JP7540936B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法と、基板を処理する基板処理装置とに関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
環境負荷の観点から、基板からレジストを除去する際に用いられる薬液の使用量を低減することが求められている。そこで、薬液の使用量を低減するための技術が提案されている。
下記特許文献１には、基板の被処理面を撮像することによって取得された画像の輝度値に基づいて処理終了時点を検出し、処理終了時点が検出された時点で基板の被処理面への薬液の供給を停止する技術が開示されている。
下記特許文献２には、基板から排出される薬液を受け止める第１のガードの内壁の画像を取得し、その画像に含まれる薬液の色の変化に応じて、基板から排出される薬液の排出先を、排液配管から回収配管に切り替える技術が開示されている。
特開２０１９－０６２００７号公報 特開２０１９－１６９６４８号公報
基板の被処理面に塗布されているレジストの種類によっては、レジストの除去による基板の被処理面の輝度値の変化が小さく基板の被処理面の画像から処理終了時点を検出することが困難な場合がある。逆に、レジストの除去によるガードの内壁面の輝度値の変化が小さくガードの内壁面の画像から処理終了時点を検出することが困難な場合もある。
そこで、この発明の１つの目的は、処理液による基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明の一実施形態は、筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程で得られた画像の輝度値を監視して、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この基板処理方法によれば、基板の被処理面に供給された処理液は、基板を取り囲む筒状のガードによって受けられる。基板の被処理面に処理液を供給している間に、被処理面およびガードの内壁面の両方の画像が取得され、取得さられた画像の輝度値が監視される。そのため、基板の被処理面の画像の輝度値（以下では、「基板輝度値」ということがある。）、および、ガードの内壁面の画像の輝度値（以下では、「ガード輝度値」ということがある。）の両方に基づいて処理終了時点を検出することができる。したがって、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方のみを監視する構成と比較して、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる。
この発明の一実施形態では、前記検出工程が、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、前記処理終了時点として検出する工程を含む。そのため、基板の被処理面に対する処理が終了した際の画像輝度値またはガード輝度値の変化が充分でない場合であっても、基板の被処理面に対する処理の終了を速やかに検出することができる。
この発明の一実施形態では、前記検出工程が、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に所定の変化が生じた後、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの他方に前記所定の変化が生じた時点、ならびに、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に前記所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、前記処理終了時点として検出する工程を含む。
基板の被処理面に対する処理が充分に進行して基板輝度値に所定の変化が生じた場合であっても、基板の被処理面に対する処理によって生じた残渣がガードの内壁面に付着し、ガードの内壁面から当該残渣を除去するために処理液の供給を継続する必要がある場合がある。逆に、基板の被処理面の全体の処理が終了していないにもかかわらず、基板の被処理面の一部の処理が進行することによってガード輝度値に所定の変化が生じる場合もある。
これらのような場合であっても、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた後、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた時点、ならびに、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、処理終了時点として検出すれば、基板の被処理面に対する処理が充分に進行し、かつ、ガードの内壁面に付着した残渣が充分に除去された時点を速やかに検出することができる。その結果、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の被処理面上の処理液を加熱する加熱工程と、前記処理終了時点が検出された場合には、前記基板の被処理面への処理液の供給を維持しながら、前記基板の被処理面上の処理液に対する加熱を弱める加熱弱化工程と、前記加熱弱化工程の後、前記基板の被処理面への処理液の供給を停止し、前記基板の被処理面上の処理液を洗い流すリンス液を前記基板の被処理面に供給するリンス供給工程とさらに含む。
この基板処理方法によれば、基板の被処理面に対する処理の終了と同時に基板の被処理面にリンス液が供給されるのではなく、基板に対する加熱が弱められた後に、基板の被処理面にリンス液が供給される。すなわち、基板に対する加熱の弱化によって基板の温度が低下した後に、基板の被処理面にリンス液が供給される。したがって、基板に対するリンス液の供給に起因する基板温度の急激な低下（ヒートショック）を和らげることができる。処理液による基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、リンス液によって処理液を円滑に洗い流すことができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板から飛散する処理液を排液流路に排出する排液工程と、前記処理終了時点が検出された場合には、前記基板から飛散する処理液の排出先を排液流路から回収流路に切り替える流路切替工程とをさらに含む。
そのため、基板の被処理面に対する処理が終了した適切な時点で、処理液の排出先が回収流路に切り替えられる。したがって、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、基板の被処理面に対する処理が終了した後に基板の被処理面に供給された処理液、すなわち、比較的清浄度が高い処理液を回収することができる。
この発明の他の実施形態は、筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する判定工程とを含む、基板処理方法を提供する。
輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間が経過するまでに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じない場合には、前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じないことを報知する報知工程が実行され、前記開始時点から前記報知時間が経過するまでに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程が実行される。
この基板処理方法によれば、基板の被処理面に供給された処理液は、基板を取り囲む筒状のガードによって受けられる。基板の被処理面に処理液を供給している間に、被処理面およびガードの内壁面の両方の画像が取得され、基板の被処理面に所定の変化が生じたか否かが判定される。
輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過するまでに、画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、基板輝度値、および、ガード輝度値の両方に基づいて処理終了時点を検出することができる。したがって、基板輝度値、および、ガード輝度値のいずれか一方のみを監視する構成と比較して、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる。
逆に、輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過するまでに、画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じない場合には、その旨が報知される。そのため、検出異常によって処理終了時点が検出されないことを速やかに報知することができる。報知に応じて基板処理を停止させることによって、検出異常時の処理液の消費を抑制できる。
複数枚の基板を連続的に処理する場合には、処理済みの基板の処理終了時点に基づいて報知時間を算出することができる。これにより、報知時間の最適化を図れる。
この発明の他の実施形態は、筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する判定工程とを含む、基板処理方法を提供する。
前記基板の被処理面に対する処理液の供給の終了が予定されている供給終了時点までに、処理終了時点が検出されない場合には、前記供給終了時点を延期する供給終了時点延期工程が実行され、前記供給終了時点までに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程が実行される。
この基板処理方法によれば、基板の被処理面に供給された処理液は、基板を取り囲む筒状のガードによって受けられる。基板の被処理面に処理液を供給している間に、被処理面およびガードの内壁面の両方の画像が取得され、基板の被処理面に所定の変化が生じたか否かが判定される。供給終了時点までに、画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、基板輝度値、および、ガード輝度値の両方に基づいて処理終了時点を検出することができる。したがって、基板の輝度値、および、ガード輝度値のいずれか一方のみを監視する構成と比較して、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる。
処理終了時点は、常に一定とは限らず、基板毎に個体差が存在する。供給終了時点までに、画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じない場合には、供給終了時点が延期される。そのため、処理終了時点が想定よりも遅い場合であっても、基板を適切に処理することができる。
この発明の他の実施形態は、基板を所定の保持位置に保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に、基板の被処理面を処理する処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲み、当該基板から飛散する処理液を受ける筒状のガードと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得ユニットと、前記画像取得ユニットによって取得される画像の輝度値を監視して、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。
この基板処理装置によれば、基板の被処理面に供給された処理液は、基板を取り囲む筒状のガードによって受けられる。基板の被処理面に処理液を供給している間に、被処理面およびガードの内壁面の両方の画像が取得され、取得さられた画像の輝度値が監視される。そのため、基板輝度値およびガード輝度値の両方に基づいて処理終了時点を検出することができる。したがって、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方のみを監視する構成と比較して、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出することができる。
この発明の他の実施形態では、前記検出ユニットは、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を前記処理終了時点として検出する。そのため、基板の被処理面に対する処理が終了した際の画像輝度値またはガード輝度値の変化が充分でない場合であっても、基板の被処理面に対する処理の終了を速やかに検出することができる。
この発明の他の実施形態では、前記検出ユニットが、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に所定の変化が生じた後、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの他方に前記所定の変化が生じた時点、ならびに、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に前記所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、前記処理終了時点として検出する。
基板の被処理面に対する処理が充分に進行した場合であっても、基板の被処理面に対する処理によって生じた残渣がガードの内壁面に付着する場合がある。逆に、基板の被処理面に対する処理が充分に進行していないにもかかわらず、所定の変化がガード輝度値に生じる場合もある。
これらのような場合であっても、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた後、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた時点、ならびに、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、処理終了時点として検出すれば、基板の被処理面に対する処理が充分に進行し、かつ、ガードの内壁面に付着した残渣が充分に除去された時点を速やかに検出することができる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面上の処理液を加熱し、前記処理終了時点において当該基板の加熱を弱める加熱ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に、処理液を洗い流すリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、前記処理終了時点よりも後において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に供給される液体を処理液からリンス液に切り替える液切替ユニットとをさらに含む。
この基板処理装置によれば、基板の被処理面に対する処理の終了と同時に基板の被処理面にリンス液が供給されるのではなく、基板に対する加熱が弱められた後に、基板の被処理面にリンス液が供給される。すなわち、基板に対する加熱の停止によって基板の温度が低下した後に、基板の被処理面にリンス液が供給される。したがって、基板に対するリンス液の供給による基板温度の急激な低下（ヒートショック）を和らげることができる。処理液による基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、リンス液によって処理液を円滑に洗い流すことができる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置は、前記ガードによって受けられる処理液を排液する排液流路と、前記基板保持ユニットに保持されている基板から飛散する処理液を回収する回収流路と、前記処理終了時点において、前記基板から飛散する処理液の排出先を排液流路から回収流路に切り替える流路切替ユニットとをさらに含む。
そのため、基板の被処理面に対する処理が終了した適切な時点で、処理液の排出先が回収流路に切り替えられる。したがって、基板の被処理面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、基板の被処理面に対する処理が終了した後に基板の被処理面に供給された処理液、すなわち、比較的清浄度が高い処理液を回収することができる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置は、輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間が経過するまでに前記処理終了時点を前記検出ユニットが検出しない場合には、前記処理終了時点が検出されないことを報知する報知ユニットをさらに含む。そのため、検出異常によって処理終了時点が検出されないことを速やかに報知することができる。報知に応じて基板処理を停止させることによって、検出異常時の処理液の消費を抑制できる。
複数枚の基板を連続的に処理する場合、処理済みの基板の処理終了時点に基づいて報知時間を算出することができる。これにより、報知時間の最適化を図れる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に対する処理液の供給の終了が予定されている供給終了時点が経過するまでに前記処理終了時点を前記検出ユニットが検出しない場合には、前記供給終了時点を延期する供給終了時点延期ユニットをさらに含む。
処理終了時点は、常に一定とは限らず、基板毎に個体差が存在する。供給終了時点までに、画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じない場合には、供給終了時点が延長される。そのため、処理終了時点が想定よりも遅い場合であっても、基板を適切に処理することができる。
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成例を説明するための模式的な断面図である。 図３は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図４は、前記処理ユニットに備えられる画像取得ユニットによって取得される画像データの一例である。 図５Ａは、前記画像データの検出対象領域における輝度値の経時変化の一例を示すグラフである。 図５Ｂは、前記検出対象領域における輝度値の経時変化の一例を示すグラフである。 図５Ｃは、前記検出対象領域における輝度値の経時変化の一例を示すグラフである。 図６は、前記基板処理装置による具体的な基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。 図７は、前記基板処理における主要な動作についてのタイムチャートである。 図８Ａは、前記基板処理における除去処理工程の様子を説明するための模式図である。 図８Ｂは、前記除去処理工程の様子を説明するための模式図である。 図８Ｃは、前記除去処理工程の様子を説明するための模式図である。 図９は、前記処理ユニットに備えらえるコントローラによって実行される終了時点検出処理の第１例の流れを示すフローチャートである。 図１０は、前記終了時点検出処理の第２例の流れを示すフローチャートである。 図１１は、前記終了時点検出処理の第３例の流れを示すフローチャートである。 図１２は、前記終了時点検出処理の第４例の流れを示すフローチャートである。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜基板処理装置の構成＞
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを処理する装置である。基板処理装置１は、たとえば、基板Ｗを一枚ずつ連続処理する枚葉式の基板処理装置（枚葉処理装置）である。
この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板Ｗは、一対の主面を有する。一対の主面のうち少なくとも一方が、回路パターンが形成されたデバイス面である。一対の主面のうちの一方は、回路パターンが形成されていない非デバイス面であってもよい。基板Ｗのデバイス面には、レジスト膜が形成されている。この実施形態では、デバイス面を上方に向けた姿勢で処理される。この実施形態では、基板Ｗの上面が、処理液によって処理される被処理面である。
レジスト膜を構成するレジスト組成物としては、ポジ型のレジスト組成物およびネガ型組成物等を用いることができる。ポジ型のレジスト組成物としては、たとえば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型レジスト組成物が挙げられる。
ネガ型のレジスト組成物としては、たとえば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型レジスト組成物が挙げられる。
ここでキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型レジスト組成物において用いられるキノンジアジド系感光剤の例としては、１，２－ベンゾキノンジアジド－４－スルホン酸、１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミドが挙げられる。またアルカリ可溶性樹脂の例としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル酸あるいはメタクリル酸のコポリマーが挙げられる。ノボラック樹脂としては、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、キシレノール等のフェノール類の１種又は２種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類の１種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
また、化学増幅型のレジスト組成物は、ポジ型およびネガ型のいずれであっても用いることができる。化学増幅型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、たとえば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基あるいはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
基板処理装置１は、基板Ｗを液体で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを備える。
搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＩＲおよびＣＲは、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に向かって延びる搬送経路ＴＲ上に配置されている。
複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。詳しくは後述するが、処理ユニット２内で基板Ｗに向けて供給される液体には、除去液（処理液）およびリンス液等が含まれる。
複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの処理タワーを形成している。各処理タワーは、上下方向に積層された複数（たとえば、３つ）の処理ユニット２を含む。４つの処理タワーは、搬送経路ＴＲの両側に２つずつ配置されている。
基板処理装置１は、バルブや配管等を収容する複数の流体ボックス４と、除去液、リンス液またはこれらの原料液を貯留するタンクを収容する貯留ボックス５とを含む。処理ユニット２および流体ボックス４は、平面視略四角形状のフレーム６の内側に配置されている。貯留ボックス５は、図１の例では、フレーム６の外側に配置されている。貯留ボックス５は、図１の例とは異なり、フレーム６の内側に配置されていてもよい。貯留ボックス５は、たとえば、複数の流体ボックス４と同数設けられている。各貯留ボックス５に貯留されている液体は、その貯留ボックス５に対応する流体ボックス４を介して、この流体ボックス４に対応する処理タワーを構成する複数（たとえば、３つ）の処理ユニット２に供給される。
この実施形態とは異なり、１つの貯留ボックス５から全ての流体ボックス４に液体を供給するように構成されていてもよい。
各処理ユニット２は、基板Ｗを水平に保持しながら回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック７と、スピンチャック７を取り囲み基板Ｗから飛散する液体を受ける処理カップ８と、スピンチャック７および処理カップ８を収容するチャンバ９とを備える。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。
チャンバ９には、搬送ロボットＣＲによって、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口９ａが形成されている。チャンバ９には、この出入口９ａを開閉するシャッタユニット９ｂが備えられている。
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式的な断面図である。
チャンバ９は、スピンチャック７および処理カップ８を取り囲む略四角筒状の側壁９Ａと、スピンチャック７よりも上方に配置された上壁９Ｂと、スピンチャック７を支持する下壁９Ｃと含む。チャンバ９の上壁９Ｂの上方には、クリーンエア（フィルタによってろ過された空気）を送るＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１０が設けられている。ＦＦＵ１０からチャンバ９の内部にクリーンエアが供給され、チャンバ９内に供給されたクリーンエアは、側壁９Ａの下端部に設けられた排気ダクト９ｄを介してチャンバ９から排出される。
スピンチャック７は、基板Ｗを所定の保持位置に基板Ｗを保持する基板保持ユニット２０と、基板保持ユニット２０を回転軸線Ａ１まわりに回転させる基板回転ユニット２１とを含む。スピンチャック７は、基板保持回転ユニットの一例である。保持位置は、図２に示す基板Ｗの位置であり、基板Ｗが水平な姿勢で保持される位置である。
基板保持ユニット２０は、水平方向に沿う円板形状を有するスピンベース２２と、スピンベース２２の上方で基板Ｗを把持し保持位置に基板Ｗを保持する複数のチャックピン２３とを含む。複数のチャックピン２３は、スピンベース２２の周方向に間隔を空けてスピンベース２２の上面に配置されている。基板保持ユニット２０は、基板ホルダともいう。
基板回転ユニット２１は、スピンベース２２に上端が連結され鉛直方向に延びる回転軸２４と、回転軸２４をその中心軸線（回転軸線Ａ１）まわりに回転させるスピンモータ２５とを含む。スピンモータ２５が回転軸２４を回転させることでスピンベース２２および複数のチャックピン２３が回転軸線Ａ１まわりに回転する。
複数のチャックピン２３は、基板Ｗの周端に接触して基板Ｗを把持する閉状態と、基板Ｗの周端から退避した開状態との間で開閉可能である。複数のチャックピン２３は、開閉ユニット２６によって開閉される。複数のチャックピン２３は、閉状態において、基板Ｗを水平に保持（挟持）する。複数のチャックピン２３は、開状態において、基板Ｗの周縁部の把持を解放する一方で、基板Ｗの下面の周縁部に接触して基板Ｗを下方から支持する。
開閉ユニット２６は、たとえば、スピンベース２２の内部に収容されたリンク機構と、スピンベース２２の外に配置された駆動源とを含む。駆動源は、エアシリンダまたは電動モータ等のアクチュエータである。
処理カップ８は、スピンチャック７に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数のガード３０と、複数のガード３０によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ３１と、複数のガード３０および複数のカップ３１を取り囲む円筒状の外壁部材３２とを含む。
この実施形態では、３つのガード３０（第１ガード３０Ａ、第２ガード３０Ｂおよび第３ガード３０Ｃ）と、２つのカップ３１（第１カップ３１Ａおよび第２カップ３１Ｂ）とが設けられている例を示している。
各ガード３０は、それぞれ、回転軸線Ａ１に対して回転対称な略筒状（典型的には円筒状）を有している。複数のガード３０は、同軸上に配置されている。各ガード３０の上端部は、スピンベース２２に向かうように内方（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に傾斜している。カップ３１は、ガード３０によって下方に案内された液体を受け止める環状の受液溝を形成している。カップ３１によって受け止められた液体は、排液または回収される。
各ガード３０は、たとえば耐薬性の樹脂材料によって形成されている。耐薬性の樹脂材料としては、たとえば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が挙げられる。各ガード３０の壁面全体は、白色を呈している。
第１ガード３０Ａは、スピンベース２２を取り囲むように配置されている。第２ガード３０Ｂは、第１ガード３０Ａよりも外方でスピンベース２２を取り囲むように配置されている。第３ガード３０Ｃは、第２ガード３０Ｂよりも外方でスピンベース２２を取り囲むように配置されている。各ガード３０は、保持位置に位置する基板Ｗを取り囲んでいる。
第１カップ３１Ａは、第１ガード３０Ａによって下方に案内された液体を受け止める。第２カップ３１Ｂは、第２ガード３０Ｂによって下方に案内された液体を受け止める。第３ガード３０Ｃによって受けられた液体は、たとえば、チャンバ９の下壁９Ｃに開口する排液口９ｃから排液される。
最も内側の第１ガード３０Ａは、スピンチャック７の周囲を取り囲み鉛直方向に延びる略円筒状の内側筒状部４０と、内側筒状部４０の上端から外方（基板Ｗの回転軸線Ａ１から離れる方向）に向かって斜め上方に延びる略円環状の下側傾斜部４１と、下側傾斜部４１の外方端から上方に延びる略円筒状の外側筒状部４２と、外側筒状部４２の上端から内方（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に向かって斜め上方に延びる略円環状の上側傾斜部４３とを含む。
内側から２番目の第２ガード３０Ｂは、鉛直方向に延びる略円筒状の筒状部４４と、筒状部４４の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に向かって斜め上方に延びる略円環状の傾斜部４５とを有している。最も外側の第３ガード３０Ｃは、第２ガード３０Ｂと同様の構成を有している。すなわち、第３ガード３０Ｃは、鉛直方向に延びる略円筒状の筒状部４６と、筒状部４６の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ａ１に近づく方向）に向かって斜め上方に延びる略円環状の傾斜部４７とを有している。
第１ガード３０Ａの上側傾斜部４３、第２ガード３０Ｂの傾斜部４５および第３ガード３０Ｃの傾斜部４７は、第１ガード３０Ａの上側傾斜部４３が最も上方に位置するように、この順番で上下に重なっている。
処理ユニット２は、複数のガード３０を個別に昇降させるガード昇降ユニット３３をさらに含む。各ガード３０は、ガード３０の上端部３０ｂが保持位置に位置する基板Ｗの上面よりも上方に位置する上位置と、ガード３０の上端部３０ｂが保持位置に位置する基板Ｗの上面よりも下方に位置する下位置との間で昇降する。
第１ガード３０Ａの上側傾斜部４３、第２ガード３０Ｂの傾斜部４５および第３ガード３０Ｃの傾斜部４７のそれぞれの内方端には、下方に延びる垂下部４８（後述する図８Ａ～図８Ｃを参照）が設けられていてもよい。その場合、ガード３０が上位置に位置するとき、垂下部４８の下端部が基板Ｗの上面よりも上方に位置し、ガード３０が下位置に位置するとき、ガード３０の状端部３０ｂが基板Ｗの上面よりも下方に位置する。
ガード昇降ユニット３３は、たとえば、複数のガード３０にそれぞれ駆動力を与える複数のモータ（図示せず）を含む。各モータの駆動力は、対応するガード３０に結合されたボールねじ機構（図示せず）を介して当該ガードに伝達される。ガード昇降ユニット３３は、ガードリフタともいう。
回転している基板Ｗに液体を供給するときは、少なくとも１つのガード３０が上位置に配置される。全てのガード３０が上位置に位置する第１液受け配置（後述する図８Ａおよび図８Ｃを参照）に複数のガード３０が配置されているときには、基板Ｗから飛散する液体は、第１ガード３０Ａによって受けられる。
第１ガード３０Ａが下位置に位置し、第２ガード３０Ｂおよび第３ガード３０Ｃが上位置に位置する第２液受け配置（後述する図８Ｂを参照）に複数のガード３０が配置されているときには、基板Ｗから飛散する液体は、第２ガード３０Ｂによって受けられる。
第１ガード３０Ａおよび第２ガード３０Ｂが下位置に位置し、第３ガード３０Ｃが上位置に位置する第３液受け配置に複数のガード３０が配置されているときには、基板Ｗから飛散する液体は、第３ガード３０Ｃによって受けられる。
基板Ｗの搬入または搬出のために搬送ロボットＣＲ（図１を参照）がスピンチャック７にアクセスするときには、全てのガード３０が下位置に位置する搬出入配置に複数のガード３０が配置されている。
第１カップ３１Ａの底部には、第１排液配管３４が接続されている。第１排液配管３４に導入される液体は、排液装置（図示せず）に送られ、当該装置で処理される。第１排液配管３４は、排液流路の一例である。
第２カップ３１Ｂの底部には、液体の排液および回収に用いられる共通配管３５が接続されている。共通配管３５には、硫酸水溶液供給源１６（後述する）に接続された回収配管３６と、排液装置（図示せず）に接続された第２排液配管３７とが分岐接続されている。回収配管３６には回収バルブ３８が介装されており、第２排液配管３７には排液バルブ３９が介装されている。回収バルブ３８が開かれると、共通配管３５を流れる液体が回収配管３６に導かれる。また、排液バルブ３９が開かれると、共通配管３５を流れる液体が第２排液配管３７に導かれる。
処理ユニット２は、スピンチャック７に保持されている基板Ｗの上面からレジスト膜を除去する除去液を供給する除去液供給ユニット１１と、基板Ｗを介して基板Ｗ上の除去液を加熱するヒータユニット１２と、スピンチャック７に保持されている基板Ｗの上面から除去液を洗い流すリンス液を基板Ｗの上面に供給するリンス液供給ユニット１３とをさらに備える。除去液供給ユニット１１は、処理液供給ユニットの一例である。
除去液供給ユニット１１は、基板Ｗの上面に向けて除去液を吐出する除去液ノズル５０と、除去液ノズル５０を支持するノズルアーム５１と、ノズルアーム５１を移動させることにより除去液ノズル５０を移動させるノズル移動ユニット５２とを含む。除去液ノズル５０は、たとえば、下方に向けて除去液を連続流で吐出するノズルである。ノズルアーム５１は、水平方向に延びる。
ノズル移動ユニット５２は、回動軸線まわりにノズルアーム５１を水平移動させることにより、除去液ノズル５０を水平に移動させる。ノズル移動ユニット５２は、除去液ノズル５０から吐出された除去液が基板Ｗの上面の中央領域に着液する中央位置と、除去液ノズル５０が平面視で処理カップ８の外方に設定された退避位置との間で、除去液ノズル５０を水平方向に移動させる。基板Ｗの上面の中央領域とは、基板Ｗの上面の回転中心およびその周囲の領域のことである。
ノズル移動ユニット５２は、たとえば、ノズルアーム５１に結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸（図示せず）と、回動軸を回動させるモータ等の回動アクチュエータ（図示せず）とを含んでいる。
この実施形態では、除去液として、ＳＰＭ液（Sulfuric Acid / Hydrogen Peroxide Mixture）、すなわち、硫酸水溶液（Ｈ２ＳＯ４水）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２水）との混合液が用いられる。除去液供給ユニット１１は、ＳＰＭ液供給ユニットともいう。除去液として使用できる液体としては、ＳＰＭ液の他に、硫酸水溶液（希硫酸）およびオゾン水等が挙げられる。
この実施形態では、除去液供給ユニット１１は、除去液ノズル５０内で過酸化水素水と硫酸水溶液とを混合することで除去液としてのＳＰＭ液を形成するように構成されている。そのため、除去液供給ユニット１１が、除去液ノズル５０に硫酸水溶液を送る硫酸水溶液ユニット１４と、除去液ノズル５０に過酸化水素水を送る過酸化水素水ユニット１５とをさらに含む。
硫酸水溶液ユニット１４は、除去液ノズル５０に接続された硫酸水溶液配管５５と、硫酸水溶液配管５５を開閉する硫酸水溶液バルブ５６と、硫酸水溶液配管５５内の硫酸水溶液の流量を調整する硫酸水溶液流量調整バルブ５７と、硫酸水溶液を貯留し硫酸水溶液配管５５に硫酸水溶液を供給する硫酸水溶液供給源１６とを含む。硫酸水溶液バルブ５６および硫酸水溶液流量調整バルブ５７は、流体ボックス４に収容されている。硫酸水溶液供給源１６は、貯留ボックス５に収容されている。
硫酸水溶液供給源１６は、硫酸水溶液を貯留する硫酸水溶液タンク６０と、硫酸水溶液の新液を硫酸水溶液タンク６０に補充する硫酸水溶液補充配管６１と、硫酸水溶液タンク６０および硫酸水溶液配管５５に接続される硫酸水溶液供給配管６２と、硫酸水溶液タンク６０内の硫酸水溶液を硫酸水溶液供給配管６２に移動させる第１ポンプ６４と、硫酸水溶液供給源１６内で硫酸水溶液を加熱する加熱ユニット６３とを含む。
加熱ユニット６３は、たとえば、硫酸水溶液供給配管６２に設定された被加熱部を加熱するヒータである。加熱ユニット６３は、図２に示す例とは異なり、硫酸水溶液タンク６０に貯留されている硫酸水溶液に浸漬され、硫酸水溶液タンク６０内の硫酸水溶液を直接加熱するヒータであってもよい。
硫酸水溶液供給源１６は、硫酸水溶液供給配管６２を流れる硫酸水溶液をろ過するフィルタ、および、硫酸水溶液供給配管６２を流れる硫酸水溶液の温度を計測する温度計をさらに含んでいてもよい。
過酸化水素水ユニット１５は、除去液ノズル５０に接続された過酸化水素水配管７０と、過酸化水素水配管７０を開閉するための過酸化水素水バルブ７１と、過酸化水素水バルブ７１の開度を調整して、過酸化水素水配管７０内を流れる過酸化水素水の流量を調整する過酸化水素水流量調整バルブ７２とを含む。過酸化水素水バルブ７１および過酸化水素水流量調整バルブ７２は、流体ボックス４に収容されている。過酸化水素水配管７０には、貯留ボックス５に収容された過酸化水素水供給源（図示せず）から、温度調整されていない常温（たとえば、２３℃）の過酸化水素水が供給される。
硫酸水溶液バルブ５６および過酸化水素水バルブ７１が開かれると、硫酸水溶液および過酸化水素水が、除去液ノズル５０のケーシング（図示せず）内へと供給され、ケーシング内において十分に混合（攪拌）される。この混合によって、硫酸水溶液と過酸化水素水とが均一に混ざり合い、硫酸水溶液と過酸化水素水との反応によってＳＰＭ液が生成される。ＳＰＭ液は、酸化力が強いペルオキソ一硫酸（Peroxymonosulfuric acid：Ｈ２ＳＯ５）を含有し、混合前の硫酸水溶液および過酸化水素水の温度よりも高い温度（１００℃以上。たとえば１６０～２２０℃）まで昇温させられる。生成された高温のＳＰＭ液は、除去液ノズル５０のケーシングの先端（たとえば下端）に開口した吐出口から吐出される。
硫酸水溶液流量調整バルブ５７および過酸化水素水流量調整バルブ７２の開度を調整することにより、除去液ノズル５０から吐出されるＳＰＭ液中の硫酸水溶液および過酸化水素水の混合比率を調整できる。混合比率は、Ｈ２ＳＯ４水：Ｈ２Ｏ２水＝２０：１～２：１の範囲内、より好ましくは、Ｈ２ＳＯ４水：Ｈ２Ｏ２水＝１０：１～５：１の範囲内で調整される。
硫酸水溶液供給源１６は、基板Ｗの処理に用いられたＳＰＭ液を回収して硫酸水溶液として再利用する。硫酸水溶液供給源１６は、基板Ｗの処理に用いられたＳＰＭ液を、回収配管３６を介して回収する回収タンク６５と、回収タンク６５および硫酸水溶液タンク６０に接続される送液配管６６と、回収タンク６５内で生成される硫酸水溶液を送液配管６６に移動させる第２ポンプ６７とをさらに含む。
詳しくは、硫酸水溶液供給源１６は、回収配管３６を介して回収したＳＰＭ液を回収タンク６５に貯留する。経時によって、ＳＰＭ液中の過酸化水素が分解され、回収タンク６５に貯留されているＳＰＭ液は硫酸水溶液に変化する。過酸化水素の分解によって生成された硫酸水溶液は、送液配管６６を介して回収タンク６５から硫酸水溶液タンク６０に送られる。これにより、ＳＰＭ液が硫酸水溶液として再利用される。
図２に示す例とは異なり、回収タンク６５の構成が省略されていており、処理カップ８によって回収された硫酸水溶液が、処理カップ８から硫酸水溶液タンク６０に直接供給される構成が採用されていてもよい。
リンス液供給ユニット１３は、リンス液を連続流で吐出するリンス液ノズル８０と、リンス液ノズル８０にリンス液を案内するリンス液配管８１と、リンス液配管８１に介装されリンス液配管８１内の流路を開閉するリンス液バルブ８２とを含む。リンス液ノズル８０は、スピンチャック７の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央領域に向けた状態で固定されている。リンス液バルブ８２が開かれると、リンス液配管８１からリンス液ノズル８０に供給されたリンス液が、リンス液ノズル８０の吐出口から吐出される。
リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）である。リンス液は、ＤＩＷに限られず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈アンモニア水（たとえば、１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下程度）および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
この実施形態とは異なり、リンス液供給ユニット１３は、リンス液ノズル８０を水平移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を基板Ｗの面内で走査させるノズル移動ユニットを備えていてもよい。
ヒータユニット１２は、円板状のホットプレートの形態を有している。ヒータユニット１２は、スピンベース２２の上面と基板Ｗの下面との間に配置されている。ヒータユニット１２は、基板Ｗの下面に下方から対向する対向面１２ａを有する。
ヒータユニット１２は、プレート本体９０およびヒータ９１を含む。プレート本体９０は、平面視において、基板Ｗよりも僅かに小さい。プレート本体９０の上面が対向面１２ａを構成している。ヒータ９１は、プレート本体９０に内蔵されている抵抗体であってもよい。ヒータ９１に通電することによって、対向面１２ａが加熱される。
ヒータユニット１２の下面には、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びる昇降軸９２が結合されている。昇降軸９２は、スピンベース２２の中央部に形成された貫通孔２２ａと、中空の回転軸２４とに挿入されている。昇降軸９２内には、給電線９３が通されている。
ヒータ９１には、給電線９３を介してヒータ通電ユニット９４から電力が供給される。ヒータ通電ユニット９４は、たとえば、電源である。ヒータユニット１２は、ヒータ昇降ユニット９５によって昇降される。
ヒータ昇降ユニット９５は、たとえば、昇降軸９２を昇降駆動する電動モータまたはエアシリンダ等のアクチュエータ（図示せず）を含む。ヒータ昇降ユニット９５は、ヒータリフタともいう。
ヒータ昇降ユニット９５は、昇降軸９２を介してヒータユニット１２を昇降させる。ヒータユニット１２は、ヒータ昇降ユニット９５によって昇降されて、下位置および上位置に位置することができる。ヒータ昇降ユニット９５は、下位置および上位置だけでなく、下位置および上位置の間の任意の位置にヒータユニット１２を配置することが可能である。
ヒータユニット１２は、上昇する際に、開状態の複数のチャックピン２３から基板Ｗを受け取ることが可能である。ヒータユニット１２は、ヒータ昇降ユニット９５によって、基板Ｗの下面に接触する接触位置、または、基板Ｗの下面に近接する近接位置に配置されることによって、基板Ｗを加熱することができる。
接触位置は、ヒータユニット１２の熱量を基板Ｗに直接伝達して基板Ｗを加熱する接触加熱位置である。近接位置は、輻射によって基板Ｗが充分に加熱される程度にヒータユニット１２が基板Ｗの下面に非接触で近接する近接加熱位置である。ヒータユニット１２は、接触位置または近接位置に位置するときに、基板Ｗを介して、基板Ｗ上の液体を加熱する。ヒータユニット１２が近接位置に位置するとき、基板Ｗは、たとえば、１６０℃以上２２０℃以下に加熱される。ヒータユニット１２が接触位置に位置するとき、基板Ｗは、たとえば、１６０℃以上２２０℃以下の範囲で、ヒータユニット１２が近接位置に位置するときよりも高温に加熱される。
ヒータ昇降ユニット９５は、近接位置よりも基板Ｗの下面から離間する離間位置にヒータユニット１２を配置可能である。離間位置は、近接位置よりも基板Ｗに対する加熱が弱められる弱加熱位置である。離間位置は、基板Ｗが加熱されない程度に基板Ｗの下面から離間する非加熱位置であってもよい。
処理ユニット２は、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像を取得する（撮像する）画像取得ユニット１００（撮像ユニット）をさらに含む。第１ガード３０Ａの内壁面３０ａは、内側筒状部４０の内周面、下側傾斜部４１の上面、外側筒状部４２の内周面、および上側傾斜部４３の下面によって構成されている。この実施形態では、画像取得ユニット１００によって取得される第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像は、主に、外側筒状部４２の内周面の画像によって構成される。
むろん、画像取得ユニット１００によって取得される第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像には、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａを構成する、内側筒状部４０の内周面、下側傾斜部４１の上面、および上側傾斜部４３の下面が含まれていてもよい。
画像取得ユニット１００は、カメラ１０１および光源（図示せず）を含む。カメラ１０１は、レンズと、このレンズによって結像された光学像を電気信号に変換する撮像素子と、変換された電気信号に基づいて画像信号を生成して、画像信号および時刻情報によって構成される画像データをコントローラ３に送信する撮像回路とを含む。撮像素子は、たとえば、ＣＣＤ（Charge Coupled Devices）センサ、または、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサである。
カメラ１０１は、１秒間に数千～数万枚の速度で撮像可能な高速度カメラであってもよいし、１秒間に１０枚～１００枚程度の速度で撮像可能な一般的なカメラであってもよい。画像取得ユニット１００は、チャンバ９の側壁９Ａに固定されており、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａを斜め上方から撮影する。
画像取得ユニット１００は、たとえば、所定の時間間隔（たとえば１秒間隔）で画像を取得して、画像を取得する度に画像データをコントローラ３に送信する。画像が複数取得された後に、複数の画像とこれらの画像に対応する時刻情報とを含むデータが、画像データとして、コントローラ３へ送信されてもよい。
光源は、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａを照明する。光源は、たとえば、白色光の光源である。
詳しくは後述するが、基板Ｗの上面に対する除去液による処理の進行度合いに応じて、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度が変化する。基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度の変化を監視することによって、除去液による処理が終了したか否かを判定することができる。この実施形態では、除去液がＳＰＭ液であるため、「除去液による処理」とは、基板Ｗの上面から露出するレジスト膜を基板Ｗの上面から除去することを意味する。
＜基板処理装置の電気的構成＞
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ３Ａ）およびメモリ３Ｂ（揮発性メモリ、不揮発性メモリ等）を備えたマイクロコンピュータを含む。コントローラ３は、プロセッサが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。
コントローラ３には、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンモータ２５、開閉ユニット２６、ノズル移動ユニット５２、ガード昇降ユニット３３、ヒータ昇降ユニット９５、ヒータ通電ユニット９４、画像取得ユニット１００、加熱ユニット６３、第１ポンプ６４、第２ポンプ６７、回収バルブ３８、排液バルブ３９、硫酸水溶液バルブ５６、硫酸水溶液流量調整バルブ５７、過酸化水素水バルブ７１、過酸化水素水流量調整バルブ７２、リンス液バルブ８２等が電気的に接続されている。
コントローラ３は、メモリ３Ｂに設定されたレシピＲにしたがって基板処理装置１を構成する各部材を制御する。コントローラ３がこれらの構成を制御することにより、後述する基板処理が実行される。言い換えると、コントローラ３は、基板処理の各工程を実行するようにプログラムされている。
コントローラ３は、画像取得ユニット１００によって取得された画像の輝度値を監視し、画像取得ユニット１００によって取得された画像の輝度値に所定の変化が生じた時点を処理終了時点ＦＴとして検出する。詳しくは、コントローラ３は、画像取得ユニット１００から画像データＩＤを受信する度に、画像から輝度値を抽出し、輝度値および時刻情報を含む輝度値情報１２０としてメモリ３Ｂに保存する。時刻情報は、画像取得ユニット１００の内部時刻であってもよい。コントローラ３は、画像から抽出された輝度値の経時変化を監視する。処理終了時点ＦＴは、輝度値の監視の開始時点を基準とする時点であり、開始時点と処理終了時点ＦＴとの間の時間は、画像の輝度値に所定の変化が生じたときの経過時間（監視時間）と一致する。
コントローラ３には、不揮発性メモリ等の記憶デバイスから構成される記憶部３Ｃが電気的に接続されている。記憶部３Ｃには、画像データＩＤ、レシピＲおよび処理終了時点ＦＴ等が記憶される。処理終了時点ＦＴは、基板Ｗの製造ロット毎に記憶される。
コントローラ３には、基板処理の実行中に異常が生じた場合に、その旨を報知する報知ユニット１０５が電気的に接続されている。報知ユニット１０５は、たとえば、光、音、文字、および図形のうちの１つ以上を用いて警報を発する警報装置である。報知ユニット１０５は、タッチパネルディスプレイであってもよい。
＜処理終了時点の検出の詳細＞
図４は、画像取得ユニット１００によって取得される画像１１０の一例である。説明の便宜上、図４では、第２ガード３０Ｂおよび第３ガード３０Ｃの図示を省略している。
画像１１０には、基板Ｗの上面の少なくとも一部および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの少なくとも一部の画像が含まれている。画像１１０には、輝度値の検出対象となる複数の検出対象領域１１１が含まれる。複数の検出対象領域１１１は、基板Ｗの上面に設定された複数の第１領域１１１Ａと、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａに設定された複数の第２領域１１１Ｂとを含む。複数の第１領域１１１Ａは、基板Ｗの上面の周縁領域において、基板Ｗの上面の周方向に間隔を隔てて並んでいる。複数の第２領域１１１Ｂは、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの周方向に間隔を隔てて並んでいる。基板Ｗの上面の周縁領域は、基板Ｗの上面の周縁およびその周囲を含む領域である。
図５Ａ～図５Ｃは、画像１１０に含まれる各検出対象領域１１１における輝度値ＬＶの経時変化の一例を示すグラフである。処理終了時点ＦＴの検出の基準とされる輝度値ＬＶに生じる所定の変化とは、輝度値ＬＶが急激に変化して輝度値ＬＶの微分値ＤＶが所定の閾値よりも以上または以下になることや、輝度値ＬＶが所定の閾値以上または以下になることをいう。
たとえば、輝度値ＬＶの所定の変化は、図５Ａに示すように、単位時間当たりの輝度値ＬＶの変化量（輝度値ＬＶの微分値ＤＶ）が所定の閾値ＴＨ１以上の正の値となることである（ＤＶ≧ＴＨ１＞０）。
輝度値ＬＶの所定の変化は、たとえば、図５Ｂに示すように、単位時間当たりの輝度値ＬＶの変化量（輝度値ＬＶの微分値ＤＶ）が所定の閾値ＴＨ１以下の負の値となることであってもよい（ＤＶ≦ＴＨ１＜０）。
輝度値ＬＶの変化の態様は、レジスト膜の種類によって異なる。各検出対象領域１１１の輝度値ＬＶの微分値ＤＶの閾値ＴＨ１が正の値および負の値のいずれに設定されるかについては、レジスト膜が除去されている間の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶ、および、レジスト膜が除去された後の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶの大小関係に依存する。レジスト膜が除去されている間の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶが、レジスト膜が除去された後の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶよりも低い場合には（図５Ａを参照）、閾値ＴＨ１は正の値に設定される。レジスト膜が除去されている間の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶが、レジスト膜が除去された後の検出対象領域１１１の輝度値ＬＶよりも高い場合には（図５Ｂを参照）、閾値ＴＨ１は負の値に設定される。
輝度値ＬＶの所定の変化は、図５Ｃに示すように、輝度値ＬＶが所定の閾値ＴＨ２以上の値となることであってもよい（ＬＶ≧ＴＨ２）。図示しないが、輝度値ＬＶの所定の変化は、輝度値ＬＶが所定の閾値ＴＨ２以下の値となることであってもよい。
輝度値ＬＶの所定の変化が生じたか否かは、閾値ＴＨ２と輝度値ＬＶとの大小関係と、微分値ＤＶと閾値ＴＨ１との大小関係との両方を用いて判定されてもよい。また、輝度値またはその微分値が閾値以上または以下となることを条件とする必要はなく、輝度値またはその微分値が閾値よりも大きいこと、もしくは、輝度値またはその微分値が閾値よりも小さいことを条件としてもよい。
＜基板処理の一例＞
図６は、基板処理装置１よって実行される基板処理の一例を説明するための流れ図である。図６には、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。
基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図６に示すように、基板搬入工程（ステップＳ１）、除去処理工程（ステップＳ２）、リンス工程（ステップＳ３）、乾燥工程（ステップＳ４）、および、基板搬出工程（ステップＳ５）がこの順番で実行される。除去処理工程の実行中には、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像を取得する画像取得工程（ステップＳ６）が実行される。
図７は、この基板処理における主要な動作についてのタイムチャートである。図７には、ＳＰＭ液の吐出の有無、リンス液の吐出の有無、除去液の排出先、およびヒータユニット１２の位置（ヒータ位置）についてのタイムチャートが示されている。図８Ａ～図８Ｃは、基板処理装置１によって実行される基板処理の各工程の様子を説明するための模式図である。
以下では、基板処理装置１によって実行される基板処理について、主に図２、図６および図７を参照して説明する。図８Ａ～図８Ｃについては適宜参照する。
まず、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ（図１参照）によってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック７の基板保持ユニット２０に渡される（基板搬入工程：ステップＳ１）。これにより、基板Ｗは、レジスト膜が形成されたデバイス面（被処理面）を上方に向けた姿勢で基板保持ユニット２０によって水平に保持される（基板保持工程）。基板保持ユニット２０による基板Ｗの保持は、乾燥工程（ステップＳ４）が終了するまで継続される。
この基板処理において、ヒータユニット１２のヒータ９１には、電力が常時供給されている。基板搬入の際、ヒータユニット１２は、離間位置に配置されている。
基板Ｗが基板保持ユニット２０に保持された状態で、基板回転ユニット２１が基板Ｗの回転を開始させる（基板回転工程）。この基板処理では、第１ポンプ６４および加熱ユニット６３が、常時稼働している。この基板処理では、排液バルブ３９が閉じられており、回収バルブ３８が開かれている。
次に、搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、基板Ｗの上面を除去液で処理する除去処理工程（ステップＳ２）が実行される。
具体的には、ノズル移動ユニット５２が、除去液ノズル５０を処理位置に移動させる。除去液ノズル５０の処理位置は、たとえば、中央位置である。ガード昇降ユニット３３が、複数のガード３０の配置を搬出入配置から第１液受け配置に切り替える。ヒータ昇降ユニット９５が、ヒータユニット１２を近接位置に配置する。
除去液ノズル５０が処理位置に位置し、複数のガード３０が第１液受け配置に配置され、かつ、ヒータユニット１２が近接位置に配置されている状態で、硫酸水溶液バルブ５６および過酸化水素水バルブ７１が開かれる。これにより、図８Ａに示すように、回転軸線Ａ１まわりに回転している基板Ｗの上面の中央領域に向けて、除去液ノズル５０から除去液としてのＳＰＭ液が供給（吐出）される（除去液供給工程、処理液供給工程）。
基板Ｗの上面の中央領域に着液したＳＰＭ液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗの上面の全体がＳＰＭ液で処理される。基板Ｗの上面に着液したＳＰＭ液は、基板Ｗを介して、ヒータユニット１２によって加熱される（加熱工程）。ＳＰＭ液が加熱されることによって、ＳＰＭ液による基板Ｗの上面の処理が促進される。
基板Ｗの上面の周縁に達したＳＰＭ液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。基板Ｗの上面から排出されたＳＰＭ液は、第１ガード３０Ａによって受けられる。第１ガード３０Ａによって受けられたＳＰＭ液は、第１排液配管３４（排液流路）に排出される（排液工程）。
除去液ノズル５０からのＳＰＭ液の吐出の開始と同時に、画像取得ユニット１００による基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の取得が開始される（画像取得工程：ステップＳ６）。コントローラ３は、画像取得ユニット１００から画像データＩＤを受信すると、処理終了時点ＦＴを検出するための終了時点検出処理を実行する。終了時点検出処理の詳細については後述する。
コントローラ３が処理終了時点ＦＴを検出すると、画像取得ユニット１００が、処理終了時点ＦＴの検出と同時に画像の取得を終了する。図８Ｂに示すように、輝度値の監視時間が処理終了時点ＦＴに達した後においても、基板Ｗの上面への除去液の供給は維持される（除去液供給維持工程、処理液供給維持工程）。一方、コントローラ３が処理終了時点ＦＴを検出すると同時に、ヒータ昇降ユニット９５が、ヒータユニット１２を離間位置に移動させる。これにより、基板Ｗの上面への除去液の供給を維持しながら、基板Ｗの上面上のＳＰＭ液に対する加熱が停止される（加熱停止工程）。ヒータユニット１２による基板Ｗの加熱は、完全に停止される必要はなく、ヒータユニット１２による基板Ｗの加熱が弱められればよい（加熱弱化工程）。
コントローラ３が処理終了時点ＦＴを検出すると同時に、ガード昇降ユニット３３によって、複数のガード３０の配置が第１液受け配置から第２液受け配置に切り替えられる。これにより、図８Ｂに示すように、基板Ｗから排出されるＳＰＭ液を受けるガード３０が第２ガード３０Ｂに切り替えられる。第２ガード３０Ｂによって受けられるＳＰＭ液は、共通配管３５を介して回収配管３６（回収流路）に排出される。すなわち、処理終了時点ＦＴが検出された場合には、基板Ｗから飛散するＳＰＭ液（処理液、除去液）の排出先が第１排液配管３４（排液流路）から回収配管３６（回収流路）に切り替えられる（流路切替工程）。
このように、この基板処理では、ガード昇降ユニット３３は、複数のガード３０の配置を第１液受け配置および第２液受け配置のいずれかに切り替えることで、基板Ｗから飛散するＳＰＭ液（処理液、除去液）の排出先を第１排液配管３４から回収配管３６に切り替える流路切替ユニットとして機能する。
ヒータユニット１２による基板Ｗ上のＳＰＭ液に対する加熱が停止された時点から所定の冷却時間ＣＴ（図７を参照）が経過したときに、基板Ｗの上面上のＳＰＭ液を洗い流すリンス工程（ステップＳ３）が開始される。
リンス工程（ステップＳ３）は、複数のガード３０の配置が第２液受け配置に切り替えられた時点を基準として開始されてもよい。すなわち、リンス工程は、複数のガード３０の配置が第２液受け配置に切り替えられた時点から所定の回収時間ＲＴ（図７を参照）が経過したときに開始されてもよい。この実施形態では、基板Ｗ上のＳＰＭ液に対する加熱が停止、および、複数のガード３０の配置の切り替えは、処理終了時点ＦＴに行われるため、冷却時間ＣＴおよび回収時間ＲＴは同じ長さである。
具体的には、硫酸水溶液バルブ５６および過酸化水素水バルブ７１が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面へのＳＰＭ液の供給が停止される（除去液供給停止工程、処理液供給停止工程）。硫酸水溶液バルブ５６および過酸化水素水バルブ７１が閉じられた後、ノズル移動ユニット５２が、除去液ノズル５０を退避位置に移動させる。そして、ガード昇降ユニット３３が、複数のガード３０の配置を第２液受け配置から第１液受け位置に切り替える。
基板Ｗの上面へのＳＰＭ液の供給が停止され、かつ、複数のガード３０が第１液受け位置された状態で、リンス液バルブ８２が開かれる。これにより、図８Ｃに示すように、基板Ｗの上面の中央領域に向けて、リンス液ノズル８０からリンス液が供給（吐出）される（リンス供給工程）。基板Ｗの上面の中央領域に着液したリンス液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。リンス液供給工程は、加熱停止工程（加熱弱化工程）の後、基板Ｗの上面への除去液の供給を停止した状態で行われる。
リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗの上面に付着しているＳＰＭ液がリンス液で洗い流される。リンス液バルブ８２、硫酸水溶液バルブ５６および過酸化水素水バルブ７１は、処理終了時点ＦＴよりも後において、基板Ｗの上面に供給される液体をＳＰＭ液（除去液、処理液）からリンス液に切り替える液切替ユニットの一例である。
基板Ｗの上面から排出されたリンス液およびＳＰＭ液は、第１ガード３０Ａによって受けられる。第１ガード３０Ａによって受けられたリンス液およびＳＰＭ液は、第１排液配管３４（排液流路）に排出される（排液工程）。
基板Ｗの上面へのリンス液の供給が所定のリンス時間継続された後、基板Ｗの上面を乾燥させる乾燥工程（ステップＳ４）が実行される。
具体的には、リンス液バルブ８２が閉じられ、リンス液ノズル８０からのリンス液の供給が停止される。ガード昇降ユニット３３によって、複数のガード３０の配置が第１液受け配置から第３液受け配置に切り替えられ、基板Ｗから飛散する液体が第３ガード３０Ｃによって受けられる。
乾燥工程（ステップＳ４）では、リンス液バルブ８２が閉じられ、かつ、複数のガード３０の配置が第３液受け位置に配置されている状態で、スピンモータ２５が基板Ｗを高速回転（たとえば、２０００ｒｐｍ）させる。それによって、大きな遠心力が基板Ｗ上のリンス液に作用し、基板Ｗ上のリンス液が基板Ｗの周囲に振り切られる。
基板Ｗの高速回転を所定の乾燥時間継続した後、スピンモータ２５が基板Ｗの回転を停止させる。基板Ｗの回転を停止させた状態で、ガード昇降ユニット３３が複数のガード３０を搬出入位置に移動させる。
搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、基板保持ユニット２０のチャックピン２３から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（基板搬出工程：ステップＳ５）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。
＜終了時点検出処理の詳細＞
図９は、終了時点検出処理の第１例の流れを示すフローチャートである。まず、コントローラ３は、画像取得ユニット１００からの画像データＩＤの受信が開始されたか否かを監視する（ステップＳ１１）。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始されていない場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、ステップＳ１１に戻る。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始された場合には（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、画像データＩＤに含まれる画像１１０の輝度値の監視を開始する（ステップＳ１２：輝度値監視工程）。
その後、コントローラ３は、画像１１０の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する。具体的には、コントローラ３は、基板Ｗの上面の画像の輝度値（基板輝度値）および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度値（ガード輝度値）いずれかの一方に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１３：判定工程）。
詳しくは、コントローラ３は、全ての第１領域１１１Ａの輝度値に所定の変化が生じた場合には、判定工程（ステップＳ１３）において、基板Ｗの上面の画像の輝度値に所定の変化が生じたと判定する。コントローラ３は、一部の第１領域１１１Ａの輝度値に所定の変化が生じた場合には、基板Ｗの上面の画像の輝度値に所定の変化が生じていないと判定する。
同様に、コントローラ３は、全ての第２領域１１１Ｂの輝度値に所定の変化が生じた場合に、判定工程（ステップＳ１３）において、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの輝度値に所定の変化が生じたと判定する。コントローラ３は、一部の第２領域１１１Ｂの輝度値に所定の変化が生じた場合には、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの輝度値に所定の変化が生じていないと判定する。
判定工程（ステップＳ１３）において、基板輝度値およびガード輝度値のいずれにも所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、コントローラ３は、ステップＳ１３に戻る。基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。コントローラ３は、検出ユニットの一例である。ステップＳ１４の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
第１実施形態によれば、基板Ｗの上面（被処理面）に供給された除去液は、基板Ｗを取り囲む筒状の第１ガード３０Ａによって受けられる。基板Ｗの上面に除去液を供給している間に、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの両方の画像が取得され、取得られた画像の輝度値が監視される。そのため、基板輝度値およびガード輝度値の両方に基づいて処理終了時点ＦＴを検出することができる。
輝度値の所定の変化は、基板Ｗの上面および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａのいずれか一方にのみ生じる場合がある。たとえば、基板Ｗのデバイス面に形成されているレジスト膜を構成するレジスト組成物がＫｒＦ（化学増幅型のレジスト組成物／ポリヒドロキシスチレン樹脂）である場合、レジスト膜の膜厚が数十ｎｍであり、レジスト膜は、非常に薄い硬化層である。そのため、基板Ｗ上に形成されるレジスト膜の全体量が比較的少なく、ＳＰＭ液に溶解されるレジスト組成物の量も比較的低い。基板Ｗの上面から飛散されるＳＰＭ液中のレジスト組成物の濃度が比較的低いため、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度値の変化量が小さい。一方、基板Ｗの上面からレジスト膜が除去された部分の色は、レジスト膜の剥離によって露出した物質の色に変化するため、基板Ｗの上面の画像の輝度値の変化量が大きい。そのため、レジスト膜がＫｒＦである場合には、基板Ｗの上面の画像の輝度値に基づいて処理終了時点ＦＴを検出することが好ましい。
基板Ｗのデバイス面に形成されているレジスト膜を構成するレジスト組成物がＩ－ｌｉｎ（ジアゾ樹脂等）である場合、レジスト膜は、硬化層ではない上に、レジスト膜の膜厚が３μｍ～５μｍ比較的厚い。そのため、基板Ｗ上に形成されるレジスト膜の全体量が比較的多く、ＳＰＭ液に溶解されるレジスト組成物の量も比較的高い。そのため、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度値の変化量が、基板Ｗの上面の画像の輝度値の変化量よりも大きい。
したがって、基板Ｗの上面の画像および第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度値を監視して処理終了時点ＦＴを検出する構成であれば、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方のみを監視する構成と比較して、基板Ｗの上面に対する処理の終了を良好に検出することができる。特に、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を処理終了時点ＦＴとして検出すれば、処理終了時点ＦＴにおいて基板輝度値の変化およびガード輝度値の変化のいずれかが充分でない場合であっても、基板Ｗの上面に対する処理の終了を、速やかに検出することができる。
また、第１実施形態によれば、基板Ｗの上面に対する処理の終了と同時に、基板Ｗの上面にリンス液が供給されるのではなく、基板Ｗに対する加熱が弱められた（停止された）後に基板Ｗの上面にリンス液が供給される。すなわち、基板Ｗに対する加熱の弱化（停止）によって基板Ｗの温度が低下した後に、基板Ｗの上面にリンス液が供給される。したがって、基板Ｗに対するリンス液の供給による基板温度の急激な低下を和らげることができる。処理液による基板Ｗの上面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、リンス液によって処理液を円滑に洗い流すことができる。
また、第１実施形態によれば、処理終了時点ＦＴが検出された場合には、複数のガード３０の配置を変更することによって、基板Ｗから飛散する処理液の排出先が第１排液配管３４から回収配管３６に切り替えられる（流路切替工程）。
そのため、基板Ｗの上面に対する処理（レジスト膜の除去）が終了した適切な時点で、除去液の排出先を回収配管３６に切り替えることができる。したがって、基板Ｗの上面に対する処理の終了を良好に検出しつつ、基板Ｗの上面に対する処理が終了した後に基板Ｗの上面に供給された除去液、すなわち、比較的清浄度が高い除去液を回収することができる。
処理終了時点ＦＴが基板Ｗの製造ロット毎に記憶されていれば、製造ロットによる処理終了時点ＦＴの違いを比較することができる。
次に、終了時点検出処理の別の例（第２例～第４例）について説明する。
＜終了時点検出処理の第２例＞
図１０は、終了時点検出処理の第２例の流れを示すフローチャートである。
まず、終了時点検出処理の第２例では、コントローラ３は、画像取得ユニット１００からの画像データＩＤの受信が開始されたか否かを監視する（ステップＳ１１）。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始されていない場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、ステップＳ１１に戻る。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始された場合には（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、画像データＩＤ中の画像１１０の輝度値の監視を開始する（ステップＳ１２：輝度値監視工程）。
その後、コントローラ３は、画像１１０の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する。具体的には、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１３：第１判定工程）。
第１判定工程（ステップＳ１３）において、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、コントローラ３は、第１判定工程（ステップＳ１３）に戻る。第１判定工程において、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値の他方（もう一方）に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１５：第２判定工程）。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１５：ＹＥＳ）、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値の当該他方に所定の変化が生じた時点、すなわち、基板輝度値に所定の変化が生じた時点およびガード輝度値に所定の変化が生じた時点の遅い方を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。コントローラ３は、検出ユニットの一例である。検出工程（ステップＳ１４）の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１５：ＮＯ）、コントローラ３は、予備時間が経過するまでの間、予備時間が経過したか否かを監視する（ステップＳ１６：予備時間監視工程）。
予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過していない場合には（ステップＳ１６：ＮＯ）、コントローラ３は、ステップＳ１５に戻る。予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過した場合には（ステップＳ１６：ＹＥＳ）、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。このように、輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過するまでに基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じるか否かに関わらず、処理終了時点ＦＴが検出される。検出工程（ステップＳ１４）の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
基板Ｗの上面に対する処理が充分に進行して基板輝度値に所定の変化が生じた場合であっても、基板Ｗの上面に対する処理によって生じた残渣が第１ガード３０Ａの内壁面３０ａに付着し、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａから当該残渣を除去するために除去液の供給を継続する必要がある場合がある。逆に、基板Ｗの上面の全体の処理が終了していないにもかかわらず、基板Ｗの上面の一部の処理が進行することによってガード輝度値に所定の変化が生じる場合もある。
しかしながら、終了時点検出処理の第２例では、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた後、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた時点、ならびに、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方が処理終了時点ＦＴとして検出される。そのため、基板Ｗの上面からレジスト膜が充分に除去され、かつ、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａに付着したレジスト膜の残渣が充分に除去された時点を速やかに検出することができる。
＜終了時点検出処理の第３例＞
図１１は、終了時点検出処理の第３例の流れを示すフローチャートである。終了時点検出処理の第３例では、終了時点検出処理の第２例と異なり、輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間が経過した場合にその旨が報知される。
報知時間は、たとえば、記憶部３Ｃに記憶されている処理済みの基板Ｗの処理終了時点ＦＴに基づいて算出された時間である。より具体的には、報知時間は、同一の処理ユニット２で直前に処理された基板Ｗの基板処理において輝度値の監視の開始時点から処理終了時点ＦＴまでの時間（たとえば、３０秒間）に所定の追加時間（たとえば、１０秒間）を追加した時間である。報知時間は、同一の処理ユニット２で直前に処理された基板Ｗの基板処理において輝度値の監視の開始時点から処理終了時点ＦＴまでの時間に、当該時間に所定の割合（たとえば、３０％）を乗じた追加時間を追加した時間であってもよい。
まず、終了時点検出処理の第３例では、コントローラ３は、画像取得ユニット１００からの画像データＩＤの受信が開始されたか否かを監視する（ステップＳ１１）。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始されていない場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、ステップＳ１１に戻る。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始された場合には（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、画像データＩＤ中の画像１１０の輝度値の監視を開始する（ステップＳ１２：輝度値監視工程）。
その後、コントローラ３は、画像１１０の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する。具体的には、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１３：第１判定工程）。
第１判定工程（ステップＳ１３）において、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、コントローラ３は、輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過したか否かを監視する（ステップＳ１７：報知時間監視工程）。
報知時間監視工程（ステップＳ１７）において報知時間が経過していない場合には（ステップＳ１７：ＮＯ）、コントローラ３は、第１判定工程（ステップＳ１３）に戻る。報知時間監視工程（ステップＳ１７）において、輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過した場合には（ステップＳ１７：ＹＥＳ）、コントローラ３は、報知時間が経過したことを報知ユニット１０５に報知させる（ステップＳ１８：報知工程）。報知工程（ステップＳ１８）の後、コントローラ３は、処理終了時点ＦＴを検出することなく終了時点検出処理を終了する。
輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過するまでの間に、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値の他方（もう一方）に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１５：第２判定工程）。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１５：ＹＥＳ）、基板輝度値およびガード輝度値の当該他方に所定の変化が生じた時点、すなわち、基板輝度値に所定の変化が生じた時点およびガード輝度値に所定の変化が生じた時点の遅い方を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。ステップＳ１４の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１５：ＮＯ）、コントローラ３は、所定の変化が生じた時点から予備時間が経過したか否かを監視する（ステップＳ１６：予備時間監視工程）。
予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過していない場合には（ステップＳ１６：ＮＯ）、コントローラ３は、第２判定工程（ステップＳ１５）に戻る。予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過した場合には（ステップＳ１６：ＹＥＳ）、基板輝度値およびガード輝度値のうちいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。このように、輝度値の監視の開始時点から報知時間が経過するまでに基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じるか否かに関わらず、処理終了時点ＦＴが検出される。検出工程（ステップＳ１４）の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
終了時点検出処理の第３例では、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた後、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた時点、ならびに、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方が処理終了時点ＦＴとして検出される。そのため、基板Ｗの上面からレジスト膜が充分に除去され、かつ、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａに付着したレジスト膜の残渣が充分に除去された時点を速やかに検出することができる。
終了時点検出処理の第３例では、さらに、輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間内に処理終了時点ＦＴが検出されない場合には、処理終了時点ＦＴが検出されないことが報知される（報知工程）。
そのため、検出異常によって処理終了時点ＦＴが検出されないことを速やかに報知することができる。報知に応じて基板処理を停止させることによって、検出異常時の処理液の消費を抑制できる。
また、記憶部３Ｃに記憶されている処理済みの基板Ｗの処理終了時点ＦＴに基づいて報知時間を算出すれば、報知時間の最適化を図れる。
＜終了時点検出処理の第４例＞
図１２は、終了時点検出処理の第４例の流れを示すフローチャートである。終了時点検出処理の第４例では、終了時点検出処理の第３例と異なり、コントローラ３は、基板Ｗの上面に対する除去液の供給の終了が予定されている供給終了時点までに処理終了時点ＦＴを検出しない場合には、供給終了時点を延期する。コントローラ３は、供給終了時点延期ユニットの一例である。供給終了時点は、レシピＲ毎に設定されている。
供給終了時点は、輝度値の監視の開始時点を基準とする時点である。監視時間が開始時点と供給終了時点との間の時間と一致することを、輝度値の監視時間が供給終了時点に達すると表現する。
まず、終了時点検出処理の第４例では、コントローラ３は、画像取得ユニット１００からの画像データＩＤの受信が開始されたか否かを監視する（ステップＳ１１）。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始されていない場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、ステップＳ１１に戻る。コントローラ３は、画像データＩＤの受信が開始された場合には（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、画像データＩＤ中の画像１１０の輝度値の監視を開始する（ステップＳ１２：輝度値監視工程）。
その後、コントローラ３は、画像１１０の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する。具体的には、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１３：第１判定工程）。
第１判定工程（ステップＳ１３）において、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、コントローラ３は、輝度値の監視時間が供給終了時点に達したか否かを監視する（ステップＳ１９：供給終了時点監視工程）。
供給終了時点監視工程（ステップＳ１９）において輝度値の監視時間が、供給終了時点に達していない場合には（ステップＳ１９：ＮＯ）、コントローラ３は、第１判定工程（ステップＳ１３）に戻る。供給終了時点監視工程（ステップＳ１９）において、輝度値の監視時間が供給終了時点に達した場合には（ステップＳ１９：ＹＥＳ）、コントローラ３は、供給終了時点が延期済みか否かを判定する（ステップＳ２０）。供給終了時点が一度も延期されていない場合には（ステップＳ２０：ＮＯ）、コントローラ３は、供給終了時点を延期する（ステップＳ２１：供給終了時点延期工程）。コントローラ３は、供給終了時点を延期した後、第１判定工程（ステップＳ１３）に戻る。
供給終了時点が一度延長されている場合には（ステップＳ２０：ＮＯ）、コントローラ３は、供給終了時点が経過したことを報知ユニット１０５に報知させる（ステップＳ２２：報知工程）。報知工程（ステップＳ２２）の後、コントローラ３は、処理終了時点ＦＴを検出することなく終了時点検出処理を終了する。
輝度値の監視の開始時点から延長時間が経過するまでの間に、基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、コントローラ３は、基板輝度値およびガード輝度値の他方（もう一方）に所定の変化が生じたか否かを判定する（ステップＳ１５：第２判定工程）。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた場合には（ステップＳ１５：ＹＥＳ）、基板輝度値およびガード輝度値の当該他方に所定の変化が生じた時点、すなわち、基板輝度値に所定の変化が生じた時点およびガード輝度値に所定の変化が生じた時点の遅い方を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。コントローラ３は、検出ユニットの一例である。検出工程（ステップＳ１４）の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
第２判定工程（ステップＳ１５）において、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じていない場合には（ステップＳ１５：ＮＯ）、コントローラ３は、所定の変化が生じた時点から予備時間が経過したか否かを監視する（ステップＳ１６：予備時間監視工程）。
予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過していない場合には（ステップＳ１６：ＮＯ）、コントローラ３は、第２判定工程（ステップＳ１５）に戻る。予備時間監視工程（ステップＳ１６）において予備時間が経過した場合には（ステップＳ１６：ＹＥＳ）、基板輝度値およびガード輝度値のうちいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、処理終了時点ＦＴとして検出する（ステップＳ１４：検出工程）。このように、輝度値の監視時間が供給終了時点に達するまでに基板輝度値およびガード輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた場合には、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じるか否かに関わらず、処理終了時点ＦＴが検出される。検出工程（ステップＳ１４）の後、コントローラ３は、終了時点検出処理を終了する。
終了時点検出処理の第４例では、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた後、基板輝度値およびガード輝度値の他方に所定の変化が生じた時点、ならびに、基板輝度値およびガード輝度値の一方に所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方が処理終了時点ＦＴとして検出される。そのため、基板Ｗの上面からレジスト膜が充分に除去され、かつ、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａに付着したレジスト膜の残渣が充分に除去された時点を速やかに検出することができる。
終了時点検出処理の第４例では、さらに、供給終了時点が経過するまでに処理終了時点をコントローラ３が検出しない場合には、供給終了時点が延期される（供給終了時点延期工程）。
処理終了時点ＦＴは、常に一定とは限らず、基板Ｗ毎に個体差が存在する。そこで、供給終了時点が経過するまでに、処理終了時点が検出されない場合に供給終了時点を延長すれば、処理終了時点ＦＴが想定よりも遅い場合であっても、基板Ｗを適切に処理することができる。
終了時点検出処理の第４例では供給終了時点が既に一度延期済みである場合には、延期された供給終了時点が経過するまでに処理終了時点ＦＴをコントローラ３が検出しない場合には、コントローラ３は、報知ユニット１０５にその旨を報知させる。
そのため、検出異常によって処理終了時点ＦＴが検出されないことを速やかに報知することができる。報知に応じて基板処理を停止させることによって、検出異常時の処理液の消費を抑制できる。また、記憶部３Ｃに記憶されている処理済みの基板Ｗの処理終了時点ＦＴに基づいて報知時間を算出すれば、報知時間の最適化を図れる。
＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態では、複数のガード３０の配置の変更によって、除去液の排出先を、第１排液配管３４および回収配管３６のいずれかに切り替える。しかしながら、排出先の切り替えは、バルブの開閉によって行われてもよい。
具体的には、複数のガード３０が第２液受け配置に配置され、かつ、排液バルブ３９が開かれた状態で、除去液処理工程（ステップＳ２）が開始され、輝度値の監視時間が処理終了時点に達したときに、複数のガード３０が第２液受け配置に維持しながら、排液バルブ３９を閉じて回収バルブ３８が開かれる。これにより、除去液の排出先が、第２排液配管３７から回収配管３６に切り替えられる（流路切替工程）。この場合、回収バルブ３８および排液バルブ３９は、共通配管３５を流れる液体の排出先を、回収配管３６と第２排液配管３７との間で切り換える流路切替ユニットとして機能する。
上述の実施形態では、基板Ｗの下面に対向するヒータユニット１２によって、基板Ｗの上面上の除去液が加熱される。除去液の加熱は、ヒータユニット１２による加熱に限られない。除去液の加熱は、たとえば、基板Ｗの下面に加熱窒素等の熱媒の供給によって行われてもよい。また、除去液の加熱は、基板Ｗの上面に対向するランプヒータによって行われてもよい。基板Ｗの上面に対向するランプヒータを用いて除去液を加熱する構成を採用した場合、基板Ｗの下面を真空吸着するスピンチャックによって基板Ｗを水平に保持する構成を採ることができる。
上述の実施形態では、コントローラ３は、全ての第１領域１１１Ａの輝度値に所定の変化が生じた場合には、判定工程（ステップＳ１３）において、基板Ｗの上面の画像の輝度値に所定の変化が生じたと判定する。同様に、コントローラ３は、全ての第２領域１１１Ｂの輝度値に所定の変化が生じた場合に、判定工程（ステップＳ１３）において、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの輝度値に所定の変化が生じたと判定する。
しかしながら、コントローラ３は、複数の第１領域１１１Ａのうちの半分以上の第１領域１１１Ａの輝度値に所定の変化が生じた場合には、判定工程（ステップＳ１３）において、基板Ｗの上面の画像の輝度値に所定の変化が生じたと判定してもよい。同様に、コントローラ３は、複数の第２領域１１１Ｂのうちの半分以上の第２領域１１１Ｂの輝度値に所定の変化が生じた場合には、判定工程（ステップＳ１３）において、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの画像の輝度値に所定の変化が生じたと判定してもよい。
上述の実施形態では、検出対象領域１１１は、複数の第１領域１１１Ａおよび複数の第２領域１１１Ｂを含む。上述した実施形態とは異なり、第１領域１１１Ａおよび第２領域１１１Ｂは、少なくとも１つずつ設けられていればよい。
また、上述した複数の第１領域１１１Ａは、基板Ｗの上面の周方向に間隔を隔てて並んでいる。しかしながら、第１領域１１１Ａは、基板Ｗの上面の半径方向に間隔を隔てて並んでいてもよいし、基板Ｗの上面の周方向および半径方向に間隔を隔てて並んでいてもよい。
また、上述した複数の第２領域１１１Ｂは、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの周方向に間隔を隔てて並んでいる。しかしながら、第２領域１１１Ｂは、上下方向に間隔を隔てて並んでいてもよいし、第１ガード３０Ａの内壁面３０ａの周方向および上下方向に間隔を隔てて並んでいてもよい。
また、除去液ノズル５０から除去液が吐出されている間、基板Ｗの上面に対する除去液の着液位置が基板Ｗの面内で走査するように除去液ノズル５０が水平移動してもよい。その場合、基板Ｗの上面の中央領域と基板Ｗの上面の周縁領域との間の外周領域においてレジスト膜の除去に時間を要することがある。そのため、第１領域１１１Ａは、基板Ｗの上面の中央領域と基板Ｗの上面の周縁領域との間の外周領域において、基板Ｗの上面の周方向に沿って並んでいることが好ましい。
基板Ｗの下面に対して除去液が供給されるように構成されていてもよい。基板Ｗの下面が被処理面であってもよい。
輝度値の検出対象となるガード３０は、最も内側のガード３０（第１ガード３０Ａ）に限られず、内側から２番目のガード３０（第２ガード３０Ｂ）や最も外側のガード３０（第３ガード３０Ｃ）であってもよい。
近接位置から離間位置へのヒータユニット１２の位置の変更は、処理終了時点ＦＴから所定時間経過後に行われてもよい。同様に、除去液の排出先の変更も、処理終了時点ＦＴから所定時間経過後に行われてもよい。
上述した実施形態では、除去処理工程（ステップＳ２）の後、リンス工程（ステップＳ３）が実行される。しかしながら、除去処理工程（ステップＳ２）の後、基板Ｗの上面にオゾン水を供給するオゾン水供給工程を実行した後、リンス工程が実行されてもよい。
上述した実施形態では、処理液として、レジスト膜を除去する除去液を用いている。しかしながら、処理液は、上述した除去液に限られず、本願発明は、レジスト除去処理以外の処理にも適用できる。たとえば、メタルエッチング処理等の処理にも適用することができる。
また、上述の実施形態では、基板処理装置１が、搬送ロボットＩＲ，ＣＲと、複数の処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１，１Ｐは、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、搬送ロボットＩＲ，ＣＲを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。
なお、上記の実施形態では、「沿う」、「水平」、「直交」、「鉛直」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「直交」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置制度等のずれを許容するものである。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
１ ：基板処理装置
２ ：処理ユニット（基板処理装置）
３ ：コントローラ（検出ユニット、供給終了時点延期ユニット）
１１ ：除去液供給ユニット
１２ ：ヒータユニット（加熱ユニット）
１３ ：リンス液供給ユニット
２０ ：基板保持ユニット
２１ ：基板回転ユニット
３０ ：ガード
３０ａ ：内壁面
３０Ａ ：第１ガード
３３ ：ガード昇降ユニット（流路切替ユニット）
３４ ：第１排液配管（排液流路）
３６ ：回収配管（回収流路）
３７ ：第２排液配管（排液流路）
３８ ：回収バルブ（流路切替ユニット）
３９ ：排液バルブ（流路切替ユニット）
５６ ：硫酸水溶液バルブ（液切替ユニット）
７１ ：過酸化水素水バルブ（液切替ユニット）
８２ ：リンス液バルブ（液切替ユニット）
１００ ：画像取得ユニット
１１０ ：画像
Ａ１ ：回転軸線
ＦＴ ：処理終了時点
ＬＶ ：輝度値
Ｗ ：基板

Claims (16)

  1. 筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、
    前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、
    前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、
    前記画像取得工程で得られた画像の輝度値を監視して、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程とを含む、基板処理方法。
  2. 前記検出工程が、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を、前記処理終了時点として検出する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記検出工程が、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に所定の変化が生じた後、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの他方に前記所定の変化が生じた時点、ならびに、前記画像取得工程で得られた前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得工程で得られた前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に前記所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、前記処理終了時点として検出する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記基板の被処理面上の処理液を加熱する加熱工程と、
    前記処理終了時点が検出された場合には、前記基板の被処理面への処理液の供給を維持しながら、前記基板の被処理面上の処理液に対する加熱を弱める加熱弱化工程と、
    前記加熱弱化工程の後、前記基板の被処理面への処理液の供給を停止し、前記基板の被処理面上の処理液を洗い流すリンス液を前記基板の被処理面に供給するリンス供給工程とさらに含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記基板から飛散する処理液を排液流路に排出する排液工程と、
    前記処理終了時点が検出された場合には、前記基板から飛散する処理液の排出先を排液流路から回収流路に切り替える流路切替工程とをさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、
    前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、
    前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、
    前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する判定工程とを含み、
    輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間が経過するまでに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じない場合には、前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じないことを報知する報知工程が実行され、前記開始時点から前記報知時間が経過するまでに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程が実行される、基板処理方法。
  7. 複数枚の基板を連続的に処理する、請求項６に記載の基板処理方法であって、
    前記報知時間が、処理済みの基板の処理終了時点に基づいて算出された時間である、基板処理方法。
  8. 筒状のガードによって取り囲まれる保持位置に基板を保持する基板保持工程と、
    前記保持位置に保持されている前記基板を、前記基板の中央部を通る回転軸線まわりに回転させながら、前記基板の被処理面を処理する処理液を前記基板の被処理面に供給する処理液供給工程と、
    前記基板の被処理面に処理液を供給している間に、前記基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得工程と、
    前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じたか否かを判定する判定工程とを含み、
    前記基板の被処理面に対する処理液の供給の終了が予定されている供給終了時点までに、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点が検出されない場合には、前記供給終了時点を延期する供給終了時点延期工程が実行され、前記供給終了時点までに前記画像取得工程で得られた画像の輝度値に所定の変化が生じた場合には、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出工程が実行される、基板処理方法。
  9. 基板を所定の保持位置に保持する基板保持ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板を回転させる基板回転ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に、基板の被処理面を処理する処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板を取り囲み、当該基板から飛散する処理液を受ける筒状のガードと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面の画像および前記ガードの内壁面の画像を取得する画像取得ユニットと、
    前記画像取得ユニットによって取得される画像の輝度値を監視して、処理液による前記基板の被処理面の処理が終了する処理終了時点を検出する検出ユニットとを含む、基板処理装置。
  10. 前記検出ユニットは、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のいずれか一方に所定の変化が生じた時点を前記処理終了時点として検出する、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記検出ユニットが、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に所定の変化が生じた後、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの他方に前記所定の変化が生じた時点、ならびに、前記画像取得ユニットによって取得される前記基板の被処理面の画像の輝度値および前記画像取得ユニットによって取得される前記ガードの内壁面の画像の輝度値のうちの一方に前記所定の変化が生じた時点から所定の予備時間が経過した時点のいずれか早い方を、前記処理終了時点として検出する、請求項９に記載の基板処理装置。
  12. 前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面上の処理液を加熱し、前記処理終了時点に当該基板の加熱を弱める加熱ユニットと、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に、処理液を洗い流すリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、
    前記処理終了時点よりも後において、前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に供給される液体を処理液からリンス液に切り替える液切替ユニットとをさらに含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記ガードによって受けられる処理液を排液する排液流路と、
    前記基板保持ユニットに保持されている基板から飛散する処理液を回収する回収流路と、
    前記処理終了時点において、前記基板から飛散する処理液の排出先を排液流路から回収流路に切り替える流路切替ユニットとをさらに含む、請求項９～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  14. 輝度値の監視の開始時点から所定の報知時間が経過するまでに前記処理終了時点を前記検出ユニットが検出しない場合には、前記処理終了時点が検出されないことを報知する報知ユニットをさらに含む、請求項９～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 複数枚の基板を連続的に処理する、請求項１４に記載の基板処理装置であって、
    前記報知時間が、処理済みの基板の処理終了時点に基づいて算出された時間である、基板処理装置。
  16. 前記基板保持ユニットに保持されている基板の被処理面に対する処理液の供給の終了が予定されている供給終了時点が経過するまでに前記処理終了時点を前記検出ユニットが検出しない場合には、前記供給終了時点を延期する供給終了時点延期ユニットをさらに含む、請求項９～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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