JP2023117145A - 処理液供給方法および基板処理装置 - Google Patents

処理液供給方法および基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023117145A
JP2023117145A JP2022019693A JP2022019693A JP2023117145A JP 2023117145 A JP2023117145 A JP 2023117145A JP 2022019693 A JP2022019693 A JP 2022019693A JP 2022019693 A JP2022019693 A JP 2022019693A JP 2023117145 A JP2023117145 A JP 2023117145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
valve
nozzle
suction operation
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022019693A
Other languages
English (en)
Inventor
栄寿 佐川
Eiju Sagawa
淳樹 西村
Atsuki Nishimura
聡 山本
Satoshi Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022019693A priority Critical patent/JP2023117145A/ja
Priority to PCT/JP2022/043002 priority patent/WO2023153045A1/ja
Priority to TW111145253A priority patent/TW202332511A/zh
Publication of JP2023117145A publication Critical patent/JP2023117145A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】液切れ位置を容易に調整することができる処理液供給方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】処理液を吐出するノズル８と、ノズル８に接続する配管１２と、配管１２に設けられた開閉弁１７と、ノズル８と開閉弁１７の間の配管１２に設けられたサックバック弁１８とを備えた基板処理装置１の処理液供給方法は、開閉弁１７に閉動作を行わせることにより、ノズル８からの処理液の吐出を停止する吐出停止工程と、開閉弁１７の閉動作に連動させてサックバック弁１８に第１の吸引動作を行わせることで、ノズル８から柱状に吐出される処理液が分断される位置である液切れ位置を調整する液切れ位置調整工程と、を備えている。【選択図】図１

Description

本発明は、処理液供給方法および、基板を処理する基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
従来の基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルに接続される配管と、配管に設けられた開閉弁と、ノズルと開閉弁との間の配管に設けられたサックバック弁とを備える（例えば、特許文献１，２参照）。サックバック弁は、ノズル内の処理液を吸引するために用いられる。
特許第６４２０６０４号 特開２０１９－０１２８２４号公報
しかしながら、従来の基板処理装置は次の問題を有する。図１０（ａ）～図１０（ｃ）を参照する。開閉弁を開くと、ノズル１０８から柱状の処理液ＬＱが吐出される（図１０（ａ）参照）。その後、開閉弁を閉じると、処理液の吐出が停止する。処理液は粘性を有するので処理液の液切れ位置はノズル１０８の下方位置になる。この傾向は中・高粘度（例えば４５～５００ｃＰ）の処理液の吐出を停止させる場合に著しくなり、いわゆる液切れ状態が悪くなる。液切れ状態が悪くなると、ノズル１０８の下方位置で液切れして垂れ下がった処理液が、処理液の表面張力によりノズル１０８側に引き戻され、ノズル先端の吐出口から半球状の処理液が突出したような状態になる。
この現象を具体的に説明する。開閉弁を閉じた際に、処理液の停止性、反応性が悪く、また、慣性力により処理液が少し動いてから止まる。そのため、図１０（ｂ）に示す液切れ位置（高さ）がノズル１０８の下方になる。液切れ位置がノズル１０８の下方になると、液切れ後にノズル先端側の柱状の処理液ＬＱが表面張力によりノズル先端面に戻り、それによって、ノズル１０８の先端の吐出口から半球状の処理液ＬＱが突出したような状態になる（図１０（ｃ）参照）。その結果、液切れ後の処理液の液面位置はノズル１０８の先端から少し下方の位置になる。なお、本明細書において、「液切れ位置」とは、開閉弁を閉じた際に、ノズル１０８から吐出されて柱状に延びる処理液ＬＱが２つに分断される位置をいう（図１０（ｂ）参照）。また、本明細書において、「液面位置」とは、液切れ後にノズル１０８内の流路に存在する処理液、またはノズル１０８の先端の吐出口から突出した半球状の処理液の下流側の末端位置をいう。
通常、液切れは開閉弁の閉動作の速度で調整される。しかし、高粘度の処理液の場合、開閉弁の動作速度によって、液切れ状態を改善することはとても難しい。液切れを良くするために開閉弁を高速で閉じると開閉弁内で処理液の圧力変動が過大になり気泡発生などの不都合が発生するからである。そのため、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラ、塗布ムラ、パーティクル、ノズル汚染などの様々な問題を生じさせる。例えば、液切れ後にノズル先端側の柱状の処理液ＬＱが表面張力によりノズル先端面に戻ったときに処理液が飛び散って膜厚ムラや塗布ムラの原因になる。また、ノズルの先端にノズル１０８の先端の吐出口から半球状の処理液ＬＱが突出したような状態になると処理液の溶媒が気化してノズル１０８の先端に処理液の固化物が付着する。これにより、パーティクルやノズル汚染の原因になる。また、ノズルの移動時にノズル先端の液滴が落下する可能性がある。その液滴が基板上に落下すると、塗布ムラ、膜厚異常、パーティクル悪化を招く。また、その液滴が基板外に落下すると、その落下位置の空間内において汚染が生じる。
上述したように、液切れ後にノズル１０８の先端に処理液が半球状に溜まると種々の不都合を招くので、サックバック弁を利用して液切れ後の液面位置を調整することは既に行われている。具体的には、開閉弁を閉じた後にサックバック弁を作動させてバルブ内流路を拡大することにより、ノズルに繋がる流路内の処理液を吸引して引き戻し、処理液の液面位置をノズル１０８内に設定している。これにより処理液の溶媒の蒸発を防いでいる。しかし、容易に理解できるように、従来の手法は処理液の液面位置を調整してはいるが、処理液の液切れ位置の調整を行っていない。したがって、処理液の液切れ位置がノズルから下方の位置になることに起因した不都合は従来のサックバルブ弁を利用した処理液の液面調整の技術によっては解決することができない。
なお、特許文献１には、サックバック弁とノズルとの間の配管に「フィルタ」が設けられた塗布装置が記載されている。この塗布装置は、開閉弁の閉動作とサックバック弁の吸引動作の開始とを調整することができる。それにより、液切れ調整（開閉弁の閉動作によりノズルからの処理液の供給が一端途切れた後にノズルから処理液が垂れ落ちる液ダレを防止すること）を簡単にできる。また、この特許文献１では、「液切れ」が処理液の供給を実際に停止させることと定義されている。すなわち、特許文献１には、本願明細書でいう「液切れ位置」の調整についての言及がない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、液切れ位置を容易に調整することができる処理液供給方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る処理液供給方法は、処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続する配管と、前記配管に設けられた開閉弁と、前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられたサックバック弁と、を備えた基板処理装置の処理液供給方法であって、前記開閉弁に閉動作を行わせることにより、前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止する吐出停止工程と、前記開閉弁の前記閉動作に連動させて前記サックバック弁に吸引動作を行わせることで、前記ノズルから柱状に吐出される前記処理液が分断される位置である液切れ位置を調整する液切れ位置調整工程と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る処理液供給方法によれば、液切れ位置を調整するために、開閉弁の閉動作に連動させてサックバック弁に吸引動作を行わせている。これにより、液切れ位置を容易に調整することができ、それによって、液切れ位置をノズルの先端面に容易に位置合わせることができる。また、液切れ位置を容易に調整できることで、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラおよび塗布ムラ等の発生を防止することができる。
また、上述の処理液供給方法において、前記液切れ位置調整工程は、前記液切れ位置を前記ノズルの先端面の高さに調整することが好ましい。液切れ位置がノズルの先端面に調整されると、例えば、ノズルからの処理液の吐出量のバラツキを抑えることができ、それによって、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラを防止することができる。
また、上述の処理液供給方法は、前記液切れ位置調整工程の後に、前記サックバック弁に第２の吸引動作を行わせることで、前記ノズル内の流路に存在する処理液の下流側の末端位置である処理液の液面位置を調整する液面位置調整工程を更に備えていることが好ましい。すなわち、処理液供給方法は、２段階の吸引動作を行わせる。吸引動作は、液切れ位置の調整に用いられ、第２の吸引動作は、ノズルの内部における処理液の液面位置の調整に用いられる。
また、上述の処理液供給方法において、前記液切れ位置調整工程における前記吸引動作の速度は、前記液面位置調整工程における前記第２の吸引動作の速度よりも速いことが好ましい。液切れ位置調整工程における吸引動作を比較的速く行うことで、液切れ位置を調整することができる。更に、液面位置調整工程における第２の吸引動作をゆっくり行うことで、吸引した処理液からパーティクル源となる液滴が分離することを防止することができる。
また、上述の処理液供給方法において、前記液面位置調整工程における前記第２の吸引動作は、前記液切れ位置調整工程における前記吸引動作の終了時点から予め設定された時点までの遅延時間が経過した後に開始されることが好ましい。吸引動作と第２の吸引動作との間には、遅延時間が介在するので、液切れが不安定になることを防止することができる。
また、上述の処理液供給方法において、前記液切れ位置調整工程は、前記開閉弁の前記閉動作が終了した時点から予め設定された期間内に前記サックバック弁に前記吸引動作を開始させることで、前記液切れ位置を調整することが好ましい。より高粘度の処理液を用いる場合に、液切れ位置を容易に調整することができる。
また、上述の処理液供給方法において、前記液切れ位置調整工程は、前記開閉弁が前記閉動作を行っている途中に前記サックバック弁に吸引動作を開始させ、かつ前記閉動作が終了した後に前記吸引動作を終了させることで、前記液切れ位置を調整することが好ましい。中粘度および低粘度の処理液を用いる場合に、液切れ位置を容易に調整することができる。
また、本発明に係る基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続する配管と、前記配管に設けられた開閉弁と、前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられたサックバック弁と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記開閉弁に閉動作を行わせることにより、前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止し、前記制御部は、前記開閉弁の前記閉動作に連動させて前記サックバック弁に吸引動作を行わせることで、前記ノズルから柱状に吐出される前記処理液が分断される位置である液切れ位置を調整することを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、液切れ位置を調整するために、開閉弁の閉動作に連動させてサックバック弁に吸引動作を行わせている。これにより、液切れ位置を容易に調整することができ、それによって、液切れ位置をノズルの先端面に容易に位置合わせることができる。また、液切れ位置を容易に調整できることで、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラおよび塗布ムラ等の発生を防止することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記制御部は、前記液切れ位置を調整した後に、前記サックバック弁に第２の吸引動作を行わせることで、前記ノズル内の流路に存在する処理液の下流側の末端位置である処理液の液面位置を調整することが好ましい。すなわち、制御部は、２段階の吸引動作を行う。吸引動作は、液切れ位置の調整に用いられ、第２の吸引動作は、ノズルの内部における処理液の液面位置の調整に用いられる。
また、上述の基板処理装置において、前記サックバック弁は、単一のサックバック弁であり、前記制御部は、前記単一のサックバック弁に前記吸引動作および前記第２の吸引動作を行わせることが好ましい。単一のサックバック弁を用いて液切れ位置を容易に調整することができる。
また、上述の基板処理装置は、前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられた第２サックバック弁を更に備え、前記制御部は、前記吸引動作を前記サックバック弁に行わせ、また、前記第２の吸引動作を前記第２サックバック弁に行わせることが好ましい。２つのサックバック弁を用いて液切れ位置を容易に調整することができる。
本発明に係る処理液供給方法および基板処理装置によれば、液切れ位置を容易に調整することができる。
実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。 開閉弁とサックバック弁を示す縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 開閉弁の閉動作時間とサックバック弁の吸引遅延時間の関係を示す評価結果である。 サックバック弁の吸引遅延時間とサックバック弁の吸引時間の関係を示す評価結果である。 実施例２に係る基板処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 実施例３に係る基板処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 変形例に係る基板処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 変形例に係る基板処理装置の概略構成図である。 （ａ）は、ノズルから柱状の処理液が吐出されている状態を示す図であり、（ｂ）は、液切れ位置を説明するための図であり、（ｃ）は、液切れ直後にノズルの先端部に付着する半球状の処理液を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成図である。図２は、開閉弁とサックバック弁を示す縦断面図である。図３は、実施例１に係る基板処理装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
（１）基板処理装置１の構成
図１を参照する。基板処理装置１は、保持回転部２と処理液供給部３を備える。保持回転部２は、水平姿勢の基板Ｗを保持し、基板Ｗの略中心を通過する鉛直軸ＡＸ１周りに基板Ｗを回転させる。保持回転部２は、スピンチャック５と回転機構６を備える。回転機構６は、例えば電動モータを備える。回転機構６は、基板Ｗを保持するスピンチャック５を鉛直軸ＡＸ１周りに回転させる。
スピンチャック５は、例えば、真空吸着により基板Ｗの下面を保持するように構成される。また、スピンチャック５は、スピンベースと複数のピン部材を備えていてもよい（いずれも図示しない）。この場合、複数のピン部材は、鉛直軸ＡＸ１周りにリング状に配置されるようにスピンベースの上面に立設される。そして、複数のピン部材で基板Ｗの側面を挟み込むことで、スピンベースの上面から基板Ｗを離しながら、基板Ｗが保持される。
処理液供給部３は、ノズル８、処理液供給源１０、配管１２、ポンプ１４、フィルタ１５、開閉弁１７、およびサックバック弁１８を備える。
ノズル８は、処理液を吐出する。ノズル８は、内部流路８Ａと吐出口８Ｂとを備える。内部流路８Ａは、上下方向に延びるように形成される。吐出口８Ｂは、ノズル８の先端面、すなわち、内部流路８Ａの下端に設けられる。吐出口８Ｂの直径は例えば１．５ｍｍである。しかし、吐出口８Ｂの直径は１．５ｍｍに限定されない。処理液供給源１０は、処理液を貯留する。処理液供給源１０は、例えばボトルである。処理液として、例えば、フォトレジスト液、ＳＯＧ（Spin on glass coating）液、ＳＯＤ(Spin on dielectric coating)液、ポリイミド樹脂液、または反射防止膜を形成するための液が用いられる。
配管１２の末端は、ノズル８の基端部に接続する。配管１２の基端は、処理液供給源１０に挿入される。ポンプ１４は、ノズル８側に処理液を送るものである。ポンプ１４は、ノズル８と処理液供給源１０の間の配管１２に設けられる。フィルタ１５は、処理液内の異物および気泡を除去するものである。フィルタ１５は、ノズル８とポンプ１４の間の配管１２に設けられる。
開閉弁１７は、ノズル８からの処理液の供給およびその供給の停止を行う。開閉弁１７は、ノズル８とフィルタ１５の間の配管１２に設けられる。サックバック弁１８は、吸引動作および押し出し動作を行う。サックバック弁１８は、ノズル８と開閉弁１７の間の配管１２に設けられる。サックバック弁１８は、開閉弁１７に隣接して配置されるが、開閉弁１７から離れて配置されていてもよい。
また、基板処理装置１は、制御部２０と記憶部（図示しない）を備えている。制御部２０は、基板処理装置１の各構成を制御する。制御部２０は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つまたは複数のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。
図２を参照する。開閉弁１７とサックバック弁１８の構成を説明する。開閉弁１７とサックバック弁１８は、一体になっている。開閉弁１７とサックバック弁１８は、例えば、電気信号で各種パラメータを調整することができるＤＣＶ（デジタルコントロールバルブ）で構成される。
開閉弁１７は、ケース２１、ダイアフラム２３、ロッド２５、変換部２７および電動モータ２９を備える。ケース２１は、上流流路３１、開閉室３３および連結流路３５を備える。
上流流路３１、開閉室３３、および連結流路３５は各々、ケース２１の内部に設けられた空間である。上流流路３１は、配管１２のフィルタ１５側の部分が接続される。開閉室３３は、ダイアフラム２３を受けるための弁座３７を備える。連結流路３５は、後述するサックバック用流路５１に接続される。
ダイアフラム２３は、弁体（valve element）として用いられる。ダイアフラム２３の外周部は、ケース２１の内部空間の側壁に取り付けられる。ダイアフラム２３は、開閉室３３と、図２に示す空間ＳＰ１とを隔離する。そのため、開閉室３３内の処理液が空間ＳＰ１に漏れることはない。
また、ダイアフラム２３の中央部は、ロッド２５の下端と連結する。ロッド２５の上端は、変換部２７を介して、電動モータ２９の回転出力軸２９Ａに連結する。変換部２７および後述する変換部４７は各々、複数の歯車およびガイド部を備える。変換部２７は、電動モータ２９の回転出力軸２９Ａの回転をロッド２５の軸方向（図２のＺ方向）の直線運動に変換する。なお、電動モータ２９および後述する電動モータ４９として、ステッピングモータ（パルスモータ）が用いられる。
電動モータ２９が回転出力軸２９Ａを順方向に回転させると、ロッド２５およびダイアフラム２３の中央部が下降し、その後、ダイアフラム２３の中央部が弁座３７に押し付けられる（図２の破線で示すダイアフラム２３参照）。これにより、開閉室３３から連結流路３５に処理液の流れが停止する。すなわち、開閉弁１７が閉状態になる。
この状態から、電動モータ２９が回転出力軸２９Ａを逆方向に回転させると、ロッド２５およびダイアフラム２３の中央部が上昇する。これにより、ダイアフラム２３の中央部が弁座３７から離れる（図２の実線で示すダイアフラム２３参照）。これにより、開閉室３３から連結流路３５に処理液が流れる。すなわち、開閉弁１７が開状態になる。
サックバック弁１８は、ケース４１、ダイアフラム４３、ロッド４５、変換部４７および電動モータ４９を備える。ケース４１は、サックバック用流路５１を備える。サックバック用流路５１は、ケース４１の内部に設けられた空間である。サックバック用流路５１には、配管１２のノズル８側の部分が接続される。上流流路３１、開閉室３３、連結流路３５およびサックバック用流路５１は互いに連通する。
ダイアフラム４３は、弁体として用いられる。ダイアフラム４３の外周部は、ケース４１の内部空間の側壁に取り付けられる。ダイアフラム４３は、サックバック用流路５１と図２に示す空間ＳＰ２とを隔離する。また、ダイアフラム４３の中央部は、ロッド４５の下端と連結する。ロッド４５の上端は、変換部４７を介して、電動モータ４９の回転出力軸４９Ａに連結する。変換部４７は、電動モータ４９の回転出力軸４９Ａの回転をロッド４５の軸方向の直線運動に変換する。
電動モータ４９が回転出力軸４９Ａを順方向に回転させると、ロッド４５およびダイアフラム４３の中央部が下降する（図２の実線で示すダイアフラム４３参照）。これにより、サックバック用流路５１の容積が小さくなる。サックバック用流路５１の容積が小さくなると、サックバック弁１８による押し出し動作が行われる。
これに対し、電動モータ４９が回転出力軸４９Ａを逆方向に回転させると、ロッド４５およびダイアフラム４３の中央部が上昇する（図２の破線で示すダイアフラム４３参照）。これにより、サックバック用流路５１の容積が大きくなる。サックバック用流路５１の容積が大きくなると、サックバック弁１８による吸引動作が行われる。
（２）基板処理装置１の動作
次に、図３を参照しながら基板処理装置１の動作を説明する。図示しない搬送ロボットは、保持回転部２のスピンチャック５上に基板Ｗを搬送する。スピンチャック５は、搬送された基板Ｗを保持する。回転機構６は、処理液を基板Ｗ上に広げるために、基板Ｗが保持されたスピンチャック５を任意のタイミングで回転させる。
図３の時点ｔ０において、開閉弁１７は閉状態である。すなわち、開閉弁１７のダイアフラム２３の中央部が弁座３７に押し付けられた状態である。また、時点ｔ０において、サックバック弁１８のダイアフラム４３の中央部の高さは、予め設定されたサックバック位置ＳＢ２にある。
時点ｔ１において、制御部２０は、開閉弁１７の電動モータ２９にＯＮ信号（開信号）を送ることによって、開閉弁１７に開動作を行わせる。これにより、ノズル８から基板Ｗに処理液が吐出される（処理液吐出工程）。
開閉弁１７の開動作は、時点ｔ１に開始し、時点ｔ２に終了する。時点ｔ１から時点ｔ２までの時間は、開動作時間ＯＴと呼ばれる。また、図３において、符号ＡＭＴは、開閉弁１７のダイアフラム２３の中央部の動作量（移動量）である。動作量ＡＭＴは、ステップ数で与えられる。すなわち、開動作において、ダイアフラム２３の中央部は、開動作時間ＯＴで動作量ＡＭＴを移動する。
また、制御部２０は、時点ｔ２の開動作の終了時にサックバック弁１８の押し出し動作を開始させる。その後、押し出し動作は、時点ｔ３に終了する。押し出し動作において、サックバック弁１８のダイアフラム４３の中央部は、サックバック位置ＳＢ２から吐出位置ＤＳに移動する。ダイアフラム４３の中央部の動作量（移動量）もステップ数で与えられる。
その後、時点ｔ４において、制御部２０は、開閉弁１７の電動モータ２９にＯＦＦ信号（閉信号）を送ることによって、開閉弁１７に閉動作を行わせる。これにより、ノズル８からの処理液の吐出を停止する（吐出停止工程）。
閉動作は、時点ｔ４に開始し、時点ｔ５に終了する。時点ｔ４から時点ｔ５までの時間は、閉動作時間ＣＴと呼ばれる。閉動作において、ダイアフラム２３の中央部は、閉動作時間ＣＴで上述の動作量ＡＭＴを移動する。閉動作時間ＣＴは、例えば、０．１秒～０．３秒である。
通常、液切れ状態（液切れ）の調整は、閉動作時間ＣＴを変更することで行われる。しかし、高粘度の処理液の場合、開閉弁１７の閉動作における処理液の液切れ位置がノズル８の先端面の高さよりも下方になり、閉動作時間ＣＴの変更による液切れ状態の調整がとても難しい。そこで、制御部２０は、開閉弁１７の閉動作に連動させてサックバック弁１８に第１の吸引動作を行わせることで、液切れ位置を調整する（液切れ位置調整工程）。液切れ位置は、図１０（ｂ）に示すように、ノズル８（ノズル１０８）から柱状に吐出される処理液ＬＱが分断される位置である。
制御部２０は、ノズル８の先端面の高さ（または吐出口８Ｂの高さ）およびその高さ付近に液切れ位置を調整する。液切れ位置は、図１０（ｃ）に示すように、液切れ直後の液面位置で間接的に計測される。液切れ直後の液面位置は、例えば、ノズル８の先端面の高さを０ｍｍとしたときに、－２ｍｍ以上０ｍｍ以下の範囲に調整される。また、液切れ位置を間接的に表す液面位置の範囲は、－０．５ｍｍ以上０ｍｍ以下であることが好ましい。これらにより、液切れ位置がノズル８の先端から下方に位置することによる不都合（例えば膜厚ムラやパーティクルの発生など）を防止できる。
具体的に、開閉弁１７の閉動作に連動させるサックバック弁１８の第１の吸引動作を説明する。制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５からサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させる。すなわち、開閉弁１７の閉動作の開始（時点ｔ４）から時点ｔ５までの予め設定された吸引遅延時間ＤＬ１が経過したときに、サックバック弁１８は第１の吸引動作を開始する。第１の吸引動作は、時点ｔ５から時点ｔ６までの吸引時間ＳＫ１で行われる。また、動作量ＡＭ１（ステップ数）は、吐出位置ＤＳから調整位置ＳＢ１までの間の距離である。第１の吸引動作において、サックバック弁１８のダイアフラム４３の中央部は、吸引時間ＳＫ１で動作量ＡＭ１を移動する。すなわち、ダイアフラム４３の中央部の移動速度は、動作量ＡＭ１を吸引時間ＳＫ１で割った値である。
位置切れ位置を調整した後の時点ｔ７において、制御部２０は、サックバック弁１８に第２の吸引動作を行わせることで、ノズル８の内部における処理液の液面位置を液切れ後の液面位置よりも更に引き上げたサックバック位置ＳＢ２に調整する（液面位置調整工程）。液面位置をノズル８の内部上方に引き上げることにより、ノズル８の内部に残留する処理液から溶媒が揮発するのを防止することができる。第２の吸引動作は、液面位置調整用のサックバック動作である。第２の吸引動作の動作量ＡＭ２（ステップ数）は、調整位置ＳＢ１からサックバック位置ＳＢ２までの間の距離である。第２の吸引動作は、動作量ＡＭ２を吸引時間ＳＫ２で割った速度で行われる。
また、第２の吸引動作は、第１の吸引動作よりも低速で行われる。すなわち、液切れ位置調整工程における第１の吸引動作の速度は、液面位置調整工程における第２の吸引動作の速度よりも速い。なお、第１の吸引動作の吸引時間ＳＫ１は、例えば０．１秒～０．２秒である。これに対し、第２の吸引動作の吸引時間ＳＫ２は、例えば、高粘度の処理液で２秒～３秒である。なお、中粘度および低粘度の処理液で、吸引時間ＳＫ２は、０．８秒～１秒である。２つの動作量ＡＭ１，ＡＭ２は各々、場合によって異なる。
例えば、第１の吸引動作によりダイアフラム４３の中央部を吐出位置ＤＳからサックバック位置ＳＢ２に一度に移動させる場合かつ、第１の吸引動作が速過ぎた場合、吸引した処理液から処理液の液滴が分離し、分離した液滴がノズル８の内部流路８Ａの内壁に付着することがある。この液滴は乾燥するとパーティクル源となるおそれがあるので好ましくない。また、第１の吸引動作の速度が遅過ぎると、通常の液面位置調整用のサックバックとなるので、液切れ位置を調整する機能が十分に働かない。そのため、液切れ位置調整工程における第１の吸引動作を比較的に速く行うことで、液切れ位置を調整することが好ましい。更に、液面位置調整工程における第２の吸引動作をゆっくり行うことで、吸引した処理液からパーティクル源となる液滴が分離することを防止することができる。
また、第１の吸引動作の終了時点ｔ６から予め設定された時点ｔ７までの第２の吸引遅延時間ＤＬ２が経過した後に、第２の吸引動作は開始される。第２の吸引遅延時間ＤＬ２は、例えば１秒前後（０．５秒～１．５秒程度）であるが、この時間に限定されない。第１の吸引動作と第２の吸引動作との間には、第２の吸引遅延時間ＤＬ２が介在するので、液切れが不安定になることを防止することができる。なお、第２の吸引動作は、制御部２０からの閉信号が送られた時点ｔ４を基準にする場合、第１の吸引遅延時間ＤＬ１、吸引時間ＳＫ１および第２の吸引遅延時間ＤＬ２の合計である吸引遅延時間ＤＬ２１の経過後に行われる。
ノズル８から基板Ｗの上面に予め設定された量の処理液が吐出され、また、回転機構６による基板Ｗの回転が行われた後、回転機構６による基板Ｗの回転が停止される。その後、スピンチャック５による基板Ｗの保持が解除される。その後、搬送ロボットは、スピンチャック５上の基板Ｗを保持し、その基板Ｗを次の搬送先に搬送する。
その後、スピンチャック５上に搬送された他の基板Ｗの上面にノズル８から処理液が供給される。時点ｔ９，ｔ１０，ｔ１１における開閉弁１７およびサックバック弁１８の動作は、時点ｔ１，ｔ２，ｔ３における開閉弁１７およびサックバック弁１８の動作と同じである。
（３）第１の吸引動作の各パラメータ
本実施例では、制御部２０は、開閉弁１７の閉動作に連動させてサックバック弁１８に第１の吸引動作を行わせている。これにより、液切れ位置を調整する。液切れ位置を調整するパラメータとして、「吸引遅延時間ＤＬ１」、「動作量ＡＭ１」および「吸引時間ＳＫ１」がある。
（３－１）吸引遅延時間ＤＬ１（動作タイミング）
比較的に高粘度（例えば３２５ｃＰ）の処理液の場合、開閉弁１７の閉動作が完了しても液に流動性がある。そのため、液が完全に止まるまで時間がある。この時間内に第１の吸引動作を行うことで、液切れ位置を調整することができる。
図４は、開閉弁１７の閉動作時間ＣＴと吸引遅延時間ＤＬ１の関係を示す評価結果である。なお、動作量ＡＭ１と吸引時間ＳＫ１は各々、一定値が用いられる。図４の評価では、３２５ｃＰのシリコンオイルが用いられている。Ａ判定は、液切れ位置がノズル８の先端面またはその付近にあり、液切れ位置を調整する機能が十分に働いていることを示す。Ｂ判定は、液切れ直後にノズル８の先端部に半球状の液滴ができる前段階の状態である。例えば、Ｂ判定は、ノズル８の先端面から＋側に液滴が僅かに出ている状態である。Ｂ判定も液切れ位置を調整する機能がある程度働いている（使用可能）と判断できる。Ｃ判定は、液切れ直後にノズル８の先端部に半球状の液滴が付着した状態であり、液切れ位置を調整する機能が働いていないと判断できる。
例えば、図４に示す閉動作時間ＣＴが「０．１秒」の場合について、評価結果を説明する。吸引遅延時間ＤＬ１が「０．０５秒」のときは、第１の吸引動作の開始が速すぎ、吸引の効果が十分に発揮されていない。そのため、液切れ位置がノズル８の先端面の下方位置になる。その結果、ノズル８の先端面に半球状の液滴が付着するので、Ｃ判定である。また、吸引遅延時間ＤＬ１が「０．１秒～０．２５秒」のときは、Ａ判定である。この場合、液切れ位置はノズル８の先端面付近であるので、ノズル８の先端面に液滴が付着していない。また、吸引遅延時間ＤＬ１が「０．３０秒」のときは、Ｂ判定である。そして、吸引遅延時間ＤＬ１が「０．３５秒～０．５０秒」のときは、第１の吸引動作のタイミングが遅いので、液切れ位置はノズル８の先端面から下方位置になる。すなわち、一瞬、ノズル８の先端部に半球状の液滴が付着した状態になって、その後、第１の吸引動作が働くようになる。そのため、通常のサックバック（液面位置の調整）と同じ動作となる。
また、図４において、３つの閉動作時間ＣＴにおいて、Ａ判定とＢ判定の範囲の幅（期間）が０．２秒～０．２５秒であることが確認される。また、Ａ判定の範囲（液切れ位置を調整する機能の有効範囲）が閉動作時間ＣＴによってシフトすることが確認される。例えば、閉動作時間ＣＴが０．１秒のときは、Ａ判定の範囲の一端が吸引遅延時間ＤＬ１の０．１０秒となる。また、閉動作時間ＣＴが０．２秒のときは、Ａ判定の範囲の一端が吸引遅延時間ＤＬ１の０．２０秒となる。これらより、例えば、開閉弁１７が完全に閉まった状態である図３の時点ｔ５に第１の吸引動作を行わせることが有効である。
（３－２）動作量ＡＭ１
動作量ＡＭ１は、処理液の吸引量である。動作量ＡＭ１が小さいと、液切れ直後の液面位置がノズル８の先端面から＋側に突出した状態になる。動作量ＡＭ１が大きいと液切れ直後の状態がノズル８の先端面から－（マイナス）側に引き込んだ状態になる。動作量ＡＭ１が大き過ぎると、吸引された処理液から液滴が分離して、その液滴がノズル８の内部流路８Ａの内壁に付着しやすくなる。そのため、大き過ぎず小さ過ぎない範囲で動作量ＡＭ１が設定される。
（３－３）吸引時間ＳＫ１
吸引時間ＳＫ１は、吸引速度に関係するパラメータである。図５は、吸引遅延時間ＤＬ１と吸引時間ＳＫ１の関係を示す評価結果である。図５の吸引遅延時間ＤＬ１は、図４の閉動作時間ＣＴが０．２秒のときのＡ判定の吸引遅延時間ＤＬ１（０．２秒～０．３５秒）である。なお、動作量ＡＭ１は一定値が用いられる。
そして、液切れ直後の液面位置が－２ｍｍ以上０ｍｍ以下のときは、Ａ判定である。また、液切れ直後の液面位置が０ｍｍより大きく２ｍｍ以下のときは、Ｂ判定である。Ｂ判定も使用可能な範囲と判断される。この点、Ｂ判定は使用不可能としてもよい。なお、Ｂ判定が使用可能とする場合、液切れ位置を間接的に表す液切れ直後の液面位置の範囲は、－２ｍｍ以上２ｍｍ以下である。また、液切れ直後の液面位置が２ｍｍより大きいときは、Ｃ判定である。
図５より、吸引時間ＳＫ１が小さいとき、すなわち、速く吸引するときに、液切れ位置を調整する機能が十分に働いていることが確認される。また、Ａ判定とＢ判定の範囲の幅（期間）が０．２秒～０．２５秒程度あることが確認される。なお、吸引時間ＳＫ１がＣ判定の範囲では、処理液を吸引するタイミングが遅くなり、液切れ位置の調整機能は発揮されずに、通常の液面位置調整用のサックバック動作と同じ動作になる。
本実施例によれば、液切れ位置を調整するために、開閉弁１７の閉動作に連動させてサックバック弁１８に第１の吸引動作を行わせている。これにより、液切れ位置を容易に調整することができ、それによって、液切れ位置をノズル８の先端面およびその付近に容易に合わせることができる。また、液切れ位置を容易に調整できることで、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラおよび塗布ムラ等の発生を防止することができる。
また、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、ノズル８の先端面およびその付近の高さに液切れ位置を調整する。液切れ位置がノズル８の先端面およびその付近に調整されると、例えば、ノズル８からの処理液の吐出量のバラツキを抑えることができ、それによって、液切れ状態の悪さに起因する膜厚ムラを防止することができる。
また、制御部２０は、液切れ位置を調整した後に、サックバック弁１８に第２の吸引動作を行わせることで、ノズル８の内部における処理液の液面位置を調整する。すなわち、制御部２０は、２段階の吸引動作を行う。第１の吸引動作は、液切れ位置の調整に用いられ、第２の吸引動作は、ノズル８の内部における処理液の液面位置の調整に用いられる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図６は、実施例２に係る基板処理装置１の動作を説明するためのタイミングチャートである。
実施例１の図３では、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させた。この点、実施例２では、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５から予め設定された期間ＳＡ内にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させてもよい。これにより、液切れ位置を調整する。
図４において、例えば、開閉弁１７の閉動作時間ＣＴが０．２秒であるとき、吸引遅延時間ＤＬ１のＡ判定とＢ判定（またはＡ判定）の範囲に幅があった。そのため、図６に示すように、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５から予め設定された期間ＳＡ内に第１の吸引動作が行われる。なお、図６では、期間ＳＡ内の時点ｔ５１に第１の吸引動作が開始されている。また、期間ＳＡは、図４に示すＡ判定とＢ判定（またはＡ判定）の範囲のように、実験により決定される。
本実施例によれば、実施例１と同様に、液切れ位置を容易に調整することができる。また、開閉弁１７の閉動作が終了した時点に合わせて第１の吸引動作を開始させなくても、液切れ位置を調整する機能を働かせることができる。すなわち、液切れ位置を調整する機能を働かせるための第１の吸引動作の開始タイミングの幅を確保することができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図７は、実施例３に係る基板処理装置１の動作を説明するためのタイミングチャートである。
実施例１の図３では、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させた。この点、実施例３では、図７に示すように、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７が閉動作を行っている途中にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させ、かつ閉動作が終了した後に第１の吸引動作を終了させてもよい。これにより、液切れ位置を調整する。
また、実施例１において、高粘度の処理液が用いられた。本実施例では、中粘度（例えば６５ｃＰ）の処理液を用いる。高粘度の処理液は、開閉弁１７を完全に閉じても慣性力が大きく処理液が動くので、開閉弁１７を完全に閉じてから少し遅れて第１の吸引動作を行っても液切れ位置を調整する機能が十分働く（図４のＡ判定の範囲の幅、図６の期間ＳＡ参照）。
これに対し、高粘度の処理液よりも粘度が低い処理液の場合、液がさらさらしていて、応答性が速い。そのため、開閉弁１７を完全に閉じると、処理液が速く止まる。そのため、液の流動性がある期間が短い。そのため、開閉弁１７が閉動作を行っている途中に、サックバック弁１８が第１の吸引動作を開始しても液切れ位置を調整する機能が十分働く。そのため、液切れ位置を調整する機能を働かせるための第１の吸引動作の開始タイミングの幅を確保することができる。
本実施例によれば、実施例１と同様に、液切れ位置を容易に調整することができる。液切れ位置を調整する機能を働かせるための第１の吸引動作の開始タイミングの幅を確保することができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例１では、処理液は、高粘度（例えば３２５ｃＰ）の処理液であり、上述した実施例３の処理液は、中粘度（例えば６５ｃＰ）の処理液であった。処理液の粘度は、約４５ｃＰ～５００ｃＰの中粘度および高粘度であってもよい。また、処理液は、約４５ｃＰ～５００ｃＰ以外の粘度の処理液であってもよい。
高粘度の処理液を用いる場合は、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７の閉動作が終了した時点ｔ５から予め設定された期間ＳＡ内にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させることが好ましい。高粘度の処理液を用いる場合に、液切れ位置を容易に調整することができる。
また、中粘度および低粘度の処理液を用いる場合は、制御部２０は、液切れ位置を調整する際に、開閉弁１７が閉動作を行っている途中にサックバック弁１８に第１の吸引動作を開始させ、かつ閉動作が終了した後に吸引動作を終了させることが好ましい。中粘度および低粘度の処理液を用いる場合に、液切れ位置を容易に調整することができる。
（２）上述した各実施例および変形例（１）では、図３に示すように、第２の吸引動作は、第１の吸引動作の終了時点ｔ６から予め設定された時点ｔ７までの吸引遅延時間ＤＬ２が経過した後に開始された。この点、図８に示すように、第２の吸引動作は、第１の吸引動作の終了時点ｔ６に開始されてもよい。すなわち、この場合、吸引遅延時間ＤＬ２は０秒である。
ただし、第２の吸引動作の速度は第１の吸引動作の速度よりも遅くすることが好ましい。第２の吸引動作の速度が第１の吸引動作と同様に速い場合（例えば吸引時間ＳＫ１が０．１秒）、吸引された処理液から液滴が分離して、ノズル８の内部流路８Ａの内壁に付着し、その液滴がパーティクル源になるおそれがある。
また、第１の吸引動作と第２の吸引動作とを連続させた場合、液切れが不安定になるおそれがある。そのため、図３に示すように、第２の吸引動作は、第１の吸引動作の終了時点ｔ６から予め設定された時点ｔ７までの吸引遅延時間ＤＬ２が経過した後に開始されることが好ましい。
（３）上述した各実施例および各変形例では、基板処理装置１は、単一のサックバック弁１８を備えていた。この点、図９に示すように、基板処理装置１は、サックバック弁１８に加えて、サックバック弁７１を備えてもよい。サックバック弁７１は、ノズル８とサックバック弁１８の間の配管１２に設けられる。２つのサックバック弁１８，７１の配置は逆であってもよい。
２つのサックバック弁１８，７１は各々、電動モータで駆動されるものであってもよいし、気体で駆動されるものであってもよい。気体で駆動される各サックバック弁１８、７１は、スピードコントローラまたは電空レギュレータが用いられてもよい。
この変形例の場合、制御部２０は、第１の吸引動作をサックバック弁１８に行わせ、また、第２の吸引動作を第２サックバック弁７１に行わせてもよい。また、２つの役割は、逆であってもよい。すなわち、制御部２０は、第１の吸引動作を第２サックバック弁７１に行わせ、また、第２の吸引動作をサックバック弁１８に行わせてもよい。
（４）上述した各実施例および各変形例では、制御部２０は、ノズル８の先端面の高さに液切れ位置を調整した。この調整は、液切れ位置を間接的に表す液切れ後の液面位置を用いて行われた。この点、基板処理装置１は、ノズル８の先端部分付近を撮影できる高速カメラを備えて、制御部２０が、高速カメラによって撮影された画像から液切れ位置を計測するように構成されてもよい。なお、高速カメラは、液切れ位置を細かく計測できるフレームレート（フレーム／秒）を備えているものとする。
（５）上述した各実施例および各変形例では、例えば図３において、制御部２０は、開閉弁１７の閉動作に連動させて、サックバック弁１８により、第１の吸引動作および第２の吸引動作を行った。この点、サックバックするための第２の吸引動作が不要である場合、制御部２０は、第２の吸引動作を行わずに、第１の吸引動作だけを行ってもよい。
（６）上述した各実施例および各変形例では、図１に示す基板処理装置１は、ポンプ１４を備えていた。基板処理装置１は、ポンプ１４に加えて、フィルタ１５と開閉弁１７の間の配管１２に更にポンプを備えていてもよい。すなわち、基板処理装置１は、２つ以上のポンプを備えていてもよい。
（７）上述した各実施例および各変形例では、処理液として、例えばフォトレジスト液およびＳＯＧ液が用いられた。しかし、処理液はこれらに限定されない。処理液は、例えば、溶剤、現像液、リンス液、エッチング液、または洗浄液が用いられてもよい。溶剤は、例えば、シンナーが用いられてもよい。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）などの純水、または、界面活性剤リンス液が用いられてもよい。
エッチング液は、例えば、フッ酸（ＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）の混合液、またはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム：Tetramethylammonium hydroxide）が用いられてもよい。洗浄液は、例えば、ＳＣ１、ＳＣ２またはＳＰＭが用いられてもよい。ＳＣ１は、アンモニアと過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と水との混合液である。ＳＣ２は、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と水との混合液である。ＳＰＭは、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合液である。
１ … 基板処理装置
８ … ノズル
１２ … 配管
１７ … 開閉弁
１８，７１ … サックバック弁
２０ … 制御部
２３，４３ … ダイアフラム
７１ … サックバック弁
ＣＴ … 閉動作時間
ＤＬ１ … 吸引遅延時間
ＡＭ１ … 動作量
ＳＫ１ … 吸引時間
ＳＡ … 期間

Claims (11)

  1. 処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに接続する配管と、前記配管に設けられた開閉弁と、前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられたサックバック弁と、を備えた基板処理装置の処理液供給方法であって、
    前記開閉弁に閉動作を行わせることにより、前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止する吐出停止工程と、
    前記開閉弁の前記閉動作に連動させて前記サックバック弁に吸引動作を行わせることで、前記ノズルから柱状に吐出される前記処理液が分断される位置である液切れ位置を調整する液切れ位置調整工程と、
    を備えていることを特徴とする処理液供給方法。
  2. 請求項１に記載の処理液供給方法において、
    前記液切れ位置調整工程は、前記液切れ位置を前記ノズルの先端面の高さに調整することを特徴とする処理液供給方法。
  3. 請求項１または２に記載の処理液供給方法において、
    前記液切れ位置調整工程の後に、前記サックバック弁に第２の吸引動作を行わせることで、前記ノズル内の流路に存在する処理液の下流側の末端位置である処理液の液面位置を調整する液面位置調整工程を更に備えていることを特徴とする処理液供給方法。
  4. 請求項３に記載の処理液供給方法において、
    前記液切れ位置調整工程における前記吸引動作の速度は、前記液面位置調整工程における前記第２の吸引動作の速度よりも速いことを特徴とする処理液供給方法。
  5. 請求項３または４に記載の処理液供給方法において、
    前記液面位置調整工程における前記第２の吸引動作は、前記液切れ位置調整工程における前記吸引動作の終了時点から予め設定された時点までの遅延時間が経過した後に開始されることを特徴とする処理液供給方法。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載の処理液供給方法において、
    前記液切れ位置調整工程は、前記開閉弁の前記閉動作が終了した時点から予め設定された期間内に前記サックバック弁に前記吸引動作を開始させることで、前記液切れ位置を調整することを特徴とする処理液供給方法。
  7. 請求項１から５のいずれかに記載の処理液供給方法において、
    前記液切れ位置調整工程は、前記開閉弁が前記閉動作を行っている途中に前記サックバック弁に吸引動作を開始させ、かつ前記閉動作が終了した後に前記吸引動作を終了させることで、前記液切れ位置を調整することを特徴とする処理液供給方法。
  8. 処理液を吐出するノズルと、
    前記ノズルに接続する配管と、
    前記配管に設けられた開閉弁と、
    前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられたサックバック弁と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記開閉弁に閉動作を行わせることにより、前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止し、
    前記制御部は、前記開閉弁の前記閉動作に連動させて前記サックバック弁に吸引動作を行わせることで、前記ノズルから柱状に吐出される前記処理液が分断される位置である液切れ位置を調整すること
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記液切れ位置を調整した後に、前記サックバック弁に第２の吸引動作を行わせることで、前記ノズル内の流路に存在する処理液の下流側の末端位置である処理液の液面位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記サックバック弁は、単一のサックバック弁であり、
    前記制御部は、前記単一のサックバック弁に前記吸引動作および前記第２の吸引動作を行わせることを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記ノズルと前記開閉弁の間の前記配管に設けられた第２サックバック弁を更に備え、
    前記制御部は、前記吸引動作を前記サックバック弁に行わせ、また、前記第２の吸引動作を前記第２サックバック弁に行わせることを特徴とする基板処理装置。
JP2022019693A 2022-02-10 2022-02-10 処理液供給方法および基板処理装置 Pending JP2023117145A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022019693A JP2023117145A (ja) 2022-02-10 2022-02-10 処理液供給方法および基板処理装置
PCT/JP2022/043002 WO2023153045A1 (ja) 2022-02-10 2022-11-21 処理液供給方法および基板処理装置
TW111145253A TW202332511A (zh) 2022-02-10 2022-11-25 處理液供給方法及基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022019693A JP2023117145A (ja) 2022-02-10 2022-02-10 処理液供給方法および基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023117145A true JP2023117145A (ja) 2023-08-23

Family

ID=87564113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022019693A Pending JP2023117145A (ja) 2022-02-10 2022-02-10 処理液供給方法および基板処理装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023117145A (ja)
TW (1) TW202332511A (ja)
WO (1) WO2023153045A1 (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307980B2 (ja) * 1992-04-15 2002-07-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2010171295A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Tokyo Electron Ltd 処理液供給システムにおける液切れ制御方法
JP6420604B2 (ja) * 2014-09-22 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置
JP2016111306A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス サックバックバルブ、サックバックバルブシステムおよび基板処理装置
JP6319117B2 (ja) * 2015-01-26 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023153045A1 (ja) 2023-08-17
TW202332511A (zh) 2023-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10403501B2 (en) High-purity dispense system
JP5979700B2 (ja) 基板処理方法
JP5698487B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
WO2013080688A1 (ja) 塗布装置および塗布方法
KR102394235B1 (ko) 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치들
KR102434100B1 (ko) 처리액 공급 장치, 처리액 공급 방법 및 기억 매체
WO2016152308A1 (ja) 塗布方法
US11599026B2 (en) Dispensing nozzle design and dispensing method thereof
TWI760354B (zh) 高純度分配單元
WO2023153045A1 (ja) 処理液供給方法および基板処理装置
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5127127B2 (ja) 塗膜形成方法
WO2013117633A1 (en) A method for non-drip dispensing of a liquid and a nozzle therefore
US10354872B2 (en) High-precision dispense system with meniscus control
JP4446917B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI399246B (zh) 改良式供液裝置及其使用方法
JP2004140168A (ja) 基板処理装置
US9786524B2 (en) Developing unit with multi-switch exhaust control for defect reduction
JP2008294095A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0262031A (ja) サックバック弁
KR20080059795A (ko) 반도체 제조장비의 코팅액 노즐구조
KR20060057113A (ko) 반도체 제조장비의 코팅액 노즐구조
JP2008288530A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2021084066A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2004214513A (ja) レジスト塗布装置、レジスト塗布方法及び半導体装置の製造方法