JP6762831B2 - ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体 - Google Patents

ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP6762831B2
JP6762831B2 JP2016198426A JP2016198426A JP6762831B2 JP 6762831 B2 JP6762831 B2 JP 6762831B2 JP 2016198426 A JP2016198426 A JP 2016198426A JP 2016198426 A JP2016198426 A JP 2016198426A JP 6762831 B2 JP6762831 B2 JP 6762831B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hard mask
material portion
catalyst
main component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016198426A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017188644A (ja
Inventor
下 光 秋 岩
下 光 秋 岩
尾 健 長
尾 健 長
谷 信 崇 水
谷 信 崇 水
中 崇 田
中 崇 田
田 浩 一 八
田 浩 一 八
井 和 俊 岩
井 和 俊 岩
富 裕一郎 稲
富 裕一郎 稲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to TW106109563A priority Critical patent/TWI677902B/zh
Priority to KR1020170040138A priority patent/KR102286317B1/ko
Priority to US15/473,810 priority patent/US10224202B2/en
Publication of JP2017188644A publication Critical patent/JP2017188644A/ja
Priority to US16/253,380 priority patent/US11004684B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6762831B2 publication Critical patent/JP6762831B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体に関する。
近年、半導体デバイスの微細化や３次元化が進んでいることに伴い、半導体デバイスを加工する際のエッチングによる加工精度を向上させることが求められている。このようにエッチングによる加工精度を向上させるための方法の一つとして、基板上に形成されるドライエッチング用のハードマスク（ＨＭ）の精度を向上させるという要求が高まっている。
従来、例えば、以下のようなステップで基板上にハードマスクを形成することが行われている。まず基板上の全面にＳｉＮ（窒化ケイ素）やＴｉＮ（窒化チタン）などのハードマスク材料を成膜し、次いで、ハードマスク材料上に所定のパターンを有するレジスト層を形成する。次に、レジスト層に覆われていない部分のハードマスク材料をドライエッチングによって除去することにより、基板上に所定のパターンを有するハードマスクを形成する。続いて、ハードマスクに覆われていない部分の基板の一部をドライエッチングにより除去する。その後、ハードマスクをウェット洗浄法等によって除去する。
特開２００９−２４９６７９号公報
しかしながら、従来、基板を覆うハードマスクの材料には様々な制約が存在している。このような制約としては、例えば、（１）ハードマスクと基板とが高い密着性を有すること、（２）ハードマスクとレジスト層とが高い密着性を有すること、（３）レジスト層にパターンを形成する時の熱処理によってハードマスクの材料が影響を受けにくいこと、（４）ハードマスクがエッチングされるときにレジスト層が除去されにくいこと、（５）基板をドライエッチングする際にハードマスクが除去されにくいこと、（６）基板をドライエッチングした後にはハードマスクを容易に除去することができること、が挙げられる。このため、従来、ハードマスクの材料としては、上述したＳｉＮ（窒化ケイ素）やＴｉＮ（窒化チタン）等、限られた材料のみが用いられている。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ハードマスクの材料に対する制約を少なくすることが可能な、ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体を提供する。
本発明の一実施形態によるハードマスクの形成方法は、表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を準備する工程と、前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する工程と、前記基板に対してめっき処理を施すことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成する工程とを備え、前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ２を主成分とし、前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とすることを特徴とする。
本発明の一実施形態によるハードマスクの形成装置は、表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を保持する基板保持部と、前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する触媒付与部と、前記基板に対してめっき液を供給することにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成するめっき液供給部とを備え、前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ２を主成分とし、前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とすることを特徴とする。
本発明の上記実施形態によれば、ハードマスクの材料に対する制約を少なくすることができる。
図１は、めっき処理装置およびめっき処理装置が備えるめっき処理ユニットの構成を示す概略平面図である。 図２は、図１に示すめっき処理ユニットが備えるめっき処理部（ハードマスクの形成装置）の構成を示す概略断面図である。 図３は、本実施形態によるハードマスクの形成方法によってハードマスク層が形成される基板の構成を示す概略断面図である。 図４（ａ）−（ｅ）は、本実施形態によるハードマスクの形成方法によってハードマスク層が形成される基板の製造方法を示す概略断面図である。 図５（ａ）−（ｂ）は、本実施形態によるハードマスクの形成方法を示す概略断面図である。 図６（ａ）−（ｃ）は、本実施形態によるハードマスクの形成方法によってハードマスク層が形成された基板を加工する方法を示す概略断面図である。 図７（ａ）−（ｈ）は、本実施形態の変形例を示す概略断面図である。 図８（ａ）−（ｈ）は、ハードマスク層が形成される基板の製造方法の変形例を示す概略断面図である。 図９（ａ）−（ｈ）は、ハードマスク層が形成される基板の製造方法の変形例を示す概略断面図である。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
＜めっき処理装置の構成＞
図１を参照して、本発明の一実施形態に係るめっき処理装置の構成を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るめっき処理装置の構成を示す概略図である。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るめっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３とを備える。
めっき処理ユニット２は、基板に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。
制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを備える。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであってもよいし、その記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。
＜めっき処理ユニットの構成＞
図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。
めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２とを備える。
搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２とを備える。
載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。
搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを備える。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。
処理ステーション２２は、めっき処理部５を備える。本実施形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の数は２以上であるが、１であってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側に配列されている。
搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を備え、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。
めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。
めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。
＜めっき処理部の構成＞
次に図２を参照して、めっき処理部５（ハードマスクの形成装置）の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。
めっき処理部５は、表面にめっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とが形成された基板Ｗに対してめっき処理を行うことにより、めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層３５を形成するものである（後述する図３乃至図６参照）。めっき処理部５が行う基板処理は、少なくとも触媒付与処理と無電解めっき処理とを含むが、触媒付与処理及びめっき処理以外の基板処理が含まれていてもよい。
めっき処理部５は、上述した無電解めっき処理を含む基板処理を行うものであり、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを保持する基板保持部５２と、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供給するめっき液供給部５３とを備えている。
このうち基板保持部５２は、チャンバ５１内において鉛直方向に延在する回転軸５２１と、回転軸５２１の上端部に取り付けられたターンテーブル５２２と、ターンテーブル５２２の上面外周部に設けられ、基板Ｗの外縁部を支持するチャック５２３と、回転軸５２１を回転駆動する駆動部５２４とを有する。
基板Ｗは、チャック５２３に支持され、ターンテーブル５２２の上面からわずかに離間した状態で、ターンテーブル５２２に水平保持される。本実施形態において、基板保持部５２による基板Ｗの保持方式は、可動のチャック５２３によって基板Ｗの外縁部を把持するいわゆるメカニカルチャックタイプのものであるが、基板Ｗの裏面を真空吸着するいわゆるバキュームチャックタイプのものであってもよい。
回転軸５２１の基端部は、駆動部５２４により回転可能に支持され、回転軸５２１の先端部は、ターンテーブル５２２を水平に支持する。回転軸５２１が回転すると、回転軸５２１の上端部に取り付けられたターンテーブル５２２が回転し、これにより、チャック５２３に支持された状態でターンテーブル５２２に保持された基板Ｗが回転する。
めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、めっき液Ｍ１を吐出するノズル５３１と、ノズル５３１にめっき液Ｍ１を供給するめっき液供給源５３２とを備える。めっき液供給源５３２が有するタンクには、めっき液Ｍ１が貯留されており、ノズル５３１には、めっき液供給源５３２から、バルブ５３３等の流量調整器が介設された供給管路５３４を通じて、めっき液Ｍ１が供給される。
めっき液Ｍ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｍ１は、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。なお、自己触媒型（還元型）無電解めっきでは、めっき液Ｍ１中の金属イオンが、めっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元されることにより、金属として析出し、金属膜（めっき膜）が形成される。めっき液Ｍ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｍ１を使用しためっき処理により生じる金属膜（めっき膜）としては、例えば、ＣｏＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。金属膜（めっき膜）中のＰは、Ｐを含む還元剤（例えば次亜リン酸）に由来し、めっき膜中のＢは、Ｂを含む還元剤（例えばジメチルアミンボラン）に由来する。
ノズル５３１は、ノズル移動機構５４に連結されている。ノズル移動機構５４は、ノズル５３１を駆動する。ノズル移動機構５４は、アーム５４１と、アーム５４１に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体５４２と、アーム５４１を旋回及び昇降させる旋回昇降機構５４３とを有する。ノズル５３１は、移動体５４２に取り付けられている。ノズル移動機構５４は、ノズル５３１を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの中心の上方の位置と基板Ｗの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ５７の外側にある待機位置まで移動させることができる。
チャンバ５１内には、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、それぞれ、触媒液Ｎ１、洗浄液Ｎ２及びリンス液Ｎ３を供給する触媒液供給部（触媒付与部）５５ａ、洗浄液供給部５５ｂ及びリンス液供給部５５ｃが配置されている。
触媒液供給部（触媒付与部）５５ａは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、触媒液Ｎ１を吐出するノズル５５１ａと、ノズル５５１ａに触媒液Ｎ１を供給する触媒液供給源５５２ａとを備える。触媒液供給源５５２ａが有するタンクには、触媒液Ｎ１が貯留されており、ノズル５５１ａには、触媒液供給源５５２ａから、バルブ５５３ａ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ａを通じて、触媒液Ｎ１が供給される。
洗浄液供給部５５ｂは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、洗浄液Ｎ２を吐出するノズル５５１ｂと、ノズル５５１ｂに洗浄液Ｎ２を供給する洗浄液供給源５５２ｂとを備える。洗浄液供給源５５２ｂが有するタンクには、洗浄液Ｎ２が貯留されており、ノズル５５１ｂには、洗浄液供給源５５２ｂから、バルブ５５３ｂ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ｂを通じて、洗浄液Ｎ２が供給される。
リンス液供給部５５ｃは、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して、リンス液Ｎ３を吐出するノズル５５１ｃと、ノズル５５１ｃにリンス液Ｎ３を供給するリンス液供給源５５２ｃとを備える。リンス液供給源５５２ｃが有するタンクには、リンス液Ｎ３が貯留されており、ノズル５５１ｃには、リンス液供給源５５２ｃから、バルブ５５３ｃ等の流量調整器が介設された供給管路５５４ｃを通じて、リンス液Ｎ３が供給される。
触媒液Ｎ１は、めっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応に対して触媒活性を有する金属イオンを含有する。無電解めっき処理において、めっき液Ｍ１中の金属イオンの析出が開始されるためには、初期皮膜表面（すなわち、基板の被めっき面）がめっき液Ｍ１中の還元剤の酸化反応に対して十分な触媒活性を有することが必要である。このような触媒としては、例えば、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、白金属元素（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕを含むものが挙げられる。触媒活性を有する金属膜の形成は、置換反応により生じる。置換反応では、基板の被めっき面を構成する成分が還元剤となり、触媒液Ｎ１中の金属イオン（例えばＰｄイオン）が、基板の被めっき面上に還元析出する。また、触媒液Ｎ１としては、ナノ粒子状の金属触媒を含んでいても良い。具体的には、触媒液Ｎ１は、ナノ粒子状の金属触媒と、分散剤と、水溶液とを含んでいても良い。このようなナノ粒子状の金属触媒としては、例えばナノ粒子状Ｐｄが挙げられる。
洗浄液Ｎ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板の被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。
リンス液Ｎ３としては、例えば、純水等を使用することができる。
めっき処理部５は、ノズル５５１ａ〜５５１ｃを駆動するノズル移動機構５６を有する。ノズル移動機構５６は、アーム５６１と、アーム５６１に沿って移動可能な駆動機構内蔵型の移動体５６２と、アーム５６１を旋回及び昇降させる旋回昇降機構５６３とを有する。ノズル５５１ａ〜５５１ｃは、移動体５６２に取り付けられている。ノズル移動機構５６は、ノズル５５１ａ〜５５１ｃを、基板保持部５２に保持された基板Ｗの中心の上方の位置と基板Ｗの周縁の上方の位置との間で移動させることができ、さらには、平面視で後述するカップ５７の外側にある待機位置まで移動させることができる。本実施形態において、ノズル５５１ａ〜５５１ｃは共通のアームにより保持されているが、それぞれ別々のアームに保持されて独立して移動できるようになっていてもよい。
基板保持部５２の周囲には、カップ５７が配置されている。カップ５７は、基板Ｗから飛散した各種処理液（例えば、めっき液、洗浄液、リンス液等）を受け止めてチャンバ５１の外方に排出する。カップ５７は、カップ５７を上下方向に駆動させる昇降機構５８を有している。
＜基板の構成＞
次に、本実施形態によるハードマスクの形成方法によってハードマスク層を形成する基板の構成について説明する。
図３に示すように、ハードマスク層が形成される基板Ｗは、その表面にそれぞれ形成されためっき不可材料部分３１およびめっき可能材料部分３２を有している。めっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とは、それぞれ基板Ｗの表面側に露出していれば良く、その具体的な構成は問わない。本実施形態においては、基板Ｗは、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２と、下地材４２上に突設され、パターン状に形成されためっき不可材料部分３１からなる芯材４１とを有している。
めっき不可材料部分３１は、本実施形態によるめっき処理が施された際、実質的にめっき金属が析出せず、ハードマスク層３５が形成されない領域である。この場合、めっき不可材料部分３１は、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなっている。
めっき可能材料部分３２は、本実施形態によるめっき処理が施された際、めっき金属が選択的に析出し、これによりハードマスク層３５が形成される領域である。本実施形態において、めっき可能材料部分３２は、（１）ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、（２）Ｓｉ系材料を主成分とした金属材料、（３）触媒金属材料を主成分とする材料、又は、（４）カーボンを主成分とした材料のいずれかからなっている。
（１）めっき可能材料部分３２の材料がＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料を主成分とする場合、その材料としては、Ｓｉ−ＯＣＨｘ基又はＳｉ−ＮＨｘ基を含む材料、例えばＳｉＯＣＨやＳｉＮが挙げられる。
（２）めっき可能材料部分３２の材料がＳｉ系材料を主成分とした金属材料である場合、めっき可能材料部分３２の材料としては、ＢやＰがドープされたＰｏｌｙ-Ｓｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｓｉが挙げられる。
（３）めっき可能材料部分３２が触媒金属材料を主成分とする材料を主成分とする場合、めっき可能材料部分３２の材料としては、例えばＣｕ、Ｐｔが挙げられる。
（４）めっき可能材料部分３２がカーボンを主成分とした材料を主成分とする場合、めっき可能材料部分３２の材料としては、例えばアモルファスカーボンが挙げられる。
次に図３に示す基板Ｗを作製する方法について説明する。図３に示す基板Ｗを作製する場合、まず、図４（ａ）に示すように、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２を準備する。下地材４２は、上述したように、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉ系材料を主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とする材料からなる。
次に、図４（ｂ）に示すように、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２上の全面に、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法によりめっき不可材料部分３１を構成する材料３１ａを成膜する。材料３１ａは、上述したように、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなる。
続いて、図４（ｃ）に示すように、めっき不可材料部分３１を構成する材料３１ａの表面全体に感光性レジスト３３ａを塗布し、これを乾燥する。次に、図４（ｄ）に示すように、感光性レジスト３３ａに対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望のパターンを有するレジスト膜３３が形成される。
その後、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜３３をマスクとして材料３１ａをドライエッチングする。これにより、めっき不可材料部分３１からなる芯材４１が、レジスト膜３３のパターン形状と略同様の形状にパターニングされる。その後、レジスト膜３３を除去することにより、表面にめっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とが形成された基板Ｗが得られる。
＜ハードマスクの形成方法＞
次に、めっき処理装置１を用いたハードマスクの形成方法について説明する。めっき処理装置１によって実施されるハードマスクの形成方法は、上述した基板Ｗに対するめっき処理を含む。めっき処理は、めっき処理部（ハードマスクの形成装置）５により実施される。めっき処理部５の動作は、制御部３によって制御される。
まず、例えば上述した図４（ａ）−（ｅ）に示す方法により、表面にめっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とが形成された基板Ｗを準備する（図５（ａ）参照）。
次に、このようにして得られた基板Ｗがめっき処理部５へ搬入され、基板保持部５２に保持される（図２参照）。この間、制御部３は、昇降機構５８を制御して、カップ５７を所定位置まで降下させる。続いて、制御部３は、搬送機構２２２を制御して、基板保持部５２に基板Ｗを載置する。基板Ｗは、その外縁部がチャック５２３により支持された状態で、ターンテーブル５２２上に水平保持される。
次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗが洗浄処理される。このとき、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、洗浄液供給部５５ｂを制御して、ノズル５５１ｂを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｂから基板Ｗに対して洗浄液Ｎ２を供給する。基板Ｗに供給された洗浄液Ｎ２は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗに付着した付着物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗから飛散した洗浄液Ｎ２は、カップ５７を介して排出される。
続いて、洗浄後の基板Ｗがリンス処理される。この際、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。基板Ｗに供給されたリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｎ２が洗い流される。基板Ｗから飛散したリンス液Ｎ３は、カップ５７を介して排出される。
次に、リンス後の基板Ｗに対して触媒付与処理を行う。このとき制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、触媒液供給部５５ａを制御して、ノズル５５１ａを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ａから基板Ｗに対して触媒液Ｎ１を供給する。基板Ｗに供給された触媒液Ｎ１は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。基板Ｗから飛散した触媒液Ｎ１は、カップ５７を介して排出される。
これにより、基板Ｗのめっき可能材料部分３２に対して選択的に触媒が付与され、めっき可能材料部分３２に触媒活性を有する金属膜が形成される。一方、基板Ｗのうち、ＳｉＯ２を主成分とするめっき不可材料部分３１には実質的に触媒が付与されることはなく、触媒活性を有する金属膜は形成されない。このような触媒活性を有する金属としては、例えば、鉄族元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、白金属元素（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ）、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕが挙げられる。上記各金属は、めっき可能材料部分３２を構成する材料（例えば、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料）に対して高い吸着性を有する一方、めっき不可材料部分３１を構成する材料であるＳｉＯ２に対しては吸着しにくい。このため、上記各金属を用いることにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的にめっき金属を析出させることが可能となる。なお、触媒液Ｎ１には、上記触媒活性を有する金属の吸着を促進する吸着促進剤が含まれていても良い。
次に、めっき可能材料部分３２に選択的に触媒が付与された基板Ｗがリンス処理される。この間、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。基板Ｗに供給されたリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗ上に残存する触媒液Ｎ１が洗い流される。基板Ｗから飛散したリンス液Ｎ３は、カップ５７を介して排出される。
次に、基板Ｗに対してめっき処理が行われ、めっき可能材料部分３２に対して選択的にめっきが施される。これにより、めっき可能材料部分３２上にハードマスク層３５が形成される（図５（ｂ）参照）。ハードマスク層３５は、めっき可能材料部分３２のうちめっき不可材料部分３１が設けられていない部分に形成される。この際、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、あるいは、基板保持部５２に保持された基板Ｗを停止した状態に維持しながら、めっき液供給部５３を制御して、ノズル５３１を基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５３１から基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供給する。これにより、基板Ｗのめっき可能材料部分３２（具体的には、めっき可能材料部分３２の表面に形成された触媒活性を有する金属膜）に選択的にめっき金属が析出し、ハードマスク層３５が形成される。一方、基板Ｗのうちめっき不可材料部分３１には、触媒活性を有する金属膜が形成されていないため、めっき金属が実質的に析出せず、ハードマスク層３５は形成されない。
このようなハードマスク層３５は、Ｂ又はＰを含むＣｏ、Ｃｏ合金、又はＮｉ系材料を主成分とする。このうちＢ又はＰを含むＣｏ、Ｃｏ合金としては、例えばＣｏＢ、ＣｏＰ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＢＰが挙げられる。また、Ｎｉ系材料としては、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰが挙げられる。
このようにしてめっき処理が終了した後、基板保持部５２に保持された基板Ｗが洗浄処理される。この際、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、洗浄液供給部５５ｂを制御して、ノズル５５１ｂを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｂから基板Ｗに対して洗浄液Ｎ２を供給する。基板Ｗに供給された洗浄液Ｎ２は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗの表面に広がる。これにより、基板Ｗに付着した異常めっき膜や反応副生成物等が、基板Ｗから除去される。基板Ｗから飛散した洗浄液Ｎ２は、カップ５７を介して排出される。
次に、制御部３は、駆動部５２４を制御して、基板保持部５２に保持された基板Ｗを所定速度で回転させながら、リンス液供給部５５ｃを制御して、ノズル５５１ｃを基板Ｗの上方に位置させ、ノズル５５１ｃから基板Ｗに対してリンス液Ｎ３を供給する。これにより、基板Ｗ上のめっき液Ｍ１、洗浄液Ｎ２及びリンス液Ｎ３は、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって基板Ｗから飛散し、カップ５７を介して排出される。
その後、ハードマスク層３５が形成された基板Ｗは、めっき処理部５から搬出される。この際、制御部３は、搬送機構２２２を制御して、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置するとともに、搬送機構２１３を制御して、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。
次に、めっき処理部５から取り出された基板Ｗのうち、めっき不可材料部分３１を選択的に除去する（図６（ａ））。一方、めっき可能材料部分３２上に形成されたハードマスク層３５は、除去されることなく残存する。このようにして、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２と、下地材４２上にパターン状に形成されたハードマスク層３５とを有する基板Ｗが得られる。下地材４２上であって、ハードマスク層３５に覆われていない領域からは、下地材４２（めっき可能材料部分３２）が露出している。
次に、図６（ｂ）に示すように、ハードマスク層３５をマスクとしてめっき可能材料部分３２からなる下地材４２をドライエッチングする。これにより、下地材４２のうちハードマスク層３５に覆われていない部分が所定の深さまでエッチングされ、パターン状の凹部が形成される。
その後、図６（ｃ）に示すように、ハードマスク層３５をウェット洗浄法によって除去することにより、パターン状の凹部が形成された下地材４２が得られる。なお、ハードマスク層３５はウェット洗浄法によって除去することができるので、ハードマスク層３５を容易に除去することができる。このようなウェット洗浄法で用いられる薬液としては、酸性溶媒が用いられる。
以上に説明したように、本実施形態によれば、基板Ｗに対して触媒付与処理を行うことにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的に触媒を付与し、その後、基板Ｗに対してめっき処理を施すことにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的にハードマスク層３５を形成する。このようにハードマスクに対するパターン転写プロセスを不要としたことにより、ハードマスクを形成する工程を簡略化することができるとともに、ハードマスクを形成する際にハードマスクのパターン形状が変化する不具合を抑えることができる。また、レジスト層にパターンを形成する際の熱処理によってハードマスクの材料が影響を受けるおそれもない。
また、本実施形態によれば、めっきによりハードマスク層３５を形成するので、めっきの厚みを厚くすることにより、ハードマスク層３５を厚く形成することができる。これにより、ドライエッチング時にハードマスク層３５も合わせてエッチングされたとしても、エッチングが終了したときにハードマスク層３５を残存させることができる。
さらに、本実施形態によれば、ハードマスク層３５上にレジストを形成することがないので、ハードマスク層３５を構成する材料と下地材４２（めっき可能材料部分３２）の材料との密着性だけを考慮すれば良く、ハードマスク層３５を構成する材料とレジスト材料との密着性を考慮する必要が生じない。したがって、ハードマスク層３５の材料としての制約が少なくなり、様々な材料を選択することが可能となる。
ハードマスクの形成方法の変形例
次に、図７（ａ）−（ｈ）によりハードマスクの形成方法の変形例について説明する。図７（ａ）−（ｈ）は、本変形例によるハードマスクの形成方法を示す図である。図７（ａ）−（ｈ）に示す変形例において、主として、下地材４２がめっき不可材料部分３１からなり、芯材４１がめっき可能材料部分３２からなる点が上記本実施形態と異なっている。
図７（ａ）に示すように、まず、ＳｉＯ２を主成分とするめっき不可材料部分３１からなる下地材４２を準備する。次に、図７（ｂ）に示すように、めっき不可材料部分３１からなる下地材４２上の全面に、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法によりめっき可能材料部分３２を構成する中間層４３を成膜する。中間層４３の材料は問わないが、例えば一般的なハードマスクの材料として用いられるＳｉＮを挙げることができる。
続いて、図７（ｃ）に示すように、中間層４３の表面全体に感光性レジスト３３ａを塗布し、これを乾燥する。次に、図７（ｄ）に示すように、感光性レジスト３３ａに対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望のパターンを有するレジスト膜３３が形成される。
次いで、図７（ｅ）に示すように、中間層４３に対してレジスト膜３３を介してドライエッチングを施すことにより、めっき可能材料部分３２が所望のパターン形状に形成される。その後、レジスト膜３３を除去することにより、めっき不可材料部分３１からなる下地材４２と、めっき可能材料部分３２からなる芯材４１とを有する基板Ｗが得られる。
次に、基板Ｗのめっき可能材料部分３２に対して触媒付与処理を行うことにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的に触媒を付与する。次いで、図７（ｆ）に示すように、基板Ｗに対してめっき処理を施すことにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的にハードマスク層３５を形成する。
次に、図７（ｇ）に示すように、ハードマスク層３５をマスクとしてめっき不可材料部分３１からなる下地材４２をドライエッチングする。これにより、下地材４２のうちハードマスク層３５に覆われていない部分に、パターン状の凹部が形成される。
その後、図７（ｈ）に示すように、ハードマスク層３５をウェット洗浄によって除去するとともに、めっき可能材料部分３２をたとえば酸性溶媒によって除去することにより、パターン状の凹部が形成された下地材４２が得られる。
本変形例においても、ハードマスクに対するパターン転写プロセスを不要としたことにより、ハードマスクを形成する工程を簡略化することができ、レジスト層にパターンを形成する際の熱処理によってハードマスクの材料が影響を受けるおそれもない。
基板の製造方法の変形例
次に、図８（ａ）−（ｈ）によりハードマスク層が形成される基板の製造方法の変形例について説明する。図８（ａ）−（ｈ）は、図３に示す基板Ｗを作製する方法の変形例を示す図である。
まず、図８（ａ）に示すように、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２を準備する。下地材４２は、上述したように、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉ系材料を主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とする材料からなる。
次に、図８（ｂ）に示すように、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２上の全面に、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法により犠牲ハードマスクを構成する犠牲ハードマスク用材料層４６ａを成膜する。犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、例えばカーボンを主成分とした材料、より具体的には、アモルファスカーボンからなっていても良い。あるいは、犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、チタンナイトライドやタングステン等からなっていてもよい。なお、犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、１層に限らず多層からなっていても良い。例えば、下地材４２上のＳｉＮ（窒化ケイ素）層と、ＳｉＮ層上のアモルファスカーボン層とを含んでいても良い。
次に、図８（ｃ）に示すように、犠牲ハードマスク用材料層４６ａ上に所望のパターンを有するレジスト膜３３を形成する。
次いで、図８（ｄ）に示すように、レジスト膜３３をマスクとして犠牲ハードマスク用材料層４６ａをドライエッチングする。これにより、レジスト膜３３のパターン形状と略同様の形状にパターニングされた犠牲ハードマスク層４６が得られる。その後、図８（ｅ）に示すように、レジスト膜３３を除去する。
続いて、図８（ｆ）に示すように、犠牲ハードマスク層４６と、犠牲ハードマスク層４６の開口部分から露出する下地材４２とを覆うように、めっき不可材料部分３１を構成する材料３１ａを成膜する。材料３１ａは、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法により、犠牲ハードマスク層４６および下地材４２の全面にわたり形成される。材料３１ａは、上述したように、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなる。
続いて、図８（ｇ）に示すように、材料３１ａを犠牲ハードマスク層４６の表面が露出するまで厚み方向に除去する。これにより、めっき可能材料部分３２からなる下地材４２上に、所望の厚みを有するめっき不可材料部分３１からなる芯材４１が形成される。芯材４１のパターンは、レジスト膜３３の開口部分の形状と略同様の形状に形成される。
その後、図８（ｈ）に示すように、犠牲ハードマスク層４６を例えばプラズマエッチング法を用いて完全に除去することにより、図３に示す、表面にめっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とが形成された基板Ｗが得られる。
本変形例によれば、エッチング耐性の高い犠牲ハードマスク層４６を用いてめっき不可材料部分３１からなる芯材４１のパターンを形成するので、芯材４１のパターンをより微細化することが可能となる。
基板の製造方法の他の変形例
次に、図９（ａ）−（ｈ）によりハードマスク層が形成される基板の製造方法の他の変形例について説明する。図９（ａ）−（ｈ）は、表面にめっき不可材料部分３１およびめっき可能材料部分３２が形成された基板Ｗを製造する方法の他の変形例を示す図である。
まず、図９（ａ）に示すように、基板本体４７を準備する。基板本体４７の材料は特に限定されるものではなく、例えばめっき不可材料部分３１と同様に、ＳｉＯ２を主成分とする材料であっても良い。あるいは、基板本体４７は、例えばめっき可能材料部分３２と同様に、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉ系材料を主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とする材料からなっていても良い。
次に、図９（ｂ）に示すように、基板本体４７上の全面に、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法により犠牲ハードマスクを構成する犠牲ハードマスク用材料層４６ａを成膜する。犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、めっき可能材料部分３２からなっている。この場合、めっき可能材料部分３２からなる犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、例えばカーボンを主成分とした材料、例えばアモルファスカーボンからなっていても良い。なお、犠牲ハードマスク用材料層４６ａは、１層に限らず多層からなっていても良い。例えば、下地材４２上のＳｉＮ（窒化ケイ素）層と、ＳｉＮ層上のアモルファスカーボン層とを含んでいても良い。
次に、図９（ｃ）に示すように、めっき可能材料部分３２からなる犠牲ハードマスク用材料層４６ａ上に所望のパターンを有するレジスト膜３３を形成する。
次いで、図９（ｄ）に示すように、レジスト膜３３をマスクとして犠牲ハードマスク用材料層４６ａをドライエッチングする。これにより、レジスト膜３３のパターン形状と略同様の形状にパターニングされた犠牲ハードマスク層４６が得られる。その後、図９（ｅ）に示すように、レジスト膜３３を除去する。
続いて、図９（ｆ）に示すように、犠牲ハードマスク層４６と、犠牲ハードマスク層４６の開口部分から露出する下地材４２とを覆うように、不可材料部分３１を構成する材料３１ａを成膜する。材料３１ａは、例えばＣＶＤ法又はＰＶＤ法により、犠牲ハードマスク層４６および下地材４２の全面にわたり形成される。材料３１ａは、上述したように、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなる。
続いて、図９（ｇ）に示すように、材料３１ａを犠牲ハードマスク層４６の表面が露出するまで厚み方向に除去する。これにより、基板本体４７上に、所望の厚みを有するめっき不可材料部分３１からなる芯材４１が形成される。芯材４１のパターンは、レジスト膜３３の開口部分の形状と略同様の形状に形成される。
その後、図９（ｈ）に示すように、犠牲ハードマスク層４６を例えばプラズマエッチング法により厚み方向に一部のみ除去する。このとき、基板本体４７上に、めっき可能材料部分３２からなる犠牲ハードマスク層４６を部分的に残存させる。これにより、基板本体４７の表面にめっき不可材料部分３１とめっき可能材料部分３２とが形成された基板Ｗが得られる。
本変形例によれば、エッチング耐性の高いめっき可能材料部分３２からなる犠牲ハードマスク層４６を用いることにより、芯材４１のパターンをより微細化することが可能となる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１ めっき処理装置
２ めっき処理ユニット
３ 制御部
５ めっき処理部
３１ めっき不可材料部分
３２ めっき可能材料部分
３３ レジスト膜
３５ ハードマスク層
４１ 芯材
４２ 下地材
４３ 中間層
５１ チャンバ
５２ 基板保持部
５３ めっき液供給部
５４ ノズル移動機構
５５ａ 触媒液供給部
５５ｂ 洗浄液供給部
５５ｃ リンス液供給部
５６ ノズル移動機構
５７ カップ
５８ 昇降機構

Claims (10)

  1. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を準備する工程と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する工程と、
    前記基板に対してめっき処理を施すことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成する工程とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ２を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とすることを特徴とするハードマスクの形成方法。
  2. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を準備する工程と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する工程と、
    前記基板に対してめっき処理を施すことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成する工程とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ ２ を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、Ｓｉ−ＯＣＨｘ基又はＳｉ−ＮＨｘ基を含む材料を主成分とすることを特徴とするハードマスクの形成方法。
  3. 前記基板は、前記めっき不可材料部分からなる下地材と、前記下地材上に突設され、前記めっき可能材料部分からなる芯材とを有することを特徴とする請求項１又は２記載のハードマスクの形成方法。
  4. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を準備する工程と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する工程と、
    前記基板に対してめっき処理を施すことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成する工程とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ ２ を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨ ｘ 基およびＮＨ ｘ 基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とし、
    前記基板は、前記めっき可能材料部分からなる下地材と、前記下地材上に突設され、前記めっき不可材料部分からなる芯材とを有することを特徴とするハードマスクの形成方法。
  5. 前記ハードマスク層は、Ｂ又はＰを含むＣｏ、Ｃｏ合金、又はＮｉ系材料を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のハードマスクの形成方法。
  6. 前記触媒は、鉄族元素、白金属元素、Ｃｕ、Ａｇ又はＡｕを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のハードマスクの形成方法。
  7. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する触媒付与部と、
    前記基板に対してめっき液を供給することにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成するめっき液供給部とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ２を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨｘ基およびＮＨｘ基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とすることを特徴とするハードマスクの形成装置。
  8. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する触媒付与部と、
    前記基板に対してめっき液を供給することにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成するめっき液供給部とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ ２ を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、Ｓｉ−ＯＣＨ ｘ 基又はＳｉ−ＮＨ ｘ 基を含む材料を主成分とすることを特徴とするハードマスクの形成装置。
  9. 表面にめっき不可材料部分とめっき可能材料部分とが形成された基板を保持する基板保持部と、
    前記基板に対して触媒付与処理を行うことにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的に触媒を付与する触媒付与部と、
    前記基板に対してめっき液を供給することにより、前記めっき可能材料部分に対して選択的にハードマスク層を形成するめっき液供給部とを備え、
    前記めっき不可材料部分は、ＳｉＯ ２ を主成分とし、
    前記めっき可能材料部分は、ＯＣＨ ｘ 基およびＮＨ ｘ 基のうちの少なくとも一方を含む材料、Ｓｉを主成分とした金属材料、触媒金属材料、又は、カーボンを主成分とした材料を主成分とし、
    前記基板は、前記めっき可能材料部分からなる下地材と、前記下地材上に突設され、前記めっき不可材料部分からなる芯材とを有することを特徴とするハードマスクの形成装置。
  10. ハードマスクの形成装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記ハードマスクの形成装置を制御して請求項１乃至６のいずれか一項記載のハードマスクの形成方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
JP2016198426A 2016-03-31 2016-10-06 ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体 Active JP6762831B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106109563A TWI677902B (zh) 2016-03-31 2017-03-22 硬遮罩之形成方法、硬遮罩之形成裝置及記憶媒體
KR1020170040138A KR102286317B1 (ko) 2016-03-31 2017-03-29 하드 마스크의 형성 방법, 하드 마스크의 형성 장치 및 기억 매체
US15/473,810 US10224202B2 (en) 2016-03-31 2017-03-30 Forming method of hard mask, forming apparatus of hard mask and recording medium
US16/253,380 US11004684B2 (en) 2016-03-31 2019-01-22 Forming method of hard mask

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016071472 2016-03-31
JP2016071472 2016-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017188644A JP2017188644A (ja) 2017-10-12
JP6762831B2 true JP6762831B2 (ja) 2020-09-30

Family

ID=60045806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016198426A Active JP6762831B2 (ja) 2016-03-31 2016-10-06 ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6762831B2 (ja)
KR (1) KR102286317B1 (ja)
TW (1) TWI677902B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752186B (zh) * 2017-03-23 2022-01-11 日商東京威力科創股份有限公司 鍍膜處理方法、鍍膜處理裝置及記憶媒體
KR20200096577A (ko) * 2017-12-06 2020-08-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도금 처리 방법, 도금 처리 장치 및 기억 매체

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043315A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2005015885A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
JP2006041453A (ja) * 2004-06-22 2006-02-09 Ebara Corp 配線形成方法及び配線形成装置
JP2008294335A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法
US9257142B2 (en) * 2008-10-14 2016-02-09 Asahi Kasei E-Materials Corporation Heat-reactive resist material, layered product for thermal lithography using the material, and method of manufacturing a mold using the material and layered product
JP5877705B2 (ja) * 2011-12-27 2016-03-08 旭化成イーマテリアルズ株式会社 微細パターン構造体の製造方法
US8956975B2 (en) * 2013-02-28 2015-02-17 International Business Machines Corporation Electroless plated material formed directly on metal
KR102306612B1 (ko) * 2014-01-31 2021-09-29 램 리써치 코포레이션 진공-통합된 하드마스크 프로세스 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201810374A (zh) 2018-03-16
KR102286317B1 (ko) 2021-08-05
TWI677902B (zh) 2019-11-21
JP2017188644A (ja) 2017-10-12
KR20170113370A (ko) 2017-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6762831B2 (ja) ハードマスクの形成方法、ハードマスクの形成装置及び記憶媒体
JP6786621B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
JP6815828B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
JP6852084B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
JP6903767B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
JP6786622B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
JP6870069B2 (ja) めっき処理方法、めっき処理装置及び記憶媒体
US11004684B2 (en) Forming method of hard mask
WO2018070127A1 (ja) 基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190710

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200814

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200909

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6762831

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250