JP6249260B1 - レジスト剥離液及びレジストの剥離方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 5
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 5
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 etc.) Chemical class 0.000 description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 3
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001348 alkyl chlorides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGLGWLMPFRADFC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylnaphthalene-1-sulfonic acid;formaldehyde Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(O)(=O)=O)=C(C)C(C)=CC2=C1 FGLGWLMPFRADFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHPDFYDITNAMAM-UHFFFAOYSA-N 2-[cyclohexyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)C1CCCCC1 HHPDFYDITNAMAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFBZSYRSVUOGPF-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxypropan-1-amine Chemical compound CCOC(C)CN YFBZSYRSVUOGPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVFGEIYOLIFSRX-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxy)propan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)COCCCN DVFGEIYOLIFSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 3-imino-n-propylpropan-1-amine Chemical compound CCCNCCC=N XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBWFSNHMVPXEAW-UHFFFAOYSA-N 3-iminopropan-1-amine Chemical compound NCCC=N QBWFSNHMVPXEAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-amine Chemical compound COCCCN FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAIKULLUBZKPDA-UHFFFAOYSA-N Bis(2-ethylhexyl) amine Chemical compound CCCCC(CC)CNCC(CC)CCCC SAIKULLUBZKPDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDEDSOUOGVNKAR-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-sulfonic acid;formaldehyde Chemical compound O=C.C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 QDEDSOUOGVNKAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEHLMOQXOSLGHN-UHFFFAOYSA-N benzenamine sulfate Chemical compound OS(=O)(=O)NC1=CC=CC=C1 BEHLMOQXOSLGHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 description 1
- WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(C)=CC=C21 WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYFDTXCTFHXZEL-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol;phenylsulfamic acid Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1.OS(=O)(=O)NC1=CC=CC=C1 UYFDTXCTFHXZEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N n',n'-dibutylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCN KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N n'-(3-aminopropyl)-n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCCCN(C)CCCN KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound CNCCCN QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N triallylamine Chemical compound C=CCN(CC=C)CC=C VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBEVZHAXWGOKCP-UHFFFAOYSA-N zinc oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Zn++].[Sn+4] KBEVZHAXWGOKCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
Description
(A)アミン、
(B)有機溶剤、及び、
(C)重量平均分子量5000〜1000000のスルホン酸若しくはカルボン酸又はこれらの塩
を含有し、
(C)成分の含有量は5.0重量%以下であり、
(D)水を含有しないか、又は、(D)水を含有し、かつ、(D)成分の含有量が60重量%以下であることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離液は、
(A)アミン、
(B)有機溶剤、及び、
(C)重量平均分子量5000〜1000000のスルホン酸若しくはカルボン酸又はこれらの塩
を含有し、
(C)成分の含有量は5.0重量%以下であり、
(D)水を含有しないか、又は、(D)水を含有し、かつ、(D)成分の含有量が60重量%以下であることを特徴とする。該レジスト剥離液は、好ましくは銅及び/又はIGZOを備える基材のレジストを剥離するために使用する。
(A)アミン(以下、単に(A)成分ともいう)としては、特に限定されないが、例えば、N−メチルエタノールアミン、モノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノメチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、2−エチルヘキシルオキシプロピルアミン、2−エトシキプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、3−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−2−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリ−n−オクチルアミン、t−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、3−メトシキプロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチル−N,N−ジエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、3−アミノ−1−プロパノール、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)シクロヘキシルアミン等が挙げられる。これらの中で、レジスト剥離性の観点からは、アルカノールアミンが好ましく、N−メチルエタノールアミン(MMA)、モノエタノールアミン(MEA)、モノメチルジエタノールアミン(MDA)、トリエタノールアミン(TEA)がより好ましい。これらの(A)成分は、単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。
(B)有機溶剤(以下、単に(B)成分ともいう)としては、特に限定されないが、例えば、アセトン、モノアルコール類(例えば、メタノール、エタノール等)、グリコール類(例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコール等)、ピロリドン類(例えば、N−メチル−2−ピロリドン等)、アミド類(例えば、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等)、ニトリル類(例えば、アセトニトリル等)、スルホキシド類(例えば、ジメチルスルホキシド等)、スルホン類(例えば、スルホラン等)、エチレンカーボネート等が挙げられる。これらの中で、レジスト剥離性の観点からは、グリコール類、スルホキシド類、及び、アミド類からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルがより好ましい。これらの(B)成分は、単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。
本発明のレジスト剥離液は、再付着防止剤として、(C)重量平均分子量5000〜1000000のスルホン酸若しくはカルボン酸又はこれらの塩(以下、単に(C)成分ともいう)を含有するため、優れた剥離性を有するとともに、剥離されたレジストの再付着量が少ない。
本発明のレジスト剥離液は、(D)水(以下、単に(D)成分ともいう)を含有しなくても良いが、液ライフ等の観点からは、さらに(D)成分を含有することが好ましい。
本発明のレジスト剥離液が防食剤を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、レジスト剥離性等の観点から0.01〜1.0重量%であることが好ましい。
本発明のレジストの剥離方法は、金属配線及び/又は金属酸化物膜を備える基材からレジストを剥離する方法であって、本発明のレジスト剥離液を用いることを特徴とする。本発明のレジスト剥離液を用いて金属配線及び/又は金属酸化物膜を備える基材からレジストを剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、金属配線及び/又は金属酸化物膜を備える基材を本発明のレジスト剥離液に浸漬する方法、超音波方式、シャワー方式、スプレー方式、ブラシ方式、浸漬揺動、枚葉式等が挙げられる。本発明のレジスト剥離液は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジストの剥離方法にも使用することができる。
以下の実施例及び比較例では、下記の材料を使用した。
・N−メチルエタノールアミン(MMA)
・モノエタノールアミン(MEA)
・モノメチルジエタノールアミン(MDA)
・トリエタノールアミン(TEA)
・ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG)
・ジエチレングリコールモノメチルエーテル(MDG)
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル(EDG)
・ポリアニリンスルホン酸(重量平均分子量10000)
・メラミンスルホン酸塩のホルマリン縮合物(重量平均分子量30000)
・ポリアクリル酸(重量平均分子量10000)
・ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物MEA塩(重量平均分子量5600)
・ポリスチレンスルホン酸(重量平均分子量75000)
・ポリスチレンスルホン酸(重量平均分子量1000000)
・アニリンスルホン酸(重量平均分子量173)
・ポリオキシエチレントリデシルエーテル(重量平均分子量420)
・エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン(重量平均分子量3500)
・塩化アルキル(C16−18)トリメチルアンモニウム(重量平均分子量348)
・アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩(重量平均分子量322)
・ラウリル硫酸ナトリウム(重量平均分子量288)
・純水
(実施例3、5、9、12、参考例1、2、4、6〜8、10、11、13、14、比較例1〜11)
表1及び表2に示す重量比となるように(A)〜(D)成分を混合し、レジスト剥離液を得た。得られたレジスト剥離液について、下記の方法により、再付着量、剥離性、消泡性を評価した。結果を表1及び表2に示す。なお、参考例6、8、10、11、13、14、比較例9〜11については、IGZOに対する再付着量は評価しなかった。また、参考例2、4、7、10、実施例5、9、12、比較例1、2については、剥離性は評価しなかった。また、参考例13、14、比較例7〜11については、消泡性は評価しなかった。なお、参考例1は粘度が高く、作業性に難が見られた。
(再付着量)
各実施例及び比較例で得られたレジスト剥離液に、1%のレジスト固形物を添加した後、5インチのSi基板上にCu及びIGZOをそれぞれ成膜したウェハーを用いて、常温で1分間、パドル処理を行った。その後、水洗、乾燥を行い、ウェハー上のレジスト付着物の数をレーザースキャニング表面ダスト検査計(株式会社トプコン製)にて測定し、下記4段階で評価した。
◎:500個未満
○:500個以上1500個未満
△:1500個以上2500個未満
×:2500個以上
銅膜を有するガラス基板上にフォトレジストを形成し、エッチング処理したレジスト付基板を評価対象とした。50℃に調整したレジスト剥離液に基板を浸漬し、120秒間浸漬処理した後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。光学顕微鏡(キーエンス社製)を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認し、下記4段階で評価した。
◎:完全に剥離されている
○:微量に剥離残りがある
△:大部分で剥離残りがある
×:全く剥離できていない
100mlの比色管に各実施例及び比較例で得られたレジスト剥離液を30ml入れ、TS式シェーカーにセットし、2分間震盪した。震盪停止後、1分後に、泡高さ(mm)を測定し、測定結果を下記基準により評価した。なお、泡高さが5mm以下の場合には、泡の発生が実質的になく装置の運転に支障はなく、5mmを超えるが15mm以下の場合には多少の泡の発生があるものの装置の運転に実質的支障は生じない。しかし、15mmを超える場合には泡の発生により装置の運転に支障が生じるおそれが大きい。
◎:0mm
○:0mmを超えるが5mm以下である
△:5mmを超えるが15mm以下である
×:15mmを超える
Claims (7)
- (A)アミン、
(B)有機溶剤、及び、
(C)重量平均分子量5000〜1000000のポリアニリンスルホン酸又はその塩
を含有し、
(C)成分の含有量は5.0重量%以下であり、
(D)水を含有しないか、又は、(D)水を含有し、かつ、(D)成分の含有量が60重量%以下であることを特徴とするレジスト剥離液。 - (C)成分の含有量は0.0025〜5.0重量%である、請求項1に記載のレジスト剥離液。
- (A)成分はアルカノールアミンであり、(A)成分の含有量は1〜40重量%である、請求項1又は2に記載のレジスト剥離液。
- さらに(D)水を含有し、(B)成分と(D)成分との重量比((B):(D))は、0.2:1〜70:1である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジスト剥離液。
- 銅及び/又はIGZOを備える基材のレジストを剥離するための、請求項1〜4のいずれか1項に記載のレジスト剥離液。
- 金属配線及び/又は金属酸化物膜を備える基材からレジストを剥離する方法であって、請求項1〜5のいずれか1項に記載のレジスト剥離液を用いることを特徴とするレジストの剥離方法。
- 金属配線の材質が銅であり、金属酸化物膜の材質がIGZOである、請求項6に記載のレジストの剥離方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710610215.9A CN107390482B (zh) | 2016-11-22 | 2017-07-25 | 抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法 |
US15/818,211 US10656519B2 (en) | 2016-11-22 | 2017-11-20 | Resist stripper and resist stripping method |
TW106140031A TWI741071B (zh) | 2016-11-22 | 2017-11-20 | 抗蝕劑剝離液及抗蝕劑之剝離方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016226997 | 2016-11-22 | ||
JP2016226997 | 2016-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6249260B1 true JP6249260B1 (ja) | 2017-12-20 |
JP2018087958A JP2018087958A (ja) | 2018-06-07 |
Family
ID=60685611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017111724A Active JP6249260B1 (ja) | 2016-11-22 | 2017-06-06 | レジスト剥離液及びレジストの剥離方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10656519B2 (ja) |
JP (1) | JP6249260B1 (ja) |
TW (1) | TWI741071B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018199767A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄剤 |
JP7073907B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2022-05-24 | 三菱ケミカル株式会社 | 洗浄剤 |
JPWO2022270333A1 (ja) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 |
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CN105358649B (zh) | 2013-06-28 | 2019-11-22 | 日东电工株式会社 | 丙烯酸系粘合剂组合物、粘合剂层的制造方法、带粘合剂层的偏振膜和丙烯酸系粘合剂组合物的交联促进方法 |
CN105339816B (zh) | 2013-06-28 | 2019-02-05 | 日东电工株式会社 | 带粘合剂层的偏振膜、层叠体及图像显示装置 |
-
2017
- 2017-06-06 JP JP2017111724A patent/JP6249260B1/ja active Active
- 2017-11-20 TW TW106140031A patent/TWI741071B/zh active
- 2017-11-20 US US15/818,211 patent/US10656519B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI741071B (zh) | 2021-10-01 |
TW201825662A (zh) | 2018-07-16 |
US20180143531A1 (en) | 2018-05-24 |
US10656519B2 (en) | 2020-05-19 |
JP2018087958A (ja) | 2018-06-07 |
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