TWI661482B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理裝置，係包含有：吸引單元，係用以吸引存在於連通至噴出口之處理液配管的內部的處理液；以及控制裝置。前述控制裝置係執行：吸引步驟，係藉由前述吸引單元吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液。此外，前述控制裝置係在前述吸引步驟中選擇性地執行：第一吸引步驟，係使處理液的前端面後退，並使吸引後的處理液的前端面配置於前述處理液配管的內部中的預先設定的待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比前述待機位置還後方。此外，前述控制裝置係在前述第二吸引步驟後進一步執行：待機位置配置步驟，係藉由前述處理液供給單元對前述處理液配管供給處理液，並將處理液的前端面配置於前述待機位置。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。成為處理對象之基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中，能使用用以處理半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之基板處理裝置。用以逐片地處理基板之葉片式的基板處理裝置係例如包含有：自轉夾具(spin chuck)，係水平地保持基板並使基板旋轉；處理液供給單元，係對被自轉夾具保持之基板供給處理液；對向構件，係從上方與被自轉夾具保持之基板對向；中心軸噴嘴，係被收容於形成於對向構件的中央部的中央開口；處理液配管，係對中心軸噴嘴供給處理液；以及吸引裝置，係吸引處理液配管的內部的處理液。對向構件係用以接近基板的上表面並將基板的上表面與基板的周圍的空間阻隔之構件。已知在從中心軸噴嘴 噴出處理液後吸引處理液以使處理液配管內的處理液的前端面後退。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2015-135843號公報。
在將處理液配管內的處理液直接使用於下一個基板處理之情形中，只要以處理液不會從噴出口滴落之程度使處理液的前端面後退即可。另一方面，在無法將處理液配管內的處理液使用於下一個基板處理之情形(例如處理液配管內的處理液失活或者溫度降低之情形)中，需要在下一個基板處理之前藉由吸引將處理液配管內的處理液全部排出至配管外。
本案發明人們係著眼於此種吸引的需求的差異，檢討針對一個處理液配管採用吸引後的前端面不同之兩個吸引方式。然而，在此情形中，由於吸引後的前端面不同，因此處理液閥開啟後至從噴出口噴出處理液為止之期間不同。由於將處理液閥的開啟完成時序作為基準來制定處理時間，因此當處理液閥開啟後至從噴出口噴出處理液為止之期間不同時，會有實際的處理液供給時間在每個基板產生偏差從而導致處理在每個基板產生偏差之虞。
因此，本發明的目的之一在於提供一種基板處理裝置以及基板處理方法，係不論處理液配管的吸引方式的差異 皆能以共通的時序從噴出口噴出處理液，藉此能對基板施予均勻的處理。
本發明提供一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係保持基板；處理液配管，係連通至噴出口，前述噴出口係用以朝被前述基板保持單元保持之基板的主面噴出處理液；處理液供給單元，係用以對前述處理液配管供給處理液；吸引單元，係用以吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；以及控制裝置，係控制前述處理液供給單元以及前述吸引單元；前述控制裝置係執行：處理液供給步驟，係藉由前述處理液供給單元對前述處理液配管供給處理液，藉此從前述噴出口噴出處理液；以及吸引步驟，係藉由前述吸引單元吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；前述控制裝置係在前述吸引步驟中選擇性地執行：第一吸引步驟，係使處理液的前端面後退，並使吸引後的處理液的前端面配置於前述處理液配管的內部中的預先設定的待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比前述待機位置還後方；前述控制裝置係在前述第二吸引步驟後進一步執行：待機位置配置步驟，係藉由前述處理液供給單元對前述處理液配管供給處理液，並將處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此構成，在吸引步驟中，吸引存在於處理液配管的內部的處理液，藉此使處理液的前端面後退。吸引步驟係包含有：第一吸引步驟，係使處理液的前端面配置於待 機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比待機位置還後方。在第二吸引步驟後所進行的待機位置配置步驟中對處理液配管供給處理液，藉此使處理液的前端面前進，使該處理液的前端面配置於待機位置。因此，即使在已執行了第一吸引步驟以及第二吸引步驟的任一者之情形中，亦能在下一個處理液的噴出前將處理液的前端面配置於共通的待機位置。藉此，不論用以吸引處理液配管的內部之吸引步驟的種類為何，皆能以共通的時序從噴出口噴出處理液。因此，能對基板施予均勻的處理。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：連接配管，係連接至前述處理液配管。而且，前述吸引單元亦可包含有：吸引配管，係連接至前述連接配管；以及吸引裝置，係連接至前述吸引配管。此外，前述控制裝置亦可在前述第二吸引步驟中執行下述步驟：使處理液的前端面後退至比前述連接配管的上游端還上游側。
依據此構成，能在前述第二吸引步驟中使處理液的前端面後退至比連接配管的上游端還上游側。如此，即使是在第二吸引步驟後從噴出口噴出處理液之情形中，亦能將處理液閥開啟後至從噴出口噴出處理液為止之時序設成在與第一吸引步驟後從噴出口噴出處理液之情形相同的時序。
在本發明的實施形態之一中，前述噴出口係以不能於沿著被前述基板保持單元保持之基板的主面之方向移動之 方式設置。
依據此構成，噴出口係以不能於沿著基板的主面之方向移動之方式設置。
在處理液配管的內部的處理液劣化或溫度降低之情形中，需要在下一個基板處理開始前將處理液配管內的處理液全部排出至配管外。然而，在噴出口以不能於沿著被基板保持單元保持之基板的主面之方向移動之方式設置之情形中，無法進行用以從噴出口噴出處理液之方式的處理液排出。因此，需要使用吸引進行殘留於處理液配管的內部的處理液的排出。此外，在噴出口與基板的主面對向之情形中，為了防止處理液從噴出口落液(亦即所謂的滴落)，需要在從噴出口噴出處理液後吸引處理液配管的內部藉此使處理液的前端面後退。由於這兩種吸引的吸引目的不同，因此吸引後的前端面不同。
在吸引步驟包含有用以使處理液的前端面配置於待機位置之第一吸引步驟以及用以使處理液的前端面後退至比待機位置還後方之第二吸引步驟之情形中，即使在已執行了第一吸引步驟以及第二吸引步驟的任一者之情況下，亦能在下一個處理液的噴出前將處理液的前端面配置於待機位置。因此，在進行用以防止滴落之吸引(第一吸引步驟)以及用以排出處理液之吸引(第二吸引步驟)之情形中，在即使已執行了用以防止滴落之吸引以及用以排出處理液之吸引的任一者之情況下，亦能在下一個處理液的噴出前將處理液的前端面配置於待機位置。
因此，不論用以吸引處理液配管的內部之吸引步驟的種類為何(是用以防止滴落之吸引或者是用以排出處理液之吸引)，皆能以共通的時序從噴出口噴出處理液。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：對向構件，係與被前述基板保持單元保持之基板的主面對向，並具有不能於沿著前述基板的主面之方向移動的基板對向面。而且，前述噴出口亦可形成於前述基板對向面。
依據此構成，在於不能移動的基板對向面形成有噴出口之情形中，無法使噴出口於沿著被基板保持單元保持之基板的主面之方向移動。在此情形中，不論用以吸引處理液配管的內部之吸引步驟的種類為何(是用以防止滴落之吸引或者是用以排出處理液之吸引)，皆能以共通的時序從噴出口噴出處理液。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：感測器，係檢測存在於前述處理液配管的處理液。而且，前述控制裝置亦可進一步執行：判斷步驟，係藉由前述感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
依據此構成，能正確地進行待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於待機位置之判斷。
在本發明的實施形態之一中，前述感測器係包含有：第一感測器，係檢測存在於前述處理液配管的處理液的前端面。而且，前述控制裝置亦可在前述判斷步驟中執行： 第一判斷步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由前述第一感測器判斷處理液的前端面是否位於前述待機位置。
依據此構成，與待機位置配置步驟並行地藉由第一感測器檢測處理液的前端面的位置是否配置於待機位置。藉由與待機位置配置步驟並行地實際檢測處理液的前端面的位置，能精度佳地檢測待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否位於待機位置。
在本發明的實施形態之一中，前述第一感測器係包含有：第一有無感測器，係檢測前述待機位置的上限位置中是否存在處理液；以及第二有無感測器，係檢測前述待機位置的下限位置中是否存在處理液。而且，前述控制裝置亦可在前述第一判斷步驟中在藉由第一有無感測器檢測到前述上限位置中存在處理液且藉由前述第二有無感測器檢測到前述下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此構成，在藉由第一有無感測器檢測到待機位置的上限位置中存在處理液且藉由第二有無感測器檢測到待機位置的下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。藉此，能精度佳地檢測處理液的前端面配置於待機位置。
在本發明其他的實施形態中，前述第一感測器係包含有：攝影機，係用以拍攝存在於前述處理液配管的處理液的前端面。而且，前述控制裝置亦可在前述第一判斷步驟 中執行用以依據前述攝影機的拍攝結果進行判斷之步驟。
依據此構成，藉由攝影機拍攝處理液的前端面。而且，藉由攝影機的拍攝結果判斷處理液的前端面是否位於待機位置。藉此，能精度佳地檢測處理液的前端面配置於待機位置。
在本發明的實施形態之一中，前述感測器係包含有：第二感測器，係用以檢測在前述待機位置配置步驟中被供給至前述處理液配管之處理液的流量。而且，前述控制裝置亦可在前述判斷步驟中進一步執行：第二判斷步驟，係依據前述第二感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
依據此構成，設置有用以檢測在待機位置配置步驟中被供給至處理液配管之處理液的流量之第二感測器。依據第二感測器的檢測結果，判斷待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於待機位置。只要能正確地把握待機位置配置步驟中之處理液的流量，即能管理待機位置配置步驟中的處理液供給時間，藉此能精度佳地控制待機位置配置步驟後的處理液的前端面。藉此，能精度佳地檢測待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否位於待機位置。
在本發明其他的實施形態中，前述處理液供給單元係包含有：處理液供給配管，係對前述處理液配管供給處理液；處理液排液配管，係在與前述處理液配管之間選擇性地被供給有來自前述處理液供給配管的處理液；以及配管寬度調整單元，係以前述處理液配管中的液體的流通時的 壓損與前述處理液排液配管中的液體的流通時的壓損成為一定的關係之方式調整前述處理液配管以及/或者前述處理液排液配管的管寬度。而且，前述控制裝置亦可在前述第二判斷步驟中執行：流量取得步驟，係一邊將來自處理液供給配管的處理液導出至前述處理液排液配管而非是導出至前述處理液配管，一邊藉由前述第二感測器檢測被供給至前述處理液供給配管之處理液的流量，並取得在前述待機位置配置步驟中於前述處理液配管流動之處理液的流量。
依據此構成，由於以處理液配管中的液體的流通時的壓損與處理液排液配管中的液體的流通時的壓損成為一定的關係之方式進行調整，因此藉由第二感測器檢測從處理液供給配管被導引至處理液排液配管之處理液的流量，即能精度佳地取得在待機位置配置步驟中被供給至處理液供給配管之處理液的流量。藉此，無須將處理液供給至處理液配管即能精度佳地取得待機位置配置步驟中之處理液的流量。
在本發明其他的實施形態中，前述配管寬度調整單元係包含有以前述處理液配管中的液體的流通時的壓損與前述處理液排液配管中的液體的流通時的壓損一致之方式調整前述處理液配管以及/或者前述處理液排液配管的管寬度之單元。
依據此構成，由於以處理液配管中的液體的流通時的壓損與處理液排液配管中的液體的流通時的壓損一定之方 式進行調整，因此藉由第二感測器檢測從處理液供給配管被導引至處理液排液配管之處理液的流量，即能精度佳地取得在待機位置配置步驟中被供給至處理液供給配管之處理液的流量。藉此，無須將處理液供給至處理液配管即能精度佳地取得待機位置配置步驟中之處理液的流量。
前述配管寬度調整單元亦可包含有孔口(orifice)。
前述配管寬度調整單元亦可包含有馬達針(motor needle)。
前述配管寬度調整單元亦可包含有固定針。
在本發明的實施形態之一中，前述控制裝置係進一步執行：錯誤通報步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置時通報錯誤。
依據此構成，當發生在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置之情形時，會有實際的處理液供給時間在每個基板產生偏差從而導致處理在每個基板產生偏差之虞。在判斷步驟已判斷成在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置時，由於通報錯誤，因此作業者能得知產生此種事態。藉此，能事先防止處理的偏差。
在本發明的實施形態之一中，前述控制裝置係進一步執行：中斷步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置之情形中，不執行前述待機位置配置步驟或者中斷執行中的 前述待機位置配置步驟。
依據此構成，當發生在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置之情形時，會有實際的處理液供給時間在每個基板產生偏差從而導致處理在每個基板產生偏差之虞。在判斷步驟已判斷成在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置時，由於不執行待機位置配置步驟或者中斷執行中的待機位置配置步驟，因此能事先防止處理的偏差。
在本發明其他的實施形態中，前述感測器係包含有：第一液面感測器，係檢測處理液的前端面已到達前述處理液配管中的預定的第一檢測位置；以及速度檢測單元，係檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度。而且，前述控制裝置係在前述待機位置配置步驟中依據前述第一液面感測器所檢測之前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述檢測單元所檢測之處理液通過前述第一檢測位置的速度，將處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此構成，檢測第一檢測位置中的處理液的前端面的通過時序以及前述處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。依據所檢測到的通過時序以及所檢測到的速度，將處理液的前端面配置於待機位置。因此，能精度佳地將處理液的前端面配置於待機位置。因此，能謀求被供給至基板之處理液的量的最適當化。因此，能使用處理液良好地處理基板，且能抑制基板間的處理的偏差。
在本發明其他的實施形態中，前述速度檢測單元係包 含有：第二液面感測器，係檢測處理液的前端面已到達設定於比前述第一檢測位置還下游側的第二檢測位置；以及單元，係依據前述第一液面感測器所檢測之前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述第二液面感測器所檢測之前述第二檢測位置中的處理液的通過時序，檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度。
依據此構成，依第一檢測位置中的處理液的前端面的通過時序以及第二檢測位置中的處理液的前端面的通過時序，檢測處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。藉此，無須設置速度感測器等即能以簡單的構成檢測處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。
在本發明的實施形態之一中，前述吸引單元係包含有：第一吸引單元，係以可變更吸引力之方式吸引前述處理液配管的內部的處理液。
依據此構成，設置有可變更吸引力且可進行吸引的第一吸引單元。在處理液的前端面配置於待機位置之第一吸引步驟中以相對性較弱的吸引力進行吸引，在處理液的前端面後退至比待機位置還後方之第二吸引步驟中以相對性較強的吸引力進行吸引。因此，在第二吸引步驟中不會有時間耗費過久的問題。藉此，能良好地進行第一吸引步驟以及第二吸引步驟雙方。
在本發明的實施形態之一中，前述第一吸引單元係包含有：第一吸引裝置，係以預定的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液；以及第二吸引裝置，係以比前述第 一吸引裝置還大的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液。再者，前述控制裝置亦可執行：切換步驟，係在前述第一吸引裝置與前述第二吸引裝置之間切換前述處理液配管的吸引源。
依據此構成，在以預定的吸引力進行吸引之第一吸引裝置與以比第一吸引裝置還大的吸引力進行吸引之第二吸引裝置之間切換處理液配管的吸引源，藉此能以相對性較簡單的構成實現處理液配管內的吸引力的變更。
前述第一吸引裝置亦可包含有膜片(diaphragm)式的吸引裝置。在此情形中，亦可進一步包含有：吸引配管，係連接至前述處理液配管，並夾設有前述膜片式的吸引裝置；以及開閉閥，係用以開閉前述吸引配管。用以驅動前述膜片式的吸引裝置之第一驅動源以及用以驅動前述開閉閥之第二驅動源亦可彼此獨立。
若用以驅動膜片式的吸引裝置之驅動源與用以驅動開閉閥之驅動源為共通時，會與開閉閥的開閉連動地進行膜片式的吸引裝置的吸引以及解除吸引。
依據此構成，由於用以驅動膜片式的吸引裝置之驅動源與用以驅動開閉閥之驅動源彼此獨立，因此能以各自最適當的動作時序進行開閉閥的開閉以及膜片式的吸引裝置的吸引以及解除吸引。
前述第二吸引裝置亦可包含有噴射器(ejector)式的吸引裝置。
前述第一吸引單元亦可包含有噴射器式的吸引裝置。 而且，前述吸引裝置亦可包含有：減壓狀態產生器；以及電動氣動調節器(electric pneumatic regulator)，係無段式地變更被供給至前述減壓狀態產生器之壓縮流體的供給流量。
依據此構成，藉由電動氣動調整器調整壓縮流體的供給流量，藉此能調整減壓狀態產生器的減壓比例。因此，能以相對性較簡單的構成實現處理液配管內的吸引力的變更。
在本發明其他的實施形態中，前述控制裝置亦可執行：並行吸引步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由前述第一吸引單元吸引前述處理液配管的內部。
依據此構成，與朝處理液配管供給處理液並行地吸引處理液配管的內部。被供給至處理液配管的處理液係接受預定的供給壓力。對在處理液配管內朝噴出口移動之處理液作用有與處理液的移動方向相反方向的吸引力。藉此，可使在處理液配管移動之處理液減速。
在本發明其他的實施形態中，前述控制裝置亦可在前述待機位置配置步驟中以前述第一吸引單元所為之用以吸引前述處理液配管的吸引力變得比前述第一吸引步驟中的前述第一吸引單元所為之前述吸引力還大之方式控制前述第一吸引單元。
依據此構成，在待機位置配置步驟中用以吸引處理液之吸引力係比在前述第一吸引步驟中用以吸引處理液之吸引力還大。因此，使吸引力作用至處理液，藉此能調整在 處理液配管流動之處理液的速度。
在本發明其他的實施形態中，前述控制裝置亦可在前述待機位置配置步驟中以藉由作用至在前述處理液配管內流動的處理液之前述吸引力與作用至前述處理液之供給壓力的持平使處理液的前端面停止在前述待機位置之方式控制前述第一吸引單元。
依據此構成，在處理液的前端面位於前述待機位置的狀態下，作用至處理液之吸引力與供給壓力係持平。藉此，能使處理液的前端面自動地停止在待機位置。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室(chamber)。而且，前述控制裝置亦可在前述處理單元中於前述基板處理前所執行之前處理中執行前述待機位置配置步驟。此外，前述控制裝置亦可在前述處理單元中於前述基板處理前所執行之前處理中執行前述第二吸引步驟。
在本發明其他的實施形態中，前述基板處理裝置亦可包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室。而且，前述控制裝置亦可在前述處理單元中於前述基板處理後所執行之後處理中執行前述第二吸引步驟。此外，前述控制裝置亦可在前述處理單元中結束對於預先設定的片數的前述基板 之前述基板處理時執行前述第二吸引步驟。這些情形皆能在未執行基板處理時將處理液配管(以及/或者連接配管)清空。藉此，能有效地抑制或防止在處理液配管(以及/或者連接配管)中處理液劣化或者溫度降低。
本發明提供一種基板處理方法，係在包含有連通至噴出口的處理液配管之基板處理裝置中被執行，前述基板處理方法係包含有：處理液供給步驟，係將處理液供給至前述處理液配管，以從前述噴出口噴出處理液；以及吸引步驟，係吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；前述吸引步驟係包含有：第一吸引步驟，係使處理液的前端面後退並配置於前述處理液配管的內部中的預先設定的待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比前述待機位置還後方；前述第一吸引步驟以及前述第二吸引步驟係被選擇性地執行；於前述第二吸引步驟後進一步包含有：待機位置配置步驟，係對前述處理液配管供給處理液，並將處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此方法，在吸引步驟中吸引存在於處理液配管的內部的處理液，從而使處理液的前端面後退。吸引步驟係包含有：第一吸引步驟，係使處理液的前端面配置於待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比待機位置還後方。在第二吸引步驟後所進行之待機位置配置步驟中對處理液配管供給處理液，藉此使處理液的前端面前進並使前述處理液的前端面配置於待機位置。因此，即使在執行了第一吸引步驟以及第二吸引步驟的任一者之 情形中，亦能在下一次處理液的噴出前將處理液的前端面配置於共通的待機位置。藉此，不論用以吸引處理液配管的內部之吸引步驟的種類為何，皆能以共通的時序從噴出口噴出處理液。因此，能對基板施予均勻的處理。
在本發明的實施形態之一中，前述第二吸引步驟係包含有用以使處理液的前端面後退至比連接至前述處理液配管之連接配管的上游端還上游側之步驟。
依據此方法，能在前述第二吸引步驟中使處理液的前端面後退至比連接配管的上游端還上游側。如此，即使在第二吸引步驟後從噴出口噴出處理液之情形中，亦能將處理液閥開啟後至從噴出口噴出處理液為止之時序設成在與第一吸引步驟後從噴出口噴出處理液之情形相同的時序。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：判斷步驟，係藉由用以檢測存在於前述處理液配管的處理液之感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
依據此方法，能正確地進行待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於待機位置之判斷。
在本發明的實施形態之一中，前述判斷步驟係包含有：第一判斷步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由用以檢測存在於前述處理液配管的處理液的前端面之第一感測器判斷處理液的前端面是否位於前述待機位置。
依據此方法，與待機位置配置步驟並行地藉由第一感測器檢測處理液的前端面的位置是否配置於待機位置。藉 由與待機位置配置步驟並行地實際檢測處理液的前端面的位置，能精度佳地檢測待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否位於待機位置。
在本發明的實施形態之一中，前述第一判斷步驟係包含有下述步驟：在藉由第一有無感測器檢測到前述待機位置的上限位置中存在處理液且藉由第二有無感測器檢測到前述待機位置的下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此方法，在藉由第一有無感測器檢測到待機位置的上限位置中存在處理液且藉由第二有無感測器檢測到待機位置的下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。藉此，能精度佳地檢測處理液的前端面配置於待機位置。
在本發明其他的實施形態中，前述第一判斷步驟係包含有用以依據攝影機拍攝存在於前述處理液配管的處理液的前端面之拍攝結果進行判斷之步驟。
依據此方法，藉由攝影機拍攝處理液的前端面。而且，藉由攝影機的拍攝結果判斷處理液的前端面是否位於待機位置。藉此，能精度佳地檢測處理液的前端面配置於待機位置。
在本發明其他的實施形態之一中，前述判斷步驟係包含有：第二判斷步驟，係依據用以檢測被供給至前述處理液配管之處理液的流量之第二感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述 待機位置。
依據此方法，設置有用以檢測在待機位置配置步驟中被供給至處理液配管之處理液的流量之第二感測器。依據第二感測器的檢測結果，判斷待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於待機位置。只要能正確地把握待機位置配置步驟中之處理液的流量，即能管理待機位置配置步驟中的處理液供給時間，藉此能精度佳地控制待機位置配置步驟後的處理液的前端面。藉此，能精度佳地檢測待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否位於待機位置。
在本發明的實施形態之一中，前述第二判斷步驟係包含有：流量取得步驟，係一邊將來自用以對前述處理液配管供給處理液之處理液供給配管的處理液導出至連接於前述處理液供給配管之處理液排液配管而非是導出至前述處理液配管，一邊藉由前述第二感測器檢測被供給至前述處理液供給配管之處理液的流量，並取得在前述待機位置配置步驟中於前述處理液配管流動之處理液的流量。
依據此方法，由於以處理液配管中的液體的流通時的壓損與處理液排液配管中的液體的流通時的壓損成為一定的關係之方式進行調整，因此藉由第二感測器檢測從處理液供給配管被導引至處理液排液配管之處理液的流量，即能精度佳地取得在待機位置配置步驟中被供給至處理液供給配管之處理液的流量。藉此，無須將處理液供給至處理液配管即能精度佳地取得待機位置配置步驟中之處理液的流量。
在本發明其他的實施形態中，包含有：第一液面檢測步驟，係檢測處理液的前端面已到達前述處理液配管中的預定的第一檢測位置；以及速度檢測步驟，係檢測處理液的前端面通過前述第一檢測位置的速度。而且，前述待機位置配置步驟亦可包含有下述步驟：依據前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述第一檢測位置中的處理液的速度，將處理液的前端面配置於前述待機位置。
依據此方法，檢測第一檢測位置中的處理液的前端面的通過時序以及前述處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。依據所檢測到的通過時序以及所檢測到的速度，將處理液的前端面配置於待機位置。因此，能精度佳地將處理液的前端面配置於待機位置。因此，能謀求被供給至基板之處理液的量的最適當化。因此，能使用處理液良好地處理基板，且能抑制基板間的處理的偏差。
在本發明其他的實施形態中，前述速度檢測步驟係包含有下述步驟：依據前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及設定於比前述第一檢測位置還下游側之前述第二檢測位置中的處理液的通過時序，檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度。
依據此方法，依據第一檢測位置中的處理液的前端面的通過時序以及第二檢測位置中的處理液的前端面的通過時序，檢測處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。藉此，無須設置速度感測器等即能以簡單的構成檢測處理液的前端面通過第一檢測位置的速度。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法亦可進一步包含有：錯誤通報步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置時通報錯誤。
依據此方法，當發生在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置之情形時，會有實際的處理液供給時間在每個基板產生偏差從而導致處理在每個基板產生偏差之虞。在判斷步驟已判斷成在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置時，由於通報錯誤，因此作業者能得知產生此種事態。藉此，能事先防止處理的偏差。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：中斷步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置之情形中，不執行前述待機位置配置步驟或者中斷執行中的前述待機位置配置步驟。
依據此方法，當發生在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置之情形時，會有實際的處理液供給時間在每個基板產生偏差從而導致處理在每個基板產生偏差之虞。在判斷步驟已判斷成在待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於待機位置時，由於不執行待機位置配置步驟或者中斷執行中的待機位置配置步驟，因此能事先防止處理的偏差。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進 一步包含有：切換步驟，係在第一吸引裝置與第二吸引裝置之間切換前述處理液配管的吸引源，前述第一吸引裝置係以預定的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液，前述第二吸引裝置係以比前述第一吸引裝置還大的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液。
依據此方法，在以預定的吸引力進行吸引之第一吸引裝置與以比第一吸引裝置還大的吸引力進行吸引之第二吸引裝置之間切換處理液配管的吸引源，藉此能以相對性較簡單的構成實現處理液配管內的吸引力的變更。
在本發明其他的實施形態中，前述基板處理方法係進一步包含有：並行吸引步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，吸引前述處理液配管的內部。
依據此方法，與朝處理液配管供給處理液並行地吸引處理液配管的內部。被供給至處理液配管的處理液係接受預定的供給壓力。對在處理液配管內朝噴出口移動之處理液作用有與處理液的移動方向相反方向的吸引力。藉此，可使在處理液配管移動之處理液減速。
在本發明其他的實施形態中，前述待機位置配置步驟中之用以吸引前述處理液配管的吸引力係變得比前述第一吸引步驟中之用以吸引前述處理液配管的吸引力還大。
依據此方法，在待機位置配置步驟中用以吸引處理液之吸引力係比在前述第一吸引步驟中用以吸引處理液之吸引力還大。因此，使吸引力作用至處理液，藉此能調整在處理液配管流動之處理液的速度。
在本發明其他的實施形態中，前述待機位置配置步驟係以藉由作用至在前述處理液配管內流動的處理液之吸引力與作用至前述處理液之供給壓力的持平使處理液的前端面停止在前述待機位置之方式的吸引力吸引前述處理液配管。
依據此方法，在前述處理液的前端面位於前述待機位置的狀態下，作用至處理液之吸引力與供給壓力係持平。藉此，能使處理液的前端面自動地停止在待機位置。
前述基板處理裝置亦可進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室。而且，亦可在前述處理單元中於對基板執行使用了處理液的基板處理前之前處理中執行前述待機位置配置步驟。
此外，前述基板處理裝置亦可包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室。而且，亦可在前述處理單元中於對基板執行使用了處理液的基板處理前之前處理中執行前述第二吸引步驟。
此外，前述基板處理裝置亦可包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室。而且，亦可在處理單元中 於對基板執行使用了處理液的基板處理後之後處理中執行前述第二吸引步驟。
此外，亦可在前述處理單元中於對預先設定的片數的基板執行使用了處理液的基板處理後執行前述第二吸引步驟。
本發明的前述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效係參照隨附圖式並藉由下述實施形態的說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧對向構件
7‧‧‧中心軸噴嘴
8‧‧‧藥液供給單元
9‧‧‧清洗液供給單元
10‧‧‧疏水化劑供給單元
11‧‧‧有機溶劑供給單元
12‧‧‧處理罩
13‧‧‧隔壁
15‧‧‧排氣導管
16‧‧‧自轉馬達
17‧‧‧自轉軸
18‧‧‧自轉基座
19‧‧‧夾持構件
20‧‧‧對向構件支撐部
21‧‧‧阻隔板
21a‧‧‧基板對向面
21b‧‧‧鍔部
21c‧‧‧自轉夾具卡合部
22‧‧‧卡合部
23‧‧‧支撐部
24‧‧‧貫通孔
25‧‧‧圓筒部
26‧‧‧凸緣部
26a‧‧‧卡合孔
27‧‧‧支撐部本體
28‧‧‧凸緣支撐部
28a‧‧‧突起
29‧‧‧連接部
30‧‧‧殼體
30a‧‧‧外周面
30b‧‧‧對向面
31‧‧‧第一噴出口
32‧‧‧第二噴嘴配管
32a‧‧‧第二噴出口
33‧‧‧第三噴嘴配管
33a‧‧‧第三噴出口
34‧‧‧第四噴嘴配管
34a‧‧‧第四噴出口
35‧‧‧藥液配管
36‧‧‧藥液閥
37‧‧‧清洗液配管
38‧‧‧清洗液閥
39‧‧‧對向構件升降單元
40‧‧‧筒狀構件
41‧‧‧第一罩部
42‧‧‧第二罩部
43‧‧‧第三罩部
44‧‧‧第一防護罩
45‧‧‧第二防護罩
46‧‧‧第三防護罩
47‧‧‧防護罩升降單元
48‧‧‧導引部
49‧‧‧傾斜部
51‧‧‧疏水化劑配管
51a‧‧‧第一上下方向部分
51b‧‧‧第一左右方向部分
52‧‧‧第一連接配管
53‧‧‧疏水化劑排液配管
54‧‧‧第一疏水化劑供給配管
55‧‧‧第二疏水化劑供給配管
56‧‧‧疏水化劑吸引配管
57‧‧‧疏水化劑閥
58‧‧‧第一疏水化劑吸引裝置
59‧‧‧疏水化劑排液閥
60‧‧‧第一疏水化劑供給閥
61‧‧‧第二疏水化劑供給閥
62‧‧‧疏水化劑吸引閥
63‧‧‧第二疏水化劑吸引裝置
64‧‧‧第一感測器
65‧‧‧第一有無感測器
66‧‧‧第二有無感測器
67a‧‧‧上限位置
67b‧‧‧下限位置
68‧‧‧第一氣體供給配管
69‧‧‧第一氣體供給閥
70‧‧‧第二氣體供給配管
71‧‧‧第二氣體供給閥
72‧‧‧孔口
73‧‧‧第一流量計
74‧‧‧第二流量計
75‧‧‧流體供給配管
76‧‧‧流體供給閥
77‧‧‧第二感測器
81‧‧‧有機溶劑配管
81a‧‧‧第二上下方向部分
81b‧‧‧第二左右方向部分
82‧‧‧第二連接配管
83‧‧‧有機溶劑排液配管
84‧‧‧有機溶劑供給配管
86‧‧‧有機溶劑吸引配管
87‧‧‧有機溶劑閥
88‧‧‧第一有機溶劑吸引裝置
89‧‧‧有機溶劑排液閥
90‧‧‧有機溶劑供給閥
92‧‧‧有機溶劑吸引閥
93‧‧‧第二有機溶劑吸引裝置
101‧‧‧運算單元
102‧‧‧記憶單元
103‧‧‧程式
104‧‧‧配方記憶部
105‧‧‧操作部
106‧‧‧製程配方
107‧‧‧預配方
108‧‧‧後配方
109‧‧‧流動配方
201‧‧‧固定針
202‧‧‧馬達針
210‧‧‧疏水化劑供給單元
251‧‧‧疏水化劑配管
257‧‧‧疏水化劑閥
263‧‧‧第二疏水化劑吸引裝置
263A‧‧‧減壓狀態產生器
264‧‧‧攝影機
275‧‧‧流體供給配管
276‧‧‧電動氣動調節器
310‧‧‧疏水化劑供給單元
364‧‧‧第三感測器
365‧‧‧第一液面感測器
366‧‧‧第二液面感測器
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧中心軸線
C‧‧‧基板收容器
CR、IR‧‧‧搬運機器
F1、F2‧‧‧前端面
H‧‧‧手部
LP‧‧‧裝載埠
P1‧‧‧疏水化劑待機位置
P11‧‧‧第一檢測位置
P12‧‧‧第二檢測位置
V‧‧‧閥單元
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置的內部的布局之示意性的俯視圖。
圖2係用以說明圖1所示的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。
圖3係圖2所示的中心軸噴嘴的縱剖視圖。
圖4係前述中心軸噴嘴的仰視圖。
圖5係用以說明圖2所示的疏水化劑供給單元以及有機溶劑供給單元的概略構成之圖。
圖6係用以說明前述疏水化劑供給單元的詳細的構成之圖。
圖7係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖8A係用以說明在前述處理單元中所執行的處理的內容之流程圖。
圖8B係用以顯示在前述處理單元中藉由預配方 (pre-recipe)所執行的前處理的流程之流程圖。
圖9係用以顯示在前述處理單元中藉由製程配方(process recipe)所執行的基板處理的流程之流程圖。
圖10係用以顯示朝前述基板處理裝置搬入基板前之前述處理單元的狀態之圖。
圖11係用以說明圖8B所示的排出吸引步驟之圖。
圖12A係用以說明圖8B所示的預分配(pre-dispense)步驟之圖。
圖12B係用以說明圖8B所示的填充步驟之圖。
圖13係用以說明圖9所示的第一有機溶劑供給步驟之圖。
圖14係用以說明在前述第一有機溶劑供給步驟後所執行的甩離步驟之圖。
圖15係用以說明圖9所示的疏水化劑供給步驟之圖。
圖16係用以說明圖9所示的第二有機溶劑供給步驟之圖。
圖17係用以說明圖9所示的旋乾(spin-drying)步驟之圖。
圖18係用以說明第一錯誤判定之流程圖。
圖19係用以說明第二錯誤判定之流程圖。
圖20係用以說明第一變化例之圖。
圖21係用以說明第二變化例之圖。
圖22係用以說明本發明第二實施形態的疏水化劑供給單元的詳細構成之圖。
圖23係用以說明藉由前述疏水化劑供給單元所執行的填充步驟之圖。
圖24係用以說明本發明第三實施形態的疏水化劑供給單元310的詳細構成之圖。
圖1係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置1的內部的布局之示意性的俯視圖。基板處理裝置1係用以逐片地處理矽晶圓等基板W之葉片式的裝置。在本實施形態中，基板W係圓板狀的基板。基板處理裝置1係包含有：複數個處理單元2，係以處理液處理基板W；裝載埠(load port)LP，係載置有基板收容器C，該基板收容器C係收容用以在處理單元2進行處理之複數片基板W；搬運機器人IR及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制裝置3，係控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在基板收容器C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。圖3係中心軸噴嘴7的縱剖視圖。圖4係中心軸噴嘴7的仰視圖。
處理單元2係包含有：箱形的腔室4；自轉夾具(spin chuck)(基板保持單元)5，係在腔室4內以水平的姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中心之鉛直 的旋轉軸線A1旋轉；對向構件6，係與被自轉夾具5保持之基板W的上表面對向；中心軸噴嘴7，係上下地插通對向構件6的內部，用以朝被自轉夾具5保持之基板W的上表面的中央部噴出處理液；藥液供給單元8，係用以對中心軸噴嘴7供給藥液；清洗(rinse)液供給單元9，係用以對中心軸噴嘴7供給清洗液；疏水化劑供給單元10，係對中心軸噴嘴7供給液體的疏水化劑；有機溶劑供給單元11，係用以對中心軸噴嘴7供給作為低表面張力液體之有機溶劑，該低表面張力液體係具有比重比空氣還大且比水還低的表面張力；以及筒狀的處理罩(processing cup)12，係圍繞自轉夾具5。
腔室4係包含有：箱狀的隔壁13，係收容自轉夾具5以及噴嘴；FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)14，係從隔壁13的上部對隔壁13內輸送清淨空氣(藉由過濾器過濾的空氣)；以及排氣導管15，係從隔壁13的下部排出腔室4內的氣體。FFU14係配置於隔壁13的上方，並安裝於隔壁13的頂板。FFU14係從隔壁13的頂板朝下方對腔室4內輸送清淨空氣。排氣導管15係連接至處理罩12的底部，用以朝設置有基板處理裝置1之工廠所設置的排氣處理設備導出腔室4內的氣體。因此，於腔室4內朝下方流動之降流(down flow)(下降流)係藉由FFU14以及排氣導管15所形成。基板W的處理係在腔室4內形成有降流的狀態下進行。
採用夾持式的夾具作為自轉夾具5，該夾持式的夾具 係於水平方向夾著基板W並水平地保持基板W。具體而言，自轉夾具5係包含有：自轉馬達(spin motor)16；自轉軸(spin axis)17，係與該自轉馬達16的驅動軸一體化；以及圓板狀的自轉基座(spin base)18，係略水平地安裝於自轉軸17的上端。
於自轉基座18的上表面的周緣部配置有複數個(三個以上，例如為六個)夾持構件19。複數個夾持構件19係在自轉基座18的上表面周緣部中隔著適當的間隔配置於與基板W的外周形狀對應之圓周上。於自轉基座18的上表面中之將旋轉軸線A1作為中心之圓周上配置有用以從下方支撐對向構件6之複數個(三個以上)對向構件支撐部20。對向構件支撐部20與旋轉軸線A1之間的距離係設定成比夾持構件19與旋轉軸線A1之間的距離還大。
此外，自轉夾具5並未限定於夾持式的夾具，例如亦可採用真空吸附式的夾具(真空夾具)，該真空吸附式的夾具係真空吸附基板W的背面，藉此以水平的姿勢保持基板W，並以此狀態繞著鉛直的旋轉軸線旋轉，藉此使被自轉夾具5保持的基板W旋轉。
對向構件6係用以隨著自轉夾具5旋轉之隨動型的對向構件(阻隔構件)。亦即，對向構件6係以在基板處理中對向構件6可與自轉夾具5一體性地旋轉之方式被支撐。
對向構件6係包含有：阻隔板21；卡合部22，係以可伴隨升降之方式設置於阻隔板21；以及支撐部23，係用以與卡合部22卡合並從上方支撐阻隔板21。
阻隔板21為具有比基板W還大的直徑之圓板狀。阻隔板21係於下表面具有：圓形的基板對向面21a，係與基板W的上表面全域對向；圓環狀的鍔部21b，係在基板對向面21a的周緣部中朝下方突出；以及自轉夾具卡合部21c，係設置於基板對向面21a，用以與對向構件支撐部20卡合。於基板對向面21a的中央部形成有上下地貫通對向構件6之貫通孔24。貫通孔24係被圓筒狀的內周面區劃。
卡合部22係在阻隔板21的上表面包含有：圓筒部25，係包圍貫通孔24的周圍；以及凸緣(flange)部26，係從圓筒部25的上端朝徑方向外側擴展。凸緣部26係包含於支撐部23，且位於比下述的凸緣支撐部28還上方。凸緣部26的外周係作成直徑比凸緣支撐部28的內周還大。
支撐部23係包含有：例如略圓板狀的支撐部本體27；水平的凸緣支撐部28，係將中心軸線A2作為中心；以及連接部29，係連接支撐部本體27與凸緣支撐部28。
中心軸噴嘴7係沿著通過阻隔板21以及基板W的中心之鉛直的軸線亦即旋轉軸線A1而於上下方向延伸。中心軸噴嘴7係配置於自轉夾具5的上方，並插通阻隔板21以及支撐部23的內部空間。中心軸噴嘴7係與阻隔板21以及支撐部23一起升降。如圖2所示，中心軸噴嘴7的下表面係配置於比阻隔板21的基板對向面21a稍微上方的位置，但亦可為與基板對向面21a大致相同的高度。
中心軸噴嘴7係包含有：圓柱狀的殼體(casing)30，係上下地延伸於貫通孔24的內部；以及第一噴嘴配管31、 第二噴嘴配管32、第三噴嘴配管33以及第四噴嘴配管34，係上下地插通殼體30的內部。殼體30係具有：圓筒狀的外周面30a；以及對向面30b，係設置於殼體30的下端部，並與基板W的上表面的中央部對向。第一噴嘴配管31至第四噴嘴配管34係分別為內管(inner tube)。
於支撐部23結合有：對向構件升降單元39，係用以使支撐部23升降且使對向構件6升降。對向構件升降單元39係包含有伺服馬達以及/或者滾珠螺桿機構等之構成。
對向構件升降單元39係將對向構件6以及第一噴嘴配管31至第四噴嘴配管34與支撐部23一起於鉛直方向升降。對向構件升降單元39係使阻隔板21以及第一噴嘴配管31至第四噴嘴配管34在接近位置與退避位置之間升降，該接近位置係阻隔板21的基板對向面21a接近被自轉夾具5保持之基板W的上表面之位置，該退避位置係設置於接近位置的上方之位置。對向構件升降單元39係可在接近位置與退避位置之間的各位置保持阻隔板21。
藉由對向構件升降單元39，能使支撐部23在下位置(圖2中以虛線所示之位置)與上位置(圖2中以實線所示之位置)之間升降，藉此能使對向構件6的阻隔板21在接近位置(圖2中以虛線所示之位置)與退避位置(圖2中以實線所示之位置)之間升降，該接近位置係接近被自轉夾具5保持之基板W的上表面之位置，該退避位置係大幅地退避至自轉夾具5的上方之位置。
具體而言，在支撐部23位於上位置之狀態下，支撐部23的凸緣支撐部28與凸緣部26卡合，藉此卡合部22、阻隔板21以及中心軸噴嘴7係被支撐部23支撐。亦即，阻隔板21係被支撐部23垂吊。
在支撐部23位於上位置的狀態下，突設於凸緣支撐部28的上表面之突起28a係卡合至隔著間隔形成於凸緣部26的周方向之卡合孔26a，藉此阻隔板21係相對於支撐部23被定位於周方向。
對向構件升降單元39係在使支撐部23從上位置下降時，阻隔板21亦從退避位置下降。之後，當阻隔板21的自轉夾具卡合部21c抵接至對向構件支撐部20時，阻隔板21以及中心軸噴嘴7係被對向構件支撐部20承接。接著，當對向構件升降單元39使支撐部23下降時，支撐部23的凸緣支撐部28與凸緣部26之間的卡合係被解除，卡合部22、阻隔板21以及中心軸噴嘴7係從支撐部23脫離並被自轉夾具5支撐。在此狀態下，阻隔板21係伴隨著自轉夾具5(自轉基座18)的旋轉而旋轉。
第一噴嘴配管31係沿著鉛直方向延伸。第一噴嘴配管31的下端係於殼體30的對向面30b呈開口，並形成第一噴出口31a。從藥液供給單元8對第一噴嘴配管31供給藥液。藥液供給單元8係包含有：藥液配管35，係連接至第一噴嘴配管31的基端側；以及藥液閥36，係夾設於藥液配管35的中途部。當開啟藥液閥36時，從第一噴出口31a朝下方噴出藥液。當關閉藥液閥36時，停止從第一噴出口 31a噴出藥液。藥液亦可為例如包含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、介面活性劑以及防腐蝕劑的至少一者之液體。
第二噴嘴配管32係沿著鉛直方向延伸。第二噴嘴配管32的下端係於殼體30的對向面30b呈開口，並形成第二噴出口32a。從清洗液供給單元9對第二噴嘴配管32供給清洗液。清洗液供給單元9係包含有：清洗液配管37，係連接至第二噴嘴配管32的基端側；以及清洗液閥38，係夾設於清洗液配管37的中途部。當開啟清洗液閥38時，從第二噴出口32a朝下方噴出清洗液。當關閉清洗液閥38時，停止從第二噴出口32a噴出清洗液。清洗液係純水(去離子水)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的氨水中的任一者。
第三噴嘴配管33係沿著鉛直方向延伸。第三噴嘴配管33的下端係於殼體30的對向面30b呈開口，並形成第三噴出口33a。從疏水化劑供給單元10對第三噴嘴配管33供給液體的疏水化劑。疏水化劑係可為矽系的疏水化劑，亦可為金屬系的疏水化劑。
矽系的疏水化劑用以使矽(Si)自體以及包含有矽之化合物予以疏水化之疏水化劑。矽系疏水化劑係例如為矽烷耦合劑(silane coupling agent)。矽烷耦合劑係例如為HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)、 TMS(tetramethylsilane；四甲基矽烷)、氟化烷氯矽烷(fluorinated alkylchlorosilane)、烷基二矽氮烷(alkyl disilazane)以及非氯(non-chloro)系疏水化劑中的至少一者。非氯系疏水化劑係例如包含有二甲基甲矽烷基二甲胺(DMSDMA；dimethylsilyldimethylamine)、二甲基甲矽烷基二乙胺(DMSDEA；dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二矽氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、四甲基二矽氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、雙(二甲基氨)二甲基矽烷(Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、N,N-二甲基三甲基矽胺(DMATMS；N,N-dimethylamino trimethylsilane)、N-(三甲基矽基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有機矽烷(organosilane)化合物中的至少一者。
金屬系的疏水化劑係例如為具有高的配位性且主要藉由配位結合將金屬予以疏水化之溶劑。該疏水化劑係例如包含有有機矽化合物以及具有疏水基之胺中的至少一者。
第四噴嘴配管34係沿著鉛直方向延伸。第四噴嘴配管34的下端係於殼體30的對向面30b呈開口，並形成第四噴出口34a。從有機溶劑供給單元11對第四噴嘴配管34供給液體的有機溶劑。有機溶劑係例如為IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)，但除了IPA以外亦能例示例如甲醇、乙醇、丙酮、EG(ethylene glycol；乙二醇)以及HFE(hydrofluoroether；氫氟醚)作為此種有機溶劑。此外，作為有機溶劑，不僅是由單體成分所構成之情形，亦可為與其他成分混合的液體。例如，亦可為IPA與丙酮的混合 液，或亦可為IPA與甲醇的混合液。
如圖2所示，處理罩12係配置於比被自轉夾具5保持之基板W還外側(從旋轉軸線A1離開之方向)。處理罩12係包含有：筒狀構件40，係圍繞自轉基座18的周圍；複數個罩部(第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43)，係配置於自轉夾具5與筒狀構件40之間；複數個防護罩(guard)(第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46)，係接住飛散至基板W的周圍的處理液(藥液、清洗液、有機溶劑、疏水化劑等)；以及防護罩升降單元47，係使複數個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46個別地升降。處理罩12係配置於比被自轉夾具5保持之基板W的外周還外側(從旋轉軸線A1離開之方向)。在圖2中，處理罩12係顯示旋轉軸線A1的右側與左側不同的狀態。
各個第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43係圓筒狀，並在自轉夾具5與筒狀構件40之間圍繞自轉夾具5。從內側算起的第二個的第二罩部42係配置於比第一罩部41還外側，最外側的第三罩部43係配置於比第二罩部42還外側。第三罩部43係例如與第二防護罩45為一體，並與第二防護罩45一起升降。各個第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43係形成朝上開放的環狀的槽。於各個第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43的槽連接有回收配管(未圖示)或廢液配管(未圖示)。被導引至各個第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43的底部之處理液係通過回收配管或廢液配管分別被輸送至回收單元(未圖示)或 廢液單元(未圖示)。藉此，從基板W排出的處理液係被回收或廢棄。
各個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46係圓筒狀，並在自轉夾具5與筒狀構件40之間圍繞自轉夾具5。各個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46係包含有：圓筒狀的導引部48，係圍繞自轉夾具5的周圍；以及圓筒狀的傾斜部49，係從導引部48的上端朝中心側(接近基板W的旋轉軸線A1之方向)於斜上方延伸。各個傾斜部49的上端部係構成第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46的內周部，且具有比基板W以及自轉基座18還大的直徑。三個傾斜部49係上下地重疊，三個導引部48係同軸性地配置。三個導引部48(第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46的導引部48)係可分別出入於對應的第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43。亦即，處理罩12係可折疊，防護罩升降單元47係使三個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46的至少一個升降，藉此進行處理罩12的展開以及摺疊。此外，如圖2所示，傾斜部49的剖面形狀係可為直線狀，亦可例如描繪凸狀的圓弧並順暢地延伸。
對基板W供給處理液(藥液、清洗液、有機溶劑、疏水化劑等)以及基板W的乾燥係在任一個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46與基板W的周端面對向之狀態下進行。例如，為了實現最外側的第三防護罩46與基板W的周端面對向之狀態(圖13所示之狀態，以下亦有稱為 「第三防護罩對向狀態」之情形)，將第一防護罩44以及第二防護罩45配置於下位置，將第三防護罩46配置於上位置。此外，為了實現從最內側算起的第二個的第二防護罩45與基板W的周端面對向之狀態(圖15所示之狀態，以下亦有稱為「第二防護罩對向狀態」之情形)，將第一防護罩44配置於下位置，將第二防護罩45以及第三防護罩46配置於上位置。此外，為了實現最內側的第一防護罩44與基板W的周端面對向之狀態(圖2所示之狀態，以下亦有稱為「第一防護罩對向狀態」之情形)，將三個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46全部配置於上位置。
例如，在後述的藥液供給步驟E3(參照圖9)、清洗步驟E4(參照圖9)、第一有機溶劑供給步驟E5(參照圖9)、疏水化劑供給步驟E6(參照圖9)、第二有機溶劑供給步驟E7(參照圖9)中，三個第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46中的任一者係在與基板W的周端面對向的狀態下進行。因此，在對基板W供給處理液時飛散至基板W的周圍的處理液係被第一防護罩44、第二防護罩45以及第三防護罩46中的任一者導引至任一者的第一罩部41、第二罩部42以及第三罩部43。
圖5係用以說明疏水化劑供給單元10以及有機溶劑供給單元11的概略構成之圖。
疏水化劑供給單元10係包含有：疏水化劑配管(處理液配管)51，係連接至第三噴嘴配管33；第一連接配管52， 係經由疏水化劑配管51連接至第三噴嘴配管33；以及疏水化劑排液配管53、第一疏水化劑供給配管54、第二疏水化劑供給配管55以及疏水化劑吸引配管56，係分別連接至第一連接配管52。
第一連接配管52係作成朝一方向延伸且兩端閉塞之筒狀，並於第一連接配管52的長度方向從一端側(圖5所示的上側)依序連接有疏水化劑排液配管53、疏水化劑配管51、第一疏水化劑供給配管54、第二疏水化劑供給配管55以及疏水化劑吸引配管56。
疏水化劑配管51係具有第一上下方向部分51a以及第一左右方向部分51b。第一上下方向部分51a的下游端係連接至第三噴嘴配管33的上游端。第一左右方向部分51b的下游端係連接至第一上下方向部分51a的上游端。第一左右方向部分51b的上游端係連接至第一連接配管52。於疏水化劑配管51的第一左右方向部分51b夾設有用以將疏水化劑配管51予以開閉之疏水化劑閥57。
於疏水化劑配管51的第一左右方向部分51b中之比疏水化劑閥57還下游側夾設有第一疏水化劑吸引裝置(第一吸引裝置)58。第一疏水化劑吸引裝置58為膜片(diaphragm)式的吸引裝置。膜片式的吸引裝置係如下所述的吸引裝置(參照日本特開2016-111306號公報等)，包含有：筒狀的頭部，係夾設於疏水化劑配管51的中途部；以及膜片，係收容於頭部內；藉由膜片的驅動使形成於頭部內之流路的容積變化。
於疏水化劑排液配管53夾設有用以將疏水化劑排液配管53予以開閉之疏水化劑排液閥59。於疏水化劑排液配管53的另一端側連接至機外的排液設備。
於第一疏水化劑供給配管54夾設有用以將第一疏水化劑供給配管54予以開閉之第一疏水化劑供給閥60。從第一疏水化劑原液供給源對第一疏水化劑供給配管54的另一端側供給有第一疏水化劑原液(第一疏水化劑)。
於第二疏水化劑供給配管55夾設有用以將第二疏水化劑供給配管55予以開閉之第二疏水化劑供給閥61。從第一疏水化劑原液供給源對第二疏水化劑供給配管55的另一端側供給有第二疏水化劑原液(第二疏水化劑)。藉由混合第一疏水化劑原液與第二疏水化劑原液而產生疏水化劑。
於疏水化劑吸引配管56夾設有用以將疏水化劑吸引配管56予以開閉之疏水化劑吸引閥(吸引閥)62。於疏水化劑吸引配管56的前端連接有第二疏水化劑吸引裝置(第二吸引裝置)63。第二疏水化劑吸引裝置63係噴射器(ejector)式的吸引裝置。噴射器式的吸引裝置係包含有真空產生器或者吸引器(aspirator)。與膜片式的吸引裝置或虹吸(siphon)式的吸引裝置相比，噴射器式的吸引裝置係吸引力強(吸引速度快)且可吸引的液體流量多。
當在關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥之狀態下開啟第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61以及疏水化劑閥57時，來自第一疏水化劑供給配管54的 第一疏水化劑原液與來自第二疏水化劑供給配管55的第二疏水化劑原液係流入至第一連接配管52，並在第一連接配管52內混合而產生疏水化劑。該疏水化劑係經由疏水化劑配管51被供給至第三噴嘴配管33，並從第三噴出口33a朝下方噴出疏水化劑。
此外，當在關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥之狀態下開啟第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61以及疏水化劑排液閥59時，第一疏水化劑原液係從第一疏水化劑供給配管54被供給至疏水化劑排液配管53。藉此，能將殘留於第一疏水化劑供給配管54的內部的第一疏水化劑原液排出至機外。
此外，在第二疏水化劑吸引裝置63的作動被有效化之狀態中，當在關閉其他的閥之狀態下開啟疏水化劑閥57以及疏水化劑吸引閥62時，吸引疏水化劑配管51的內部從而使疏水化劑的前端面(處理液的前端面)F1於疏水化劑配管51的內部後退。
有機溶劑供給單元11係包含有：有機溶劑配管(處理液配管)81，係連接至第四噴嘴配管34；第二連接配管82，係經由有機溶劑配管81連接至第四噴嘴配管34；以及有機溶劑排液配管83、有機溶劑供給配管84以及有機溶劑吸引配管(吸引配管)86，係分別連接至第二連接配管82。
第二連接配管82係作成朝一方向延伸且兩端閉塞之筒狀，並於第二連接配管82的長度方向從一端側(圖5所示的上側)依序連接有有機溶劑排液配管83、有機溶劑配 管81、有機溶劑供給配管84以及有機溶劑吸引配管86。
有機溶劑配管81係具有第二上下方向部分81a以及第二左右方向部分81b。第二上下方向部分81a的下游端係連接至第四噴嘴配管34的上游端。第二左右方向部分81b的下游端係連接至第二上下方向部分81a的上游端。第二左右方向部分81b的上游端係連接至第二連接配管82。於有機溶劑配管81的第二左右方向部分81b夾設有用以將有機溶劑配管81予以開閉之有機溶劑閥87。
於有機溶劑配管81的第二左右方向部分81b中之比有機溶劑閥87還下游側夾設有第一有機溶劑吸引裝置(第一吸引裝置)88。第一有機溶劑吸引裝置88為膜片式的吸引裝置。
於有機溶劑排液配管83夾設有用以將有機溶劑排液配管83予以開閉之有機溶劑排液閥89。於有機溶劑排液配管83的另一端側連接至機外的排液設備。
於有機溶劑供給配管84夾設有用以將有機溶劑供給配管84予以開閉之有機溶劑供給閥90。從有機溶劑原液供給源對有機溶劑供給配管84的另一端側供給有機溶劑。
於有機溶劑吸引配管86夾設有用以將有機溶劑吸引配管86予以開閉之有機溶劑吸引閥(吸引閥)92。於有機溶劑吸引配管86的前端連接有第二有機溶劑吸引裝置(第二吸引裝置)93。第二有機溶劑吸引裝置93係噴射器式的吸引裝置。
當在關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥之狀態下開啟有機溶劑供給閥90以及有機溶劑閥87時，來自有機溶劑供給配管84的有機溶劑係流入至第二連接配管82。該有機溶劑係經由有機溶劑配管81被供給至第四噴嘴配管34，並從第四噴出口34a朝下方噴出有機溶劑。
此外，當在關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥之狀態下開啟有機溶劑供給閥90以及有機溶劑排液閥89時，有機溶劑係從有機溶劑供給配管84被供給至有機溶劑排液配管83。藉此，能將殘留於有機溶劑供給配管84的內部的有機溶劑排出至機外。
此外，在第二有機溶劑吸引裝置93的作動被有效化之狀態中，當在關閉其他的閥之狀態下開啟有機溶劑閥87以及有機溶劑吸引閥92時，吸引有機溶劑配管81的內部從而使有機溶劑的前端面(處理液的前端面)F2於有機溶劑配管81的內部後退。
圖6係用以說明疏水化劑供給單元10的詳細的構成之圖。
與疏水化劑配管51的第一左右方向部分51b的管壁相關地配置有第一感測器64。第一感測器64係包含有第一有無感測器65以及第二有無感測器66。於疏水化劑配管51的第一左右方向部分51b設定有預定的疏水化劑待機位置(待機位置)P1。疏水化劑待機位置P1係於流通方向具有預定的寬度。
第一有無感測器65係檢側疏水化劑待機位置P1的上 限位置67a中是否存在疏水化劑。在疏水化劑配管51的內部的疏水化劑的前端面F1前進至比上限位置67a還前方時(接近中心軸噴嘴7側時)，第一有無感測器65係檢測到疏水化劑；在疏水化劑配管51的內部的疏水化劑的前端面F1後退至比上限位置67a還後方時，第一有無感測器65係未檢測到疏水化劑。第一有無感測器65係將第一有無感測器65的檢測輸出輸送至控制裝置3。
第二有無感測器66係檢側疏水化劑待機位置P1的下限位置67b中是否存在疏水化劑。在疏水化劑配管51的內部的疏水化劑的前端面F1前進至比下限位置67b還前方時(接近中心軸噴嘴7側時)，第二有無感測器66係檢測到疏水化劑；在疏水化劑配管51的內部的疏水化劑的前端面F1後退至比下限位置67b還後方時，第二有無感測器66係未檢測到疏水化劑。第二有無感測器66係將第二有無感測器66的檢測輸出輸送至控制裝置3。因此，在疏水化劑的前端面F1位於疏水化劑待機位置P1之情形中，藉由第一有無感測器65檢測到上限位置67a中存在疏水化劑，且藉由第二有無感測器66檢測到下限位置67b中未存在疏水化劑(未檢測到疏水化劑的存在)。
第一有無感測器65以及第二有無感測器66係分別為例如液體偵測用的光纖感測器，且直接配置或者接近配置於疏水化劑配管51的外周壁。第一有無感測器65以及第二有無感測器66亦可藉由例如電容量型的感測器所構成。
疏水化劑閥57係氣動(air operate)式的開閉閥。作為此種氣動式的開閉閥，可例舉膜片閥、蝴蝶閥(butterfly valve)、針閥(needle valve)等。於疏水化劑閥57連接有第一氣體供給配管(第二驅動源)68，於第一氣體供給配管68的中途部夾設有用以切換第一氣體供給配管68的開閉之第一氣體供給閥(第二驅動源)69。於比第一氣體供給閥69還下游側的第一氣體供給配管68的中途部連接有第一洩漏配管(未圖示)的一端，該第一洩漏配管係用以使氣體從疏水化劑閥57洩漏至大氣中。於該洩漏配管的中途部夾設有第一洩漏閥(未圖示)。
在開啟第一氣體供給閥69且關閉第一洩漏閥之狀態下，於第一氣體供給配管68流動之氣體係被供給至疏水化劑閥57的內部。藉此，開啟疏水化劑閥57。另一方面，當在關閉疏水化劑閥57的狀態下開啟第一洩漏閥且關閉第一氣體供給閥69時，停止朝疏水化劑閥57的內部供給氣體，且疏水化劑閥57內的氣體係通過第一洩漏閥排出至大氣中。結果，關閉疏水化劑閥57。
由膜片式的吸引裝置所構成的第一疏水化劑吸引裝置58為氣動式的吸引裝置。於第一疏水化劑吸引裝置58連接有第二氣體供給配管(第一驅動源)70，於第二氣體供給配管70的中途部夾設有用以切換第二氣體供給配管70的開閉之第二氣體供給閥(第一驅動源)71。第二氣體供給閥71係例如為電磁閥。於比第二氣體供給閥71還下游側的第二氣體供給配管70的中途部連接有第二洩漏配管(未圖 示)的一端，該第二洩漏配管係用以使氣體從第一疏水化劑吸引裝置58洩漏至大氣中。於該洩漏配管的中途部夾設有第二洩漏閥(未圖示)。
在開啟第二氣體供給閥71且關閉第二洩漏閥之狀態下，於第二氣體供給配管70流動之氣體係被供給至第一疏水化劑吸引裝置58的內部。在此狀態下，藉由膜片的形體，頭部內的容積少，因此存在於第二氣體供給配管70中之比第一疏水化劑吸引裝置58還下游側部分之疏水化劑不會被吸入至頭部內。亦即，在此狀態下，第一疏水化劑吸引裝置58的作動被無效化。
在此狀態下，當開啟第二洩漏閥且關閉第二氣體供給閥71時，停止朝第一疏水化劑吸引裝置58的內部供給氣體，且氣體係通過第二洩漏配管排出至大氣中。藉此，膜片係進行形體變化，頭部內的容積增大。結果，存在於第二氣體供給配管70中之比第一疏水化劑吸引裝置58還下游部分之疏水化劑係被吸入至頭部內，且該下游側部分的內部被吸引。換言之，依循第二氣體供給閥71用的噴出停止訊號的輸入，將液體(處理液)吸引至頭部內。藉此，第一疏水化劑吸引裝置58的作動被有效化。
另一方面，當在第一疏水化劑吸引裝置58的作動被有效化的狀態下開啟第二氣體供給閥71且關閉第二洩漏閥時，於第二氣體供給配管70流動之氣體係被供給至第一疏水化劑吸引裝置58的內部。藉此，膜片係進行形體變化，頭部內的容積減少，藉此推出被吸引至頭部內的液體(處理 液)。亦即，依循第二氣體供給閥71用的噴出開始訊號的輸入，推出頭部內的液體(處理液)。結果，第一疏水化劑吸引裝置58的作動被無效化。
於疏水化劑排液配管53夾設有用以調整於疏水化劑排液配管53流動的疏水化劑的流量之流量調整單元。在本實施形態中，流量調整單元為孔口(orifice)72。孔口72係以疏水化劑配管51中的液體的流通時的壓損與疏水化劑排液配管53中的液體的流通時的壓損變成相等之方式設定孔口72的大小。
於第一疏水化劑供給配管54中之比第一疏水化劑供給閥60還下游側進一步夾設有第一流量計73，該第一流量計73係用以檢測於第一疏水化劑供給配管54內流動的第一疏水化劑原液的流量。
於第二疏水化劑供給配管55中之比第二疏水化劑供給閥61還下游側進一步夾設有第二流量計74，該第二流量計74係用以檢測於第二疏水化劑供給配管55內流動的第二疏水化劑原液的流量。藉由第一流量計73以及第二流量計74構成第二感測器77，該第二感測器77係用以檢測在填充步驟T3中被供給至第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55的疏水化劑(疏水化劑原液)的流量。
此外，在圖6的例子中，雖然例舉具有第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55這兩個配管作為疏水化劑供給配管之情形，但亦可僅設置有一個疏水化 劑供給配管作為疏水化劑供給配管。在此情形中，對疏水化劑供給配管供給有疏水化劑(並非是原液，而是製作(混合)後的疏水化劑)。在此情形中，於該疏水化劑供給配管夾設有流量計。
由噴射器式的吸引裝置所構成的第二疏水化劑吸引裝置63係包含有流體供給配管75以及用以切換流體供給配管75的開閉之流體供給閥76。流體供給閥76係例如為電磁閥。在第二疏水化劑吸引裝置63的電源導通(ON)狀態下開啟流體供給閥76使流體於流體供給配管75內流動，藉此將第二疏水化劑吸引裝置63的內部減壓。藉此，疏水化劑吸引配管(吸引配管)56的內部被吸引。亦即，第二疏水化劑吸引裝置63的作動被有效化。
雖然省略詳細的說明，但是有機溶劑供給單元11係具有與疏水化劑供給單元10同樣的構成。亦即，與有機溶劑配管81的第二左右方向部分81b的管壁相關地配置有第一感測器。有機溶劑閥87係氣動式的關閉閥，藉由開啟第一氣體供給閥而開啟有機溶劑閥87，藉由開啟第一洩漏閥而關閉有機溶劑閥87。第一有機溶劑吸引裝置88係氣動式的吸引裝置，藉由開啟第二氣體供給閥而使第一有機溶劑吸引裝置88的作動被有效化，藉由開啟第二洩漏閥而使第一有機溶劑吸引裝置88的作動被無效化。
圖7係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。
控制裝置3係使用例如微電腦(microcomputer)所構成。 控制裝置3係具有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元101、固態記憶體器件(solid-state memory device)(未圖示)、硬碟驅動機(hard disk drive)等記憶單元102以及輸出輸入單元(未圖示)。於記憶單元102記憶有讓運算單元101執行之程式103。
記憶單元102係包含有：配方(recipe)記憶部104，係記憶用以規定針對基板W的各處理的內容之配方。配方記憶部104係由可電性地覆寫資料之非揮發性記憶體所構成。於配方記憶部104記憶有藉由操作部105的操作而作成之製程配方106、預配方107、後配方(post recipe)108以及流動配方(flow recipe)109。製程配方106係已制定了針對基板W的處理的內容(包含有順序及條件，以下相同)之配方。預配方107係預備動作配方的一例，且為已制定了預先設定的前處理的內容之配方。後配方108係預備動作配方的一例，且為已制定了預先設定的後處理的內容之配方。流動配方109係已制定了已依循製程配方106的控制(製程配方控制)、已依循預配方107的控制(預配方控制)以及已依循後配方108的控制(後配方控制)的執行順序以及執行次數之配方。
在用以構成一個批量(lot)之預定片數(例如25片)的基板W已總括地被收容於基板收容器C(參照圖1)的狀態下被搬入至基板處理裝置1。在基板處理裝置1中，對每個基板收容器C設定有一個流動配方109。
再者，於控制裝置3連接有作為控制對象之自轉馬達 16、對向構件升降單元39、防護罩升降單元47、第一疏水化劑吸引裝置58、第二疏水化劑吸引裝置63、第一有機溶劑吸引裝置88、第二有機溶劑吸引裝置93等。此外，控制裝置3係依循預先設定的程式，驅動自轉馬達16、對向構件升降單元39、防護罩升降單元47等，並使第一疏水化劑吸引裝置58、第二疏水化劑吸引裝置63、第一有機溶劑吸引裝置88、第二有機溶劑吸引裝置93等的作動有效化。再者，控制裝置3係將藥液閥36、清洗液閥38、疏水化劑閥57、疏水化劑排液閥59、第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61、疏水化劑吸引閥62、第一氣體供給閥69、第二氣體供給閥71、有機溶劑供給配管84、有機溶劑閥87、有機溶劑排液閥89、有機溶劑吸引閥92等予以開閉。
表1係用以說明硬聯鎖(hard interlock)之圖。硬聯鎖係在依循被配方記憶部104保持之配方進行一連串的基板處理的過程中於各個步驟開始時被執行。在表1中僅顯示防護罩位置與閥的開閉動作之間的硬聯鎖。
○：容許開動作。
×禁止開動作。
在第一防護罩對向狀態中，容許藥液閥36以及清洗液閥38的開動作，但禁止第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61以及有機溶劑供給閥90的開動作。
在第二防護罩對向狀態中，容許第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61的開動作，但禁止藥液閥36、清洗液閥38以及有機溶劑供給閥90的開動作。藉由此種硬聯鎖，能防止在疏水化劑供給步驟E6(參照圖9)中有機溶劑被供給至基板W，能確實地防止在處理罩12內產生疏水化劑與有機溶劑的混合接觸。由於伴隨著疏水化劑與有機溶劑的混合接觸會有產生微粒(particle)之虞，因此藉由防止此種混合接觸而能事先防止微粒的產生。
在第三防護罩對向狀態中，容許有機溶劑供給閥90的開動作，但禁止藥液閥36、清洗液閥38、第一疏水化劑 供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61的開動作。藉由此種硬聯鎖，能防止在第一有機溶劑供給步驟E5(參照圖9)以及第二有機溶劑供給步驟E7(參照圖9)中疏水化劑被供給至基板W，能確實地防止在處理罩12內產生疏水化劑與有機溶劑的混合接觸。由於伴隨著疏水化劑與有機溶劑的混合接觸會有產生微粒之虞，因此藉由防止此種混合接觸而能事先防止微粒的產生。
圖8A係用以說明在處理單元2中所執行的處理的內容之流程圖。圖8B係用以顯示在處理單元2中藉由預配方107所執行的前處理的流程之流程圖。圖9係用以顯示在處理單元2中藉由製程配方106所執行的基板處理的流程之流程圖。圖10係用以顯示朝基板處理裝置1搬入基板W前之處理單元2的狀態之圖。圖11係用以說明排出吸引步驟T1(第二吸引步驟)之圖。圖12A係用以說明預分配步驟T2之圖。圖12B係用以說明填充步驟T3(待機位置配置步驟)之圖。圖13係用以說明第一有機溶劑供給步驟E5之圖。圖14係用以說明在第一有機溶劑供給步驟後所執行的甩離步驟之圖。圖15係用以說明疏水化劑供給步驟E6之圖。圖16係用以說明第二有機溶劑供給步驟E7之圖。圖17係用以說明旋乾步驟E8之圖。圖18係用以說明第一錯誤判定之流程圖。圖19係用以說明第二錯誤判定之流程圖。
參照圖8A至圖9，說明處理單元2所執行之基板處理例。適當地參照圖10至圖19。此外，基板處理例係可為 蝕刻處理，亦可為洗淨處理。
在一個或複數個處理單元2中針對一個批量所含有的複數片基板W(收容於一個基板收容器C(參照圖1)的複數片基板W)施予處理。當基板收容器C(參照圖1)被載置於基板處理裝置1的裝載埠LP(參照圖1)時，從主機電腦對控制裝置3發送用以顯示基板收容器C所含有的批量的資訊之基板資訊。主機電腦係用以統括設置於半導體製造工廠的複數個基板處理裝置之電腦。控制裝置3係依據從主機電腦發送的基板資訊，從配方記憶部104讀出與該批量對應的流動配方109。接著，依據流動配方109，依序地進行預配方控制、製程配方控制以及後配方控制。
首先，在各個處理單元2(參照圖1)執行依循了預配方107的控制，藉此進行前處理S1(參照圖8A)。
之後，反覆執行依循了製程配方106的控制，藉此收容於一個基板收容器C的基板W係不斷連續地被搬入至處理單元2，並在處理單元2中接受基板處理S2(參照圖8A)。
接著，依循了製程配方106的控制係被執行與收容於基板收容器C的基板的片數相等之預定次數，當結束一連串的預定次數的處理時，在各個處理單元2中執行依循了後配方108的控制，藉此執行後處理S3(參照圖8A)。省略針對後處理S3的說明。
說明前處理S1。
如圖10所示，在前次的基板處理S2(針對前一個基板W的基板處理S2)後，將疏水化劑的前端面F1配置於疏水 化劑待機位置P1，並將有機溶劑的前端面F2配置於有機溶劑待機位置(待機位置)P2。有機溶劑待機位置P2係於流通方向具有預定的寬度。
控制裝置3係在前處理S1中執行排出吸引步驟T1(參照圖8B)。
排出吸引步驟T1係包含有用以從疏水化劑配管51排出存在於疏水化劑配管51的內部的疏水化劑以及/或者從第一連接配管52排出存在於第一連接配管52的內部的疏水化劑之步驟(第二吸引步驟)。在從前次的基板處理S2結束後經過長期間之情形中，會有存在於疏水化劑配管51的內部以及/或者第一連接配管52的內部的疏水化劑失活(劣化)之虞。因此，構成為在基板處理S2之前使存在於疏水化劑配管51的疏水化劑從疏水化劑配管51排出，藉此不會將已失活的疏水化劑使用於基板處理S2。
如圖10所示，在排出吸引步驟T1中，控制裝置3係在關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥的狀態下開啟疏水化劑閥57以及疏水化劑吸引閥62。藉此，將疏水化劑吸引配管56的內部以及第一連接配管52的內部排氣，且殘留於疏水化劑配管51的內部的疏水化劑係通過第一連接配管52被吸入至疏水化劑吸引配管56。當所有的疏水化劑從疏水化劑配管51的內部、第一連接配管52的內部以及疏水化劑吸引配管56的內部排出時，控制裝置3係關閉疏水化劑吸引閥62以及疏水化劑閥57。能藉由該排出吸引步驟T1將存在於疏水化劑配管51的內部以及第 一連接配管52的內部中(因為濕度以及/或者氧的影響所導致)之已失活的疏水化劑從疏水化劑配管51以及第一連接配管52排出。由於使用由噴射器式的吸引裝置所構成的第二疏水化劑吸引裝置63進行排出吸引步驟T1，因此能將所有的疏水化劑從疏水化劑配管51以及第一連接配管52排出，且能在短時間內進行疏水化劑的排出動作。
此外，排出吸引步驟T1係包含有用以從有機溶劑配管81排出存在於有機溶劑配管81的內部的有機溶劑以及/或者從第二連接配管82排出存在於第二連接配管82的內部的有機溶劑之步驟(第二吸引步驟)。在從前次的基板處理S2結束後經過長期間之情形中，會有存在於有機溶劑配管81的內部以及/或者第二連接配管82的內部的有機溶劑失活(劣化)之虞。因此，構成為在基板處理S2之前使存在於有機溶劑配管81的有機溶劑從有機溶劑配管81排出，藉此不會將已失活的有機溶劑使用於基板處理S2。
在排出吸引步驟T1中，控制裝置3係在關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥的狀態下開啟有機溶劑閥87以及有機溶劑吸引閥92。藉此，將有機溶劑吸引配管86的內部以及第二連接配管82的內部排氣，且殘留於有機溶劑配管81的內部的有機溶劑係通過第二連接配管82被吸入至有機溶劑吸引配管86。當所有的有機溶劑從有機溶劑配管81的內部、第二連接配管82的內部以及有機溶劑吸引配管86的內部排出時，控制裝置3係關閉有機溶劑吸引閥92以及有機溶劑閥87。能藉由該排出吸引步驟T1將存在 於有機溶劑配管81的內部以及第二連接配管82的內部中(因為濕度以及/或者氧的影響所導致)之已失活的有機溶劑從有機溶劑配管81以及第二連接配管82排出。由於使用由噴射器式的吸引裝置所構成的第二有機溶劑吸引裝置93進行排出吸引步驟T1，因此能將所有的有機溶劑從有機溶劑配管81以及第二連接配管82排出，且能在短時間內進行有機溶劑的排出動作。
此外，在圖11的例子中，雖然顯示並行地進行來自疏水化劑供給配管54的疏水化劑之吸引與來自有機溶劑供給配管84的有機溶劑之吸引的情形，但是亦可以彼此不同的時序進行來自疏水化劑供給配管54的疏水化劑之吸引與來自有機溶劑供給配管84的有機溶劑之吸引。
在結束排出吸引步驟T1後，接著，控制裝置3係在前處理S1中執行預分配步驟T2(參照圖8B)。
預分配步驟T2係包含有用以從疏水化劑供給配管排出存在於疏水化劑供給配管(第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55)的內部的疏水化劑之步驟。在從前次的基板處理S2結束後經過長期間之情形中，會有存在於第一疏水化劑供給配管54的內部的第一疏水化劑原液失活(劣化)之虞，並且會有存在於第二疏水化劑供給配管55的內部的第二疏水化劑原液失活(劣化)之虞。因此，構成為在基板處理S2之前使存在於第一疏水化劑供給配管54的內部的第一疏水化劑原液以及存在於第二疏水化劑供給配管55的內部的第二疏水化劑原液從疏水化劑配 管51排出，藉此不會將已失活的第一疏水化劑原液以及第二疏水化劑原液使用於基板處理S2。
如圖12A所示，在預分配步驟T2中，控制裝置3係在關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥的狀態下開啟疏水化劑排液閥59以及疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)。藉此，將存在於第一疏水化劑供給配管54的內部的第一疏水化劑原液供給至疏水化劑排液配管53。藉由該預分配步驟T2，能將存在於第一疏水化劑供給配管54的內部中之已失活的第一疏水化劑原液以及存在第二疏水化劑供給配管55的內部中之已失活的第二疏水化劑原液從第一疏水化劑供給配管54的內部或第二疏水化劑供給配管55的內部排出。
在預分配步驟T2中，藉由第二感測器77(同時參照圖6以及圖12A)檢測從第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55被導引至疏水化劑排液配管53的疏水化劑的流量。如上所述，由於以疏水化劑配管51中的液體的流通時的壓損與疏水化劑排液配管53中的液體的流通時的壓損一致之方式藉由孔口72進行調整，因此能在預分配步驟T2中精度佳地取得在填充步驟T3中被供給至疏水化劑配管51的疏水化劑的流量。
控制裝置3係藉由第二感測器77的檢測來判斷填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1是否配置於疏水化劑待機位置P1(第一判斷步驟)。此外，控制裝置3係在已判斷成填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1未配置於疏水化劑 待機位置P1之情形中判定成錯誤(第一錯誤判定)。具體而言，控制裝置3係在第二感測器77所檢測到的疏水化劑的流量為預定的臨限值範圍外之情形中(圖18的步驟Q1為否)判定成錯誤(圖18的步驟Q2)後，執行錯誤處理(圖18的步驟Q3)。在第二感測器77所檢測到的疏水化劑的流量為預定的臨限值範圍外之情形(在步驟Q1中為否)中，在填充步驟T3中被供給至疏水化劑配管51的疏水化劑的流量係變成預定的流量範圍外。在第二感測器77所檢測到的疏水化劑的流量在預定的臨限值範圍內之情形(步驟Q1中為是)中，圖18的處理(子程序(subroutine)處理)係返回至呼叫源。
在填充步驟T3中，當被供給至疏水化劑配管51的疏水化劑的流量變成預定的流量範圍外時，會有無法正確地控制疏水化劑的前端面F1的位置之虞。在此情形中，在填充步驟T3中會有疏水化劑從噴出口33a滴落或者無法將填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1之虞。因此，在發生此種事態之情形中，不進行填充步驟T3(或者在已執行填充步驟T3的情形中中斷填充步驟T3)而是進行錯誤處理。
此外，預分配步驟T2係包含有用以從有機溶劑供給配管84排出存在於有機溶劑供給配管84的內部的有機溶劑之步驟。在從前次的基板處理S2結束後經過長期間之情形中，會有存在於有機溶劑配管81的內部的第一有機溶劑原液失活(劣化)之虞。因此，構成為在基板處理S2之前使 存在於有機溶劑供給配管84的內部的有機溶劑從有機溶劑配管81排出，藉此不會將已失活的有機溶劑使用於基板處理S2。
在預分配步驟T2中，控制裝置3係在關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥的狀態下開啟有機溶劑排液閥89以及有機溶劑供給閥90。藉此，如圖12A所示，將存在於有機溶劑供給配管84的內部的有機溶劑供給至有機溶劑排液配管83。藉由該預分配步驟T2，能將存在於有機溶劑供給配管84的內部中之已失活的有機溶劑從有機溶劑供給配管84的內部排出。此外，在圖12A的例子中，雖然顯示並行地進行來自疏水化劑供給配管54的疏水化劑之排液與來自有機溶劑供給配管84的有機溶劑之排液的情形，但是亦可以彼此不同的時序進行來自疏水化劑供給配管54的疏水化劑之排液與來自有機溶劑供給配管84的有機溶劑之排液。
在預分配步驟T2結束後，接著，控制裝置3係在前處理S1中執行填充步驟(待機位置配置步驟)T3(參照圖8B)。填充步驟T3係下述步驟：對疏水化劑配管51填充(供給)疏水化劑，藉此將疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。此外，在本實施形態中，在填充步驟T3中不進行對有機溶劑配管81填充(供給)有機溶劑。
具體而言，在填充步驟T3中，控制裝置3係在關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥的狀態下開啟疏水化劑閥57以及疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第 二疏水化劑供給閥61)。藉此，第一疏水化劑原液係從第一疏水化劑供給配管54流入至第一連接配管52，且第二疏水化劑原液係從第二疏水化劑供給配管55流入至第一連接配管52，並在第一連接配管52內混合從而產生疏水化劑。所產生的疏水化劑係通過疏水化劑配管51朝下游側移動。
當從疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)的開啟完成經過預定的期間時，控制裝置3係關閉疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)。藉此，如圖12B所示，疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。
此外，控制裝置3係與填充步驟T3並行地監視疏水化劑的前端面F1的位置。具體而言，控制裝置3係在藉由第一有無感測器65(第一感測器64)檢測出上限位置67a中存在疏水化劑且藉由第二有無感測器66(第一感測器64)檢測出下限位置67b中未存在疏水化劑的情形中判斷成疏水化劑的前端面F1已配置於疏水化劑待機位置P1(第一判斷步驟)。
控制裝置3係在已判斷成填充步驟T3後的實際的疏水化劑的前端面P1未配置於疏水化劑待機位置P1之情形中判定成錯誤(第二錯誤判定)。具體而言，控制裝置3係在藉由第一感測器64判斷成填充步驟T3後的實際的疏水化劑的前端面F1未位於疏水化劑待機位置P1之情形(圖19的步驟Q11中為否)中判定成錯誤(圖19的步驟Q12)後，執 行錯誤處理(圖19的步驟Q13)。在填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1之情形(圖19的步驟Q11中為是)中，圖19的處理(子程序處理)係返回至呼叫源。
當填充步驟T3結束時，前處理S1係結束。
接著，說明基板處理S2(參照圖8A)。關於基板處理S2的執行，從配方記憶部104(參照圖7)讀出的製程配方106係經常被參照。
在執行基板處理S2時，將未處理的基板W搬入至腔室4的內部(圖9的步驟E1)。具體而言，使正在保持基板W之搬運機器人CR的手部H進入至腔室4的內部，藉此在基板W的表面(器件(device)形成面)朝向上方的狀態下將基板W授受至自轉夾具5。之後，基板W係被自轉夾具5保持。
朝腔室4搬入基板W係在阻隔板21配置於退避位置的狀態下且在第一防護罩44至第三防護罩46配置於下位置的狀態下進行。
之後，控制裝置3係控制自轉馬達16使基板W開始旋轉(圖9的步驟E2)。基板W係上升至預先設定的液體處理速度(在約10rpm至1200rpm的範圍內，例如約1000rpm)並維持在該液體處理速度。此外，控制裝置3係控制對向構件升降單元39，將阻隔板21配置於接近位置。
此外，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，使第一防護罩44至第三防護罩46上升至上位置，藉此如圖13所 示使第一防護罩44與基板W的周端面對向(實現第一防護罩對向狀態)。
阻隔板21配置於接近位置後，接著，控制裝置3係進行用以對基板W的上表面供給藥液之藥液供給步驟E3(參照圖9)。控制裝置3係開啟藥液閥36，藉此從形成於阻隔板21的基板對向面21a之第一噴出口31a朝基板W的上表面中央部噴出藥液。被供給至基板W的上表面之藥液係接受基板W的旋轉所為之離心力移動至基板W的周緣部。藉此，使用藥液處理基板W的上表面的全域。
當從第一噴出口31a開始噴出藥液經過製程配方106規定的期間時，控制裝置3係關閉藥液閥36。
接著，控制裝置3係進行用以對基板W的上表面供給清洗液之清洗步驟E4(參照圖9)。控制裝置3係開啟清洗液閥38。藉此，從形成於阻隔板21的基板對向面21a之第一噴出口31a朝基板W的上表面中央部噴出清洗液。被供給至基板W的上表面之清洗液係接受基板W的旋轉所為之離心力並移動至基板W的周緣部。藉此，基板W的上表面上的藥液係被置換成清洗液。
當從第二噴出口32a開始噴出清洗液經過預先設定的期間時，控制裝置3係關閉清洗液閥38。藉此，停止從第二噴出口32a噴出清洗液，結束清洗步驟E4。
接著，控制裝置3係進行用以將存在於基板W的上表面的清洗液置換成有機溶劑(例如IPA)之第一有機溶劑供給步驟E5(參照圖9)。
具體而言，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，一邊將第三防護罩46維持於上位置一邊使第一防護罩44以及第二防護罩45下降並配置於下位置，藉此如圖13所示使第三防護罩46與基板W的周端面對向(實現第三防護罩對向狀態)。此時，防護罩的升降動作所需的時間係例如為1.5秒。
此外，控制裝置3係將基板W的旋轉維持於液體處理速度，並關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥且開啟有機溶劑閥87以及有機溶劑供給閥90。藉此，如圖13所示，從形成於阻隔板21的基板對向面21a之第四噴出口34a朝基板W的上表面中央部噴出有機溶劑。被供給至基板W的上表面之有機溶劑係接受基板W的旋轉所為之離心力並移動至基板W的周緣部。藉此，基板W的上表面上的清洗液係被有機溶劑置換。
此外，在第一次的基板處理S2(在處理單元2中針對收容於共通的基板收容器C(參照圖1)的基板W所實施之最初的基板處理S2)的第一有機溶劑供給步驟E5(以下亦有僅稱為「第一次的第一有機溶劑供給步驟E5」之情形)的有機溶劑噴出前，於有機溶劑配管81的內部、第二連接配管82的內部以及有機溶劑吸引配管86的內部未存在有機溶劑。這是由於在排出吸引步驟T1中從有機溶劑配管81的內部、第二連接配管82的內部以及有機溶劑吸引配管86的內部排出所有的有機溶劑之故。
另一方面，在第二次以後的基板處理S2的第一有機溶 劑供給步驟E5(以下亦有僅稱為「第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5」之情形)的有機溶劑的噴出前，將有機溶劑配管81的有機溶劑的前端面F2配置於有機溶劑待機位置P2。因此，在第一次的第一有機溶劑供給步驟E5與第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5之間，在第一有機溶劑供給步驟E5開始時開啟有機溶劑供給閥90(以及有機溶劑閥87)後直至從第四噴出口34a噴出有機溶劑為止之間的期間係不同。通常，由於從有機溶劑供給閥90的開啟完成才開始第一有機溶劑供給步驟E5的處理期間的計時，因此當有機溶劑閥87開啟後直至從第四噴出口34a噴出有機溶劑為止之間的期間不同時，會有實際的有機溶劑供給時間在每個基板W產生偏差從而導致處理在每個基板W產生偏差之虞。
在本實施形態中，為了將第一次的有機溶劑供給步驟E5以及第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5雙方的實際的供給時間保持一定，將第一次的第一有機溶劑供給步驟E5中的有機溶劑供給閥90的開啟完成時序設定成比預定的時序(第一次的第一有機溶劑供給步驟E5中的有機溶劑供給閥90的開啟完成時序)還快數秒(例如三秒)。亦即，在第一次的第一有機溶劑供給步驟E5中，控制裝置3係在第一有機溶劑供給步驟E5開始前(亦即防護罩高度的變更前)開啟有機溶劑供給閥90(先提供有機溶劑)。
如上所述，參照圖7B，在第一防護罩對向狀態中，容許藥液閥36、清洗液閥38、有機溶劑供給閥90、第一疏 水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61的開動作。因此，可從第一有機溶劑供給步驟E5開始前(亦即防護罩高度的變更前)開啟有機溶劑供給閥90(能實現先提供有機溶劑)。
此外，在第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5之情形中，第一有機溶劑吸引裝置88處於有效化狀態。因此，在第一有機溶劑供給步驟E5開始後，控制裝置3係開啟第一有機溶劑吸引裝置88用的第二氣體供給閥(相當於第二氣體供給閥71)且關閉第一有機溶劑吸引裝置88用的第二洩漏閥。藉此，對第一有機溶劑吸引裝置88的內部供給氣體，藉此第一有機溶劑吸引裝置88的作動被無效化，被第一有機溶劑吸引裝置88吸引的少量的有機溶劑係被噴出至有機溶劑配管81。
在第一有機溶劑供給步驟E5中，當從第四噴出口34a開始噴出有機溶劑經過製程配方106規定的期間時，控制裝置3係關閉有機溶劑閥87以及有機溶劑供給閥90。藉此，如圖14所示，停止從第四噴出口34a噴出有機溶劑。此外，控制裝置3係在保持關閉有機溶劑閥87的狀態下將第一有機溶劑吸引裝置88的作動有效化。如圖14所示，有機溶劑配管81中之比第一有機溶劑吸引裝置88的夾設部分還下游側部分的內部係被排氣，殘留於該下游側部分的內部的有機溶劑係被吸入至第一有機溶劑吸引裝置88的內部(藉由膜片的驅動而擴張的區域)。第一有機溶劑吸引裝置88的吸引量係以有機溶劑的前端面F2後退至設定 於第二左右方向部分81b內的預定的有機溶劑待機位置P2之方式制定。此時的有機溶劑的吸引量約0.1毫升至1毫升。當有機溶劑的前端面F2後退至有機溶劑待機位置P2時，控制裝置3係關閉有機溶劑供給閥90(以及有機溶劑閥87)。藉此，將有機溶劑的前端面F2配置於有機溶劑待機位置P2。
因應停止從第四噴出口34a噴出有機溶劑，結束第一有機溶劑供給步驟E5。
接著，如圖14所示，控制裝置3係進行用以甩離存在於基板W的上表面的有機溶劑之甩離步驟。具體而言，控制裝置3係控制自轉馬達16，使基板W加速至比藥液供給步驟E3至第一有機溶劑供給步驟E5的各個步驟中的旋轉速度還大的甩離旋轉速度(例如數千rpm)，並以此乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著於基板W的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W去除有機溶劑。
接著，控制裝置3係進行用以將存在於基板W的上表面的有機溶劑置換成液體的疏水化劑之疏水化劑供給步驟E6(參照圖9)。具體而言，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，一邊將第三防護罩46維持於上位置一邊使第二防護罩45上升並配置於上位置，藉此如圖15所示使第二防護罩45與基板W的周端面對向(實現第二防護罩對向狀態)。此時的升降動作所需的時間係例如為1.5秒。
此外，控制裝置3係將阻隔板21維持於接近位置，一 邊關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥一邊開啟疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)以及疏水化劑閥57。
剛進行過的第一有機溶劑供給步驟E5不論是第一次的第一有機溶劑供給步驟E5還是第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5，在疏水化劑供給步驟E6開始前疏水化劑的前端面F1係配置於疏水化劑待機位置P1。
此外，為第二次以後的第一有機溶劑供給步驟E5之情形中，第一疏水化劑吸引裝置58係處於有效化狀態。因此，控制裝置3係於疏水化劑供給步驟E6開始後開啟第二氣體供給閥71並關閉第二洩漏閥。藉此，對第一疏水化劑吸引裝置58的內部供給氣體。結果，第一疏水化劑吸引裝置58的作動被無效化，被吸引至第一疏水化劑吸引裝置58的少量的疏水化劑係被噴出至疏水化劑配管51。
藉由疏水化劑供給閥(第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)以及疏水化劑閥57的開放，疏水化劑供給配管(第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55)的疏水化劑係經由第一連接配管52被供給至疏水化劑配管51。藉此，如圖15所示，從形成於阻隔板21的基板對向面21a之第三噴出口33a朝基板W的上表面中央部噴出疏水化劑。被供給至基板W的上表面的疏水化劑係接受基板W的旋轉所為之離心力而移動至基板W的周緣部。藉此，基板W的上表面上的有機溶劑係被疏水化劑置換。
在疏水化劑供給步驟E6中，當從第三噴出口33a開始噴出疏水化劑經過製程配方106規定的期間時，控制裝置3係關閉疏水化劑閥57、第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61。藉此，如圖16所示，停止從第三噴出口33a噴出疏水化劑。此外，控制裝置3係在保持關閉疏水化劑閥57的狀態下開啟第一氣體供給閥69。如圖16所示，疏水化劑配管51中之比第一疏水化劑吸引裝置58的夾設部分還下游側部分的內部係被排氣，殘留於該下游側部分的內部的疏水化劑係被吸入至第一疏水化劑吸引裝置58的內部(藉由膜片的驅動而擴張的區域)。第一疏水化劑吸引裝置58的吸引量係以疏水化劑的前端面F1後退至設定於第一左右方向部分51b內的預定的疏水化劑待機位置P1之方式制定。此時的疏水化劑的吸引量約0.1毫升至1毫升。藉此，將疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。
因應停止從第三噴出口33a噴出疏水化劑，結束疏水化劑供給步驟E6。
接著，控制裝置3係進行用以將存在於基板W的上表面的清洗液置換成有機溶劑(例如IPA)之第二有機溶劑供給步驟E7(參照圖9)。
具體而言，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，一邊將第三防護罩46維持於上位置一邊使第二防護罩45下降並配置於下位置，藉此如圖16所示使第三防護罩46與基板W的周端面對向(實現第三防護罩對向狀態)。此時， 防護罩的升降動作所需的時間係例如為1.5秒。
此外，控制裝置3係將基板W的旋轉維持於液體處理速度，並關閉有機溶劑供給單元11中的其他的閥且開啟有機溶劑閥87以及有機溶劑供給閥90。藉此，從形成於阻隔板21的基板對向面21a之第四噴出口34a朝基板W的上表面中央部噴出有機溶劑。被供給至基板W的上表面之有機溶劑係接受基板W的旋轉所為之離心力並移動至基板W的周緣部。藉此，基板W的上表面上的疏水化劑係被有機溶劑置換。
此外，於第二有機溶劑供給步驟E7開始後，停止驅動第一有機溶劑吸引裝置88。藉此，被第一有機溶劑吸引裝置88吸引的少量的有機溶劑係被噴出至有機溶劑配管81。
在第二有機溶劑供給步驟E7中，當從第四噴出口34a開始噴出有機溶劑經過製程配方106規定的期間時，控制裝置3係關閉有機溶劑閥87以及有機溶劑供給閥90。藉此，停止從第四噴出口34a噴出有機溶劑。此外，控制裝置3係在保持關閉有機溶劑閥87的狀態下將第一有機溶劑吸引裝置88的作動有效化。有機溶劑配管81中之比第一有機溶劑吸引裝置88的夾設部分還下游側部分的內部係被排氣，殘留於該下游側部分的內部的有機溶劑係被吸入至第一有機溶劑吸引裝置88的內部(藉由膜片的驅動而擴張的區域)。第一有機溶劑吸引裝置88的吸引量係以有機溶劑的前端面F2後退至設定於第二左右方向部分81b內的 預定的有機溶劑待機位置P2之方式制定。此時的有機溶劑的吸引量約0.1毫升至1毫升。當有機溶劑的前端面F2後退至有機溶劑待機位置P2時，控制裝置3係關閉有機溶劑供給閥90(以及有機溶劑閥87)。藉此，將有機溶劑的前端面F2配置於有機溶劑待機位置P2。
因應停止從第四噴出口34a噴出有機溶劑，結束第二有機溶劑供給步驟E7。
接著，進行用以使基板W乾燥之旋乾步驟E8(參照圖9)。具體而言，控制裝置3係在阻隔板21已配置於接近位置的狀態下控制自轉馬達16，使基板W加速至比藥液供給步驟E3至第二有機溶劑供給步驟E7的各個步驟中的旋轉速度還大的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)，並以此乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，大的離心力施加至基板W上的液體，附著於基板W的液體係被甩離至基板W的周圍。如此，從基板W去除液體而使基板W乾燥。
當從基板W的加速經過預先設定的期間時，控制裝置3係控制自轉馬達16，藉此使自轉夾具5停止旋轉基板W(圖9的步驟E9)。之後，控制裝置3係控制對向構件升降單元39，使阻隔板21上升並配置於退避位置。此外，控制裝置3係控制防護罩升降單元47，使第一防護罩44以及第二防護罩45下降並使所有的防護罩從基板W的周端面退避至下方。
之後，從腔室4內搬出基板W(圖9的步驟E10)。具體而言，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部進入至腔室4 的內部。接著，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部保持自轉夾具5上的基板W。之後，控制裝置3係使搬運機器人CR的手部從腔室4內退避。藉此，從腔室4搬出處理後的基板W。
如上所述，依據本實施形態，吸引步驟係包含有：用以將疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1之步驟(第一吸引步驟，用以進行防止滴落之吸引)；以及排出吸引步驟T1(第二吸引步驟)，係將疏水化劑配管51的內部、第一連接配管52的內部以及疏水化劑吸引配管56的內部的所有的疏水化劑排除(使疏水化劑的前端面F1後退至比至少第一連接配管52的上游端(連接有疏水化劑吸引配管56的部分)還上游側(疏水化劑吸引配管56側))。而且，在排出吸引步驟T1之後所進行的填充步驟T3(待機位置配置步驟)中將疏水化劑供給至疏水化劑吸引配管56，藉此使疏水化劑的前端面F1前進，並使該疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。因此，即使在執行這些吸引中的任一者之情形中，亦能在後續噴出疏水化劑之前將疏水化劑的前端面F1配置於屬於共通的待機位置之疏水化劑待機位置P1。藉此，不論用以吸引疏水化劑吸引配管56的內部之吸引步驟的種類為何，皆能在開啟疏水化劑閥57以及/或者疏水化劑供給閥後以共通的時序從第三噴出口33a噴出疏水化劑。因此，能對基板W施予使用了疏水化劑之均勻的處理。
尤其是在本實施形態的疏水化劑供給步驟E6中，當 朝基板W的上表面(表面)供給之疏水化劑中斷時，會有導致基板W的上表面(表面)乾燥從而產生圖案崩壞之虞。然而，在本實施形態中，在以共通的時序從第三噴出口33a噴出疏水化劑之疏水化劑供給步驟E6中幾乎不存在未進行疏水化劑的供給之期間。因此，在疏水化劑供給步驟E6中，能抑制因為促進基板W的上表面(表面)的乾燥導致圖案崩壞。
此外，在疏水化劑供給步驟E6中實現第二防護罩對向狀態。在該第二防護罩對向狀態中，雖然容許第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61的開動作，但是禁止藥液閥36、清洗液閥38以及有機溶劑供給閥90的開動作。藉由此種硬聯鎖，能確實地防止在處理罩12內產生疏水化劑與有機溶劑的混合接觸，因此能事先防止微粒的產生。
尤其在本實施形態中，如上所述，參照圖7B，在第三防護罩對向狀態中禁止第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61的開動作。因此，無法從疏水化劑供給步驟E6開始前(亦即防護罩高度的變更前)開啟第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61。亦即，無法進行在第一有機溶劑供給步驟E5中所進行之先提供處理液(先提供疏水化劑)。
即使是在此種硬聯鎖已經有效地發揮作用之情形中，亦能在前處理S1中於排出吸引步驟T1之後執行填充步驟T3，藉此能在疏水化劑供給步驟E6開始前預先將疏水化 劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。
此外，與填充步驟T3並行地藉由第一感測器64檢測疏水化劑的前端面F1的位置是否已配置於疏水化劑待機位置P1。與填充步驟T3並行地藉由第一感測器64實際地檢測疏水化劑的前端面F1的位置，藉此能精度佳地檢測填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1是否位於疏水化劑待機位置P1。
此外，設置有用以檢測在填充步驟T3中被供給至第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55之疏水化劑(疏水化劑原液)的流量之第二感測器77。由於以疏水化劑配管51中的液體的流通時的壓損與疏水化劑排液配管53中的液體的流通時的壓損一致之方式藉由孔口72進行調整，因此能在預分配步驟T2中藉由第二感測器77檢測從第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55導引至疏水化劑排液配管53的疏水化劑的流量，藉此能精度佳地取得在填充步驟T3中被供給至第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55的疏水化劑的流量。只要能正確地把握填充步驟T3中的疏水化劑的流量，即能管理填充步驟T3中的疏水化劑的填充時間，藉此能精度佳地控制填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1。藉此，能精度佳地檢測填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1是否位於疏水化劑待機位置P1。
圖22係用以說明本發明第二實施形態的疏水化劑供給單元210的詳細構成之圖。
在第二實施形態中，於與前述第一實施形態共通的部分附上與圖1至圖19之情形相同的元件符號並省略說明。
與第一實施形態的疏水化劑供給單元10(參照圖6)的第一個差異點在於：第二實施形態的疏水化劑供給單元210係廢棄由膜片式的吸引裝置所構成的第一疏水化劑吸引裝置58。再者，疏水化劑供給單元210係具備有可調整吸引力之第二疏水化劑吸引裝置263作為第二疏水化劑吸引裝置，以取代不能調整吸引力之第二疏水化劑吸引裝置63。
疏水化劑供給單元210係包含有：疏水化劑配管(處理液配管)251，係連接至第三噴嘴配管33；疏水化劑閥257，係用以將疏水化劑配管251予以開閉；以及第一連接配管52。疏水化劑配管251係除了第一左右方向部分51b中的至少疏水化劑待機位置P1的周圍的部分具有透明性此點與疏水化劑配管51(參照圖6)不同之外，其餘方面係與疏水化劑配管51共通。
此外，疏水化劑供給單元210係包含有疏水化劑排液閥59、第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61以及疏水化劑吸引閥62。藉由這些第一連接配管52、疏水化劑閥257、疏水化劑排液閥59、第一疏水化劑供給閥60、第二疏水化劑供給閥61以及疏水化劑吸引閥62構成閥單元V。
除了包含於疏水化劑供給單元210之疏水化劑排液閥59之外，未於疏水化劑閥257夾設有用以將疏水化劑配管 251予以開閉之閥(包含針閥)。此外，如上所述，未於疏水化劑配管251夾設有第一疏水化劑吸引裝置58。亦即，於疏水化劑配管251中之閥單元V與中心軸噴嘴7之間的部分未存在有閥以及膜片式的吸引裝置。當於疏水化劑配管251中之閥單元V與中心軸噴嘴7之間的部分存在有閥以及/或者膜片式的吸引裝置時，會產生下述問題。亦即，會有在閥的內部流路以及膜片式的吸引裝置的內部流路中處理液(疏水化劑)的液密狀態中斷之虞。在此情形中，會有在該內部流路中產生液體殘留之情形。因此，即使在疏水化劑配管251的內部的處理液吸引後，亦會有於疏水化劑配管251的內部(亦即內部流路)產生液體殘留之虞。
然而，在本實施形態中，於疏水化劑配管251中之閥單元V與中心軸噴嘴7之間未存在有閥以及膜片式的吸引裝置。因此，能在疏水化劑配管251的內部的處理液的吸引後確實地防止疏水化劑配管251的內部(亦即內部流路)中產生液體殘留。
第二疏水化劑吸引裝置263係噴射器式的吸引裝置。第二疏水化劑吸引裝置263係包含有：減壓狀態產生器(真空產生器)263A，係藉由壓縮流體的供給產生減壓狀態；流體供給配管275，係對減壓狀態產生器263A供給壓縮流體；以及電動氣動調節器(electric pneumatic regulator)276，係用以將流體供給配管275的管路予以開閉以及用以將流體供給配管275的管路的開度予以變更。在第二疏水化劑吸引裝置263的電源導通狀態中，開啟電動氣動調節器276而 使流體於流體供給配管275內流動，藉此將第二疏水化劑吸引裝置263的內部減壓。藉此，吸引疏水化劑吸引配管(吸引配管)56的內部。亦即，第二疏水化劑吸引裝置263的作動被有效化。
此外，藉由電動氣動調節器276調整流體供給配管275的開度，藉此調整減壓狀態產生器263A所產生的減壓比例(第二疏水化劑吸引裝置263的內部的減壓比例)。具體而言，當流體供給配管275的開度大時，減壓狀態產生器263A所產生之減壓比例變大。因此，藉由電動氣動調節器276調整流體供給配管275的開度，藉此調整減壓狀態產生器263A所產生的減壓比例。電動氣動調節器276係能無段式地調整流體供給配管275的開度。因此，無段式地調整減壓狀態產生器263A所產生的減壓比例。
控制裝置3係依循預先設定的程式進一步控制減壓狀態產生器263A的驅動。此外，控制裝置3係控制電動氣動調節器276的開閉以及開度。
在排出吸引步驟T1(參照圖11)中，控制裝置3係開啟電動氣動調節器276並將電動氣動調節器276的開度設定成大的第一開度。藉此，對減壓狀態產生器263A供給大流量的壓縮流體，故第二疏水化劑吸引裝置263的內部的減壓比例大。在此狀態下，控制裝置3係關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥並開啟疏水化劑閥257以及疏水化劑吸引閥62。藉此，將疏水化劑吸引配管56的內部以及第一連接配管52的內部大幅度地排氣，並對殘留於疏水化 劑配管251的內部的疏水化劑作用有大的吸引力，且該疏水化劑係通過第一連接配管52被吸入至疏水化劑吸引配管56。從疏水化劑配管251的內部、第一連接配管52的內部以及疏水化劑吸引配管56的內部將所有的疏水化劑排出後，控制裝置3係關閉疏水化劑吸引閥62以及疏水化劑閥257。
在疏水化劑供給步驟E6(參照圖15)結束時，關閉疏水化劑閥57、第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61。藉此，停止從第三噴出口33a噴出疏水化劑。此時，控制裝置3係開啟電動氣動調節器276並將電動氣動調節器276的開度設定成比第一開度還小的第二開度。藉此，對減壓狀態產生器263A供給小流量的壓縮流體，故第二疏水化劑吸引裝置263的內部的減壓比例小。在此狀態下，控制裝置3係關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥並開啟疏水化劑閥257以及疏水化劑吸引閥62。藉此，將疏水化劑吸引配管56的內部以及第一連接配管52的內部小幅度地排氣，並對殘留於疏水化劑配管251的內部的疏水化劑作用有小的吸引力，且該疏水化劑係通過第一連接配管52被吸入至疏水化劑吸引配管56。當疏水化劑的前端面F1後退至設定於第一左右方向部分51b內之預定的疏水化劑待機位置P1時，控制裝置3係關閉疏水化劑吸引閥62以及疏水化劑閥257。藉此，將疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1(參照圖15)。
在填充步驟T3(參照圖12B)中，控制裝置3係開啟電 動氣動調節器276並將電動氣動調節器276的開度設定成第一開度與第二開度之間的第三開度。藉此，對減壓狀態產生器263A供給中流量的壓縮流體，故第二疏水化劑吸引裝置263的內部被減壓成中程度。在此狀態下，控制裝置3係關閉疏水化劑供給單元10中的其他的閥並開啟疏水化劑閥257以及疏水化劑吸引閥62。藉此，將疏水化劑吸引配管56的內部以及第一連接配管52的內部中程度地排氣，且對被供給至疏水化劑配管251的內部的疏水化劑作用有中程度的吸引力(比排出吸引步驟T1中的吸引力還小且比疏水化劑供給步驟E6結束時的吸引力還大的吸引力)。
亦即，與填充步驟T3並行地吸引疏水化劑配管251的內部(並行吸引步驟)。被供給(填充)至疏水化劑配管251的疏水化劑係接受預定的供給壓力。對在疏水化劑配管251內朝第三噴出口33a移動之疏水化劑作用有與疏水化劑的移動方向相反方向的吸引力。由於作用於疏水化劑吸引配管56的內部之吸引力相對性較大，因此能使在疏水化劑配管251內移動之疏水化劑充分地減速。
在此情形中，電動氣動調節器276的第三開度亦可為以在疏水化劑的前端面F1位於疏水化劑待機位置P1的狀態下作用於疏水化劑的吸引力與供給壓力持平之方式設定。在此情形中，能在填充步驟T3中使疏水化劑的前端面F1自動地停止在疏水化劑待機位置P1。
此外，填充步驟T3中的疏水化劑的前端面F1停止於 疏水化劑待機位置P1並未限定於自動停止。亦可構成為管理隨著疏水化劑配管251內的吸引而減速的疏水化劑的填充時間或者藉由與疏水化劑待機位置P1相關地設置的感測器檢測前端面F1，藉此使前端面F1停止於疏水化劑待機位置P1。
與第一實施形態的疏水化劑供給單元10(參照圖6)的第二個差異點在於：第二實施形態的疏水化劑供給單元210係廢棄用以檢測疏水化劑(處理液)的前端面之第一感測器64，取而代之的是設置攝影機264。
攝影機264係包含有：透鏡，係使疏水化劑配管251中的疏水化劑待機位置P1及其周圍的光學影像成像；拍攝元件，係將藉由透鏡所成像的光學影像轉換成電性訊號；以及拍攝電路，係依據轉換的電性訊號產生影像訊號並發送至控制裝置3。由於疏水化劑配管251中的至少疏水化劑待機位置P1的周圍的部分具有透明性，因此此點於疏水化劑配管51(參照圖6)不同，而其餘的點則能在疏水化劑待機位置P1的周圍中良好地拍攝疏水化劑的前端面F1。
拍攝元件係包含有CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合元件)成像感測器(imaging sensor)、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor；互補式金屬氧化物半導體)成像感測器等。攝影機264亦可為一秒內可以10張至100張左右的速度拍攝之一般的攝影機。然而，攝影機264亦可為一秒內可以數千張至數萬張的速度拍攝之高速度攝影機。
控制裝置3係依據從攝影機264的拍攝電路提供的影像訊號來調查疏水化劑的前端面F1。
在填充步驟T3中，藉由攝影機264拍攝疏水化劑的前端面F1。接著，藉由攝影機264的拍攝結果判斷疏水化劑的前端面F1是否位於疏水化劑待機位置P1。藉此，能精度佳地檢測疏水化劑的前端面F1配置於疏水化劑待機位置P1。
在第二實施形態的說明中，已說明了將廢棄由膜片式的吸引裝置所構成的吸引裝置(第一疏水化劑吸引裝置58)取而代之的是具備有可調整吸引力之吸引裝置(第二疏水化劑吸引裝置263)之設計以及廢棄用以檢測處理液(疏水化劑)的前端面之感測器(第一感測器64)取而代之的是設置攝影機(攝影機264)之設計應用於疏水化劑供給單元210之情形。然而，亦可將這些特徵應用於有機溶劑供給單元11。
此外，亦可不同時應用廢棄由膜片式的吸引裝置所構成的吸引裝置取而代之的是具備有可調整吸引力之吸引裝置之設計以及廢棄用以檢測處理液的前端面之感測器取而代之的是設置攝影機之設計這兩種設計，而是僅應用其中一種設計。
圖24係用以說明本發明第三實施形態的疏水化劑供給單元310的詳細構成之圖。
在第三實施形態中，於與前述第一實施形態以及第二實施形態共通的部分分別附上與圖1至圖19之情形以及圖 22及圖23之情形相同的元件符號並省略說明。
與第一實施形態的疏水化劑供給單元10(參照圖6)不同的第一個差異點在於：第三實施形態的疏水化劑供給單元310係廢棄由膜片式的吸引裝置所構成的第一疏水化劑吸引裝置58。另外，疏水化劑供給單元310係具備有可調整吸引力之第二疏水化劑吸引裝置263作為第二疏水化劑吸引裝置，以取代無法調整吸引力之第二疏水化劑吸引裝置63。由於此方面與第二實施形態的疏水化劑供給單元210(參照圖22)共通，因此省略說明。
與第二實施形態的疏水化劑供給單元10(參照圖6)不同的第二個差異點在於：第三實施形態的疏水化劑供給單元310係廢棄用以檢測疏水化劑(處理液)的前端面之第一感測器64，取而代之的是設置用以檢測疏水化劑(處理液)的前端面之第三感測器364。
第三感測器364係與疏水化劑配管51的第一左右方向部分51b的管壁相關地配置。第三感測器364係包含有配置於下游側之第一液面感測器365以及配置於上游側之第二液面感測器366。第一液面感測器365以及第二液面感測器366係設定於比疏水化劑待機位置P1還上游側。
在本實施形態中，疏水化劑待機位置P1係設定於第一左右方向部分51b的下游端的附近。將疏水化劑待機位置P1設定於此種位置乃是基於下述理由。亦即，當疏水化劑待機位置P1與第三噴出口33a之間的間隔相隔大時，疏水化劑待機位置P1與第三噴出口33a之間的空間包含有灰塵 以及塵埃的蓋然性變高。因此，較佳為疏水化劑待機位置P1與第三噴出口33a之間的間隔儘可能地短。
另一方面，在已將疏水化劑待機位置P1設定於第一左右方向部分51b的下游端的附近之情形中，當疏水化劑的前端面超出疏水化劑待機位置P1時，會有疏水化劑的前端面到達第一上下方向部分51a之虞。在此情形中，會有疏水化劑從第三噴出口33a落液(亦即滴落)之可能性。為了防止此種疏水化劑的落液並將疏水化劑待機位置P1與第三噴出口33a之間的間隔設定成較短，需要將疏水化劑的前端面精度佳地配置於疏水化劑待機位置P1。
第一液面感測器365以及第二液面感測器366係隔著間隔L1配置於流通方向。此外，第一液面感測器365係與疏水化劑待機位置P1隔著間隔L2配置於流通方向。
第一液面感測器365係檢側設定於下游側的第一檢測位置P11中是否存在疏水化劑。第二液面感測器366係檢側設定於上游側的第二檢測位置P12中是否存在疏水化劑。第一液面感測器365以及第二液面感測器366係例如為液體偵測用的光纖感測器。第一液面感測器365以及第二液面感測器366係直接配置或接近配置於疏水化劑配管51的外周壁。第一液面感測器365以及第二液面感測器366亦可例如由電容量型的感測器所構成。
在填充步驟T3(參照圖12B)中，隨著疏水化劑的填充(供給)，疏水化劑配管51的內部的疏水化劑的前端面係從上游側朝下游側移動。在此情形中，在疏水化劑的前端面 已退避至比第二檢測位置P12還上游側之情形中，第一液面感測器365以及第二液面感測器366雙方不會檢測疏水化劑。此外，在疏水化劑前進且疏水化劑的前端面已到達第二檢測位置P12之情形中，雖然第一液面感測器365不會檢測疏水化劑，但第二液面感測器366會檢測疏水化劑。此外，在疏水化劑前進且疏水化劑的前端面已到達第一檢測位置P11之情形中，第一液面感測器365以及第二液面感測器366雙方係檢測疏水化劑。第一液面感測器365以及第二液面感測器366係將檢測輸出輸送至控制裝置3。
在填充步驟T3(參照圖12B)中，控制裝置3係監視第一液面感測器365以及第二液面感測器366的檢測輸出。
當第二液面感測器366的檢測輸出從關斷(OFF)狀態變成導通狀態時，控制裝置3係記憶此時的時序。亦即，控制裝置3係記憶疏水化劑的前端面已通過下游側的第二檢測位置P12的時序。
此外，控制裝置3係在第一液面檢測器365的檢測輸出從關斷狀態變成導通狀態(疏水化劑的前端面已通過第一檢測位置P11的時序)時，藉由運算求出疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11的速度。具體而言，控制裝置3係依據疏水化劑的前端面從第二檢測位置P12移動至第一檢測位置P11所需的時間以及第二檢測位置P12與第一檢測位置P11之間的距離(間隔L1)，運算疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11的速度。此外，控制裝置3係依據運算結果算出疏水化劑的前端面到達設置於比第一檢測位 置P11還接近間隔L2的前方之疏水化劑待機位置P1的時序。接著，控制裝置3係以算出時序使疏水化劑閥57(以及/或者第一疏水化劑供給閥60以及第二疏水化劑供給閥61)停止。
依據第三實施形態，依據疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11之通過時序以及疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11之速度，將疏水化劑的前端面配置於疏水化劑待機位置P1。因此，能將疏水化劑的前端面精度佳地配置於疏水化劑待機位置P1。因此，能防止疏水化劑的落液並將疏水化劑待機位置P1與第三噴出口33a之間的間隔設定成較短。藉此，能良好地抑制或防止塵埃及灰塵混入至被供給至基板W的疏水化劑。
此外，由於能將疏水化劑的前端面精度佳地配置於疏水化劑待機位置P1，因此能謀求被供給至基板W的疏水化劑的量的最佳化。因此，能對基板W良好地施予疏水化處理，且能抑制基板W間的疏水化處理的偏差。
在本第三實施形態中，藉由控制裝置3、第一液面感測器365以及第二液面感測器366構成速度檢測單元。依據疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11之通過時序以及疏水化劑的前端面通過第二檢測位置P12之通過時序，檢測疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11的速度。藉此，無須設置速度感測器等即能以簡單的構成檢測疏水化劑的前端面通過第一檢測位置P11的速度。
然而，亦可另外設置用以檢測疏水化劑的前端面通過 第一檢測位置P11的速度之速度感測器。
在第三實施形態的說明中，例舉廢棄由膜片式的吸引裝置所構成的吸引裝置(第一疏水化劑吸引裝置58)取而代之的是具備可調整吸引力之吸引裝置(第二疏水化劑吸引裝置263)之情形。然而，亦可如第一實施形態般，構成為設置由膜片式的吸引裝置所構成的吸引裝置(第一疏水化劑吸引裝置58)。
此外，在第三實施形態中，已說明了應用於疏水化劑供給單元310之情形。然而，亦可將該特徵應用於有機溶劑供給單元11。
以上，雖然已說明本發明的三個實施形態，但本發明亦可以其他的形態實施。
例如，在前述各個實施形態中，已說明設定成藉由屬於流量調整單元的孔口72所為之調整使液體於疏水化劑配管51流動時的壓損與液體於疏水化劑排液配管53流動時的壓損變成相等。然而，只要液體於疏水化劑配管51流動時的壓損與液體於疏水化劑排液配管53流動時的壓損具有一定的關係且該關係能藉由控制裝置3掌握，則液體於疏水化劑配管51流動時的壓損與液體於疏水化劑排液配管53流動時的壓損亦可不一定要相等。
此外，在前述各個實施形態中，雖然例舉流量調整單元為孔口72之情形，但流量調整單元亦可為如圖20所示的固定針201，或亦可為如圖21所示的馬達針202。
此外，在前述各個實施形態中，流量調整單元不一定 需要夾設於疏水化劑排液配管53，只要夾設於疏水化劑排液配管53以及疏水化劑排液供給配管(第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55)中的至少一者即可。
此外，第二感測器77不一定需要夾設於疏水化劑排液供給配管(第一疏水化劑供給配管54以及第二疏水化劑供給配管55)，只要夾設於疏水化劑排液配管53以及疏水化劑排液供給配管中的至少一者即可。
此外，在前述各個實施形態中，已例舉第一感測器64包含有第一有無感測器65以及第二有無感測器66這兩個感測器。然而，第一感測器64亦可為用以檢測疏水化劑的前端面F1的位置之液面感測器。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已例舉控制裝置3執行下述兩個步驟之情形，但亦可執行這兩個步驟中的至少一個步驟即可，這兩個步驟為：與填充步驟T3並行地，藉由第一感測器64判斷疏水化劑的前端面F1是否位於疏水化劑待機位置P1(第一步驟)；以及依據用以檢測在填充步驟T3中被供給至疏水化劑配管51的疏水化劑的流量之第二感測器77的檢測結果，判斷填充步驟T3後的疏水化劑的前端面F1是否配置於疏水化劑待機位置P1(第二判斷步驟)。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已說明控制裝置3判斷成於填充步驟T3後疏水化劑的前端面F1未配置於疏水化劑待機位置P1時通報錯誤且進行錯誤處理，但亦可 不通報錯誤且不進行錯誤處理，而是將於填充步驟T3後疏水化劑的前端面F1未配置於疏水化劑待機位置P1之要旨記錄於記憶單元102所保持的日誌檔(logfile)。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已說明在前處理S1中執行排出吸引步驟T1以及填充步驟T3雙方，但亦可構成為在前處理S1中執行排出吸引步驟T1並在後處理S3中執行填充步驟T3。此外，亦可構成為在後處理S3中執行排出吸引步驟T1以及填充步驟T3雙方。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已說明在排出吸引步驟T1與填充步驟T3之間執行預分配步驟T2，但亦可省略預分配步驟T2。
此外，在前述第一實施形態中，雖然已例舉膜片式的吸引裝置作為第一吸引裝置的一例的第一疏水化劑吸引裝置58，但亦可採用虹吸式的吸引裝置來取代。虹吸式的吸引裝置係具有配管，並在以液體充滿該配管的內部的狀態下利用虹吸的原理吸引(排液)疏水化劑配管51的內部的疏水化劑。在虹吸式的吸引裝置中，抑制用以吸引的能量消耗。
此外，在第一實施形態中，亦可採用由與第二疏水化劑吸引裝置63同樣的噴射器式的吸引裝置所構成的第一疏水化劑吸引裝置，以取代第一吸引裝置的一例的第一疏水化劑吸引裝置58。在此情形中，較佳為設定成：使皆屬於噴射器式的吸引裝置之第一疏水化劑吸引裝置以及第二疏水化劑吸引裝置63的氣壓以及/或者壓損不同，藉此使 第一疏水化劑吸引裝置的吸引力(吸引速度)變得比第二疏水化劑吸引裝置63的吸引力(吸引速度)還弱(變得還慢)。
在此情形中，藉由噴射器式的第一疏水化劑吸引裝置在停止噴出處理液後吸引處理液並使處理液的前端面F1後退至待機位置(疏水化劑待機位置P1)，藉此防止處理液的滴落。
此外，在前述實施形態中，亦可在疏水化劑供給單元10中僅設置一個吸引裝置。在此情形中，例如疏水化劑供給單元10為已廢棄第一疏水化劑吸引裝置58之構成。而且，於疏水化劑吸引配管56夾設有用以調整疏水化劑吸引配管56的開度並調整吸引力(吸引速度)之流量調整閥(吸引力調整單元)。該流量調整閥亦可包含有：閥本體，係於內部設置有閥座；閥體，係用以將閥座予以開閉；以及致動器(actuator)，係使閥體在開位置與閉位置之間移動。
此外，在前述實施形態中，雖然已說明在填充步驟T3中未進行朝有機溶劑配管81填充有機溶劑，但亦可與朝疏水化劑配管51填充(供給)疏水化劑同樣地進行朝有機溶劑配管81填充(供給)有機溶劑。在填充步驟T3中填充有機溶劑係尤其適用於在第一防護罩對向狀態中禁止有機溶劑供給閥90的開動作之情形。這是由於當在第一防護罩對向狀態中禁止有機溶劑供給閥90的開動作時會如在前述基板處理所說明般無法進行有機溶劑的先提供之故。
此外，在前述各個實施形態中，成為針對處理液配管之供給或填充的對象之處理液並未限定於疏水化劑以及有 機溶劑，亦可包含有藥液或清洗液。亦即，亦能將本發明應用於藥液供給單元8以及清洗液供給單元9。
此外，在前述實施形態中，雖然採用用以使處理液的前端面(疏水化劑的前端面F1)後退至比連接配管(第一連接配管52)的上游端(連接有疏水化劑吸引配管56之部分)還上游側(疏水化劑吸引配管56側)之排出吸引步驟T1作為第二吸引步驟，但第二吸引步驟只要使吸引後的處理液的前端面(疏水化劑的前端面F1)的位置位於待機位置(疏水化劑待機位置P1)即可，並不一定需要使處理液的前端面(疏水化劑的前端面F1)後退至比連接配管(第一連接配管52)的上游端還上游側。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已說明於基板對向面21a形成有噴出口(第三噴出口33a)之處理液配管，但亦可作為未組入至阻隔板21之單個噴嘴而設置。在此情形中，只要噴嘴的噴出口不能於左右方向(亦即沿著基板W的表面之方向)移動，則亦能將本發明良好地應用於該噴嘴。
此外，在前述各個實施形態中，雖然已說明基板處理裝置1為用以處理圓板狀的基板W之裝置之情形，但基板處理裝置1亦可為用以處理液晶顯示裝置用玻璃基板等多角形的基板之裝置。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被解釋成界定於這些具體例，本發明的範圍僅被隨附的 申請專利範圍界定。
本發明係分別與2017年6月30日於日本特許廳提出的日本特願2017-129539號、2018年6月15日於日本特許廳提出的日本特願2018-114922號以及2018年6月15日於日本特許廳提出的日本特願2018-114923號對應，並將這些申請案的全部內容引用並組入於本發明中。

Claims (51)

  1. 一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係保持基板；處理液配管，係連通至用以朝被前述基板保持單元保持之基板的主面噴出處理液之噴出口；處理液供給單元，係用以對前述處理液配管供給處理液；吸引單元，係用以吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；以及控制裝置，係控制前述處理液供給單元以及前述吸引單元；前述控制裝置係執行：處理液供給步驟，係藉由前述處理液供給單元對前述處理液配管供給處理液，藉此從前述噴出口噴出處理液；以及吸引步驟，係藉由前述吸引單元吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；前述控制裝置係在前述吸引步驟中選擇性地執行：第一吸引步驟，係使處理液的前端面後退，並使吸引後的處理液的前端面配置於前述處理液配管的內部中的預先設定的待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面後退至比前述待機位置還後方；前述控制裝置係在前述第二吸引步驟後進一步執行：待機位置配置步驟，係藉由前述處理液供給單元對前述處理液配管供給處理液，並將處理液的前端面配置於前述待機位置。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：連接配管，係連接至前述處理液配管；前述吸引單元係包含有：吸引配管，係連接至前述連接配管；以及吸引裝置，係連接至前述吸引配管；前述控制裝置係在前述第二吸引步驟中執行下述步驟：藉由前述吸引裝置使處理液的前端面後退至比前述連接配管的上游端還上游側。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述噴出口係以不能於沿著被前述基板保持單元保持之基板的主面之方向移動之方式設置。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：對向構件，係與被前述基板保持單元保持之基板的主面對向，並具有不能於沿著前述基板的主面之方向移動的基板對向面；前述噴出口係形成於前述基板對向面。
  5. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：感測器，係檢測存在於前述處理液配管的處理液；前述控制裝置係進一步執行：判斷步驟，係藉由前述感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的前述處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述感測器係進一步包含有：第一感測器，係檢測存在於前述處理液配管的處理液的前端面；前述控制裝置係在前述判斷步驟中執行：第一判斷步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由前述第一感測器判斷處理液的前端面是否位於前述待機位置。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述第一感測器係包含有：第一有無感測器，係檢測前述待機位置的上限位置中是否存在處理液；以及第二有無感測器，係檢測前述待機位置的下限位置中是否存在處理液；前述控制裝置係在前述第一判斷步驟中在藉由第一有無感測器檢測到前述上限位置中存在處理液且藉由前述第二有無感測器檢測到前述下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。
  8. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述第一感測器係進一步包含有：攝影機，係用以拍攝存在於前述處理液配管的處理液的前端面；前述控制裝置係在前述第一判斷步驟中執行用以依據前述攝影機的拍攝結果進行判斷之步驟。
  9. 如請求項5或6所記載之基板處理裝置，其中前述感測器係包含有：第二感測器，係用以檢測在前述待機位置配置步驟中被供給至前述處理液配管之處理液的流量；前述控制裝置係在前述判斷步驟中進一步執行：第二判斷步驟，係依據前述第二感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述處理液供給單元係包含有：處理液供給配管，係對前述處理液配管供給處理液；處理液排液配管，係在與前述處理液配管之間選擇性地被供給有來自前述處理液供給配管的處理液；以及配管寬度調整單元，係以前述處理液配管中的液體的流通時的壓損與前述處理液排液配管中的液體的流通時的壓損成為一定的關係之方式調整前述處理液配管以及/或者前述處理液排液配管的管寬度；前述控制裝置係在前述第二判斷步驟中執行：流量取得步驟，係一邊將來自處理液供給配管的處理液導出至前述處理液排液配管而非是導出至前述處理液配管，一邊藉由前述第二感測器檢測被供給至前述處理液供給配管之處理液的流量，並取得在前述待機位置配置步驟中於前述處理液配管流動之處理液的流量。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述配管寬度調整單元係包含有以使前述處理液配管中的液體的流通時的壓損與前述處理液排液配管中的液體的流通時的壓損一致之方式調整處理液配管以及/或者前述處理液排液配管的管寬度之單元。
  12. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述配管寬度調整單元係包含有孔口。
  13. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述配管寬度調整單元係包含有馬達針。
  14. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述配管寬度調整單元係包含有固定針。
  15. 如請求項5或6所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係進一步執行：錯誤通報步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置時通報錯誤。
  16. 如請求項5或6所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係進一步執行：中斷步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置之情形中，不執行前述待機位置配置步驟或者中斷執行中的前述待機位置配置步驟。
  17. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述感測器係包含有：第一液面感測器，係檢測處理液的前端面已到達前述處理液配管中的預定的第一檢測位置；以及速度檢測單元，係檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度；前述控制裝置係在前述待機位置配置步驟中依據前述第一液面感測器所檢測之前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述檢測單元所檢測之處理液通過前述第一檢測位置的速度，將處理液的前端面配置於前述待機位置。
  18. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述速度檢測單元係包含有：第二液面感測器，係檢測處理液的前端面已到達設定於比前述第一檢測位置還下游側的第二檢測位置；以及單元，係依據前述第一液面感測器所檢測之前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述第二液面感測器所檢測之前述第二檢測位置中的處理液的通過時序，檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度。
  19. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述吸引單元係包含有：第一吸引單元，係以可變更吸引力之方式吸引前述處理液配管的內部的處理液。
  20. 如請求項19所記載之基板處理裝置，其中前述第一吸引單元係包含有：第一吸引裝置，係以預定的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液；以及第二吸引裝置，係以比前述第一吸引裝置還大的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液；前述控制裝置係執行：切換步驟，係在前述第一吸引裝置與前述第二吸引裝置之間切換前述處理液配管的吸引源。
  21. 如請求項20所記載之基板處理裝置，其中前述第一吸引裝置係包含有膜片式的吸引裝置。
  22. 如請求項21所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：吸引配管，係連接至前述處理液配管，並夾設有前述膜片式的吸引裝置；以及開閉閥，係用以開閉前述吸引配管；用以驅動前述膜片式的吸引裝置之第一驅動源以及用以驅動前述開閉閥之第二驅動源係彼此獨立。
  23. 如請求項20或21所記載之基板處理裝置，其中前述第二吸引裝置係包含有噴射器式的吸引裝置。
  24. 如請求項19所記載之基板處理裝置，其中前述第一吸引單元係包含有噴射器式的吸引裝置；前述吸引裝置係包含有：減壓狀態產生器；以及電動氣動調節器，係無段式地變更被供給至前述減壓狀態產生器之壓縮流體的供給流量。
  25. 如請求項19或20所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係執行：並行吸引步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由前述第一吸引單元吸引前述處理液配管的內部。
  26. 如請求項25所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述待機位置配置步驟中以前述第一吸引單元所為之用以吸引前述處理液配管的吸引力變得比前述第一吸引步驟中的前述第一吸引單元所為之前述吸引力還大之方式控制前述第一吸引單元。
  27. 如請求項25所記載之基板處理裝置，其中前述控制裝置係在前述待機位置配置步驟中以藉由作用至在前述處理液配管內流動的處理液之吸引力與作用至前述處理液之供給壓力的持平使處理液的前端面停止在前述待機位置之方式控制前述第一吸引單元。
  28. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；前述控制裝置係在前述處理單元中於前述基板處理前所執行之前處理中執行前述待機位置配置步驟。
  29. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；前述控制裝置係在前述處理單元中於前述基板處理前所執行之前處理中執行前述第二吸引步驟。
  30. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；前述控制裝置係在前述處理單元中於前述基板處理後所執行之後處理中執行前述第二吸引步驟。
  31. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有前述基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；前述控制裝置係在前述處理單元中結束針對預先設定的片數的前述基板之前述基板處理後，執行前述第二吸引步驟。
  32. 一種基板處理方法，係在包含有連通至噴出口的處理液配管之基板處理裝置中被執行；前述基板處理方法係包含有：處理液供給步驟，係將處理液供給至前述處理液配管，以從前述噴出口噴出處理液；以及吸引步驟，係吸引存在於前述處理液配管的內部的處理液；前述吸引步驟係包含有：第一吸引步驟，係使處理液的前端面後退並使吸引後的處理液的前端面配置於前述處理液配管的內部中的預先設定的待機位置；以及第二吸引步驟，係使處理液的前端面大幅後退至比前述待機位置還後方；前述第一吸引步驟以及前述第二吸引步驟係被選擇性地執行；於前述第二吸引步驟後進一步包含有：待機位置配置步驟，係對前述處理液配管供給處理液，並將處理液的前端面配置於前述待機位置。
  33. 如請求項32所記載之基板處理方法，其中前述第二吸引步驟係包含有用以使處理液的前端面後退至比連接至前述處理液配管之連接配管的上游端還上游側之步驟。
  34. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：判斷步驟，係藉由用以檢測存在於前述處理液配管的處理液之感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
  35. 如請求項34所記載之基板處理方法，其中前述判斷步驟係包含有：第一判斷步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，藉由用以檢測存在於前述處理液配管的處理液的前端面之第一感測器判斷處理液的前端面是否位於前述待機位置。
  36. 如請求項35所記載之基板處理方法，其中前述第一判斷步驟係包含有下述步驟：在藉由第一有無感測器檢測到前述待機位置的上限位置中存在處理液且藉由第二有無感測器檢測到前述待機位置的下限位置中未存在處理液時，判斷成處理液的前端面配置於前述待機位置。
  37. 如請求項36所記載之基板處理方法，其中前述第一判斷步驟係包含有用以依據攝影機拍攝存在於前述處理液配管的處理液的前端面之拍攝結果進行判斷之步驟。
  38. 如請求項34所記載之基板處理方法，其中前述判斷步驟係包含有：第二判斷步驟，係依據用以檢測被供給至前述處理液配管之處理液的流量之第二感測器的檢測結果，判斷前述待機位置配置步驟後的處理液的前端面是否配置於前述待機位置。
  39. 如請求項38所記載之基板處理方法，其中前述第二判斷步驟係包含有：流量取得步驟，係一邊將來自用以對前述處理液配管供給處理液之處理液供給配管的處理液導出至連接於前述處理液供給配管之處理液排液配管而非是導出至前述處理液配管，一邊藉由前述第二感測器檢測被供給至前述處理液配管之處理液的流量，並取得在前述待機位置配置步驟中於前述處理液配管流動之處理液的流量。
  40. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中包含有：第一液面檢測步驟，係檢測處理液的前端面已到達前述處理液配管中的預定的第一檢測位置；以及速度檢測步驟，係檢測處理液的前端面通過前述第一檢測位置的速度；前述待機位置配置步驟係包含有下述步驟：依據前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及前述第一檢測位置中的處理液的速度，將處理液的前端面配置於前述待機位置。
  41. 如請求項40所記載之基板處理方法，其中前述速度檢測步驟係包含有下述步驟：依據前述第一檢測位置中的處理液的通過時序以及設定於比前述第一檢測位置還下游側之第二檢測位置中的處理液的通過時序，檢測處理液通過前述第一檢測位置的速度。
  42. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：錯誤通報步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置時通報錯誤。
  43. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：中斷步驟，係在前述判斷步驟已判斷成在前述待機位置配置步驟後處理液的前端面未配置於前述待機位置時，不執行前述待機位置配置步驟或者中斷執行中的前述待機位置配置步驟。
  44. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：切換步驟，係在第一吸引裝置與第二吸引裝置之間切換前述處理液配管的吸引源，前述第一吸引裝置係以預定的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液，前述第二吸引裝置係以比前述第一吸引裝置還大的吸引力吸引前述處理液配管的內部的處理液。
  45. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：並行吸引步驟，係與前述待機位置配置步驟並行，吸引前述處理液配管的內部。
  46. 如請求項45所記載之基板處理方法，其中前述待機位置配置步驟中之用以吸引前述處理液配管的吸引力係變得比前述第一吸引步驟中之用以吸引前述處理液配管的吸引力還大。
  47. 如請求項45所記載之基板處理方法，其中前述待機位置配置步驟係以藉由作用至在前述處理液配管內流動的處理液之吸引力與作用至前述處理液之供給壓力的持平使處理液的前端面停止在前述待機位置之方式的吸引力吸引前述處理液配管。
  48. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；在前述處理單元中於對基板執行使用了處理液的基板處理前之前處理中執行前述待機位置配置步驟。
  49. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；在前述處理單元中於對基板執行使用了處理液的基板處理前之前處理中執行前述第二吸引步驟。
  50. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中前述基板處理裝置係進一步包含有：處理單元，係連接至前述處理液配管，用以對基板施予使用了處理液的基板處理，並具有用以保持基板之基板保持單元以及用以收容前述基板保持單元之腔室；在處理單元中於對基板執行使用了處理液的基板處理後之後處理中執行前述第二吸引步驟。
  51. 如請求項32或33所記載之基板處理方法，其中在前述處理單元中於已對預先設定的片數的基板執行使用了處理液的基板處理後執行前述第二吸引步驟。
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