JP6359377B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 362
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 83
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 85
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 44
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 59
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- -1 tetramethyl hydroxide Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
側から支持する基板支持部と、前記基板の上面に対向して配置され、前記基板支持部に連
結される遮蔽板と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部および
前記遮蔽板と共に回転する基板回転機構とを備え、前記遮蔽板が、前記基板の前記上面の
上方を覆う下面を有する板状であり、耐薬品性を有する樹脂製の遮蔽板本体部と、前記遮
蔽板本体部の内部または上部に設けられた遮蔽板補強部と、前記基板の外周縁よりも径方
向外側にて前記基板支持部に連結される連結部と、前記基板の前記外周縁近傍にて前記基
板を上側から押さえる基板押さえ部とを備え、前記遮蔽板補強部が、中央部と、前記中央
部から前記基板の前記外周縁近傍まで径方向外方へとそれぞれ拡がるとともに互いに周方
向に離間する複数の周辺部とを備え、前記連結部および前記基板押さえ部が、前記複数の
周辺部の径方向外側の端部に配置される。
請求項6に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、水平状態で基板を下側から支持する基板支持部と、前記基板の上面に対向して配置され、前記基板支持部に連結される遮蔽板と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部および前記遮蔽板と共に回転する基板回転機構とを備え、前記遮蔽板が、前記基板の前記上面の上方を覆う下面を有する板状であり、耐薬品性を有する樹脂製の遮蔽板本体部と、前記遮蔽板本体部の内部または上部に設けられた遮蔽板補強部とを備え、前記遮蔽板補強部が、中央部と、前記中央部から前記基板の外周縁近傍まで径方向外方へとそれぞれ拡がるとともに互いに周方向に離間する複数の周辺部とを備える。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置であって、前記遮蔽板補強部の全体が、前記遮蔽板本体部により被覆される。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置であって、前記遮蔽板補強部が炭素材料により形成され、前記遮蔽板補強部が、前記遮蔽板本体部の上面に固定される。
請求項9に記載の発明は、請求項6ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板を加熱する加熱部をさらに備える。
9 基板
15 基板回転機構
91 (基板の)上面
123,123a トッププレート
141 基板支持部
142 基板押さえ部
180 加熱ノズル
231 遮蔽板本体部
232,232a 遮蔽板補強部
233 連結部
242 第2係合部
311 (遮蔽板本体部の)上面
312 (遮蔽板本体部の)下面
321 中央部
322,322a 周辺部
421 第2接触部
J1 中心軸
S11〜S16 ステップ
Claims (9)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態で基板を下側から支持する基板支持部と、
前記基板の上面に対向して配置され、前記基板支持部に連結される遮蔽板と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部および前記遮蔽板と共に回転する基板回転機構と、
を備え、
前記遮蔽板が、
前記基板の前記上面の上方を覆う下面を有する板状であり、耐薬品性を有する樹脂製の遮蔽板本体部と、
前記遮蔽板本体部の内部または上部に設けられた遮蔽板補強部と、
前記基板の外周縁よりも径方向外側にて前記基板支持部に連結される連結部と、
前記基板の前記外周縁近傍にて前記基板を上側から押さえる基板押さえ部と、
を備え、
前記遮蔽板補強部が、
中央部と、
前記中央部から前記基板の前記外周縁近傍まで径方向外方へとそれぞれ拡がるとともに互いに周方向に離間する複数の周辺部と、
を備え、
前記連結部および前記基板押さえ部が、前記複数の周辺部の径方向外側の端部に配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記連結部が、複数の連結要素を備え、
前記基板押さえ部が、複数の基板押さえ要素を備え、
前記複数の周辺部において、各連結要素が配置される周辺部および各基板押さえ要素が配置される周辺部がそれぞれ異なることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽板補強部の全体が、前記遮蔽板本体部により被覆されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽板補強部が炭素材料により形成され、
前記遮蔽板補強部が、前記遮蔽板本体部の上面に固定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理装置であって、
水平状態で基板を下側から支持する基板支持部と、
前記基板の上面に対向して配置され、前記基板支持部に連結される遮蔽板と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を前記基板支持部および前記遮蔽板と共に回転する基板回転機構と、
を備え、
前記遮蔽板が、
前記基板の前記上面の上方を覆う下面を有する板状であり、耐薬品性を有する樹脂製の遮蔽板本体部と、
前記遮蔽板本体部の内部または上部に設けられた遮蔽板補強部と、
を備え、
前記遮蔽板補強部が、
中央部と、
前記中央部から前記基板の外周縁近傍まで径方向外方へとそれぞれ拡がるとともに互いに周方向に離間する複数の周辺部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽板補強部の全体が、前記遮蔽板本体部により被覆されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記遮蔽板補強部が炭素材料により形成され、
前記遮蔽板補強部が、前記遮蔽板本体部の上面に固定されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6ないし8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014162194A JP6359377B2 (ja) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | 基板処理装置 |
PCT/JP2015/071927 WO2016021536A1 (ja) | 2014-08-08 | 2015-08-03 | 基板処理装置 |
TW104125397A TWI543236B (zh) | 2014-08-08 | 2015-08-05 | 基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014162194A JP6359377B2 (ja) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016039282A JP2016039282A (ja) | 2016-03-22 |
JP6359377B2 true JP6359377B2 (ja) | 2018-07-18 |
Family
ID=55263802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014162194A Expired - Fee Related JP6359377B2 (ja) | 2014-08-08 | 2014-08-08 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6359377B2 (ja) |
TW (1) | TWI543236B (ja) |
WO (1) | WO2016021536A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4236535B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2009-03-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 大型ペリクル収納容器 |
JP5967948B2 (ja) * | 2012-01-26 | 2016-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5973300B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2014
- 2014-08-08 JP JP2014162194A patent/JP6359377B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-03 WO PCT/JP2015/071927 patent/WO2016021536A1/ja active Application Filing
- 2015-08-05 TW TW104125397A patent/TWI543236B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201618159A (zh) | 2016-05-16 |
JP2016039282A (ja) | 2016-03-22 |
WO2016021536A1 (ja) | 2016-02-11 |
TWI543236B (zh) | 2016-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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