JP6246602B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP6246602B2 JP6246602B2 JP2014005634A JP2014005634A JP6246602B2 JP 6246602 B2 JP6246602 B2 JP 6246602B2 JP 2014005634 A JP2014005634 A JP 2014005634A JP 2014005634 A JP2014005634 A JP 2014005634A JP 6246602 B2 JP6246602 B2 JP 6246602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical solution
- pure water
- substrate
- recovery
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 213
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 96
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 295
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 200
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 178
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 125
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 155
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 11
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記供給ラインにおける前記ノズルと前記純水用バルブとの間の補助回収位置と、前記薬液回収部とを接続するとともに、補助バルブが設けられた補助回収ラインをさらに備え、前記ノズルからの薬液の吐出直前に前記薬液用バルブおよび前記補助バルブを開くことにより、前記薬液供給部からの薬液が前記補助回収ラインを介して前記薬液回収部にて回収される。
9 基板
14 基板保持部
71 接続部
72 純水導入ライン
73 薬液導入ライン
74 処理液共通ライン
75 薬液回収ライン
76 補助回収ライン
77 純水排出ライン
82 薬液回収部
83 純水排出部
91 上面
123 トッププレート
181 上部ノズル
183 薬液供給部
184 純水供給部
711 接続空間
713 薬液導入位置
715 薬液回収位置
716 補助回収位置
722 純水導入バルブ
727 純水排出位置
731 薬液導入バルブ
761 補助バルブ
822,832 エジェクタ
1831 ヒータ
Claims (6)
- 基板処理装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルと純水供給部とを接続するとともに、純水用バルブが設けられた供給ラインと、
前記供給ラインにおける前記ノズルと前記純水用バルブとの間の薬液導入位置と、薬液供給部とを接続するとともに、薬液用バルブが設けられた薬液導入ラインと、
前記供給ラインにおける前記薬液導入位置と前記純水用バルブとの間の薬液回収位置に一端が接続された薬液回収ラインと、
前記薬液回収ラインに設けられたポンプを有し、前記供給ラインにおいて前記ノズルと前記薬液回収位置との間に存在する薬液を回収する薬液回収部と、
前記供給ラインにおける前記薬液導入位置と前記純水用バルブとの間の純水排出位置に一端が接続された純水排出ラインと、
前記純水排出ラインに設けられたポンプを有し、前記供給ラインにおいて前記ノズルと前記純水排出位置との間に存在する純水を排出する純水排出部と、
を備え、
前記供給ラインにおいて、上下方向に長く、かつ、前記純水供給部から前記ノズルへと向かう純水の流れ方向が下側から上側に向かう内部空間が接続空間として設けられており、
前記薬液導入位置および前記薬液回収位置が前記接続空間との接続位置であり、
前記薬液回収位置が前記薬液導入位置よりも下方に位置することを特徴とすることを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルと純水供給部とを接続するとともに、純水用バルブが設けられた供給ラインと、
前記供給ラインにおける前記ノズルと前記純水用バルブとの間の薬液導入位置と、薬液供給部とを接続するとともに、薬液用バルブが設けられた薬液導入ラインと、
前記供給ラインにおける前記薬液導入位置と前記純水用バルブとの間の薬液回収位置に一端が接続された薬液回収ラインと、
前記薬液回収ラインに設けられたポンプを有し、前記供給ラインにおいて前記ノズルと前記薬液回収位置との間に存在する薬液を回収する薬液回収部と、
前記供給ラインにおける前記ノズルと前記純水用バルブとの間の補助回収位置と、前記薬液回収部とを接続するとともに、補助バルブが設けられた補助回収ラインと、
を備え、
前記供給ラインにおいて、上下方向に長く、かつ、前記純水供給部から前記ノズルへと向かう純水の流れ方向が下側から上側に向かう内部空間が接続空間として設けられており、
前記薬液導入位置、前記薬液回収位置および前記補助回収位置が前記接続空間との接続位置であり、
前記薬液回収位置が前記薬液導入位置よりも下方に位置し、前記補助回収位置が前記薬液導入位置よりも上方に位置し、
前記薬液供給部が薬液を一定の温度に加熱するヒータを含み、
前記ノズルからの薬液の吐出直前に前記薬液用バルブおよび前記補助バルブを開くことにより、前記薬液供給部からの薬液が前記補助回収ラインを介して前記薬液回収部にて回収されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記供給ラインにおける前記ノズルと前記純水用バルブとの間の補助回収位置と、前記薬液回収部とを接続するとともに、補助バルブが設けられた補助回収ラインをさらに備え、
前記ノズルからの薬液の吐出直前に前記薬液用バルブおよび前記補助バルブを開くことにより、前記薬液供給部からの薬液が前記補助回収ラインを介して前記薬液回収部にて回収されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記薬液供給部が薬液を一定の温度に加熱するヒータを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記接続空間における前記流れ方向に垂直な断面の面積が、前記供給ラインの他の部位における面積よりも大きいことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板の上方において、前記基板を覆うように前記基板の上面に沿って広がり、前記ノズルから前記基板に薬液が供給される際に、前記上面に近接するトッププレートをさらに備え、
前記ノズルが前記トッププレートと前記上面との間に薬液を供給することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014005634A JP6246602B2 (ja) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 基板処理装置 |
PCT/JP2015/050228 WO2015107950A1 (ja) | 2014-01-16 | 2015-01-07 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW104101167A TWI597796B (zh) | 2014-01-16 | 2015-01-14 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014005634A JP6246602B2 (ja) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015135843A JP2015135843A (ja) | 2015-07-27 |
JP6246602B2 true JP6246602B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=53542840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014005634A Expired - Fee Related JP6246602B2 (ja) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6246602B2 (ja) |
TW (1) | TWI597796B (ja) |
WO (1) | WO2015107950A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6643954B2 (ja) * | 2016-06-15 | 2020-02-12 | 三菱電機株式会社 | 薬液ノズルおよび回転塗布装置 |
JP6900257B2 (ja) | 2016-09-21 | 2021-07-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6810567B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-01-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7149111B2 (ja) | 2017-06-30 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6800818B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2020-12-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2588402Y2 (ja) * | 1993-06-30 | 1999-01-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置用液給排通路装置 |
JP2002170803A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP4570008B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP4172769B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2008-10-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2014
- 2014-01-16 JP JP2014005634A patent/JP6246602B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-07 WO PCT/JP2015/050228 patent/WO2015107950A1/ja active Application Filing
- 2015-01-14 TW TW104101167A patent/TWI597796B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015135843A (ja) | 2015-07-27 |
TWI597796B (zh) | 2017-09-01 |
WO2015107950A1 (ja) | 2015-07-23 |
TW201532178A (zh) | 2015-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI552806B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2014194965A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6118595B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6246602B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6010398B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5978071B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101756047B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2014141890A1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5973299B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014179489A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016063049A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6163315B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN107871687B (zh) | 基板处理装置 | |
JP6292934B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6057886B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6230941B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI635529B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP6208028B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6258741B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2015188031A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6359377B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016066685A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5936505B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2016192518A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2015188030A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170525 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6246602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |