TWI784785B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

基板處理方法係包含：基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置；處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面；影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及檢測工序，係監視在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值並檢測處理結束時間點，前述處理結束時間點為處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之時間點。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理方法以及用以處理基板之基板處理裝置。成為處理的對象之基板係例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置以及有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置等之平面顯示器(FPD；Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
從環境負擔的觀點來看，要求降低從基板去除阻劑(resist)時所使用的藥液的使用量。因此，提出了一種用以降低藥液的使用量的技術。
於下述專利文獻1揭示了一種技術，基於藉由拍攝基板的被處理面所取得的影像的亮度值來檢測處理結束時間點，在檢測到處理結束時間點之時間點停止朝基板的被處理面供給藥液。
於下述專利文獻2揭示了一種技術，取得用以接住從基板排出的藥液之第一防護罩(first guard)的內壁的影像，並因應該影像所含有的藥液的顏色的變化將從基板排出的藥液的排出目的地從排液配管切換成回收配管。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利公開第2019/096720號公報。 [專利文獻2]美國專利公開第2019/295862號公報。
[發明所欲解決之課題]
會有下述情形：根據被塗布於基板的被處理面之阻劑的種類，導致阻劑的去除所致使之基板的被處理面的亮度值的變化小，難以從基板的被處理面的影像檢測處理結束時間點。反之，亦會有下述情形：阻劑的去除所致使之防護罩的內壁面的亮度值的變化小，難以從防護罩的內壁面的影像檢測處理結束時間點。
因此，本發明的目的一之為提供一種基板處理方法以及基板處理裝置，係能良好地檢測處理液對於基板的被處理面的處理結束。 [用以解決課題的手段]
本發明的實施形態之一提供一種基板處理方法，係包含：基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置；處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面；影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及檢測工序，係監視在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值並檢測處理結束時間點，前述處理結束時間點為處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之時間點。
依據此種基板處理方法，被供給至基板的被處理面的處理液係被圍繞基板之筒狀的防護罩接住。在對基板的被處理面供給處理液之期間，取得被處理面以及防護罩的內壁面雙方的影像並監視所取得的影像的亮度值。因此，能基於基板的被處理面的影像的亮度值(以下會有稱為「基板亮度值」之情形)以及防護罩的內壁面的影像的亮度值(以下會有稱為「防護罩亮度值」之情形)雙方來檢測處理結束時間點。因此，與僅監視基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方之構成相比，能良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
在本發明的實施形態之一中，前述檢測工序係包含下述工序：將已於在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的任一方產生預定的變化之時間點作為前述處理結束時間點來檢測。因此，即使在對於基板的被處理面之處理已經結束時的影像亮度值或者防護罩亮度值的變化不充分之情形中，亦能迅速地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
在本發明的實施形態之一中，前述檢測工序係包含下述工序：在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化後，將在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的另一方產生預定的變化之時間點以及從在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生前述預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為前述處理結束時間點來檢測。
即使在充分地進行對於基板的被處理面之處理且已於基板亮度值產生預定的變化之情形中，亦會有下述情形：因為對於基板的被處理面的處理所產生的殘渣附著於防護罩的內壁面，為了從防護罩的內壁面去除該殘渣，需要持續供給處理液。反之，亦會有下述情形：與未結束基板的被處理面的整體的處理之情形無關地，會因為基板的被處理面的一部分的處理進行中導致於防護罩亮度值產生預定的變化。
即使在這些情形中，只要在基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化後，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點以及從基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為處理結束時間點來檢測，即能充分地進行對於基板的被處理面之處理且迅速地檢測已充分地去除附著於防護罩的內壁面的殘渣之時間點。結果，能良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含：加熱工序，係加熱前述基板的被處理面上的處理液；加熱弱化工序，係在檢測到前述處理結束時間點之情形中，一邊維持朝前述基板的被處理面供給處理液，一邊減弱對於前述基板的被處理面上的處理液之加熱；以及清洗液供給工序，係在前述加熱弱化工序之後，停止朝前述基板的被處理面供給處理液，將用以沖洗前述基板的被處理面上的處理液之清洗液供給至前述基板的被處理面。
依據此種基板處理方法，並非是在對於基板的被處理面之處理的結束同時地對基板的被處理面供給清洗液，而是在減弱對於基板的加熱後再對基板的被處理面供給清洗液。亦即，藉由對於基板之加熱的弱化使基板的溫度降低後，對基板的被處理面供給清洗液。因此，能緩和因為對基板供給清洗液導致基板溫度的急遽降低(熱衝擊(heat shock))。能一邊良好地檢測處理液對於基板的被處理面之處理的結束，一邊藉由清洗液順暢地沖洗處理液。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含：排液工序，係將從前述基板飛散的處理液排出至排液流路；以及流路切換工序，係在檢測到前述處理結束時間點之情形中，將從前述基板飛散之處理液的排出目的地從排液流路切換成回收流路。
因此，在結束對於基板的被處理面的處理之適當的時間點將處理液的排出目的地切換成回收流路。因此，能一邊良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束，一邊在結束對於基板的被處理面之處理後回收被供給至基板的被處理面的處理液，亦即能回收潔淨度較高的處理液。
本發明的其他的實施形態提供一種基板處理方法，係包含：基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置；處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面；影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及判定工序，係判定是否已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化。
在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之情形中執行報知工序，前述報知工序係報知於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之要旨；在從前述開始時間點起直至經過前述報知時間為止已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中執行檢測工序，前述檢測工序係檢測處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之處理結束時間點。
依據此種基板處理方法，被供給至基板的被處理面的處理液係被圍繞基板之筒狀的防護罩接住。在對基板的被處理面供給處理液之期間，取得被處理面以及防護罩的內壁面雙方的影像並判斷是否已於基板的被處理面產生預定的變化。
在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止已於在影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中，能基於基板亮度值以及防護罩亮度值雙方檢測處理結束時間點。因此，與僅監視基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方之構成相比，能良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
反之，在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止於在影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之情形中，報知此要旨。因此，能迅速地報知因為檢測異常而未檢測到處理結束時間點之要旨。能因應報知使基板處理停止，藉此能抑制檢測異常時的處理液的消耗。
在連續性地處理複數片基板之情形中，能基於處理完畢的基板的處理結束時間點算出報知時間。藉此，謀求報知時間的最佳化。
本發明的其他的實施形態提供一種基板處理方法，係包含：基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置；處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面；影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及判定工序，係判定是否已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化。
在直至預先制定有結束對於前述基板的被處理面之處理液的供給之供給結束時間點為止未檢測到處理結束時間點之情形中執行供給結束時間點延期工序，前述供給結束時間點延期工序係將前述供給結束時間點延期；在直至前述供給結束時間點為止已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中執行檢測工序，前述檢測工序係檢測處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之處理結束時間點。
依據此種基板處理方法，被供給至基板的被處理面的處理液係被圍繞基板之筒狀的防護罩接住。在對基板的被處理面供給處理液之期間，取得被處理面以及防護罩的內壁面雙方的影像並判斷是否已於基板的被處理面產生預定的變化。在直至供給結束時間點為止已於在影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中，能基於基板亮度值以及防護罩亮度值雙方檢測處理結束時間點。因此，與僅監視基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方之構成相比，能良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
處理結束時間點並未限定於常態地固定，而是於每個基板存在個體差異。在直至供給結束時間點為止於在影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之情形中，供給結束時間點被延期。因此，即使在處理結束時間點比設想還慢之情形中，亦能適當地處理基板。
本發明的其他的實施形態提供一種基板處理裝置，係包含：基板保持單元，係將基板保持在預定的保持位置；基板旋轉單元，係使被前述基板保持單元保持的前述基板旋轉；處理液供給單元，係對被前述基板保持單元保持的基板的被處理面供給用以處理基板的被處理面之處理液；筒狀的防護罩，係圍繞被前述基板保持單元保持的基板，用以接住從前述基板飛散的處理液；影像取得單元，係取得被前述基板保持單元保持的基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及檢測單元，係監視藉由前述影像取得單元所取得的影像的亮度值並檢測處理結束時間點，前述處理結束時間點為處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之時間點。
依據此種基板處理裝置，被供給至基板的被處理面的處理液係被圍繞基板之筒狀的防護罩接住。在對基板的被處理面供給處理液之期間，取得被處理面以及防護罩的內壁面雙方的影像並監視所取得的影像的亮度值。因此，能基於基板亮度值以及防護罩亮度值雙方來檢測處理結束時間點。因此，與僅監視基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方之構成相比，能良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
在本發明的實施形態之一中，前述檢測單元係將已於藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的任一方產生預定的變化之時間點作為前述處理結束時間點來檢測。因此，即使在對於基板的被處理面之處理已經結束時的影像亮度值或者防護罩亮度值的變化不充分之情形中，亦能迅速地檢測對於基板的被處理面之處理的結束。
在本發明的其他的實施形態中，前述檢測單元係在藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化後，將從藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的另一方產生預定的變化之時間點以及藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為前述處理結束時間點來檢測。
即使在充分地進行對於基板的被處理面的處理之情形中，亦會有下述情形：因為對於基板的被處理面的處理所產生的殘渣附著於防護罩的內壁面。反之，亦會有下述情形：與未充分地進行基板的被處理面的處理之情形無關地，會於防護罩亮度值產生預定的變化。
即使在這些情形中，只要在基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化後，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點以及從基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為處理結束時間點來檢測，即能充分地進行對於基板的被處理面之處理且迅速地檢測已充分地去除附著於防護罩的內壁面的殘渣之時間點。
在本發明的其他的實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含：加熱單元，係加熱被前述基板保持單元保持的基板的被處理面上的處理液，並在前述處理結束時間點中減弱前述基板的加熱；清洗液供給單元，係將用以沖洗處理液之清洗液供給至被前述基板保持單元保持的基板的被處理面；以及液體切換單元，係在前述處理結束時間點之後，將被供給至被前述基板保持單元保持的基板的被處理面之液體從處理液切換成清洗液。
依據此種基板處理裝置，並非是在對於基板的被處理面之處理的結束同時地對基板的被處理面供給清洗液，而是在減弱對於基板的加熱後再對基板的被處理面供給清洗液。亦即，藉由停止對於基板之加熱使基板的溫度降低後，對基板的被處理面供給清洗液。因此，能緩和因為對基板供給清洗液導致基板溫度的急遽降低(熱衝擊)。能一邊良好地檢測處理液對於基板的被處理面之處理的結束，一邊藉由清洗液順暢地沖洗處理液。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含：排液流路，係將被前述防護罩接住的處理液予以排液；回收流路，係回收從被前述基板保持單元保持的基板飛散的處理液；以及流路切換單元，係在前述處理結束時間點中將從前述基板飛散之處理液的排出目的地從排液流路切換成回收流路。
因此，在結束對於基板的被處理面的處理之適當的時間點將處理液的排出目的地切換成回收流路。因此，能一邊良好地檢測對於基板的被處理面之處理的結束，一邊在結束對於基板的被處理面之處理後回收被供給至基板的被處理面的處理液，亦即能回收潔淨度較高的處理液。
本發明的其他的實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含：報知單元，係在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止前述檢測單元未檢測到前述處理結束時間點之情形中，報知未檢測到前述處理結束時間點之要旨。因此，能迅速地報知因為檢測異常而未檢測到處理結束時間點之要旨。能因應報知使基板處理停止，藉此能抑制檢測異常時的處理液的消耗。
在連續性地處理複數片基板之情形中，能基於處理完畢的基板的處理結束時間點算出報知時間。藉此，謀求報知時間的最佳化。
在本發明的其他的實施形態中，前述基板處理裝置係進一步包含：供給結束時間點延期單元，係在直至經過預先制定有結束對於被前述基板保持單元保持的基板的被處理面之處理液的供給之供給結束時間點為止前述檢測單元未檢測到前述處理結束時間點之情形中，將前述供給結束時間點延期。
處理結束時間點並未限定於常態地固定，而是於每個基板存在個體差異。在直至供給結束時間點為止於在影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之情形中，供給結束時間點被延期。因此，即使在處理結束時間點比設想還慢之情形中，亦能適當地處理基板。
參照隨附的圖式並藉由以下所進行的本發明的詳細的說明，更明瞭上述目的以及其他的目的、特徵、態樣以及優點。
[基板處理裝置1的構成]
圖1為用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置1的構成之俯視圖。
基板處理裝置1為用以處理矽晶圓等基板W之裝置。基板處理裝置1係例如為葉片式的基板處理裝置(葉片處理裝置)，用以逐片地連續處理基板W。
在本實施形態中，基板W為圓板狀的基板。基板W係具有一對主表面。一對主表面中之至少一方為形成有電路圖案(circuit pattern)之器件(device)面。一對主表面中之一方亦可為未形成有電路圖案之非器件(non-device)面。於基板W的器件面形成有阻劑膜。在本實施形態中，以朝向上方的姿勢處理器件面。在本實施形態中，基板W的上表面為被處理液處理之被處理面。
作為用以構成阻劑膜之阻劑組成物，能使用正型(positive type)的阻劑組成物以及負型(negative type)的阻劑組成物等。作為正型的阻劑組成物，例如能例舉由醌二疊氮(quinone diazide)系感光劑與鹼可溶性樹脂所構成的阻劑組成物、化學增幅型阻劑組成物。
作為負型的阻劑組成物，例如能例舉：包含高分子化合物之阻劑組成物，該高分子化合物係具有聚桂皮酸乙烯酯(poly vinyl cinnamate)等之感光性基；含有芳香族疊氮化合物(aromatic azide compound) 之阻劑組成物或者含有由環化橡膠(cyclized rubber)與雙疊氮基(bisazido)化合物所構成之此種的疊氮基化合物之阻劑組成物；包含重氮基樹脂之阻劑組成物；包含加成聚合性(addition polymerization)不飽和化合物之光聚合性組成物；化學增幅型負型阻劑組成物。
在此，作為在醌二疊氮系感光劑與鹼可溶性樹脂所構成的正型阻劑組成物中所使用的醌二疊氮系感光劑的例子，能例舉1,2-苯醌二疊氮基-4-磺酸(1,2-benzoquinone diazide-4-sulfonic acid)、1,2-萘醌二疊氮基-4-磺酸(1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid)、1,2-萘醌二疊氮基-5-磺酸(1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid)、這些的磺酸的酯(ester)或者醯胺(amide)。此外，作為鹼可溶性樹脂的例子，能例舉酚醛樹脂(novolak resin)、聚乙烯酚(polyvinyl phenol)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、丙烯酸(acrylic acid)或者甲基丙烯酸(methacrylic acid)的共聚物(copolymer)。作為酚醛樹脂，能例舉由酚(phenol)、鄰甲酚(o-cresol)、間甲酚(m-cresol)、對甲酚(p-cresol)、茬酚(xylenol)等之酚類的一種或者兩種以上以及甲醛(formaldehyde)、聚甲醛(paraformaldehyde)等之醛(aldehyde)類的一種以上所製造的酚醛樹脂為佳。
此外，化學增幅型的阻劑組成物係能使用正型以及負型的任一者。化學增幅型阻劑係藉由放射線照射而使酸產生，藉由酸的觸媒作用所致使的作學變化使放射線照射部分相對於顯影液的溶解性變化並形成圖案，例如能例舉由用以藉由放射線照射使酸產生之酸產生化合物以及在酸的存在下分解並生成酚性羥基或者羧基(carboxyl)此種鹼可溶性基之含有酸感應性基樹脂所構成的阻劑、由鹼可溶樹脂與交聯劑以及氧產生劑所構成的阻劑。
基板處理裝置1係具備：複數個處理單元2，係以液體處理基板W；裝載埠(load port)LP，係供承載器(carrier)C載置，該承載器C係收容在處理單元2進行處理的複數片基板W；搬運機器人IR、CR，係在裝載埠LP與處理單元2之間搬運基板W；以及控制器3，係控制基板處理裝置1。
搬運機器人IR係在承載器C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。搬運機器人IR、CR係配置於從複數個裝載埠LP朝向複數個處理單元2延伸之搬運路徑TR上。
複數個處理單元2係例如具有同樣的構成。詳細而言如後所述，於在處理單元2內朝向基板W所供給的液體包含有去除液(處理液)以及清洗液等。
複數個處理單元2係形成四個處理塔，四個處理塔係分別配置於水平地分開的四個位置。各個處理塔係包含於上下方向層疊的複數個(例如三個)處理單元2。四個處理塔係各兩個地配置於搬運路徑TR的兩側。
基板處理裝置1係包含：複數個流體箱(fluid box)4，係收容閥以及配管等；以及儲留箱5，係收容用以儲留去除液、清洗液或者這些液體的原料液體之槽。處理單元2以及流體箱4係配置於俯視觀看時略四角形狀的框架6的內側。在圖1的例子中，儲留箱5係配置於框架6的外側。與圖1的例子不同，儲留箱5亦可配置於框架6的內側。儲留箱5係例如設置成與複數個流體箱4相同的數量。儲留於各個儲留箱5的液體係經由與儲留箱5對應的流體箱4被供給至複數個(例如三個)處理單元2，複數個處理單元2係構成與流體箱4對應的處理塔。
與本實施形態不同，亦可構成為從一個儲留箱5對全部的流體箱4供給液體。
各個處理單元2係具備：自轉夾具(spin chuck)7，係一邊水平地保持基板W一邊使基板W繞著旋轉軸線A1(鉛直軸線)旋轉；處理罩(processing cup)8，係圍繞自轉夾具7並接住從基板W飛散的液體；以及腔室(chamber)9，係收容自轉夾具7以及處理罩8。旋轉軸線A1為通過基板W的中央部之鉛直的直線。
於腔室9形成有出入口9a，出入口9a係用以供搬運機器人CR搬入基板W以及搬出基板W。於腔室9具備有用以將出入口9a開閉之擋門(shutter)單元9b。
圖2係用以說明處理單元2的構成例之示意性的剖視圖。
腔室9係包含：略四角筒狀的側壁9A，係圍繞自轉夾具7以及處理罩8；上壁9B，係配置於比自轉夾具7還上方；以及下壁9C，係支撐自轉夾具7。於腔室9的上壁9B的上方設置有用以輸送潔淨空氣(clean air)(被過濾器過濾過的空氣)之FFU(Fan Filter Unit；風扇過濾器單元)10。從FFU10對腔室9的內部供給潔淨氣體，被供給至腔室9內的潔淨氣體係經由設置於側壁9A的下端部之排氣導管9d從腔室9排出。
自轉夾具7係包含：基板保持單元20，係將基板W保持於預定的保持位置；以及基板旋轉單元21，係使基板保持單元20繞著旋轉軸線A1旋轉。自轉夾具7為基板保持旋轉單元的一例。保持位置為圖2所示的基板W的位置，且為以水平的姿勢保持基板W之位置。
基板保持單元20係包含：自轉基座(spin base)22，係具有沿著水平方向之圓板形狀；以及複數個夾具銷(chuck pin)23，係在自轉基座22的上方把持基板W並將基板W保持於保持位置。複數個夾具銷23係於自轉基座22的周方向隔著間隔配置於自轉基座22的上表面。基板保持單元20亦稱為基板保持具。
基板旋轉單元21係包含：旋轉軸24，係上端連結於自轉基座22且於鉛直方向延伸；以及自轉馬達(spin motor)25，係使旋轉軸24繞著中心軸線(旋轉軸線A1)旋轉。自轉馬達25係使旋轉軸24旋轉，藉此自轉基座22以及複數個夾具銷23繞著旋轉軸線A1旋轉。
複數個夾具銷23係能夠在閉狀態以及開狀態之間開閉，閉狀態為複數個夾具銷23接觸至基板W的周端並把持基板W之狀態，開狀態為複數個夾具銷23從基板W的周端退避之狀態。複數個夾具銷23係藉由開閉單元26而開閉。複數個夾具銷23係在閉狀態下水平地保持(夾持)基板W。複數個夾具銷23係在開狀態下解放對於基板W的周緣部的把持，並接觸至基板W的下表面的周緣部且從下方支撐基板W。
開閉單元26係包含：連桿(link)機構，係被收容於自轉基座22的內部；以及驅動源，係配置於自轉基座22的外部。驅動源為汽缸(air cylinder)或者電動馬達等之致動器(actuator)。
處理罩8係包含：複數個防護罩(guard)30，係接住從被自轉夾具7保持的基板W朝外側方向飛散的液體；複數個罩(cup)31，係接住被複數個防護罩30導引至下方的液體；以及圓筒狀的外壁構件32，係圍繞複數個防護罩30以及複數個罩31。
在本實施形態中，顯示設置有三個防護罩30(第一防護罩30A、第二防護罩30B以及第三防護罩30C)以及兩個罩31(第一罩31A以及第二罩31B)之例子。
各個防護罩30係分別具有相對於旋轉軸線A1旋轉對稱的略筒狀(典型而言為圓筒狀)。複數個防護罩30係配置於同軸上。各個防護罩30的上端部係以朝向自轉基座22之方式於內側方向(接近基板W的旋轉軸線A1之方向)傾斜。罩31係形成環狀的液體接住溝槽，用以接住被防護罩30導引至下方的液體。被罩31接住的液體係被排液或者回收。
各個防護罩30係藉由例如耐藥性的樹脂材料所形成。作為耐藥性的樹脂材料，例如能例舉PFA(tetrafluoroethylene-par fluoro alkyl vinyl ether copolymer；四氟乙烯共聚合物)、PCTFE(polymonochlorotrifluoroethyle；聚三氟氯乙烯)、PTFE(polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)等之氟樹脂。各個防護罩30的壁面整體係呈白色。
第一防護罩30A係以圍繞自轉基座22之方式配置。第二防護罩30B係以在比第一防護罩30A還外側方向圍繞自轉基座22之方式配置。第三防護罩30C係以在比第二防護罩30B還外側方向圍繞自轉基座22之方式配置。各個防護罩30係圍繞位於保持位置的基板W。
第一罩31A係接住被第一防護罩30A導引至下方的液體。第二罩31B係接住被第二防護罩30B導引至下方的液體。被第三防護罩30C接住的液體係例如從於腔室9的下壁9C呈開口的排液口9c排液。
最內側的第一防護罩30A係包含：略圓筒狀的內側筒狀部40，係圍繞自轉夾具7的周圍且沿著鉛直方向延伸；略圓環狀的下側傾斜部41，係從內側筒狀部40的上端朝向外側方向(從基板W的旋轉軸線A1離開之方向)往斜上方延伸；略圓筒狀的外側筒狀部42，係從下側傾斜部41的外側方向端朝上方延伸；以及略圓環狀的上側傾斜部43， 係從外側筒狀部42的上端朝向內側方向(接近基板W的旋轉軸線A1之方向)往斜上方延伸。
從內側算起排第二的第二防護罩30B係具有：略圓筒狀的筒狀部44，係於鉛直方向延伸；以及略圓環狀的傾斜部45，係從筒狀部44的上端朝向中心側(接近基板W的旋轉軸線A1之方向)於斜上方延伸。最外側的第三防護罩30C係具有與第二防護罩30B同樣的構成。亦即，第三防護罩30C係具有：略圓筒狀的筒狀部46，係於鉛直方向延伸；以及略圓環狀的傾斜部47，係從筒狀部46的上端朝向中心側(接近基板W的旋轉軸線A1之方向)於斜上方延伸。
第一防護罩30A的上側傾斜部43、第二防護罩30B的傾斜部45以及第三防護罩30C的傾斜部47係以第一防護罩30A的上側傾斜部43位於最下方之方式以此種順序上下地重疊。
處理單元2係進一步包含：防護罩升降單元33，係使複數個防護罩30個別地升降。各個防護罩30係在上位置與下位置之間升降，上位置為防護罩30的上端部30b位於比位於保持位置的基板W的上表面還上方之位置，下位置為防護罩30的上端部30b位於比位於保持位置的基板W的上表面還下方之位置。
亦可於第一防護罩30A的上側傾斜部43、第二防護罩30B的傾斜部45以及第三防護罩30C的傾斜部47各者的內側方向端設置有朝下方延伸的垂下部48(參照後述的圖8A至圖8C)。在此情形中，防護罩30位於上位置時，垂下部48的下端部位於比基板W的上表面還上方；防護罩30位於下位置時，防護罩30的上端部30b位於比基板W的上表面還下方。
防護罩升降單元33係例如包含：複數個馬達(未圖示)，係分別對複數個防護罩30賦予驅動力。各個馬達的驅動力係經由結合至對應的防護罩30之滾珠螺桿機構(未圖示)傳達至該防護罩30。防護罩升降單元33亦稱為防護罩升降器。
在對旋轉中的基板W供給液體時，至少一個防護罩30係配置於上位置。在複數個防護罩30配置於第一液體接住配置(參照後述的圖8A以及圖8C)時，從基板W飛散的液體係被第一防護罩30A接住；第一液體接住配置為全部的防護罩30位於上位置之配置。
在複數個防護罩30配置於第二液體接住配置(參照後述的圖8B)時，從基板W飛散的液體係被第二防護罩30B接住；第二液體接住配置為第一防護罩30A位於下位置且第二防護罩30B以及第三防護罩30C位於上位置之配置。
在複數個防護罩30配置於第三液體接住配置時，從基板W飛散的液體係被第三防護罩30C接住；第三液體接住配置為第一防護罩30A以及第二防護罩30B位於下位置且第三防護罩30C位於上位置之配置。
為了搬入基板W或者搬出基板W，在搬運機器人CR(參照圖1)存取(access)自轉夾具7時，複數個防護罩30係配置於搬出搬入配置，搬出搬入配置為全部的防護罩30位於下位置之配置。
於第一罩31A的底部連接有第一排液配管34。被導入至第一排液配管34的液體係被輸送至排液裝置(未圖示)並在排液裝置被處理。第一排液配管34為排液流路的一例。
於第二罩31B的底部連接有使用於液體的排液以及回收之共通配管35。於共通配管35分支連接有：回收配管36，係連接於硫酸水溶液供給源16(如後述)；以及第二排液配管37，係連接於排液裝置(未圖示)。於回收配管36夾設有回收閥38，於第二排液配管37夾設有排液閥39。當回收閥38打開時，於共通配管35流動的液體係被導入至回收配管36。此外，當排液閥39打開時，於共通配管35流動的液體係被導入至第二排液配管37。
處理單元2係進一步具備：去除液供給單元11，係對基板W的上表面供給去除液，去除液係用以從被自轉夾具7保持的基板W的上表面去除阻劑膜；加熱器單元12，係經由基板W加熱基板W上的去除液；以及清洗液供給單元13，係對基板W的上表面供給清洗液，清洗液係用以從被自轉夾具7保持的基板W的上表面沖洗去除液。去除液供給單元11為處理液供給單元的一例。
去除液供給單元11係包含：去除液噴嘴50，係朝向基板W的上表面噴出去除液；噴嘴臂51，係支撐去除液噴嘴50；以及噴嘴移動單元52，係使噴嘴臂51移動，藉此使去除液噴嘴50移動。去除液噴嘴50係例如為連續流動地朝向下方噴出去除液之噴嘴。噴嘴臂51係於水平方向延伸。
噴嘴移動單元52係使噴嘴臂51繞著轉動軸線水平移動，藉此使去除液噴嘴50水平地移動。噴嘴移動單元52係使去除液噴嘴50在中央位置與退避位置之間於水平方向移動，中央位置為從去除液噴嘴50噴出的去除液著液至基板W的上表面的中央區域之位置，退避位置為俯視觀看時去除液噴嘴50被設定於處理罩8的外側方向之位置。所謂基板W的上表面的中央區域係指基板W的上表面的旋轉中心以及周圍的區域。
噴嘴移動單元52係例如包含：轉動軸(未圖示)，係結合於噴嘴臂51且沿著鉛直方向延伸；以及馬達等之轉動致動器(未圖示)，係使轉動軸轉動。
在本實施形態中，作為去除液，能使用SPM液(sulfuric acid hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)，亦即硫酸水溶液(H 2SO 4水)與過氧化氫水(H 2O 2水)的混合液。去除液供給單元11亦稱為SPM液供給單元。作為能作為去除液來使用的液體，除了SPM液之外還能例舉硫酸水溶液(稀釋硫酸)以及臭氧水等。
在本實施形態中，去除液供給單元11係以下述方式構成：在去除液噴嘴50內混合過氧化氫水與硫酸水溶液，藉此形成作為去除液的SPM液。因此，去除液供給單元11係進一步包含：硫酸水溶液單元14，係對去除液噴嘴50輸送硫酸水溶液；以及過氧化氫水單元15，係對去除液噴嘴50輸送過氧化氫水。
硫酸水溶液單元14係包含：硫酸水溶液配管55，係連接於去除液噴嘴50；硫酸水溶液閥56，係將硫酸水溶液配管55予以開閉；硫酸水溶液流量調整閥57，係調整硫酸水溶液配管55內的硫酸水溶液的流量；以及硫酸水溶液供給源16，係儲留硫酸水溶液並對硫酸水溶液配管55供給硫酸水溶液。硫酸水溶液閥56以及硫酸水溶液流量調整閥57係被收容於流體箱4。硫酸水溶液供給源16係被收容於儲留箱5。
硫酸水溶液供給源16係包含：硫酸水溶液槽60，係儲留硫酸水溶液；硫酸水溶液補充配管61，係將硫酸水溶液的新液體補充至硫酸水溶液槽60；硫酸水溶液供給配管62，係連接於硫酸水溶液槽60以及硫酸水溶液配管55；第一泵64，係使硫酸水溶液槽60內的硫酸水溶液移動至硫酸水溶液供給配管62；以及加熱單元63，係在硫酸水溶液供給源16內加熱硫酸水溶液。
加熱單元63係例如為下述加熱器：加熱被設定於硫酸水溶液供給配管62的被加熱部。與圖2所示的例子不同，加熱單元63亦可為下述加熱器：被浸漬於儲留於硫酸水溶液槽60的硫酸水溶液，並直接加熱硫酸水溶液槽60內的硫酸水溶液。
硫酸水溶液供給源16亦可包含：過濾器，係過濾於硫酸水溶液供給配管62流動的硫酸水溶液；以及溫度計，係計測於硫酸水溶液供給配管62流動的硫酸水溶液的溫度。
過氧化氫水單元15係包含：過氧化氫水配管70，係連接於去除液噴嘴50；過氧化氫水閥71，係用以將過氧化氫水配管70予以開閉；以及過氧化氫水流量調整閥72，係調整過氧化氫水閥71的開放度，並調整於過氧化氫水配管70內流動的過氧化氫水的流量。過氧化氫水閥71以及過氧化氫水流量調整閥72係被收容於流體箱4。從被收容於儲留箱5的過氧化氫水供給源(未圖示)對過氧化氫水配管70供給未進行過溫度調整的常溫(例如23℃)的過氧化氫水。
當硫酸水溶液閥56以及過氧化氫水閥71打開時，硫酸水溶液以及過氧化氫水係被供給至去除液噴嘴50的殼體(未圖示)內並在殼體內充分地被混合(攪拌)。藉由此種混合，硫酸水溶液與過氧化氫水彼此均勻地混合，並藉由硫酸水溶液與過氧化氫水的反應生成SPM液。SPM液係含有氧化力強的過氧單硫酸(Peroxymonosulfuric acid；H 2SO 5)，且被升溫至比混合前的硫酸水溶液以及過氧化氫水的溫度還高的溫度(100℃以上，例如為160℃至220℃)。所生成的高溫的SPM液係從於去除液噴嘴50的殼體的前端(例如下端)呈開口的噴出口被噴出。
調整硫酸水溶液流量調整閥57以及過氧化氫水流量調整閥72的開放度，藉此能調整從去除液噴嘴50噴出的SPM液中的硫酸水溶液以及過氧化氫水的混合比率。混合比率係在H 2SO 4水：H 2O 2水＝20:1至2:1的範圍內被調整，較佳為在H 2SO 4水：H 2O 2水＝10:1至5:1的範圍內被調整。
硫酸水溶液供給源16係將使用於基板W的處理之SPM液回收並作為硫酸水溶液再次利用。硫酸水溶液供給源16係進一步包含：回收槽65，係將已使用於基板W的處理之SPM液經由回收配管36予以回收；送液配管66，係連接於回收槽65以及硫酸水溶液槽60；以及第二泵67，係使在回收槽65內生成的硫酸水溶液移動至送液配管66。
詳細而言，硫酸水溶液供給源16係將經由回收配管36回收的SPM液儲留於回收槽65。隨著時間經過，SPM液中的過氧化氫被分解，儲留於回收槽65的SPM液係變化成硫酸水溶液。藉由過氧化氫的分解所生成的硫酸水溶液係從回收槽65經由送液配管66被輸送至硫酸水溶液槽60。藉此，SPM液係作為硫酸水溶液再次利用。
與圖2所示的例子不同，亦可省略回收槽65的構成，並採用將藉由處理罩8所回收的硫酸水溶液從處理罩8直接供給至硫酸水溶液槽60之構成。
清洗液供給單元13係包含：清洗液噴嘴80，係連續流動地噴出清洗液；清洗液配管81，係將清洗液導引至清洗液噴嘴80；以及清洗液閥82，係夾設於清洗液配管81，用以將清洗液配管81內的流路予以開閉。清洗液噴嘴80係在自轉夾具7的上方以清洗液噴嘴80的噴出口朝向基板W的上表面的中央區域之狀態被固定。當清洗液閥82打開時，從清洗液配管81供給至清洗液噴嘴80的清洗液係從清洗液噴嘴80的噴出口被噴出。
清洗液係例如為去離子水(DIW；deionized water)。清洗液並未限定於DIW，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、稀釋氨水(例如10ppm以上至100ppm以下左右)以及稀釋濃度(例如10ppm以上至100ppm以下左右)的鹽酸水中的任一種。
與本實施形態不同，清洗液供給單元13亦可具備：噴嘴移動單元，係使清洗液噴嘴80水平移動，藉此使清洗液相對於基板W的上表面之著液位置在基板W的面內掃描。
加熱器單元12係具有圓板狀的加熱板(hot plate)的形態。加熱器單元12係配置於自轉基座22的上表面與基板W的下表面之間。加熱器單元12係具有：對向面12a，係從下方與基板W的下表面對向。
加熱器單元12係包含板本體90以及加熱器91。俯視觀看時板本體90係比基板W稍微小。板本體90的上表面係構成對向面12a。加熱器91亦可為內置於板本體90之電阻體。對加熱器91通電，藉此加熱對向面12a。
於加熱器單元12的下表面結合有沿著旋轉軸線A1於鉛直方向延伸的升降軸92。升降軸92係插入至中空的旋轉軸24以及形成於自轉基座22的中央部之貫通孔22a。供電線93係穿通至升降軸92內。
從加熱器通電單元94經由供電線93對加熱器91供給電力。加熱器通電單元94係例如為電源。加熱器單元12係藉由加熱器升降單元95而升降。
加熱器升降單元95係例如包含：電動馬達或者汽缸等之致動器(未圖示)，係用以升降驅動升降軸92。加熱器升降單元95亦稱為加熱器升降器。
加熱器升降單元95係經由升降軸92使加熱器單元12升降。加熱器單元12係能藉由加熱器升降單元95而升降並位於下位置以及上位置。加熱器升降單元95不僅能夠將加熱器單元12配置於下位置以及上位置，亦可將加熱器單元12配置於下位置與上位置之間的任意的位置。
加熱器單元12亦能夠在上升時從開狀態的複數個夾具銷23接取基板W。加熱器單元12係能藉由加熱器升降單元95而配置於接觸至基板W的下表面之接觸位置或者接近至基板W的下表面之接近位置，藉此加熱基板W。
接觸位置為接觸加熱位置，用以將加熱器單元12的熱量直接傳達至基板W並加熱基板W。接近位置為接近加熱位置，用以使加熱器單元12以藉由輻射充分地加熱基板W之程度非接觸地接近至基板W的下表面。加熱器單元12係在位於接觸位置或者接近位置時，經由基板W加熱基板W上的液體。在加熱器單元12位於接近位置時，基板W係被加熱至例如160℃以上至220℃以下。在加熱器單元12位於接觸位置時，基板W係在例如160℃以上至220℃以下的範圍內被加熱至比加熱器單元12位於接近位置時還高溫。
加熱器升降單元95係能夠將加熱器單元12配置於離開位置，離開位置為比接近位置還要離開基板W的下表面之位置。離開位置為弱加熱位置，用以比接近位置還要減弱對於基板W的加熱。離開位置亦可為非加熱位置，用以從基板W的下表面離開達至基板W不會被加熱的程度。
處理單元2係進一步包含：影像取得單元100(拍攝單元)，係取得(拍攝)基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像。第一防護罩30A的內壁面30a係由內側筒狀部40的內周面、下側傾斜部41的上表面、外側筒狀部42的內周面以及上側傾斜部43的下表面所構成。在本實施形態中，藉由影像取得單元100所取得的第一防護罩30A的內壁面30a的影像係主要由外側筒狀部42的內周面的影像所構成。
當然，亦可於藉由影像取得單元100所取得的第一防護罩30A的內壁面30a的影像包含有內側筒狀部40的內周面、下側傾斜部41的上表面以及上側傾斜部43的下表面，內側筒狀部40的內周面、下側傾斜部41的上表面以及上側傾斜部43的下表面係構成第一防護罩30A的內壁面30a。
影像取得單元100係包含攝影機(camera)101以及光源(未圖示)。攝影機101係包含：透鏡(lens)；拍攝元件，係將藉由透鏡所成像的光學影像轉換成電性訊號；以及拍攝電路，係基於所轉換的電性訊號生成影像訊號，並將藉由影像訊號以及時刻資訊所構成的影像資料發送至控制器3。拍攝元件係例如為CCD(Charge Coupled Devices；電荷耦合元件)感測器或者CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor；互補式金屬氧化物半導體)感測器。
攝影機101係可為一秒內能夠以數千張至數萬張的速度拍攝之高速度攝機影，亦可為一秒內能夠以十張至一百張左右的速度拍攝之一般的攝機機。影像取得單元100係被固定於腔室9的側壁9A，從斜上方拍攝基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a。
影像取得單元100係例如以預定的時間間隔(例如間隔一秒)取得影像，並在每次取得影像時將影像資料發送至控制器3。亦可在取得複數個影像後，將包含複數個影像以及與這些複數個影像對應的時刻資訊之資料作為影像資料發送至控制器3。
光源係照明基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a。光源係例如為白色光的光源。
因應去除液對於基板W的上表面之處理的進展狀況，基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度會變化，詳細內容將於後面說明。監視基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度的變化，藉此能判定是否已經結束去除液所為之處理。在本實施形態中，由於去除液為SPM液，因此所謂「去除液所為之處理」係指從基板W的上表面去除從基板W的上表面露出的阻劑膜。
[基板處理裝置的電性構成]
圖3係用以說明基板處理裝置1的電性構成之方塊圖。
控制器3係包含微電腦(microcomputer)，微電腦係具備處理器(processor)(CPU(Central Processing Unit；中央處理單元)3A)以及記憶體3B(揮發性記憶體、非揮發性記憶體等)。控制器3係構成為：處理器執行控制程式，藉此執行用於基板處理之各種控制。
於控制器3電性地連接有搬運機器人IR、CR、自轉馬達25、開閉單元26、噴嘴移動單元52、防護罩升降單元33、加熱器升降單元95、加熱器通電單元94、影像取得單元100、加熱單元63、第一泵64、第二泵67、回收閥38、排液閥39、硫酸水溶液閥56、硫酸水溶液流量調整閥57、過氧化氫水閥71、過氧化氫水流量調整閥72、清洗液閥82等。
控制器3係遵循設置於記憶體3B的處方(recipe)R來控制用以構成基板處理裝置1之各個構件。控制器3係控制這些構成，藉此執行後述的基板處理。換言之，控制器3係被編程為執行基板處理的各個工序。
控制器3係監視藉由影像取得單元100所取得的影像的亮度值，將於藉由影像取得單元100所取得的影像的亮度值產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測。詳細而言，控制器3係在每次從影像取得單元100接收影像資料ID時從影像抽出亮度值，並作為包含亮度值以及時刻資訊之亮度值資料120儲存於記憶體3B。時刻資訊亦可為影像取得單元100的內部時刻。控制器3係監視已從影像抽出的亮度值的隨著時間經過的變化。處理結束時間點FT為將亮度值的監視的開始時間點作為基準之時間點，開始時間點與處理結束時間點FT之間的時間係與於圖案的亮度值產生預定的變化時的經過時間(監視時間)一致。
於控制器3電性地連接有由非揮發性記憶體等之記憶器件所構成的記憶部3C。於記憶部3C記憶有影像資料ID、處方R以及處理結束時間點FT等。處理結束時間點FT係被記憶於基板W的每個製造批次。
於控制器3電性地連接有報知單元105，報知單元105係在於基板處理的執行中產生異常之情形中報知此要旨。報知單元105係例如為警報裝置，用以使用光線、聲音、文字以及圖形中的一種以上發出警報。報知單元105亦可為觸摸面板顯示器。
[處理結束時間點的檢測的詳細說明]
圖4為藉由影像取得單元100所取得的影像110的一例。為了方便說明，在圖4中省略第二防護罩30B以及第三防護罩30C的圖示。
於影像110包含有基板W的上表面的至少一部分以及第一防護罩30A的內壁面30a的至少一部分的影像。於影像110包含有成為亮度值的檢測對象之複數個檢測對象區域111。複數個檢測對象區域111係包含：複數個第一區域111A，係被設定於基板W的上表面；以及複數個第二區域111B，係被設定於第一防護罩30A的內壁面30a。複數個第一區域111A係在基板W的上表面的周緣區域處隔著間隔排列於基板W的上表面的周方向。複數個第二區域111B係隔著間隔排列於第一防護罩30A的內壁面30a的周方向。基板W的上表面的周緣區域為包含基板W的上表面的周緣以及周圍之區域。
圖5A至圖5C為顯示影像110所含有的各個檢測對象區域111中的亮度值LV隨著時間經過而變化的一例之圖表。所謂於被作為處理結束時間點FT的檢測的基準之亮度值LV所產生的預定的變化係指：亮度值LV急遽地變化且亮度值LV的微分值DV變成預定的臨限值以上或者以下；以及／或者亮度值LV變成預定的臨限值以上或者以下。
例如，如圖5A所示，亮度值LV的預定的變化為每單位時間的亮度值LV的變化量(亮度值LV的微分值DV)變成預定的臨限值TH1以上的正的值(DV≧TH1＞0)。
例如，如圖5B所示，亮度值LV的預定的變化亦可為每單位時間的亮度值LV的變化量(亮度值LV的微分值DV)變成預定的臨限值TH1以下的負的值(DV≦TH1＜0)。
亮度值LV的變化的態樣係根據阻劑膜的種類而不同。針對各個檢測對象區域111的亮度值LV的微分值DV的臨限值TH1是被設定成正的值以及負的值的哪一個係取決於阻劑膜被去除的期間的檢測對象區域111的亮度值LV以及阻劑膜被去除後的檢測對象區域111的亮度值LV的大小關係。在阻劑膜被去除的期間的檢測對象區域111的亮度值LV比阻劑膜被去除後的檢測對象區域111的亮度值LV還低之情形中(參照圖5A)，臨限值TH1係被設定成正的值。在阻劑膜被去除的期間的檢測對象區域111的亮度值LV比阻劑膜被去除後的檢測對象區域111的亮度值LV還高之情形中(參照圖5B)，臨限值TH1係被設定成負的值。
如圖5C所示，亮度值LV的預定的變化亦可為亮度值LV變成預定的臨限值TH2以上的值(LV≧TH2)。雖然未圖示，然而亮度值LV的預定的變化亦可為亮度值LV變成預定的臨限值TH2以下的值。
是否產生了亮度值LV的預定的變化亦可使用臨限值TH2與亮度值LV之間的大小關係以及微分值DV與臨限值TH1之間的大小關係這兩種來判定。此外，亦可無須將亮度值或者亮度值的微分值變成臨限值以上或者以下作為條件，而是將亮度值或者亮度值的微分值比臨限值還大作為條件，或者是將亮度值或者亮度值的微分值比臨限值還小作為條件。
[基板處理的一例]
圖6為用以說明藉由基板處理裝置1所執行的基板處理的一例之流程圖。圖6主要顯示有控制器3執行程式所實現的處理。
在基板處理裝置1所為之基板處理中，例如如圖6所示依序執行基板搬入工序(步驟S1)、去除處理工序(步驟S2)、清洗工序(步驟S3)、乾燥工序(步驟S4)以及基板搬出工序(步驟S5)。在去除處理工序的執行中，執行影像取得工序(步驟S6)，影像取得工序(步驟S6)係用以取得基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像。
圖7為針對基板處理中的主要的動作之時序圖。於圖7顯示了針對有無噴出SPM液、有無噴出清洗液、去除液的排出目的地以及加熱器單元12的位置(加熱器位置)之時序圖。圖8A至圖8C係用以說明藉由基板處理裝置1所執行的基板處理的各個工序的樣子之示意圖。
以下，主要參照圖2、圖6以及圖7說明藉由基板處理裝置1所執行的基板處理。適當地參照圖8A至圖8C。
首先，未處理的基板W係被搬運機器人IR、CR(參照圖1)從承載器C搬入至處理單元2並被傳遞至自轉夾具7的基板保持單元20(步驟S1：基板搬入工序)。藉此，基板W係以形成有阻劑膜的器件面(被處理面)朝向上方的姿勢被基板保持單元20水平地保持(基板保持工序)。基板保持單元20對於基板W之保持係持續至乾燥工序(步驟S4)結束為止。
在基板處理中，對加熱器單元12的加熱器91常態地供給電力。在搬入基板W時，加熱器單元12係配置於離開位置。
在基板W被基板保持單元20保持的狀態下，基板旋轉單元21係使基板W開始旋轉(基板旋轉工序)。在基板處理中，第一泵64以及加熱單元63係常態地運作。在基板處理中，關閉排液閥39並打開回收閥38。
接著，搬運機器人CR退避至處理單元2的外部後，執行去除處理工序(步驟S2)，去除處理工序(步驟S2)係藉由去除液處理基板W的上表面。
具體而言，噴嘴移動單元52係使去除液噴嘴50移動至處理位置。去除液噴嘴50的處理位置係例如為中央位置。防護罩升降單元33係將複數個防護罩30的配置從搬出搬入配置切換成第一液體接住配置。加熱器升降單元95係使加熱器單元12配置於接近位置。
在去除液噴嘴50位於處理位置、複數個防護罩30配置於第一液體接住配置、加熱器單元12配置於接近位置的狀態下，打開硫酸水溶液閥56以及過氧化氫水閥71。藉此，如圖8A所示，從去除液噴嘴50朝向正在繞著旋轉軸線A1旋轉的基板W的上表面的中央區域供給(噴出)作為去除液的SPM液(去除液供給工序、處理液供給工序)。
已著液至基板W的上表面的中央區域的SPM液係接受基板W的旋轉所致使的離心力而放射狀地擴展並遍布至基板W的上表面整體。藉此，藉由SPM液處理基板W的上表面整體。已著液至基板W的上表面的SPM液係經由基板W被加熱器單元12加熱(加熱工序)。SPM液被加熱，藉此促進SPM液對於基板W的上表面的處理。
已到達至基板W的上表面的周緣的SPM液係藉由離心力從基板W的上表面的周緣排出。從基板W的上表面排出的SPM液係被第一防護罩30A接住。被第一防護罩30A接住的SPM液係被排出至第一排液配管34(排液流路)(排液工序)。
與從去除液噴嘴50開始噴出SPM液同時地，影像取得單元100開始取得基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像(步驟S6：影像取得工序)。當控制器3從影像取得單元100接收影像資料ID時，執行用以檢測處理結束時間點FT之結束時間點檢測處理。結束時間點檢測處理的詳細說明係於後面說明。
當控制器3檢測到處理結束時間點FT時，與檢測到處理結束時間點FT同時地，影像取得單元100係結束影像的取得。如圖8B所示，即使在亮度值的監視時間到達至處理結束時間點FT後亦維持朝基板W的上表面供給去除液(去除液供給維持工序、處理液供給維持工序)。另一方面，與控制器3檢測到處理結束時間點FT同時地，加熱器升降單元95係使加熱器單元12移動至離開位置。藉此，一邊維持朝基板W的上表面供給去除液，一邊停止SPM液對於基板W的上表面上的加熱(加熱停止工序)。加熱器單元12對於基板W的加熱並無須完全地停止，只要減弱加熱器單元12對於基板W的加熱即可(加熱弱化工序)。
與控制器3檢測到處理結束時間點FT同時地，藉由防護罩升降單元33將複數個防護罩30的配置從第一液體接住配置切換成第二液體接住配置。藉此，如圖8B所示，用以接住從基板W排出的SPM液之防護罩30係被切換成第二防護罩30B。被第二防護罩30B接住的SPM液係經由共通配管35被排出至回收配管36(回收流路)。亦即，在檢測到處理結束時間點FT之情形中，從基板W飛散的SPM液(處理液、去除液)的排出目的地係從第一排液配管34(排液流路)被切換成回收配管36(回收流路)(流路切換工序)。
如此，在基板處理中，防護罩升降單元33係作為流路切換單元發揮作用，流路切換單元係用以將複數個防護罩30的配置切換成第一液體接住配置以及第二液體接住配置的某一個配置，藉此將從基板W飛散的SPM液(處理液、去除液)的排出目的地從第一排液配管34切換成回收配管36。
在從加熱器單元12停止加熱基板W上的SPM液之時間點起經過預定的冷卻時間CT(參照圖7)時，開始用以清洗基板W的上表面上的SPM液之清洗工序(步驟S3)。
清洗工序(步驟S3)亦可以複數個防護罩30的配置被切換成第二液體接住配置之時間點作為基準而開始。亦即，清洗工序亦可在從複數個防護罩30的配置被切換成第二液體配置之時間點起經過預定的回收時間RT(參照圖7)時再開始。在本實施形態中，由於停止對於基板W上的SPM液的加熱以及複數個防護罩30的配置的切換是在處理結束時間點FT進行，因此冷卻時間CT以及回收時間RT為相同的長度。
具體而言，關閉硫酸水溶液閥56以及過氧化氫水閥71。藉此，停止朝基板W的上表面供給SPM液(去除液供給停止工序、處理液供給停止工序)。在關閉硫酸水溶液閥56以及過氧化氫水閥71後，噴嘴移動單元52係使去除液噴嘴50移動至退避位置。而且，防護罩升降單元33係將複數個防護罩30的配置從第二液體接住配置切換成第一液體接住配置。
在停止朝基板W的上表面供給SPM液且複數個防護罩30位於第一液體接住配置的狀態下，打開清洗液閥82。藉此，如圖8C所示，從清洗液噴嘴80朝向基板W的上表面的中央區域供給(噴出)清洗液(清洗液供給工序)。已著液至基板W的上表面的中央區域的清洗液係接受基板W的旋轉所致使的離心力而放射狀地擴展並遍布至基板W的上表面整體。清洗液供給工序係在加熱停止工序(加熱弱化工序)後在停止朝基板W的上表面供給去除液的狀態下被進行。
清洗液係藉由離心力從基板W的上表面的周緣排出。藉此，已附著於基板W的上表面的SPM液係被清洗液沖洗。清洗液閥82、硫酸水溶液閥56以及過氧化氫水閥71為液體切換單元的一例，液體切換單元係用以在比處理結束時間點FT之後將被供給至基板W的上表面的液體從SPM液(去除液、處理液)切換成清洗液。
從基板W的上表面排出的清洗液以及SPM液係被第一防護罩30A接住。被第一防護罩30A接住的清洗液以及SPM液係被排出至第一排液配管34(排液流路)(排液工序)。
在朝基板W的上表面供給清洗液持續預定的清洗時間後，執行用以使基板W的上表面乾燥之乾燥工序(步驟S4)。
具體而言，關閉清洗液閥82，停止從清洗液噴嘴80供給清洗液。藉由防護罩升降單元33將複數個防護罩30的配置從第一液體接住配置切換成第三液體接住配置，從基板W飛散的液體係被第三防護罩30C接住。
在乾燥工序(步驟S4)中，在關閉清洗液閥82且複數個防護罩30的配置被配置於第三液體接住配置的狀態下，自轉馬達25係使基板W高速旋轉(例如2000rpm)。藉此，大的離心力作用於基板W上的清洗液，基板W上的清洗液被甩離至基板W的周圍。
將基板W的高速旋轉持續預定的乾燥時間後，自轉馬達25係使基板W的旋轉停止。在已使基板W的旋轉停止的狀態下，防護罩升降單元33係使複數個防護罩30移動至搬出搬入位置。
搬運機器人CR係進入至處理單元2，從基板保持單元20的夾具銷23拾取處理完畢的基板W並朝處理單元2的外部搬出(步驟S5：基板搬出工序)。基板W係從搬運機器人CR被傳遞至搬運機器人IR，並被搬運機器人IR收納至承載器C。
[結束時間點檢測處理的詳細說明]
圖9為顯示結束時間點檢測處理的第一例的流程之流程圖。首先，控制器3係監視是否已開始從影像取得單元100接收影像資料ID(步驟S11)。控制器3係在尚未開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：否)返回至步驟S11。控制器3係在開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：是)開始監視影像資料ID所含有的影像110的亮度值(步驟S12：亮度值監視工序)。
之後，控制器3係判定是否已於影像110的亮度值產生預定的變化。具體而言，控制器3係判定是否已於基板W的上表面的影像的亮度值(基板亮度值)以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度值(防護罩亮度值)的任一方產生預定的變化(步驟S13：判定工序)。
詳細而言，控制器3係在已於全部的第一區域111A的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定已於基板W的上表面的影像的亮度值產生預定的變化。控制器3係在已於一部分的第一區域111A的亮度值產生預定的變化之情形中，判定未於基板W的上表面的影像的亮度值產生預定的變化。
同樣地，控制器3係在已於全部的第二區域111B的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定成已於第一防護罩30A的內壁面30a的亮度值產生預定的變化。控制器3係在已於一部分的第二區域111B的亮度值產生預定的變化之情形中，判定成未於第一防護罩30A的內壁面30a的亮度值產生預定的變化。
在判定工序(步驟S13)中，在皆未於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：否)，控制器3係返回至步驟S13。在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：是)，控制器3係將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT(步驟S14：檢測工序)。控制器3為檢測單元的一例。在步驟S14之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
依據第一實施形態，被供給至基板W的上表面(被處理面)的去除液係被圍繞基板W之筒狀的第一防護罩30A接住。在對基板W的上表面供給去除液之期間，取得基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a雙方的影像並監視所取得的影像的亮度值。因此，能基於基板亮度值以及防護罩亮度值雙方檢測處理結束時間點FT。
會有亮度值的預定的變化僅於基板W的上表面以及第一防護罩30A的內壁面30a的任一方產生之情形。例如，在用以構成形成於基板W的器件面的阻劑膜之阻劑組成物為KrF(化學增幅型的阻劑組成物、聚羥基苯乙烯(polyhydroxystyrene)樹脂)之情形中，阻劑膜的厚度為數十nm，阻劑膜為非常薄的硬化層。因此，形成於基板W上的阻劑膜的整體量係較少，溶解於SPM液之阻劑組成物的量亦較低。由於從基板W的上表面飛散的SPM液中的阻劑組成物的濃度較低，因此第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度值的變化量小。另一方面，由於已從基板W的上表面去除阻劑膜之部分的顏色係變化成藉由阻劑膜的剝離所露出的物質的顏色，因此基板W的上表面的影像的亮度值的變化量大。因此，在阻劑膜為KrF之情形中，較佳為基於基板W的上表面的影像的亮度值檢測處理結束時間點FT。
在用以構成形成於基板W的器件面的阻劑膜之阻劑組成物為I-lin(重氮基(diazo)樹脂等)之情形中，阻劑膜並不是硬化層，阻劑膜的膜厚為3μm至5μm這種較厚的厚度。因此，形成於基板W上的阻劑膜的整體量係較多，溶解於SPM液之阻劑組成物的量亦較高。因此，第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度值的變化量係比基板W的上表面的影像的亮度值的變化量還大。
因此，與用以僅監視基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方之構成相比，只要為用以監視基板W的上表面的影像以及第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度值並檢測處理結束時間點FT之構成，即能良好地檢測對於基板W的上表面之處理的結束。尤其，只要將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT來檢測，即使在處理結束時間點FT中基板亮度值以及防護罩亮度值的變化的任一方不充分之情形中，亦能迅速地檢測對於基板W的上表面之處理的結束。
此外，依據第一實施形態，並非是在對於基板W的上表面之處理的結束同時地對基板W的上表面供給清洗液，而是在減弱(停止)對於基板W的加熱後再對基板W的上表面供給清洗液。亦即，藉由對於基板W之加熱的弱化(停止)使基板W的溫度降低後，對基板W的上表面供給清洗液。因此，能緩和因為對基板W供給清洗液導致基板溫度的急遽降低。能一邊良好地檢測處理液對於基板W的上表面之處理的結束，一邊藉由清洗液順暢地沖洗處理液。
此外，依據第一實施形態，在檢測到處理結束時間點FT之情形中，變更複數個防護罩30的配置，藉此將從基板W飛散的處理液的排出目的地從第一排液配管34切換成回收配管36(流路切換工序)。
因此，能在結束了對於基板W的上表面的處理(阻劑膜的去除)之適當的時間點將去除液的排出目的地切換成回收配管36。因此，能一邊良好地檢測對於基板W的上表面之處理的結束，一邊在結束對於基板W的上表面之處理後回收被供給至基板W的上表面的去除液，亦即能回收潔淨度較高的去除液。
只要處理結束時間點FT被記憶於基板W的每個製造批次，則能比較製造批次所致使的處理結束時間點FT的差異。
接著，說明結束時間點檢測處理的其他的例子(第二例至第四例)。
[結束時間點檢測處理的第二例]
圖10為顯示結束時間點檢測處理的第二例的流程之流程圖。
首先，在結束時間點檢測處理的第二例中，控制器3係監視是否已開始從影像取得單元100接收影像資料ID(步驟S11)。控制器3係在尚未開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：否)返回至步驟S11。控制器3係在開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：是)開始監視影像資料ID中的影像110的亮度值(步驟S12：亮度值監視工序)。
之後，控制器3係判定是否已於影像110的亮度值產生預定的變化。具體而言，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化(步驟S13：第一判定工序)。
在第一判定工序(步驟S13)中，在皆未於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：否)，控制器3係返回至第一判定工序(步驟S13)。在第一判定工序中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：是)，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方(另外的一方)產生預定的變化(步驟S15：第二判定工序)。
在第二判定工序(步驟S15)中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：是)，控制器3係將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)，亦即將已於基板亮度值產生預定的變化之時間點以及已於防護罩亮度值產生預定的變化之時間點之較慢的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。控制器3為檢測單元的一例。在檢測工序(步驟S14)之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
在第二判定工序(步驟S15)中，在未於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：否)，控制器3係在直至經過預備時間為止之期間監視是否已經經過預備時間(步驟S16：預備時間監視工序)。
在於預備時間監視工序(步驟S16)中未經過預備時間之情形中(步驟S16：否)，控制器3係返回至步驟S15。在於預備時間監視工序(步驟S16)中已經經過預備時間之情形中(步驟S16：是)，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)。如此，在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中，與是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化無關地檢測出處理結束時間點FT。在檢測工序(步驟S14)之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
即使在對於基板W的上表面之處理充分地進展且已於基板亮度值產生預定的變化之情形中亦會有下述情形：因為對於基板W的上表面之處理所產生的殘渣附著於第一防護罩30A的內壁面30a，為了從第一防護罩30A的內壁面30a去除該殘渣，需要持續供給去除液。反之，亦會有下述情形：與基板W的上表面整體的處理尚未結束無關地，因為基板W的上表面的一部分的處理進展從而已於防護罩亮度值產生預定的變化。
然而，在結束時間點檢測處理的第二例中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化後，將從已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點以及已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化之時間點起已經經過預定的預備時間之時間點之較快的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。因此，能迅速地檢測已經從基板W的上表面充分地去除阻劑膜且附著於第一防護罩30A的內壁面30a的阻劑膜的殘渣已經被充分地去除之時間點。
[結束時間點檢測處理的第三例]
圖11為顯示結束時間點檢測處理的第三例的流程之流程圖。與結束時間點檢測處理的第二例不同，在結束時間點檢測處理的第三例中，在已從亮度值的監視的開始時間點起經過預定的報知時間之情形中報知此要旨。
報知時間為基於記憶於記憶部3C之處理完畢的基板W的處理結束時間點FT所算出的時間。更具體而言，報知時間為在藉由同一個處理單元2剛處理過基板W的基板處理中於從亮度值的監視的開始時間點起直至處理結束時間點FT為止之時間(例如30秒)追加預定的追加時間(例如10秒)之時間。報知時間亦可為在藉由同一個處理單元2剛處理過基板W的基板處理中於從亮度值的監視的開始時間點起直至處理結束時間點FT為止之時間追加已於該時間乘上預定的比例(例如30%)的追加時間之時間。
首先，在結束時間點檢測處理的第三例中，控制器3係監視是否已開始從影像取得單元100接收影像資料ID(步驟S11)。控制器3係在尚未開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：否)返回至步驟S11。控制器3係在已開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：是)開始監視影像資料ID中的影像110的亮度值(步驟S12：亮度值監視工序)。
之後，控制器3係判定是否已於圖案110的亮度值產生預定的變化。具體而言，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化(步驟S13：第一判定工序)。
在第一判定工序(步驟S13)中，在尚未於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：否)，控制器3係監視是否從亮度值的監視的開始時間點起已經經過報知時間(步驟S17：報知時間監視工序)。
在於報知時間監視工序(步驟S17)中未經過報知時間之情形中(步驟S17：否)，控制器3係返回至第一判定工序(步驟S13)。在報知時間監視工序(步驟S17)中，在從亮度值的監視的開始時間點起已經經過報知時間之情形中(步驟S17：是)，控制器3係使報知單元105報知已經經過報知時間之要旨(步驟S18：報知工序)。在報知工序(步驟S18)之後，控制器3係不檢測處理結束時間點FT地將結束時間點檢測處理結束。
在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止之期間，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：是)，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方(另外的一方)產生預定的變化(步驟S15：第二判定工序)。
在第二判定工序(步驟S15)中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：是)，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)，亦即將已於基板亮度值產生預定的變化之時間點以及已於防護罩亮度值產生預定的變化之時間點之較慢的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。在步驟S14之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
在第二判定工序(步驟S15)中，在未於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：否)，控制器3係監視是否從產生預定的變化之時間點起已經經過預備時間(步驟S16：預備時間監視工序)。
在於預備時間監視工序(步驟S16)中未經過預備時間之情形中(步驟S16：否)，控制器3係返回至第二判定工序(步驟S15)。在於預備時間監視工序(步驟S16)中已經經過預備時間之情形中(步驟S16：是)，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)。如此，在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中，與是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化無關地檢測出處理結束時間點FT。在檢測工序(步驟S14)之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
在結束時間點檢測處理的第三例中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化後，將從已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點以及已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化之時間點起已經經過預定的預備時間之時間點之較快的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。因此，能迅速地檢測已經從基板W的上表面充分地去除阻劑膜且附著於第一防護罩30A的內壁面30a的阻劑膜的殘渣已經被充分地去除之時間點。
在結束時間點檢測處理的第三例中，進一步地在從亮度值的監視的開始時間點起於預定的報知時間內未檢測到處理結束時間點FT之情形中，報知未檢測到處理結束時間點FT之要旨(報知工序)。
因此，能迅速地報知因為檢測異常而未檢測到處理結束時間點FT之要旨。因應報知使基板處理停止，藉此能抑制檢測異常時的處理液的消耗。
此外，只要基於記憶於記憶部3C之處理完畢的基板W的處理結束時間點FT算出報知時間，即能謀求報知時間的最佳化。
[結束時間點檢測處理的第四例]
圖12為顯示結束時間點檢測處理的第四例的流程之流程圖。與結束時間點檢測處理的第三例不同，在結束時間點檢測處理的第四例中，控制器3係在直至供給結束時間點為止未檢測到處理結束時間點FT之情形中將供給結束時間點延期，供給結束時間點係預先設定有結束對於基板W的上表面供給去除液之時間點。控制器3為供給結束時間點延期單元的一例。供給結束時間點係設定於每個處方R。
供給結束時間點為將亮度值的監視的開始時間點作為基準之時間點。將監視時間和開始時間點與供給結束時間點之間的時間一致之情形表現成亮度值的監視時間到達至供給結束時間點。
首先，在結束時間點檢測處理的第四例中，控制器3係監視是否已開始從影像取得單元100接收影像資料ID(步驟S11)。控制器3係在尚未開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：否)返回至步驟S11。控制器3係在開始接收影像資料ID之情形中(步驟S11：是)開始監視影像資料ID中的影像110的亮度值(步驟S12：亮度值監視工序)。
之後，控制器3係判定是否已於影像110的亮度值產生預定的變化。具體而言，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化(步驟S13：第一判定工序)。
在第一判定工序(步驟S13)中，在皆未於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：否)，控制器3係監視亮度值的監視時間是否已到達至供給結束時間點(步驟S19：供給結束時間點監視工序)。
在於供給結束時間點監視工序(步驟S19)中亮度值的監視時間未到達至供給結束時間點之情形中(步驟S19：否)，控制器3係返回至第一判定工序(步驟S13)。在於供給結束時間點監視工序(步驟S19)中亮度值的監視時間已經到達至供給結束時間點之情形中(步驟S19：是)，控制器3係判定供給結束時間點是否延期完畢(步驟S20)。在供給結束時間點一次也未被延期之情形中(步驟S20：否)，控制器3係將供給結束時間點延期(步驟S21：供給結束時間點延期工序)。控制器3係將供給結束時間點延期後返回至第一判定工序(步驟S13)。
在供給結束時間點被延長一次之情形中(步驟S20：是)，控制器3係使報知單元105報知已經經過供給結束時間點之要旨(步驟S22：報知工序)。在報知工序(步驟S22)之後，控制器3係不檢測處理結束時間點FT地將結束時間點檢測處理結束。
在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過延長時間為止之期間已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中(步驟S13：是)，控制器3係判定是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方(另外的一方)產生預定的變化(步驟S15：第二判定工序)。
在第二判定工序(步驟S15)中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：是)，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)，亦即將已於基板亮度值產生預定的變化之時間點以及已於防護罩亮度值產生預定的變化之時間點之較慢的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。控制器3為檢測單元的一例。在檢測工序(步驟S14)之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
在第二判定工序(步驟S15)中，在未於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之情形中(步驟S15：否)，控制器3係監視從已產生預定的變化的時間點起是否已經過預備時間(步驟S16：預備時間監視工序)。
在於預備時間監視工序(步驟S16)中未經過預備時間之情形中(步驟S16：否)，控制器3係返回至第二判定工序(步驟S15)。在於預備時間監視工序(步驟S16)中已經經過預備時間之情形中(步驟S16：是)，將已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之時間點作為處理結束時間點FT予以檢測(步驟S14：檢測工序)。如此，在直至亮度值的監視時間到達至供給結束時間點為止已於基板亮度值以及防護罩亮度值的任一方產生預定的變化之情形中，與是否已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化無關地檢測出處理結束時間點FT。在檢測工序(步驟S14)之後，控制器3係將結束時間點檢測處理結束。
在結束時間點檢測處理的第四例中，在已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化後，將從已於基板亮度值以及防護罩亮度值的另一方產生預定的變化之時間點以及已於基板亮度值以及防護罩亮度值的一方產生預定的變化之時間點起已經經過預定的預備時間之時間點之較快的一方作為處理結束時間點FT予以檢測。因此，能迅速地檢測已經從基板W的上表面充分地去除阻劑膜且附著於第一防護罩30A的內壁面30a的阻劑膜的殘渣已經被充分地去除之時間點。
在結束時間點檢測處理的第四例中，在直至經過供給結束時間點為止控制器3未檢測到處理結束時間點之情形中，將供給結束時間點延期(供給結束時間點延期工序)。
處理結束時間點並未限定於常態地固定，而是於每個基板W存在個體差異。因此，即使在直至經過供給結束時間點為止未檢測到處理結束時間點之情形中，只要延長供給結束時間點，則即使在處理結束時間點FT比預想還慢之情形中亦能適當地處理基板W。
在結束時間點檢測處理的第四例中，在供給結束時間點已經延期一次之情形中，控制器3係在直至經過已經延期的供給結束時間點為止未檢測到處理結束時間點FT之情形中使報知單元105報知此要旨。
因此，能迅速地報知因為檢測異常而未檢測到處理結束時間點FT之要旨。因應報知使基板處理停止，藉此能抑制檢測異常時的處理液的消耗。此外，只要基於記憶於記憶部3C之處理完畢的基板W的處理結束時間點FT算出報知時間，即能謀求報知時間的最佳化。
[其他的實施形態]
本發明並未限定於以上所說明的實施形態，能進一步以其他的實施形態來實施。
例如，在上述實施形態中，藉由複數個防護罩30的配置的變更將去除液的排出目的地切換成第一排液配管34以及回收配管36的任一方。然而，排出目的地的切換亦可藉由閥的開閉來進行。
具體而言，在複數個防護罩30配置於第二液體接住配置且打開排液閥39的狀態下開始去除液處理工序(步驟S2)，在亮度值的監視時間到達至處理結束時間點時，一邊將複數個防護罩30維持在第二液體接住配置，一邊關閉排液閥39並打開回收閥38。藉此，去除液的排出目的地係從第二排液配管37被切換成回收配管36(流路切換工序)。在此情形中，回收閥38以及排液閥39係作為流路切換單元發揮作用，流路切換單元係將於共通配管35流動的液體的排出目的地在回收配管36與第二排液配管37之間切換。
在上述實施形態中，藉由與基板W的下表面對向的加熱器單元12加熱基板W的上表面上的去除液。去除液的加熱並未限定於加熱器單元12的加熱。去除液的加熱例如亦可藉由對基板W的下表面供給加熱氮等之熱媒來進行。此外，去除液的加熱亦可進行與基板W的上表面對向的燈加熱器來進行。在採用使用與基板W的上表面對向的燈加熱器加熱去除液之構成的情形中，能採用藉由用以真空吸附基板W的下表面之自轉夾具水平地保持基板W之構成。
在上述實施形態中，控制器3係在已於全部的第一區域111A的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定成已於基板W的上表面的影像的亮度值產生預定的變化。同樣地，控制器3係在已於全部的第二區域111B的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定成已於第一防護罩30A的內壁面30a的亮度值產生預定的變化。
然而，亦可為控制器3係在已於複數個第一區域111A中之一半以上的第一區域111A的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定成已於基板W的上表面的影像的亮度值產生預定的變化。同樣地，亦可為控制器3係在已於複數個第二區域111B中之一半以上的第二區域111B的亮度值產生預定的變化之情形中，在判定工序(步驟S13)中判定成已於第一防護罩30A的內壁面30a的影像的亮度值產生預定的變化。
在上述實施形態中，檢測對象區域111係包含複數個第一區域111A以及複數個第二區域111B。與上述實施形態不同，第一區域111A以及第二區域111B只要至少各設置一個即可。
此外，上述複數個第一區域111A係隔著間隔排列於基板W的上表面的周方向。然而，第一區域111A亦可隔著間隔排列於基板W的上表面的半徑方向，亦可隔著間隔排列於基板W的上表面的周方向以及半徑方向。
此外，上述複數個第二區域111B係隔著間隔排列於第一防護罩30A的內壁面30a的周方向。然而，第二區域111B亦可隔著間隔排列於上下方向，亦可隔著間隔排列於第一防護罩30A的內壁面30a的周方向以及上下方向。
此外，亦可在從去除液噴嘴50噴出去除液之期間，以去除液相對於基板W的上表面之著液位置在基板W的面內掃描之方式水平移動去除液噴嘴50。在此情形中，會有在基板W的上表面的中央區域與基板W的上表面的周緣區域之間的外周區域中去除阻劑膜需要時間。因此，較佳為第一區域111A係在基板W的上表面的中央區域與基板W的上表面的周緣區域之間的外周區域中沿著基板W的上表面的周方向排列。
亦可構成為對基板W的下表面供給去除液。基板W的下表面亦可為被處理面。
成為亮度值的檢測對象之防護罩30並未限定於最內側的防護罩30(第一防護罩30A)，亦可為從內側起排第二的防護罩30(第二防護罩30B)或者最外側的防護罩30(第三防護罩30C)。
加熱器單元12的位置從接近位置朝離開位置之變更亦可在從處理結束時間點FT起經過預定時間後再進行。同樣地，去除液的排出目的地的變更亦可在從處理結束時間點FT起經過預定時間後再進行。
在上述實施形態中，在去除處理工序(步驟S2)之後執行清洗工序(步驟S3)。然而，亦可在去除處理工序(步驟S2)之後，執行用以對基板W的上表面供給臭氧水之臭氧水供給工序後再執行清洗工序。
在上述實施形態中，使用用以去除阻劑膜之去除液作為處理液。然而，處理液並未限定於上述去除液，本發明亦能應用於阻劑去除處理以外的處理。例如，亦能應用於金屬蝕刻處理等之處理。
此外，在上述實施形態中，基板處理裝置1係具備搬運機器人IR、CR、控制器3以及複數個處理單元2。然而，基板處理裝置1、1P亦可藉由控制器3以及單一個處理單元2所構成，且未包含搬運機器人IR、CR。或者，基板處理裝置1亦可僅藉由單一個處理單元2所構成。換言之，處理單元2亦可為基板處理裝置的一例。
此外，在上述實施形態中，雖然使用「沿著」、「水平」、「正交」、「鉛直」這種表現，然而不需要嚴格地為「沿著」、「水平」、「正交」、「鉛直」。亦即，這些各種表現係容許製造精度、設置精度等之偏移。
雖然已經詳細地說明本發明的實施形態，然而這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術內容之具體例，本發明不應被解釋成限定在這些具體例，本發明僅被隨附的申請專利範圍所限定。
本申請案係與2020年11月30日於日本專利局所提出的日本特願2020-197918號對應，並將日本特願2020-197918號的全部內容援用並組入至本申請案中。
1,1P:基板處理裝置 2:處理單元 3:控制器 3A:CPU 3B:記憶體 3C:記憶部 4:流體箱 5:儲留箱 6:框架 7:自轉夾具 8:處理罩 9:腔室 9A:側壁 9a:出入口 9B:上壁 9b:擋門單元 9C:下壁 9c:排液口 9d:排氣導管 10:FFU 11:去除液供給單元 12:加熱器單元 12a:對向面 13:清洗液供給單元 14:硫酸水溶液單元 15:過氧化氫水單元 16:硫酸水溶液供給源 20:基板保持單元 21:基板旋轉單元 22:自轉基座 22a:貫通孔 23:自轉夾具 24:旋轉軸 25:自轉馬達 26:開閉單元 30:防護罩 30A:第一防護罩 30a:內壁面 30B:第二防護罩 30b:上端部 30C:第三防護罩 31:罩 31A:第一罩 31B:第二罩 32:外壁構件 33:防護罩升降單元 34:第一排液配管 35:共通配管 36:回收配管 37:第二排液配管 38:回收閥 39:排液閥 40:內側筒狀部 41:下側傾斜部 42:外側筒狀部 43:上側傾斜部 44,46:筒狀部 45,47:傾斜部 48:垂下部 50:去除液噴嘴 51:噴嘴臂 52:噴嘴移動單元 55:硫酸水溶液配管 56:硫酸水溶液閥 57:硫酸水溶液流量調整閥 60:硫酸水溶液槽 61:硫酸水溶液補充配管 62:硫酸水溶液供給配管 63:加熱單元 64:第一泵 65:回收槽 66:送液配管 67:第二泵 70:過氧化氫水配管 71:過氧化氫水閥 72:過氧化氫水流量調整閥 80:清洗液噴嘴 81:清洗液配管 82:清洗液閥 90:板本體 91:加熱器 92:升降軸 93:供電線 94:加熱器通電單元 95:加熱器升降單元 100:影像取得單元 101:攝影機 105:報知單元 110:影像 111:檢測對象區域 111A:第一區域 111B:第二區域 120:亮度值資訊 A1:旋轉軸線 C:承載器 CR,IR:搬運機器人 CT:冷卻時間 DV:微分值 FT:處理結束時間點 ID:影像資料 LP:裝載埠 LV:亮度值 R:處方 RT:回收時間 S1:基板搬入工序 S2:去除處理工序 S3:清洗工序 S4:乾燥工序 S5:基板搬出工序 S6:影像取得工序 S12:亮度值監視工序 S13:判定工序 S14:檢測工序 S15:第二判定工序 S16:預備時間監視工序 S17:報知時間監視工序 S18,S22:報知工序 S19:供給結束時間點監視工序 S21:供給結束時間點延期工序 TH1,TH2:臨限值 TR:搬運路徑 W:基板
[圖1]為用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置的構成之俯視圖。 [圖2]為用以說明前述基板處理裝置所具備的處理單元的構成例之示意性的剖視圖。 [圖3]為用以說明前述基板處理裝置的電性構成之方塊圖。 [圖4]為藉由前述處理單元所具備的影像取得單元所取得的影像資料的一例。 [圖5A]為顯示前述影像資料的檢測對象區域中的亮度值隨著時間經過而變化的一例之圖表。 [圖5B]為顯示前述檢測對象區域中的亮度值隨著時間經過而變化的一例之圖表。 [圖5C]為顯示前述檢測對象區域中的亮度值隨著時間經過而變化的一例之圖表。 [圖6]為用以說明前述基板處理裝置所為之具體性的基板處理的流程之流程圖。 [圖7]為針對前述基板處理中的主要的動作之時序圖。 [圖8A]為用以說明前述基板處理中的去除處理工序的樣子之示意圖。 [圖8B]為用以說明前述去除處理工序的樣子之示意圖。 [圖8C]為用以說明前述去除處理工序的樣子之示意圖。 [圖9]為顯示藉由前述處理單元所具備的控制器所執行的結束時間點檢測處理的第一例的流程之流程圖。 [圖10]為顯示前述結束時間點檢測處理的第二例的流程之流程圖。 [圖11]為顯示前述結束時間點檢測處理的第三例的流程之流程圖。 [圖12]為顯示前述結束時間點檢測處理的第四例的流程之流程圖。
1:基板處理裝置 2:處理單元 4:流體箱 5:儲留箱 7:自轉夾具 8:處理罩 9:腔室 9A:側壁 9a:出入口 9B:上壁 9b:擋門單元 9C:下壁 9c:排液口 9d:排氣導管 10:FFU 11:去除液供給單元 12:加熱器單元 12a:對向面 13:清洗液供給單元 14:硫酸水溶液單元 15:過氧化氫水單元 16:硫酸水溶液供給源 20:基板保持單元 21:基板旋轉單元 22:自轉基座 22a:貫通孔 23:自轉夾具 24:旋轉軸 25:自轉馬達 26:開閉單元 30:防護罩 30A:第一防護罩 30a:內壁面 30B:第二防護罩 30b:上端部 30C:第三防護罩 31:罩 31A:第一罩 31B:第二罩 32:外壁構件 33:防護罩升降單元 34:第一排液配管 35:共通配管 36:回收配管 37:第二排液配管 38:回收閥 39:排液閥 40:內側筒狀部 41:下側傾斜部 42:外側筒狀部 43:上側傾斜部 44,46:筒狀部 45,47:傾斜部 50:去除液噴嘴 51:噴嘴臂 52:噴嘴移動單元 55:硫酸水溶液配管 56:硫酸水溶液閥 57:硫酸水溶液流量調整閥 60:硫酸水溶液槽 61:硫酸水溶液補充配管 62:硫酸水溶液供給配管 63:加熱單元 64:第一泵 65:回收槽 66:送液配管 67:第二泵 70:過氧化氫水配管 71:過氧化氫水閥 72:過氧化氫水流量調整閥 80:清洗液噴嘴 81:清洗液配管 82:清洗液閥 90:板本體 91:加熱器 92:升降軸 93:供電線 94:加熱器通電單元 95:加熱器升降單元 100:影像取得單元 101:攝影機 A1:旋轉軸線 W:基板

Claims (16)

  1. 一種基板處理方法，係包含： 基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置； 處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面； 影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及 檢測工序，係監視在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值並檢測處理結束時間點，前述處理結束時間點為處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之時間點。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述檢測工序係包含下述工序：將已於在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的任一方產生預定的變化之時間點作為前述處理結束時間點來檢測。
  3. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中前述檢測工序係包含下述工序：在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化後，將在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的另一方產生預定的變化之時間點以及從在前述影像取得工序中所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在前述影像取得工序中所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生前述預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為前述處理結束時間點來檢測。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步包含： 加熱工序，係加熱前述基板的被處理面上的處理液； 加熱弱化工序，係在檢測到前述處理結束時間點之情形中，一邊維持朝前述基板的被處理面供給處理液，一邊減弱對於前述基板的被處理面上的處理液之加熱；以及 清洗液供給工序，係在前述加熱弱化工序之後，停止朝前述基板的被處理面供給處理液，將用以沖洗前述基板的被處理面上的處理液之清洗液供給至前述基板的被處理面。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步包含： 排液工序，係將從前述基板飛散的處理液排出至排液流路；以及 流路切換工序，係在檢測到前述處理結束時間點之情形中，將從前述基板飛散之處理液的排出目的地從排液流路切換成回收流路。
  6. 一種基板處理方法，係包含： 基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置； 處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面； 影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及 判定工序，係判定是否已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化； 在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之情形中執行報知工序，前述報知工序係報知於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值未產生預定的變化之要旨； 在從前述開始時間點起直至經過前述報知時間為止已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中執行檢測工序，前述檢測工序係檢測處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之處理結束時間點。
  7. 如請求項6所記載之基板處理方法，其中連續性地處理複數片前述基板； 前述報知時間為基於處理完畢的基板的處理結束時間點所算出的時間。
  8. 一種基板處理方法，係包含： 基板保持工序，係將基板保持在被筒狀的防護罩圍繞的保持位置； 處理液供給工序，係一邊使被保持在前述保持位置的前述基板繞著通過前述基板的中央部之旋轉軸線旋轉，一邊將用以處理前述基板的被處理面之處理液供給至前述基板的被處理面； 影像取得工序，係在對前述基板的被處理面供給處理液之期間取得前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及 判定工序，係判定是否已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化； 在直至預先制定有結束對於前述基板的被處理面之處理液的供給之供給結束時間點為止未檢測到結束處理液對於前述基板的被處理面的處理之處理結束時間點之情形中執行供給結束時間點延期工序，前述供給結束時間點延期工序係將前述供給結束時間點延期； 在直至前述供給結束時間點為止已於在前述影像取得工序中所取得的影像的亮度值產生預定的變化之情形中執行檢測工序，前述檢測工序係檢測處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之處理結束時間點。
  9. 一種基板處理裝置，係包含： 基板保持單元，係將基板保持在預定的保持位置； 基板旋轉單元，係使被前述基板保持單元保持的前述基板旋轉； 處理液供給單元，係對被前述基板保持單元保持的基板的被處理面供給用以處理前述基板的被處理面之處理液； 筒狀的防護罩，係圍繞被前述基板保持單元保持的前述基板，用以接住從前述基板飛散的處理液； 影像取得單元，係取得被前述基板保持單元保持的前述基板的被處理面的影像以及前述防護罩的內壁面的影像；以及 檢測單元，係監視藉由前述影像取得單元所取得的影像的亮度值並檢測處理結束時間點，前述處理結束時間點為處理液對於前述基板的被處理面的處理結束之時間點。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述檢測單元係將已於藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的任一方產生預定的變化之時間點作為前述處理結束時間點來檢測。
  11. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述檢測單元係在藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化後，將從藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的另一方產生預定的變化之時間點以及藉由前述影像取得單元所取得的前述基板的被處理面的影像的亮度值以及在藉由前述影像取得單元所取得的前述防護罩的內壁面的影像的亮度值中的一方產生預定的變化之時間點起經過預定的預備時間後的時間點之較快的一方作為前述處理結束時間點來檢測。
  12. 如請求項9至11中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含： 加熱單元，係加熱被前述基板保持單元保持的前述基板的被處理面上的處理液，並在前述處理結束時間點中減弱前述基板的加熱； 清洗液供給單元，係將用以沖洗處理液之清洗液供給至被前述基板保持單元保持的前述基板的被處理面；以及 液體切換單元，係在前述處理結束時間點之後，將被供給至被前述基板保持單元保持的前述基板的被處理面之液體從處理液切換成清洗液。
  13. 如請求項9至11中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含： 排液流路，係將被前述防護罩接住的處理液予以排液； 回收流路，係回收從被前述基板保持單元保持的基板飛散的處理液；以及 流路切換單元，係在前述處理結束時間點中將從前述基板飛散之處理液的排出目的地從排液流路切換成回收流路。
  14. 如請求項9至11中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含：報知單元，係在從亮度值的監視的開始時間點起直至經過預定的報知時間為止前述檢測單元未檢測到前述處理結束時間點之情形中，報知未檢測到前述處理結束時間點之要旨。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中連續性地處理複數片前述基板； 前述報知時間為基於處理完畢的基板的處理結束時間點所算出的時間。
  16. 如請求項9至11中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含：供給結束時間點延期單元，係在直至經過預先制定有結束對於被前述基板保持單元保持的基板的被處理面之處理液的供給之供給結束時間點為止前述檢測單元未檢測到前述處理結束時間點之情形中，將前述供給結束時間點延期。
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