JP4547016B2 - 半導体製造装置、半導体製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 基板を回転可能に保持する保持機構と、
前記基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、
前記保持機構に保持された前記基板を前記被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、
前記保持機構に保持された前記基板上の前記被処理面と対向する位置で、前記ノズルを前記被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、
前記ノズルによる前記処理液の供給および前記ノズル移動機構による前記ノズルの移動動作を制御する制御部とを具備し、
前記制御部は、
前記ノズルを前記基板の中央部および周縁部の間を移動させつつ前記ノズルから前記処理液を連続的に供給する第1の制御と、
次いで前記ノズルを所定の位置に停止させて前記ノズルから前記処理液を供給させる第2の制御とを実行すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 前記制御部による第2の制御は、前記処理液を前記ノズルから連続的または間欠的に供給させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記制御部による第2の制御は、前記処理液を前記ノズルから間欠的に供給させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記第2の制御による前記ノズルからの前記処理液の供給は、該処理液の供給がない期間よりも供給がある期間の方が長いことを特徴とする請求項3記載の半導体製造装置。
- 前記第2の制御による前記ノズルからの前記処理液の供給は、該処理液の供給がある期間よりも供給がない期間の方が長いことを特徴とする請求項3記載の半導体製造装置。
- 前記第2の制御は、前記ノズルを前記基板の略中央の位置に停止させて前記処理液を供給させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記第2の制御は、前記ノズルを前記基板の略中央から30ないし110mm離間させた位置に停止させて前記処理液を供給させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記第2の制御は、前記ノズルを前記基板の略中央から30ないし70mm離間させた位置に停止させて前記処理液を供給させることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記ノズルは、前記基板の被処理面から45ないし90度の傾斜角をもって前記処理液を供給することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記ノズルは、前記基板の被処理面から50ないし70度の傾斜角をもって前記処理液を供給することを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 基板の被処理面を洗浄する第1の洗浄工程と、
前記第1の洗浄工程で洗浄された前記基板上の前記被処理面の中央部に対向する位置と前記被処理面の縁部に対向する位置との間でノズルを移動させつつ、前記ノズルを通じてめっき液を前記被処理面に連続的に供給する第1のめっき液供給工程と、
前記第1のめっき液供給工程を経た前記基板上の前記被処理面に対向する所定の位置に前記ノズルを停止させた状態で、前記ノズルを通じて前記めっき液を前記被処理面に間欠的に供給する第2のめっき液供給工程と、
前記第1および第2のめっき液供給工程を経た前記基板上の前記被処理面を洗浄する第2の洗浄工程と
を有する半導体製造方法。 - 前記第1のめっき液供給工程による前記ノズルの移動は、前記基板上の前記被処理面の中央部に対向する位置と前記被処理面の縁部に対向する位置との間で、第1の速度での第1の移動と、前記第1の速度より遅い第2の速度での第2の移動とを含むことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記第1のめっき液供給工程による前記ノズルの移動は、前記第1の移動を少なくとも2回以上含むことを特徴とする請求項12記載の半導体製造方法。
- 前記第1の移動は、前記基板上の前記被処理面の中央部に対向する位置から前記被処理面の縁部に対向する位置への第3の速度での移動と、前記被処理面の縁部に対向する位置から前記被処理面の中央部に対向する位置への前記第3の速度よりも速い第4の速度での移動とを含むことを特徴とする請求項12記載の半導体製造方法。
- 前記第2のめっき液供給工程による前記めっき液の間欠的な供給は、前記めっき液の供給がない期間よりも供給がある期間の方が長いことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記第2のめっき液供給工程による前記めっき液の間欠的な供給は、前記めっき液の供給がある期間よりも供給がない期間の方が長いことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記第2のめっき液供給工程による前記めっき液の間欠的な供給は、前記ノズルを前記基板の略中央の位置に停止させた状態で行うことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記第2のめっき液供給工程による前記めっき液の間欠的な供給は、前記ノズルを前記基板の略中央から30ないし110mm離間させた位置に停止させて行うことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記第2のめっき液供給工程による前記めっき液の間欠的な供給は、前記ノズルを前記基板の略中央から30ないし70mm離間させた位置に停止させて行うことを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記ノズルは、前記基板の被処理面から45ないし90度の傾斜角をもって前記めっき液を供給することを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
- 前記ノズルは、前記基板の被処理面から50ないし70度の傾斜角をもって前記めっき液を供給することを特徴とする請求項11記載の半導体製造方法。
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