TWI590321B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
根據習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置，對基板實施各種處理。例如，於日本專利特開2004-158588號公報(文獻1)中揭示有一種藉由去除液而將附著於基板之有機物去除之基板處理裝置。該基板處理裝置係於自去除液噴嘴對基板供給去除液之前，自背面側氣體噴嘴對基板之背面供給經溫度調整過之氮氣，藉此，使基板之溫度接近於去除液之溫度。藉此，可使於基板之表面上流動之去除液之溫度於基板之整面上大致均勻，從而使有機物之去除處理之面內均勻性提昇。
於其他例中，藉由對表面上形成有抗蝕圖案之基板供給藥液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於日本專利特開2002-305177號公報(文獻2)中揭示有一種基板處理裝置，該基板處理裝置係對藉由以抗蝕膜為掩膜之乾式蝕刻而將形成於其表面之薄膜圖案化所得之基板，藉由去除液而將產生於該基板之表面之反應生成物去除。於文獻2之裝置中，設置有用以捕集自旋轉之基板飛散之去除液之護罩，且於去除液進行之反應生成物之去除處理時，藉由使該護罩內之環境氣體之排氣減弱，而有效地防止來自去除液之水分之汽化 等所引起之反應生成物去除能力之降低。
另外，藉由具有吸附面之真空吸盤吸附地保持基板之文獻1之基板處理裝置無法對基板之下表面整體進行處理液之處理。又，設置與基板之下表面對向之氣體噴出噴嘴且對下表面供給處理液之構成中，亦尋求抑制處理液流入氣體噴出噴嘴之方法，以避免因處理液流入氣體噴出噴嘴導致氣體噴出噴嘴之故障。
另一方面，如文獻2所述，於護罩內進行處理之裝置係存在當包含藥液成分之氣體擴散至該護罩之外部時，由於有對設置於該護罩之周邊之機器等造成影響之可能性，因此，必須對護罩內之環境氣體進行排氣。因此，使排氣減弱對藥液汽化之抑制存在極限。實際上，尤其於基板之外緣部產生溫度降低，而無法提昇藥液之處理均勻性。
本發明係適合處理基板之基板處理裝置，其目的在於：於一方面藉由自氣體噴出噴嘴噴出之經加熱之氣體而將基板加熱一方面藉由處理液來處理基板之上表面的基板處理裝置中，對基板之下表面進行處理液之處理，並且於該處理時，抑制該處理液流入至氣體噴出噴嘴。又，亦目的在於對基板之上表面進行均勻之處理。
本發明之一基板處理裝置具備有：環狀支撐部，其為以朝向上下方向之中心軸為中心之環狀，且自下側支撐將呈水平狀態之基板之外緣部加以支撐；下表面對向部，其在上述環狀支撐部之內側，具有與上述基板之下表面呈對向之對向面；旋轉機構，其使上述環狀支撐部以與上述基板一同之方式且以上述中心軸為中心，並且相對於上述下表面對向部而以相對之方式旋轉；第1處理液供給部，其對上 述基板之上表面供給第1處理液；第2處理液供給部，其從被設置於上述下表面對向部之處理液噴嘴，而對上述基板之上述下表面供給第2處理液；及至少1個氣體噴出噴嘴，其係突出自上述對向面，且朝向上述基板之上述下表面噴出經加熱之氣體。根據本發明，於一方面藉由自氣體噴出噴嘴噴出之經加熱之氣體來加熱基板一方面藉由第1處理液來處理基板之上表面的基板處理裝置中，可對基板之下表面進行第2處理液之處理，並且可於該處理時，抑制第2處理液流入至氣體噴出噴嘴。
較佳為，上述對向面係為隨著遠離自上述中心軸而自上述基板遠離之傾斜面。藉此，可易於將第2處理液導引至對向面之外側。又，上述至少1個氣體噴出噴嘴為複數個氣體噴出噴嘴，且在上述複數個氣體噴出噴嘴中之一氣體噴出噴嘴之噴出口與上述中心軸之間之距離，亦可不同於其他之一氣體噴出噴嘴之噴出口與上述中心軸之間之距離。藉此，可加熱基板之寬廣範圍。
本發明之另一基板處理裝置具備有：密閉空間形成部，其形成被密閉之內部空間；密閉空間開關機構，其使成為上述密閉空間形成部之一部分的活動部而相對於其他部位產生移動，而藉此加以開關上述密閉空間形成部；基板保持部，其配置於上述密閉空間形成部內，且以水平狀態加以保持基板；藥液供給部，其對上述基板之上表面供給藥液；惰性氣體供給部，其對上述內部空間供給惰性氣體；排氣部，其將上述內部空間內之氣體加以排出；及控制部，其一方面藉由上述排氣部而將上述內部空間內之氣體加以排出，且一方面藉由上述惰性氣體供給部而對上述內部空間供給上述惰性氣體，使被密閉之上述內部空間成為惰性氣體填充狀態，且在上述惰性氣體填充狀態 下，藉由上述藥液供給部而對上述基板供給上述藥液時，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。根據該基板處理裝置，可對基板之上表面進行均勻之處理。
該基板處理裝置較佳為更具備有：頂板，其在上述基板之上方，以覆蓋上述基板之方式沿著上述上表面擴展，且在藉由上述藥液供給部對上述基板供給上述藥液時，向上述上表面靠近；及噴嘴，其將來自上述藥液供給部之上述藥液，供給至上述頂板與上述上表面之間。藉此，可對基板之上表面進行更均勻之處理。
又，上述控制部亦可在開始對上述基板供給上述藥液之前，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。藉此，可於開始對基板供給藥液時更確實地進行氣體對內部空間之流入及流出之阻斷。
本發明係亦適合於在基板處理裝置中處理基板之基板處理方法。於本發明之基板處理方法中，上述基板處理裝置具備有：密閉空間形成部，其形成被密閉之內部空間；密閉空間開關機構，其使成為上述密閉空間形成部之一部分的活動部而相對於其他部位產生移動，而藉此加以開關上述密閉空間形成部；基板保持部，其配置於上述密閉空間形成部內，且以水平狀態加以保持基板；藥液供給部，其對上述基板之上表面供給藥液；惰性氣體供給部，其對上述內部空間供給惰性氣體；及排氣部，其將上述內部空間內之氣體加以排出；上述基板處理方法具備有：a)步驟，其一方面藉由上述排氣部將上述內部空間內之氣體加以排出，且一方面藉由上述惰性氣體供給部對上述內部空間供給上述惰性氣體，使被密閉之上述內部空間成為惰性氣體填充狀態；及b)步驟，其在上述惰性氣體填充狀態下，藉由上述藥液 供給部對上述基板供給上述藥液；且在上述b)步驟中對上述基板供給上述藥液時，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點可參照隨附圖式，由以下進行之本發明之詳細說明清楚解釋。
1、1a‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧受液部
17‧‧‧外殼
18‧‧‧氣液供給部
18a‧‧‧處理液供給部
19‧‧‧氣液排出部
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
120、160‧‧‧內部空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開關機構
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板壓緊部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
161‧‧‧護罩部
162‧‧‧護罩移動機構
165‧‧‧受液凹部
168‧‧‧外壁部
169‧‧‧外密封部
180‧‧‧氣體噴出噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧藥液供給部
184‧‧‧去離子水供給部
185‧‧‧IPA供給部
186‧‧‧惰性氣體供給部
187‧‧‧加熱氣體供給部
191‧‧‧第1排出路
192‧‧‧第2排出路
193、197‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196、199‧‧‧排液部
198‧‧‧內側排氣部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧下表面對向部
211a‧‧‧對向面
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧底座部
214‧‧‧腔室側壁部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223、238‧‧‧筒部
224、239‧‧‧凸緣部
231、232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部底座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
613‧‧‧下表面部
615‧‧‧第1密封件
616‧‧‧第2密封件
1801‧‧‧安裝位置
1802‧‧‧噴出口
1803‧‧‧箭頭
J1‧‧‧中心軸
S11~S15、S21~S26、S23a‧‧‧步驟
圖1係表示第1實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖3係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖4係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖5係表示下表面對向部中之氣體噴出噴嘴之配置之圖。
圖6係表示基板處理裝置中之處理之流程之圖。
圖7係表示蝕刻處理之實驗結果之圖。
圖8係表示下表面對向部中之氣體噴出噴嘴之配置之其他例的圖。
圖9係表示下表面對向部中之氣體噴出噴嘴之配置之進而其他例的圖。
圖10係表示第2實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖11係表示處理液供給部、惰性氣體供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖12係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖13係表示基板處理裝置之一部分之剖面圖。
圖14係表示基板處理裝置中之處理流程之圖。
圖15係表示基板處理裝置中之各構成之動作時序之圖。
圖16係表示蝕刻處理之實驗結果之圖。
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1的剖面圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片地進行處理的單片式裝置。於圖1中，省略對基板處理裝置1之一部分構成之剖面賦予平行斜線(於其他剖面圖中亦情況相同)。
基板處理裝置1包含腔室12、頂板123、腔室開關機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、受液部16及外殼17。
腔室12具備腔室本體121與腔室蓋部122。腔室本體121及腔室蓋部122係由非磁性體形成。腔室本體121具備腔室底部210與腔室側壁部214。腔室底部210具備大致圓板狀之中央部211、自中央部211之外緣部向下方延伸之筒狀之內側壁部212、及自內側壁部212向直徑方向外側擴展之底座部213。腔室側壁部214係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之環狀，且自底座部213之直徑方向中央部朝向上方突出。形成腔室側壁部214之構件係如下所述地兼作受液部16之一部分。於以下之說明中，將由腔室側壁部214、內側壁部212及底座部213包圍之空間稱為下部環狀空間217。於基板9由基板保持部14之基板支撐部141(下述)支撐之情形時，基板9之下表面92與中央部211之上表面211a對向。於以下之說明中，將腔室底部210之中央部211稱為「下表面對向部211」，將中央部211之上表面211a稱為「對向面211a」。關於下表面對向部211之詳細情況將於下文中敍述。
腔室蓋部122係與中心軸J1垂直之大致圓板狀，且包含腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口封閉。圖 1係表示腔室蓋部122自腔室本體121相隔之狀態。當腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部相接。
腔室開關機構131係使腔室12之活動部即腔室蓋部122相對於腔室12之其他部位即腔室本體121上下方向地相對移動。腔室開關機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。當腔室蓋部122因腔室開關機構131而上下方向地移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一同地於固定範圍內上下方向地移動。腔室蓋部122與腔室本體121相接而將上部開口封閉，進而，朝向腔室本體121按壓腔室蓋部122，藉此，於腔室12內形成被密閉之內部空間(參照下述之圖4)。
基板保持部14係配置於腔室12內，且以水平狀態保持基板9。即，基板9係以上表面91與中心軸J1垂直地朝向上側之狀態由基板保持部14保持。基板保持部14具備：上述基板支撐部141，其自下側支撐基板9之外緣部；及基板壓緊部142，其自上側將由基板支撐部141支撐之基板9之外緣部壓緊。基板支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部底座413、及固定於支撐部底座413之上表面之複數個第1接觸部411。基板壓緊部142具備固定於頂板123之下表面之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421之圓周方向之位置係實際上不同於複數個第1接觸部411之圓周方向之位置。
頂板123係與中心軸J1垂直之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9由基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，且頂板123之外周緣相較基板9之外周緣遍及整 周地位於直徑方向外側。
於圖1所示之狀態下，頂板123受到腔室蓋部122支撐。詳細而言，於腔室蓋部122之下表面設置有環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部224。筒部223係自腔室蓋部122之下表面朝向下方擴展。凸緣部224係自筒部223之下端朝向直徑方向外側擴展。
頂板123係具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝向上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端朝向直徑方向內側擴展。筒部238位於板保持部222之筒部223之直徑方向外側，且於直徑方向上與筒部223對向。凸緣部239位於板保持部222之凸緣部224之上方，且於上下方向上與凸緣部224對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面與板保持部222之凸緣部224之上表面相接，而將頂板123以自腔室蓋部122垂吊之方式安裝於腔室蓋部122。
圖1所示之基板旋轉機構15係所謂之中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包含大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係利用PTFE(Polytetrafluoroethene，聚四氟乙烯)樹脂模塑而成。轉子部152係於腔室12之內部空間中，配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部底座413。支撐部底座413係配置於轉子部152之上方。
定子部151係於腔室12外(即內部空間之外側)配置於轉 子部152之周圍、即直徑方向外側。於本實施形態中，定子部151係固定於底座部213，且位於受液部16之下方。定子部151係包含以中心軸J1為中心之圓周方向上排列之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。因作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內浮動而既不直接亦不間接地接觸於腔室12，使基板9與基板支撐部141一同地以中心軸J1為中心以浮動狀態進行旋轉。
受液部16具備護罩部161與護罩移動機構162。如上所述，形成腔室側壁部214之構件之一部分包含於受液部16。護罩部161係以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室側壁部214之直徑方向外側。護罩移動機構162使護罩部161上下方向地移動。
護罩部161之下部係位於處於腔室側壁部214之外側之環狀之受液凹部165內。於包圍受液凹部165之外周之大致圓筒狀之外壁部168之上端部固定有以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之外密封部169。外密封部169係自外壁部168之上端部朝向直徑方向內側擴展，且遍及整周地覆蓋受液凹部165之上部開口之外周部。
於腔室蓋部122之中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181可插入至頂板123之中央之開口。於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。於下表面對向部211進而安裝有複數個氣體噴出噴嘴180。受液凹部165之底部係連接於第1排出路191。內側壁部212與腔室側壁部214之間之下部環狀空間217之底部係連接於第2排出路192。再者，上部噴嘴181及下部噴嘴182之設置位置 不必限定於中央部分，例如，亦可為與基板9之周緣部對向之位置。關於複數個氣體噴出噴嘴180之配置將於下文敍述。
圖2係表示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18及氣液排出部19的方塊圖。氣液供給部18不僅具備上述氣體噴出噴嘴180、上部噴嘴181及下部噴嘴182，而且具備藥液供給部183、去離子水供給部184、IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)供給部185、惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187。藥液供給部183、去離子水供給部184及IPA供給部185係分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係經由閥連接於去離子水供給部184。上部噴嘴181係經由閥亦連接於惰性氣體供給部186。上部噴嘴181係於中央具有液體吐出口，且於該液體吐出口之周圍具有氣體噴出口。因此，正確而言，上部噴嘴181之一部分係對腔室12之內部供給氣體之廣義之氣體供給部之一部分。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口。複數個氣體噴出噴嘴180係經由閥連接於加熱氣體供給部187。
連接於受液部16之受液凹部165之第1排出路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193係分別經由閥連接於外側排氣部194、藥液回收部195、及排液部196。連接於腔室底部210之第2排出路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197係分別經由閥連接於內側排氣部198及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10進行控制。腔室開關機構131、基板旋轉機構15及護罩移動機構162(參照圖1)亦由控制部10進行控制。
於本實施形態中，自藥液供給部183經由上部噴嘴181供給至基板9上之藥液係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。去離子水供給部184係經由上部噴嘴181或下部噴嘴182對基板9供 給去離子水(DIW：Deionized Water)。IPA供給部185係經由上部噴嘴181將異丙醇(IPA)供給至基板9上。於基板處理裝置1中，亦可設置供給上述以外之處理液之處理液供給部。又，惰性氣體供給部186係經由上部噴嘴181對腔室12內供給惰性氣體。加熱氣體供給部187係經由複數個氣體噴出噴嘴180對基板9之下表面92供給經加熱之氣體(例如已加熱至120~130℃之高溫之惰性氣體)。於本實施形態中，惰性氣體供給部186及加熱氣體供給部187中利用之氣體係氮氣(N2)，但亦可為氮氣以外之氣體。再者，於加熱氣體供給部187中利用經加熱之惰性氣體之情形時，基板處理裝置1中之防爆對策係可簡化或者不需要該防爆對策。
如圖1所示，護罩部161係具備側壁部611、上表面部612及下表面部613。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向直徑方向內側擴展。下表面部613係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之下端部朝向直徑方向外側擴展。上表面部612及下表面部613係與中心軸J1大致垂直。於圖1所示之狀態下，護罩部161之側壁部611之大致整體及下表面部613位於受液凹部165內。
於腔室蓋部122之外緣部之下表面設置有環狀之唇形密封件231、232。唇形密封件231係位於腔室側壁部214之上端部之上方。唇形密封件232係位於護罩部161之上表面部612之內緣部之上方。若圖1所示之腔室蓋部122下降，且護罩部161上升，則如圖3所示，唇形密封件232與護罩部161之上表面部612之內緣部於上下方向上接觸。又，若腔室蓋部122下降至腔室側壁部214，則如圖4 所示，唇形密封件231與腔室側壁部214之上端部接觸。
如圖1所示，於頂板123之外緣部之下表面，使複數個第1卡合部241沿圓周方向排列，且於支撐部底座413之上表面，使複數個第2卡合部242沿圓周方向排列。該等卡合部較佳為設置3組以上，於本實施形態中設置有4組。於第1卡合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部底座413朝向上方突出。
若腔室蓋部122下降，則如圖3及圖4所示，第2卡合部242將嵌入至第1卡合部241之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之圓周方向上與基板支撐部141之支撐部底座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123相對於基板支撐部141之旋轉方向上之相對位置(即，將圓周方向上之相對位置固定)之位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15來控制支撐部底座413之旋轉位置。再者，於圖3及圖4所示之狀態下，板保持部222對頂板123之保持被解除。
如上所述，於圖1之支撐部底座413之上表面，使基板支撐部141之複數個第1接觸部411沿圓周方向排列。複數個第1接觸部411係相較複數個第2卡合部242配置於直徑方向內側。又，於頂板123之外緣部之下表面，使基板壓緊部142之複數個第2接觸部421沿圓周方向排列。複數個第2接觸部421係相較複數個第1卡合部241配置於直徑方向內側。如上所述，複數個第2接觸部421之圓周方向之位置不同於複數個第1接觸部411之圓周方向之位置。於本實施形態中，4個第1接觸部411係於圓周方向上以等角度間隔配置。又， 於圓周方向上，於各第1接觸部411之兩側鄰接地配置有2個第2接觸部421，且將與1個第1接觸部411鄰接之2個第2接觸部421設為1組，將4組第2接觸部421於圓周方向上以等角度間隔配置。如圖3及圖4所示，於腔室蓋部122已下降之狀態下，基板壓緊部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。
於頂板123之下表面、及基板支撐部141之支撐部底座413上設置有於上下方向對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，亦將各對磁鐵稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1中，複數個磁鐵對於圓周方向上以等角度間隔配置於與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置。於基板壓緊部142與基板9接觸之狀態下，因作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，向下之力作用於頂板123。藉此，基板壓緊部142將基板9朝向基板支撐部141按壓。
於基板處理裝置1中，基板壓緊部142藉由頂板123之自重、及磁鐵對之磁力而將基板9朝向基板支撐部141按壓，藉此，可利用基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持而牢固地保持基板9。於圖3及圖4所示之狀態下，板保持部222與被保持部237未接觸，且頂板123自腔室蓋部122獨立地藉由基板旋轉機構15而與基板保持部14及由基板保持部14保持之基板9一同地進行旋轉。
圖5係表示腔室底部210之下表面對向部211中之複數個氣體噴出噴嘴180之配置的圖。於圖5中，以標註符號1801之實線之圓圈表示下表面對向部211中之各氣體噴出噴嘴180之安裝位置(下述圖8及圖9中情況相同)。
如圖5所示，於下表面對向部211設置有4個氣體噴出噴嘴180。詳細而言，4個氣體噴出噴嘴180係於以中心軸J1為中心 之圓周方向上等角度間隔(圖5為90度間隔)地配置。若將隔著中心軸J1相互對向之2個氣體噴出噴嘴180即於圓周方向上以180度間隔配置之2個氣體噴出噴嘴180稱為「噴嘴對」，則於圖5中設置有2個噴嘴對。各噴嘴對之2個氣體噴出噴嘴180中之噴出口之與中心軸J1相距之距離(以下，稱為「噴出口-中心軸間距離」)相互相等。又，一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離與另一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離互不相同。例如，於半徑約為150mm(毫米)之基板9之處理中使用之基板處理裝置1中，一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為110mm，另一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為145mm。
如上所述，於由圖1所示之基板支撐部141支撐著基板9之情形時，下表面對向部211之對向面211a與基板9之下表面92對向。對向面211a係隨著與中心軸J1相距之距離增大而位於下方之傾斜面，且遍及基板9之下表面92之大致整體地擴展。對向面211a與基板9之下表面92之間之距離係於下部噴嘴182附近成為最小，例如成為5mm。又，該距離係於基板9之外緣部成為最大，例如成為30mm。複數個氣體噴出噴嘴180係自對向面211a突出，且噴出口1802相較對向面211a位於上方。
圖5中配置於中心軸J1之左右之噴嘴對之氣體噴出噴嘴180(即，未標註箭頭1803之氣體噴出噴嘴180)係以其中心軸大致上沿著安裝位置1801上之對向面211a之法線之方式固定於下表面對向部211。因此，該等氣體噴出噴嘴180以噴出口1802相較安裝位置1801略微位於外側之方式相對於中心軸J1傾斜。又，圖5中配置於中心軸J1之上下之噴嘴對之氣體噴出噴嘴180係以噴出口1802相對於安裝位置1801上之對向面211a之法線位於外側(與中心軸J1為相反側)之方 式傾斜(參照箭頭1803)地固定於下表面對向部211。如此般，基板處理裝置1中之任一氣體噴出噴嘴180均相對於中心軸J1傾斜，且噴出口1802朝向上方且略微朝向外側。
如圖1所示，氣體噴出噴嘴180之噴出口1802係接近於基板9之下表面92。就效率良好地加熱基板9之觀點而言，於中心軸J1之方向上氣體噴出噴嘴180之上端與基板9之下表面92之間之距離較佳為8mm以下，更佳為5mm以下(下述之圖8及圖9之氣體噴出噴嘴180中情況相同)。又，為避免氣體噴出噴嘴180與基板9接觸，氣體噴出噴嘴180之上端與基板9之下表面92之間之距離較佳為2mm以上。
圖6係表示基板處理裝置1中之基板9之處理之流程之圖。於基板處理裝置1中，首先，於腔室蓋部122為如圖1所示地位於上方之狀態下，基板9被外部之搬送機構搬入至腔室12之內部空間，且受到基板支撐部141自下側支撐(步驟S11)。繼而，腔室蓋部122下降至圖3所示之位置，藉此，基板9受到基板壓緊部142及基板支撐部141保持。此時，腔室蓋部122與腔室側壁部214遠離，於基板9之周圍(即直徑方向外側)，於腔室蓋部122與腔室側壁部214之間形成環狀開口81。以下，將形成有環狀開口81之腔室12之狀態稱為「半開狀態」。又，將圖1之狀態稱為「打開狀態」。
護罩部161係自圖1所示之位置上升，且如圖3所示，遍及整周地位於環狀開口81之直徑方向外側。如此般，護罩移動機構162(參照圖1)使護罩部161於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置與相較第1位置為下方之第2位置(參照圖1)之間上下方向地移動。於位於第1位置之護罩部161中，側壁部611於直徑方向上與環狀開口 81對向。
於位於第1位置之護罩部161中，上表面部612之內緣部之上表面遍及整周地與腔室蓋部122之唇形密封件232相接。藉此，於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成防止氣體或液體通過之第1密封件615。又，護罩部161之下表面部613之上表面遍及整周地與腔室本體121之外密封部169之下表面相接。藉此，於腔室本體121與護罩部161之下表面部613之間，形成防止氣體或液體通過之第2密封件616。
於基板處理裝置1中，護罩部161之上表面部612係於第1位置形成第1密封件615之第1密封部，下表面部613係於第1位置形成第2密封件616之第2密封部。而且，藉由半開狀態之腔室12(即，形成有環狀開口81之狀態之腔室本體121及腔室蓋部122)、及位於第1位置之護罩部161，形成密閉之內部空間160(以下，稱為「密閉空間160」)。如此般，於基板處理裝置1中，藉由腔室12及護罩部161而實現形成密閉空間160之密閉空間形成部。
若形成有密閉空間160，則藉由基板旋轉機構15而以固定之轉數(相對較低之轉數(rotation speed)，以下，稱為「恆定轉數」)使基板9開始旋轉。又，開始自惰性氣體供給部186(參照圖2)對密閉空間160供給惰性氣體(此處為氮氣)，並且開始利用外側排氣部194排出密閉空間160內之氣體。藉此，經過既定時間後，密閉空間160成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(即，氧濃度低之低氧環境氣體)。再者，對密閉空間160之惰性氣體供給及密閉空間160內之氣體排出亦可自圖1所示之打開狀態實施。
繼而，開始利用藥液供給部183對基板9之上表面91 供給藥液(步驟S12)。來自藥液供給部183之藥液係如圖3所示，自上部噴嘴181經由頂板123之中央之開口緩慢且連續地供給至基板9之上表面91之中央部。藥液因基板9之旋轉而朝向外周部擴散，從而由藥液將上表面91整體被覆。
此時，朝向旋轉之基板9之下表面92，自複數個氣體噴出噴嘴180噴出經加熱之氣體。藉此，一方面遍及整周地將與各噴嘴對之噴出口-中心軸間距離對應之基板9之半徑位置附近均勻加熱，一方面利用藥液對上表面91進行蝕刻。實際上，由於頂板123之下表面接近於基板9之上表面91，因此，對基板9之蝕刻係於頂板123之下表面與上表面91之間之極窄之空間內進行。
於密閉空間160內，自基板9之上表面91飛散之藥液經由環狀開口81而由護罩部161接受，並經由圖2所示之第1排出路191流入至氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193將藥液回收，且經由過濾器等自藥液中將雜質等去除之後，被再利用。
若自藥液之供給開始起經過既定時間(例如60~120秒鐘)，則使來自藥液供給部183之藥液之供給、及來自加熱氣體供給部187之經加熱之氣體之供給停止。繼而，藉由基板旋轉機構15，而於既定時間(例如1~3秒鐘)內使基板9之轉數高於恆定轉數，從而自基板9將藥液去除。此時，頂板123與基板支撐部141一同地旋轉，因此，藥液幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而不會自頂板123落下。
基板9之轉數恢復為恆定轉數之後，如圖4所示，腔室蓋部122及護罩部161朝向下方移動。繼而，腔室蓋部122之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部相接，藉此，形成腔室12被密閉之內部空間120(以下，稱為「密閉空間120」)。於腔室12被密閉之狀態 下，基板9與腔室12之內壁直接對向，從而於該等之間不存在其他受液部。其後，停止外側排氣部194進行之氣體之排出，並且開始內側排氣部198進行之密閉空間120內之氣體之排出。繼而，藉由去離子水供給部184而開始對基板9供給作為清洗液或清洗液之去離子水(步驟S13)。
來自去離子水供給部184之去離子水係自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出，連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。去離子水係因基板9之旋轉而朝向上表面91及下表面92之外周部擴散，自基板9之外周緣朝向外側飛散。自基板9飛散之去離子水係由腔室12之內壁(即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)承接，且經由圖2所示之第2排出路192、氣液分離部197及排液部199而廢棄(於下述基板9之乾燥中情況同樣)。藉此，實質上，腔室12內之清洗亦與基板9之上表面91之清洗處理及下表面92之清洗處理一同地進行。
若自去離子水之供給開始起經過既定時間，則自去離子水供給部184供給之去離子水被停止。繼而，於密閉空間120內，使基板9之轉數充分地高於恆定轉數。藉此，將去離子水自基板9上去除，進行基板9之乾燥(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始起經過既定時間，則基板9之旋轉停止。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，從而如圖1所示，腔室12成為打開狀態。於步驟S14中，由於頂板123與基板支撐部141一同地旋轉，故而，液體幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而於腔室蓋部122上升時液體不會自頂板123落下至基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構而自腔室12之內部空間搬出(步驟S15)。再者，亦 可於去離子水供給部184進行去離子水之供給後且基板9之乾燥前，自IPA供給部185對基板9上供給IPA，從而於基板9上將去離子水置換成IPA。
如以上說明所述，於基板處理裝置1中，藉由作為環狀支撐部之基板支撐部141而自下側支撐水平狀態之基板9之外緣部，將具有與基板9之下表面92對向之對向面211a之下表面對向部211設置於基板支撐部141之內側。而且，將朝向基板9之下表面92噴出經加熱之氣體之氣體噴出噴嘴180設置於下表面對向部211。
在此，對於因有無氣體噴出噴嘴180所進行之基板9之下表面92之加熱而導致基板9之處理之均勻性之差異進行敍述。圖7係表示蝕刻處理之實驗結果之圖。圖7之橫軸係表示直徑方向上之基板9上之位置，縱軸係表示蝕刻量。又，圖7係利用標註符號L1之虛線表示未加熱基板9之下表面92(可視作省略氣體噴出噴嘴180之情形)時之各位置之蝕刻量，且利用標註符號L2之一點鏈線表示加熱基板9之下表面92時之各位置之蝕刻量。再者，標註符號L3之實線表示下述圖8之例中之蝕刻量之變化。
如圖7所示，於未加熱下表面92之情形時，於基板9之外緣部蝕刻量變低，與此相對，於加熱下表面92之情形時，基板9之外緣部中之蝕刻量之降低得到抑制。若利用基板9上之複數個位置上之蝕刻量之最大值A、最小值B及平均值C，藉由(((A-B)/2C)×100)而求出表示均勻性之值，則未加熱下表面92時之蝕刻處理之均勻性為7%。與此相對，加熱下表面92時之蝕刻處理之均勻性為3%，從而均勻性提昇。
如此般，基板處理裝置1係於藉由自上部噴嘴181吐出 之處理液對基板9之上表面91進行處理時，藉由自氣體噴出噴嘴180噴出之經加熱之氣體而加熱基板9(較佳為，加熱溫度相對較低且自中心軸J1分離之部位)，藉此，可提昇基板9之溫度分佈之均勻性。其結果，可將來自上部噴嘴181之處理液對基板9之上表面91之處理之均勻性提昇。
又，藉由將吐出去離子水作為處理液之下部噴嘴182作為處理液噴嘴設置於下表面對向部211，而實現對基板9之下表面92進行該處理液之處理。進而，氣體噴出噴嘴180係自下表面對向部211之對向面211a突出，藉此，於對基板9之下表面92處理時，可抑制處理液自噴出口1802流入至氣體噴出噴嘴180內。
基板處理裝置1係因氣體噴出噴嘴180相對於中心軸J1傾斜，而可進一步抑制處理液流入至氣體噴出噴嘴180。又，於中心軸J1之方向上氣體噴出噴嘴180與基板9之下表面92之間之距離為8mm以下，藉此，可效率良好地加熱基板9。進而，複數個氣體噴出噴嘴180中之一氣體噴出噴嘴180之噴出口1802與中心軸J1之間之距離不同於其他之一氣體噴出噴嘴180之噴出口1802與中心軸J1之間之距離，藉此，可對基板9之較廣之範圍進行加熱。
又，對向面211a係隨著自中心軸J1分離而自基板9分離之傾斜面，藉此，可易於將基板9之下表面92之處理中所用之處理液朝向對向面211a之外側導引。其結果，可防止該處理液滯留於對向面211a上。再者，根據基板處理裝置1之設計，對向面211a亦可為與基板9之下表面92平行之面。
另外，於假定於開放之處理空間中對基板進行處理之比較例之基板處理裝置的情形時，比較例之基板處理裝置進行於藥液之 基板處理時，將該處理空間內之氣體以大流量排出之處理，以防止包含藥液成分之氣體擴散至外部。又，亦進行產生降流之處理，以防止顆粒附著於基板。因此，於基板之周圍產生自上方朝向下方之氣流，且因該氣流，基板之溫度容易降低。基板之溫度降低係於基板之外緣部變得顯著，從而基板之溫度分佈之均勻性下降。其結果，藥液對基板之處理均勻性下降(即，表示均勻性之百分比值變高)。亦考慮藉由將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板而抑制基板之溫度分佈之均勻性之降低，但會導致藥液之消耗量增大。
與此相對，基板處理裝置1可藉由作為密閉空間形成部之腔室12及護罩部161，而形成較比較例之基板處理裝置中之處理空間小之密閉空間160，藉此，可抑制自基板9之熱之擴散。實際上，當藉由藥液供給部183而對基板9供給藥液時，頂板123向基板9之上表面91接近。又，下表面對向部211向基板9之下表面92接近。藉此，可進一步抑制自基板9之熱之擴散。
於形成密閉空間160之基板處理裝置1中，既不會產生包含藥液成分之氣體擴散至外部之情況，用以防止顆粒附著於基板之降流之必要性亦較低，因此，可將流入至密閉空間160之氣體及自密閉空間160流出之氣體之流量設定得較低。因此，可進一步減少基板9之溫度降低。其結果，可一方面將自氣體噴出噴嘴180之經加熱之氣體之流量設定得相對較低，一方面提昇基板之溫度分佈之均勻性。又，亦無需將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板9(即，可減少藥液之消耗量)，因此，亦可減少基板處理裝置1之COO(cost of ownership，持有成本)。
圖1之基板處理裝置1係於藥液之處理時，將密閉空間 160設為惰性氣體填充狀態(即、低氧環境氣體)，進而，自氣體噴出噴嘴180噴出經加熱之惰性氣體。藉此，不僅可使用無機藥液，而且亦可使用可燃性之有機藥液等，防爆對策亦變得容易。
圖8係表示下表面對向部211中之複數個氣體噴出噴嘴180之配置之其他例的圖。於圖8所示之下表面對向部211設置有分別自對向面211a突出之6個氣體噴出噴嘴180。詳細而言，6個氣體噴出噴嘴180中之4個氣體噴出噴嘴180係以與圖5之4個氣體噴出噴嘴180相同之方式配置。剩餘之2個氣體噴出噴嘴180係於圓周方向上以180度間隔配置於中心軸J1之附近。如此般，於圖8中，設置有3個噴嘴對，且該3個噴嘴對中之噴出口-中心軸間距離互不相同。例如，於半徑約為150mm之基板9之處理中使用之基板處理裝置1中，一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為110mm，其他之一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為145mm，剩餘之噴嘴對之噴出口-中心軸間距離小於110mm。
對向面211a係隨著與中心軸J1相距之距離增大而位於下方之傾斜面，又，所有之氣體噴出噴嘴180相對於中心軸J1傾斜(下述圖9之例中情況相同)。如圖7中標註符號L3之實線所示，圖8之例係與圖5之例相比，進一步抑制基板9之外緣部中之蝕刻量之降低，從而蝕刻處理之均勻性為1%。
圖9係表示下表面對向部211中之複數個氣體噴出噴嘴180之配置之進而其他例的圖。於圖9中，設置有3個噴嘴對，且該3個噴嘴對中之噴出口-中心軸間距離互不相同。例如，於半徑約為150mm之基板9之處理中使用之基板處理裝置1中，一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為65mm，其他之一噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為90 mm，剩餘之噴嘴對之噴出口-中心軸間距離為145mm。
實際上，噴出口-中心軸間距離成為最小之噴嘴對之氣體噴出噴嘴180係以噴出口1802相較安裝位置1801配置於內側之方式傾斜(參照箭頭1803)地固定於下表面對向部211。於該氣體噴出噴嘴180中，噴出口1802朝向上方且略微朝向內側。剩餘之氣體噴出噴嘴180係以大體上沿著作為傾斜面之對向面211a之法線之方式固定於下表面對向部211。於圖9之例中，亦可提昇對基板9之上表面91之處理之均勻性。
上述基板處理裝置1可進行各種變形。若將供給至基板9之上表面91之處理液設為第1處理液，則於上述基板處理裝置1中，自第1處理液供給部即藥液供給部183對上表面91供給藥液作為第1處理液，但第1處理液亦可為藥液以外之處理液。同樣地，若將供給至基板9之下表面92之處理液設為第2處理液，則於上述基板處理裝置1中，自第2處理液供給部即去離子水供給部184對下表面92供給去離子水作為第2處理液，但第2處理液亦可為其他處理液。
於圖1之基板處理裝置1中，於藥液之供給時，藉由腔室12及護罩部161而形成密閉空間160，且於去離子水之供給時，僅藉由腔室12而形成密閉空間120，但根據基板處理裝置之設計，亦可省略護罩部161，而於藥液之供給時及去離子水之供給時之兩者，皆僅藉由腔室12形成密閉之內部空間。如上所述，形成進行藉由第1處理液及第2處理液對基板9之處理之密閉之內部空間的密閉空間形成部可以多種態樣實現。
於圖1之基板處理裝置1中，亦可省略腔室蓋部122而於已開放之處理空間中處理基板9。又，自下側支撐水平狀態之基板9 之外緣部之環狀支撐部能夠以多種態樣實現。例如，於如上所述地省略腔室蓋部122之情形時，於基板支撐部141設置握持基板9之機構。
於上述基板處理裝置1中，使以中心軸J1為中心之環狀之基板支撐部141與基板9一同地以中心軸J1為中心旋轉的基板旋轉機構亦可藉由包含環狀之定子部151及環狀之轉子部152之中空馬達以外之構成(例如，設置於環狀之基板支撐部141之環狀之齒輪、與使和該齒輪卡合之齒輪旋轉之馬達之組合)而實現。又，根據基板處理裝置1之設計，亦可藉由旋轉機構而使下表面對向部211相對基板9進行旋轉。即，於基板處理裝置1中，設置使基板支撐部141與基板9一同地以中心軸J1為中心對於下表面對向部211相對地旋轉的旋轉機構。
又，亦可於下表面對向部211中僅設置1個氣體噴出噴嘴180。即，基板處理裝置1可藉由於下表面對向部211設置至少1個氣體噴出噴嘴180而將基板9之下表面92加熱。
由基板處理裝置處理之基板並不限定於半導體基板，亦可為玻璃基板或其他基板。
圖10係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1a之剖面圖。基板處理裝置1a係對大致圓板狀之半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)供給處理液，將基板9逐片地進行處理的單片式裝置。於圖10中，省略對基板處理裝置1a之一部分構成之剖面賦予平行斜線(其他剖面圖中亦同樣)。
基板處理裝置1a係具備腔室12、頂板123、腔室開關機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、受液部16及外殼17。
腔室12係具備腔室本體121與腔室蓋部122。腔室本體 121及腔室蓋部122係由非磁性體形成。腔室本體121係具備腔室底部210與腔室側壁部214。腔室底部210具備大致圓板狀之中央部211、自中央部211之外緣部延伸至下方之筒狀之內側壁部212、及自內側壁部212朝向直徑方向外側擴展之底座部213。腔室側壁部214係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之環狀，且自底座部213之直徑方向中央部朝向上方突出。形成腔室側壁部214之構件係如下所述地兼作受液部16之一部分。於以下之說明中，將由腔室側壁部214、內側壁部212及底座部213包圍之空間稱為下部環狀空間217。於基板9被基板保持部14之基板支撐部141(下述)支撐之情形時，基板9之下表面92與中央部211之上表面對向。
腔室蓋部122係為與中心軸J1垂直之大致圓板狀，且包含腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口封閉。圖10係表示腔室蓋部122自腔室本體121遠離之狀態。於腔室蓋部122封閉腔室本體121之上部開口時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部相接。
腔室開關機構131係使腔室12之可動部即腔室蓋部122相對於腔室12之其他部位即腔室本體121上下方向地相對移動。腔室開關機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。於藉由腔室開關機構131而使腔室蓋部122上下方向地移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一同地於固定範圍內上下方向地移動。藉由腔室蓋部122與腔室本體121相接地封閉上部開口，進而，朝向腔室本體121按壓腔室蓋部122，而於腔室12內形成密閉之內部空間(參照下述圖13)。
基板保持部14係配置於腔室12內，且以水平狀態保持基板9。即，基板9係以使上表面91與中心軸J1垂直地朝向上側之狀 態由基板保持部14保持。基板保持部14具備自下側支撐基板9之外緣部之上述基板支撐部141、及自上側將由基板支撐部141支撐之基板9之外緣部壓緊之基板壓緊部142。基板支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部底座413、及固定於支撐部底座413之上表面之複數個第1接觸部411。基板壓緊部142具備固定於頂板123之下表面之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421之圓周方向之位置實際上不同於複數個第1接觸部411之圓周方向之位置。
頂板123係為與中心軸J1垂直之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9受到基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，且頂板123之外周緣遍及整周地相較基板9之外周緣位於直徑方向外側。如此般，頂板123於基板9之上方，以覆蓋基板9之方式沿著上表面91擴展。
於圖10所示之狀態下，頂板123受到腔室蓋部122支撐。詳細而言，於腔室蓋部122之下表面設置有環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部224。筒部223係自腔室蓋部122之下表面朝向下方擴展。凸緣部224係自筒部223之下端朝向直徑方向外側擴展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓環狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝向上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端朝向直徑方向內側擴展。筒部238 位於板保持部222之筒部223之直徑方向外側，且於直徑方向上與筒部223對向。凸緣部239位於板保持部222之凸緣部224之上方，且於上下方向上與凸緣部224對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面與板保持部222之凸緣部224之上表面相接，而將頂板123以自腔室蓋部122垂吊之方式安裝於腔室蓋部122。
圖10所示之基板旋轉機構15係所謂之中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包含大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係利用PTFE樹脂模塑而成。轉子部152係於腔室12之內部空間配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部底座413。支撐部底座413係配置於轉子部152之上方。
定子部151係於腔室12外(即內部空間之外側)配置於轉子部152之周圍、即直徑方向外側。於本實施形態中，定子部151係固定於底座部213，且位於受液部16之下方。定子部151係包含沿以中心軸J1為中心之圓周方向排列之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。因作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內浮動而既不直接亦不間接地接觸於腔室12，使基板9與基板支撐部141一同地以中心軸J1為中心以浮動狀態進行旋轉。
受液部16係具備護罩部161與護罩移動機構162。如上所述，形成腔室側壁部214之構件之一部分包含於受液部16。護罩部 161係以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室側壁部214之直徑方向外側。護罩移動機構162使護罩部161上下方向地移動。
護罩部161之下部係位於處於腔室側壁部214之外側之環狀之受液凹部165內。於包圍受液凹部165之外周之大致圓筒狀之外壁部168之上端部固定有以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之外密封部169。外密封部169係自外壁部168之上端部朝向直徑方向內側擴展，且遍及整周地覆蓋受液凹部165之上部開口之外周部。
於腔室蓋部122之中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181可插入至頂板123之中央之開口。於腔室底部210之中央部211之中央安裝有下部噴嘴182。受液凹部165之底部係連接於第1排出路191。內側壁部212與腔室側壁部214之間之下部環狀空間217之底部係連接於第2排出路192。再者，上部噴嘴181及下部噴嘴182之設置位置不必限定於中央部分，例如，亦可為與基板9之周緣部對向之位置。
圖11係表示基板處理裝置1a所具備之處理液供給部18a、惰性氣體供給部186及氣液排出部19的方塊圖。處理液供給部18a不僅包含上述上部噴嘴181及下部噴嘴182，而且具備藥液供給部183、去離子水供給部184、及IPA供給部185。藥液供給部183、去離子水供給部184及IPA供給部185係分別經由閥連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係經由閥連接於去離子水供給部184。上部噴嘴181係經由閥而亦連接於惰性氣體供給部186。上部噴嘴181係於中央具有液體吐出口，且於其周圍具有氣體噴出口。因此，正確而言，上部噴嘴181之一部分係對腔室12之內部供給氣體之廣義之氣體供給部之一部分。下部噴嘴182係於中央具有液體吐出口。
連接於受液部16之受液凹部165之第1排出路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193係分別經由閥連接於外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196。連接於腔室底部210之第2排出路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197係分別經由閥連接於內側排氣部198及排液部199。處理液供給部18a、惰性氣體供給部186及氣液排出部19之各構成係由控制部10進行控制。腔室開關機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15及護罩移動機構162(參照圖10)亦由控制部10進行控制。
於本實施形態中，自藥液供給部183經由上部噴嘴181供給至基板9上之藥液係氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。去離子水供給部184係經由上部噴嘴181或下部噴嘴182對基板9供給去離子水(DIW：Deionized Water)。IPA供給部185係經由上部噴嘴181將異丙醇(IPA)供給至基板9上。於基板處理裝置1a中，亦可設置供給上述以外之處理液之處理液供給部。又，惰性氣體供給部186係經由上部噴嘴181對腔室12內供給惰性氣體。於本實施形態中，該惰性氣體係氮氣(N2)。當然，惰性氣體亦可為氮氣以外之氣體。
如圖10所示，護罩部161係具備側壁部611、上表面部612及下表面部613。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向直徑方向內側擴展。下表面部613係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之下端部朝向直徑方向外側擴展。上表面部612及下表面部613係與中心軸J1大致垂直。於圖10所示之狀態下，護罩部161之側壁部611之大致整體及下表面部613位於受液凹部165內。
於腔室蓋部122之外緣部之下表面設置有環狀之唇形密封件231、232。唇形密封件231位於腔室側壁部214之上端部之上方。唇形密封件232位於護罩部161之上表面部612之內緣部之上方。若圖10所示之腔室蓋部122下降，且護罩部161上升，則如圖12所示，唇形密封件232與護罩部161之上表面部612之內緣部於上下方向上相接。又，若腔室蓋部122下降至腔室側壁部214，則如圖13所示，唇形密封件231與腔室側壁部214之上端部相接。
如圖10所示，於頂板123之外緣部之下表面，複數個第1卡合部241排列於圓周方向，且於支撐部底座413之上表面，複數個第2卡合部242排列於圓周方向。該等卡合部較佳為設置3組以上，本實施形態中設置4組。於第1卡合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部底座413朝向上方突出。
若腔室蓋部122下降，則如圖12及圖13所示，第2卡合部242嵌入於第1卡合部241之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之圓周方向上，與基板支撐部141之支撐部底座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123相對於基板支撐部141之旋轉方向上之相對位置(即，將圓周方向上之相對位置固定)之位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，為了使第1卡合部241與第2卡合部242嵌合，藉由基板旋轉機構15控制支撐部底座413之旋轉位置。再者，於圖12及圖13所示之狀態下，板保持部222對頂板123之保持被解除。
如上所述，於圖10之支撐部底座413之上表面，基板支撐部141之複數個第1接觸部411排列於圓周方向。複數個第1接觸部411係相較複數個第2卡合部242配置於直徑方向內側。又，於 頂板123之外緣部之下表面，基板壓緊部142之複數個第2接觸部421排列於圓周方向。複數個第2接觸部421係相較複數個第1卡合部241配置於直徑方向內側。如上所述，複數個第2接觸部421之圓周方向之位置不同於複數個第1接觸部411之圓周方向之位置。於本實施形態中，4個第1接觸部411於圓周方向以等角度間隔配置。又，於圓周方向上，2個第2接觸部421鄰接地配置於各第1接觸部411之兩側，且將與1個第1接觸部411鄰接之2個第2接觸部421設為1組，4組之第2接觸部421係於圓周方向以等角度間隔配置。如圖12及圖13所示，於腔室蓋部122已下降之狀態下，基板壓緊部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。
於頂板123之下表面及基板支撐部141之支撐部底座413上設置有於上下方向上對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，亦將各對磁鐵稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1a中，複數個磁鐵對以等角度間隔配置於圓周方向上與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置。於基板壓緊部142接觸於基板9之狀態下，因作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，向下之力作用於頂板123。藉此，基板壓緊部142將基板9朝向基板支撐部141按壓。
於基板處理裝置1a中，基板壓緊部142藉由頂板123之自重及磁鐵對之磁力而將基板9朝向基板支撐部141按壓，藉此，可利用基板壓緊部142與基板支撐部141自上下夾持而牢固地保持基板9。於圖12及圖13所示之狀態下，板保持部222與被保持部237未接觸，且頂板123自腔室蓋部122獨立地藉由基板旋轉機構15而與基板保持部14及由基板保持部14保持之基板9一同地進行旋轉。
圖14係表示基板處理裝置1a中之基板9之處理流程之 圖，圖15係表示控制部10之控制下之基板處理裝置1a之各構成之動作時序的圖。圖15係自最上段起朝向下方依序地表示基板旋轉機構15、藥液供給部183、去離子水供給部184、外側排氣部194、內側排氣部198及惰性氣體供給部186之動作時序。再者，圖14中由虛線包圍之處理將於下述處理例中進行。
於基板處理裝置1a中，首先，於腔室蓋部122如圖10所示地位於上方之狀態下，基板9藉由外部之搬送機構而搬入至腔室12之內部空間，並藉由基板支撐部141自下方支撐(步驟S21)。繼而，腔室蓋部122下降至圖12所示之位置，藉此，基板9受到基板壓緊部142及基板支撐部141保持。此時，腔室蓋部122與腔室側壁部214遠離，於基板9之周圍(即直徑方向外側)，於腔室蓋部122與腔室側壁部214之間形成環狀開口81。以下，將形成有環狀開口81之腔室12之狀態稱為「半開狀態」。又，將圖10之狀態稱為「打開狀態」。
護罩部161係自圖10所示之位置上升，且如圖12所示，遍及整周地位於環狀開口81之直徑方向外側。如此般，護罩移動機構162(參照圖10)使護罩部161於環狀開口81之直徑方向外側之第1位置與相較第1位置為下方之第2位置(參照圖10)之間上下方向地移動。於位於第1位置之護罩部161，側壁部611於直徑方向上與環狀開口81對向。
於位於第1位置之護罩部161中，上表面部612之內緣部之上表面係遍及整周地與腔室蓋部122之唇形密封件232相接。藉此，於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成防止氣體或液體通過之第1密封件615。又，護罩部161之下表面部613之上表面係遍及整周地與腔室本體121之外密封部169之下表面相接。藉此， 於腔室本體121與護罩部161之下表面部613之間形成防止氣體或液體通過之第2密封件616。
於基板處理裝置1a，護罩部161之上表面部612係於第1位置形成第1密封件615之第1密封部，下表面部613係於第1位置形成第2密封件616之第2密封部。而且，藉由半開狀態之腔室12(即，形成有環狀開口81之狀態之腔室本體121及腔室蓋部122)、以及位於第1位置之護罩部161，而形成密閉之內部空間160(以下，稱為「密閉空間160」)。如此般，於基板處理裝置1a中，藉由腔室12及護罩部161而實現形成密閉空間160之密閉空間形成部。
若於圖15中之時刻T1形成密閉空間160，則藉由基板旋轉機構15而以固定之轉數(相對較低之轉數，以下，稱為「恆定轉數」)開始基板9之旋轉。又，開始自惰性氣體供給部186對密閉空間160供給惰性氣體(此處為氮氣)，並且利用外側排氣部194開始進行密閉空間160內之氣體之排出。經由上部噴嘴181朝向密閉空間160之惰性氣體之供給及自密閉空間160經由第1排出路191之氣體之排出係持續固定時間以上。藉此，密閉空間160成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(即，氧濃度較低之低氧環境氣體)(步驟S22)。再者，對密閉空間160之惰性氣體之供給及密閉空間160內之氣體之排出亦可自圖10所示之打開狀態進行。
如圖15所示，若到達自密閉空間160之形成起經過既定時間(例如20秒鐘)後之時刻T2，則使惰性氣體供給部186對密閉空間160之惰性氣體之供給、及外側排氣部194使密閉空間160內之氣體之排出停止。又，與該等動作大致同時(例如前後數秒鐘以內)地由藥液供給部183開始進行對基板9之上表面91之藥液之供給(步驟S23)。 來自藥液供給部183之藥液係如圖12所示，自上部噴嘴181經由頂板123之中央之開口緩慢且連續地供給至基板9之上表面91之中央部。藥液係因基板9之旋轉而朝向外周部擴散，且上表面91整體被藥液被覆。
如上所述，對基板9之上表面91之藥液之供給係於對密閉空間160之惰性氣體之供給、及密閉空間160內之氣體之排出已停止之狀態下進行。因此，於將氣體之流入及流出阻斷且為惰性氣體填充狀態之密閉空間160內，進行藥液對上表面91之蝕刻。實際上，頂板123之下表面接近於基板9之上表面91，因此，對基板9之蝕刻係於頂板123之下表面與上表面91之間之極窄之空間內進行。
於密閉空間160內，自基板9之上表面91飛散之藥液經由環狀開口81被護罩部161承接，並經由圖11所示之第1排出路191流入至氣液分離部193。藥液回收部195係自氣液分離部193回收藥液，且經由過濾器等自藥液中去除雜質等之後，進行再利用。
如圖15所示，若到達自藥液之供給開始起經過既定時間(例如60~120秒鐘)後之時刻T3，則停止來自藥液供給部183之藥液之供給。繼而，藉由基板旋轉機構15，而以直至時刻T4之前之既定時間(例如1~3秒鐘)使基板9之轉數高於恆定轉數，從而自基板9去除藥液。此時，頂板123係與基板支撐部141一同地旋轉，因此，藥液幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而不存在藥液自頂板123落下之情況。
若到達時刻T4，則基板9之轉數恢復為恆定轉數。又，如圖13所示，腔室蓋部122及護罩部161朝向下方移動。繼而，腔室蓋部122之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部相接，藉此，腔 室12形成密閉之內部空間120(以下，稱為「密閉空間120」)。於腔室12被密閉之狀態下，基板9與腔室12之內壁直接對向，從而於該等之間不存在其他受液部。又，自惰性氣體供給部186朝向密閉空間120之惰性氣體之供給重新開始，並且利用內側排氣部198開始進行密閉空間120內之氣體之排出。進而，藉由作為清洗液供給部之去離子水供給部184而開始對基板9供給作為清洗液之去離子水(步驟S24)。
來自去離子水供給部184之去離子水係自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出，連續地供給至基板9之上表面91及下表面92之中央部。去離子水係因基板9之旋轉而朝向上表面91及下表面92之外周部擴散，自基板9之外周緣朝向外側飛散。自基板9飛散之去離子水係由腔室12之內壁(即，腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)接受，並經由圖11所示之第2排出路192、氣液分離部197及排液部199被廢棄(下述之基板9之乾燥中情況相同)。藉此，實質上亦進行腔室12內之清洗。實際上，基板9之轉數恢復為恆定轉數後，移動腔室蓋部122及護罩部161，形成圖13所示之密閉空間120，繼而，開始自去離子水供給部184供給去離子水，因此，該等動作之間雖產生略微之時間差，但於圖15中，為了簡化圖，而忽視該時間差。
若到達自去離子水之供給開始起經過既定時間後之時刻T5，則停止自去離子水供給部184供給去離子水。繼而，於密閉空間120內，使基板9之轉數充分地高於恆定轉數。藉此，自基板9上去除去離子水，進行基板9之乾燥(步驟S25)。若到達自基板9之乾燥開始起經過既定時間後之時刻T6，則基板9之旋轉停止。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，如圖10所示，腔室12成為打開狀態。於步驟S25中，由於頂板123與基板支撐部141 一同地旋轉，故而液體幾乎未殘留於頂板123之下表面，從而於腔室蓋部122上升時不存在液體自頂板123落下至基板9上之情況。基板9係藉由外部之搬送機構而自腔室12之內部空間搬出(步驟S26)。再者，亦可於去離子水供給部184供給去離子水後且基板9之乾燥前，自IPA供給部185將IPA供給至基板9上，於基板9上將去離子水置換成IPA。
此處，對於步驟S23中藥液對基板9之處理時，持續進行對密閉空間160之惰性氣體之供給及密閉空間160內之氣體之排出的比較例之基板處理裝置進行敍述。比較例之基板處理裝置係於供給至基板9上之藥液(所包含之水等)汽化時，於密閉空間160內持續進行氣體之流入及流出，故而，密閉空間160難以成為濕度較高之狀態。因此，藥液之汽化連續地產生，從而產生因汽化熱導致之基板9之溫度下降。基板9之溫度下降係於基板9之外緣部變得顯著，從而基板9之溫度分佈之均勻性降低。其結果，藥液對基板9之處理之均勻性降低。
亦可考慮藉由將已加熱至固定溫度之藥液以大流量供給至基板9而抑制基板9之溫度分佈之均勻性之降低，但將導致藥液之消耗量增大。又，於如日本專利特開2002-305177號公報(文獻2)所述地在開放之處理空間對基板進行處理之基板處理裝置中，必須於藥液對基板處理時，利用排氣部將該處理空間內之氣體排出，以防止包含藥液成分之氣體擴散至外部。因此，與上述比較例之基板處理裝置同樣地，藥液對基板處理之均勻性下降。實際上，於此種基板處理裝置中，亦進行產生降流之處理，以防止顆粒附著於基板，於此情形時，藥液對基板之處理之均勻性進一步下降。
與此相對，於基板處理裝置1a中，藉由作為密閉空間 形成部之腔室12及護罩部161而形成密閉空間160，且於藉由藥液供給部183而對基板9供給藥液時，使對密閉空間160之惰性氣體之供給及密閉空間160內之氣體之排出停止。可藉由如此地於將氣體之流入及流出阻斷之密閉空間160內將藥液供給至基板9，而將密閉空間160保持為主要由藥液中所包含之水分加濕之狀態(當然，密閉空間160內之環境氣體中亦可包含藥液成分)。其結果，可抑制因藥液汽化導致之基板9之溫度分佈之均勻性之降低，從而可一方面減少藥液之消耗量，一方面利用藥液對基板9之上表面91進行均勻之處理。又，亦可減少基板處理裝置1a之COO(cost of ownership)。
圖16係表示蝕刻處理之實驗結果之圖。圖16中「排氣接通(ON)」表示比較例之基板處理裝置中之蝕刻處理之均勻性，「排氣斷開(OFF)」表示圖10之基板處理裝置1a中之蝕刻處理之均勻性。此處，將利用基板9上之複數個位置上之蝕刻量之最大值A、最小值B及平均值C以(((A-B)/2C)×100)所得之值設為表示均勻性之值(Etching Unif.，蝕刻均衡)。比較例之基板處理裝置中之蝕刻處理之均勻性為8%，與此相對，基板處理裝置1a中之蝕刻處理之均勻性為3%，從而可知藉由於將氣體之流入及流出阻斷之密閉空間160內，將藥液供給至基板9而使蝕刻處理之均勻性提昇。
於基板處理裝置1a中，一方面藉由外側排氣部194而將密閉空間160內之氣體排出，一方面藉由惰性氣體供給部186而對密閉空間160供給惰性氣體，使密閉空間160成為惰性氣體填充狀態。繼而，於惰性氣體填充狀態(即、低氧環境氣體)下進行藥液之處理。藉此，可防止顆粒附著於基板9，並且亦可使用可燃性之藥液等。
又，基板處理裝置1a具備：頂板123，其於藉由藥液供 給部183而對基板9供給藥液時向上表面91接近；及上部噴嘴181，其將來自藥液供給部183之藥液供給至頂板123與上表面91之間。藉此，可實現一方面使基板9之上表面91面向其與頂板123之間之狹窄之空間一方面對上表面91供給藥液。其結果，可進一步抑制藥液之汽化，從而可對基板9之上表面91進行更均勻之處理。又，由於頂板123之外周緣遍及整周地相較基板9之外周緣位於直徑方向外側，故而，基板9之上表面91之外周部整體被頂板123覆蓋。其結果，可抑制自基板9之外周緣飛散之處理液因腔室12之內壁等而彈起附著於基板9。進而，可藉由於頂板123已接近於基板9之狀態下進行處理，而削減以藥液覆蓋基板9之上表面91時所需之藥液量。
另外，根據惰性氣體供給部186至密閉空間160之配管、或密閉空間160至外側排氣部194之配管之設計，而存在如下情況：於由惰性氣體供給部186對密閉空間160之惰性氣體之供給、及外側排氣部194使密閉空間160內之氣體之排出剛停止後，亦於密閉空間160內片刻地產生氣體之流動。於如上所述之情形時，亦可如圖15中以較粗之虛線L1、L2所示，於時刻T2時對基板9之藥液之供給開始之前(例如1~3秒鐘前)，使由惰性氣體供給部186對密閉空間160之惰性氣體之供給、及外側排氣部194使密閉空間160內之氣體之排出停止。藉此，可於開始對基板9供給藥液時，更確實地進行氣體對於密閉空間160之流入及流出之阻斷。其結果，可對基板9之上表面91進行更均勻之處理。
於基板處理裝置1a中之較佳之動作例中，於圖14中之步驟S23中對基板9之藥液之供給結束後且步驟S24中對基板9之去離子水之供給開始前、即圖15中之時刻T3與時刻T4之間，如較粗之 虛線L3所示，藉由外側排氣部194而將密閉空間160內之氣體排出(步驟S23a)。藉此，可抑制於作為清洗液之去離子水中混入環境氣體中之藥液成分而對藥液處理之均勻性造成影響。於此情形時，於對基板9之藥液之供給時以外，始終藉由外側排氣部194或內側排氣部198而將腔室12之內部空間之氣體排出。
上述基板處理裝置1a可進行多種變形。圖10之基板處理裝置1a係於藥液之供給時，藉由腔室12及護罩部161而形成密閉空間160，且於去離子水之供給時，僅藉由腔室12而形成密閉空間120，但根據基板處理裝置之設計，亦可省略護罩部161，而於藥液之供給時及去離子水之供給時兩者，僅藉由腔室12形成密閉之內部空間。如上所述，形成密閉之內部空間之密閉空間形成部能夠以多種態樣實現。
作為密閉空間開關機構之腔室開關機構131並非必須使腔室蓋部122上下方向地移動，亦可藉由於腔室蓋部122被固定之狀態下，使腔室本體121上下方向地移動，而於打開狀態、半開狀態及密閉狀態之間切換腔室12之狀態。又，如上述所述地省略護罩部161之基板處理裝置亦可於作為密閉空間形成部之腔室之側部形成搬入搬出口。於此情形時，密閉空間開關機構藉由使封閉搬入搬出口之活動部相對於其他部位移動而開關腔室。如此般，基板處理裝置於基板9之搬入及搬出時，密閉空間開關機構藉由使作為密閉空間形成部之一部分之活動部相對於其他部位移動，而進行密閉空間形成部之開關。
基板保持部14並非必須分割成基板支撐部141與基板壓緊部142而設置。例如，亦可於支撐部底座413上設置分別具有朝向直徑方向外側凹陷之凹部之複數個保持結構，且將基板9之外緣部 插入至各保持結構之凹部，藉此，各保持結構自基板9之下側、側方及上側相接地保持基板9。
基板處理裝置可對基板9供給各種之藥液(例如SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)(硫酸．過氧化氫混合液))，進行上述處理例以外之各種處理。又，對基板9之藥液之供給結束後供給至基板9之上表面91之清洗液亦可為去離子水以外之液體。
基板處理裝置1a可實現藉由外側排氣部194及內側排氣部198而將密閉空間形成部之內部空間內之氣體排出之排氣部，但根據基板處理裝置之設計，亦可僅設置1個排氣部。
由基板處理裝置所處理之基板並不限定於半導體基板，亦可為玻璃基板或其他基板。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾，便可適當地進行組合。
詳細地描述說明了發明，但已敍述之說明係為例示性，而並非限定性。因此，可謂只要不脫離本發明之範圍便可實現數種變形或態樣。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板壓緊部
160‧‧‧內部空間
161‧‧‧護罩部
169‧‧‧外密封部
180‧‧‧氣體噴出噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
211‧‧‧下表面對向部
211a‧‧‧對向面
214‧‧‧腔室側壁部
222‧‧‧板保持部
224‧‧‧凸緣部
232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
239‧‧‧凸緣部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部底座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
613‧‧‧下表面部
615‧‧‧第1密封件
616‧‧‧第2密封件
1802‧‧‧噴出口
J1‧‧‧中心軸

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，且具備有：環狀支撐部，其為以朝向上下方向之中心軸為中心之環狀，且自下側將呈水平狀態之基板之外緣部加以支撐；下表面對向部，其在上述環狀支撐部之內側，具有與上述基板之下表面呈對向之對向面；旋轉機構，其使上述環狀支撐部以與上述基板一同之方式且以上述中心軸為中心並且相對於上述下表面對向部而以相對之方式旋轉；第1處理液供給部，其對上述基板之上表面供給第1處理液；第2處理液供給部，其從被設置於上述下表面對向部之處理液噴嘴，而對上述基板之上述下表面供給第2處理液；及至少1個氣體噴出噴嘴，其突出自上述對向面，且朝向上述基板之上述下表面噴出氣體；於上述第1處理液供給部將上述第1處理液供給於上述基板之上述上表面時，上述至少1個氣體噴出噴嘴係朝向上述基板之上述下表面噴出經加熱之氣體，上述至少1個氣體噴出噴嘴係包含朝向上述基板之上述外緣部噴出經加熱之氣體之氣體噴出噴嘴。
  2. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，且具備有：密閉空間形成部，其形成被密閉之內部空間；密閉空間開關機構，其使成為上述密閉空間形成部之一部分的活動部而相對於其他部位產生移動，而藉此加以開關上述密閉空間形成部； 基板保持部，其配置於上述密閉空間形成部內，且以水平狀態加以保持基板；藥液供給部，其對上述基板之上表面供給藥液；惰性氣體供給部，其對上述內部空間供給惰性氣體；排氣部，其將上述內部空間內之氣體加以排出；及控制部，其一方面藉由上述排氣部而將上述內部空間內之氣體加以排出，且一方面藉由上述惰性氣體供給部而對上述內部空間供給上述惰性氣體，使被密閉之上述內部空間成為惰性氣體填充狀態，且在上述惰性氣體填充狀態下藉由上述藥液供給部對上述基板供給上述藥液時，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其更具備有：頂板，其在上述基板之上方，以覆蓋上述基板之方式沿著上述上表面擴展，且在藉由上述藥液供給部對上述基板供給上述藥液時，向上述上表面靠近；及噴嘴，其將來自上述藥液供給部之上述藥液，供給至上述頂板與上述上表面之間。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述控制部係在開始對上述基板供給上述藥液之前，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。
  5. 如申請專利範圍第2至4項中任一項之基板處理裝置，其更具備有清洗液供給部，該清洗液供給部係在藉由上述藥液供給部對上述基板供給上述藥液之結束後，對上述基板之上述上表面 供給清洗液。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述控制部係在對上述基板供給上述藥液之結束後且在對上述基板供給上述清洗液之開始前，藉由上述排氣部將上述內部空間內之氣體加以排出。
  7. 一種基板處理方法，其為在基板處理裝置中對基板進行處理者，且上述基板處理裝置具備有：密閉空間形成部，其形成密閉之內部空間；密閉空間開關機構，其使成為上述密閉空間形成部之一部分的活動部而相對於其他部位產生移動，而藉此加以開關上述密閉空間形成部；基板保持部，其配置於上述密閉空間形成部內，且以水平狀態加以保持基板；藥液供給部，其對上述基板之上表面供給藥液；惰性氣體供給部，其對上述內部空間供給惰性氣體；及排氣部，其將上述內部空間內之氣體加以排出；上述基板處理方法具備有：a)步驟，其一方面藉由上述排氣部將上述內部空間內之氣體加以排出，且一方面藉由上述惰性氣體供給部對上述內部空間供給上述惰性氣體，使被密閉之上述內部空間成為惰性氣體填充狀態；及b)步驟，其在上述惰性氣體填充狀態下，藉由上述藥液供給部對上述基板供給上述藥液； 在上述b)步驟中對上述基板供給上述藥液時，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，在上述b)步驟中，於開始對上述基板供給上述藥液之前，停止對上述內部空間之上述惰性氣體之供給、及上述內部空間內之氣體之排出。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其更具備有c)步驟，而該c)步驟係在上述b)步驟之結束後，藉由清洗液供給部對上述基板之上述上表面供給清洗液。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟與上述c)步驟之間，更具備有藉由上述排氣部將上述內部空間內之氣體加以排出之步驟。
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