WO2019004390A1

WO2019004390A1 - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: WO2019004390A1
Application number: PCT/JP2018/024699
Authority: WO
Inventors: 通矩岩尾; 周一安田; 和宏藤田; 憲幸菊本; 貴大山口
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2017-06-30
Filing date: 2018-06-28
Publication date: 2019-01-03

Abstract

基板処理装置は、吐出口に連通する処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、制御装置とを含む。前記制御装置が、前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程を実行する。また、前記制御装置が、前記吸引工程において、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを選択的に実行する。また、前記制御装置が、前記第２の吸引工程の後に、前記処理液供給ユニットにより前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程をさらに実行する。

Description

基板処理装置および基板処理方法

　この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

　半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理するための基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に処理液を供給する処理液供給ユニットと、スピンチャックに保持されている基板に上方から対向する対向部材と、対向部材の中央部に形成される中央開口に収容された中心軸ノズルと、中心軸ノズルに処理液を供給する処理液配管と、処理液配管の内部の処理液を吸引する吸引装置とを含む。対向部材は、基板の上面に近接して、基板の上面をその周囲の空間から遮断するための部材である。中心軸ノズルからの処理液の吐出後に処理液を吸引して、処理液配管内の処理液の先端面を後退させることが知られている。

特開２０１５－１３５８４３号公報

　処理液配管内の処理液をそのまま次の基板処理に用いる場合には、吐出口から処理液がボタ落ちしない程度に処理液の先端面を後退させれば足りる。一方で、処理液配管内の処理液を次の基板処理に用いることができない場合（たとえば、処理液配管内の処理液が失活したり温度低下したりしている場合）には、次の基板処理に先立って、処理液配管内の処理液を吸引により全て配管外に排出する必要がある。

　本願発明者らは、このような吸引のニーズの相違に着目し、１つの処理液配管に対し、吸引後の先端面が異なる２つの吸引方式を採用することを検討している。しかしながら、この場合、吸引後の先端面が異なるために、処理液バルブが開かれてから吐出口から処理液が吐出されるまでの間の期間が異なる。処理液バルブの開成タイミングを基準に処理時間が定められるので、処理液バルブが開かれてから吐出口から処理液が吐出されるまでの間の期間が異なると、実際の処理液供給時間が基板毎にばらつき、その結果、処理が基板毎にばらつくおそれがある。

　そこで、この発明の一つの目的は、処理液配管の吸引方式の相違によらずに、共通のタイミングで吐出口から処理液を吐出することができ、これにより、均一な処理を基板に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

　この発明は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置と、前記制御装置が、前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、前記制御装置が、前記吸引工程において、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを選択的に実行し、さらに、前記制御装置が、前記第２の吸引工程の後に、前記処理液供給ユニットにより前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程を実行する、基板処理装置を提供する。

　この構成によれば、吸引工程では、処理液配管の内部に存在している処理液が吸引され、処理液の先端面が後退される。吸引工程は、処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程と、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程とを含む。第２の吸引工程の後に行われる待機位置配置工程において処理液配管に処理液を供給することにより、処理液の先端面を前進させ、当該処理液の先端面を待機位置に配置させる。したがって、第１の吸引工程および第２の吸引工程のいずれが実行された場合であっても、次の処理液の吐出前において処理液の先端面を共通の待機位置に配置することができる。これにより、処理液配管の内部を吸引する吸引工程の種類の如何によらずに、共通のタイミングで吐出口から処理液を吐出することができる。ゆえに、均一な処理を基板に施すことができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記処理液配管に接続された接続配管をさらに含む。そして、前記吸引ユニットが、前記接続配管に接続された吸引配管と、前記吸引配管に接続された吸引装置とを含んでいてもよい。また、前記制御装置が、前記第２の吸引工程において、処理液の先端面を、前記接続配管の上流端よりも上流側に後退させる工程を実行してもよい。

　この構成によれば、前記第２の吸引工程において、処理液の先端面を、接続配管の上流端よりも上流側に後退させることができる。このように第２の吸引工程後に処理液を吐出口から吐出する場合であっても、処理液バルブが開かれてから吐出口から処理液が吐出されるまでのタイミングを、第１の吸引工程後に処理液を吐出口から吐出する場合との間で同じタイミングにすることができる。

　この発明の一実施形態では、前記吐出口が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている。

　この構成によれば、吐出口が、基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている。

　処理液配管の内部の処理液が劣化または温度低下している場合には、次の基板処理の開始前に、処理液配管内の処理液を全て配管外に排出する必要がある。しかしながら、吐出口が、基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている場合には、吐出口から処理液を吐出する方式の処理液排出を行うことができない。そのため、処理液配管の内部に残留している処理液の排出を、吸引を用いて行う必要がある。また、基板の主面に吐出口が対向している場合には、吐出口からの処理液の落液（いわゆるボタ落ち）を防止するために、吐出口からの処理液の吐出後、処理液配管の内部を吸引して処理液の先端面を後退させる必要がある。これらの２つの吸引は、吸引目的が異なるために、吸引後の先端面が異なっている。

　吸引工程が、処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程と、処理液の先端面が待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを含む場合において、第１の吸引工程および第２の吸引工程のいずれが実行された場合であっても、次の処理液の吐出前には、処理液の先端面を待機位置に配置することができる。したがって、ボタ落ち防止のための吸引（第１の吸引工程）と、処理液の排出のための吸引（第２の吸引工程）とを行う場合において、ボタ落ち防止のための吸引、および処理液の排出のための吸引のいずれが実行された場合であっても、次の処理液の吐出前には、処理液の先端面を待機位置に配置することができる。

　これにより、処理液配管の内部を吸引する吸引工程の種類の如何（ボタ落ち防止のための吸引であるか、処理液の排出のための吸引であるか）によらずに、共通のタイミングで吐出口から処理液を吐出することができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向し、当該基板の主面に沿う方向に移動不能な基板対向面を有する対向部材をさらに含む。そして、前記吐出口が、前記基板対向面に形成されていてもよい。

　この構成によれば、移動不能な基板対向面に吐出口が形成されている場合には、吐出口を、基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動させることができない。この場合において、処理液配管の内部を吸引する吸引工程の種類の如何（ボタ落ち防止のための吸引であるか、処理液の排出のための吸引であるか）によらずに、共通のタイミングで吐出口から処理液を吐出することができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記処理液配管に存在している処理液を検出するセンサをさらに含む。そして、前記制御装置が、前記センサによる検出結果により、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する判断工程をさらに実行してもよい。

　この構成によれば、待機位置配置工程後の処理液の先端面が、待機位置に配置されるか否かの判断を正確に行うことができる。

　この発明の一実施形態では、前記センサが、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を検出する第１のセンサを含む。そして、前記制御装置が、前記判断工程において、前記待機位置配置工程に並行して前記第１のセンサにより処理液の先端面が前記待機位置にあるか否かを判断する第１の判断工程を実行してもよい。

　この構成によれば、待機位置配置工程に並行して、処理液の先端面に位置が待機位置に配置されているか否かが第１のセンサによって検出される。待機位置配置工程に並行して、処理液の先端面の位置を実際に検出することにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置にあるか否かを精度良く検出することができる。

　この発明の一実施形態では、前記第１のセンサが、前記待機位置の上限位置における処理液の存否を検出する第１の有無センサと、前記待機位置の下限位置における処理液の存否を検出する第２の有無センサとを含む。そして、前記制御装置が、前記第１の判断工程において、前記第１の有無センサによって前記上限位置における処理液の存在が検出されかつ前記第２の有無センサによって前記下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断してもよい、
　この構成によれば、第１の有無センサによって待機位置の上限位置における処理液の存在が検出され、かつ第２の有無センサによって待機位置の下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断する。これにより、処理液の先端面が待機位置に配置されていることを精度良く検出することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記第１のセンサが、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を撮像するためのカメラを含む。そして、前記制御装置が、前記第１の判断工程において、前記カメラによる撮像結果に基づいて判断する工程を実行してもよい。

　この構成によれば、処理液の先端面がカメラによって撮像される。そして、カメラによる撮像結果により、処理液の先端面が待機位置にあるか否かが判断される。これにより、処理液の先端面が待機位置に配置されていることを精度良く検出することができる。

　この発明の一実施形態では、前記センサが、前記待機位置配置工程において前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出するための第２のセンサを含む。そして、前記制御装置が、前記判断工程において、前記第２のセンサの検出結果に基づいて、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する第２の判断工程をさらに実行してもよい。

　この構成によれば、待機位置配置工程において処理液配管に供給される処理液の流量を検出するための第２のセンサが設けられている。この第２のセンサの検出結果に基づいて、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置に配置されるか否かが判断される。待機位置配置工程における処理液の流量を正確に把握することができれば、待機位置配置工程における処理液供給時間を管理することにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面を精度良く制御することができる。これにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置にあるか否かを精度良く検出することが可能である。

　この発明の他の実施形態では、前記処理液供給ユニットが、前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管と、前記処理液供給配管からの処理液が、前記処理液配管との間で選択的に供給される処理液排液配管と、前記処理液配管における液体の流通時の圧損と前記処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一定の関係となるように、前記処理液配管および／または前記処理液排液配管の管幅を調節する配管幅調整ユニットとを含む。そして、前記制御装置が、前記第２の判断工程において、前記処理液供給配管からの処理液を、前記処理液配管ではなく前記処理液排液配管に導出しながら、前記第２のセンサにより前記処理液供給配管に供給される処理液の流量を検出して、前記待機位置配置工程において前記処理液配管を流れる処理液の流量を取得する流量取得工程を実行してもよい。

　この構成によれば、処理液配管における液体の流通時の圧損と処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一定の関係となるように調整されているから、処理液供給配管から処理液排液配管に導かれる処理液の流量を第２のセンサにより検出することにより、待機位置配置工程において処理液供給配管に供給される処理液の流量を精度良く取得することができる。これにより、処理液を処理液配管に供給することなく、待機位置配置工程における処理液の流量を精度良く取得することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記配管幅調整ユニットが、前記処理液配管における液体の流通時の圧損と前記処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一致するように、前記処理液配管および／または前記処理液排液配管の管幅を調節するユニットを含む。

　この構成によれば、処理液配管における液体の流通時の圧損と処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一致するように調整されているから、処理液供給配管から処理液排液配管に導かれる処理液の流量を第２のセンサにより検出することにより、待機位置配置工程において処理液供給配管に供給される処理液の流量を精度良く取得することができる。これにより、処理液を処理液配管に供給することなく、待機位置配置工程における処理液の流量を精度良く取得することができる。

　前記配管幅調整ユニットは、オリフィスを含んでいてもよい。

　前記配管幅調整ユニットは、モータニードルを含んでいてもよい。

　前記配管幅調整ユニットは、固定ニードルを含んでいてもよい。

　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合にエラーを報知するエラー報知工程をさらに実行する。

　この構成によれば、待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないことが起こると、実際の処理液供給時間が基板毎にばらつく結果、処理が基板毎にばらつくおそれがある。待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないと判断工程が判断したときには、エラーが報知されるので、そのような事態の発生を作業者が認識することができる。これにより、処理のばらつきを未然に防止することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合に、前記待機位置配置工程を実行しないか、あるいは既に実行されている前記待機位置配置工程を中断する中断工程をさらに実行する。

　この構成によれば、待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないことが起こると、実際の処理液供給時間が基板毎にばらつく結果、処理が基板毎にばらつくおそれがある。待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないと判断工程が判断したときには、待機位置配置工程が実行されないか、あるいは既に実行されている待機位置配置工程が中断されるので、処理のばらつきを未然に防止することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記センサが、前記処理液配管における所定の第１の検出位置に、処理液の先端面が達したことを検出する第１の液面センサと、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出する速度検出ユニットとを含む。そして、前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記第１の液面センサによって検出される、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記検出ユニットによって検出される、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する。

　この構成によれば、第１の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングと、第１の検出位置を通過する前記処理液の先端面の速度とが検出される。検出された通過タイミングおよび検出された速度に基づいて、処理液の先端面が待機位置に配置される。そのため、処理液の先端面を、待機位置に精度良く配置できる。そのため、基板に供給される処理液の量の最適化を図ることができる。ゆえに、処理液を用いて基板を良好に処理でき、かつ基板間の処理のバラツキを抑制することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記速度検出ユニットが、前記第１の検出位置よりも下流側に設定された第２の検出位置に、処理液の先端面が達したことを検出する第２の液面センサと、前記第１の液面センサによって検出される、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第２の液面センサによって検出される、前記第２の検出位置における処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出するユニットとを含む。

　この構成によれば、第１の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングと、第２の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングとに基づいて、第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度が検出される。これにより、第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度を、速度センサ等を設けることなく、簡単な構成で検出できる。

　この発明の一実施形態では、前記吸引ユニットは、前記処理液配管の内部の処理液を、吸引力を変更可能に吸引するための第１の吸引ユニットを含む。

　この構成によれば、吸引力を変更可能に吸引可能な第１の吸引ユニットを設ける。処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程においては比較的弱い吸引力で吸引し、処理液の先端面が待機位置よりも後退される第２の吸引工程においては比較的強い力で吸引する。そのため、第２の吸引工程において、時間が掛かり過ぎるというようなことがない。これにより、第１の吸引工程および第２の吸引工程の双方を良好に行うことができる。

　この発明の一実施形態では、前記第１の吸引ユニットが、所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第１の吸引装置と、前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置とを含む。さらに、前記制御装置が、前記処理液配管の吸引元を、前記第１の吸引装置と前記第２の吸引装置との間で切り換える切り換え工程を実行してもよい。

　この構成によれば、処理液配管の吸引元を、所定の吸引力で吸引する第１の吸引装置と、第１の吸引装置よりも大きな吸引力で吸引する第２の吸引装置との間で切り換えることにより、処理液配管内の吸引力の変更を、比較的簡単な構成で実現することができる。

　前記第１の吸引装置が、ダイヤフラム式の吸引装置を含んでいてもよい。この場合、前記処理液配管に接続され、前記ダイヤフラム式の吸引装置が介装される吸引配管と、前記吸引配管を開閉する開閉バルブとをさらに含んでいてもよい。前記ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための第１の駆動源と、前記開閉バルブを駆動するための第２の駆動源とは互いに独立していてもよい。

　仮に、ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための駆動源と、開閉バルブを駆動するための駆動源とが共通であると、開閉バルブの開閉に連動して、ダイヤフラム式の吸引装置の吸引／吸引解除が行われてしまう。

　この構成によれば、ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための駆動源と、開閉バルブを駆動するための駆動源とが互いに独立しているので、開閉バルブの開閉と、ダイヤフラム式の吸引装置の吸引／吸引解除とを、それぞれ最適な動作タイミングで行うことができる。

　前記第２の吸引装置は、エジェクタ式の吸引装置を含んでいてもよい。

　前記第１の吸引ユニットが、エジェクタ式の吸引装置を含んでいてもよい。そして、前記吸引装置が、減圧状態発生器と、前記減圧状態発生器に供給される圧縮流体の供給流量を無段階に変更するための電空レギュレータとを含んでいてもよい。

　この構成によれば、電空レギュレータによって圧縮流体の供給流量を調整することにより、減圧状態発生器の減圧度合いを調整できる。そのため、処理液配管内の吸引力の変更を、比較的簡単な構成で実現することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記制御装置が、前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管の内部を前記第１の吸引ユニットによって吸引する並行吸引工程を実行してもよい。

　この構成によれば、処理液配管への処理液の供給に並行して、処理液配管の内部が吸引される。処理液配管に供給される処理液は、所定の供給圧力を受けている。処理液配管内を吐出口に向けて移動する処理液に対し、処理液の移動方向とは反対向きに吸引力が作用する。これにより、処理液配管を移動する処理液を減速させることが可能である。

　この発明の他の実施形態では、前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記第１の吸引ユニットによる前記処理液配管を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程における前記第１の吸引ユニットによる前記吸引力よりも大きくなるように前記第１の吸引ユニットを制御してもよい。

　この構成によれば、待機位置配置工程において処理液を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程において処理液を吸引する吸引力よりも大きい。そのため、処理液に吸引力を作用させることにより、処理液配管を流れる処理液の速度を調整できる。

　この発明の他の実施形態では、前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記処理液配管内を流れる処理液に作用する前記吸引力と当該処理液に作用する供給圧との釣り合いによって、処理液の先端面が前記待機位置に停止するように前記第１の吸引ユニットを制御してもよい。

　この構成によれば、処理液の先端面が前記待機位置に位置する状態で、処理液に作用する吸引力と供給圧とが釣り合う。これにより、処理液の先端面を、待機位置に自動的に停止させることができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットを含む。そして、前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の前に実行される前処理において前記待機位置配置工程を実行してもよい。また、前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の前に実行される前処理において前記第２の吸引工程を実行してもよい。

　この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットを含んでいてもよい。そして、前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の後に実行される後処理において前記第２の吸引工程を実行してもよい。また、前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて予め定める枚数の前記基板に対する前記基板処理が終了した場合に、前記第２の吸引工程を実行してもよい。これらの場合、基板処理の非実行時において、処理液配管（および／または接続配管）を空にすることができる。これにより、処理液配管（および／または接続配管）において処理液が劣化または温度低下することを効果的に抑制または防止することができる。

　この発明は、吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを含み、前記第１および第２の吸引工程は、選択的に実行されるものであり、前記第２の吸引工程の後に、前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程をさらに含む、基板処理方法を提供する。

　この方法によれば、吸引工程では、処理液配管の内部に存在している処理液が吸引され、処理液の先端面が後退される。吸引工程は、処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程と、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程とを含む。第２の吸引工程の後に行われる待機位置配置工程において処理液配管に処理液を供給することにより、処理液の先端面を前進させ、当該処理液の先端面を待機位置に配置させる。したがって、第１の吸引工程および第２の吸引工程のいずれが実行された場合であっても、次の処理液の吐出前において処理液の先端面を共通の待機位置に配置することができる。これにより、処理液配管の内部を吸引する吸引工程の種類の如何によらずに、共通のタイミングで吐出口から処理液を吐出することができる。ゆえに、均一な処理を基板に施すことができる。

　この発明の一実施形態では、前記第２の吸引工程が、処理液の先端面を、前記処理液配管に接続された接続配管の上流端よりも上流側に後退させる工程を含む。

　この方法によれば、前記第２の吸引工程において、処理液の先端面を、接続配管の上流端よりも上流側に後退させることができる。このように第２の吸引工程後に処理液を吐出口から吐出する場合であっても、処理液バルブが開かれてから吐出口から処理液が吐出されるまでのタイミングを、第１の吸引工程後に処理液を吐出口から吐出する場合との間で同じタイミングにすることができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記処理液配管に存在している処理を検出するセンサによる検出結果により、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する判断工程をさらに含む。

　この方法によれば、待機位置配置工程後の処理液の先端面が、待機位置に配置されるか否かの判断を正確に行うことができる。

　この発明の一実施形態では、前記判断工程が、前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を検出する第１のセンサによって、処理液の先端面が前記待機位置にあるか否かを判断する第１の判断工程を含む。

　この方法によれば、待機位置配置工程に並行して、処理液の先端面に位置が待機位置に配置されているか否かが第１のセンサによって検出される。待機位置配置工程に並行して、処理液の先端面の位置を実際に検出することにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置にあるか否かを精度良く検出することができる。

　この発明の一実施形態では、前記第１の判断工程が、第１の有無センサによって、前記待機位置の上限位置における処理液の存在が検出され、かつ、第２の有無センサによって、前記待機位置の下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断する工程を含む。

　この方法によれば、第１の有無センサによって待機位置の上限位置における処理液の存在が検出され、かつ第２の有無センサによって待機位置の下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断する。これにより、処理液の先端面が待機位置に配置されていることを精度良く検出することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記第１の判断工程が、前記処理液配管に存在している処理液の先端面の、カメラによる撮像結果に基づいて判断する工程を含む。

　この方法によれば、処理液の先端面がカメラによって撮像される。そして、カメラによる撮像結果により、処理液の先端面が待機位置にあるか否かが判断される。これにより、処理液の先端面が待機位置に配置されていることを精度良く検出することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記判断工程が、前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出する第２のセンサの検出結果に基づいて、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する第２の判断工程を含む。

　この方法によれば、待機位置配置工程において処理液配管に供給される処理液の流量を検出するための第２のセンサが設けられている。この第２のセンサの検出結果に基づいて、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置に配置されるか否かが判断される。待機位置配置工程における処理液の流量を正確に把握することができれば、待機位置配置工程における処理液供給時間を管理することにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面を精度良く制御することができる。これにより、待機位置配置工程後の処理液の先端面が待機位置にあるか否かを精度良く検出することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記第２の判断工程が、前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管からの処理液を、前記処理液配管ではなく、前記処理液供給配管に接続された処理液排液配管に導出しながら、前記第２のセンサにより前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出して、前記待機位置配置工程において前記処理液配管を流れる処理液の流量を取得する流量取得工程を含む。

　この方法によれば、処理液配管における液体の流通時の圧損と処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一定の関係となるように調整されているから、処理液供給配管から処理液排液配管に導かれる処理液の流量を第２のセンサにより検出することにより、待機位置配置工程において処理液供給配管に供給される処理液の流量を精度良く取得することができる。これにより、処理液を処理液配管に供給することなく、待機位置配置工程における処理液の流量を精度良く取得することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記処理液配管における所定の第１の検出位置に、処理液の先端面が達していることを検出する第１の液面検出工程と、前記第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度を検出する速度検出工程とを含む。そして、前記待機位置配置工程が、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第１の検出位置における処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する工程を含んでいてもよい。

　この方法によれば、第１の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングと、第１の検出位置を通過する前記処理液の先端面の速度とが検出される。検出された通過タイミングおよび検出された速度に基づいて、処理液の先端面が待機位置に配置される。そのため、処理液の先端面を、待機位置に精度良く配置できる。そのため、基板に供給される処理液の量の最適化を図ることができる。ゆえに、処理液を用いて基板を良好に処理でき、かつ基板間の処理のバラツキを抑制することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記速度検出工程が、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第１の検出位置よりも下流側に設定された第２の検出位置における、処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出する工程を含む。

　この方法によれば、第１の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングと、第２の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングとに基づいて、第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度が検出される。これにより、第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度を、速度センサ等を設けることなく、簡単な構成で検出できる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合にエラーを報知するエラー報知工程をさらに含む。

　この方法によれば、待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないことが起こると、実際の処理液供給時間が基板毎にばらつく結果、処理が基板毎にばらつくおそれがある。待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないと判断工程が判断したときには、エラーが報知されるので、そのような事態の発生を作業者が認識することができる。これにより、処理のばらつきを未然に防止することが可能である。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合に、前記待機位置配置工程を実行しないか、あるいは既に実行されている前記待機位置配置工程を中断する中断工程をさらに含む。

　この方法によれば、待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないことが起こると、実際の処理液供給時間が基板毎にばらつく結果、処理が基板毎にばらつくおそれがある。待機位置配置工程後に処理液の先端面が待機位置に配置されないと判断工程が判断したときには、待機位置配置工程が実行されないか、あるいは既に実行されている待機位置配置工程が中断されるので、処理のばらつきを未然に防止することができる。

　この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記処理液配管の吸引元を、所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第１の吸引装置と、前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置との間で切り換える切り換え工程をさらに含む。

　この方法によれば、処理液配管の吸引元を、所定の吸引力で吸引する第１の吸引装置と、第１の吸引装置よりも大きな吸引力で吸引する第２の吸引装置との間で切り換えることにより、処理液配管内の吸引力の変更を、比較的簡単な構成で実現することができる。

　この発明の他の実施形態では、前記基板処理方法が、前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管の内部を吸引する並行吸引工程をさらに含む。

　この方法によれば、処理液配管への処理液の供給に並行して、処理液配管の内部が吸引される。処理液配管に供給される処理液は、所定の供給圧力を受けている。処理液配管内を吐出口に向けて移動する処理液に対し、処理液の移動方向とは反対向きに吸引力が作用する。これにより、処理液配管を移動する処理液を減速させることが可能である。

　この発明の他の実施形態では、前記待機位置配置工程における前記処理液配管を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程における前記処理液配管を吸引する吸引力よりも大きい。

　この方法によれば、待機位置配置工程において処理液を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程において処理液を吸引する吸引力よりも大きい。そのため、処理液に吸引力を作用させることにより、処理液配管を流れる処理液の速度を調整できる。

　この発明の他の実施形態では、前記待機位置配置工程が、前記処理液配管内を流れる処理液に作用する吸引力と当該処理液に作用する供給圧との釣り合いによって、処理液の先端面が前記待機位置に停止するような吸引力で前記前記処理液配管を吸引する。

　この方法によれば、前記処理液の先端面が前記待機位置に位置する状態で、処理液に作用する吸引力と供給圧とが釣り合う。これにより、処理液の先端面を、待機位置に自動的に停止させることができる。

　前記基板処理装置が、基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含んでいてもよい。そして、前記待機位置配置工程が、前記処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の前に実行される前処理において実行されていてもよい。

　また、前記基板処理装置が、基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含んでいてもよい。そして、前記第２の吸引工程が、前記処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の前に実行される前処理において実行されていてもよい。

　また、前記基板処理装置が、基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含んでいてもよい。そして、前記第２の吸引工程が、処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の後に実行される後処理において実行されていてもよい。

　また、前記第２の吸引工程が、前記処理ユニットにおいて、予め定める枚数の基板に対する処理液を用いた基板処理が実行された後に実行されていてもよい。

　本発明における前述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。図２は、図１に示す処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、図２に示す中心軸ノズルの縦断面図である。図４は、前記中心軸ノズルの底面図である。図５は、図２に示す、疎水化剤供給ユニットおよび有機溶剤供給ユニットの概略構成を説明するための図である。図６は、前記疎水化剤供給ユニットの詳細な構成を説明するための図である。図７Ａは、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。図７Ｂは、ハードインターロックを説明するための図である。図８Ａは、前記処理ユニットにおいて実行される処理の内容を説明するための流れ図である。図８Ｂは、前記処理ユニットにおいてプレレシピによって実行される前処理の流れを示す流れ図である。図９は、前記処理ユニットにおいてプロセスレシピによって実行される基板処理の流れを示す流れ図である。図１０は、前記基板処理装置への基板搬入前における、前記処理ユニットの状態を示す図である。図１１は、図８Ｂに示す排出吸引工程を説明するための図である。図１２Ａは、図８Ｂに示すプリディスペンス工程を説明するための図である。図１２Ｂは、図８Ｂに示す充填工程を説明するための図である。図１３は、図９に示す第１の有機溶剤供給工程を説明するための図である。図１４は、前記第１の有機溶剤供給工程後に実行される振り切り工程を説明するための図である。図１５は、図９に示す疎水化剤供給工程を説明するための図である。図１６は、図９に示す第２の有機溶剤供給工程を説明するための図である。図１７は、図９に示すスピンドライ工程を説明するための図である。図１８は、第１のエラー判定を説明するための流れ図である。図１９は、第２のエラー判定を説明するための流れ図である。図２０は、第１の変形例を説明するための図である。図２１は、第２の変形例を説明するための図である。図２２は、本発明の第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニットの詳細な構成を説明するための図である。図２３は、前記疎水化剤供給ユニットによって実行される充填工程を説明するための図である。図２４は、本発明の第３の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット３１０の詳細な構成を説明するための図である。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットＩＲは、基板収容器Ｃと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。

　図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、中心軸ノズル７の縦断面図である。図４は、中心軸ノズル７の底面図である。

　処理ユニット２は、箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向する対向部材６と、対向部材６の内部を上下に挿通し、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための中心軸ノズル７と、中心軸ノズル７に薬液を供給するための薬液供給ユニット８と、中心軸ノズル７にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット９と、中心軸ノズル７に液体の疎水化剤を供給するための疎水化剤供給ユニット１０と、中心軸ノズル７に、空気よりも比重が大きくかつ水よりも低い表面張力を有する低表面張力液体としての有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ユニット１１と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ１２とを含む。

　チャンバー４は、スピンチャック５やノズルを収容する箱状の隔壁１３と、隔壁１３の上部から隔壁１３内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１４と、隔壁１３の下部からチャンバー４内の気体を排出する排気ダクト１５とを含む。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の上方に配置されており、隔壁１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１３の天井からチャンバー４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト１５は、処理カップ１２の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバー４内の気体を導出する。したがって、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１４および排気ダクト１５によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。

　スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ１６と、このスピンモータ１６の駆動軸と一体化されたスピン軸１７と、スピン軸１７の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１８とを含む。

　スピンベース１８の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１９が配置されている。複数個の挟持部材１９は、スピンベース１８の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。スピンベース１８の上面には、回転軸線Ａ１を中心とする円周上に、対向部材６を下方から支持するための複数個（３個以上）の対向部材支持部２０が配置されている。対向部材支持部２０と回転軸線Ａ１との間の距離は、挟持部材１９と回転軸線Ａ１との間の距離よりも、大きく設定されている。

　また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。

　対向部材６は、スピンチャック５に従って回転する従動型の対向部材（遮断部材）である。すなわち、対向部材６は、基板処理中において、対向部材６がスピンチャック５に一体回転可能に支持される。

　対向部材６は、遮断板２１と、遮断板２１に同伴昇降可能に設けられた係合部２２と、係合部２２と係合して遮断板２１を上方から支持するための支持部２３とを含む。

　遮断板２１は、基板Ｗより大きい径を有する円板状である。遮断板２１は、その下面に基板Ｗの上面全域に対向する円形の基板対向面２１ａと、基板対向面２１ａの周縁部において下方に向けて突出する円環状の鍔部２１ｂと、基板対向面２１ａに設けられて対向部材支持部２０に係合するためのスピンチャック係合部２１ｃとを有している。基板対向面２１ａの中央部には、対向部材６を上下に貫通する貫通穴２４が形成されている。貫通穴２４は、円筒状の内周面によって区画されている。

　係合部２２は、遮断板２１の上面において、貫通穴２４の周囲を包囲する円筒部２５と、円筒部２５の上端から径方向外方に広がるフランジ部２６とを含む。フランジ部２６は、支持部２３に含まれる、次に述べるフランジ支持部２８よりも上方に位置しており、フランジ部２６の外周は、フランジ支持部２８の内周よりも大径とされている。

　支持部２３は、たとえば略円板状の支持部本体２７と、中心軸線Ａ２を中心とする水平なフランジ支持部２８と、支持部本体２７とフランジ支持部２８とを接続する接続部２９とを含む。

　中心軸ノズル７は、遮断板２１および基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線、すなわち、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中心軸ノズル７は、スピンチャック５の上方に配置され、遮断板２１および支持部２３の内部空間を挿通する。中心軸ノズル７は、遮断板２１および支持部２３と共に昇降する。中心軸ノズル７の下面は、図２に示すように、遮断板２１の基板対向面２１ａよりやや上方位置に配置されているが、基板対向面２１ａとほぼ同じ高さであってもよい。

　中心軸ノズル７は、貫通穴２４の内部を上下に延びる円柱状のケーシング３０と、ケーシング３０の内部を上下に挿通する第１のノズル配管３１、第２のノズル配管３２、第３のノズル配管３３および第４のノズル配管３４とを含む。ケーシング３０は、円筒状の外周面３０ａと、ケーシング３０の下端部に設けられ、基板Ｗの上面の中央部に対向する対向面３０ｂとを有している。第１～第４のノズル配管３１～３４は、それぞれインナーチューブである。

　支持部２３には、支持部２３を昇降させて対向部材６を昇降させるための対向部材昇降ユニット３９が結合されている。対向部材昇降ユニット３９は、サーボモータやボールねじ機構などを含む構成である。

　対向部材昇降ユニット３９は、対向部材６および第１～第４のノズル配管３１～３４を、支持部２３と共に鉛直方向に昇降する。対向部材昇降ユニット３９は、遮断板２１の基板対向面２１ａがスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置と、近接位置の上方に設けられた退避位置の間で、遮断板２１および第１～第４のノズル配管３１～３４を昇降させる。対向部材昇降ユニット３９は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板２１を保持可能である。

　対向部材昇降ユニット３９により、支持部２３を下位置（図２に破線で示す位置）と上位置（図２に実線で示す位置）との間で昇降させることができ、これにより、対向部材６の遮断板２１を、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に近接する近接位置（図２に破線で示す位置）と、スピンチャック５の上方に大きく退避した退避位置（図２に実線で示す位置）との間で昇降させることができる。

　具体的には、支持部２３が上位置に位置する状態では、支持部２３のフランジ支持部２８とフランジ部２６とが係合することにより、係合部２２、遮断板２１および中心軸ノズル７が支持部２３に支持される。すなわち、遮断板２１が支持部２３によって吊り下げられる。

　支持部２３が上位置に位置する状態では、フランジ支持部２８の上面に突設された突起２８ａが、フランジ部２６に周方向に間隔を空けて形成された係合穴２６ａに係合することにより、遮断板２１が支持部２３に対して周方向に位置決めされる。

　対向部材昇降ユニット３９が、支持部２３を上位置から下降させると、遮断板２１も退避位置から下降する。その後、遮断板２１のスピンチャック係合部２１ｃが、対向部材支持部２０に当接すると、遮断板２１および中心軸ノズル７が対向部材支持部２０によって受け止められる。そして、対向部材昇降ユニット３９が支持部２３を下降させると、支持部２３のフランジ支持部２８とフランジ部２６との係合が解除されて、係合部２２、遮断板２１および中心軸ノズル７は支持部２３から離脱し、スピンチャック５によって支持される。この状態で、スピンチャック５（スピンベース１８）の回転に同伴して、遮断板２１が回転させられる。

　第１のノズル配管３１は、鉛直方向に沿って延びている。第１のノズル配管３１の下端は、ケーシング３０の対向面３０ｂに開口して、第１の吐出口３１ａを形成している。第１のノズル配管３１には、薬液供給ユニット８からの薬液が供給される。薬液供給ユニット８は、第１のノズル配管３１の基端側に接続された薬液配管３５と、薬液配管３５の途中部に介装された薬液バルブ３６とを含む。薬液バルブ３６が開かれると、第１の吐出口３１ａから下方に向けて薬液が吐出される。薬液バルブ３６が閉じられると、第１の吐出口３１ａからの薬液の吐出が停止される。薬液は、薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。

　第２のノズル配管３２は、鉛直方向に沿って延びている。第２のノズル配管３２の下端は、ケーシング３０の対向面３０ｂに開口して、第２の吐出口３２ａを形成している。第２のノズル配管３２には、リンス液供給ユニット９からのリンス液が供給される。リンス液供給ユニット９は、第２のノズル配管３２の基端側に接続されたリンス液配管３７と、リンス液配管３７の途中部に介装されたリンス液バルブ３８とを含む。リンス液バルブ３８が開かれると、第２の吐出口３２ａから下方に向けてリンス液が吐出される。リンス液バルブ３８が閉じられると、第２の吐出口３２ａからのリンス液の吐出が停止される。リンス液は、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０～１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水のいずれかである。

　第３のノズル配管３３は、鉛直方向に沿って延びている。第３のノズル配管３３の下端は、ケーシング３０の対向面３０ｂに開口して、第３の吐出口３３ａを形成している。第３のノズル配管３３には、疎水化剤供給ユニット１０からの液体の疎水化剤が供給される。疎水化剤は、シリコン系の疎水化剤であってもよいし、メタル系の疎水化剤であってもよい。

シリコン系の疎水化剤は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化剤である。シリコン系疎水化剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

　メタル系の疎水化剤は、たとえば高い配位性を有し、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。この疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。

　第４のノズル配管３４は、鉛直方向に沿って延びている。第４のノズル配管３４の下端は、ケーシング３０の対向面３０ｂに開口して、第４の吐出口３４ａを形成している。第４のノズル配管３４には、有機溶剤供給ユニット１１からの液体の有機溶剤が供給される。有機溶剤は、たとえばＩＰＡ（isopropyl alcohol）であるが、このような有機溶剤として、ＩＰＡ以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、ＥＧ（エチレングリコール）およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）を例示することができる。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡとアセトンの混合液であってもよいし、ＩＰＡとメタノールの混合液であってもよい。

　図２に示すように、処理カップ１２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１２は、スピンベース１８の周囲を取り囲む筒状部材４０と、スピンチャック５と筒状部材４０との間に配置された複数のカップ４１～４３（第１～第３のカップ４３～４３）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液（薬液、リンス液、有機溶剤、疎水化剤等）を受け止める複数のガード４４～４６（第１～第３のガード４４～４６）と、複数のガード４４～４６を個別に昇降させるガード昇降ユニット４７とを含む。処理カップ１２は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの外周よりも外側（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。図２において、処理カップ１２は、回転軸線Ａ１の右側と左側とで異なる状態が示されている。

　各カップ４１～４３は、円筒状であり、スピンチャック５と筒状部材４０との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側から２番目の第２のカップ４２は、第１のカップ４１よりも外側に配置されており、最も外側の第３のカップ４３は、第２のカップ４２よりも外側に配置されている。第３のカップ４３は、たとえば、第２のガード４５と一体であり、第２のガード４５と共に昇降する。各カップ４１～４３は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各カップ４１～４３の溝には、回収配管（図示しない）または廃液配管（図示しない）が接続されている。各カップ４１～４３の底部に導かれた処理液は、回収配管または廃液配管を通じて、それぞれ回収ユニット（図示しない）または廃液ユニット（図示しない）に送られる。これにより、基板Ｗから排出された処理液が回収または廃棄される。

　各ガード４４～４６は、円筒状であり、スピンチャック５と筒状部材４０との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。各ガード４４～４６は、スピンチャック５の周囲を取り囲む円筒状の案内部４８と、案内部４８の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に斜め上方に延びる円筒状の傾斜部４９とを含む。各傾斜部４９の上端部は、ガード４４～４６の内周部を構成しており、基板Ｗおよびスピンベース１８よりも大きな直径を有している。３つの傾斜部４９は、上下に重ねられており、３つの案内部４８は、同軸的に配置されている。３つの案内部４８（ガード４４～４６の案内部４８）は、それぞれ、対応するカップ４１～４３内に出入り可能である。すなわち、処理カップ１２は、折り畳み可能であり、ガード昇降ユニット４７が４つのガード４４～４６の少なくとも一つを昇降させることにより、処理カップ１２の展開および折り畳みが行われる。なお、傾斜部４９は、その断面形状が図２に示すように直線状であってもよいし、また、たとえば滑らかな上に凸の円弧を描きつつ延びていてもよい。

　基板Ｗへの処理液（薬液、リンス液、有機溶剤、疎水化剤等）の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード４４～４６が、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。たとえば最も外側の第３のガード４６が基板Ｗの周端面に対向している状態（図１３に示す状態。以下、「第３のガード対向状態」という場合がある）を実現するために、第１のガード４４および第２のガード４５を下位置に配置し、第３のガード４６を上位置に配置する。また、内側から２番目の第２のガード４５が基板Ｗの周端面に対向している状態（図１５に示す状態。以下、「第２のガード対向状態」という場合がある）を実現するために、第１のガード４４を下位置に配置し、第２のガード４５および第３のガード４６を上位置に配置する。また、最も内側の第１のガード４４が基板Ｗの周端面に対向している状態（図２に示す状態。以下、「第１のガード対向状態」という場合がある）を実現するために、３つのガード４４～４６の全てを上位置に配置する。

　たとえば、後述する薬液供給工程Ｅ３（図９参照）や、リンス工程Ｅ４（図９参照）、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（図９参照）、疎水化剤供給工程Ｅ６（図９参照）、第２の有機溶剤供給工程Ｅ７（図９参照）では、３つのガード４４～４６のいずれかが、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。したがって、基板Ｗに処理液が供給されているときに基板Ｗの周囲に飛散した処理液は、第１のガード４４、第２のガード４５、および第３のガード４６のいずれかによって、いずれかのカップ４１～４３に案内される。

　図５は、疎水化剤供給ユニット１０および有機溶剤供給ユニット１１の概略構成を説明するための図である。

　疎水化剤供給ユニット１０は、第３のノズル配管３３に接続された疎水化剤配管（処理液配管）５１と、疎水化剤配管５１を介して第３のノズル配管３３に接続された第１の接続配管５２と、第１の接続配管５２にそれぞれ接続された、疎水化剤排液配管５３、第１の疎水化剤供給配管５４、第２の疎水化剤供給配管５５および疎水化剤吸引配管５６とを含む。

　第１の接続配管５２は一方向に延びかつ両端が閉塞する筒状をなし、第１の接続配管５２には、疎水化剤排液配管５３、疎水化剤配管５１、第１の疎水化剤供給配管５４、第２の疎水化剤供給配管５５および疎水化剤吸引配管５６が、その長手方向に関し一端側（図５に示す上側）からこの順で接続されている。

　疎水化剤配管５１は、第１の上下方向部分５１ａと、第１の左右方向部分５１ｂとを有している。第１の上下方向部分５１ａの下流端が、第３のノズル配管３３の上流端に接続されている。第１の左右方向部分５１ｂの下流端が、第１の上下方向部分５１ａの上流端に接続されている。第１の左右方向部分５１ｂの上流端が第１の接続配管５２に接続されている。疎水化剤配管５１の第１の左右方向部分５１ｂには、疎水化剤配管５１を開閉するための疎水化剤バルブ５７が介装されている。

　疎水化剤配管５１の第１の左右方向部分５１ｂには、疎水化剤バルブ５７よりも下流側に、第１の疎水化剤吸引装置（第１の吸引装置）５８が介装されている。第１の疎水化剤吸引装置５８は、ダイヤフラム式の吸引装置である。ダイヤフラム式の吸引装置は、疎水化剤配管５１の途中部に介装される筒状のヘッドと、ヘッド内に収容されたダイヤフラムとを含み、ダイヤフラムの駆動により、ヘッド内に形成される流路の容積を変化させるような吸引装置である（特開２０１６-１１１３０６号公報等参照）。

　疎水化剤排液配管５３には、疎水化剤排液配管５３を開閉するための疎水化剤排液バルブ５９が介装されている。疎水化剤排液配管５３の他端側は、機外の排液設備に接続されている。

　第１の疎水化剤供給配管５４には、第１の疎水化剤供給配管５４を開閉するための第１の疎水化剤供給バルブ６０が介装されている。第１の疎水化剤供給配管５４の他端側には、第１の疎水化剤原液供給源から第１の疎水化剤原液（疎水化剤１）が供給されるようになっている。

　第２の疎水化剤供給配管５５には、第２の疎水化剤供給配管５５を開閉するための第２の疎水化剤供給バルブ６１が介装されている。第２の疎水化剤供給配管５５の他端側には、第１の疎水化剤原液供給源から第２の疎水化剤原液（疎水化剤２）が供給されるようになっている。第１の疎水化剤原液と第２の疎水化剤原液とが混合されることにより、疎水化剤が生成されるようになっている。

　疎水化剤吸引配管５６には、疎水化剤吸引配管５６を開閉するための疎水化剤吸引バルブ（吸引バルブ）６２が介装されている。疎水化剤吸引配管５６の先端には、第２の疎水化剤吸引装置（第２の吸引装置）６３が接続されている。第２の疎水化剤吸引装置６３は、エジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、真空発生器やアスピレータを含む。エジェクタ式の吸引装置は、ダイヤフラム式の吸引装置やサイフォン式の吸引装置と比較して、吸引力が強く（吸引速度が速く）かつ吸引可能な液流量が多い。

　疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブが閉じられている状態で、第１の疎水化剤供給バルブ６０、第２の疎水化剤供給バルブ６１および疎水化剤バルブ５７が開かれると、第１の疎水化剤供給配管５４からの第１の疎水化剤原液と第２の疎水化剤供給配管５５からの第２の疎水化剤原液とが第１の接続配管５２に流入して、第１の接続配管５２内で混合されて疎水化剤が生成される。この疎水化剤が疎水化剤配管５１を介して第３のノズル配管３３に供給され、第３の吐出口３３ａから下方に向けて疎水化剤が吐出される。

　また、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブが閉じられている状態で、第１の疎水化剤供給バルブ６０、第２の疎水化剤供給バルブ６１および疎水化剤排液バルブ５９が開かれると、第１の疎水化剤供給配管５４から第１の疎水化剤原液が疎水化剤排液配管５３に供給される。これにより、第１の疎水化剤供給配管５４の内部に残留している第１の疎水化剤原液を機外に排出することができる。

　また、第２の疎水化剤吸引装置６３の働きが有効化されている状態において、他のバルブが閉じられている状態で、疎水化剤バルブ５７および疎水化剤吸引バルブ６２が開かれると、疎水化剤配管５１の内部が吸引されて、疎水化剤の先端面（処理液の先端面）Ｆ１が疎水化剤配管５１の内部を後退する。

　有機溶剤供給ユニット１１は、第４のノズル配管３４に接続された有機溶剤配管（処理液配管）８１と、有機溶剤配管８１を介して第４のノズル配管３４に接続された第２の接
続配管８２と、第２の接続配管８２にそれぞれ接続された、有機溶剤排液配管８３、有機溶剤供給配管８４および有機溶剤吸引配管（吸引配管）８６とを含む。

　第２の接続配管８２は一方向に延びかつ両端が閉塞する筒状をなし、第２の接続配管８２には、有機溶剤排液配管８３、有機溶剤配管８１、有機溶剤供給配管８４および有機溶剤吸引配管８６が、その長手方向に関し一端側（図５に示す上側）からこの順で接続されている。

　有機溶剤配管８１は、第２の上下方向部分８１ａと、第２の左右方向部分８１ｂとを有している。第２の上下方向部分８１ａの下流端が、第４のノズル配管３４の上流端に接続されている。第２の左右方向部分８１ｂの下流端が、第２の上下方向部分８１ａの上流端に接続されている。第２の左右方向部分８１ｂの上流端が第２の接続配管８２に接続されている。有機溶剤配管８１の第２の左右方向部分８１ｂには、有機溶剤配管８１を開閉するための有機溶剤バルブ８７が介装されている。

　有機溶剤配管８１の第２の左右方向部分８１ｂには、有機溶剤バルブ８７よりも下流側に、第１の有機溶剤吸引装置（第１の吸引装置）８８が介装されている。第１の有機溶剤吸引装置８８は、ダイヤフラム式の吸引装置である。

　有機溶剤排液配管８３には、有機溶剤排液配管８３を開閉するための有機溶剤排液バルブ８９が介装されている。有機溶剤排液配管８３の他端側は、機外の排液設備に接続されている。

　有機溶剤供給配管８４には、有機溶剤供給配管８４を開閉するための有機溶剤供給バルブ９０が介装されている。有機溶剤供給配管８４の他端側には、有機溶剤原液供給源から有機溶剤が供給されるようになっている。

　有機溶剤吸引配管８６には、有機溶剤吸引配管８６を開閉するための有機溶剤吸引バルブ（吸引バルブ）９２が介装されている。有機溶剤吸引配管８６の先端には、第２の有機溶剤吸引装置（第２の吸引装置）９３が接続されている。第２の有機溶剤吸引装置９３は、エジェクタ式の吸引装置である。

　有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブが閉じられている状態で、有機溶剤供給バルブ９０および有機溶剤バルブ８７が開かれると、有機溶剤供給配管８４からの有機溶剤が第２の接続配管８２に流入する。この有機溶剤が有機溶剤配管８１を介して第４のノズル配管３４に供給され、第４の吐出口３４ａから下方に向けて有機溶剤が吐出される。

　また、有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブが閉じられている状態で、有機溶剤供給バルブ９０および有機溶剤排液バルブ８９が開かれると、有機溶剤供給配管８４から有機溶剤排液配管８３に有機溶剤が供給される。これにより、有機溶剤供給配管８４の内部に残留している有機溶剤を機外に排出することができる。

　また、第２の有機溶剤吸引装置９３の働きが有効化されている状態において、他のバルブが閉じられている状態で、有機溶剤バルブ８７および有機溶剤吸引バルブ９２が開かれると、有機溶剤配管８１の内部が吸引されて、有機溶剤の先端面（処理液の先端面）Ｆ２が有機溶剤配管８１の内部を後退する。

　図６は、疎水化剤供給ユニット１０の詳細な構成を説明するための図である。

　疎水化剤配管５１の第１の左右方向部分５１ｂの管壁に関連して、第１のセンサ６４が配置されている。第１のセンサ６４は、第１の有無センサ６５および第２の有無センサ６６を含む。疎水化剤配管５１の第１の左右方向部分５１ｂには、所定の疎水化剤待機位置（待機位置）Ｐ１が設定されている。疎水化剤待機位置Ｐ１は、流通方向に所定の幅を有している。

　第１の有無センサ６５は、疎水化剤待機位置Ｐ１の上限位置６７ａにおける疎水化剤の存否を検出する。疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤の先端が、上限位置６７ａよりも前進している（中心軸ノズル７側に寄っているとき）とき、第１の有無センサ６５が疎水化剤を検出し、疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤の先端が、上限位置６７ａよりも後退しているとき、疎水化剤配管５１は疎水化剤を検出しない。第１の有無センサ６５は、その検出出力を制御装置３に送出する。

　第２の有無センサ６６は、疎水化剤待機位置Ｐ１の下限位置６７ｂにおける疎水化剤の存否を検出する。疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤の先端面Ｆ１が、下限位置６７ｂよりも前進している（中心軸ノズル７側に寄っているとき）とき、第２の有無センサ６６が疎水化剤を検出し、疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤の先端面Ｆ１が、下限位置６７ｂよりも後退しているとき、第２の有無センサ６６は疎水化剤を検出しない。第２の有無センサ６６は、その検出出力を制御装置３に送出する。したがって、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１にある場合には、第１の有無センサ６５によって上限位置６７ａにおける疎水化剤の存在が検出され、かつ第２の有無センサ６６によって下限位置６７ｂにおける疎水化剤の非存在が検出される（疎水化剤の存在が検出されない）。

　第１の有無センサ６５および第２の有無センサ６６は、それぞれ、たとえば液検知用のファイバセンサであり、疎水化剤配管５１の外周壁に直付け配置または近接配置されている。第１の有無センサ６５および第２の有無センサ６６は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されていてもよい。

　疎水化剤バルブ５７は、エアオペレート式の開閉バルブである。このようなエアオペレート式の開閉バルブとして、ダイヤフラムバルブや、バタフライバルブ、ニードルバルブ等を例に挙げることができる。疎水化剤バルブ５７には、第１のエア供給配管（第２の駆動源）６８が接続されており、第１のエア供給配管６８の途中部には、第１のエア供給配管６８の開閉を切り換えるための第１のエア供給バルブ（第２の駆動源）６９が介装されている。第１のエア供給バルブ６９よりも下流側の第１のエア供給配管６８の途中部には、疎水化剤バルブ５７からエアを大気中にリークさせるための第１のリーク配管（図示しない）の一端が接続されている。このリーク配管の途中部には、第１のリークバルブ（図示しない）が介装されている。

　第１のエア供給バルブ６９が開かれ、かつ第１のリークバルブが閉じられている状態では、第１のエア供給配管６８を流れるエアが疎水化剤バルブ５７の内部に供給される。これにより、疎水化剤バルブ５７が開かれる。一方、疎水化剤バルブ５７が閉じられている状態で、第１のリークバルブが開かれ、かつ第１のエア供給バルブ６９が閉じられると、疎水化剤バルブ５７の内部へのエアの供給が停止されると共に、疎水化剤バルブ５７内のエアが第１のリーク配管を通って大気中に排出される。その結果、疎水化剤バルブ５７が閉じられる。

　ダイヤフラム式の吸引装置からなる第１の疎水化剤吸引装置５８は、エアオペレート式の吸引装置である。第１の疎水化剤吸引装置５８には、第２のエア供給配管（第１の駆動源）７０が接続されており、第２のエア供給配管７０の途中部には、第２のエア供給配管７０の開閉を切り換えるための第２のエア供給バルブ（第１の駆動源）７１が介装されている。第２のエア供給バルブ７１は、たとえば電磁弁である。第２のエア供給バルブ７１よりも下流側の第２のエア供給配管７０の途中部には、第１の疎水化剤吸引装置５８からエアを大気中にリークさせるための第２のリーク配管（図示しない）の一端が接続されている。このリーク配管の途中部には、第２のリークバルブ（図示しない）が介装されている。

　第２のエア供給バルブ７１が開かれ、かつ第２のリークバルブが閉じられている状態では、第２のエア供給配管７０を流れるエアが第１の疎水化剤吸引装置５８の内部に供給される。この状態では、ダイヤフラムの形体により、ヘッド内の容積が少なく、そのため、第２のエア供給配管７０のうち第１の疎水化剤吸引装置５８よりも下流側部分に存在する疎水化剤がヘッド内に引き込まれることはない。すなわち、この状態では、第１の疎水化剤吸引装置５８の働きが無効化されている。

　この状態から、第２のリークバルブが開かれ、かつ第２のエア供給バルブ７１が閉じられると、第１の疎水化剤吸引装置５８の内部へのエアの供給が停止され、かつ、エアが第２のリーク配管を通って大気中に排出される。これにより、ダイヤフラムが形体変化して、ヘッド内の容積が増大する。その結果、第２のエア供給配管７０のうち第１の疎水化剤吸引装置５８よりも下流側部分に存在する疎水化剤がヘッド内に引き込まれ、当該下流側部分の内部が吸引される。換言すると、第２のエア供給バルブ７１用の吐出停止信号の入力に従って、ヘッド内に液体（処理液）が吸引される。これにより、第１の疎水化剤吸引装置５８の働きが有効化される。

　一方、第１の疎水化剤吸引装置５８の働きが有効化されている状態で、第２のエア供給バルブ７１が開かれ、かつ第２のリークバルブが閉じられると、第２のエア供給配管７０を流れるエアが第１の疎水化剤吸引装置５８の内部に供給される。これにより、ダイヤフラムが形体変化して、ヘッド内の容積が減少することにより、ヘッド内に吸引されていた液体（処理液）が押し出される。すなわち、第２のエア供給バルブ７１用の吐出開始信号の入力に従って、ヘッド内の液体（処理液）が押し出される。その結果、第１の疎水化剤吸引装置５８の働きが無効化される。

　疎水化剤排液配管５３には、疎水化剤排液配管５３を流れる疎水化剤の流量を調節するための流量調整ユニットが介装されている。この実施形態では、流量調整ユニットは、オリフィス７２である。オリフィス７２は、疎水化剤配管５１を液体が流れる際の圧損と疎水化剤排液配管５３を液体が流れる際の圧損とが等しくなるように、その大きさが設定されている。

　第１の疎水化剤供給配管５４には、第１の疎水化剤供給バルブ６０よりも下流側に、第１の疎水化剤供給配管５４内を流れる第１の疎水化剤原液の流量を検出する第１の流量計７３がさらに介装されている。

　第２の疎水化剤供給配管５５には、第２の疎水化剤供給バルブ６１よりも下流側に、第２の疎水化剤供給配管５５内を流れる第２の疎水化剤原液の流量を検出する第２の流量計７４がさらに介装されている。第１の流量計７３および第２の流量計７４によって、充填工程Ｔ３において疎水化剤供給配管５４，５５に供給される疎水化剤（疎水化剤原液）の流量を検出するための第２のセンサ７７が構成されている。

　また、図６の例では、疎水化剤供給配管として、第１の疎水化剤供給配管５４および第２の疎水化剤供給配管５５という２つの配管を有する場合を例に挙げているが、疎水化剤供給配管として、１つの疎水化剤供給配管のみが設けられていてもよい。この場合、疎水化剤供給配管に、疎水化剤（原液ではない、作成（混合）後の疎水化剤）が供給される。この場合には、この疎水化剤供給配管に流量計が介装される。

　エジェクタ式の吸引装置からなる第２の疎水化剤吸引装置６３は、流体供給配管７５と、流体供給配管７５の開閉を切り換えるための流体供給バルブ７６とを含む。流体供給バルブ７６は、たとえば電磁弁である。第２の疎水化剤吸引装置６３の電源オン状態において、流体供給バルブ７６が開かれて、流体供給配管７５内に流体が流れることにより、第２の疎水化剤吸引装置６３の内部が減圧される。これにより、疎水化剤吸引配管（吸引配管）５６の内部が吸引される。すなわち、第２の疎水化剤吸引装置６３の働きが有効化される。

　詳細な説明は省略するが、有機溶剤供給ユニット１１は、疎水化剤供給ユニット１０と同様の構成を有している。すなわち、有機溶剤配管８１の第２の左右方向部分８１ｂの管壁に関連して、第１のセンサが配置されている。有機溶剤バルブ８７は、エアオペレート式の開閉バルブであり、第１のエア供給バルブが開かれることにより、有機溶剤バルブ８７が開かれ、第１のリークが開かれることにより、有機溶剤バルブ８７が閉じられる。第１の有機溶剤吸引装置８８は、エアオペレート式の吸引装置であり、第２のエア供給バルブが開かれることにより、第１の有機溶剤吸引装置８８の働きが有効化され、第２のリークが開かれることにより、第１の有機溶剤吸引装置８８の働きが無効化される。

　図７Ａは、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

　制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット１０１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット１０２、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット１０２には、演算ユニット１０１が実行するプログラム１０３が記憶されている。

　記憶ユニット１０２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部１０４を含む。レシピ記憶部１０４は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部１０４には、操作部１０５の操作により作成されるプロセスレシピ１０６、プレレシピ１０７、ポストレシピ１０８およびフローレシピ１０９が記憶される。プロセスレシピ１０６は、基板Ｗに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）を定めたものである。プレレシピ１０７は、予備動作レシピの一例であり、予め定める前処理の内容を定めたものである。ポストレシピ１０８は、予備動作レシピの一例であり、予め定める後処理の内容を定めたものである。フローレシピ１０９は、プロセスレシピ１０６に従った制御（プロセスレシピ制御）、プリレシピに従った制御（プリレシピ制御）およびポストレシピに従った制御（ポストレシピ制御）の実行順序および実行回数を定めたものである。

　基板処理装置１には、一つのロットを構成する所定枚数（たとえば、２５枚）の基板Ｗが基板収容器Ｃ（図１参照）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置１では、基板収容器Ｃごとに、１つのフローレシピ１０９が設定される。

　さらに、制御装置３には、制御対象として、スピンモータ１６、対向部材昇降ユニット３９、ガード昇降ユニット４７、第１の疎水化剤吸引装置５８、第２の疎水化剤吸引装置６３、第１の有機溶剤吸引装置８８、第２の有機溶剤吸引装置９３等が接続されている。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１６、対向部材昇降ユニット３９、ガード昇降ユニット４７等を駆動し、また、第１の疎水化剤吸引装置５８、第２の疎水化剤吸引装置６３、第１の有機溶剤吸引装置８８、第２の有機溶剤吸引装置９３等の働きを有効化させる。さらに、制御装置３は、薬液バルブ３６、リンス液バルブ３８、疎水化剤バルブ５７、疎水化剤排液バルブ５９、第１の疎水化剤供給バルブ６０、第２の疎水化剤供給バルブ６１、疎水化剤吸引バルブ６２、第１のエア供給バルブ６９、第２のエア供給バルブ７１、有機溶剤供給配管８４、有機溶剤バルブ８７、有機溶剤排液バルブ８９、有機溶剤吸引バルブ９２等を開閉する。

　図７Ｂは、ハードインターロックを説明するための図である。ハードインターロックは、レシピ記憶部１０４に保持されたレシピに従って一連の基板処理が行われる過程において、各工程の開始時に実行される。図７Ｂでは、ガード位置とバルブの開閉動作との間のハードインターロックのみを図示している。

　第１のガード対向状態では、薬液バルブ３６およびリンス液バルブ３８の開動作が許容されているが、第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１ならびに有機溶剤供給バルブ９０の開動作が禁止されている。

　第２のガード対向状態では、第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１の開動作が許容されているが、薬液バルブ３６、リンス液バルブ３８および有機溶剤供給バルブ９０の開動作は禁止されている。このようなハードインターロックにより、疎水化剤供給工程Ｅ６（図９参照）において有機溶剤が基板Ｗに供給されることが防止され、処理カップ１２内において疎水化剤と有機溶剤との混触が発生することを確実に防止できる。疎水化剤と有機溶剤との混触に伴ってパーティクルが発生するおそれがあるので、かかる混触を防止することにより、パーティクルの発生を未然に防止できる。

　第３のガード対向状態では、有機溶剤供給バルブ９０の開動作が許容されているが、薬液バルブ３６、リンス液バルブ３８ならびに第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１の開動作は禁止されている。このようなハードインターロックにより、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（図９参照）や第２の有機溶剤供給工程Ｅ７（図９参照）において疎水化剤が基板Ｗに供給されることが防止され、処理カップ１２内において疎水化剤と有機溶剤との混触が発生することを確実に防止できる。疎水化剤と有機溶剤との混触に伴ってパーティクルが発生するおそれがあるので、かかる混触を防止することにより、パーティクルの発生を未然に防止できる。

　図８Ａは、処理ユニット２において実行される処理の内容を説明するための流れ図である。図８Ｂは、処理ユニット２においてプレレシピ１０７によって実行される前処理の流れを示す流れ図である。図９は、処理ユニット２においてプロセスレシピ１０６によって実行される基板処理の流れを示す流れ図である。図１０は、基板処理装置１への基板Ｗの搬入前における、処理ユニット２の状態を示す図である。図１１は、排出吸引工程Ｔ１（第２の吸引工程）を説明するための図である。図１２Ａは、プリディスペンス工程Ｔ２を説明するための図である。図１２Ｂは、充填工程Ｔ３（待機位置配置工程）を説明するための図である。図１３は、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５を説明するための図である。図１４は、第１の有機溶剤供給工程後に実行される振り切り工程を示す図である。図１５は、疎水化剤供給工程Ｅ６を説明するための図である。図１６は、第２の有機溶剤供給工程Ｅ７を説明するための図である。図１７は、スピンドライ工程Ｅ８を説明するための図である。図１８は、第１のエラー判定を説明するための流れ図である。図１９は、第２のエラー判定を説明するための流れ図である。

　図８Ａ～図９を参照しながら、処理ユニット２で実行される基板処理例について説明する。図１０～図１９については適宜参照する。また、基板処理例は、エッチング処理であってもよいし、洗浄処理であってもよい。

　１つのロットに含まれる複数枚の基板Ｗ（１つの基板収容器Ｃ（図１参照）に収容される複数枚の基板Ｗ）に対し、１または複数の処理ユニット２において処理が施される。基板収容器Ｃ（図１参照）が、基板処理装置１のロードポートＬＰ（図１参照）に載置されると、基板収容器Ｃに含まれるロットの情報を示す基板情報が、ホストコンピュータから制御装置３に送られる。ホストコンピュータは、半導体製造工場に設置された複数の基板処理装置を統括するコンピュータである。制御装置３は、ホストコンピュータから送られた基板情報に基づいて、そのロットに対するフローレシピ１０９がレシピ記憶部１０４から読み出される。そして、フローレシピ１０９に従って、プリレシピ制御、プロセスレシピ制御およびポストレシピ制御が順に行われる。

　まず、各処理ユニット２（図１参照）においてプレレシピ１０７に従った制御が実行され、これにより前処理Ｓ１（図８Ａ参照）が行われる。

　その後、プロセスレシピ１０６に従った制御が繰り返し実行されることにより、１つの基板収容器Ｃに収容された基板Ｗは、次々と連続して処理ユニット２に搬入され、処理ユニット２で基板処理Ｓ２（図８Ａ参照）を受ける。

　そして、プロセスレシピ１０６に従った制御が基板収容器Ｃに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行され、一連の所定回数の処理が終了すると、各処理ユニット２においてポストレシピ１０８に従った制御が実行されることにより、後処理Ｓ３（図８Ａ参照）が実行される。後処理Ｓ３についての説明は省略する。

　前処理Ｓ１について説明する。

　前回の基板処理Ｓ２（１つ前の基板Ｗに対する基板処理Ｓ２）後には、図１０に示すように、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されており、また、有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置（待機位置）Ｐ２に配置されている。有機溶剤待機位置Ｐ２は、流通方向に所定の幅を有している。

　前処理Ｓ１において、制御装置３は、排出吸引工程Ｔ１（図８Ｂ参照）を実行する。

　排出吸引工程Ｔ１は、疎水化剤配管５１の内部や第１の接続配管５２の内部に存在している疎水化剤を、疎水化剤配管５１や第１の接続配管５２から排出するための工程（第２の吸引工程）を含む。前回の基板処理Ｓ２の終了から長期間が経過している場合、疎水化剤配管５１の内部や第１の接続配管５２の内部に存在している疎水化剤が失活（劣化）しているおそれがある。そのため、基板処理Ｓ２に先立って、疎水化剤配管５１に存在している疎水化剤を疎水化剤配管５１から排出させることにより、失活している疎水化剤を基板処理Ｓ２に用いられないようにしたものである。

　排出吸引工程Ｔ１では、制御装置３は、図１０に示すように、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じた状態で、疎水化剤バルブ５７および疎水化剤吸引バルブ６２を開く。これにより、疎水化剤吸引配管５６の内部および第１の接続配管５２の内部が排気され、疎水化剤配管５１の内部に残っている疎水化剤が、第１の接続配管５２を通って疎水化剤吸引配管５６へと引き込まれる。疎水化剤配管５１の内部、第１の接続配管５２の内部および疎水化剤吸引配管５６の内部から全て疎水化剤が排出されると、制御装置３は、疎水化剤吸引バルブ６２および疎水化剤バルブ５７を閉じる。この排出吸引工程Ｔ１により、疎水化剤配管５１の内部や第１の接続配管５２の内部に存在している、（湿度や酸素の影響により）失活している疎水化剤を、疎水化剤配管５１や第１の接続配管５２から排出することができる。エジェクタ式の吸引装置からなる第２の疎水化剤吸引装置６３を用いて排出吸引工程Ｔ１を行うので、疎水化剤配管５１や第１の接続配管５２から全ての疎水化剤を排出することができ、かつその排出動作を短期間のうちに行うことができる。

　また、排出吸引工程Ｔ１は、有機溶剤配管８１の内部や第２の接続配管８２の内部に存在している有機溶剤を、有機溶剤配管８１や第２の接続配管８２から排出するための工程（第２の吸引工程）を含む。前回の基板処理Ｓ２の終了から長期間が経過している場合、有機溶剤配管８１の内部や第２の接続配管８２の内部に存在している有機溶剤が失活（劣化）しているおそれがある。そのため、基板処理Ｓ２に先立って、有機溶剤配管８１に存在している有機溶剤を有機溶剤配管８１から排出させることにより、失活している有機溶剤を基板処理Ｓ２に用いられないようにしたものである。

　排出吸引工程Ｔ１では、制御装置３は、有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブを閉じた状態で、有機溶剤バルブ８７および有機溶剤吸引バルブ９２を開く。これにより、有機溶剤吸引配管８６の内部および第２の接続配管８２の内部が排気され、有機溶剤配管８１の内部に残っている有機溶剤が、第２の接続配管８２を通って有機溶剤吸引配管８６へと引き込まれる。有機溶剤配管８１の内部、第２の接続配管８２の内部および有機溶剤吸引配管８６の内部から全て有機溶剤が排出されると、制御装置３は、有機溶剤吸引バルブ９２および有機溶剤バルブ８７を閉じる。この排出吸引工程Ｔ１により、有機溶剤配管８１の内部や第２の接続配管８２の内部に存在している、（湿度や酸素の影響により）失活している有機溶剤を、有機溶剤配管８１や第２の接続配管８２から排出することができる。エジェクタ式の吸引装置からなる第２の有機溶剤吸引装置９３を用いて排出吸引工程Ｔ１を行うので、有機溶剤配管８１や第２の接続配管８２から全ての有機溶剤を排出することができ、かつその排出動作を短期間のうちに行うことができる。

　なお、図１１の例では、疎水化剤供給配管５４からの疎水化剤の吸引と、有機溶剤供給配管８４からの有機溶剤の吸引とを並行して行う場合を示しているが、疎水化剤供給配管５４からの疎水化剤の吸引と、有機溶剤供給配管８４からの有機溶剤の吸引とが互いに異なるタイミングで行われていてもよい。

　排出吸引工程Ｔ１の終了後、次いで前処理Ｓ１において、制御装置３は、プリディスペンス工程Ｔ２（図８Ｂ参照）を実行する。

　プリディスペンス工程Ｔ２は、疎水化剤供給配管（第１の疎水化剤供給配管５４および第２の疎水化剤供給配管５５）の内部に存在している疎水化剤を疎水化剤供給配管から排出するための工程を含む。前回の基板処理Ｓ２の終了から長期間が経過している場合、第１の疎水化剤供給配管５４の内部に存在している第１の疎水化剤原液が失活（劣化）しているおそれがあり、また、第２の疎水化剤供給配管５５の内部に存在している第２の疎水化剤原液が失活（劣化）しているおそれがある。そのため、基板処理Ｓ２に先立って、第１の疎水化剤供給配管５４の内部に存在している第１の疎水化剤原液、および第２の疎水化剤供給配管５５の内部に存在している第２の疎水化剤原液を、疎水化剤配管５１から排出させることにより、失活している第１の疎水化剤原液および第２の疎水化剤原液を基板処理Ｓ２に用いられないようにしたものである。

　プリディスペンス工程Ｔ２では、制御装置３は、図１２Ａに示すように、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じた状態で、疎水化剤排液バルブ５９および疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）を開く。これにより、第１の疎水化剤供給配管５４の内部に存在している第１の疎水化剤原液が、疎水化剤排液配管５３に供給される。このプリディスペンス工程Ｔ２により、第１の疎水化剤供給配管５４の内部に存在している、失活している第１の疎水化剤原液、および、第２の疎水化剤供給配管５５の内部に存在している、失活している第２の疎水化剤原液を、第１の疎水化剤供給配管５４の内部または第２の疎水化剤供給配管５５の内部から排出することができる。

　プリディスペンス工程Ｔ２において、疎水化剤供給配管５４，５５から疎水化剤排液配管５３に導かれる疎水化剤の流量が第２のセンサ７７（図１２Ａに併せて図６も参照）によって検出される。前述のように、疎水化剤配管５１における液体の流通時の圧損と疎水化剤排液配管５３における液体の流通時の圧損とが一致するようにオリフィス７２によって調整されているから、プリディスペンス工程Ｔ２において、充填工程Ｔ３において疎水化剤配管５１に供給される疎水化剤の流量を精度良く取得することができる。

　制御装置３は、第２のセンサ７７の検出により、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されるか否かを判断する（第１の判断工程）。また、制御装置３は、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されないと判断した場合には、エラーであると判定する（第１のエラー判定）。具体的には、制御装置３は、第２のセンサ７７によって検出された疎水化剤の流量が所定の閾値範囲外である場合（図１８のステップＱ１でＮＯ）には、エラーであると判定し（図１８のステップＱ２）、その後にエラー処理を実行する（図１８のステップＱ３）。第２のセンサ７７によって検出された疎水化剤の流量が所定の閾値範囲外である場合（ステップＱ１でＮＯ）には、充填工程Ｔ３において疎水化剤配管５１に供給される疎水化剤の流量が所期の流量範囲外になる。第２のセンサ７７によって検出された疎水化剤の流量が所定の閾値範囲内である場合（ステップＱ１でＹＥＳ）には、図１８の処理（サブルーチン処理）は、呼び出し元にリターンされる。

　充填工程Ｔ３において、疎水化剤配管５１に供給される疎水化剤の流量が所期の流量範囲外になると、疎水化剤の先端面Ｆ１の位置を正確に制御できないおそれがある。この場合には、充填工程Ｔ３において、吐出口３３ａから疎水化剤をボタ落ちさせてしまったり、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１を疎水化剤待機位置Ｐ１に配置できかったりするおそれがある。したがって、このような事態が発生した場合には、充填工程Ｔ３を行わずに（または、充填工程Ｔ３が既に実行されている場合には、充填工程Ｔ３を中断する）、エラー処理を行うことにしている。

　また、プリディスペンス工程Ｔ２は、有機溶剤供給配管８４の内部に存在している有機溶剤を有機溶剤供給配管８４から排出するための工程を含む。前回の基板処理Ｓ２の終了から長期間が経過している場合、有機溶剤配管８１の内部に存在している第１の有機溶剤原液が失活（劣化）しているおそれがある。そのため、基板処理Ｓ２に先立って、有機溶剤供給配管８４の内部に存在している有機溶剤を有機溶剤配管８１から排出させることにより、失活している有機溶剤を基板処理Ｓ２に用いられないようにしたものである。

　プリディスペンス工程Ｔ２では、制御装置３は、有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブを閉じた状態で、有機溶剤排液バルブ８９および有機溶剤供給バルブ９０を開く。これにより、図１２Ａに示すように、有機溶剤供給配管８４の内部に存在している有機溶剤が、有機溶剤排液配管８３に供給される。このプリディスペンス工程Ｔ２により、有機溶剤供給配管８４の内部に存在している、失活している有機溶剤を、有機溶剤供給配管８４の内部から排出することができる。なお、図１２Ａの例では、疎水化剤供給配管５４からの疎水化剤の排液と、有機溶剤供給配管８４からの有機溶剤の排液とを並行して行う場合を示しているが、疎水化剤供給配管５４からの疎水化剤の排液と、有機溶剤供給配管８４からの有機溶剤の排液とが互いに異なるタイミングで行われていてもよい。

　プリディスペンス工程Ｔ２の終了後、次いで前処理Ｓ１において、制御装置３は、充填工程（待機位置配置工程）Ｔ３（図８Ｂ参照）を実行する。充填工程Ｔ３は、疎水化剤配管５１に疎水化剤を充填（供給）し、これにより、疎水化剤の先端面Ｆ１を疎水化剤待機位置Ｐ１に配置する工程である。なお、この実施形態では、充填工程Ｔ３において、有機溶剤配管８１への有機溶剤の充填（供給）は行わない。

　具体的には、充填工程Ｔ３では、制御装置３は、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じた状態で、疎水化剤バルブ５７および疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）を開く。これにより、第１の疎水化剤供給配管５４から第１の接続配管５２に第１の疎水化剤原液が流入し、かつ第２の疎水化剤供給配管５５から第１の接続配管５２に第２の疎水化剤原液が流入し、第１の接続配管５２内で混合されて疎水化剤が生成される。生成された疎水化剤は疎水化剤配管５１を通って下流側に向けて移動する。

　疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）の開成から所定の期間が経過すると、制御装置３は、疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）を閉じる。これにより、図１２Ｂに示すように、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されるようになる。

　また、制御装置３は、充填工程Ｔ３に並行して、疎水化剤の先端面Ｆ１の位置を監視している。具体的には、制御装置３は、第１の有無センサ６５（第１のセンサ６４）によって上限位置６７ａにおける疎水化剤の存在が検出され、かつ第２の有無センサ６６（第１のセンサ６４）によって下限位置６７ｂにおける疎水化剤の非存在が検出された場合に疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されていると判断する（第１の判断工程）。

　制御装置３は、充填工程Ｔ３後の実際の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されないと判断した場合には、エラーであると判定する（第２のエラー判定）。具体的には、制御装置３は、充填工程Ｔ３後における実際の疎水化剤の先端面Ｆ１が第１のセンサ６４によって疎水化剤待機位置Ｐ１にないと判断した場合（図１９のＱ１１でＮＯ）には、エラーであると判定し（図１９のＱ１２）、その後にエラー処理を実行する（図１９のＱ１３）。充填工程Ｔ３後における疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されている場合（図１９のＱ１１でＹＥＳ）には、図１９の処理（サブルーチン処理）は、呼び出し元にリターンされる。

　充填工程Ｔ３が終了すると、前処理Ｓ１は終了する。

　次に、基板処理Ｓ２（図８Ａ参照）について説明する。基板処理Ｓ２の実行に関し、レシピ記憶部１０４（図７Ａ参照）から読み出されたプロセスレシピ１０６は、常時参照されている。

　基板処理Ｓ２が実行されるときには、未処理の基板Ｗが、チャンバー４の内部に搬入される（図９のステップＥ１）。基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバー４の内部に進入させることにより、具体的には、基板Ｗがその表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、スピンチャック５に基板Ｗが保持される。

　チャンバー４への基板Ｗの搬入は、遮断板２１が退避位置に配置された状態で、かつ第１～第３のガード４４～４６が下位置に配置された状態で行われる。

　その後、制御装置３は、スピンモータ１６を制御して基板Ｗの回転を開始させる（図９のステップＥ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（約１０～１２００ｒｐｍの範囲内で、たとえば約１０００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。また、制御装置３は、対向部材昇降ユニット３９を制御して、遮断板２１を近接位置に配置する。

　また、制御装置３は、ガード昇降ユニット４７を制御して、第１～第３のガード４４～４６を上位置に上昇させることにより、図１３に示すように、第１のガード４４を基板Ｗの周端面に対向させる（第１のガード対向状態を実現）。

　遮断板２１が近接位置に配置された後、次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液供給工程Ｅ３（図９参照）を行う。制御装置３は、薬液バルブ３６を開く、これにより、遮断板２１の基板対向面２１ａに形成された第１の吐出口３１ａから、基板Ｗの上面中央部に向けて薬液が吐出される。基板Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面の全域が薬液を用いて処理される。

　第１の吐出口３１ａからの薬液の吐出開始から、プロセスレシピ１０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ３６を閉じる。

　次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面にリンス液を供給するリンス工程Ｅ４（図９参照）を行う。制御装置３は、リンス液バルブ３８を開く。これにより、遮断板２１の基板対向面２１ａに形成された第１の吐出口３１ａから基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液が吐出される。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の薬液がリンス液に置換される。

　第２の吐出口３２ａからの薬液の吐出開始から、プロセスレシピ１０６によって規定されている期間が経過すると、リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ３８を閉じる。これにより、第２の吐出口３２ａからのリンス液の吐出が停止され、リンス工程Ｅ４が終了する。

　次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（図９参照）を行う。

　具体的には、制御装置３は、ガード昇降ユニット４７を制御して、第３のガード４６を上位置に維持しながら、第１および第２のガード４４，４５を下降させて下位置に配置することにより、図１３に示すように、第３のガード４６を基板Ｗの周端面に対向させる（第３のガード対向状態を実現）。このときガードの昇降動作に要する時間はたとえば１．５秒間である。

　また、制御装置３は、基板Ｗの回転を液処理速度に維持しつつ、有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブを閉じながら有機溶剤バルブ８７および有機溶剤供給バルブ９０を開く。これにより、図１３に示すように、遮断板２１の基板対向面２１ａに形成された第４の吐出口３４ａから基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上のリンス液が有機溶剤によって置換される。

　ところで、１回目の基板処理Ｓ２（共通の基板収容器Ｃ（図１参照）に収容されている基板Ｗに対し、処理ユニット２において実施される最初の基板処理Ｓ２）に係る第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（以降、単に「１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５」という場合がある）の有機溶剤の吐出前においては、有機溶剤配管８１の内部、第２の接続配管８２の内部および有機溶剤吸引配管８６の内部に有機溶剤は存在しない。なぜなら、排出吸引工程Ｔ１において、有機溶剤配管８１の内部、第２の接続配管８２の内部および有機溶剤吸引配管８６の内部から全て有機溶剤が排出されているからである。

　一方、２回目以降の基板処理Ｓ２に係る第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（以降、単に「２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５」という場合がある）の有機溶剤の吐出前においては、有機溶剤配管８１の有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置Ｐ２に配置されている。したがって、１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５と２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５との間で、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の開始時において、有機溶剤供給バルブ９０（および有機溶剤バルブ８７）が開かれてから第４の吐出口３４ａから有機溶剤が吐出されるまでの間の期間が異なる。通常、有機溶剤供給バルブ９０の開成から、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の処理期間の計時が開始されるので、有機溶剤バルブ８７が開かれてから第４の吐出口３４ａから有機溶剤が吐出されるまでの間の期間が異なると、有機溶剤の実際の供給時間が基板Ｗ毎にばらつき、その結果、処理が基板Ｗ毎にばらつくおそれがある。

　この実施形態では、１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５および２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の双方における実際の供給時間を一定に保つために、１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５における有機溶剤供給バルブ９０の開成タイミングを、所期のタイミング（１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５における有機溶剤供給バルブ９０の開成タイミング）よりも数秒（たとえば約３秒）早めている。すなわち、１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５において、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の開始前（すなわち、ガード高さの変更前）から、制御装置３は有機溶剤供給バルブ９０が開かれている（有機溶剤の先出し）。

　図７Ｂを参照しながら前述したように、第１のガード対向状態では、薬液バルブ３６、リンス液バルブ３８、有機溶剤供給バルブ９０ならびに第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１の開動作が許容されている。そのため、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の開始前（すなわち、ガード高さの変更前から）から有機溶剤供給バルブ９０を開くことが可能である（有機溶剤の先出しを実現することができる）。

　また、２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５である場合には、第１の有機溶剤吸引装置８８が有効化状態にある。そのため、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の開始後に、制御装置３は、第１の有機溶剤吸引装置８８用の第２のエア供給バルブ（第２のエア供給バルブ７１に相当）を開いて、かつ、第１の有機溶剤吸引装置８８用の第２のリークバルブを閉じる。これにより、第１の有機溶剤吸引装置８８の内部にエアが供給されることにより、第１の有機溶剤吸引装置８８の働きが無効化され、第１の有機溶剤吸引装置８８に吸引されていた少量の有機溶剤が有機溶剤配管８１に吐き出される。

　第１の有機溶剤供給工程Ｅ５において、第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出開始から、プロセスレシピ１０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ８７および有機溶剤供給バルブ９０を閉じる。これにより、図１４に示すように、第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出が停止される。また、制御装置３は、有機溶剤バルブ８７を閉じたままの状態で、第１の有機溶剤吸引装置８８の働きを有効化する。有機溶剤配管８１における、第１の有機溶剤吸引装置８８の介装部分よりも下流側部分の内部が排気され、図１４に示すように、当該下流側部分の内部に残っている有機溶剤が、第１の有機溶剤吸引装置８８の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと引き込まれる。第１の有機溶剤吸引装置８８の吸引量は、有機溶剤の先端面Ｆ２が、第２の左右方向部分８１ｂ内に設定された所定の有機溶剤待機位置Ｐ２に後退するように定められている。このときの有機溶剤の吸引量は約０．１～１ミリリットルである。有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置Ｐ２まで後退すると、制御装置３は、有機溶剤供給バルブ９０（および有機溶剤バルブ８７）を閉じる。これにより、有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置Ｐ２に配置される。

　第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出停止に基づいて、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５が終了する。

　次いで、制御装置３は、図１４に示すように、基板Ｗの上面に存在する有機溶剤を振り切る振り切り工程を行う。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１６を制御して、薬液供給工程Ｅ３～第１の有機溶剤供給工程Ｅ５の各工程における回転速度よりも大きい振り切り回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから有機溶剤が除去される。

　次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在する有機溶剤を液体の疎水化剤に置換する疎水化剤供給工程Ｅ６（図９参照）を行う。具体的には、制御装置３は、ガード昇降ユニット４７を制御して、第３のガード４６を上位置に維持しながら、第２のガード４５を上昇させて上位置に配置することにより、図１５に示すように、第２のガード４５を基板Ｗの周端面に対向させる（第２のガード対向状態を実現）。このときガードの昇降動作に要する時間はたとえば１．５秒間である。

　また、制御装置３は、遮断板２１を近接位置に維持しつつ、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じながら疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）ならびに疎水化剤バルブ５７を開く。

　直前に行われた第１の有機溶剤供給工程Ｅ５が、１回目の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５であるか２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５であるかによらずに、疎水化剤供給工程Ｅ６の開始前において、疎水化剤の先端面Ｆ１は、疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されている。

　また、２回目以降の第１の有機溶剤供給工程Ｅ５である場合には、第１の疎水化剤吸引装置５８が有効化状態にある。そのため、制御装置３は、疎水化剤供給工程Ｅ６の開始後に、第２のエア供給バルブ７１を開いて、かつ、第２のリークバルブを閉じる。これにより、第１の疎水化剤吸引装置５８の内部にエアが供給される。その結果、第１の疎水化剤吸引装置５８の働きが無効化され、第１の疎水化剤吸引装置５８に吸引されていた少量の疎水化剤が疎水化剤配管５１に吐き出される。

　疎水化剤供給バルブ（第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）ならびに疎水化剤バルブ５７の開放により、疎水化剤供給配管（第１の疎水化剤供給配管５４および第２の疎水化剤供給配管５５）の疎水化剤が、第１の接続配管５２を介して疎水化剤配管５１に供給される。これにより、図１５に示すように、遮断板２１の基板対向面２１ａに形成された第３の吐出口３３ａから基板Ｗの上面中央部に向けて疎水化剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された疎水化剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の有機溶剤が疎水化剤によって置換される。

　疎水化剤供給工程Ｅ６において、第３の吐出口３３ａからの疎水化剤の吐出開始から、プロセスレシピ１０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置３は、疎水化剤バルブ５７、第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１を閉じる。これにより、図１６に示すように、第３の吐出口３３ａからの疎水化剤の吐出が停止される。また、制御装置３は、疎水化剤バルブ５７を閉じたままの状態で、第１のエア供給バルブ６９を開く。これにより、疎水化剤配管５１における、第１の疎水化剤吸引装置５８の介装部分よりも下流側部分の内部が排気され、図１６に示すように、当該下流側部分の内部に残っている疎水化剤が、第１の疎水化剤吸引装置５８の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと引き込まれる。第１の疎水化剤吸引装置５８の吸引量は、疎水化剤の先端面Ｆ１が、第１の左右方向部分５１ｂ内に設定された所定の疎水化剤待機位置Ｐ１に後退するように定められている。このときの疎水化剤の吸引量は約０．１～１ミリリットルである。これにより、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置される。

　第３の吐出口３３ａからの疎水化剤の吐出停止に基づいて、疎水化剤供給工程Ｅ６が終了する。

　次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第２の有機溶剤供給工程Ｅ７（図９参照）を行う。

　具体的には、制御装置３は、ガード昇降ユニット４７を制御して、第３のガード４６を上位置に維持しながら、第２のガード４５を下降させて下位置に配置することにより、図１６に示すように、第３のガード４６を基板Ｗの周端面に対向させる（第３のガード対向状態を実現）。このときガードの昇降動作に要する時間はたとえば１．５秒間である。

　また、制御装置３は、基板Ｗの回転を液処理速度に維持しつつ、有機溶剤供給ユニット１１における他のバルブを閉じながら有機溶剤バルブ８７および有機溶剤供給バルブ９０を開く。これにより、遮断板２１の基板対向面２１ａに形成された第４の吐出口３４ａから基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の疎水化剤が有機溶剤によって置換される。

　また、第２の有機溶剤供給工程Ｅ７の開始後に、第１の有機溶剤吸引装置８８の駆動を停止する。これにより、第１の有機溶剤吸引装置８８に吸引されていた少量の有機溶剤が有機溶剤配管８１に吐き出される。

　第２の有機溶剤供給工程Ｅ７において、第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出開始から、プロセスレシピ１０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ８７および有機溶剤供給バルブ９０を閉じる。これにより、第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出が停止される。また、制御装置３は、有機溶剤バルブ８７を閉じたままの状態で、第１の有機溶剤吸引装置８８の働きを有効化する。有機溶剤配管８１における、第１の有機溶剤吸引装置８８の介装部分よりも下上流側部分の内部が排気され、当該下流側部分の内部に残っている有機溶剤が、第１の有機溶剤吸引装置８８の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと引き込まれる。第１の有機溶剤吸引装置８８の吸引量は、有機溶剤の先端面Ｆ２が、第２の左右方向部分８１ｂ内に設定された所定の有機溶剤待機位置Ｐ２に後退するように定められている。このときの有機溶剤の吸引量は約０．１～１ミリリットルである。有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置Ｐ２まで後退すると、制御装置３は、有機溶剤供給バルブ９０（および有機溶剤バルブ８７）を閉じる。これにより、有機溶剤の先端面Ｆ２が有機溶剤待機位置Ｐ２に配置される。

　第４の吐出口３４ａからの有機溶剤の吐出停止に基づいて、第２の有機溶剤供給工程Ｅ７が終了する。

　次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程Ｅ８（図９参照）が行われる。具体的には、制御装置３は、遮断板２１が近接位置に配置された状態で、スピンモータ１６を制御して薬液供給工程Ｅ３～第２の有機溶剤供給工程Ｅ７の各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。

　基板Ｗの加速から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１６を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図９のステップＥ９）。その後、制御装置３は、対向部材昇降ユニット３９を制御して、遮断板２１を上昇させて退避位置に配置する。また、制御装置３は、ガード昇降ユニット４７を制御して、第１および第２のガード４４，４５に下降させて、全てのガードを基板Ｗの周端面から下方に退避させる。

　その後、チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（図９のステップＥ１０）。具体的には、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗがチャンバー４から搬出される。

　以上のようにこの実施形態によれば、吸引工程は、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置される工程（第１の吸引工程。ボタ落ち防止のための吸引）と、疎水化剤配管５１の内部、第１の接続配管５２の内部および疎水化剤吸引配管５６の内部から全て疎水化剤が排除される（少なくとも第１の接続配管５２の上流端（疎水化剤吸引配管５６が接続される部分）よりも上流側（疎水化剤吸引配管５６側）に疎水化剤の先端面Ｆ１を後退させる）排出吸引工程Ｔ１（第２の吸引工程）とを含む。そして、排出吸引工程Ｔ１の後に行われる充填工程Ｔ３（待機位置配置工程）において疎水化剤吸引配管５６に疎水化剤を供給することにより、疎水化剤の先端面Ｆ１を前進させ、当該疎水化剤の先端面Ｆ１を疎水化剤待機位置Ｐ１に配置させる。したがって、これらの吸引のいずれが実行された場合であっても、次の疎水化剤の吐出前において疎水化剤の先端面Ｆ１を共通の待機位置である疎水化剤待機位置Ｐ１に配置することができる。これにより、疎水化剤吸引配管５６の内部を吸引する吸引工程の種類の如何によらずに、疎水化剤バルブ５７や疎水化剤供給バルブが開かれてから共通のタイミングで、第３の吐出口３３ａから疎水化剤を吐出することができる。ゆえに、疎水化剤を用いた均一な処理を基板Ｗに施すことができる。

　とくにこの実施形態に係る疎水化剤供給工程Ｅ６において、基板Ｗの上面（表面）への疎水化剤の供給が途切れると、基板Ｗの上面（表面）において乾燥が進み、その結果、パターン倒壊が発生するおそれがある。しかしながら、この実施形態では、共通のタイミングで第３の吐出口３３ａから疎水化剤を吐出する疎水化剤供給工程Ｅ６において、疎水化剤の供給が行われない期間がほとんど存在しない。したがって、疎水化剤供給工程Ｅ６において基板Ｗの上面（表面）の乾燥が促進することに基づくパターン倒壊を抑制することができる。

　また、疎水化剤供給工程Ｅ６においては、第２のガード対向状態が実現される。この第２のガード対向状態では、第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１の開動作が許容されているが、薬液バルブ３６、リンス液バルブ３８および有機溶剤供給バルブ９０の開動作は禁止されている。このようなハードインターロックにより、処理カップ１２内において疎水化剤と有機溶剤との混触が発生することを確実に防止でき、ゆえに、パーティクルの発生を未然に防止できる。

　とくにこの実施形態では、図７Ｂを参照しながら前述したように、第３のガード対向状態では、第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１の開動作が禁止されている。そのため、疎水化剤供給工程Ｅ６の開始前（すなわち、ガード高さの変更前から）から第１および第２の疎水化剤供給バルブ６０，６１を開くことが不可能である。すなわち、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５で行っていたような、処理液の先出し（疎水化剤の先出し）を行うことができない。

　このようなハードインターロックが有効に機能している場合であっても、前処理Ｓ１において排出吸引工程Ｔ１の後に充填工程Ｔ３を実行することにより、疎水化剤供給工程Ｅ６の開始前に、疎水化剤の先端面Ｆ１を疎水化剤待機位置Ｐ１に配置しておくことができる。

　また、充填工程Ｔ３に並行して、疎水化剤の先端面Ｆ１に位置が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されているか否かが第１のセンサ６４によって検出される。充填工程Ｔ３に並行して、疎水化剤の先端面Ｆ１の位置を第１のセンサ６４によって実際に検出することにより、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１にあるか否かを精度良く検出することができる。

　また、充填工程Ｔ３において疎水化剤供給配管５４，５５に供給される疎水化剤（疎水化剤原液）の流量を検出するための第２のセンサ７７が設けられている。疎水化剤配管５１における液体の流通時の圧損と疎水化剤排液配管５３における液体の流通時の圧損とが一致するようにオリフィス７２によって調整されているから、プリディスペンス工程Ｔ２において疎水化剤供給配管５４，５５から疎水化剤排液配管５３に導かれる疎水化剤の流量を第２のセンサ７７により検出することにより、充填工程Ｔ３において疎水化剤供給配管５４，５５に供給される疎水化剤の流量を精度良く取得することができる。充填工程Ｔ３における疎水化剤の流量を正確に把握することができれば、充填工程Ｔ３における疎水化剤の充填時間を管理することにより、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１を精度良く制御することができる。これにより、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１にあるか否かを精度良く検出することが可能である。

　図２２は、本発明の第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット２１０の詳細な構成を説明するための図である。

　第２の実施形態において、前述の第１の実施形態と共通する部分には、図１～図１９の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。

　第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット２１０が、第１の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット１０（図６参照）と相違する１つ目の点は、ダイヤフラム式の吸引装置からなる第１の疎水化剤吸引装置５８を廃止した点である。加えて、疎水化剤供給ユニット２１０が、第２の疎水化剤吸引装置として、吸引力が調整不能な第２の疎水化剤吸引装置６３に代えて、吸引力を調整可能な第２の疎水化剤吸引装置２６３を備えている。

　疎水化剤供給ユニット２１０は、第３のノズル配管３３に接続された疎水化剤配管（処理液配管）２５１と、疎水化剤配管２５１を開閉するための疎水化剤バルブ２５７と、第１の接続配管５２とを含む。疎水化剤配管２５１は、第１の左右方向部分５１ｂの少なくとも疎水化剤待機位置Ｐ１の周囲の部分が、透明性を有している点で、疎水化剤配管５１（図６参照）と相違しており、その余の点で、疎水化剤配管５１と共通している。

　また、疎水化剤供給ユニット２１０は、疎水化剤排液バルブ５９、第１の疎水化剤供給バルブ６０、第２の疎水化剤供給バルブ６１、および疎水化剤吸引バルブ６２を含む。これら、第１の接続配管５２、疎水化剤バルブ２５７、疎水化剤排液バルブ５９、第１の疎水化剤供給バルブ６０、第２の疎水化剤供給バルブ６１、および疎水化剤吸引バルブ６２によって、バルブユニットＶが構成されている。

　疎水化剤バルブ２５７には、疎水化剤供給ユニット２１０に含まれる疎水化剤排液バルブ５９を除いて、疎水化剤配管２５１を開閉するためのバルブ（含：ニードルバルブ）が介装されていない。また、前述のように、疎水化剤配管２５１には、第１の疎水化剤吸引装置５８が介装されていない。すなわち、疎水化剤配管２５１における、バルブユニットＶと中心軸ノズル７との間の部分には、バルブやダイヤフラム式の吸引装置が存在しない。疎水化剤配管２５１における、バルブユニットＶと中心軸ノズル７との間の部分に、バルブやダイヤフラム式の吸引装置が存在すると、次に述べるような問題が生じる。すなわち、バルブの内部流路やダイヤフラム式の吸引装置の内部流路において、処理液（疎水化剤）の液密状態が途切れるおそれがある。その場合、当該内部流路において液残りが発生する場合がある。そのため、疎水化剤配管２５１の内部の処理液の吸引後であっても、疎水化剤配管２５１の内部（すなわち、内部流路）において液残りが発生するおそれがある。

　しかしながら、この実施形態では、疎水化剤配管２５１における、バルブユニットＶと中心軸ノズル７との間の部分には、バルブやダイヤフラム式の吸引装置が存在しない。そのため、疎水化剤配管２５１の内部の処理液の吸引後に、疎水化剤配管２５１の内部（すなわち、内部流路）において液残りが発生することを確実に防止できる。

　第２の疎水化剤吸引装置２６３は、エジェクタ式の吸引装置である。第２の疎水化剤吸引装置２６３は、圧縮流体の供給により減圧状態を発生させる減圧状態発生器（真空発生器）２６３Ａと、減圧状態発生器２６３Ａに圧縮流体を供給する流体供給配管２７５と、流体供給配管２７５の管路を開閉し、およびその管路の開度を変更するための電空レギュレータ２７６を含む。第２の疎水化剤吸引装置２６３の電源オン状態において、電空レギュレータ２７６が開かれて、流体供給配管２７５内に流体が流れることにより、第２の疎水化剤吸引装置２６３の内部が減圧される。これにより、疎水化剤吸引配管（吸引配管）５６の内部が吸引される。すなわち、第２の疎水化剤吸引装置２６３の働きが有効化される。

　また、電空レギュレータ２７６によって流体供給配管２７５の開度が調整されることにより、減圧状態発生器２６３Ａによって生じる減圧度合い（第２の疎水化剤吸引装置２６３の内部の減圧度合い）が調整される。具体的には、流体供給配管２７５の開度が大きいと、減圧状態発生器２６３Ａによって生じる減圧度合いが大きくなる。そのため、電空レギュレータ２７６によって流体供給配管２７５の開度が調整されることにより、減圧状態発生器２６３Ａによって生じる減圧度合いが調整される。電空レギュレータ２７６は、流体供給配管２７５の開度を無段階に調整できる。そのため、減圧状態発生器２６３Ａによって生じる減圧度合いが、無段階に調整される。

　制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、減圧状態発生器２６３Ａの駆動をさらに制御する。また、制御装置３は、電空レギュレータ２７６の開閉およびその開度を制御する。

　排出吸引工程Ｔ１（図１１参照）において、制御装置３は、電空レギュレータ２７６を開くと共に、その開度を、大きな第１の開度に設定する。これにより、減圧状態発生器２６３Ａに、大流量の圧縮流体が供給され、その結果、第２の疎水化剤吸引装置２６３の内部の減圧度合いが大きい。この状態で、制御装置３は、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じながら、疎水化剤バルブ２５７および疎水化剤吸引バルブ６２を開く。これにより、疎水化剤吸引配管５６の内部および第１の接続配管５２の内部が大きく排気され、疎水化剤配管２５１の内部に残っている疎水化剤に大きな吸引力が作用して、その疎水化剤が第１の接続配管５２を通って疎水化剤吸引配管５６へと引き込まれる。疎水化剤配管２５１の内部、第１の接続配管５２の内部および疎水化剤吸引配管５６の内部から全て疎水化剤が排出された後、制御装置３は、疎水化剤吸引バルブ６２および疎水化剤バルブ２５７を閉じる。

　疎水化剤供給工程Ｅ６（図１５参照）の終了に際し、疎水化剤バルブ５７、第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１が閉じられる。これにより、第３の吐出口３３ａからの疎水化剤の吐出が停止される。このとき、制御装置３は、電空レギュレータ２７６を開くと共に、その開度が、第１の開度よりも小さな第２の開度に設定される。これにより、減圧状態発生器２６３Ａに、小流量の圧縮流体が供給され、その結果、第２の疎水化剤吸引装置２６３の内部の減圧度合いが小さい。この状態で、制御装置３は、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じながら、疎水化剤バルブ２５７および疎水化剤吸引バルブ６２を開く。これにより、疎水化剤吸引配管５６の内部および第１の接続配管５２の内部が小さく排気され、疎水化剤配管２５１の内部に残っている疎水化剤に小さな吸引力が作用して、その疎水化剤が第１の接続配管５２を通って疎水化剤吸引配管５６へと引き込まれる。疎水化剤の先端面Ｆ１が、第１の左右方向部分５１ｂ内に設定された所定の疎水化剤待機位置Ｐ１まで後退すると、制御装置３は、疎水化剤吸引バルブ６２および疎水化剤バルブ２５７を閉じる。これにより、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置される（図１５参照）。

　充填工程Ｔ３（図１２Ｂ参照）において、制御装置３は、電空レギュレータ２７６を開くと共に、その開度を、第１の開度と第２の開度との間の第３の開度に設定する。これにより、減圧状態発生器２６３Ａに、中流量の圧縮流体が供給され、その結果、第２の疎水化剤吸引装置２６３の内部が中程度に減圧される。この状態で、制御装置３は、疎水化剤供給ユニット１０における他のバルブを閉じながら、疎水化剤バルブ２５７および疎水化剤吸引バルブ６２を開く。これにより、疎水化剤吸引配管５６の内部および第１の接続配管５２の内部が中程度に排気され、疎水化剤配管２５１の内部に供給されている疎水化剤に、中程度の吸引力（排出吸引工程Ｔ１における吸引力よりも小さく、疎水化剤供給工程Ｅ６の終了時における吸引力よりも大きな吸引力）が作用する。

　すなわち、充填工程Ｔ３に並行して、疎水化剤配管２５１の内部が吸引される（並行吸引工程）。疎水化剤配管２５１に供給（充填）される疎水化剤は、所定の供給圧を受けている。疎水化剤配管２５１内を第３の吐出口３３ａに向けて移動する疎水化剤に対し、疎水化剤の移動方向とは反対向きに吸引力が作用する。疎水化剤吸引配管５６の内部に作用する吸引力が比較的大きいので、これにより、疎水化剤配管２５１内を移動する疎水化剤を十分に減速させることが可能である。

　この場合において、電空レギュレータ２７６の第３の開度が、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に位置する状態で、疎水化剤に作用する吸引力と供給圧とが釣り合うように設定されていてもよい。この場合、充填工程Ｔ３において、疎水化剤の先端面Ｆ１を疎水化剤待機位置Ｐ１に自動的に停止させることができる。

　また、充填工程Ｔ３における疎水化剤の先端面Ｆ１の疎水化剤待機位置Ｐ１への停止は、自動停止に限られない。疎水化剤配管２５１内の吸引に伴って減速した疎水化剤を、充填時間を管理したり、疎水化剤待機位置Ｐ１に関連して設けられたセンサが先端面Ｆ１を検出したりすることによって、疎水化剤待機位置Ｐ１に先端面Ｆ１を停止させるようにしてもよい。

　第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット２１０が、第１の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット１０（図６参照）と相違する２つ目の点は、疎水化剤（処理液）の先端面を検出するための第１のセンサ６４を廃止し、その代わりに、カメラ２６４を設けた点である。

　カメラ２６４は、疎水化剤配管２５１における疎水化剤待機位置Ｐ１およびその周囲の光学像を結像させるレンズと、このレンズによって結像された光学像を電気信号に変換する撮像素子と、変換の電気信号に基づいて画像信号を生成して、制御装置３に送信する撮像回路とを含む。疎水化剤配管２５１の少なくとも疎水化剤待機位置Ｐ１の周囲の部分が透明性を有しているので、点で、疎水化剤配管５１（図６参照）と相違しており、その余の点で、疎水化剤待機位置Ｐ１の周囲において、疎水化剤の先端面Ｆ１を良好に撮像できる。

　撮像素子は、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等を含む。カメラ２６４は、１秒間に１０枚～１００枚程度の速度で撮像可能な一般的なカメラであってもよい。しかし、カメラ２６４が、１秒間に数千～数万枚の速度で撮像可能な高速度カメラであってもよい。

　制御装置３は、カメラ２６４の撮像回路から与えられる画像信号に基づいて、疎水化剤の先端面Ｆ１を調べる。

　充填工程Ｔ３において、疎水化剤の先端面Ｆ１がカメラ２６４によって撮像される。そして、カメラ２６４による撮像結果により、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１にあるか否かが判断される。これにより、疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されていることを精度良く検出することができる。

　第２の実施形態の説明では、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置（第１の疎水化剤吸引装置５８）を廃止し、代わりに、吸引力を調整可能な吸引装置（第２の疎水化剤吸引装置２６３）を備える点、および処理液（疎水化剤）の先端面を検出するためのセンサ（第１のセンサ６４）を廃止し、その代わりにカメラ（カメラ２６４）を設ける点を疎水化剤供給ユニット２１０に適用する場合について説明した。しかしながら、これらの特徴を、有機溶剤供給ユニット１１に適用するようにしてもよい。

　また、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置を廃止し、代わりに、吸引力を調整可能な吸引装置を設ける点、および処理液の先端面を検出するためのセンサを廃止し、その代わりにカメラを設ける点の双方ではなく、一方のみを適用するようにしてもよい。

　図２４は、本発明の第３の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット３１０の詳細な構成を説明するための図である。

　第３の実施形態において、前述の第１の実施形態および第２の実施形態と共通する部分には、それぞれ、図１～図１９の場合ならびに図２２および図２３の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。

　第３の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット３１０が、第１の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット１０（図６参照）と相違する１つ目の点は、ダイヤフラム式の吸引装置からなる第１の疎水化剤吸引装置５８を廃止した点である。加えて、疎水化剤供給ユニット３１０が、第２の疎水化剤吸引装置として、吸引力が調整不能な第２の疎水化剤吸引装置６３に代えて、吸引力を調整可能な第２の疎水化剤吸引装置２６３を備える。この点、第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット２１０（図２２参照）と共通するので、説明を省略する。

　第３の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット３１０が、第２の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット１０（図６参照）と相違する２つ目の点は、疎水化剤（処理液）の先端面を検出するための第１のセンサ６４を廃止し、その代わりに、疎水化剤（処理液）の先端面を検出するための第３のセンサ３６４を設けた点である。

　第３のセンサ３６４は、疎水化剤配管５１の第１の左右方向部分５１ｂの管壁に関連して配置されている。第３のセンサ３６４は、下流側に配置された第１の液面センサ３６５および上流側に配置された第２の液面センサ３６６を含む。第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、疎水化剤待機位置Ｐ１よりも上流側に設定されている。

　この実施形態では、疎水化剤待機位置Ｐ１が、第１の左右方向部分５１ｂの下流端の近傍に設定されている。疎水化剤待機位置Ｐ１をこのような位置に設定したのは、次に述べる理由からである。すなわち、疎水化剤待機位置Ｐ１と第３の吐出口３３ａとの間の間隔が大きく空いていると、疎水化剤待機位置Ｐ１と第３の吐出口３３ａとの間の空間に塵や埃が含まれる蓋然性が高くなる。そのため、疎水化剤待機位置Ｐ１と第３の吐出口３３ａとの間の間隔は、できる限り短いことが好ましい。

　その一方で、疎水化剤待機位置Ｐ１を第１の左右方向部分５１ｂの下流端の近傍に設定した場合、疎水化剤の先端面が疎水化剤待機位置Ｐ１をオーバーランすると、疎水化剤の先端面が第１の上下方向部分５１ａに達してしまうおそれがある。この場合、第３の吐出口３３ａから疎水化剤が落液（いわゆるボタ落ち）する可能性がある。このような疎水化剤の落液を防止しながら疎水化剤待機位置Ｐ１と第３の吐出口３３ａとの間の間隔を短く設定するために、疎水化剤待機位置Ｐ１に疎水化剤の先端面を精度良く配置する必要がある。

　第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、流通方向に間隔Ｌ１を空けて配置されている。また、第１の液面センサ３６５は、疎水化剤待機位置Ｐ１と流通方向に間隔Ｌ２を空けて配置されている。

　第１の液面センサ３６５は、下流側に設定された第１の検出位置Ｐ１１における疎水化剤の存否を検出する。第２の液面センサ３６６は、上流側に設定された第２の検出位置Ｐ１２における疎水化剤の存否を検出する。第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、たとえば液検知用のファイバセンサである。第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、疎水化剤配管５１の外周壁に直付け配置または近接配置されている。第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されていてもよい。

　充填工程Ｔ３（図１２Ｂ参照）において、疎水化剤の充填（供給）に伴って、疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤の先端面が上流側から下流側に向けて移動する。この場合において、第２の検出位置Ｐ１２よりも上流側に疎水化剤の先端面が退避している場合には、第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６の双方が疎水化剤を検出しない。また、疎水化剤が前進し、疎水化剤の先端面が、第２の検出位置Ｐ１２に達した場合には、第１の液面センサ３６５は疎水化剤を検出しないが、第２の液面センサ３６６が疎水化剤を検出する。また、疎水化剤が前進し、疎水化剤の先端面が、第１の検出位置Ｐ１１に達した場合には、第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６の双方が疎水化剤を検出する。第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６は、その検出出力を制御装置３に送出する。

　充填工程Ｔ３（図１２Ｂ参照）において、制御装置３は、第１の液面センサ３６５および第２の液面センサ３６６の検出出力を監視している。

　第２の液面センサ３６６による検出出力がオフ状態からオン状態になると、制御装置３は、そのときのタイミングを記憶する。すなわち、制御装置３は、下流側の第２の検出位置Ｐ１２を疎水化剤の先端面が通過したタイミングを記憶する。

　また、制御装置３は、第１の液面センサ３６５による検出出力がオフ状態からオン状態になる（第１の検出位置Ｐ１１を疎水化剤の先端面が通過したタイミング）と、第１の検出位置Ｐ１１を通過する疎水化剤の先端面の速度を演算により求める。具体的には、制御装置３は、疎水化剤の先端面が第２の検出位置Ｐ１２から第１の検出位置Ｐ１１に移動するのに要した時間と、第２の検出位置Ｐ１２および第１の検出位置Ｐ１１の間の距離（間隔Ｌ１）とに基づいて、第１の検出位置Ｐ１１を通過する疎水化剤の先端面の速度を演算する。また、その演算結果に基づいて、制御装置３は、第１の検出位置Ｐ１１よりも間隔Ｌ２の前方に位置する疎水化剤待機位置Ｐ１に疎水化剤の先端面が到達するタイミングを算出する。そして、制御装置３は、その算出タイミングで、疎水化剤バルブ５７（ならびに／または第１の疎水化剤供給バルブ６０および第２の疎水化剤供給バルブ６１）を停止させる。

　第３の実施形態によれば、第１の検出位置Ｐ１１を疎水化剤の先端面が通過する通過タイミング、および第１の検出位置Ｐ１１を疎水化剤の先端面が通過する速度に基づいて、疎水化剤の先端面が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置される。そのため、疎水化剤の先端面を疎水化剤待機位置Ｐ１に精度良く配置することができる。ゆえに、疎水化剤の落液を防止しながら、疎水化剤待機位置Ｐ１と第３の吐出口３３ａとの間の間隔を短く設定することができる。これにより、基板Ｗに供給される疎水化剤への埃や塵の混入を良好に抑制または防止できる。

　また、疎水化剤の先端面を疎水化剤待機位置Ｐ１に精度良く配置できるから、基板Ｗに供給される疎水化剤の量の最適化を図ることができる。ゆえに、基板Ｗに疎水化処理を良好に施すことができ、かつ基板Ｗ間の疎水化処理のバラツキを抑制することができる。

　この第３の実施形態では、制御装置３と、第１の液面センサ３６５と、第２の液面センサ３６６とによって、速度検出ユニットが構成されている。第１の検出位置Ｐ１１における疎水化剤の先端面の通過タイミングと、第２の検出位置Ｐ１２における疎水化剤の先端面の通過タイミングとに基づいて、第１の検出位置Ｐ１１を通過する疎水化剤の先端面の速度が検出される。これにより、第１の検出位置Ｐ１１を通過する疎水化剤の先端面の速度を、速度センサ等を設けることなく、簡単な構成で検出できる。

　しかしながら、第１の検出位置Ｐ１１を通過する疎水化剤の先端面の速度を検出するための速度センサを別途設けるようにしてもよい。

　第３の実施形態の説明では、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置（第１の疎水化剤吸引装置５８）を廃止し、代わりに、吸引力を調整可能な吸引装置（第２の疎水化剤吸引装置２６３）を備える場合を例に挙げた。しかし、第１の実施形態のように、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置（第１の疎水化剤吸引装置５８）を設ける構成としてもよい。

　また、第３の実施形態では、疎水化剤供給ユニット３１０に適用する場合について説明した。しかしながら、この特徴を、有機溶剤供給ユニット１１に適用するようにしてもよい。

　以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。

　たとえば、前述の各実施形態において、流量調整ユニットであるオリフィス７２による調整により、疎水化剤配管５１を液体が流れる際の圧損と疎水化剤排液配管５３を液体が流れる際の圧損とが等しくなるように設定されているとして説明した。しかしながら、疎水化剤配管５１を液体が流れる際の圧損と疎水化剤排液配管５３を液体が流れる際の圧損とが一定の関係を有しており、かつその関係が制御装置３によって把握されていれば、必ずしも、疎水化剤配管５１を液体が流れる際の圧損と疎水化剤排液配管５３を液体が流れる際の圧損とが等しくなくてもよい。

　また、前述の各実施形態において、流量調整ユニットがオリフィス７２である場合を例に挙げたが、流量調整ユニットは、図２０に示すように固定ニードル２０１であってもよいし、図２１に示すようにモータニードル２０２であってもよい。

　また、前述の各実施形態において、流量調整ユニットは、必ずしも疎水化剤排液配管５３に介装されている必要はなく、疎水化剤排液配管５３ならびに疎水化剤排液供給配管（第１の疎水化剤供給配管５４および第２の疎水化剤供給配管５５）の少なくとも一方に介装されていればよい。

　また、第２のセンサ７７は、必ずしも疎水化剤排液供給配管（第１の疎水化剤供給配管５４および第２の疎水化剤供給配管５５）に介装されている必要はなく、疎水化剤排液配管５３および疎水化剤排液供給配管の少なくとも一方に介装されていればよい。

　また、前述の各実施形態において、第１のセンサ６４が、第１の有無センサ６５および第２の有無センサ６６という２つのセンサを含む例を挙げた。しかしながら、第１のセンサ６４が、疎水化剤の先端面Ｆ１の位置を検出する液面センサであってもよい。

　また、前述の各実施形態において、制御装置３が、充填工程Ｔ３に並行して第１のセンサ６４により疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１にあるか否かを判断する工程（第１の工程）、および充填工程Ｔ３において疎水化剤配管５１に供給される疎水化剤の流量を検出する第２のセンサ７７の検出結果に基づいて、充填工程Ｔ３後の疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されるか否かを判断する工程（第２の判断工程）の双方を実行する場合を例に挙げたが、これらの工程のうち少なくとも一方が実行されればよい。

　また、前述の各実施形態において、充填工程Ｔ３後に疎水化剤の先端面Ｆ１が疎水化剤待機位置Ｐ１に配置されないと制御装置３が判断した場合に、エラーを報知しかつエラー処理を行うものを説明したが、エラーを報知したりエラー処理をおこなったりせずに、その旨が、記憶ユニット１０２に保持されているログファイルに記録されるようになっていてもよい。

　また、前述の各実施形態において、排出吸引工程Ｔ１および充填工程Ｔ３の双方を前処理Ｓ１において実行するとして説明したが、排出吸引工程Ｔ１を前処理Ｓ１において実行し、充填工程Ｔ３を後処理Ｓ３において実行するようにしてもよい。また、排出吸引工程Ｔ１および充填工程Ｔ３の双方を後処理Ｓ３において実行するようにしてもよい。

　また、前述の各実施形態において、排出吸引工程Ｔ１と充填工程Ｔ３との間に、プリディスペンス工程Ｔ２を実行するとして説明したが、プリディスペンス工程Ｔ２は省略してもよい。

　また、前述の第１の実施形態において、第１の吸引装置の一例としての第１の疎水化剤吸引装置５８として、ダイヤフラム式の吸引装置を例に挙げたが、これに代えて、サイフォン式の吸引装置が採用されていてもよい。サイフォン式の吸引装置は、配管を有し、当該配管の内部を液体で満たした状態で、サイフォンの原理を利用して疎水化剤配管５１の内部の疎水化剤を吸引（排液）する。サイフォン式の吸引装置では、吸引のためのエネルギー消費が抑制される。

　また、第１の実施形態において、第１の吸引装置の一例としての第１の疎水化剤吸引装置５８に代えて、第２の疎水化剤吸引装置６３と同様のエジェクタ式の吸引装置からなる第１の疎水化剤吸引装置が採用されてもよい。この場合、共にエジェクタ式の吸引装置である、第１の疎水化剤吸引装置および第２の疎水化剤吸引装置６３のエア圧や圧損を異ならせることにより、第１の疎水化剤吸引装置の吸引力（吸引速度）が、第２の疎水化剤吸引装置６３の吸引力（吸引速度）よりも弱くなるように（遅くなるように）設定されていることが望ましい。

　この場合、エジェクタ式の第１の疎水化剤吸引装置によって、処理液の吐出停止後において、処理液のボタ落ちを防止すべく、処理液を吸引して、処理液の先端面Ｆ１を待機位置（疎水化剤待機位置Ｐ１）まで後退させる。

　また、前述の実施形態において、疎水化剤供給ユニット１０において吸引装置が１つのみが設けられていてもよい。この場合、たとえば疎水化剤供給ユニット１０において第１の疎水化剤吸引装置５８を廃止した構成である。そして、疎水化剤吸引配管５６に、疎水化剤吸引配管５６の開度を調整して、吸引力（吸引速度）を調整するための流量調整バルブ（吸引力調整ユニット）が介装されている。この流量調整バルブは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む構成であってもよい。

　また、前述の実施形態において、充填工程Ｔ３では有機溶剤配管８１への有機溶剤の充填は行わないとして説明したが、疎水化剤配管５１への疎水化剤の充填（供給）と同様に、有機溶剤配管８１への有機溶剤の充填（供給）を行ってもよい。充填工程Ｔ３において有機溶剤を充填することは、第１のガード対向状態において有機溶剤供給バルブ９０の開動作が禁止されている場合にとくに有用である。第１のガード対向状態において有機溶剤供給バルブ９０の開動作が禁止されていると、前述の基板処理で説明したような、有機溶剤の先出しを行うことができないからである。

　また、前述の各実施形態において、処理液配管に対する供給または充填の対象になる処理液は、疎水化剤や有機溶剤に限られず、薬液やリンス液が含まれてもよい。すなわち、本発明を、薬液供給ユニット８やリンス液供給ユニット９にも適用することができる。

　また、前述の実施形態において、第２の吸引工程として、処理液の先端面（疎水化剤の先端面Ｆ１）を、接続配管（第１の接続配管５２）の上流端（疎水化剤吸引配管５６が接続される部分）よりも上流側（疎水化剤吸引配管５６側）に後退させる排出吸引工程Ｔ１を採用していたが、第２の吸引工程は、吸引後における処理液の先端面（疎水化剤の先端面Ｆ１）の位置が待機位置（疎水化剤待機位置Ｐ１）でなければ足り、処理液の先端面（疎水化剤の先端面Ｆ１）を、必ずしも接続配管（第１の接続配管５２）の上流端よりも上流側に後退させる必要はない。

　また、前述の各実施形態において、吐出口（第３の吐出口３３ａ）が基板対向面２１ａに形成された処理液配管について説明したが、遮断板２１に組み込まれない単一のノズルとして設けることもできる。この場合もノズルの吐出口が、左右方向（すなわち、基板Ｗの表面に沿う方向）には移動不能であると、このノズルに本発明を好適に適用することができる。

　また、前述の各実施形態において、基板処理装置１が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。

　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。

　この出願は、２０１７年６月３０日に日本国特許庁に提出された特願２０１７－１２９５３９号、２０１８年６月１５日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１１４９２２号、および２０１８年６月１５日に日本国特許庁に提出された特願２０１８－１１４９２３号にそれぞれ対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。

１　　　：基板処理装置
２　　　：処理ユニット
３　　　：制御装置
４　　　：チャンバー
５　　　：スピンチャック（基板保持ユニット）
６　　　：対向部材
１０　　：疎水化剤供給ユニット（処理液供給ユニット）
１１　　：有機溶剤供給ユニット（処理液供給ユニット）
２１ａ　：基板対向面
３３ａ　：第３の吐出口
３４ａ　：第４の吐出口
５１　　：疎水化剤配管（処理液配管）
５６　　：疎水化剤吸引配管（吸引配管）
５８　　：第１の疎水化剤吸引装置（第１の吸引装置）
６２　　：疎水化剤吸引バルブ（吸引バルブ）
６３　　：第２の疎水化剤吸引装置（第２の吸引装置）
６４　　：第１のセンサ
６５　　：第１の有無センサ
６６　　：第２の有無センサ
６７ａ　：上限位置
６７ｂ　：下限位置
６８　　：第１のエア供給配管（第２の駆動源）
６９　　：第１のエア供給バルブ（第２の駆動源）
７０　　：第２のエア供給配管（第１の駆動源）
７１　　：第２のエア供給バルブ（第１の駆動源）
７２　　：オリフィス
７３　　：第１の流量計
７４　　：第２の流量計
７７　　：第２のセンサ
８１　　：有機溶剤配管（処理液配管）
８６　　：有機溶剤吸引配管（吸引配管）
８８　　：第１の有機溶剤吸引装置（第１の吸引装置）
９２　　：有機溶剤吸引バルブ（吸引バルブ）
９３　　：第２の有機溶剤吸引装置（第２の吸引装置）
２０１　：固定ニードル
２０２　：モータニードル
２１０　：疎水化剤供給ユニット（処理液供給ユニット）
２５１　：疎水化剤配管（処理液配管）
２６３　：第２の疎水化剤吸引装置
２６３Ａ：減圧状態発生器
２６４　：カメラ
２７６　：電空レギュレータ
３１０　：疎水化剤供給ユニット（処理液供給ユニット）
３６５　：第１の液面センサ
３６６　：第２の液面センサ
Ｆ１　　：疎水化剤の先端面（処理液の先端面）
Ｆ２　　：有機溶剤の先端面（処理液の先端面）
Ｐ１　　：疎水化剤待機位置（待機位置）
Ｐ１１　：第１の検出位置
Ｐ１２　：第２の検出位置
Ｐ２　　：有機溶剤待機位置（待機位置）
Ｗ　　　：基板

Claims

　基板を保持する基板保持ユニットと、
　前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、
　前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
　前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、
　前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置と、
　前記制御装置が、
　前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
　前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、
　前記制御装置が、前記吸引工程において、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを選択的に実行し、
　さらに、前記制御装置が、前記第２の吸引工程の後に、前記処理液供給ユニットにより前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程を実行する、基板処理装置。
　前記処理液配管に接続された接続配管をさらに含み、
　前記吸引ユニットが、前記接続配管に接続された吸引配管と、前記吸引配管に接続された吸引装置とを含み、
　前記制御装置が、前記第２の吸引工程において、前記吸引装置によって、処理液の先端面を、前記接続配管の上流端よりも上流側に後退させる工程を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記吐出口が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向し、当該基板の主面に沿う方向に移動不能な基板対向面を有する対向部材をさらに含み、
　前記吐出口が、前記基板対向面に形成されている、請求項３に記載の基板処理装置。
　前記処理液配管に存在している処理液を検出するセンサをさらに含み、
　前記制御装置が、前記センサによる検出結果により、前記待機位置配置工程後の前記処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する判断工程をさらに実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記センサが、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を検出する第１のセンサをさらに含み、
　前記制御装置が、前記判断工程において、前記待機位置配置工程に並行して前記第１のセンサにより処理液の先端面が前記待機位置にあるか否かを判断する第１の判断工程を実行する、請求項５に記載の基板処理装置。
　前記第１のセンサが、
　前記待機位置の上限位置における処理液の存否を検出する第１の有無センサと、前記待機位置の下限位置における処理液の存否を検出する第２の有無センサとを含み、
　前記制御装置が、前記第１の判断工程において、前記第１の有無センサによって前記上限位置における処理液の存在が検出されかつ前記第２の有無センサによって前記下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断する、請求項６に記載の基板処理装置。
　前記第１のセンサが、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を撮像するためのカメラをさらに含み、
　前記制御装置が、前記第１の判断工程において、前記カメラによる撮像結果に基づいて判断する工程を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。
　前記センサが、前記待機位置配置工程において前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出するための第２のセンサをさらに含み、
　前記制御装置が、前記判断工程において、前記第２のセンサの検出結果に基づいて、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する第２の判断工程をさらに実行する、請求項５または６に記載の基板処理装置。
　前記処理液供給ユニットが、
　前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管と、
　前記処理液供給配管からの処理液が、前記処理液配管との間で選択的に供給される処理液排液配管と、
　前記処理液配管における液体の流通時の圧損と前記処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一定の関係となるように、前記処理液配管および／または前記処理液排液配管の管幅を調節する配管幅調整ユニットとを含み、
　前記制御装置が、前記第２の判断工程において、前記処理液供給配管からの処理液を、前記処理液配管ではなく前記処理液排液配管に導出しながら、前記第２のセンサにより前記処理液供給配管に供給される処理液の流量を検出して、前記待機位置配置工程において前記処理液配管を流れる処理液の流量を取得する流量取得工程を実行する、請求項９に記載の基板処理装置。
　前記配管幅調整ユニットが、前記処理液配管における液体の流通時の圧損と前記処理液排液配管における液体の流通時の圧損とが一致するように、前記処理液配管および／または前記処理液排液配管の管幅を調節するユニットを含む、請求項１０に記載の基板処理装置。
　前記配管幅調整ユニットが、オリフィスを含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。
　前記配管幅調整ユニットが、モータニードルを含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。
　前記配管幅調整ユニットは、固定ニードルを含む、請求項１０または１１に記載の基板処理装置。
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合にエラーを報知するエラー報知工程をさらに実行する、請求項５または６に記載の基板処理装置。
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合に、前記待機位置配置工程を実行しないか、あるいは既に実行されている前記待機位置配置工程を中断する中断工程をさらに実行する、請求項５または６に記載の基板処理装置。
　前記センサが、
　前記処理液配管における所定の第１の検出位置に、処理液の先端面が達したことを検出する第１の液面センサと、
　前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出する速度検出ユニットとを含み、
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記第１の液面センサによって検出される、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記検出ユニットによって検出される、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記速度検出ユニットが、
　前記第１の検出位置よりも下流側に設定された第２の検出位置に、処理液の先端面が達したことを検出する第２の液面センサと、
　前記第１の液面センサによって検出される、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第２の液面センサによって検出される、前記第２の検出位置における処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出するユニットとを含む、請求項１７に記載の基板処理装置。
　前記吸引ユニットが、前記処理液配管の内部の処理液を、吸引力を変更可能に吸引するための第１の吸引ユニットを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
　前記第１の吸引ユニットが、
　所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第１の吸引装置と、
　前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置とを含み、
　前記制御装置が、前記処理液配管の吸引元を、前記第１の吸引装置と前記第２の吸引装置との間で切り換える切り換え工程を実行する、請求項１９に記載の基板処理装置。
　前記第１の吸引装置が、ダイヤフラム式の吸引装置を含む、請求項２０に記載の基板処理装置。
　前記処理液配管に接続され、前記ダイヤフラム式の吸引装置が介装される吸引配管と、
　前記吸引配管を開閉する開閉バルブとをさらに含み、
　前記ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための第１の駆動源と、前記開閉バルブを駆動するための第２の駆動源とは互いに独立している、請求項２１に記載の基板処理装置。
　前記第２の吸引装置が、エジェクタ式の吸引装置を含む、請求項２０または２１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
　前記第１の吸引ユニットが、エジェクタ式の吸引装置を含み、
　前記吸引装置が、減圧状態発生器と、前記減圧状態発生器に供給される圧縮流体の供給流量を無段階に変更するための電空レギュレータとを含む、請求項１９に記載の基板処理装置。
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管の内部を前記第１の吸引ユニットによって吸引する並行吸引工程を実行する、請求項１９または２０に記載の基板処理装置。
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記第１の吸引ユニットによる前記処理液配管を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程における前記第１の吸引ユニットによる吸引力よりも大きくなるように前記第１の吸引ユニットを制御する、請求項２５に記載の基板処理装置。
　前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記処理液配管内を流れる処理液に作用する吸引力と当該処理液に作用する供給圧との釣り合いによって、処理液の先端面が前記待機位置に停止するように前記第１の吸引ユニットを制御する、請求項２５に記載の基板処理装置。
　前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットを含み、
　前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の前に実行される前処理において前記待機位置配置工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の前に実行される前処理において前記第２の吸引工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて前記基板処理の後に実行される後処理において前記第２の吸引工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　前記基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記制御装置が、前記処理ユニットにおいて予め定める枚数の前記基板に対する前記基板処理が終了した場合に、前記第２の吸引工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
　吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
　前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
　前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、
　前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも大きく後退させる第２の吸引工程とを含み、前記第１および第２の吸引工程は、選択的に実行されるものであり、
　前記第２の吸引工程の後に、前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程をさらに含む、基板処理方法。
　前記第２の吸引工程が、処理液の先端面を、前記処理液配管に接続された接続配管の上流端よりも上流側に後退させる工程を含む、請求項３２に記載の基板処理方法。
　前記処理液配管に存在している処理を検出するセンサによる検出結果により、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する判断工程をさらに含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記判断工程が、
　前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管に存在している処理液の先端面を検出する第１のセンサによって、処理液の先端面が前記待機位置にあるか否かを判断する第１の判断工程を含む、請求項３４に記載の基板処理方法。
　前記第１の判断工程が、
　第１の有無センサによって、前記待機位置の上限位置における処理液の存在が検出され、かつ、第２の有無センサによって、前記待機位置の下限位置における処理液の非存在が検出された場合に、処理液の先端面が前記待機位置に配置されていると判断する工程を含む、請求項３５に記載の基板処理方法。
　前記第１の判断工程が、
　前記処理液配管に存在している処理液の先端面の、カメラによる撮像結果に基づいて判断する工程を含む、請求項３６に記載の基板処理方法。
　前記判断工程が、
　前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出する第２のセンサの検出結果に基づいて、前記待機位置配置工程後の処理液の先端面が前記待機位置に配置されるか否かを判断する第２の判断工程を含む、請求項３４に記載の基板処理方法。
　前記第２の判断工程が、
　前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給配管からの処理液を、前記処理液配管ではなく、前記処理液供給配管に接続された処理液排液配管に導出しながら、前記第２のセンサにより前記処理液配管に供給される処理液の流量を検出して、前記待機位置配置工程において前記処理液配管を流れる処理液の流量を取得する流量取得工程を含む、請求項３８に記載の基板処理方法。
　前記処理液配管における所定の第１の検出位置に、処理液の先端面が達していることを検出する第１の液面検出工程と、
　前記第１の検出位置を通過する処理液の先端面の速度を検出する速度検出工程とを含み、
　前記待機位置配置工程が、前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第１の検出位置における処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する工程を含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記速度検出工程が、
　前記第１の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第１の検出位置よりも下流側に設定された第２の検出位置における、処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第１の検出位置を通過する処理液の速度を検出する工程を含む、請求項４０に記載の基板処理方法。
　前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合にエラーを報知するエラー報知工程をさらに含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記待機位置配置工程後に処理液の先端面が前記待機位置に配置されないと前記判断工程が判断した場合に、前記待機位置配置工程を実行しないか、あるいは既に実行されている前記待機位置配置工程を中断する中断工程をさらに含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記処理液配管の吸引元を、所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第１の吸引装置と、前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置との間で切り換える切り換え工程をさらに含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記待機位置配置工程に並行して、前記処理液配管の内部を吸引する並行吸引工程をさらに含む、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記待機位置配置工程における前記処理液配管を吸引する吸引力が、前記第１の吸引工程における前記処理液配管を吸引する吸引力よりも大きい、請求項４５に記載の基板処理方法。
　前記待機位置配置工程が、前記処理液配管内を流れる処理液に作用する吸引力と当該処理液に作用する供給圧との釣り合いによって、処理液の先端面が前記待機位置に停止するような吸引力で前記前記処理液配管を吸引する、請求項４５に記載の基板処理方法。
　前記基板処理装置が、
　基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記待機位置配置工程が、前記処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の前に実行される前処理において実行される、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記基板処理装置が、
　基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記第２の吸引工程が、前記処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の前に実行される前処理において実行される、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記基板処理装置が、
　基板を保持する基板保持ユニットと、当該基板保持ユニットを収容するチャンバーとを有し、前記処理液配管に接続されて、基板に対して処理液を用いた基板処理を施す処理ユニットをさらに含み、
　前記第２の吸引工程が、処理ユニットにおいて、基板に対して処理液を用いた基板処理の後に実行される後処理において実行される、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。
　前記第２の吸引工程が、前記処理ユニットにおいて、予め定める枚数の基板に対する処理液を用いた基板処理が実行された後に実行される、請求項３２または３３に記載の基板処理方法。