TWI544564B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI544564B
TWI544564B TW104109968A TW104109968A TWI544564B TW I544564 B TWI544564 B TW I544564B TW 104109968 A TW104109968 A TW 104109968A TW 104109968 A TW104109968 A TW 104109968A TW I544564 B TWI544564 B TW I544564B
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吉田武司
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斯克林集團公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。
習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用多種類之基板處理裝置對基板實施各種之處理。例如，藉由朝表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板上供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之處理。此外，於蝕刻處理結束後，還進行朝基板上供給除去液而除去抗蝕劑，或者朝基板上供給洗淨液進行洗淨之處理。
於存在有氧之環境下(例如大氣中)進行基板之處理之情況下，氧有可能對基板產生壞的影響。例如，氧溶入使用於處理之藥液中，而該藥液接觸於基板之表面，藉此可能對基板之表面產生壞的影響。尤其是於表面形成有金屬膜之基板之處理中，該金屬膜於處理中恐有氧化之虞。因而有極力防止此種金屬膜之氧化之需求。
於日本專利特開2010-56218號公報(文獻1)之基板處理裝置中，設置有與保持於基板保持機構之基板對向之遮蔽部。遮蔽部具備與基板之上表面對向之基板對向面、及自基板對向面之周圍朝基板保持機構突出之周壁部。並且，朝基板上供給混合了使氧濃度降低之惰性氣體溶存水與藥液原液而成之藥液。於文獻1之基 板處理裝置中，藉由設置遮蔽部，將基板之上表面上之氣體氣氛與遮蔽部外部之氣體氣氛隔斷，以達抑制基板上之氣體氣氛之氧濃度上昇之目的。若基板上之氧濃度降低，則可抑制設於基板之上表面之金屬膜之氧化等。
然而，於文獻1之基板處理裝置中，由於隔斷部之內部沒有完全與外部隔離，因此於基板上之氣體氣氛之氧濃度降低上存在有界限。此外，對迅速降低隔斷部之內部之氧濃度也存在有界限。另一方面，可考慮於將基板搬入腔室本體內部之後，以腔室蓋部將腔室本體之上部開口封閉而形成腔室(處理室)，然後朝密封之腔室內供給惰性氣體等而形成低氧狀態。該情況下，於腔室內供給於基板上之處理液之霧氣或粉塵，可能會附著於覆蓋於基板之上方之腔室蓋部之內面。
本發明係應用於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的在於抑制處理液之霧氣或粉塵進入腔室蓋部之內部空間。
與本發明所相關之基板處理裝置係具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且在上述下部開口之上方形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述本體內部空間內以水平狀態保持基板；處理液供給部，其對上述基板之上表面供給處理液；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面，可封閉上述下部開口；氣體供給部，其在上述腔室內，在上述遮蔽板自上述腔室蓋部之上述下部開口而分離至上方之狀況下，藉由自較上述遮蔽板為更上方而對上述蓋內部空間供給氣體，將上述蓋內部空 間之氣壓加以增高至高於上述本體內部空間之氣壓，並自上述遮蔽板與上述腔室蓋部之間的間隙而經由上述下部開口將上述蓋內部空間之上述氣體送出至上述本體內部空間；及排出口，其在上述本體內部空間中被設置在較上述基板為更下方，吸引自上述蓋內部空間所流入之上述氣體並排出至上述腔室外。
根據該基板處理裝置，可抑制處理液之霧氣或粉塵進入腔室蓋部之內部空間。
在本發明之一較佳構成之實施形態中，在上述遮蔽板之下表面之中央部，設置有氣體噴出口，且藉由上述氣體供給部而經由上述氣體噴出口，亦對上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間供給上述氣體。
在本發明之另一較佳構成之實施形態中，在上述遮蔽板之下表面之中央部，設置有處理液噴吐口，且藉由上述處理液供給部而經由上述處理液噴吐口對上述基板之上述上表面供給處理液。
在本發明之另一較佳構成之實施形態中，上述處理液供給部係具備有：噴吐頭，其吐出處理液；及噴吐頭支撐部，其為延伸在水平方向之構件，在自由端部固定有上述噴吐頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部，上述基板處理裝置係更進一步具備有噴吐頭旋轉機構，該噴吐頭旋轉機構係以上述固定端部為中心，使上述噴吐頭與上述噴吐頭支撐部一同進行旋轉，在向上述基板上供給處理液之時，藉由上述噴吐頭旋轉機構使上述噴吐頭產生旋轉而配置在上述遮蔽板與上述下部開口之間，且經由上述下部開口而自上述噴吐頭向上述基板之上述上表面吐出處理 液。
在本發明之另一較佳構成之實施形態中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
更佳之構成為，上述腔室蓋部係具備：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
在本發明之另一較佳構成之實施形態中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
在本發明之另一較佳構成之實施形態中，上述腔室本體係具備有杯部，該杯部係在上述腔室蓋部之下方，並以遍及全周 之方式位在上述基板保持部之徑向外側，且在上述杯部之下方，設置有上述排出口。
上述目的及其他目的、特徵、形態及長處，藉由參照附圖及以下進行之發明之詳細說明，而被闡明。
J1‧‧‧中心軸
1、1a‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
11‧‧‧外殼
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
21、21a‧‧‧腔室
22‧‧‧腔室本體
23、23a‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
35‧‧‧基板旋轉機構
41‧‧‧第1移動機構
42‧‧‧第2移動機構
43‧‧‧第3移動機構
51‧‧‧遮蔽板
55‧‧‧遮蔽板旋轉機構
91‧‧‧上表面
111、552‧‧‧伸縮構件
181‧‧‧上部中央噴嘴
182‧‧‧蓋噴嘴
183‧‧‧處理液噴吐口
184‧‧‧第1氣體噴出口
185‧‧‧第2氣體噴出口
186‧‧‧掃描噴嘴
193‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧本體排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196‧‧‧排液部
197‧‧‧氣液分離部
198‧‧‧蓋排氣部
199‧‧‧排液部
221‧‧‧本體內部空間
222‧‧‧上部開口
223‧‧‧外筒部
224‧‧‧外筒連接部
225‧‧‧杯部
226‧‧‧本體底部
226a‧‧‧本體排出口
227a‧‧‧杯側壁部
227b‧‧‧杯頂蓋部
231‧‧‧蓋內部空間
232‧‧‧下部開口
233‧‧‧蓋本體部
234‧‧‧蓋底面部
235‧‧‧上表面
236‧‧‧下表面
237‧‧‧蓋部排出口
511‧‧‧遮蔽板51之上表面
512‧‧‧遮蔽板51之下表面
551‧‧‧旋轉軸
553‧‧‧凸緣部
811‧‧‧處理液供給部
812‧‧‧氣體供給部
813‧‧‧藥液供給部
814‧‧‧純水供給部
816‧‧‧惰性氣體供給部
861‧‧‧噴吐頭
862‧‧‧噴吐頭支撐部
863‧‧‧噴吐頭旋轉機構
S11~S20‧‧‧步驟
圖1為顯示一實施形態之基板處理裝置之剖視圖。
圖2為顯示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖3為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖4為顯示基板處理裝置之剖視圖。
圖5為顯示基板處理之流程之圖。
圖6為顯示基板處理裝置之另一例之剖視圖。
圖7為顯示基板處理裝置之另一例之剖視圖。
圖8為顯示基板處理裝置之另一例之剖視圖。
圖1為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成之剖視圖。基板處理裝置1係將處理液供給於大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)，對基板9一片一片地進行處理之單片式之裝置。圖1中，對基板處理裝置1之局部構成之剖面，省略標示剖面線(其他之剖視圖中也同樣)。
基板處理裝置1具備腔室21、基板保持部31、基板旋轉機構35、第1移動機構41、第2移動機構42、第3移動機構43、遮蔽板51、遮蔽板旋轉機構55、及外殼11。外殼11係收容腔室21、基板保持部31及遮蔽板51等。
腔室21係以朝上下方向之中心軸J1為中心之有蓋及有底之大致圓筒狀。腔室21具備腔室本體22及腔室蓋部23。腔室本體22與腔室蓋部23係於上下方向對向。圖1所示之狀態中，腔室本體22及腔室蓋部23係於上下方向分離。腔室本體22係以中心軸J1為中心之有底大致圓筒狀，其形成本體內部空間221。腔室蓋部23係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀，其形成蓋內部空間231。腔室本體22之外徑與腔室蓋部23之外徑大致相等。
腔室本體22具有大致圓形之上部開口222。腔室蓋部23具有大致圓形之下部開口232。腔室本體22之上部開口222係於上下方向與腔室蓋部23之下部開口232對向。腔室本體22之上部開口222之直徑與腔室蓋部23之下部開口232之直徑大致相等。此外，以中心軸J1為中心之徑向上之腔室蓋部23之蓋內部空間231之大小，係較下部開口232之徑向之大小(亦即，直徑)大。關於腔室本體22及腔室蓋部23之詳細構造，容待後述。
基板保持部31係以中心軸J1為中心之大致圓板狀。基板保持部31係配置於基板9之下方，於水平狀態下保持基板9之外緣部。於圖1所示之狀態下，基板保持部31係於上下方向上位於腔室本體22與腔室蓋部23之間。基板保持部31之直徑係較基板9之直徑大。基板保持部31之直徑係較腔室本體22之上部開口222之直徑、及腔室蓋部23之下部開口232之直徑小。腔室本體22之上部開口222及腔室蓋部23之下部開口232，係於上下方向與基板9及基板保持部31對向。基板旋轉機構35係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構35係使基板9與基板保持部31一同以中心軸J1為中心進行旋轉。
遮蔽板51係以中心軸J1為中心之大致圓板狀。遮蔽板51係配置於腔室蓋部23之內部空間即蓋內部空間231。較佳構成為，遮蔽板51之徑向之大小(亦即直徑)係較腔室蓋部23之下部開口232之直徑大。遮蔽板51能封閉腔室蓋部23之下部開口232。遮蔽板51係於上下方向且隔著下部開口232與保持於基板保持部31之基板9之上表面91對向。
遮蔽板旋轉機構55係配置於遮蔽板51之上側。遮蔽板旋轉機構55例如為中空軸馬達。藉由遮蔽板旋轉機構55使遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231內以中心軸J1為中心進行旋轉。藉由遮蔽板旋轉機構55使遮蔽板51之旋轉，係與藉由基板旋轉機構35使基板9之旋轉獨立而進行。
遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551，係經由設於外殼11之上部之貫通孔、及設於腔室蓋部23之上部之貫通孔而連接於遮蔽板51。外殼11之該貫通孔周圍之部位與腔室蓋部23之該貫通孔周圍的部位，係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件111(例如，波紋管)而連接。此外，於旋轉軸551設置有大致圓板狀之凸緣部553，凸緣部553之外周部與外殼11之上述貫通孔之周圍的部位，係藉由可於上下方向伸縮之大致圓筒狀之伸縮構件552(例如，波紋管)而連接。基板處理裝置1中，藉由凸緣部553及伸縮構件552將外殼11內之空間與外殼11外之空間隔離。此外，藉由伸縮構件111將腔室蓋部23內之空間與外殼11內且腔室蓋部23外之空間隔離。
圖2為顯示基板處理裝置1具備之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18具有處理液供給部811及 氣體供給部812。處理液供給部811具備上部中央噴嘴181、藥液供給部813及純水供給部814。藥液供給部813及純水供給部814分別經由閥而連接上部中央噴嘴181。氣體供給部812具備上部中央噴嘴181、複數之蓋噴嘴182、及惰性氣體供給部816。惰性氣體供給部816係經由閥連接於上部中央噴嘴181。惰性氣體供給部816還經由閥連接於複數之蓋噴嘴182。
如圖1及圖2所示，複數之蓋噴嘴182係設於腔室蓋部23之上部。複數之蓋噴嘴182係以中心軸J1為中心呈圓周狀配置。如圖2所示，於各蓋噴嘴182之下端設置有第1氣體噴出口184。自惰性氣體供給部816送出之惰性氣體，係自設於腔室蓋部23之上部之複數之第1氣體噴出口184而供給於蓋內部空間231。
如圖1所示，上部中央噴嘴181係設於遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551內。如圖2所示，於上部中央噴嘴181之下端之中央部設置有朝基板9之上表面91供給處理液(亦即，來自藥液供給部813之藥液、及來自純水供給部814之純水)之處理液噴吐口183。此外，於上部中央噴嘴181之下端，於處理液噴吐口183之周圍設置有大致環狀之第2氣體噴出口185。自惰性氣體供給部816送出之惰性氣體，係自第2氣體噴出口185朝遮蔽板51之下方的空間(亦即，遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間的空間)供給。上部中央噴嘴181之下端係於上下方向上與遮蔽板51之下表面512配置於大致相同之位置。亦即，上部中央噴嘴181之處理液噴吐口183及第2氣體噴出口185係設於遮蔽板51之下表面512之中央部。
氣液排出部19具備本體排出口226a、蓋部排出口 237、氣液分離部193、本體排氣部194、藥液回收部195、排液部196、氣液分離部197、蓋排氣部198及排液部199。本體排出口226a係設於腔室本體22，且與氣液分離部193連接。氣液分離部193分別經由閥而與本體排氣部194、藥液回收部195、及排液部196連接。蓋部排出口237係設於腔室蓋部23，且與氣液分離部197連接。氣液分離部197分別經由閥而與蓋排氣部198及排液部199連接。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係藉由控制部10所控制。第1移動機構41、第2移動機構42、第3移動機構43、基板旋轉機構35及遮蔽板旋轉機構55(參照圖1)也由控制部10所控制。
自藥液供給部813經由上部中央噴嘴181而供給於基板9上之藥液，例如為聚合物除去液、或氟酸、氫氧化四甲基銨水溶液等之蝕刻液。純水供給部814經由上部中央噴嘴181將純水(DIW：deionized water)供給於基板9。處理液供給部811也可具備供給上述藥液及純水以外之處理液之其他供給部。自惰性氣體供給部816供給之氣體例如為氮氣(N2)。氣體供給部812也可具備供給氮氣以外之惰性氣體或惰性氣體以外之氣體之其他供給部。
如圖1所示，腔室本體22具備外筒部223、外筒連接部224、杯部225、及本體底部226。杯部225係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。杯部225係於腔室蓋部23之下方位於基板旋轉機構35之徑向外側全周。杯部225具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之杯側壁部227a、及自杯側壁部227a之上端朝徑向內側擴展之大致圓環板狀之杯頂蓋部227b。杯頂蓋部227b之中央之開口係上述上部開口222。
外筒部223係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。外筒部223係位於杯部225之徑向外側全周。外筒部223例如為於上下方向交替地排列有各自為圓周狀之複數條峰折線及各自為圓周狀之複數條谷折線而成之波紋管。於外筒部223、杯部225及基板保持部31之下方配置有有底大致筒狀之本體底部226。外筒部223之下端部係連接於本體底部226之側壁部之上端部全周。於本體底部226之底面部設置有上述本體排出口226a。本體排出口226a係於腔室本體22之內部空間即本體內部空間221中配置於基板9、基板保持部31及杯部225之下方。腔室本體22內之液體及氣體經由本體排出口226a朝腔室本體22外(即腔室21外)排出。於本體底部226中，也可設置排列於圓周方向之複數之本體排出口226a。
外筒連接部224係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。外筒連接部224連接外筒部223之上端部及杯部225之外緣部。具體而言，外筒連接部224連接外筒部223之上端部及杯頂蓋部227b之外緣部。藉由外筒連接部224將外筒部223之上端部與杯部225之間的間隙封閉。
腔室蓋部23具備蓋本體部233、及蓋底面部234。蓋本體部233係以中心軸J1為中心之有蓋大致圓筒狀。換言之，蓋本體部233係將上下顛倒之杯狀。如已述之，蓋本體部233之中央部之貫通孔、即腔室蓋部23之上部之貫通孔，係藉由伸縮構件111、552、外殼11之上部之一部分、及凸緣部553所封閉。封閉該貫通孔之這些構件，可作為蓋本體部233之一部分。此外，由伸縮構件111、552形成之筒狀之空間係蓋內部空間231之一部分。
蓋底面部234係以中心軸J1為中心之大致圓環板 狀，於中央部設置有上述下部開口232。蓋底面部234係自蓋本體部233之下端部朝徑向內側擴展。蓋底面部234之上表面235及下表面236，係隨著朝徑向外側而向下方之傾斜面。於腔室蓋部23之蓋底面部234與蓋本體部233之連接部設置有上述之蓋部排出口237。蓋內部空間231內之液體及氣體經由蓋部排出口237被排出。
於圖1所示之狀態下，遮蔽板51重疊於腔室蓋部23之下部開口232上。此時，遮蔽板51之下表面512係於下部開口232之周邊全周接觸於蓋底面部234之上表面235。具體而言，遮蔽板51之下表面512之外周部係接觸於蓋底面部234之上表面235中的下部開口232附近之部位全周。藉此，腔室蓋部23之下部開口232藉由遮蔽板51所封閉，下部開口232之上方之蓋內部空間231成為閉合空間。再者，於本實施形態中，由於遮蔽板51與蓋底面部234之接觸部不是完全氣密之構造，因此蓋內部空間231沒有完全與外部之空間隔絕，但也可將該接觸部設為具備密封構件等之氣密構造，使蓋內部空間231成為與外部之空間隔絕之密封空間。
第1移動機構41例如配置於外殼11之上側。第1移動機構41係使遮蔽板51與遮蔽板旋轉機構55一同於上下方向移動。遮蔽板51藉由第1移動機構41而於腔室蓋部23之蓋內部空間231內沿上下方向移動。如上述，由於遮蔽板51係較腔室蓋部23之下部開口232大，因而遮蔽板51無法經由下部開口232朝腔室蓋部23之外部(亦即蓋底面部234之下方)移動。第1移動機構41例如具備馬達及滾珠螺桿(於第2移動機構42及第3移動機構43中也同樣)。
第2移動機構42係配置於腔室本體22之側面，使腔 室蓋部23於上下方向移動。具體而言，腔室蓋部23藉由第2移動機構42而於圖1所示之「上位置」與圖3所示之「下位置」之間移動。於腔室蓋部23配置於上位置之狀態下，下部開口232係較基板保持部31上之基板9位於上方，於腔室蓋部23配置於下位置之狀態下，下部開口232係較基板保持部31上之基板9位於下方。於腔室蓋部23自上位置朝較上位置下方之下位置移動時，遮蔽板51也藉由第1移動機構41於上下方向移動，而變更遮蔽板51之相對於腔室蓋部23之上下方向之相對位置。亦即，第1移動機構41及第2移動機構42係使遮蔽板51於腔室蓋部23之蓋內部空間231中相對於腔室蓋部23相對地於上下方向移動之遮蔽板移動機構。
第3移動機構43係配置於腔室本體22之側面，使腔室本體22之一部分於上下方向移動。具體而言，藉由第3移動機構43使腔室本體22之杯部225於圖1及圖3所示之「下位置」與圖4所示之「上位置」之間移動。於杯部225配置於下位置之狀態下，上部開口222較基板保持部31上之基板9位於下方，於杯部225配置於上位置之狀態下，上部開口222較基板保持部31上之基板9位於上方。於杯部225朝上下方向移動時，外筒部223於上下方向伸縮。基板處理裝置1中，於腔室本體22之杯部225自下位置朝較下位置上方之上位置移動時，也變更遮蔽板51之相對於腔室蓋部23之上下方向之相對位置。再者，於基板處理裝置1中，腔室本體22之本體底部226及基板保持部31不於上下方向移動。
如圖3所示，於腔室蓋部23位於下位置且腔室本體22之杯部225也位於下位置之狀態下，使腔室蓋部23之下部開口232與腔室本體22之上部開口222對向，並藉由腔室蓋部23覆蓋 該上部開口222。藉此，形成內部具有密封空間(亦即，包含蓋內部空間231及本體內部空間221之空間，以下稱為「腔室空間」)之腔室21。具體而言，於腔室蓋部23中，藉由使蓋本體部233與蓋底面部234之連接部與腔室本體22之外筒部223接觸而形成腔室21。
此外，如圖4所示，於腔室本體22之杯部225位於上位置，且腔室蓋部23也位於上位置之狀態下，也同樣地藉由腔室蓋部23覆蓋腔室本體22之上部開口222而形成腔室21。如圖3及圖4所示，於腔室21之內部(亦即，腔室空間)收容有基板9及基板保持部31。亦即，第2移動機構42及第3移動機構43係使腔室蓋部23相對於腔室本體22於上下方向相對地移動，藉由腔室蓋部23覆蓋於腔室本體22之上部開口222而形成腔室21之腔室開閉機構。
其次，參照圖5並對由基板處理裝置1進行之基板9之處理流程進行說明。於基板處理裝置1中，首先，如圖1所示，腔室蓋部23位於上位置，且腔室本體22之杯部225位於下位置。換言之，腔室21為開啟之狀態。此外，以遮蔽板51之下表面512接觸於蓋底面部234之上表面235之方式，使遮蔽板51俯視為重疊於腔室蓋部23之下部開口232。藉此，將下部開口232封閉而使蓋內部空間231成為閉合空間。於該狀態下，藉由氣體供給部812(參照圖2)，且經由複數之第1氣體噴出口184朝蓋內部空間231供給氮氣。此外，蓋內部空間231之氣體自蓋部排出口237朝腔室蓋部23之外部排出。藉此，將氮氣填充於蓋內部空間231內(步驟S11)。
再者，於步驟S11中，不一定要藉由遮蔽板51將腔 室蓋部23之下部開口232氣密性地密封，只要遮蔽板51重疊於下部開口232，也可為於遮蔽板51與蓋底面部234之間存在有些微之間隙之封閉形態。既使於此種封閉之形態中，只要也對自氣體供給部812朝蓋內部空間231之氮氣之供給量進行控制，藉由使朝蓋內部空間231之氮氣之流入量與來自該間隙及蓋部排出口237之氣體之流出量大致相等，將氮氣填充於蓋內部空間231內。並且，藉由適宜地控制該氮氣之流入量等，即可設定為將蓋內部空間231內之氧濃度降低至處理上所必要之程度之低氧狀態。再者，於圖1中，雖有圖示基板9，但步驟S11係於基板9被搬入基板處理裝置1之前即進行。
接著，如上述於腔室蓋部23自腔室本體22分離之狀態下，自設於外殼11之搬出入口(省略圖示)將基板9搬入外殼11內，且藉由基板保持部31進行保持(步驟S12)。於步驟S12中，基板9於較腔室本體22之上部開口222更上方處藉由基板保持部31所保持。
若由基板保持部31保持基板9後，則藉由第1移動機構41及第2移動機構42之驅動，使遮蔽板51及腔室蓋部23朝下方移動。腔室蓋部23自圖1所示之上位置朝圖3所示之下位置移動。換言之，腔室蓋部23相對於腔室本體22於上下方向相對地移動。然後，藉由腔室蓋部23覆蓋腔室本體22之上部開口222，藉以形成內部收容基板9及基板保持部31之腔室21(步驟S13)。此外，與步驟S13同步，遮蔽板51相對於腔室蓋部23相對地上昇，於腔室21內，遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離(步驟S14)。
如上述，藉由腔室蓋部23自上位置朝下位置移動，保持於基板保持部31之基板9通過腔室蓋部23之下部開口232而朝蓋內部空間231移動。換言之，於步驟S13、S14中形成有腔室21之狀態下，基板9係位於腔室空間中的蓋內部空間231。如上述由於在蓋內部空間231內填充有氮氣，因此藉由使基板9朝蓋內部空間231移動，可使基板9之周圍迅速成為氮氣氣氛(亦即，低氧氣氛)。於蓋內部空間231中，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512係於上下方向對向而靠近。
於基板處理裝置1中，於步驟S11之後也仍繼續藉由氣體供給部812進行之氮氣供給，而直到對基板9之一系列之處理結束為止。於圖3所示之狀態下，藉由自較遮蔽板51位於上方之複數個蓋噴嘴182之第1氣體噴出口184(參照圖2)朝蓋內部空間231供給氮氣，使蓋內部空間231之氣壓變得較氣221之氣壓高。換言之，蓋內部空間231成為陽壓狀態。因此，蓋內部空間231之氮氣自遮蔽板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間的間隙，經由下部開口232及上部開口222朝本體內部空間221流出(亦即，自蓋內部空間231朝本體內部空間221送出)。此外，本體內部空間221之氣體自本體排出口226a朝腔室21之外部排出。藉此，本體內部空間221內也供給且填充有來自氣體供給部812之氮氣。換言之，藉由氣體供給部812朝腔室21內供給且填充有氮氣(步驟S15)。以下，稱步驟S15之處理為「氣體置換處理」。
於步驟S15中，來自氣體供給部812之氮氣經由上部中央噴嘴181之第2氣體噴出口185(參照圖2)還供給於遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間的空間。藉此，可將遮蔽 板51與基板9之間的空間之氣體氣氛迅速地置換為氮氣氣氛。再者，於步驟S11~S14之間之任一步驟中，也可根據需要自第2氣體噴出口185供給氮氣。尤其是於步驟S14中，藉由自第2氣體噴出口185供給氮氣，可效率更良好地進行步驟S15之氣體置換處理。
其次，藉由第1移動機構41、第2移動機構42及第3移動機構43之驅動，使遮蔽板51、腔室蓋部23及腔室本體22之杯部225朝上方移動。腔室蓋部23及腔室本體22之杯部225分別自圖3所示之下位置朝圖4所示之上位置移動。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43使基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地下降。第2移動機構42及第3移動機構43係使基板9與基板保持部31一同於上下方向相對於腔室21相對地移動之基板移動機構。遮蔽板51之相對於腔室蓋部23之相對位置未被變更，維持遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離之狀態。
如上述，藉由腔室21自下位置朝上位置移動，於腔室21內使基板9自蓋內部空間231經由下部開口232及上部開口222朝本體內部空間221移動(步驟S16)。藉此，杯部225於腔室蓋部23之下方位於基板9及基板保持部31之徑向外側全周。
若基板9位於本體內部空間221後，則開始藉由基板旋轉機構35進行基板9之旋轉。然後，藉由處理液供給部811且經由上部中央噴嘴181之處理液噴吐口183(參照圖2)朝旋轉中之基板9之上表面91上供給處理液(步驟S17)。供給於旋轉之基板9之中央部之處理液，於上表面91上藉由離心力朝徑向外側移動，自基板9之外緣朝杯部225飛散。藉由杯部225接取之處理液，經由 配置於杯部225之下方之本體排出口226a朝腔室21外排出。
於基板處理裝置1中，藉由朝基板9之上表面91供給既定時間之處理液，對基板9之上表面91進行既定之處理。以下，稱步驟S17之處理為「液處理」。於步驟S17中，於既定時間內朝基板9上供給自藥液供給部813供給之藥液(例如，聚合物除去液或蝕刻液等)之後，停止藥液之供給。藉此，進行基板9之上表面91之藥液處理。基板9上之藥液藉由基板9之旋轉而朝杯部225飛散，被自基板9上除去。藉由杯部225接取之藥液，經由本體排出口226a朝腔室21外排出，並藉由藥液回收部195(參照圖2)回收。接著，藉由於既定時間內朝基板9上供給自純水供給部814供給之純水，進行基板9之上表面91之清洗處理。藉由杯部225接取之純水，經由本體排出口226a朝腔室21外排出，然後由排液部196廢棄。
於基板處理裝置1中，也可設置複數個同心圓狀配置於杯部225之杯體。該情況下，於切換供給於基板9上之處理液之種類時，以接取來自基板9之處理液之杯體也被切換為較佳。藉此，於步驟S17中利用複數種類之處理時，可容易辨別回收或廢棄複數種之處理液。
於步驟S17中對基板9進行處理液供給之期間，也如上述，繼續藉由氣體供給部812進行氮氣之供給。於圖4所示之狀態下，也與圖3所示之狀態同樣地，自位於較遮蔽板51上方之複數之蓋噴嘴182的第1氣體噴出口184朝蓋內部空間231供給氮氣。藉此，以蓋內部空間231之氣壓變得較本體內部空間221之氣壓高，蓋內部空間231成為陽壓狀態為較佳。藉由蓋內部空間231 成為陽壓狀態，蓋內部空間231之氮氣自遮蔽板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間的間隙經由下部開口232及上部開口222朝本體內部空間221送出。此外，自蓋內部空間231朝本體內部空間221流入之氮氣，經由本體排出口226a被吸引後朝腔室21外排出。
藉此，腔室21內形成依序通過遮蔽板51之外周緣附近、下部開口232之外周緣附近、上部開口222之外周緣附近、及基板9之外周緣附近之大致圓筒狀之氮氣之氣流。由於對基板9之上表面91之處理液之供給，係於該大致圓筒狀之氣流之內部進行，因此可抑制處理液之霧氣或粉塵等通過大致圓筒狀之氣流而自遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙朝蓋內部空間231進入。此外，藉由該氣流等使處理液之霧氣或粉塵等迅速朝下方移動，可迅速地朝腔室21外排出。
於基板處理裝置1中，藉由本體排出口226a配置於杯部225之下方，可容易形成該氣流。再者，該氣流之流速等，藉由變更來自複數之蓋噴嘴182之氮氣之供給量、及遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙之大小等，可容易地進行調整。此外，若有形成該氣流，本體排出口226a不一定要配置於杯部225之下方，只要配置於較位於本體內部空間221之基板9及基板保持部31下方即可。
於步驟S17中，也可經由上部中央噴嘴181之第2氣體噴出口185對遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間的空間供給氮氣。如此，於上述大致圓筒狀之氣流之內側，藉由形成朝基板9之上表面91之氣流，可將存在於基板9之上方之空間之處理液之霧氣或粉塵等朝該大致圓筒狀之氣流擠出。其結果， 可進一步抑制處理液之霧氣或粉塵等進入蓋內部空間231，並可更迅速地將該處理液之霧氣或粉塵等朝腔室21外排出。
若對基板9之處理液之供給結束，則藉由第1移動機構41、第2移動機構42及第3移動機構43之驅動，使遮蔽板51、腔室蓋部23及腔室本體22之杯部225朝下方移動。腔室蓋部23及腔室本體22之杯部225分別自圖4所示之上位置朝圖3所示之下位置移動。換言之，藉由第2移動機構42及第3移動機構43使基板9與基板保持部31一同相對於腔室21相對地上昇。遮蔽板51之相對於腔室蓋部23之相對位置未被變更，而維持遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離之狀態。
如上述，藉由腔室21自上位置朝下位置移動，於腔室21內使基板9自本體內部空間221經由上部開口222及下部開口232朝蓋內部空間231移動(步驟S18)。於蓋內部空間231，基板9之上表面91與遮蔽板51之下表面512係於上下方向對向而靠近。
接著，藉由基板旋轉機構35使基板9與基板保持部31一同以中心軸J1為中心以較高之高速進行旋轉。藉此，基板9上之處理液(例如，純水)於上表面91上朝徑向外側移動，自基板9之外緣朝周圍飛散。其結果，除去基板9上之處理液(步驟S19)。以下，稱步驟S19之處理為「乾燥處理」。步驟S19中之基板9之旋轉速度，係較步驟S17中之基板9之旋轉速度大。
於步驟S19中，自旋轉之基板9飛散之處理液，由蓋本體部233之內面及蓋底面部234之上表面235所接取，且朝蓋本體部233與蓋底面部234之連接部移動。並且，該處理液(亦即，步驟S19中自基板9上除去之處理液)藉由蓋部排出口237朝腔室 蓋部23外(亦即，腔室21外)排出。於腔室蓋部23中，如上述，蓋底面部234之上表面235係隨著朝徑向外側而向下方之傾斜面。因此，可防止上表面235上之處理液朝下部開口232移動。此外，由於上表面235上之處理液迅速地朝徑向外側移動，因此，可實現來自蓋內部空間231之處理液之迅速之排出。
於蓋內部空間231中藉由基板旋轉機構35使基板9旋轉時(亦即，步驟S19中)，藉由遮蔽板旋轉機構55使遮蔽板51在沿上下方向靠近基板9之上表面91之位置，且朝與基板9相同之旋轉方向以與基板9之旋轉速度大致相等之旋轉速度以中心軸J1為中心進行旋轉。藉由靠近基板9之上表面91配置遮蔽板51，可抑制(或防止)自基板9飛散之處理液再附著於基板9之上表面91。此外，藉由遮蔽板51進行旋轉，可使附著於遮蔽板51之上表面511及下表面512之處理液朝周圍飛散，而自遮蔽板51上除去。
基板處理裝置1中，於步驟S19，經由上部中央噴嘴181之第2氣體噴出口185(參照圖2)朝遮蔽板51之下表面512與基板9之上表面91之間的空間供給氮氣。藉此，可自基板9與遮蔽板51之間的空間更迅速地排出處理液，可促進基板9之乾燥。
若基板9之乾燥處理結束，則藉由第1移動機構41及第2移動機構42之驅動，使遮蔽板51及腔室蓋部23朝上方移動。腔室蓋部23自圖3所示之下位置朝圖1所示之上位置移動。藉此，腔室蓋部23與腔室本體22於上下方向分離，將腔室21開放。然後，實施了上述一系列之處理之基板9自設於外殼11之搬出入口(省略圖示)朝外殼11外搬出(步驟S20)。此外，遮蔽板51係相對於腔室蓋部23相對地下降，與蓋底面部234接觸而將下部開 口232封閉。並且，藉由自氣體供給部812供給之氮氣，與步驟S11同樣地，於蓋內部空間231內填充氮氣。於基板處理裝置1中，對複數之基板9依序進行上述之步驟S11~S20。
如以上之說明，於基板處理裝置1中，於腔室蓋部23之蓋內部空間231設置有徑向之大小較下部開口232大之遮蔽板51。並且，於較搬入基板9而形成腔室21之前，於步驟S11中，於遮蔽板51重疊於下部開口232之狀態下，將自氣體供給部812供給之氣體填充於腔室蓋部23之蓋內部空間231。藉此，於腔室21形成之後，可迅速地將腔室21內設定為所需之氣體氣氛。其結果，可縮短自腔室21之形成至該氣體氣氛中之基板9之處理開始為止的時間，可提高基板處理裝置1之生產性。
基板處理裝置1中，如上述，藉由將自氣體供給部812供給之氣體設定為氮氣等之惰性氣體，可迅速地進行於低氧氣氛中之基板9之液處理。其結果，可抑制設於基板9之上表面91之金屬膜的氧化等。
如上述，腔室蓋部23具備蓋本體部233及蓋底面部234。於步驟S11中，藉由遮蔽板51之下表面512與蓋底面部234之上表面235接觸，將腔室蓋部23之下部開口232封閉。藉此，可迅速且容易地進行朝蓋內部空間231之氣體之填充。
於步驟S13中形成有腔室21之狀態下，基板9位於預先填充有氣體之蓋內部空間231。藉此，於腔室21之形成後，可迅速地將基板9之周圍設定為所希望之氣體氣氛。
如上述，於步驟S15中，於將基板9配置於蓋內部空間231之狀態下進行氣体置換處理，於步驟S16中，藉由第2移動 機構42及第3移動機構43使腔室21朝上位置移動，藉此，基板9自蓋內部空間231朝本體內部空間221相對地移動。此外，於步驟S17中，於將基板9配置於本體內部空間221之狀態下進行對基板9之液處理，於步驟S18中，藉由第2移動機構42及第3移動機構43使腔室21朝下位置移動，藉此，基板9自本體內部空間221朝蓋內部空間231相對地移動。並且，於步驟S19中，於將基板9配置於蓋內部空間231之狀態下進行基板9之乾燥處理。
如此，於基板處理裝置1中，第2移動機構42及第3移動機構43係作為使基板9於蓋內部空間231與本體內部空間221之間相對於腔室21相對地移動之基板移動機構而作用。該基板移動機構之使基板9之相對移動，係於腔室21內，且於遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離之狀態下，經由下部開口232及上部開口222而進行。藉此，可配合處理內容而於本體內部空間221與蓋內部空間231之間對進行複數之處理(亦即，氣體置換處理、液處理及乾燥處理之一系列之處理)之空間進行切換，其中這些處理係對基板9進行之處理。
於步驟S17中之液處理中，藉由配置於腔室蓋部23之下方之杯部225，接取自旋轉之基板9飛散之處理液。藉此，可容易回收使用於液處理之處理液。如上述，於杯部225之周圍設置有藉由與腔室蓋部23接觸而形成腔室21之外筒部223。外筒部223之上部與杯部225之間的間隙係藉由外筒連接部224所封閉，藉此，可於腔室21內將填充來自氣體供給部812之氣體之空間減小。其結果，可縮短步驟S15中之氣體置換處理所需要之時間。
於步驟S17之液處理中，不一定要形成上述之大致圓 筒狀之氣流。即使為於腔室21內沒有形成上述大致圓筒狀之氣流之情況，藉由將蓋內部空間231之氣壓加以增高至高於本體內部空間221之氣壓而使蓋內部空間231成為陽壓狀態，可抑制處理液之霧氣或粉塵等自遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙進入蓋內部空間231內。
基板處理裝置1中，如圖6所示，處理液供給部811(參照圖2)也可具備掃描噴嘴186。掃描噴嘴186係安裝於腔室蓋部23且配置於蓋內部空間231。掃描噴嘴186係利用於朝基板9上之處理液之供給。掃描噴嘴186具備噴吐頭861及噴吐頭支撐部862。噴吐頭861係朝下方吐出處理液之噴吐部。噴吐頭支撐部862係支撐噴吐頭861且沿大致水平方向延伸之構件。噴吐頭支撐部862之一端部(亦即，固定端部)，係於蓋內部空間231內安裝於腔室蓋部23之蓋本體部233之頂蓋部。於噴吐頭支撐部862之另一端部(亦即，自由端部)固定有噴吐頭861。
圖6所示之基板處理裝置1具備噴吐頭旋轉機構863。噴吐頭旋轉機構863安裝於腔室蓋部23之頂蓋部之上表面。噴吐頭旋轉機構863係以噴吐頭支撐部862之固定端部為中心，使噴吐頭861與噴吐頭支撐部862一同大致水平地旋轉。圖6中，顯示自掃描噴嘴186朝基板9之上表面91上供給處理液之狀態，但於不將掃描噴嘴186使用於處理液供給而待機之狀態下，掃描噴嘴186係於腔室蓋部23之下部開口232之徑向外側被配置於蓋底面部234之上方。
圖6所示之基板處理裝置1中之基板9之處理流程，係與上述步驟S11~S20(參照圖5)大致相同。於圖6所示之例中， 也與上述說明同樣地，步驟S17之液處理係於腔室21(亦即，腔室蓋部23及腔室本體22)位於上位置且遮蔽板51自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離之狀態下進行。於朝基板9上供給處理液時，首先，於下部開口232之徑向外側，藉由噴吐頭旋轉機構863使待機中之噴吐頭861旋轉，且如圖6所示配置於遮蔽板51與下部開口232之間。
接著，自噴吐頭861經由下部開口232朝於本體內部空間221中進行旋轉中之基板9之上表面91吐出處理液。然後，藉由使對基板9之處理液之供給維持既定時間，而進行對基板9之上表面91之液處理。對基板9之液處理中，位於下部開口232之上方之噴吐頭861，藉由噴吐頭旋轉機構863於與基板9之中央部對向之位置及與基板9之外周部對向之位置之間持續地進行往返移動。藉此，可提高對基板9之上表面91之液處理之均勻性。
如6所示之例中，於步驟S17之液處理中，噴吐頭支撐部862位於遮蔽板51與腔室蓋部23之蓋底面部234之間的間隙。然而，由於在該間隙之噴吐頭支撐部862以外之區域存在有上述大致圓筒狀之氣流，因此與上述同樣地，可抑制處理液之霧氣或粉塵等自遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙進入蓋內部空間231內。此外，液處理中，雖噴吐頭支撐部862係於上述間隙中移動，但與噴吐頭支撐部862之位置無關而於該間隙之噴吐頭支撐部862以外之區域仍存在有大致圓筒狀之氣流。因此，與噴吐頭861及噴吐頭支撐部862之移動無關，可抑制處理液之霧氣或粉塵等進入蓋內部空間231。
另一方面，如上述，於步驟S17之液處理中，於自上 部中央噴嘴181之處理液噴吐口611(參照圖2)供給處理液之情況，由於在遮蔽板51與蓋底面部234之間的間隙不存在噴吐頭支撐部862等之構件，因此與利用掃描噴嘴186之情況比較，可抑制上述大致圓筒狀之氣流之混亂。
於上述基板處理裝置1中，可進行各種之變更。
例如，於步驟S15之氣體置換處理中，也可不進行來自設於遮蔽板51之下表面512之第2氣體噴出口185之氣體之噴出。於步驟S17之液處理、及步驟S19之乾燥處理中也同樣。該情況下，也可省略第2氣體噴出口185。
於步驟S17之液處理中，也可藉由使遮蔽板51之下表面512接觸於腔室蓋部23之蓋底面部234，而由遮蔽板51將腔室蓋部23之下部開口232封閉。於該情況下，也可抑制處理液之霧氣或粉塵等進入蓋內部空間231。
於步驟S19之乾燥處理中，也可使靠近基板9之上表面91之遮蔽板51於圓周方向固定於基板保持部31，藉由基板旋轉機構35與基板9及基板保持部31一同旋轉。該情況下，也與上述同樣地，可於乾燥處理時防止處理液朝基板9之再附著，並還可自遮蔽板51上除去處理液。於遮蔽板51藉由基板旋轉機構35進行旋轉之情況下，也可省略遮蔽板旋轉機構55。
圖1所示之例中，上述腔室開閉機構雖包括移動腔室蓋部23之第2移動機構42、及移動腔室本體22之第3移動機構43，但例如也可省去第2移動機構42及第3移動機構43中之一者，僅利用另一者作為腔室開閉機構。此外，於圖1所示之例中，遮蔽板移動機構包括移動遮蔽板51之第1移動機構41及移動腔室蓋部 23之第2移動機構42，但例如也可省去第1移動機構41及第2移動機構42中之一者，僅利用另一者作為遮蔽板移動機構。
圖1所示之例中，上述基板移動機構雖包括移動腔室蓋部23之第2移動機構42、及移動腔室本體22之第3移動機構43，但基板移動機構例如也可為於腔室21停止之狀態下，於腔室21內使基板保持部31於上下方向移動之機構。
於基板處理裝置1中，於步驟S13中形成有腔室21時，不一定要使腔室蓋部23自上位置朝下位置移動。於步驟S13中，例如，腔室本體22也可藉由第3移動機構43自圖1所示之下位置朝圖3所示之上位置移動，而形成腔室21。該情況下，於與步驟S13同步進行之步驟S14中，藉由第1移動機構41使遮蔽板51朝上方移動，自腔室蓋部23之下部開口232朝上方分離。此外，於步驟S15中，於基板9位於本體內部空間221之狀態下進行氣體置換處理。因此，可省去自基板9之蓋內部空間231朝本體內部空間221之相對移動(步驟S16)，接續步驟S15進行基板9之液處理(步驟S17)。
於基板處理裝置1中，例如，也可取代圖1所示之腔室蓋部23，如圖7所示，設置外徑較腔室本體22小之腔室蓋部23a。圖7所示之例中，藉由有蓋大致圓筒狀之腔室蓋部23a之外周下端部與腔室本體22之杯部225之上表面接觸，藉由腔室本體22之上部開口222將腔室蓋部23a封閉，形成腔室21。此外，於腔室蓋部23a不設置蓋底面部234(參照圖1)，且下部開口232之徑向之大小與腔室蓋部23a之徑向之大小大致相等。於蓋內部空間231配置有徑向之大小較腔室蓋部23a之外徑略小之遮蔽板51。遮蔽板51係 藉由於與腔室蓋部23之下部開口232在上下方向上大致相同位置上，俯視為重疊於下部開口232，雖於其周圍存在有略微之間隙但實質上將下部開口232封閉。於該狀態下，將來自氣體供給部71之氣體填充於蓋內部空間231。
如圖8所示，也可採用將腔室蓋部23與腔室本體22之杯部225作為一個相連之構件而形成之腔室21a。換言之，腔室本體22係與腔室蓋部23一同形成腔室21a。於基板處理裝置1a中，杯頂蓋部227b之中央之開口(亦即，腔室本體22之上部開口)藉由腔室蓋部23所覆蓋，而形成腔室21a。腔室本體22之上部開口也是腔室蓋部23之下部開口。
於腔室21a中，於腔室蓋部23設置有側部開口239，於基板9朝腔室21a內搬入及朝腔室21a外搬出時，基板9通過側部開口239。側部開口239係藉由側部開口開閉機構39而進行開閉。圖8之基板處理裝置1a中，省去圖1之基板處理裝置1中之第3移動機構43，藉由第2移動機構42使腔室蓋部23及杯部225於上下方向移動。藉此，基板9選擇性地被配置於蓋內部空間231與本體內部空間221。於基板處理裝置1a中，也於基板9配置於本體內部空間221時執行藉由處理液進行之液處理，且於基板9配置於蓋內部空間231時進行基板9之乾燥處理。
於上述液處理中，與上述同樣地，藉由將蓋內部空間231之氣壓增加至高於本體內部空間221之氣壓，可抑制處理液之霧氣或粉塵等自遮蔽板51與杯頂蓋部227b(亦是腔室蓋部23之蓋底面部)之間的間隙進入蓋內部空間231。
於基板處理裝置1中，也可進行半導體基板以外之各 種之對基板之處理。此外，基板處理裝置1中，不限於聚合物除去或蝕刻，也可使用鹽酸或氟酸等之各種之處理液，進行於低氧環境下進行之較佳之各種之液處理。為了實現低氧狀態，供給於腔室21之氣體也不限於氮氣，而可為氬等之惰性氣體。供給於腔室21之氣體，也可為用以將腔室21內設定為所需之氣體氣氛之氣體，例如，對氣體組成比進行管理之混合氣體(亦即，混合了複數種類之氣體者)。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，也可適宜地組合。
以上詳細地對發明進行了說明，但已敘述之說明僅為例示而已，非用來限制本發明。因此，只要未超出本發明之實質範圍，即可進行多種之變形及變更。
J1‧‧‧中心軸
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
21‧‧‧腔室
22‧‧‧腔室本體
23‧‧‧腔室蓋部
31‧‧‧基板保持部
35‧‧‧基板旋轉機構
41‧‧‧第1移動機構
42‧‧‧第2移動機構
43‧‧‧第3移動機構
51‧‧‧遮蔽板
55‧‧‧遮蔽板旋轉機構
91‧‧‧上表面
181‧‧‧上部中央噴嘴
182‧‧‧蓋噴嘴
221‧‧‧本體內部空間
222‧‧‧上部開口
223‧‧‧外筒部
225‧‧‧杯部
226a‧‧‧本體排出口
231‧‧‧蓋內部空間
232‧‧‧下部開口
233‧‧‧蓋本體部
234‧‧‧蓋底面部
235‧‧‧上表面
237‧‧‧蓋部排出口
511‧‧‧遮蔽板51之上表面
512‧‧‧遮蔽板51之下表面

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：腔室蓋部，其具有下部開口，且在上述下部開口之上方形成有蓋內部空間；腔室本體，其形成有本體內部空間，並且與上述腔室蓋部一同形成腔室；基板保持部，其在上述本體內部空間內以水平狀態保持基板；處理液供給部，其對上述基板之上表面供給處理液；遮蔽板，其配置在上述蓋內部空間，且對向於上述基板之上述上表面，可封閉上述下部開口；氣體供給部，其在上述腔室內，在上述遮蔽板自上述腔室蓋部之上述下部開口而分離至上方之狀況下，藉由自較上述遮蔽板為更上方而對上述蓋內部空間供給氣體，將上述蓋內部空間之氣壓加以增高至高於上述本體內部空間之氣壓，並自上述遮蔽板與上述腔室蓋部之間的間隙而經由上述下部開口將上述蓋內部空間之上述氣體送出至上述本體內部空間；及排出口，其在上述本體內部空間中被設置在較上述基板為更下方，吸引自上述蓋內部空間所流入之上述氣體並排出至上述腔室外。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在上述遮蔽板之下表面之中央部，設置有氣體噴出口，且藉由上述氣體供給部而經由上述氣體噴出口，亦對上述遮蔽板之上述下表面與上述基板之上述上表面之間的空間供給上述氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，在上述遮蔽板 之下表面之中央部，設置有處理液噴吐口，且藉由上述處理液供給部而經由上述處理液噴吐口對上述基板之上述上表面供給處理液。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
  6. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，且 在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
  7. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有：噴吐頭，其吐出處理液；及噴吐頭支撐部，其為延伸在水平方向之構件，在自由端部固定有上述噴吐頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部，上述基板處理裝置係更進一步具備有噴吐頭旋轉機構，該噴吐頭旋轉機構係以上述固定端部為中心，使上述噴吐頭與上述噴吐頭支撐部一同進行旋轉，在向上述基板上供給處理液之時，藉由上述噴吐頭旋轉機構使上述噴吐頭產生旋轉而配置在上述遮蔽板與上述下部開口之間，且經由上述下部開口而自上述噴吐頭向上述基板之上述上表面吐出處理液。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上 述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
  10. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，且在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在上述遮蔽板之下表面之中央部，設置有處理液噴吐口，且 藉由上述處理液供給部而經由上述處理液噴吐口對上述基板之上述上表面供給處理液。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
  14. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，且在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機 構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有：噴吐頭，其吐出處理液；及噴吐頭支撐部，其為延伸在水平方向之構件，在自由端部固定有上述噴吐頭，固定端部為在上述蓋內部空間中被安裝在上述腔室蓋部，上述基板處理裝置係更進一步具備有噴吐頭旋轉機構，該噴吐頭旋轉機構係以上述固定端部為中心，使上述噴吐頭與上述噴吐頭支撐部一同進行旋轉，在向上述基板上供給處理液之時，藉由上述噴吐頭旋轉機構使上述噴吐頭產生旋轉而配置在上述遮蔽板與上述下部開口之間，且經由上述下部開口而自上述噴吐頭向上述基板之上述上表面吐出處理液。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供 給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
  18. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，且在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
  19. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有遮蔽板移動機構，該遮蔽板移動機構係使上述遮蔽板在上述蓋內部空間中相對於上述腔室蓋部而以相對之方式移動在上述上下 方向上，在上述腔室被形成之前，在上述遮蔽板重疊在上述腔室蓋部之上述下部開口之狀態下，藉由上述氣體供給部，對上述蓋內部空間供給上述氣體，並對上述蓋內部空間填充上述氣體。
  20. 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係具備有：杯狀之蓋本體部，其將上下加以顛倒；及環狀之蓋底面部，其自上述蓋本體部之下端部而擴展至徑向內側，並且在中央部設置有上述下部開口，且重疊在上述下部開口部的上述遮蔽板之下表面，係藉由以遍及上述下部開口之周邊全周之方式接觸至上述蓋底面部之上表面而將上述下部開口加以封閉。
  21. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：基板移動機構，其使上述基板與上述基板保持部一同相對於上述腔室而以相對之方式移動在上述上下方向上；及基板旋轉機構，其以朝向上述上下方向之中心軸為中心而使上述基板與上述基板保持部一同進行旋轉，且在對上述基板之處理液之供給結束之後，藉由上述基板移動機構，使上述基板自上述本體內部空間而朝向上述蓋內部空間進行移動，在上述蓋內部空間中藉由上述基板旋轉機構而使上述基板產生旋轉之時，在上述遮蔽板靠近至上述基板之位置而以上述中心軸為中心進行旋轉。
  22. 如申請專利範圍第1至21項中任一項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體係具備有杯部，該杯部係在上述腔室蓋部之下方，並以遍及全周之方式位在上述基板保持部之徑向外側，且在上述杯部之下方，設置有上述排出口。
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