CN106133882A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

在基板处理装置(1)中，在腔室(21)内，从遮挡板(51)的上方向盖内部空间(231)供给气体，从而使盖内部空间(231)的气压大于本体内部空间(221)的气压，将盖内部空间(231)的气体向本体内部空间(221)送出。另外，从盖内部空间(231)流入的气体，被设置于本体内部空间(221)的基板(9)的下方的本体排出口(226a)吸引而向腔室(21)的外部排出。由此，在腔室(21)内形成大致圆筒状的气体的气流。在该大致圆筒状的气流的内部，向基板(9)的上表面(91)供给处理液，因此能够抑制处理液的雾或烟尘等，经过大致圆筒状的气流来从遮挡板(51)和盖底面部(234)之间的间隙向盖内部空间(231)进入的情况。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理装置。
背景技术
以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，使用多种基板处理装置对基板进行各种各样的处理。例如，向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板上供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束之后，还进行如下处理，即，向基板上供给除去液来除去抗蚀剂，或者向基板上供给清洗液来进行清洗。
在存在氧的环境下(例如，大气中)进行基板的处理的情况下，有时氧会对基板带来不良影响。例如，在用于处理的药液中溶解氧，该药液与基板的表面发生接触，由此可能对基板的表面产生不良影响。尤其，在对表面形成有金属膜的基板进行处理时，该金属膜可能在处理中氧化。需要尽量防止发生这样的金属膜的氧化。
在日本特开2010-56218号公报(文献1)的基板处理装置中，设置有与被基板保持机构保持的基板相向的遮挡部。遮挡部具有：基板相向面，与基板的上表面相向；周壁部，从基板相向面的周围朝向基板保持机构突出。向基板上供给如下药液，即，将使氧浓度降低的非活性气体溶解水和药液原液混合而成的药液。在文献1的基板处理装置中，通过设置遮挡部，遮挡基板的上表面上的环境气体不受到遮挡部的外部的环境气体的影响，从而抑制基板上的环境气体的氧浓度上升。若使基板上的氧浓度降低，则抑制设置于基板的上表面上的金属膜的氧化等。
但是，在文献1的基板处理装置中，遮挡部的内部与外部并不完全隔开，因此基板上的环境气体的氧浓度降低存在限制。另外，将遮挡部的内部的氧浓度迅速降低也受到限制。另一方面，考虑如下情况，即，在向腔室本体的内部搬入基板之后，用腔室盖部堵塞腔室本体的上部开口来形成腔室(处理室)，向密闭的腔室内供给非活性气体等来形成低氧状态。此时，在腔室内供给至基板上的处理液的雾、烟尘(fume)可能附着于用于覆盖基板的上方的腔室盖部的内表面。
发明内容
本发明涉及用于对基板进行处理的基板处理装置，其目的在于，抑制处理液的雾或烟尘进入腔室盖部的内部空间的情况。
本发明的基板处理装置，具有：腔室盖部，具有下部开口，在所述下部开口的上方形成有盖内部空间；腔室本体，形成本体内部空间，并且与所述腔室盖部一起形成腔室；基板保持部，在所述本体内部空间以水平状态保持基板；处理液供给部，向所述基板的上表面供给处理液；遮挡板，配置于所述盖内部空间，与所述基板的所述上表面相向，该遮挡板能够堵塞所述下部开口；气体供给部，在所述腔室内，所述遮挡板从所述腔室盖部的所述下部开口向上方分离的状态下，该气体供给部通过从比所述遮挡板高的上方向所述盖内部空间供给气体，使所述盖内部空间的气压大于所述本体内部空间的气压，从而使所述盖内部空间的所述气体，从所述遮挡板和所述腔室盖部之间的间隙经由所述下部开口向所述本体内部空间送出；排出口，在所述本体内部空间设置于比所述基板低的下方，该排出口吸引从所述盖内部空间流入的所述气体来向所述腔室的外部排出。
根据该基板处理装置，能够抑制处理液的雾或烟尘进入腔室盖部的内部空间的情况。
在本发明的一个优选的实施方式中，在所述遮挡板的下表面的中央部设置有气体喷出口；通过所述气体供给部，经由所述气体喷出口向所述遮挡板的所述下表面和所述基板的所述上表面之间的空间也供给所述气体。
在本发明的其它优选的实施方式中，在所述遮挡板的下表面的中央部设置有处理液喷出口；通过所述处理液供给部，经由所述处理液喷出口向所述基板的所述上表面供给处理液。
在本发明的其它优选的实施方式中，所述处理液供给部具有：喷出头，喷出处理液，头支撑部，该头支撑部为沿着水平方向延伸的构件，在该头支撑部的自由端部固定有所述喷出头，该头支撑部的固定端部在所述盖内部空间安装在所述腔室盖部；所述基板处理装置还具有头旋转机构，该头旋转机构使所述喷出头以所述固定端部为中心与所述头支撑部一起旋转；在向所述基板上供给处理液时，通过所述头旋转机构使所述喷出头旋转来配置于所述遮挡板和所述下部开口之间，从所述喷出头经由所述下部开口向所述基板的所述上表面喷出处理液。
在本发明的其它优选的实施方式中，还具有遮挡板移动机构，该遮挡板移动机构使所述遮挡板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着所述上下方向相对地移动；在形成所述腔室之前，所述遮挡板重叠于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
更优选为，所述腔室盖部具有：上下颠倒的杯子的形状的盖本体部，环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；重叠于所述下部开口的所述遮挡板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
在本发明的其它优选的实施方式中，还具有：基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着所述上下方向相对地移动，基板旋转机构，使所述基板以朝向所述上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动；在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮挡板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
在本发明的其它优选的实施方式中，所述腔室本体具有罩部，该罩部在所述腔室盖部的下方在整周上位于所述基板保持部的径向外侧；在所述罩部的下方设置有所述排出口。
下面，通过参照附图详细说明本发明，来更加明确上述的目的以及其它目的、特征、方式以及优点。
附图说明
图1是示出一个实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是示出气液供给部以及气液排出部的框图。
图3是示出基板处理装置的剖视图。
图4是示出基板处理装置的剖视图。
图5是示出基板的处理的流程的图。
图6是示出基板处理装置的其它例的剖视图。
图7是示出基板处理装置的其它例的剖视图。
图8是示出基板处理装置的其它例的剖视图。
具体实施方式
图1是示出本发明的一个实施方式的基板处理装置1的结构的剖视图。基板处理装置1是向大致圆板状的半导体基板9(以下，仅称为“基板9”)供给处理液来逐张地处理基板9的单张式的装置。在图1中，对基板处理装置1的一部分结构的剖面省略赋予平行斜线(在其他剖视图中也同样)。
基板处理装置1具有腔室21、基板保持部31、基板旋转机构35、第一移动机构41、第二移动机构42、第三移动机构43、遮挡板51、遮挡板旋转机构55以及壳体11。壳体11容纳腔室21、基板保持部31以及遮挡板51等。
腔室21形成为，以朝向上下方向的中心轴J1为中心的有盖且有底的大致圆筒状。腔室21具有腔室本体22、腔室盖部23。腔室本体22和腔室盖部23在上下方向上相向。在图1所示的状态下，腔室本体22和腔室盖部23在上下方向上分离。腔室本体22形成为，以中心轴J1为中心的有底的大致圆筒状，该腔室本体22形成本体内部空间221。腔室盖部23形成为，以中心轴J1为中心的有盖的大致圆筒状，该腔室盖部23形成盖内部空间231。腔室本体22的外径和腔室盖部23的外径大致相同。
腔室本体22具有大致圆形的上部开口222。腔室盖部23具有大致圆形的下部开口232。腔室本体22的上部开口222和腔室盖部23的下部开口232在上下方向上相向。腔室本体22的上部开口222的直径和腔室盖部23的下部开口232的直径大致相同。另外，以中心轴J1为中心的径向上的腔室盖部23的盖内部空间231的大小，大于下部开口232的径向的大小(即，直径)。对于腔室本体22以及腔室盖部23的详细结构，在后面进行说明。
基板保持部31形成为，以中心轴J1为中心的大致圆板状。基板保持部31配置于基板9的下方，以水平状态保持基板9的外缘部。在图1所示的状态下，基板保持部31在上下方向上位于腔室本体22和腔室盖部23之间。基板保持部31的直径大于基板9的直径。基板保持部31的直径小于腔室本体22的上部开口222的直径以及腔室盖部23的下部开口232的直径。在上下方向上，腔室本体22的上部开口222以及腔室盖部23的下部开口232，与基板9以及基板保持部31相向。基板旋转机构35配置于基板保持部31的下方。基板旋转机构35使基板9以中心轴J1为中心与基板保持部31一起旋转。
遮挡板51形成为，以中心轴J1为中心的大致圆板状。遮挡板51配置于作为腔室盖部23的内部空间的盖内部空间231。优选遮挡板51的径向的大小(即，直径)大于腔室盖部23的下部开口232的直径。遮挡板51能够堵塞腔室盖部23的下部开口232。在上下方向上，遮挡板51和保持于基板保持部31的基板9的上表面91隔着下部开口232相向。
遮挡板旋转机构55配置于遮挡板51的上侧。遮挡板旋转机构55例如为中空轴马达。通过遮挡板旋转机构55，使遮挡板51在腔室盖部23的盖内部空间231以中心轴J1为中心旋转。通过遮挡板旋转机构55进行的遮挡板51的旋转，与通过基板旋转机构35进行的基板9的旋转是相互独立进行的。
遮挡板旋转机构55的旋转轴551经由设置于壳体11的上部的贯通孔、以及设置于腔室盖部23的上部的贯通孔与遮挡板51连接。壳体11的该贯通孔的周围的部位和腔室盖部23的该贯通孔的周围的部位，通过能够在上下方向上伸缩的大致圆筒状的伸缩构件111(例如，波纹管)连接。另外，在旋转轴551设置有大致圆板状的凸缘部553，凸缘部553的外周部和壳体11的上述贯通孔的周围的部位，通过能够在上下方向上伸缩的大致圆筒状的伸缩构件552(例如，波纹管)连接。在基板处理装置1中，通过凸缘部553以及伸缩构件552，将壳体11内的空间与壳体11外的空间隔开。另外，通过伸缩构件111，将腔室盖部23内的空间、与壳体11内且腔室盖部23外的空间隔开。
图2是示出基板处理装置1所具有的气液供给部18以及气液排出部19的框图。气液供给部18具有处理液供给部811、气体供给部812。处理液供给部811具有上部中央喷嘴181、药液供给部813、纯水供给部814。药液供给部813以及纯水供给部814分别通过阀与上部中央喷嘴181连接。气体供给部812具有上部中央喷嘴181、多个盖喷嘴182、非活性气体供给部816。非活性气体供给部816通过阀与上部中央喷嘴181连接。非活性气体供给部816还通过阀与多个盖喷嘴182连接。
如图1以及图2所示，多个盖喷嘴182设置于腔室盖部23的上部。多个盖喷嘴182以中心轴J1为中心配置为周状。如图2所示，在各盖喷嘴182的下端设置有第一气体喷出口184。从非活性气体供给部816送出的非活性气体，从设置于腔室盖部23的上部的多个第一气体喷出口184供给至盖内部空间231。
如图1所示，上部中央喷嘴181设置于遮挡板旋转机构55的旋转轴551内。如图2所示，在上部中央喷嘴181的下端的中央部，设置有用于朝向基板9的上表面91供给处理液(即，来自药液供给部813的药液、以及来自纯水供给部814的纯水)的处理液喷出口183。另外，在上部中央喷嘴181的下端的处理液喷出口183的周围，设置有大致环状的第二气体喷出口185。从非活性气体供给部816送出的非活性气体，从第二气体喷出口185朝向遮挡板51的下方的空间(即，遮挡板51的下表面512和基板9的上表面91之间的空间)供给。在上下方向上，上部中央喷嘴181的下端配置于与遮挡板51的下表面512大致相同的位置。即，上部中央喷嘴181的处理液喷出口183以及第二气体喷出口185设置于遮挡板51的下表面512的中央部。
气液排出部19具有本体排出口226a、盖部排出口237、气液分离部193、本体排气部194、药液回收部195、排液部196、气液分离部197、盖排气部198、排液部199。本体排出口226a设置于腔室本体22，而且与气液分离部193连接。气液分离部193分别通过阀与本体排气部194、药液回收部195以及排液部196连接。盖部排出口237设置于腔室盖部23，而且与气液分离部197连接。气液分离部197分别通过阀与盖排气部198以及排液部199连接。通过控制部10控制气液供给部18以及气液排出部19的各结构。第一移动机构41、第二移动机构42、第三移动机构43、基板旋转机构35以及遮挡板旋转机构55(参照图1)也被控制部10控制。
从药液供给部813经由上部中央喷嘴181供给至基板9上的药液，例如为聚合物除去液或者氢氟酸或羟化四甲铵(Tetramethylammonium hydroxide)水溶液等的蚀刻液。纯水供给部814经由上部中央喷嘴181向基板9供给纯水(DIW：deionized water)。处理液供给部811也可以具有用于供给除了上述药液以及纯水之外的处理液的其它供给部。非活性气体供给部816所供给的气体例如为氮(N2)气。气体供给部812也可以具有用于供给除了氮气之外的非活性气体或者用于供给除了非活性气体之外的气体的其它供给部。
如图1所示，腔室本体22具有外筒部223、外筒连接部224、罩部225、本体底部226。罩部225形成为，以中心轴J1为中心的大致圆筒状。在腔室盖部23的下方，罩部225在整周上位于基板旋转机构35的径向外侧。罩部225具有以中心轴J1为中心的大致圆筒状的罩侧壁部227a、从罩侧壁部227a的上端向径向内侧扩展的大致圆环板状的罩顶盖部227b。罩顶盖部227b的中央的开口为上述的上部开口222。
外筒部223形成为，以中心轴J1为中心的大致圆筒状。外筒部223在整周上位于罩部225的径向外侧。外筒部223例如为，分别为周状的多个山顶线和分别为周状的多个山谷线沿着上下方向交替地排列而成的波纹管。在外筒部223、罩部225以及基板保持部31的下方，配置有有底的大致圆筒状的本体底部226。外筒部223的下端部在整周上与本体底部226的侧壁部的上端部连接。在本体底部226的底面部设置有上述的本体排出口226a。在作为腔室本体22的内部空间的本体内部空间221，本体排出口226a配置于基板9、基板保持部31以及罩部225的下方。腔室本体22内的液体以及气体经由本体排出口226a向腔室本体22的外部(即，腔室21外)排出。也可以在本体底部226设置有沿着周向排列的多个本体排出口226a。
外筒连接部224形成为，以中心轴J1为中心的大致圆环板状。外筒连接部224用于连接外筒部223的上端部和罩部225的外缘部。具体地说，外筒连接部224用于连接外筒部223的上端部和罩顶盖部227b的外缘部。通过外筒连接部224堵塞外筒部223的上端部和罩部225之间的间隙。
腔室盖部23具有盖本体部233、盖底面部234。盖本体部233形成为，以中心轴J1为中心的有盖的大致圆筒状。换句话说，盖本体部233为上下颠倒的杯子的形状。如上所述，盖本体部233的中央部的贯通孔、即腔室盖部23的上部的贯通孔被伸缩构件111、552、壳体11的上部的一部分以及凸缘部553堵塞。用于堵塞该贯通孔的上述构件，可以作为盖本体部233的一部分。另外，由伸缩构件111、552形成的筒状的空间为盖内部空间231的一部分。
盖底面部234形成为，以中心轴J1为中心的大致圆环板状，在该盖底面部234的中央部设置有上述的下部开口232。盖底面部234从盖本体部233的下端部向径向内侧扩展。盖底面部234的上表面235以及下表面236为，随着朝向径向外侧而朝向下方倾斜的倾斜面。在腔室盖部23的盖底面部234和盖本体部233之间的连接部，设置有上述的盖部排出口237。通过盖部排出口237排出盖内部空间231内的液体以及气体。
在如图1所示的状态下，遮挡板51与腔室盖部23的下部开口232重叠。此时，在下部开口232的周围的整周上，遮挡板51的下表面512与盖底面部234的上表面235接触。具体地说，遮挡板51的下表面512的外周部，在整周上与盖底面部234的上表面235中的下部开口232附近的部位相接触。由此，腔室盖部23的下部开口232被遮挡板51堵塞，下部开口232的上方的盖内部空间231成为密闭空间。此外，在本实施方式中，遮挡板51和盖底面部234之间的接触部并不是完全的气密结构，因此盖内部空间231并未与外部的空间完全切断，但是该接触部也可以是具有密封构件等的气密结构，从而使盖内部空间231成为与外部的空间隔开的密闭空间。
第一移动机构41例如配置于壳体11的上侧。第一移动机构41与遮挡板旋转机构55一起使遮挡板51在上下方向上移动。通过第一移动机构41，使遮挡板51在腔室盖部23的盖内部空间231在上下方向上移动。如上所述，遮挡板51大于腔室盖部23的下部开口232，因此遮挡板51不会经过下部开口232向腔室盖部23的外部(即，盖底面部234的下方)移动。第一移动机构41例如具有马达和滚珠螺杆(第二移动机构42以及第三移动机构43也同样)。
第二移动机构42配置于腔室本体22的侧方，使腔室盖部23在上下方向上移动。具体地说，通过第二移动机构42使腔室盖部23在图1所示的“上位置”和图3所示的“下位置”之间移动。在腔室盖部23配置于上位置的状态下，下部开口232位于基板保持部31上的基板9的上方，在腔室盖部23配置于下位置的状态下，下部开口232位于基板保持部31上的基板9的下方。在腔室盖部23从上位置向上位置的下方的下位置移动时，通过第一移动机构41使遮挡板51也在上下方向上移动，变更在上下方向上遮挡板51相对于腔室盖部23的相对位置。即，第一移动机构41以及第二移动机构42为遮挡板移动机构，该遮挡板移动机构使遮挡板51在腔室盖部23的盖内部空间231相对于腔室盖部23在上下方向上移动。
第三移动机构43配置于腔室本体22的侧方，使腔室本体22的一部分在上下方向上移动。具体地说，通过第三移动机构43，使腔室本体22的罩部225在图1以及图3所示的“下位置”和图4所示的“上位置”之间移动。在罩部225配置于下位置的状态下，上部开口222位于基板保持部31上的基板9的下方，在罩部225配置于上位置的状态下，上部开口222位于基板保持部31上的基板9的上方。在罩部225在上下方向上移动时，外筒部223在上下方向上进行伸缩。在基板处理装置1中，在腔室本体22的罩部225从下位置向下位置的上方的上位置移动时，也变更在上下方向上遮挡板51相对于腔室盖部23的相对位置。此外，在基板处理装置1中，腔室本体22的本体底部226以及基板保持部31在上下方向上不移动。
如图3所示，在腔室盖部23位于下位置且腔室本体22的罩部225也位于下位置的状态下，使腔室盖部23的下部开口232与腔室本体22的上部开口222相向，并且通过腔室盖部23覆盖该上部开口222。由此，形成在内部具有密闭空间(即，包括盖内部空间231以及本体内部空间221的空间，下面称为“腔室空间”)的腔室21。具体地说，通过使腔室盖部23的盖本体部233和盖底面部234之间的连接部，与腔室本体22的外筒部223接触，来形成腔室21。
另外，如图4所示，在腔室本体22的罩部225位于上位置且腔室盖部23也位于上位置的状态下，也同样地，通过腔室盖部23覆盖腔室本体22的上部开口222，从而形成腔室21。如图3以及图4所示，在腔室21的内部(即，腔室空间)容纳有基板9以及基板保持部31。即，第二移动机构42以及第三移动机构43为如下腔室开闭机构，即，使腔室盖部23相对于腔室本体22在上下方向上移动，通过腔室盖部23覆盖腔室本体22的上部开口222，从而形成腔室21。
接着，一边参照图5，一边对于通过基板处理装置1处理基板9的流程进行说明。在基板处理装置1中，首先，如图1所示，使腔室盖部23位于上位置，使腔室本体22的罩部225位于下位置。换句话说，腔室21处于开放的状态。另外，以使遮挡板51的下表面512与盖底面部234的上表面235相接触的方式，在俯视时使遮挡板51与腔室盖部23的下部开口232重叠。由此，堵塞下部开口232来使盖内部空间231成为密闭空间。在该状态下，通过气体供给部812(参照图2)，经由多个第一气体喷出口184向盖内部空间231供给氮气。另外，将盖内部空间231的气体从盖部排出口237向腔室盖部23的外部排出。由此，在盖内部空间231填充氮气(步骤S11)。
此外，在步骤S11中，不必一定通过遮挡板51气密地堵塞腔室盖部23的下部开口232，只要遮挡板51与下部开口232重叠即可，也可以采用在遮挡板51和盖底面部234之间存在微小的间隙的堵塞方式。即使是这样的堵塞方式，也控制从气体供给部812向盖内部空间231供给的氮气的供给量，使向盖内部空间231流入的氮气的流入量、从该间隙以及盖部排出口237流出的气体的流出量大致相同，由此在盖内部空间231填充氮气。并且，通过恰当地控制该氮气的流入量等，形成将盖内部空间231内的氧浓度降低至工序上所需的程度的低氧状态。此外，在图1中图示了基板9，但是，在将基板9搬入基板处理装置1之前执行步骤S11。
接着，在上述那样腔室盖部23与腔室本体22分离的状态下，从设置于壳体11的搬入搬出口(省略图示)向壳体11内搬入基板9，通过基板保持部31进行保持(步骤S12)。在步骤S12中，在腔室本体22的上部开口222的上方，基板9被基板保持部31保持。
当基板9保持在基板保持部31时，驱动第一移动机构41以及第二移动机构42，从而使遮挡板51以及腔室盖部23向下方移动。腔室盖部23从图1所示的上位置向图3所示的下位置移动。换句话说，腔室盖部23在上下方向上相对于腔室本体22移动。然后，通过腔室盖部23覆盖腔室本体22的上部开口222，从而形成在内部容纳有基板9以及基板保持部31的腔室21(步骤S13)。另外，与步骤S13并行地，遮挡板51相对于腔室盖部23上升，在腔室21内，遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离(步骤S14)。
如上所述，通过使腔室盖部23从上位置向下位置移动，使保持在基板保持部31的基板9，经过腔室盖部23的下部开口232向盖内部空间231移动。换句话说，在步骤S13、S14中形成腔室21的状态下，基板9位于腔室空间中的盖内部空间231。如上所述，在盖内部空间231填充有氮气，因此通过使基板9向盖内部空间231移动，能够将基板9的周围迅速地变成氮气的环境气体(即，低氧环境气体)。在盖内部空间231，基板9的上表面91和遮挡板51的下表面512在上下方向上相向且接近。
在基板处理装置1中，在步骤S11之后也继续通过气体供给部812供给氮气，直到对基板9进行的一系列处理结束为止。在图3所示的状态下，从位于遮挡板51的上方的多个盖喷嘴182的第一气体喷出口184(参照图2)向盖内部空间231供给氮气，从而使盖内部空间231的气压大于本体内部空间221的气压。换句话说，使盖内部空间231成为正压状态。因此，盖内部空间231的氮气，从遮挡板51和腔室盖部23的盖底面部234之间的间隙经由下部开口232以及上部开口222向本体内部空间221流出(即，从盖内部空间231向本体内部空间221送出)。另外，本体内部空间221的气体从本体排出口226a向腔室21的外部排出。由此，向本体内部空间221也供给来自气体供给部812的氮气来进行填充。换句话说，通过气体供给部812向腔室21内供给氮气来进行填充(步骤S15)。下面，将步骤S15的处理称为“气体置换处理”。
在步骤S15中，来自气体供给部812的氮气还通过上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185(参照图2)供给至遮挡板51的下表面512和基板9的上表面91之间的空间。由此，能够将遮挡板51和基板9之间的空间的环境气体迅速地置换为氮气的环境气体。此外，在步骤S11～S14之间的任一步骤中，也可以根据需要从第二气体喷出口185供给氮气。尤其，在步骤S14中从第二气体喷出口185供给氮气，从而能够进一步高效地进行步骤S15的气体置换处理。
接着，通过驱动第一移动机构41、第二移动机构42以及第三移动机构43，使遮挡板51、腔室盖部23以及腔室本体22的罩部225向上方移动。腔室盖部23以及腔室本体22的罩部225分别从图3所示的下位置向图4所示的上位置移动。换句话说，通过第二移动机构42以及第三移动机构43，使基板9与基板保持部31一起相对于腔室21下降。第二移动机构42以及第三移动机构43为，用于使基板9与基板保持部31一起相对于腔室21向上下方向移动的基板移动机构。不变更遮挡板51相对于腔室盖部23的相对位置，维持遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态。
如上所述，通过使腔室21从下位置向上位置移动，在腔室21内，使基板9从盖内部空间231经由下部开口232以及上部开口222向本体内部空间221移动(步骤S16)。由此，在腔室盖部23的下方，罩部225在整周上位于基板9以及基板保持部31的径向外侧。
当基板9位于本体内部空间221时，通过基板旋转机构35使基板9开始旋转。然后，通过处理液供给部81，经由上部中央喷嘴181的处理液喷出口183(参照图2)，向正在旋转的基板9的上表面91上供给处理液(步骤S17)。供给至旋转的基板9的中央部的处理液，借助离心力在上表面91上向径向外侧移动，然后从基板9的外缘向罩部225飞散。被罩部225接受的处理液，经由配置于罩部225的下方的本体排出口226a向腔室21的外部排出。
在基板处理装置1中，通过向基板9的上表面91供给处理液规定的时间，对基板9的上表面91进行规定的处理。下面，将步骤S17的处理称为“液处理”。在步骤S17中，在将药液供给部813所供给的药液(例如，聚合物除去液或蚀刻液等)向基板9上供给规定的时间之后，停止供给药液。由此，对基板9的上表面91进行药液处理。基板9上的药液因基板9旋转而向罩部225飞散，从而从基板9上除去该药液。被罩部225接受的药液，经由本体排出口226a向腔室21的外部排出，被药液回收部195(参照图2)回收。接着，将纯水供给部814所供给的纯水向基板9上供给规定的时间，从而对基板9的上表面91进行冲洗处理。被罩部225接受的纯水经由本体排出口226a向腔室21的外部排出，被排液部196废弃。
在基板处理装置1中，也可以在罩部225设置以同心圆状配置的多个罩。此时，优选，在切换向基板9上供给的处理液的种类时，也切换用于接受来自基板9的处理液的罩。由此，能够在步骤S17中利用多种处理液时，容易地将多个处理液区分来回收或者废弃。
在步骤S17中对基板9供给处理液的期间，也如上述那样，继续通过气体供给部812供给氮气。在图4所示的状态下，也与图3所示的状态同样地，从位于遮挡板51的上方的多个盖喷嘴182的第一气体喷出口184向盖内部空间231供给氮气。由此，优选，使盖内部空间231的气压大于本体内部空间221的气压，从而使盖内部空间231形成正压状态。通过使盖内部空间231形成正压状态，使盖内部空间231的氮气从遮挡板51和腔室盖部23的盖底面部234之间的间隙经由下部开口232以及上部开口222向本体内部空间221送出。另外，从盖内部空间231流入本体内部空间221的氮气，经由本体排出口226a被吸引而向腔室21的外部排出。
由此，在腔室21内形成：依次通过遮挡板51的外周缘附近、下部开口232的外周缘附近、上部开口222的外周缘附近以及基板9的外周缘附近的大致圆筒状的氮气的气流。在该大致圆筒状的气流的内部，向基板9的上表面91供给处理液，因此能够抑制处理液的雾或烟尘等经过大致圆筒状的气流从遮挡板51和盖底面部234之间的间隙进入盖内部空间231的情况。另外，通过该气流，使处理液的雾或烟尘等迅速地向下方移动，来迅速地向腔室21的外部排出。
在基板处理装置1中，通过将本体排出口226a配置于罩部225的下方，能够容易地形成该气流。此外，能够通过变更来自多个盖喷嘴182的氮气的供给量、以及遮挡板51和盖底面部234之间的间隙的大小等，来容易地调整该气流的流速等。另外，只要能够形成该气流即可，本体排出口226a并不一定配置于罩部225的下方，而只要配置于位于本体内部空间221的基板9以及基板保持部31的下方即可。
在步骤S17中，也可以通过上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185，向遮挡板51的下表面512和基板9的上表面91之间的空间也供给氮气。这样，在上述的大致圆筒状的气流的内侧，形成朝向基板9的上表面91的朝下的气流，从而能够将存在于基板9的上方的空间的处理液的雾或烟尘等，朝向该大致圆筒状的气流推送。结果，能够进一步抑制处理液的雾或烟尘等进入盖内部空间231的情况，并且能够将该雾或烟尘等更加迅速地向腔室21的外部排出。
当向基板9供给处理液的动作结束时，通过驱动第一移动机构41、第二移动机构42以及第三移动机构43，使遮挡板51、腔室盖部23以及腔室本体22的罩部225向下方移动。腔室盖部23以及腔室本体22的罩部225分别从图4所示的上位置向图3所示的下位置移动。换句话说，通过第二移动机构42以及第三移动机构43，使基板9与基板保持部31一起相对于腔室21上升。不变更遮挡板51相对于腔室盖部23的相对位置，维持遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态。
如上所述，腔室21从上位置向下位置移动，由此在腔室21内，使基板9从本体内部空间221经由上部开口222以及下部开口232向盖内部空间231移动(步骤S18)。在盖内部空间231内，基板9的上表面91和遮挡板51的下表面512在上下方向上相向并接近。
接着，通过基板旋转机构35，使基板9与基板保持部31一起以中心轴J1为中心以比较大的速度高速旋转。由此，使基板9上的处理液(例如，纯水)在上表面91上向径向外侧移动，然后从基板9的外缘向周围飞散。结果，除去基板9上的处理液(步骤S19)。以下，将步骤S19的处理称为“干燥处理”。步骤S19中的基板9的转速大于步骤S17中的基板9的转速。
在步骤S19中，从旋转的基板9飞散的处理液被盖本体部233的内表面以及盖底面部234的上表面235接受，向盖本体部233和盖底面部234之间的连接部移动。并且，该处理液(即，在步骤S19中从基板9上除去的处理液)由盖部排出口237向腔室盖部23的外部(即，腔室21外)排出。在腔室盖部23中，如上所述，盖底面部234的上表面235为随着朝向径向外侧而朝向下方倾斜的倾斜面。因此，防止上表面235上的处理液朝向下部开口232移动的情况。另外，由于上表面235上的处理液迅速地向径向外侧移动，因此能够使来自盖内部空间231的处理液迅速地排出。
在通过基板旋转机构35使基板9在盖内部空间231旋转时(即，在步骤S19中)，通过遮挡板旋转机构55，使遮挡板51在沿着上下方向接近基板9的上表面91的位置，以与基板9的转速大致相同的转速，以中心轴J1为中心，向与基板9相同的旋转方向旋转。通过使遮挡板51接近基板9的上表面91配置，能够抑制(或者防止)从基板9飞散的处理液再次附着于基板9的上表面91的情况。另外，通过使遮挡板51旋转，能够使附着于遮挡板51的上表面511以及下表面512的处理液向周围飞散，从而从遮挡板51上除去该处理液。
在基板处理装置1中，在步骤S19中，通过上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185(参照图2)，向遮挡板51的下表面512和基板9的上表面91之间的空间供给氮气。由此，能够从基板9和遮挡板51之间的空间进一步迅速地排出处理液，从而能够促进基板9的干燥。
当基板9的干燥处理结束时，通过驱动第一移动机构41以及第二移动机构42，使遮挡板51以及腔室盖部23向上方移动。腔室盖部23从图3所示的下位置向图1所示的上位置移动。由此，使腔室盖部23和腔室本体22在上下方向上分离，从而开放腔室21。然后，将实施了上述的一系列处理的基板9，从设置于壳体11的搬入搬出口(省略图示)向壳体11的外部搬出(步骤S20)。另外，使遮挡板51相对于腔室盖部23下降，与盖底面部234接触来堵塞下部开口232。并且，与步骤S11同样地，通过从气体供给部812供给的氮气，向盖内部空间231填充氮气。在基板处理装置1中，对多个基板9依次执行上述的步骤S11～S20。
如在上面说明那样，在基板处理装置1中，在腔室盖部23的盖内部空间231，设置有径向的大小大于下部开口232的径向的大小的遮挡板51。并且，在搬入基板9来形成腔室21之前，在步骤S11中，在遮挡板51重叠于下部开口232的状态下，将气体供给部812所供给的气体填充于腔室盖部23的盖内部空间231。由此，在形成腔室21之后，能够将腔室21内迅速地变成所希望的气体的环境气体。结果，能够缩短从形成腔室21起到开始在该气体的环境气体中处理基板9为止的时间，从而能够提高基板处理装置1的生产性。
在基板处理装置1中，如上所述，通过使从气体供给部812供给的气体为氮气等非活性气体，能够迅速地在低氧环境气体中进行基板9的液处理。结果，能够抑制设置于基板9的上表面91上的金属膜的氧化等。
如上所述，腔室盖部23具有盖本体部233、盖底面部234。在步骤S11中，使遮挡板51的下表面512与盖底面部234的上表面235相接触，从而堵塞腔室盖部23的下部开口232。由此，能够迅速且容易地向盖内部空间231填充气体。
在步骤S13中形成腔室21的状态下，基板9位于预先填充气体的盖内部空间231。由此，能够在刚刚形成腔室21之后，迅速地使基板9的周围变成所希望的气体的环境气体。
如上所述，在步骤S15中，在将基板9配置于盖内部空间231的状态下进行气体置换处理，在步骤S16中，通过第二移动机构42以及第三移动机构43使腔室21向上位置移动，从而使基板9相对地从盖内部空间231向本体内部空间221移动。另外，在步骤S17中，在将基板9配置于本体内部空间221的状态下对基板9进行液处理，在步骤S18中，通过第二移动机构42以及第三移动机构43使腔室21向下位置移动，从而使基板9相对地从本体内部空间221向盖内部空间231移动。并且，在步骤S19中，在将基板9配置于盖内部空间231的状态下对基板9进行干燥处理。
这样，在基板处理装置1中，第二移动机构42以及第三移动机构43发挥基板移动机构的功能，来使基板9在盖内部空间231和本体内部空间221之间相对于腔室21相对地移动。通过该基板移动机构进行的基板9的相对移动是，在腔室21内，遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态下，经由下部开口232以及上部开口222来进行的。由此，能够将对基板9进行多个处理(即，气体置换处理、液处理以及干燥处理的一系列处理)的空间，根据处理内容，在本体内部空间221和盖内部空间231之间切换。
在步骤S17中的液处理中，通过配置于腔室盖部23的下方的罩部225，接受从旋转的基板9飞散的处理液。由此，能够容易地回收在液处理中使用的处理液。如上所述，在罩部225的周围，设置有用于与腔室盖部23相接触来形成腔室21的外筒部223。通过外筒连接部224堵塞外筒部223的上部和罩部225之间的间隙，从而能够将在腔室21内填充来自气体供给部812的气体的空间变小。结果，能够缩短在步骤S15中进行气体置换处理所需要的时间。
在步骤S17中的液处理中，不必一定形成上述的大致圆筒状的气流。即使不在腔室21内形成上述的大致圆筒状的气流的情况下，也通过使盖内部空间231的气压大于本体内部空间221的气压来使盖内部空间231变成正压状态，能够防止处理液的雾或烟尘等从遮挡板51和盖底面部234之间的间隙进入盖内部空间231的情况。
在基板处理装置1中，如图6所示，也可以使处理液供给部811(参照图2)具有扫描喷嘴186。扫描喷嘴186安装在腔室盖部23，配置于盖内部空间231。扫描喷嘴186用于向基板9上供给处理液。扫描喷嘴186具有喷出头861和头支撑部862。喷出头861为朝向下方喷出处理液的喷出部。头支撑部862为用于支撑喷出头861的大致沿着水平方向延伸的构件。头支撑部862的一个端部(即，固定端部)在盖内部空间231安装在腔室盖部23的盖本体部233的顶盖部。在头支撑部862的另一个端部(即，自由端部)固定有喷出头861。
如图6所示的基板处理装置1具有头旋转机构863。头旋转机构863安装在腔室盖部23的顶盖部的上表面。头旋转机构863使喷出头861与头支撑部862一起以头支撑部862的固定端部为中心大致水平地旋转。在图6中，示出了从扫描喷嘴186向基板9的上表面91上供给处理液的状态，但是在扫描喷嘴186不用于供给处理液而待机的状态下，扫描喷嘴186在腔室盖部23的下部开口232的径向外侧配置于盖底面部234的上方。
图6所示的基板处理装置1中的基板9的处理流程，与上述的步骤S11～S20(参照图5)大致相同。在图6所示的例子中，也与上述说明同样地，步骤S17的液处理是，在腔室21(即，腔室盖部23以及腔室本体22)位于上位置且遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态下进行的。在向基板9上供给处理液时，首选，通过头旋转机构863使在下部开口232的径向外侧正在待机的喷出头861旋转，如图6所示那样，使所述喷出头861配置于遮挡板51和下部开口232之间。
接着，从喷出头861经由下部开口232向在本体内部空间221正在旋转的基板9的上表面91喷出处理液。并且，通过将向基板9供给处理液的动作维持规定的时间，对基板9的上表面91进行液处理。在对基板9进行液处理时，通过头旋转机构863，使位于下部开口232的上方的喷出头861，持续地在与基板9的中央部相向的位置和与基板9的外周部相向的位置之间进行往复移动。由此，提高对基板9的上表面91进行的液处理的均匀性。
在图6所示的例子中，在进行步骤S17的液处理时，头支撑部862位于遮挡板51和腔室盖部23的盖底面部234之间的间隙中。但是，在该间隙的除了头支撑部862之外的区域，存在上述的大致圆筒状的气流，因此能够与上述说明同样地，防止处理液的雾或烟尘等从遮挡板51和盖底面部234之间的间隙进入盖内部空间231的情况。另外，在进行液处理时，头支撑部862在上述间隙中移动，但是无论头支撑部862的位置如何，在该间隙的除了头支撑部862之外的区域都存在大致圆筒状的气流。因此，无论喷出头861以及头支撑部862的移动情况如何，都能够抑制处理液的雾或烟尘等进入盖内部空间231的情况。
另一方面，如上所述，在步骤S17的液处理中，从上部中央喷嘴181的处理液喷出口611(参照图2)供给处理液的情况下，在遮挡板51和盖底面部234之间的间隙不存在头支撑部862等构件，因此与利用扫描喷嘴186的情况相比，能够抑制上述的大致圆筒状的气流破坏。
在上述基板处理装置1中，能够进行各种变更。
例如，在步骤S15的气体置换处理中，也可以不从设置于遮挡板51的下表面512的第二气体喷出口185喷出气体。步骤S17的液处理以及步骤S19的干燥处理也同样。此时，也可以省略第二气体喷出口185。
在步骤S17的液处理中，也可以通过使遮挡板51的下表面512与腔室盖部23的盖底面部234相接触，来由遮挡板51堵塞腔室盖部23的下部开口232。此时，也能够抑制处理液的雾或烟尘等进入盖内部空间231的情况。
在步骤S19的干燥处理中，也可以将接近基板9的上表面91的遮挡板51沿着周向固定在基板保持部31，通过基板旋转机构35使遮挡板51与基板9以及基板保持部31一起旋转。此时，也可以与上述情况同样地，能够防止在进行干燥处理时处理液再次附着于基板9，并且还能够从遮挡板51上除去处理液。在通过基板旋转机构35使遮挡板51旋转的情况下，也可以省略遮挡板旋转机构55。
在图1所示的例子中，上述的腔室开闭机构包括用于使腔室盖部23移动的第二移动机构42和用于使腔室本体22移动的第三移动机构43，但是例如也可以省略第二移动机构42以及第三移动机构43中的一个，而仅将另一个用作腔室开闭机构。另外，在图1所示的例子中，遮挡板移动机构包括用于使遮挡板51移动的第一移动机构41和用于使腔室盖部23移动的第二移动机构42，但是也可以省略第一移动机构41以及第二移动机构42中的一个，而仅将另一个用作遮挡板移动机构。
在图1所示的例子中，上述的基板移动机构包括用于使腔室盖部23移动的第二移动机构42、用于使腔室本体22移动的第三移动机构43，但是基板移动机构例如也可以是在腔室21停止的状态下，使基板保持部31在腔室21内沿着上下方向移动的机构。
在基板处理装置1中，在步骤S13中形成腔室21时，不必一定使腔室盖部23从上位置向下位置移动。在步骤S13中，例如也可以通过第三移动机构43使腔室本体22从图1所示的下位置向图3所示的上位置移动，由此形成腔室21。此时，在与步骤S13并行进行的步骤S14中，通过第一移动机构41使遮挡板51向上方移动，来使该遮挡板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离。另外，在步骤S15中，在基板9位于本体内部空间221的状态下进行气体置换处理。因此，省略基板9从盖内部空间231向本体内部空间221进行的相对移动(步骤S16)，紧接着步骤S15，进行基板9的液处理(步骤S17)。
在基板处理装置1中，例如也可以如图7所示那样，设置外径小于腔室本体22的外径的腔室盖部23a，来代替图1所示的腔室盖部23。在图7所示的例子中，通过使有盖的大致圆筒状的腔室盖部23a的外周下端部与腔室本体22的罩部225的上表面相接触，由腔室盖部23a堵塞腔室本体22的上部开口222，从而形成腔室21。另外，不在腔室盖部23a设置盖底面部234(参照图1)，下部开口232的径向的大小与腔室盖部23a的径向的大小大致相同。在盖内部空间231，配置有径向的大小略小于腔室盖部23a的外径的遮挡板51。遮挡板51配置为，在上下方向上与腔室盖部23的下部开口232大致相同的位置，在俯视时与下部开口232重叠，由此虽然在遮挡板51的周围留有一点间隙，但是遮挡板51实际上堵塞下部开口232。在该状态下，来自气体供给部71的气体填充在盖内部空间231。
如图8所示，也可以采用腔室盖部23和腔室本体22的罩部225形成为连接为一体的构件的腔室21a。换句话说，腔室本体22与腔室盖部23一起形成腔室21a。在基板处理装置1a中，通过腔室盖部23覆盖罩顶盖部227b的中央的开口(即，腔室本体22的上部开口)，来形成腔室21a。腔室本体22的上部开口还是腔室盖部23的下部开口232。
在腔室21a中，在腔室盖部23设置侧部开口239，在将基板9搬入腔室21a内以及向腔室21a外搬出基板9时，使基板9通过侧部开口239。通过侧部开口开闭机构39对侧部开口239进行开闭。在图8的基板处理装置1a中，省略图1的基板处理装置1中的第三移动机构43，通过第二移动机构42使腔室盖部23以及罩部225在上下方向上移动。由此，使基板9选择性地配置于盖内部空间231和本体内部空间221。在基板处理装置1a中，也在基板9配置于本体内部空间221时，通过处理液进行液处理，在基板9配置于盖内部空间231时，对基板9进行干燥处理。
在上述液处理中，与上述情况同样地，能够通过使盖内部空间231的气压大于本体内部空间221的气压，抑制处理液的雾或烟尘等从遮挡板51和罩顶盖部227b(还可以是腔室盖部23的盖底面部)之间的间隙进入盖内部空间231的情况。
在基板处理装置1中，也可以对除了半导体基板之外的各种基板进行处理。另外，在基板处理装置1中，并不限定于除去聚合物或蚀刻，能够进行希望利用盐酸或氢氟酸等各种处理液在低氧环境下进行的各种液处理。为了实现低氧状态而供给至腔室21的气体，也并不限定于氮气，也可以是氩等其它非活性气体。供给至腔室21的气体，也可以是用于将腔室21内变成所希望的气体的环境气体的气体，例如，气体成分比被调节的混合气体(即，多种气体混合而成的气体)。
只要相互不矛盾，可对上述实施方式以及各变形例的结构进行恰当的组合。
详细叙述并说明了发明，但是上述说明仅仅是例示性的而并非限定。因此，在不脱离本发明的范围的情况下，可实施为多种变形或方式。
附图标记说明
1、1a：基板处理装置；
9：基板；
21、21a：腔室；
22：腔室本体；
23、23a：腔室盖部；
31：基板保持部；
35：基板旋转机构；
41：第一移动机构；
42：第二移动机构；
43：第三移动机构：
51：遮挡板；
91：上表面；
183：处理液喷出口；
185：第二气体喷出口；
221：本体内部空间；
222：上部开口；
223：外筒部；
224：外筒连接部；
225：罩部；
226a：本体排出口；
231：盖内部空间；
232：下部开口；
233：盖本体部；
234：盖底面部；
235：(盖底面部的)上表面；
237：盖部排出口；
512：(遮挡板的)下表面；
811：处理液供给部；
812：气体供给部；
J1：中心轴；
S11～S20：步骤。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，所述基板处理装置具有：
腔室盖部，具有下部开口，在所述下部开口的上方形成有盖内部空间；
腔室本体，形成本体内部空间，并且与所述腔室盖部一起形成腔室；
基板保持部，在所述本体内部空间以水平状态保持基板；
处理液供给部，向所述基板的上表面供给处理液；
遮挡板，配置于所述盖内部空间，与所述基板的所述上表面相向，该遮挡板能够堵塞所述下部开口；
气体供给部，在所述腔室内，所述遮挡板从所述腔室盖部的所述下部开口向上方分离的状态下，该气体供给部通过从比所述遮挡板高的上方向所述盖内部空间供给气体，使所述盖内部空间的气压大于所述本体内部空间的气压，从而使所述盖内部空间的所述气体，从所述遮挡板和所述腔室盖部之间的间隙经由所述下部开口向所述本体内部空间送出；
排出口，在所述本体内部空间设置于比所述基板低的下方，该排出口吸引从所述盖内部空间流入的所述气体来向所述腔室的外部排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述遮挡板的下表面的中央部设置有气体喷出口，
通过所述气体供给部，经由所述气体喷出口向所述遮挡板的所述下表面和所述基板的所述上表面之间的空间也供给所述气体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述遮挡板的下表面的中央部设置有处理液喷出口，
通过所述处理液供给部，经由所述处理液喷出口向所述基板的所述上表面供给处理液。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部具有：
喷出头，喷出处理液，
头支撑部，该头支撑部为沿着水平方向延伸的构件，在该头支撑部的自由端部固定有所述喷出头，该头支撑部的固定端部在所述盖内部空间安装在所述腔室盖部；
所述基板处理装置还具有头旋转机构，该头旋转机构使所述喷出头以所述固定端部为中心与所述头支撑部一起旋转，
在向所述基板上供给处理液时，通过所述头旋转机构使所述喷出头旋转来配置于所述遮挡板和所述下部开口之间，从所述喷出头经由所述下部开口向所述基板的所述上表面喷出处理液。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，
还具有遮挡板移动机构，该遮挡板移动机构使所述遮挡板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着所述上下方向相对地移动，
在形成所述腔室之前，所述遮挡板重叠于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述腔室盖部具有：
上下颠倒的杯子的形状的盖本体部，
环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；
重叠于所述下部开口的所述遮挡板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，
还具有：
基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着所述上下方向相对地移动，
基板旋转机构，使所述基板以朝向所述上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；
在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动，
在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮挡板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述腔室本体具有罩部，该罩部在所述腔室盖部的下方在整周上位于所述基板保持部的径向外侧，
在所述罩部的下方设置有所述排出口。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109541890A (zh) * 2017-09-21 2019-03-29 株式会社斯库林集团 曝光装置、基板处理装置、曝光方法以及基板处理方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6017999B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101831545B1 (ko) 2014-02-27 2018-02-22 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6722551B2 (ja) * 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6993885B2 (ja) * 2018-01-15 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
TWI820263B (zh) * 2018-12-14 2023-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP7315389B2 (ja) * 2019-06-28 2023-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7386120B2 (ja) * 2020-04-02 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100565791C (zh) * 2006-08-30 2009-12-02 细美事有限公司 处理基材的设备和方法
US20100032097A1 (en) * 2008-08-06 2010-02-11 Yasuhiko Ohashi Substrate treatment apparatus
JP2010171229A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Seiko Epson Corp 基板処理装置の洗浄方法
CN103681237A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN105981139A (zh) * 2014-02-27 2016-09-28 株式会社思可林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030019668A1 (en) * 2001-07-27 2003-01-30 Reade Ronald P. Particle beam biaxial orientation of a substrate for epitaxial crystal growth
JP2004006672A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20090016231A (ko) * 2007-08-10 2009-02-13 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP5188217B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20100108086A (ko) * 2009-03-27 2010-10-06 주식회사 선익시스템 증발 장치 및 이를 구비하는 진공 증착 장치
WO2009134041A2 (en) 2008-04-29 2009-11-05 Sunic System. Ltd. Evaporator and vacuum deposition apparatus having the same
JP5390808B2 (ja) 2008-08-27 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5967519B2 (ja) * 2012-03-08 2016-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5973299B2 (ja) 2012-09-25 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5973300B2 (ja) 2012-09-25 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102091291B1 (ko) 2013-02-14 2020-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6163315B2 (ja) 2013-02-14 2017-07-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2014157901A (ja) 2013-02-15 2014-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20140273498A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014179489A (ja) 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6118595B2 (ja) 2013-03-15 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2014194965A (ja) 2013-03-28 2014-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6392046B2 (ja) 2014-09-17 2018-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100565791C (zh) * 2006-08-30 2009-12-02 细美事有限公司 处理基材的设备和方法
US20100032097A1 (en) * 2008-08-06 2010-02-11 Yasuhiko Ohashi Substrate treatment apparatus
JP2010171229A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Seiko Epson Corp 基板処理装置の洗浄方法
CN103681237A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN105981139A (zh) * 2014-02-27 2016-09-28 株式会社思可林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109541890A (zh) * 2017-09-21 2019-03-29 株式会社斯库林集团 曝光装置、基板处理装置、曝光方法以及基板处理方法
US10955745B2 (en) 2017-09-21 2021-03-23 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160121580A (ko) 2016-10-19
TWI544564B (zh) 2016-08-01
TW201541543A (zh) 2015-11-01
KR101867748B1 (ko) 2018-06-15
WO2015146635A1 (ja) 2015-10-01
US10366908B2 (en) 2019-07-30
US20170148648A1 (en) 2017-05-25
JP6279954B2 (ja) 2018-02-14
CN106133882B (zh) 2019-03-15
JP2015192052A (ja) 2015-11-02

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