JP7149111B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
この方法によれば、第1の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングと、第2の検出位置における処理液の先端面の通過タイミングとに基づいて、第1の検出位置を通過する処理液の先端面の速度が検出される。これにより、第1の検出位置を通過する処理液の先端面の速度を、速度センサ等を設けることなく、簡単な構成で検出できる。
図1は、第1の形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容する基板収容器Cが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。搬送ロボットIRは、基板収容器Cと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、箱形のチャンバー4と、チャンバー4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に対向する対向部材6と、対向部材6の内部を上下に挿通し、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための中心軸ノズル7と、中心軸ノズル7に薬液を供給するための薬液供給ユニット8と、中心軸ノズル7にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット9と、中心軸ノズル7に液体の疎水化剤を供給するための疎水化剤供給ユニット10と、中心軸ノズル7に、空気よりも比重が大きくかつ水よりも低い表面張力を有する低表面張力液体としての有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ユニット11と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ12とを含む。
スピンベース18の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材19が配置されている。複数個の挟持部材19は、スピンベース18の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。スピンベース18の上面には、回転軸線A1を中心とする円周上に、対向部材6を下方から支持するための複数個(3個以上)の対向部材支持部20が配置されている。対向部材支持部20と回転軸線A1との間の距離は、挟持部材19と回転軸線A1との間の距離よりも、大きく設定されている。
対向部材6は、スピンチャック5に従って回転する従動型の対向部材(遮断部材)である。すなわち、対向部材6は、基板処理中において、対向部材6がスピンチャック5に一体回転可能に支持される。
遮断板21は、基板Wより大きい径を有する円板状である。遮断板21は、その下面に基板Wの上面全域に対向する円形の基板対向面21aと、基板対向面21aの周縁部において下方に向けて突出する円環状の鍔部21bと、基板対向面21aに設けられて対向部材支持部20に係合するためのスピンチャック係合部21cとを有している。基板対向面21aの中央部には、対向部材6を上下に貫通する貫通穴24が形成されている。貫通穴24は、円筒状の内周面によって区画されている。
支持部23は、たとえば略円板状の支持部本体27と、中心軸線A2を中心とする水平なフランジ支持部28と、支持部本体27とフランジ支持部28とを接続する接続部29とを含む。
対向部材昇降ユニット39は、対向部材6および第1~第4のノズル配管31~34を、支持部23と共に鉛直方向に昇降する。対向部材昇降ユニット39は、遮断板21の基板対向面21aがスピンチャック5に保持されている基板Wの上面に近接する近接位置と、近接位置の上方に設けられた退避位置の間で、遮断板21および第1~第4のノズル配管31~34を昇降させる。対向部材昇降ユニット39は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板21を保持可能である。
支持部23が上位置に位置する状態では、フランジ支持部28の上面に突設された突起28aが、フランジ部26に周方向に間隔を空けて形成された係合穴26aに係合することにより、遮断板21が支持部23に対して周方向に位置決めされる。
第4のノズル配管34は、鉛直方向に沿って延びている。第4のノズル配管34の下端は、ケーシング30の対向面30bに開口して、第4の吐出口34aを形成している。第4のノズル配管34には、有機溶剤供給ユニット11からの液体の有機溶剤が供給される。有機溶剤は、たとえばIPA(isopropyl alcohol)であるが、このような有機溶剤として、IPA以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、EG(エチレングリコール)およびHFE(ハイドロフルオロエーテル)を例示することができる。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPAとアセトンの混合液であってもよいし、IPAとメタノールの混合液であってもよい。
疎水化剤供給ユニット10は、第3のノズル配管33に接続された疎水化剤配管(処理液配管)51と、疎水化剤配管51を介して第3のノズル配管33に接続された第1の接続配管52と、第1の接続配管52にそれぞれ接続された、疎水化剤排液配管53、第1の疎水化剤供給配管54、第2の疎水化剤供給配管55および疎水化剤吸引配管56とを含む。
疎水化剤配管51は、第1の上下方向部分51aと、第1の左右方向部分51bとを有している。第1の上下方向部分51aの下流端が、第3のノズル配管33の上流端に接続されている。第1の左右方向部分51bの下流端が、第1の上下方向部分51aの上流端に接続されている。第1の左右方向部分51bの上流端が第1の接続配管52に接続されている。疎水化剤配管51の第1の左右方向部分51bには、疎水化剤配管51を開閉するための疎水化剤バルブ57が介装されている。
第1の疎水化剤供給配管54には、第1の疎水化剤供給配管54を開閉するための第1の疎水化剤供給バルブ60が介装されている。第1の疎水化剤供給配管54の他端側には、第1の疎水化剤原液供給源から第1の疎水化剤原液(疎水化剤1)が供給されるようになっている。
有機溶剤供給ユニット11は、第4のノズル配管34に接続された有機溶剤配管(処理液配管)81と、有機溶剤配管81を介して第4のノズル配管34に接続された第2の接
続配管82と、第2の接続配管82にそれぞれ接続された、有機溶剤排液配管83、有機溶剤供給配管84および有機溶剤吸引配管(吸引配管)86とを含む。
有機溶剤配管81は、第2の上下方向部分81aと、第2の左右方向部分81bとを有している。第2の上下方向部分81aの下流端が、第4のノズル配管34の上流端に接続されている。第2の左右方向部分81bの下流端が、第2の上下方向部分81aの上流端に接続されている。第2の左右方向部分81bの上流端が第2の接続配管82に接続されている。有機溶剤配管81の第2の左右方向部分81bには、有機溶剤配管81を開閉するための有機溶剤バルブ87が介装されている。
有機溶剤排液配管83には、有機溶剤排液配管83を開閉するための有機溶剤排液バルブ89が介装されている。有機溶剤排液配管83の他端側は、機外の排液設備に接続されている。
有機溶剤吸引配管86には、有機溶剤吸引配管86を開閉するための有機溶剤吸引バルブ(吸引バルブ)92が介装されている。有機溶剤吸引配管86の先端には、第2の有機溶剤吸引装置(第2の吸引装置)93が接続されている。第2の有機溶剤吸引装置93は、エジェクタ式の吸引装置である。
また、有機溶剤供給ユニット11における他のバルブが閉じられている状態で、有機溶剤供給バルブ90および有機溶剤排液バルブ89が開かれると、有機溶剤供給配管84から有機溶剤排液配管83に有機溶剤が供給される。これにより、有機溶剤供給配管84の内部に残留している有機溶剤を機外に排出することができる。
図6は、疎水化剤供給ユニット10の詳細な構成を説明するための図である。
疎水化剤バルブ57は、エアオペレート式の開閉バルブである。このようなエアオペレート式の開閉バルブとして、ダイヤフラムバルブや、バタフライバルブ、ニードルバルブ等を例に挙げることができる。疎水化剤バルブ57には、第1のエア供給配管(第2の駆動源)68が接続されており、第1のエア供給配管68の途中部には、第1のエア供給配管68の開閉を切り換えるための第1のエア供給バルブ(第2の駆動源)69が介装されている。第1のエア供給バルブ69よりも下流側の第1のエア供給配管68の途中部には、疎水化剤バルブ57からエアを大気中にリークさせるための第1のリーク配管(図示しない)の一端が接続されている。このリーク配管の途中部には、第1のリークバルブ(図示しない)が介装されている。
第2の疎水化剤供給配管55には、第2の疎水化剤供給バルブ61よりも下流側に、第2の疎水化剤供給配管55内を流れる第2の疎水化剤原液の流量を検出する第2の流量計74がさらに介装されている。第1の流量計73および第2の流量計74によって、充填工程T3において疎水化剤供給配管54,55に供給される疎水化剤(疎水化剤原液)の流量を検出するための第2のセンサ77が構成されている。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット101、固定メモリデバイス(図示しない)、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット102、および入出力ユニット(図示しない)を有している。記憶ユニット102には、演算ユニット101が実行するプログラム103が記憶されている。
さらに、制御装置3には、制御対象として、スピンモータ16、対向部材昇降ユニット39、ガード昇降ユニット47、第1の疎水化剤吸引装置58、第2の疎水化剤吸引装置63、第1の有機溶剤吸引装置88、第2の有機溶剤吸引装置93等が接続されている。また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ16、対向部材昇降ユニット39、ガード昇降ユニット47等を駆動し、また、第1の疎水化剤吸引装置58、第2の疎水化剤吸引装置63、第1の有機溶剤吸引装置88、第2の有機溶剤吸引装置93等の働きを有効化させる。さらに、制御装置3は、薬液バルブ36、リンス液バルブ38、疎水化剤バルブ57、疎水化剤排液バルブ59、第1の疎水化剤供給バルブ60、第2の疎水化剤供給バルブ61、疎水化剤吸引バルブ62、第1のエア供給バルブ69、第2のエア供給バルブ71、有機溶剤供給配管84、有機溶剤バルブ87、有機溶剤排液バルブ89、有機溶剤吸引バルブ92等を開閉する。
第1のガード対向状態では、薬液バルブ36およびリンス液バルブ38の開動作が許容されているが、第1および第2の疎水化剤供給バルブ60,61ならびに有機溶剤供給バルブ90の開動作が禁止されている。
1つのロットに含まれる複数枚の基板W(1つの基板収容器C(図1参照)に収容される複数枚の基板W)に対し、1または複数の処理ユニット2において処理が施される。基板収容器C(図1参照)が、基板処理装置1のロードポートLP(図1参照)に載置されると、基板収容器Cに含まれるロットの情報を示す基板情報が、ホストコンピュータから制御装置3に送られる。ホストコンピュータは、半導体製造工場に設置された複数の基板処理装置を統括するコンピュータである。制御装置3は、ホストコンピュータから送られた基板情報に基づいて、そのロットに対するフローレシピ109がレシピ記憶部104から読み出される。そして、フローレシピ109に従って、プリレシピ制御、プロセスレシピ制御およびポストレシピ制御が順に行われる。
その後、プロセスレシピ106に従った制御が繰り返し実行されることにより、1つの基板収容器Cに収容された基板Wは、次々と連続して処理ユニット2に搬入され、処理ユニット2で基板処理S2(図8A参照)を受ける。
前処理S1について説明する。
前処理S1において、制御装置3は、排出吸引工程T1(図8B参照)を実行する。
排出吸引工程T1の終了後、次いで前処理S1において、制御装置3は、プリディスペンス工程T2(図8B参照)を実行する。
次に、基板処理S2(図8A参照)について説明する。基板処理S2の実行に関し、レシピ記憶部104(図7A参照)から読み出されたプロセスレシピ106は、常時参照されている。
基板処理S2が実行されるときには、未処理の基板Wが、チャンバー4の内部に搬入される(図9のステップE1)。基板Wを保持している搬送ロボットCRのハンドHをチャンバー4の内部に進入させることにより、具体的には、基板Wがその表面(デバイス形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡される。その後、スピンチャック5に基板Wが保持される。
その後、制御装置3は、スピンモータ16を制御して基板Wの回転を開始させる(図9のステップE2)。基板Wは予め定める液処理速度(約10~1200rpmの範囲内で、たとえば約1000rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。また、制御装置3は、対向部材昇降ユニット39を制御して、遮断板21を近接位置に配置する。
遮断板21が近接位置に配置された後、次いで、制御装置3は、基板Wの上面に薬液を供給する薬液供給工程E3(図9参照)を行う。制御装置3は、薬液バルブ36を開く、これにより、遮断板21の基板対向面21aに形成された第1の吐出口31aから、基板Wの上面中央部に向けて薬液が吐出される。基板Wの上面に供給された薬液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁部に移動する。これにより、基板Wの上面の全域が薬液を用いて処理される。
次いで、制御装置3は、基板Wの上面にリンス液を供給するリンス工程E4(図9参照)を行う。制御装置3は、リンス液バルブ38を開く。これにより、遮断板21の基板対向面21aに形成された第2の吐出口32aから基板Wの上面中央部に向けてリンス液が吐出される。基板Wの上面に供給されたリンス液は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの周縁部に移動する。これにより、基板Wの上面上の薬液がリンス液に置換される。
次いで、制御装置3は、基板Wの上面に存在するリンス液を有機溶剤(たとえばIPA)に置換する第1の有機溶剤供給工程E5(図9参照)を行う。
次いで、制御装置3は、図14に示すように、基板Wの上面に存在する有機溶剤を振り切る振り切り工程を行う。具体的には、制御装置3は、スピンモータ16を制御して、薬液供給工程E3~第1の有機溶剤供給工程E5の各工程における回転速度よりも大きい振り切り回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから有機溶剤が除去される。
直前に行われた第1の有機溶剤供給工程E5が、1回目の第1の有機溶剤供給工程E5であるか2回目以降の第1の有機溶剤供給工程E5であるかによらずに、疎水化剤供給工程E6の開始前において、疎水化剤の先端面F1は、疎水化剤待機位置P1に配置されている。
次いで、制御装置3は、基板Wの上面に存在するリンス液を有機溶剤(たとえばIPA)に置換する第2の有機溶剤供給工程E7(図9参照)を行う。
具体的には、制御装置3は、ガード昇降ユニット47を制御して、第3のガード46を上位置に維持しながら、第2のガード45を下降させて下位置に配置することにより、図16に示すように、第3のガード46を基板Wの周端面に対向させる(第3のガード対向状態を実現)。このときガードの昇降動作に要する時間はたとえば1.5秒間である。
第2の有機溶剤供給工程E7において、第4の吐出口34aからの有機溶剤の吐出開始から、プロセスレシピ106によって規定されている期間が経過すると、制御装置3は、有機溶剤バルブ87および有機溶剤供給バルブ90を閉じる。これにより、第4の吐出口34aからの有機溶剤の吐出が停止される。また、制御装置3は、有機溶剤バルブ87を閉じたままの状態で、第1の有機溶剤吸引装置88の働きを有効化する。有機溶剤配管81における、第1の有機溶剤吸引装置88の介装部分よりも下流側部分の内部が排気され、当該下流側部分の内部に残っている有機溶剤が、第1の有機溶剤吸引装置88の内部(ダイヤフラムの駆動により拡張した領域)へと引き込まれる。第1の有機溶剤吸引装置88の吸引量は、有機溶剤の先端面F2が、第2の左右方向部分81b内に設定された所定の有機溶剤待機位置P2に後退するように定められている。このときの有機溶剤の吸引量は約0.1~1ミリリットルである。有機溶剤の先端面F2が有機溶剤待機位置P2まで後退すると、制御装置3は、有機溶剤供給バルブ90(および有機溶剤バルブ87)を閉じる。これにより、有機溶剤の先端面F2が有機溶剤待機位置P2に配置される。
次いで、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程E8(図9参照)が行われる。具体的には、制御装置3は、遮断板21が近接位置に配置された状態で、スピンモータ16を制御して薬液供給工程E3~第2の有機溶剤供給工程E7の各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、その乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。
また、充填工程T3に並行して、疎水化剤の先端面F1に位置が疎水化剤待機位置P1に配置されているか否かが第1のセンサ64によって検出される。充填工程T3に並行して、疎水化剤の先端面F1の位置を第1のセンサ64によって実際に検出することにより、充填工程T3後の疎水化剤の先端面F1が疎水化剤待機位置P1にあるか否かを精度良く検出することができる。
第2の形態において、前述の第1の形態と共通する部分には、図1~図19の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
第2の形態に係る疎水化剤供給ユニット210が、第1の形態に係る疎水化剤供給ユニット10(図6参照)と相違する1つ目の点は、ダイヤフラム式の吸引装置からなる第1の疎水化剤吸引装置58を廃止した点である。加えて、疎水化剤供給ユニット210が、第2の疎水化剤吸引装置として、吸引力が調整不能な第2の疎水化剤吸引装置63に代えて、吸引力を調整可能な第2の疎水化剤吸引装置263を備えている。
第2の疎水化剤吸引装置263は、エジェクタ式の吸引装置である。第2の疎水化剤吸引装置263は、圧縮流体の供給により減圧状態を発生させる減圧状態発生器(真空発生器)263Aと、減圧状態発生器263Aに圧縮流体を供給する流体供給配管275と、流体供給配管275の管路を開閉し、およびその管路の開度を変更するための電空レギュレータ276を含む。第2の疎水化剤吸引装置263の電源オン状態において、電空レギュレータ276が開かれて、流体供給配管275内に流体が流れることにより、第2の疎水化剤吸引装置263の内部が減圧される。これにより、疎水化剤吸引配管(吸引配管)56の内部が吸引される。すなわち、第2の疎水化剤吸引装置263の働きが有効化される。
排出吸引工程T1(図11参照)において、制御装置3は、電空レギュレータ276を開くと共に、その開度を、大きな第1の開度に設定する。これにより、減圧状態発生器263Aに、大流量の圧縮流体が供給され、その結果、第2の疎水化剤吸引装置263の内部の減圧度合いが大きい。この状態で、制御装置3は、疎水化剤供給ユニット10における他のバルブを閉じながら、疎水化剤バルブ257および疎水化剤吸引バルブ62を開く。これにより、疎水化剤吸引配管56の内部および第1の接続配管52の内部が大きく排気され、疎水化剤配管251の内部に残っている疎水化剤に大きな吸引力が作用して、その疎水化剤が第1の接続配管52を通って疎水化剤吸引配管56へと引き込まれる。疎水化剤配管251の内部、第1の接続配管52の内部および疎水化剤吸引配管56の内部から全て疎水化剤が排出された後、制御装置3は、疎水化剤吸引バルブ62および疎水化剤バルブ257を閉じる。
また、充填工程T3における疎水化剤の先端面F1の疎水化剤待機位置P1への停止は、自動停止に限られない。疎水化剤配管251内の吸引に伴って減速した疎水化剤を、充填時間を管理したり、疎水化剤待機位置P1に関連して設けられたセンサが先端面F1を検出したりすることによって、疎水化剤待機位置P1に先端面F1を停止させるようにしてもよい。
カメラ264は、疎水化剤配管251における疎水化剤待機位置P1およびその周囲の光学像を結像させるレンズと、このレンズによって結像された光学像を電気信号に変換する撮像素子と、変換の電気信号に基づいて画像信号を生成して、制御装置3に送信する撮像回路とを含む。疎水化剤配管251の少なくとも疎水化剤待機位置P1の周囲の部分が透明性を有しているので、点で、疎水化剤配管51(図6参照)と相違しており、その余の点で、疎水化剤待機位置P1の周囲において、疎水化剤の先端面F1を良好に撮像できる。
制御装置3は、カメラ264の撮像回路から与えられる画像信号に基づいて、疎水化剤の先端面F1を調べる。
第2の形態の説明では、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置(第1の疎水化剤吸引装置58)を廃止し、代わりに、吸引力を調整可能な吸引装置(第2の疎水化剤吸引装置263)を備える点、および処理液(疎水化剤)の先端面を検出するためのセンサ(第1のセンサ64)を廃止し、その代わりにカメラ(カメラ264)を設ける点を疎水化剤供給ユニット210に適用する場合について説明した。しかしながら、これらの特徴を、有機溶剤供給ユニット11に適用するようにしてもよい。
図24は、本発明の第3の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット310の詳細な構成を説明するための図である。
第3の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット310が、第1の形態に係る疎水化剤供給ユニット10(図6参照)と相違する1つ目の点は、ダイヤフラム式の吸引装置からなる第1の疎水化剤吸引装置58を廃止した点である。加えて、疎水化剤供給ユニット310が、第2の疎水化剤吸引装置として、吸引力が調整不能な第2の疎水化剤吸引装置63に代えて、吸引力を調整可能な第2の疎水化剤吸引装置263を備える。この点、第2の実施形態に係る疎水化剤供給ユニット210(図22参照)と共通するので、説明を省略する。
第3のセンサ364は、疎水化剤配管51の第1の左右方向部分51bの管壁に関連して配置されている。第3のセンサ364は、下流側に配置された第1の液面センサ365および上流側に配置された第2の液面センサ366を含む。第1の液面センサ365および第2の液面センサ366は、疎水化剤待機位置P1よりも上流側に設定されている。
第1の液面センサ365は、下流側に設定された第1の検出位置P11における疎水化剤の存否を検出する。第2の液面センサ366は、上流側に設定された第2の検出位置P12における疎水化剤の存否を検出する。第1の液面センサ365および第2の液面センサ366は、たとえば液検知用のファイバセンサである。第1の液面センサ365および第2の液面センサ366は、疎水化剤配管51の外周壁に直付け配置または近接配置されている。第1の液面センサ365および第2の液面センサ366は、たとえば静電容量型のセンサによって構成されていてもよい。
第2の液面センサ366による検出出力がオフ状態からオン状態になると、制御装置3は、そのときのタイミングを記憶する。すなわち、制御装置3は、下流側の第2の検出位置P12を疎水化剤の先端面が通過したタイミングを記憶する。
この第3の実施形態では、制御装置3と、第1の液面センサ365と、第2の液面センサ366とによって、速度検出ユニットが構成されている。第1の検出位置P11における疎水化剤の先端面の通過タイミングと、第2の検出位置P12における疎水化剤の先端面の通過タイミングとに基づいて、第1の検出位置P11を通過する疎水化剤の先端面の速度が検出される。これにより、第1の検出位置P11を通過する疎水化剤の先端面の速度を、速度センサ等を設けることなく、簡単な構成で検出できる。
第3の形態の説明では、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置(第1の疎水化剤吸引装置58)を廃止し、代わりに、吸引力を調整可能な吸引装置(第2の疎水化剤吸引装置263)を備える場合を例に挙げた。しかし、第1の形態のように、ダイヤフラム式の吸引装置からなる吸引装置(第1の疎水化剤吸引装置58)を設ける構成としてもよい。
以上、この発明の3つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
また、前述の各実施形態において、流量調整ユニットは、必ずしも疎水化剤排液配管53に介装されている必要はなく、疎水化剤排液配管53ならびに疎水化剤供給配管(第1の疎水化剤供給配管54および第2の疎水化剤供給配管55)の少なくとも一方に介装されていればよい。
また、前述の各実施形態において、第1のセンサ64が、第1の有無センサ65および第2の有無センサ66という2つのセンサを含む例を挙げた。しかしながら、第1のセンサ64が、疎水化剤の先端面F1の位置を検出する液面センサであってもよい。
また、前述の各実施形態において、排出吸引工程T1と充填工程T3との間に、プリディスペンス工程T2を実行するとして説明したが、プリディスペンス工程T2は省略してもよい。
また、前述の実施形態において、疎水化剤供給ユニット10において吸引装置が1つのみが設けられていてもよい。この場合、たとえば疎水化剤供給ユニット10において第1の疎水化剤吸引装置58を廃止した構成である。そして、疎水化剤吸引配管56に、疎水化剤吸引配管56の開度を調整して、吸引力(吸引速度)を調整するための流量調整バルブ(吸引力調整ユニット)が介装されている。この流量調整バルブは、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む構成であってもよい。
また、前述の実施形態において、第2の吸引工程として、処理液の先端面(疎水化剤の先端面F1)を、接続配管(第1の接続配管52)の上流端(疎水化剤吸引配管56が接続される部分)よりも上流側(疎水化剤吸引配管56側)に後退させる排出吸引工程T1を採用していたが、第2の吸引工程は、吸引後における処理液の先端面(疎水化剤の先端面F1)の位置が待機位置(疎水化剤待機位置P1)でなければ足り、処理液の先端面(疎水化剤の先端面F1)を、必ずしも接続配管(第1の接続配管52)の上流端よりも上流側に後退させる必要はない。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
2 :処理ユニット
3 :制御装置
4 :チャンバー
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :対向部材
310 :疎水化剤供給ユニット(処理液供給ユニット)
365 :第1の液面センサ
366 :第2の液面センサ
P11 :第1の検出位置
P12 :第2の検出位置
W :基板
Claims (4)
- 基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、
前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、
前記処理液配管における所定の第1の検出位置に、前記処理液の先端面が達したことを検出する第1の液面センサと、
前記第1の検出位置を通過する処理液の速度を検出する速度検出ユニットとを含み、
前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置と、
前記制御装置が、
前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、
前記制御装置が、前記吸引工程において、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第1の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第2の吸引工程とを選択的に実行し、
前記制御装置が、前記第2の吸引工程の後に、前記処理液供給ユニットにより前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程を実行し、
さらに、前記制御装置が、前記待機位置配置工程において、前記第1の液面センサによって検出される、前記第1の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記速度検出ユニットによって検出される、前記第1の検出位置を通過する処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する、基板処理装置。 - 前記速度検出ユニットが、
前記第1の検出位置よりも下流側に設定された第2の検出位置に、前記処理液の先端面が達したことを検出する第2の液面センサと、
前記第1の液面センサによって検出される、前記第1の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第2の液面センサによって検出される、前記第2の検出位置における処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第1の検出位置を通過する処理液の速度を検出するユニットとをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、
前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第1の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも大きく後退させる第2の吸引工程とを含み、前記第1および第2の吸引工程は、選択的に実行されるものであり、
前記第2の吸引工程の後に、前記処理液配管に処理液を供給して、処理液の先端面を前記待機位置に配置する待機位置配置工程をさらに含み、
前記基板処理方法は、さらに、
前記処理液配管における所定の第1の検出位置に、前記処理液の先端面が達していることを検出する第1の液面検出工程と、
前記第1の検出位置を通過する前記処理液の先端面の速度を検出する速度検出工程とを含み、
前記待機位置配置工程が、前記第1の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第1の検出位置における処理液の速度とに基づいて、処理液の先端面を前記待機位置に配置する工程を含む、基板処理方法。 - 前記速度検出工程が、
前記第1の検出位置における処理液の通過タイミングと、前記第1の検出位置よりも下流側に設定された第2の検出位置における、処理液の通過タイミングとに基づいて、前記第1の検出位置を通過する処理液の速度を検出する工程をさらに含む、請求項3に記載の基板処理方法。
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Citations (3)
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