩流体；以及电动气动调节器(electric pneumaticregulator)276，用以将流体供给配管275的管路予以开闭以及用以将流体供给配管275的管路的开度予以变更。在第二疏水化剂吸引装置263的电源导通状态中，开启电动气动调节器276而使流体在流体供给配管275内流动，由此将第二疏水化剂吸引装置263的内部减压。由此，吸引疏水化剂吸引配管(吸引配管)56的内部。亦即，第二疏水化剂吸引装置263的动作被有效化。
此外，通过电动气动调节器276调整流体供给配管275的开度，由此调整减压状态产生器263A所产生的减压程度(第二疏水化剂吸引装置263的内部的减压程度)。具体而言，当流体供给配管275的开度大时，减压状态产生器263A所产生的减压程度变大。因此，通过电动气动调节器276调整流体供给配管275的开度，由此调整减压状态产生器263A所产生的减压程度。电动气动调节器276能无级式地调整流体供给配管275的开度。因此，无级式地调整减压状态产生器263A所产生的减压程度。
控制装置3依循预先设定的程序进一步控制减压状态产生器263A的驱动。此外，控制装置3控制电动气动调节器276的开闭以及开度。
在排出吸引步骤T1(参照图11)中，控制装置3开启电动气动调节器276并将电动气动调节器276的开度设定成大的第一开度。由此，对减压状态产生器263A供给大流量的压缩流体，故第二疏水化剂吸引装置263的内部的减压程度大。在此状态下，控制装置3关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀并开启疏水化剂阀257以及疏水化剂吸引阀62。由此，将疏水化剂吸引配管56的内部以及第一连接配管52的内部大幅度地排气，并对残留于疏水化剂配管251的内部的疏水化剂作用有大的吸引力，且该疏水化剂通过第一连接配管52被吸入至疏水化剂吸引配管56。从疏水化剂配管251的内部、第一连接配管52的内部以及疏水化剂吸引配管56的内部将所有的疏水化剂排出后，控制装置3关闭疏水化剂吸引阀62以及疏水化剂阀257。
在疏水化剂供给步骤E6(参照图15)结束时，关闭疏水化剂阀257、第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61。由此，停止从第三喷出口33a喷出疏水化剂。此时，控制装置3开启电动气动调节器276并将电动气动调节器276的开度设定成比第一开度还小的第二开度。由此，对减压状态产生器263A供给小流量的压缩流体，故第二疏水化剂吸引装置263的内部的减压程度小。在此状态下，控制装置3关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀并开启疏水化剂阀257以及疏水化剂吸引阀62。由此，将疏水化剂吸引配管56的内部以及第一连接配管52的内部小幅度地排气，并对残留于疏水化剂配管251的内部的疏水化剂作用有小的吸引力，且该疏水化剂通过第一连接配管52被吸入至疏水化剂吸引配管56。当疏水化剂的前端面F1后退至设定于第一左右方向部分51b内的预定的疏水化剂待机位置P1时，控制装置3关闭疏水化剂吸引阀62以及疏水化剂阀257。由此，将疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1(参照图15)。
在填充步骤T3(参照图12B)中，控制装置3开启电动气动调节器276并将电动气动调节器276的开度设定成第一开度与第二开度之间的第三开度。由此，对减压状态产生器263A供给中流量的压缩流体，故第二疏水化剂吸引装置263的内部被减压成中程度。在此状态下，控制装置3关闭疏水化剂供给单元10中的其他的阀并开启疏水化剂阀257以及疏水化剂吸引阀62。由此，将疏水化剂吸引配管56的内部以及第一连接配管52的内部中程度地排气，且对被供给至疏水化剂配管251的内部的疏水化剂作用有中程度的吸引力(比排出吸引步骤T1中的吸引力还小且比疏水化剂供给步骤E6结束时的吸引力还大的吸引力)。
亦即，与填充步骤T3并行地吸引疏水化剂配管251的内部(并行吸引步骤)。被供给(填充)至疏水化剂配管251的疏水化剂接受预定的供给压力。对在疏水化剂配管251内朝第三喷出口33a移动的疏水化剂作用有与疏水化剂的移动方向相反方向的吸引力。由于作用于疏水化剂吸引配管56的内部的吸引力相对性较大，因此能使在疏水化剂配管251内移动的疏水化剂充分地减速。
在此情形中，电动气动调节器276的第三开度亦可为以在疏水化剂的前端面F1位于疏水化剂待机位置P1的状态下作用于疏水化剂的吸引力与供给压力平衡的方式设定。在此情形中，能在填充步骤T3中使疏水化剂的前端面F1自动地停止在疏水化剂待机位置P1。
此外，填充步骤T3中的疏水化剂的前端面F1停止于疏水化剂待机位置P1并未限定于自动停止。亦可构成为管理随着疏水化剂配管251内的吸引而减速的疏水化剂的填充时间或者通过与疏水化剂待机位置P1相关地设置的传感器检测前端面F1，由此使前端面F1停止于疏水化剂待机位置P1。
与第一实施方式的疏水化剂供给单元10(参照图6)的第二个差异点在于：第二实施方式的疏水化剂供给单元210废弃用以检测疏水化剂(处理液)的前端面的第一传感器64，取而代之的是设置摄影机264。
摄影机264包含：透镜，使疏水化剂配管251中的疏水化剂待机位置P1及其周围的光学影像成像；拍摄元件，将通过透镜所成像的光学影像转换成电信号；以及拍摄电路，依据转换的电信号产生影像信号并发送至控制装置3。由于疏水化剂配管251中的至少疏水化剂待机位置P1的周围的部分具有透明性，因此能在疏水化剂待机位置P1的周围中良好地拍摄疏水化剂的前端面F1。
拍摄元件包含CCD(Charge Coupled Device；电荷耦合组件)成像传感器(imagingsensor)、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor；互补式金属氧化物半导体)成像传感器等。摄影机264亦可为一秒内可以10张至100张左右的速度拍摄的一般的摄影机。然而，摄影机264亦可为一秒内可以数千张至数万张的速度拍摄的高速度摄影机。
控制装置3依据从摄影机264的拍摄电路提供的影像信号来调查疏水化剂的前端面F1。
在填充步骤T03中，通过摄影机264拍摄疏水化剂的前端面F1。接着，通过摄影机264的拍摄结果判断疏水化剂的前端面F1是否位于疏水化剂待机位置P1。由此，能精度良好地检测疏水化剂的前端面F1配置于疏水化剂待机位置P1。
在第二实施方式的说明中，已说明了将废弃由膜片式的吸引装置所构成的吸引装置(第一疏水化剂吸引装置58)取而代之的是具备有可调整吸引力的吸引装置(第二疏水化剂吸引装置263)的设计、以及废弃用以检测处理液(疏水化剂)的前端面的传感器(第一传感器64)取而代之的是设置摄影机(摄影机264)的设计应用于疏水化剂供给单元210的情形。然而，亦可将这些特征应用于有机溶剂供给单元11。
此外，亦可不同时应用废弃由膜片式的吸引装置所构成的吸引装置取而代之的是具备有可调整吸引力的吸引装置的设计以及废弃用以检测处理液的前端面的传感器取而代之的是设置摄影机的设计这两种设计，而是仅应用其中一种设计。
图24是用以说明本发明第三实施方式的疏水化剂供给单元310的详细构成的图。
在第三实施方式中，在与所述第一实施方式以及第二实施方式共通的部分分别附上与图1至图19的情形以及图22及图23的情形相同的附图标记并省略说明。
与第一实施方式的疏水化剂供给单元10(参照图6)不同的第一个差异点在于：第三实施方式的疏水化剂供给单元310废弃由膜片式的吸引装置所构成的第一疏水化剂吸引装置58。另外，疏水化剂供给单元310具备有可调整吸引力的第二疏水化剂吸引装置263作为第二疏水化剂吸引装置，以取代无法调整吸引力的第二疏水化剂吸引装置63。由于此方面与第二实施方式的疏水化剂供给单元210(参照图22)共通，因此省略说明。
与第一实施方式的疏水化剂供给单元10(参照图6)不同的第二个差异点在于：第三实施方式的疏水化剂供给单元310废弃用以检测疏水化剂(处理液)的前端面的第一传感器64，取而代之的是设置用以检测疏水化剂(处理液)的前端面的第三传感器364。
第三传感器364与疏水化剂配管51的第一左右方向部分51b的管壁相关地配置。第三传感器364包含配置于下游侧的第一液面传感器365以及配置于上游侧的第二液面传感器366。第一液面传感器365以及第二液面传感器366设定于比疏水化剂待机位置P1还上游侧。
在本实施方式中，疏水化剂待机位置P1设定于第一左右方向部分51b的下游端的附近。将疏水化剂待机位置P1设定于此种位置乃是基于下述理由。亦即，当疏水化剂待机位置P1与第三喷出口33a之间的间隔相隔大时，疏水化剂待机位置P1与第三喷出口33a之间的空间包含灰尘以及尘埃的盖然性变高。因此，较佳为疏水化剂待机位置P1与第三喷出口33a之间的间隔尽可能地短。
另一方面，在将疏水化剂待机位置P1设定于第一左右方向部分51b的下游端的附近的情形中，当疏水化剂的前端面超出疏水化剂待机位置P1时，会有疏水化剂的前端面到达第一上下方向部分51a的担心。在此情形中，会有疏水化剂从第三喷出口33a落液(亦即滴落)的可能性。为了防止此种疏水化剂的落液并将疏水化剂待机位置P1与第三喷出口33a之间的间隔设定成较短，需要将疏水化剂的前端面精度良好地配置于疏水化剂待机位置P1。
第一液面传感器365以及第二液面传感器366隔着间隔L1配置于流通方向。此外，第一液面传感器365与疏水化剂待机位置P1隔着间隔L2配置于流通方向。
第一液面传感器365检侧设定于下游侧的第一检测位置P11中是否存在疏水化剂。第二液面传感器366检侧设定于上游侧的第二检测位置P12中是否存在疏水化剂。第一液面传感器365以及第二液面传感器366例如为液体检测用的光纤传感器。第一液面传感器365以及第二液面传感器366直接配置或接近配置于疏水化剂配管51的外周壁。第一液面传感器365以及第二液面传感器366亦可例如由静电容量型的传感器所构成。
在填充步骤T3(参照图12B)中，随着疏水化剂的填充(供给)，疏水化剂配管51的内部的疏水化剂的前端面从上游侧朝下游侧移动。在此情形中，在疏水化剂的前端面已退避至比第二检测位置P12还上游侧的情形中，第一液面传感器365以及第二液面传感器366双方不会检测疏水化剂。此外，在疏水化剂前进且疏水化剂的前端面已到达第二检测位置P12的情形中，虽然第一液面传感器365不会检测疏水化剂，但第二液面传感器366会检测疏水化剂。此外，在疏水化剂前进且疏水化剂的前端面已到达第一检测位置P11的情形中，第一液面传感器365以及第二液面传感器366双方检测疏水化剂。第一液面传感器365以及第二液面传感器366将检测输出输送至控制装置3。
在填充步骤T3(参照图12B)中，控制装置3监视第一液面传感器365以及第二液面传感器366的检测输出。
当第二液面传感器366的检测输出从关断(OFF)状态变成导通状态时，控制装置3存储此时的时机。亦即，控制装置3存储疏水化剂的前端面已通过下游侧的第二检测位置P12的时机。
此外，控制装置3在第一液面检测器365的检测输出从关断状态变成导通状态(疏水化剂的前端面已通过第一检测位置P11的时机)时，通过运算求出疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度。具体而言，控制装置3依据疏水化剂的前端面从第二检测位置P12移动至第一检测位置P11所需的时间以及第二检测位置P12与第一检测位置P11之间的距离(间隔L1)，运算疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度。此外，控制装置3依据运算结果算出疏水化剂的前端面到达设置于比第一检测位置P11靠前方且距离为间隔L2的疏水化剂待机位置P1的时机。接着，控制装置3以算出时机使疏水化剂阀57(以及/或者第一疏水化剂供给阀60以及第二疏水化剂供给阀61)停止。
依据第三实施方式，依据疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的通过时机以及疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度，将疏水化剂的前端面配置于疏水化剂待机位置P1。因此，能将疏水化剂的前端面精度良好地配置于疏水化剂待机位置P1。因此，能防止疏水化剂的落液并将疏水化剂待机位置P1与第三喷出口33a之间的间隔设定成较短。由此，能良好地抑制或防止尘埃及灰尘混入至被供给至基板W的疏水化剂。
此外，由于能将疏水化剂的前端面精度良好地配置于疏水化剂待机位置P1，因此能谋求被供给至基板W的疏水化剂的量的优化。因此，能对基板W良好地施予疏水化处理，且能抑制基板W间的疏水化处理的偏差。
在本第三实施方式中，通过控制装置3、第一液面传感器365以及第二液面传感器366构成速度检测单元。依据疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的通过时机(第一通过时机)以及疏水化剂的前端面通过第二检测位置P12的通过时机(第二通过时机)，检测疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度。由此，无须设置速度传感器等即能以简单的构成检测疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度。
然而，亦可另外设置用以检测疏水化剂的前端面通过第一检测位置P11的速度的速度传感器。
在第三实施方式的说明中，例举废弃由膜片式的吸引装置所构成的吸引装置(第一疏水化剂吸引装置58)取而代之的是具备可调整吸引力的吸引装置(第二疏水化剂吸引装置263)的情形。然而，亦可如第一实施方式那样，构成为设置由膜片式的吸引装置所构成的吸引装置(第一疏水化剂吸引装置58)。
此外，在第三实施方式中，已说明了应用于疏水化剂供给单元310的情形。然而，亦可将该特征应用于有机溶剂供给单元11。
以上，虽然已说明本发明的三个实施方式，但本发明亦可以其他的形态实施。
例如，在所述各个实施方式中，已说明设定成通过作为流量调整单元的孔口72所进行的调整使液体在疏水化剂配管51流动时的压损与液体在疏水化剂排液配管53流动时的压损变成相等。然而，只要液体在疏水化剂配管51流动时的压损与液体在疏水化剂排液配管53流动时的压损具有一定的关系且该关系能通过控制装置3掌握，则液体在疏水化剂配管51流动时的压损与液体在疏水化剂排液配管53流动时的压损亦可不一定要相等。
此外，在所述各个实施方式中，虽然例举流量调整单元为孔口72的情形，但流量调整单元亦可为如图20所示的固定针201，或亦可为如图21所示的马达针202。
此外，在所述各个实施方式中，流量调整单元不一定需要安装于疏水化剂排液配管53，只要安装于疏水化剂排液配管53以及疏水化剂供给配管(第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55)中的至少一者即可。
此外，第二传感器77不一定需要安装于疏水化剂排液供给配管(第一疏水化剂供给配管54以及第二疏水化剂供给配管55)，只要安装于疏水化剂排液配管53以及疏水化剂排液供给配管中的至少一者即可。
此外，在所述各个实施方式中，已例举第一传感器64包含第一有无传感器65以及第二有无传感器66这两个传感器。然而，第一传感器64亦可为用以检测疏水化剂的前端面F1的位置的液面传感器。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已例举控制装置3执行下述两个步骤的情形，但亦可执行这两个步骤中的至少一个步骤即可，这两个步骤为：与填充步骤T3并行地，通过第一传感器64判断疏水化剂的前端面F1是否位于疏水化剂待机位置P1(第一判断步骤)；以及依据用以检测在填充步骤T3中被供给至疏水化剂配管51的疏水化剂的流量的第二传感器77的检测结果，判断填充步骤T3后的疏水化剂的前端面F1是否配置于疏水化剂待机位置P1(第二判断步骤)。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已说明控制装置3判断成在填充步骤T3后疏水化剂的前端面F1未配置于疏水化剂待机位置P1时通报错误且进行错误处理，但亦可不通报错误且不进行错误处理，而是将在填充步骤T3后疏水化剂的前端面F1未配置于疏水化剂待机位置P1的要旨记录于存储单元102所保持的日志文件(logfile)。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已说明在前处理S1中执行排出吸引步骤T1以及填充步骤T3双方，但亦可构成为在前处理S1中执行排出吸引步骤T1并在后处理S3中执行填充步骤T3。此外，亦可构成为在后处理S3中执行排出吸引步骤T1以及填充步骤T3双方。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已说明在排出吸引步骤T1与填充步骤T3之间执行预分配步骤T2，但亦可省略预分配步骤T2。
此外，在所述第一实施方式中，虽然已例举膜片式的吸引装置作为第一吸引装置的一例的第一疏水化剂吸引装置58，但亦可采用虹吸式的吸引装置来取代。虹吸式的吸引装置具有配管，并在以液体充满该配管的内部的状态下利用虹吸的原理吸引(排液)疏水化剂配管51的内部的疏水化剂。在虹吸式的吸引装置中，抑制用以吸引的能量消耗。
此外，在第一实施方式中，亦可采用由与第二疏水化剂吸引装置63同样的喷射器式的吸引装置所构成的第一疏水化剂吸引装置，以取代第一吸引装置的一例的第一疏水化剂吸引装置58。在此情形中，较佳为设定成：使皆属于喷射器式的吸引装置的第一疏水化剂吸引装置以及第二疏水化剂吸引装置63的气压以及/或者压损不同，由此使第一疏水化剂吸引装置的吸引力(吸引速度)变得比第二疏水化剂吸引装置63的吸引力(吸引速度)还弱(变得还慢)。
在此情形中，通过喷射器式的第一疏水化剂吸引装置在停止喷出处理液后吸引处理液并使处理液的前端面F1后退至待机位置(疏水化剂待机位置P1)，由此防止处理液的滴落。
此外，在所述实施方式中，亦可在疏水化剂供给单元10中仅设置一个吸引装置。在此情形中，例如疏水化剂供给单元10为已废弃第一疏水化剂吸引装置58的构成。而且，在疏水化剂吸引配管56安装有用以调整疏水化剂吸引配管56的开度并调整吸引力(吸引速度)的流量调整阀(吸引力调整单元)。该流量调整阀亦可包含：阀本体，在内部设置有阀座；阀体，用以将阀座予以开闭；以及致动器(actuator)，使阀体在开位置与闭位置之间移动。
此外，在所述实施方式中，虽然已说明在填充步骤T3中未进行朝有机溶剂配管81填充有机溶剂，但亦可与朝疏水化剂配管51填充(供给)疏水化剂同样地进行朝有机溶剂配管81填充(供给)有机溶剂。在填充步骤T3中填充有机溶剂尤其适用于在第一防护罩对向状态中禁止有机溶剂供给阀90的开动作的情形。这是由于当在第一防护罩对向状态中禁止有机溶剂供给阀90的开动作时会如在所述基板处理所说明那样无法进行有机溶剂的先提供。
此外，在所述各个实施方式中，成为针对处理液配管的供给或填充的对象的处理液并未限定于疏水化剂以及有机溶剂，亦可包含药液或冲洗液。亦即，亦能将本发明应用于药液供给单元8以及冲洗液供给单元9。
此外，在所述实施方式中，虽然采用用以使处理液的前端面(疏水化剂的前端面F1)后退至比连接配管(第一连接配管52)的上游端(连接有疏水化剂吸引配管56的部分)还上游侧(疏水化剂吸引配管56侧)的排出吸引步骤T1作为第二吸引步骤，但第二吸引步骤只要使吸引后的处理液的前端面(疏水化剂的前端面F1)的位置不位于待机位置(疏水化剂待机位置P1)即可，并不一定需要使处理液的前端面(疏水化剂的前端面F1)后退至比连接配管(第一连接配管52)的上游端还上游侧。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已说明在基板对向面21a形成有喷出口(第三喷出口33a)的处理液配管，但亦可作为未组入至阻隔板21的单个喷嘴而设置。在此情形中，只要喷嘴的喷出口不能在左右方向(亦即沿着基板W的表面的方向)移动，则亦能将本发明良好地应用于该喷嘴。
此外，在所述各个实施方式中，虽然已说明基板处理装置1为用以处理圆板状的基板W的装置的情形，但基板处理装置1亦可为用以处理液晶显示设备用玻璃基板等多边形的基板的装置。
虽然已详细地说明本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用以明了本发明的技术性内容的具体例，本发明不应被解释成界定于这些具体例，本发明的范围仅被随附的权利要求书的范围界定。
本发明分别与2017年6月30日于日本特许厅提出的日本特愿2017-129539号、2018年6月15日于日本特许厅提出的日本特愿2018-114922号以及2018年6月15日于日本特许厅提出的日本特愿2018-114923号对应，并将这些申请案的全部内容引用并组入于本发明中。
【附图示记的说明】
1：基板处理装置
2：处理单元
3：控制装置
4：腔室
5：旋转卡盘(基板保持单元)
6：对向构件
10：疏水化剂供给单元(处理液供给单元)
11：有机溶剂供给单元(处理液供给单元)
21a：基板对向面
33a：第三喷出口
34a：第四喷出口
51：疏水化剂配管(处理液配管)
56：疏水化剂吸引配管(吸引配管)
58：第一疏水化剂吸引装置(第一吸引装置)
62：疏水化剂吸引阀(吸引阀)
63：第二疏水化剂吸引装置(第二吸引装置)
64：第一传感器
65：第一有无传感器
66：第二有无传感器
67a：上限位置
67b：下限位置
68：第一气体供给配管(第二驱动源)
69：第一气体供给阀(第二驱动源)
70：第二气体供给配管(第一驱动源)
71：第二气体供给阀(第一驱动源)
72：孔口
73：第一流量计
74：第二流量计
77：第二传感器
81：有机溶剂配管(处理液配管)
86：有机溶剂吸引配管(吸引配管)
88：第一有机溶剂吸引装置(第一吸引装置)
92：有机溶剂吸引阀(吸引阀)
93：第二有机溶剂吸引装置(第二吸引装置)
201：固定针
202：马达针
210：疏水化剂供给单元(处理液供给单元)
251：疏水化剂配管(处理液配管)
263：第二疏水化剂吸引装置
263A：减压状态产生器
264：摄影机
276：电动气动调节器
310：疏水化剂供给单元(处理液供给单元)
365：第一液面传感器
366：第二液面传感器
F1：疏水化剂的前端面(处理液的前端面)
F2：有机溶剂的前端面(有机溶剂的前端面)
P1：疏水化剂待机位置(待机位置)
P11：第一检测位置
P12：第二检测位置
P2：有机溶剂待机位置(待机位置)
W：基板

Claims (51)

1.一种基板处理装置，包含：
基板保持单元，保持基板；
处理液配管，连通至用以朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出处理液的喷出口；
处理液供给单元，用以对所述处理液配管供给处理液；
吸引单元，用以吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；以及
控制装置，控制所述处理液供给单元以及所述吸引单元；
所述控制装置执行：
处理液供给步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，由此从所述喷出口喷出处理液；以及
吸引步骤，通过所述吸引单元吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；
所述控制装置在所述吸引步骤中执行：
第一吸引步骤，使处理液的前端面后退，并使吸引后的处理液的前端面配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及
第二吸引步骤，使吸引后的处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方；
所述控制装置在所述第二吸引步骤后进一步执行：待机位置配置步骤，通过所述处理液供给单元对所述处理液配管供给处理液，并将后退至比所述待机位置还后方的处理液的前端面配置于所述待机位置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包含：连接配管，连接至所述处理液配管；
所述吸引单元包含：
吸引配管，连接至所述连接配管；以及
吸引装置，连接至所述吸引配管；
所述控制装置在所述第二吸引步骤中执行下述步骤：通过所述吸引装置使处理液的前端面相对于所述连接配管中的所述吸引配管的连接位置后退至所述吸引装置侧。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述喷出口以不能在沿着被所述基板保持单元保持的基板的主面的方向移动的方式设置。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
还包含：对向构件，与被所述基板保持单元保持的基板的主面对向，并具有不能在沿着所述基板的主面的方向移动的基板对向面；
所述喷出口形成于所述基板对向面。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：传感器，检测存在于所述处理液配管的处理液；
所述控制装置进一步执行：判断步骤，通过所述传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的所述处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：第一传感器，检测存在于所述处理液配管的处理液的前端面；
所述控制装置还执行：第一判断步骤，与所述待机位置配置步骤并行，基于所述第一传感器的检测结果判断处理液的前端面是否位于所述待机位置。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述待机位置是在所述处理液配管中在处理液的流通方向上隔开规定的距离设定的第一位置和第二位置之间的区域，所述第二位置相对于所述第一位置配置在所述喷出口侧，
所述第一传感器包含：
第一有无传感器，检测所述第一位置中是否存在处理液；以及
第二有无传感器，检测所述第二位置中是否存在处理液；
所述控制装置在所述第一判断步骤中，在通过第一有无传感器检测到所述第一位置中存在处理液且通过所述第二有无传感器检测到所述第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面位于所述待机位置。
8.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述第一传感器包含：摄影机，用以拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面；
所述控制装置在所述第一判断步骤中执行用以依据所述摄影机的拍摄结果进行判断的步骤。
9.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：第二传感器，用以检测在所述待机位置配置步骤中在所述处理液配管流动的处理液的流量；
所述控制装置进一步执行：第二判断步骤，依据所述第二传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给单元包含：
处理液供给配管，对所述处理液配管供给处理液；
处理液排液配管，在与所述处理液配管之间选择性地被供给有来自所述处理液供给配管的处理液；以及
配管宽度调整单元，以所述处理液配管中的液体的流通时的压损与所述处理液排液配管中的液体的流通时的压损成为一定的关系的方式调整所述处理液配管以及/或者所述处理液排液配管的管宽度；
所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，
所述控制装置在所述第二判断步骤中执行：流量取得步骤，一边将来自处理液供给配管的处理液导出至所述处理液排液配管而非是导出至所述处理液配管，一边通过所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，取得在所述待机位置配置步骤中在所述处理液配管流动的处理液的流量。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述配管宽度调整单元包含以使所述处理液配管中的液体的流通时的压损与所述处理液排液配管中的液体的流通时的压损一致的方式调整处理液配管以及/或者所述处理液排液配管的管宽度的单元。
12.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述配管宽度调整单元包含孔口。
13.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述配管宽度调整单元包含马达针。
14.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述配管宽度调整单元包含固定针。
15.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置进一步执行：错误通报步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置时，通报错误。
16.如权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述控制装置进一步执行：中断步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置的情形中，不执行所述待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的所述待机位置配置步骤。
17.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：
第一液面传感器，检测处理液的前端面到达所述处理液配管中的预定的第一检测位置；以及
速度检测单元，用以检测处理液通过所述处理液配管的速度；
所述控制装置在所述待机位置配置步骤中，依据所述第一液面传感器的输出，取得处理液的前端面通过所述第一检测位置的通过时机，并取得所述速度检测单元所检测的处理液的前端面的速度，基于所述通过时机以及所述处理液的速度，将处理液的前端面配置于所述待机位置。
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其中，
所述速度检测单元包含：
第二液面传感器，检测处理液的前端面到达设定于比所述第一检测位置还下游侧的第二检测位置；
所述控制装置依据由所述第一液面传感器检测出处理液的前端面的第一通过时机以及由所述第二液面传感器检测出处理液的前端面第二通过时机，检测处理液通过所述处理液配管的速度。
19.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述吸引单元包含：可变更吸引单元，以可变更吸引力的方式吸引所述处理液配管的内部的处理液。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其中，
所述可变更吸引单元包含：
第一吸引装置，以预定的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液；以及
第二吸引装置，以比所述第一吸引装置还大的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液；
所述控制装置执行：切换步骤，在所述第一吸引装置与所述第二吸引装置之间切换所述处理液配管的吸引源。
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其中，
所述第一吸引装置包含膜片式的吸引装置。
22.如权利要求21所述的基板处理装置，其中，
还包含：
吸引配管，连接至所述处理液配管，并安装有所述膜片式的吸引装置；以及
开闭阀，用以开闭所述吸引配管；
用以驱动所述膜片式的吸引装置的第一驱动源以及用以驱动所述开闭阀的第二驱动源彼此独立。
23.如权利要求20或21所述的基板处理装置，其中，
所述第二吸引装置包含喷射器式的吸引装置。
24.如权利要求19所述的基板处理装置，其中，
所述可变更吸引单元包含利用压缩流体进行动作的喷射器式的吸引装置；
所述吸引装置包含：
减压状态产生器，供给所述压缩流体；以及
电动气动调节器，无级式地变更被供给至所述减压状态产生器的所述压缩流体的供给流量。
25.如权利要求19或20所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置执行：并行吸引步骤，与所述待机位置配置步骤并行，通过所述可变更吸引单元吸引所述处理液配管的内部。
26.如权利要求25所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述并行吸引步骤中，以所述可变更吸引单元的用以吸引所述处理液配管的吸引力变得比所述第一吸引步骤中的所述可变更吸引单元的所述吸引力还大的方式控制所述可变更吸引单元。
27.如权利要求25所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置在所述并行吸引步骤中，以通过作用至在所述处理液配管内流动的处理液的吸引力与作用至所述处理液的供给压力的平衡来使处理液的前端面停止在所述待机位置的方式控制所述可变更吸引单元。
28.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述控制装置在所述处理单元中，在所述基板处理前所执行的前处理中执行所述待机位置配置步骤。
29.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述控制装置在所述处理单元中，在所述基板处理前所执行的前处理中执行所述第二吸引步骤。
30.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述控制装置在所述处理单元中，在所述基板处理后所执行的后处理中执行所述第二吸引步骤。
31.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有所述基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述控制装置在所述处理单元中，在结束了针对预先设定的片数的所述基板的所述基板处理的情况下，执行所述第二吸引步骤。
32.一种基板处理方法，在包含连通至喷出口的处理液配管的基板处理装置中被执行；
所述基板处理方法包含：
处理液供给步骤，将处理液供给至所述处理液配管，以从所述喷出口喷出处理液；以及
吸引步骤，吸引存在于所述处理液配管的内部的处理液；
所述吸引步骤包含：
第一吸引步骤，使处理液的前端面后退并使吸引后的处理液的前端面配置于所述处理液配管的内部中的预先设定的待机位置；以及
第二吸引步骤，使吸引后的处理液的前端面后退至比所述待机位置还后方；
在所述第二吸引步骤后还包含：待机位置配置步骤，对所述处理液配管供给处理液，并将后退至比所述待机位置还后方的处理液的前端面配置于所述待机位置。
33.如权利要求32所述的基板处理方法，其中，
在所述处理液配管上连接有连接配管，在所述连接配管上连接有吸引配管，且在所述吸引配管上连接有吸引装置，
所述第二吸引步骤包含用以使处理液的前端面相对于所述连接配管中的所述吸引配管的连接位置后退至所述吸引装置侧。
34.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
还包含：判断步骤，通过用以检测存在于所述处理液配管的处理液的传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
35.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
还包含：第一判断步骤，与所述待机位置配置步骤并行，基于用以检测存在于所述处理液配管的处理液的前端面的第一传感器的检测结果判断处理液的前端面是否位于所述待机位置。
36.如权利要求35所述的基板处理方法，其中，
所述待机位置是在所述处理液配管中在处理液的流通方向上隔开规定的距离设定的第一位置和第二位置之间的区域，所述第二位置相对于所述第一位置配置在所述喷出口侧，
所述第一传感器包含：
第一有无传感器，检测所述第一位置中是否存在处理液；以及
第二有无传感器，检测所述第二位置中是否存在处理液；
所述第一判断步骤包含下述步骤：在通过所述第一有无传感器检测到所述第一位置中存在处理液且通过所述第二有无传感器检测到所述第二位置中未存在处理液时，判断成处理液的前端面位于所述待机位置。
37.如权利要求35所述的基板处理方法，其中，
所述第一传感器包括：摄影机，用以拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面；
所述第一判断步骤包含用以依据所述摄影机拍摄存在于所述处理液配管的处理液的前端面的拍摄结果进行判断的步骤。
38.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
还包含：第二判断步骤，依据用以检测在所述处理液配管流动的处理液的流量的第二传感器的检测结果，判断所述待机位置配置步骤后的处理液的前端面是否配置于所述待机位置。
39.如权利要求38所述的基板处理方法，其中，
所述第二传感器检测在用以对所述处理液配管供给处理液的处理液供给配管流动的处理液的流量，
所述第二判断步骤包含：流量取得步骤，一边将来自所述处理液供给配管的处理液导出至连接于所述处理液供给配管的处理液排液配管而非是导出至所述处理液配管，一边通过所述第二传感器检测在所述处理液供给配管流动的处理液的流量，取得在所述待机位置配置步骤中在所述处理液配管流动的处理液的流量。
40.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
还包含：
前端面检测步骤，检测处理液的前端面到达所述处理液配管中的预定的第一检测位置；以及
速度检测步骤，检测处理液通过所述处理液配管的速度；
所述待机位置配置步骤包含下述步骤：依据处理液的前端面通过所述第一检测位置的通过时机以及通过所述处理液配管的处理液的速度，将处理液的前端面配置于所述待机位置。
41.如权利要求40所述的基板处理方法，其中，
所述速度检测步骤包含下述步骤：依据处理液的前端面通过所述第一检测位置的第一通过时机以及处理液的前端面通过设定于比所述第一检测位置还下游侧的第二检测位置的第二通过时机，检测处理液通过所述处理液配管的速度。
42.如权利要求34所述的基板处理方法，其中，
还包含：错误通报步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置时，通报错误。
43.如权利要求34所述的基板处理方法，其中，
还包含：中断步骤，在所述判断步骤判断成在所述待机位置配置步骤后处理液的前端面未配置于所述待机位置时，不执行所述待机位置配置步骤或者中断已开始执行中的所述待机位置配置步骤。
44.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
所述第一吸引步骤包括通过第一吸引装置以预定的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液的步骤，
所述第二吸引步骤包括通过第二吸引装置以比所述预定的吸引力还大的吸引力吸引所述处理液配管的内部的处理液的步骤。
45.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
还包含：并行吸引步骤，与所述待机位置配置步骤并行，吸引所述处理液配管的内部。
46.如权利要求45所述的基板处理方法，其中，
所述并行吸引步骤中的用以吸引所述处理液配管的吸引力变得比所述第一吸引步骤中的用以吸引所述处理液配管的吸引力还大。
47.如权利要求45所述的基板处理方法，其中，
在所述并行吸引步骤以如下的吸引力吸引所述处理液配管：通过作用至在所述处理液配管内流动的处理液的吸引力与作用至所述处理液的供给压力的平衡来使处理液的前端面停止在所述待机位置。
48.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之前执行前处理，
在所述前处理中执行所述待机位置配置步骤。
49.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之前执行前处理，
在所述前处理中执行所述第二吸引步骤。
50.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述处理单元在对基板使用处理液进行处理的基板处理之后执行后处理，
在所述后处理中执行所述第二吸引步骤。
51.如权利要求32或33所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置还包含：处理单元，连接至所述处理液配管，用以对基板施予使用了处理液的基板处理，并具有用以保持基板的基板保持单元以及用以收容所述基板保持单元的腔室；
所述处理单元执行对基板使用处理液进行处理的基板处理，
在已对预先设定的片数的基板执行所述基板处理后执行所述第二吸引步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102390107B1 (ko) * 2013-05-30 2022-04-25 그라함 에이치. 크리시 국부 신경 자극
JP2022086094A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102578764B1 (ko) * 2021-03-25 2023-09-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7008928B1 (ja) * 2021-06-02 2022-02-14 ヤマトテクノス有限会社 基板洗浄真空乾燥装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170803A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002205022A (ja) * 2001-01-15 2002-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN1491776A (zh) * 2002-09-10 2004-04-28 m.FSI��ʽ���� 化学机械研磨装置用研磨浆调制供给装置和方法
JP2009188113A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2011023669A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
CN102208329A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2014022495A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016042517A (ja) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016072337A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4606234B2 (ja) 2005-04-15 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
TWI561312B (en) 2006-03-31 2016-12-11 Toray Industries Coating method, coating device and manufacturing method and manufacturing device for components of a display
US10464107B2 (en) * 2013-10-24 2019-11-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6276979B2 (ja) 2013-12-04 2018-02-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6032190B2 (ja) 2013-12-05 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP6246602B2 (ja) 2014-01-16 2017-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102342131B1 (ko) 2014-08-15 2021-12-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6359925B2 (ja) 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002170803A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002205022A (ja) * 2001-01-15 2002-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN1491776A (zh) * 2002-09-10 2004-04-28 m.FSI��ʽ���� 化学机械研磨装置用研磨浆调制供给装置和方法
JP2009188113A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2011023669A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置及び処理液供給方法
CN102208329A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2014022495A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016042517A (ja) * 2014-08-15 2016-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016072337A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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