TW201532176A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

在基板處理裝置中，於腔室蓋部及杯部(161)位在第1位置之狀態下，杯側壁部(611)與液接取側壁部(253)係在徑向上產生重疊，防護部(166)係被液接取側壁部(253)所支撐。在腔室蓋部及杯部(161)朝向較第1位置為更上方之第2位置進行移動之時，防護部(166)係以藉由杯側壁部(611)而被懸吊之方式而朝向上方移動。於腔室蓋部及杯部(161)位在第2位置之狀態下，杯側壁部(611)之下端係位在較液接取側壁部(253)之上端為更上方，防護部(166)係將杯側壁部(611)之下端與液接取側壁部(253)之上端之間的間隙加以覆蓋。藉此，即使在來自旋轉之基板之處理液朝向較杯側壁部(611)為更下方產生飛散之情況下，仍可抑制處理液附著至外側壁部(164)之狀態。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。
習知，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用多種類之基板處理裝置對基板實施各式各樣之處理。例如，藉由朝表面上形成有光阻之圖案的基板供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之處理。此外，於蝕刻處理結束後，還進行將基板上之光阻除去或對基板進行洗淨之處理。
例如，於日本專利特開2001-110714號公報(文獻1)之塗液塗佈裝置中，於晶圓之外緣部下方配置有筒狀之遮蔽構件。於對晶圓之上表面塗佈光阻液時，遮蔽構件上昇，使遮蔽構件之上端靠近晶圓之下表面。遮蔽構件之上端與晶圓之下表面之間的距離為數mm。藉此，抑制光阻之飛沫朝晶圓下表面的飛散。
此外，於日本專利特開2010-10555號公報(文獻2)之基板處理裝置中，於保持基板之旋轉台之周圍設置有接取自基板飛散之處理液之杯體。此外，於旋轉台與杯體之間設置有可於上下方向移動之可動間隔體。於可動間隔體朝上側移動且位於旋轉台之周圍的狀態下，自基板飛散之處理液藉由可動間隔體所接取。
於基板處理裝置中，有時根據處理而要求於密閉之空間內進行處理。於日本專利特開2011-216607號公報(文獻3)之基板 處理裝置中，具有由腔室本體及蓋構件構成之密閉腔室。腔室本體與蓋構件不接觸，且於其等間設置有液體密封構造。蓋構件係相對於腔室本體可進行旋轉，藉由蓋構件之旋轉，可一方面減小密閉空間之容積一方面使基板上之氣流穩定。
然而，於藉由處理液在低氧環境氣體下對基板進行處理之情況下，可考慮將基板收容於形成在基板處理裝置內之密閉空間內，且將該密閉空間設定為惰性氣體環境氣體等後對基板供給處理液。該情況下，自旋轉之基板飛散之處理液，藉由設於形成密閉空間之密閉空間形成構件之內側的杯部所接取。另一方面，未藉由杯部接取之處理液，附著於位於杯部周圍之密閉空間形成構件之外側壁部。附著於外側壁部之處理液，有可能因乾燥而產生微粒，或自外側壁部之下端朝密閉空間的外部滲漏。
此外，於文獻3之裝置中，蓋構件與腔室本體之間的邊界成為能自基板側看見之狀態。因此，恐有處理液進入該邊界，固化之處理液成為微粒產生源之虞。此外，若較低地抑制腔室之高度，蓋構件與腔室本體之邊界之位置變低，邊界再成為曝露於處理液之狀態。而且，於文獻3之裝置中，處理液全部同樣地流入腔室內，不適於使用完處理液之回收。
本發明係應用於基板處理裝置，其目的在於抑制處理液附著於外側壁部。本發明之另一目的在於減小腔室，並實現微粒之產生之抑制及處理液的回收。
本發明之一基板處理裝置，其包含有：空間形成部本體，其具有筒狀之本體側壁部；空間形成蓋部，其具有位在上述本 體側壁部之徑向內側的筒狀之蓋側壁部，且將上述空間形成部本體之上方加以覆蓋；空間形成部移動機構，其使上述空間形成蓋部，在第1位置與較上述第1位置為更上方之第2位置之間，相對於上述空間形成部本體而以相對之方式移動於上下方向；外側壁部，其位在上述本體側壁部之徑向外側，上端部係被連接至上述空間形成蓋部，下端部係被連接至上述空間形成部本體，且追隨著藉由上述空間形成部移動機構所進行之相對移動而產生變形；筒狀之防護部，其被配置在上述蓋側壁部與上述本體側壁部之間；基板支撐部，其被配置在上述空間形成部本體內，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其使上述基板與上述基板支撐部一同旋轉；及處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上，於上述空間形成蓋部位在上述第1位置之狀態下，上述蓋側壁部與上述本體側壁部係在徑向上產生重疊，上述防護部係被上述本體側壁部所支撐，於上述空間形成蓋部自上述第1位置而朝向上述第2位置移動之時，上述防護部係隨著上述空間形成蓋部之移動而朝向上方移動，且於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述蓋側壁部之下端係位在較上述本體側壁部之上端為更上方，上述防護部係將上述蓋側壁部之上述下端與上述本體側壁部之上述上端之間的間隙加以覆蓋。根據該基板處理裝置，可抑制處理液附著至外側壁部之狀態。
本發明之一較佳實施形態中，於上述空間形成蓋部自上述第1位置而朝向上述第2位置移動之時，上述防護部係以藉由上述蓋側壁部而被懸吊之方式而朝向上方移動。
本發明之另一較佳實施形態中，上述外側壁部係為波 紋管，該波紋管係於上述上下方向以交互之方式排列有分別為圓周狀之複數之曲折峰線及分別為圓周狀之複數之曲折谷線。
本發明之又一較佳實施形態中，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述防護部之下端部係與上述本體側壁部之上端部在徑向上產生重疊。
本發明之再一較佳實施形態中，上述空間形成蓋部係具有位在上述蓋側壁部之徑向內側的筒狀之內側蓋側壁部，於上述空間形成蓋部位在上述第1位置之狀態下，藉由上述內側蓋側壁部接觸至上述空間形成部本體，而於內部形成密閉空間，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述內側蓋側壁部為自上述空間形成部本體而產生分離，而於上述內側蓋側壁部與上述空間形成部本體之間，形成有環狀開口，上述蓋側壁部係經由上述環狀開口而接取自上述基板所飛散之處理液。
更佳為，上述處理液供給部係具備有噴嘴，該噴嘴係於上述內側蓋側壁部與上述蓋側壁部之間而被安裝在上述空間形成蓋部，且經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方移動，而將處理液供給至上述基板上。
本發明之另一基板處理裝置，其具備有：腔室，其具有腔室本體及腔室蓋部，且於上述腔室蓋部接近至上述腔室本體之上部開口或者接觸至上述上部開口的腔室關閉狀態下，形成腔室空間；腔室開閉機構，其使上述腔室蓋部相對於上述腔室本體以相對之方式移動於上下方向；基板保持部，其於上述腔室關閉狀態下位在上述腔室空間，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板與上述基板保持部 一同旋轉；處理液吐出部，其將處理液供給至上述基板上；及杯部，其以環繞全周之方式位在上述腔室之外側，而於上述腔室之外周形成有側面空間，並經由上述腔室蓋部自上述腔室本體產生分離藉此而被形成在上述基板周圍的環狀開口，接取自旋轉之上述基板所飛散之處理液，上述腔室蓋部之下部係包含有以環繞全周之方式突出至下方之下方突出部，於上述腔室關閉狀態下，上述下方突出部之下端係位在較被上述基板保持部所保持之基板為更下方，且上述下方突出部係將上述腔室蓋部與上述腔室本體之間之間隙或者邊界的徑向內側加以覆蓋，於形成有上述環狀開口之狀態下，藉由上述杯部接觸至上述腔室蓋部，使包含上述腔室本體、上述腔室蓋部及上述杯部之部位，形成一個擴大密閉空間。根據該基板處理裝置，可減小腔室，並可抑制微粒之產生及進行處理液之回收。
本發明之一較佳實施形態中，上述腔室蓋部係於上述下方突出部之上側，包含有朝向徑向外側而凹陷之環狀凹部，於上述腔室關閉之狀態下，上述環狀凹部係位在被上述基板保持部所保持之基板的側面。
本發明之另一較佳實施形態中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側以環繞全周之方式突出至上方之上方突出部，上述上方突出部之上端係朝向上方而變尖。
本發明之又一較佳實施形態中，更進一步具備有：將上述杯部內之氣體加以排出之第1排出流路、及將上述腔室內之氣體加以排出之第2排出流路；於上述腔室關閉之狀態下，上述腔室本體與上述腔室蓋部係以非接觸方式接近，且在於旋轉之基板上被供給有處理液之時，停止自上述第1排出流路的排氣。
本發明之再一較佳實施形態中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側而突出至上方之上方突出部，於上述腔室關閉之狀態下，上述上方突出部之上端係接觸至上述腔室蓋部，上述上方突出部之上部或者上述腔室蓋部之與上述上方突出部之上端產生接觸之部位係包含有彈性密封構件。
本發明之再一較佳實施形態中，更進一步具備有使上述杯部於上下方向產生移動之杯部移動機構，且被固定在上述腔室本體之位置，基板被搬入至上述腔室本體與上述腔室蓋部之間之時的上述杯部之位置，係較形成有上述擴大密閉空間之狀態的上述杯部之位置為更低。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及利點，藉由參照附圖及以下進行之發明之詳細說明，而被闡明。
1、1a‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液接取部
17‧‧‧蓋體
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
31‧‧‧下方突出部
31a‧‧‧追加下方突出部
32‧‧‧上方突出部
33‧‧‧環狀凹部
35‧‧‧彈性密封構件
81‧‧‧環狀開口
82‧‧‧間隙
83‧‧‧邊界
91‧‧‧上表面
92‧‧‧下表面
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開閉機構
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板按壓部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
160‧‧‧側面空間
161‧‧‧杯部
162‧‧‧杯部移動機構
163‧‧‧杯對向部
164‧‧‧外側壁部(波紋管)
165‧‧‧液接取凹部
166‧‧‧防護部
181‧‧‧上部噴嘴(處理液吐出部)
182‧‧‧下部噴嘴
188‧‧‧掃描噴嘴
189‧‧‧頭移動機構
191‧‧‧第1排出流路
192‧‧‧第2排出流路
193‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196‧‧‧排液部
197‧‧‧氣液分離部
198‧‧‧內側排氣部
199‧‧‧排液部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧底中央部(下表面對向部)
212‧‧‧底內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧底外側壁部
216‧‧‧基部
217‧‧‧下部環狀空間
218‧‧‧杯對向部
219‧‧‧上表面(對向面)
222‧‧‧板保持部
223‧‧‧筒部
224‧‧‧凸緣部
227‧‧‧頂蓋部
228‧‧‧蓋下筒部
231‧‧‧唇封
232‧‧‧唇封
237‧‧‧被保持部
238‧‧‧筒部
239‧‧‧凸緣部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
251‧‧‧傾斜底部
252‧‧‧液接取凹部
253‧‧‧液接取側壁部
254‧‧‧波紋管固定部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部基部
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧杯側壁部
612‧‧‧杯上面部
613‧‧‧凸緣部
617‧‧‧波紋管
661‧‧‧凸緣部
813‧‧‧藥液供給部
814‧‧‧純水供給部
815‧‧‧IPA供給部
816‧‧‧惰性氣體供給部
881‧‧‧吐出頭
882‧‧‧頭支撐部
891‧‧‧頭旋轉機構
892‧‧‧頭昇降機構
J1‧‧‧中心軸
S11~S15‧‧‧步驟
圖1為第1實施形態之基板處理裝置之剖視圖。
圖2為波紋管附近之放大剖視圖。
圖3為顯示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖4為顯示基板處理裝置之處理流程之圖。
圖5為基板處理裝置之剖視圖。
圖6為波紋管附近之放大剖視圖。
圖7為顯示基板處理裝置之一部分之俯視圖。
圖8為基板處理裝置之剖視圖。
圖9為基板處理裝置之剖視圖。
圖10為第2實施形態之基板處理裝置之剖視圖。
圖11為開放狀態之基板處理裝置之剖視圖。
圖12為第1閉合狀態之基板處理裝置之剖視圖。
圖13為第2閉合狀態之基板處理裝置之剖視圖。
圖14為基板處理裝置之一部分之剖視圖。
圖15為基板處理裝置之一部分之另一例之剖視圖。
圖16為基板處理裝置之一部分之又一例之剖視圖。
圖17為基板處理裝置之一部分之再一例之剖視圖。
圖1為顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之剖視圖。基板處理裝置1係將處理液供給於大致圓板狀之半導體基板9(以下單稱為「基板9」)，對基板9逐片地進行處理之單片式之裝置。圖1中，對基板處理裝置1之局部構成之截面，省略賦予平行斜線(其他之剖視圖中也同樣)。
基板處理裝置1具備腔室12、頂板123、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液接取部16、外側壁部164、防護部166、及蓋體17。蓋體17係覆蓋腔室12之上方及側面。
腔室12具備腔室本體121及腔室蓋部122。腔室12係以朝上下方向之中心軸J1為中心之大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210、腔室側壁部214、及杯對向部218。腔室底部210具備：大致圓板狀之底中央部211；自底中央部211之外緣部朝下方伸展之大致圓筒狀之底內側壁部212；自底內側壁部212之下端朝徑向外側伸展之大致圓環板狀之環狀底部213；自環狀底部213之外緣部朝上方伸展之大致圓筒狀之底外側壁部215；及自底 外側壁部215之上端部朝徑向外側伸展之大致圓環板狀之基部216。
腔室側壁部214係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。腔室側壁部214係自基部216之內緣部朝上方突出。杯對向部218係以中心軸J1為中心之大致圓環狀。杯對向部218係自腔室側壁部214之下端部朝徑向外側伸展。圖1所示之例子中，腔室側壁部214及杯對向部218係由一個構件所形成。以下之說明中，稱由腔室側壁部214、底外側壁部215、環狀底部213、底內側壁部212及底中央部211之外緣部所包圍之空間為下部環狀空間217。
於基板9被支撐於基板保持部14之基板支撐部141(後述)之情況下，基板9之下表面92係與腔室底部210之底中央部211之上表面對向。以下之說明中，稱腔室底部210之底中央部211為「下表面對向部211」，稱底中央部211之上表面219為「對向面219」。下表面對向部211之對向面219具有撥水性。對向面219例如由鐵弗龍(登錄商標)等之氟系樹脂形成。對向面219係隨著自中心軸J1朝徑向分離而向下方之傾斜面，且為以中心軸J1為中心之大致圓錐面之一部分。
腔室蓋部122係垂直於中心軸J1之大致有蓋圓筒狀，包括腔室12之上部。腔室蓋部122係具備大致圓板狀之頂蓋部227、及自頂蓋部227之外緣部朝下方伸展之大致圓筒狀之蓋下筒部228。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口封閉。圖1中，顯示腔室蓋部122自腔室本體121分離之狀態。於腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉時，蓋下筒部228之下端部與腔室側壁部214之上部接合。
腔室開閉機構131係用以使腔室12之可動部即腔室蓋部122相對於腔室12之腔室蓋部122以外之其他部位即腔室本體121，於上下方向相對地移動。腔室開閉機構131係使腔室蓋部122昇降之蓋部昇降機構。於藉由腔室開閉機構131使腔室蓋部122於上下方向移動時，頂板123也與腔室蓋部122一同於上下方向移動。腔室蓋部122之蓋下筒部228係與腔室本體121之腔室側壁部214接合而將上部開口封閉，而且，藉由朝腔室本體121按壓腔室蓋部122，如後述之圖9所示，於腔室12內部形成密閉空間即腔室空間120。
圖1所示之基板保持部14係配置於腔室蓋部122與腔室本體121之間的空間即腔室空間120，且以水平狀態保持基板9。亦即，基板9係於上表面91垂直於中心軸J1且面向上側之狀態下藉由基板保持部14所保持。基板保持部14具備基板支撐部141及基板按壓部142。基板支撐部141係配置於腔室本體121內，且自下側支撐水平狀態之基板9之外緣部(亦即，包括外周緣之外周緣附近之部位)。基板按壓部142係自上側按壓基板支撐部141所支撐之基板9之外緣部。於圖1所示之狀態下，基板按壓部142並未被使用。
基板支撐部141係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之構件。於基板支撐部141之徑向內側配置有上述下表面對向部211。基板支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部基部413、及固定於支撐部基部413之上表面之複數之第1接觸部411。基板按壓部142具備固定於頂板123之下表面之複數之第2接觸部421。複數之第2接觸部421之圓周方向的位置，實際 上與複數之第1接觸部411之圓周方向的位置不同。
頂板123係垂直於中心軸J1之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9被基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123的下表面對向。頂板123之直徑係較基板9之直徑大，且頂板123之外周緣係較基板9之外周緣全周位於徑向外側。
於圖1所示之狀態下，頂板123係藉由腔室蓋部122所懸吊支撐。腔室蓋部122係於中央部具有大致環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部224。凸緣部224係自筒部223之下端朝徑向內側伸展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝上方伸展。凸緣部239係自筒部238之上端朝徑向外側伸展。筒部238係位於板保持部222之筒部223之徑向內側。凸緣部239係位於板保持部222之凸緣部224之上方，且於上下方向與凸緣部224對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面接觸於板保持部222之凸緣部224的上表面，以自腔室蓋部122懸吊之方式將頂板123安裝於腔室蓋部122。
於頂板123之外緣部之下表面沿圓周方向配置有複數之第1卡合部241，於支撐部基部413之上表面沿圓周方向配置有複數之第2卡合部242。實際上，第1卡合部241及第2卡合部 242、與基板支撐部141之複數之第1接觸部411及基板按壓部142之複數之第2接觸部421，係於圓周方向上配置於不同之位置上。這些卡合部較佳為設置3組以上，本實施形態中設置有4組。於第1卡合部241之下部設置有向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部基部413向上方突出。
圖1所示之基板旋轉機構15係一中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152係包括大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係由PTFE樹脂所封裝。轉子部152係於腔室12之腔室空間120內配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部基部413。支撐部基部413係配置於轉子部152之上方。
定子部151係於腔室12外配置於轉子部152之周圍。換言之，定子部151係於腔室空間120之外側被配置於轉子部152之徑向外側。本實施形態中，定子部151係固定於腔室底部210之底外側壁部215及基部216，位於液接取部16之下方。定子部151包括配置於以中心軸J1為中心之圓周方向的複數之線圈。
藉由朝定子部151供給電流，於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。藉由作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內既不直接也不間接地與腔室12接觸而懸浮於腔室12內，而使基板9與基板保持部14之基板支撐部141一同以懸浮狀態且以中心軸J1為中心進行旋轉。
液接取部16具備杯部161及杯部移動機構162。杯 部161係以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室12之徑向外側全周。杯部移動機構162係使杯部161於上下方向移動。換言之，杯部移動機構162係使杯部161相對於腔室本體121於上下方向相對地移動。杯部移動機構162係配置於杯部161之徑向外側。杯部移動機構162係配置於與上述腔室開閉機構131在圓周方向上不同之位置。
杯部161具備杯側壁部611及杯上面部612。杯側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。杯上面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自杯側壁部611之上端部朝徑向內側及徑向外側伸展。於收容後述之掃描噴嘴188之部位(圖1中之右側之部位)、及其他部位(圖1中之左側之部位)，杯側壁部611之截面形狀不同。杯側壁部611之圖1中之右側之部位，其徑向之厚度較圖1中左側之部位略薄。
防護部166係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。防護部166係位於杯側壁部611之徑向外側。防護部166係藉由杯側壁部611而被懸吊。杯部161及防護部166係位於杯對向部218之上方，且於上下方向與杯對向部218對向。
外側壁部164係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可於上下方向伸縮。圖1所示之例子中，外側壁部164係於上下方向交互地排列有分別為圓周狀之複數之曲折峰線及分別為圓周狀之複數之曲折谷線之波紋管。以下之說明中，稱外側壁部164為波紋管164。波紋管164係位於腔室側壁部214、杯對向部218、杯側壁部611及防護部166之徑向外側，且設於腔室側壁部214、杯對向部218、杯側壁部611及防護部166之周圍全周。波紋管164 係由不使氣體或液體通過之材料形成。
波紋管164之上端部係連接於杯部161之杯上面部612之外緣部下表面全周。換言之，波紋管164之上端部係經由杯上面部612而間接地連接於杯側壁部611。波紋管164與杯上面部612之連接部被密封，以防止氣體之通過。波紋管164之下端部係連接於杯對向部218之外緣部全周。換言之，波紋管164之下端部係經由杯對向部218而間接地連接於腔室本體121。於波紋管164之下端部與杯對向部218之連接部中，也防止氣體之通過。波紋管164係追隨杯部移動機構162之杯部161之移動(亦即，杯部161之相對於杯對向部218及腔室本體121之相對移動)而變形，以改變上下方向之高度。
圖2為放大顯示波紋管164及其附近之局部剖視圖。如圖2所示，杯對向部218具備傾斜底部251、液接取側壁部253、及波紋管固定部254。傾斜底部251係以中心軸J1(參照圖1)為中心之大致圓環板狀，且自腔室側壁部214朝徑向外側伸展。傾斜底部251之上表面係隨著朝向徑向外側而向下方之傾斜面。液接取側壁部253係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且配置於傾斜底部251之圓周方向外側。液接取側壁部253之上端，例如較傾斜底部251之上表面之外緣及內緣位於上方。
於傾斜底部251與液接取側壁部253之間設置有以中心軸J1為中心之大致圓環狀之液接取凹部252。液接取凹部252之底面係較傾斜底部251之上表面之外緣位於下方。波紋管固定部254係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。波紋管固定部254係位於液接取側壁部253之徑向外側。於波紋管固定部254之上端部固定 有波紋管164之下端部。
杯側壁部611及防護部166位於液接取凹部252之上方。換言之，杯側壁部611及防護部166係於上下方向與液接取凹部252對向。杯側壁部611及防護部166係位於液接取側壁部253之徑向內側。杯側壁部611係位於防護部166之徑向內側。亦即，防護部166係於徑向被配置於液接取側壁部253與杯側壁部611之間。
圖2所示之狀態中，自防護部166之上端部朝徑向內側及徑向外側伸展之凸緣部661，係藉由自杯側壁部611之下端部朝徑向外側伸展之凸緣部613所支撐，藉此，防護部166藉由杯側壁部611所懸吊。杯側壁部611之下端係較液接取側壁部253之上端位於上方。防護部166係較杯側壁部611之下端朝下方伸展。防護部166係覆蓋杯側壁部611之下端與液接取側壁部253之上端之間的間隙。藉此，防止波紋管164於徑向上直接與較杯側壁部611、防護部166及液接取側壁部253靠徑向內側之空間對向。較佳為，防護部166之下端係較液接取側壁部253之上端位於下側。換言之，較佳為，防護部166之下端部與液接取側壁部253之上端部於徑向重疊。
如圖1所示，於杯部161之杯上面部612安裝有掃描噴嘴188。換言之，掃描噴嘴188係於蓋下筒部228與杯側壁部611之間被安裝於杯部161。掃描噴嘴188具備吐出處理液之吐出頭881及頭支撐部882。頭支撐部882係於大致水平方向延伸之棒狀之構件。頭支撐部882之一端部即固定端部係安裝於杯部161之杯上面部612之下表面。於頭支撐部882之另一端部即自由端部固定有吐 出頭881。
於杯部161之上部設有頭移動機構189。頭移動機構189係於頭支撐部882之固定端部之上方，固定於杯部161之杯上面部612的上表面。頭移動機構189具備頭旋轉機構891及頭昇降機構892。頭旋轉機構891係貫通杯上面部612而連接於頭支撐部882之固定端部，且以固定端部為中心使頭支撐部882與吐出頭881一同於大致水平方向旋轉。藉由頭旋轉機構891貫通杯部161之貫通部被密封，以防止氣體或液體之通過。頭昇降機構892係藉由使頭支撐部882之固定端部於上下方向移動，而使頭支撐部882及吐出頭881昇降。頭移動機構189係藉由杯部移動機構162而與杯部161一同於上下方向移動。
於腔室蓋部122之中央部固定有以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之上部噴嘴181。上部噴嘴181可插入頂板123之中央部之開口。上部噴嘴181係於下端中央具有液吐出口，於其周圍具有氣體噴出口。於腔室底部210之下表面對向部211之中央部安裝有以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之下部噴嘴182。下部噴嘴182係於上端中央具有液吐出口。
圖3為顯示基板處理裝置1具備之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18除上述之掃描噴嘴188、上部噴嘴181及下部噴嘴182外，還具備藥液供給部813、純水供給部814、IPA供給部815、及惰性氣體供給部816。藥液供給部813經由閥而與掃描噴嘴188連接。純水供給部814及IPA供給部815分別經由閥而與上部噴嘴181連接。下部噴嘴182經由閥而與純水供給部814連接。上部噴嘴181經由閥而亦與惰性氣體供給部816 連接。上部噴嘴181係朝腔室12之內部供給氣體之氣體供給部之一部分。
連接於液接取凹部252之第1排出流路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥而與外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196連接。連接於腔室底部210之第2排出流路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197分別經由閥而與內側排氣部198及排液部199連接。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係藉由控制部10所控制。腔室開閉機構131、基板旋轉機構15、杯部移動機構162及頭移動機構189(參照圖1)也藉由控制部10所控制。
自藥液供給部813經由掃描噴嘴188供給於基板9上之藥液，例如為聚合物除去液或氟酸、氫氧化四甲基銨水溶液等之蝕刻液。純水供給部814經由上部噴嘴181及下部噴嘴182將純水(DIW：deionized water)供給於基板9。IPA供給部815經由上部噴嘴181將異丙醇(IPA)供給於基板9上。
若統稱上述藥液、純水及IPA為處理液，則藥液供給部813、純水供給部814、IPA供給部815、上部噴嘴181及掃描噴嘴188係包含於將處理液供給於基板9之上表面91之處理液供給部內。於基板處理裝置1中，供給上述藥液、純水及IPA以外之處理液之其他供給部，也可包含於該處理液供給部內。自純水供給部814朝下部噴嘴182供給之純水，係作為洗淨下表面92之洗淨液供給於基板9之下表面92的中央部。純水供給部814及下部噴嘴182係包含於供給洗淨液之洗淨液供給部內。
惰性氣體供給部816係經由上部噴嘴181朝腔室12 內供給惰性氣體。自惰性氣體供給部816供給之氣體，例如為氮氣(N2)。該氣體也可是氮氣以外之氣體。
圖4為顯示基板處理裝置1中之基板9之處理流程之一例的圖。於基板處理裝置1中，如圖5所示，於腔室蓋部122自腔室本體121分離而位於其上方，且杯部161自腔室蓋部122分離而位於其下方之狀態下，基板9藉由外部之搬送機構被搬入腔室12內，且藉由基板支撐部141自下側支撐(步驟S11)。以下，稱圖5所示之腔室12及杯部161之狀態為「開放狀態」。腔室蓋部122之蓋下筒部228自腔室本體121朝上方分離，形成於蓋下筒部228與腔室側壁部214之間之開口，係以中心軸J1為中心之環狀，以下稱為「環狀開口81」。基板處理裝置1中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121分離，而於基板9之周圍(亦即，徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9係經由環狀開口81搬入。
於基板9之搬入時，掃描噴嘴188係被預先收容於形成在杯部161與杯對向部218之間的空間160。空間160係包圍腔室12之外周全周之大致圓環狀的空間。以下之說明中，稱空間160為「側面空間」。於側面空間160中，杯側壁部611之下部及防護部166之下部，係位於杯對向部218之液接取凹部252內。
圖6為放大顯示圖5中之波紋管164及其附近之局部剖視圖。圖6所示之狀態中，杯側壁部611、防護部166及液接取側壁部253係於徑向重疊。防護部166之上端部之凸緣部661係接觸於液接取側壁部253之上端。藉此，防護部166被支撐於液接取側壁部253。
圖7為顯示基板處理裝置之1之俯視圖。圖7中，為 了容易理解上述側面空間160中之掃描噴嘴188之收容狀態，省略腔室蓋部122及杯部161等之圖示。此外，對波紋管164注上平行斜線。如圖7所示，於俯視下，掃描噴嘴188之頭支撐部882係以朝徑向外側凸出之方式彎曲。換言之，掃描噴嘴188係大致圓弧狀。於側面空間160中，掃描噴嘴188係以沿波紋管164及杯部161之杯側壁部611(參照圖5)之方式配置頭支撐部882。
於收容有掃描噴嘴188時，於杯部161位於圖1所示之位置之狀態下，藉由頭旋轉機構891使掃描噴嘴188旋轉，經由環狀開口81朝腔室12側移動。藉此，掃描噴嘴188被收容於杯部161與杯對向部218之間的側面空間160。此時，藉由杯部移動機構162使杯部161下降至圖5所示位置。隨著杯部161之下降，側面空間160變小。
若搬入基板9，則杯部161自圖5所示之位置上昇至圖8所示之位置，位於環狀開口81之徑向外側全周。以下之說明中，稱圖8所示之腔室12及杯部161之狀態為「第1密閉狀態」(圖1之狀態也同樣)。此外，稱圖8所示之杯部161之位置為「液接取位置」，稱圖5所示之杯部161之位置為「退避位置」。杯部移動機構162係於環狀開口81之徑向外側之液接取位置與較液接取位置下方之退避位置之間使杯部161於上下方向移動。
於位於液接取位置之杯部161中，杯側壁部611係在徑向上與形成在位於杯側壁部611的徑向內側之蓋下筒部228與腔室側壁部214之間的環狀開口81對向。此外，於位於液接取位置之杯部161中，杯上面部612之內緣部之上表面接合於腔室蓋部122之外緣部下端(亦即，蓋下筒部228之下端)之唇封232全周。於腔 室蓋部122與杯部161之杯上面部612之間形成有防止氣體或液體通過之密封部。藉此，形成有藉由腔室蓋部122、杯部161、波紋管164及腔室本體121所包圍之密閉的空間(以下稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由經由環狀開口81將腔室蓋部122與腔室本體121之間的腔室空間120與杯部161、波紋管164及杯對向部218所包圍之側面空間160連通而形成之一個空間。
於杯部161自圖5所示之退避位置朝圖8所示之液接取位置上昇時，迄杯側壁部611自圖6所示之位置上昇至既定位置為止，防護部166於支撐在液接取側壁部253之狀態下一直靜止。當杯側壁部611上昇至該既定之位置，防護部166之上端部的凸緣部661接觸於杯側壁部611之下端之凸緣部613。然後，藉由杯側壁部611進一步上昇，防護部166藉由杯側壁部611懸吊而與杯側壁部611一同上昇至圖2所示之位置。藉此，防護部166將杯側壁部611之下端與液接取側壁部253之上端之間的間隙覆蓋。再者，只要防護部166隨著杯部161朝上方之移動而朝上方移動，則不一定需要藉由杯側壁部611懸吊移動。
接著，藉由圖8所示之基板旋轉機構15按一定轉速(較低之轉速，以下稱為「穩態轉速」。)開始基板9的旋轉。然後，自惰性氣體供給部816(參照圖3)開始朝擴大密閉空間100之惰性氣體(在此為氮氣)之供給，並藉由外側排氣部194(參照圖3)開始進行擴大密閉空間100內之氣體的排出。藉此，於經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(亦即，氧濃度低之低氧環境氣體)。再者，朝擴大密閉空間100之惰性氣體之供給及擴大密閉空間100內之氣體之排出，亦可自圖5所示之 開放狀態進行。
其次，藉由控制部10(參照圖3)之控制，於側面空間160中自藥液供給部813朝安裝於杯部161之掃描噴嘴188供給既定量之藥液。藉此，於掃描噴嘴188被收容於側面空間160之狀態下(亦即，掃描噴嘴188整體位於側面空間160內之狀態)，進行來自吐出頭881之預吐(predispense)。自吐出頭881預吐後之藥液，於液接取凹部252被接取。
當結束了預吐，藉由配置於擴大密閉空間100之外側之頭旋轉機構891使頭支撐部882旋轉，如圖1所示，掃描噴嘴188之吐出頭881經由環狀開口81朝基板9之上方移動。進而，頭旋轉機構891被控制部10所控制，開始吐出頭881之在基板9上方之往返移動。吐出頭881係沿連結基板9之中心部與外緣部之既定的移動路徑而於水平方向連續地往返移動。
然後，自藥液供給部813朝吐出頭881供給藥液，自水平方向擺動之吐出頭881朝基板9之上表面91供給藥液(步驟S12)。來自吐出頭881之藥液被連續地供給於旋轉之基板9之上表面91。藥液藉由基板9之旋轉朝基板9之外周部擴散，使得上表面91整體藉由藥液所覆被。藉由自水平方向擺動之吐出頭881朝旋轉中之基板9供給藥液，可對基板9之上表面91大致均勻地供給藥液。並且，還可提高基板9上之藥液之溫度之均勻性。其結果，可提高對基板9之藥液處理之均勻性。
於擴大密閉空間100中，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液，經由環狀開口81被杯部161之杯側壁部611所接取，並導向液接取凹部252。朝液接取凹部252引導之藥液經由圖 3所示之第1排出流路191流入氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193回收藥液，且經由過濾器等自藥液中除去雜質等後，被再利用。
若自藥液之供給開始經過了既定時間(例如，60~120秒)，則停止來自掃描噴嘴188之藥液之供給。接著，藉由基板旋轉機構15使基板9之轉速高於穩態轉速達既定時間(例如，1~3秒)，自基板9除去藥液。此外，藉由頭旋轉機構891使掃描噴嘴188旋轉，如圖8所示，自腔室空間120經由環狀開口81朝側面空間160移動。
若掃描噴嘴188朝側面空間160移動，則腔室蓋部122及杯部161同步朝下方移動。並且，如圖9所示，藉由腔室蓋部122之外緣部下端(亦即，蓋下筒部228之下端)之唇封231與腔室側壁部214之上部接觸而將環狀開口81關閉，在與側面空間160隔絕之狀態下將腔室空間120密封。杯部161與圖5同樣地位於退避位置。因此，與圖6同樣地，杯側壁部611、防護部166及液接取側壁部253於徑向重疊。此外，防護部166被液接取側壁部253所支撐。
以下之說明中，稱圖9所示之腔室12及杯部161之狀態為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9係與腔室12之內壁直接對向，且於這些之間不存在其他之液接取部。此外，掃描噴嘴188係與腔室蓋部122隔離而被收容於側面空間160內。
於第2密閉狀態下，基板按壓部142之複數之第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。於頂板123之下表面及基板支撐部141之支撐部基部413上設置有上下方向對向之複數對之磁鐵 (省略圖示)。以下亦稱各對磁鐵為「磁鐵對」。於基板處理裝置1中，複數之磁鐵對係於圓周方向且與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置上以等角度間隔配置。於基板按壓部142接觸於基板9之狀態下，藉由作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，對頂板123作用向下之力。藉此，基板按壓部142朝基板支撐部141按壓基板9。
於基板處理裝置1中，基板按壓部142係藉由頂板123之自重及磁鐵對之磁力朝基板支撐部141按壓基板9，從而可藉由基板按壓部142及基板支撐部141上下挾持而牢固地保持基板9。
於第2密閉狀態下，被保持部237之凸緣部239係朝板保持部222之凸緣部224之上方分離，板保持部222與被保持部237不接觸。換言之，解除了藉由板保持部222對頂板123之保持。因此，頂板123自腔室蓋部122獨立，且與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一同，藉由基板旋轉機構15而進行旋轉。
此外，於第2密閉狀態下，第2卡合部242嵌合於第1卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123係於以中心軸J1為中心之圓周方向與基板支撐部141之支撐部基部413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242，係限制頂板123之對基板支撐部141之旋轉方向的相對位置(亦即，於圓周方向將頂板123固定於基板支撐部141)之位置限制構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15控制支撐部基部413之旋轉位置。
若腔室空間120及側面空間160分別獨立被密閉，則 停止藉由外側排氣部194(參照圖3)進行之氣體之排出，並藉由內側排氣部198開始腔室空間120內之氣體之排出。然後，藉由純水供給部814開始朝基板9之純水之供給(步驟S13)。
來自純水供給部814之純水，自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出後被連續地供給於基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水藉由基板9之旋轉朝上表面91及下表面92之外周部擴散，並自基板9之外周緣朝徑向外側擴散。自基板9飛散之純水，於腔室12之內壁(亦即，蓋下筒部228之內壁及腔室側壁部214之內壁)被接取，並經由圖3所示之第2排出流路192、氣液分離部197及排液部199被廢棄(於後述之基板9之乾燥處理中也同樣)。藉此，與基板9之上表面91之清洗處理及下表面92之洗淨處理一同，實質上亦進行腔室12內之洗淨。
若純水之供給開始經過了既定時間，則停止來自純水供給部814(參照圖3)之純水之供給。然後，於腔室空間120內，使基板9之轉速變得遠高於穩態轉速。藉由自基板9上除去純水，進行基板9之乾燥處理(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始後經過既定時間，則停止基板9之旋轉。基板9之乾燥處理，也可於藉由內側排氣部198對腔室空間120進行減壓而低於大氣壓之減壓環境氣體下進行。
然後，腔室蓋部122及頂板123上昇，如圖5所示，腔室12為開放狀態。於步驟S14中，由於頂板123與基板支撐部141一同旋轉，因此於頂板123之下表面幾乎不殘留液體，從而防止腔室蓋部122之上昇時，液體自頂板123落下於基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構自腔室12搬出(步驟S15)。再者，亦可於 藉由純水供給部814進行之純水之供給後，基板9之乾燥前，自IPA供給部815朝基板9上供給IPA，於基板9上將純水置換為IPA。
於基板處理裝置1中，腔室蓋部122及杯部161係擴大密閉空間100之蓋部即「空間形成蓋部」。此外，腔室本體121係對較空間形成蓋部更上方進行覆蓋之「空間形成部本體」。液接取側壁部253係位於空間形成部本體之外周部之「本體側壁部」。杯側壁部611係位於空間形成蓋部之外周部之「蓋側壁部」，且位於本體側壁部之徑向內側。蓋下筒部228係於空間形成蓋部中位於蓋側壁部之徑向內側之「內側蓋側壁部」。
若稱圖9所示之空間形成蓋部(即、腔室蓋部122及杯部161)之位置為「第1位置」，稱圖1所示之空間形成蓋部之位置為「第2位置」，則腔室開閉機構131及杯部移動機構162，係於第1位置及較第1位置上方之第2位置之間，使空間形成蓋部相對於空間形成部本體於上下方向相對地移動之空間形成部移動機構。
如上述，於基板處理裝置1中，於空間形成蓋部位於第1位置之狀態下，蓋側壁部即杯側壁部611與本體側壁部即液接取側壁部253係於徑向重疊，且防護部166被支撐於本體側壁部。當空間形成蓋部自第1位置朝第2位置移動時，防護部166藉由蓋側壁部懸吊而朝上方移動。然後，於空間形成蓋部位於第2位置之狀態下，蓋側壁部之下端位於較本體側壁部之上端更上方，防護部166將蓋側壁部之下端與本體側壁部之上端之間的間隙覆蓋。
藉此，即使於來自旋轉之基板9之處理液朝較杯側壁部611下方飛散之情況下，也可抑制處理液對外側壁部164之附著。其結果，可抑制附著於外側壁部164之處理液乾燥而產生粉塵 之情況。此外，可抑制處理液自外側壁部164及波紋管固定部254之連接部朝擴大密閉空間100之外部之滲漏。
進而，如上述，防護部166之上下方向之移動，係與藉由杯部移動機構162進行之杯部161之上下方向的移動一同進行。因此，不需要設置用以使防護部166於上下方向移動之機構，可將基板處理裝置1小型化。
於基板處理裝置1中，於空間形成蓋部位於第2位置之狀態下，防護部166之下端部與本體側壁部之上端部係於徑向重疊。藉此，於較防護部166靠徑向內側之空間、與本體側壁部即液接取側壁部253與外側壁部164間之空間之間形成有迷宮構造。其結果，可更進一步抑制處理液附著於外側壁部164。
如上述，於空間形成蓋部位於第1位置之狀態下，藉由內側蓋側壁部即蓋下筒部228接觸於空間形成部本體即腔室本體121之腔室側壁部214，於內部形成密閉空間即腔室空間120。此外，於空間形成蓋部位於第2位置之狀態下，內側蓋側壁部自空間形成部本體分離而於內側蓋側壁部與空間形成部本體之間形成環狀開口81，蓋側壁部經由環狀開口81接取自基板9飛散之處理液。
如此，於基板處理裝置1中，可配合對基板9進行之處理內容來選擇性地使用2種類之處理空間(亦即，腔室空間120及擴大密閉空間100)。此外，即使於外側壁部164包含於形成處理空間之構件內之情況(亦即，於擴大密閉空間100中進行處理之情況)，也可抑制處理液附著於外側壁部164。因此，基板處理裝置1之構造，尤其適合於設置有經由環狀開口81朝基板9之上方移動而將處理液供給於基板9上之掃描噴嘴188之基板處理裝置。
如上述，於基板處理裝置1中，可抑制處理液附著於外側壁部164。因此，基板處理裝置1之構造，尤其適合於具備較難除去附著之處理液之波紋管而作為外側壁部164之基板處理裝置。
圖10為顯示本發明之第2實施形態之基板處理裝置1a之剖視圖。基板處理裝置1a係將處理液供給於大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)，對基板9逐片地進行處理之單片式之裝置。圖10中，對基板處理裝置1a之局部構成之截面，省略賦予平行斜線(其他之剖視圖中也同樣)。
基板處理裝置1a具備腔室12、頂板123、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液接取部16、及蓋體17。蓋體17係覆蓋腔室12之上方及側面。
腔室12具備腔室本體121及腔室蓋部122。腔室12之內周面係以朝上下方向之中心軸J1為中心之大致圓筒面。腔室本體121具備腔室底部210及腔室側壁部214。腔室底部210具備：大致圓板狀之中央部211；自中央部211之外緣部朝下方伸展之大致圓筒狀之內側壁部212；自內側壁部212之下端朝徑向外側伸展之大致圓環板狀之環狀底部213；自環狀底部213之外緣部朝上方伸展之大致圓筒狀之外側壁部215；及自外側壁部215之上端部朝徑向外側伸展之大致圓環板狀之基部216。
腔室側壁部214係以中心軸J1為中心之環狀。腔室側壁部214係配置於基部216上，且形成腔室本體121之內周面之一部分。形成腔室側壁部214之構件，如後述，兼作液接取部16之一部分。以下之說明中，稱由腔室側壁部214、外側壁部215、 環狀底部213、內側壁部212及中央部211之外緣部所包圍之空間為下部環狀空間217。
於基板9被支撐於基板保持部14之情況下，基板9之下表面92係與腔室底部210之中央部211之上表面對向。以下之說明中，稱腔室底部210之中央部211為「下表面對向部211」。
腔室蓋部122係垂直於中心軸J1之大致圓板狀，包括腔室12之上部。腔室蓋部122係將腔室本體121之上部開口封閉。圖10中，顯示腔室蓋部122自腔室本體121分離之狀態。於腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉時，腔室蓋部122之外緣部靠近腔室側壁部214之上部。
腔室開閉機構131係使腔室12之可動部即腔室蓋部122相對於腔室12之腔室蓋部122以外之其他部位即腔室本體121，於上下方向相對地移動。本實施形態中，腔室本體121之位置被固定，腔室開閉機構131係使腔室蓋部122昇降之蓋部昇降機構。於腔室蓋部122在上下方向移動時，頂板123也與腔室蓋部122一同於上下方向移動。藉由腔室蓋部122靠近腔室本體121而將上部開口封閉，進而於腔室12內形成腔室空間120(參照圖13)。換言之，藉由腔室蓋部122與腔室本體121靠近，腔室空間120成為實質上被封閉之狀態。
再者，如後述，也可藉由腔室蓋部122與腔室本體121接合而將上部開口關閉。該情況下，藉由腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口關閉，腔室空間120成為密閉狀態。以下稱腔室蓋部122靠近或接合於上部開口而形成腔室空間120之狀態為「腔室關閉狀態」。
基板保持部14係以水平狀態保持基板9。亦即，基板9係於上表面91垂直於中心軸J1且面向上側之狀態下藉由基板保持部14所保持。於腔室關閉狀態下，基板9位於腔室空間120內。基板保持部14係具備自下側支撐基板9之外緣部(亦即，包括外周緣之外周緣附近之部位)之基板支撐部141、及自上側按壓基板支撐部141所支撐之基板9之外緣部之基板按壓部142。基板支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部基部413、及固定於支撐部基部413之上表面之複數之第1接觸部411。基板按壓部142具備固定於頂板123之下表面之複數之第2接觸部421。複數之第2接觸部421之圓周方向的位置，實際上與複數之第1接觸部411之圓周方向的位置不同。
頂板123係垂直於中心軸J1之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123係於中央具有開口。若基板9被基板支撐部141支撐，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123的下表面對向。頂板123之直徑係較基板9之直徑大，且頂板123之外周緣係較基板9之外周緣全周位於徑向外側。
於圖10所示之狀態下，頂板123係藉由腔室蓋部122所懸吊支撐。腔室蓋部122係於中央部具有大致環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部224。凸緣部224係自筒部223之下端朝徑向內側伸展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為 中心之大致圓板狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝上方伸展。凸緣部239係自筒部238之上端朝徑向外側伸展。筒部238係位於板保持部222之筒部223之徑向內側。凸緣部239係位於板保持部222之凸緣部224之上方，且於上下方向與凸緣部224對向。藉由被保持部237之凸緣部239之下表面接觸於板保持部222之凸緣部224的上表面，以自腔室蓋部122懸吊之方式將頂板123安裝於腔室蓋部122。
基板旋轉機構15係所稱之中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包括大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係由PTFE樹脂所封裝。轉子部152係配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部經由連接構件安裝有基板支撐部141之支撐部基部413。支撐部基部413係位於轉子部152之上方。
定子部151係於腔室12外配置於轉子部152之徑向外側。本實施形態中，定子部151係固定於腔室底部210之外側壁部215及基部216，且位於液接取部16之下方。定子部151包括配置於以中心軸J1為中心之圓周方向的複數之線圈。
藉由朝定子部151供給電流，於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，轉子部152以中心軸J1為中心以水平狀態進行旋轉。藉由作用於定子部151與轉子部152之間之磁力，轉子部152於腔室12內既不直接也不間接地與腔室12接觸而懸浮於腔室12內，使基板9與基板保持部14一同以懸浮狀態且以中心軸J1為中心進行旋轉。
液接取部16具備杯部161、杯部移動機構162及杯 對向部163。杯部161係以中心軸J1為中心之環狀，且位於腔室12之徑向外側全周。杯部移動機構162係使杯部161於上下方向移動。杯部移動機構162係配置於杯部161之徑向外側。杯部移動機構162係位於與上述腔室開閉機構131在圓周方向上不同之位置。杯對向部163係位於杯部161之下方，且於上下方向與杯部161對向。杯對向部163係形成腔室側壁部214之構件之一部分。杯對向部163具有位於腔室側壁部214之徑向外側之環狀之液接取凹部165。
杯部161具備側壁部611、上面部612及波紋管617。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝徑向內側及徑向外側伸展。若杯部161下降，則側壁部611之下部位於液接取凹部165內。
波紋管617係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可於上下方向伸縮。波紋管617係於側壁部611之徑向外側沿全周設置。波紋管617係由不使氣體或液體通過之材料形成。波紋管617之上端部係連接於上面部612之外緣部的下表面全周。換言之，波紋管617之上端部係經由上面部612而間接地連接於側壁部611。波紋管617與上面部612之連接部被密封，以防止氣體或液體之通過。波紋管617之下端部係經由杯對向部163而間接地連接於腔室本休121。於波紋管617之下端部與杯對向部163之連接部中，亦防止氣體或液體之通過。
於腔室蓋部122之中央固定有上部噴嘴181。上部噴嘴181可插入頂板123之中央之開口。上部噴嘴181係於中央具有 複數之液吐出口，於其周圍具有氣體噴出口。自複數之液吐出口吐出相互不同種類之處理液。上部噴嘴181既是將處理液供給於基板9上之處理液吐出部，也是將氣體供給於基板9上之氣體噴出部。再者，也可於腔室12內設置對朝基板9上吐出處理液之吐出頭進行掃描之掃描噴嘴。於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。上部噴嘴181及下部噴嘴182之設置位置不一定限於中央部分，例如，也可為與基板9之外緣部對向之位置。
於液接取部16之液接取凹部165連接有第1排出流路191。第1排出流路191係連接於氣液分離部。於腔室底部210之下部環狀空間217連接有第2排出流路192。第2排出流路192係連接於其他之氣液分離部。腔室開閉機構131、基板旋轉機構15、及杯部移動機構162之動作、暨噴嘴或排出流路中之液體或氣體之流動，係藉由省略圖示之控制部所控制。
上部噴嘴181經由閥而連接於藥液供給部。經由上部噴嘴181被供給基板9上之藥液，例如為氟酸、氫氧化四甲基銨水溶液等之蝕刻液。上部噴嘴181亦經由閥與IPA供給部及純水供給部連接。上部噴嘴181將純水(DIW：deionized water)及異丙醇(IPA)供給於基板9。下部噴嘴182經由閥而連接於純水供給部。藉由下部噴嘴182朝基板9之下表面供給純水。於基板處理裝置1a中，也可設置供給處理液即上述藥液、純水及IPA以外之處理液之處理液供給部。
上部噴嘴181亦經由閥而與惰性氣體供給部連接。經由上部噴嘴181朝腔室12內供給惰性氣體。本實施形態中，作為惰性氣體係使用氮氣(N2)，但也可利用氮氣以外之氣體。
如圖10所示，於頂板123之外緣部之下表面沿圓周方向配置有複數之第1卡合部241，於支撐部基部413之上表面沿圓周方向配置有複數之第2卡合部242。實際上，第1卡合部241及第2卡合部242、與基板支撐部141之複數之第1接觸部411及基板按壓部142之複數之第2接觸部421，係於圓周方向上配置於不同之位置。這些卡合部較佳為設置3組以上，本實施形態中設置有4組。於第1卡合部241之下部設置有向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部基部413向上方突出。
基板處理裝置1a中之基板9之處理流程係與圖2同樣。於基板處理裝置1a中，如圖11所示，於腔室蓋部122自腔室本體121分離而位於其上方，且杯部161自腔室蓋部122分離而位於其下方之狀態下，基板9藉由外部之搬送機構被搬入腔室12內，且藉由基板支撐部141自下側支撐(步驟S11)。以下，稱圖11所示之腔室12及杯部161之狀態為「開放狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口，係以中心軸J1為中心之環狀，以下稱為「環狀開口81」。換言之，基板處理裝置1a中，藉由腔室蓋部122自腔室本體121分離，而於基板9之周圍(亦即，徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9係經由環狀開口81搬入。
若搬入基板9，藉由杯部移動機構162使杯部161自圖11所示位置上昇至圖12所示位置，且位於環狀開口81之徑向外側全周。以下之說明中，稱圖12所示之腔室12及杯部161之狀態為「第1關閉狀態」(圖10之狀態也同樣)。此外，稱圖12所示之杯部161之位置為「液接取位置」，稱圖11所示之杯部161之位置為「退避位置」。杯部移動機構162係於環狀開口81之徑向外側 之液接取位置與較液接取位置下方之退避位置之間使杯部161於上下方向移動。
於位於液接取位置之杯部161中，側壁部611係在徑向上與環狀開口81對向。此外，上面部612之內緣部之上表面接合於腔室蓋部122之外緣部下端之唇封232全周。藉此，於腔室蓋部122與杯部161之上面部612之間形成有防止氣體或液體通過之密封部。藉由於形成有環狀開口81之狀態下使杯部161位於液接取位置，形成藉由腔室本體121、腔室蓋部122、杯部161、及杯對向部163所包圍之密閉的空間(以下稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由經由環狀開口81將腔室蓋部122與腔室本體121之間的空間即朝上下方向伸展之腔室空間120、與由杯部161及杯對向部163所包圍之側面空間160連通而形成之一個空間。擴大密閉空間100只要是藉由包含腔室本體121、腔室蓋部122及杯部161之部位所形成，也可利用其他部位形成。
接著，藉由基板旋轉機構15按一定轉速(較低之轉速，以下稱為「穩態轉速」。)開始基板9的旋轉。然後，自上部噴嘴181開始朝擴大密閉空間100之惰性氣體(在此為氮氣)之供給，並自第1排出流路191開始進行擴大密閉空間100內之氣體的排出。藉此，於經過既定時間後，擴大密閉空間100成為填充有惰性氣體之惰性氣體填充狀態(亦即，氧濃度低之低氧環境氣體)。再者，朝擴大密閉空間100之惰性氣體之供給及擴大密閉空間100內之氣體之排出，也可自圖11所示之開放狀態進行。
然後，自藥液供給部朝上部噴嘴181供給藥液，朝基板9之上表面91吐出藥液(步驟S12)。藥液藉由基板9之旋轉朝基 板9之外周部擴散，使得上表面91整體藉由藥液所覆被。於上表面91藉由藥液進行蝕刻。再者，也可於腔室12設置加熱器，於藥液供給時將基板9加熱。
於擴大密閉空間100中，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液，經由環狀開口81被杯部161所接取，並導向液接取凹部165。朝液接取凹部165引導之藥液經由第1排出流路191流入氣液分離部。由氣液分離部回收之藥液，經由過濾器等除去雜質等後，被再利用。
若自藥液之供給開始經過了既定時間(例如，60~120秒)，則停止藥液之供給。接著，藉由基板旋轉機構15使基板9之轉速高於穩態轉速達既定時間(例如，1~3秒)，自基板9除去藥液。
腔室蓋部122及杯部161一方面維持接觸之狀態一方面朝下方移動。如圖13所示，腔室蓋部122之外緣部下端與腔室側壁部214之上部靠近且間隔微小之間隙。藉此環狀開口81實質上被關閉，腔室空間120與側面空間160隔絕。杯部161與圖11同樣地位於退避位置。以下稱圖13所示之腔室12及杯部161之狀態為「第2關閉狀態」。於第2關閉狀態下，基板9係與腔室12之內壁直接對向，且於這些之間不存在其他之液接取部。於第2關閉狀態下，腔室12係處於腔室關閉狀態。
於第2關閉狀態下，基板按壓部142之複數之第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。於頂板123之下表面及基板支撐部141之支撐部基部413上設置有上下方向對向之複數對之磁鐵(省略圖示)。以下亦稱各對磁鐵為「磁鐵對」。於基板處理裝置1a中，複數之磁鐵對係於圓周方向且與第1接觸部411、第2接觸部 421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位置上以等角度間隔配置。於基板按壓部142接觸於基板9之狀態下，藉由作用於磁鐵對之間之磁力(引力)，對頂板123作用向下之力。
於基板處理裝置1a中，基板按壓部142係藉由頂板123之自重及磁鐵對之磁力朝基板支撐部141按壓基板9，從而可藉由基板按壓部142及基板支撐部141上下挾持而牢固地保持基板9。
於第2關閉狀態下，被保持部237之凸緣部239，係朝板保持部222之凸緣部224之上方分離，板保持部222與被保持部237不接觸。換言之，解除了藉由板保持部222對頂板123之保持。因此，頂板123自腔室蓋部122獨立，且與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一同，藉由基板旋轉機構15而進行旋轉。
此外，於第2關閉狀態下，第2卡合部242嵌合於第1卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123係於以中心軸J1為中心之圓周方向與基板支撐部141之支撐部基部413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242，係將頂板123之對基板支撐部141之旋轉方向的相對位置固定之位置固定構件。當腔室蓋部122下降時，以第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式，藉由基板旋轉機構15控制支撐部基部413之旋轉位置。
若腔室空間120及側面空間160分別獨立，則停止來自第1排出流路191氣體之排出，並開始來自第2排出流路192之腔室空間120內之氣體之排出。然後，藉由純水供給部開始朝基板9之清洗液或洗淨液即純水之供給(步驟S13)。
來自純水供給部之純水，自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出後被連續地供給於基板9之上表面91及下表面92之中央部。純水藉由基板9之旋轉朝上表面91及下表面92之外周部擴散，並自基板9之外周緣朝徑向外側飛散。自基板9飛散之純水，於腔室蓋部122之內壁被接取，並經由第2排出流路192及氣液分離部被廢棄(於後述之基板9之乾燥處理中也同樣)。藉此，與基板9之上表面91之清洗處理及下表面92之洗淨處理一同，實質上亦進行腔室12內之洗淨。
若自純水之供給開始經過了既定時間，則停止純水之供給。然後，於腔室空間120內，使基板9之轉速變得充分高於穩態轉速。藉由自基板9上除去純水，進行基板9之乾燥處理(步驟S14)。若自基板9之乾燥開始後經過既定時間，則停止基板9之旋轉。
然後，腔室蓋部122及頂板123上昇，如圖11所示，腔室12為開放狀態。於步驟S14中，由於頂板123與基板支撐部141一同旋轉，因此於頂板123之下表面幾乎不殘留液體，從而防止腔室蓋部122之上昇時，液體自頂板123落下於基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構自腔室12搬出(步驟S15)。再者，也可於純水朝基板9之供給後，基板9之乾燥前，自IPA供給部朝基板9上供給IPA，於基板9上將純水置換為IPA。
如圖12所示，於基板處理裝置1a中，於腔室12之外周設置有形成側面空間160之杯部161，且於腔室蓋部122自腔室本體121分離之狀態、即形成有環狀開口81之狀態下，藉由杯部161接觸於腔室蓋部122，從而使擴大之腔室空間120及側面空 間160成為一個擴大密閉空間100。而且，當自圖12所示之第1關閉狀態朝圖13所示之第2關閉狀態變更時，腔室蓋部122與杯部161於維持接觸之狀態下下降。藉此，於基板9之處理中不會將內部空間開放，而可使腔室空間120與側面空間160分離。
圖14為顯示第2關閉狀態下之腔室本體121與腔室蓋部122之間的邊界附近之圖。腔室蓋部122之內周部之下部具有朝下方突出之下方突出部31。下方突出部31係存在於全周之環狀。下方突出部31只要是大致朝下方突出，也可相對於重力方向傾斜。此外，腔室蓋部122及下方突出部31之位置，不限於腔室蓋部122之內周部。於腔室關閉狀態下，下方突出部31之下端係較被保持於基板保持部14之基板9位於下方。
腔室蓋部122之內周面，係於下方突出部31之上側包含朝徑向外側凹陷之環狀凹部33。於腔室關閉狀態下，環狀凹部33位於保持在基板保持部14之基板9的側面。因此，自基板9飛散之處理液，被環狀凹部33所接取，然後，朝下方流動於腔室蓋部122之內周面且自下方突出部31之前端落下。藉由設置環狀凹部33，可增大自基板9飛散之處理液之飛翔距離，可抑制飛沫朝基板9之回彈。較佳為，環狀凹部33係曲面，以使液體順滑地流動。
於基板處理裝置1a中，由於可在腔室蓋部122之內周面接取飛散之處理液，因而可將腔室蓋部122之位置設定為低於基板9，可將腔室12相對於上下方向構成為較小。此外，如已述之，藉由利用位於腔室12外之杯部161，可實現腔室12之小型化，並可實現處理液之分離回收。再者，也可於腔室關閉狀態下回收流落於腔室12內之處理液，於第2關閉狀態下將由杯部161接取之處 理液廢棄。也可回收兩者之處理液。
於基板處理裝置1a中，基板9被搬入腔室本體121與腔室蓋部122之間時之圖11所示之杯部161之位置，係較形成有擴大密閉空間100之狀態之圖12所示之杯部161之位置低。因此，於搬入基板9時，可將腔室蓋部122之上昇抑制為最小限。其結果可較小地抑制基板處理裝置1a之設置所需要之上下方向的大小。
如圖14所示，腔室本體121包括朝上方突出之上方突出部32。上方突出部32係設於腔室側壁部214之上端，且存在於下方突出部31之徑向外側全周。上方突出部32之上端係朝上方變尖。上方突出部32之上端之位置，係較下方突出部之下端之位置位於上方。如已述之，於腔室關閉狀態下，腔室本體121與腔室蓋部122係以非接觸式靠近。於下方突出部31與上方突出部32之間形成有微小之間隙82。間隙82係朝徑向外側且朝向上方。
下方突出部31之下端與腔室側壁部214之內周面，於徑向充分地遠離。藉此，自環狀凹部33到達下方突出部31之下端之處理液，不會進入間隙82而落下。較佳為，下方突出部31係較腔室本體121之內周面朝徑向內側突出。
此外，於腔室關閉狀態下，下方突出部31係將間隙82之徑向內側覆蓋。藉此，還可防止飛散之處理液直接到達進入間隙82之情況。藉由防止處理液朝間隙82之進入，可防止固化之處理液成為微粒之產生源。再者，下方突出部31只要是自基板9方向觀察能覆蓋間隙82之徑向內側即可，於自垂直於中心軸J1之方向觀察之情況，間隙82之開口亦可露出。
由於存在間隙82，於腔室關閉狀態下，當朝旋轉之基板9供給處理液時，停止來自圖13所示之第1排出流路191之杯部161內之氣體之排出。來自第2排出流路192之腔室本體121內之氣體及處理液之排出，原則上仍進行。藉此，可更確實地抑制處理液朝間隙82之進入。再者，下方突出部31之上端係朝上方變尖細，因此萬一有處理液進入間隙82，仍可減少處理液之附著量。
於腔室蓋部122與杯部161經由唇封232而接合之狀態下，上面部612之內周面之下表面的位置，係較下方突出部31之下端之位置靠上方。藉此，於圖12所示之第1關閉狀態下，可減少藥液附著於腔室蓋部122與杯部161之間之可能性。
圖15為顯示腔室蓋部122之下部之另一例之圖。圖15中，腔室蓋部122之下部具有另一個下方突出部31a。以下稱該下方突出部31a為「追加下方突出部31a」。腔室蓋部122之其他部位之構造係與圖14同樣。追加下方突出部31a係位於上方突出部32之徑向外側，且於全周朝下方突出。追加下方突出部31a之下端之位置，係較上方突出部32之上端之位置靠下方。藉由下方突出部31、上方突出部32及追加下方突出部31a，以形成間隙82。藉此，間隙82係朝徑向外側一旦向上後再朝向下方。
藉由使間隙82變為更複雜之迷宮構造，進一步抑制處理液之非常微細之液滴朝腔室空間120之外部之移動。
圖16為顯示突出部32之另一例之圖。圖16之上方突出部32之上端，係於腔室關閉狀態下，接合於腔室蓋部122之下部。換言之，於腔室關閉狀態下，腔室蓋部122接觸於腔室本體121之上部開口。藉此，腔室空間120成為密閉空間。因此，於基 板9之處理中，可對腔室空間120進行減壓。例如，基板9之乾燥處理也可於較大氣壓低之減壓環境氣體下進行。
為了實現腔室空間120之密閉，上方突出部32之上部包括藉由樹脂成型之彈性密封構件35。如圖17所示，腔室蓋部122之與方突出部32之上端接觸之部位，也可包括彈性密封構件35。
圖16及圖17中，腔室本體121及腔室蓋部122之其他部位之構造，與圖14同樣。於腔室關閉狀態下，下方突出部31係將腔室蓋部122與腔室本體121之間之邊界83的徑向內側覆蓋。藉此，可減小腔室12，並可實現微粒產生之抑制及處理液之回收。
上述基板處理裝置1、1a，可進行各種之變更。
於基板處理裝置1中，不一定需要形成上述之迷宮構造，例如，也可於空間形成蓋部位於第2位置之狀態下，使防護部166之下端與液接取側壁部253之上端，於上下方向上位於大致相同位置。此外，只要防護部166實質上將杯側壁部611之下端與液接取側壁部253之上端之間的間隙覆蓋，防護部166之下端亦可較液接取側壁部253之上端位於上方。
於基板處理裝置1中，藉由腔室蓋部122、杯部161、外側壁部164及腔室本體121所形成之擴大密閉空間100，不一定需要是嚴密之密閉空間。此外，外側壁部164不限於波紋管，也可利用其他之各種構件(例如，若上下方向之高度變小則以朝徑向外側凸出之方式彈性變形之構件)作為外側壁部164。
於基板處理裝置1中，亦可取代掃描噴嘴188，而設置固定於側面空間160內之噴嘴，藉由自該噴嘴且經由環狀開口81 朝斜下方吐出處理液，將該處理液供給於基板9之上表面91。
於基板處理裝置1中，上述空間形成蓋部不一定需要具備相互獨立地於上下方向移動之腔室蓋部122及杯部161，也可為連成一體之構件。該情況下，例如也可自空間形成蓋部省去內側蓋側壁部。
於基板處理裝置1a中，例如亦可省去環狀凹部33。上方突出部32亦可不存在。藉由下方突出部31及上方突出部32等所形成之迷宮構造，也可為更複雜之構造。
藉由基板處理裝置1a所執行之處理，不限於上述實施形態所示者。於基板處理裝置1a中，於可將腔室空間120密閉之情況下，也可設置將氣體供給於腔室空間120而進行加壓之加壓部。
於基板處理裝置1、1a中，腔室開閉機構131不一定需要使腔室蓋部122於上下方向移動，也可於腔室蓋部122固定之狀態下，使腔室本體121於上下方向移動。腔室12不必限於大致圓筒狀，亦可為各式各樣之形狀。
於基板處理裝置1、1a中，基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀及構造，亦可進行各種變更。轉子部152不一定需要於懸浮狀態下進行旋轉，亦可於腔室12內設置機械式地支撐轉子部152之導引等之構造，使轉子部152沿該導引進行旋轉。基板旋轉機構15不一定需要是中空馬達，亦可將軸旋轉式之馬達作為基板旋轉機構利用。
於基板處理裝置1、1a中，亦可藉由杯部161之上面部612以外之部位、例如側壁部611接觸於腔室蓋部122，而形成 擴大密閉空間100。亦可適宜地變更液接取部16之構造。例如，亦可於杯部161之內側設置其他之杯部。
於基板處理裝置1、1a中，上部噴嘴181及下部噴嘴182之形狀，不限於突出之形狀。只要是具有吐出處理液之吐出口之部位，也全部包含於上述實施形態之吐出部之概念內。
於基板處理裝置1、1a中，除半導體基板以外，也可利用於使用在液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display)等之顯示裝置之玻璃基板之處理。或者，基板處理裝置1、1a也可利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變形例之構成，只要不相互矛盾，也可適宜組合。
雖對發明進行了詳細說明，但已述之說明僅為例示而已，非用來限制本發明。因此，只要未超出本發明之實質範圍，即可有多種之變形及態樣。
161‧‧‧杯部
164‧‧‧外側壁部(波紋管)
166‧‧‧防護部
214‧‧‧腔室側壁部
218‧‧‧杯對向部
251‧‧‧傾斜底部
252‧‧‧液接取凹部
253‧‧‧液接取側壁部
254‧‧‧波紋管固定部
611‧‧‧杯側壁部
613‧‧‧凸緣部
661‧‧‧凸緣部

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，其具備有：空間形成部本體，其具有筒狀之本體側壁部；空間形成蓋部，其具有位在上述本體側壁部之徑向內側的筒狀之蓋側壁部，且將上述空間形成部本體之上方加以覆蓋；空間形成部移動機構，其使上述空間形成蓋部，在第1位置與較上述第1位置為更上方之第2位置之間，相對於上述空間形成部本體而以相對之方式移動於上下方向；外側壁部，其位在上述本體側壁部之徑向外側，上端部係被連接至上述空間形成蓋部，下端部係被連接至上述空間形成部本體，且追隨著藉由上述空間形成部移動機構所進行之相對移動而產生變形；筒狀之防護部，其被配置在上述蓋側壁部與上述本體側壁部之間；基板支撐部，其被配置在上述空間形成部本體內，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其使上述基板與上述基板支撐部一同旋轉；及處理液供給部，其將處理液供給至上述基板上，於上述空間形成蓋部位在上述第1位置之狀態下，上述蓋側壁部與上述本體側壁部係在徑向上產生重疊，上述防護部係被上述本體側壁部所支撐，於上述空間形成蓋部自上述第1位置而朝向上述第2位置移動之時，上述防護部係隨著上述空間形成蓋部之移動而朝向上方移動，且 於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述蓋側壁部之下端係位在較上述本體側壁部之上端為更上方，上述防護部係將上述蓋側壁部之上述下端與上述本體側壁部之上述上端之間的間隙加以覆蓋。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於上述空間形成蓋部自上述第1位置而朝向上述第2位置移動之時，上述防護部係以藉由上述蓋側壁部而被懸吊之方式而朝向上方移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述外側壁部係為波紋管，該波紋管係於上述上下方向以交互之方式排列有分別為圓周狀之複數之曲折峰線及分別為圓周狀之複數之曲折谷線。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述防護部之下端部係與上述本體側壁部之上端部在徑向上產生重疊。
  5. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述防護部之下端部係與上述本體側壁部之上端部在徑向上產生重疊。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述外側壁部係為波紋管，該波紋管係於上述上下方向以交互之方式排列有分別為圓周狀之複數之曲折峰線及分別為圓周狀之複數之曲折谷線。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述防護部之下端部係與上述本體側壁部之上端部在徑向上產生重疊。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述防護部之下端部係與上述 本體側壁部之上端部在徑向上產生重疊。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之基板處理裝置，其中，上述空間形成蓋部係具有位在上述蓋側壁部之徑向內側的筒狀之內側蓋側壁部，於上述空間形成蓋部位在上述第1位置之狀態下，藉由上述內側蓋側壁部接觸至上述空間形成部本體，而於內部形成密閉空間，於上述空間形成蓋部位在上述第2位置之狀態下，上述內側蓋側壁部為自上述空間形成部本體而產生分離，而於上述內側蓋側壁部與上述空間形成部本體之間，形成有環狀開口，上述蓋側壁部係經由上述環狀開口而接取自上述基板所飛散之處理液。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部係具備有噴嘴，該噴嘴係於上述內側蓋側壁部與上述蓋側壁部之間而被安裝在上述空間形成蓋部，且經由上述環狀開口而朝向上述基板之上方移動，而將處理液供給至上述基板上。
  11. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，其具備有：腔室，其具有腔室本體及腔室蓋部，且於上述腔室蓋部接近至上述腔室本體之上部開口或者接觸至上述上部開口的腔室關閉狀態下，形成腔室空間；腔室開閉機構，其使上述腔室蓋部相對於上述腔室本體而以相對之方式移動於上下方向；基板保持部，其於上述腔室關閉狀態下位在上述腔室空間，且以水平狀態將基板加以保持；基板旋轉機構，其以朝向上下方向之中心軸為中心，使上述基板與上述基板保持部一同旋轉； 處理液吐出部，其將處理液供給至上述基板上；及杯部，其以環繞全周之方式位在上述腔室之外側，而於上述腔室之外周形成有側面空間，並經由上述腔室蓋部自上述腔室本體產生分離藉此而被形成在上述基板周圍的環狀開口，接取自旋轉之上述基板所飛散之處理液，上述腔室蓋部之下部係包含有以環繞全周之方式突出至下方之下方突出部，於上述腔室關閉狀態下，上述下方突出部之下端係位在較被上述基板保持部所保持之基板為更下方，且上述下方突出部係將上述腔室蓋部與上述腔室本體之間之間隙或者邊界的徑向內側加以覆蓋，於形成有上述環狀開口之狀態下，藉由上述杯部接觸至上述腔室蓋部，使包含上述腔室本體、上述腔室蓋部及上述杯部之部位，形成一個擴大密閉空間。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述腔室蓋部係於上述下方突出部之上側，包含有朝向徑向外側而凹陷之環狀凹部，於上述腔室關閉狀態下，上述環狀凹部係位在被上述基板保持部所保持之基板的側面。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側以環繞全周之方式突出至上方之上方突出部，上述上方突出部之上端係朝向上方而變尖。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：第1排出流路，其將上述杯部內之氣體加以排出、及 第2排出流路，其將上述腔室內之氣體加以排出；於上述腔室關閉之狀態下，上述腔室本體與上述腔室蓋部係以非接觸方式接近，且在於旋轉之基板上被供給有處理液之時，停止自上述第1排出流路的排氣。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有：第1排出流路，其將上述杯部內之氣體加以排出、及第2排出流路，其將上述腔室內之氣體加以排出；於上述腔室關閉之狀態下，上述腔室本體與上述腔室蓋部係以非接觸方式接近，且在於旋轉之基板上被供給有處理液之時，停止自上述第1排出流路的排氣。
  16. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側而突出至上方之上方突出部，於上述腔室關閉之狀態下，上述上方突出部之上端係接觸至上述腔室蓋部，上述上方突出部之上部或者上述腔室蓋部之與上述上方突出部之上端產生接觸之部位係包含有彈性密封構件。
  17. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側以環繞全周之方式突出至上方之上方突出部，上述上方突出部之上端係朝向上方而變尖。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中，還具備：第1排出流路，其將上述杯部內之氣體加以排出、及第2排出流路，其將上述腔室內之氣體加以排出； 於上述腔室關閉之狀態下，上述腔室本體與上述腔室蓋部係以非接觸方式接近，且在於旋轉之基板上被供給有處理液之時，停止自上述第1排出流路的排氣。
  19. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，還具備：第1排出流路，其將上述杯部內之氣體加以排出、及第2排出流路，其將上述腔室內之氣體加以排出；於上述腔室關閉之狀態下，上述腔室本體與上述腔室蓋部係以非接觸方式接近，且在於旋轉之基板上被供給有處理液之時，停止自上述第1排出流路的排氣。
  20. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，上述腔室本體係包含有在上述下方突出部之徑向外側而突出至上方之上方突出部，於上述腔室關閉之狀態下，上述上方突出部之上端係接觸至上述腔室蓋部，上述上方突出部之上部或者上述腔室蓋部之與上述上方突出部之上端產生接觸之部位係包含有彈性密封構件。
  21. 如申請專利範圍第11至20項中任一項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有使上述杯部於上下方向產生移動之杯部移動機構，且被固定在上述腔室本體之位置，基板被搬入至上述腔室本體與上述腔室蓋部之間之時的上述杯部之位置，係較形成有上述擴大密閉空間之狀態的上述杯部之位置為更低。
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