JP6736386B2 - 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体に関する。

一般に、基板（ウエハ）を洗浄処理するための洗浄液や、基板をめっき処理するためのめっき液等の処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置が知られている。この基板液処理装置において基板を液処理する際、処理液を加熱する場合がある。処理液を加熱する方法としては、処理液が供給された基板の上方にヒータを配置して、基板上の処理液を加熱する方法が知られている。他の方法として、基板を下面から加熱して、基板上の処理液を加熱する方法もある。

しかしながら、処理液は、加熱によって温度上昇することにより、劣化が進む場合がある。このことにより、処理液の加熱に時間がかかると、処理液が劣化して基板の液処理効率が低下するという問題が考えられる。また、基板上の処理液の温度は不均一になる傾向にある。このことにより、基板に対する液処理速度が不均一になり、液処理の均一化が困難になるという問題もある。

特開平９−１７７６１号公報 特開２００４−１０７７４７号公報 特開２０１２−１３６７８３号公報

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板上の処理液の温度を迅速に上昇させて処理液の劣化を防止できるとともに、基板の液処理を均一化することができる基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体を提供する。

本発明の実施の形態による基板処理装置は、基板に処理液を供給して基板を液処理する基板液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、基板保持部に保持された基板を覆う蓋体と、を備えている。蓋体は、基板の上方に配置される天井部と、天井部から下方に延びる側壁部と、天井部に設けられた、基板上の処理液を加熱する加熱部と、を有している。蓋体の側壁部は、基板上の処理液を加熱する際に基板の外周側に配置される。

本発明の実施の形態による基板処理方法は、基板に処理液を供給して基板を液処理する基板液処理方法であって、基板を保持する工程と、基板の上面に処理液を供給する工程と、保持された基板の上方に配置される天井部と、天井部から下方に延びる側壁部と、天井部に設けられた加熱部と、を有する蓋体によって基板を覆う工程と、加熱部によって基板上の処理液を加熱する工程と、を備えている。処理液を加熱する工程において、蓋体の側壁部は、基板の外周側に配置される。

本発明の実施の形態による記録媒体は、基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板液処理装置を制御して上述した基板液処理方法を実行させるプログラムが記録された記録媒体である。

本発明の実施の形態によれば、基板上の処理液の温度を迅速に上昇させるとともに、基板の液処理を均一化することができる。

図１は、めっき処理装置の構成を示す概略平面図である。 図２は、図１に示すめっき処理部の構成を示す断面図である。 図３は、図２の冷却プレートを示す平面図である。 図４は、図２のノズルアームおよび蓋体を示す平面断面図である。 図５は、図２のヒータを示す平面図である。 図６は、図２の排気機構を示す平面図である。 図７は、図６の排気機構を示す部分断面図である。 図８は、図１のめっき処理装置における基板のめっき処理を示すフローチャートである。 図９Ａは、図８の基板保持工程を説明するための図である。 図９Ｂは、図８のめっき液盛り付け工程を説明するための図である。 図９Ｃは、図８の第１加熱工程を説明するための図である。 図９Ｄは、図８の第２加熱工程を説明するための図である。 図９Ｅは、図８の基板乾燥処理工程を説明するための図である。

以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。

まず、図１を参照して、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給して基板Ｗをめっき処理（液処理）する装置である。

図１に示すように、本発明の実施の形態に係るめっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウエハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。

めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行うように構成されている。このめっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１（処理液）を供給するめっき液供給部５３（処理液供給部）と、を備えている。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有している。このチャック部材５２１は、いわゆるバキュームチャックタイプとなっている。しかしながら、これに限られることはなく、基板保持部５２は、チャック機構等によって基板Ｗの外縁部を把持する、いわゆるメカニカルチャックタイプであってもよい。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。この回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は、基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３は、チャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

回転モータ５２３上には、冷却プレート５２５が設けられている。この冷却プレート５２５の上面に、冷却液ＣＬ（例えば冷却水）が通流する冷却溝５２５ａが設けられている。冷却溝５２５ａは、図３に示すように、上方から見た場合に回転シャフト５２２を囲むように形成されている。冷却溝５２５ａの一端部に冷却液流入部５２５ｂが設けられ、他端部に冷却液流出部５２５ｃが設けられている。このことにより、図示しない冷却液供給源から供給された冷却液ＣＬは、冷却液流入部５２５ｂから冷却溝５２５ａに流入し、冷却溝５２５ａを通流して冷却液流出部５２５ｃから流出されるように構成されている。冷却液ＣＬが冷却溝５２５ａを通流している間、回転モータ５２３と熱交換し、回転モータ５２３が冷却され、回転モータ５２３の温度上昇が抑制される。

図２に示すように、めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１（処理液ノズル）と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有している。このうちめっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給するように構成されている。めっき液ノズル５３１からのめっき液Ｌ１の吐出時の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜Ｐ（金属膜、図９Ｅ参照）としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備えている。

洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有している。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有している。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１および洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、およびリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、図４に示すように、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２またはリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置（図４において二点鎖線で示す位置）と、吐出位置から退避した退避位置（図４において実線で示す位置）との間で移動可能になっている。このうち吐出位置は、基板Ｗの上面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られることはない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。この内側カバー５８２は、冷却プレート５２５の上方に配置されており、処理液や、基板Ｗの周囲の雰囲気が拡散することを防止している。後述する排気管８１の上方には、処理液をドレンダクト５８１に案内する案内部材５８３が設けられている。この案内部材５８３によって、排気管８１の上方を下降する処理液が、排気管８１内に進入することを防止し、ドレンダクト５８１で受けられるように構成されている。

基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有している。このうち、天井部６１は、蓋体６が後述する第１間隔位置および第２間隔位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含んでいる。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間には、後述するヒータ６３（加熱部）が介在されている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有していることが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２および側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有している。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替えとして、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

図４に示すように、蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置（図４において二点鎖線で示す位置）と、上方位置から退避した退避位置（図４において実線で示す位置）との間で移動させる。このうち上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

図２に示すように、蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、めっき液Ｌ１が供給された基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を第１間隔位置（図９Ｃ参照）と、第２間隔位置（図９Ｄ参照）と、上述した上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

第１間隔位置において、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔が、最も小さい第１間隔ｇ１（図９Ｃ参照）になり、第１天井板６１１が基板Ｗに最も近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように第１間隔ｇ１を設定することが好適である。

第２間隔位置において、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔が、第１間隔ｇ１よりも大きい第２間隔ｇ２（図９Ｄ参照）になる。このことにより、蓋体６は、第１間隔位置よりも上方に位置づけられる。

上方位置において、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔が、第２間隔ｇ２よりも大きくなり、蓋体６は、第２間隔位置よりも上方に位置づけられる。すなわち、上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

このような第１間隔位置と第２間隔位置と上方位置との間で、蓋体６はシリンダ７３によって移動可能になっている。本実施の形態では、上述した第１間隔位置および第２間隔位置に蓋体６が位置づけられた場合に、ヒータ６３が駆動されて、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されるように構成されている。言い換えると、シリンダ７３は、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔を、第１間隔ｇ１と第２間隔ｇ２とに調節可能になっている。

図２に示すように、蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（第１間隔位置および第２間隔位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。このうち蓋体６が第１間隔位置に位置づけられた場合、図９Ｃに示すように、側壁部６２の下端６２１は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられる。この場合、側壁部６２の下端６２１と基板Ｗの下面との間の上下方向距離ｘ１は、例えば、１０〜３０ｍｍとすることが好適である。図９Ｄに示すように、蓋体６が第２間隔位置に位置づけられた場合であっても、側壁部６２の下端６２１は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられる。この場合、側壁部６２の下端６２１と基板Ｗの下面との間の上下方向距離ｘ２は、例えば、４〜５ｍｍとすることが好適である。

図２に示すように、蓋体６の天井部６１に、ヒータ６３が設けられている。ヒータ６３は、蓋体６が第１間隔位置および第２間隔位置に位置づけられた場合に、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。本実施の形態では、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在されている。このヒータ６３は、上述したように密封されており、めっき液Ｌ１などの処理液に触れることを防止している。

図５に示すように、ヒータ６３は、内周側ヒータ６３１（内周側加熱部）と、内周側ヒータ６３１よりも外周側に設けられた外周側ヒータ６３２（外周側加熱部）と、内周側ヒータ６３１と外周側ヒータ６３２との間に介在された中間ヒータ６３３（中間加熱部）と、を有している。内周側ヒータ６３１、外周側ヒータ６３２および中間ヒータ６３３は、互いに分離されており、互いに独立に駆動されるように構成されている。また、内周側ヒータ６３１、外周側ヒータ６３２および中間ヒータ６３３は、上方から見た場合に各々がリング状に形成され、互いに同心状に形成されている。例えば、各ヒータ６３１、６３２、６３３には、面状発熱体であるマイカヒータを好適に用いることができる。

内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２のうちの少なくとも一方の単位面積当たりの発熱量は、中間ヒータ６３３の単位面積当たりの発熱量よりも大きくなっている。好適には、内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２の両方の単位面積当たりの発熱量が、中間ヒータ６３３の単位面積当たりの発熱量よりも大きい。この場合、例えば、内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２の単位面積当たりのヒータ容量を中間ヒータ６３３の単位面積当たりのヒータ容量よりも大きくしてもよい。あるいは、各ヒータ６３１、６３２、６３３の単位面積当たりのヒータ容量が同一であれば、内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２に供給する電力を、中間ヒータ６３３に供給する電力よりも大きくしてもよい。

図２に示すように、本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有している。このうち、ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。

蓋体６の天井部６１および側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向および上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有していることが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有していることがより一層好適である。

図２に示すように、チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

本実施の形態では、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１がヒータ６３により加熱される際のファンフィルターユニット５９の気体の供給量は、基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給される際よりも少なくなるように構成されている。より具体的には、蓋体６が第１間隔位置および第２間隔位置に位置づけられている場合において、蓋体６が退避位置または上方位置に位置づけられている場合よりも、ファンフィルターユニット５９の空気の供給量は少なくなっている。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、図２に示すように、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有している。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。図６に示すように、排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

図６に示すように、排気ダクト８２は、２つの排気流入部８２１と、１つの排気流出部８２２と、を有している。より具体的には、排気ダクト８２の周方向の両端部に排気流入部８２１が設けられており、排気ダクト８２の中間部に排気流出部８２２が設けられている。排気流出部８２２には、第２の排気ダクト８７が連結されており、排気ダクト８２内の気体は、第２の排気ダクト８７から排出される。

図６および図７に示すように、排気ダクト８２の中間部（すなわち、排気流出部８２２の近傍）に、ダクト凹部８２３が設けられている。このダクト凹部８２３は、排気ダクト８２の底部に設けられており、排気管８１を通って排気ダクト８２に処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２またはリンス液Ｌ３）が流入した場合に、この流入した処理液を貯留する。このダクト凹部８２３には、排液ライン８３が連結されている。排液ライン８３は、排液ポンプ８３１を含んでおり、ダクト凹部８２３に貯留した処理液を排出可能になっている。

図７に示すように、ダクト凹部８２３には、液面センサ８４が設けられている。この液面センサ８４は、ダクト凹部８２３に貯留された処理液の液面を検出する。また、排気ダクト８２には、圧力を検出する圧力センサ８５が設けられている。さらに、排気ダクト８２に、ダクトノズル８６が設けられており、ダクトノズル８６から排気ダクト８２内にダクト洗浄液（例えば、水）が吐出可能になっている。このことにより、排気ダクト８２内をダクト洗浄液で洗浄可能に構成されている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について、図８および図９Ａ〜図９Ｅを用いて説明する。ここでは、基板液処理方法の一例として、めっき処理装置１を用いためっき処理方法について説明する。

めっき処理装置１によって実施されるめっき処理方法は、基板Ｗに対するめっき処理を含む。めっき処理は、めっき処理部５により実施される。以下に示すめっき処理部５の動作は、制御部３によって制御される。なお、下記の処理が行われている間、ファンフィルターユニット５９から清浄な空気がチャンバ５１内に供給され、排気管８１に向かって流れる。また、回転モータ５２３上に設けられた冷却プレート５２５の冷却溝５２５ａに、冷却液ＣＬが通流し、回転モータ５２３が冷却される。

［基板保持工程］
まず、めっき処理部５に基板Ｗが搬入され、搬入された基板Ｗが、図９Ａに示すように基板保持部５２に保持される（ステップＳ１）。ここでは、基板Ｗの下面が真空吸着されて、基板保持部５２に基板Ｗが水平に保持される。

［基板洗浄処理工程］
次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗが、洗浄処理される（ステップＳ２）。この場合、まず、回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転する。続いて、退避位置（図４における実線で示す位置）に位置づけられていたノズルアーム５６が、吐出位置（図４における二点鎖線で示す位置）に移動する。次に、回転する基板Ｗに、洗浄液ノズル５４１から洗浄液Ｌ２が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄される。このことにより、基板Ｗに付着した付着物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗに供給された洗浄液Ｌ２は、ドレンダクト５８１に排出される。

［基板リンス処理工程］
続いて、洗浄処理された基板Ｗがリンス処理される（ステップＳ３）。この場合、回転する基板Ｗに、リンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。このことにより、基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ２が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ３はドレンダクト５８１に排出される。

［めっき液盛り付け工程］
次に、めっき液盛り付け工程として、リンス処理された基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給されて盛り付けられる。この場合、まず、基板Ｗの回転数を、リンス処理時の回転数よりも低減させる。例えば、基板Ｗの回転数を５０〜１５０ｒｐｍにしてもよい。このことにより、基板Ｗ上に形成される後述のめっき膜Ｐを均一化させることができる。なお、めっき液Ｌ１の盛り付け量を増大させるために、基板Ｗの回転は停止させてもよい。

続いて、図９Ｂに示すように、めっき液ノズル５３１から基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１が吐出される。吐出されためっき液Ｌ１は、表面張力によって基板Ｗの上面に留まり、めっき液が基板Ｗの上面に盛り付けられて、めっき液Ｌ１の層（いわゆるパドル）が形成される。めっき液Ｌ１の一部は、基板Ｗの上面からから流出し、ドレンダクト５８１から排出される。所定量のめっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出された後、めっき液Ｌ１の吐出が停止される。

その後、吐出位置に位置づけられていたノズルアーム５６が、退避位置に位置づけられる。

［めっき液加熱処理工程］
次に、めっき液加熱処理工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。このめっき液加熱処理工程は、蓋体６が基板Ｗを覆う工程（ステップＳ５）と、不活性ガスを供給する工程（ステップＳ６）と、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔を第１間隔ｇ１にしてめっき液Ｌ１を加熱する第１加熱工程（ステップＳ７）と、当該間隔を第２間隔ｇ２にしてめっき液Ｌ１を加熱する第２加熱工程（ステップＳ８）と、を有している。なお、めっき液加熱処理工程においても、基板Ｗの回転数は、めっき液盛り付け工程と同様の速度（あるいは回転停止）で維持されることが好適である。

＜基板を蓋体で覆う工程＞
まず、基板Ｗが蓋体６によって覆われる（ステップＳ５）。この場合、まず、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、退避位置（図４における実線で示す位置）に位置づけられていた蓋体６が水平方向に旋回移動して、上方位置（図４における実線で示す位置）に位置づけられる。

続いて、図９Ｃに示すように、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が下降して、第１間隔位置に位置づけられる。このことにより、基板Ｗと蓋体６の第１天井板６１１との間隔が第１間隔ｇ１になり、蓋体６の側壁部６２が、基板Ｗの外周側に配置される。本実施の形態では、蓋体６の側壁部６２の下端６２１が、基板Ｗの下面よりも低い位置に位置づけられる。このようにして、基板Ｗが蓋体６によって覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。

＜不活性ガス供給工程＞
基板Ｗが蓋体６によって覆われた後、蓋体６の天井部６１に設けられたガスノズル６６１が、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出する（ステップＳ６）。このことにより、蓋体６の内側が不活性ガスに置換され、基板Ｗの周囲が低酸素雰囲気になる。不活性ガスは、所定時間吐出され、その後、不活性ガスの吐出を停止する。

＜第１加熱工程＞
次に、第１加熱工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される（ステップＳ７）。第１加熱工程において、内周側ヒータ６３１、外周側ヒータ６３２および中間ヒータ６３３が駆動されて、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。すなわち、各ヒータ６３１、６３２、６３３から発生した熱量が、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に伝わり、めっき液Ｌ１の温度が上昇する。ここでは、内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２の単位面積当たりの発熱量が、中間ヒータ６３３の単位面積当たりの発熱量よりも大きくする。このことにより、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうち内周側の部分および外周側の部分に供給される熱量が増大する。このため、比較的温度が上昇し難い部分の温度を効果的に上昇させて、めっき液Ｌ１の温度の均一化を図ることができる。

第１加熱工程でのめっき液Ｌ１の加熱は、めっき液Ｌ１の温度が所定温度まで上昇するように設定された所定時間行われる。めっき液Ｌ１の温度が、成分が析出する温度まで上昇すると、基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１の成分が析出し、めっき膜Ｐが形成され始める。

ところで、第１加熱工程では、蓋体６とカップ５７１との間の空間が狭くなっている。そこで、ファンフィルターユニット５９から蓋体６の周囲に供給される空気の供給量が、めっき液盛り付け工程（ステップＳ４）における空気の供給量よりも少なくする。このことにより、蓋体６とカップ５７１との間の空間を通過する空気の速度が低減され、通過する空気によって蓋体６が冷却されることを抑制できる。なお、蓋体６が第１間隔位置に位置づけられている間、上述したように、基板Ｗが蓋体６により覆われているため、めっき液Ｌ１が気化することが抑制されている。このことにより、空気の供給量が少なくなった場合であっても、めっき液Ｌ１から気化したガスが周囲に拡散することを防止できる。

＜第２加熱工程＞
第１加熱工程が終了した後、第２加熱工程が行われる（ステップＳ８）。この場合、まず、図９Ｄに示すように、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、第１間隔位置に位置づけられていた蓋体６が上昇して、第２間隔位置に位置づけられる。このことにより、基板Ｗと蓋体６の第１天井板６１１との間隔が第２間隔ｇ２になる。この場合においても、蓋体６の側壁部６２は、基板Ｗの外周側に配置され、側壁部６２の下端６２１が、基板Ｗの下面よりも低い位置に位置づけられる。このため、基板Ｗが依然として蓋体６によって覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。

第２加熱工程においても、内周側ヒータ６３１、外周側ヒータ６３２および中間ヒータ６３３が駆動されて、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。各ヒータ６３１、６３２、６３３から発生した熱量は、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に伝わる。しかしながら、めっき液Ｌ１の温度は実質的には上昇せず、第１加熱工程終了時のめっき液Ｌ１の温度に維持されて、めっき液Ｌ１が保温される。言い換えると、第２間隔位置は、めっき液Ｌ１が保温されるような位置に設定される。このことにより、めっき液Ｌ１が過度に温度上昇することを防止し、めっき液Ｌ１の劣化を防止できる。

第２加熱工程では、上述したように、蓋体６が第１間隔位置から第２間隔位置に引き上げられる。このことにより、側壁部６２の内側の雰囲気が、蓋体６の引き上げに伴って上昇し、基板Ｗの周囲に達する。しかしながら、第１加熱工程における側壁部６２の下端６２１は、第２加熱工程における側壁部６２の下端６２１よりも低い位置に配置されている。このため、蓋体６の引き上げに伴って基板Ｗの周囲に達する雰囲気は、第１加熱工程では蓋体６の内側で温められている。この結果、第２加熱工程において、基板Ｗの周囲の領域の雰囲気の温度が低下することを抑制できる。

第２加熱工程でのめっき液Ｌ１の加熱は、所定の厚さのめっき膜Ｐが得られるように設定された所定時間行われる。この間、めっき液Ｌ１の成分が析出されて、基板Ｗ上のめっき膜Ｐが成長する。

また、第２加熱工程においても、第１加熱工程と同様に、蓋体６とカップ５７１との間の空間が狭くなっている。そこで、ファンフィルターユニット５９から供給される空気の供給量は、第１加熱工程（ステップＳ７）と同様に、めっき液盛り付け工程（ステップＳ４）における空気の供給量よりも少なくする。

ところで、めっき液加熱処理工程では、各ヒータ６３１、６３２、６３３から発生した熱量は、回転モータ５２３にも伝わり得る。しかしながら、上述したように、冷却プレート５２５の冷却溝５２５ａに冷却液ＣＬが通流している。このことにより、回転モータ５２３が冷却され、回転モータ５２３の温度上昇が抑制されている。

＜蓋体退避工程＞
第２加熱工程が終了すると、蓋体移動機構７が駆動されて、蓋体６が退避位置に位置づけられる（ステップＳ９）。この場合、まず、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、第２間隔位置に位置づけられた蓋体６が上昇して、上方位置に位置づけられる。その後、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が水平方向に旋回移動して、退避位置に位置づけられる。

蓋体６が第２間隔位置から上昇する際に、ファンフィルターユニット５９から供給される空気の供給量を増大させて、めっき液盛り付け工程（ステップＳ４）における空気の供給量に戻す。このことにより、基板Ｗの周囲を流れる空気の流量を増大させ、めっき液Ｌ１から気化したガスが上昇して拡散することを防止できる。

このようにして、基板Ｗのめっき液加熱処理工程（ステップＳ５〜Ｓ９）が終了する。

［基板リンス処理工程］
次に、めっき液加熱処理された基板Ｗがリンス処理される（ステップＳ１０）。この場合、まず、基板Ｗの回転数を、めっき処理時の回転数よりも増大させる。例えば、めっき処理前の基板リンス処理工程（ステップＳ３）と同様の回転数で基板Ｗを回転させる。続いて、退避位置に位置づけられていたリンス液ノズル５５１が、吐出位置に移動する。次に、回転する基板Ｗに、リンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄される。このことにより、基板Ｗ上に残存するめっき液Ｌ１が洗い流される。

［基板乾燥処理工程］
続いて、リンス処理された基板Ｗが乾燥処理される（ステップＳ１１）。この場合、例えば、基板Ｗの回転数を、基板リンス処理工程（ステップＳ１０）の回転数よりも増大させて、基板Ｗを高速で回転させる。このことにより、基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ３が振り切られて除去され、図９Ｅに示すように、めっき膜Ｐが形成された基板Ｗが得られる。この場合、基板Ｗに、窒素（Ｎ_２）ガスなどの不活性ガスを噴出して、基板Ｗの乾燥を促進させてもよい。

［基板取り出し工程］
その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されて、めっき処理部５から搬出される（ステップＳ１２）。

このようにして、めっき処理装置１を用いた基板Ｗの一連のめっき処理方法（ステップＳ１〜ステップＳ１２）が終了する。

ところで、上述した基板Ｗの各種液処理の間、基板Ｗに供給された処理液は、図２に示すように、ドレンダクト５８１に排出される。ドレンダクト５８１に排出された処理液は、図示しない回収部に回収されるが、何らかの問題が発生して、ドレンダクト５８１に処理液が貯留される場合も考えられる。この場合、ドレンダクト５８１に貯留された処理液の液面が上昇して排気管８１の上端に達すると、処理液が排気管８１を介して排気ダクト８２に流入する。排気ダクト８２に流入した処理液は、図６および図７に示す排気ダクト８２のダクト凹部８２３に貯留される。ダクト凹部８２３に貯留された処理液の貯留量が所定の基準量を越えると、処理液の液面が液面センサ８４によって検出される。

液面センサ８４が処理液の液面を検出すると、排液ライン８３の排液ポンプ８３１が駆動されて、ダクト凹部８２３に貯留された処理液が排出される。その後、ダクトノズル８６からダクト洗浄液が吐出され、吐出されたダクト洗浄液によって排気ダクト８２内が洗浄される。排気ダクト８２内を洗浄したダクト洗浄液は、排液ライン８３から排出される。このことにより、排気ダクト８２内に処理液が流入した場合であっても、排気ダクト８２内を洗浄して清浄にすることができる。また、排気ダクト８２内の圧力が圧力センサ８５により検出されるため、検出された圧力が所定の基準圧力値を超えた場合においても、ダクトノズル８６からダクト洗浄液が吐出され、排気ダクト８２内を洗浄して清浄にすることができる。

このように本実施の形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際に、蓋体６の天井部６１が基板Ｗの上方に配置されるとともに、蓋体６の側壁部６２が基板Ｗの外周側に配置される。このことにより、基板Ｗを蓋体６によって覆って基板Ｗの周囲の空間を閉塞化することができ、基板Ｗの周囲の雰囲気が拡散することを防止できる。このため、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度を迅速に上昇させてめっき液Ｌ１の劣化を防止できるとともに、基板Ｗのめっき処理を均一化させることができる。また、基板Ｗが蓋体６によって覆われるため、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が気化することを抑制できる。このため、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が気化によって低減することを抑制し、めっき膜Ｐを効率良く形成することができる。更に、めっき液Ｌ１の気化が抑制できるため、めっき液Ｌ１の使用量を低減することができるとともに、チャンバ５１内に、めっき液Ｌ１の結露が発生することを抑制できる。

また、本実施の形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際に、蓋体６の側壁部６２の下端６２１が、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられている。このことにより、基板Ｗの周囲の雰囲気が拡散することをより一層防止できる。このため、めっき液Ｌ１をより一層迅速にかつより一層均等に温度上昇させることができる。

また、本実施の形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際、めっき液Ｌ１が供給された基板Ｗと蓋体６の第１天井板６１１との間隔が、第１間隔ｇ１と第２間隔ｇ２とに調節される。このことにより、当該間隔を第１間隔ｇ１にしてめっき液Ｌ１を加熱して温度上昇させた後に、当該間隔を第２間隔ｇ２にして、温度上昇しためっき液Ｌ１を保温することができる。このため、めっき液Ｌ１が過度に温度上昇することを防止でき、めっき液Ｌ１の劣化をより一層防止できる。

また、本実施の形態によれば、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔を第１間隔ｇ１にする場合だけでなく、めっき液Ｌ１を保温するために当該間隔を第２間隔ｇ２にする場合においても、蓋体６の側壁部６２の下端６２１が、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられている。このことにより、めっき液Ｌ１を効率良く保温させるとともに、めっき液Ｌ１の温度を均等化させることができる。

また、本実施の形態によれば、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在されている。このことにより、ヒータ６３が、めっき液Ｌ１などの処理液に触れることを防止できる。このため、ヒータ６３に、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐薬品性を持たせることを不要にできる。

また、本実施の形態によれば、内周側ヒータ６３１および外周側ヒータ６３２の単位面積当たりの発熱量が、中間ヒータ６３３の単位面積当たりの発熱量よりも大きくなっている。ここで、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうち内周側の部分は、バキュームチャックタイプである基板保持部５２のチャック部材５２１の影響を受けて温まりにくい傾向にある。また、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうち外周側の部分は、蓋体６の周囲の雰囲気の影響を受けて温まりにくい傾向にある。しかしながら、本実施の形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうち内周側の部分および外周側の部分に与えられる熱量を、めっき液Ｌ１のうち中間の部分（内周側の部分と外周側の部分との間の部分）に与えられる熱量よりも増大させることができる。このため、基板Ｗの内周側および外周側において、めっき液Ｌ１の温度上昇速度が低下することを抑制でき、めっき液Ｌ１の温度を均等化させることができる。

また、本実施の形態によれば、蓋体６の天井部６１および側壁部６２を覆う蓋体カバー６４が、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有している。このことにより、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制できる。このため、めっき液Ｌ１をより一層迅速にかつより一層均等に温度上昇させることができる。

また、本実施の形態によれば、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガスを供給することができる。このことにより、蓋体６の内側の雰囲気を、低酸素雰囲気にすることができ、基板Ｗ上に形成されるめっき膜Ｐに酸化膜が形成されることを抑制できる。

さらに、本実施の形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１がヒータ６３により加熱される際のファンフィルターユニット５９の気体の供給量は、基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給される際よりも少なくなっている。このことにより、めっき液Ｌ１の加熱時に蓋体６の周囲を流れる空気の速度を低減することができ、この空気によって蓋体６が冷却されることを抑制できる。このため、めっき液Ｌ１をより一層迅速にかつより一層均等に温度上昇させることができる。

なお、上述した本実施の形態においては、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、蓋体６が、蓋体移動機構７のシリンダ７３によって上下方向に移動して、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔が調節される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、蓋体６に対して、基板Ｗが基板保持部５２とともに上下方向に移動して、基板Ｗと第１天井板６１１との間隔が調節されるようにしてもよい。

また、上述した本実施の形態においては、基板Ｗ上に供給されためっき液Ｌ１を加熱する例について説明した。しかしながら、加熱される処理液はめっき液Ｌ１に限られることはない。例えば、洗浄液Ｌ２の洗浄能力が温度上昇によって高まる場合には、洗浄液Ｌ２を加熱するようにしてもよい。この場合、基板Ｗ上に洗浄液Ｌ２が供給された後、蓋体６が基板Ｗを覆い、基板Ｗ上に供給された洗浄液Ｌ２を加熱するようにしてもよい。

また、上述した本実施の形態においては、めっき液ノズル５３１が、洗浄液ノズル５４１およびリンス液ノズル５５１とともにノズルアーム５６に保持されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、めっき液ノズル５３１が、蓋体６の天井部６１に設けられて、基板Ｗを蓋体６で覆う工程の後に、めっき液盛り付け工程（ステップＳ４）が行われるようにしてもよい。この場合、めっき液Ｌ１が気化することをより一層抑制でき、めっき液Ｌ１の使用量をより一層低減することができる。

また、上述した本実施の形態においては、蓋体６の天井部６１に不活性ガスを供給するガスノズル６６１が設けられて、蓋体６の内側に不活性ガスが供給される例について説明した。しかしながら、蓋体６の内側の空間を低酸素雰囲気にすることができれば、ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられることに限られない。

また、上述した本実施の形態おいて、蓋体６の側壁部６２に、第２のヒータ（図示せず）が設けられていてもよい。この場合、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度上昇を加速させることができる。

さらに、上述した本実施の形態においては、基板保持部５２が、バキュームチャックタイプである例について説明した。この場合には、基板Ｗの裏面に加熱媒体を供給して基板Ｗを加熱してもよい。このことにより、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度上昇を加速させることができる。

なお、本発明は上記実施の形態および変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態および変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１ めっき処理装置
３１ 記録媒体
５２ 基板保持部
５３ めっき液供給部
５３１ めっき液ノズル
５９ ファンフィルターユニット
６ 蓋体
６１ 天井部
６１１ 第１天井板
６１２ 第２天井板
６２ 側壁部
６２１ 下端
６３ ヒータ
６３１ 内周側ヒータ
６３２ 外周側ヒータ
６３３ 中間ヒータ
６４ 蓋体カバー
６６ 不活性ガス供給部
７３ シリンダ
Ｌ１ めっき液

Claims (20)

1. 基板に処理液を供給して前記基板を液処理する基板液処理装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板の上面に前記処理液を供給する処理液供給部と、 前記基板保持部に保持された前記基板を覆う蓋体と、を備え、
   前記蓋体は、前記基板の上方に配置される天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、前記天井部に設けられた、前記基板上の前記処理液を加熱する加熱部と、を有し、
   前記蓋体の前記側壁部は、前記基板上の前記処理液を加熱する際に前記基板の外周側に配置され、
   前記加熱部は、内周側加熱部と、前記内周側加熱部よりも外周側に設けられた外周側加熱部と、前記内周側加熱部と前記外周側加熱部との間に介在された中間加熱部と、を有し、
   前記内周側加熱部および前記外周側加熱部のうちの少なくとも一方の単位面積当たりの発熱量は、前記中間加熱部の単位面積当たりの発熱量よりも大きい、基板液処理装置。
2. 前記蓋体は、前記天井部を覆う蓋体カバーを更に有し、
   前記蓋体カバーは、前記天井部よりも高い断熱性を有している、請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 基板に処理液を供給して前記基板を液処理する基板液処理装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板の上面に前記処理液を供給する処理液供給部と、 前記基板保持部に保持された前記基板を覆う蓋体と、を備え、
   前記蓋体は、前記基板の上方に配置される天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、前記天井部に設けられた、前記基板上の前記処理液を加熱する加熱部と、を有し、
   前記蓋体の前記側壁部は、前記基板上の前記処理液を加熱する際に前記基板の外周側に配置され、
   前記蓋体は、前記天井部を覆う蓋体カバーを更に有し、
   前記蓋体カバーは、前記天井部よりも高い断熱性を有している、基板液処理装置。
4. 前記基板上の前記処理液を加熱する際、前記側壁部の下端は、前記基板よりも低い位置に位置づけられる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
5. 前記処理液が供給された前記基板と前記天井部との間隔を調節する間隔調節部を更に備え、
   前記間隔調節部は、前記基板上の前記処理液を加熱する際、前記間隔を、第１間隔と、前記第１間隔よりも大きい第２間隔と、に調節可能になっている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
6. 前記間隔が前記第２間隔である場合における前記側壁部の下端は、前記基板よりも低い位置に位置づけられる、請求項５に記載の基板液処理装置。
7. 前記天井部は、第１天井板と、前記第１天井板上に設けられた第２天井板と、を含み、 前記加熱部は、前記第１天井板と前記第２天井板との間に介在されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
8. 前記蓋体の内側に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えた、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
9. 前記蓋体の周囲に気体を供給する気体供給部を更に備え、
   前記基板上の前記処理液が前記加熱部により加熱される際の前記気体供給部の前記気体の供給量は、前記基板上に前記処理液が供給される際よりも少ない、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
10. 前記処理液供給部は、前記基板に前記処理液を吐出する処理液ノズルを有し、
    前記処理液ノズルは、前記天井部に設けられている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
11. 前記処理液は、めっき液である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
12. 基板に処理液を供給して前記基板を液処理する基板液処理方法であって、
    前記基板を保持する工程と、
    前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と、
    保持された前記基板の上方に配置される天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、前記天井部に設けられた加熱部と、を有する蓋体によって当該基板を覆う工程と、
    前記加熱部によって前記基板上の前記処理液を加熱する工程と、を備え、
    前記処理液を加熱する工程において、前記蓋体の前記側壁部は、前記基板の外周側に配置され、
    前記処理液を加熱する工程は、前記処理液が供給された前記基板と前記加熱部との間隔を第１間隔にして前記処理液を加熱する第１加熱工程と、前記間隔を、前記第１間隔よりも大きい第２間隔にして前記処理液を加熱する第２加熱工程と、を有している、基板液処理方法。
13. 前記第２加熱工程において、前記側壁部の下端は、前記基板よりも低い位置に位置づけられる、請求項１２に記載の基板液処理方法。
14. 前記処理液を加熱する工程において気体供給部から前記蓋体の周囲に供給される気体の供給量は、前記処理液を供給する工程における前記気体の供給量よりも少ない、請求項１２または１３に記載の基板液処理方法。
15. 基板に処理液を供給して前記基板を液処理する基板液処理方法であって、
    前記基板を保持する工程と、
    前記基板の上面に前記処理液を供給する工程と、
    保持された前記基板の上方に配置される天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、前記天井部に設けられた加熱部と、を有する蓋体によって当該基板を覆う工程と、
    前記加熱部によって前記基板上の前記処理液を加熱する工程と、を備え、
    前記処理液を加熱する工程において、前記蓋体の前記側壁部は、前記基板の外周側に配置され、
    前記処理液を加熱する工程において気体供給部から前記蓋体の周囲に供給される気体の供給量は、前記処理液を供給する工程における前記気体の供給量よりも少ない、基板液処理方法。
16. 前記処理液を加熱する工程において、前記側壁部の下端は、前記基板よりも低い位置に位置づけられる、請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
17. 前記蓋体によって前記基板を覆う工程の後、前記処理液を加熱する工程の前に、前記蓋体の内側に不活性ガスが供給される、請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
18. 前記天井部に、前記基板に前記処理液を供給するノズルが設けられており、
    前記処理液を供給する工程は、前記基板を覆う工程の後に行われる、請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
19. 前記処理液は、めっき液である、請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
20. 基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板液処理装置を制御して請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板液処理方法を実行させるプログラムが記録された記録媒体。

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