KR102302022B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102302022B1 KR102302022B1 KR1020197038213A KR20197038213A KR102302022B1 KR 102302022 B1 KR102302022 B1 KR 102302022B1 KR 1020197038213 A KR1020197038213 A KR 1020197038213A KR 20197038213 A KR20197038213 A KR 20197038213A KR 102302022 B1 KR102302022 B1 KR 102302022B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing liquid
- pipe
- processing
- suction
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 748
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 422
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 823
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 221
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 149
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 84
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 20
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 532
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 304
- 239000004569 hydrophobicizing agent Substances 0.000 description 159
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 45
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 35
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 34
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 17
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 12
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 organosilane compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N diethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CCN(CC)[Si](C)C ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000000699 topical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
기판 처리 장치는, 토출구에 연통하는 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하기 위한 흡인 유닛과, 제어 장치를 포함한다. 상기 제어 장치가, 상기 흡인 유닛에 의해, 상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하는 흡인 공정을 실행한다. 또, 상기 제어 장치가, 상기 흡인 공정에 있어서, 처리액의 선단면을 후퇴시켜, 흡인 후의 처리액의 선단면을, 상기 처리액 배관의 내부에 있어서의 미리 정하는 대기 위치에 배치시키는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 선택적으로 실행한다. 또, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 흡인 공정의 후에, 상기 처리액 공급 유닛에 의해 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 대기 위치 배치 공정을 추가로 실행한다.
Description
이 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL (electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치가 사용된다. 기판을 1 매씩 처리하는 매엽식 (枚葉式) 의 기판 처리 장치는, 예를 들어, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛과, 스핀 척에 유지되어 있는 기판에 상방으로부터 대향하는 대향 부재와, 대향 부재의 중앙부에 형성되는 중앙 개구에 수용된 중심축 노즐과, 중심축 노즐에 처리액을 공급하는 처리액 배관과, 처리액 배관의 내부의 처리액을 흡인하는 흡인 장치를 포함한다. 대향 부재는, 기판의 상면에 근접하여, 기판의 상면을 그 주위의 공간으로부터 차단하기 위한 부재이다. 중심축 노즐로부터의 처리액의 토출 후에 처리액을 흡인하여, 처리액 배관 내의 처리액의 선단면을 후퇴시키는 것이 알려져 있다.
처리액 배관 내의 처리액을 그대로 다음의 기판 처리에 사용하는 경우에는, 토출구로부터 처리액이 뚝뚝 떨어지지 않을 정도로 처리액의 선단면을 후퇴시키면 충분하다. 한편, 처리액 배관 내의 처리액을 다음의 기판 처리에 사용할 수 없는 경우 (예를 들어, 처리액 배관 내의 처리액이 실활하거나 온도 저하되거나 하고 있는 경우) 에는, 다음의 기판 처리에 앞서, 처리액 배관 내의 처리액을 흡인에 의해 모두 배관 외로 배출할 필요가 있다.
본원 발명자들은, 이와 같은 흡인의 요구의 상이에 주목하고, 1 개의 처리액 배관에 대하여, 흡인 후의 선단면이 상이한 2 개의 흡인 방식을 채용하는 것을 검토하고 있다. 그러나, 이 경우, 흡인 후의 선단면이 상이하기 때문에, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 기간이 상이하다. 처리액 밸브의 개성 (開成) 타이밍을 기준으로 처리 시간이 정해지므로, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 기간이 상이하면, 실제의 처리액 공급 시간이 기판마다 불규칙적이고, 그 결과, 처리가 기판마다 불규칙해질 우려가 있다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 처리액 배관의 흡인 방식의 상이에 따르지 않고, 공통된 타이밍으로 토출구로부터 처리액을 토출할 수 있고, 이에 따라, 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
이 발명은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면 (主面) 을 향해서 처리액을 토출하기 위한 토출구에 연통하는 처리액 배관과, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛과, 상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하기 위한 흡인 유닛과, 상기 처리액 공급 유닛 및 상기 흡인 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고, 상기 제어 장치가, 상기 처리액 공급 유닛에 의해, 상기 토출구로부터 처리액을 토출하고자 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 흡인 유닛에 의해, 상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하는 흡인 공정을 실행하고, 상기 제어 장치가, 상기 흡인 공정에 있어서, 처리액의 선단면을 후퇴시켜, 흡인 후의 처리액의 선단면을, 상기 처리액 배관의 내부에 있어서의 미리 정하는 대기 위치에 배치시키는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 선택적으로 실행하고, 또한, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 흡인 공정의 후에, 상기 처리액 공급 유닛에 의해 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 대기 위치 배치 공정을 실행하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 흡인 공정에서는, 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액이 흡인되고, 처리액의 선단면이 후퇴된다. 흡인 공정은, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면이 대기 위치보다 후퇴시켜지는 제 2 흡인 공정을 포함한다. 제 2 흡인 공정의 후에 실시되는 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관에 처리액을 공급함으로써, 처리액의 선단면을 전진시키고, 당해 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치시킨다. 따라서, 제 1 흡인 공정 및 제 2 흡인 공정 중 어느 것이 실행된 경우이더라도, 다음의 처리액의 토출 전에 있어서 처리액의 선단면을 공통의 대기 위치에 배치할 수 있다. 이에 따라, 처리액 배관의 내부를 흡인하는 흡인 공정의 종류의 여하에 따르지 않고, 공통된 타이밍으로 토출구로부터 처리액을 토출할 수 있다. 그러므로, 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 배관에 접속된 접속 배관을 추가로 포함한다. 그리고, 상기 흡인 유닛이, 상기 접속 배관에 접속된 흡인 배관과, 상기 흡인 배관에 접속된 흡인 장치를 포함하고 있어도 된다. 또, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 흡인 공정에 있어서, 처리액의 선단면을, 상기 접속 배관에 있어서의 상기 흡인 배관의 접속 위치에 대하여 상기 흡인 장치측으로 후퇴시키는 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 상기 제 2 흡인 공정에 있어서, 처리액의 선단면을, 접속 배관에 있어서의 흡인 배관의 접속 위치에 대하여 흡인 장치측으로 후퇴시킬 수 있다. 이에 따라, 처리액 배관 및 접속 배관을 비울 수 있고, 처리액 배관 및 접속 배관에 있어서 처리액이 열화 또는 온도 저하되는 것을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다.
그리고, 제 2 흡인 공정의 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우에는 대기 위치 배치 공정을 실행함으로써, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치한다. 이에 따라, 제 2 흡인 공정에 있어서 처리액의 선단면을 접속 배관보다 후퇴시키는 경우이더라도, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 타이밍을, 제 1 흡인 공정 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우와의 사이에서 동일한 타이밍으로 할 수 있다.
그리고, 제 2 흡인 공정의 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우에는 대기 위치 배치 공정을 실행함으로써, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치한다. 이에 따라, 제 2 흡인 공정에 있어서 처리액의 선단면을 접속 배관보다 후퇴시키는 경우이더라도, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 타이밍을, 제 1 흡인 공정 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우와의 사이에서 동일한 타이밍으로 할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 토출구가, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능하게 형성되어 있다.
이 구성에 의하면, 토출구가, 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능하게 형성되어 있다.
처리액 배관의 내부의 처리액이 열화 또는 온도 저하되어 있는 경우에는, 다음의 기판 처리의 개시 전에, 처리액 배관 내의 처리액을 모두 배관 외로 배출할 필요가 있다. 그러나, 토출구가, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능하게 형성되어 있는 경우에는, 토출구로부터 처리액을 토출하는 방식의 처리액 배출을 실시할 수 없다. 그 때문에, 처리액 배관의 내부에 잔류하고 있는 처리액의 배출을, 흡인을 사용하여 실시할 필요가 있다. 또, 기판의 주면에 토출구가 대향하고 있는 경우에는, 토출구로부터의 처리액의 낙액 (落液) (이른바 뚝뚝 떨어짐) 을 방지하기 위해서, 토출구로부터의 처리액의 토출 후, 처리액 배관의 내부를 흡인하여 처리액의 선단면을 후퇴시킬 필요가 있다. 이들 2 개의 흡인은, 흡인 목적이 상이하기 때문에, 흡인 후의 선단면이 상이하다.
흡인 공정이, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면이 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 포함하는 경우에 있어서, 제 1 흡인 공정 및 제 2 흡인 공정 중 어느 것이 실행된 경우이더라도, 다음의 처리액의 토출 전에는, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치할 수 있다. 따라서, 뚝뚝 떨어짐 방지를 위한 흡인 (제 1 흡인 공정) 과, 처리액의 배출을 위한 흡인 (제 2 흡인 공정) 을 실시하는 경우에 있어서, 뚝뚝 떨어짐 방지를 위한 흡인, 및 처리액의 배출을 위한 흡인 중 어느 것이 실행된 경우이더라도, 다음의 처리액의 토출 전에는, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치할 수 있다.
이에 따라, 처리액 배관의 내부를 흡인하는 흡인 공정의 종류의 여하 (뚝뚝 떨어짐 방지를 위한 흡인인지, 처리액의 배출을 위한 흡인인지) 에 따르지 않고, 공통된 타이밍으로 토출구로부터 처리액을 토출할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하고, 당해 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능한 기판 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함한다. 그리고, 상기 토출구가, 상기 기판 대향면에 형성되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 이동 불가능한 기판 대향면에 토출구가 형성되어 있는 경우에는, 토출구를, 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따른 방향으로 이동시킬 수 없다. 이 경우에 있어서, 처리액 배관의 내부를 흡인하는 흡인 공정의 종류의 여하 (뚝뚝 떨어짐 방지를 위한 흡인인지, 처리액의 배출을 위한 흡인인지) 에 따르지 않고, 공통된 타이밍으로 토출구로부터 처리액을 토출할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액을 검출하는 센서를 추가로 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 센서에 의한 검출 결과에 의해, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 판단 공정을 추가로 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 센서에 의한 검출 결과에 기초하여 판단되므로, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이, 대기 위치에 배치되는지 여부의 판단을 정확하게 실시할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 검출하는 제 1 센서를 추가로 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 제 1 센서에 의한 검출 결과에 기초하여 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있는지 여부를 판단하는 제 1 판단 공정을 추가로 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 처리액의 선단면에 위치가 대기 위치에 배치되어 있는지 여부가 제 1 센서에 의해 검출된다. 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 처리액의 선단면의 위치를 실제로 검출함으로써, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면을 대기 위치에 양호한 정밀도로 배치할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 대기 위치가, 상기 처리액 배관에 있어서 처리액의 유통 방향으로 소정의 거리를 띄우고 정해진, 제 1 위치와 제 2 위치의 사이의 영역이고, 상기 제 2 위치가 상기 제 1 위치에 대하여 상기 토출구측에 배치되어 있고, 상기 제 1 센서가, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 1 유무 센서와, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 2 유무 센서를 포함하고, 상기 제어 장치가, 상기 제 1 판단 공정에 있어서, 상기 제 1 유무 센서에 의해 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고 또한 상기 제 2 유무 센서에 의해 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있다고 판단해도 된다.
이 구성에 의하면, 제 1 유무 센서에 의해 대기 위치의 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고, 또한 제 2 유무 센서에 의해 대기 위치의 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되어 있다고 판단한다. 이에 따라, 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는 것을 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제 1 센서가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 촬상하기 위한 카메라를 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 제 1 판단 공정에 있어서, 상기 카메라에 의한 촬상 결과에 기초하여 판단하는 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 선단면이 카메라에 의해 촬상된다. 그리고, 카메라에 의한 촬상 결과에 의해, 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는지 여부가 판단된다. 이에 따라, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되어 있는 것을 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서를 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 센서에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 제 2 판단 공정을 추가로 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관에 공급되는 처리액의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서가 형성되어 있다. 이 제 2 센서의 검출 결과에 기초하여, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는지 여부가 판단된다. 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액의 유량을 정확하게 파악할 수 있으면, 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액 공급 시간을 관리함으로써, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면을 양호한 정밀도로 제어할 수 있다. 이에 따라, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는지 여부를 양호한 정밀도로 검출하는 것이 가능하다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 유닛이, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 배관과, 상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액이, 상기 처리액 배관과의 사이에서 선택적으로 공급되는 처리액 배액 배관과, 상기 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 상기 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일정한 관계가 되도록, 상기 처리액 배관 및/또는 상기 처리액 배액 배관의 관폭을 조절하는 배관폭 조정 유닛을 포함한다. 또, 상기 제 2 센서가, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하도록 구성되어 있다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 판단 공정에 있어서, 상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액을, 상기 처리액 배관이 아니라 상기 처리액 배액 배관에 토출하면서, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 취득하는 유량 취득 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일정한 관계가 되도록 조정되고 있기 때문에, 처리액 공급 배관으로부터 처리액 배액 배관으로 유도되는 처리액의 유량을 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득하는 것이 가능하다. 이에 따라, 처리액을 처리액 배관에 공급하는 일 없이, 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 배관폭 조정 유닛이, 상기 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 상기 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일치하도록, 상기 처리액 배관 및/또는 상기 처리액 배액 배관의 관폭을 조절하는 유닛을 포함한다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일치하도록 조정되고 있기 때문에, 처리액 공급 배관으로부터 처리액 배액 배관으로 유도되는 처리액의 유량을 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 공급 배관에 공급되는 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다. 이에 따라, 처리액을 처리액 배관에 공급하는 일 없이, 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다.
상기 배관폭 조정 유닛은, 오리피스를 포함하고 있어도 된다.
상기 배관폭 조정 유닛은, 모터 니들을 포함하고 있어도 된다.
상기 배관폭 조정 유닛은, 고정 니들을 포함하고 있어도 된다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 의해 배치된 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 있어서 판단한 경우에 에러를 알리는 에러 알림 공정을 추가로 실행한다.
이 구성에 의하면, 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는 일이 일어나면, 실제의 처리액 공급 시간이 기판마다 불규칙해지는 결과, 처리가 기판마다 불규칙해질 우려가 있다. 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 없다고 판단되었을 때에는, 에러가 알림되므로, 그러한 사태의 발생을 작업자가 인식할 수 있다. 이에 따라, 처리의 편차를 미연에 방지하는 것이 가능하다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 있어서 판단한 경우에, 상기 대기 위치 배치 공정을 실행하지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 상기 대기 위치 배치 공정을 중단하는 중단 공정을 추가로 실행한다.
이 구성에 의하면, 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는 일이 일어나면, 실제의 처리액 공급 시간이 기판마다 불규칙해지는 결과, 처리가 기판마다 불규칙해질 우려가 있다. 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 없다고 판단되었을 때에는, 대기 위치 배치 공정이 실행되지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 대기 위치 배치 공정이 중단되므로, 처리의 편차를 미연에 방지할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 배관에 있어서의 소정의 제 1 검출 위치에, 처리액의 선단면이 도달한 것을 검출하는 제 1 액면 센서와, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하기 위한 속도 검출 유닛을 추가로 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서, 상기 제 1 액면 센서의 출력에 기초하여, 처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 통과 타이밍을 취득하고, 상기 속도 검출 유닛에 의해 검출되는 처리액의 선단면의 속도를 취득하고, 상기 통과 타이밍 및 상기 처리액의 속도에 기초하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치한다.
이 구성에 의하면, 제 1 검출 위치에 있어서의 처리액의 선단면의 통과 타이밍과, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 선단면의 속도가 검출된다. 검출된 통과 타이밍 및 검출된 속도에 기초하여, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치된다. 그 때문에, 처리액의 선단면을, 대기 위치에 양호한 정밀도로 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판에 공급되는 처리액의 양의 최적화를 도모할 수 있다. 그러므로, 처리액을 사용하여 기판을 양호하게 처리할 수 있고, 또한 기판간의 처리의 편차를 억제할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 속도 검출 유닛이, 상기 제 1 검출 위치보다 하류측에 설정된 제 2 검출 위치에, 처리액의 선단면이 도달한 것을 검출하는 제 2 액면 센서를 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 제 1 액면 센서에 의해 처리액의 선단면이 검출되는 제 1 통과 타이밍과, 상기 제 2 액면 센서에 의해 처리액의 선단면이 검출되는 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출한다.
이 구성에 의하면, 제 1 통과 타이밍과, 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 선단면의 속도가 검출된다. 이에 따라, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 선단면의 속도를, 속도 센서 등을 형성하지 않고, 간단한 구성으로 검출할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 흡인 유닛은, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을, 흡인력을 변경 가능하게 흡인하기 위한 변경 가능 흡인 유닛을 포함한다.
이 구성에 의하면, 흡인력을 변경 가능하게 흡인 가능한 변경 가능 흡인 유닛을 형성한다. 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는 제 1 흡인 공정에 있어서는 비교적 약한 흡인력으로 흡인하고, 처리액의 선단면이 대기 위치보다 후퇴되는 제 2 흡인 공정에 있어서는 비교적 강한 힘으로 흡인한다. 그 때문에, 제 2 흡인 공정에 있어서, 시간이 지나치게 걸린다는 경우가 없다. 이에 따라, 제 1 흡인 공정 및 제 2 흡인 공정의 쌍방을 양호하게 실시할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 변경 가능 흡인 유닛이, 소정의 흡인력으로 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 흡인하는 제 1 흡인 장치와, 상기 제 1 흡인 장치보다 큰 흡인력으로 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 흡인하는 제 2 흡인 장치를 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 처리액 배관의 흡인원을, 상기 제 1 흡인 장치와 상기 제 2 흡인 장치의 사이에서 전환하는 전환 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관의 흡인원을, 소정의 흡인력으로 흡인하는 제 1 흡인 장치와, 제 1 흡인 장치보다 큰 흡인력으로 흡인하는 제 2 흡인 장치의 사이에서 전환함으로써, 처리액 배관 내의 흡인력의 변경을, 비교적 간단한 구성으로 실현할 수 있다.
상기 제 1 흡인 장치가, 다이어프램식의 흡인 장치를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 기판 처리 장치가, 상기 처리액 배관에 접속되고, 상기 다이어프램식의 흡인 장치가 개재 장착되는 흡인 배관과, 상기 흡인 배관을 개폐하는 개폐 밸브를 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 다이어프램식의 흡인 장치를 구동하기 위한 제 1 구동원과, 상기 개폐 밸브를 구동하기 위한 제 2 구동원은 서로 독립되어 있어도 된다.
만일, 다이어프램식의 흡인 장치를 구동하기 위한 구동원과, 개폐 밸브를 구동하기 위한 구동원이 공통이면, 개폐 밸브의 개폐에 연동하여, 다이어프램식의 흡인 장치의 흡인/흡인 해제가 실행되어 버린다.
이 구성에 의하면, 다이어프램식의 흡인 장치를 구동하기 위한 구동원과, 개폐 밸브를 구동하기 위한 구동원이 서로 독립되어 있으므로, 개폐 밸브의 개폐와, 다이어프램식의 흡인 장치의 흡인/흡인 해제를, 각각 최적인 동작 타이밍으로 실시할 수 있다.
상기 제 2 흡인 장치는, 이젝터식의 흡인 장치를 포함하고 있어도 된다.
상기 변경 가능 흡인 유닛이, 압축 유체에 의해 작동되는 이젝터식의 흡인 장치를 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 흡인 장치가, 상기 압축 유체가 공급되는 감압 상태 발생기와, 상기 감압 상태 발생기에 공급되는 상기 압축 유체의 공급 유량을 무단계로 변경하기 위한 전공 레귤레이터를 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 전공 레귤레이터에 의해 압축 유체의 공급 유량을 조정함으로써, 감압 상태 발생기의 감압 정도를 조정할 수 있다. 그 때문에, 처리액 배관 내의 흡인력의 변경을, 비교적 간단한 구성으로 실현할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관의 내부를 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의해 흡인하는 병행 흡인 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관에 대한 처리액의 공급에 병행하여, 처리액 배관의 내부가 흡인된다. 처리액 배관에 공급되는 처리액은, 소정의 공급 압력을 받고 있다. 처리액 배관 내를 토출구를 향해서 이동하는 처리액에 대하여, 처리액의 이동 방향과는 반대 방향으로 흡인력이 작용한다. 이에 따라, 처리액 배관을 이동하는 처리액을 감속시키는 것이 가능하다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 병행 흡인 공정에 있어서, 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의한 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력이, 상기 변경 가능 흡인 공정에 있어서의 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의한 상기 흡인력보다 커지도록 상기 변경 가능 흡인 유닛을 제어해도 된다.
이 구성에 의하면, 병행 흡인 공정에 있어서 처리액을 흡인하는 흡인력이, 상기 제 1 흡인 공정에 있어서 처리액을 흡인하는 흡인력보다 크다. 그 때문에, 처리액에 흡인력을 작용시킴으로써, 처리액 배관을 흐르는 처리액의 속도를 조정할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제어 장치가, 상기 병행 흡인 공정에 있어서, 상기 처리액 배관 내를 흐르는 처리액에 작용하는 상기 흡인력과 당해 처리액에 작용하는 공급압의 균형에 의해, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 정지하도록 상기 변경 가능 흡인 유닛을 제어해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 위치하는 상태에서, 처리액에 작용하는 흡인력과 공급압이 균형을 이룬다. 이에 따라, 처리액의 선단면을, 대기 위치에 자동적으로 정지시킬 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함한다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 전에 실행되는 전처리에 있어서 상기 대기 위치 배치 공정을 실행해도 된다. 또, 상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 전에 실행되는 전처리에 있어서 상기 제 2 흡인 공정을 실행해도 된다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 후에 실행되는 후처리에 있어서 상기 제 2 흡인 공정을 실행해도 된다. 또, 상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 미리 정하는 매수의 상기 기판에 대한 상기 기판 처리가 종료한 경우에, 상기 제 2 흡인 공정을 실행해도 된다. 이들의 경우, 기판 처리의 비실행시에 있어서, 처리액 배관 (및/또는 접속 배관) 을 비울 수 있다. 이에 따라, 처리액 배관 (및/또는 접속 배관) 에 있어서 처리액이 열화 또는 온도 저하되는 것을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명은, 토출구에 연통하는 처리액 배관을 포함하는 기판 처리 장치에서 실행되는 기판 처리 방법으로서, 상기 토출구로부터 처리액을 토출하고자 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하는 흡인 공정을 포함하고, 상기 흡인 공정은, 처리액의 선단면을 후퇴시켜, 상기 처리액 배관의 내부에 있어서의 미리 정하는 대기 위치에 배치시키는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 흡인 공정은, 선택적으로 실행되는 것이고, 상기 제 2 흡인 공정의 후에, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 대기 위치 배치 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 흡인 공정에서는, 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액이 흡인되고, 처리액의 선단면이 후퇴된다. 흡인 공정은, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면이 대기 위치보다 후퇴시켜지는 제 2 흡인 공정을 포함한다. 제 2 흡인 공정의 후에 실시되는 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관에 처리액을 공급함으로써, 처리액의 선단면을 전진시키고, 당해 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치시킨다. 따라서, 제 1 흡인 공정 및 제 2 흡인 공정 중 어느 것이 실행된 경우이더라도, 다음의 처리액의 토출 전에 있어서 처리액의 선단면을 공통의 대기 위치에 배치할 수 있다. 이에 따라, 처리액 배관의 내부를 흡인하는 흡인 공정의 종류의 여하에 따르지 않고, 공통된 타이밍으로 토출구로부터 처리액을 토출할 수 있다. 그러므로, 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 배관에는 접속 배관이 접속되고, 상기 접속 배관에 흡인 배관이 접속되고, 또한 상기 흡인 배관에 흡인 장치가 접속되어 있고, 상기 제 2 흡인 공정이, 처리액의 선단면을, 상기 접속 배관에 있어서의 상기 흡인 배관의 접속 위치에 대하여 상기 흡인 장치측으로 후퇴시키는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 상기 제 2 흡인 공정에 있어서, 처리액의 선단면을, 접속 배관에 있어서의 흡인 배관의 접속 위치에 대해 흡인 장치측으로 후퇴시킨다. 이에 따라, 처리액 배관 및 접속 배관을 비울 수 있고, 처리액 배관 및 접속 배관에 있어서 처리액이 열화 또는 온도 저하되는 것을 효과적으로 억제 또는 방지할 수 있다.
그리고, 제 2 흡인 공정의 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우에는 대기 위치 배치 공정을 실행함으로써, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치한다. 이에 따라, 제 2 흡인 공정에 있어서 처리액의 선단면을 접속 배관보다 후퇴시키는 경우이더라도, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 타이밍을, 제 1 흡인 공정 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우와의 사이에서 동일한 타이밍으로 할 수 있다.
그리고, 제 2 흡인 공정의 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우에는 대기 위치 배치 공정을 실행함으로써, 처리액의 선단면을 대기 위치에 배치한다. 이에 따라, 제 2 흡인 공정에 있어서 처리액의 선단면을 접속 배관보다 후퇴시키는 경우이더라도, 처리액 밸브가 열리고 나서 토출구로부터 처리액이 토출될 때까지의 타이밍을, 제 1 흡인 공정 후에 처리액을 토출구로부터 토출하는 경우와의 사이에서 동일한 타이밍으로 할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액을 검출하는 센서에 의한 검출 결과에 의해, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 판단 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 센서에 의한 검출 결과에 기초하여 판단되므로, 대기 위치 배치 공정의 처리액의 선단면이, 대기 위치에 배치되는지 여부의 판단을 정확하게 실시할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 검출하는 제 1 센서에 의한 검출 결과에 기초하여, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있는지 여부를 판단하는 제 1 판단 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 처리액의 선단면에 위치가 대기 위치에 배치되어 있는지 여부가 제 1 센서에 의해 검출된다. 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 처리액의 선단면의 위치를 실제로 검출함으로써, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면을, 대기 위치에 양호한 정밀도로 배치할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 대기 위치가, 상기 처리액 배관에 있어서 처리액의 유통 방향으로 소정의 거리를 띄우고 정해진, 제 1 위치와 제 2 위치의 사이의 영역이고, 상기 제 2 위치가 상기 제 1 위치에 대하여 상기 토출구측에 배치되어 있고, 상기 제 1 센서가, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 1 유무 센서와, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 2 유무 센서를 포함하고, 상기 제 1 판단 공정이, 상기 제 1 유무 센서에 의해, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고, 또한, 상기 제 2 유무 센서에 의해, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있다고 판단하는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제 1 유무 센서에 의해 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고, 또한, 제 2 유무 센서에 의해, 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되어 있다고 판단한다. 이에 따라, 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는 것을 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 제 1 센서가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 촬상하기 위한 카메라를 포함하고, 상기 제 1 판단 공정이, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면의, 상기 카메라에 의한 촬상 결과에 기초하여 판단하는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 처리액의 선단면이 카메라에 의해 촬상된다. 그리고, 카메라에 의한 촬상 결과에 의해, 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는지 여부가 판단된다. 이에 따라, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되어 있는 것을 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하는 제 2 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 대기 위치 배치 공정에 의해 배치된 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 제 2 판단 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관에 공급되는 처리액의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서가 형성되어 있다. 이 제 2 센서의 검출 결과에 기초하여, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되는지 여부가 판단된다. 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액의 유량을 정확하게 파악할 수 있으면, 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액 공급 시간을 관리함으로써, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면을 양호한 정밀도로 제어할 수 있다. 이에 따라, 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 대기 위치에 있는지 여부를 양호한 정밀도로 검출하는 것이 가능하다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 2 센서가, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하도록 구성되어 있고, 상기 제 2 판단 공정이, 상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액을, 상기 처리액 배관이 아니라, 상기 처리액 공급 배관에 접속된 처리액 배액 배관에 토출하면서, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 취득하는 유량 취득 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 처리액 공급 배관으로부터 처리액 배액 배관으로 유도되는 처리액의 유량을 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 대기 위치 배치 공정에 있어서 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득하는 것이 가능하다. 이에 따라, 처리액을 처리액 배관에 공급하는 일 없이, 대기 위치 배치 공정에 있어서의 처리액의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 처리액 배관에 있어서의 소정의 제 1 검출 위치에, 처리액의 선단면이 통과한 것을 검출하는 선단면 검출 공정과, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하는 속도 검출 공정을 추가로 포함한다. 그리고, 상기 대기 위치 배치 공정이, 처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 통과 타이밍과, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도에 기초하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 방법에 의하면, 제 1 검출 위치에 있어서의 처리액의 선단면의 통과 타이밍과, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도가 검출된다. 검출된 통과 타이밍 및 검출된 속도에 기초하여, 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치된다. 그 때문에, 처리액의 선단면을, 대기 위치에 양호한 정밀도로 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판에 공급되는 처리액의 양의 최적화를 도모할 수 있다. 그러므로, 처리액을 사용하여 기판을 양호하게 처리할 수 있고, 또한 기판간의 처리의 편차를 억제할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 속도 검출 공정이, 처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 제 1 통과 타이밍과, 상기 제 1 검출 위치보다 하류측에 설정된 제 2 검출 위치를 처리액의 선단면이 통과한 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제 1 통과 타이밍과, 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 선단면의 속도가 검출된다. 이에 따라, 처리액 배관을 통과하는 처리액의 선단면의 속도를, 속도 센서 등을 형성하지 않고, 간단한 구성으로 검출할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 의해 판단된 경우에 에러를 알리는 에러 알림 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는 일이 일어나면, 실제의 처리액 공급 시간이 기판마다 불규칙해지는 결과, 처리가 기판마다 불규칙해질 우려가 있다. 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는다고 판단 공정에 의해 판단된 때에는, 에러가 알림되므로, 그러한 사태의 발생을 작업자가 인식할 수 있다. 이에 따라, 처리의 편차를 미연에 방지하는 것이 가능하다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 의해 판단된 경우에, 상기 대기 위치 배치 공정을 실행하지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 상기 대기 위치 배치 공정을 중단하는 중단 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는 일이 일어나면, 실제의 처리액 공급 시간이 기판마다 불규칙해지는 결과, 처리가 기판마다 불규칙해질 우려가 있다. 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 대기 위치에 배치되지 않는다고 판단 공정에 의해 판단된 때에는, 대기 위치 배치 공정이 실행되지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 대기 위치 배치 공정이 중단되므로, 처리의 편차를 미연에 방지할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 제 1 흡인 공정이, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 제 1 흡인 장치에 의해 소정의 흡인력으로 흡인하는 공정을 포함한다. 그리고, 상기 제 2 흡인 공정이, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을, 제 2 흡인 장치에 의해 상기 소정의 흡인력보다 큰 흡인력으로 흡인하는 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제 1 흡인 공정에서는, 제 1 흡인 장치에 의해 소정의 흡인력으로 흡인된다. 또한, 제 1 흡인 공정에서는, 소정의 흡인력보다 큰 흡인력으로 흡인된다. 제 1 흡인 공정과 제 2 흡인 공정의 사이에서 전환함으로써, 처리액 배관 내의 흡인력의 변경을, 비교적 간단한 구성으로 실현할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관의 내부를 흡인하는 병행 흡인 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 처리액 배관에 대한 처리액의 공급에 병행하여, 처리액 배관의 내부가 흡인된다. 처리액 배관에 공급되는 처리액은, 소정의 공급 압력을 받고 있다. 처리액 배관 내를 토출구를 향해서 이동하는 처리액에 대하여, 처리액의 이동 방향과는 반대 방향으로 흡인력이 작용한다. 이에 따라, 처리액 배관을 이동하는 처리액을 감속시키는 것이 가능하다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 병행 흡인 공정에 있어서의 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력이, 상기 제 1 흡인 공정에 있어서의 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력보다 크다.
이 방법에 의하면, 병행 흡인 공정에 있어서 처리액을 흡인하는 흡인력이, 상기 제 1 흡인 공정에 있어서 처리액을 흡인하는 흡인력보다 크다. 그 때문에, 처리액에 흡인력을 작용시킴으로써, 처리액 배관을 흐르는 처리액의 속도를 조정할 수 있다.
이 발명의 다른 실시형태에서는, 상기 병행 흡인 공정이, 상기 처리액 배관 내를 흐르는 처리액에 작용하는 흡인력과 당해 처리액에 작용하는 공급압의 균형에 의해, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 정지하는 흡인력으로 상기 처리액 배관을 흡인한다.
이 방법에 의하면, 상기 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 위치하는 상태에서, 처리액에 작용하는 흡인력과 공급압이 균형을 이룬다. 이에 따라, 처리액의 선단면을, 대기 위치에 자동적으로 정지시킬 수 있다.
상기 기판 처리 장치가, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 전에 전처리를 실행해도 된다. 그리고, 상기 대기 위치 배치 공정이, 상기 전처리에 있어서 실행되어 있어도 된다.
또, 상기 기판 처리 장치가, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 전에 전처리를 실행해도 된다. 그리고, 상기 제 2 흡인 공정이, 상기 전처리에 있어서 실행되어 있어도 된다.
또, 상기 기판 처리 장치가, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 후에 후처리를 실행해도 된다. 그리고, 상기 제 2 흡인 공정이, 상기 후처리에 있어서 실행되어 있어도 된다.
또, 상기 기판 처리 장치가, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 그리고, 상기 제 2 흡인 공정이, 미리 정하는 매수의 기판에 대한 상기 기판 처리가 실행된 후에 실행되어 있어도 된다.
본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 중심축 노즐의 종단면도이다.
도 4 는, 상기 중심축 노즐의 저면도이다.
도 5 는, 도 2 에 나타내는, 소수화제 공급 유닛 및 유기 용제 공급 유닛의 개략 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 상기 소수화제 공급 유닛의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 는, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7b 는, 하드 인터락을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 는, 상기 처리 유닛에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8b 는, 상기 처리 유닛에 있어서 프리레시피에 의해 실행되는 전처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 9 는, 상기 처리 유닛에 있어서 프로세스 레시피에 의해 실행되는 기판 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 10 은, 상기 기판 처리 장치에 대한 기판 반입 전에 있어서의, 상기 처리 유닛의 상태를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 도 8b 에 나타내는 배출 흡인 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a 는, 도 8b 에 나타내는 프리디스펜스 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12b 는, 도 8b 에 나타내는 충전 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13 은, 도 9 에 나타내는 제 1 유기 용제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14 는, 상기 제 1 유기 용제 공급 공정 후에 실행되는 털어내기 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15 는, 도 9 에 나타내는 소수화제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16 은, 도 9 에 나타내는 제 2 유기 용제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17 은, 도 9 에 나타내는 스핀 드라이 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 18 은, 제 1 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 19 는, 제 2 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 20 은, 제 1 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
도 21 은, 제 2 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
도 22 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 23 은, 상기 소수화제 공급 유닛에 의해 실행되는 충전 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 24 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (310) 의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 중심축 노즐의 종단면도이다.
도 4 는, 상기 중심축 노즐의 저면도이다.
도 5 는, 도 2 에 나타내는, 소수화제 공급 유닛 및 유기 용제 공급 유닛의 개략 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 상기 소수화제 공급 유닛의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7a 는, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7b 는, 하드 인터락을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 는, 상기 처리 유닛에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8b 는, 상기 처리 유닛에 있어서 프리레시피에 의해 실행되는 전처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 9 는, 상기 처리 유닛에 있어서 프로세스 레시피에 의해 실행되는 기판 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 10 은, 상기 기판 처리 장치에 대한 기판 반입 전에 있어서의, 상기 처리 유닛의 상태를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 도 8b 에 나타내는 배출 흡인 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a 는, 도 8b 에 나타내는 프리디스펜스 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12b 는, 도 8b 에 나타내는 충전 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13 은, 도 9 에 나타내는 제 1 유기 용제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14 는, 상기 제 1 유기 용제 공급 공정 후에 실행되는 털어내기 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15 는, 도 9 에 나타내는 소수화제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16 은, 도 9 에 나타내는 제 2 유기 용제 공급 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17 은, 도 9 에 나타내는 스핀 드라이 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 18 은, 제 1 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 19 는, 제 2 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 20 은, 제 1 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
도 21 은, 제 2 변형예를 설명하기 위한 도면이다.
도 22 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 23 은, 상기 소수화제 공급 유닛에 의해 실행되는 충전 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 24 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (310) 의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 이 실시형태에서는, 기판 (W) 은, 원판상의 기판이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 과, 처리 유닛 (2) 에서 처리되는 복수 매의 기판 (W) 을 수용하는 기판 수용기 (C) 가 재치 (載置) 되는 로드 포트 (LP) 와, 로드 포트 (LP) 와 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (IR 및 CR) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 반송 로봇 (IR) 은, 기판 수용기 (C) 와 반송 로봇 (CR) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 반송 로봇 (CR) 은, 반송 로봇 (IR) 과 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 예를 들어, 동일한 구성을 갖고 있다.
도 2 는, 처리 유닛 (2) 의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 도 3 은, 중심축 노즐 (7) 의 종단면도이다. 도 4 는, 중심축 노즐 (7) 의 저면도이다.
처리 유닛 (2) 은, 박스형의 챔버 (4) 와, 챔버 (4) 내에서 한 장의 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하여, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직인 회전축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 척 (기판 유지 유닛) (5) 과, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면에 대향하는 대향 부재 (6) 와, 대향 부재 (6) 의 내부를 상하로 삽입 통과하고, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면의 중앙부를 향해서 처리액을 토출하기 위한 중심축 노즐 (7) 과, 중심축 노즐 (7) 에 약액을 공급하기 위한 약액 공급 유닛 (8) 과, 중심축 노즐 (7) 에 린스액을 공급하기 위한 린스액 공급 유닛 (9) 과, 중심축 노즐 (7) 에 액체의 소수화제를 공급하기 위한 소수화제 공급 유닛 (10) 과, 중심축 노즐 (7) 에, 공기보다 비중이 크고 또한 물보다 낮은 표면 장력을 갖는 저표면 장력 액체로서의 유기 용제를 공급하기 위한 유기 용제 공급 유닛 (11) 과, 스핀 척 (5) 을 둘러싸는 통형상의 처리 컵 (12) 을 포함한다.
챔버 (4) 는, 스핀 척 (5) 이나 노즐을 수용하는 박스 형상의 격벽 (13) 과, 격벽 (13) 의 상부로부터 격벽 (13) 내에 청정 공기 (필터에 의해 여과된 공기) 를 보내는 송풍 유닛으로서의 FFU (팬·필터·유닛) (14) 와, 격벽 (13) 의 하부로부터 챔버 (4) 내의 기체를 배출하는 배기 덕트 (15) 를 포함한다. FFU (14) 는, 격벽 (13) 의 상방에 배치되어 있고, 격벽 (13) 의 천정에 장착되어 있다. FFU (14) 는, 격벽 (13) 의 천정으로부터 챔버 (4) 내에 하향으로 청정 공기를 보낸다. 배기 덕트 (15) 는, 처리 컵 (12) 의 저부에 접속되어 있고, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되는 공장에 형성된 배기 처리 설비를 향해서 챔버 (4) 내의 기체를 토출한다. 따라서, 챔버 (4) 내를 하방으로 흐르는 다운 플로우 (하강류) 가, FFU (14) 및 배기 덕트 (15) 에 의해 형성된다. 기판 (W) 의 처리는, 챔버 (4) 내에 다운 플로우가 형성되어 있는 상태에서 실시된다.
스핀 척 (5) 으로서, 기판 (W) 을 수평 방향으로 사이에 끼워 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 협지식 (挾持式) 의 척이 채용되어 있다. 구체적으로는, 스핀 척 (5) 은, 스핀 모터 (16) 와, 이 스핀 모터 (16) 의 구동축과 일체화된 스핀축 (17) 과, 스핀축 (17) 의 상단에 대략 수평으로 장착된 원판상의 스핀 베이스 (18) 를 포함한다.
스핀 베이스 (18) 의 상면에는, 그 주연부 (周緣部) 에 복수 개 (3 개 이상. 예를 들어 6 개) 의 협지 부재 (19) 가 배치되어 있다. 복수 개의 협지 부재 (19) 는, 스핀 베이스 (18) 의 상면 주연부에 있어서, 기판 (W) 의 외주 형상에 대응하는 원주 (圓周) 상에서 적당한 간격을 띄우고 배치되어 있다. 스핀 베이스 (18) 의 상면에는, 회전축선 (A1) 을 중심으로 하는 원주 상에, 대향 부재 (6) 를 하방으로부터 지지하기 위한 복수 개 (3 개 이상) 의 대향 부재 지지부 (20) 가 배치되어 있다. 대향 부재 지지부 (20) 와 회전축선 (A1) 의 사이의 거리는, 협지 부재 (19) 와 회전축선 (A1) 의 사이의 거리보다 크게 설정되어 있다.
또, 스핀 척 (5) 으로는, 협지식의 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 기판 (W) 의 이면을 진공 흡착함으로써, 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하고, 또한 그 상태에서 연직인 회전축선 둘레로 회전함으로써, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 을 회전시키는 진공 흡착식의 것 (배큠 척) 이 채용되어도 된다.
대향 부재 (6) 는, 스핀 척 (5) 에 따라서 회전하는 종동형의 대향 부재 (차단 부재) 이다. 즉, 대향 부재 (6) 는, 기판 처리 중에 있어서, 대향 부재 (6) 가 스핀 척 (5) 에 일체 회전 가능하게 지지된다.
대향 부재 (6) 는, 차단판 (21) 과, 차단판 (21) 에 동반 승강 가능하게 형성된 걸어맞춤부 (22) 와, 걸어맞춤부 (22) 와 걸어맞춤 차단판 (21) 을 상방으로부터 지지하기 위한 지지부 (23) 를 포함한다.
차단판 (21) 은, 기판 (W) 보다 큰 직경을 갖는 원판상이다. 차단판 (21) 은, 그 하면에 기판 (W) 의 상면 전역에 대향하는 원형의 기판 대향면 (21a) 과, 기판 대향면 (21a) 의 주연부에 있어서 하방을 향해서 돌출하는 원환상 (圓環狀) 의 날밑부 (21b) 와, 기판 대향면 (21a) 에 형성되어 대향 부재 지지부 (20) 에 걸어맞추기 위한 스핀 척 걸어맞춤부 (21c) 를 갖고 있다. 기판 대향면 (21a) 의 중앙부에는, 대향 부재 (6) 를 상하로 관통하는 관통공 (24) 이 형성되어 있다. 관통공 (24) 은, 원통상의 내주면에 의해 구획되어 있다.
걸어맞춤부 (22) 는, 차단판 (21) 의 상면에 있어서, 관통공 (24) 의 주위를 포위하는 원통부 (25) 와, 원통부 (25) 의 상단으로부터 직경 방향 외방으로 넓어지는 플랜지부 (26) 를 포함한다. 플랜지부 (26) 는, 지지부 (23) 에 포함되는, 다음에 서술하는 플랜지 지지부 (28) 보다 상방에 위치하고 있고, 플랜지부 (26) 의 외주는, 플랜지 지지부 (28) 의 내주보다 대경 (大徑) 으로 되어 있다.
지지부 (23) 는, 예를 들어 대략 원판상의 지지부 본체 (27) 와, 중심축선 (A2) 을 중심으로 하는 수평한 플랜지 지지부 (28) 와, 지지부 본체 (27) 와 플랜지 지지부 (28) 를 접속하는 접속부 (29) 를 포함한다.
중심축 노즐 (7) 은, 차단판 (21) 및 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직인 축선, 즉, 회전축선 (A1) 을 따라 상하 방향으로 연장되어 있다. 중심축 노즐 (7) 은, 스핀 척 (5) 의 상방에 배치되고, 차단판 (21) 및 지지부 (23) 의 내부 공간을 삽입 통과한다. 중심축 노즐 (7) 은, 차단판 (21) 및 지지부 (23) 와 함께 승강한다. 중심축 노즐 (7) 의 하면은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 보다 약간 상방 위치에 배치되어 있지만, 기판 대향면 (21a) 과 거의 동일한 높이여도 된다.
중심축 노즐 (7) 은, 관통공 (24) 의 내부를 상하로 연장하는 원기둥 형상의 케이싱 (30) 과, 케이싱 (30) 의 내부를 상하로 삽입 통과하는 제 1 노즐 배관 (31), 제 2 노즐 배관 (32), 제 3 노즐 배관 (33) 및 제 4 노즐 배관 (34) 을 포함한다. 케이싱 (30) 은, 원통상의 외주면 (30a) 과, 케이싱 (30) 의 하단부에 형성되고, 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 대향하는 대향면 (30b) 을 갖고 있다. 제 1 ∼ 제 4 노즐 배관 (31 ∼ 34) 은, 각각 이너 튜브이다.
지지부 (23) 에는, 지지부 (23) 를 승강시켜 대향 부재 (6) 를 승강시키기 위한 대향 부재 승강 유닛 (39) 이 결합되어 있다. 대향 부재 승강 유닛 (39) 은, 서보 모터나 볼 나사 기구 등을 포함하는 구성이다.
대향 부재 승강 유닛 (39) 은, 대향 부재 (6) 및 제 1 ∼ 제 4 노즐 배관 (31 ∼ 34) 을, 지지부 (23) 와 함께 연직 방향으로 승강한다. 대향 부재 승강 유닛 (39) 은, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 이 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면에 근접하는 근접 위치와, 근접 위치의 상방에 형성된 퇴피 위치의 사이에서, 차단판 (21) 및 제 1 ∼ 제 4 노즐 배관 (31 ∼ 34) 을 승강시킨다. 대향 부재 승강 유닛 (39) 은, 근접 위치와 퇴피 위치 사이의 각 위치에서 차단판 (21) 을 유지 가능하다.
대향 부재 승강 유닛 (39) 에 의해, 지지부 (23) 를 하위치 (도 2 에 파선으로 나타내는 위치) 와 상위치 (도 2 에 실선으로 나타내는 위치) 의 사이에서 승강시킬 수 있고, 이에 따라, 대향 부재 (6) 의 차단판 (21) 을, 스핀 척 (5) 에 유지 된 기판 (W) 의 상면에 근접하는 근접 위치 (도 2 에 파선으로 나타내는 위치) 와, 스핀 척 (5) 의 상방으로 크게 퇴피한 퇴피 위치 (도 2 에 실선으로 나타내는 위치) 의 사이에서 승강시킬 수 있다.
구체적으로는, 지지부 (23) 가 상위치에 위치하는 상태에서는, 지지부 (23) 의 플랜지 지지부 (28) 와 플랜지부 (26) 가 걸어맞춰짐으로써, 걸어맞춤부 (22), 차단판 (21) 및 중심축 노즐 (7) 이 지지부 (23) 에 지지된다. 즉, 차단판 (21) 이 지지부 (23) 에 의해 매달린다.
지지부 (23) 가 상위치에 위치하는 상태에서는, 플랜지 지지부 (28) 의 상면에 돌출 형성된 돌기 (28a) 가, 플랜지부 (26) 에 둘레 방향으로 간격을 띄우고 형성된 걸어맞춤 구멍 (26a) 에 걸어맞춰짐으로써, 차단판 (21) 이 지지부 (23) 에 대하여 둘레 방향으로 위치 결정된다.
대향 부재 승강 유닛 (39) 이, 지지부 (23) 를 상위치로부터 하강시키면, 차단판 (21) 도 퇴피 위치로부터 하강한다. 그 후, 차단판 (21) 의 스핀 척 걸어맞춤부 (21c) 가, 대향 부재 지지부 (20) 에 맞닿으면, 차단판 (21) 및 중심축 노즐 (7) 이 대향 부재 지지부 (20) 에 의해 받아내어진다. 그리고, 대향 부재 승강 유닛 (39) 이 지지부 (23) 를 하강시키면, 지지부 (23) 의 플랜지 지지부 (28) 와 플랜지부 (26) 의 걸어맞춤이 해제되어, 걸어맞춤부 (22), 차단판 (21) 및 중심축 노즐 (7) 은 지지부 (23) 로부터 이탈하고, 스핀 척 (5) 에 의해 지지된다. 이 상태에서, 스핀 척 (5) (스핀 베이스 (18)) 의 회전에 동반하여, 차단판 (21) 이 회전된다.
제 1 노즐 배관 (31) 은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다. 제 1 노즐 배관 (31) 의 하단은, 케이싱 (30) 의 대향면 (30b) 에 개구하여, 제 1 토출구 (31a) 를 형성하고 있다. 제 1 노즐 배관 (31) 에는, 약액 공급 유닛 (8) 으로부터의 약액이 공급된다. 약액 공급 유닛 (8) 은, 제 1 노즐 배관 (31) 의 기단측에 접속된 약액 배관 (35) 과, 약액 배관 (35) 의 도중부에 개재 장착된 약액 밸브 (36) 를 포함한다. 약액 밸브 (36) 가 열리면, 제 1 토출구 (31a) 로부터 하방을 향해서 약액이 토출된다. 약액 밸브 (36) 가 닫히면, 제 1 토출구 (31a) 로부터의 약액의 토출이 정지된다. 약액은, 예를 들어, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 및 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 1 개를 포함하는 액이어도 된다.
제 2 노즐 배관 (32) 은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다. 제 2 노즐 배관 (32) 의 하단은, 케이싱 (30) 의 대향면 (30b) 에 개구하여, 제 2 토출구 (32a) 를 형성하고 있다. 제 2 노즐 배관 (32) 에는, 린스액 공급 유닛 (9) 으로부터의 린스액이 공급된다. 린스액 공급 유닛 (9) 은, 제 2 노즐 배관 (32) 의 기단측에 접속된 린스액 배관 (37) 과, 린스액 배관 (37) 의 도중부에 개재 장착된 린스액 밸브 (38) 를 포함한다. 린스액 밸브 (38) 가 열리면, 제 2 토출구 (32a) 로부터 하방을 향해서 린스액이 토출된다. 린스액 밸브 (38) 가 닫히면, 제 2 토출구 (32a) 로부터의 린스액의 토출이 정지된다. 린스액은, 순수 (탈이온수), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 암모니아수 중 어느 것이다.
제 3 노즐 배관 (33) 은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다. 제 3 노즐 배관 (33) 의 하단은, 케이싱 (30) 의 대향면 (30b) 에 개구하여, 제 3 토출구 (33a) 를 형성하고 있다. 제 3 노즐 배관 (33) 에는, 소수화제 공급 유닛 (10) 으로부터의 액체의 소수화제가 공급된다. 소수화제는, 실리콘계의 소수화제여도 되고, 메탈계의 소수화제여도 된다.
실리콘계의 소수화제는, 실리콘 (Si) 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 소수화시키는 소수화제이다. 실리콘계 소수화제는, 예를 들어, 실란 커플링제이다. 실란 커플링제는, 예를 들어, HMDS (헥사메틸디실라잔), TMS (테트라메틸실란), 불소화 알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비클로로계 소수화제 중 적어도 1 개를 포함한다. 비클로로계 소수화제는, 예를 들어, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민 및 오르가노 실란 화합물 중 적어도 1 개를 포함한다.
메탈계의 소수화제는, 예를 들어 높은 배위성을 갖고, 주로 배위 결합에 의해 금속을 소수화하는 용제이다. 이 소수화제는, 예를 들어, 소수기를 갖는 아민, 및 유기 실리콘 화합물 중 적어도 1 개를 포함한다.
제 4 노즐 배관 (34) 은, 연직 방향을 따라 연장되어 있다. 제 4 노즐 배관 (34) 의 하단은, 케이싱 (30) 의 대향면 (30b) 에 개구하여, 제 4 토출구 (34a) 를 형성하고 있다. 제 4 노즐 배관 (34) 에는, 유기 용제 공급 유닛 (11) 으로부터의 액체의 유기 용제가 공급된다. 유기 용제는, 예를 들어 IPA (isopropyl alcohol) 이지만, 이와 같은 유기 용제로서, IPA 이외에, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 아세톤, EG (에틸렌글리콜) 및 HFE (하이드로플루오로에테르) 를 예시할 수 있다. 또, 유기 용제로는, 단체 성분만으로 이루어지는 경우 뿐만 아니라, 다른 성분과 혼합한 액체여도 된다. 예를 들어, IPA 와 아세톤의 혼합액이어도 되고, IPA 와 메탄올의 혼합액이어도 된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리 컵 (12) 은, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 보다 외방 (회전축선 (A1) 으로부터 멀어지는 방향) 에 배치되어 있다. 처리 컵 (12) 은, 스핀 베이스 (18) 의 주위를 둘러싸는 통형상 부재 (40) 와, 스핀 척 (5) 과 통형상 부재 (40) 의 사이에 배치된 복수의 컵 (41 ∼ 43) (제 1 ∼ 제 3 컵 (41 ∼ 43)) 과, 기판 (W) 의 주위에 비산한 처리액 (약액, 린스액, 유기 용제, 소수화제 등) 을 받아내는 복수의 가드 (44 ∼ 46) (제 1 ∼ 제 3 가드 (44 ∼ 46)) 와, 복수의 가드 (44 ∼ 46) 를 개별적으로 승강시키는 가드 승강 유닛 (47) 을 포함한다. 처리 컵 (12) 은, 스핀 척 (5) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 외주보다 외측 (회전축선 (A1) 으로부터 멀어지는 방향) 에 배치되어 있다. 도 2 에 있어서, 처리 컵 (12) 은, 회전축선 (A1) 의 우측과 좌측에서 상이한 상태가 나타나 있다.
각 컵 (41 ∼ 43) 은, 원통상이고, 스핀 척 (5) 과 통형상 부재 (40) 의 사이에서 스핀 척 (5) 을 둘러싸고 있다. 내측으로부터 2 번째의 제 2 컵 (42) 은, 제 1 컵 (41) 보다 외측에 배치되어 있고, 가장 외측의 제 3 컵 (43) 은, 제 2 컵 (42) 보다 외측에 배치되어 있다. 제 3 컵 (43) 은, 예를 들어, 제 2 가드 (45) 와 일체이고, 제 2 가드 (45) 와 함께 승강한다. 각 컵 (41 ∼ 43) 은, 상향으로 열린 환상의 홈을 형성하고 있다. 각 컵 (41 ∼ 43) 의 홈에는, 회수 배관 (도시되지 않음) 또는 폐액 배관 (도시되지 않음) 이 접속되어 있다. 각 컵 (41 ∼ 43) 의 저부에 유도된 처리액은, 회수 배관 또는 폐액 배관을 통해서, 각각 회수 유닛 (도시되지 않음) 또는 폐액 유닛 (도시되지 않음) 에 보내진다. 이에 따라, 기판 (W) 으로부터 배출된 처리액이 회수 또는 폐기된다.
각 가드 (44 ∼ 46) 는, 원통상이고, 스핀 척 (5) 과 통형상 부재 (40) 의 사이에서 스핀 척 (5) 을 둘러싸고 있다. 각 가드 (44 ∼ 46) 는, 스핀 척 (5) 의 주위를 둘러싸는 원통상의 안내부 (48) 와, 안내부 (48) 의 상단으로부터 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (A1) 에 가까워지는 방향) 에 비스듬한 상방으로 연장되는 원통상의 경사부 (49) 를 포함한다. 각 경사부 (49) 의 상단부는, 가드 (44 ∼ 46) 의 내주부를 구성하고 있고, 기판 (W) 및 스핀 베이스 (18) 보다 큰 직경을 갖고 있다. 3 개의 경사부 (49) 는 상하로 겹쳐져 있고, 3 개의 안내부 (48) 는 동축적으로 배치되어 있다. 3 개의 안내부 (48) (가드 (44 ∼ 46) 의 안내부 (48)) 는, 각각, 대응하는 컵 (41 ∼ 43) 내에 출입 가능하다. 즉, 처리 컵 (12) 은, 접기 가능하고, 가드 승강 유닛 (47) 이 3 개의 가드 (44 ∼ 46) 중 적어도 1 개를 승강시킴으로써, 처리 컵 (12) 의 전개 및 접기가 실시된다. 또한, 경사부 (49) 는, 그 단면 (斷面) 형상이 도 2 에 나타내는 바와 같이 직선상이어도 되고, 또, 예를 들어 매끄러운 위로 볼록한 원호를 그리면서 연장되어 있어도 된다.
기판 (W) 에 대한 처리액 (약액, 린스액, 유기 용제, 소수화제 등) 의 공급이나 기판 (W) 의 건조는, 어느 것의 가드 (44 ∼ 46) 가, 기판 (W) 의 둘레 단면 (端面) 에 대향하고 있는 상태에서 실시된다. 예를 들어 가장 외측의 제 3 가드 (46) 가 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향하고 있는 상태 (도 13 에 나타내는 상태. 이하, 「제 3 가드 대향 상태」 라고 하는 경우가 있다) 를 실현하기 위해서, 제 1 가드 (44) 및 제 2 가드 (45) 를 하위치에 배치하고, 제 3 가드 (46) 를 상위치에 배치한다. 또, 내측으로부터 2 번째의 제 2 가드 (45) 가 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향하고 있는 상태 (도 15 에 나타내는 상태. 이하, 「제 2 가드 대향 상태」 라고 하는 경우가 있다) 를 실현하기 위해서, 제 1 가드 (44) 를 하위치에 배치하고, 제 2 가드 (45) 및 제 3 가드 (46) 를 상위치에 배치한다. 또, 가장 내측의 제 1 가드 (44) 가 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향하고 있는 상태 (도 2 에 나타내는 상태. 이하, 「제 1 가드 대향 상태」 라고 하는 경우가 있다) 를 실현하기 위해서, 3 개의 가드 (44 ∼ 46) 모두를 상위치에 배치한다.
예를 들어, 후술하는 약액 공급 공정 (E3) (도 9 참조) 이나, 린스 공정 (E4) (도 9 참조), 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) (도 9 참조), 소수화제 공급 공정 (E6) (도 9 참조), 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) (도 9 참조) 에서는, 3 개의 가드 (44 ∼ 46) 중 어느 것이, 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향하고 있는 상태에서 실시된다. 따라서, 기판 (W) 에 처리액이 공급되고 있을 때에 기판 (W) 의 주위에 비산한 처리액은, 제 1 가드 (44), 제 2 가드 (45), 및 제 3 가드 (46) 중 어느 것에 의해, 어느 것의 컵 (41 ∼ 43) 으로 안내된다.
도 5 는, 소수화제 공급 유닛 (10) 및 유기 용제 공급 유닛 (11) 의 개략 구성을 설명하기 위한 도면이다.
소수화제 공급 유닛 (10) 은, 제 3 노즐 배관 (33) 에 접속된 소수화제 배관 (처리액 배관) (51) 과, 소수화제 배관 (51) 을 통해서 제 3 노즐 배관 (33) 에 접속된 제 1 접속 배관 (52) 과, 제 1 접속 배관 (52) 에 각각 접속된, 소수화제 배액 배관 (53), 제 1 소수화제 공급 배관 (54), 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 및 소수화제 흡인 배관 (56) 을 포함한다.
제 1 접속 배관 (52) 은 일방향으로 연장되고 또한 양단이 폐색하는 통형상을 이루고, 제 1 접속 배관 (52) 에는, 소수화제 배액 배관 (53), 소수화제 배관 (51), 제 1 소수화제 공급 배관 (54), 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 및 소수화제 흡인 배관 (56) 이, 그 길이 방향에 관하여 일단측 (도 5 에 나타내는 상측) 으로부터 이 순서로 접속되어 있다.
소수화제 배관 (51) 은, 제 1 상하 방향 부분 (51a) 과, 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 을 갖고 있다. 제 1 상하 방향 부분 (51a) 의 하류단이, 제 3 노즐 배관 (33) 의 상류단에 접속되어 있다. 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 하류단이, 제 1 상하 방향 부분 (51a) 의 상류단에 접속되어 있다. 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 상류단이 제 1 접속 배관 (52) 에 접속되어 있다. 소수화제 배관 (51) 의 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 에는, 소수화제 배관 (51) 을 개폐하기 위한 소수화제 밸브 (57) 가 개재 장착되어 있다.
소수화제 배관 (51) 의 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 에는, 소수화제 밸브 (57) 보다 하류측에, 제 1 소수화제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치) (58) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 는, 다이어프램식의 흡인 장치이다. 다이어프램식의 흡인 장치는, 소수화제 배관 (51) 의 도중부에 개재 장착되는 통형상의 헤드와, 헤드 내에 수용된 다이어프램을 포함하고, 다이어프램의 구동에 의해, 헤드 내에 형성되는 유로의 용적을 변화시키는 흡인 장치이다 (일본 공개특허공보 2016-111306호 등 참조).
소수화제 배액 배관 (53) 에는, 소수화제 배액 배관 (53) 을 개폐하기 위한 소수화제 배액 밸브 (59) 가 개재 장착되어 있다. 소수화제 배액 배관 (53) 의 타단측은, 기외 (機外) 의 배액 설비에 접속되어 있다.
제 1 소수화제 공급 배관 (54) 에는, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 을 개폐하기 위한 제 1 의 소수화제 공급 밸브 (60) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 타단측에는, 제 1 소수화제 원액 공급원으로부터 제 1 소수화제 원액 (소수화제 1) 이 공급되도록 되어 있다.
제 2 소수화제 공급 배관 (55) 에는, 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 을 개폐하기 위한 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 가 개재 장착되어 있다. 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 의 타단측에는, 제 2 소수화제 원액 공급원으로부터 제 2 소수화제 원액 (소수화제 2) 이 공급되도록 되어 있다. 제 1 소수화제 원액과 제 2 소수화제 원액이 혼합됨으로써, 소수화제가 생성되도록 되어 있다.
소수화제 흡인 배관 (56) 에는, 소수화제 흡인 배관 (56) 을 개폐하기 위한 소수화제 흡인 밸브 (흡인 밸브) (62) 가 개재 장착되어 있다. 소수화제 흡인 배관 (56) 의 선단에는, 제 2 소수화제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치) (63) 가 접속되어 있다. 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 는, 이젝터식의 흡인 장치이다. 이젝터식의 흡인 장치는, 진공 발생기나 아스피레이터를 포함한다. 이젝터식의 흡인 장치는, 다이어프램식의 흡인 장치나 사이펀식의 흡인 장치와 비교하여, 흡인력이 강하고 (흡인 속도가 빠르고) 또한 흡인 가능한 액 유량이 많다.
소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 제 1 소수화제 공급 밸브 (60), 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 및 소수화제 밸브 (57) 가 열리면, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터의 제 1 소수화제 원액과 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 으로부터의 제 2 소수화제 원액이 제 1 접속 배관 (52) 에 유입하여, 제 1 접속 배관 (52) 내에서 혼합되어 소수화제가 생성된다. 이 소수화제가 소수화제 배관 (51) 을 통해서 제 3 노즐 배관 (33) 에 공급되고, 제 3 토출구 (33a) 로부터 하방을 향해서 소수화제가 토출된다.
또, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 제 1 소수화제 공급 밸브 (60), 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 및 소수화제 배액 밸브 (59) 가 열리면, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터 제 1 소수화제 원액이 소수화제 배액 배관 (53) 에 공급된다. 이에 따라, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부에 잔류하고 있는 제 1 소수화제 원액을 기외로 배출할 수 있다.
또, 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 기능이 유효화 되어 있는 상태에 있어서, 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 소수화제 밸브 (57) 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 가 열리면, 소수화제 배관 (51) 의 내부가 흡인되어, 소수화제의 선단면 (처리액의 선단면) (F1) 이 소수화제 배관 (51) 의 내부를 후퇴한다.
유기 용제 공급 유닛 (11) 은, 제 4 노즐 배관 (34) 에 접속된 유기 용제 배관 (처리액 배관) (81) 과, 유기 용제 배관 (81) 을 통해서 제 4 노즐 배관 (34) 에 접속된 제 2 접속 배관 (82) 과, 제 2 접속 배관 (82) 에 각각 접속된, 유기 용제 배액 배관 (83), 유기 용제 공급 배관 (84) 및 유기 용제 흡인 배관 (흡인 배관) (86) 을 포함한다.
제 2 접속 배관 (82) 은 일방향으로 연장되고 또한 양단이 폐색하는 통형상을 이루고, 제 2 접속 배관 (82) 에는, 유기 용제 배액 배관 (83), 유기 용제 배관 (81), 유기 용제 공급 배관 (84) 및 유기 용제 흡인 배관 (86) 이, 그 길이 방향에 관하여 일단측 (도 5 에 나타내는 상측) 으로부터 이 순서로 접속되어 있다.
유기 용제 배관 (81) 은, 제 2 상하 방향 부분 (81a) 과, 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 을 갖고 있다. 제 2 상하 방향 부분 (81a) 의 하류단이, 제 4 노즐 배관 (34) 의 상류단에 접속되어 있다. 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 의 하류단이, 제 2 상하 방향 부분 (81a) 의 상류단에 접속되어 있다. 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 의 상류단이 제 2 접속 배관 (82) 에 접속되어 있다. 유기 용제 배관 (81) 의 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 에는, 유기 용제 배관 (81) 을 개폐하기 위한 유기 용제 밸브 (87) 가 개재 장착되어 있다.
유기 용제 배관 (81) 의 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 에는, 유기 용제 밸브 (87) 보다 하류측에, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치) (88) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 는, 다이어프램식의 흡인 장치이다.
유기 용제 배액 배관 (83) 에는, 유기 용제 배액 배관 (83) 을 개폐하기 위한 유기 용제 배액 밸브 (89) 가 개재 장착되어 있다. 유기 용제 배액 배관 (83) 의 타단측은, 기외의 배액 설비에 접속되어 있다.
유기 용제 공급 배관 (84) 에는, 유기 용제 공급 배관 (84) 을 개폐하기 위한 유기 용제 공급 밸브 (90) 가 개재 장착되어 있다. 유기 용제 공급 배관 (84) 의 타단측에는, 유기 용제 원액 공급원으로부터 유기 용제가 공급되도록 되어 있다.
유기 용제 흡인 배관 (86) 에는, 유기 용제 흡인 배관 (86) 을 개폐하기 위한 유기 용제 흡인 밸브 (흡인 밸브) (92) 가 개재 장착되어 있다. 유기 용제 흡인 배관 (86) 의 선단에는, 제 2 유기 용제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치) (93) 가 접속되어 있다. 제 2 유기 용제 흡인 장치 (93) 는, 이젝터식의 흡인 장치이다.
유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 유기 용제 공급 밸브 (90) 및 유기 용제 밸브 (87) 가 열리면, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터의 유기 용제가 제 2 접속 배관 (82) 에 유입한다. 이 유기 용제가 유기 용제 배관 (81) 을 통해서 제 4 노즐 배관 (34) 에 공급되고, 제 4 토출구 (34a) 로부터 하방을 향해서 유기 용제가 토출된다.
또, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 유기 용제 공급 밸브 (90) 및 유기 용제 배액 밸브 (89) 가 열리면, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터 유기 용제 배액 배관 (83) 에 유기 용제가 공급된다. 이에 따라, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 잔류하고 있는 유기 용제를 기외로 배출할 수 있다.
또, 제 2 유기 용제 흡인 장치 (93) 의 기능이 유효화 되어 있는 상태에 있어서, 다른 밸브가 닫혀 있는 상태에서, 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 흡인 밸브 (92) 가 열리면, 유기 용제 배관 (81) 의 내부가 흡인되어, 유기 용제의 선단면 (처리액의 선단면) (F2) 이 유기 용제 배관 (81) 의 내부를 후퇴한다.
도 6 은, 소수화제 공급 유닛 (10) 의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
소수화제 배관 (51) 의 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 관벽에 관련하여, 제 1 센서 (64) 가 배치되어 있다. 제 1 센서 (64) 는, 제 1 유무 센서 (65) 및 제 2 유무 센서 (66) 를 포함한다. 소수화제 배관 (51) 의 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 에는, 소정의 소수화제 대기 위치 (대기 위치) (P1) 가 설정되어 있다. 소수화제 대기 위치 (P1) 는, 유통 방향으로 소정의 폭을 갖고 있다.
제 1 유무 센서 (65) 는, 소수화제 대기 위치 (P1) 의 상한 위치 (67a) 에 있어서의 소수화제의 존부를 검출한다. 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제의 선단이, 상한 위치 (제 1 위치) (67a) 보다 전진해 있을 때 (중심축 노즐 (7) 측에 치우쳐 있을 때), 제 1 유무 센서 (65) 가 소수화제를 검출하고, 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제의 선단이, 상한 위치 (67a) 보다 후퇴해 있을 때, 제 1 유무 센서 (65) 는 소수화제를 검출하지 않는다. 제 1 유무 센서 (65) 는, 그 검출 출력을 제어 장치 (3) 에 송출한다.
제 2 유무 센서 (66) 는, 소수화제 대기 위치 (P1) 의 하한 위치 (제 2 위치) (67b) 에 있어서의 소수화제의 존부를 검출한다. 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제의 선단면 (F1) 이, 하한 위치 (67b) 보다 전진해 있을 때 (중심축 노즐 (7) 측에 치우쳐 있을 때), 제 2 유무 센서 (66) 가 소수화제를 검출하고, 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제의 선단면 (F1) 이, 하한 위치 (67b) 보다 후퇴해 있을 때, 제 2 유무 센서 (66) 는 소수화제를 검출하지 않는다. 제 2 유무 센서 (66) 는, 그 검출 출력을 제어 장치 (3) 에 송출한다. 따라서, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 있는 경우에는, 제 1 유무 센서 (65) 에 의해 상한 위치 (67a) 에 있어서의 소수화제의 존재가 검출되고, 또한 제 2 유무 센서 (66) 에 의해 하한 위치 (67b) 에 있어서의 소수화제의 비존재가 검출된다 (소수화제의 존재가 검출되지 않는다).
제 1 유무 센서 (65) 및 제 2 유무 센서 (66) 는, 각각, 예를 들어 액검지용의 파이버 센서이며, 소수화제 배관 (51) 의 외주벽에 직접 부착 배치 또는 근접 배치되어 있다. 제 1 유무 센서 (65) 및 제 2 유무 센서 (66) 는, 예를 들어 정전 용량형의 센서에 의해 구성되어 있어도 된다.
소수화제 밸브 (57) 는, 에어 오퍼레이트식의 개폐 밸브이다. 이와 같은 에어 오퍼레이트식의 개폐 밸브로서, 다이어프램 밸브나, 버터플라이 밸브, 니들 밸브 등을 예로 들 수 있다. 소수화제 밸브 (57) 에는, 제 1 에어 공급 배관 (제 2 구동원) (68) 이 접속되어 있고, 제 1 에어 공급 배관 (68) 의 도중부에는, 제 1 에어 공급 배관 (68) 의 개폐를 전환하기 위한 제 1 에어 공급 밸브 (제 2 구동원) (69) 가 개재 장착되어 있다. 제 1 에어 공급 밸브 (69) 보다 하류측의 제 1 에어 공급 배관 (68) 의 도중부에는, 소수화제 밸브 (57) 로부터 에어를 대기 중에 리크시키기 위한 제 1 리크 배관 (도시되지 않음) 의 일단이 접속되어 있다. 이 리크 배관의 도중부에는, 제 1 리크 밸브 (도시되지 않음) 가 개재 장착되어 있다.
제 1 에어 공급 밸브 (69) 가 열리고, 또한 제 1 리크 밸브가 닫혀 있는 상태에서는, 제 1 에어 공급 배관 (68) 을 흐르는 에어가 소수화제 밸브 (57) 의 내부에 공급된다. 이에 따라, 소수화제 밸브 (57) 가 열린다. 한편, 소수화제 밸브 (57) 가 닫혀 있는 상태에서, 제 1 리크 밸브가 열리고, 또한 제 1 에어 공급 밸브 (69) 가 닫히면, 소수화제 밸브 (57) 의 내부로의 에어의 공급이 정지됨과 함께, 소수화제 밸브 (57) 내의 에어가 제 1 리크 배관을 통과하여 대기 중에 배출된다. 그 결과, 소수화제 밸브 (57) 가 닫힌다.
다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 는, 에어 오퍼레이트식의 흡인 장치이다. 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 에는, 제 2 에어 공급 배관 (제 1 구동원) (70) 이 접속되어 있고, 제 2 에어 공급 배관 (70) 의 도중부에는, 제 2 에어 공급 배관 (70) 의 개폐를 전환하기 위한 제 2 에어 공급 밸브 (제 1 구동원) (71) 가 개재 장착되어 있다. 제 2 에어 공급 밸브 (71) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 2 에어 공급 밸브 (71) 보다 하류측의 제 2 에어 공급 배관 (70) 의 도중부에는, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 로부터 에어를 대기 중에 리크시키기 위한 제 2 리크 배관 (도시되지 않음) 의 일단이 접속되어 있다. 이 리크 배관의 도중부에는, 제 2 리크 밸브 (도시되지 않음) 가 개재 장착되어 있다.
제 2 에어 공급 밸브 (71) 가 열리고, 또한 제 2 리크 밸브가 닫혀 있는 상태에서는, 제 2 에어 공급 배관 (70) 을 흐르는 에어가 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 내부에 공급된다. 이 상태에서는, 다이어프램의 형체에 의해, 헤드 내의 용적이 적고, 그 때문에, 제 2 에어 공급 배관 (70) 중 제 1 의 소수화제 흡인 장치 (58) 보다 하류측 부분에 존재하는 소수화제가 헤드 내로 인입되는 일은 없다. 즉, 이 상태에서는, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 기능이 무효화 되어 있다.
이 상태로부터, 제 2 리크 밸브가 열리고, 또한 제 2 에어 공급 밸브 (71) 가 닫히면, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 내부로의 에어의 공급이 정지되고, 또한, 에어가 제 2 리크 배관을 통과하여 대기 중에 배출된다. 이에 따라, 다이어프램이 형체 변화하여, 헤드 내의 용적이 증대한다. 그 결과, 제 2 에어 공급 배관 (70) 중 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 보다 하류측 부분에 존재하는 소수화제가 헤드 내로 인입되고, 당해 하류측 부분의 내부가 흡인된다. 바꾸어 말하면, 제 2 에어 공급 밸브 (71) 용의 토출 정지 신호의 입력에 따라서, 헤드 내에 액체 (처리액) 가 흡인된다. 이에 따라, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 기능이 유효화 된다.
한편, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 기능이 유효화 되어 있는 상태에서, 제 2 에어 공급 밸브 (71) 가 열리고, 또한 제 2 리크 밸브가 닫히면, 제 2 에어 공급 배관 (70) 을 흐르는 에어가 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 내부에 공급된다. 이에 따라, 다이어프램이 형체 변화하여, 헤드 내의 용적이 감소함으로써, 헤드 내에 흡인되어 있던 액체 (처리액) 가 압출된다. 즉, 제 2 에어 공급 밸브 (71) 용의 토출 개시 신호의 입력에 따라서, 헤드 내의 액체 (처리액) 가 압출된다. 그 결과, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 기능이 무효화 된다.
소수화제 배액 배관 (53) 에는, 소수화제 배액 배관 (53) 을 흐르는 소수화제의 유량을 조절하기 위한 유량 조정 유닛이 개재 장착되어 있다. 이 실시형태에서는, 유량 조정 유닛은, 오리피스 (72) 이다. 오리피스 (72) 는, 소수화제 배관 (51) 을 액체가 흐를 때의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 을 액체가 흐를 때의 압손실이 동일해지도록, 그 크기가 설정되어 있다.
제 1 소수화제 공급 배관 (54) 에는, 제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 보다 하류측에, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 내를 흐르는 제 1 소수화제 원액의 유량을 검출하는 제 1 유량계 (73) 가 추가로 개재 장착되어 있다.
제 2 소수화제 공급 배관 (55) 에는, 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 보다 하류측에, 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 내를 흐르는 제 2 소수화제 원액의 유량을 검출하는 제 2 유량계 (74) 가 추가로 개재 장착되어 있다. 제 1 유량계 (73) 및 제 2 유량계 (74) 에 의해, 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 공급 배관 (54, 55) 에 공급되는 소수화제 (소수화제 원액) 의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서 (77) 가 구성되어 있다.
또, 도 6 의 예에서는, 소수화제 공급 배관으로서, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 이라는 2 개의 배관을 갖는 경우를 예로 들고 있지만, 소수화제 공급 배관으로서, 1 개의 소수화제 공급 배관만이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 소수화제 공급 배관에, 소수화제 (원액은 아닌, 작성 (혼합) 후의 소수화제) 가 공급된다. 이 경우에는, 이 소수화제 공급 배관에 유량계가 개재 장착된다.
이젝터식의 흡인 장치로 이루어지는 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 는, 유체 공급 배관 (75) 과, 유체 공급 배관 (75) 의 개폐를 전환하기 위한 유체 공급 밸브 (76) 를 포함한다. 유체 공급 밸브 (76) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 전원 온 상태에 있어서, 유체 공급 밸브 (76) 가 열려, 유체 공급 배관 (75) 내에 유체가 흐름으로써, 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 내부가 감압된다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (흡인 배관) (56) 의 내부가 흡인된다. 즉, 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 기능이 유효화 된다.
상세한 설명은 생략하지만, 유기 용제 공급 유닛 (11) 은, 소수화제 공급 유닛 (10) 과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 유기 용제 배관 (81) 의 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 의 관벽에 관련하여, 제 1 센서가 배치되어 있다. 유기 용제 밸브 (87) 는, 에어 오퍼레이트식의 개폐 밸브이며, 제 1 에어 공급 밸브가 열림으로써, 유기 용제 밸브 (87) 가 열리고, 제 1 리크 밸브가 열림으로써, 유기 용제 밸브 (87) 가 닫힌다. 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 는, 에어 오퍼레이트식의 흡인 장치이며, 제 2 에어 공급 밸브가 열림으로써, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 기능이 유효화 되고, 제 2 리크 밸브가 열림으로써, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 기능이 무효화 된다.
도 7a 는, 기판 처리 장치 (1) 의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
제어 장치 (3) 는, 예를 들어 마이크로 컴퓨터를 사용하여 구성되어 있다. 제어 장치 (3) 는 CPU 등의 연산 유닛 (101), 고정 메모리 디바이스 (도시되지 않음), 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛 (102), 및 입출력 유닛 (도시되지 않음) 을 갖고 있다. 기억 유닛 (102) 에는, 연산 유닛 (101) 이 실행하는 프로그램 (103) 이 기억되어 있다.
기억 유닛 (102) 은, 기판 (W) 에 대한 각 처리의 내용을 규정하는 레시피를 기억하는 레시피 기억부 (104) 를 포함한다. 레시피 기억부 (104) 는, 전기적으로 데이터를 개서 가능한 불휘발성 메모리로 이루어진다. 레시피 기억부 (104) 에는, 조작부 (105) 의 조작에 의해 작성되는 프로세스 레시피 (106), 프리레시피 (107), 포스트레시피 (108) 및 플로우 레시피 (109) 가 기억된다. 프로세스 레시피 (106) 는, 기판 (W) 에 대한 처리의 내용 (순서 및 조건을 포함한다. 이하 동일.) 을 정한 것이다. 프리레시피 (107) 는, 예비 동작 레시피의 일례이며, 미리 정하는 전처리의 내용을 정한 것이다. 포스트레시피 (108) 는, 예비 동작 레시피의 일례이며, 미리 정하는 후처리의 내용을 정한 것이다. 플로우 레시피 (109) 는, 프로세스 레시피 (106) 에 따른 제어 (프로세스 레시피 제어), 프리레시피에 따른 제어 (프리레시피 제어) 및 포스트레시피에 따른 제어 (포스트레시피 제어) 의 실행 순서 및 실행 횟수를 정한 것이다.
기판 처리 장치 (1) 에는, 하나의 로트를 구성하는 소정 매수 (예를 들어, 25 매) 의 기판 (W) 이 기판 수용기 (C) (도 1 참조) 에 일괄하여 수용된 상태로 반입된다. 기판 처리 장치 (1) 에서는, 기판 수용기 (C) 마다, 1 개의 플로우 레시피 (109) 가 설정된다.
또한, 제어 장치 (3) 에는, 제어 대상으로서, 스핀 모터 (16), 대향 부재 승강 유닛 (39), 가드 승강 유닛 (47), 제 1 소수화제 흡인 장치 (58), 제 2 소수화제 흡인 장치 (63), 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88), 제 2 유기 용제 흡인 장치 (93) 등이 접속되어 있다. 또, 제어 장치 (3) 는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 스핀 모터 (16), 대향 부재 승강 유닛 (39), 가드 승강 유닛 (47) 등을 구동하고, 또, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58), 제 2 소수화제 흡인 장치 (63), 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88), 제 2 유기 용제 흡인 장치 (93) 등의 기능을 유효화 시킨다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 약액 밸브 (36), 린스액 밸브 (38), 소수화제 밸브 (57), 소수화제 배액 밸브 (59), 제 1 소수화제 공급 밸브 (60), 제 2 소수화제 공급 밸브 (61), 소수화제 흡인 밸브 (62), 제 1 에어 공급 밸브 (69), 제 2 에어 공급 밸브 (71), 유기 용제 공급 배관 (84), 유기 용제 밸브 (87), 유기 용제 배액 밸브 (89), 유기 용제 흡인 밸브 (92) 등을 개폐한다.
도 7b 는, 하드 인터락을 설명하기 위한 도면이다. 하드 인터락은, 레시피 기억부 (104) 에 보유된 레시피에 따라서 일련의 기판 처리를 하는 과정에 있어서, 각 공정의 개시 시에 실행된다. 도 7b 에서는, 가드 위치와 밸브의 개폐 동작의 사이의 하드 인터락만을 도시하고 있다.
제 1 가드 대향 상태에서는, 약액 밸브 (36) 및 린스액 밸브 (38) 의 열림 동작이 허용되어 있지만, 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 그리고 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작이 금지되어 있다.
제 2 가드 대향 상태에서는, 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 의 열림 동작이 허용되어 있지만, 약액 밸브 (36), 린스액 밸브 (38) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작은 금지되어 있다. 이와 같은 하드 인터락에 의해, 소수화제 공급 공정 (E6) (도 9 참조) 에 있어서 유기 용제가 기판 (W) 에 공급되는 것이 방지되고, 처리 컵 (12) 내에 있어서 소수화제와 유기 용제의 혼촉 (混觸) 이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 소수화제와 유기 용제의 혼촉에 수반하여 파티클이 발생할 우려가 있으므로, 이러한 혼촉을 방지함으로써, 파티클의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
제 3 가드 대향 상태에서는, 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작이 허용 되어 있지만, 약액 밸브 (36), 린스액 밸브 (38) 그리고 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 의 열림 동작은 금지되어 있다. 이와 같은 하드 인터락에 의해, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) (도 9 참조) 이나 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) (도 9 참조) 에 있어서 소수화제가 기판 (W) 에 공급되는 것이 방지되고, 처리 컵 (12) 내에 있어서 소수화제와 유기 용제의 혼촉이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 소수화제와 유기 용제의 혼촉에 수반하여 파티클이 발생할 우려가 있으므로, 이러한 혼촉을 방지함으로써, 파티클의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
도 8a 는, 처리 유닛 (2) 에 있어서 실행되는 처리의 내용을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 8b 는, 처리 유닛 (2) 에 있어서 프리레시피 (107) 에 의해 실행되는 전처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 9 는, 처리 유닛 (2) 에 있어서 프로세스 레시피 (106) 에 의해 실행되는 기판 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다. 도 10 은, 기판 처리 장치 (1) 로의 기판 (W) 의 반입 전에 있어서의, 처리 유닛 (2) 의 상태를 나타내는 도면이다. 도 11 은, 배출 흡인 공정 (T1) (제 2 흡인 공정) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 12a 는, 프리디스펜스 공정 (T2) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 12b 는, 충전 공정 (T3) (대기 위치 배치 공정) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 13 은, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 14 는, 제 1 유기 용제 공급 공정 후에 실행되는 털어내기 공정을 나타내는 도면이다. 도 15 는, 소수화제 공급 공정 (E6) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 16 은, 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 17 은, 스핀 드라이 공정 (E8) 을 설명하기 위한 도면이다. 도 18 은, 제 1 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 19 는, 제 2 에러 판정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8a ∼ 도 9 를 참조하면서, 처리 유닛 (2) 에서 실행되는 기판 처리예에 대해서 설명한다. 도 10 ∼ 도 19 에 대해서는 적절히 참조한다. 또, 기판 처리예는, 에칭 처리여도 되고, 세정 처리여도 된다.
1 개의 로트에 포함되는 복수 매의 기판 (W) (1 개의 기판 수용기 (C) (도 1 참조) 에 수용되는 복수 매의 기판 (W)) 에 대하여, 1 또는 복수의 처리 유닛 (2) 에 있어서 처리가 실시된다. 기판 수용기 (C) (도 1 참조) 가, 기판 처리 장치 (1) 의 로드 포트 (LP) (도 1 참조) 에 재치되면, 기판 수용기 (C) 에 포함되는 로트의 정보를 나타내는 기판 정보가, 호스트 컴퓨터로부터 제어 장치 (3) 에 보내진다. 호스트 컴퓨터는, 반도체 제조 공장에 설치된 복수의 기판 처리 장치를 통괄하는 컴퓨터이다. 제어 장치 (3) 는, 호스트 컴퓨터로부터 보내진 기판 정보에 기초하여, 그 로트에 대한 플로우 레시피 (109) 가 레시피 기억부 (104) 로부터 읽어내어진다. 그리고, 플로우 레시피 (109) 에 따라서, 프리레시피 제어, 프로세스 레시피 제어 및 포스트레시피 제어가 순서로 실시된다.
먼저, 각 처리 유닛 (2) (도 1 참조) 에 있어서 프리레시피 (107) 에 따른 제어가 실행되고, 이에 따라 전처리 (S1) (도 8a 참조) 가 실시된다.
그 후, 프로세스 레시피 (106) 에 따른 제어가 반복 실행됨으로써, 1 개의 기판 수용기 (C) 에 수용된 기판 (W) 은, 차례차례로 연속해서 처리 유닛 (2) 에 반입되고, 처리 유닛 (2) 에서 기판 처리 (S2) (도 8a 참조) 를 받는다.
그리고, 프로세스 레시피 (106) 에 따른 제어가 기판 수용기 (C) 에 수용된 기판의 매수에 동일한 소정 횟수만큼 실행되고, 일련의 소정 횟수의 처리가 종료하면, 각 처리 유닛 (2) 에 있어서 포스트레시피 (108) 에 따른 제어가 실행됨으로써, 후처리 (S3) (도 8a 참조) 가 실행된다. 후처리 (S3) 에 대한 설명은 생략한다.
전처리 (S1) 에 대해서 설명한다.
전회의 기판 처리 (S2) (하나 전의 기판 (W) 에 대한 기판 처리 (S2)) 후에는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있고 또, 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (대기 위치) (P2) 에 배치되어 있다. 유기 용제 대기 위치 (P2) 는, 유통 방향으로 소정의 폭을 갖고 있다.
전처리 (S1) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 배출 흡인 공정 (T1) (도 8b 참조) 을 실행한다.
배출 흡인 공정 (T1) 은, 소수화제 배관 (51) 의 내부나 제 1 접속 배관 (52) 의 내부에 존재하고 있는 소수화제를, 소수화제 배관 (51) 이나 제 1 접속 배관 (52) 으로부터 배출하기 위한 공정 (제 2 흡인 공정) 을 포함한다. 전회의 기판 처리 (S2) 의 종료로부터 장기간이 경과해 있는 경우, 소수화제 배관 (51) 의 내부나 제 1 접속 배관 (52) 의 내부에 존재하고 있는 소수화제가 실활 (열화) 하고 있을 우려가 있다. 그 때문에, 기판 처리 (S2) 에 앞서, 소수화제 배관 (51) 에 존재하고 있는 소수화제를 소수화제 배관 (51) 으로부터 배출시킴으로써, 실활하고 있는 소수화제를 기판 처리 (S2) 에 사용되지 않도록 한 것이다.
배출 흡인 공정 (T1) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫은 상태에서, 소수화제 밸브 (57) 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 를 연다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부 및 제 1 접속 배관 (52) 의 내부가 배기되고, 소수화제 배관 (51) 의 내부에 남아 있는 소수화제가, 제 1 접속 배관 (52) 을 통과하여 소수화제 흡인 배관 (56) 으로 인입된다. 소수화제 배관 (51) 의 내부, 제 1 접속 배관 (52) 의 내부 및 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부로부터 모두 소수화제가 배출되면, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 흡인 밸브 (62) 및 소수화제 밸브 (57) 를 닫는다. 이 배출 흡인 공정 (T1) 에 의해, 소수화제 배관 (51) 의 내부나 제 1 접속 배관 (52) 의 내부에 존재하고 있는, (습도나 산소의 영향에 의해) 실활하고 있는 소수화제를, 소수화제 배관 (51) 이나 제 1 접속 배관 (52) 으로부터 배출할 수 있다. 이젝터식의 흡인 장치로 이루어지는 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 를 사용하여 배출 흡인 공정 (T1) 을 실시하므로, 소수화제 배관 (51) 이나 제 1 접속 배관 (52) 으로부터 모든 소수화제를 배출할 수 있고, 또한 그 배출 동작을 단기간 동안에 실시할 수 있다.
또, 배출 흡인 공정 (T1) 은, 유기 용제 배관 (81) 의 내부나 제 2 접속 배관 (82) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제를, 유기 용제 배관 (81) 이나 제 2 접속 배관 (82) 으로부터 배출하기 위한 공정 (제 2 흡인 공정) 을 포함한다. 전회의 기판 처리 (S2) 의 종료로부터 장기간이 경과해 있는 경우, 유기 용제 배관 (81) 의 내부나 제 2 접속 배관 (82) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제가 실활 (열화) 하고 있을 우려가 있다. 그 때문에, 기판 처리 (S2) 에 앞서, 유기 용제 배관 (81) 에 존재하고 있는 유기 용제를 유기 용제 배관 (81) 으로부터 배출시킴으로써, 실활하고 있는 유기 용제를 기판 처리 (S2) 에 사용되지 않도록 한 것이다.
배출 흡인 공정 (T1) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브를 닫은 상태에서, 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 흡인 밸브 (92) 를 연다. 이에 따라, 유기 용제 흡인 배관 (86) 의 내부 및 제 2 접속 배관 (82) 의 내부가 배기되고, 유기 용제 배관 (81) 의 내부에 남아 있는 유기 용제가, 제 2 접속 배관 (82) 을 통과하여 유기 용제 흡인 배관 (86) 으로 인입된다. 유기 용제 배관 (81) 의 내부, 제 2 접속 배관 (82) 의 내부 및 유기 용제 흡인 배관 (86) 의 내부로부터 모두 유기 용제가 배출되면, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 흡인 밸브 (92) 및 유기 용제 밸브 (87) 를 닫는다. 이 배출 흡인 공정 (T1) 에 의해, 유기 용제 배관 (81) 의 내부나 제 2 접속 배관 (82) 의 내부에 존재하고 있는, (습도나 산소의 영향에 의해) 실활하고 있는 유기 용제를, 유기 용제 배관 (81) 이나 제 2 접속 배관 (82) 으로부터 배출할 수 있다. 이젝터식의 흡인 장치로 이루어지는 제 2 유기 용제 흡인 장치 (93) 를 사용하여 배출 흡인 공정 (T1) 을 실시하므로, 유기 용제 배관 (81) 이나 제 2 접속 배관 (82) 으로부터 모든 유기 용제를 배출할 수 있고, 또한 그 배출 동작을 단기간 동안에 실시할 수 있다.
또한, 도 11 의 예에서는, 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터의 소수화제의 흡인과, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터의 유기 용제의 흡인을 병행하여 실시하는 경우를 나타내고 있지만, 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터의 소수화제의 흡인과, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터의 유기 용제의 흡인이 서로 상이한 타이밍으로 실시되고 있어도 된다.
배출 흡인 공정 (T1) 의 종료 후, 이어서 전처리 (S1) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 프리디스펜스 공정 (T2) (도 8b 참조) 을 실행한다.
프리디스펜스 공정 (T2) 은, 소수화제 공급 배관 (제 1 소수화제 공급 배관 (54) 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55)) 의 내부에 존재하고 있는 소수화제를 소수화제 공급 배관으로부터 배출하기 위한 공정을 포함한다. 전회의 기판 처리 (S2) 의 종료로부터 장기간이 경과해 있는 경우, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부에 존재하고 있는 제 1 소수화제 원액이 실활 (열화) 하고 있을 우려가 있고, 또, 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 의 내부에 존재하고 있는 제 2 소수화제 원액이 실활 (열화) 하고 있을 우려가 있다. 그 때문에, 기판 처리 (S2) 에 앞서, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부에 존재하고 있는 제 1 소수화제 원액, 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 의 내부에 존재하고 있는 제 2 소수화제 원액을, 소수화제 배관 (51) 으로부터 배출시킴으로써, 실활하고 있는 제 1 소수화제 원액 및 제 2 소수화제 원액을 기판 처리 (S2) 에 사용되지 않도록 한 것이다.
프리디스펜스 공정 (T2) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 도 12a 에 나타내는 바와 같이, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫은 상태에서, 소수화제 배액 밸브 (59) 및 소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 를 연다. 이에 따라, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부에 존재하고 있는 제 1 소수화제 원액이, 소수화제 배액 배관 (53) 에 공급된다. 이 프리디스펜스 공정 (T2) 에 의해, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부에 존재하고 있는, 실활하고 있는 제 1 소수화제 원액, 및, 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 의 내부에 존재하고 있는, 실활하고 있는 제 2 소수화제 원액을, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 의 내부 또는 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 의 내부로부터 배출할 수 있다.
프리디스펜스 공정 (T2) 에 있어서, 소수화제 공급 배관 (54, 55) 으로부터 소수화제 배액 배관 (53) 으로 유도되는 소수화제의 유량이 제 2 센서 (77) (도 12a 에 아울러 도 6 도 참조) 에 의해 검출된다. 전술한 바와 같이, 소수화제 배관 (51) 에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일치하도록 오리피스 (72) 에 의해 조정되고 있기 때문에, 프리디스펜스 공정 (T2) 에 있어서, 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 배관 (51) 에 공급되는 소수화제의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다.
제어 장치 (3) 는, 제 2 센서 (77) 의 검출에 의해, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되는지 여부를 판단한다 (제 1 판단 공정). 또, 제어 장치 (3) 는, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되지 않는다고 판단한 경우에는, 에러라고 판정한다 (제 1 에러 판정). 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 2 센서 (77) 에 의해 검출된 소수화제의 유량이 소정의 임계값 범위 외인 경우 (도 18 의 스텝 Q1 에서 아니오) 에는, 에러라고 판정하고 (도 18 의 스텝 Q2), 그 후에 에러 처리를 실행한다 (도 18 의 스텝 Q3). 제 2 센서 (77) 에 의해 검출된 소수화제의 유량이 소정의 임계값 범위 외인 경우 (스텝 Q1 에서 아니오) 에는, 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 배관 (51) 에 공급되는 소수화제의 유량이 소기의 유량 범위 외가 된다. 제 2 센서 (77) 에 의해 검출된 소수화제의 유량이 소정의 임계값 범위 내인 경우 (스텝 Q1 에서 예) 에는, 도 18 의 처리 (서브 루틴 처리) 는, 호출원으로 리턴된다.
충전 공정 (T3) 에 있어서, 소수화제 배관 (51) 에 공급되는 소수화제의 유량이 소기의 유량 범위 외가 되면, 소수화제의 선단면 (F1) 의 위치를 정확하게 제어할 수 없을 우려가 있다. 이 경우에는, 충전 공정 (T3) 에 있어서, 토출구 (33a) 로부터 소수화제를 뚝뚝 떨어지게 해 버리거나, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치할 수 없거나 할 우려가 있다. 따라서, 이와 같은 사태가 발생한 경우에는, 충전 공정 (T3) 을 실시하지 않고 (또는, 충전 공정 (T3) 이 이미 실행되고 있는 경우에는, 충전 공정 (T3) 을 중단한다), 에러 처리를 실시하는 것으로 하고 있다.
또, 프리디스펜스 공정 (T2) 은, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제를 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터 배출하기 위한 공정을 포함한다. 전회의 기판 처리 (S2) 의 종료로부터 장기간이 경과해 있는 경우, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제가 실활 (열화) 하고 있을 우려가 있다. 그 때문에, 기판 처리 (S2) 에 앞서, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제를 유기 용제 배관 (81) 으로부터 배출시킴으로써, 실활하고 있는 유기 용제를 기판 처리 (S2) 에 사용되지 않도록 한 것이다.
프리디스펜스 공정 (T2) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브를 닫은 상태에서, 유기 용제 배액 밸브 (89) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 연다. 이에 따라, 도 12a 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 존재하고 있는 유기 용제가, 유기 용제 배액 배관 (83) 에 공급된다. 이 프리디스펜스 공정 (T2) 에 의해, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부에 존재하고 있는, 실활하고 있는 유기 용제를, 유기 용제 공급 배관 (84) 의 내부로부터 배출할 수 있다. 또한, 도 12a 의 예에서는, 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터의 소수화제의 배액과, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터의 유기 용제의 배액을 병행하여 실시하는 경우를 나타내고 있지만, 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터의 소수화제의 배액과, 유기 용제 공급 배관 (84) 으로부터의 유기 용제의 배액이 서로 상이한 타이밍으로 실시되고 있어도 된다.
프리디스펜스 공정 (T2) 의 종료 후, 이어서 전처리 (S1) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 충전 공정 (대기 위치 배치 공정) (T3) (도 8b 참조) 을 실행한다. 충전 공정 (T3) 은, 소수화제 배관 (51) 에 소수화제를 충전 (공급) 하고, 이에 따라, 소수화제의 선단면 (F1) 을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치하는 공정이다. 또한, 이 실시형태에서는, 충전 공정 (T3) 에 있어서, 유기 용제 배관 (81) 에 대한 유기 용제의 충전 (공급) 은 실시하지 않는다.
구체적으로는, 충전 공정 (T3) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫은 상태에서, 소수화제 밸브 (57) 및 소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 를 연다. 이에 따라, 제 1 소수화제 공급 배관 (54) 으로부터 제 1 접속 배관 (52) 에 제 1 소수화제 원액이 유입하고, 또한 제 2 소수화제 공급 배관 (55) 으로부터 제 1 접속 배관 (52) 에 제 2 소수화제 원액이 유입하고, 제 1 접속 배관 (52) 내에서 혼합되어 소수화제가 생성된다. 생성된 소수화제는 소수화제 배관 (51) 을 통과하여 하류측을 향해서 이동한다.
소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 의 개성으로부터 소정의 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 를 닫는다. 이에 따라, 도 12b 에 나타내는 바와 같이, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되게 된다.
또, 제어 장치 (3) 는, 충전 공정 (T3) 에 병행하여, 소수화제의 선단면 (F1) 의 위치를 감시하고 있다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유무 센서 (65) (제 1 센서 (64)) 에 의해 상한 위치 (67a) 에 있어서의 소수화제의 존재가 검출되고, 또한 제 2 유무 센서 (66) (제 1 센서 (64)) 에 의해 하한 위치 (67b) 에 있어서의 소수화제의 비존재가 검출된 경우에 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있다고 판단한다 (제 1 판단 공정).
제어 장치 (3) 는, 충전 공정 (T3) 후의 실제의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되지 않는다고 판단한 경우에는, 에러라고 판정한다 (제 2 에러 판정). 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 충전 공정 (T3) 후에 있어서의 실제의 소수화제의 선단면 (F1) 이 제 1 센서 (64) 에 의해 소수화제 대기 위치 (P1) 에 없다고 판단한 경우 (도 19 의 Q11 에서 아니오) 에는, 에러라고 판정하고 (도 19 의 Q12), 그 후에 에러 처리를 실행한다 (도 19 의 Q13). 충전 공정 (T3) 후에 있어서의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있는 경우 (도 19 의 Q11 에서 예) 에는, 도 19 의 처리 (서브 루틴 처리) 는, 호출원으로 리턴된다.
충전 공정 (T3) 이 종료하면, 전처리 (S1) 는 종료한다.
다음으로, 기판 처리 (S2) (도 8a 참조) 에 대해서 설명한다. 기판 처리 (S2) 의 실행에 관하여, 레시피 기억부 (104) (도 7a 참조) 로부터 읽어내어진 프로세스 레시피 (106) 는, 항상 참조되고 있다.
기판 처리 (S2) 가 실행될 때에는, 미처리의 기판 (W) 이, 챔버 (4) 의 내부에 반입된다 (도 9 의 스텝 E1). 기판 (W) 을 유지하고 있는 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 챔버 (4) 의 내부에 진입시킴으로써, 구체적으로는, 기판 (W) 이 그 표면 (디바이스 형성면) 을 상방을 향하게 한 상태에서 스핀 척 (5) 에 수수된다. 그 후, 스핀 척 (5) 에 기판 (W) 이 유지된다.
챔버 (4) 로의 기판 (W) 의 반입은, 차단판 (21) 이 퇴피 위치에 배치된 상태에서, 또한 제 1 ∼ 제 3 가드 (44 ∼ 46) 가 하위치에 배치된 상태에서 실시된다.
그 후, 제어 장치 (3) 는, 스핀 모터 (16) 를 제어하여 기판 (W) 의 회전을 개시시킨다 (도 9 의 스텝 E2). 기판 (W) 은 미리 정하는 액처리 속도 (약 10 ∼ 1200 rpm 의 범위 내에서, 예를 들어 약 1000 rpm) 까지 상승시켜지고, 그 액처리 속도로 유지된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 대향 부재 승강 유닛 (39) 을 제어하여, 차단판 (21) 을 근접 위치에 배치한다.
또, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (47) 을 제어하여, 제 1 ∼ 제 3 가드 (44 ∼ 46) 를 상위치로 상승시킴으로써, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가드 (44) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다 (제 1 가드 대향 상태를 실현).
차단판 (21) 이 근접 위치에 배치된 후, 이어서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면에 약액을 공급하는 약액 공급 공정 (E3) (도 9 참조) 을 실시한다. 제어 장치 (3) 는, 약액 밸브 (36) 를 연다. 이에 따라, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 에 형성된 제 1 토출구 (31a) 로부터, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 약액이 토출된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부로 이동한다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면의 전역이 약액을 사용하여 처리된다.
제 1 토출구 (31a) 로부터의 약액의 토출 개시부터, 프로세스 레시피 (106) 에 의해 규정되어 있는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는 약액 밸브 (36) 를 닫는다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면에 린스액을 공급하는 린스 공정 (E4) (도 9 참조) 을 실시한다. 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (38) 를 연다. 이에 따라, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 에 형성된 제 2 토출구 (32a) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 린스액이 토출된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부로 이동한다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면 상의 약액이 린스액으로 치환된다.
제 2 토출구 (32a) 로부터의 린스액의 토출 개시부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (38) 를 닫는다. 이에 따라, 제 2 토출구 (32a) 로부터의 린스액의 토출이 정지되고, 린스 공정 (E4) 이 종료한다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면에 존재하는 린스액을 유기 용제 (예를 들어 IPA) 로 치환하는 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) (도 9 참조) 을 실시한다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (47) 을 제어하여, 제 3 가드 (46) 를 상위치에 유지하면서, 제 1 및 제 2 가드 (44, 45) 를 하강시켜 하위치에 배치함으로써, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제 3 가드 (46) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다 (제 3 가드 대향 상태를 실현). 이 때 가드의 승강 동작에 필요로 하는 시간은 예를 들어 1.5 초간이다.
또, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 회전을 액처리 속도로 유지하면서, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 연다. 이에 따라, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 에 형성된 제 4 토출구 (34a) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 유기 용제가 토출된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 유기 용제는, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부로 이동한다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면 상의 린스액이 유기 용제에 의해 치환된다.
그런데, 1 회째의 기판 처리 (S2) (공통의 기판 수용기 (C) (도 1 참조) 에 수용되어 있는 기판 (W) 에 대하여, 처리 유닛 (2) 에 있어서 실시되는 최초의 기판 처리 (S2)) 에 관련된 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) (이후, 간단히 「1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5)」 이라고 하는 경우가 있다) 의 유기 용제의 토출 전에 있어서는, 유기 용제 배관 (81) 의 내부, 제 2 접속 배관 (82) 의 내부 및 유기 용제 흡인 배관 (86) 의 내부에 유기 용제는 존재하지 않는다. 왜냐하면, 배출 흡인 공정 (T1) 에 있어서, 유기 용제 배관 (81) 의 내부, 제 2 접속 배관 (82) 의 내부 및 유기 용제 흡인 배관 (86) 의 내부로부터 모두 유기 용제가 배출되고 있기 때문이다.
한편, 2 회째 이후의 기판 처리 (S2) 에 관련된 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) (이후, 간단히 「2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5)」 이라고 하는 경우가 있다) 의 유기 용제의 토출 전에 있어서는, 유기 용제 배관 (81) 의 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (P2) 에 배치되어 있다. 따라서, 1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 과 2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 사이에서, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 개시 시에 있어서, 유기 용제 공급 밸브 (90) (및 유기 용제 밸브 (87)) 가 열리고 나서 제 4 토출구 (34a) 로부터 유기 용제가 토출될 때까지의 기간이 상이하다. 통상적으로, 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 개성으로부터, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 처리 기간의 계시 (計時) 가 개시되므로, 유기 용제 밸브 (87) 가 열리고 나서 제 4 토출구 (34a) 로부터 유기 용제가 토출될 때까지의 기간이 상이하면, 유기 용제의 실제의 공급 시간이 기판 (W) 마다 불규칙적이고, 그 결과, 처리가 기판 (W) 마다 불규칙해질 우려가 있다.
이 실시형태에서는, 1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 및 2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 쌍방에 있어서의 실제의 공급 시간을 일정하게 유지하기 위해서, 1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 에 있어서의 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 개성 타이밍을, 소기의 타이밍 (1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 에 있어서의 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 개성 타이밍) 보다 몇 초 (예를 들어 약 3 초) 빨리하고 있다. 즉, 1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 에 있어서, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 개시 전 (즉, 가드 높이의 변경 전) 부터, 제어 장치 (3) 는 유기 용제 공급 밸브 (90) 가 열려 있다 (유기 용제의 선출 (先出)).
도 7b 를 참조하면서 전술한 바와 같이, 제 1 가드 대향 상태에서는, 약액 밸브 (36), 린스액 밸브 (38), 유기 용제 공급 밸브 (90) 그리고 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 의 열림 동작이 허용되어 있다. 그 때문에, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 개시 전 (즉, 가드 높이의 변경 전부터) 부터 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 여는 것이 가능하다 (유기 용제의 선출을 실현할 수 있다).
또, 2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 인 경우에는, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 가 유효화 상태에 있다. 그 때문에, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 개시 후에, 제어 장치 (3) 는, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 용의 제 2 에어 공급 밸브 (제 2 에어 공급 밸브 (71) 에 상당) 를 열고, 또한, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 용의 제 2 리크 밸브를 닫는다. 이에 따라, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 내부에 에어가 공급됨으로써, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 기능이 무효화되고, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 에 흡인되어 있던 소량의 유기 용제가 유기 용제 배관 (81) 에 토출된다.
제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 에 있어서, 제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출 개시부터, 프로세스 레시피 (106) 에 의해 규정되어 있는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 닫는다. 이에 따라, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출이 정지된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 밸브 (87) 를 닫은 채의 상태로, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 기능을 유효화 한다. 유기 용제 배관 (81) 에 있어서의, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 개재 장착 부분보다 하류측 부분의 내부가 배기되고, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 당해 하류측 부분의 내부에 남아 있는 유기 용제가, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 내부 (다이어프램의 구동에 의해 확장한 영역) 로 인입된다. 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 흡인량은, 유기 용제의 선단면 (F2) 이, 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 내에 설정된 소정의 유기 용제 대기 위치 (P2) 에 후퇴하도록 정해져 있다. 이 때의 유기 용제의 흡인량은 약 0.1 ∼ 1 밀리리터이다. 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (P2) 까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 공급 밸브 (90) (및 유기 용제 밸브 (87)) 를 닫는다. 이에 따라, 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (P2) 에 배치된다.
제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출 정지에 기초하여, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 이 종료한다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면에 존재하는 유기 용제를 털어내는 털어내기 공정을 실시한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 스핀 모터 (16) 를 제어하여, 약액 공급 공정 (E3) ∼ 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 의 각 공정에 있어서의 회전 속도보다 큰 털어내기 회전 속도 (예를 들어 수 천 rpm) 까지 기판 (W) 을 가속시키고, 그 털어내기 회전 속도로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 기판 (W) 상의 액체에 가해지고, 기판 (W) 에 부착되어 있는 액체가 기판 (W) 주위에 털어내어진다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 으로부터 유기 용제가 제거된다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면에 존재하는 유기 용제를 액체의 소수화제로 치환하는 소수화제 공급 공정 (E6) (도 9 참조) 을 실시한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (47) 을 제어하여, 제 3 가드 (46) 를 상위치에 유지하면서, 제 2 가드 (45) 를 상승시켜 상위치에 배치함으로써, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 제 2 가드 (45) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다 (제 2 가드 대향 상태를 실현). 이 때 가드의 승강 동작에 필요로 하는 시간은 예를 들어 1.5 초간이다.
또, 제어 장치 (3) 는, 차단판 (21) 을 근접 위치에 유지하면서, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서 소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 그리고 소수화제 밸브 (57) 를 연다.
직전에 실시된 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 이, 1 회째의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 인지 2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 인지에 따르지 않고, 소수화제 공급 공정 (E6) 의 개시 전에 있어서, 소수화제의 선단면 (F1) 은, 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있다.
또, 2 회째 이후의 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 인 경우에는, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 가 유효화 상태에 있다. 그 때문에, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 공정 (E6) 의 개시 후에, 제 2 에어 공급 밸브 (71) 를 열고, 또한, 제 2 리크 밸브를 닫는다. 이에 따라, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 내부에 에어가 공급된다. 그 결과, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 기능이 무효화되고, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 에 흡인되어 있던 소량의 소수화제가 소수화제 배관 (51) 에 토출된다.
소수화제 공급 밸브 (제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 그리고 소수화제 밸브 (57) 의 개방에 의해, 소수화제 공급 배관 (제 1 소수화제 공급 배관 (54) 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55)) 의 소수화제가, 제 1 접속 배관 (52) 을 통해서 소수화제 배관 (51) 에 공급된다. 이에 따라, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 에 형성된 제 3 토출구 (33a) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 소수화제가 토출된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 소수화제는, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부로 이동한다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면 상의 유기 용제가 소수화제에 의해 치환된다.
소수화제 공급 공정 (E6) 에 있어서, 제 3 토출구 (33a) 로부터의 소수화제의 토출 개시부터, 프로세스 레시피 (106) 에 의해 규정되어 있는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 밸브 (57), 제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 를 닫는다. 이에 따라, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 제 3 토출구 (33a) 로부터의 소수화제의 토출이 정지된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 밸브 (57) 를 닫은 채의 상태에서, 제 1 에어 공급 밸브 (69) 를 연다. 이에 따라, 소수화제 배관 (51) 에 있어서의, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 개재 장착 부분보다 하류측 부분의 내부가 배기되고, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 당해 하류측 부분의 내부에 남아 있는 소수화제가, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 내부 (다이어프램의 구동에 의해 확장된 영역) 로 인입된다. 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 의 흡인량은, 소수화제의 선단면 (F1) 이, 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 내에 설정된 소정의 소수화제 대기 위치 (P1) 로 후퇴하도록 정해져 있다. 이 때의 소수화제의 흡인량은 약 0.1 ∼ 1 밀리리터이다. 이에 따라, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치된다.
제 3 토출구 (33a) 로부터의 소수화제의 토출 정지에 기초하여, 소수화제 공급 공정 (E6) 이 종료한다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면에 존재하는 소수화제를 유기 용제 (예를 들어 IPA) 로 치환하는 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) (도 9 참조) 을 실시한다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (47) 을 제어하여, 제 3 가드 (46) 를 상위치에 유지하면서, 제 2 가드 (45) 를 하강시켜 하위치에 배치함으로써, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 제 3 가드 (46) 를 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향시킨다 (제 3 가드 대향 상태를 실현). 이 때 가드의 승강 동작에 필요로 하는 시간은 예를 들어 1.5 초간이다.
또, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 회전을 액처리 속도로 유지하면서, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 연다. 이에 따라, 차단판 (21) 의 기판 대향면 (21a) 에 형성된 제 4 토출구 (34a) 로부터 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향해서 유기 용제가 토출된다. 기판 (W) 의 상면에 공급된 유기 용제는, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부로 이동한다. 이에 따라, 기판 (W) 의 상면 상의 소수화제가 유기 용제에 의해 치환된다.
또, 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) 의 개시 후에, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 구동을 정지한다. 이에 따라, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 에 흡인되어 있던 소량의 유기 용제가 유기 용제 배관 (81) 에 토출된다.
제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) 에 있어서, 제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출 개시부터, 프로세스 레시피 (106) 에 의해 규정되어 있는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 밸브 (87) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 를 닫는다. 이에 따라, 제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출이 정지된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 밸브 (87) 를 닫은 채의 상태에서, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 기능을 유효화 한다. 유기 용제 배관 (81) 에 있어서의, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 개재 장착 부분보다 하류측 부분의 내부가 배기되고, 당해 하류측 부분의 내부에 남아 있는 유기 용제가, 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 내부 (다이어프램의 구동에 의해 확장된 영역) 로 인입된다. 제 1 유기 용제 흡인 장치 (88) 의 흡인량은, 유기 용제의 선단면 (F2) 이, 제 2 좌우 방향 부분 (81b) 내에 설정된 소정의 유기 용제 대기 위치 (P2) 로 후퇴하도록 정해져 있다. 이 때의 유기 용제의 흡인량은 약 0.1 ∼ 1 밀리리터이다. 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (P2) 까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 공급 밸브 (90) (및 유기 용제 밸브 (87)) 를 닫는다. 이에 따라, 유기 용제의 선단면 (F2) 이 유기 용제 대기 위치 (P2) 에 배치된다.
제 4 토출구 (34a) 로부터의 유기 용제의 토출 정지에 기초하여, 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) 이 종료한다.
이어서, 기판 (W) 을 건조시키는 스핀 드라이 공정 (E8) (도 9 참조) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 차단판 (21) 이 근접 위치에 배치된 상태에서, 스핀 모터 (16) 를 제어하여 약액 공급 공정 (E3) ∼ 제 2 유기 용제 공급 공정 (E7) 의 각 공정에 있어서의 회전 속도보다 큰 건조 회전 속도 (예를 들어 수 천 rpm) 까지 기판 (W) 을 가속시키고, 그 건조 회전 속도로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이에 따라, 큰 원심력이 기판 (W) 상의 액체에 가해져, 기판 (W) 에 부착되어 있는 액체가 기판 (W) 주위에 털어내어진다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 으로부터 액체가 제거되고, 기판 (W) 이 건조된다.
기판 (W) 의 가속으로부터 미리 정하는 기간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 스핀 모터 (16) 를 제어함으로써, 스핀 척 (5) 에 의한 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다 (도 9 의 스텝 E9). 그 후, 제어 장치 (3) 는, 대향 부재 승강 유닛 (39) 을 제어하여, 차단판 (21) 을 상승시켜 퇴피 위치에 배치한다. 또, 제어 장치 (3) 는, 가드 승강 유닛 (47) 을 제어하여, 제 1 및 제 2 가드 (44, 45) 에 하강시키고, 모든 가드를 기판 (W) 의 둘레 단면으로부터 하방으로 퇴피시킨다.
그 후, 챔버 (4) 내로부터 기판 (W) 이 반출된다 (도 9 의 스텝 E10). 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 반송 로봇 (CR) 의 핸드를 챔버 (4) 의 내부에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 반송 로봇 (CR) 의 핸드에 스핀 척 (5) 상의 기판 (W) 을 유지시킨다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 반송 로봇 (CR) 의 핸드를 챔버 (4) 내로부터 퇴피시킨다. 이에 따라, 처리 후의 기판 (W) 이 챔버 (4) 로부터 반출된다.
이상과 같이 이 실시형태에 의하면, 흡인 공정은, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되는 공정 (제 1 흡인 공정. 뚝뚝 떨어짐 방지를 위한 흡인) 과, 소수화제 배관 (51) 의 내부, 제 1 접속 배관 (52) 의 내부 및 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부로부터 모두 소수화제가 배제되는 (적어도 제 1 접속 배관 (52) 의 상류단 (소수화제 흡인 배관 (56) 이 접속되는 부분) 보다 상류측 (소수화제 흡인 배관 (56) 측) 에 소수화제의 선단면 (F1) 을 후퇴시킨다) 배출 흡인 공정 (T1) (제 2 흡인 공정) 을 포함한다. 그리고, 배출 흡인 공정 (T1) 후에 실시되는 충전 공정 (T3) (대기 위치 배치 공정) 에 있어서 소수화제 흡인 배관 (56) 에 소수화제를 공급함으로써, 소수화제의 선단면 (F1) 을 전진시키고, 당해 소수화제의 선단면 (F1) 을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치시킨다. 따라서, 이들 흡인 중 어느 것이 실행된 경우이더라도, 다음의 소수화제의 토출 전에 있어서 소수화제의 선단면 (F1) 을 공통의 대기 위치인 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치할 수 있다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부를 흡인하는 흡인 공정의 종류의 여하에 따르지 않고, 소수화제 밸브 (57) 나 소수화제 공급 밸브가 열리고 나서 공통된 타이밍으로, 제 3 토출구 (33a) 로부터 소수화제를 토출할 수 있다. 그러므로, 소수화제를 사용한 균일한 처리를 기판 (W) 에 실시할 수 있다.
특히 이 실시형태에 관련된 소수화제 공급 공정 (E6) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면 (표면) 으로의 소수화제의 공급이 중단되면, 기판 (W) 의 상면 (표면) 에 있어서 건조가 진행되고, 그 결과, 패턴 도괴가 발생할 우려가 있다. 그러나, 이 실시형태에서는, 공통된 타이밍으로 제 3 토출구 (33a) 로부터 소수화제를 토출하는 소수화제 공급 공정 (E6) 에 있어서, 소수화제의 공급이 실시되지 않는 기간이 거의 존재하지 않는다. 따라서, 소수화제 공급 공정 (E6) 에 있어서 기판 (W) 의 상면 (표면) 의 건조가 촉진하는 것에 기초하는 패턴 도괴를 억제할 수 있다.
또, 소수화제 공급 공정 (E6) 에 있어서는, 제 2 가드 대향 상태가 실현된다. 이 제 2 가드 대향 상태에서는, 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 의 열림 동작이 허용되어 있지만, 약액 밸브 (36), 린스액 밸브 (38) 및 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작은 금지되어 있다. 이와 같은 하드 인터락에 의해, 처리 컵 (12) 내에 있어서 소수화제와 유기 용제의 혼촉이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 따라서, 파티클의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
특히 이 실시형태에서는, 도 7b 를 참조하면서 전술한 바와 같이, 제 3 가드 대향 상태에서는, 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 의 열림 동작이 금지되어 있다. 그 때문에, 소수화제 공급 공정 (E6) 의 개시 전 (즉, 가드 높이의 변경 전부터) 부터 제 1 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (60, 61) 를 여는 것이 불가능하다. 즉, 제 1 유기 용제 공급 공정 (E5) 에서 실시하고 있던, 처리액의 선출 (소수화제의 선출) 을 실시할 수 없다.
이와 같은 하드 인터락이 유효하게 기능하고 있는 경우이더라도, 전처리 (S1) 에 있어서 배출 흡인 공정 (T1) 후에 충전 공정 (T3) 을 실행함으로써, 소수화제 공급 공정 (E6) 의 개시 전에, 소수화제의 선단면 (F1) 을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치해 둘 수 있다.
또, 충전 공정 (T3) 에 병행하여, 소수화제의 선단면 (F1) 에 위치가 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있는지 여부가 제 1 센서 (64) 에 의해 검출된다. 충전 공정 (T3) 에 병행하여, 소수화제의 선단면 (F1) 의 위치를 제 1 센서 (64) 에 의해 실제로 검출함으로써, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 있는지 여부를 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
또, 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 공급 배관 (54, 55) 에 공급되는 소수화제 (소수화제 원액) 의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서 (77) 가 형성되어 있다. 소수화제 배관 (51) 에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일치하도록 오리피스 (72) 에 의해 조정되고 있기 때문에, 프리디스펜스 공정 (T2) 에 있어서 소수화제 공급 배관 (54, 55) 으로부터 소수화제 배액 배관 (53) 으로 유도되는 소수화제의 유량을 제 2 센서 (77) 에 의해 검출함으로써, 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 공급 배관 (54, 55) 에 공급되는 소수화제의 유량을 양호한 정밀도로 취득할 수 있다. 충전 공정 (T3) 에 있어서의 소수화제의 유량을 정확하게 파악할 수 있으면, 충전 공정 (T3) 에 있어서의 소수화제의 충전 시간을 관리함으로써, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 을 양호한 정밀도로 제어할 수 있다. 이에 따라, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 있는지 여부를 양호한 정밀도로 검출하는 것이 가능하다.
도 22 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (210) 의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
제 2 실시형태에 있어서, 전술한 제 1 실시형태와 공통되는 부분에는, 도 1 ∼ 도 19 의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (210) 이, 제 1 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (10) (도 6 참조) 과 상이한 첫번째 점은, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 를 폐지한 점이다. 게다가, 소수화제 공급 유닛 (210) 이, 제 2 소수화제 흡인 장치로서, 흡인력이 조정 불능인 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 대신에, 흡인력을 조정 가능한 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 를 구비하고 있다.
소수화제 공급 유닛 (210) 은, 제 3 노즐 배관 (33) 에 접속된 소수화제 배관 (처리액 배관) (251) 과, 소수화제 배관 (251) 을 개폐하기 위한 소수화제 밸브 (257) 와, 제 1 접속 배관 (52) 을 포함한다. 소수화제 배관 (251) 은, 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 적어도 소수화제 대기 위치 (P1) 주위의 부분이, 투명성을 갖고 있는 점에서, 소수화제 배관 (51) (도 6 참조) 과 상이하고, 그 나머지 점에서, 소수화제 배관 (51) 과 공통되어 있다.
또, 소수화제 공급 유닛 (210) 은, 소수화제 배액 밸브 (59), 제 1 소수화제 공급 밸브 (60), 제 2 소수화제 공급 밸브 (61), 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 를 포함한다. 이들, 제 1 접속 배관 (52), 소수화제 밸브 (257), 소수화제 배액 밸브 (59), 제 1 소수화제 공급 밸브 (60), 제 2 소수화제 공급 밸브 (61), 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 에 의해, 밸브 유닛 (V) 이 구성되어 있다.
소수화제 밸브 (257) 에는, 소수화제 공급 유닛 (210) 에 포함되는 소수화제 배액 밸브 (59) 를 제외하고, 소수화제 배관 (251) 을 개폐하기 위한 밸브 (포함 : 니들 밸브) 가 개재 장착되어 있지 않다. 또, 전술한 바와 같이, 소수화제 배관 (251) 에는, 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 가 개재 장착되어 있지 않다. 즉, 소수화제 배관 (251) 에 있어서의, 밸브 유닛 (V) 과 중심축 노즐 (7) 사이의 부분에는, 밸브나 다이어프램식의 흡인 장치가 존재하지 않는다. 소수화제 배관 (251) 에 있어서의, 밸브 유닛 (V) 과 중심축 노즐 (7) 사이의 부분에, 밸브나 다이어프램식의 흡인 장치가 존재하면, 다음에 서술하는 문제가 생긴다. 즉, 밸브의 내부 유로나 다이어프램식의 흡인 장치의 내부 유로에 있어서, 처리액 (소수화제) 의 액밀 상태가 중단될 우려가 있다. 그 경우, 당해 내부 유로에 있어서 액잔류가 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 소수화제 배관 (251) 의 내부의 처리액의 흡인 후이더라도, 소수화제 배관 (251) 의 내부 (즉, 내부 유로) 에 있어서 액잔류가 발생할 우려가 있다.
그러나, 이 실시형태에서는, 소수화제 배관 (251) 에 있어서의, 밸브 유닛 (V) 과 중심축 노즐 (7) 사이의 부분에는, 밸브나 다이어프램식의 흡인 장치가 존재하지 않는다. 그 때문에, 소수화제 배관 (251) 의 내부의 처리액의 흡인 후에, 소수화제 배관 (251) 의 내부 (즉, 내부 유로) 에 있어서 액잔류가 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 는, 이젝터식의 흡인 장치이다. 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 는, 압축 유체의 공급에 의해 감압 상태를 발생시키는 감압 상태 발생기 (진공 발생기) (263A) 와, 감압 상태 발생기 (263A) 에 압축 유체를 공급하는 유체 공급 배관 (275) 과, 유체 공급 배관 (275) 의 관로를 개폐하고, 및 그 관로의 개도를 변경하기 위한 전공 레귤레이터 (276) 를 포함한다. 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 전원 온 상태에 있어서, 전공 레귤레이터 (276) 가 열려, 유체 공급 배관 (275) 내에 유체가 흐름으로써, 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 내부가 감압된다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (흡인 배관) (56) 의 내부가 흡인된다. 즉, 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 기능이 유효화 된다.
또, 전공 레귤레이터 (276) 에 의해 유체 공급 배관 (275) 의 개도가 조정 됨으로써, 감압 상태 발생기 (263A) 에 의해 생기는 감압 정도 (제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 내부의 감압 정도) 가 조정된다. 구체적으로는, 유체 공급 배관 (275) 의 개도가 크면, 감압 상태 발생기 (263A) 에 의해 생기는 감압 정도가 커진다. 그 때문에, 전공 레귤레이터 (276) 에 의해 유체 공급 배관 (275) 의 개도가 조정됨으로써, 감압 상태 발생기 (263A) 에 의해 생기는 감압 정도가 조정된다. 전공 레귤레이터 (276) 는, 유체 공급 배관 (275) 의 개도를 무단계로 조정할 수 있다. 그 때문에, 감압 상태 발생기 (263A) 에 의해 생기는 감압 정도가, 무단계로 조정된다.
제어 장치 (3) 는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 감압 상태 발생기 (263A) 의 구동을 더욱 제어한다. 또, 제어 장치 (3) 는, 전공 레귤레이터 (276) 의 개폐 및 그 개도를 제어한다.
배출 흡인 공정 (T1) (도 11 참조) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 전공 레귤레이터 (276) 를 열음과 함께, 그 개도를 큰 제 1 개도로 설정한다. 이에 따라, 감압 상태 발생기 (263A) 에, 대유량의 압축 유체가 공급되고, 그 결과, 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 내부의 감압 정도가 크다. 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서, 소수화제 밸브 (257) 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 를 연다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부 및 제 1 접속 배관 (52) 의 내부가 크게 배기되고, 소수화제 배관 (251) 의 내부에 남아 있는 소수화제에 큰 흡인력이 작용하여, 그 소수화제가 제 1 접속 배관 (52) 을 통과하여 소수화제 흡인 배관 (56) 으로 인입된다. 소수화제 배관 (251) 의 내부, 제 1 접속 배관 (52) 의 내부 및 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부로부터 모두 소수화제가 배출된 후, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 흡인 밸브 (62) 및 소수화제 밸브 (257) 를 닫는다.
소수화제 공급 공정 (E6) (도 15 참조) 의 종료 시에, 소수화제 밸브 (257), 제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61) 가 닫힌다. 이에 따라, 제 3 토출구 (33a) 로부터의 소수화제의 토출이 정지된다. 이 때, 제어 장치 (3) 는, 전공 레귤레이터 (276) 를 열음과 함께, 그 개도가, 제 1 개도보다 작은 제 2 개도로 설정된다. 이에 따라, 감압 상태 발생기 (263A) 에, 소유량의 압축 유체가 공급되고, 그 결과, 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 내부의 감압 정도가 작다. 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서, 소수화제 밸브 (257) 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 를 연다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부 및 제 1 접속 배관 (52) 의 내부가 작게 배기되고, 소수화제 배관 (251) 의 내부에 남아 있는 소수화제에 작은 흡인력이 작용하여, 그 소수화제가 제 1 접속 배관 (52) 을 통과하여 소수화제 흡인 배관 (56) 으로 인입된다. 소수화제의 선단면 (F1) 이, 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 내에 설정된 소정의 소수화제 대기 위치 (P1) 까지 후퇴하면, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 흡인 밸브 (62) 및 소수화제 밸브 (257) 를 닫는다. 이에 따라, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치된다 (도 15 참조).
충전 공정 (T3) (도 12b 참조) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 전공 레귤레이터 (276) 를 열음과 함께, 그 개도를, 제 1 개도와 제 2 개도 사이의 제 3 개도로 설정한다. 이에 따라, 감압 상태 발생기 (263A) 에, 중유량의 압축 유체가 공급되고, 그 결과, 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 의 내부가 중 정도로 감압된다. 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서의 다른 밸브를 닫으면서, 소수화제 밸브 (257) 및 소수화제 흡인 밸브 (62) 를 연다. 이에 따라, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부 및 제 1 접속 배관 (52) 의 내부가 중 정도로 배기되고, 소수화제 배관 (251) 의 내부에 공급되고 있는 소수화제에, 중 정도의 흡인력 (배출 흡인 공정 (T1) 에 있어서의 흡인력보다 작고, 소수화제 공급 공정 (E6) 의 종료 시에 있어서의 흡인력보다 큰 흡인력) 이 작용한다.
즉, 충전 공정 (T3) 에 병행하여, 소수화제 배관 (251) 의 내부가 흡인된다 (병행 흡인 공정). 소수화제 배관 (251) 에 공급 (충전) 되는 소수화제는, 소정의 공급압을 받고 있다. 소수화제 배관 (251) 내를 제 3 토출구 (33a) 를 향해서 이동하는 소수화제에 대하여, 소수화제의 이동 방향과는 반대 방향으로 흡인력이 작용한다. 소수화제 흡인 배관 (56) 의 내부에 작용하는 흡인력이 비교적 크기 때문에, 이에 따라, 소수화제 배관 (251) 내를 이동하는 소수화제를 충분히 감속시키는 것이 가능하다.
이 경우에 있어서, 전공 레귤레이터 (276) 의 제 3 개도가, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 위치하는 상태에서, 소수화제에 작용하는 흡인력과 공급압이 균형을 이루도록 설정되어 있어도 된다. 이 경우, 충전 공정 (T3) 에 있어서, 소수화제의 선단면 (F1) 을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 자동적으로 정지시킬 수 있다.
또, 충전 공정 (T3) 에 있어서의 소수화제의 선단면 (F1) 의 소수화제 대기 위치 (P1) 에 대한 정지는, 자동 정지에 한정되지 않는다. 소수화제 배관 (251) 내의 흡인에 수반하여 감속한 소수화제를, 충전 시간을 관리하거나, 소수화제 대기 위치 (P1) 에 관련하여 형성된 센서가 선단면 (F1) 을 검출하거나 함으로써, 소수화제 대기 위치 (P1) 에 선단면 (F1) 을 정지시키도록 해도 된다.
제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (210) 이, 제 1 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (10) (도 6 참조) 과 상이한 두번째의 점은, 소수화제 (처리액) 의 선단면을 검출하기 위한 제 1 의 센서 (64) 를 폐지하고, 그 대신에, 카메라 (264) 를 형성한 점이다.
카메라 (264) 는, 소수화제 배관 (251) 에 있어서의 소수화제 대기 위치 (P1) 및 그 주위의 광학 이미지를 결상시키는 렌즈와, 이 렌즈에 의해 결상된 광학 이미지를 전기 신호로 변환하는 촬상 소자와, 변환된 전기 신호에 기초하여 화상 신호를 생성하여, 제어 장치 (3) 에 송신하는 촬상 회로를 포함한다. 소수화제 배관 (251) 의 적어도 소수화제 대기 위치 (P1) 의 주위의 부분이 투명성을 갖고 있으므로, 소수화제 대기 위치 (P1) 의 주위에 있어서, 소수화제의 선단면 (F1) 을 양호하게 촬상할 수 있다.
촬상 소자는, CCD 이미지 센서, CMOS 이미지 센서 등을 포함한다. 카메라 (264) 는, 1 초간에 10 매 ∼ 100 매 정도의 속도로 촬상 가능한 일반적인 카메라여도 된다. 그러나, 카메라 (264) 가, 1 초간에 수 천 ∼ 수 만 장의 속도로 촬상 가능한 고속도 카메라여도 된다.
제어 장치 (3) 는, 카메라 (264) 의 촬상 회로로부터 주어지는 화상 신호에 기초하여, 소수화제의 선단면 (F1) 을 조사한다.
충전 공정 (T3) 에 있어서, 소수화제의 선단면 (F1) 이 카메라 (264) 에 의해 촬상된다. 그리고, 카메라 (264) 에 의한 촬상 결과에 의해, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 있는지 여부가 판단된다. 이에 따라, 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되어 있는 것을 양호한 정밀도로 검출할 수 있다.
제 2 실시형태의 설명에서는, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 흡인 장치 (제 1 소수화제 흡인 장치 (58)) 를 폐지하고, 대신에, 흡인력을 조정 가능한 흡인 장치 (제 2 소수화제 흡인 장치 (263)) 를 구비하는 점, 및 처리액 (소수화제) 의 선단면을 검출하기 위한 센서 (제 1 센서 (64)) 를 폐지하고, 그 대신에 카메라 (카메라 (264)) 를 형성하는 점을 소수화제 공급 유닛 (210) 에 적용하는 경우에 대해서 설명하였다. 그러나, 이들 특징을, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 적용하도록 해도 된다.
또, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 흡인 장치를 폐지하고, 대신에, 흡인력을 조정 가능한 흡인 장치를 형성하는 점, 및 처리액의 선단면을 검출하기 위한 센서를 폐지하고, 그 대신에 카메라를 형성하는 점의 쌍방이 아니라, 일방만을 적용하도록 해도 된다.
도 24 는, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (310) 의 상세한 구성을 설명하기 위한 도면이다.
제 3 실시형태에 있어서, 전술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 공통되는 부분에는, 각각, 도 1 ∼ 도 19 의 경우 그리고 도 22 및 도 23 의 경우와 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제 3 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (310) 이, 제 1 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (10) (도 6 참조) 과 상이한 첫번째 점은, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 를 폐지한 점이다. 게다가, 소수화제 공급 유닛 (310) 이, 제 2 소수화제 흡인 장치로서, 흡인력이 조정 불능인 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 대신에, 흡인력을 조정 가능한 제 2 소수화제 흡인 장치 (263) 를 구비한다. 이 점, 제 2 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (210) (도 22 참조) 과 공통되므로, 설명을 생략한다.
제 3 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (310) 이, 제 1 실시형태에 관련된 소수화제 공급 유닛 (10) (도 6 참조) 과 상이한 두번째 점은, 소수화제 (처리액) 의 선단면을 검출하기 위한 제 1 의 센서 (64) 를 폐지하고, 그 대신에, 소수화제 (처리액) 의 선단면을 검출하기 위한 제 3 센서 (364) 를 형성한 점이다.
제 3 센서 (364) 는, 소수화제 배관 (51) 의 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 관벽에 관련해서 배치되어 있다. 제 3 센서 (364) 는, 하류측에 배치된 제 1 액면 센서 (365) 및 상류측에 배치된 제 2 액면 센서 (366) 를 포함한다. 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 소수화제 대기 위치 (P1) 보다 상류측에 설정되어 있다.
이 실시형태에서는, 소수화제 대기 위치 (P1) 가, 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 하류단의 근방에 설정되어 있다. 소수화제 대기 위치 (P1) 를 이와 같은 위치에 설정한 것은, 다음에 서술하는 이유로부터이다. 즉, 소수화제 대기 위치 (P1) 와 제 3 토출구 (33a) 사이의 간격이 크게 비어 있으면, 소수화제 대기 위치 (P1) 와 제 3 토출구 (33a) 사이의 공간에 티끌이나 먼지가 포함될 개연성이 높아진다. 그 때문에, 소수화제 대기 위치 (P1) 와 제 3 토출구 (33a) 사이의 간격은, 가능한 한 짧은 것이 바람직하다.
그 한편, 소수화제 대기 위치 (P1) 를 제 1 좌우 방향 부분 (51b) 의 하류단의 근방에 설정한 경우, 소수화제의 선단면이 소수화제 대기 위치 (P1) 를 오버 런 하면, 소수화제의 선단면이 제 1 상하 방향 부분 (51a) 에 도달해 버릴 우려가 있다. 이 경우, 제 3 토출구 (33a) 로부터 소수화제가 낙액 (이른바 뚝뚝 떨어짐) 할 가능성이 있다. 이와 같은 소수화제의 낙액을 방지하면서 소수화제 대기 위치 (P1) 와 제 3 토출구 (33a) 사이의 간격을 짧게 설정하기 위해서, 소수화제 대기 위치 (P1) 에 소수화제의 선단면을 양호한 정밀도로 배치할 필요가 있다.
제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 유통 방향으로 간격 (L1) 을 띄우고 배치되어 있다. 또, 제 1 액면 센서 (365) 는, 소수화제 대기 위치 (P1) 와 유통 방향으로 간격 (L2) 을 띄우고 배치되어 있다.
제 1 액면 센서 (365) 는, 하류측에 설정된 제 1 검출 위치 (P11) 에 있어서의 소수화제의 존부를 검출한다. 제 2 액면 센서 (366) 는, 상류측에 설정된 제 2 검출 위치 (P12) 에 있어서의 소수화제의 존부를 검출한다. 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 예를 들어 액검지용의 파이버 센서이다. 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 소수화제 배관 (51) 의 외주벽에 직접 부착 배치 또는 근접 배치되어 있다. 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 예를 들어 정전 용량형의 센서에 의해 구성되어 있어도 된다.
충전 공정 (T3) (도 12b 참조) 에 있어서, 소수화제의 충전 (공급) 에 수반하여, 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제의 선단면이 상류측으로부터 하류측 을 향해서 이동한다. 이 경우에 있어서, 제 2 검출 위치 (P12) 보다 상류측에 소수화제의 선단면이 퇴피하고 있는 경우에는, 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 의 쌍방이 소수화제를 검출하지 않는다. 또, 소수화제가 전진하여, 소수화제의 선단면이 제 2 검출 위치 (P12) 에 도달한 경우에는, 제 1 액면 센서 (365) 는 소수화제를 검출하지 않지만, 제 2 액면 센서 (366) 가 소수화제를 검출한다. 또, 소수화제가 전진하여, 소수화제의 선단면이 제 1 검출 위치 (P11) 에 도달한 경우에는, 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 의 쌍방이 소수화제를 검출한다. 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 는, 그 검출 출력을 제어 장치 (3) 에 송출한다.
충전 공정 (T3) (도 12b 참조) 에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 제 1 액면 센서 (365) 및 제 2 액면 센서 (366) 의 검출 출력을 감시하고 있다.
제 2 액면 센서 (366) 에 의한 검출 출력이 오프 상태에서 온 상태가 되면, 제어 장치 (3) 는, 그 때의 타이밍을 기억한다. 즉, 제어 장치 (3) 는, 하류측의 제 2 검출 위치 (P12) 를 소수화제의 선단면이 통과한 타이밍을 기억한다.
또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 액면 센서 (365) 에 의한 검출 출력이 오프 상태에서 온 상태가 되면 (제 1 검출 위치 (P11) 를 소수화제의 선단면이 통과한 타이밍), 제 1 검출 위치 (P11) 를 통과하는 소수화제의 선단면의 속도를 연산에 의해 구한다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 소수화제의 선단면이 제 2 검출 위치 (P12) 로부터 제 1 검출 위치 (P11) 로 이동하는 데에 필요로 한 시간과, 제 2 검출 위치 (P12) 및 제 1 검출 위치 (P11) 의 사이의 거리 (간격 L1) 에 기초하여, 제 1 검출 위치 (P11) 를 통과하는 소수화제의 선단면의 속도를 연산한다. 또, 그 연산 결과에 기초하여, 제어 장치 (3) 는, 제 1 검출 위치 (P11) 보다 간격 (L2) 의 전방에 위치하는 소수화제 대기 위치 (P1) 에 소수화제의 선단면이 도달하는 타이밍을 산출한다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 그 산출 타이밍으로, 소수화제 밸브 (57) (그리고/또는 제 1 소수화제 공급 밸브 (60) 및 제 2 소수화제 공급 밸브 (61)) 를 정지시킨다.
제 3 실시형태에 의하면, 제 1 검출 위치 (P11) 를 소수화제의 선단면이 통과하는 통과 타이밍, 및 제 1 검출 위치 (P11) 를 소수화제의 선단면이 통과하는 속도에 기초하여, 소수화제의 선단면이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치된다. 그 때문에, 소수화제의 선단면을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 양호한 정밀도로 배치할 수 있다. 그러므로, 소수화제의 낙액을 방지하면서, 소수화제 대기 위치 (P1) 와 제 3 토출구 (33a) 사이의 간격을 짧게 설정할 수 있다. 이에 따라, 기판 (W) 에 공급되는 소수화제로의 먼지나 티끌의 혼입을 양호하게 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 소수화제의 선단면을 소수화제 대기 위치 (P1) 에 양호한 정밀도로 배치할 수 있기 때문에, 기판 (W) 에 공급되는 소수화제의 양의 최적화를 도모할 수 있다. 그러므로, 기판 (W) 에 소수화 처리를 양호하게 실시할 수 있고, 또한 기판 (W) 사이의 소수화 처리의 편차를 억제할 수 있다.
이 제 3 실시형태에서는, 제어 장치 (3) 와, 제 1 액면 센서 (365) 와, 제 2 액면 센서 (366) 에 의해, 속도 검출 유닛이 구성되어 있다. 제 1 검출 위치 (P11) 에 있어서의 소수화제의 선단면의 통과 타이밍 (제 1 통과 타이밍) 과, 제 2 검출 위치 (P12) 에 있어서의 소수화제의 선단면의 통과 타이밍 (제 2 통과 타이밍) 에 기초하여, 제 1 검출 위치 (P11) 를 통과하는 소수화제의 선단면의 속도가 검출된다. 이에 따라, 제 1 검출 위치 (P11) 를 통과하는 소수화제의 선단면의 속도를, 속도 센서 등을 형성하지 않고, 간단한 구성으로 검출할 수 있다.
그러나, 제 1 검출 위치 (P11) 를 통과하는 소수화제의 선단면의 속도를 검출하기 위한 속도 센서를 별도 형성하도록 해도 된다.
제 3 실시형태의 설명에서는, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 흡인 장치 (제 1 소수화제 흡인 장치 (58)) 를 폐지하고, 대신에, 흡인력을 조정 가능한 흡인 장치 (제 2 소수화제 흡인 장치 (263)) 를 구비하는 경우를 예로 들었다. 그러나, 제 1 실시형태와 같이, 다이어프램식의 흡인 장치로 이루어지는 흡인 장치 (제 1 소수화제 흡인 장치 (58)) 를 형성하는 구성으로 해도 된다.
또, 제 3 실시형태에서는, 소수화제 공급 유닛 (310) 에 적용하는 경우에 대해서 설명하였다. 그러나, 이 특징을, 유기 용제 공급 유닛 (11) 에 적용하도록 해도 된다.
이상, 이 발명의 3 개의 실시형태에 대해서 설명했지만, 이 발명은, 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들어, 전술한 각 실시형태에 있어서, 유량 조정 유닛인 오리피스 (72) 에 의한 조정에 의해, 소수화제 배관 (51) 을 액체가 흐를 때의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 을 액체가 흐를 때의 압손실이 동일해지도록 설정되어 있다고 하여 설명하였다. 그러나, 소수화제 배관 (51) 을 액체가 흐를 때의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 을 액체가 흐를 때의 압손실이 일정한 관계를 갖고 있고, 또한 그 관계가 제어 장치 (3) 에 의해 파악되어 있으면, 반드시, 소수화제 배관 (51) 을 액체가 흐를 때의 압손실과 소수화제 배액 배관 (53) 을 액체가 흐를 때의 압손실이 동일하지 않아도 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 유량 조정 유닛이 오리피스 (72) 인 경우를 예로 들었지만, 유량 조정 유닛은, 도 20 에 나타내는 바와 같이 고정 니들 (201) 이어도 되고, 도 21 에 나타내는 바와 같이 모터 니들 (202) 이어도 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 유량 조정 유닛은, 반드시 소수화제 배액 배관 (53) 에 개재 장착되어 있을 필요는 없고, 소수화제 배액 배관 (53) 그리고 소수화제 공급 배관 (제 1 소수화제 공급 배관 (54) 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55)) 의 적어도 일방에 개재 장착되어 있으면 된다.
또, 제 2 센서 (77) 는, 반드시 소수화제 배액 공급 배관 (제 1 소수화제 공급 배관 (54) 및 제 2 소수화제 공급 배관 (55)) 에 개재 장착되어 있을 필요는 없고, 소수화제 배액 배관 (53) 및 소수화제 배액 공급 배관의 적어도 일방에 개재 장착되어 있으면 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 제 1 센서 (64) 가, 제 1 유무 센서 (65) 및 제 2 유무 센서 (66) 라는 2 개의 센서를 포함하는 예를 들었다. 그러나, 제 1 센서 (64) 가, 소수화제의 선단면 (F1) 의 위치를 검출하는 액면 센서여도 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 제어 장치 (3) 가, 충전 공정 (T3) 에 병행하여 제 1 센서 (64) 에 의해 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 있는지 여부를 판단하는 공정 (제 1 판단 공정), 및 충전 공정 (T3) 에 있어서 소수화제 배관 (51) 에 공급되는 소수화제의 유량을 검출하는 제 2 센서 (77) 의 검출 결과에 기초하여, 충전 공정 (T3) 후의 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되는지 여부를 판단하는 공정 (제 2 판단 공정) 의 쌍방을 실행하는 경우를 예로 들었지만, 이들 공정 중 적어도 일방이 실행되면 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 충전 공정 (T3) 후에 소수화제의 선단면 (F1) 이 소수화제 대기 위치 (P1) 에 배치되지 않는다고 제어 장치 (3) 가 판단한 경우에, 에러를 알리거나 에러 처리를 실시하는 것을 설명했지만, 에러를 알리거나 에러 처리를 실시하거나 하지 않고, 그 취지가, 기억 유닛 (102) 에 보유되어 있는 로그 파일에 기록되도록 되어 있어도 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 배출 흡인 공정 (T1) 및 충전 공정 (T3) 의 쌍방을 전처리 (S1) 에 있어서 실행한다고 하여 설명했지만, 배출 흡인 공정 (T1) 을 전처리 (S1) 에 있어서 실행하고, 충전 공정 (T3) 을 후처리 (S3) 에 있어서 실행하도록 해도 된다. 또, 배출 흡인 공정 (T1) 및 충전 공정 (T3) 의 쌍방을 후처리 (S3) 에 있어서 실행하도록 해도 된다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 배출 흡인 공정 (T1) 과 충전 공정 (T3) 사이에, 프리디스펜스 공정 (T2) 을 실행한다고 하여 설명했지만, 프리디스펜스 공정 (T2) 은 생략해도 된다.
또, 전술한 제 1 실시형태에 있어서, 제 1 흡인 장치의 일례로서의 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 로서, 다이어프램식의 흡인 장치를 예로 들었지만, 이 대신에, 사이펀식의 흡인 장치가 채용되어 있어도 된다. 사이펀식의 흡인 장치는, 배관을 갖고, 당해 배관의 내부를 액체로 채운 상태에서, 사이펀의 원리를 이용하여 소수화제 배관 (51) 의 내부의 소수화제를 흡인 (배액) 한다. 사이펀식의 흡인 장치에서는, 흡인을 위한 에너지 소비가 억제된다.
또, 제 1 실시형태에 있어서, 제 1 흡인 장치의 일례로서의 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 대신에, 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 와 동일한 이젝터식의 흡인 장치로 이루어지는 제 1 소수화제 흡인 장치가 채용되어도 된다. 이 경우, 함께 이젝터식의 흡인 장치인, 제 1 소수화제 흡인 장치 및 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 에어압이나 압손실을 다르게 함으로써, 제 1 소수화제 흡인 장치의 흡인력 (흡인 속도) 이, 제 2 소수화제 흡인 장치 (63) 의 흡인력 (흡인 속도) 보다 약해지도록 (느려지도록) 설정되어 있는 것이 바람직하다.
이 경우, 이젝터식의 제 1 소수화제 흡인 장치에 의해, 처리액의 토출 정지 후에 있어서, 처리액의 뚝뚝 떨어짐을 방지하기 위해서, 처리액을 흡인하여, 처리액의 선단면 (F1) 을 대기 위치 (소수화제 대기 위치 (P1)) 까지 후퇴시킨다.
또, 전술한 실시형태에 있어서, 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서 흡인 장치가 1 개만이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 예를 들어 소수화제 공급 유닛 (10) 에 있어서 제 1 소수화제 흡인 장치 (58) 를 폐지한 구성이다. 그리고, 소수화제 흡인 배관 (56) 에, 소수화제 흡인 배관 (56) 의 개도를 조정하여, 흡인력 (흡인 속도) 을 조정하기 위한 유량 조정 밸브 (흡인력 조정 유닛) 가 개재 장착되어 있다. 이 유량 조정 밸브는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 개위치와 폐위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함하는 구성이어도 된다.
또, 전술한 실시형태에 있어서, 충전 공정 (T3) 에서는 유기 용제 배관 (81) 에 대한 유기 용제의 충전은 실시하지 않는다고 하여 설명했지만, 소수화제 배관 (51) 에 대한 소수화제의 충전 (공급) 과 마찬가지로, 유기 용제 배관 (81) 에 대한 유기 용제의 충전 (공급) 을 실시해도 된다. 충전 공정 (T3) 에 있어서 유기 용제를 충전하는 것은, 제 1 가드 대향 상태에 있어서 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작이 금지되어 있는 경우에 특히 유용하다. 제 1 가드 대향 상태에 있어서 유기 용제 공급 밸브 (90) 의 열림 동작이 금지되어 있으면, 전술한 기판 처리에서 설명한 바와 같은, 유기 용제의 선출을 실시할 수 없기 때문이다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 처리액 배관에 대한 공급 또는 충전의 대상이 되는 처리액은, 소수화제나 유기 용제에 한정되지 않고, 약액이나 린스액이 포함되어도 된다. 즉, 본 발명을, 약액 공급 유닛 (8) 이나 린스액 공급 유닛 (9) 에도 적용할 수 있다.
또, 전술한 실시형태에 있어서, 제 2 흡인 공정으로서, 처리액의 선단면 (소수화제의 선단면 (F1)) 을, 접속 배관 (제 1 접속 배관 (52)) 의 상류단 (소수화제 흡인 배관 (56) 이 접속되는 부분) 보다 상류측 (소수화제 흡인 배관 (56) 측) 으로 후퇴시키는 배출 흡인 공정 (T1) 을 채용하고 있었지만, 제 2 흡인 공정은, 흡인 후에 있어서의 처리액의 선단면 (소수화제의 선단면 (F1)) 의 위치가 대기 위치 (소수화제 대기 위치 (P1)) 가 아니면 충분하고, 처리액의 선단면 (소수화제의 선단면 (F1)) 을, 반드시 접속 배관 (제 1 접속 배관 (52)) 의 상류단보다 상류측으로 후퇴시킬 필요는 없다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 토출구 (제 3 토출구 (33a)) 가 기판 대향면 (21a) 에 형성된 처리액 배관에 대해서 설명했지만, 차단판 (21) 에 장착되지 않은 단일의 노즐로서 형성할 수도 있다. 이 경우도 노즐의 토출구가, 좌우 방향 (즉, 기판 (W) 의 표면을 따른 방향) 으로는 이동 불가능하면, 이 노즐에 본 발명을 적합하게 적용할 수 있다.
또, 전술한 각 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (1) 가 원판상의 기판 (W) 을 처리하는 장치인 경우에 대해서 설명했지만, 기판 처리 장치 (1) 가, 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 다각형의 기판을 처리하는 장치여도 된다.
본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정되어 해석되어야 하는 것이 아니라, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2017년 6월 30일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2017-129539호, 2018년 6월 15일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2018-114922호, 및 2018년 6월 15일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2018-114923호에 각각 대응하고 있고, 이들 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다.
1 : 기판 처리 장치
2 : 처리 유닛
3 : 제어 장치
4 : 챔버
5 : 스핀 척 (기판 유지 유닛)
6 : 대향 부재
10 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
11 : 유기 용제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
21a : 기판 대향면
33a : 제 3 토출구
34a : 제 4 토출구
51 : 소수화제 배관 (처리액 배관)
56 : 소수화제 흡인 배관 (흡인 배관)
58 : 제 1 소수화제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치)
62 : 소수화제 흡인 밸브 (흡인 밸브)
63 : 제 2 소수화제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치)
64 : 제 1 센서
65 : 제 1 유무 센서
66 : 제 2 유무 센서
67a : 상한 위치
67b : 하한 위치
68 : 제 1 에어 공급 배관 (제 2 구동원)
69 : 제 1 에어 공급 밸브 (제 2 구동원)
70 : 제 2 에어 공급 배관 (제 1 구동원)
71 : 제 2 에어 공급 밸브 (제 1 구동원)
72 : 오리피스
73 : 제 1 유량계
74 : 제 2 유량계
77 : 제 2 센서
81 : 유기 용제 배관 (처리액 배관)
86 : 유기 용제 흡인 배관 (흡인 배관)
88 : 제 1 유기 용제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치)
92 : 유기 용제 흡인 밸브 (흡인 밸브)
93 : 제 2 유기 용제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치)
201 : 고정 니들
202 : 모터 니들
210 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
251 : 소수화제 배관 (처리액 배관)
263 : 제 2 소수화제 흡인 장치
263A : 감압 상태 발생기
264 : 카메라
276 : 전공 레귤레이터
310 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
365 : 제 1 액면 센서
366 : 제 2 액면 센서
F1 : 소수화제의 선단면 (처리액의 선단면)
F2 : 유기 용제의 선단면 (처리액의 선단면)
P1 : 소수화제 대기 위치 (대기 위치)
P11 : 제 1 검출 위치
P12 : 제 2 검출 위치
P2 : 유기 용제 대기 위치 (대기 위치)
W : 기판
2 : 처리 유닛
3 : 제어 장치
4 : 챔버
5 : 스핀 척 (기판 유지 유닛)
6 : 대향 부재
10 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
11 : 유기 용제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
21a : 기판 대향면
33a : 제 3 토출구
34a : 제 4 토출구
51 : 소수화제 배관 (처리액 배관)
56 : 소수화제 흡인 배관 (흡인 배관)
58 : 제 1 소수화제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치)
62 : 소수화제 흡인 밸브 (흡인 밸브)
63 : 제 2 소수화제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치)
64 : 제 1 센서
65 : 제 1 유무 센서
66 : 제 2 유무 센서
67a : 상한 위치
67b : 하한 위치
68 : 제 1 에어 공급 배관 (제 2 구동원)
69 : 제 1 에어 공급 밸브 (제 2 구동원)
70 : 제 2 에어 공급 배관 (제 1 구동원)
71 : 제 2 에어 공급 밸브 (제 1 구동원)
72 : 오리피스
73 : 제 1 유량계
74 : 제 2 유량계
77 : 제 2 센서
81 : 유기 용제 배관 (처리액 배관)
86 : 유기 용제 흡인 배관 (흡인 배관)
88 : 제 1 유기 용제 흡인 장치 (제 1 흡인 장치)
92 : 유기 용제 흡인 밸브 (흡인 밸브)
93 : 제 2 유기 용제 흡인 장치 (제 2 흡인 장치)
201 : 고정 니들
202 : 모터 니들
210 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
251 : 소수화제 배관 (처리액 배관)
263 : 제 2 소수화제 흡인 장치
263A : 감압 상태 발생기
264 : 카메라
276 : 전공 레귤레이터
310 : 소수화제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛)
365 : 제 1 액면 센서
366 : 제 2 액면 센서
F1 : 소수화제의 선단면 (처리액의 선단면)
F2 : 유기 용제의 선단면 (처리액의 선단면)
P1 : 소수화제 대기 위치 (대기 위치)
P11 : 제 1 검출 위치
P12 : 제 2 검출 위치
P2 : 유기 용제 대기 위치 (대기 위치)
W : 기판
Claims (51)
- 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면 (主面) 을 향해서 처리액을 토출하기 위한 토출구에 연통하는 처리액 배관과,
상기 처리액 배관에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛과,
상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하기 위한 흡인 유닛과,
상기 처리액 공급 유닛 및 상기 흡인 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
상기 제어 장치가,
상기 처리액 공급 유닛에 의해, 상기 토출구로부터 처리액을 토출하고자 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,
상기 흡인 유닛에 의해, 상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하는 흡인 공정으로서, 상기 흡인 공정은, 처리액의 선단면을 후퇴시켜, 흡인 후의 처리액의 선단면을, 상기 처리액 배관의 내부에 있어서의 미리 정하는 대기 위치에 배치시키는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 포함하는, 상기 흡인 공정을 실행하고,
또한, 상기 제어 장치가, 상기 제 2 흡인 공정의 후에, 상기 처리액 공급 유닛에 의해 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 대기 위치 배치 공정을 실행하고,
상기 제 1 흡인 공정이 실행된 경우 및 상기 제 2 흡인 공정이 실행된 경우에서, 다음의 처리액의 토출 전에 처리액의 선단면의 배치 위치가 공통되는, 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 접속된 접속 배관을 추가로 포함하고,
상기 흡인 유닛이, 상기 접속 배관에 접속된 흡인 배관과, 상기 흡인 배관에 접속된 흡인 장치를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 제 2 흡인 공정에 있어서, 상기 흡인 장치에 의해, 처리액의 선단면을, 상기 접속 배관에 있어서의 상기 흡인 배관의 접속 위치에 대해 상기 흡인 장치측으로 후퇴시키는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 토출구가, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능하게 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하고, 당해 기판의 주면을 따른 방향으로 이동 불가능한 기판 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고,
상기 토출구가, 상기 기판 대향면에 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액을 검출하는 센서를 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 센서에 의한 검출 결과에 의해, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 상기 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 판단 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 검출하는 제 1 센서를 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 제 1 센서에 의한 검출 결과에 기초하여, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있는지 여부를 판단하는 제 1 판단 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 대기 위치가, 상기 처리액 배관에 있어서 처리액의 유통 방향으로 소정의 거리를 띄우고 정해진, 제 1 위치와 제 2 위치의 사이의 영역이고, 상기 제 2 위치가 상기 제 1 위치에 대하여 상기 토출구측에 배치되어 있고,
상기 제 1 센서가, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 1 유무 센서와, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 2 유무 센서를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 제 1 판단 공정에 있어서, 상기 제 1 유무 센서에 의해 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고 또한 상기 제 2 유무 센서에 의해 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있다고 판단하는, 기판 처리 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 센서가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 촬상하기 위한 카메라를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 제 1 판단 공정에 있어서, 상기 카메라에 의한 촬상 결과에 기초하여 판단하는 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하기 위한 제 2 센서를 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 제 2 센서에 의한 검출 결과에 기초하여, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 제 2 판단 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 처리액 공급 유닛이,
상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 배관과,
상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액이, 상기 처리액 배관과의 사이에서 선택적으로 공급되는 처리액 배액 배관과,
상기 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 상기 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일정한 관계가 되도록, 상기 처리액 배관 및/또는 상기 처리액 배액 배관의 관폭을 조절하는 배관폭 조정 유닛을 포함하고,
상기 제 2 센서가, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하도록 구성되어 있고,
상기 제어 장치가, 상기 제 2 판단 공정에 있어서, 상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액을, 상기 처리액 배관이 아니라 상기 처리액 배액 배관에 토출하면서, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 취득하는 유량 취득 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 배관폭 조정 유닛이, 상기 처리액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실과 상기 처리액 배액 배관에 있어서의 액체의 유통 시의 압손실이 일치하도록, 상기 처리액 배관 및/또는 상기 처리액 배액 배관의 관폭을 조절하는 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 배관폭 조정 유닛이, 오리피스를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 배관폭 조정 유닛이, 모터 니들을 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 배관폭 조정 유닛은, 고정 니들을 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 있어서 판단한 경우에 에러를 알리는 에러 알림 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 있어서 판단한 경우에, 상기 대기 위치 배치 공정을 실행하지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 상기 대기 위치 배치 공정을 중단하는 중단 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 있어서의 소정의 제 1 검출 위치에, 처리액의 선단면이 도달한 것을 검출하는 제 1 액면 센서와,
상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하기 위한 속도 검출 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서, 상기 제 1 액면 센서의 출력에 기초하여, 처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 통과 타이밍을 취득하고, 상기 속도 검출 유닛에 의해 검출되는 처리액의 선단면의 속도를 취득하고, 상기 통과 타이밍 및 상기 처리액의 속도에 기초하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는, 기판 처리 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 속도 검출 유닛이,
상기 제 1 검출 위치보다 하류측에 설정된 제 2 검출 위치에, 처리액의 선단면이 도달한 것을 검출하는 제 2 액면 센서를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 제 1 액면 센서에 의해 처리액의 선단면이 검출되는 제 1 통과 타이밍과, 상기 제 2 액면 센서에 의해 처리액의 선단면이 검출되는 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 흡인 유닛이, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을, 흡인력을 변경 가능하게 흡인하기 위한 변경 가능 흡인 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 변경 가능 흡인 유닛이,
소정의 흡인력으로 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 흡인하는 제 1 흡인 장치와,
상기 제 1 흡인 장치보다 큰 흡인력으로 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 흡인하는 제 2 흡인 장치를 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 처리액 배관의 흡인원을, 상기 제 1 흡인 장치와 상기 제 2 흡인 장치의 사이에서 전환하는 전환 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 20 항에 있어서,
상기 제 1 흡인 장치가, 다이어프램식의 흡인 장치를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 접속되고, 상기 다이어프램식의 흡인 장치가 개재 장착되는 흡인 배관과,
상기 흡인 배관을 개폐하는 개폐 밸브를 추가로 포함하고,
상기 다이어프램식의 흡인 장치를 구동하기 위한 제 1 의 구동원과, 상기 개폐 밸브를 구동하기 위한 제 2 구동원은 서로 독립되어 있는, 기판 처리 장치. - 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
상기 제 2 흡인 장치가, 이젝터식의 흡인 장치를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 변경 가능 흡인 유닛이, 압축 유체에 의해 작동되는 이젝터식의 흡인 장치를 포함하고,
상기 흡인 장치가, 상기 압축 유체가 공급되는 감압 상태 발생기와, 상기 감압 상태 발생기에 공급되는 상기 압축 유체의 공급 유량을 무단계로 변경하기 위한 전공 레귤레이터를 포함하는, 기판 처리 장치. - 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관의 내부를 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의해 흡인하는 병행 흡인 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 25 항에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 병행 흡인 공정에 있어서, 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의한 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력이, 상기 제 1 흡인 공정에 있어서의 상기 변경 가능 흡인 유닛에 의한 흡인력보다 커지도록 상기 변경 가능 흡인 유닛을 제어하는, 기판 처리 장치. - 제 25 항에 있어서,
상기 제어 장치가, 상기 병행 흡인 공정에 있어서, 상기 처리액 배관 내를 흐르는 처리액에 작용하는 흡인력과 당해 처리액에 작용하는 공급압의 균형에 의해, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 정지하도록 상기 변경 가능 흡인 유닛을 제어하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 전에 실행되는 전처리에 있어서 상기 대기 위치 배치 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 전에 실행되는 전처리에 있어서 상기 제 2 흡인 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 상기 기판 처리 후에 실행되는 후처리에 있어서 상기 제 2 흡인 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 제어 장치가, 상기 처리 유닛에 있어서 미리 정하는 매수의 상기 기판에 대한 상기 기판 처리가 종료한 경우에, 상기 제 2 흡인 공정을 실행하는, 기판 처리 장치. - 토출구에 연통하는 처리액 배관을 포함하는 기판 처리 장치에서 실행되는 기판 처리 방법으로서,
상기 토출구로부터 처리액을 토출하고자 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,
상기 처리액 배관의 내부에 존재하고 있는 처리액을 흡인하는 흡인 공정을 포함하고,
상기 흡인 공정은, 처리액의 선단면을 후퇴시켜, 흡인 후의 처리액의 선단면을, 상기 처리액 배관의 내부에 있어서의 미리 정하는 대기 위치에 배치시키는 제 1 흡인 공정과, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치보다 후퇴시키는 제 2 흡인 공정을 포함하고,
상기 제 2 흡인 공정의 후에, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 대기 위치 배치 공정을 추가로 포함하고,
상기 제 1 흡인 공정이 실행된 경우 및 상기 제 2 흡인 공정이 실행된 경우에서, 다음의 처리액의 토출 전에 처리액의 선단면의 배치 위치가 공통되는, 기판 처리 방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 처리액 배관에는 접속 배관이 접속되고, 상기 접속 배관에 흡인 배관이 접속되고, 또한 상기 흡인 배관에 흡인 장치가 접속되어 있고,
상기 제 2 흡인 공정이, 처리액의 선단면을, 상기 접속 배관에 있어서의 상기 흡인 배관의 접속 위치에 대하여 상기 흡인 장치측으로 후퇴시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액을 검출하는 센서에 의한 검출 결과에 의해, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 판단 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 검출하는 제 1 센서에 의한 검출 결과에 기초하여, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있는지 여부를 판단하는 제 1 판단 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 35 항에 있어서,
상기 대기 위치가, 상기 처리액 배관에 있어서 처리액의 유통 방향으로 소정의 거리를 띄우고 정해진, 제 1 위치와 제 2 위치의 사이의 영역이고, 상기 제 2 위치가 상기 제 1 위치에 대하여 상기 토출구측에 배치되어 있고,
상기 제 1 센서가, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 1 유무 센서와, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 존부를 검출하는 제 2 유무 센서를 포함하고,
상기 제 1 판단 공정이,
상기 제 1 유무 센서에 의해, 상기 제 1 위치에 있어서의 처리액의 존재가 검출되고, 또한, 상기 제 2 유무 센서에 의해, 상기 제 2 위치에 있어서의 처리액의 비존재가 검출된 경우에, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 있다고 판단하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 35 항에 있어서,
상기 제 1 센서가, 상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면을 촬상하기 위한 카메라를 포함하고,
상기 제 1 판단 공정이,
상기 처리액 배관에 존재하고 있는 처리액의 선단면의, 상기 카메라에 의한 촬상 결과에 기초하여 판단하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하는 제 2 센서의 검출 결과에 기초하여, 상기 대기 위치 배치 공정 후의 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되는지 여부를 판단하는 제 2 판단 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 제 2 센서가, 상기 처리액 배관에 처리액을 공급하는 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하도록 구성되어 있고,
상기 제 2 판단 공정이,
상기 처리액 공급 배관으로부터의 처리액을, 상기 처리액 배관이 아니라, 상기 처리액 공급 배관에 접속된 처리액 배액 배관에 토출하면서, 상기 처리액 공급 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 제 2 센서에 의해 검출함으로써, 상기 대기 위치 배치 공정에 있어서 상기 처리액 배관을 흐르는 처리액의 유량을 취득하는 유량 취득 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 처리액 배관에 있어서의 소정의 제 1 검출 위치를, 처리액의 선단면이 도달한 것을 검출하는 선단면 검출 공정과,
상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하는 속도 검출 공정을 추가로 포함하고,
상기 대기 위치 배치 공정이, 처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 통과 타이밍과, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도에 기초하여, 처리액의 선단면을 상기 대기 위치에 배치하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 40 항에 있어서,
상기 속도 검출 공정이,
처리액의 선단면이 상기 제 1 검출 위치를 통과한 제 1 통과 타이밍과, 상기 제 1 검출 위치보다 하류측에 설정된 제 2 검출 위치를 처리액의 선단면이 통과한 제 2 통과 타이밍에 기초하여, 상기 처리액 배관을 통과하는 처리액의 속도를 검출하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 34 항에 있어서,
상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 의해 판단된 경우에 에러를 알리는 에러 알림 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 34 항에 있어서,
상기 대기 위치 배치 공정 후에 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 배치되지 않는다고 상기 판단 공정에 의해 판단된 경우에, 상기 대기 위치 배치 공정을 실행하지 않거나, 혹은 이미 실행 개시되고 있는 상기 대기 위치 배치 공정을 중단하는 중단 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 제 1 흡인 공정이, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을 제 1 흡인 장치에 의해 소정의 흡인력으로 흡인하는 공정을 포함하고,
상기 제 2 흡인 공정이, 상기 처리액 배관의 내부의 처리액을, 제 2 흡인 장치에 의해 상기 소정의 흡인력보다 큰 흡인력으로 흡인하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 대기 위치 배치 공정에 병행하여, 상기 처리액 배관의 내부를 흡인하는 병행 흡인 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법. - 제 45 항에 있어서,
상기 병행 흡인 공정에 있어서의 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력이, 상기 제 1 흡인 공정에 있어서의 상기 처리액 배관을 흡인하는 흡인력보다 큰, 기판 처리 방법. - 제 45 항에 있어서,
상기 병행 흡인 공정이, 상기 처리액 배관 내를 흐르는 처리액에 작용하는 흡인력과 당해 처리액에 작용하는 공급압의 균형에 의해, 처리액의 선단면이 상기 대기 위치에 정지하는 흡인력으로 상기 처리액 배관을 흡인하는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치가,
기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 전에 전처리를 실행하고,
상기 대기 위치 배치 공정이, 상기 전처리에 있어서 실행되는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치가,
기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 전에 전처리를 실행하고,
상기 제 2 흡인 공정이, 상기 전처리에 있어서 실행되는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치가,
기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리 후에 후처리를 실행하고,
상기 제 2 흡인 공정이, 상기 후처리에 있어서 실행되는, 기판 처리 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치가,
기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 당해 기판 유지 유닛을 수용하는 쳄버를 갖고, 상기 처리액 배관에 접속되어, 기판에 대하여 처리액을 사용한 기판 처리를 실시하는 처리 유닛을 추가로 포함하고,
상기 처리 유닛은, 기판에 대한 처리액을 사용한 기판 처리를 실행하고,
상기 제 2 흡인 공정이, 미리 정하는 매수의 기판에 대한 상기 기판 처리가 실행된 후에 실행되는, 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017129539 | 2017-06-30 | ||
| JPJP-P-2017-129539 | 2017-06-30 | ||
| JP2018114922A JP7042704B2 (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-15 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JPJP-P-2018-114923 | 2018-06-15 | ||
| JPJP-P-2018-114922 | 2018-06-15 | ||
| JP2018114923A JP7149111B2 (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-15 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| PCT/JP2018/024699 WO2019004390A1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200010502A KR20200010502A (ko) | 2020-01-30 |
| KR102302022B1 true KR102302022B1 (ko) | 2021-09-13 |
Family
ID=65226996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197038213A KR102302022B1 (ko) | 2017-06-30 | 2018-06-28 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11823921B2 (ko) |
| JP (2) | JP7042704B2 (ko) |
| KR (1) | KR102302022B1 (ko) |
| CN (1) | CN110800086B (ko) |
| TW (1) | TWI661482B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014194200A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Creasey Graham H | Topical neurological stimulation |
| JP2022086094A (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR102578764B1 (ko) * | 2021-03-25 | 2023-09-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7008928B1 (ja) * | 2021-06-02 | 2022-02-14 | ヤマトテクノス有限会社 | 基板洗浄真空乾燥装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170803A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006302934A (ja) | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2015109335A (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2016072337A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3801446B2 (ja) | 2001-01-15 | 2006-07-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US20040049301A1 (en) * | 2002-09-10 | 2004-03-11 | M Fsi Ltd. | Apparatus and method for preparing and supplying slurry for CMP machine |
| TWI561312B (en) | 2006-03-31 | 2016-12-11 | Toray Industries | Coating method, coating device and manufacturing method and manufacturing device for components of a display |
| JP2009188113A (ja) | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置 |
| JP5434329B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
| JP5270607B2 (ja) | 2010-03-30 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6034081B2 (ja) | 2012-07-17 | 2016-11-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| US10464107B2 (en) * | 2013-10-24 | 2019-11-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP6032190B2 (ja) | 2013-12-05 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
| JP6246602B2 (ja) | 2014-01-16 | 2017-12-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| US9601358B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-03-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method |
| JP6432824B2 (ja) | 2014-08-15 | 2018-12-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6359925B2 (ja) | 2014-09-18 | 2018-07-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
2018
- 2018-06-15 JP JP2018114922A patent/JP7042704B2/ja active Active
- 2018-06-15 JP JP2018114923A patent/JP7149111B2/ja active Active
- 2018-06-28 CN CN201880041589.6A patent/CN110800086B/zh active Active
- 2018-06-28 US US16/626,674 patent/US11823921B2/en active Active
- 2018-06-28 KR KR1020197038213A patent/KR102302022B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-29 TW TW107122563A patent/TWI661482B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002170803A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006302934A (ja) | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2015109335A (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2016072337A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11823921B2 (en) | 2023-11-21 |
| CN110800086B (zh) | 2023-12-19 |
| TWI661482B (zh) | 2019-06-01 |
| TW201917787A (zh) | 2019-05-01 |
| CN110800086A (zh) | 2020-02-14 |
| US20200227285A1 (en) | 2020-07-16 |
| JP7042704B2 (ja) | 2022-03-28 |
| JP2019012823A (ja) | 2019-01-24 |
| KR20200010502A (ko) | 2020-01-30 |
| JP2019012824A (ja) | 2019-01-24 |
| JP7149111B2 (ja) | 2022-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102302022B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR102205818B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US8512478B2 (en) | Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus | |
| KR100979979B1 (ko) | 액처리 장치 및 액처리 방법 | |
| TW201808473A (zh) | 基板處理裝置及處理罩洗淨方法 | |
| KR102378913B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| KR102082568B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2018142694A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| KR20220153502A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP6216200B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2007258565A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6429314B2 (ja) | 基板処理システム | |
| WO2019004390A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP4995669B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP7302997B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 | |
| WO2018056067A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| WO2023182064A1 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20210128519A (ko) | 기판 처리용 분리배출장치 | |
| JP2016152278A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20100026823A (ko) | Ｄⅰ 린스용 유체 제어장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |