JP7026801B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１には、基板にめっき液を供給し、めっき処理を行う基板処理装置が開示されている。

特開２０１８－３０９７号公報

本開示は、基板に形成されるめっきの膜厚の均一性を向上させる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、塗布部と、めっき液供給部とを備える。基板保持部は、基板を保持する。塗布部は、基板保持部に保持された基板の下面の周縁に基板よりも比熱が小さい塗布液を塗布する。めっき液供給部は、塗布液が塗布された基板の上面にめっき液を供給する。

本開示によれば、基板に形成されるめっきの膜厚の均一性を向上させることができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、実施形態に係るウェハ処理を説明するフローチャートである。 図４Ａは、実施形態に係るコーティング処理によってコーティング剤の薄膜が形成された状態を示す概略図である。 図４Ｂは、実施形態に係るめっき処理において、めっき液を液盛りした状態を示す概略図である。 図４Ｃは、実施形態に係るめっき処理において、めっき液を加熱する状態を示す図である。 図４Ｄは、実施形態に係るめっき処理において、めっき膜を形成した状態を示す概略図である。 図４Ｅは、実施形態に係る除去処理において、コーティング剤の薄膜を除去する状態を示す図である。 図５Ａは、比較例に係る基板処理装置において、めっき液を液盛りした状態を示す図である。 図５Ｂは、比較例に係る基板処理装置において、めっき膜を形成した状態を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

＜全体構成＞
図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、Ｘ軸方向を左右方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、Ｙ軸方向において搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定のウェハ処理を行う。

また、基板処理装置１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理装置１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す図である。処理ユニット１６は、ウェハＷにめっき処理を行うユニットである。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷに無電解めっき処理を行うユニットである。

処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持部２１と、めっき液供給部２２と、洗浄液供給部２３と、リンス液供給部２４と、コーティング剤供給部２５と、除去液供給部２６と、加熱部２７と、回収カップ２８とを備える。

チャンバ２０は、基板保持部２１や、加熱部２７や、回収カップ２８などを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２０ａが設けられる。ＦＦＵ２０ａは、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持部２１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持する。具体的には、基板搬送装置１７（図１参照）によって搬入されたウェハＷの下面を支持し、ウェハＷを水平に保持する。基板保持部２１は、ウェハＷの下面に真空吸着するバキュームチャックタイプである。基板保持部２１は、ウェハＷの中央付近を吸着する。

基板保持部２１は、回転シャフト（不図示）を介して回転モータ（不図示）に取り付けられる。回転モータが駆動され、回転モータで発生した回転が回転シャフトを介して基板保持部２１に伝達されることで、基板保持部２１が回転する。基板保持部２１がウェハＷを保持した状態で回転することで、ウェハＷは基板保持部２１と共に回転する。基板保持部２１、すなわちウェハＷの回転速度は、回転モータの回転速度が調整されることで、調整される。

なお、以下では、基板保持部２１の回転軸を中心とした回転座標系を用いて説明することがある。例えば、基板保持部２１の回転軸を中心とした径方向を規定し、説明することがある。

また、基板保持部２１は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、上下方向に沿って移動可能である。具体的には、基板保持部２１は、受け渡し位置と、処理位置との間を上下方向に沿って移動する。受け渡し位置は、回収カップ２８よりも上方の位置であり、基板搬送装置１７とウェハＷの受け渡しを行う位置である。処理位置は、受け渡し位置よりも下方であり、基板保持部２１によって保持されたウェハＷにめっき処理などを行う位置である。

めっき液供給部２２は、めっき液供給ノズル２２ａと、めっき液供給源２２ｂとを備える。めっき液供給ノズル２２ａは、ノズルアーム３０に保持される。ノズルアーム３０は、左右方向（Ｘ軸方向）、および上下方向（Ｚ軸方向）に沿って移動可能である。

ノズルアーム３０は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、左右方向、および上下方向に沿って移動する。ノズルアーム３０は、第１退避位置と第１上昇位置との間を左右方向に沿って移動する。第１退避位置は、ノズルアーム３０が回収カップ２８よりも径方向外側となる位置であり、加熱部２７の上下方向への移動を妨げない位置である。第１上昇位置は、基板保持部２１に保持されたウェハＷの上方となる位置であり、第１退避位置からＸ軸方向に沿って移動した位置である。

また、ノズルアーム３０は、第１上昇位置と第１降下位置との間を上下方向に沿って移動する。第１降下位置は、第１上昇位置よりも下方であり、基板保持部２１によって保持されたウェハＷよりも上方となる位置である。

めっき液供給ノズル２２ａは、めっき液供給ライン２２ｃを介してめっき液供給源２２ｂに接続される。めっき液供給ノズル２２ａは、めっき液供給源２２ｂから、所定の温度に加熱されためっき液が供給され、めっき液をウェハＷに吐出する。これにより、ウェハＷの上面には、めっき液が液盛りされる。

めっき液は、無電解めっき用のめっき液である。めっき液は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液を使用しためっき処理により形成されるめっき膜としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

めっき液供給部２２は、コーティング剤供給部２５によってコーティング剤の薄膜が形成されたウェハＷの上面にめっき液を液盛りする。すなわち、めっき液供給部２２は、コーティング剤（塗布液の一例）が塗布されたウェハＷ（基板の一例）の上面にめっき液を供給する。

洗浄液供給部２３は、洗浄液供給ノズル２３ａと、洗浄液供給源２３ｂとを備える。洗浄液供給ノズル２３ａは、ノズルアーム３０に保持される。

洗浄液供給ノズル２３ａは、洗浄液供給ライン２３ｃを介して洗浄液供給源２３ｂに接続される。洗浄液供給ノズル２３ａは、洗浄液供給源２３ｂから洗浄液が供給され、洗浄液をウェハＷに吐出する。洗浄液は、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸などの有機酸や、ウェハＷの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素（ＤＨＦ）などである。

リンス液供給部２４は、リンス液供給ノズル２４ａと、リンス液供給源２４ｂとを備える。リンス液供給ノズル２４ａは、ノズルアーム３０に保持される。

リンス液供給ノズル２４ａは、リンス液供給ライン２４ｃを介してリンス液供給源２４ｂに接続される。リンス液供給ノズル２４ａは、リンス液供給源２４ｂからリンス液が供給され、リンス液をウェハＷに吐出する。リンス液は、例えば、純水である。

コーティング剤供給部２５は、コーティング剤供給ノズル２５ａと、コーティング剤供給源２５ｂとを備える。

コーティング剤供給ノズル２５ａは、チャンバ２０の底部から上方に向けて延設される。コーティング剤供給ノズル２５ａは、ウェハＷの周縁よりも径方向内側に設けられる。コーティング剤供給ノズル２５ａは、コーティング剤供給ライン２５ｃを介してコーティング剤供給源２５ｂに接続される。コーティング剤供給ノズル２５ａは、ウェハＷの下面に向けてコーティング剤を吐出し、ウェハＷの下面の周縁、およびウェハＷの周側面にコーティング剤を塗布する。

コーティング剤（塗布液の一例）は、ウェハＷよりも比熱が小さい溶剤であり、めっき液に対して親和性が低く、めっき液に対して疎水性を有する溶剤である。コーティング剤は、例えば、有機溶剤であり、フォトレジストや、トップコートなどである。なお、コーティング剤は、テフロン（登録商標）などのフッ素系の溶剤であってもよい。

このように、コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）は、基板保持部２１に保持されたウェハＷ（基板の一例）の下面の周縁にウェハＷよりも比熱が小さいコーティング剤（塗布液の一例）を塗布する。また、コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）は、ウェハＷ（基板の一例）の周側面にコーティング剤（塗布液の一例）を塗布する。

これにより、ウェハＷの下面の周縁、およびウェハＷの周側面にコーティング剤の薄膜が形成される。コーティング剤の薄膜は、径方向外側のウェハＷの下面にリング状に形成される。また、コーティング剤の薄膜は、ウェハＷの周側面の全周に形成される。すなわち、ウェハＷには、上下方向の断面においてＬ字状となるコーティング剤の薄膜が形成される。

除去液供給部２６は、除去液供給ノズル２６ａと、除去液供給源２６ｂとを備える。

除去液供給ノズル２６ａは、チャンバ２０の底部から上方に向けて延設される。除去液供給ノズル２６ａは、ウェハＷの周縁よりも径方向内側に設けられる。なお、図２では、除去液供給ノズル２６ａは、Ｘ軸方向にコーティング剤供給ノズル２５ａと並んで設けられているが、これに限られることはない。除去液供給ノズル２６ａは、基板保持部２１の回転軸に対して周方向、すなわちウェハＷの回転方向に並んで設けられてもよい。

除去液供給ノズル２６ａは、除去液供給ライン２６ｃを介して除去液供給源２６ｂに接続される。除去液供給ノズル２６ａは、ウェハＷの下面に向けて除去液を吐出する。除去液は、コーティング剤に応じて用いられる溶剤の種類が決定され、コーティング剤を剥離させる溶剤である。例えば、コーティング剤としてフォトレジストが用いられる場合には、除去液は、シンナーなどの有機溶剤である。

このように、除去液供給部２６は、コーティング剤（塗布液の一例）が塗布されたウェハＷ（基板の一例）にコーティング剤を除去する除去液を供給する。これにより、除去液供給部２６は、ウェハＷの下面の周縁、およびウェハＷの周側面に形成されたコーティング剤の薄膜を除去する。

なお、めっき液供給ライン２２ｃや、コーティング剤供給ライン２５ｃなどには、めっき液や、コーティング剤の吐出量を調整する流量調整弁（不図示）などが設けられる。

加熱部２７は、板状であり、円形状に形成される。加熱部２７は、内部にヒータ２７ａを備える。加熱部２７は、めっき液が供給されたウェハＷ（基板の一例）を上面側から加熱する。加熱部２７は、ウェハＷに液盛りされためっき液を加熱し、ウェハＷの上面にめっき膜を形成する。加熱部２７の直径は、ウェハＷの直径よりも大きい。また、加熱部２７の直径は、回収カップ２８の開口径よりも小さい。

加熱部２７は、アーム３１を介して支持部３２に取り付けられる。アーム３１は、モータや、シリンダなどの移動機構（不図示）によって、支持部３２を中心に回動可能であり、また、上下方向に沿って移動可能である。

例えば、回動モータ（不図示）で発生した回転がアーム３１に伝達されると、加熱部２７は、アーム３１と共に回動する。加熱部２７は、第２退避位置と第２上昇位置との間を回動する。第２退避位置は、回収カップ２８よりも径方向外側となる位置であり、基板搬送装置１７（図１参照）と、基板保持部２１との間でウェハＷの受け渡しが可能となる位置である。第２上昇位置は、ウェハＷの上方を覆う位置であり、例えば、加熱部２７が基板保持部２１と略同軸上となる位置である。図２では、第２上昇位置にある加熱部２７、およびアーム３１を実線で示す。

また、加熱部２７は、第２上方位置と、加熱位置との間を上下方向に沿って移動する。加熱位置は、第２上方位置よりも下方であり、ウェハＷに液盛りされためっき液に接触しない位置である。加熱位置は、めっき液が液盛りされたウェハＷを加熱する位置である。図２では、加熱位置にある加熱部２７、およびアーム３１を破線で示す。

回収カップ２８は、基板保持部２１よりも径方向外側に設けられ、基板保持部２１の周囲に設けられる。回収カップ２８は、ウェハＷから飛散した液、例えば、めっき液を受ける。回収カップ２８によって回収された液は、ドレインライン２８ａを介して外部に排出される。なお、ドレインライン２８ａは、複数の経路を有しており、回収する液に応じて経路が切り替えられる。回収カップ２８は、加熱部２７や、ウェハＷを保持した基板保持部２１が上下方向に沿って移動可能となるように、上方が開口している。

＜ウェハ処理手順＞
次に、実施形態に係るウェハ処理について図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係るウェハ処理を説明するフローチャートである。

基板処理装置１は、洗浄処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷがチャンバ２０に搬入され、ウェハＷを基板保持部２１で保持し、処理位置まで移動させる。また、基板処理装置１は、ノズルアーム３０を退避位置から降下位置まで移動させる。そして、基板処理装置１は、基板保持部２１を回転し、ウェハＷを回転させつつ、洗浄液供給ノズル２３ａから洗浄液を吐出し、ウェハＷの洗浄を行う。

基板処理装置１は、コーティング処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷを回転させつつ、コーティング剤供給ノズル２５ａからウェハＷの下面の周縁に向けてコーティング剤を吐出し、塗布する。そして、基板処理装置１は、コーティング剤の吐出を停止して、ウェハＷを回転させることで、コーティング剤を乾燥させる。これにより、図４Ａに示すように、ウェハＷの下面の周縁、およびウェハＷの側周面には、コーティング剤の薄膜ｍが形成される。ウェハＷには、上下方向の断面においてＬ字状となるコーティング剤の薄膜ｍが形成される。図４Ａは、実施形態に係るコーティング処理によってコーティング剤の薄膜ｍが形成された状態を示す概略図である。また、図４Ａなどでは、説明のため、コーティング剤の薄膜に符号「ｍ」を付している。

基板処理装置１は、めっき処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷを回転させつつ、めっき液供給ノズル２２ａからめっき液を供給する。これにより、図４Ｂに示すように、ウェハＷの上面にめっき液Ｌが液盛りされる。図４Ｂは、実施形態に係るめっき処理において、めっき液Ｌを液盛りした状態を示す概略図である。なお、図４Ｂなどでは、説明のため、ウェハＷに液盛りされためっき液に符号「Ｌ」を付している。

ウェハＷの側周面には、疎水性のコーティング剤の薄膜ｍが形成されている。そのため、ウェハＷの外周端、すなわち、径方向外側の端部において、めっき液Ｌの表面張力が大きくなり、ウェハＷの外周端側におけるめっき液Ｌの液盛り量が多くなる。

基板処理装置１は、ウェハＷにめっき液Ｌを液盛りした後に、図４Ｃに示すように、加熱部２７を加熱位置まで降下させて、めっき液Ｌを加熱する。図４Ｃは、実施形態に係るめっき処理において、めっき液Ｌを加熱する状態を示す図である。

ウェハＷの下面の周縁、およびウェハＷの側周面には、ウェハＷよりも比熱が小さいコーティング剤の薄膜ｍが形成されている。そのため、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側における放熱を抑制することができ、ウェハＷの外周端側の温度低下を抑制することができる。また、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側におけるめっき液Ｌの液盛り量を多くすることで、ウェハＷの外周端側におけるめっき液Ｌの温度低下を抑制することができる。そのため、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側における温度低下を抑制し、ウェハＷの温度の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、加熱部２７によってめっき液Ｌを加熱することで、図４Ｄに示すように、ウェハＷの上面にめっき膜Ｍを形成する。図４Ｄは、実施形態に係るめっき処理において、めっき膜Ｍを形成した状態を示す概略図である。なお、図４Ｄなどでは、説明のため、ウェハＷの上面に形成されためっき膜に符号「Ｍ」を付している。

基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側におけるめっき液Ｌの液盛り量を多くし、ウェハＷの外周端側における温度低下を抑制する。これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側におけるめっき膜Ｍの厚さが薄くなることを抑制し、めっき膜Ｍの厚さを均一にすることができる。すなわち、基板処理装置１は、めっきの膜厚の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、除去処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、図４Ｅに示すように、ウェハＷを回転させつつ、除去液供給ノズル２６ａからウェハＷの下面に向けて除去液を吐出する。図４Ｅは、実施形態に係る除去処理において、コーティング剤の薄膜ｍを除去する状態を示す図である。これにより、基板処理装置１は、ウェハＷに形成されたコーティング剤の薄膜ｍを剥離し、除去する。なお、基板処理装置１は、コーティング剤の薄膜ｍを除去することで、例えば、めっき液ＬがウェハＷの側周面に付着した場合に、ウェハＷの側周面に付着しためっき液Ｌをコーティング剤の薄膜ｍと共に除去することができる。

基板処理装置１は、リンス処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、ウェハＷを回転させつつ、リンス液供給ノズル２４ａからリンス液を吐出し、ウェハＷをリンス液によって洗浄する。

＜効果＞
上記したコーティング剤の薄膜ｍをウェハＷに形成しない比較例に係る基板処理装置では、ウェハＷの外周端において、めっき液Ｌの表面張力が小さくなる。そのため、比較例に係る基板処理装置は、図５Ａに示すように、ウェハＷの外周端側におけるめっき液の液盛り量が少なくなる。図５Ａは、比較例に係る基板処理装置において、めっき液を液盛りした状態を示す図である。また、比較例に係る基板処理装置では、ウェハＷの外周端側における放熱量が大きくなり、ウェハＷの外周端側の温度が低くなる。

従って、比較例に係る基板処理装置は、ウェハＷに液盛りされためっき液Ｌを加熱すると、図５Ｂに示すように、ウェハＷの外周端側のめっき膜Ｍの厚さが、他の箇所、例えばウェハＷの中央付近のめっき膜Ｍの厚さよりも薄くなる。このように、比較例に係る基板処理装置では、ウェハＷに形成されるめっき膜Ｍの厚さを均一にすることができない。図５Ｂは、比較例に係る基板処理装置において、めっき膜Ｍを形成した状態を示す図である。

これに対し、実施形態に係る基板処理装置１は、基板保持部２１と、コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）と、めっき液供給部２２とを備える。基板保持部２１は、ウェハＷ（基板の一例）を保持する。コーティング剤供給部２５は、基板保持部２１に保持されたウェハＷの下面の周縁にウェハＷよりも比熱が小さいコーティング剤（塗布液の一例）を塗布する。めっき液供給部２２は、コーティング剤を塗布されたウェハＷの上面にめっき液Ｌを供給する。

換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、ウェハＷ（基板の一例）を保持する工程と、保持されたウェハＷの下面の周縁にウェハＷよりも比熱が小さいコーティング液（塗布液の一例）を塗布する工程と、コーティング剤が塗布されたウェハＷの上面にめっき液Ｌを供給する工程とを有する。

これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの周縁、すなわちウェハＷの外周端側の温度が低下することを抑制し、ウェハＷの温度を均一にすることができる。そのため、基板処理装置１は、ウェハＷのめっき膜の厚さを均一にすることができる。すなわち、基板処理装置１は、めっきの膜厚の均一性を向上させることができる。

コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）は、ウェハＷ（基板の一例）の周側面にコーティング剤（塗布液の一例）を塗布する。

これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側の温度が低下することを抑制し、ウェハＷの温度を均一にすることができる。そのため、基板処理装置１は、めっきの膜厚の均一性を向上させることができる。

コーティング剤（塗布液の一例）は、めっき液に対し疎水性を有する。これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端における表面張力を大きくし、ウェハＷの外周端側におけるめっき液の液盛り量を多くすることができ、めっきの膜厚の均一性を向上させることができる。

基板処理装置１は、コーティング剤（塗布液の一例）が塗布されたウェハＷ（基板の一例）にコーティング剤を除去する除去液を供給する除去液供給部２６を備える。

これにより、基板処理装置１は、ウェハＷからコーティング剤の薄膜を除去することができる。また、基板処理装置１は、例えば、めっき液がウェハＷの側周面に付着した場合に、ウェハＷの側周面に付着しためっき液をコーティング剤の薄膜と共に除去することができる。

コーティング剤（塗布液の一例）は、フォトレジストであり、除去液は、有機溶剤である。これにより、基板処理装置１は、ウェハＷの外周端側の温度低下を抑制しつつ、ウェハＷからコーティング剤を除去することができる。

基板処理装置１は、めっき液が供給されたウェハＷ（基板の一例）を上面側から加熱する加熱部２７を備える。これにより、基板処理装置１は、ウェハＷに液盛りされためっき液を乾燥させて、ウェハＷの上面にめっき膜を形成することができる。

＜変形例＞
変形例に係る基板処理装置１は、コーティング剤（塗布液の一例）として水溶性レジストを用いてもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、除去液として水を用いることができる。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、コーティング剤を容易に剥離し、除去することができる。

変形例に係る基板処理装置１は、ウェハＷの周側面に向けてコーティング剤を吐出し、塗布するノズルを設けてもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、ウェハＷの周側面にコーティング剤の薄膜を形成することができる。

変形例に係る基板処理装置１は、ウェハＷにコーティング剤を塗布するコーティング処理を他の処理ユニット１６で行ってもよい。また、変形例に係る基板処理装置１は、ウェハＷに除去液を吐出する除去処理を他の処理ユニット１６で行ってもよい。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）、除去液供給部２６の少なくとも一方を、めっき液供給部２２と同一の処理ユニット１６（ユニットの一例）内に設ける。

これにより、変形例に係る基板処理装置１は、１つの処理ユニット１６で多くの処理を行うことができ、例えば、めっき処理を多くの処理ユニット１６で実行しつつ、基板処理装置１の大型化を抑制することができる。

また、変形例に係る基板処理装置１は、コーティング処理、めっき処理、除去処理をそれぞれ異なる処理ユニット１６で行ってもよい。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、めっき液供給部２２、コーティング剤供給部２５（塗布部の一例）、および除去液供給部２６をそれぞれ異なる処理ユニット１６（ユニットの一例）内に設ける。

これにより、変形例に係る基板処理装置１は、各処理を異なる処理ユニット１６で行うことで、各処理ユニット１６の構成を簡略化することができる。なお、変形例に係る基板処理装置１は、基板搬送装置１７に当接しないように、ウェハＷの下面の周縁にコーティング剤の薄膜を形成する。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、コーティング剤の薄膜が形成されたウェハＷを搬送する場合に、コーティング剤が基板搬送装置１７に付着することを防止することができる。

また、変形例に係る基板処理装置１は、回収カップ２８を上下方向に移動させて、ウェハＷを基板搬送装置１７と基板保持部２１との間で受け渡しを行ってもよい。変形例に係る基板処理装置１では、コーティング剤供給ノズル２５ａ、および除去液供給ノズル２６ａは、基板搬送装置１７がチャンバ２０内に挿入された場合に、基板搬送装置１７と接触しないように設けられる。具体的には、コーティング剤供給ノズル２５ａ、および除去液供給ノズル２６ａは、チャンバ２０内に挿入された基板搬送装置１７よりも径方向外側に設けられる。

これにより、変形例に係る基板処理装置１は、ウェハＷの下面の周縁にコーティング剤、および除去液を吐出することができる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
１６ 処理ユニット
２０ チャンバ
２１ 基板保持部
２２ めっき液供給部
２５ コーティング剤供給部（塗布部）
２６ 除去液供給部
２７ 加熱部
Ｗ ウェハ（基板）

Claims (7)

1. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板の下面の周縁に前記基板よりも比熱が小さい塗布液を塗布する塗布部と、
   前記塗布液が塗布された前記基板の上面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
   前記塗布液が塗布された前記基板に前記塗布液を除去する除去液を供給する除去液供給部と
   を備え、
   前記塗布部、前記除去液供給部の少なくとも一方は、
   前記めっき液供給部と同一のユニット内に設けられる基板処理装置。
2. 前記塗布部は、
   前記基板の周側面に前記塗布液を塗布する
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記塗布液は、
   前記めっき液に対し疎水性を有する
   請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記塗布液は、
   フォトレジストであり、
   前記除去液は、
   有機溶剤である
   請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記塗布液は、
   水溶性レジストであり、
   前記除去液は、
   水である
   請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前記めっき液が供給された前記基板を上面側から加熱する加熱部
   を備える請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
7. 基板を保持する工程と、
   保持された前記基板の下面の周縁に前記基板よりも比熱が小さい塗布液を塗布する工程と、
   前記塗布液が塗布された前記基板の上面にめっき液を供給する工程と、
   前記塗布液が塗布された前記基板に前記塗布液を除去する除去液を供給する工程と
   を有し、
   前記塗布液を塗布する工程、および前記除去液を供給する工程の少なくとも一方は、前記めっき液を供給する工程と同一のユニット内で行われる基板処理方法。

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