CN105849871B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置，腔室盖部以及杯部(161)位于第一位置的状态时，杯侧壁部(611)与受液侧壁部(253)在径向上重合，挡板部(166)被受液侧壁部(253)所支撑。腔室盖部以及杯部(161)向比第一位置更靠上方的第二位置移动时，挡板部(166)通过杯侧壁部(611)被悬挂而向上方移动。腔室盖部以及杯部(161)在第二位置的状态时，杯侧壁部(611)的下端位于比受液侧壁部(253)的上端更靠上方的位置，挡板部(166)将杯侧壁部(611)的下端与受液侧壁部(253)的上端之间的缝隙盖上。由此，即使来自旋转的基板上的处理液向杯侧壁部(611)的下方飞散，也能够抑制处理液在外侧壁部(164)上附着。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，用于处理基板。
背景技术
以往，在半导体基板(下面，简称“基板”。)的制造工序中，使用多 种基板处理装置对基板实施各种处理。例如，通过向表面上形成抗蚀剂图案 的基板上供给药液，对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，蚀刻处理完成后， 需要进行基板上抗蚀剂去除、基板清洗的处理。
例如，日本专利公开2001-110714号公报(文献1)的药液涂敷装置中， 晶片的外缘部的下方配置有筒状的遮盖部件。在晶片的上表面涂敷抗蚀液时， 遮盖部件上升，遮盖部件的上端接近晶片的下表面。遮盖部件的上端与晶片 的下表面之间的距离为几毫米。因此，抑制抗蚀剂飞沫飞向晶片下表面。
另外，日本专利公开2010-10555号公报(文献2)的基板处理装置中， 在保持基板的旋转台的周围设有接受从基板飞散的处理液的杯体。另外，旋 转台与杯体之间设有沿上下方向可移动的可动间隔体。可动间隔体向上侧移 动并位于旋转台的周围的状态下，从基板飞散的处理液由可动间隔体所接受。
基板处理装置中，根据处理情况不同，也有在密闭空间内处理的需求。 日本专利公开2011-216607号公报(文献3)的基板处理装置中，设有由腔 室本体与盖部件构成的密闭腔室。腔室本体与盖部件是不接触的，他们之间 设有液体密封结构。盖部件相对于腔室本体可进行旋转，通过盖部件的旋转， 能够使密闭空间的容积变小且稳定基板上的气流。
但是，在低氧气气氛下通过处理液进行基板处理的情况下，需要考虑在 基板处理装置内形成的密闭空间中收容基板，且使该密闭空间为非活性气体 等气氛，并向基板供给处理液。这种情况，从旋转的基板飞散的处理液被设 于形成密闭空间的密闭空间形成部件的内侧的杯部所接受。另一方面，未被 杯部所接受的处理液在位于杯部的周围的密闭空间形成部件的外侧壁部上附 着。附着在外侧壁部的处理液，可能在经过干燥后产生颗粒物、也可能会发 生从外侧壁部的下端向密闭空间的外部泄漏现象。
另外，文献3的装置中，盖部件与腔室本体之间的界线从基板侧为可见 状态。因此，可能导致这个界线处处理液进入，凝固的处理液会成为颗粒物 的起因。另外，若要将腔室的高度抑制在较低的水平，盖部件与腔室本体的 界线的位置也降低，导致界线更容易被处理液所淋浇。而且，文献3的装置 中因处理液全部在腔室内以同样的方式流落，使用后的处理液不适宜回收。
发明内容
本发明提供一种基板处理装置，其目的在于，抑制处理液在外侧壁部上 附着。本发明的另外一个目的在于，实现腔室更小、并抑制颗粒物的产生以 及处理液的回收。
根据本发明的基板处理装置，其特征在于，具有：空间形成部本体，其 具有筒状的本体侧壁部；空间形成盖部，其具有位于所述本体侧壁部的径向 内侧的筒状的盖侧壁部，将所述空间形成部本体的上方盖上；空间形成部移 动机构，其使所述空间形成盖部在第一位置与比所述第一位置靠上方的第二 位置之间，相对于所述空间形成部本体沿上下方向相对移动；外侧壁部，其 位于所述本体侧壁部的径向外侧，上端部与所述空间形成盖部连接，下端部 与所述空间形成部本体连接，并跟随通过所述空间形成部移动机构的相对移动而变形；筒状的挡板部，其配置于所述盖侧壁部与所述本体侧壁部之间； 基板支撑部，配置于所述空间形成部本体内，以水平状态保持基板；
基板旋转机构，使所述基板与所述基板支撑部一同旋转；处理液供给部， 其向所述基板上供给处理液，所述空间形成盖部位于所述第一位置的状态下， 所述盖侧壁部与所述本体侧壁部在径向上重合，所述挡板部被所述本体侧壁 部所支撑；所述空间形成盖部从所述第一位置向所述第二位置移动时，所述 挡板部伴随所述空间形成盖部的移动而向上方移动；所述空间形成盖部位于 所述第二位置的状态下，所述盖侧壁部的下端位于比所述本体侧壁部的上端 靠上方的位置，所述挡板部将所述盖侧壁部的所述下端与所述本体侧壁部的 所述上端之间的缝隙盖上。根据该基板处理装置，能够抑制处理液在外侧壁 部上附着。
本发明的一个优选实施方式中，其特征在于，所述空间形成盖部从所述 第一位置向所述第二位置移动时，所述挡板部通过所述盖侧壁部被悬挂而向 上方移动。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述外侧壁部是分别为 圆周形的多个峰折线与分别为圆周形的多个谷折线沿所述上下方向交替排列 的波纹管。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述空间形成盖部位于 所述第二位置的状态下，所述挡板部的下端部与所述本体侧壁部的上端部在 径向上重合。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述空间形成盖部具有 位于所述盖侧壁部的径向内侧的筒状的内侧盖侧壁部；所述空间形成盖部位 于所述第一位置的状态下，所述内侧盖侧壁部通过与所述空间形成部本体接 触，内部形成密闭空间；所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所 述内侧盖侧壁部从所述空间形成部本体分离，并在所述内侧盖侧壁部与所述 空间形成部本体之间形成环状开口，所述盖侧壁部通过所述环状开口接受从 所述基板飞散的处理液。
更优选地，其特征在于，所述处理液供给部具有喷嘴，其安装于所述内 侧盖侧壁部与所述盖侧壁部之间的所述空间形成盖部上，通过所述环状开口 向所述基板的上方移动并向所述基板上供给处理液。
本发明的另一个优选实施方式中，基板处理装置，其特征在于，具有： 腔室体，其具有腔室本体以及腔室盖部，所述腔室盖部接近所述腔室本体的 上部开口或接触所述上部开口的腔室关闭状态下，形成腔室空间；腔室开关 机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室本体沿上下方向相对移动；基板保 持部，其在所述腔室关闭状态下，位于所述腔室空间中，以水平状态保持基 板；基板旋转机构，其以朝向上下方向的中心轴为中心使所述基板与所述基 板保持部一同旋转；处理液喷出部，其向所述基板上供给处理液；杯部，其 位于所述腔室体的外侧的整个全周上，在所述腔室体的外周上形成侧面空间， 所述腔室盖部通过从所述腔室本体分离而在所述基板的周围形成环状开口， 由此接受从旋转的所述基板飞散的处理液，所述腔室盖部的下部包含向整个 全周下方突出的下方突出部；在所述腔室关闭状态下，所述下方突出部的下 端位于比被所述基板保持部所保持的基板更靠下的位置，且所述下方突出部 将所述腔室盖部与所述腔室本体之间的间隙或界线的径向内侧覆盖；在形成 所述环状开口的状态下，通过所述杯部与所述腔室盖部接触，形成包含所述腔室本体、所述腔室盖部以及所述杯部的部位的一个放大密闭空间。根据该 基板处理装置，能够使腔室更小、抑制颗粒物的产生以及处理液的回收。
本发明的一个优选实施方式中，其特征在于，所述腔室盖部包含朝向所 述下方突出部的上侧及径向外侧凹陷的环状凹部；
在所述腔室关闭状态下，所述环状凹部位于被所述基板保持部所保持的 基板的侧面。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述腔室本体包含在所 述下方突出部的径向外侧上在整个全周向上方突出的上方突出部，
所述上方突出部的上端向上方呈尖形。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，还具有：第一排放通道， 其使所述杯部内的气体排出；第二排放通道，其使所述腔室体内的气体排出， 在所述腔室关闭状态下，所述腔室本体与所述腔室盖部非接触地接近，在给 旋转的基板上供给处理液时，从所述第一排放通道的排气被停止。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述腔室本体包含在所 述下方突出部的径向外侧上向上方突出的上方突出部，所述腔室关闭状态下， 所述上方突出部的上端与所述腔室盖部接触，所述上方突出部的上部或所述 腔室盖部的与所述上方突出部的上端接触的部位包含弹性密封部件。
本发明的另一个优选实施方式中，其特征在于，所述杯部还具备杯部移 动机构，其沿上下方向移动；
所述腔室本体的位置被固定，基板向所述腔室本体与所述腔室盖部之间 移入时的所述杯部的位置比形成所述放大密闭空间的状态下所述杯部的位置 更低。
下面将参照附图，通过对本发明的详细说明，以更加明确本发明的目的 及其他目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是表示波纹管附近的放大剖视图。
图3是表示气液供给部以及气液排放部的模块图。
图4是表示基板处理装置中处理流程图。
图5是表示基板处理装置的剖视图。
图6是表示波纹管附近的放大剖视图。
图7是表示基板处理装置的局部平面图。
图8是表示基板处理装置的剖视图。
图9是表示基板处理装置的剖视图。
图10是表示第二实施方式的基板处理装置的剖视图。
图11是表示打开状态的基板处理装置的剖视图。
图12是表示第一关闭状态的基板处理装置的剖视图。
图13是表示第二关闭状态的基板处理装置的剖视图。
图14是表示基板处理装置的局部剖视图。
图15是表示基板处理装置的局部的另一例剖视图。
图16是表示基板处理装置的局部的又另一例剖视图。
图17是表示基板处理装置的局部的又另一例剖视图。
具体实施方式
图1是表示本发明第一实施方式的基板处理装置1的剖视图。基板处理 装置1是在大致圆板状的半导体基板9(以下简称为“基板9”。)上供给处 理液，对基板9一张一张进行处理的单张式处理装置。图1中，基板处理装 置1的局部结构的剖视中，省略绘制剖面线(在其他剖视图中也同样省略)。
基板处理装置1具备腔室体12、上板部123、腔室开关机构131、基板 保持部14、基板旋转机构15、受液部16、外侧壁部164、挡板部166、外盖 17。外盖17将腔室体12的上方以及侧面覆盖。
腔室体12具备腔室本体121、腔室盖部122。腔室体12是以沿上下方向 的中心轴J1为中心的大致圆筒状。腔室本体121具备腔室底部210、腔室侧 壁部214、杯对面部218。腔室底部210具备大致圆板状的底中央部211、从 底中央部211的外缘部向下方扩展的大致圆筒状的底内侧壁部212、从底内 侧壁部212的下端沿径向外侧扩展的大致圆环板状的环状底部213、从环状 底部213的外缘部向上扩展的大致圆筒状的底外侧壁部215、从底外侧壁部215的上端部沿径向外侧扩展的大致圆环板状的基部216。
腔室侧壁部214是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。腔室侧壁部214从 基部216的内缘部向上方突出。杯对面部218是以中心轴J1为中心的大致圆 环状。杯对面部218从腔室侧壁部214的下端部沿径向外侧扩展。如图1所 示例中，腔室侧壁部214与杯对面部218由一个部件形成。在下面的说明中， 将由腔室侧壁部214、底外侧壁部215、环状底部213、底内侧壁部212、底 中央部211的外缘部所包围的空间称为下部环状空间217。
基板9由基板保持部14的基板支撑部141(后述)所支撑时，基板9的 下表面92与腔室底部210的底中央部211的上表面相向设置。在下面的说明 中，将腔室底部210的底中央部211称为“下面相向部211”，将底中央部 211的上表面219称为“相向面219”。下面相向部211的相向面219具有防 水性。相向面219可由例如特氟龙(注册商标)等氟系树脂形成。相向面219 是随着沿径向远离中心轴J1而向下方倾斜的倾斜面，是以中心轴J1为中心 的大致圆锥面的一部分。
腔室盖部122是与中心轴J1垂直的有盖大致圆筒状，包含腔室体12的 上部。腔室盖部122具备大致圆板状的顶盖部227、从顶盖部227的外缘部 向下扩展的大致圆筒状的盖下筒部228。腔室盖部122将腔室本体121的上 部的开口封闭。图1中，腔室盖部122为从腔室本体121脱离的状态。当腔 室盖部122将腔室本体121的上部开口封闭时，盖下筒部228的下端部与腔 室侧壁部214上部接触。
腔室开关机构131使腔室体12的可移动部即腔室盖部122相对腔室体 12的腔室盖部122之外的其他部位即腔室本体121沿上下方向移动。即、腔 室开关机构131是将腔室盖部122进行升降的盖部升降机构。当腔室盖部122 依靠腔室开关机构131沿上下方向移动时，上板部123也与腔室盖部122共 同沿上下方向移动。腔室盖部122的盖下筒部228与腔室本体121的腔室侧 壁部214接触则上部开口封闭，进而，如后述图9所示，通过腔室盖部122向腔室本体121推压，在腔室体12内部形成密闭空间即腔室空间120。
如图1所示的基板保持部14配置于腔室盖部122、腔室本体121之间的 空间即腔室空间120内，并将基板9保持在水平状态。即、基板9以上表面 91与中心轴J1垂直并面朝上的状态被基板保持部14所保持。基板保持部14 具备基板支撑部141、基板压紧部142。基板支撑部141配置于腔室本体121 内，将水平状态的基板9的外缘部(即、包含外周缘的外周缘附近的部位) 从下方支撑。基板压紧部142从上方压紧被基板支撑部141所支撑的基板9 的外缘部。图1所示状态下，基板压紧部142未被使用。
基板支撑部141是以中心轴J1为中心的大致圆环状的构件。基板支撑部 141的径向内侧，配置有上述下面相向部211。基板支撑部141具备以中心轴 J1为中心的大致圆环板状的支撑部底座413、被固定在支撑部底座413的上 表面上的多个第一接触部411。基板压紧部142具有被固定在上板部123的 下表面上的多个第二接触部421。实际上，多个第二接触部421沿圆周方向 的位置与多个第一接触部411沿圆周方向的位置是不同的。
上板部123是与中心轴J1垂直的大致圆板状。上板部123配置于腔室盖 部122的下方，且在基板支撑部141的上方。上板部123的中央设有开口。 基板9被基板支撑部141所支撑时，基板9的上表面91和与中心轴J1垂直 的上板部123的下表面是相向设置的。上板部123的直径比基板9的直径大， 上板部123的外周缘的位置要比基板9的外周缘整个全周更靠向径向外侧。
在图1所示状态下，上板部123通过腔室盖部122被悬挂而支撑。腔室 盖部122的中央部具有大致环状的板保持部222。板保持部222具备以中心 轴J1为中心的大致圆筒状的筒部223、以中心轴J1为中心的大致圆板状的凸 缘部224。凸缘部224从筒部223的下端沿径向朝内侧扩展。
上板部123具备环状的被保持部237。被保持部237具备以中心轴J1为 中心的大致圆筒状的筒部238、以中心轴J1为中心的大致圆板状的凸缘部 239。筒部238从上板部123的上表面向上方扩展。凸缘部239从筒部238 的上端沿径向朝外侧扩展。筒部238位于板保持部222的筒部223的径向内 侧。凸缘部239位于板保持部222的凸缘部224的上方，与凸缘部224沿上 下方向相向设置。被保持部237的凸缘部239的下表面是通过与板保持部222 的凸缘部224的上表面接触的方式、且上板部123以被腔室盖部122悬挂的 方式安装在腔室盖部122上。
上板部123的外缘部的下表面上沿圆周方向排列有多个第一结合部241， 支撑部底座413的上表面上沿圆周方向排列有多个第二结合部242。而实际 上，第一结合部241以及第二结合部242与基板支撑部141的多个第一接触 部411以及基板压紧部142的多个第二接触部421是沿圆周方向被配置于不 同的位置上。这些结合部优选设置3组以上，在本实施方式中被设置为4组。 第一结合部241的下部设有向上方凹陷的凹部。第二结合部242是从支撑部 底座413向上方突出。
如图1所示的基板旋转机构15即所谓中空电机。基板旋转机构15具备 以中心轴J1为中心的环状的定子部151、环状的转子部152。转子部152包 含大致圆环状的永久磁铁。永久磁铁的表面是以PTFE树脂注塑成型的。转 子部152配置于腔室体12的腔室空间120中的下部环状空间217内。转子部 152的上部通过连接部件安装有基板支撑部141的支撑部底座413。支撑部底 座413配置于转子部152的上方。
定子部151在腔室体12的外侧，被配置于转子部152的周围。换言之， 定子部151在腔室空间120的外侧上，被配置于转子部152的径向外侧。在 本实施方式中，定子部151被固定于腔室底部210的底外侧壁部215以及基 部216上，位于受液部16的下方。定子部151上包含以中心轴J1为中心的 沿圆周方向排列的多个线圈。
通过向定子部151供给电流，定子部151与转子部152之间产生以中心 轴J1为中心的旋转力。由此，转子部152以中心轴J1为中心以水平状态旋 转。通过定子部151与转子部152之间的工作磁力，在腔室体12内转子部 152不会直接也不会间接地与腔室体12接触，而是悬浮，且以中心轴J1为 中心，使基板9与基板保持部14的基板支撑部141一同以悬浮状态旋转。
受液部16具备杯部161、杯部移动机构162。杯部161是以中心轴J1为 中心的环状，位于腔室体12沿径向外侧的整个全周上。杯部移动机构162 可使杯部161沿上下方向移动。换言之，杯部移动机构162可使杯部161相 对腔室本体121沿上下方向相对移动。杯部移动机构162配置于杯部161的 径向外侧。杯部移动机构162与上述腔室开关机构131在圆周方向上被配置 于不同的位置上。
杯部161具备杯侧壁部611、杯上面部612。杯侧壁部611是以中心轴 J1为中心的大致圆筒状。杯上面部612是以中心轴J1为中心的大致圆环板状， 并从杯侧壁部611的上端部沿径向内侧以及径向外侧扩展。杯侧壁部611的 剖视形状在后述收容扫描式喷嘴188的部位(图1中右侧的部位)、和其他 部位(图1中的左侧的部位)是不同的。杯侧壁部611在图1中的右侧的部 位比在图1中的左侧的部位沿径向的厚度稍薄。
挡板部166是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。挡板部166位于杯侧壁 部611的径向外侧。挡板部166依靠杯侧壁部611而被悬挂。杯部161以及 挡板部166位于杯对面部218的上方，与杯对面部218沿上下方向相向设置。
外侧壁部164是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，能够沿上下方向伸缩。 如图1所示例中，外侧壁部164是分别为圆周形的多个峰折线和分别为圆周 形的多个谷折线沿上下方向交替排列的波纹管。在下面的说明中，将外侧壁 部164称为波纹管164。波纹管164位于腔室侧壁部214、杯对面部218、杯 侧壁部611以及挡板部166的径向外侧，并设置于腔室侧壁部214、杯对面 部218、杯侧壁部611以及挡板部166的周围整个全周上。波纹管164是由气体或液体无法通过的材料形成。
波纹管164的上端部与杯部161的杯上面部612的外缘部下表面的整个 全周连接。换言之，波纹管164的上端部通过杯上面部612间接地与杯侧壁 部611连接。波纹管164与杯上面部612的连接部是被密封的，以防止气体 通过。波纹管164的下端部与杯对面部218的外缘部整个全周连接。换言之， 波纹管164的下端通过杯对面部218间接地与腔室本体121连接。波纹管164 的下端部与杯对面部218的连接部也防止气体通过。波纹管164通过杯部移 动机构162，跟随杯部161的移动(即、相对于杯部161的杯对面部218以 及腔室本体121的相对移动)而变形，沿上下方向的高度变化。
图2是表示将波纹管164以及其附近放大的局部剖视图。如图2所示， 杯对面部218具备倾斜底部251、受液侧壁部253、波纹管固定部254。倾斜 底部251是以中心轴J1(参照图1)为中心的大致圆环板状，从腔室侧壁部 214沿径向外侧扩展。倾斜底部251的上表面是向沿着径向外侧向下方向的 倾斜面。受液侧壁部253是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，被配置于倾斜 底部251的圆周方向外侧。受液侧壁部253的上端位于例如倾斜底部251的 上表面的外缘以及比内缘靠上方的位置。
倾斜底部251与受液侧壁部253之间设有以中心轴J1为中心的大致圆环 状的受液凹部252。受液凹部252的底面位于比倾斜底部251的上表面的外 缘靠下方的位置。波纹管固定部254是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。波 纹管固定部254位于受液侧壁部253的径向外侧。波纹管164的下端部固定 于波纹管固定部254的上端部上。
杯侧壁部611以及挡板部166位于受液凹部252的上方，换言之，杯侧 壁部611以及挡板部166与受液凹部252在上下方向相向设置。杯侧壁部611 以及挡板部166位于受液侧壁部253的径向内侧。杯侧壁部611位于挡板部 166的径向内侧。即、挡板部166在径向上配置于受液侧壁部253与杯侧壁 部611之间。
如图2所示状态下，从挡板部166的上端部向径向内侧以及径向外侧扩 展的凸缘部661被从杯侧壁部611的下端部向径向外侧扩展的凸缘部613所 支撑，挡板部166通过杯侧壁部611而被悬挂。杯侧壁部611的下端位于比 受液侧壁部253的上端靠上方的位置。挡板部166比杯侧壁部611的下端更 向下方扩展。挡板部166将杯侧壁部611的下端与受液侧壁部253的上端之 间的缝隙盖上。由此，防止波纹管164与比杯侧壁部611、挡板部166以及受液侧壁部253更径向内侧的空间在径向上直接相向。挡板部166的下端最 好位于比受液侧壁部253的上端更靠下侧的位置。换言之，挡板部166的下 端部最好与受液侧壁部253的上端部在径向上重合。
如图1所示，杯部161的杯上面部612安装有扫描式喷嘴188。换言之， 扫描式喷嘴188在盖下筒部228与杯侧壁部611之间安装于杯部161上。扫 描式喷嘴188具备喷出处理液的喷出喷头881、喷头支撑部882。喷头支撑部 882是沿大致水平方向延伸的棒形构件。喷头支撑部882的一侧的端部即固 定端部安装于杯部161的杯上面部612的下面。喷头支撑部882另一侧的端 部即自由端部上固定有喷出喷头881。
杯部161的上部设有喷头移动机构189。喷头移动机构189位于喷头支 撑部882的固定端部的上方，并被固定于杯部161的杯上面部612的上面。 喷头移动机构189具备喷头旋转机构891、喷头升降机构892。喷头旋转机构 891贯通杯上面部612与喷头支撑部882的固定端部连接，并以固定端部为 中心使喷头支撑部882与喷出喷头881一同在大致水平方向上旋转。因喷头 旋转机构891而形成的杯部161的贯通部被密封，以防止气体或液体的通过。 喷头升降机构892通过将喷头支撑部882的固定端部沿上下方向移动，从而 使喷头支撑部882以及喷出喷头881进行升降。喷头移动机构189通过杯部 移动机构162与杯部161一同沿上下方向移动。
腔室盖部122的中央部上固定有以中心轴J1为中心的大致圆筒状的上部 喷嘴181。上部喷嘴181能够插入上板部123的中央部的开口。上部喷嘴181 下端中央处设有液体喷出口，其周围设有气体喷出口。腔室底部210的下面 相向部211的中央部安装有以中心轴J1为中心的大致圆筒状的下部喷嘴182。 下部喷嘴182上端中央处设有液体喷出口。
图3是表示备有基板处理装置1的气液供给部18以及气液排放部19的 模块图。气液供给部18除了上述的扫描式喷嘴188、上部喷嘴181以及下部 喷嘴182以外，还具备药液供给部813、纯水供给部814、IPA供给部815、 非活性气体供给部816。药液供给部813通过阀与扫描式喷嘴188连接。纯 水供给部814以及IPA供给部815分别通过阀与上部喷嘴181连接。下部喷 嘴182通过阀与纯水供给部814连接。上部喷嘴181通过阀还与非活性气体 供给部816连接。上部喷嘴181是向腔室体12的内部供给气体的气体供给部 的一部分。
与受液凹部252连接的第一排放通道191与气液分离部193连接。气液 分离部193分别通过阀与外侧排气部194、药液回收部195以及排液部196 连接。被连接在腔室底部210的第二排放通道192与气液分离部197连接。 气液分离部197分别通过阀与内侧排气部198以及排液部199连接。气液供 给部18以及气液排放部19的各构成部件通过控制部10进行控制。腔室开关 机构131、基板旋转机构15、杯部移动机构162以及喷头移动机构189(参 照图1)也通过控制部10进行控制。
药液供给部813通过扫描式喷嘴188向基板9上供给的药液可以是例如 聚合物去除液、或氟酸或氢氧化四甲基铵水溶液等腐蚀性液体。纯水供给部 814通过上部喷嘴181以及下部喷嘴182向基板9供给纯水(DIW：deionized water)。IPA供给部815通过上部喷嘴181向基板9供给异丙醇(IPA)。
上述药液、纯水以及IPA统称为处理液，药液供给部813、纯水供给部 814、IPA供给部815、上部喷嘴181以及扫描式喷嘴188包含于向基板9的 上表面91供给处理液的处理液供给部中。在基板处理装置1中，供给上述药 液、纯水以及IPA之外的处理液的其他供给部也可以包含于该处理液供给部 中。从纯水供给部814向下部喷嘴182供给的纯水在基板9的下表面92的中 央部用于供给清洗下表面92的清洗液。纯水供给部814以及下部喷嘴182 包含于用于供给清洗液的清洗液供给部中。
非活性气体供给部816通过上部喷嘴181向腔室体12内供给非活性气 体。从非活性气体供给部816供给的气体，例如，氮气(N2)。该气体也可 以是氮气之外的其他气体。
图4表示基板处理装置1中处理基板9的一例流程示意图。如图5所示， 基板处理装置1中，在腔室盖部122位于与腔室本体121分离的上方、杯部 161位于与腔室盖部122分离的下方的状态下，使基板9通过外部传送机构 移入腔室体12内，并通过基板支撑部141从下侧支撑(步骤S11)。下面， 将如图5所示腔室体12以及杯部161的状态称为“打开状态”。腔室盖部 122的盖下筒部228位于与腔室本体121分离的上方，盖下筒部228与腔室 侧壁部214之间形成的开口是以中心轴J1为中心的环状，下面，称为“环状 开口81”。在基板处理装置1中，腔室盖部122通过与腔室本体121分离， 在基板9的周围(即、径向外侧)形成环状开口81。步骤S11中，基板9通 过环状开口81移入。
基板9被移入时，杯部161与杯对面部218之间形成的空间160里预先 收容扫描式喷嘴188。空间160是将腔室体12的外周整个全周包围的大致圆 环状的空间。在下面的说明中，将空间160称为“侧面空间160”。在侧面 空间160中，杯侧壁部611的下部、以及挡板部166的下部位于杯对面部218 的受液凹部252内。
图6表示将图5中的波纹管164以及其附近放大的局部剖视图。在图6 所示状态下，杯侧壁部611、挡板部166、受液侧壁部253在径向上重合。挡 板部166的上端部的凸缘部661与受液侧壁部253的上端接触。由此，挡板 部166被受液侧壁部253所支撑。
图7是基板处理装置1的平面图。图7中，为更容易理解上述的侧面空 间160上的扫描式喷嘴188是收容状态，省略腔室盖部122、杯部161等的 图示。另外，波纹管164上赋予剖面线。如图7所示，扫描式喷嘴188的喷 头支撑部882在平面视图中是向径向外侧凸出的方式弯曲设置的。换言之， 扫描式喷嘴188为大致圆弧状。在侧面空间160中，扫描式喷嘴188的喷头 支撑部882是以沿着波纹管164以及杯部161的杯侧壁部611(参照图5)配 置的。
扫描式喷嘴188被收容时，杯部161位于如图1所示位置的状态下，扫 描式喷嘴188通过喷头旋转机构891而被旋转，并通过环状开口81向腔室体 12的外侧移动。由此，扫描式喷嘴188被收容在杯部161与杯对面部218之 间的侧面空间160中。然后，通过杯部移动机构162，杯部161下降至如图5 所示的位置。伴随杯部161的下降，侧面空间160变小。
基板9被移入时，杯部161从如图5所示的位置上升至如图8所示的位 置，并位于环状开口81的径向外侧的整个全周上。下面的说明中，将如图8 所示腔室体12以及杯部161的状态称为“第一密闭状态”(也与图1的状态 相同)。另外，将如图8所示杯部161的位置称为“受液位置”，将如图5 所示杯部161的位置称为“回避位置”。杯部移动机构162使杯部161在环 状开口81的径向外侧的受液位置与比受液位置靠下方的回避位置之间沿上 下方向移动。
位于受液位置的杯部161中，杯侧壁部611和位于杯侧壁部611的径向 内侧的盖下筒部228与腔室侧壁部214之间形成的环状开口81在径向上相向 设置。另外，位于受液位置的杯部161中，杯上面部612的内缘部的上表面 与腔室盖部122的外缘部下端(即、盖下筒部228的下端)的唇型密封件232 的整个全周接触。腔室盖部122与杯部161的杯上面部612之间，形成有防 止气体或液体通过的密封部。由此，形成由腔室盖部122、杯部161、波纹管164以及腔室本体121所包围的密闭空间(下面，称为“放大密闭空间100”。)。 放大密闭空间100是由腔室盖部122与腔室本体121之间的腔室空间120、 被杯部161与波纹管164以及杯对面部218所包围的侧面空间160，通过环 状开口81而以连通的方式形成的一个空间。
杯部161从如图5所示回避位置向如图8所示受液位置上升时，杯侧壁 部611从图6所示位置上升至规定位置的过程中，挡板部166以被受液侧壁 部253支撑的状态保持静止。杯侧壁部611上升至该规定位置时，挡板部166 的上端部的凸缘部661与杯侧壁部611的下端的凸缘部613接触。而后，通 过杯侧壁部611更加上升，挡板部166通过杯侧壁部611被悬挂而与杯侧壁 部611一同上升至如图2所示位置。由此，挡板部166将杯侧壁部611的下 端与受液侧壁部253的上端之间的缝隙盖上。再者，只要挡板部166能伴随 杯部161向上方的移动而向上方移动，未必一定需要被杯侧壁部611悬挂下 移动。
接着，如图8所示，通过基板旋转机构15，基板9以一定的转速(即、 较低转速，下面称为“稳态转速”。)开始旋转。进而，从非活性气体供给 部816(参照图3)开始向放大密闭空间100供给非活性气体(此处为氮气) 的同时，通过外侧排气部194(参照图3)，开始将放大密闭空间100内的气 体排出。由此，经过规定时间后，放大密闭空间100为被非活性气体填充的 非活性气体填充状态(即、氧气浓度低的低氧气氛)。再者，向放大密闭空 间100供给非活性气体、以及，放大密闭空间100内的气体排出也可以从如 图5所示的打开状态下开始进行。
接着，通过控制部10(参照图3)的控制，在侧面空间160中，向杯部 161上安装的扫描式喷嘴188供给来自药液供给部813的规定量的药液。由 此，扫描式喷嘴188在被侧面空间160收容的状态(即、扫描式喷嘴188整 体位于侧面空间160内的状态)下，进行来自喷出喷头881的预涂敷处理。 来自喷出喷头881的预涂敷处理过的药液被受液凹部252所接受。
预涂敷处理结束后，通过放大密闭空间100的外侧配置的喷头旋转机构 891，使喷头支撑部882旋转，如图1所示，扫描式喷嘴188的喷出喷头881 通过环状开口81向基板9的上方移动。进而，喷头旋转机构891被控制部 10所控制，基板9的上方的喷出喷头881开始往复移动。喷出喷头881沿连 接基板9的中心部和外缘部的规定的移动线路在水平方向上持续地往复移 动。
而后，从药液供给部813向喷出喷头881供给药液，从沿水平方向摆动 的喷出喷头881向基板9的上表面91供给药液(步骤S12)。来自喷出喷头 881的药液持续向旋转的基板9的上表面91供给。药液因基板9的旋转而向 基板9的外周围扩散，上表面91整体被药液所覆盖。通过从沿水平方向摆动 的喷出喷头881向旋转中的基板9供给药液，能够向基板9的上表面91完全 均匀地供给药液。另外，还能够提高基板9上的药液温度的均匀性。其结果， 能够提高对于基板9的药液处理的均匀性。
在放大密闭空间100中，从旋转的基板9的上表面91飞散的药液通过环 状开口81被杯部161的杯侧壁部611所接受，导流到受液凹部252。导流到 受液凹部252的药液如图3所示，通过第一排放通道191流入气液分离部193。 在药液回收部195中，从气液分离部193回收药液，通过过滤器等将药液中 杂质等去除后，循环利用。
从药液开始供给，经过规定时间(例如，60～120秒)后，来自扫描式喷 嘴188的药液的供给便被停止。接着，通过基板旋转机构15，只在规定时间 (例如，1～3秒)内基板9的转速比稳态转速高，以从基板9上去除药液。 另外，如图8所示，扫描式喷嘴188通过喷头旋转机构891旋转，从腔室空 间120通过环状开口81向侧面空间160移动。
扫描式喷嘴188向侧面空间160移动时，腔室盖部122以及杯部161同 时向下方移动。而后，如图9所示，腔室盖部122的外缘部下端(即、盖下 筒部228的下端)的唇型密封件231通过与腔室侧壁部214的上部接触，环 状开口81被关闭，腔室空间120在与侧面空间160隔绝的状态下被密闭。杯 部161与图5所示相同，位于回避位置。随之，与图6相同，杯侧壁部611、 挡板部166、受液侧壁部253在径向上重合。另外，挡板部166被受液侧壁 部253所支撑。
在下面的说明中，图9所示腔室体12以及杯部161的状态称为“第二密 闭状态”。在第二密闭状态下，基板9与腔室体12的内壁直接相向设置，他 们之间不存在其他受液部。另外，扫描式喷嘴188从腔室空间120隔离，被 收容于侧面空间160内。
在第二密闭状态下，基板压紧部142的多个第二接触部421与基板9的 外缘部接触。上板部123的下表面以及基板支撑部141的支撑部底座413上， 沿上下方向相向设置多对磁铁(未图示)。下面，将各对磁铁称为“磁铁对”。 在基板处理装置1中，多个磁铁对在圆周方向上与第一接触部411、第二接 触部421、第一结合部241以及第二结合部242不同的位置以等角度间隔配 置。在基板压紧部142接触基板9的状态下，通过磁铁对之间的工作磁力(引 力)，向下的力作用在上板部123上。由此，基板压紧部142向基板支撑部 141推压基板9。
在基板处理装置1中，基板压紧部142通过上板部123的自重、以及磁 铁对的磁力使基板9向基板支撑部141推压，从而能够使基板9在基板压紧 部142与基板支撑部141之间从上下夹持并坚固地保持住。
在第二密闭状态下，被保持部237的凸缘部239与板保持部222的凸缘 部224的上方分离，板保持部222与被保持部237之间不接触。换言之，通 过板保持部222，上板部123的保持被解除。因此，上板部123从腔室盖部 122中独立，并与基板保持部14、以及被基板保持部14所保持的基板9一同 跟随基板旋转机构15旋转。
另外，在第二密闭状态下，第二结合部242嵌入第一结合部241的下部 的凹部。由此，上板部123在以中心轴J1为中心的圆周方向上与基板支撑部 141的支撑部底座413结合。换言之，第一结合部241以及第二结合部242 是限制上板部123的相对于基板支撑部141在旋转方向上的相对位置(即、 在圆周方向中，使上板部123固定在基板支撑部141上)的位置限制部件。 腔室盖部122下降时，以第一结合部241与第二结合部242的嵌合的方式， 通过基板旋转机构15控制支撑部底座413的旋转位置。
腔室空间120以及侧面空间160分别独立并密闭后，通过外侧排气部194 (参照图3)的气体的排出被停止的同时，通过内侧排气部198的腔室空间 120内的气体开始被排出。而后，通过纯水供给部814开始向基板9供给纯 水(步骤S13)。
来自纯水供给部814的纯水从上部喷嘴181以及下部喷嘴182喷出，连 续向基板9的上表面91以及下表面92的中央部供给。纯水通过基板9的旋 转向上表面91以及下表面92的外周部扩散，并从基板9的外周缘向径向外 侧飞散。从基板9飞散的纯水被腔室体12内壁(即、盖下筒部228的内壁以 及腔室侧壁部214内壁)所接受，如图3所示，通过第二排放通道192、气 液分离部197以及排液部199被废弃(在后述的基板9的干燥处理中也相同)。 由此，在基板9的上表面91的冲洗处理以及下表面92的清洗处理的同时， 实际上也进行了腔室体12内的清洗。
从纯水的供给开始经过规定时间后，来自纯水供给部814(参照图3)的 纯水供给被停止。而后，腔室空间120内，使基板9的转速充分高于稳态转 速。由此，纯水从基板9上被去除，进行基板9的干燥处理(步骤S14)。 从基板9开始干燥经过规定时间后，基板9的旋转停止。基板9的干燥处理 也可以通过内侧排气部198使腔室空间120减压，在比大气压低的减压气氛 中进行。
此后，腔室盖部122与上板部123上升，如图5所示，腔室体12变为打 开状态。步骤S14中，由于上板部123与基板支撑部141一同旋转，上板部 123的下表面上几乎无残留液体，因此在腔室盖部122上升时，防止液体从 上板部123掉落到基板9上。基板9通过外部的传送机构从腔室体12移出(步 骤S15)。再者，通过纯水供给部814供给纯水后，在基板9干燥前，也可 以从IPA供给部815向基板9上供给IPA，在基板9上以IPA替换纯水。
基板处理装置1中，腔室盖部122以及杯部161是放大密闭空间100的 盖部，即“空间形成盖部”。另外，腔室本体121通过空间形成盖部将上方 覆盖，即“空间形成部本体”。受液侧壁部253位于空间形成部本体的外周 部即“本体侧壁部”。杯侧壁部611位于空间形成盖部的外周部即“盖侧壁 部”，并位于本体侧壁部的径向内侧。盖下筒部228位于空间形成盖部中盖 侧壁部的径向内侧即“内侧盖侧壁部”。
如图9所示空间形成盖部(即、腔室盖部122以及杯部161)的位置称 为“第一位置”，如图1所示空间形成盖部的位置称为“第二位置”，腔室 开关机构131以及杯部移动机构162位于第一位置与比第一位置更靠上方的 第二位置之间，即对于空间形成部本体，将空间形成盖部沿上下方向相对移 动的空间形成部移动机构。
如上所述，在基板处理装置1中，空间形成盖部位于第一位置的状态下， 盖侧壁部即杯侧壁部611与本体侧壁部即受液侧壁部253在径向上重合，挡 板部166被本体侧壁部所支撑。空间形成盖部从第一位置向第二位置移动时， 挡板部166通过盖侧壁部被悬挂而向上方移动。而后，空间形成盖部位于第 二位置的状态下，盖侧壁部的下端位于比本体侧壁部的上端更靠上方的位置， 挡板部166将盖侧壁部的下端与本体侧壁部的上端之间的缝隙盖上。
由此，即使处理液从旋转的基板9向比杯侧壁部611更靠下方飞散时， 也可抑制处理液附着在外侧壁部164上。其结果，能够抑制外侧壁部164上 附着的处理液经干燥后发生颗粒物附着现象。另外，也能够抑制处理液从外 侧壁部164与波纹管固定部254的连接部向放大密闭空间100的外部泄漏。
进而，如上所述，挡板部166沿上下方向的移动通过杯部移动机构162 与杯部161沿上下方向的移动一同进行。随之，没必要单独设置使挡板部166 沿上下方向移动的机构，从而能够实现基板处理装置1的小型化。
基板处理装置1中，空间形成盖部位于第二位置的状态下，挡板部166 的下端部与本体侧壁部的上端部在径向上重合。由此，比挡板部166靠径向 内侧的空间、本体侧壁部即受液侧壁部253与外侧壁部164之间的空间之间， 形成所谓迷宫结构。其结果，能够进一步抑制处理液在外侧壁部164上附着。
如上所述，空间形成盖部位于第一位置的状态下，内侧盖侧壁部即盖下 筒部228与空间形成部本体即腔室本体121的腔室侧壁部214接触，从而在 内部形成密闭空间即腔室空间120。另外，空间形成盖部位于第二位置的状 态下，内侧盖侧壁部从空间形成部本体分离，在内侧盖侧壁部与空间形成部 本体之间形成环状开口81，从而盖侧壁部，通过环状开口81接受从基板9 飞散的处理液。
如此，在基板处理装置1中，配合对基板9的处理，能够选择使用2种 处理空间(即、腔室空间120以及放大密闭空间100)。另外，即使外侧壁 部164包含形成处理空间的部件时(即、在放大密闭空间100中进行处理时)， 也能够抑制处理液附着在外侧壁部164上。随之，基板处理装置1的结构尤 其适合于设置有通过环状开口81向基板9的上方移动并向基板9供给处理液 扫描式喷嘴188的基板处理装置上。
如上所述，在基板处理装置1中，能够抑制处理液附着于外侧壁部164 上。因此，基板处理装置1的结构尤其适合于具备去除附着的处理液较难的 波纹管作为外侧壁部164的基板处理装置上。
图10是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置1a的剖视图。基板 处理装置1a是向大致圆板状的半导体基板9(下面，简称“基板9”。)供 给处理液并对基板9一张一张进行处理的单张式装置。图10中，基板处理装 置1a的局部结构的剖视中，省略绘制剖面线(其他剖视图中也同样省略)。
基板处理装置1a具备腔室体12、上板部123、腔室开关机构131、基板 保持部14、基板旋转机构15、受液部16、外盖17。外盖17将腔室体12的 上方以及侧面覆盖。
腔室体12具备腔室本体121、腔室盖部122。腔室体12的内周面是以沿 上下方向的中心轴J1为中心的大致圆筒面。腔室本体121具备腔室底部210、 腔室侧壁部214。腔室底部210具备大致圆板状的中央部211、从中央部211 的外缘部向下方扩展的大致圆筒状的内侧壁部212、从内侧壁部212的下端 向径向外侧扩展的大致圆环板状的环状底部213、从环状底部213的外缘部 向上扩展的大致圆筒状的外侧壁部215、从外侧壁部215的上端部向径向外 侧扩展的大致圆环板状的基部216。
腔室侧壁部214是以中心轴J1为中心的环状。腔室侧壁部214位于基部 216上，形成腔室本体121的内周面的一部分。形成腔室侧壁部214的部件 如后所述，兼任受液部16的一部分。在下面的说明中，腔室侧壁部214、外 侧壁部215、环状底部213、内侧壁部212与中央部211的外缘部所包围的空 间称为下部环状空间217。
基板9由基板保持部14支撑被支撑时，基板9的下表面92与腔室底部 210的中央部211的上表面相向设置。在下面的说明中，将腔室底部210的 中央部211称为“下面相向部211”。
腔室盖部122是与中心轴J1垂直的大致圆板状，并包含腔室体12的上 部。腔室盖部122封闭腔室本体121的上部开口。图10中，表示腔室盖部 122从腔室本体121分离的状态。当腔室盖部122将腔室本体121的上部开 口关闭时，腔室盖部122的外缘部接触腔室侧壁部214的上部。
腔室开关机构131使腔室体12的可移动部即腔室盖部122相对腔室体 12的腔室盖部122之外的其他部位即腔室本体121沿上下方向移动。在本实 施方式中，腔室本体121的位置是固定设置的，腔室开关机构131是将腔室 盖部122进行升降的盖部升降机构。腔室盖部122沿上下方向移动时，上板 部123也与腔室盖部122一同沿上下方向移动。腔室盖部122接近腔室本体 121而使上部开口关闭，从而在腔室体12内形成腔室空间120(参照图13)。换言之，通过腔室盖部122与腔室本体121接近，腔室空间120实际上成为 关闭的状态。
再者，如后所述，通过腔室盖部122与腔室本体121接触，上部开口可 以被关闭。这种情况下，通过腔室盖部122，腔室本体121的上部开口关闭， 从而使腔室空间120成为密闭状态。下面，将腔室盖部122接近或接触上部 开口的而形成腔室空间120的状态称为“腔室关闭状态”。
基板保持部14使基板9保持在水平状态。即、基板9以表面91与中心 轴J1垂直并面朝上侧的状态被基板保持部14所保持。腔室关闭状态下，基 板9位于腔室空间120中。基板保持部14具备将基板9的外缘部(即、包含 外周缘的外周缘附近的部位)从下侧支撑的上述基板支撑部141、将被基板 支撑部141所支撑的基板9的外缘部从上侧推压的基板压紧部142。基板支 撑部141具备以中心轴J1为中心的大致圆环板状的支撑部底座413、固定于 支撑部底座413的上表面的多个第一接触部411。基板压紧部142具备固定 于上板部123的下表面的多个第二接触部421。多个第二接触部421的圆周 方向的位置实际上与多个第一接触部411的圆周方向的位置不同。
上板部123是与中心轴J1垂直的大致圆板状。上板部123配置于腔室盖 部122的下方，且位于基板支撑部141的上方。上板部123的中央设有开口。 基板9被基板支撑部141所支撑时，基板9的上表面91和与中心轴J1垂直 的上板部123的下表面是相向设置的。上板部123的直径比基板9的直径还 大，上板部123的外周缘的位置要比基板9的外周缘整个全周更靠径向外侧 的位置。
如图10所示状态下，上板部123是以被腔室盖部122悬挂的方式所支撑。 腔室盖部122在中央部设有大致环状的板保持部222。板保持部222具备以 中心轴J1为中心的大致圆筒状的筒部223、以中心轴J1为中心的大致圆板状 的凸缘部224。凸缘部224从筒部223的下端沿径向朝内侧扩展。
上板部123具备环状的被保持部237。被保持部237具备以中心轴J1为 中心的大致圆筒状的筒部238、以中心轴J1为中心的大致圆板状的凸缘部 239。筒部238从上板部123的上表面向上方扩展。凸缘部239是从筒部238 的上端向径向外侧扩展的。筒部238位于板保持部222的筒部223的径向内 侧。凸缘部239位于板保持部222的凸缘部224的上方，并与凸缘部224沿 上下方向相向设置。被保持部237的凸缘部239的下表面通过与板保持部222 的凸缘部224的上表面接触的方式、且上板部123以被腔室盖部122悬挂的 方式安装在腔室盖部122上。
基板旋转机构15即所谓中空电机。基板旋转机构15具有以中心轴J1为 中心的环状的定子部151、环状的转子部152。转子部152包含大致圆环状的 永久磁铁。永久磁铁的表面是以PTFE树脂注塑成型的。转子部152配置于 下部环状空间217内。在转子部152的上部通过连接部件安装有基板支撑部 141的支撑部底座413。支撑部底座413配置于转子部152的上方。
定子部151配置在腔室体12外转子部152的径向外侧。在本实施方式中， 定子部151被固定于腔室底部210的外侧壁部215以及基部216，并位于受 液部16的下方。定子部151包含以中心轴J1为中心的沿圆周方向排列的多 个线圈。
通过向定子部151供给电流，定子部151与转子部152之间产生以中心 轴J1为中心的旋转力。由此，转子部152以中心轴J1为中心以水平状态旋 转。通过定子部151与转子部152之间的工作磁力，在腔室体12内转子部 152不会直接也不间接地与腔室体12接触，而是悬浮，且以中心轴J1为中 心，使基板9与基板支撑部141一同以悬浮状态旋转。
受液部16具备杯部161、杯部移动机构162、杯对面部163。杯部161 是以中心轴J1为中心的环状，位于腔室体12的径向外侧的整个全周位置上。 杯部移动机构162使杯部161沿上下方向移动。杯部移动机构162位于杯部 161的径向外侧。杯部移动机构162位于与上述腔室开关机构131在圆周方 向上不同的位置上。杯对面部163位于杯部161的下方，与杯部161沿上下 方向相向设置。杯对面部163是形成腔室侧壁部214的部件的一部分。杯对 面部163具有位于腔室侧壁部214的径向外侧的环状的受液凹部165。
杯部161具备侧壁部611、上面部612、波纹管617。侧壁部611是以中 心轴J1为中心的大致圆筒状。上面部612是以中心轴J1为中心的大致圆环 板状，并从侧壁部611的上端部向径向内侧以及径向外侧扩展。杯部161下 降时，侧壁部611的下部位于受液凹部165内。
波纹管617是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，可沿上下方向伸缩。波 纹管617被设置在侧壁部611的径向外侧上的整个全周上。波纹管617是由 气体或液体无法通过的材料形成的。波纹管617的上端部与上面部612的外 缘部的下表面的整个全周上连接。换言之，波纹管617的上端部通过上面部 612与侧壁部611间接连接。波纹管617与上面部612的连接部是被密封的， 以防止气体或液体的通过。波纹管617的下端部通过杯对面部163与腔室本 体121间接连接。波纹管617的下端部与杯对面部163的连接部上，也防止 气体或液体的通过。
腔室盖部122的中央上固定有上部喷嘴181。上部喷嘴181能够插入上 板部123的中央的开口中。上部喷嘴181在中央处设有多个液体喷出口，其 周围设有气体喷出口。从多个液体喷出口喷出不同种类的处理液。上部喷嘴 181是将向基板9上供给处理液的处理液喷出部，同时也是向基板9上供给 气体的气体喷出部。再者，腔室体12内可以设有扫描式喷嘴，将处理液喷出 到基板9上的喷出喷头能够进行扫描。腔室底部210的下面相向部211的中 央处安装有下部喷嘴182。上部喷嘴181以及下部喷嘴182的设置位置并不 限于中央部分，例如也可以设置于与基板9的外缘部的相向的位置上。
受液部16的受液凹部165上连接有第一排放通道191。第一排放通道191 与气液分离部连接。腔室底部210的下部环状空间217上连接有第二排放通 道192。第二排放通道192与其他气液分离部连接。腔室开关机构131、基板 旋转机构15以及杯部移动机构162的运作、以及喷嘴或排放通道中液体或气 体的流动是由未图示的控制部进行控制的。
上部喷嘴181通过阀与药液供给部连接。通过上部喷嘴181向基板9上 供给的药液是例如氟酸或氢氧化四甲基铵水溶液等腐蚀性液体。上部喷嘴 181通过阀与IPA供给部以及纯水供给部也连接。上部喷嘴181向基板9供 给纯水(DIW：deionized water)以及异丙醇(IPA)。下部喷嘴182通过阀 与纯水供给部连接。通过下部喷嘴182，向基板9的下表面供给纯水。基板 处理装置1a中，也可以设有供给处理液即上述药液、纯水以及IPA之外的处 理液的处理液供给部。
上部喷嘴181通过阀与非活性气体供给部也连接。通过上部喷嘴181， 向腔室体12内供给非活性气体。在本实施方式中，作为非活性气体可采用氮 气(N2)，也可以采用氮气之外的气体。
如图10所示，上板部123的外缘部的下表面上，多个第一结合部241 沿圆周方向排列，支撑部底座413的上表面上，多个第二结合部242沿圆周 方向排列。实际上，第一结合部241以及第二结合部242与基板支撑部141 的多个第一接触部411以及基板压紧部142的多个第二接触部421沿圆周方 向上不同的位置上配置。这些结合部优选设置3组以上，在本实施方式中设 置为4组。第一结合部241的下部设有向上方凹陷的凹部。第二结合部242 从支撑部底座413向上方突出。
基板处理装置1a中基板9的处理的流程与图2相同。基板处理装置1a 中，如图11所示，在腔室盖部122位于与腔室本体121分离的上方、杯部 161位于与腔室盖部122分离的下方的状态，基板9通过外部的传送机构向 腔室体12内移入，通过基板支撑部141从下侧支撑(步骤S11)。下面，将 如图11所示腔室体12以及杯部161的状态称为“打开状态”。腔室盖部122 与腔室侧壁部214之间的开口是以中心轴J1为中心的环状，下面称为“环状 开口81”。换言之，基板处理装置1a中，通过腔室盖部122从腔室本体121 分离，在基板9的周围(即、径向外侧)形成环状开口81。步骤S11中，基 板9通过环状开口81被移入。
基板9被移入后，通过杯部移动机构162，杯部161从如图11所示位置 上升至如图12所示位置，并位于环状开口81的径向外侧的整个全周上。在 下面的说明中，将图12所示腔室体12以及杯部161的状态称为“第一关闭 状态”(与图10的状态相同)。另外，将如图12所示杯部161的位置称为 “受液位置”，将如图11所示杯部161的位置称为“回避位置”。杯部移动 机构162使杯部161在环状开口81的径向外侧的受液位置与比受液位置靠下 方的回避位置之间沿上下方向移动。
在位于受液位置的杯部161中，侧壁部611与环状开口81在径向上相向 设置。另外，上面部612的内缘部的上表面与腔室盖部122的外缘部下端的 唇型密封件232的整个全周接触。由此，腔室盖部122与杯部161的上面部 612之间形成防止气体或液体通过的密封部。在形成环状开口81的状态下， 杯部161位于受液位置，由此，形成由腔室本体121、腔室盖部122、杯部 161以及杯对面部163所包围的密闭空间(下面称为“放大密闭空间100”。)。放大密闭空间100是由腔室盖部122与腔室本体121之间的空间即沿上下方 向放大的腔室空间120、被杯部161与杯对面部163所包围的侧面空间160 通过环状开口81而以连通的方式形成的一个空间。放大密闭空间100只要是 通过包含腔室本体121、腔室盖部122以及杯部161的部位形成的，也可以 采用其他部位形成。
接着，通过基板旋转机构15开始以一定的转速(比较低的转速，下面称 为“稳态转速”。)旋转基板9。进而，开始从上部喷嘴181向放大密闭空 间100供给非活性气体(在此为氮气)的同时，开始从第一排放通道191排 出放大密闭空间100内的气体。由此，经过规定时间后，放大密闭空间100 成为被非活性气体所填充的非活性气体填充状态(即、氧气浓度低的低氧气 氛)。再者，向放大密闭空间100供给非活性气体、以及从放大密闭空间100 内排出气体，也可以从如图11所示的打开状态下开始进行。
接着，从药液供给部向上部喷嘴181供给药液，向基板9的上表面91 喷出药液(步骤S12)。药液随基板9的旋转而向外周部扩散，上表面91整 体被药液所覆盖。上表面91通过药液进行蚀刻。再者，腔室体12上可以设 置加热器，在药液供给时加热基板9。
在放大密闭空间100中，从旋转的基板9的上表面91飞散的药液通过环 状开口81被杯部161所接受，导流至受液凹部165。导流至受液凹部165的 药液通过第一排放通道191流入气液分离部。在气液分离部中回收的药液通 过过滤器等将杂质等去除后，再循环利用。
药液的供给开始后经过规定时间(例如，60～120秒)，药液的供给停止。 接着，通过基板旋转机构15，只在规定时间(例如，1～3秒)内基板9的转 速比稳态转速高，从基板9上去除药液。
腔室盖部122以及杯部161维持接触的状态且向下方移动。而后，如图 13所示，腔室盖部122的外缘部下端与腔室侧壁部214的上部以细小的间隙 隔开而接近。由此，环状开口81实际上关闭，腔室空间120与侧面空间160 与隔绝。杯部161与图11相同，位于回避位置。下面将图13所示腔室体12 以及杯部161的状态称为“第二关闭状态”。在第二关闭状态下，基板9与 腔室体12内壁直接相向设置，他们之间不存在其他受液部。在第二关闭状态下，腔室体12是腔室关闭状态。
在第二关闭状态下，基板压紧部142的多个第二接触部421与基板9的 外缘部接触。上板部123的下表面以及基板支撑部141的支撑部底座413上 设有沿上下方向相向设置的多对磁铁(未图示)。下面，将各对磁铁称为“磁 铁对”。基板处理装置1a中，在圆周方向上多个磁铁对与第一接触部411、 第二接触部421、第一结合部241以及第二结合部242不同的位置上以等角 度间隔配置。基板压紧部142与基板9接触的状态下，通过磁铁对之间工作磁力(引力)，向下的力作用在上板部123上。
基板处理装置1a中，基板压紧部142通过上板部123的自重、以及磁铁 对的磁力使基板9向基板支撑部141推压，从而能够使基板9在基板压紧部 142与基板支撑部141之间从上下夹持并坚固地保持住。
在第二关闭状态下，被保持部237的凸缘部239与板保持部222的凸缘 部224的上方分离设置，板保持部222与被保持部237之间不接触。换言之， 通过板保持部222，上板部123的保持被解除。因此，上板部123从腔室盖 部122中独立，并与基板保持部14、以及被基板保持部14所保持的基板9 一同跟随基板旋转机构15旋转。
另外，第二关闭状态下，第二结合部242嵌入第一结合部241的下部的 凹部。由此，上板部123在以中心轴J1为中心的圆周方向上与基板支撑部 141的支撑部底座413结合。换言之，第一结合部241以及第二结合部242 是固定上板部123的相对于基板支撑部141在旋转方向上的相对位置，即位 置固定部件。腔室盖部122下降时，以第一结合部241与第二结合部242的 嵌合的方式，通过基板旋转机构15控制支撑部底座413的旋转位置。
腔室空间120以及侧面空间160分别独立后，从第一排放通道191停止 排出气体，同时，从第二排放通道192开始排出腔室空间120内的气体。而 后，通过纯水供给部，开始向基板9供给冲洗液或清洗液即纯水(步骤S13)。
来自纯水供给部的纯水从上部喷嘴181以及下部喷嘴182喷出，连续向 基板9的上表面91以及下表面92的中央部供给。纯水通过基板9的旋转向 上表面91以及下表面92的外周部扩散，并从基板9的外周缘向外侧飞散。 从基板9飞散的纯水被腔室盖部122内壁所接受，通过第二排放通道192以 及气液分离部被废弃(在后述的基板9的干燥处理中也相同)。由此，在基 板9的上表面91的冲洗处理以及下表面92的清洗处理的同时，实际上也进 行了腔室体12内的清洗。
从纯水的供给开始经过规定时间后，纯水的供给被停止。而后，腔室空 间120内，使基板9的转速充分高于稳态转速。由此，纯水从基板9上被去 除，进行基板9的干燥处理(步骤S14)。从基板9开始干燥经过规定时间 后，基板9的旋转停止。
此后，腔室盖部122与上板部123上升，如图11所示，腔室体12变为 打开状态。步骤S14中，由于上板部123与基板支撑部141一同旋转，上板 部123的下表面上几乎无残留液体，因此在腔室盖部122上升时，不会有液 体从上板部123掉落到基板9上。基板9通过外部的传送机构从腔室体12 移出(步骤S15)。再者，向基板9上供给纯水后，在基板9干燥前，也可 以从IPA供给部向基板9上供给IPA，在基板9上以IPA替换纯水。
如图12所示，基板处理装置1a中，腔室体12的外周设有形成侧面空间 160的杯部161，腔室盖部122是从腔室本体121分离的状态，即、形成环状 开口81的状态下，通过杯部161与腔室盖部122接触，放大的腔室空间120 以及侧面空间160成为一个放大密闭空间100。进而，从如图12所示第一关 闭状态转换为如图13所示第二关闭状态时，腔室盖部122与杯部161以接触 的状态下降。由此，无需在基板9的处理中开放内部空间，就能够将腔室空 间120与侧面空间160分离。
图14是表示在第二关闭状态下腔室本体121与腔室盖部122之间的界线 附近。腔室盖部122的内周部的下部设有向下方突出的下方突出部31。下方 突出部31是在整个全周存在的环状。下方突出部31只要是向下方突出，即 使相对重力方向倾斜也可。另外，在腔室盖部122中下方突出部31的位置不 限定于腔室盖部122的内周部。腔室关闭状态下，下方突出部31的下端位于 比被基板保持部14所保持的基板9靠下的位置。
腔室盖部122的内周面上，在下方突出部31的上侧包含向径向外侧凹陷 的环状凹部33。腔室关闭状态下，环状凹部33位于被基板保持部14所保持 的基板9的侧面。因此，从基板9飞散的处理液被环状凹部33所接受，此后， 沿腔室盖部122的内周面向下方流动至下方突出部31的前端并落下。因设有 环状凹部33，能够扩大从基板9飞散的处理液的飞翔距离，从而能够抑制飞 沫向基板9弹回。为使液体顺滑地流动，环状凹部33优选为曲面。
基板处理装置1a中，因腔室盖部122的内周面上接受飞散的处理液，可 将腔室盖部122的位置设置于相对基板9更低的位置，可在上下方向上缩小 腔室体12。加之，如上所述，通过利用位于腔室体12外的杯部161，可实现 腔室体12的小型化的同时还能实现处理液的分离回收。再者，腔室关闭状态 下在腔室体12内流动并落下的处理液被回收，第二关闭状态下杯部161接受 的处理液也可以被废弃。也可以将双方的处理液回收。
基板处理装置1a中，基板9被移入腔室本体121与腔室盖部122之间时， 如图11所示，杯部161位于比形成放大密闭空间100的状态如图12所示杯 部161的位置更低的位置。因此，将基板9移入时，能够将腔室盖部122的 上升控制在最小范围内。其结果，能够将基板处理装置1a的设置中所必要的 空间沿上下方向的大小控制在更小范围内。
如图14所示，腔室本体121包含向上方突出的上方突出部32。上方突 出部32设置在腔室侧壁部214的上端，在下方突出部31的径向外侧的整个 全周上存在。上方突出部32的上端朝上方呈尖形。上方突出部32的上端的 位置位于比下方突出部31的下端的位置更靠上的位置。如上所述，腔室关闭 状态下，腔室本体121与腔室盖部122以非接触方式接近。下方突出部31 与上方突出部32之间形成细小的间隙82。间隙82朝向径向外侧后朝向上方。
下方突出部31的下端与腔室侧壁部214的内周面沿径向充分分离。由此， 从环状凹部33到达下方突出部31的下端的处理液不会进入间隙82而是落 下。下方突出部31优选为比腔室本体121的内周面更向径向内侧突出。
另外，下方突出部31在腔室关闭状态下，将间隙82的径向内侧盖上。 这样也可防止飞散的处理液直接到达间隙82并进入。通过防止处理液向间隙 82进入，从而防止凝固的处理液成为颗粒物的起因。再者，下方突出部31 从基板9上看去最好能覆盖间隙82的径向内侧，从与中心轴J1垂直的方向 看时，间隙82的开口也可露出。
因间隙82的存在，在腔室关闭状态下，在旋转的基板9上供给处理液时， 如图13所示停止从第一排放通道191排出杯部161内的气体。原则上进行从 第二排放通道192排出腔室本体121内的气体以及处理液。由此，能够更为 确实地抑制处理液向间隙82进入。再者，下方突出部31的上端向上方呈尖 形，因此即便间隙82中进入处理液，也能够降低处理液的附着量。
腔室盖部122与杯部161通过唇型密封件232而接触的状态下，上面部 612的内周部的下表面的位置位于比下方突出部31的下端的位置更靠上的位 置。由此，如图12所示的第一关闭状态下，能够将腔室盖部122与杯部161 之间附着药液的可能性降低。
图15是表示腔室盖部122的下部的另一例。图15中，腔室盖部122的 下部设有另一个下方突出部31a。下面，将该下方突出部31a称为“附加下 方突出部31a”。腔室盖部122的其他部位的结构与图14相同。附加下方突 出部31a位于上方突出部32的径向外侧，沿整个全周向下方突出。。附加下 方突出部31a的下端的位置位于比上方突出部32的上端的位置更靠下的位 置。通过下方突出部31、上方突出部32以及附加下方突出部31a形成间隙 82。由此，间隙82沿径向外侧先朝向上方后，再朝向下方。
间隙82通过设置更为复杂的迷宫结构，更加抑制了处理液的非常细小的 液滴向腔室空间120的外部移动。
图16是表示上方突出部32的另一例。图16的上方突出部32的上端在 腔室关闭状态下，与腔室盖部122的下部接触。换言之，腔室关闭状态下， 腔室盖部122与腔室本体121的上部开口接触。由此，腔室空间120成为密 闭空间。随之，基板9的处理中能够使腔室空间120减压。例如，基板9的 干燥处理也可在比大气压更低的减压气氛下进行。
为实现腔室空间120的密闭，上方突出部32的上部包含由树脂形成的弹 性密封部件35。如图17所示，与腔室盖部122的上方突出部32的上端接触 的部位也可包含弹性密封部件35。
在图16以及图17中，腔室本体121以及腔室盖部122的其他部位的结 构与图14与相同。在腔室关闭状态下，下方突出部31将腔室盖部122与腔 室本体121之间的界线83的径向内侧盖上。由此，腔室体12可设置为更小、 且可抑制颗粒物的产生、以及实现处理液的回收。
上述基板处理装置1，1a可以有各种变化。
基板处理装置1中，上述迷宫结构没必要必须形成，例如，在空间形成 盖部位于第二位置的状态下，挡板部166的下端与受液侧壁部253的上端沿 上下方向上可以在大概相同的位置上设置。另外，挡板部166只要能够将杯 侧壁部611的下端与受液侧壁部253的上端之间的缝隙实质地盖上，挡板部 166的下端可以位于比受液侧壁部253的上端更靠上方的位置。
基板处理装置1中，由腔室盖部122、杯部161、外侧壁部164以及腔室 本体121形成的放大密闭空间100未必一定是严密的气密性密闭空间。另外， 外侧壁部164不限定于波纹管，也可以采用其他各种部件(例如，沿上下方 向的高度缩小时，沿径向外侧凸出可能的可弹性变形的部件)作为外侧壁部 164。
基板处理装置1中，代替扫描式喷嘴188，设置在侧面空间160内被固 定的喷嘴，也可以通过从该喷嘴环状开口81倾斜并向下方喷出处理液，使该 处理液向基板9的上表面91供给。
基板处理装置1中，上述空间形成盖部未必一定具备相互独立并沿上下 方向移动的腔室盖部122以及杯部161，也可以是一个关联的部件。在这种 情况下，例如，也可从空间形成盖部省略内侧盖侧壁部。
基板处理装置1a中，例如，也可省去环状凹部33。上方突出部32也可 不存在。通过下方突出部31以及上方突出部32等形成的迷宫结构也可以是 更复杂的结构。
通过基板处理装置1a实施的处理不限定于上述实施方式中所表示的方 式。基板处理装置1a中，腔室空间120为密闭可能的情况下，也可设置向腔 室空间120供给气体的进行加压的加压部。
基板处理装置1，1a中，腔室开关机构131未必一定将腔室盖部122沿 上下方向移动，也可以在腔室盖部122被固定的状态下，将腔室本体121沿 上下方向移动。腔室体12未必一定限定于大致圆筒状，也可以是各种形状。
基板处理装置1，1a中，基板旋转机构15的定子部151以及转子部152 的形状以及结构可以有多种变化。转子部152未必一定以悬浮状态旋转，也 可以在腔室体12内设置使转子部152机械地支撑的导轨等结构，转子部152 沿该导轨旋转。基板旋转机构15未必一定是中空电机，也可采用轴旋转型电 机作为基板旋转机构。
基板处理装置1，1a中，杯部161的上面部612之外的部位，例如，通 过侧壁部611与腔室盖部122接触，也可以形成放大密闭空间100。受液部 16的结构也可以适当变化。例如，杯部161的内侧也可设置其他杯部。
基板处理装置1，1a中，上部喷嘴181、下部喷嘴182的形状不限定于 突出的形状。只要是设有将处理液喷出的喷出口的部位全部涵盖于上述实施 方式喷出部的概念中。
基板处理装置1，1a中，除能用于半导体基板之外，还可用于液晶显示 装置、等离子显示器、FED(场致发射显示器)等的显示装置上的玻璃基板 的处理。又或者，基板处理装置1，1a还可用于光盘用基板、磁盘用基板、 光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板以及太阳能电池用基板等处理。
上述实施方式以及各种变形例的结构可以在相互不矛盾的范围内适当组 合。
以上，详细描述并说明了本发明，但是上述说明仅仅是例示而非限定。 因此，在不脱离本发明的范围的情况下，能够采用多种变形或方式。
1、1a 基板处理装置
9 基板
12 腔室体
14 基板保持部
15 基板旋转机构
31 下方突出部
32 上方突出部
33 环状凹部
35 弹性密封部件
81 环状开口
82 间隙
83 界线
100 放大密闭空间
120 腔室空间
121 腔室本体
122 腔室盖部
131 腔室开关机构
160 侧面空间
161 杯部
162 杯部移动机构
164 外侧壁部(波纹管)
166 挡板部
181 上部喷嘴(处理液喷出部)
182 下部喷嘴
188 扫描式喷嘴
191 第一排放通道
192 第二排放通道
228 盖下筒部
253 受液侧壁部
611 杯侧壁部
813 药液供给部
814 纯水供给部
815IPA 供给部
J1 中心轴
S11～S15 步骤

Claims (21)

1.一种处理基板的基板处理装置，其特征在于，具有：
空间形成部本体，其具有筒状的本体侧壁部；
空间形成盖部，其具有位于所述本体侧壁部的径向内侧的筒状的盖侧壁部，将所述空间形成部本体的上方盖上；
空间形成部移动机构，其使所述空间形成盖部在第一位置与比所述第一位置靠上方的第二位置之间，相对于所述空间形成部本体沿上下方向相对移动；
外侧壁部，其位于所述本体侧壁部的径向外侧，上端部与所述空间形成盖部连接，下端部与所述空间形成部本体连接，并跟随通过所述空间形成部移动机构的相对移动而变形；
筒状的挡板部，其配置于所述盖侧壁部与所述本体侧壁部之间；
基板支撑部，配置于所述空间形成部本体内，以水平状态保持基板；
基板旋转机构，使所述基板与所述基板支撑部一同旋转；
处理液供给部，其向所述基板上供给处理液，
所述空间形成盖部位于所述第一位置的状态下，所述盖侧壁部与所述本体侧壁部在径向上重合，所述挡板部被所述本体侧壁部所支撑；
所述空间形成盖部从所述第一位置向所述第二位置移动时，所述挡板部伴随所述空间形成盖部的移动而向上方移动；
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述盖侧壁部的下端位于比所述本体侧壁部的上端靠上方的位置，所述挡板部将所述盖侧壁部的所述下端与所述本体侧壁部的所述上端之间的缝隙盖上。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部从所述第一位置向所述第二位置移动时，所述挡板部通过所述盖侧壁部被悬挂而向上方移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外侧壁部是分别为圆周形的多个峰折线与分别为圆周形的多个谷折线沿所述上下方向交替排列的波纹管。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述挡板部的下端部与所述本体侧壁部的上端部在径向上重合。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述挡板部的下端部与所述本体侧壁部的上端部在径向上重合。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外侧壁部是分别为圆周形的多个峰折线与分别为圆周形的多个谷折线沿所述上下方向交替排列的波纹管。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述挡板部的下端部与所述本体侧壁部的上端部在径向上重合。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述挡板部的下端部与所述本体侧壁部的上端部在径向上重合。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空间形成盖部具有位于所述盖侧壁部的径向内侧的筒状的内侧盖侧壁部；
所述空间形成盖部位于所述第一位置的状态下，所述内侧盖侧壁部通过与所述空间形成部本体接触，内部形成密闭空间；
所述空间形成盖部位于所述第二位置的状态下，所述内侧盖侧壁部从所述空间形成部本体分离，并在所述内侧盖侧壁部与所述空间形成部本体之间形成环状开口，所述盖侧壁部通过所述环状开口接受从所述基板飞散的处理液。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部具有喷嘴，其安装于所述内侧盖侧壁部与所述盖侧壁部之间的所述空间形成盖部上，通过所述环状开口向所述基板的上方移动并向所述基板上供给处理液。
11.一种处理基板的基板处理装置，其特征在于，具有：
腔室体，其具有腔室本体以及腔室盖部，所述腔室盖部接近所述腔室本体的上部开口或接触所述上部开口的腔室关闭状态下，形成腔室空间；
腔室开关机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室本体沿上下方向相对移动；
基板保持部，其在所述腔室关闭状态下，位于所述腔室空间中，以水平状态保持基板；
基板旋转机构，其以朝向上下方向的中心轴为中心使所述基板与所述基板保持部一同旋转；
处理液喷出部，其向所述基板上供给处理液；
杯部，其位于所述腔室体的外侧的整个全周上，在所述腔室体的外周上形成侧面空间，所述腔室盖部通过从所述腔室本体分离而在所述基板的周围形成环状开口，由此接受从旋转的所述基板飞散的处理液，
所述腔室盖部的下部包含向整个全周下方突出的下方突出部；
在所述腔室关闭状态下，所述下方突出部的下端位于比被所述基板保持部所保持的基板更靠下的位置，且所述下方突出部将所述腔室盖部与所述腔室本体之间的间隙或界线的径向内侧覆盖；
在形成所述环状开口的状态下，通过所述杯部与所述腔室盖部接触，形成包含所述腔室本体、所述腔室盖部以及所述杯部的部位的一个放大密闭空间。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室盖部包含朝向所述下方突出部的上侧及径向外侧凹陷的环状凹部；
在所述腔室关闭状态下，所述环状凹部位于被所述基板保持部所保持的基板的侧面。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室本体包含在所述下方突出部的径向外侧上在整个全周向上方突出的上方突出部，
所述上方突出部的上端向上方呈尖形。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
第一排放通道，其使所述杯部内的气体排出；
第二排放通道，其使所述腔室体内的气体排出，
在所述腔室关闭状态下，所述腔室本体与所述腔室盖部非接触地接近，在给旋转的基板上供给处理液时，从所述第一排放通道的排气被停止。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
第一排放通道，其使所述杯部内的气体排出；
第二排放通道，其使所述腔室体内的气体排出，
在所述腔室关闭状态下，所述腔室本体与所述腔室盖部非接触地接近，在给旋转的基板上供给处理液时，从所述第一排放通道的排气被停止。
16.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室本体包含在所述下方突出部的径向外侧上向上方突出的上方突出部，
所述腔室关闭状态下，所述上方突出部的上端与所述腔室盖部接触，
所述上方突出部的上部或所述腔室盖部的与所述上方突出部的上端接触的部位包含弹性密封部件。
17.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室本体包含在所述下方突出部的径向外侧上在整个全周向上方突出的上方突出部，
所述上方突出部的上端向上方呈尖形。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
第一排放通道，其使所述杯部内的气体排出；
第二排放通道，其使所述腔室体内的气体排出，
在所述腔室关闭状态下，所述腔室本体与所述腔室盖部非接触地接近，在给旋转的基板上供给处理液时，从所述第一排放通道的排气被停止。
19.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
第一排放通道，其使所述杯部内的气体排出；
第二排放通道，其使所述腔室体内的气体排出，
在所述腔室关闭状态下，所述腔室本体与所述腔室盖部非接触地接近，在给旋转的基板上供给处理液时，从所述第一排放通道的排气被停止。
20.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
所述腔室本体包含在所述下方突出部的径向外侧上向上方突出的上方突出部，
所述腔室关闭状态下，所述上方突出部的上端与所述腔室盖部接触，
所述上方突出部的上部或所述腔室盖部的与所述上方突出部的上端接触的部位包含弹性密封部件。
21.根据权利要求11至20中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述杯部还具备杯部移动机构，其沿上下方向移动；
所述腔室本体的位置被固定，
基板向所述腔室本体与所述腔室盖部之间移入时的所述杯部的位置比形成所述放大密闭空间的状态下所述杯部的位置更低。
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