JP6815828B2 - めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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- Chemically Coating (AREA)
Description
図1を参照して、本発明の一実施形態に係るめっき処理システム全体の構成を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るめっき処理システムの構成を示す概略図である。
図1を参照して、めっき処理ユニット2の構成を説明する。図1は、めっき処理ユニット2の構成を示す概略平面図である。
次に図2を参照して、めっき処理部5(めっき処理装置)の構成を説明する。
次に、本実施形態によるめっき処理方法によってめっき層を形成する基板の構成について説明する。
次に、めっき処理部(めっき処理装置)5を用いためっき層の形成方法について説明する。めっき処理部5によって実施されるめっき層の形成方法は、上述した基板Wに対するめっき処理を含む。めっき処理部5の動作は、制御部3によって制御される。
次に本発明の具体的実施例1について説明する。
次に本発明の具体的実施例2について説明する。
次に比較例について説明する。
次に本発明の変形例について、図7により説明する。上記実施の形態において、A液とB液をめっき液作製部63内で混合することによりめっき液を作製し、作製されためっき液をめっき液供給源532へ送る例を示したが(図2参照)、これに限らずめっき液作製部63とめっき液供給源532を取り除いて、A液貯留部61a内のA液を予備温調器62で加熱した後直接A液用ノズル531aまで導き、同様にB液貯留部61b内のB液を直接B液用ノズル531bまで導き、A液用ノズル531aからA液を基板W上に供給し、B液用ノズル531bからB液を基板W上に供給してもよい(図7参照)。
2 めっき処理ユニット
3 制御部
5 めっき処理部(めっき処理装置)
31 めっき不可材料部分
32 めっき可能材料部分
33 レジスト膜
35 ハードマスク層
41 芯材
42 下地材
43 中間層
51 チャンバ
52 基板保持部
53 めっき液供給部
54 ノズル移動機構
55a 触媒液供給部
55b 洗浄液供給部
55c リンス液供給部
56 ノズル移動機構
57 カップ
58 昇降機構
61a A液貯留部
61b B液貯留部
62 予備温調器
63 めっき液作製部
65 めっき液温調器
Claims (5)
- 基板を準備する工程と、
金属イオンを含有するA液と還元剤を含有するB液を混合してめっき液を作製する工程と、
前記基板に対して前記めっき液を供給してめっき処理を施すことにより、前記基板にめっき層を形成する工程とを備え、
前記めっき液を作製する工程の前に、前記A液および前記B液のうち少なくとも一方を加熱し、当該一方を高温の液体、他方を低温の液体としたとき、前記高温の液体の温度をめっき温度以上とし、前記低温の液体の温度をめっき温度未満とし、
前記めっき液を作製する工程と、前記基板にめっき層を形成する工程は、前記A液と前記B液を各々別個に前記基板上に供給することにより、同時に実行されることを特徴とするめっき処理方法。 - 前記めっき液を作製する工程の前に、前記低温の液体は温調されることを特徴とする請求項1記載のめっき処理方法。
- 前記めっき液を作製する工程の前に、前記低温の液体は温調されないことを特徴とする請求項1記載のめっき処理方法。
- 前記基板にめっき層を形成する工程の前に、前記基板に触媒付与処理を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のめっき処理方法。
- コンピュータにめっき処理方法を実行させるコンピュータプログラムを内蔵した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
基板を準備する工程と、
金属イオンを含有するA液と還元剤を含有するB液を混合してめっき液を作製する工程と、
前記基板に対して前記めっき液を供給してめっき処理を施すことにより、前記基板にめっき層を形成する工程とを備え、
前記めっき液を作製する工程の前に、前記A液および前記B液のうち少なくとも一方を加熱し、当該一方を高温の液体、他方を低温の液体としたとき、前記高温の液体の温度をめっき温度以上とし、前記低温の液体の温度をめっき温度未満とし、
前記めっき液を作製する工程と、前記基板にめっき層を形成する工程は、前記A液と前記B液を各々別個に前記基板上に供給することにより、同時に実行されることを特徴とする記憶媒体。
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