TWI612572B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置係具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板進行支撐；上部噴嘴，其將純水當作為清洗液而朝向基板之上表面之中央部加以吐出；及基板旋轉機構，其使基板支撐部與基板一起，以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉。於上部噴嘴之底面，設置有吐出純水之複數個吐出口。該複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於中央；及複數個周邊吐出口，其等在中心吐出口之周圍，以等角度間隔，配置在以中心軸為中心之圓周上。於基板處理裝置中，在上部噴嘴設置有複數個吐出口，一方面將來自各吐出口之純水之流量加以減少，一方面確保自上部噴嘴所供給至基板之中央部之純水之流量。藉此，可一方面抑制在基板之中央部的帶電，一方面適當地進行基板之上表面的清洗。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行處理之技術。
習知，於半導體基板(以下簡稱為「基板」)之製造步驟中，使用多種基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，藉由對在表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板供給藥液而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於結束蝕刻處理後，亦進行將基板上之抗蝕劑去除或對基板進行清洗之處理。
例如，於日本專利特開2004-158588號公報中，揭示有一種藉由去除液將附著於基板之有機物去除之基板處理裝置。於該基板處理裝置中，將純水自純水噴嘴供給至旋轉之基板上而進行基板之清洗。
然而，已知，於利用純水之基板之清洗處理中，因於表面形成有絕緣膜之基板與比電阻較高之純水之接觸等而導致基板帶電。若基板之帶電量變大，則有產生清洗中或清洗後微粒之再附著或由放電所導致之配線之損傷等之虞。
作為抑制基板帶電之方法，已知有利用使二氧化碳溶解於純水中而使比電阻降低所得之二氧化碳溶解水清洗基板之方法。然而，於基板上形成有銅配線之情形時，在利用二氧化碳溶解 水之清洗中，存在銅配線受二氧化碳溶解水腐蝕之可能性。又，與利用純水之清洗相比，清洗處理所需之成本增大。
本發明適於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的在於一方面適當地進行基板之清洗，一方面抑制基板之帶電。
本發明之基板處理裝置係具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板進行支撐；噴嘴，其自複數個吐出口將純水當作為清洗液而朝向上述基板之上表面之中央部加以吐出；及基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起，以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉。根據本發明，可一方面適當地進行基板之清洗，一方面抑制基板之帶電。
於本發明之一較佳之實施形態中，上述複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於中央；及複數個周邊吐出口，其等以等角度間隔，配置在以上述中心軸為中心之圓周上。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心之半徑60mm以下之圓內。
於本發明之其他較佳之實施形態中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心且具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓內。
於本發明之其他較佳之實施形態中，自上述複數個吐出口之各者所吐出之上述清洗液之流量係為每分鐘1公升以下。
於本發明之其他較佳之實施形態中，自上述複數個吐出口中之至少1個吐出口所吐出之上述清洗液的方向，與上述中心軸所成之角度為30度以上。
於本發明之其他較佳之實施形態中，更進一步具備有密閉空間形成部，該密閉空間形成部係形成藉由上述清洗液所進行之對上述基板進行清洗處理之密閉的內部空間。
於本發明之其他較佳之實施形態中，自上述複數個吐出口之各者以連續之方式呈液柱狀地吐出上述清洗液。
本發明亦適於對基板進行處理之基板處理方法。
上述目的及其他目的、特徵、樣態及優勢係藉由參照隨附圖式而於以下進行之本發明之詳細之說明而闡明。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧控制部
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體接收部
17‧‧‧外罩
18‧‧‧氣液供給部
19‧‧‧氣液排出部
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
93a~93c、94a~94c、95a~95c、96a~96c‧‧‧長條柱
97a~97f、98a、98b、98d、99a~99c‧‧‧線
100‧‧‧擴大密閉空間
120‧‧‧腔室空間
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開閉機構
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板按壓部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
160‧‧‧側方空間
161‧‧‧護罩部
162‧‧‧護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧液體接收凹部
180a‧‧‧加熱氣體供給噴嘴
181、181b‧‧‧上部噴嘴
181a‧‧‧底面
182‧‧‧下部噴嘴
183‧‧‧藥液供給部
184‧‧‧純水供給部
185‧‧‧IPA供給部
187‧‧‧加熱氣體供給部
188‧‧‧吐出口
188a‧‧‧中心吐出口
188b‧‧‧周邊吐出口
191‧‧‧第1排出管路
192‧‧‧第2排出管路
193、197‧‧‧氣液分離部
194‧‧‧外側排氣部
195‧‧‧藥液回收部
196、199‧‧‧排液部
198‧‧‧內側排氣部
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧中央部
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧基座部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223、238‧‧‧筒部
224、239‧‧‧凸緣部
231、232‧‧‧唇形密封件
237‧‧‧被保持部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部基座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧伸縮管
J1‧‧‧中心軸
S11~S16‧‧‧步驟
圖1係一實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係上部噴嘴之仰視圖。
圖3係表示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。
圖4係表示基板處理裝置之處理之流程之圖。
圖5及圖6係基板處理裝置之剖面圖。
圖7係表示基板之電位之圖。
圖8係表示比較例之基板處理裝置之純水之流量與基板之電位之關係之圖。
圖9係表示基板上之純水之膜厚分佈之圖。
圖10係表示上部噴嘴之另一例之仰視圖。
圖11及圖12係表示吐出方向之傾斜角與基板之電位之關係之圖。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之 剖面圖。基板處理裝置1係對大致圓板狀之半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)供給處理液而逐片對基板9進行處理之單片式裝置。於本實施形態中，在基板處理裝置1中，對直徑300mm之大致圓板狀之基板9進行處理。於圖1中，對基板處理裝置1之一部分之構成之剖面省略平行斜線之賦予(於其他剖面圖中亦相同)。
基板處理裝置1具備腔室12、頂板123、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液體接收部16、及外罩17。外罩17覆蓋腔室12之上方及側方。
腔室12具備腔室本體121、及腔室蓋部122。腔室12係以朝向上下方向之中心軸J1為中心之大致圓筒狀。腔室本體121具備腔室底部210、及腔室側壁部214。腔室底部210具備：大致圓板狀之中央部211；大致圓筒狀之內側壁部212，其自中央部211之外緣部朝向下方擴展；大致圓環板狀之環狀底部213，其自內側壁部212之下端朝向徑向外側擴展；大致圓筒狀之外側壁部215，其自環狀底部213之外緣部朝向上方擴展；及大致圓環板狀之基座部216，其自外側壁部215之上端部朝向徑向外側擴展。
腔室側壁部214係以中心軸J1為中心之環狀。腔室側壁部214係自基座部216之內緣部朝向上方突出。形成腔室側壁部214之構件係如下所述般兼作液體接收部16之一部分。於以下之說明中，將由腔室側壁部214、外側壁部215、環狀底部213、內側壁部212、及中央部211之外緣部包圍之空間稱為下部環狀空間217。
於基板9支撐於基板保持部14之基板支撐部141(於下文敍述)之情形時，基板9之下表面92係與腔室底部210之中央 部211之上表面對向。於以下之說明中，將腔室底部210之中央部211稱為「下表面對向部211」。
腔室蓋部122係與中心軸J1垂直之大致圓板狀，且包含腔室12之上部。腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉。於圖1中，表示腔室蓋部122與腔室本體121隔開距離之狀態。於腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉時，腔室蓋部122之外緣部與腔室側壁部214之上部接觸。
腔室開閉機構131使作為腔室12之可動部之腔室蓋部122相對於作為腔室12之其他部位之腔室本體121沿上下方向相對地移動。腔室開閉機構131係使腔室蓋部122升降之蓋部升降機構。於藉由腔室開閉機構131使腔室蓋部122沿上下方向移動時，頂板123亦與腔室蓋部122一併沿上下方向移動。使腔室蓋部122與腔室本體121接觸而將上部開口封閉，進而，將腔室蓋部122朝向腔室本體121推壓，藉此形成作為密閉於腔室12內之內部空間之腔室空間120(參照圖6)。換言之，藉由利用腔室蓋部122將腔室本體121之上部開口封閉而將腔室空間120密閉。腔室蓋部122及腔室本體121係形成腔室空間120之密閉空間形成部。
基板保持部14配置於腔室空間120，且將基板9以水平狀態保持。即，基板9係以使形成有微細圖案之一主面91(以下稱為「上表面91」)與中心軸J1垂直且朝向上側之狀態由基板保持部14保持。基板保持部14具備：上述基板支撐部141，其自下側支撐基板9之外緣部(即包含外周緣之外周緣附近之部位)；及基板按壓部142，其自上側按壓支撐於基板支撐部141之基板9之外緣部。基板支撐部141係以中心軸J1為中心之大致圓環狀。基板 支撐部141具備以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之支撐部基座413、及固定於支撐部基座413之上表面之複數個第1接觸部411。基板按壓部142具備固定於頂板123之下表面之複數個第2接觸部421。複數個第2接觸部421之周向之位置實際上與複數個第1接觸部411之周向之位置不同。
頂板123係與中心軸J1垂直之大致圓板狀。頂板123係配置於腔室蓋部122之下方且基板支撐部141之上方。頂板123於中央具有開口。若將基板9支撐於基板支撐部141，則基板9之上表面91與垂直於中心軸J1之頂板123之下表面對向。頂板123之直徑大於基板9之直徑，頂板123之外周緣較基板9之外周緣遍及全周地位於更靠徑向外側。
於圖1所示之狀態下，頂板123被腔室蓋部122以垂吊之方式支撐。腔室蓋部122於中央部具有大致環狀之板保持部222。板保持部222具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部223、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部224。凸緣部224係自筒部223之下端朝向徑向內側擴展。
頂板123具備環狀之被保持部237。被保持部237具備以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之筒部238、及以中心軸J1為中心之大致圓板狀之凸緣部239。筒部238係自頂板123之上表面朝向上方擴展。凸緣部239係自筒部238之上端朝向徑向外側擴展。筒部238位於板保持部222之筒部223之徑向內側。凸緣部239位於板保持部222之凸緣部224之上方，且與凸緣部224於上下方向上對向。藉由使被保持部237之凸緣部239之下表面接觸於板保持部222之凸緣部224之上表面，而將頂板123以自腔室蓋部122 垂吊之方式安裝於腔室蓋部122。
於頂板123之外緣部之下表面，沿周向排列有複數個第1卡合部241，且於支撐部基座413之上表面，沿周向排列有複數個第2卡合部242。實際上，第1卡合部241及第2卡合部242係配置於與基板支撐部141之複數個第1接觸部411、及基板按壓部142之複數個第2接觸部421於周向上不同之位置。該等卡合部較佳為設置有3組以上，於本實施形態中設置有4組。於第1卡合部241之下部設置有朝向上方凹陷之凹部。第2卡合部242係自支撐部基座413朝向上方突出。
基板旋轉機構15係所謂之中空馬達。基板旋轉機構15具備以中心軸J1為中心之環狀之定子部151、及環狀之轉子部152。轉子部152包含大致圓環狀之永久磁鐵。永久磁鐵之表面係利用聚四氟乙烯(PTFE，polytetrafluoroethylene)樹脂成形。轉子部152於腔室12內配置於下部環狀空間217內。於轉子部152之上部，經由連接構件而安裝有基板支撐部141之支撐部基座413。支撐部基座413係配置於轉子部152之上方。
定子部151於腔室12外配置於轉子部152之周圍、即徑向外側。於本實施形態中，定子部151係固定於腔室底部210之外側壁部215及基座部216，且位於液體接收部16之下方。定子部151包含排列於以中心軸J1為中心之周向之複數個線圈。
藉由對定子部151供給電流，而於定子部151與轉子部152之間產生以中心軸J1為中心之旋轉力。藉此，使轉子部152以中心軸J1為中心而以水平狀態旋轉。藉由作用於定子部151與轉子部152之間之磁力而使轉子部152於腔室12內既不直接接觸 於腔室12亦不間接接觸於腔室12地浮動，從而使基板9與基板支撐部141一併以中心軸J1為中心而以浮動狀態旋轉。
液體接收部16具備護罩部161、護罩部移動機構162、及護罩對向部163。護罩部161係以中心軸J1為中心之環狀，且遍及全周地位於腔室12之徑向外側。護罩部移動機構162使護罩部161沿上下方向移動。護罩部移動機構162係配置於護罩部161之徑向外側。護罩部移動機構162係配置於與上述腔室開閉機構131在周向上不同之位置。護罩對向部163位於護罩部161之下方，且與護罩部161於上下方向上對向。護罩對向部163係形成腔室側壁部214之構件之一部分。護罩對向部163具有位於腔室側壁部214之徑向外側之環狀之液體接收凹部165。
護罩部161具備側壁部611、上表面部612、及伸縮管617。側壁部611係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。上表面部612係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，且自側壁部611之上端部朝向徑向內側及徑向外側擴展。側壁部611之下部位於護罩對向部163之液體接收凹部165內。
伸縮管617係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，且可沿上下方向伸縮。伸縮管617係於側壁部611之徑向外側遍及全周地設置於側壁部611之周圍。伸縮管617係由不使氣體及液體通過之材料形成。伸縮管617之上端部係遍及全周地連接於上表面部612之外緣部之下表面。換言之，伸縮管617之上端部係經由上表面部612而間接地連接於側壁部611。伸縮管617與上表面部612之連接部被密封，而防止氣體及液體通過。伸縮管617之下端部係經由護罩對向部163而間接地連接於腔室本體121。於伸縮管617 之下端部與護罩對向部163之連接部亦防止氣體及液體通過。
於腔室蓋部122之中央安裝有以中心軸J1為中心之大致圓柱狀之上部噴嘴181。上部噴嘴181係與基板9之上表面91之中央部對向而固定於腔室蓋部122。上部噴嘴181可插入至頂板123之中央之開口。於腔室底部210之下表面對向部211之中央安裝有下部噴嘴182。下部噴嘴182於中央具有液體吐出口，且與基板9之下表面92之中央部對向。於下表面對向部211，進而安裝有複數個加熱氣體供給噴嘴180a。複數個加熱氣體供給噴嘴180a例如以等角度間隔配置於以中心軸J1為中心之周向上。
圖2係上部噴嘴181之仰視圖。上部噴嘴181之底面181a係以中心軸J1為中心之大致圓形。於底面181a設置有吐出液體之複數個吐出口188。複數個吐出口188包括配置於底面181a之中央(即大致中心軸J1上)之中心吐出口188a、及配置於中心吐出口188a之周圍之複數個周邊吐出口188b。複數個周邊吐出口188b係以等角度間隔配置於以中心軸J1為中心之1個圓周上。
於圖2所示之例中，2個周邊吐出口188b係以180度間隔配置於以中心軸J1為中心之周向上。換言之，2個周邊吐出口188b係配置於隔著中心軸J1而相互對向之位置。又，複數個吐出口188較佳為配置於以中心軸J1為中心之半徑60mm以下之圓內、即以中心軸J1為中心且具有基板9之半徑之40%以下之半徑之圓內。各吐出口188之直徑約為4mm，中心吐出口188a與各周邊吐出口188b之中心間距離(即吐出口之中心間之徑向之距離)約為30mm。
圖3係表示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18 及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18除具備上述上部噴嘴181、下部噴嘴182及加熱氣體供給噴嘴180a以外，亦具備藥液供給部183、純水供給部184、異丙醇(IPA，isopropyl alcohol)供給部185、及加熱氣體供給部187。
藥液供給部183係經由閥而連接於上部噴嘴181。純水供給部184及IPA供給部185分別經由閥而連接於上部噴嘴181。下部噴嘴182係經由閥而連接於純水供給部184。複數個加熱氣體供給噴嘴180a係經由閥而連接於加熱氣體供給部187。
連接於液體接收部16之液體接收凹部165之第1排出管路191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193係分別經由閥而連接於外側排氣部194、藥液回收部195及排液部196。連接於腔室12之腔室底部210之第2排出管路192係連接於氣液分離部197。氣液分離部197係分別經由閥而連接於內側排氣部198及排液部199。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成係由控制部10控制。腔室開閉機構131、基板旋轉機構15及護罩部移動機構162(參照圖1)亦由控制部10控制。
自藥液供給部183供給至上部噴嘴181之藥液係自上部噴嘴181之中心吐出口188a(參照圖2)朝向基板9之上表面91之中央部吐出。自藥液供給部183經由上部噴嘴181而供給至基板9之藥液例如為利用化學反應對基板進行處理之處理液，且為氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液。
純水供給部184將純水(DIW：deionized water)經由上部噴嘴181及下部噴嘴182而供給至基板9。自純水供給部184供給至上部噴嘴181之純水係自上部噴嘴181之複數個吐出口188(即 中心吐出口188a及周邊吐出口188b)朝向基板9之上表面91之中央部而沿與上表面91大致垂直之吐出方向吐出。自純水供給部184供給至下部噴嘴182之純水係自下部噴嘴182之吐出口朝向基板9之下表面92之中央部吐出。
自IPA供給部185供給至上部噴嘴181之異丙醇(IPA)係自上部噴嘴181之中心吐出口188a朝向基板9之上表面91之中央部吐出。於基板處理裝置1中亦可設置供給除上述處理液(上述藥液、純水及IPA)以外之處理液之處理液供給部。
加熱氣體供給部187係將經加熱之氣體(例如高溫之惰性氣體)經由複數個加熱氣體供給噴嘴180a而供給至基板9之下表面92。於本實施形態中，加熱氣體供給部187中所利用之氣體為氮氣(N2)，但亦可為除氮氣以外之氣體。再者，於在加熱氣體供給部187中利用經加熱之惰性氣體之情形時，可簡化或不需要基板處理裝置1之防爆對策。
圖4係表示基板處理裝置1之基板9之處理之流程之圖。於基板處理裝置1中，如圖1所示，於腔室蓋部122與腔室本體121隔開距離而位於上方、護罩部161與腔室蓋部122隔開距離而位於下方之狀態下，利用外部之搬送機構將基板9搬入至腔室12內，並利用基板支撐部141自下側支撐基板9(步驟S11)。以下，將圖1所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「打開狀態」。腔室蓋部122與腔室側壁部214之間之開口係以中心軸J1為中心之環狀，以下，稱為「環狀開口81」。於基板處理裝置1中，藉由使腔室蓋部122與腔室本體121隔開距離而於基板9之周圍(即徑向外側)形成環狀開口81。於步驟S11中，基板9係經由環狀開口81而被搬 入。
搬入基板9後，使護罩部161自圖1所示之位置上升至圖5所示之位置，並遍及全周地位於環狀開口81之徑向外側。於以下之說明中，將圖5所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第1密閉狀態」。又，將圖5所示之護罩部161之位置稱為「液體接收位置」，將圖1所示之護罩部161之位置稱為「退避位置」。護罩部移動機構162使護罩部161於環狀開口81之徑向外側之液體接收位置與較液體接收位置更靠下方之退避位置之間沿上下方向移動。
在位於液體接收位置之護罩部161，側壁部611與環狀開口81於徑向上對向。又，上表面部612之內緣部之上表面係遍及全周地接觸於腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件232。於腔室蓋部122與護罩部161之上表面部612之間形成有防止氣體及液體通過之密封部。藉此，形成由腔室本體121、腔室蓋部122、護罩部161及護罩對向部163包圍之密閉之空間(以下稱為「擴大密閉空間100」)。擴大密閉空間100係藉由將腔室蓋部122與腔室本體121之間之腔室空間120、與由護罩部161及護罩對向部163包圍之側方空間160經由環狀開口81連通而形成之1個空間。
於第1密閉狀態下，基板按壓部142之複數個第2接觸部421接觸於基板9之外緣部。於頂板123之下表面、及基板支撐部141之支撐部基座413上設置有於上下方向上對向之數對磁鐵(省略圖示)。以下，亦將各對磁鐵稱為「磁鐵對」。於基板處理裝置1中，複數個磁鐵對係於周向上以等角度間隔配置於與第1接觸部411、第2接觸部421、第1卡合部241及第2卡合部242不同之位 置。於基板按壓部142接觸於基板9之狀態下，藉由作用於磁鐵對之間之磁力(引力)而對頂板123作用朝下之力。藉此，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓。
於基板處理裝置1中，基板按壓部142係利用頂板123之自身重量、及磁鐵對之磁力將基板9向基板支撐部141按壓，藉此可利用基板按壓部142與基板支撐部141自上下夾持並牢固地保持基板9。
於第1密閉狀態下，被保持部237之凸緣部239遠離至板保持部222之凸緣部224之上方，板保持部222與被保持部237不接觸。換言之，將利用板保持部222之頂板123之保持解除。因此，頂板123自腔室蓋部122獨立而與基板保持部14及保持於基板保持部14之基板9一併藉由基板旋轉機構15而旋轉。
又，於第1密閉狀態下，第2卡合部242嵌入至第1卡合部241之下部之凹部。藉此，頂板123於以中心軸J1為中心之周向上與基板支撐部141之支撐部基座413卡合。換言之，第1卡合部241及第2卡合部242係限制頂板123在相對於基板支撐部141旋轉之方向上之相對位置(即固定周向上之相對位置)之位置限制構件。於腔室蓋部122下降時，以使第1卡合部241與第2卡合部242嵌合之方式藉由基板旋轉機構15控制支撐部基座413之旋轉位置。
繼而，藉由基板旋轉機構15開始固定之轉數(為相對較低之轉數，以下稱為「恆定轉數」)下之基板9之旋轉。繼而，一方面將經加熱之氣體自複數個加熱氣體供給噴嘴180a朝向旋轉之基板9之下表面92噴出，一方面利用外側排氣部194開始擴大 密閉空間100內之氣體之排出。藉此，對基板9進行加熱。繼而，開始自上部噴嘴181之中心吐出口188a(參照圖2)朝向旋轉之基板9之上表面91之中央部供給藥液。對基板9之上表面91吐出藥液係僅對基板9之中央部進行而不對除中央部以外之部位進行。來自上部噴嘴181之藥液係連續地呈液柱狀吐出而供給至旋轉之基板9之上表面91。上表面91上之藥液係藉由基板9之旋轉而擴散至基板9之外周部，從而使上表面91整體由藥液被覆。
於自上部噴嘴181之藥液之供給中，仍繼續自加熱氣體供給噴嘴180a噴出加熱氣體。藉此，將基板9加熱至大致所需之溫度並且利用藥液對上表面91進行蝕刻。其結果，可提高對基板9進行之藥液處理之均勻性。由於頂板123之下表面接近於基板9之上表面91，故而對基板9之蝕刻係於頂板123之下表面與基板9之上表面91之間之極窄之空間內進行。
於擴大密閉空間100內，自旋轉之基板9之上表面91飛散之藥液係經由環狀開口81而由護罩部161接收並導入至液體接收凹部165。導入至液體接收凹部165之藥液係經由圖3所示之第1排出管路191而流入至氣液分離部193。於藥液回收部195中，自氣液分離部193回收藥液，並經由過濾器等自藥液中去除雜質等後進行再利用。
從自上部噴嘴181之藥液之供給開始經過既定時間(例如60~120秒)後，停止自上部噴嘴181之藥液之供給、及自加熱氣體供給噴嘴180a之加熱氣體之供給。繼而，利用基板旋轉機構15使基板9之轉數高於恆定轉數既定時間(例如1~3秒)，從而將藥液自基板9去除。
繼而，使腔室蓋部122及護罩部161同步地向下方移動。繼而，如圖6所示，藉由使腔室蓋部122之外緣部下端之唇形密封件231與腔室側壁部214之上部接觸，而將環狀開口81封閉，從而將腔室空間120以與側方空間160隔絕之狀態密閉。護罩部161與圖1同樣地位於退避位置。以下，將圖6所示之腔室12及護罩部161之狀態稱為「第2密閉狀態」。於第2密閉狀態下，基板9係與腔室12之內壁直接對向，於其等之間不存在其他液體接收部。
於第2密閉狀態下，亦與第1密閉狀態同樣地，基板按壓部142將基板9向基板支撐部141按壓，藉此，利用基板按壓部142與基板支撐部141自上下夾持並牢固地保持基板9。又，將利用板保持部222之頂板123之保持解除，頂板123自腔室蓋部122獨立而與基板保持部14及基板9一併旋轉。
將腔室空間120密閉後，停止利用外側排氣部194(參照圖3)排出氣體，並且開始利用內側排氣部198排出腔室空間120內之氣體。繼而，利用純水供給部184開始對基板9供給純水(步驟S13)。
來自純水供給部184之純水係自上部噴嘴181之複數個吐出口188(參照圖2)被連續地供給至基板9之上表面91之中央部。又，來自純水供給部184之純水亦自下部噴嘴182被連續地供給至基板9之下表面92之中央部。自上部噴嘴181及下部噴嘴182吐出之純水係被作為清洗液供給至基板9。
於本實施形態中，自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91之純水之流量係每分鐘約2公升。具體而言，自圖2所示之中心吐出口188a吐出之純水之流量係每分鐘約1公升，自各周 邊吐出口188b吐出之純水之流量係每分鐘約0.5公升。自複數個吐出口188之各者吐出之純水之流量較佳為設定為每分鐘1公升以下。
純水係藉由圖6所示之基板9之旋轉而擴散至上表面91及下表面92之外周部，並自基板9之外周緣飛散至外側。自基板9飛散之純水係由腔室12之內壁(即腔室蓋部122及腔室側壁部214之內壁)接收並經由圖3所示之第2排出管路192、氣液分離部197及排液部199而被廢棄(於下述基板9之乾燥處理中亦相同)。藉此，於腔室空間120內，利用純水對基板9進行清洗處理，並且亦實質地進行腔室12內之清洗。
自純水之供給開始經過既定時間後，停止自純水供給部184供給純水。繼而，自複數個加熱氣體供給噴嘴180a朝向基板9之下表面92噴出經加熱之氣體。藉此，對基板9進行加熱。
繼而，將IPA自上部噴嘴181供給至基板9之上表面91上，於上表面91上將純水替換為IPA(步驟S14)。自IPA之供給開始經過既定時間後，停止自IPA供給部185供給IPA。其後，於繼續自加熱氣體供給噴嘴180a噴出加熱氣體之狀態下，使基板9之轉數充分高於恆定轉數。藉此，將IPA自基板9上去除，進行基板9之乾燥處理(步驟S15)。自基板9之乾燥開始經過既定時間後，停止基板9之旋轉。基板9之乾燥處理亦可利用內側排氣部198對腔室空間120進行減壓，而在低於大氣壓之減壓環境中進行。
其後，腔室蓋部122與頂板123上升，如圖1所示，腔室12成為打開狀態。於步驟S15中，由於頂板123與基板支撐部141一併旋轉，故而於頂板123之下表面幾乎不殘存液體，從而 於腔室蓋部122上升時液體不會自頂板123掉落至基板9上。基板9係藉由外部之搬送機構而被自腔室12搬出(步驟S16)。
然而，於利用純水之基板之清洗處理中，因基板與比電阻較高之純水之接觸等而導致基板帶電。圖7係表示上述基板處理裝置1之清洗處理後之基板9之電位、及比較例之基板處理裝置之清洗處理後之基板之電位之圖。比較例之基板處理裝置具有與圖1所示之基板處理裝置1大致相同之構造，但於比較例之基板處理裝置之上部噴嘴中，吐出純水之吐出口於中心軸上僅設置有1個。圖7之縱軸表示基板上之電位之絕對值(以下簡稱為「電位」)。
圖7中之位於左側之3根長條柱(Bar graph)93a~93c表示於圖1所示之基板處理裝置1中已被進行過清洗處理之基板9之中央部之電位、中央部與外緣部之間之中間部之電位、及外緣部之電位。又，3根長條柱94a~94c表示於比較例之基板處理裝置中一方面自上部噴嘴之上述1個吐出口每分鐘吐出2公升純水一方面進行清洗處理後之基板之中央部、中間部及外緣部之電位。3根長條柱95a~95c表示於比較例之基板處理裝置中一方面自上部噴嘴之吐出口每分鐘吐出1公升純水一方面進行清洗處理後之基板之中央部、中間部及外緣部之電位。3根長條柱96a~96c表示於比較例之基板處理裝置中一方面自上部噴嘴之吐出口每分鐘吐出0.5公升純水一方面進行清洗處理後之基板之中央部、中間部及外緣部之電位。
如圖7所示，於圖1所示之基板處理裝置1中，自上部噴嘴181吐出之純水所碰撞到之基板9之中央部之電位最大，隨著朝向外緣部，電位變小。於比較例之基板處理裝置中亦相同。又， 於比較例之基板處理裝置中，若自上部噴嘴供給至基板之純水之流量變小，則基板上之電位變小。
於圖1所示之基板處理裝置1中，如上所述般每分鐘將2公升純水自上部噴嘴181供給至基板9，若僅關注來自上部噴嘴181之純水之每單位時間之供給量(即來自上部噴嘴181之純水之流量)，則與圖7中之長條柱94a~94c所示之比較例之基板處理裝置相同。然而，於基板處理裝置1中，上部噴嘴181具有複數個吐出口188，自中心吐出口188a每分鐘吐出1公升純水，自各周邊吐出口188b每分鐘吐出0.5公升純水。
如此，於基板處理裝置1中，即便來自上部噴嘴181之純水之供給量相同，藉由於上部噴嘴181設置複數個吐出口188而減小自各吐出口188吐出之純水之流量，亦可減小基板9上之電位、尤其基板9之中央部之電位。尤其，藉由將自各吐出口188吐出之純水之流量設為每分鐘1公升以下，可更加高效率地抑制基板9之中央部之帶電。
另一方面，若自上部噴嘴供給至基板上之純水之流量減小，則存在未充分地對基板進行清洗而於清洗後之基板上殘留微粒等之情況。此種基板之清洗不足於遠離基板之中心部之中間部或外緣部較為明顯，被認為起因於基板之中間部或外緣部之純水之膜厚不足。於圖1所示之基板處理裝置1中，藉由如上所述般於上部噴嘴181設置複數個吐出口188，而一方面使來自各吐出口188之純水之流量減小，一方面確保自上部噴嘴181供給至基板9之中央部之純水之流量。藉此，可一方面抑制基板9之中央部之帶電，一方面適當地對基板9之上表面91進行清洗。
如上所述，於上部噴嘴181中設置有配置於中央之中心吐出口188a、及以等角度間隔配置於以中心軸J1為中心之圓周上之複數個周邊吐出口188b。自上部噴嘴181供給至基板9上之純水隨著吐出至基板9上之位置接近於基板9之中心，於基板9之上表面91上之移動距離變長，從而對基板9之清洗處理之貢獻度變高。於基板處理裝置1中，藉由自中心吐出口188a對基板9之大致中心吐出純水，可提高基板9之清洗效率。又，複數個周邊吐出口188b係配置於以中心軸J1為中心之徑向之較佳位置，可自該等周邊吐出口188b於以中心軸J1為中心之周向上大致均等地供給純水。其結果，可提高基板9之上表面91之清洗之均勻性。
圖8係表示於上述比較例之基板處理裝置中自上部噴嘴供給至基板之純水之流量與基板之上表面上之各位置之電位的關係之圖。圖8之橫軸表示基板上之位置，具體而言表示將基板之中心設為0之情形時基板上之各位置之徑向之座標(即距基板之中心之距離)。圖8之縱軸表示基板上之各位置之電位之絕對值(以下簡稱為「電位」)。線97a~97f分別表示來自上部噴嘴181之純水之流量為每分鐘2.5公升、2公升、1.5公升、1公升、0.5公升及0.2公升之情形時之電位。
於比較例之基板處理裝置中，認為只要來自上部噴嘴之純水之流量為每分鐘0.2公升以下，便不會於基板上產生較大之帶電。於圖1所示之基板處理裝置1中，來自中心吐出口188a之純水之流量如上所述般為每分鐘1公升。於圖8中，如線97d所示，於以每分鐘1公升之流量自1個吐出口吐出純水之情形時，超過以每分鐘0.2公升之流量自1個吐出口吐出純水之情形時之最大電位 之區域(以下稱為「超過區域」)為距基板9之中心半徑約10mm以內之範圍。於圖1所示之基板處理裝置1中，較佳為以來自中心吐出口188a之純水之超過區域、與來自各周邊吐出口188b之純水之超過區域不重疊之方式將中心吐出口188a與各周邊吐出口188b之中心間距離設為20mm以上。藉此，可更加抑制基板9之中央部之帶電。
於基板處理裝置1中，為了防止基板9上之配線之腐蝕或縮短基板9之處理時間，而要求縮短利用純水之清洗處理所需之時間。另一方面，於清洗時間較短之情形時，於基板9之中間部或外緣部產生因上述膜厚不足等所導致之清洗不足之可能性增高。
圖9係表示基板9上之純水之膜厚分佈之圖。圖9之橫軸表示基板9上之各位置距基板9之中心之距離，縱軸表示基板9上之各位置之純水之膜厚。線98a表示於基板處理裝置1中與基板9之上表面91大致垂直地將純水自圖10所示之上部噴嘴181b供給至基板9之中央部而代替圖2所示之上部噴嘴181之情形時之膜厚分佈。上部噴嘴181b係自設置於底面181a之4個吐出口188朝向基板9之上表面91之中央部吐出純水。4個吐出口188包含配置於中央之1個中心吐出口188a、及以等角度間隔(即120度間隔)配置於以中心軸J1為中心之圓周上之3個周邊吐出口188b。中心吐出口188a與各周邊吐出口188b之中心間距離約為20mm。
圖9中之線98a係藉由模擬而求出自各吐出口188每分鐘吐出0.5公升純水之情形時之膜厚分佈者。於該情形時，自上部噴嘴181b供給至基板9之純水之流量為每分鐘2公升。線98b係藉由模擬而求出假定僅自中心吐出口188a每分鐘吐出0.5公升純 水而不自周邊吐出口188b吐出純水之情形時之膜厚分佈者。
又，線98d表示於基板9之中間部或外緣部有因純水之膜厚變薄而產生清洗不足之虞的純水之膜厚分佈。於圖9中，線98b與線98d相交之位置係距基板9之中心約60mm之位置。於線98a上，因受到來自周邊吐出口188b之純水之影響，而於距基板9之中心約60mm之位置，純水之膜厚大於線98d所示之閾值。因此，可抑制基板9之中間部或外緣部之清洗不足之產生。
如此，於基板處理裝置1中，藉由將複數個吐出口188配置於以中心軸J1為中心之半徑60mm以下之圓內，換言之，藉由將來自複數個吐出口188之純水朝向基板9上以中心軸J1為中心之半徑60mm以下之圓內吐出，可防止基板9上之純水之膜厚未滿上述閾值。其結果，可抑制基板9之清洗不足之產生。若關注吐出口188之位置與基板9之半徑之關係，則藉由將複數個吐出口188配置於以中心軸J1為中心且基板9之半徑之40%以下之圓內，可如上所述般抑制基板9之清洗不足之產生。於基板處理裝置1中，使用圖2所示之上部噴嘴181代替圖10所示之上部噴嘴181b之情形亦相同。
於上述說明中係自上部噴嘴181、181b之複數個吐出口188與基板9之上表面91大致垂直地吐出純水，但自吐出口188吐出純水之方向亦可相對於中心軸J1傾斜。圖11係表示自1個吐出口朝向基板9之中心吐出純水之情形時基板9之電位分佈之圖。圖11之橫軸表示將基板9之中心設為0之情形時基板9上之各位置之徑向之座標。圖11之縱軸表示基板9上之各位置之電位之絕對值(以下簡稱為「電位」)。
線99a~99c分別表示自上述1個吐出口吐出純水之方向相對於中心軸J1之傾斜角(即吐出方向與中心軸J1所成之角度)為0度、30度及60度之情形時之電位。所謂傾斜角0度係表示吐出方向與中心軸J1平行而與基板9之上表面91大致垂直地吐出純水之狀態。所謂傾斜角30度係表示於自吐出口沿吐出方向延伸之吐出軸與基板9之上表面91相交之交點沿上下方向延伸之法線與該吐出軸所成之角度為30度之狀態，即，將吐出軸沿上下方向投影至基板9之上表面91上所得之投影吐出軸與該吐出軸所成之角度為60度之狀態。所謂傾斜角60度係表示自吐出軸與基板9之上表面91相交之交點沿上下方向延伸之法線與該吐出軸所成之角度為60度之狀態，即，投影吐出軸與吐出軸所成之角度為30度之狀態。
圖12係表示上述傾斜角與圖11所示之基板9之中心之電位之關係之圖。圖12之橫軸表示傾斜角，縱軸表示基板9之中心之電位。如圖11及圖12所示，藉由將傾斜角設為30度以上，可大幅度地降低基板9之中央部之電位。於基板處理裝置1中，較佳為自複數個吐出口188中之至少1個吐出口188吐出純水之方向與中心軸J1所成之角度為30度以上。藉此，可進而抑制基板9之中央部之帶電。
於基板處理裝置1中，可進行各種變更。
例如，於上部噴嘴181、181b中，亦可在中心吐出口188a之周圍，將4個以上之周邊吐出口188b以等角度間隔配置於同一圓周上。複數個周邊吐出口188b亦可不必配置於同一圓周上，又，亦可不必配置為等角度間隔。複數個周邊吐出口188b亦能以 各種配置設置於中心吐出口188a之周圍。亦可於中心吐出口188a之周圍僅設置1個周邊吐出口188b。
又，於上部噴嘴181、181b中，亦可不必設置中心吐出口188a，而將複數個吐出口188於上部噴嘴181、181b之底面181a上適當分佈而配置。於該情形時，複數個吐出口188較佳為大致均勻地分佈而配置。
上部噴嘴181、181b亦可不必與基板9之上表面91之中央部對向而固定。上部噴嘴181、181b只要至少可對上表面91之中央部供給處理液(即上述藥液、純水、IPA等)，例如亦可為一方面於基板9之上方在基板9之中央部與外緣部之間重複往返移動、一方面供給處理液之構造。
於基板處理裝置1中，來自上部噴嘴181、181b之純水亦可不必連續地呈液柱狀吐出，例如亦可將微小之液滴狀之純水自上部噴嘴181、181b之各吐出口188朝向基板9吐出。對於其他處理液(即上述藥液及IPA)亦相同。
亦可於基板處理裝置1中設置對腔室空間120供給氣體而進行加壓之加壓部。腔室空間120之加壓係於腔室12被密閉之第2密閉狀態下進行，腔室空間120成為高於大氣壓之加壓環境。再者，加熱氣體供給部187亦可兼作加壓部。
腔室開閉機構131亦可不必使腔室蓋部122沿上下方向移動，而於將腔室蓋部122固定之狀態下使腔室本體121沿上下方向移動。腔室12亦可不必限定於大致圓筒狀，而為各種形狀。
基板旋轉機構15之定子部151及轉子部152之形狀及構造亦可進行各種變更。轉子部152亦可不必以浮動狀態旋轉， 而於腔室12內設置機械性地支撐轉子部152之導件等構造，並使轉子部152沿著該導件旋轉。基板旋轉機構15亦可不必為中空馬達，而利用軸旋轉型馬達作為基板旋轉機構。
於基板處理裝置1中，基板9之清洗處理亦可於第1密閉狀態下之擴大密閉空間100內進行。擴大密閉空間100亦可藉由使護罩部161之除上表面部612以外之部位(例如側壁部611)接觸於腔室蓋部122而形成。護罩部161之形狀亦可適當進行變更。基板9之清洗處理亦可不必於密閉空間內進行，而於開放之空間內進行。
上部噴嘴181、下部噴嘴182及加熱氣體供給噴嘴180a之形狀並不限定於突出之形狀。只要為具有吐出處理液之吐出口、或者噴出惰性氣體或加熱氣體之噴出口之部位，便均包含於本實施形態之噴嘴之概念中。
於基板處理裝置1中，亦可藉由自藥液供給部183供給之藥液進行除上述蝕刻處理以外之各種處理、例如基板上之氧化膜之去除或利用顯影液之顯影等。
基板處理裝置1除用於處理半導體基板以外，亦可用於處理液晶顯示裝置、電漿顯示器、場發射顯示器(FED，field emission display)等顯示裝置所使用之玻璃基板。或者，基板處理裝置1亦可用於處理光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。
上述實施形態及各變形例之構成只要不相互矛盾便可適當組合。
雖詳細地描述並說明了發明，但上述說明為例示性而 非限定性者。因此，可以說只要不脫離本發明之範圍便可實施多種變形或樣態。
1‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板
12‧‧‧腔室
14‧‧‧基板保持部
15‧‧‧基板旋轉機構
16‧‧‧液體接收部
17‧‧‧外罩
81‧‧‧環狀開口
91‧‧‧(基板之)上表面
92‧‧‧(基板之)下表面
121‧‧‧腔室本體
122‧‧‧腔室蓋部
123‧‧‧頂板
131‧‧‧腔室開閉機構
141‧‧‧基板支撐部
142‧‧‧基板按壓部
151‧‧‧定子部
152‧‧‧轉子部
161‧‧‧護罩部
162‧‧‧護罩部移動機構
163‧‧‧護罩對向部
165‧‧‧液體接收凹部
180a‧‧‧加熱氣體供給噴嘴
181‧‧‧上部噴嘴
182‧‧‧下部噴嘴
210‧‧‧腔室底部
211‧‧‧中央部
212‧‧‧內側壁部
213‧‧‧環狀底部
214‧‧‧腔室側壁部
215‧‧‧外側壁部
216‧‧‧基座部
217‧‧‧下部環狀空間
222‧‧‧板保持部
223、238‧‧‧筒部
224、239‧‧‧凸緣部
237‧‧‧被保持部
241‧‧‧第1卡合部
242‧‧‧第2卡合部
411‧‧‧第1接觸部
413‧‧‧支撐部基座
421‧‧‧第2接觸部
611‧‧‧側壁部
612‧‧‧上表面部
617‧‧‧伸縮管
J1‧‧‧中心軸

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板進行支撐；噴嘴，其自複數個吐出口將純水當作為清洗液而朝向上述基板之上表面之中央部同時地加以吐出；及基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板一起，以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉；上述複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於上述中心軸上；及複數個周邊吐出口，配置在上述中心吐出口之周圍；自上述複數個吐出口同時地吐出之上述清洗液之合計流量，係上述基板之上述外緣部中之上述清洗液之膜厚成為等於導致清洗不足之閾值膜厚之流量以上，上述基板之上述上表面之上述中央部係以上述中心軸為中心而具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓、或是為半徑60mm以下之圓，來自上述複數個吐出口之上述清洗液不朝向除了上述基板之上述上表面之上述中央部以外之區域吐出。
  2. 一種基板處理裝置，其為對基板進行處理者，其具備有：基板支撐部，其對呈水平狀態之基板進行支撐；頂板，其係垂直於朝向上下方向之中心軸的板狀，於中央具有開口並且與上述基板之上表面對向；噴嘴，其經由上述頂板之上述開口，自複數個吐出口將純水當作為清洗液而朝向上述基板之上述上表面之中央部同時地加以吐 出；及基板旋轉機構，其使上述基板支撐部與上述基板及上述頂板一起，以上述中心軸為中心進行旋轉；上述複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於上述中心軸上；及複數個周邊吐出口，配置在上述中心吐出口之周圍；上述基板之上述上表面之上述中央部係以上述中心軸為中心而具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓、或是為半徑60mm以下之圓，來自上述複數個吐出口之上述清洗液不朝向除了上述基板之上述上表面之上述中央部以外之區域吐出。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述複數個周邊吐出口係以等角度間隔配置在以上述中心軸為中心之圓周上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心之半徑60mm以下之圓內。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心且具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓內。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，自上述複數個吐出口之各者所吐出之上述清洗液之流量係為每分鐘1公升以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中， 自上述複數個吐出口中之至少1個吐出口所吐出之上述清洗液的方向，與上述中心軸所成之角度為30度以上。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更進一步具備有密閉空間形成部，該密閉空間形成部係形成藉由上述清洗液所進行之對上述基板進行清洗處理之密閉的內部空間。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，自上述複數個吐出口之各者以連續之方式呈液柱狀地吐出上述清洗液。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，自上述中心吐出口吐出之上述清洗液之流量係自各周邊吐出口吐出之上述清洗液之流量以上。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，自上述中心吐出口吐出之上述清洗液之流量係相等於自各周邊吐出口吐出之上述清洗液之流量。
  12. 一種基板處理方法，其為對基板進行處理者，其具備有：a)對呈水平狀態之基板進行支撐，並且以朝著上下方向之中心軸為中心進行旋轉之步驟；及b)自複數個吐出口將純水當作為清洗液而朝向上述基板之上表面之中央部同時地加以吐出之步驟；上述複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於上述中心軸上；及複數個周邊吐出口，配置在上述中心吐出口之周圍；自上述複數個吐出口同時地吐出之上述清洗液之合計流量，係上 述基板之上述外緣部中之上述清洗液之膜厚成為等於導致清洗不足之閾值膜厚之流量以上，上述基板之上述上表面之上述中央部係以上述中心軸為中心而具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓、或是為半徑60mm以下之圓，於上述b)步驟中，來自上述複數個吐出口之上述清洗液不朝向除了上述基板之上述上表面之上述中央部以外之區域吐出。
  13. 一種基板處理方法，其為對基板進行處理者，其具備有：a)對呈水平狀態之基板進行支撐，而在使垂直於朝向上下方向之中心軸的板狀之頂板與上述基板之上表面對向之狀態下，使上述基板及上述頂板以上述中心軸為中心進行旋轉之步驟；及b)經由上述頂板之中央之開口，自複數個吐出口將純水當作為清洗液而朝向上述基板之上述上表面之中央部同時地加以吐出之步驟；上述複數個吐出口係包含有：中心吐出口，其配置於上述中心軸上；及複數個周邊吐出口，配置在上述中心吐出口之周圍，上述基板之上述上表面之上述中央部係以上述中心軸為中心而具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓、或是為半徑60mm以下之圓，於上述b)步驟中，來自上述複數個吐出口之上述清洗液不朝向除了上述基板之上述上表面之上述中央部以外之區域吐出。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，上述複數個周邊吐出口係以等角度間隔配置在以上述中心軸為 中心之圓周上。
  15. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心之半徑60mm以下之圓內。
  16. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，上述複數個吐出口係配置在以上述中心軸為中心且具有上述基板之半徑之40%以下之半徑的圓內。
  17. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，自上述複數個吐出口之各者所吐出之上述清洗液之流量，係為每分鐘1公升以下。
  18. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，自上述複數個吐出口中之至少1個吐出口所吐出之上述清洗液的方向，與上述中心軸所成之角度為30度以上。
  19. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，上述b)步驟係在密閉之空間的內部加以進行。
  20. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，自上述複數個吐出口之各者以連續之方式呈液柱狀地吐出上述清洗液。
  21. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，自上述中心吐出口吐出之上述清洗液之流量，係與自上述複數個周邊吐出口吐出之上述清洗液之合計流量相等。
  22. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，自上述中心吐出口吐出之上述清洗液之流量係自各周邊吐出口吐出之上述清洗液之流量以上。
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