JP5666419B2 - めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
図1に示すように、めっき処理システム90は、基板W(ここでは、半導体ウエハ)を複数枚(たとえば、25枚)収容するキャリア91を載置し、基板Wを所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室92と、基板Wのめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室93と、を含んでいる。基板搬入出室92と基板処理室93とは、互いに隣接して設けられている。
基板搬入出室92は、キャリア載置部94と、搬送装置95を収容した搬送室96と、基板受渡台97を収容した基板受渡室98とを有している。基板搬入出室92においては、搬送室96と基板受渡室98とが受渡口99を介して連通連結されている。キャリア載置部94には、複数の基板Wを水平状態で収容するキャリア91が複数個載置されている。搬送室96では、基板Wの搬送が行われ、基板受渡室98では、基板処理室93との間で基板Wの受け渡しが行われる。
また基板処理室93は、中央部において前後(図1の左右)に伸延する基板搬送ユニット87と、基板搬送ユニット87の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板Wにめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置20と、を有している。
次に、図2および図3を参照して、めっき処理装置20について説明する。図2は、めっき処理装置20を示す側面図であり、図3は、めっき処理装置20を示す平面図である。
基板保持機構110は、図2および図3に示すように、ケーシング101内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸部材111と、回転軸部材111の上端部に取り付けられたターンテーブル112と、ターンテーブル112の上面外周部に設けられ、基板Wを支持するウエハチャック113と、回転軸部材111に連結され、回転軸部材111を回転駆動する回転機構162と、を有している。
次に、基板Wに向けてめっき液などを吐出する吐出機構21について説明する。吐出機構21は、基板Wに向けてCoPめっき液などの化学還元タイプのめっき液を吐出する第1吐出ノズル45を含んでいる。化学還元タイプのめっき液は、めっき液供給機構30から第1吐出ノズル45に供給される。なお、図2では1つの第1吐出ノズル45のみを示しているが、この第1吐出ノズル45に加えて、基板Wに向けてCoPめっき液などの化学還元タイプのめっき液を吐出する他の吐出ノズル(追加の吐出ノズル)が設けられていても良い。
次に、吐出機構21の第1吐出ノズル45に、CoPめっき液などの化学還元タイプのめっき液を供給するめっき液供給機構30について説明する。図4は、めっき処理装置20におけるめっき液および加熱用ガスGの流れを示す概略図である。
ガス供給機構170は、上述したように、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGを加熱して、基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給するものである。このようなガス供給機構170は、図4に示すように、加熱用ガスGを貯留するガス供給タンク181と、ガス供給タンク181に貯留された加熱用ガスGをガス供給路178へ供給するガス供給管182とを有している。ガス供給タンク181には、加熱用ガスGを加熱温調するガス温調ユニット183が接続されており、これにより加熱用ガスGが所定の温度に加熱されるようになっている。
次に、基板Wから飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構140について、図2を参照して説明する。
本実施の形態において、めっき処理システム90およびめっき処理装置20は、記憶媒体161に記録されためっき処理プログラムに従って、基板Wにめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、はじめに、一のめっき処理装置20で基板WにPdめっき処理を置換めっきにより施し、その後、Coめっき処理を化学還元めっきにより施す方法について、図5を参照して説明する。
まず、基板搬送ユニット87の基板搬送装置88を用いて、1枚の基板Wを基板受渡室98から一のめっき処理装置20に搬入する。
次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程が実行される(S301)。はじめに、リンス処理液供給機構78のバルブ78aが開かれ、これによって、リンス処理液が基板Wの表面に第2吐出ノズル70の吐出口72を介して供給される。
次に、Pdめっき工程が実行される(S302)。このPdめっき工程S302は、前洗浄工程後の基板Wが乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。このように、基板Wが乾燥していない状態で置換めっき処理工程を実行することで、基板Wの被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなることを防止することができる。
次に、Coめっき工程に先立って実施される前処理として、例えばリンス処理工程が実行される(S303)。このリンス処理工程S303においては、前処理液として例えばリンス処理液が基板Wの表面に供給される。なお、このリンス処理工程の後、薬液処理により基板Wを洗浄処理し、その後当該薬液を洗浄するためにリンス処理液を用いてリンス処理を行っても良い。
その後、上述の工程S301〜303が実行されたのと同一のめっき処理装置20において、Coめっき工程が実行される(S304)。このCoめっき工程S304は、化学還元めっき処理工程として実行される。
次に、Coめっき処理が施された基板Wの表面に対して、リンス処理、後洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程S305が実行される。この洗浄工程S305は、上述の洗浄工程S301と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
その後、基板Wを乾燥させる乾燥工程が実行される(S306)。例えば、ターンテーブル112を回転させることにより、基板Wに付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板Wが乾燥される。すなわち、ターンテーブル112が、基板Wの表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。
このように、本実施の形態によれば、上述のように、空気より比熱容量が高い加熱用ガスG(例えば水蒸気)を加熱して基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給するので、基板Wを効率的に加熱することができ、めっき液35によるめっき層の成長を基板Wの面内で均一にすることができる。また、液排出機構140から排出されるめっき液に水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することができる。
以下、本実施の形態の各変形例について説明する。
21 吐出機構
30 めっき液供給機構
90 めっき処理システム
110 基板保持機構
151 トッププレート
160 制御機構
170 ガス供給機構
Claims (19)
- 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、
前記吐出機構に接続され、前記吐出機構に前記めっき液を供給するめっき液供給機構と、
空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給するガス供給機構と、
少なくとも前記吐出機構、前記めっき液供給機構および前記ガス供給機構を制御する制御機構とを備え、
前記加熱用ガスは、水蒸気からなることを特徴とするめっき処理装置。 - 前記ガス供給機構は、前記基板の裏面側から前記加熱用ガスを供給することを特徴とする請求項1記載のめっき処理装置。
- 前記基板保持機構は、前記基板の裏面側に前記基板から間隙を空けて配置されたバックプレートを有し、前記ガス供給機構は、前記バックプレートに設けられた供給部から前記基板の裏面側に前記加熱用ガスを供給することを特徴とする請求項2記載のめっき処理装置。
- 前記ガス供給機構は、前記基板の表面側から前記加熱用ガスを供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載のめっき処理装置。
- 前記基板の表面側にガスノズルが設けられ、前記ガス供給機構は、前記ガスノズルから前記基板の表面側に前記加熱用ガスを供給することを特徴とする請求項4記載のめっき処理装置。
- 前記ガス供給機構は、前記加熱用ガスを貯留するガス供給タンクを有し、前記加熱用ガスは、前記ガス供給タンクから供給されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載のめっき処理装置。
- 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、
前記吐出機構に接続され、前記吐出機構に前記めっき液を供給するめっき液供給機構と、
空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給するガス供給機構と、
少なくとも前記吐出機構、前記めっき液供給機構および前記ガス供給機構を制御する制御機構とを備え、
前記めっき液供給機構は、前記めっき液を貯留するめっき液供給タンクを有し、前記加熱用ガスは、前記めっき液供給タンクから供給されることを特徴とするめっき処理装置。 - 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、
前記吐出機構に接続され、前記吐出機構に前記めっき液を供給するめっき液供給機構と、
空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給するガス供給機構と、
少なくとも前記吐出機構、前記めっき液供給機構および前記ガス供給機構を制御する制御機構とを備え、
前記めっき液供給機構は、前記めっき液を貯留するめっき液供給タンクと、前記めっき液供給タンクの前記めっき液を前記吐出機構へ供給する供給管とを有し、
前記供給管に、前記吐出機構へ向かう前記めっき液を加熱温調する加熱手段が取り付けられ、
前記加熱手段は、伝熱媒体を加熱する温度媒体供給手段と、前記供給管に取り付けられ、前記温度媒体供給手段からの前記伝熱媒体の熱を前記供給管内の前記めっき液に伝導させる温調配管とを有し、
前記加熱用ガスは、前記温度媒体供給手段から供給されることを特徴とするめっき処理装置。 - 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて前記めっき液を吐出する吐出機構と、
前記吐出機構に接続され、前記吐出機構に前記めっき液を供給するめっき液供給機構と、
空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給するガス供給機構と、
少なくとも前記吐出機構、前記めっき液供給機構および前記ガス供給機構を制御する制御機構とを備え、
前記ガス供給機構に追加のガス供給ユニットが接続され、前記追加のガス供給ユニットは、前記めっき液に含まれる成分のうちの少なくとも一つを前記加熱用ガスに供給し、これら前記加熱用ガスと前記めっき液に含まれる成分との混合ガスが、前記基板に供給されることを特徴とするめっき処理装置。 - 前記ガス供給機構に追加のガス供給ユニットが接続され、前記追加のガス供給ユニットは、不活性ガスを前記加熱用ガスに供給し、これら前記加熱用ガスと前記不活性ガスとの混合ガスが、前記基板に供給されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載のめっき処理装置。
- 前記基板保持機構に保持された前記基板の上方に、前記基板の表面側を覆うトッププレートが設けられ、前記加熱用ガスが、前記基板と前記トッププレートとの間に滞留するようにしたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項記載のめっき処理装置。
- 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程とを備え、
前記めっき工程において、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給し、
前記加熱用ガスは、水蒸気からなることを特徴とするめっき処理方法。 - 前記加熱用ガスは、前記基板の裏面側から供給されることを特徴とする請求項12記載のめっき処理方法。
- 前記加熱用ガスは、前記基板の表面側から供給されることを特徴とする請求項12または13記載のめっき処理方法。
- 前記めっき工程において、前記吐出機構から前記めっき液を吐出するのと同時に、前記加熱用ガスを前記基板に向けて供給することを特徴とする請求項12乃至14のいずれか一項記載のめっき処理方法。
- 前記めっき工程において、前記吐出機構から前記めっき液を吐出するより前に、前記加熱用ガスを前記基板に向けて供給することを特徴とする請求項12乃至14のいずれか一項記載のめっき処理方法。
- 前記めっき工程において、不活性ガスが前記加熱用ガスに供給され、前記加熱用ガスと前記不活性ガスとの混合ガスが前記基板に供給されることを特徴とする請求項16記載のめっき処理方法。
- 基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程とを備え、
前記めっき工程において、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給し、
前記めっき工程において、前記めっき液に含まれる成分のうちの少なくとも一つが前記加熱用ガスに供給され、前記加熱用ガスと前記めっき液に含まれる成分との混合ガスが前記基板に供給されることを特徴とするめっき処理方法。 - めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
基板保持機構によって前記基板を保持する保持工程と、
前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて吐出機構から前記めっき液を吐出するめっき工程とを備え、
前記めっき工程において、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して前記基板保持機構に保持された前記基板に向けて供給し、
前記加熱用ガスは、水蒸気からなる、方法からなっていることを特徴とする記憶媒体。
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