KR101670239B1 - 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 52
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 25
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229940093476 ethylene glycol Drugs 0.000 claims description 14
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 10
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 claims description 8
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 claims description 8
- 125000001273 sulfonato group Chemical class [O-]S(*)(=O)=O 0.000 claims description 8
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229940058020 2-amino-2-methyl-1-propanol Drugs 0.000 claims description 5
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 5-sulfosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 4
- OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N methyl salicylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1O OSWPMRLSEDHDFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYUDERIVRYVSGE-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminoprop-1-en-2-ol Chemical compound NCC(O)=CN FYUDERIVRYVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,9-hexahydro-1h-1,4,7-triazonine Chemical compound C1CNCC=NCCN1 XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXWASTUQOKUFKY-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)propan-1-ol Chemical compound CNC(C)CO PXWASTUQOKUFKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[bis(carboxymethyl)amino]-2-hydroxypropyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 2-[carboxymethyl(methyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(C)CC(O)=O XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-1-ol Chemical compound CC(N)CO BKMMTJMQCTUHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyputrescine Chemical compound NCCC(O)CN HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 2
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 claims description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 2
- BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N dotp Chemical compound O=C1N2CCOC2=NC2=C1SC=C2 BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229960001047 methyl salicylate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QHKGDMNPQAZMKD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)(N)CO QHKGDMNPQAZMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 claims 1
- XXQWVFPMTNGSOK-UHFFFAOYSA-N N1=NNNCCCCCCCC1.N1CCCNCCCNC1 Chemical compound N1=NNNCCCCCCCC1.N1CCCNCCCNC1 XXQWVFPMTNGSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001079 digestive effect Effects 0.000 claims 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000008054 sulfonate salts Chemical class 0.000 claims 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 17
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 35
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- QUQDIABGLUCOFT-UHFFFAOYSA-N 1,2,5,6,7,8,9,10-octahydro-1,3,7-triazecine Chemical compound N1=CCCNCCCNC1 QUQDIABGLUCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRHPRDYMSACWSG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-1-ol Chemical compound NCCC(N)O MRHPRDYMSACWSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTVOJKFRBZFRLH-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,6,7,8,9,10-octahydro-1,2,5,8-tetrazecine Chemical compound C1CNCC=NNCCN1 FTVOJKFRBZFRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMLNYLURSAKWRC-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O.CCOCC(C)O DMLNYLURSAKWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDLIXZAGACMGNJ-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(2-aminoethylamino)ethanol Chemical compound NCCNC(CO)NCCN HDLIXZAGACMGNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYXYOUQFKIFDET-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO.COCCOCCO HYXYOUQFKIFDET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(C)(N)O QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WEQFXQNCHGLMGV-UHFFFAOYSA-N CC(C(=O)N)(C)C.C(CC)C(C(=O)N)CCC Chemical compound CC(C(=O)N)(C)C.C(CC)C(C(=O)N)CCC WEQFXQNCHGLMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- MUUIPUOPAMXZDA-UHFFFAOYSA-N NC(CO)(CC)C.NC(CO)(CC)C Chemical compound NC(CO)(CC)C.NC(CO)(CC)C MUUIPUOPAMXZDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- XDDONKZZCLQHGM-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;2-methoxyethanol Chemical compound OCCO.COCCO XDDONKZZCLQHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylpropanamide Chemical compound CCN(C)C(=O)CC GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000019491 signal transduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 229940055764 triaz Drugs 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체(semiconductor) 제조 공정에 사용되는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 유기(organic) 또는 금속성 잔류물(metallic residue)을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물에 관한 것으로 보다 상세하게는, 아민계 화합물(amine compound), 불소계 화합물(fluorine compound), 킬레이트화제(chelating agent), 불소계 계면활성제(fluorosurfactants), 글리콜계 화합물(glycol compound) 및 잔량의 물(water)을 포함하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 불소계 화합물 및 아민 화합물에 의한 pH 조절 및 웨이퍼 표면의 식각비를 조절할 수 있고, 글리콜계 화합물을 통해 저독성 및 린스(Rinse) 특성, 포토레지스트 용해를 향상시키며, 불소계 계면활성제를 사용하여 불소계 화합물에 대한 화학적 안정성 및 습윤성을 향상시켜 스트리퍼 조성물의 침투성을 높이고, 기포발생량 및 소포시간을 줄여 식각 균일성(uniformity)을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 킬레이트화제를 사용하여 불소계 화합물과 아민 화합물에 의한 도전성 금속막의 과도한 부식 및 재흡착을 방지함으로써 금속성 도전막의 표면을 세정 및 보호하는데 효과적이다.
본 발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 불소계 화합물 및 아민 화합물에 의한 pH 조절 및 웨이퍼 표면의 식각비를 조절할 수 있고, 글리콜계 화합물을 통해 저독성 및 린스(Rinse) 특성, 포토레지스트 용해를 향상시키며, 불소계 계면활성제를 사용하여 불소계 화합물에 대한 화학적 안정성 및 습윤성을 향상시켜 스트리퍼 조성물의 침투성을 높이고, 기포발생량 및 소포시간을 줄여 식각 균일성(uniformity)을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 킬레이트화제를 사용하여 불소계 화합물과 아민 화합물에 의한 도전성 금속막의 과도한 부식 및 재흡착을 방지함으로써 금속성 도전막의 표면을 세정 및 보호하는데 효과적이다.
Description
본 발명은 반도체(semiconductor) 제조 공정에 사용되는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 유기(organic) 또는 금속성 잔류물(metallic residue)을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는 아민계 화합물(amine compound), 불소계 화합물(fluorine compound), 킬레이트화제(chelating agent), 불소계 계면활성제(fluorosurfactants), 글리콜계 화합물(glycol compound) 및 잔량의 물(water)을 포함하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 실리콘 기판 중에 트랜지스터(transistor)를 형성하는 공정(FEOL;front end of the line)과 배선을 형성하는 공정(BEOL;back end of the line)으로 구분하며 배선기술은 반도체 직접회로에서 개별 트렌지스터를 서로 연결하여 회로를 구성하는 전원공급 및 신호전달의 통로를 실리콘 위에 구현하는 기술로서 이 분야는 비메모리 소자가 기술을 선도하고 있다. 다층 금속배선공정의 미세화의 가속으로 밀접하게 배열된 금속배선 간의 정전용량(electrostatic capacity)과 미세금속선의 저항(resistance)이 증가함으로써 RC(resistance capacitance) 지연효과가 크게 나타나게 되어 소자의 동작속도를 저하하는 문제를 야기한다. RC 지연문제를 해결하기 위한 노력으로 저유전율 재료와 높은 전도성(conductive)을 갖는 구리와 같은 금속재료를 사용하는 것이 바람직하다.
반도체 배선공정에 사용되는 물질은 값이 저렴하고 특성이 좋은 알루미늄을 사용하였지만, 반도체소자의 더 빠른 신호 전달 속도를 얻기 위하여 알루미늄에서 구리로 대체되었다. 특히 구리는 알루미늄에 비해 낮은 비저항 값을 가지고 있으며 높은 일렉트로 마이그레이션 저항을 갖는다. 일렉트로 마이그레이션이 높은 알루미늄은 전자의 흐름을 타고 이동하다가 알루미늄 원자들을 한쪽방향으로 밀어버리고,알루미늄은 한쪽방향으로 이동하면 그대로 단락되어버리지만 구리는 알루미늄보다 저항 값이 커서 전자의 흐름에 움직이지 않고 단단히 고정되어 빠른 신호 전달이 가능하다.
반도체 직접회로의 미세 회로 제조 공정은 기판상에 형성된 구리, 구리 합금 막 등의 도전성 금속 막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트(photoresister)를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광(expose process), 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크(mask)로 이용하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식(wet) 또는 건식(dry)으로 에칭(etching)하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부에 전사한 후 불필요해진 포토레지스트층을 스트리퍼(stripper)로 제거(removal)하는 공정으로 진행된다.
반도체 소자 제조용 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼가 갖추어야 할 기본 특성은 다음과 같다. 첫째, 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리시켜야 한다. 둘째, 세정 후 포토레지스트 잔류물(PER : post etch residue)을 남기지 않아야 한다. 셋째, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상(damage)시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 넷째, 스트리퍼 제조 혼합 시 혼합 용제(solvent)간에 반응성이 없어야하고 고온에 안정성이 있어야한다. 다섯째, 고온 공정에서 포토레지스트 박리가 진행될 경우 휘발(volatilization)이 많이 되면 내부 조성비가 변하게 되어 스트리퍼 공정 안정성과 작업 재현성이 저하되지 않아야 한다. 이러한 조건들을 충족시키기 위해 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개발되고 있다. 초기에 개발된 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 예로는 미국특허 제4,256,294호는 알킬아릴 설폰산과 탄소수 6 ∼ 9개의 친수성 방향족 설폰산과 비점(boiling point)이 150℃ 이상의 비할로겐화 방향족 탄화수소로 구성된 스트리퍼 조성물이 개시된 바 있지만, 상기의 조성물은 구리, 구리 합금(alloy) 등의 도전성 금속 막에 대한 부식(corrosion)이 심하고 강한 독성(toxicity) 및 환경 오염문제(environmental pollution) 등으로 사용이 곤란하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 수용성 알칸올아민(alkanolamine)을 필수 성분으로 여러 유기용제를 혼합시켜 제조한 스트리퍼 조성물들이 제안되었고, 그 예를 들면 다음과 같다. 미국특허 제4,617,251호는 모노에탄올 아민(MEA), 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 등의 유기아민 화합물; 및 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리디논(NMP), 디메틸설폭사이드(DMSO), 카비톨 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 등의 극성용제(polar solvent)로 이루어진 2성분계 스트리퍼 조성물을 개시하고 있다. 미국특허 제4,770,713호는 유기 아민 화합물; 및 N-메틸아세트아미드, 메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-N-에틸프로피온아미드, 디에틸아세트아미드(DEAc), 디프로필아세트아미드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸부틸아미드 등의 아미드 용제로 이루어진 2성분계 스트리퍼 조성물을 개시하고 있다. 그러나 이러한 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 구리 및 구리합금막에 대한 부식방지력(corrosion inhibitor)이 약하여, 스트립 공정 중에 심각한 부식을 유발하고, 후 공정인 게이트 절연막 증착(deposition) 시 불량(defect)을 발생시키는 문제가 있다.
상기와 같은 다양한 스트리퍼 조성물들은 구성 성분과 성분간의 함량비에 따라 포토레지스트 박리성, 금속 부식성, 박리 후의 세정공정의 다양성, 작업 재현성 및 보관 안정성, 경제성 면에서 현저히 차이가 나며 다양한 공정 조건에 대하여 최적성능을 갖는 경제적인 스트리퍼 조성물의 개발이 계속 요구되고 있다.
특히, 포토레지스트 하부 막이 스트리퍼 용액에 손상될 수 있는 물질일 경우 스트리퍼 선택이 더욱 중요하게 된다. 이때 스트리퍼를 선택할 때 가장 중요한 점은 상기 포토레지스트 에칭 중합체 및 식각 잔류물이 남지 않도록 선택적으로 제거할 수 있는 용액이어야 한다. 예를 들면, 고체 이미지 센서를 제작할 때, 아크릴계 수지(resin) 막으로 마이크로 렌즈를 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 이용하여 금속 패드 영역을 노출시키는 공정이 진행된다. 이어, 상기 스트리퍼 용액을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 제거하게 되는데 이때 상기 포토레지스트 패턴 하부의 상기 아크릴계 수지막이 손상을 입게 될 수 도 있다. 따라서, 종래에는 하부 막에 손상을 주지 않으면서 상기 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있는 스트리퍼 용액으로 아세톤을 사용하기도 하였다. 하지만, 조성물에 아세톤 등의 발화점이 낮은 인화성 물질을 사용할 경우 세정단계로 이동하는 동안 용액 휘발에 의한 파티클(particle) 불량 및 열 안정성에 문제가 있다.
또한 종래의 스트리퍼 조성물이 높은 독성으로 인해 취급이 어려운 측면이 있어 독성과 위험성이 낮은 스트리퍼 조성물이 요구되고 있다.
따라서, 포토레지스트막을 제거할 때 하부 막에 손상을 주지 않고 잔유물(residue)이 남지 않도록 제거할 수 있는 용액이면서 세정단계로 이동하는 동안 용액 휘발에 의한 파티클 불량을 방지할 수 있고 저독성의 포토레지스트 스트리퍼에 대한 연구가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 제조 공정에 사용되는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 유기 또는 금속성 잔류물을 효과적으로 제거하고, 웨이퍼(wafer) 금속성 도전막 표면의 과에칭을 방지하며, 기판 표면 습윤성 및 식각 균일성 및 Via 식각 잔류물 제거력을 향상시키고, 포토레지스트막을 제거한 후 잔류물(residue)이 남지 않는 저독성의 반도체 제조 공정에 사용되는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 스트리퍼 조성물은 총 중량(weight)에 대하여, 1차 프로판올아민 화합물, 불소계 화합물, 킬레이트화제, 불소계 계면활성제, 글리콜계 화합물 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 2차 알칸올아민 화합물, 불소계 화합물, 킬레이트화제, 불소계 계면활성제, 글리콜계 화합물 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 0.1wt% ~ 3wt% 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP;2-amino-2-methyl-1-propanol); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate); 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 0.1wt% ~ 3wt% 디에탄올아민(DEA; diethanolamine); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate); 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서 상기 기재된 내용 이외의 사항은 필요에 따라 가감할 수 있는 것이므로, 본 발명에서는 특별히 한정하지 아니한다.
본 발명은 불소계 화합물 및 아민 화합물을 사용하여 pH 3.5 ~ 5.5 범위로 조절하여 웨이퍼 표면의 식각비를 조절할 수 있고, 글리콜계 화합물을 통해 린스(Rinse)특성 포토레지스트 용해를 향상시킨다. 또한 불소계 계면활성제를 사용하여 웨이퍼 표면 습윤성을 향상시키고 스트리퍼 조성물의 기판으로의 침투력을 높였으며, 기포발생량 및 소포시간을 줄이는 등 기판에서 식각 및 박리 균일성(uniformity)을 향상시키는 효과가 있다. 또한, 킬레이트화제를 사용하여 유기 또는 금속성 식각 잔류물과 배위결합을 형성하여 기판으로부터 재 침착되는 것을 방지할 뿐만 아니라 아민의 가수분해 생성물인 수산화 이온에 의한 과도한 부식을 방지함으로써 공정 중 금속성 도전 막의 표면을 세정(clean) 및 보호(protection)하는데 효과적인 반도체 제조 공정에 사용되는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물을 제공한다.
이하, 발명의 구체적인 실시예에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 하나의 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니며, 발명의 권리범위 내에서 구현예에 대한 다양한 변형이 가능함은 당업자에게 자명하다. 하기 실시예 및 비교예 있어서 별도의 언급이 없으면 조성물의 성분비는 중량비이다.
본 발명의 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 1차 프로판올아민 화합물(primary propanolamine compound) 0.1 ~ 5wt%, 불소계 화합물(fluorine) 0.001 ~ 5wt%, 킬레이트화제 0.01 ~ 3wt%, 불소계 계면활성제 0.001 ~ 3wt%, 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1 ~ 10wt% 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함한다.
상기 1차 프로판올아민 화합물은 1-아미노이소프로판올(AIP; 1-aminoisopropanol), 2-아미노-1-프로판올(2-AP;2-amino-1-propanol), 2-아미노-2-에틸프로판올(AEP; 2-amino-2-ethylpropanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP;2-amino-2-methyl-1-propanol), 3-아미노-1-프로판올 (3-AP; 3-amino-1-propanol), 및 (2-아미노에틸)-2- 아미노에탄올 ((2-aminoethyl)-2-aminoethanol) 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 2차 알칸올아민 화합물(secondary alkanolamine compound) 0.1 ~ 5wt%, 불소계 화합물 0.001 ~ 5wt%, 킬레이트화제 0.01 ~ 3wt%, 불소계 계면활성제 0.001 ~ 3wt%, 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1 ~ 10wt% 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함한다.
상기 2차 알칸올아민 화합물은 디에탄올아민(DEA;diethanolamine), 2-(메틸아미노)-1-프로판올(2-(methylamino)-1-propanol)), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올(2-(2-aminoethylamino)-1-ethanol) 중에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.
상기 1차 프로판올아민 화합물 또는 2차 알칸올아민 화합물은 스트리퍼 조성물 총 중량에 대해 0.1 ~ 5 wt%를 포함하는 것이 바람직하다. 1차 프로판올아민 화합물 또는 2차 알칸올아민 화합물의 함량이 0.1 wt% 미만이면 아민(amine)의 가수분해반응(hydrolysis reaction) 생성물(product)인 수산화이온(hydroxyl ion)의 발생량이 적어 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 충분하지 못하고, 5 wt%를 초과하면 포토레지스트 하부 도전성 금속막에 대한 부식성이 커질 수 있다.
다음 식은 아민의 가수분해 반응과 유기 또는 금속성 식각 잔류물의 산화반응(oxidation reaction)을 기술한 것이다.
Amine( aq ) + H2O( aq ) → Amine+ ( aq ) + OH- ( aq )
Metal(s) + OH- ( aq ) → M+ ( aq ) + H2O( aq ) ⇒ 금속성 잔류물 제거
Organic(s) + OH- ( aq ) → Organic+ ( aq ) + H2O( aq ) ⇒ 유기 잔류물 제거
상기 킬레이트화제는 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid), 부틸렌디아민테트라아세트산 (buthylenediaminetetraacetic acid), 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산 (CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DETPA), 에틸렌디아민테트라프로피온산, (하이드록시에틸)에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA; (hydroxyethyl)ethylenediaminetriacetic acid), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰)산 (EDTMP;ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), 트리에틸렌테트라민헥사아세트산(TTHA;triethylenetetraminehexaacetic acid;),1,3-디아미노-2-하이드록시프로판-N,N,N',N'-테트라아세트산 (DHPTA; 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N,N,N',N'- tetracetic acid), 메틸이미노디아세트산 (methyliminodiacetic acid), 프로필렌디아민테트라아세트산 (propylenediaminetetracetic acid), 1,5,9-트리아자시클로도데칸-N,N',N''-트리스 (메틸렌포스폰산)(DOTRP; 1,5,9-triazacyclodecane-N,N',N''-tris (methylenephosphonic acid), 1,4,7,10-테트라아자시클로도데칸-N,N',N'',N'''-테트라키스(메틸렌포스폰산)(DOTP;1,4,7,10-tetraazacyclodecane-N,N',N'',N'''-tetrakis(methylenephosphonic acid), 니트릴로트리스(메틸렌)트리포스폰산 (nitrilotris(methylene)triphosphonic acid), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETAP;diethylenetriaminephenta(methylenephosphonic acid)), 아미노트리(메틸렌포스폰산)(aminotri(methylenephosphonic acid), 1-하이드록시에틸렌-1,1-디포스폰산(1-hydroxyethylene-1,1-diphosphonic acid), 비스(헥사메틸렌)트리아민포스폰산(bis(hexamethylene)triaminephosphonic acid), 1,4,7-트리아자시클로노난-N,N',N''-트리스 (메틸렌포스폰산) (NOTP;1,4,7-triazacyclononan-N,N',N''-tris(methylenephosphonic acid)), 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카보닐산(2-phophonobuthan-1,2,4-tricarboxylic acid), 니트릴로트리아세트산(NTA;nitrilotriacetic acid), 시트르산(citric acid), 타르타르산(tartaric acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리세르산(glyceric acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 말레산(maleic acid), 만델산(mandelic acid), 말론산(malonic acid), 락트산(ractic acid), 살리실산(salicylic acid), 살리실산메틸(methyl salicylate), 5-황화살리실산(5-sulfosalicylic acid), 갈산(galic acid), 프로필 갈레이트(propylgallate), 피로갈롤(pyrogallol), 8-하이드록시퀴놀린 (8-hydroxyquinoline) 및 시스테인(cysteine) 및 이의 유사체(analogue), 동족(homologue)체 및 이성체(isomer)중에서 선택된 1종 이상을 포함한다.
상기 킬레이트화제는 유기 또는 금속성 식각 잔류물과 배위결합(coordinate bond)을 형성하여 기판으로부터 재침착(redeposition)되는 것을 방지하고, 아민의 가수분해 생성물인 수산화이온에 의한 과도한 부식을 방지하는데 효과적이다. 킬레이트화제는 0.01~3wt% 함유하는 것이 바람직한데, 0.01wt%미만의 경우 금속패턴의 부식을 방지하는 효과가 감소하여 도전성 금속막에 과도한 부식 및 재흡착 현상을 초래할 염려가 있다. 한편 킬레이트화제를 3wt% 초과 함유하는 경우, 금속성 에칭 중합체 및 유기 또는 금속성 잔류물의 제거력이 떨어진다.
상기 불소계 계면활성제(surfactant)는 과불소화설폰산염, 과불소화황산염, 과불소화인산염으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종을 포함한다. 상기 불소계 계면활성제를 첨가함으로써 스트리퍼 조성물의 표면장력은 저감되고, 기포성을 제어하여 기포 발생량 및 소포시간을 줄일 수 있다.
상기 불소계 계면활성제는 0.001~3wt%를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.001wt% 미만인 경우 스트리퍼 조성물의 표면장력이 높아 스트립 공정 후 기판 표면에 얼룩(stain)이 발생할 염려가 있으며, 스트리퍼 조성물의 습윤성(wetting)이 감소한다. 또한, 기판으로의 침투효과가 감소하여 균일한 식각 및 박리가 이루어지지 않는다는 문제가 있다. 상기 불소계 계면활성제가 3 wt%를 초과할 경우에는 스트리퍼 조성물의 표면장력이 감소하나, 그 효과는 계속 증가하지 않고 일정한 값으로 수렴하므로 비 경제적이며 기포발생량 및 소포시간이 길어진다는 문제점이 있다.
상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로, 에틸렌글리콜 메틸에테르(ethylene glycol methyl ether), 에틸렌글리콜 에틸에테르(ethylene glycol ethyl ether), 에틸렌글리콜 프로필에테르(ethylene glycol propyl ether), 에틸렌글리콜 부틸에테르(ethylene glycol butyl ether), 에틸렌글리콜 모노메틸에테르(ethylene glycol monomethyl ether), 에틸렌글리콜 모노에틸에테르(ethylene glycol monoethyl ether), 에틸렌글리콜 모노프로필에테르(ethylene glycol monopropyl ether), 에틸렌글리콜 모노부틸에테르(ethylene glycol monobutyl ether), 디에틸렌글리콜 메틸에테르(diethylene glycol methyl ether), 디에틸렌글리콜 에틸에테르(diethylene glycol ethyl ether), 디에틸렌글리콜 프로필에테르(diethylene glycol propyl ether), 디에틸렌글리콜 부틸에테르(diethylene glycol butyl ether), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(diethylene glycol monomethyl ether), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethylene glycol monoethyl ether), 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르(diethylene glycol monopropyl ether), 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(diethylene glycol monobuthyl ether), 프로필렌글리콜 메틸에테르(propylene glycol methyl ether), 프로필렌글리콜 에틸에테르(propylene glycol ethyl ether), 프로필렌글리콜 프로필에테르(propylene glycol propyl ether), 프로필렌글리콜 부틸에테르(propylene glycol butyl ether), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(propylene glycol monomethyl ether), 프로필렌글리콜 모노에틸에테르(propylene glycol monoethyl ether), 프로필렌글리콜 모노프로필에테르(propylene glycol monopropyl ether), 프로필렌글리콜 모노부틸에테르(propylene glycol monobutyl ether)으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것이다.
글리콜계 화합물은 어는점이 낮고 발화점이 높기 때문에 저장안정성에 유리하게 작용하며, 표면장력을 낮추며, 린스(Rinse) 특성 및 포토레지스트 제거 효율을 향상시키기 때문에 효과적이다. 또한 글리콜계 세정용 화합물은 저독성으로 높은 안정성이 특징이다. 또한 종래의 염소계 용제에 비해 오존층에의 영향이 적은 이점이 있다.
상기 글리콜계 화합물은 0.1 ~ 10wt%를 포함하는 것이 바람직하다. 글리콜계 화합물의 함량이 0.1wt% 미만인 경우 포토레지스트가 완전히 용해되지 않고, 10wt%를 초과 할 경우에는 함량이 증대됨에도 불구하고 포토레지스트 제거 효과는 유효하게 증가하지 않는다.
상기 불소계 화합물은 불산(HF;hydrogenfluoride), 불화암모늄 (NH4F;ammoniumfluoride) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것이다.
상기 불소계 화합물은 불산(HF;hydrogenfluoride), 불화암모늄 (NH4F;ammoniumfluoride) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것이다.
본 발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 0.1wt% ~ 3wt% 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP;2-amino-2-methyl-1-propanol); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate); 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절된다.
상기 스트리퍼 조성물은 pH 3.5 ~ 5.5를 만족하는 것이 바람직하다. pH가 3.5 미만의 경우 스트리퍼 조성물의 하부 도전성 금속막인 경우 과도한 식각이 이뤄질 염려가 있으며, pH가 5.5 초과의 경우 스트리퍼 조성물의 하부 도전성 금속막에 대한 식각비가 낮아 기판으로부터 유기 및 금속성 식각 잔류물에 대한 박리성능이 떨어진다.
본발명에 따른 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물은 0.1wt% ~ 3wt% 디에탄올아민(DEA; diethanolamine); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate); 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절된다. 상기 스트리퍼 조성물은 pH 3.5 ~ 5.5를 만족하는 것이 바람직하다. pH가 3.5 미만의 경우 스트리퍼 조성물의 하부 도전성 금속막인 경우 과도한 식각이 이뤄질 염려가 있으며, pH가 5.5 초과의 경우 스트리퍼 조성물의 하부 도전성 금속막에 대한 식각비가 낮아 기판으로부터 유기 및 금속성 식각 잔류물에 대한 박리성능이 떨어진다.
실시예
1~12 및
비교예
1~7
포토레지스트 스트리퍼 조성물의 박리효과 및 기포제어특성, 증발량 및 표면장력을 평가한 결과를 하기 표 1 에 나타내었다.
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 따른 스트리퍼 조성물에 대하여 다음과 같은 방법으로 포토레지스트 박리력과 부식특성, pH 및 버블 발생 정도를 평가하였다.
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 따른 스트리퍼 조성물의 성분 및 함량(중량%)은 하기 표 1에 나타낸 바와 같다.
<
PER
(
post
etch
residue
)
박리력
평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 박리력 평가는 약 6000Å Si/Cu/PR 비아(via) 패턴 웨이퍼 조각 상에서 실시된 것이다. 각 측면이 2 ~ 4cm의 크기 범위의 직사각형 조각을 교반 막대로 이용하여 500rpm으로 교반하면서 250ml 비커에서 시편을 30℃, 상온에서 유지된 상기 스트리퍼 용액에 1분간 침적 후, 초순수에 1분간 세척한 후 질소로 건조하였다. 건조 완료 후 시편을 전자현미경(FE-SEM)으로 20,000 배율에서 포토레지스트의 박리 정도를 관찰하였다. 박리 성능 평가는 68개의 비아(via)를 관찰하고 각각에 대해 0 ~ 1 점수를 부여하고 모든 비아에 대해 합산하여 박리력 점수로부터 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
박리력 평가결과 표시 방법
◎ : 박리 성능 우수(65점 이상)
○ : 박리 성능 양호(55점 이상 ~ 65점 미만)
△ : 박리 성능 양호하지 못함(50점 이상 ~ 55점 미만)
Ⅹ : 박리 성능 불량(50점 미만)
표 2에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12이 비교예 1 ~ 7 보다 에칭(etching)공정에 의한 산화성(oxidation) 식각 잔류물(PER;post etch residue)을 효과적으로 제거 한다는 것을 알 수 있다.
<기포 제어 성능 평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 기포 제어 특성 평가는 50ml 메스실린더를 사용하여 실시된 것이다. 25℃ 스트리퍼 용액을 10ml 넣고, 메스실린더를 혼합 또는 교반 없이 상부를 파라필름으로 막아 진탕 속도를 400 스트로크/분으로 고정한 진탕기에 1분 동안 진탕시켰고, 그 후 진탕을 중단하고 5초간 방치하여 거품의 높이를 평가하였다. 평가 결과는 초기 거품의 높이와 평가 후 거품의 높이를 메스실린더의 눈금을 읽어 기포 발생량 및 소포 시간을 기록하였으며, 하기와 같은 기준으로 평가하여 표3의 결과를 얻을 수 있었다.
기포 제어 성능 평가결과 표시방법
◎ : 기포 제어 성능 우수
(기포 발생량이 2ml 미만, 소포시간이 13sec 미만)
○ : 기포 제어 성능 양호
(기포 발생량이 2ml 이상 ~ 4ml 미만, 소포시간이 13sec 이상 ~ 15sec 미만)
△ : 기포 제어 성능 양호하지 못함
(기포 발생량이 4ml 이상 ~ 6ml 미만, 소포시간이 15sec 이상 ~ 20sec 미만)
Ⅹ : 기포 제어 성능 불량
(기포 발생량이 6ml 이상, 소포시간이 20sec 이상)
표 3에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 계면활성제 종류에 따른 기포제어 특성 평가로부터 실시예 1 ~ 12가 비교예 1 ~ 7보다 기포 발생량 및 소포시간을 효과적으로 줄일 수 있다는 것을 알 수 있다.
<
박리액
공정 중 증발량 평가 >
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 박리액 공정에서 증발되어 소실되는 중량 평가를 위해서 250ml 비커에 각각 200g을 분취한 후 비커를 40℃ 항온조에 넣어 일정한 온도가 유지 되도록 한 후 시간에 20시간 후 비커에 남아 있는 잔량의 무게를 측정하여 증발되어 소실된 증발량(%)을 기록하였으며, 하기와 같은 기준으로 평가하여 표4에 나타내었다.
박리액 증발량 평가결과 표시 방법
◎ : 증발량이 작음(증발량이 25% 미만)
○ : 증발량이 조금 작음(증발량이 25% 이상 ~ 28% 미만)
△ : 증발량이 조금 많음(증발량이 28% 이상 ~ 32% 미만)
Ⅹ : 증발량이 많음(증발량이 32% 이상)
표 4에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 박리액 공정 중 증발량 평가로부터 계면활성제 종류 및 첨가량에 따른 용액 증발량이 변하는 것을 알 수 있다.
< 표면장력 평가>
실시예 1 ~ 12와 비교예 1 ~ 7에 대한 박리액의 표면 장력 평가는 25℃의 실내에서 24시간 동안 보관하여 안정화 시키고, Du Nouy 표면 장력계[SIGMA702]를 사용하여 표면장력을 측정하였다. 평가 결과는 10회 측정 결과의 평균값으로부터 하기와 같은 기준으로 평가하여 표5에 나타내었다.
표면장력 평가결과 표시 방법
◎ : 표면장력이 낮음(표면장력이 40mN/m 미만)
○ : 표면장력이 조금 낮음(표면장력이 40mN/m 이상 ~ 60mN/m 미만)
△ : 표면장력이 조금 높음(표면장력이 60mN/m 이상 ~ 70mN/m 미만)
Ⅹ : 표면장력이 높음(표면장력이 70mN/m 이상)
표 5에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12가 비교예 1 ~ 7보다 기포발생량, 소포시간 및 증발량을 낮추고 표면장력을 효과적으로 개선한다는 것을 알 수 있다.
<PR용해도 평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 PR 용해도 평가는 용기에 박리액을 담은후 PR용액을 4 ~ 5 방울 떨어뜨린 다음 용기를 흔들어 PR 부유물이 돌아다니는지 확인하였다. 평가 결과는 부유물 양을 기준으로 부터 하기와 같은 기준으로 평가하여 표6에 나타내었다.
PR용해도 평가결과 표시 방법
◎ : 부유물 없음 (용액 투명)
○ : 부유물 적음 (용액 약간투명)
△ : 부유물 많음 (용액내 부유물 먼지처럼 돌아다님)
Ⅹ : 부유물 아주 많음 (용액 흐리면서 부유물 먼지처럼 돌아다님)
표 6에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 가 비교예 1 ~ 7보다 PR 부유물 발생량을 효과적으로 개선한다는 것을 알 수 있다.
<Chemical 흐름속도 평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 Chemical 흐름속도 평가는 DHF(100:1) 30sec 처리한 웨이퍼(Wafer)를 박리액에 60sec Dipping 후 웨이퍼 표면에 묻은 박리액이 전부 떨어지는 시간을 확인하였다. 평가 결과는 웨이퍼 표면에 묻은 박리액이 전부 떨어지는 시간을 기준으로 부터 하기와 같은 기준으로 평가하여 표7에 나타내었다.
Chemical 흐름속도 평가결과 표시 방법
◎ : 20sec 미만
○ : 20sec 이상 ~ 40sec 미만
△ : 20sec 이상 ~ 60sec 미만
Ⅹ : 60sec 이상
표 7에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 가 비교예 1 ~ 7보다 Chemical 흐름속도 시간을 효과적으로 개선한다는 것을 알 수 있다.
<Rinse 특성 평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 린스(Rinse) 특성 평가는 DHF(100:1) 30sec 처리한 웨이퍼를 박리액에 60sec Dipping 후 DIW 린스 60sec 처리한 웨이퍼 표면에 흡착된 DIW가 하단에 전부 떨어지는 시간을 확인하였다. 평가 결과는 웨이퍼 표면에 묻은 DIW가 전부 떨어지는 시간을 기준으로 부터 하기와 같은 기준으로 평가하여 표8에 나타내었다.
Rinse 특성 평가결과 표시 방법
◎ : 40sec 미만
○ : 40sec 이상 ~ 60sec 미만
△ : 60sec 이상 ~ 80sec 미만
Ⅹ : 80sec 이상
표 8에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 가 비교예 1 ~ 7보다 린스 특성 시간을 효과적으로 개선한다는 것을 알 수 있다.
<Strip 잔류물 재침착 평가>
실시예 1 ~ 12 및 비교예 1 ~ 7에 대한 Strip 잔류물 재침착 평가는 약 6000 Si/Cu/PR 비아(via) 패턴 웨이퍼 조각 상에서 실시된 것이다. 각 측면이 2 ~ 4cm의 크기 범위의 직사각형 조각을 교반 막대로 이용하여 500rpm으로 교반하면서 250ml 비커에서 시편을 30, 상온에서 유지된 상기 스트리퍼 용액에 60sec 침적 후, 초순수에 60sec 세척한 후 웨이퍼 표면에 흡착된 DIW가 하단에 전부 떨어진 후 건조하였다. 건조 완료 후 시편을 전자현미경(FE-SEM)으로 20,000 배율에서 포토레지스트의 잔류물 재침착 정도를 관찰하였다. 박리 성능 평가는 68개의 비아(via)를 관찰하고 각각에 대해 0 ~ 1 점수를 부여하고 모든 비아에 대해 합산하여 Strip 잔류물 재침착 점수로부터 하기와 같은 기준으로 평가하였다. (낮은 점수가 우수한 성능, 높은 점수가 불량)
Strip 잔류물 재침착 평가결과 표시 방법
◎ : 잔류물 재침착 평가 우수(10점 미만)
○ : 잔류물 재침착 평가 양호(10점 이상 ~ 20점 미만)
△ : 잔류물 재침착 평가 양호하지 못함(20점 이상 ~ 30점 미만)
Ⅹ : 잔류물 재침착 불량(30점 이상)
표 9에서 보는바와 같이 실시예 1 ~ 12 가 비교예 1 ~ 7 보다 Strip 잔류물 재침착 성능이 우수한 것을 알 수 있다.
본 발명이 예시적인 실시예 및 특징에 관하여 본원에 다양하게 개시되어 있을지라도, 이는 상기된 실시예 및 특징이 본 발명을 제한하지 않고, 다른 변이, 개질 및 다른 실시예가 본원의 개시내용을 기초하여 당업자에게 그 자체로 제안될 수 있는 것으로 인식된다. 따라서, 본 발명은 상기 제시된 본원의 취지 및 청구범위 내에서 이러한 변이, 개질 및 다른 실시예를 모두 포함함으로써 광범위하게 해석되어야 한다.
Claims (10)
1-아미노이소프로판올(AIP;1-aminoisopropanol), 2-아미노-1-프로판올(2-AP;2-amino-1-propanol), 2-아미노-2-에틸프로판올(AEP;2-amino-2-ethylpropanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP;2-amino-2-methyl-1-propanol), 3-아미노-1-프로판올(3-AP;3-amino-1-propanol), 및 (2-아미노에틸)-2-아미노에탄올((2-aminoethyl)-2-aminoethanol) 중에서 1종 이상 선택되는 1차 프로판올아민 화합물(primary propanolamine compound) 0.1 ~ 5wt%, 불소계 화합물(fluorine) 0.001 ~ 5wt%, 킬레이트화제 0.01 ~ 3wt%, 과불소화설폰산염, 과불소화황산염, 과불소화인산염으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종의 불소계 계면활성제 0.001 ~ 3wt%, 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1 ~ 10wt% 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
디에탄올아민(DEA;diethanolamine), 2-(메틸아미노)-1-프로판올(2-(methylamino)-1-propanol)), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올(2-(2-aminoethylamino)-1-ethanol) 중에서 1종 이상 선택되는 2차 알칸올아민 화합물(secondary alkanolamine compound) 0.1 ~ 5wt%, 불소계 화합물 0.001 ~ 5wt%, 킬레이트화제 0.01 ~ 3wt%, 과불소화설폰산염, 과불소화황산염, 과불소화인산염으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종의 불소계 계면활성제 0.001 ~ 3wt%, 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1 ~ 10wt% 및 전체 조성물 총 중량인 100wt%가 되도록 하는 잔량의 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
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삭제
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
상기 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 불소계 화합물은 불산(HF;hydrogenfluoride), 불화암모늄 (NH4F;ammoniumfluoride) 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
상기 불소계 화합물은 불산(HF;hydrogenfluoride), 불화암모늄 (NH4F;ammoniumfluoride) 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 킬레이트화제는 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid), 부틸렌디아민테트라아세트산(buthylenediaminetetraacetic acid), 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DETPA), 에틸렌디아민테트라프로피온산, (하이드록시에틸)에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA; (hydroxyethyl)ethylenediaminetriacetic acid), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰)산 (EDTMP; ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), 트리에틸렌테트라민헥사아세트산(TTHA; triethylenetetraminehexaacetic acid;),1,3-디아미노-2-하이드록시프로판-N,N,N',N'-테트라아세트산(DHPTA; 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N,N,N',N'- tetracetic acid), 메틸이미노디아세트산(methyliminodiacetic acid), 프로필렌디아민테트라아세트산(propylenediaminetetracetic acid), 1,5,9-트리아자시클로도데칸-N,N',N''-트리스(메틸렌포스폰산) (DOTRP; 1,5,9-triazacyclodecane-N,N',N''-tris(methylenephosphonic acid), 1,4,7,10-테트라아자시클로도데칸-N,N',N'',N'''-테트라키스(메틸렌포스폰산) (DOTP; 1,4,7,10-tetraazacyclodecane-N,N',N'',N'''-tetrakis(methylenephosphonic acid), 니트릴로트리스(메틸렌)트리포스폰산 (nitrilotris(methylene)triphosphonic acid), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETAP; diethylenetriaminephenta(methylenephosphonic acid)), 아미노트리(메틸렌포스폰산)(aminotri(methylenephosphonic acid), 1-하이드록시에틸렌-1,1-디포스폰산(1-hydroxyethylene-1,1-diphosphonic acid), 비스(헥사메틸렌)트리아민포스폰산(bis(hexamethylene)triaminephosphonic acid), 1,4,7-트리아자시클로노난- N,N',N''-트리스(메틸렌포스폰산)(NOTP; 1,4,7-triazacyclononan-N,N',N''-tris(methylenephosphonic acid)), 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카보닐산(2-phophonobuthan-1,2,4-tricarboxylic acid), 니트릴로트리아세트산(NTA; nitrilotriacetic acid), 시트르산(citric acid), 타르타르산(tartaric acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리세르산(glyceric acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 말레산(maleic acid), 만델산(mandelic acid), 말론산(malonic acid), 락트산(ractic acid), 살리실산(salicylic acid), 살리실산메틸(methyl salicylate), 5-황화살리실산 (5-sulfosalicylic acid), 갈산(galic acid), 프로필 갈레이트(propylgallate), 피로갈롤(pyrogallol), 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 및 시스테인(cysteine) 및 이의 유사체(analogue), 동족(homologue)체 및 이성체(isomer)중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
상기 킬레이트화제는 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid), 부틸렌디아민테트라아세트산(buthylenediaminetetraacetic acid), 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(DETPA), 에틸렌디아민테트라프로피온산, (하이드록시에틸)에틸렌디아민트리아세트산(HEDTA; (hydroxyethyl)ethylenediaminetriacetic acid), N,N,N',N'-에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰)산 (EDTMP; ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), 트리에틸렌테트라민헥사아세트산(TTHA; triethylenetetraminehexaacetic acid;),1,3-디아미노-2-하이드록시프로판-N,N,N',N'-테트라아세트산(DHPTA; 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N,N,N',N'- tetracetic acid), 메틸이미노디아세트산(methyliminodiacetic acid), 프로필렌디아민테트라아세트산(propylenediaminetetracetic acid), 1,5,9-트리아자시클로도데칸-N,N',N''-트리스(메틸렌포스폰산) (DOTRP; 1,5,9-triazacyclodecane-N,N',N''-tris(methylenephosphonic acid), 1,4,7,10-테트라아자시클로도데칸-N,N',N'',N'''-테트라키스(메틸렌포스폰산) (DOTP; 1,4,7,10-tetraazacyclodecane-N,N',N'',N'''-tetrakis(methylenephosphonic acid), 니트릴로트리스(메틸렌)트리포스폰산 (nitrilotris(methylene)triphosphonic acid), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산)(DETAP; diethylenetriaminephenta(methylenephosphonic acid)), 아미노트리(메틸렌포스폰산)(aminotri(methylenephosphonic acid), 1-하이드록시에틸렌-1,1-디포스폰산(1-hydroxyethylene-1,1-diphosphonic acid), 비스(헥사메틸렌)트리아민포스폰산(bis(hexamethylene)triaminephosphonic acid), 1,4,7-트리아자시클로노난- N,N',N''-트리스(메틸렌포스폰산)(NOTP; 1,4,7-triazacyclononan-N,N',N''-tris(methylenephosphonic acid)), 2-포스포노부탄-1,2,4-트리카보닐산(2-phophonobuthan-1,2,4-tricarboxylic acid), 니트릴로트리아세트산(NTA; nitrilotriacetic acid), 시트르산(citric acid), 타르타르산(tartaric acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리세르산(glyceric acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 말레산(maleic acid), 만델산(mandelic acid), 말론산(malonic acid), 락트산(ractic acid), 살리실산(salicylic acid), 살리실산메틸(methyl salicylate), 5-황화살리실산 (5-sulfosalicylic acid), 갈산(galic acid), 프로필 갈레이트(propylgallate), 피로갈롤(pyrogallol), 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline) 및 시스테인(cysteine) 및 이의 유사체(analogue), 동족(homologue)체 및 이성체(isomer)중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
삭제
0.1wt% ~ 3wt% 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(AMP;2-amino-2-methyl-1-propanol); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate);
에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
0.1wt% ~ 3wt% 디에탄올아민(DEA; diethanolamine); 0.001wt% ~ 2wt% 불산(HF;hydrogenfluoride); 0.1wt% ~ 3wt% 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA; ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 시클로헥산- 1,2-디아민테트라아세트산(CyDTA; cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid); 0.01wt% ~ 2wt% 과불소화 설폰산염(perfluorinated sulfonate);
에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
에틸렌글리콜(ethyleneglycol),디에틸렌글리콜(diethyleneglycol), 프로필렌글리콜(propyleneglycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 종 이상의 글리콜계 화합물(glycol compound) 0.1wt% ~ 10wt%; 초순수를 포함하여 pH 3.5 ~ 5.5로 조절되는 것을 특징으로 하는 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140150717A KR101670239B1 (ko) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160051184A KR20160051184A (ko) | 2016-05-11 |
| KR101670239B1 true KR101670239B1 (ko) | 2016-10-28 |
Family
ID=56025989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140150717A KR101670239B1 (ko) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101670239B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108645959A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-10-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 监控剥离液中胺类浓度变化的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60115909T2 (de) * | 2000-06-16 | 2006-09-07 | Kao Corp. | Reinigungsmittelzusammensetzung |
| JP4498726B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-07-07 | Ｋｉｓｃｏ株式会社 | 洗浄剤 |
| JP2009515055A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法 |
| KR101406124B1 (ko) | 2012-11-06 | 2014-06-27 | 한국표준과학연구원 | 거울 연마 장치 및 거울 연마 방법 |
-
2014
- 2014-10-31 KR KR1020140150717A patent/KR101670239B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160051184A (ko) | 2016-05-11 |
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