TW202129072A - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題係提供有利於一邊抑制電鍍液的熱劣化，一邊迅速加熱電鍍液的技術。 本發明的解決手段是一種基板液處理裝置，具備：基板保持部，係保持基板；電鍍液供給部，係對基板的處理面供給電鍍液；及加熱體，係加熱處理面上的電鍍液及基板中的至少任一方的加熱體，並且具有加熱器、流通純水的液流通路徑、及連接於液流通路徑的蒸氣吐出口，且噴出藉由來自加熱器的熱而使純水汽化所作出之水蒸氣的蒸氣吐出口。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本發明係關於基板液處理裝置及基板液處理方法。
藉由加熱基板上的電鍍液，可促進基板的電鍍處理。
例如在專利文獻1所揭示的裝置中，被基板保持部保持的基板藉由蓋體覆蓋，藉由蓋體所具有的加熱器，加熱基板上的電鍍液。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-3097號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係提供有利於一邊抑制電鍍液的熱劣化，一邊迅速加熱電鍍液的技術。 [用以解決課題之手段]
本發明的一樣態係關於一種基板液處理裝置，具備：基板保持部，係保持基板；電鍍液供給部，係對基板的處理面供給電鍍液；及加熱體，係加熱處理面上的電鍍液及基板中的至少任一方的加熱體，並且具有加熱器、流通純水的液流通路徑、及連接於液流通路徑的蒸氣吐出口，且噴出藉由來自加熱器的熱而使純水汽化所作出之水蒸氣的蒸氣吐出口。 [發明的效果]
依據本發明，有利於一邊抑制電鍍液的熱劣化，一邊迅速加熱電鍍液。
以下，參照圖面，例示基板液處理裝置及基板液處理方法。
首先，參照圖1，說明基板液處理裝置的構造。圖1係揭示作為基板液處理裝置之一例的電鍍處理裝置的構造的概略圖。在此，電鍍處理裝置係對基板W供給電鍍液，對基板W進行電鍍處理的裝置。
如圖1所示，電鍍處理裝置1係具備電鍍處理單元2，與控制電鍍處理單元2的動作的控制部3。
電鍍處理單元2係進行對於基板W(晶圓)的各種處理。關於電鍍處理單元2所進行的各種處理於後敘述。
控制部3係例如電腦，具有動作控制部與記憶部。動作控制部係例如以CPU(Central Processing Unit)所構成，藉由讀取並執行記憶於記憶部的程式，來控制電鍍處理單元2的動作。記憶部係例如以RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟等的記憶裝置所構成，記憶控制於電鍍處理單元2中所執行之各種處理的程式。再者，程式作為記錄於可藉由電腦讀取的記錄媒體31者亦可，作為從該記錄媒體31安裝於記憶部者亦可。作為可藉由電腦讀取的記錄媒體31，例如可舉出硬碟(HD)、可撓性碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。於記錄媒體31，記錄例如在藉由用以控制電鍍處理裝置1的動作的電腦執行時，電腦控制電鍍處理裝置1使其執行後述的電鍍處理方法的程式。
參照圖1，說明電鍍處理單元2的構造。圖1係揭示電鍍處理單元2之構造的概略俯視圖。
電鍍處理單元2係具有搬出入工作站21，與鄰接於搬出入工作站21所設置的處理工作站22。
搬出入工作站21係包含載置部211與鄰接於載置部211所設置的搬送部212。
於載置部211，載置以水平狀態收容複數張基板W的複數搬送容器(以下稱為「載具C」)。
搬送部212係包含搬送機構213與收授部214。搬送機構213係包含保持基板W的保持機構，以可進行水平方向及垂直方向的移動以及以垂直軸為中心的旋轉之方式構成。
處理工作站22包含電鍍處理部5。於本實施形態中，處理工作站22所具有之電鍍處理部5的個數為2以上，但作為1個亦可。電鍍處理部5係排列於延伸存在於所定方向的搬送路徑221之兩側(與後述之搬送機構222的移動方向正交的方向之兩側)。
於搬送路徑221設置有搬送機構222。搬送機構222係包含保持基板W的保持機構，以可進行水平方向及垂直方向的移動以及以垂直軸為中心的旋轉之方式構成。
於電鍍處理單元2中，搬出入工作站21的搬送機構213係在載具C與收授部214之間進行基板W的搬送。具體來說，搬送機構213係從載置於載置部211的載具C取出基板W，將取出的基板W載置於收授部214。又，搬送機構213係藉由處理工作站22的搬送機構222，取出被載置於收授部214的基板W，收容至載置部211的載具C。
於電鍍處理單元2中，處理工作站22的搬送機構222係在收授部214與電鍍處理部5之間、電鍍處理部5與收授部214之間進行基板W的搬送。具體來說，搬送機構222係取出載置於收授部214的基板W，將取出的基板W搬入至電鍍處理部5。又，搬送機構222係從電鍍處理部5取出基板W，將取出的基板W載置於收授部214。
接著參照圖2，說明電鍍處理部5的構造。圖2係揭示電鍍處理部5的構造的概略剖面圖。
電鍍處理部5係進行包含無電解電鍍處理的液處理。電鍍處理部5係具備處理室51、配置於處理室51內，水平保持基板W的基板保持部52、對藉由基板保持部52保持之基板W的上面(處理面Sw)供給電鍍液L1的電鍍液供給部53。在本實施形態中，基板保持部52係具有真空吸附基板W的下面(背面)的吸盤構件521。該基板保持部52係所謂真空吸盤類型。
於基板保持部52，透過旋轉軸桿522連結旋轉馬達523(旋轉驅動部)。驅動旋轉馬達523的話，基板保持部52會與基板W一起旋轉。旋轉馬達523係被固定於處理室51的基座524支持。
電鍍液供給部53係具有對被基板保持部52保持的基板W吐出(供給)電鍍液L1的電鍍液噴嘴531，與對電鍍液噴嘴531供給電鍍液L1的電鍍液供給源532。電鍍液供給源532係將被加熱或溫度調節成所定溫度的電鍍液L1供給至電鍍液噴嘴531。從電鍍液噴嘴531吐出時之電鍍液L1的溫度係例如55℃以上75℃以下，更理想為60℃以上70℃以下。電鍍液噴嘴531係被噴嘴臂56保持，可移動地構成。
電鍍液L1係自催化型(還原型)無電解電鍍用的電鍍液。電鍍液L1係例如含有鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子等的金屬離子，與次磷酸、二甲胺硼烷等的還原劑。電鍍液L1係含有添加劑等亦可。作為藉由使用電鍍液L1的電鍍處理所形成之電鍍膜(金屬膜)，例如可舉出Cu、CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。
本實施形態所致之電鍍處理部5係作為其他處理液供給部，更具備對藉由基板保持部52保持之基板W的上面供給洗淨液L2的洗淨液供給部54，與對該基板W的上面供給清洗液L3的清洗液供給部55。
洗淨液供給部54係具有對被基板保持部52保持的基板W吐出洗淨液L2的洗淨液噴嘴541，與對洗淨液噴嘴541供給洗淨液L2的洗淨液供給源542。作為洗淨液L2，例如可使用蟻酸、蘋果酸、琥珀酸、檸檬酸、丙二酸等的有機酸、稀釋成讓基板W的被電鍍面不被腐蝕程度的濃度的氫氟酸(DHF)(氟化氫的水溶液)等。洗淨液噴嘴541係被噴嘴臂56保持，可與電鍍液噴嘴531一起移動。
清洗液供給部55係具有對被基板保持部52保持的基板W吐出清洗液L3的清洗液噴嘴551，與對清洗液噴嘴551供給清洗液L3的清洗液供給源552。其中，清洗液噴嘴551係被噴嘴臂56保持，可與電鍍液噴嘴531及洗淨液噴嘴541一起移動。作為清洗液L3，例如可使用純水等。
於保持上述之電鍍液噴嘴531、洗淨液噴嘴541、及清洗液噴嘴551的噴嘴臂56，連結未圖示的噴嘴移動機構。該噴嘴移動機構係使噴嘴臂56往水平方向及上下方向移動。更具體來說，藉由噴嘴移動機構，噴嘴臂56係可在對基板W吐出處理液(電鍍液L1、洗淨液L2或清洗液L3)的吐出位置，與從吐出位置退避的退避位置之間移動。吐出位置係只要可對基板W的上面中任意位置供給處理液的話，並未特別限制。例如將可對基板W的中心供給處理液的位置設為吐出位置為佳。在對基板W供給電鍍液L1時、供給洗淨液L2時、供給清洗液L3時，噴嘴臂56的吐出位置不同亦可。退避位置係處理室51內，從上方觀察時不重疊於基板W的位置，且從吐出位置隔開的位置。在噴嘴臂56定位於退避位置時，可迴避移動的蓋體6與噴嘴臂56發生干擾。
於基板保持部52的周圍，設置有杯部571。該杯部571係從上方觀察時形成為環狀，在基板W的旋轉時，承接從基板W飛濺的處理液，導引至後述的排液導管581。於杯部571的外周側，設置氣氛遮斷護蓋572，抑制基板W的周圍的氣氛擴散於處理室51內。該氣氛遮斷護蓋572係以延伸於上下方向之方式形成為圓筒狀，且上端開口。於氣氛遮斷護蓋572內，可從上方插入後述之蓋體6。
於杯部571的下方，設置排液導管581。該排液導管581係從上方觀察時形成為環狀，接受並排出藉由杯部571承接而下降的處理液、從基板W的周圍直接下降的處理液。於排液導管581的內周側，設置內側護蓋582。
被基板保持部52保持的基板W藉由蓋體6覆蓋。該蓋體6係具有頂板部61，與從頂板部61往下方延伸的側壁部62。頂板部61係在蓋體6被定位於後述的下方位置時，配置於被基板保持部52保持的基板W的上方，對於基板W以比較小的間隔對向。
頂板部61係包含第1頂板611，與設置於第1頂板611上的第2頂板612。在第1頂板611與第2頂板612之間，存在加熱器63(加熱部)，作為挾持加熱器63所設置的第1面狀體及第2面狀體，設置第1頂板611及第2頂板612。第1頂板611及第2頂板612係以密封加熱器63，讓加熱器63不會接觸到電鍍液L1等的處理液之方式構成。更具體來說，在第1頂板611與第2頂板612之間且加熱器63的外周側設置密封環613，藉由該密封環613密封加熱器63。第1頂板611及第2頂板612係具有對於電鍍液L1等之處理液的耐腐蝕性為佳，例如藉由鋁合金形成亦可。為了更加提升耐腐蝕性，第1頂板611、第2頂板612及側壁部62係以鐵氟龍(註冊商標)塗層亦可。
於第1頂板611，形成流通純水(DIW)的液流通路徑67，與連接於液流通路徑67的複數蒸氣吐出口68。圖示的液流通路徑67係設置在比加熱器63更下方，但是，液流通路徑67係設置在比加熱器63更上方亦可，設置在比加熱器63更上方及下方兩側亦可。各蒸氣吐出口68係開口於下方，朝向基板W的處理面Sw。液流通路徑67內的純水係藉由來自加熱器63的熱加熱，汽化而成為水蒸氣。如此作成的水蒸氣係從蒸氣吐出口68噴出，使用於加熱基板W上的電鍍液L1的液膜。
於蓋體6，透過蓋體臂71連結蓋體移動機構7。蓋體移動機構7係使蓋體6往水平方向及上下方向移動。更具體來說，蓋體移動機構7係具有使蓋體6往水平方向移動的旋轉馬達72，與使蓋體6往上下方向移動的汽缸73(間隔調節部)。其中，旋轉馬達72係安裝於可對於汽缸73移動於上下方向地設置的支持板74上。作為汽缸73的代替品，使用包含馬達與滾珠螺桿的致動器(未圖示)亦可。
蓋體移動機構7的旋轉馬達72係使蓋體6在配置於被基板保持部52保持之基板W的上方的上方位置與從上方位置退避的退避位置之間移動。上方位置係對於被基板保持部52保持的基板W以比較大的間隔對向的位置，且從上方觀察時重疊於基板W的位置。退避位置係處理室51內，從上方觀察時不重疊於基板W的位置。在蓋體6定位於退避位置時，可迴避移動的噴嘴臂56與蓋體6發生干擾。旋轉馬達72的旋轉軸線係延伸於上下方向，蓋體6係在上方位置與退避位置之間，可往水平方向旋轉移動。
蓋體移動機構7的汽缸73係使蓋子6往上下方向移動，以調節於處理面Sw上堆積電鍍液L1的基板W與頂板部61的第1頂板611的間隔。更具體來說，汽缸73係將蓋體6定位於下方位置(於圖2中以實線所示的位置)，與上方位置(於圖2中以點劃線所示的位置)。
在蓋體6配置於下方位置時，第1頂板611接近基板W。此時，為了防止電鍍液L1的污損及電鍍液L1內發生氣泡，以第1頂板611不接觸基板W上的電鍍液L1之方式設定下方位置為佳。
蓋體6的側壁部62係從頂板部61的第1頂板611的周緣部往下方延伸，蓋體6定位於下方位置時配置於基板W的外周側。在蓋體6定位於下方位置時，側壁部62的下端係定位於比基板W更低的位置亦可。
在本實施形態中，在蓋體6定位於下方位置的狀態下，加熱器63發熱而導致液流通路徑67內的純水汽化，藉由從蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣混合於基板W上的電鍍液L1，加熱電鍍液L1。
上方位置係成為在使蓋體6移動於水平方向時，可迴避蓋體6干擾到杯部571、氣氛遮斷護蓋572等之周圍的構造物的高度位置。
於本實施形態中，對蓋體6的內側，藉由惰性氣體供給部66供給惰性氣體(例如氮(N2 )氣體)。該惰性氣體供給部66係具有對蓋體6的內側吐出惰性氣體的氣體噴嘴661，與對氣體噴嘴661供給惰性氣體的惰性氣體供給源662。氣體噴嘴661係設置於蓋體6的頂板部61，在蓋體6覆蓋基板W的狀態下，朝向基板W吐出惰性氣體。
蓋體6的頂板部61及側壁部62係藉由蓋體護蓋64覆蓋。該蓋體護蓋64係於蓋體6的第2頂板612上，隔著支持部65載置。亦即，於第2頂板612上，設置有從第2頂板612的上面往上方突出的複數支持部65，於該支持部65載置蓋體護蓋64。蓋體護蓋64係可與蓋體6一起往水平方向及上下方向移動。又，蓋體護蓋64係為了抑制蓋體6內的熱逃散至周圍，具有比頂板部61及側壁部62更高的斷熱性為佳。例如蓋體護蓋64係藉由樹脂材料形成為佳，該樹脂材料具有耐熱性更佳。
於處理室51的上部，設置有對蓋體6的周圍供給清淨之空氣(氣體)的風扇過濾單元59。風扇過濾單元59係對處理室51內(尤其，氣氛遮斷護蓋572內)供給空氣，被供給的空氣係朝向後述之排氣管81流動。於蓋體6的周圍，形成該空氣向下流動的降流，從電鍍液L1等的處理液汽化的氣體係藉由該降流，朝向排氣管81流動。如此，防止從處理液汽化的氣體上升，擴散至處理室51內。
從上述之風扇過濾單元59供給的氣體係藉由排氣機構8排出。該排氣機構8係具有設置於杯部571的下方的2個排氣管81，與設置於排液導管581的下方的排氣導管82。其中2個排氣管81係貫通排液導管581的底部，分別連通於排氣導管82。排氣導管82係從上方觀察時實質上形成為半圓環狀。在本實施形態中，於排液導管581的下方設置1個排氣導管82，於該排氣導管82連通2個排氣管81。
[加熱體] 接著，說明加熱基板W的處理面Sw上之電鍍液L1的加熱體的構造例。此種加熱體係在上述的圖2所示範例中藉由覆蓋處理面Sw的蓋體6所構成，但除了蓋體6之外，或代替蓋體6包含其他要素(例如後述的下方護蓋體)亦可。
[第1實施形態] 圖3係例示關於第1實施形態的加熱體11之概略構造的圖，揭示蓋體6配置於下方位置之狀態。本實施形態係對應上述的圖2所示之電鍍處理部5，但為了易於理解，於圖3揭示簡略化的構造。例如構成蓋體6之一部分的要素(例如圖2所示之第1頂板611及第2頂板612等)的圖示在圖3中省略。於圖3中，蓋體6係揭示剖面構造，但是，基板保持部52、基板W及電鍍液L1的液膜係揭示從側方觀察的狀態。
本實施形態的加熱體11係包含具有加熱器63、液流通路徑67及蒸氣吐出口68的蓋體6。定位於下方位置，覆蓋基板W的處理面Sw之蓋體6的蒸氣吐出口68係在處理面Sw與蓋體6之間噴出水蒸氣V。從各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V係在處理面Sw與蓋體6之間具有氣體或微小水滴(氣溶膠)的形態。另一方面，水蒸氣V係利用接觸或含有於基板W上的電鍍液L1，變化成液體(純水)。
液流通路徑67係在水平方向(圖3的橫方向)中，涵蓋比基板W的處理面Sw更長的範圍延伸存在。液流通路徑67係在蓋體6被配置於下方位置的狀態下，在水平方向中的至少一方向中覆蓋整個處理面Sw。亦即，在蓋體6被配置於下方位置的狀態下，液流通路徑67並不一定以覆蓋整個處理面Sw之方式設置亦可，但是，在水平方向中的某方向中，以覆蓋處理面Sw的兩端間之範圍的整體之方式延伸存在。
複數蒸氣吐出口68係以在水平方向中，幾乎均等地分散之方式配置。各蒸氣吐出口68係具有在處理室51(參照圖2)內的通常的氣壓下，使液流通路徑67內的水蒸氣V通過，但液流通路徑67內的純水D因為表面張力，基本上不通過的直徑為佳。蓋體6所具有之複數蒸氣吐出口68中至少一部分，係以在蓋體6被配置於下方位置的狀態下，在水平方向中的至少一方向中與整個處理面Sw對向之方式設置。亦即，在蓋體6被配置於下方位置的狀態下，至少一部分的蒸氣吐出口68並不一定與整個處理面Sw對向亦可，但是，在水平方向中的某方向中，以與處理面Sw的兩端間之範圍的整體對向之方式分布。
依據上述的構造，蓋體6所具有之複數蒸氣吐出口68係可朝向包含基板W的處理面Sw之外周部的整體，噴出水蒸氣V。尤其，一邊藉由基板保持部52以旋轉軸線A為中心使基板W旋轉，一邊從各蒸氣吐出口68噴出水蒸氣V，藉此可藉由水蒸氣V加熱處理面Sw上的電鍍液L1整體。再者，不使基板W旋轉，從各蒸氣吐出口68噴出水蒸氣V亦可。此時，蓋體6所具有之複數蒸氣吐出口68係以與基板W的處理面Sw的整體對向之方式分布為佳。
水蒸氣V係藉由接觸或含有於基板W上的電鍍液L1，變化成液體(純水)而放出潛熱。因此，基板W上的電鍍液L1係藉由從水蒸氣V放出的潛熱來加熱。進而，水蒸氣V從氣體變化成液體之後不久的純水具有高溫(例如100℃附近的溫度)。因此，起因於基板W上的電鍍液L1與混入電鍍液L1的高溫純水之間的溫度差，電鍍液L1會更加被加熱。
於液流通路徑67，透過供給配管15連接純水供給源13及壓縮氣體源14(氣體供給部)。供給配管15係與液流通路徑67一體地設置亦可，作為與液流通路徑67不同的形體設置亦可。液流通路徑67係主要指設置於蓋體6內的流通路徑，供給配管15係主要指設置於比蓋體6更靠外側的配管。
於純水供給源13與液流通路徑67之間的供給配管15，設置純水供給切換閥16，與位於比純水供給切換閥16更靠液流通路徑67側的位置的流量調整閥12。從連結流量調整閥12與純水供給切換閥16的供給配管15，分歧連接於壓縮氣體源14的供給配管15，於該分歧點與壓縮氣體源14之間的供給配管15，設置有氣體供給切換閥17。純水供給切換閥16及氣體供給切換閥17係切換是否允許或遮斷供給配管15之純水D及壓縮氣體的流動。流量調整閥12係調整從供給配管15(純水供給部25及氣體供給部26)至液流通路徑67之純水D的供給量及壓縮氣體的供給量。
於圖3所示的構造中，連接於液流通路徑67的供給配管15的一部分及純水供給源13係具有作為進行對液流通路徑67之純水D的供給的純水供給部25之作用。另一方面，連接於液流通路徑67的供給配管15的一部分及壓縮氣體源14係具有作為進行對液流通路徑67之壓縮氣體(gas)的供給的氣體供給部26之作用。供給配管15中比氣體供給切換閥17更靠下游側的部分及比純水供給切換閥16更靠下游側的部分，係具有作為純水供給部25及氣體供給部26的作用，可流通來自純水供給源13的純水D及來自壓縮氣體源14的壓縮氣體雙方。
流量調整閥12、純水供給切換閥16、氣體供給切換閥17、加熱器63及基板保持部52係在控制部3(參照圖1)的控制下驅動。例如，從純水供給源13對液流通路徑67供給純水D時，純水供給切換閥16開啟且氣體供給切換閥17關閉，藉由流量調整閥12調整對液流通路徑67之純水D的供給量。另一方面，從壓縮氣體源14對液流通路徑67供給壓縮氣體時，純水供給切換閥16關閉且氣體供給切換閥17開啟，藉由流量調整閥12調整對液流通路徑67之壓縮氣體的供給量。從壓縮氣體源14對液流通路徑67供給壓縮氣體的時機並不被限定。典型來說，在進行維護作業時，為了從各蒸氣吐出口68吐出液流通路徑67內的所有純水D，壓縮氣體從壓縮氣體源14送至液流通路徑67亦可。
本實施形態的控制部3也具有作為蒸氣噴出控制部的功能，控制加熱器63及流量調整閥12中至少任一方，以調整來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出。
例如，控制部3可藉由控制流量調整閥12來改變供給至液流通路徑67之純水D的量，調整來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出量。在加熱器63的發熱溫度設定為所定溫度的狀態下，增加液流通路徑67內之純水D的量的話，加熱器63係以發熱溫度不降低到比所定溫度低之方式，進行更大的發熱。結果，在液流通路徑67中更大量的純水D被汽化，從各蒸氣吐出口68噴出更大量的水蒸氣V。另一方面，在加熱器63的發熱溫度設定為所定溫度的狀態下，減少液流通路徑67內之純水D的量的話，加熱器63係以發熱溫度不提升到比所定溫度高之方式，抑制發熱量。結果，在液流通路徑67中更少量的純水D被汽化，從各蒸氣吐出口68噴出更少量的水蒸氣V。利用加熱器63的該特性，控制部3可藉由控制流量調整閥12來加減供給至液流通路徑67之純水D的量，調整來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出量。
又，控制部3可藉由控制加熱器63的發熱狀態，調整來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出量。藉由增加加熱器63的發熱量，在液流通路徑67中更大量的純水D被汽化，從各蒸氣吐出口68噴出更大量的水蒸氣V。另一方面，藉由減低加熱器63的發熱量，更少量的純水D被汽化，從各蒸氣吐出口68噴出更少量的水蒸氣V。
對液流通路徑67之純水D的供給量比液流通路徑67之純水D的蒸發量還多時，有從液流通路徑67溢出的純水D會從各蒸氣吐出口68漏出的懸念。另一方面，對液流通路徑67之純水D的供給量比液流通路徑67之純水D的蒸發量還少時，有液流通路徑67內的所有純水D蒸發，液流通路徑67成為乾燒狀態的懸念。所以，根據防止來自各蒸氣吐出口68的漏液及液流通路徑67的乾燒的觀點，以在從各蒸氣吐出口68噴出水蒸氣V之期間，適量的純水D存在於液流通路徑67內之方式，控制部3控制流量調整閥12為佳。
在純水D不存在於液流通路徑67內的狀態下(亦即液流通路徑67為空的狀態)，加熱器63發熱時，可藉由輻射熱來加熱基板W上的電鍍液L1。因此，在藉由輻射熱來加熱基板W上的電鍍液L1時，意圖性停止對液流通路徑67之純水D的供給亦可。例如，加熱工程的前半係進行水蒸氣V所致之電鍍液L1的加熱，後半係進行依據加熱器63的發熱之輻射熱所致之電鍍液L1的加熱時，以意圖性蒸發液流通路徑67內的所有純水D之方式，控制部3調整流量調整閥12亦可。
接著，說明圖3所示之藉由電鍍處理部5所進行之電鍍處理方法(基板液處理方法)之一例。雖然省略詳細說明，但後述的各處理係藉由電鍍處理裝置1的各要素在控制部3的控制下運作，適切進行。又，因應需要，進行並未後述的處理及各要素的運作亦可。
搬入至電鍍處理部5的基板W係載置於基板保持部52，藉由基板保持部52保持。
之後，藉由電鍍液供給部53(參照圖2)，對被基板保持部52保持之基板W的處理面Sw供給電鍍液L1。具體來說，在蓋體6定位於上方位置的狀態下，噴嘴臂56配置於吐出位置，從電鍍液噴嘴531朝向處理面Sw吐出電鍍液L1。再者，在基板W上之電鍍液L1的供給之前，進行使用洗淨液L2之處理面Sw的洗淨處理及使用清洗液L3之處理面Sw的清洗處理。
之後，藉由蓋體6(亦即加熱體11)，加熱基板W的處理面Sw上之電鍍液L1的液膜。具體來說，對基板W上供給所希望之量的電鍍液L1，電鍍液L1的液膜形成於處理面Sw上之後，使噴嘴臂56移動至退避位置，蓋體6被定位於下方位置。然後，在蓋體6配置於下方位置的狀態下，使加熱器63發熱，汽化液流通路徑67內的純水D，從各蒸氣吐出口68朝向處理面Sw上的電鍍液L1，噴出水蒸氣V。
再者，開始來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出的時機並不被限定。例如，從蓋體6被定位於下方位置之前(例如蓋體6被定位於上方位置之間或從上方位置移動至下方位置之間)，開始來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出亦可。又，在蓋體6被定位於下方位置之後，開始來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出亦可。水蒸氣V的噴出開始時機係例如因應開始加熱器63的發熱的時機及/或開始對液流通路徑67之純水D的供給的時機來訂定。
藉由從各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V接觸及包含於處理面Sw上的電鍍液L1，加熱電鍍液L1，可促進處理面Sw之電鍍處理。使用水蒸氣V之電鍍液L1的加熱係如上所述，依據水蒸氣V從氣體變化成液體(純水)時所放出的潛熱，與高溫液體(純水)及電鍍液L1的溫度差來進行。因此，相較於例如將高溫的蒸氣以外的氣體(例如惰性氣體)噴吹至電鍍液L1以加熱電鍍液L1之狀況，可能率佳且迅速地使基板W上的電鍍液L1的溫度上升。另一方面，於液流通路徑67中從液體(純水D)變化成氣體(水蒸氣V)，從各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V係具有純水的沸點附近的溫度(通常為100℃附近的溫度)。所以，基板W上的電鍍液L1係不會暴露於大幅超過100℃之高溫(例如200℃以上的溫度)的氣體下，藉由100℃附近之溫度的水蒸氣V來加熱。因此，伴隨加熱之電鍍液L1的熱劣化程度非常小。
基板W的處理面Sw的電鍍處理結束之後，實施使用清洗液L3之處理面Sw的清洗處理及處理面Sw的乾燥處理，之後，基板W從基板保持部52取出，從電鍍處理部5搬出。該等處理的具體實施方法並未限定。例如基板W的乾燥處理係典型上藉由使基板W高速旋轉來進行，但是，藉由惰性氣體供給部66將惰性氣體噴吹至基板W，促進處理面Sw的乾燥亦可。
如以上所說明般，依據本實施形態，使用水蒸氣V，加熱基板W之處理面Sw上的電鍍液L1，故可一邊抑制電鍍液L1的熱劣化，一邊迅速加熱電鍍液L1。
又，水蒸氣V係在基板W上的電鍍液L1中被噴吹之處，變化成液體而放出潛熱。因此，相較於使用即使接觸電鍍液L1也不會液化的高溫氣體來加熱電鍍液L1之狀況，可更有效地局部性加熱基板W上的電鍍液L1。所以，可容易針對各區域改變電鍍液L1的加熱的程度。例如也可將基板W的外周部之電鍍液L1的加熱的程度設為比其他處之電鍍液L1的加熱的程度還大，以均勻化基板W上之電鍍液L1的整體溫度。電鍍處理的進行係依存於電鍍液L1的溫度。所以，藉由對應各區域調整基板W上之電鍍液L1的加熱的程度，均勻化涵蓋電鍍液L1整體的溫度，可穩定地進行涵蓋基板W的處理面Sw整體的電鍍處理。
又，純水D(液體)係相較於水蒸氣V(氣體)，水分密度高，具有接近常溫的溫度，故具有優良處理性。所以，純水D被送至蓋體6的液流通路徑67，將在液流通路徑67作成的水蒸氣V用於電鍍液L1的加熱之本實施形態的裝置及方法係便利性及安全性高。又，依據本實施形態，使用於基板W上的電鍍液L1之加熱的水蒸氣V係在電鍍液L1的正上方由純水D所作成，故不需要在氣體的狀態下長距離移動水蒸氣V，具有優良能率。
又，使用於基板W上的電鍍液L1之加熱的水蒸氣V係具有100℃附近的溫度，故相較於使用更高溫的氣體之狀況，對周圍環境的影響比較小。又，水蒸氣V係在室溫(常溫)下成為水，故化學上來說對周圍環境的影響非常小。
[第2實施形態] 於本實施形態中，針對與上述之第1實施形態相同或類似的要素，附加相同符號，省略其詳細說明。
圖4係例示關於第2實施形態的加熱體11之概略構造的圖，揭示蓋體6配置於下方位置之狀態。為了易於理解，於圖4揭示簡略化的構造。
基板W的處理面Sw係包含複數處理區域(圖4所示範例中為第1處理區域R1、第2處理區域R2及第3處理區域R3)。在圖4所示範例中，因應基板W藉由基板保持部52旋轉時的自旋轉軸線A(亦即基板W的中心軸線)起的距離，訂定3個處理區域R1~R3。第1處理區域R1係旋轉軸線A通過的圓形狀區域，第3處理區域R3係包含基板W之外周部的環狀區域，第2處理區域R2係第1處理區域R1與第3處理區域R3之間的環狀區域。
於該等處理區域R1~R3，分派1以上的蒸氣吐出口68。各蒸氣吐出口68係在蓋體6被定位於下方位置的狀態下，配置於被分派之處理區域的正上方，朝向被分派之處理區域開口。從各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V係朝向基板W之對應的處理區域行進，使用於加熱對應之處理區域上的電鍍液L1。
液流通路徑67係具有分派至複數處理區域R1~R3個別的複數區分流通路徑(在圖4所示範例中為第1區分流通路徑67a、第2區分流通路徑67b及第3區分流通路徑67c)。複數區分流通路徑67a~67c個別係連接於被分派至對應之處理區域的各蒸氣吐出口68。複數區分流通路徑67a~67c個別之純水D係藉由加熱器63加熱而汽化，在水蒸氣的形態下從對應的蒸氣吐出口68噴出。
加熱器63係具有分派至複數處理區域R1~R3個別的複數區分加熱器部(在圖4所示範例中為第1區分加熱器部63a、第2區分加熱器部63b及第3區分加熱器部63c)。複數區分加熱器部63a~63c個別係以覆蓋被分派至對應的處理區域之區分流通路徑67a~67c整體之方式配置，加熱對應之區分流通路徑67a~67c內的純水D。
控制部3(蒸氣噴出控制部)係對應處理區域R1~R3，調整來自複數蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出。具體來說，來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出量對應各處理區域R1~R3調整，可對應各處理區域R1~R3改變水蒸氣V所致之電鍍液L1的加熱的程度。
一般來說，基板W上的電鍍液L1中，基板W的外周部上(亦即第3處理區域R3上)之電鍍液L1的溫度有局部性容易降低的傾向。顯示該傾向時，藉由將朝向基板W之處理面Sw的外周部噴出之水蒸氣V的量，設為比朝向處理面Sw的其他部分噴出之水蒸氣V的量還多，可防止外周部之電鍍液L1的局部溫度降低。如此，因應基板W上的電鍍液L1的溫度分布，調整朝向各處理區域R1~R3噴出之水蒸氣V的量，可減低處理區域R1~R3間之電鍍液L1的溫度差，均勻化電鍍液L1整體的溫度。
作為對應各處理區域R1~R3調整來自各蒸氣吐出口68之水蒸氣V的噴出量的手法之一例，控制部3係藉由控制流量調整閥12，調整從純水供給部25對於複數區分流通路徑67a~67c個別之純水D的供給量亦可。此時，對於被分派至相對地期望大量之水蒸氣V的噴出的處理區域之區分流通路徑，供給相對大量的純水D，對於被分派至相對地期望少量之水蒸氣V的噴出的處理區域之區分流通路徑，供給相對少量的純水D。複數區分加熱器部63a~63c係如上所述，具有「因應對應之區分流通路徑67a~67c內的純水D的量，改變發熱的程度」之特性。因此，在相對地供給大量的純水D的區分流通路徑中，產生相對大量的水蒸氣V，在相對地供給少量的純水D的區分流通路徑中，產生相對少量的水蒸氣V。所以，可藉由調整對於複數區分流通路徑67a~67c個別之純水D的供給量，對應各處理區域，改變水蒸氣V的噴出量。
在藉由調整對於複數區分流通路徑67a~67c個別之純水D的供給量，對應各處理區域R1~R3調整水蒸氣V的噴出量時，複數區分流通路徑67a~67c不相互連接亦可。例如，流量調整閥12與各區分流通路徑67a~67c相互透過別個供給配管(省略圖示)連接，流量調整閥12係在控制部3的控制下，相互獨立控制供給至該等區分流通路徑67a~67c之純水D的流量亦可。又，該等區分流通路徑67a~67c係透過未圖示的聯絡流通路徑相互連接亦可。此時，例如可藉由區分流通路徑67a~67c分別具有特有長度及/或容積，調整對於複數區分流通路徑67a~67c個別之純水D的供給量。
作為其他範例，控制部3係控制複數區分加熱器部63a~63c個別，以調整複數區分加熱器部63a~63c個別的發熱亦可。此時，被分派至相對地期望大量之水蒸氣V的噴出的處理區域之區分加熱器部係進行相對大量之能量的發熱，被分派至相對地期望少量之水蒸氣V的噴出的處理區域之區分加熱器部係進行相對少量之能量的發熱。
[第3實施形態] 於本實施形態中，針對與上述之第2實施形態相同或類似的要素，附加相同符號，省略其詳細說明。
圖5係例示關於第3實施形態的加熱體11之概略構造的圖，揭示蓋體6配置於下方位置之狀態。為了易於理解，於圖5揭示簡略化的構造。
本實施形態的加熱體11係除了從上方覆蓋基板W的蓋體6之外，更包含從下方覆蓋基板W的下方護蓋體40。下方護蓋體40係具有加熱器63(亦即第4區分加熱器部63d)、液流通路徑67(亦即第4區分流通路徑67d)及複數蒸氣吐出口68。第4區分流通路徑67d係以藉由第4區分加熱器部63d覆蓋之方式設置，連接於供給配管15及複數蒸氣吐出口68。
圖5所示的下方護蓋體40係具有圓環狀的平面形狀，覆蓋被基板保持部52保持之基板W的一部分(尤其是對應第3處理區域R3的外周部)。設置於下方護蓋體40的各蒸氣吐出口68係朝上開口，朝向藉由基板保持部52保持的基板W中之處理面Sw相反側的背面。下方護蓋體40的各蒸氣吐出口68係朝向基板W的背面(尤其是對應第3處理區域R3的外周部)，在下方護蓋體40與基板W之間噴出水蒸氣V。
第4區分流通路徑67d，透過供給配管15連接純水供給源13及壓縮氣體源14。供給配管15係與第4區分流通路徑67d一體地設置亦可，作為與第4區分流通路徑67d不同的形體設置亦可。第4區分流通路徑67d係主要指設置於下方護蓋體40內的流通路徑，供給配管15係主要指設置於比下方護蓋體40更靠外側的配管。
於純水供給源13與第3區分流通路徑67c之間的供給配管15，設置第1純水供給切換閥16a，與位於比第1純水供給切換閥16a更靠第3區分流通路徑67c側的位置的第1流量調整閥12a。於純水供給源13與第4區分流通路徑67d之間的供給配管15，設置第2純水供給切換閥16b，與位於比第2純水供給切換閥16b更靠第4區分流通路徑67d側的位置的第2流量調整閥12b。
從連結第1流量調整閥12a與第1純水供給切換閥16a的供給配管15，分歧連接於壓縮氣體源14的供給配管15，於該分歧點與壓縮氣體源14之間的供給配管15，設置有第1氣體供給切換閥17a。從連結第2流量調整閥12b與第2純水供給切換閥16b的供給配管15，分歧連接於壓縮氣體源14的供給配管15，於該分歧點與壓縮氣體源14之間的供給配管15，設置有第2氣體供給切換閥17b。
第1流量調整閥12a、第2流量調整閥12b、第1純水供給切換閥16a、第2純水供給切換閥16b、第1氣體供給切換閥17a及第2氣體供給切換閥17b係在控制部3(參照圖1)的控制下驅動。又，第1區分加熱器部63a、第2區分加熱器部63b、第3區分加熱器部63c及第4區分加熱器部63d也在控制部3的控制下驅動。
例如，從純水供給源13對第3區分流通路徑67c供給純水時，第1純水供給切換閥16a開啟且第1氣體供給切換閥17a關閉，藉由第1流量調整閥12a調整對第3區分流通路徑67c之純水的供給量。又，從壓縮氣體源14對第3區分流通路徑67c供給壓縮氣體時，第1純水供給切換閥16a關閉且第1氣體供給切換閥17a開啟，藉由第1流量調整閥12a調整對第3區分流通路徑67c之壓縮氣體的供給量。圖5所示之第1區分流通路徑67a、第2區分流通路徑67b及第3區分流通路徑67c係透過未圖示的聯絡流通路徑相互連接。所以，藉由對第3區分流通路徑67c供給純水D及壓縮氣體，也對第1區分流通路徑67a及第2區分流通路徑67b供給純水D及壓縮氣體。
又，從純水供給源13對第4區分流通路徑67d供給純水D時，第2純水供給切換閥16b開啟且第2氣體供給切換閥17b關閉，藉由第2流量調整閥12b調整對第4區分流通路徑67d之純水的供給量。又，從壓縮氣體源14對第4區分流通路徑67d供給壓縮氣體時，第2純水供給切換閥16b關閉且第2氣體供給切換閥17b開啟，藉由第2流量調整閥12b調整對第4區分流通路徑67d之壓縮氣體的供給量。
依據本實施形態，可一邊從上方藉由蓋體6加熱，一邊從下方藉由下方護蓋體40加熱基板W上的電鍍液L1。亦即，與上述之第2實施形態同樣地，藉由從蓋體6的各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V，加熱基板W上的電鍍液L1。又，藉由從下方護蓋體40的各蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V，加熱基板W，藉由該基板W的加熱，也加熱電鍍液L1。
如此，作為加熱體11使用蓋體6及下方護蓋體40，可更迅速地將基板W上的電鍍液L1加熱至所希望溫度。又，也可藉由使用下方護蓋體40，抑制從蓋體6噴出之水蒸氣V的量。又，從下方護蓋體40噴出的水蒸氣V係隔著基板W加熱電鍍液L1。所以，可藉由使用下方護蓋體40，一邊抑制混入至電鍍液L1之水蒸氣V的量，一邊加熱電鍍液L1。
[第4實施形態] 於本實施形態中，針對與上述之第1實施形態~第3實施形態相同或類似的要素，附加相同符號，省略其詳細說明。
從加熱體11吐出的水蒸氣V係在上述的第1實施形態~第3實施形態中，主要用於為了加熱基板W上的電鍍液L1，但是，用於為了加熱基板W亦可。亦即，加熱體11可加熱處理面Sw上之電鍍液L1及基板W中的至少任一方。
例如，在對基板W的處理面Sw供給電鍍液L1之前，使用水蒸氣V來加熱基板W亦可。此時，藉由賦予電鍍液L1，防止基板W成為低溫，可迴避處理面Sw上的電鍍液L1相差適合電鍍處理的溫度太多。因此，可縮短加熱處理面Sw上的電鍍液L1，使電鍍液L1到達進行電鍍處理之最佳的所希望溫度所需的時間。
圖6係揭示關於第4實施形態的電鍍處理方法(基板液處理方法)之一典型例的流程圖。實施本實施形態的電鍍處理方法的電鍍處理裝置1(基板液處理裝置)並未被限定，可使用上述之第1實施形態~第3實施形態的電鍍處理部5之任一，來實施本實施形態的電鍍處理方法。
在本實施形態的電鍍處理方法中，在對基板W供給電鍍液L1之前，基板W係使用水蒸氣V直接加熱(參照圖6的S1)。
具體來說，基板W係在搬入至電鍍處理部5，被基板保持部52保持的狀態下，在處理面Sw載置電鍍液L1之前，使用從加熱體11的蒸氣吐出口68的水蒸氣V來進行加熱。亦即，使從蒸氣吐出口68吐出的水蒸氣V，接觸處理面Sw未載置任何東西之狀態的基板W。基板W中水蒸氣V直接接觸之處並未限定，藉由水蒸氣V直接加熱基板W的處理面Sw及/或背面亦可。根據有效率地提升基板W的處理面Sw之溫度的觀點，加熱體11的至少一部分的蒸氣吐出口68係朝向處理面Sw為佳。
藉由水蒸氣V加熱的基板W(尤其是處理面Sw)係具有比室溫高的溫度，但是，水蒸氣V的溫度以下的溫度(例如100℃以下的溫度)。例如，藉由水蒸氣V加熱的基板W(尤其是處理面Sw)係具有最適合電鍍處理的所希望溫度或該所希望溫度附近的溫度。
再者，在將基板W設置於基板保持部52上之後，在對基板W上供給電鍍液L1之前，實施洗淨處理及清洗處理等的其他處理時，在該其他處理的實施後，進行藉由加熱體11加熱基板W之上述的工程(S1)。
之後，對使用水蒸氣V加熱之基板W的處理面Sw，從電鍍液供給部53(參照圖2)供給電鍍液L1(S2)。在賦予電鍍液L1的時間點，基板W的處理面Sw具有比室溫高的溫度，所以，可有效地迴避因為電鍍液L1的賦予而導致基板W的溫度成為低溫之狀況。根據抑制電鍍液L1的賦予所致之基板W的溫度降低的觀點，比室溫還高的溫度的電鍍液L1從電鍍液供給部53賦予給基板W為佳。例如，以具有最適合電鍍處理的所希望溫度或該所希望溫度附近的溫度的電鍍液L1賦予給基板W的處理面Sw之方式，從電鍍液噴嘴531朝向處理面Sw吐出電鍍液L1亦可。
之後，與上述之第1實施形態~第3實施形態相同，基板W上的電鍍液L1藉由加熱體11加熱，將電鍍液L1的溫度調整成適合電鍍處理的所希望溫度，以促進電鍍處理(S3)。
例如，使用從上述的蓋體6放出的水蒸氣V，加熱基板W及電鍍液L1時，在藉由水蒸氣V充分加熱基板W之後，使蓋體6從下方位置移動至上方位置。然後，使電鍍液噴嘴531移動至吐出位置，從位於吐出位置的電鍍液噴嘴531對基板W賦予電鍍液L1。在對基板W之電鍍液L1的賦予結束之後，電鍍液噴嘴531係移動至退避位置，使蓋體6從上方位置移動至下方位置。然後，藉由來自配置於下方位置之蓋體6的蒸氣吐出口68的水蒸氣V，加熱基板W上的電鍍液L1。
之後，藉由清洗處理洗去基板W上的電鍍液L1，藉由乾燥處理乾燥基板W(S4)。
[第5實施形態] 於本實施形態中，針對與上述之第4實施形態相同或類似的要素，附加相同符號，省略其詳細說明。
於本實施形態中，在電鍍液L1的賦予之前加熱基板W，透過基板W上的加熱媒體液加熱基板W。亦即，使用水蒸氣V直接加熱基板W上的加熱媒體液，藉由溫度上升的該加熱媒體液，間接加熱基板W。可使用的加熱媒體液並未限定，典型上來說可將純水作為加熱媒體液使用。在以下的說明中，例示將從清洗液供給部55的清洗液噴嘴551(參照圖2)吐出作為清洗液L3的純水，使用來作為加熱媒體液的狀況。
圖7係揭示關於第5實施形態的電鍍處理方法(基板液處理方法)之一典型例的流程圖。實施本實施形態的電鍍處理方法的電鍍處理裝置1(基板液處理裝置)並未被限定，可使用上述之第1實施形態~第3實施形態的電鍍處理部5之任一，來實施本實施形態的電鍍處理方法。
在本實施形態的電鍍處理方法中，在對基板W供給電鍍液L1之前，對基板W的處理面Sw供給純水(加熱媒體液)(參照圖7的S11)。在本範例中，從清洗液液供給部55對基板W的處理面Sw賦予純水。
之後，藉由加熱體11，透過基板W的處理面Sw上的純水(加熱媒體)，加熱基板W(S12)。具體來說，藉由使用從加熱體11的蒸氣吐出口68噴出的水蒸氣V，加熱基板W的處理面Sw上的純水，來加熱基板W。藉此，基板W係具有比室溫高的溫度，例如具有最適合電鍍處理的所希望溫度或該所希望溫度附近的溫度。再者，根據縮短基板W的加熱時間的觀點，加熱過的純水(加熱媒體液)賦予給基板W為佳，例如具有最適合電鍍處理的所希望溫度或該所希望溫度附近的溫度的純水(加熱媒體液)被供給至處理面Sw。
之後，對透過純水(加熱媒體液)加熱過之基板W的處理面Sw，從電鍍液供給部53(參照圖2)供給電鍍液L1，處理面Sw上的純水(加熱媒體液)被置換成電鍍液L1(S13)。典型上來說，一邊藉由基板保持部52使基板W旋轉，一邊從配置於吐出位置的電鍍液噴嘴531朝向處理面Sw吐出電鍍液L1，藉此可藉由逐漸將處理面Sw上的純水置換成電鍍液L1。
之後，與上述的第4實施形態相同，基板W上的電鍍液L1藉由加熱體11加熱(S14)，藉由清洗處理洗去基板W上的電鍍液L1，藉由乾燥處理乾燥基板W(S15)。
例如，使用從上述的蓋體6放出的水蒸氣V，加熱基板W及電鍍液L1時，一邊將蓋體6配置於上方位置，一邊從配置於吐出位置的清洗液噴嘴551朝向基板W的處理面Sw吐出純水(加熱媒體液)。之後，清洗液噴嘴551係移動至退避位置，蓋體6係移動至下方位置，藉由從配置於下方位置之蓋體6的蒸氣吐出口68吐出的水蒸氣V，加熱基板W上的純水(加熱媒體液)。之後，蓋體6係移動至上方位置，使電鍍液噴嘴531移動至吐出位置，從配置於吐出位置的電鍍液噴嘴531朝向基板W的處理面Sw吐出電鍍液L1。在對基板W之電鍍液L1的賦予結束之後，電鍍液噴嘴531係移動至退避位置，使蓋體6從上方位置移動至下方位置。然後，藉由從配置於下方位置之蓋體6的蒸氣吐出口68吐出的水蒸氣V，加熱基板W上的電鍍液L1。
再者，在電鍍液L1的賦予之前，使用水蒸氣V先加熱基板W之上述的第4實施形態及第5實施形態的技術，也可應用於使用水蒸氣V以外的手段加熱基板W上的電鍍液L1之狀況及不加熱基板W上的電鍍液L1之狀況。
[變形例] 蓋體6所具有之加熱器63、液流通路徑67、及複數蒸氣吐出口68係以與基板W的處理面Sw的整體對向之方式設置亦可，以僅與處理面Sw的一部分的範圍對向之方式設置亦可。同樣地，下方護蓋體40所具有之加熱器63、液流通路徑67、及複數蒸氣吐出口68係以與基板W的背面的整體對向之方式設置亦可，以僅與該背面的一部分的範圍對向之方式設置亦可。例如，基板W的外周部上的電鍍液L1的溫度容易局部降低時，加熱體11(亦即蓋體6及/或下方護蓋體40)係至少朝向基板W的外周部噴出水蒸氣V為佳。
又，從蓋體6及下方護蓋體40中的一方朝向基板W噴出水蒸氣V，從另一方不噴出水蒸氣V亦可。例如，從下方護蓋體40的各蒸氣吐出口68朝基板W的背面噴出水蒸氣V之外，不對於蓋體6的液流通路徑67供給純水D，藉由依據蓋體6的加熱器63之發熱的輻射熱，加熱電鍍液L1亦可。
又，加熱體11係除了使用水蒸氣V之電鍍液L1的加熱之外，使用上述以外的加熱手段亦可。例如，一邊從蓋體6及/或下方護蓋體40噴出水蒸氣V，一邊藉由惰性氣體供給部66(氣體噴嘴661)，對蓋體6與基板W之間供給高溫的惰性氣體亦可。
又，於蓋體6及/或下方護蓋體40中延伸於水平方向的液流通路徑67，係設置於被基板保持部52保持的基板W與加熱器63之間亦可，隔著加熱器63設置於該基板W相反側亦可。延伸於水平方向的液流通路徑67隔著加熱器63設置於基板W相反側時，從加熱器63朝向液流通路徑67放出的熱係使用於液流通路徑67內的純水D的汽化，從加熱器63朝向基板W放出的熱係使用於電鍍液L1的加熱。又，延伸於水平方向的液流通路徑67係設置於從上下挾持對應之加熱器63的位置亦可。例如，於隔著加熱器63設置於基板W相反側的液流通路徑67(第1液流通路徑)中使純水D汽化，使水蒸氣V從第1液流通路徑流入至設置於加熱器63與各蒸氣吐出口68之間的液流通路徑67(第2液流通路徑)亦可。此時，在第1液流通路徑產生的水蒸氣V係於第2液流通路徑中更藉由加熱器63加熱後從各蒸氣吐出口68噴出。因此，可更確實地防止從各蒸氣吐出口68漏出液體(純水)。
又，供給至液流通路徑67之純水D的溫度並不被限定，常溫(室溫)的純水D被供給至液流通路徑67亦可。又，比常溫高之溫度的純水D被供給至液流通路徑67亦可。此時，可縮短液流通路徑67之純水D的汽化的時間。對液流通路徑67供給高溫的純水D的手法並不被限定。例如，於純水供給源13貯留高溫的純水D亦可，藉由設置於純水供給源13到液流通路徑67之供給配管15的途中的加熱裝置(省略圖示)，加熱供給配管15內的純水D亦可。
又，在不從各蒸氣吐出口68噴出水蒸氣V的閒置運轉時，於液流通路徑67貯留純水D亦可，不貯留亦可。
又，在從蓋體6及/或下方護蓋體40噴出水蒸氣V之間，基板W係不藉由基板保持部52旋轉而停止亦可。此時，根據藉由水蒸氣V均等加熱基板W上的電鍍液L1的整體的觀點，蓋體6所具有之複數蒸氣吐出口68以與處理面Sw的整體對向之方式均等分布為佳。
本說明書所揭示的實施形態係所有要點僅為例示，需要留意並不限定地解釋者。上述的實施形態及變形例係可不脫離附件之申請專利範圍及其趣旨，進行各種形態的省略、置換及變更。例如組合上述的實施形態及變形例亦可，又，上述以外的實施形態與上述的實施形態或變形例組合亦可。
又，體現上述的技術思想的技術範疇並不被限定。例如上述的基板液處理裝置應用於其他裝置亦可。又，也可藉由用以使電腦執行上述的基板液處理方法所包含之1或複數程序(步驟)的電腦程式，體現上述的技術思想。又，也可藉由記錄此種電腦程式的電腦可讀取之非暫時性(non-transitory)的記錄媒體，體現上述的技術思想。
1:電鍍處理裝置 2:電鍍處理單元 3:控制部 5:電鍍處理部 6:蓋體 7:蓋體移動機構 11:加熱體 12:流量調整閥 12a:第1流量調整閥 12b:第2流量調整閥 13:純水供給源 14:壓縮氣體源 15:供給配管 16:純水供給切換閥 16a:第1純水供給切換閥 16b:第2純水供給切換閥 17:氣體供給切換閥 17a:第1氣體供給切換閥 17b:第2氣體供給切換閥 21:搬出入工作站 211:載置部 212:搬送部 213:搬送機構 214:收授部 22:處理工作站 221:搬送路徑 222:搬送機構 25:純水供給部 26:氣體供給部 31:記錄媒體 40:下方護蓋體 51:處理室 52:基板保持部 521:吸盤構件 522:旋轉軸桿 53:電鍍液供給部 531:電鍍液噴嘴 532:電鍍液供給源 54:洗淨液供給部 541:洗淨液噴嘴 542:洗淨液供給源 55:清洗液供給部 551:清洗液噴嘴 56:噴嘴臂 571:杯部 572:氣氛遮斷護蓋 581:排液導管 59:風扇過濾單元 61:頂板部 611:第1頂板 612:第2頂板 613:密封環 62:側壁部 63:加熱器 63a:第1區分加熱器部 63b:第2區分加熱器部 63c:第3區分加熱器部 64:蓋體護蓋 65:支持部 66:惰性氣體供給部 661:氣體噴嘴 662:惰性氣體供給源 67:液流通路徑 67a:第1區分流通路徑 67b:第2區分流通路徑 67c:第3區分流通路徑 67d:第4區分流通路徑 68:蒸氣吐出口 71:蓋體臂 72:旋轉馬達 73:汽缸 74:支持板 81:排氣管 82:排氣導管 C:載具 D:純水 L1:電鍍液 L2:洗淨液 L3:清洗液 R1:第1處理區域 R2:第2處理區域 R3:第3處理區域 Sw:處理面 W:基板
[圖1]圖1係揭示作為基板液處理裝置之一例的電鍍處理裝置的構造的概略圖。 [圖2]圖2係揭示電鍍處理部的構造例的概略剖面圖。 [圖3]圖3係例示關於第1實施形態的加熱體之概略構造的圖，揭示蓋體配置於下方位置之狀態。 [圖4]圖4係例示關於第2實施形態的加熱體之概略構造的圖，揭示蓋體配置於下方位置之狀態。 [圖5]圖5係例示關於第3實施形態的加熱體之概略構造的圖，揭示蓋體配置於下方位置之狀態。 [圖6]圖6係揭示關於第4實施形態的電鍍處理方法(基板液處理方法)之一典型例的流程圖。 [圖7]圖7係揭示關於第5實施形態的電鍍處理方法(基板液處理方法)之一典型例的流程圖。
5:電鍍處理部
6:蓋體
11:加熱體
12:流量調整閥
13:純水供給源
14:壓縮氣體源
15:供給配管
16:純水供給切換閥
17:氣體供給切換閥
25:純水供給部
26:氣體供給部
52:基板保持部
63:加熱器
67:液流通路徑
68:蒸氣吐出口
661:氣體噴嘴
D:純水
L1:電鍍液
Sw:處理面
W:基板
V:水蒸氣

Claims (12)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵為具備： 基板保持部，係保持基板； 電鍍液供給部，係對前述基板的處理面供給電鍍液；及 加熱體，係加熱前述處理面上的前述電鍍液及前述基板中的至少任一方的加熱體，並且具有加熱器、流通純水的液流通路徑、及連接於前述液流通路徑的蒸氣吐出口，且噴出藉由來自前述加熱器的熱而使前述純水汽化所作出之水蒸氣的蒸氣吐出口。
  2. 如請求項1所記載之基板液處理裝置，其中， 前述加熱體，係包含具有前述加熱器、前述液流通路徑及前述蒸氣吐出口的蓋體，且覆蓋前述處理面的蓋體； 前述蓋體的前述蒸氣吐出口，係在前述處理面與前述蓋體之間使前述水蒸氣噴出。
  3. 如請求項1或2所記載之基板液處理裝置，其中， 前述加熱體，係包含具有前述加熱器、前述液流通路徑及前述蒸氣吐出口的下方護蓋體，且從下方覆蓋前述基板的下方護蓋體； 前述下方護蓋體的前述蒸氣吐出口，係朝向前述基板噴出前述水蒸氣。
  4. 如請求項1或2所記載之基板液處理裝置，其中， 前述加熱體，係至少朝向前述基板的外周部噴出前述水蒸氣。
  5. 如請求項1或2所記載之基板液處理裝置，其中，具備： 純水供給部，係連接於前述液流通路徑； 流量調整閥，係調整從前述純水供給部至前述液流通路徑之前述純水的供給量；及 蒸氣噴出控制部，係控制前述加熱器及前述流量調整閥中至少任一方，以調整來自前述蒸氣吐出口之前述水蒸氣的噴出。
  6. 如請求項5所記載之基板液處理裝置，其中， 前述處理面，係包含複數處理區域； 前述蒸氣吐出口，係設置複數個，於前述複數處理區域個別分派1以上的前述蒸氣吐出口； 前述蒸氣噴出控制部，係對應各處理區域，調整來自前述複數蒸氣吐出口之前述水蒸氣的噴出。
  7. 如請求項6所記載之基板液處理裝置，其中， 前述液流通路徑，係具有分派至前述複數處理區域個別的複數區分流通路徑； 前述蒸氣噴出控制部，係控制前述流量調整閥，以調整對於前述複數區分流通路徑個別之前述純水的供給量。
  8. 如請求項6所記載之基板液處理裝置，其中， 前述加熱器，係具有分派至前述複數處理區域個別之複數的區分加熱器部； 前述蒸氣噴出控制部，係控制前述加熱器，以調整前述複數區分加熱器部個別的發熱。
  9. 如請求項1或2所記載之基板液處理裝置，其中，具備： 氣體供給部，係連接於前述液流通路徑，對前述液流通路徑供給氣體。
  10. 一種基板液處理方法，其特徵為包含： 對基板的處理面供給電鍍液的工程；及 藉由具有加熱器、液流通路徑及蒸氣吐出口的加熱體，對前述處理面上的前述電鍍液進行加熱的工程，並且為使用流通於前述液流通路徑的純水藉由來自前述加熱器的熱而汽化所作成，且從前述蒸氣吐出口噴出的水蒸氣，對前述處理面上的前述電鍍液進行加熱的工程。
  11. 一種基板液處理方法，其特徵為包含： 藉由具有加熱器、液流通路徑及蒸氣吐出口的加熱體，加熱基板的工程，且為使用流通於前述液流通路徑的純水藉由來自前述加熱器的熱而汽化所作成，且從前述蒸氣吐出口噴出的水蒸氣，加熱前述基板的工程；及 對使用前述水蒸氣被加熱之前述基板的處理面供給電鍍液的工程。
  12. 一種基板液處理方法，其特徵為包含： 對基板供給加熱媒體液的工程； 藉由具有加熱器、液流通路徑及蒸氣吐出口的加熱體，透過前述基板上的前述加熱媒體液來加熱前述基板的工程，且為使用流通於前述液流通路徑的純水藉由來自前述加熱器的熱而汽化所作成，且從前述蒸氣吐出口噴出的水蒸氣，對前述基板上的前述加熱媒體液進行加熱，藉此加熱前述基板的工程；及 對透過前述加熱媒體液被加熱之前述基板的處理面供給電鍍液的工程。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4010791B2 (ja) * 2001-08-10 2007-11-21 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び無電解めっき方法
TW554069B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
JP4101609B2 (ja) * 2001-12-07 2008-06-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法
JP2005008954A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Canon Inc 無電解めっき方法
US20130112846A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-09 Stephanie JAMES Broom rest and/or broom holder
JP5666419B2 (ja) * 2011-11-28 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP2013112846A (ja) * 2011-11-28 2013-06-10 Tokyo Electron Ltd めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP6736386B2 (ja) 2016-07-01 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP2021036061A (ja) * 2017-12-15 2021-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

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