JP7326461B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents
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Description
次に、基板Wの処理面Sw上のめっき液L1を加熱する加熱体の構成例を説明する。そのような加熱体は、上述の図2に示す例では処理面Swを覆う蓋体6によって構成されるが、蓋体6に加えて又は蓋体6の代わりに他の要素(例えば後述の下方カバー体)を含んでいてもよい。
図3は、第1実施形態に係る加熱体11の概略構成を例示する図であり、蓋体6が下方位置に配置されている状態を示す。本実施形態は、上述の図2に示されるめっき処理部5に対応するが、理解を容易にするために図3には簡略化された構成が示されている。例えば、蓋体6を構成する一部の要素(例えば図2に示されている第1天井板611及び第2天井板612等)の図示が図3では省略されている。図3において、蓋体6は断面構成が示されているが、基板保持部52、基板W及びめっき液L1の液膜は側方から見た状態が示されている。
本実施形態において、上述の第1実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
本実施形態において、上述の第2実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
本実施形態において、上述の第1実施形態~第3実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
本実施形態において、上述の第4実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
蓋体6が有するヒータ63、液流路67、及び複数の蒸気吐出口68は、基板Wの処理面Swの全体と対向するように設けられていてもよいし、処理面Swの一部の範囲のみと対向するように設けられていてもよい。同様に、下方カバー体40が有するヒータ63、液流路67、及び複数の蒸気吐出口68は、基板Wの裏面の全体と対向するように設けられていてもよいし、当該裏面の一部の範囲のみと対向するように設けられていてもよい。例えば、基板Wの外周部上のめっき液L1の温度が局所的に低下しやすい場合、加熱体11(すなわち蓋体6及び/又は下方カバー体40)は、少なくとも基板Wの外周部に向けて水蒸気Vを噴出させることが好ましい。
Claims (11)
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
前記処理面上の前記めっき液及び前記基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、前記液流路に接続される蒸気吐出口であって前記ヒータからの熱により前記純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、を備え、
前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する蓋体であって、前記処理面を覆う蓋体を含み、
前記蓋体の前記蒸気吐出口は、前記処理面と前記蓋体との間に前記水蒸気を噴出させる基板液処理装置。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
前記処理面上の前記めっき液及び前記基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、前記液流路に接続される蒸気吐出口であって前記ヒータからの熱により前記純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、を備え、
前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する下方カバー体であって、前記基板を下方から覆う下方カバー体を含み、
前記下方カバー体の前記蒸気吐出口は、前記基板に向けて前記水蒸気を噴出させる基板液処理装置。 - 前記加熱体は、少なくとも前記基板の外周部に向けて前記水蒸気を噴出させる請求項1又は2に記載の基板液処理装置。
- 前記液流路に接続される純水供給部と、
前記純水供給部から前記液流路への前記純水の供給量を調整する流量調整弁と、
前記ヒータ及び前記流量調整弁のうちの少なくともいずれか一方を制御して、前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を調整する蒸気噴出制御部と、を備える請求項1~3のいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 前記処理面は、複数の処理領域を含み、
前記蒸気吐出口は複数設けられ、前記複数の処理領域の各々に1以上の前記蒸気吐出口が割り当てられており、
前記蒸気噴出制御部は、前記複数の前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を、処理領域毎に調整する請求項4に記載の基板液処理装置。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
前記処理面上の前記めっき液及び前記基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、前記液流路に接続される蒸気吐出口であって前記ヒータからの熱により前記純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、
前記液流路に接続される純水供給部と、
前記純水供給部から前記液流路への前記純水の供給量を調整する流量調整弁と、
前記ヒータ及び前記流量調整弁のうちの少なくともいずれか一方を制御して、前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を調整する蒸気噴出制御部と、を備え、
前記処理面は、複数の処理領域を含み、
前記蒸気吐出口は複数設けられ、前記複数の処理領域の各々に1以上の前記蒸気吐出口が割り当てられており、
前記蒸気噴出制御部は、前記複数の前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を、処理領域毎に調整し、
前記液流路は、前記複数の処理領域のそれぞれに割り当てられる複数の区分流路を有し、
前記蒸気噴出制御部は、前記流量調整弁を制御して、前記複数の区分流路の各々に対する前記純水の供給量を調整する基板液処理装置。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
前記処理面上の前記めっき液及び前記基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、前記液流路に接続される蒸気吐出口であって前記ヒータからの熱により前記純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、
前記液流路に接続される純水供給部と、
前記純水供給部から前記液流路への前記純水の供給量を調整する流量調整弁と、
前記ヒータ及び前記流量調整弁のうちの少なくともいずれか一方を制御して、前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を調整する蒸気噴出制御部と、を備え、
前記処理面は、複数の処理領域を含み、
前記蒸気吐出口は複数設けられ、前記複数の処理領域の各々に1以上の前記蒸気吐出口が割り当てられており、
前記蒸気噴出制御部は、前記複数の前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を、処理領域毎に調整し、
前記ヒータは、前記複数の処理領域のそれぞれに割り当てられる複数の区分ヒータ部を有し、
前記蒸気噴出制御部は、前記ヒータを制御して、前記複数の区分ヒータ部の各々の発熱を調整する基板液処理装置。 - 前記液流路に接続され、前記液流路に気体を供給する気体供給部と、を備える請求項1~7のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 基板の処理面にめっき液を供給する工程と、
ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により、前記処理面上の前記めっき液を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて、前記処理面上の前記めっき液を加熱する工程と、を含み、
前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する蓋体であって、前記処理面を覆う蓋体を含み、
前記蓋体の前記蒸気吐出口は、前記処理面と前記蓋体との間に前記水蒸気を噴出させる基板液処理方法。 - ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により基板を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて前記基板を加熱する工程と、
前記水蒸気が使われて加熱された前記基板の処理面にめっき液を供給する工程と、を含み、
前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する蓋体であって、前記処理面を覆う蓋体を含み、
前記蓋体の前記蒸気吐出口は、前記処理面と前記蓋体との間に前記水蒸気を噴出させる基板液処理方法。 - 基板に加熱媒体液を供給する工程と、
ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により、前記基板上の前記加熱媒体液を介して前記基板を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて、前記基板上の前記加熱媒体液を加熱することにより前記基板を加熱する工程と、
前記加熱媒体液を介して加熱された前記基板の処理面にめっき液を供給する工程と、を含み、
前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する蓋体であって、前記処理面を覆う蓋体を含み、
前記蓋体の前記蒸気吐出口は、前記処理面と前記蓋体との間に前記水蒸気を噴出させる基板液処理方法。
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