JP6163315B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記下面対向部の位置が固定され、前記回転機構が、前記環状支持部を前記中心軸を中心として回転する。
9 基板
12 チャンバ
15 基板回転機構
91 上面
92 下面
120,160 内部空間
141 基板支持部
161 カップ部
180 ガス噴出ノズル
182 下部ノズル
183 薬液供給部
184 純水供給部
211 下面対向部
211a 対向面
1802 噴出口
J1 中心軸
Claims (5)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
上下方向を向く中心軸を中心とする環状であり、水平状態の基板の外縁部を下側から支持する環状支持部と、
前記環状支持部の内側にて前記基板の下面の全体に亘って対向する対向面を有する下面対向部と、
前記環状支持部を前記基板と共に前記中心軸を中心として前記下面対向部に対して相対的に回転する回転機構と、
前記基板の上面に第1処理液を供給する第1処理液供給部と、
前記下面対向部に設けられた処理液ノズルから前記基板の前記下面の中央部に第2処理液を供給する第2処理液供給部と、
前記下面対向部において前記中心軸から離れた位置に配置され、前記対向面から突出し、前記基板の前記下面に向けて加熱したガスを噴出する少なくとも1つのガス噴出ノズルと、
を備え、
前記対向面が前記中心軸から離れるに従って前記基板から離れる傾斜面であり、
前記少なくとも1つのガス噴出ノズルが、前記中心軸とは反対側に向けて前記加熱したガスを噴出するように、前記中心軸に対して傾斜するガス噴出ノズルを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記中心軸の方向において、前記少なくとも1つのガス噴出ノズルと前記基板の前記下面との間の距離が、8mm以下であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つのガス噴出ノズルが、複数のガス噴出ノズルであり、
前記複数のガス噴出ノズルのうち一のガス噴出ノズルの噴出口と前記中心軸との間の距離が、他の一のガス噴出ノズルの噴出口と前記中心軸との間の距離と相違することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第1処理液および前記第2処理液による前記基板に対する処理が行われる、密閉された内部空間を形成する密閉空間形成部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記下面対向部の位置が固定され、
前記回転機構が、前記環状支持部を前記中心軸を中心として回転することを特徴とする基板処理装置。
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