KR20190025034A

KR20190025034A - 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20190025034A
Application number: KR1020197005404A
Authority: KR
Inventors: 유이치로 이나토미; 타카시 타나까; 미츠아키 이와시타
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-11-28
Filing date: 2012-11-12
Publication date: 2019-03-08
Also published as: US9487865B2; JP2013112843A; JP5666419B2; WO2013080778A1; TW201339363A; US20140356539A1; TWI576463B; KR20140100481A

Abstract

도금 처리 장치(20)는, 기판(W)을 보지하는 기판 보지 기구(110)와, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 도금액(35)을 토출하는 토출 기구(21)와, 토출 기구(21)에 접속되고, 토출 기구(21)로 도금액(35)을 공급하는 도금액 공급 기구(30)와, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스(G)를 가열하여 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 공급하는 가스 공급 기구(170)와, 기판 보지 기구(110)의 주위에 설치되고, 도금액(35)을 배출하는 배출구(124, 129, 134)를 가지는 컵(105)과, 적어도 토출 기구(21), 도금액 공급 기구(30) 및 가스 공급 기구(170)를 제어하는 제어 기구(160)를 구비하고 있다. 제어 기구(160)는 기판(W)을 향해 토출 기구(21)로부터 도금액(35)이 토출되고 있는 동안, 기판(W)을 향해 가열용 가스(G)를 공급하도록 가스 공급 기구(170)를 제어한다. 도금액(35)과 가열용 가스(G)가 공급되고 있는 동안, 배출구(124, 129, 134)로부터 도금액(35)만이 배출된다.

Description

도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체{PLATING APPARATUS, PLATING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 기판의 표면에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판 등의 기판에는, 표면에 회로를 형성하기 위한 배선이 형성되어 있다. 이 배선은 알루미늄 소재 대신에, 전기 저항이 낮고 신뢰성이 높은 구리 소재에 의한 것이 이용되도록 되고 있다. 그러나, 구리는 알루미늄과 비교하여 쉽게 산화되므로, 구리 배선 표면의 산화를 방지하기 위하여, 높은 일렉트로마이그레이션 내성을 가지는 금속에 의해 도금 처리하는 것이 요망된다.

도금 처리는, 예를 들면 구리 배선이 형성된 기판의 표면에 무전해 도금액을 공급함으로써 행해진다. 이러한 무전해 도금 처리는, 매엽 처리 장치로 행하는 것이 일반적이다(일본특허공개공보 2009-249679호 참조).

일본특허공개공보 2009-249679호

그런데, 도금 처리 중에는 기판의 온도 제어를 행하는 것이 필요해진다. 이와 같이 기판의 온도 제어를 행할 경우, 고온으로 가열한 도금액을 기판에 대하여 공급하는 것 외에, 기판의 이면에 이면 온도 조절수를 공급하여 가열하는 것이 행해지고 있다. 그러나, 이면 온도 조절수를 사용할 경우, 도금 처리 중 및 도금 처리 후에 발생하는 폐액에, 도금액과 이면 온도 조절수가 양방 혼합되어 버린다. 일반적으로, 도금액은 고가이기 때문에, 폐액으로부터 도금액을 분리하여 재이용하는 것이 요망된다. 그러나, 폐액에 도금액과 이면 온도 조절수가 양방 혼합되어 버리면, 폐액으로부터 도금액을 분리하여, 도금액을 재이용하는 것이 어려워질 우려가 있다.

본 발명은, 이러한 점을 고려하여 이루어진 것이며, 기판을 효율적으로 가열할 수 있고, 또한 배출되는 도금액에 온도 조절수 등이 혼합되는 것을 방지하여, 도금액을 용이하게 재이용하는 것이 가능해지는 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체를 제공한다.

본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 장치는, 기판에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치에 있어서, 상기 기판을 보지(保持)하는 기판 보지 기구와, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하는 토출 기구와, 상기 토출 기구에 접속되고, 상기 토출 기구로 상기 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구와, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 기판 보지 기구의 주위에 설치되고, 상기 도금액을 배출하는 배출구를 가지는 컵과, 적어도 상기 토출 기구, 상기 도금액 공급 기구 및 상기 가스 공급 기구를 제어하는 제어 기구를 구비하고, 상기 제어 기구는, 상기 기판을 향해 상기 토출 기구로부터 상기 도금액이 토출되고 있는 동안, 상기 기판을 향해 상기 가열용 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 기구를 제어하고, 상기 도금액과 상기 가열용 가스가 공급되고 있는 동안, 상기 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 방법은, 기판에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 방법에 있어서, 기판 보지 기구에 의해 상기 기판을 보지하는 보지 공정과, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 토출 기구로부터 상기 도금액을 토출하는 도금 공정을 구비하고, 상기 도금 공정에 있어서, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하고 있는 동안, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판을 향해 공급하고, 또한 상기 기판 보지 기구의 주위에 설치된 상기 도금액을 배출하는 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 일실시예에 따른 기억 매체는, 도금 처리 장치에 도금 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 상기 도금 처리 방법은, 기판 보지 기구에 의해 기판을 보지하는 보지 공정과, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 토출 기구로부터 도금액을 토출하는 도금 공정을 구비하고, 상기 도금 공정에 있어서, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하고 있는 동안, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판을 향해 공급하고, 또한 상기 기판 보지 기구의 주위에 설치된 상기 도금액을 배출하는 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 방법으로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 기판 보지 기구에 보지된 기판을 향해 공급하므로, 기판을 효율적으로 가열할 수 있고, 또한 배출되는 도금액에 온도 조절수 등이 혼합되는 것을 방지하여, 도금액을 용이하게 재이용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 시스템의 전체 구성을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 장치를 도시한 측면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 도금 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 장치에서의 도금액 및 가열용 가스의 흐름을 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도금 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6은 도금 처리 장치의 변형예를 도시한 개략도이다.
도 7은 도금 처리 장치의 변형예를 도시한 개략도이다.
도 8은 도금 처리 장치의 변형예를 도시한 개략도이다.

이하, 도 1 ~ 도 8을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 대하여 설명한다. 우선 도 1에 따라, 본 실시예에서의 도금 처리 시스템(90)의 전체 구성에 대하여 설명한다.

(도금 처리 시스템)

도 1에 도시한 바와 같이, 도금 처리 시스템(90)은 기판(W)(여기서는, 반도체 웨이퍼)을 복수 매(예를 들면, 25 매) 수용하는 캐리어(91)를 재치(載置)하고, 기판(W)을 소정 매수씩 반입 및 반출하기 위한 기판 반입출실(92)과, 기판(W)의 도금 처리 또는 세정 처리 등의 각종의 처리를 행하기 위한 기판 처리실(93)을 포함하고 있다. 기판 반입출실(92)과 기판 처리실(93)은 서로 인접하여 설치되어 있다.

(기판 반입출실)

기판 반입출실(92)은 캐리어 재치부(94)와, 반송 장치(95)를 수용한 반송실(96)과, 기판 전달대(97)를 수용한 기판 전달실(98)을 가지고 있다. 기판 반입출실(92)에서는 반송실(96)과 기판 전달실(98)이 전달구(99)를 개재하여 연통 연결되어 있다. 캐리어 재치부(94)에는, 복수의 기판(W)을 수평 상태로 수용하는 캐리어(91)가 복수 개 재치되어 있다. 반송실(96)에서는 기판(W)의 반송이 행해지고, 기판 전달실(98)에서는 기판 처리실(93)과의 사이에서 기판(W)의 전달이 행해진다.

이러한 기판 반입출실(92)에서는, 캐리어 재치부(94)에 재치된 어느 1 개의 캐리어(91)와 기판 전달대(97)의 사이에서, 반송 장치(95)에 의해 기판(W)이 소정 매수씩 반송된다.

(기판 처리실)

또한 기판 처리실(93)은, 중앙부에서 전후(도 1의 좌우)로 연장되는 기판 반송 유닛(87)과, 기판 반송 유닛(87)의 일방측 및 타방측에서 전후로 나란히 배치되고, 기판(W)에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 복수의 도금 처리 장치(20)를 가지고 있다.

이 중 기판 반송 유닛(87)은, 전후 방향으로 이동 가능하게 구성한 기판 반송 장치(88)를 포함하고 있다. 또한 기판 반송 유닛(87)은, 기판 전달실(98)의 기판 전달대(97)에 기판 반입 출구(89)를 개재하여 연통하고 있다.

이러한 기판 처리실(93)에서는, 각 도금 처리 장치(20)에 대하여, 기판 반송 유닛(87)의 기판 반송 장치(88)에 의해, 기판(W)이 1 매씩 수평으로 보지된 상태로 반송된다. 그리고, 각 도금 처리 장치(20)에서 기판(W)이 1 매씩 세정 처리 및 도금 처리된다.

각 도금 처리 장치(20)는 이용되는 도금액 등이 상이할 뿐이며, 그 외의 점은 대략 동일한 구성으로 되어 있다. 이 때문에 이하의 설명에서는, 복수의 도금 처리 장치(20) 중 하나의 도금 처리 장치(20)의 구성에 대하여 설명한다.

(도금 처리 장치)

이어서 도 2 및 도 3을 참조하여, 도금 처리 장치(20)에 대하여 설명한다. 도 2는 도금 처리 장치(20)를 도시한 측면도이며, 도 3은 도금 처리 장치(20)를 도시한 평면도이다.

도금 처리 장치(20)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 케이싱(101)의 내부에서 기판(W)을 보지하여 회전시키는 기판 보지 기구(110)와, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)의 표면을 향해 도금액을 토출하는 토출 기구(21)와, 토출 기구(21)에 접속되고, 토출 기구(21)로 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구(30)를 구비하고 있다.

이 중 기판 보지 기구(110)의 주위에는, 기판(W)으로부터 비산한 도금액 등을 배출하는 액 배출 기구(140)가 배치되어 있다. 또한 기판 보지 기구(110)에는, 가열용 가스(G)를 가열하여 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 공급하는 가스 공급 기구(170)가 접속되어 있다. 또한 기판 보지 기구(110), 토출 기구(21), 도금액 공급 기구(30), 액 배출 기구(140) 및 가스 공급 기구(170)를 제어하는 제어 기구(160)가 설치되어 있다.

(기판 보지 기구)

기판 보지 기구(110)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 케이싱(101) 내에서 상하로 연장되는 중공 원통 형상의 회전축 부재(111)와, 회전축 부재(111)의 상단부에 장착된 턴테이블(112)과, 턴테이블(112)의 상면 외주부에 설치되고, 기판(W)을 지지하는 웨이퍼 척(113)과, 회전축 부재(111)에 연결되고, 회전축 부재(111)를 회전 구동하는 회전 기구(162)를 가지고 있다.

이 중 회전 기구(162)는 제어 기구(160)에 의해 제어되고, 회전축 부재(111)를 회전 구동시키고, 이에 의해, 웨이퍼 척(113)에 의해 지지되어 있는 기판(W)이 회전된다. 이 경우, 제어 기구(160)는 회전 기구(162)를 제어함으로써, 회전축 부재(111) 및 웨이퍼 척(113)을 회전시키고, 혹은 정지시킬 수 있다. 또한, 제어 기구(160)는 회전축 부재(111) 및 웨이퍼 척(113)의 회전수를 상승시키고, 하강시키고, 혹은 일정값으로 유지시키도록 제어하는 것이 가능하다.

또한, 기판(W)의 이면측으로서 턴테이블(112)의 상방에, 기판(W)으로부터 간극(S)을 두고 백 플레이트(171)가 배치되어 있다. 백 플레이트(171)는, 웨이퍼 척(113)에 보지된 기판(W)의 이면에 대향하고, 웨이퍼 척(113)에 보지된 기판(W)과 턴테이블(112)의 사이에 배치되어 있다. 백 플레이트(171)는 회전축 부재(111)의 축심을 관통하는 샤프트(172)에 연결 고정되어 있다. 또한, 백 플레이트(171)는 히터를 내장하고 있어도 된다. 또한 샤프트(172)의 하단부에는, 에어 실린더 등의 승강 기구(179)가 연결되어 있다. 즉, 백 플레이트(171)는 승강 기구(179) 및 샤프트(172)에 의해, 웨이퍼 척(113)으로 보지된 기판(W)과 턴테이블(112)의 사이를 승강하도록 구성되어 있다.

백 플레이트(171) 내에는, 그 표면에 형성된 복수의 개구(173)에 연통하는 제 1 유로(174)가 형성되어 있고, 이 제 1 유로(174)와 샤프트(172)의 축심을 관통하는 유체 공급로(175)가 연통하고 있다. 이 유체 공급로(175)는, 밸브(146)를 개재하여 기판(W)의 이면으로 처리액을 공급하는 이면 처리액 공급 기구(145)에 접속되어 있다.

또한 백 플레이트(171)는, 그 표면에 형성된 개구(공급부))(176)와, 백 플레이트(171) 내부에 형성된 제 2 유로(177)를 가지고 있다. 이 중 제 2 유로(177)는 개구(176)에 연통하고, 또한 샤프트(172)를 상하로 관통하는 가스 공급로(178)에 연통하고 있다. 이 가스 공급로(178)는, 후술하는 가스 공급 기구(170)에 밸브(188)를 개재하여 접속되어 있다. 즉 백 플레이트(171)는, 가열된 가열용 가스(G)를 기판(W)의 이면을 향해 공급하는 작용을 가진다.

또한 도 2에서, 백 플레이트(171)의 개구(176)는, 기판(W)의 온도가 면내에서 균일하게 되도록, 백 플레이트(171)의 중심과 백 플레이트(171)의 주연의 사이에 설치되어 있는데, 이에 한정되는 것은 아니다. 백 플레이트(171)의 개구(176)는 백 플레이트(171)의 중심에 형성되어 있어도 되고, 혹은 백 플레이트(171)의 주연에 형성되어 있어도 된다.

(토출 기구)

이어서, 기판(W)을 향해 도금액 등을 토출하는 토출 기구(21)에 대하여 설명한다. 토출 기구(21)는, 기판(W)을 향해 CoP 도금액 등의 화학 환원 타입의 도금액을 토출하는 제 1 토출 노즐(45)을 포함하고 있다. 화학 환원 타입의 도금액은 도금액 공급 기구(30)로부터 제 1 토출 노즐(45)로 공급된다. 또한 도 2에서는 1 개의 제 1 토출 노즐(45)만을 도시하고 있지만, 이 제 1 토출 노즐(45)과 함께, 기판(W)을 향해 CoP 도금액 등의 화학 환원 타입의 도금액을 토출하는 다른 토출 노즐(추가의 토출 노즐)이 설치되어 있어도 된다.

또한 토출 기구(21)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 토출구(71) 및 토출구(72)를 포함하는 제 2 토출 노즐(70)을 더 가지고 있어도 된다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제 2 토출 노즐(70)은 암(74)의 선단부에 장착되어 있고, 이 암(74)은 상하 방향으로 연신 가능하고, 또한 회전 기구(165)에 의해 회전 구동되는 지지축(73)에 고정되어 있다.

제 2 토출 노즐(70)에서 토출구(71)는, 치환 타입의 도금액, 예를 들면 Pd 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구(76)에 밸브(76a)를 개재하여 접속되어 있다. 또한 토출구(72)는, 세정 처리액을 공급하는 세정 처리액 공급 기구(77)에 밸브(77a)를 개재하여 접속되어 있다. 이러한 제 2 토출 노즐(70)을 설치함으로써 하나의 도금 처리 장치(20) 내에서, 화학 환원 타입의 도금액에 의한 도금 처리뿐 아니라, 치환 타입의 도금액에 의한 도금 처리 및 세정 처리를 실시하는 것이 가능해진다.

또한 도 2에 도시한 바와 같이, 제 2 토출 노즐(70)의 토출구(72)에, 도금 처리에 앞서 실시되는 전처리를 위한 전처리액, 예를 들면 순수 등의 린스 처리액을 공급하는 린스 처리액 공급 기구(78)가 밸브(78a)를 개재하여 더 접속되어 있어도 된다. 이 경우, 밸브(77a) 및 밸브(78a)의 개폐를 적절히 제어함으로써, 제 2 토출 노즐(70)로부터, 세정 처리액 또는 린스 처리액 중 어느 하나가 선택적으로 기판(W)에 토출된다.

이어서 제 1 토출 노즐(45)에 대하여 설명한다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제 1 토출 노즐(45)은 토출구(46)를 포함하고 있다. 또한 제 1 토출 노즐(45)은 암(49)의 선단부에 장착되어 있고, 이 암(49)은 기판(W)의 반경 방향(도 2 및 도 3에서 화살표(D)에 의해 나타낸 방향)에서 진퇴 가능하게 되도록 구성되어 있다. 이 때문에, 제 1 토출 노즐(45)은, 기판(W)의 중심부에 근접하는 중심 위치와, 중심 위치보다 주연측에 있는 주연 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다.

(도금액 공급 기구)

이어서, 토출 기구(21)의 제 1 토출 노즐(45)로, CoP 도금액 등의 화학 환원 타입의 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구(30)에 대하여 설명한다. 도 4는, 도금 처리 장치(20)에서의 도금액 및 가열용 가스(G)의 흐름을 도시한 개략도이다.

도 4에 도시한 바와 같이, 도금액 공급 기구(30)는, 도금액(35)을 저류하는 도금액 공급 탱크(31)와, 도금액 공급 탱크(31)의 도금액(35)을 토출 기구(21)의 제 1 토출 노즐(45)로 공급하는 공급관(33)을 가지고 있다.

또한 도 4에 도시한 바와 같이, 도금액 공급 탱크(31)에는, 도금액(35)을 저류 온도로 가열하는 탱크용 가열 수단(50)이 장착되어 있다. 또한, 탱크용 가열 수단(50)과 제 1 토출 노즐(45)의 사이에서, 공급관(33)에, 토출 기구(21)의 제 1 토출 노즐(45)을 향하는 도금액(35)을 저류 온도보다 고온의 토출 온도로 가열 온도 조절하는 가열 수단(60)이 장착되어 있다.

도금액 공급 탱크(31)에는, 도금액(35)의 각종의 성분이 저장되어 있는 복수의 약액 공급원(도시하지 않음)으로부터 각종 약액이 공급되어 있다. 예를 들면, Co 이온을 포함하는 CoSO4 금속염, 환원제(예를 들면, 차아인산 등), 암모니아 및 첨가제 등의 약액이 공급되어 있다. 이 때, 도금액 공급 탱크(31) 내에 저류되는 도금액(35)의 성분이 적절히 조정되도록, 각종 약액의 유량이 조정되어 있다.

또한 도 4에 도시한 바와 같이, 가열 수단(60)은, 탱크용 가열 수단(50)에 의해 저류 온도까지 가열된 도금액(35)을, 토출 온도까지 더 가열하기 위한 것이다. 이 가열 수단(60)은, 온도 조절수 등의 전열 매체(66)를 토출 온도 또는 토출 온도보다 높은 온도로 가열하는 온도 매체 공급 수단(61)과, 공급관(33)에 장착되고, 온도 매체 공급 수단(61)으로부터의 전열 매체(66)의 열을 공급관(33) 내의 도금액(35)에 전도시킴으로써 온도 조절하는 온도 조절 배관(65)을 가지고 있다.

(가스 공급 기구)

가스 공급 기구(170)는, 상술한 바와 같이, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스(G)를 가열하여, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 공급하는 것이다. 이러한 가스 공급 기구(170)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 가열용 가스(G)를 저류하는 가스 공급 탱크(181)와, 가스 공급 탱크(181)에 저류된 가열용 가스(G)를 가스 공급로(178)로 공급하는 가스 공급관(182)을 가지고 있다. 가스 공급 탱크(181)에는, 가열용 가스(G)를 가열 온도 조절하는 가스 온도 조절 유닛(183)이 접속되어 있고, 이에 의해 가열용 가스(G)가 소정의 온도로 가열되도록 되어 있다.

이러한 가열용 가스(G)는, 공기(비열 용량 1.0(J/g·K))보다 비열 용량이 높은 것이며, 구체적으로, 예를 들면 수증기(비열 용량 2.1(J/g·K)) 및 헬륨(비열 용량 5.2(J/g·K))을 들 수 있다. 이 중 수증기를 이용하는 것이 코스트 등의 관점에서 바람직하다.

가열용 가스(G)로서 수증기가 이용될 경우, 가스 공급로(178)로 공급되는 가열용 가스(G)는, 반드시 가스 공급 탱크(181)로부터 공급되는 것에 한정되지 않는다. 도 4에 도시한 바와 같이, 가스 공급관(185)을 개재하여 가스 공급로(178)와 가열 수단(60)의 온도 매체 공급 수단(61)을 연결하고, 온도 매체 공급 수단(61)의 기상으로 존재하는 수증기를 가스 공급로(178)로 공급해도 된다. 또한, 가스 공급관(184)을 개재하여 가스 공급로(178)와 도금액 공급 기구(30)의 도금액 공급 탱크(31)를 연결하고, 도금액 공급 탱크(31)의 기상으로 존재하는 수증기를 가스 공급로(178) 중의 가열용 가스(G)로 공급해도 된다. 이 경우, 온도 매체 공급 수단(61)으로부터의 수증기, 도금액 공급 탱크(31)로부터의 수증기, 및 가스 공급 탱크(181)로부터의 수증기 중 어느 1 개 또는 2 개를 이용해도 되고, 이들 모두 병용해도 된다.

또한 도 4에 도시한 바와 같이, 추가의 가스 공급 유닛(187)을 설치하고, 가스 공급관(186)을 개재하여 가스 공급 기구(170)의 가스 공급로(178)와 추가의 가스 공급 유닛(187)을 접속해도 된다. 이 경우, 추가의 가스 공급 유닛(187)은, 도금액(35)에 포함되는 성분 중 적어도 하나(예를 들면 암모니아)의 가스를 가스 공급로(178) 중의 가열용 가스(G)에 공급하고, 이들 혼합 가스를 기판(W)으로 공급해도 된다. 또한, 도금액 공급 탱크(31)의 기상으로 존재하는 도금액(35)의 성분(예를 들면 암모니아)을, 가스 공급관(184)을 거쳐 가스 공급로(178) 중의 가열용 가스(G)에 공급하고, 이들 혼합 가스를 기판(W)으로 공급해도 된다. 또한 이 경우, 추가의 가스 공급 유닛(187)으로부터의 성분을 단독으로 이용해도 되고, 도금액 공급 탱크(31)로부터의 성분을 단독으로 이용해도 되고, 추가의 가스 공급 유닛(187)으로부터의 성분과 도금액 공급 탱크(31)로부터의 성분을 병용해도 된다. 이와 같이, 도금액(35)의 성분을 기판(W)을 향해 공급함으로써, 도금 처리 중에 당해 성분이 도금액(35)으로부터 휘발하는 것을 방지하고, 또는 도금 처리 중에 도금액(35)으로부터 휘발하는 당해 성분을 도금액(35)에 대하여 보충할 수 있다.

(액 배출 기구)

이어서, 기판(W)으로부터 비산한 도금액 또는 세정액 등을 배출하는 액 배출 기구(140)에 대하여, 도 2를 참조하여 설명한다.

액 배출 기구(140)는 기판 보지 기구(110)의 주위에 설치되고, 배출구(124, 129, 134)를 가지는 컵(105)과, 컵(105)에 연결되고, 컵(105)을 상하 방향으로 승강 구동시키는 승강 기구(164)와, 컵(105)에 접속되고, 기판(W)으로부터 비산한 도금액 등을 각각 배출구(124, 129, 134)에 모아 배출하는 액 배출로(120, 125, 130)를 가지고 있다.

이 경우, 기판(W)으로부터 비산한 처리액은, 액의 종류별로 배출구(124, 129, 134)를 거쳐 액 배출로(120, 125, 130)에 의해 배출된다. 예를 들면, 기판(W)으로부터 비산한 CoP 도금액은, 도금액 배출로(120)로부터 배출되고, 기판(W)으로부터 비산한 Pd 도금액은, 도금액 배출로(125)로부터 배출되고, 기판(W)으로부터 비산한 세정액 및 린스 처리액은, 처리액 배출로(130)로부터 배출된다. 이와 같이 하여 배출된 CoP 도금액 및 Pd 도금액은 각각 회수된 후, 재이용되어도 된다.

이상과 같이 구성되는 도금 처리 장치(20)를 복수 포함하는 도금 처리 시스템(90)은, 제어 기구(160)에 설치한 기억 매체(161)에 기록된 각종의 프로그램에 따라 제어 기구(160)에 의해 구동 제어되고, 이에 의해 기판(W)에 대한 다양한 처리가 행해진다. 여기서 기억 매체(161)는, 각종의 설정 데이터 또는 후술하는 도금 처리 프로그램 등의 각종의 프로그램을 저장하고 있다. 기억 매체(161)로서는, 컴퓨터로 판독 가능한 ROM 또는 RAM 등의 메모리, 또는 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM 또는 플렉시블 디스크 등의 디스크 형상 기억 매체 등의 공지의 것이 사용될 수 있다.

(도금 처리 방법)

본 실시예에서, 도금 처리 시스템(90) 및 도금 처리 장치(20)는, 기억 매체(161)에 기록된 도금 처리 프로그램에 따라, 기판(W)에 도금 처리를 실시하도록 구동 제어된다. 이하의 설명에서는, 먼저, 하나의 도금 처리 장치(20)에서 기판(W)에 Pd 도금 처리를 치환 도금에 의해 실시하고, 이 후, Co 도금 처리를 화학 환원 도금에 의해 실시하는 방법에 대하여, 도 5를 참조하여 설명한다.

(기판 보지 공정)

우선, 기판 반송 유닛(87)의 기판 반송 장치(88)를 이용하여, 1 매의 기판(W)을 기판 전달실(98)로부터 하나의 도금 처리 장치(20)로 반입한다.

도금 처리 장치(20)에서는, 먼저 컵(105)이 소정 위치까지 강하되고, 이어서 반입된 기판(W)이 기판 보지 기구(110)의 웨이퍼 척(113)에 의해 보지된다(기판 보지 공정(S300)). 이 후, 액 배출 기구(140)의 배출구(134)와 기판(W)의 외주 가장자리가 대향하는 위치까지 컵(105)이 승강 기구(164)에 의해 상승된다.

(세정 공정)

이어서, 린스 처리, 전세정 처리 및 그 후의 린스 처리로 이루어지는 세정 공정이 실행된다(S301). 먼저, 린스 처리액 공급 기구(78)의 밸브(78a)가 열리고, 이에 의해, 린스 처리액이 기판(W)의 표면에 제 2 토출 노즐(70)의 토출구(72)를 거쳐 공급된다.

이어서, 전세정 처리가 실행된다. 먼저, 세정 처리액 공급 기구(77)의 밸브(77a)가 열리고, 이에 의해, 세정 처리액이 기판(W)의 표면에 제 2 토출 노즐(70)의 토출구(72)를 거쳐 공급된다. 또한, 세정 처리액으로서는 예를 들면 사과산을 이용할 수 있고, 린스 처리액으로서는 예를 들면 순수를 이용할 수 있다. 이 후, 상술한 경우와 마찬가지로 하여, 린스 처리액이 기판(W)의 표면에 제 2 토출 노즐(70)의 토출구(72)를 거쳐 공급된다. 처리 후의 린스 처리액 또는 세정 처리액은, 컵(105)의 배출구(134) 및 처리액 배출로(130)를 거쳐 폐기된다. 또한 세정 공정(S301) 및 이하의 각 공정 모두에서, 특별히 언급하지 않는 한, 기판(W)은 기판 보지 기구(110)에 의해 제 1 회전 방향(R1)(도 3)으로 회전되고 있다.

(Pd 도금 공정)

이어서, Pd 도금 공정이 실행된다(S302). 이 Pd 도금 공정(S302)은, 세정 공정 후의 기판(W)이 건조되지 않은 상태의 동안에, 치환 도금 처리 공정으로서 실행된다. 이와 같이, 기판(W)이 건조되지 않은 상태에서 치환 도금 처리 공정을 실행함으로써, 기판(W)의 피도금면의 구리 등이 산화되어 양호하게 치환 도금 처리할 수 없게 되는 것을 방지할 수 있다.

Pd 도금 공정에서는, 먼저, 액 배출 기구(140)의 배출구(129)와 기판(W)의 외주 가장자리가 대향하는 위치까지 컵(105)을 승강 기구(164)에 의해 하강시킨다. 이어서, 도금액 공급 기구(76)의 밸브(76a)가 열리고, 이에 의해, Pd를 포함하는 도금액이, 기판(W)의 표면에 제 2 토출 노즐(70)의 토출구(71)를 거쳐 원하는 유량으로 토출된다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 표면에 Pd 도금이 실시된다. 처리 후의 도금액은, 컵(105)의 배출구(129)로부터 배출된다. 배출구(129)로부터 배출된 도금액은, 액 배출로(125)를 거쳐, 회수되어 재이용되거나, 혹은 폐기된다.

(린스 처리 공정)

이어서, Co 도금 공정에 앞서 실시되는 전처리로서, 예를 들면 린스 처리 공정이 실행된다(S303). 이 린스 처리 공정(S303)에서는, 전처리액으로서 예를 들면 린스 처리액이 기판(W)의 표면에 공급된다. 또한 이 린스 처리 공정 후, 약액 처리에 의해 기판(W)을 세정 처리하고, 이 후 당해 약액을 세정하기 위하여 린스 처리액을 이용하여 린스 처리를 행해도 된다.

(Co 도금 공정)

이 후, 상술한 공정(S301 ~ 303)이 실행된 것과 동일한 도금 처리 장치(20)에서, Co 도금 공정이 실행된다(S304). 이 Co 도금 공정(S304)은 화학 환원 도금 처리 공정으로서 실행된다.

Co 도금 공정(S304)에서는, 먼저, 제어 기구(160)가 기판 보지 기구(110)를 제어함으로써, 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 회전시킨다. 이 상태에서, 가열 수단(60)에 의해 토출 온도로 가열된 도금액(35)을, 기판(W)의 표면을 향해 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 토출한다.

제 1 토출 노즐(45)을 이용하여 기판(W)을 향해 도금액(35)을 토출함으로써, 기판(W) 상에 형성된 Pd 도금층 상에 Co 도금층이 성막된다. Co 도금층이 소정의 두께, 예를 들면 1 μm에 달했을 시, 제 1 토출 노즐(45)로부터의 도금액(35)의 토출이 정지하고, Co 도금 공정(S304)이 완료된다. Co 도금 공정(S304)에 요하는 시간은, 예를 들면 20 분 ~ 40 분 정도로 할 수 있다.

또한 Co 도금 공정(S304)에서는, 기판(W)을 상시 일정한 회전수로 회전시킬 필요는 없고, 일시적으로 회전수를 상승 또는 하강시키거나, 일시적으로 회전을 정지시켜도 된다. 또한 Co 도금 공정(S304)에서, 제 1 토출 노즐(45)을 기판(W)의 중심측으로부터 기판(W)의 주연측을 향해 수평 이동(스캔)해도 된다.

또한 Co 도금 공정(S304)에서는, 배출구(124)와 기판(W)의 외주 가장자리가 대향하는 위치까지 컵(105)이 승강 기구(164)에 의해 하강되어 있다. 이 때문에, 처리 후의 도금액(35)은 컵(105)의 배출구(124)로부터 배출된다. 배출된 처리 후의 도금액(35)은, 액 배출로(120)를 거쳐 회수되어 재이용될 수 있다.

그런데 본 실시예에서는, Co 도금 공정(S304)에서, 도금액(35)을 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 토출하는 것과 대략 동시에, 제어 기구(160)가 가스 공급 기구(170)를 제어하여, 가열된 가열용 가스(G)(예를 들면 수증기)를 기판(W)의 이면을 향해 공급하도록 되어 있다. 즉, 가스 공급 기구(170)는, 가스 공급 탱크(181)에 저류되어 가스 온도 조절 유닛(183)에 의해 가열된 가열용 가스(G)를, 가스 공급관(182), 가스 공급로(178) 및 제 2 유로(177)를 순차적으로 거쳐, 백 플레이트(171)의 개구(176)로부터 기판(W)의 이면을 향해 공급한다. 혹은, 가스 공급 기구(170)는, 도금액 공급 탱크(31) 또는 온도 매체 공급 수단(61)으로부터의 가열용 가스(G)를, 백 플레이트(171)의 개구(176)로부터 기판(W)의 이면을 향해 공급한다.

가스 공급 기구(170)에 의한 가열용 가스(G)의 공급은, 제 1 토출 노즐(45)로부터 도금액(35)이 토출되고 있는 동안 연속하여 행해진다. 이 동안, 가열용 가스(G)는, 기판(W)과 백 플레이트(171)의 사이의 간극(S)에 체류하고, 기판(W)을 연속적으로 가열한다. 또한 가열용 가스(G)에 의해, 기판(W)을 개재하여 도금액(35)도 가열된다. 본 실시예에서, 가열용 가스(G)로서 공기보다 비열 용량이 높은 가스, 예를 들면 수증기를 이용하고 있으므로, 기판(W)을 효율적으로 가열할 수 있다. 이 후, 제 1 토출 노즐(45)로부터의 도금액(35)의 토출이 정지했을 시, 가스 공급 기구(170)에 의한 가열용 가스(G)의 공급도 정지한다. 혹은, 제 1 토출 노즐(45)로부터의 도금액(35)의 토출이 정지하기 전 또는 후에, 가스 공급 기구(170)에 의한 가열용 가스(G)의 공급을 정지해도 된다.

이와 같이, 백 플레이트(171)의 개구(176)로부터 기판(W)의 이면을 향해, 가열된 가열용 가스(G)를 공급함으로써, 기판(W)의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 도금액의 온도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 도금 처리를 일정한 온도(예를 들면 60 ~ 90℃)로 유지한 상태에서 행할 수 있어, Co 도금층의 성장을 기판(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다. 또한, 기판(W)을 향해 공급하는 가열용 가스(G)가 기체로 이루어져 있으므로, 컵(105)의 배출구(124)로부터 배출되는 도금액(35)에 가열용의 물 등이 혼합되는 것이 방지되어, 배출된 처리 후의 도금액(35)을 용이하게 재이용할 수 있다. 특히 Co 도금 공정(S304)에서는, 도금 처리에 요하는 시간이 예를 들면 20 분 ~ 40 분으로 길어지는 경우가 있기 때문에, 도금액(35)을 재이용함으로써, 보다 효율적으로 폐액의 양을 줄일 수 있다.

또한 상술한 바와 같이, 가열용 가스(G)에는 도금액(35)에 포함되는 성분 중 적어도 하나(예를 들면 암모니아)가 포함되어 있어도 된다. 이 경우, 도금 처리 중에 당해 성분이 도금액(35)으로부터 휘발하는 것을 방지하고, 혹은 도금 처리 중에 도금액(35)으로부터 휘발하는 당해 성분을 도금액(35)에 대하여 보충할 수 있다.

(세정 공정)

이어서, Co 도금 처리가 실시된 기판(W)의 표면에 대하여, 린스 처리, 후세정 처리 및 그 후의 린스 처리로 이루어지는 세정 공정(S305)이 실행된다. 이 세정 공정(S305)은 상술한 세정 공정(S301)과 대략 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.

(건조 공정)

이 후, 기판(W)을 건조시키는 건조 공정이 실행된다(S306). 예를 들면, 턴테이블(112)을 회전시킴으로써, 기판(W)에 부착하고 있는 액체가 원심력에 의해 외방으로 비산되고, 이에 의해 기판(W)이 건조된다. 즉, 턴테이블(112)이, 기판(W)의 표면을 건조시키는 건조 기구로서의 기능을 구비하고 있어도 된다.

이와 같이 하여, 하나의 도금 처리 장치(20)에서, 기판(W)의 표면에 대하여, 먼저 Pd 도금이 치환 도금에 의해 실시되고, 이어서 Co 도금이 화학 환원 도금에 의해 실시된다.

이 후, 기판(W)은, Au 도금 처리용의 다른 도금 처리 장치(20)로 반송되어도 된다. 이 경우, 다른 도금 처리 장치(20)에서, 기판(W)의 표면에, 치환 도금에 의해 Au 도금 처리가 실시된다. Au 도금 처리의 방법은, 도금액 및 세정액이 상이한 점 이외는, Pd 도금 처리를 위한 상술의 방법과 대략 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.

(본 실시예의 작용 효과)

이와 같이, 본 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스(G)(예를 들면 수증기)를 가열하여 기판 보지 기구(110)에 보지된 기판(W)을 향해 공급하므로, 기판(W)을 효율적으로 가열할 수 있어, 도금액(35)에 의한 도금층의 성장을 기판(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다. 또한, 액 배출 기구(140)로부터 배출되는 도금액에 물 등이 혼합되는 것을 방지하여, 도금액을 용이하게 재이용할 수 있다.

(변형예)

이하, 본 실시예의 각 변형예에 대하여 설명한다.

상기 실시예에서는, Co 도금 공정(S304)에서, 도금액(35)을 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 토출하는 것과 대략 동시에, 가열된 가열용 가스(G)(예를 들면 수증기)를 기판(W)의 이면을 향해 공급 개시하는 태양을 설명했다. 그러나, 이에 한정되지 않고, Co 도금 공정(S304)에서, 도금액(35)을 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 토출하기 전에, 가열용 가스(G)(예를 들면 수증기)를 기판(W)의 이면을 향해 공급 개시해도 된다.

이 경우, 추가의 가스 공급 유닛(187)(도 4)은, 불활성 가스(예를 들면 질소)를 가스 공급로(178) 내의 가열용 가스(G)에 공급해도 된다. 이와 같이, 가열용 가스(G)와 함께 불활성 가스(예를 들면 질소)를 혼합하여 기판(W)을 향해 공급함으로써, 도금액(35)이 공급되기 전의 기판(W)이, 가열용 가스(G)에 의해 산화되는 것을 방지할 수 있다.

또한 상기 실시예에서는, 가열용 가스(G)를 기판(W)의 이면을 향해 공급하는 태양을 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 가열용 가스(G)를 또한 기판(W)의 표면측으로부터 공급해도 된다. 즉 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(W)의 표면측으로서 제 1 토출 노즐(45)의 측방에 가스 노즐(191)을 설치하고, 기판(W)의 이면뿐 아니라 기판(W)의 표면에도 가열용 가스(G)를 공급해도 된다. 이 경우, 가스 노즐(191)은 가스 공급 기구(170)에 접속되어 있고, 제어 기구(160)가 가스 공급 기구(170)를 제어함으로써, 가스 노즐(191)을 개재하여 기판(W)의 표면에 가열용 가스(G)를 공급하도록 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 기판(W) 표면에서의 도금액(35)의 온도를 저하하는 것을 방지할 수 있어, 도금층의 성장을 기판(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다.

혹은 도 7에 도시한 바와 같이, 가스 노즐(191)을 이용함으로써, 기판(W)의 표면측으로부터만 가열용 가스(G)를 공급하고, 기판(W)의 이면측에는 가열용 가스(G)를 공급하지 않아도 된다. 이 경우에도, 기판(W) 표면에서의 도금액(35)의 온도를 제어할 수 있어, 도금층의 성장을 기판(W)의 면내에서 균일하게 할 수 있다.

또한 도 8에 도시한 바와 같이, 기판(W)의 상방에, 기판(W)으로부터 이간하여 탑 플레이트(151)를 배치해도 된다. 이 경우, 탑 플레이트(151)는, 컵(105)의 상면에 배치되어 있고, 기판(W)의 표면의 대략 전역을 덮도록 되어 있다. 또한 탑 플레이트(151)에는, 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46) 및 가스 노즐(191)에 대응하는 위치에 각각 개구가 형성되어 있고, 토출구(46)로부터의 도금액의 공급 및 가스 노즐(191)로부터의 가열용 가스(G)의 공급이 방해되지 않도록 되어 있다.

또한, 탑 플레이트(151)는 승강 기구(154)에 연결되어 있고, 제어 기구(160)에 의해 제어됨으로써, 컵(105)과 함께 승강 가능하게 되어 있다. 또한 탑 플레이트(151)는, 승강 기구(154)에 의해 컵(105)에 대하여 독립하여 승강 가능하게도 되어 있다. 이에 의해, 상술한 기판 보지 공정(S300)에서, 기판(W)을 기판 보지 기구(110)에 대하여 반입 및 반출하는 것이 가능해진다.

이와 같이, 기판(W)의 상방에, 기판(W)의 표면측의 대략 전역을 덮는 탑 플레이트(151)를 설치함으로써, 백 플레이트(171)의 개구(176) 및 가스 노즐(191)로부터 공급되는 가열용 가스(G), 혹은 도금액(35)으로부터 발생한 가스(예를 들면 수증기)가 기판(W)과 탑 플레이트(151)의 사이의 공간에 체류한다. 이에 의해, 기판(W) 및 도금액(35)을 보다 효율적으로 가열할 수 있어, 도금층의 성장을 기판(W)의 면내에서 균일하게 하는 것이 보다 확실해진다.

또한 도 8에서, 도 4에 도시한 실시예와 마찬가지로, 가스 노즐(191)을 설치하지 않고, 백 플레이트(171)의 개구(176)로부터 기판(W)의 이면에만 가열용 가스(G)를 공급해도 된다. 혹은, 도 7에 도시한 실시예와 마찬가지로, 백 플레이트(171)의 개구(176)를 형성하지 않고, 가스 노즐(191)을 이용하여 기판(W)의 표면에만 가열용 가스(G)를 공급해도 된다.

또한 도 6 ~ 도 8에서, 상기 실시예와 마찬가지로, 추가의 가스 공급 유닛(187)(도 4)을 이용함으로써, 가스 노즐(191)로부터 공급되는 가열용 가스(G)에, 도금액(35)에 포함되는 성분(예를 들면 암모니아) 및 불활성 가스(예를 들면 질소) 중 적어도 하나를 혼합해도 된다.

또한 도 6 ~ 도 8에 도시한 형태에서는, Co 도금 공정(S304)에서, 가스 노즐(191)로부터 기판(W)의 표면측에 가열용 가스(G)를 공급하는 타이밍은, 반드시 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 도금액(35)을 토출하는 타이밍과 대략 동시라고는 할 수 없다. 기판(W) 표면에서의 도금액(35)의 온도를 저하하는 것을 보상하는데 충분하면, 도금액(35)을 제 1 토출 노즐(45)의 토출구(46)로부터 토출하는 것보다 후에, 가열용 가스(G)를 가스 노즐(191)로부터 기판(W)의 표면을 향해 공급해도 된다.

또한 도 6 ~ 도 8에서, 도 1 ~ 도 4에 도시한 실시예와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다.

또한 상기 각 실시예에서는, 기판 보지 기구(110)가 기판(W)을 회전 보지하는 형태를 나타냈지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판 보지 기구(110)는 스핀레스인 것이어도 된다. 이 경우, 기판 보지 기구(110)는 기판(W)을 회전하지 않도록 보지하는 것이며, 도금액 공급 기구(30)는 도시하지 않은 장척 노즐을 가지는 것이어도 된다. 이 경우, 장척 노즐이 기판(W) 상을 주사함으로써, 기판(W)에 대하여 도금액(35)을 공급하도록 되어 있어도 된다.

또한 상기 실시예에서, 제 1 토출 노즐(45)로부터 기판(W)을 향해 토출되는 화학 환원 타입의 도금액(35)으로서 CoP 도금액이 이용되는 예를 나타냈다. 그러나, 이용되는 도금액(35)은 CoP 도금액에 한정되지 않고, 다양한 도금액(35)이 이용될 수 있다. 예를 들면, 화학 환원 타입의 도금액(35)으로서 CoWB 도금액, CoWP 도금액, CoB 도금액 또는 NiP 도금액 등 다양한 도금액(35)이 이용될 수 있다.

Claims

기판에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 장치에 있어서,
상기 기판을 보지하는 기판 보지 기구와,
상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하는 토출 기구와,
상기 토출 기구에 접속되고, 상기 토출 기구로 상기 도금액을 공급하는 도금액 공급 기구와,
공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 공급하는 가스 공급 기구와,
상기 기판 보지 기구의 주위에 설치되고, 상기 도금액을 배출하는 배출구를 가지는 컵과,
적어도 상기 토출 기구, 상기 도금액 공급 기구 및 상기 가스 공급 기구를 제어하는 제어 기구를 구비하고,
상기 제어 기구는, 상기 기판을 향해 상기 토출 기구로부터 상기 도금액이 토출되고 있는 동안, 상기 기판을 향해 상기 가열용 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 기구를 제어하고,
상기 도금액과 상기 가열용 가스가 공급되고 있는 동안, 상기 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 가열용 가스는 수증기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구는, 상기 기판의 이면측으로부터 상기 가열용 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구는, 상기 기판의 표면측으로부터 상기 가열용 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 기판의 표면측에 가스 노즐이 설치되고, 상기 가스 공급 기구는, 상기 가스 노즐로부터 상기 기판의 표면측으로 상기 가열용 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구는, 상기 가열용 가스를 저류하는 가스 공급 탱크를 가지고, 상기 가열용 가스는 상기 가스 공급 탱크로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금액 공급 기구는, 상기 도금액을 저류하는 도금액 공급 탱크를 가지고, 상기 가열용 가스는, 상기 도금액 공급 탱크로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금액 공급 기구는, 상기 도금액을 저류하는 도금액 공급 탱크와, 상기 도금액 공급 탱크의 상기 도금액을 상기 토출 기구로 공급하는 공급관을 가지고,
상기 공급관에, 상기 토출 기구를 향하는 상기 도금액을 가열 온도 조절하는 가열 수단이 장착되고,
상기 가열 수단은, 전열 매체를 가열하는 온도 매체 공급 수단과, 상기 공급관에 장착되고, 상기 온도 매체 공급 수단으로부터의 상기 전열 매체의 열을 상기 공급관 내의 상기 도금액에 전도시키는 온도 조절 배관을 가지고,
상기 가열용 가스는 상기 온도 매체 공급 수단으로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구에 추가의 가스 공급 유닛이 접속되고, 상기 추가의 가스 공급 유닛은, 상기 도금액에 포함되는 성분 중 적어도 하나를 상기 가열용 가스에 공급하고, 이들 상기 가열용 가스와 상기 도금액에 포함되는 성분과의 혼합 가스가, 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 공급 기구에 추가의 가스 공급 유닛이 접속되고, 상기 추가의 가스 공급 유닛은, 불활성 가스를 상기 가열용 가스에 공급하고, 이들 상기 가열용 가스와 상기 불활성 가스와의 혼합 가스가 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판의 상방에, 상기 기판의 표면측을 덮는 탑 플레이트가 설치되고, 상기 가열용 가스가, 상기 기판과 상기 탑 플레이트와의 사이에 체류하도록 한 것을 특징으로 하는 도금 처리 장치.
기판에 도금액을 공급하여 도금 처리를 행하는 도금 처리 방법에 있어서,
기판 보지 기구에 의해 상기 기판을 보지하는 보지 공정과,
상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 토출 기구로부터 상기 도금액을 토출하는 도금 공정을 구비하고,
상기 도금 공정에 있어서, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하고 있는 동안, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판을 향해 공급하고, 또한 상기 기판 보지 기구의 주위에 설치된 상기 도금액을 배출하는 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 가열용 가스는 수증기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 가열용 가스는 상기 기판의 이면측으로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열용 가스는 상기 기판의 표면측으로부터 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금 공정에 있어서, 상기 토출 기구로부터 상기 도금액을 토출하기 전에, 상기 가열용 가스를 상기 기판을 향해 공급하는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 도금 공정에 있어서, 불활성 가스가 상기 가열용 가스에 공급되고, 상기 가열용 가스와 상기 불활성 가스와의 혼합 가스가 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금 공정에 있어서, 상기 도금액에 포함되는 성분 중 적어도 하나가 상기 가열용 가스에 공급되고, 상기 가열용 가스와 상기 도금액에 포함되는 성분과의 혼합 가스가 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 도금 처리 방법.
도금 처리 장치에 도금 처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
상기 도금 처리 방법은,
기판 보지 기구에 의해 기판을 보지하는 보지 공정과,
상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 토출 기구로부터 도금액을 토출하는 도금 공정을 구비하고,
상기 도금 공정에 있어서, 상기 기판 보지 기구에 보지된 상기 기판을 향해 상기 도금액을 토출하고 있는 동안, 공기보다 비열 용량이 높은 가열용 가스를 가열하여 상기 기판을 향해 공급하고, 또한 상기 기판 보지 기구의 주위에 설치된 상기 도금액을 배출하는 배출구로부터 상기 도금액만이 배출되는 방법으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.