TWI594363B

TWI594363B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI594363B
Application number: TW104131256A
Authority: TW
Inventors: 德利憲太郎; 高橋弘明
Original assignee: 思可林集團股份有限公司
Priority date: 2014-09-29
Filing date: 2015-09-22
Publication date: 2017-08-01
Also published as: US9721815B2; KR101796833B1; JP2016072343A; TW201624611A; US20160093503A1; JP6523643B2; KR20160037775A

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種處理基板之技術。

以往，於半導體基板(以下，簡稱為「基板」)之製程中，對基板實施各種處理。例如，藉由對表面上形成有抗蝕劑之圖案之基板上供給藥液，對基板之表面進行蝕刻等之藥液處理。此外，於藥液處理結束後，對基板上供給洗淨液而進行洗淨處理，然後，進行基板之乾燥處理。

於日本專利特開平11-176795號公報(文獻1)之基板處理裝置中，於對基板進行藥液處理、洗淨處理及乾燥處理之一連串之處理時，使遮斷構件朝基板之上表面靠近而於遮斷構件與基板之間形成空間。然後，藉由對該空間依序供給藥液及洗淨液，然後，使基板高速旋轉，而完成上述一連串之處理。於該基板處理裝置中，由於對遮斷構件與基板之間的空間供給氮氣，因此上述一連串之處理係於低氧氛圍中進行。

於日本專利特開2004-158482號公報(文獻2)之基板處理裝置中，也同樣於氛圍氣體遮斷板靠近基板之上表面之狀態下，對基板進行藥液處理、洗淨處理及乾燥處理之一連串之處理。於該基板處理裝置中，在洗淨處理已進行某種程度之後，開始對氛圍氣體遮斷板與基板之間的空間供給氮氣。此外，與氮氣之供給並行地使氛圍氣體遮斷板朝更靠近基板之位置移動，於該位置繼續進行洗淨處理，並進行乾燥處理，藉此可減少氮氣之供給量。

不過，由於前述之遮斷構件靠近基板，因此存在有藥液或洗淨液會附著於遮斷構件之下表面，而滴落於乾燥後之基板上的可能性。此外，亦存在有附著於遮斷構件之下表面之藥液會乾燥，作為粉塵而附著於基板之可能性。而且，於藥液處理時，於遮斷構件與基板之間的空間所產生之藥液氛圍氣體(即，包含藥液之霧氣及煙氣等之氛圍氣體)，雖然會自被配置於基板周圍之杯部底部之排氣口等被排氣，但由於遮斷構件與基板之間之距離小，因此難以效率良好地自基板周圍吸引藥液氛圍氣體。

另一方面，於藥液處理時，若使遮斷構件與基板過度分開，滯留於遮斷構件與基板之間的空間之藥液氛圍氣體之量就會變多。該藥液氛圍氣體雖可自上述排氣口被排氣，藉此於洗淨處理之期間中減少一定的程度，但由於洗淨處理之後仍會殘留，因此存在有乾燥處理時成為形成粉塵之原因的可能性。然而，若欲在洗淨處理之期間中將藥液氛圍氣體完全去除，則洗淨處理所需之時間就會增加，而使生產效率降低。

本發明係一種應用於對基板進行處理之基板處理裝置，其目的在於效率良好地去除基板上之藥液氛圍氣體。本發明亦可應用於處理基板之基板處理方法。

本發明之基板處理裝置，其具備有：基板保持部，其保持水平狀態之基板；基板旋轉機構，其以朝上下方向之中心軸為中心使上述基板與上述基板保持部一起旋轉；藥液供給部，其對上述基板之上表面供給藥液；洗淨液供給部，其對上述基板之上述上表面供給洗淨液；遮蔽板，其與上述基板之上述上表面相對向；遮蔽板移動機構，其使上述遮蔽板沿上述上下方向對上述基板相對地移動；及控制部，其利用控制上述遮蔽板移動機構、上述藥液供給部、上述洗淨液供給部及上述基板旋轉機構，藉此於上述遮蔽板相對於上述基板位於上述上下方向之第1相對位置之狀態下將上述藥液供給至上述基板之上述上表面而進行藥液處理，於上述遮蔽板位於較上述第1相對位置更靠近上述基板之第2相對位置之狀態下將上述洗淨液供給至上述基板之上述上表面進行洗淨處理，於上述遮蔽板位於較上述第2相對位置更靠近上述基板之第3相對位置之狀態下使上述基板旋轉而進行乾燥處理。根據該基板處理裝置，可效率良好地去除基板上之藥液氛圍氣體。

於本發明一較佳之實施形態中，進一步具備有：杯部，其包覆上述基板之周圍，並且具有位於上述基板上方之上部開口，用以承接來自上述基板之上述藥液；及排出埠，其係於上述杯部之內部被設較上述基板更下方，用以將周圍之氣體吸引並朝上述杯部之外部排出，位於上述第2相對位置之上述遮蔽板，係閉塞上述杯部之上述上部開口。

於本發明另一較佳之實施形態中，進一步具備有：杯部，其包覆上述基板之周圍，並且具有位於上述基板上方之上部開口，用以承接來自上述基板之上述藥液；及排出埠，其於上述杯部之內部被設於較上述基板更下方，用以將周圍之氣體吸引並朝上述杯部之外部排出；位於上述第1相對位置之上述遮蔽板，係閉塞上述杯部之上述上部開口。

於本發明另一較佳之實施形態中，進一步具備有杯部，其包覆上述基板之周圍，並且具有位於上述基板上方之上部開口，用以承接來自上述基板之上述藥液；及排出埠，其係於上述杯部之內部被設於較上述基板更下方，用以將周圍之氣體吸引並朝上述杯部之外部排出；位於上述第3相對位置之上述遮蔽板，係閉塞上述杯部之上述上部開口。

於本發明另一較佳之實施形態中，上述遮蔽板具備有：遮蔽板本體部，其具有覆蓋上述基板之上述上表面之本體部下表面；及遮蔽板外周部，其具有自上述本體部下表面之外周緣朝下方擴展之內周面。

更佳為，上述遮蔽板外周部之外周面，係以上述中心軸為中心而朝上述上下方向擴展之圓筒面，上述杯部之上述上部開口之直徑，係大於上述遮蔽板外周部之上述外周面之直徑，無論於上述遮蔽板位於上述第1相對位置、上述第2相對位置及上述第3相對位置之任一位置之狀態下，上述遮蔽板外周部之上述外周面均藉由與上述杯部之上述上部開口之內周緣靠近且相對向，藉此閉塞上述杯部之上述上部開口。

於本發明另一較佳之實施形態中，進一步具備有排出埠，該排出埠係設於較上述基板更下方，用以吸引周圍之氣體，上述遮蔽板具備有：遮蔽板本體部，其具有覆蓋上述基板之上述上表面之本體部下表面；及遮蔽板外周部，其具有自上述本體部下表面之外周緣朝下方擴展之內周面。

上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點，係藉由參照附圖及以下所進行發明之詳細說明而明確化。

1、1a、1b‧‧‧基板處理裝置

9‧‧‧基板

11‧‧‧外殼

18‧‧‧氣液供給部

19‧‧‧氣液排出部

31‧‧‧基板保持部

35‧‧‧基板旋轉機構

41‧‧‧杯部

43‧‧‧杯部移動機構

51、51a、51b‧‧‧頂板

53‧‧‧遮蔽板移動機構

55‧‧‧遮蔽板旋轉機構

71‧‧‧控制部

91‧‧‧上表面

181‧‧‧上部中央噴嘴

183‧‧‧處理液吐出口

185‧‧‧氣體噴出口

191‧‧‧排出埠

193‧‧‧氣液分離部

194‧‧‧排氣部

195‧‧‧藥液回收部

196‧‧‧排液部

411‧‧‧上部開口

511、511b‧‧‧板本體部

512、512b‧‧‧板外周部

513‧‧‧下表面

514‧‧‧(板外周部之)內周面

515‧‧‧(板外周部之)外周面

516‧‧‧本體部下表面

551‧‧‧旋轉軸

811‧‧‧處理液供給部

812‧‧‧氣體供給部

813‧‧‧藥液供給部

814‧‧‧洗淨液供給部

816‧‧‧惰性氣體供給部

J1‧‧‧中心軸

S11~S15‧‧‧步驟

圖1為顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成之圖。

圖2為顯示氣液供給部及氣液排出部之方塊圖。

圖3為顯示基板之處理流程之圖。

圖4為顯示基板處理裝置之圖。

圖5為顯示基板處理裝置之圖。

圖6為顯示第2實施形態之基板處理裝置之構成之圖。

圖7為顯示第3實施形態之基板處理裝置之構成之圖。

圖8為顯示基板處理裝置之圖。

圖9為顯示基板處理裝置之圖。

圖1為顯示本發明第1實施形態之基板處理裝置1之構成之圖。基板處理裝置1係一次一片地處理半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)之單片式裝置。於圖1中，以剖面顯示基板處理裝置1構成之一部分。

基板處理裝置1具備有基板保持部31、基板旋轉機構35、杯部41、杯部移動機構43、頂板51、遮蔽板移動機構53、遮蔽板旋轉機構55、外殼11及控制部71。再者，於後述之圖4至圖9中，省略控制部71之圖示。外殼11係收容基板保持部31、杯部41及頂板51等。於圖1中，以虛線顯示外殼11。於外殼11之上部，設置有對外殼11之內部空間供給氮(N₂)氣等之惰性氣體的氣體供給部(省略圖示)。藉此，於外殼11之內部空間，形成有朝向下方之惰性氣體之下降流。

基板保持部31係以朝向上下方向之中心軸J1為中心而呈大致圓板狀之構件。基板保持部31係配置於基板9之下方，保持水平狀態之基板9之外緣部。基板旋轉機構35係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構35係以中心軸J1為中心使基板9與基板保持部31一起旋轉。

杯部41係以中心軸J1為中心而呈環狀之構件，被配置於基板9及基板保持部31之徑向外側。杯部41包覆基板9及基板保持部31之周圍全周，承接自基板9朝向周圍飛散之藥液等。杯部41具有以中心軸J1為中心而呈大致圓形之上部開口411。於圖1所示之狀態下，杯部41之上部開口411係位於基板9之上方。上部開口411之直徑，大於基板9之直徑及基板保持部31之直徑。杯部移動機構43係配置於杯部41之徑向外側。杯部移動機構43係使杯部41沿上下方向移動。

於杯部41之底部，設置有排出埠191。排出埠191係於杯部41之內部被設於較基板9更下方。藉由排出埠191，將利用杯部41所承接之藥液等朝杯部41及外殼11之外部排出。此外，藉由排出埠191，於杯部41內吸引周圍之氣體，並將其朝杯部41及外殼11之外部排出。

頂板51係以中心軸J1為中心而呈大致圓板狀之構件。頂板51係與基板9之上表面91相對向，用以遮蔽基板9之上方之遮蔽板。頂板51之直徑略小於杯部41之上部開口411之直徑。頂板51之直徑大於基板9之直徑，且頂板51之外周緣係涵蓋全周位於較基板9之外周緣靠徑向外側。於頂板51之中央部，設置有將藥液等朝向基板9之上表面91之中央部供給的上部中央噴嘴 181。

遮蔽板移動機構53係設於外殼11之上側，使頂板51沿上下方向移動。遮蔽板旋轉機構55係設於外殼11之上側，使頂板51以中心軸J1為中心進行旋轉。於遮蔽板旋轉機構55之旋轉軸551向，配置有前述之上部中央噴嘴181。

圖2為顯示基板處理裝置1所具備之氣液供給部18及氣液排出部19之方塊圖。氣液供給部18具備有處理液供給部811、及氣體供給部812。處理液供給部811具備有上部中央噴嘴181、藥液供給部813及洗淨液供給部814。藥液供給部813及洗淨液供給部814分別經由閥被連接於上部中央噴嘴181。氣體供給部812具備有上部中央噴嘴181及惰性氣體供給部816。惰性氣體供給部816係經由閥被連接於上部中央噴嘴181。

於上部中央噴嘴181之下端之中央部，設置有將處理液朝向基板9之上表面91供給的處理液吐出口183。自藥液供給部813所送出之藥液，係自處理液吐出口183被供給至基板9之上表面91。洗淨液供給部814送出之洗淨液，也自處理液吐出口183供給至基板9之上表面91。此外，於上部中央噴嘴181之下端，在處理液吐出口183之周圍設置有呈大致環狀之氣體噴出口185。自惰性氣體供給部816所送出之惰性氣體，係自氣體噴出口185朝向頂板51下方之空間(即，頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間的空間)被供給。上部中央噴嘴181之下端，係於上下方向被配置於與頂板51之下表面513大致相同之位置。

氣液排出部19具備有排出埠191、氣液分離部193、排氣部194、藥液回收部195及排液部196。排出埠191係連接於氣液分離部193。氣液分離部193分別經由閥被連接於排氣部194、藥液回收部195及排液部196。氣液供給部18及氣液排出部19之各構成，係藉由控制部71控制。基板旋轉機構35、杯部移動機構43、遮蔽板移動機構53及遮蔽板旋轉機構55(參照圖1)等之機構，亦藉由控制部71所控制。

自藥液供給部813經由上部中央噴嘴181被供給至基板9上之藥液，例如為聚合物去除液、或氟酸、四甲基氫氧化銨水溶液等之蝕刻液。自洗淨液供給部814經由上部中央噴嘴181被供給至基板9上之洗淨液，例如為純水(deionized water；DIW)。處理液供給部811也可具備有供給上述藥液及洗淨液以外之處理液之其他供給部。自惰性氣體供給部816所供給之氣體，例如為氮氣。氣體供給部812也可具備有供給氮氣以外之惰性氣體、或惰性氣體以外之氣體之其他供給部。

圖3為顯示基板處理裝置1之基板9之處理流程之圖。於基板處理裝置1中，首先，藉由杯部移動機構43使杯部41下降，而使杯部41之上部開口411位於較基板保持部31更下方。此外，藉由遮蔽板移動機構53使頂板51上昇，而與基板保持部31遠離。然後，基板9被搬入外殼11內，藉由基板保持部31來保持。

當基板9一被保持，便藉由控制部71控制杯部移動機構43，藉此使杯部41上昇而位於圖1所示之位置。此外，藉由控制部71控制遮蔽板移動機構53，藉此使頂板51下降而位於圖1所示之位置。於以下之說明中，將圖1所示之基板處理裝置1之狀態稱為「第1處理狀態」。此外，分別將圖1所示頂板51及杯部41相對於基板9之上下方向之相對位置稱為「第1相對位置」。位於第1相對位置之頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間的上下方向之距離，例如為10mm以上且20mm以下。圖1所示之例子中，該距離約為10mm。

位於第1相對位置之頂板51與位於第1相對位置之杯部41之上部開口411，係位於上下方向上大致相同之位置。頂板51之外周緣與杯部41之上部開口411之內周緣，係隔著些微之間隙相鄰近，並沿著徑向相對向。藉此，於第1處理狀態之基板處理裝置1中，藉由位於第1相對位置之頂板51，來閉塞杯部41之上部開口411。藉由頂板51對杯部41之上部開口411之閉塞，並非將上部開口411完全密封者，而是容許存在些微間隙之閉塞。於藉由頂板51將杯部41之上部開口411閉塞之狀態下，頂板51之外周緣與杯部41之上部開口411之內周緣之間之徑向距離，為2mm以下。藉此，可實質防止杯部41外部之氣體自上部開口411流入杯部41之內部。

於第1處理狀態之基板處理裝置1中，經由上部中央噴嘴181，開始對基板9與頂板51之間之空間進行惰性氣體之供給。來自上部中央噴嘴181之惰性氣體之供給，係持續至對基板9所進行一連串之處理(即，後述之藥液處理、洗淨處理及乾燥處理)結束為止。藉此，使基板9上方之空間成為低氧氛圍。此外，經由排出埠191之杯部41內所進行氣體之排出，也持續至對基板9所進行一連串之處理結束為止。

接著，藉由控制部71控制基板旋轉機構35，藉此開始基板9之旋轉。然後，藉由控制部71控制藥液供給部813，藉此將藥液經由上部中央噴嘴181，而供給至旋轉中之基板9之上表面 91。被供給至旋轉之基板9之中央部的藥液，係藉由離心力從而於上表面91上朝徑向外側移動，而自基板9之外緣朝杯部41飛散。藉由杯部41所承接之藥液，係經由設於杯部41之底部之排出埠191而朝杯部41及外殼11之外部被排出，並藉由藥液回收部195(參照圖2)所回收。

於基板處理裝置1中，藉由對基板9之上表面91供給規定時間之藥液，而對基板9之上表面91進行藥液處理(步驟S11)。步驟S11之藥液處理，係於頂板51及杯部41位於第1相對位置之狀態下(即，第1處理狀態)進行。如前所述，位於第1相對位置之頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間上下方向之距離，為10mm以上且20mm以下。因此，於對基板9進行藥液處理時，可防止藥液附著於頂板51之下表面513，並且可將基板9上方之空間維持為低氧氛圍。若對基板9之藥液處理一結束，便停止自藥液供給部813之藥液供給。

其次，藉由控制部71控制杯部移動機構43，藉此使杯部41下降而位於圖4所示之位置。此外，藉由控制部71控制遮蔽板移動機構53，藉此使頂板51下降而位於圖4所示之位置。換言之，頂板51及杯部41係沿上下方向對基板9相對地移動(步驟S12)。於以下之說明中，將圖4所示之基板處理裝置1之狀態，稱為「第2處理狀態」。此外，分別將圖4所示之頂板51及杯部41相對於基板9之上下方向之相對位置，稱為「第2相對位置」。

位於第2相對位置之頂板51，係較第1相對位置更靠近基板9。位於第2相對位置之頂板51，係與位於第1相對位置之情形同樣地，與基板9之上表面91相對向，而遮蔽基板9之上方。位於第2相對位置之杯部41，係與位於第1相對位置之情形同樣地，涵蓋全周地覆蓋基板9及基板保持部31之周圍。

藉由頂板51自第1相對位置朝第2相對位置移動，使存在於頂板51與基板9之間的空間之藥液氛圍氣體(即，包含藥液之霧氣及煙氣等之氛圍氣體)，朝基板9之周圍被推出，而經由排出埠191朝杯部41之外部被排出。位於第2相對位置之頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間之上下方向的距離，例如為3mm以上且10mm以下。於圖4所示之例子中，該距離約為5mm。

位於第2相對位置之頂板51與位於第2相對位置之杯部41之上部開口411，係於上下方向上位於大致相同之位置。頂板51之外周緣與杯部41之上部開口411之內周緣，係隔著些微之間隙相鄰近，並沿著徑向相對向。藉此，於第2處理狀態之基板處理裝置1中，藉由位於第2相對位置之頂板51，來閉塞杯部41之上部開口411。

若頂板51一位於第2相對位置，便藉由控制部71控制洗淨液供給部814(參照圖2)，藉此將洗淨液經由上部中央噴嘴181，而供給至旋轉中之基板9之上表面91。被供給至旋轉之基板9之中央部的洗淨液，係藉由離心力而於上表面91上朝徑向外側移動，從而自基板9之外緣朝杯部41飛散。藉由杯部41所承接之洗淨液，係經由設於杯部41之底部之排出埠191而朝杯部41及外殼11之外部被排出，並藉由排液部196(參照圖2)所廢棄。

於基板處理裝置1中，藉由朝基板9之上表面91供給規定時間之洗淨液，而對基板9之上表面91進行洗淨處理(步驟S13)。步驟S13之洗淨處理，係於頂板51及杯部41位於第2相對位置之狀態下(即，第2處理狀態)進行。於進行洗淨處理之期間中，存在於基板9與位於第2相對位置之頂板51之間的空間之藥液氛圍氣體，係經由排出埠191被吸引，藉此朝基板9之周圍移動，並經由排出埠191而朝杯部41之外部被排出。

如前所述，位於第2相對位置之頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間上下方向之距離，為3mm以上且10mm以下。因此，於對基板9進行洗淨處理時，可抑制洗淨液附著於頂板51之下表面513，並且可將基板9上方之空間維持為低氧氛圍。此外，可效率良好地自基板9與頂板51之間之空間，去除藥液氛圍氣體。若對基板9之洗淨處理一結束，便停止來自洗淨液供給部814之洗淨液供給。

接著，藉由控制部71控制杯部移動機構43，藉此使杯部41下降而位於圖5所示之位置。此外，藉由控制部71控制遮蔽板移動機構53，藉此使頂板51下降而位於圖5所示之位置。換言之，頂板51及杯部41係沿上下方向對基板9相對地移動(步驟S14)。於以下之說明中，將圖5所示之基板處理裝置1之狀態，稱為「第3處理狀態」。此外，將圖5所示之頂板51及杯部41相對於基板9之上下方向之相對位置，稱為「第3相對位置」。

位於第3相對位置之頂板51，係較第1相對位置及第2相對位置更靠近基板9。位於第3相對位置之頂板51，係與位於第1相對位置之情形同樣地，與基板9之上表面91相對向，而遮蔽基板9之上方。位於第3相對位置之杯部41，係與位於第1相對位置之情形同樣地，涵蓋全周地覆蓋基板9及基板保持部31之周圍。位於第3相對位置之頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間之上下方向的距離，例如為1mm以上且3mm以下。於圖5所示之例子中，該距離為約2.5mm。

位於第3相對位置之頂板51與位於第3相對位置之杯部41之上部開口411，係於上下方向上位於大致相同之位置。頂板51之外周緣與杯部41之上部開口411之內周緣，係隔著些微之間隙相鄰近，並沿著徑向相對向。藉此，於第3處理狀態之基板處理裝置1中，藉由位於第3相對位置之頂板51，來閉塞杯部41之上部開口411。

若頂板51一位於第3相對位置，便藉由控制部71控制基板旋轉機構35，藉此增大基板9之旋轉速度。藉由使基板9較高速地旋轉，基板9之上表面91上之洗淨液便朝徑向外側移動，而自基板9之外緣朝周圍飛散。其結果，可去除基板9上之洗淨液(步驟S15)。以下，將步驟S15之處理稱為「乾燥處理」。自基板9飛散而藉由杯部41所承接之洗淨液，係經由排出埠191朝杯部41及外殼11之外部被排出，並藉由排液部196(參照圖2)所廢棄。

於步驟S15之乾燥處理時，藉由控制部71控制遮蔽板旋轉機構55，藉此使頂板51以與基板9之旋轉速度大致相等之轉速朝與基板9相同之旋轉方向旋轉。藉由於鄰近基板9之上表面91之第3相對位置配置頂板51，可抑制(或防止)自基板9所飛散之洗淨液等由杯部41等跳回而再附著於基板9之上表面91。此外，藉由頂板51旋轉，則即使於洗淨液等附著於頂板51之情形時，仍可使該洗淨液等朝頂板51之周圍飛散，而自頂板51上去除。

於基板處理裝置1中，如前所述，於步驟S15之乾燥處理時，也將惰性氣體經由上部中央噴嘴181之氣體噴出口185(參照圖2)，而供給至頂板51之下表面513與基板9之上表面91之間的空間。藉此，可自基板9與頂板51之間的空間，更快速地排出洗淨液等，而可促進基板9之乾燥。

若基板9之乾燥處理一結束，便使基板9及頂板51之旋轉停止，亦停止來自上部中央噴嘴181之惰性氣體之供給。然後，藉由杯部移動機構43使杯部41下降，使杯部41之上部開口411位於較基板9及基板保持部31更下方。此外，藉由遮蔽板移動機構53使頂板51上昇，而自基板9及基板保持部31遠離。然後，基板9係朝外殼11外被搬出。於基板處理裝置1中，對複數片基板9依序進行前述之步驟S11~S15。

如以上所說明，於基板處理裝置1中，藉由控制部71控制遮蔽板移動機構53、藥液供給部813、洗淨液供給部814及基板旋轉機構35，首先，藉此於頂板51相對於基板9位於上下方向之第1相對位置之狀態下，將藥液供給去基板9之上表面91而進行藥液處理。由於位於第1相對位置之頂板51係與基板9離開較遠，因此可防止被供給至基板9上之藥液附著於頂板51之下表面513等。

接著，頂板51下降，而位於較第1相對位置更靠近基板9之第2相對位置。藉此，使藥液處理時於頂板51與基板9之間的空間所產生之藥液氛圍氣體，朝基板9之周圍被推出，而經由排出埠191朝杯部41之外部被排出。其結果，可減少存在於基板9之上方之藥液氛圍氣體。

其次，於頂板51相對於基板9位於第2相對位置之狀態下，對基板9之上表面91供給洗淨液而進行洗淨處理。由於位於第2相對位置之頂板51適度地與基板9分離，因此，相較於頂板51與基板9非常靠近之狀態(例如，頂板51位於第3相對位置之狀態)，可效率良好地自基板9之周圍吸引存在於頂板51與基板9之間的空間之藥液氛圍氣體，而可經由排出埠191朝杯部41之外部排出。其結果，於僅進行規定時間之洗淨處理之期間中，可效率良好地去除基板9上之藥液氛圍氣體。

於基板處理裝置1中，進一步使頂板51下降，而位於較第2相對位置更靠近基板9之第3相對位置。然後，使基板9以較高速旋轉來進行基板9之乾燥處理。如前所述，於頂板51與基板9之間的空間所產生之藥液氛圍氣體，由於在頂板51位於較第3相對位置之前時，便自該空間有效率地被去除，因此於乾燥處理時，可抑制(或防止)因基板9上之藥液氛圍氣體所導致粉塵之產生。

於基板處理裝置1中，頂板51係於較進行洗淨處理之前，便自第1相對位置朝第2相對位置移動，直到洗淨處理結束為止，將頂板51之位置維持在第2相對位置。藉此，於洗淨處理之期間中，可始終效率良好地去除基板9上之藥液氛圍氣體。因此，於乾燥處理時，可進一步抑制(或防止)因基板9上之藥液氛圍氣體所導致粉塵之產生。

於基板處理裝置1中，於對基板9進行藥液處理、洗淨處理及乾燥處理之一連串處理之期間中，自上部中央噴嘴181朝頂板51與基板9之間之空間持續地供給惰性氣體。藉此，可以低氧氛圍進行該一連串之處理。此外，於對基板9之洗淨處理之期間中，藉由自上部中央噴嘴181供給惰性氣體，可更有效率地自頂板 51與基板9之間之空間去除藥液氛圍氣體。而且，於對基板9之乾燥處理之期間中，藉由自上部中央噴嘴181供給惰性氣體，可效率良好地使基板9乾燥。

如前所述，於基板處理裝置1中，在對基板9進行洗淨處理時，於藉由位於第2相對位置之頂板51將杯部41之上部開口411閉塞之狀態下，經由排出埠191進行氣體之吸引。藉此，相較於杯部41之上部開口411被開放之狀態(例如，頂板51於上下方向自杯部41之上部開口411遠離，而於頂板51與上部開口411之間存在有較大之間隙之狀態)，可自基板9之周圍效率良好地吸引頂板51與基板9之間之藥液氛圍氣體。其結果，於對基板9進行洗淨處理時，可更有效率地去除基板9上之藥液氛圍氣體。

於基板處理裝置1中，對基板9之藥液處理，係於藉由位於第1相對位置之頂板51將杯部41之上部開口411閉塞之狀態下進行。藉此，相較於杯部41之上部開口411被開放之狀態，可自基板9之周圍效率良好地吸引頂板51與基板9之間之藥液氛圍氣體。其結果，可降低藥液處理結束時基板9上之藥液氛圍氣體之濃度，並於對基板9之洗淨處理時，可更有效率地去除基板9上之藥液氛圍氣體。此外，藉由將杯部41之上部開口411閉塞，可抑制(或防止)於基板9之上方所產生之藥液氛圍氣體經由上部開口411朝杯部41外部之擴散。其結果，可抑制(或防止)杯部41外部之粉塵之產生。

於基板處理裝置1中，對基板9之乾燥處理，係於藉由位於第3相對位置之頂板51將杯部41之上部開口411閉塞之狀態下進行。藉此，可相較於杯部41之上部開口411被開放之狀態，提高自基板9之周圍吸引頂板51與基板9之間的氣體時之吸引效率。其結果，可效率良好地將基板9乾燥。

圖6為用顯示本發明第2實施形態之基板處理裝置1a之構成之圖。如圖6所示，基板處理裝置1a除了取代圖1所示之頂板51而具備有與頂板51不同構造之頂板51a之部分外，具有與圖1所示之基板處理裝置1大致同樣之構造。於以下之說明中，對與基板處理裝置1之各構成對應之基板處理裝置1a之構成標示相同符號。

如圖6所示，頂板51a具備有作為遮蔽板本體部之板本體部511、及作為遮蔽板外周部之板外周部512。板本體部511與板外周部512係連成一體之構件。板本體部511係大致垂直於中心軸J1而呈大致圓板狀之構件，於基板9之上方與基板9相對向。板本體部511之形狀及大小，係與圖1所示之頂板51大致相同。板本體部511具有覆蓋基板9之上表面91之本體部下表面516。板本體部511之本體部下表面516之直徑，大於基板9之直徑，而板本體部511之本體部下表面516之外周緣，係涵蓋全周位於較基板9之外周緣靠徑向外側。

板外周部512係自板本體部511之外周部朝向下方擴展而呈環狀之構件。於圖6所示之例子中，板外周部512係自板本體部511之外周部朝向徑向外側且下方擴展而呈板狀之傾斜部。板外周部512具有內周面514及外周面515。板外周部512之內周面514係自板本體部511之本體部下表面516之外周緣朝徑向外側且下方擴展。杯部41之上部開口411之直徑，略大於板外周部512之下端緣之直徑。

基板處理裝置1a之基板9之處理流程，係與圖1所示之基板處理裝置1之基板9之處理流程(參照圖3)相同。於基板處理裝置1a中，與基板處理裝置1同樣地，可於洗淨處理之期間效率良好地去除基板9上之藥液氛圍氣體。於步驟S12中，與上述同樣地，頂板51a係藉由遮蔽板移動機構53，自第1相對位置朝圖6所示之第2相對位置下降而接近基板9。藉此，於步驟S11之藥液處理時於頂板51a與基板9之間的空間所產生之藥液氛圍氣體，係朝基板9之周圍被推出，而經由排出埠191朝杯部41之外部被排出。其結果，可減少存在於基板9上方之藥液氛圍氣體。

如前所述，於頂板51a，在板本體部511之周圍設置有板外周部512而，板外周部512之內周面514，係自板本體部511之本體部下表面516之外周緣朝下方擴展。藉此，於步驟S12中頂板51a下降時，自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體，係沿著板外周部512之內周面514朝下方被導引。換言之，自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體，係藉由板外周部512之內周面514，朝配置於杯部41之底部之排出埠191被導引。藉此，可更有效率地將自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體朝杯部41之外部排出。其結果，可進一步減少存在於基板9上方之藥液氛圍氣體。

圖7為顯示本發明第3實施形態之基板處理裝置1b之構成之圖。如圖7所示，基板處理裝置1b除了取代圖1所示之頂板51而具備有與頂板51不同構造之頂板51b之部分及省略杯部移動機構43之部分外，具有與圖1所示之基板處理裝置1大致相同之構造。於以下之說明中，對與基板處理裝置1之各構成對應之基板處理裝置1b之構成標示相同符號。

如圖7所示，頂板51b具備有作為遮蔽板本體部之板本體部511b、及作為遮蔽板外周部之板外周部512b。板本體部511b與板外周部512b係連成一體之構件。板本體部511b係大致垂直於中心軸J1而呈大致圓板狀之構件，於基板9之上方與基板9相對向。板本體部511b之直徑，大於上述頂板51及板本體部511之直徑。

板外周部512b係自板本體部511b之外周部朝向下方擴展而呈環狀之構件。於圖7所示之例子中，板外周部512b係自板本體部511b之外周緣朝下方擴展而呈大致圓筒狀之構件。板外周部512b具有內周面514及外周面515。板外周部512b之內周面514及外周面515，係以中心軸J1為中心而朝上下方向擴展之大致圓筒面。板外周部512b之內周面514，係自板本體部511b之本體部下表面516之外周緣朝下方擴展。板外周部512b之內周面514之直徑，大於基板9之直徑，而板外周部512b之內周面514之下端緣，係涵蓋全周位於較基板9之外周緣更靠徑向外側。杯部41之上部開口411之直徑，略大於板外周部512b之外周面515之直徑。

基板處理裝置1b之基板9之處理流程，係與圖1所示之基板處理裝置1之基板9之處理流程大致相同。於基板處理裝置1b中，與基板處理裝置1同樣地，於頂板51b位於圖7所示之第1相對位置之狀態下，朝基板9之上表面91供給藥液而進行藥液處理(圖3：步驟S11)。於頂板51b位於第1相對位置之狀態下，板外周部512b之外周面515之下端部，係與杯部41之上部開口411之內周緣隔著些微之間隙相鄰近，並沿徑向相對向。藉此，杯部41 之上部開口411係藉由頂板51b所閉塞。

藥液處理一結束，藉由遮蔽板移動機構53便使頂板51b下降，而如圖8所示，位於較第1相對位置靠近基板9之第2相對位置(步驟S12)。此時，杯部41不沿上下方向移動。然後，於頂板51b位於第2相對位置之狀態下，對基板9之上表面91供給洗淨液而進行洗淨處理(步驟S13)。於頂板51b位於第2相對位置之狀態下，板外周部512b之外周面515上下方向之中央部，係與杯部41之上部開口411之內周緣之隔著些微之間隙相鄰近，並沿徑向相對向。藉此，杯部41之上部開口411係藉由頂板51b所閉塞。

洗淨處理一結束，頂板51b便會下降，而如圖9所示，位於較第2相對位置靠近基板9之第3相對位置(步驟S14)。此時，杯部41不沿上下方向移動。然後，於頂板51b位於第3相對位置之狀態下，基板9係以較高速旋轉而進行乾燥處理(步驟S15)。於頂板51b位於第3相對位置之狀態下，板外周部512b之外周面515之上端部，係與杯部41之上部開口411之內周緣隔著些微之間隙相鄰近，並沿徑向相對向。藉此，杯部41之上部開口411係藉由頂板51b所閉塞。

於基板處理裝置1b中，藉由進行前述之步驟S11~S15，與圖1所示之基板處理裝置1同樣地，可於洗淨處理之期間中效率良好地去除基板9上之藥液氛圍氣體。此外，藉由於頂板51b設置板外周部512b，與圖6所示之基板處理裝置1a同樣地，於步驟S12中頂板51b朝圖8所示之第2相對位置下降時，使自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體，藉由板外周部512b之內周面 514，朝配置於杯部41之底部之排出埠191被導引。藉此，可更有效率地使自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體朝杯部41之外部被排出。其結果，可進一步減少存在於基板9上方之藥液氛圍氣體。

如前所述，於基板處理裝置1b中，即使於頂板51b位於第1相對位置、第2相對位置及第3相對位置中之任一者之狀態下，板外周部512b之外周面515均與杯部41之上部開口411之內周緣相鄰近而相對向。藉此，可不使杯部41沿上下方向移動，而藉由頂板51b將杯部41之上部開口411閉塞。如此，於基板處理裝置1b中，無論於藥液處理、洗淨處理及乾燥處理之任一處理狀態下，皆可以簡單之構造將杯部41之上部開口411閉塞。

於上述基板處理裝置1、1a、1b中，可進行各種變更。

例如，於基板處理裝置1、1a、1b中，遮蔽板移動機構53只要為使頂板51沿上下方向對基板9及基板保持部31相對地移動之機構即可。於基板處理裝置1、1a中，杯部移動機構43只要為使杯部41沿上下方向對基板9及基板保持部31相對地移動之機構即可。例如，於基板處理裝置1、1a、1b中，也可使頂板51、51a、51b及杯部41上下方向之位置固定，並設置使基板9與基板保持部31一起沿上下方向移動之基板移動機構。亦可藉由該基板移動機構使基板9沿上下方向移動，而使頂板51、51a、51b相對於基板9之相對位置，被設為上述第1相對位置、第2相對位置及第3相對位置。於該情形時，該基板移動機構係使頂板51、51a、51b沿上下方向對基板9相對地移動之遮蔽板移動機構。

於基板處理裝置1、1a、1b中，也可於第1相對位置、第2相對位置及第3相對位置之任一位置或全部之位置上，使頂板51、51a、51b較杯部41之上部開口411位於上方或下方，不封堵上部開口411而將其開放。

於基板處理裝置1、1a、1b中，也可省略杯部41。於該情形時，排出埠191係於外殼11內，被設於較基板9更下方。於基板處理裝置1a、1b中，於步驟S12中頂板51a、51b下降時，自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體，係藉由板外周部512、512b之內周面514朝配置於基板9下方之排出埠191被導引。藉此，可效率良好地將自基板9上朝周圍被推出之藥液氛圍氣體排出，其結果，可減少存在於基板9上方之藥液氛圍氣體。

於基板處理裝置1、1a、1b中，杯部41也可具備呈同心圓狀配置之複數個杯。於該情形時，較佳為，於切換被供給至基板9上之處理液之種類時(例如，自藥液切換為洗淨液時)，也切換用以承接來自基板9之處理液之杯。藉此，可容易地分類而回收或廢棄複數種處理液。

於基板處理裝置1、1a、1b中，也可於基板保持部31之中央部設置下部噴嘴，與對基板9之上表面91所進行之藥液處理並行地朝基板9之下表面供給藥液，並與對基板9之上表面91所進行之洗淨處理並行地對基板9之下表面供給洗淨液。

步驟S11之藥液處理，並不限定於聚合物去除或蝕刻，也可為使用鹽酸或氟酸等各種處理液之各種處理。於基板處理裝置1、1a、1b中，可利用頂板51、51a、51b進行最好在低氧氛圍下所進行之各種處理。自上部中央噴嘴181所供給之惰性氣體，並不限定為氮氣，也可為氬等其他之惰性氣體。此外，自上部中央噴嘴181所供給之氣體，也可為用以使基板9上成為所期望之氣體氛圍之氣體，例如，可為氣體組成比經管理之混合氣體(即，由複數種類之氣體混合而成者)。於基板處理裝置1、1a、1b中，不一定要進行來自上部中央噴嘴181之氣體之供給。於基板處理裝置1、1a、1b中，也可對半導體基板以外之各種基板進行處理。

上述實施形態及各變形例之構成，只要不互相矛盾，均可適當地加以組合。

以上雖已詳細地對發明進行描述及說明，但已述之說明僅為例示而已，並非用來限定本發明者。因此，只要未超出本發明之範圍，即可實施多種之變形及態樣。

1‧‧‧基板處理裝置