JP7282101B2

JP7282101B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法

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Publication number: JP7282101B2
Application number: JP2020559209A
Authority: JP
Inventors: 聡金子; 一騎元松
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2018-12-14
Filing date: 2019-12-03
Publication date: 2023-05-26
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Description

本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。

基板（ウェハ）の液処理を行う装置及び方法において、処理液が付与された基板の上面を蓋体で覆うことがある。

例えば特許文献１が開示する装置では、基板が蓋体により覆われている状態で、蓋体の天井部に設けられる加熱部によって基板上のめっき液が加熱され、基板の液処理が促進されている。また特許文献１の装置では、蓋体の内側に不活性ガスを供給して基板の周囲を低酸素雰囲気にすることで、基板上のめっき液の酸化を抑えることができる。

このように基板を蓋体により覆いつつ低酸素雰囲気下で基板の液処理を行う場合、基板の周囲に供給される不活性ガスによって基板上の処理液の状態が乱されないようにすることで、液処理を安定的に行うことができる。

特開２０１８－３０９７号公報

本開示は、基板の周囲に不活性ガスを供給しつつ基板の液処理を安定的に行うのに有利な技術を提供する。

本開示の一態様による基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、基板保持部に保持されている基板の上面を覆う蓋体と、基板保持部に保持されている基板と蓋体との間のスペースに不活性ガスを供給するガス供給部であって、不活性ガスを噴出するガス供給口を有するガス供給部と、を備え、ガス供給口の開口方向は、基板保持部に保持されている基板の上面以外に向けられている。

本開示によれば、基板の周囲に不活性ガスを供給しつつ基板の液処理を安定的に行うのに有利である。

図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。図２は、めっき処理部の構成を示す概略断面図である。図３は、第１典型例に係るガス供給部の概略構成を示す断面図である。図４は、第２典型例に係るガス供給部の概略構成を示す断面図である。図５は、第３典型例に係るガス供給部の概略構成を示す断面図である。図６は、第４典型例に係るガス供給部の概略構成を示す平面図である。図７は、めっき処理方法の一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して基板液処理装置及び基板液処理方法を例示する。以下に説明する基板液処理装置及び基板液処理方法では、処理液としてめっき液が用いられる。ただし、めっき液以外の液が処理液として基板の液処理に用いられてもよい。

図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給して基板Ｗをめっき処理（液処理）する装置である。

図１に示すように、めっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウェハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。めっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２により保持されている基板Ｗの上面（処理面）Ｓｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給するめっき液供給部５３（処理液供給部）とを備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプであるが、基板保持部５２はこれに限られず、例えばチャック機構等によって基板Ｗの外縁部を把持するメカニカルチャックタイプであってもよい。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１（処理液ノズル）と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面Ｓｗにリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。

洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１及び洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、及びリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２又はリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの上面Ｓｗのうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。

基板保持部５２に保持されている基板Ｗの上面Ｓｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、水平方向に延びる天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置（すなわち処理位置）に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２及び側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、上面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。

上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

本実施の形態では、ヒータ(加熱部）６３が駆動されて発熱し、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１がヒータ６３によって加熱されるように構成されている。

蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（すなわち下方位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。

天井部６１に設けられているヒータ６３は、蓋体６が下方位置に位置づけられた場合に発熱し、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。

蓋体６の天井部６１及び側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向及び上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１及び側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。

チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

［ガス供給部］
図２では図示が省略されているが、めっき処理部５は、不活性ガスを噴出する１又は複数のガス供給口を有するガス供給部を更に備える（後述の図３～図６の符号「１１」参照）。ガス供給部は、基板保持部５２により保持されている基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスを供給し、基板Ｗの周囲を低酸素雰囲気にする。

ガス供給口は典型的には蓋体６の内側に位置している。特に、本実施の形態のガス供給口の開口方向は、基板保持部５２に保持されている基板Ｗの上面Ｓｗ以外に向けられている。これにより、ガス供給口からの噴出直後の不活性ガスは上面Ｓｗ以外に向かって進行し、上面Ｓｗに対して直接的に不活性ガスが吹き付けられることを回避できる。そのため、上面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の温度低下や状態の乱れを防ぎつつ、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスを供給することができる。このように上述のガス供給部を備えるめっき処理部５は、基板Ｗの周囲に不活性ガスを供給しつつ基板Ｗの液処理を安定的に行うのに、非常に有利である。

なおガス供給口の開口方向は、ガス供給口に至るガス流路の中心線がガス供給口において向いている方向によって定められる。したがって、ガス流路を経てガス供給口から噴出される不活性ガスの殆ど全ては、開口方向に或いは開口方向成分を含む方向に進行する。

基板Ｗ上の処理液（例えばめっき液Ｌ１等）の酸化を防ぐ観点からは、処理液に含まれる酸素量（すなわち溶存酸素量）を増大させないことが好ましい。その一方で、基板Ｗ上の処理液の溶存酸素量は、上面Ｓｗに面するスペースに存在する気体中の酸素の比率や分圧に応じて変動し、処理液の溶存酸素量を低減するためには当該スペースにおける酸素比率を下げることが好ましい。本実施の形態のめっき処理部５によれば、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスが供給され、当該スペースが陽圧状態に置かれ、当該スペースに存在する酸素が当該スペース外に排出される。このようにして基板Ｗと蓋体６との間のスペースにおける酸素比率を下げることにより、処理液の酸素脱気を促し、処理液の溶存酸素量を低減することができる。

ここでいう不活性ガスは、反応性の低い気体全般を含みうるものであり、単一種類の元素のみを含んでいてもよいし、化合物の気体であってもよい。典型的には、窒素、希ガス（ヘリウム等）、その他の酸素を含有しない安定的なガスを、不活性ガスとして使用しうる。特にヘリウムは、以下の点で窒素などよりも好ましく、不活性ガスとして使用可能である。

ヘリウムは、窒素や酸素よりも軽いため、蓋体６の内側スペース（すなわち天井部６１及び側壁部６２により区画されるスペース）に溜まりやすい。特に、上述のように排気管８１及び排気ダクト８２（図２参照）を介して気体が下方に誘導されて排出される場合、ヘリウムは、窒素や酸素よりも排出されにくい。そのためヘリウムは、窒素に比べ、消費量を抑えつつ、基板Ｗと蓋体６との間のスペースにおける酸素比率を下げるのに有効に使用しうる。またヘリウムは窒素の約５倍の熱伝導率を有しており、昇温されやすい。上述のようにヒータ６３によって加熱される基板Ｗ上の処理液の温度が、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに存在する不活性ガスの影響によって低下されることは、好ましくない。ヒータ６３からの熱によって昇温されやすいヘリウムを不活性ガスとして基板Ｗと蓋体６との間のスペースに供給することにより、基板Ｗ上の処理液の温度低下を効果的に防ぐことできる。またヘリウムは、酸素及び窒素よりも低い溶解度を有する。一般に、処理液に対する異物の混入は好ましくなく、悪影響が殆どないと考えられている不活性ガスであっても、可能な限り処理液に溶解しない方が好ましい。そのため、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスとしてヘリウムを供給する場合、基板Ｗ上の処理液に対する不活性ガス（すなわちヘリウム）の溶解を低減することができる。またヘリウムは、窒素に比べて、より安全性が高く、扱いやすい。

上述のガス供給部は様々な構成によって実現可能であり、様々な態様で不活性ガスをガス供給口から噴出させることが可能である。以下、ガス供給部の構成例及び不活性ガスの噴出態様例を説明する。

［ガス供給部の第１典型例］
図３は、第１典型例に係るガス供給部１１の概略構成を示す断面図である。図３において、上述の図１及び図２に示す要素と同一又は類似の要素は、同一の符号が付され、その詳細な説明を省略する。なお理解を容易にするため、図３に示す要素の形状や寸法比は、必ずしも図１及び図２に示す要素の形状や寸法比には対応していない。また図３では一部要素（例えば蓋体カバー６４等）の図示が省略されている。

ガス供給部１１は、ガス供給口１３を有するガス供給ノズル１２と、ガス供給ノズル１２に不活性ガスを供給するガス供給源（図示省略）と、を備える。制御部３（図１参照）は、ガス供給源及び／又はガス供給源からガス供給ノズル１２に至る流路に設けられる流量調整デバイス（例えば開閉弁等）を制御し、ガス供給ノズル１２への不活性ガスの供給及びガス供給口１３からの不活性ガスの噴出を調整する。

本例のガス供給部１１のガス供給ノズル１２は蓋体６の側壁部６２の内側（すなわち基板保持部５２側）に取り付けられており、ガス供給口１３の開口方向は天井部６１に向けられている。そのためガス供給口１３は、天井部６１に向けて不活性ガスを噴出させる。

図３に示す例では、複数のガス供給ノズル１２が設けられており、基板Ｗの回転軸線Ａｘを基準とした対称位置（すなわち線対称の位置）に２つのガス供給ノズル１２が配置されている。なおガス供給ノズル１２は、２つのみ設けられていてもよいし、３以上設けられていてもよいし、１つのみ設けられていてもよい。複数のガス供給ノズル１２が設けられる場合、回転軸線Ａｘを中心とした回転対称位置に複数のガス供給ノズル１２が配置されてもよい。

図示のヒータ６３は、回転軸線Ａｘからの水平方向距離に応じて複数に分割されている。具体的には、回転軸線Ａｘを中心とする中央範囲に設けられる中央ヒータ６３ａ、回転軸線Ａｘから最も離れた位置に設けられる最外側ヒータ６３ｃ、及び中央ヒータ６３ａと最外側ヒータ６３ｃとの間に設けられる中間ヒータ６３ｂが設けられている。このように複数のゾーンのそれぞれに固有のヒータ６３ａ、６３ｂ、６３ｃを割り当てることによって、ゾーン単位でめっき液Ｌ１の加熱を調整することができる。例えば、基板Ｗの外周近傍の温度が低下しやすい傾向があるので、最外側ヒータ６３ｃを他のヒータよりも高温にすることで、基板Ｗの外周近傍における上面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の局所的な温度低下を防ぐことができる。

上述のように、蓋体６と基板Ｗとの間のスペースに存在する不活性ガスによって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度低下を招くことは好ましくない。一方、本例のガス供給口１３からは、天井部６１のうち最外側ヒータ６３ｃに対応するゾーンに向けて、不活性ガスが噴出される。したがって最外側ヒータ６３ｃが他のヒータよりも高温に設定される場合、ガス供給口１３から噴出された不活性ガスを効果的に昇温することができ、不活性ガスに起因する基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度低下を防ぐことが可能である。

なお天井部６１と側壁部６２との間の隅部には、気流ガイド部２４が設けられていてもよい。図示の気流ガイド部２４は、天井部６１と側壁部６２との間の隅部の全体にわたって設けられており、蓋体６と基板Ｗとの間のスペースに露出される滑らかな曲面により構成されるガイド面２４ａを有する。ガイド面２４ａは、天井部６１の内側面及び／又は側壁部６２の内側面に対して段差無く連なっていることが好ましく、天井部６１の内側面及び側壁部６２の内側面とともにスムーズな面を構成することが好ましい。気流ガイド部２４を設けることによって、天井部６１と側壁部６２との間の隅部での渦流の発生を防ぐことができるとともに、当該隅部における気体の停滞を防ぐことができる。

またガス供給口１３の開口方向は、気流ガイド部２４のガイド面２４ａに向けられることが好ましい。この場合、ガス供給口１３は、気流ガイド部２４のガイド面２４ａに向けて不活性ガスを噴出させ、ガイド面２４ａによって不活性ガスの流れ方向が水平方向に変えられ、天井部６１の内側面に沿うように不活性ガスを水平方向へ流すことも可能である。このようにして基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に対して不活性ガスが吹き付けられるのを抑制しつつ、基板Ｗの上方において不活性ガスを流すことができる。特に、複数のガス供給ノズル１２(すなわち複数のガス供給口１３)を設置し且つ天井部６１の内側面に沿うように不活性ガスを流すことで、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の液面の近傍において水平方向に流れる不活性ガスの層流を作り出すことも可能である。すなわち、基板Ｗの外周側から内側に向かう不活性ガスの層流を天井部６１側に作り出すとともに、基板Ｗの内側から外周側に向かう不活性ガスの層流を基板Ｗ側に作り出すことが可能である。この場合、めっき液Ｌ１から放出される酸素を含む気体を、基板Ｗの内側から外周側に向かう不活性ガスの層流により押し流して、蓋体６の外側に効率良く排出することができる。

なお、天井部６１の内側面に沿って水平方向にスムーズに流れる気流を作り出すためには、天井部６１の内側面は凹凸を持たない平面であることが好ましい。同様に、側壁部６２の内側面に沿って上下方向にスムーズに流れる気流を作り出すためには、側壁部６２の内側面は凹凸を持たない平面であることが好ましい。

［ガス供給部の第２典型例］
図４は、第２典型例に係るガス供給部１１の概略構成を示す断面図である。図４において、図１～図３に示す要素と同一又は類似の要素は、同一の符号が付され、その詳細な説明を省略する。図４に示す要素の形状や寸法比は、必ずしも図１及び図２に示す要素の形状や寸法比には対応しておらず、また図４では一部要素の図示が省略されている。

本例では、ガス供給部１１の複数のガス供給ノズル１２が蓋体６の天井部６１の内側面（すなわち基板保持部５２側）に取り付けられている。これらのガス供給ノズル１２は、回転軸線Ａｘを中心とした回転対称位置に配置されている。図示の例では、回転軸線Ａｘを中心とした線対称位置に２つのガス供給ノズル１２が配置されている。

各ガス供給口１３の開口方向は水平方向であり、各ガス供給口１３は天井部６１に沿うように不活性ガスを噴出させる。図示のガス供給口１３の開口方向は、回転軸線Ａｘを通過するように基板Ｗの外周側から基板Ｗの内側に向かう方向であり、ガス供給口１３は回転軸線Ａｘに向けられている。なおガス供給口１３から天井部６１に沿うように不活性ガスを噴出させることができるのであれば、ガス供給ノズル１２は、天井部６１の代わりに側壁部６２にのみ取り付けられていてもよいし、天井部６１及び側壁部６２の両方に取り付けられていてもよい。

上述の構成を有する本例のガス供給ノズル１２によれば、ガス供給口１３から噴出された不活性ガスは、天井部６１に沿うようにして基板Ｗの外周側から内側に向かって進行し、回転軸線Ａｘの近傍で他の方向から進行してきた不活性ガスと衝突する。その後、不活性ガスは、めっき液Ｌ１の液面を沿うようにして基板Ｗの内側から外周側に向かって進行し、基板Ｗと蓋体６（特に側壁部６２）との間を通って蓋体６の外側に排出される。

なお、側壁部６２から内側（すなわち基板保持部５２側）に向かって延在する鍔部２６が、側壁部６２に取り付けられていてもよい。図４に示す鍔部２６は、環状の凸部として設けられており、側壁部６２の内側面に取り付けられている。蓋体６が下方位置に配置されている状態で、鍔部２６は、基板Ｗと蓋体６との間のスペースの水平方向断面積を局所的に小さくし、例えば基板Ｗの上面Ｓｗよりも下方の位置に配置される。図示の例では、水平方向に関して基板Ｗと少なくとも部分的に重なる位置に鍔部２６が配置されているが、水平方向に関して基板Ｗと重ならない位置（すなわち基板Ｗの全体よりも下方の位置）に鍔部２６が配置されてもよい。鍔部２６は、蓋体６と基板Ｗとの間のスペースに外気（特に酸素）が流入することを防ぎ、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を安定化させるのに有利である。また鍔部２６は、蓋体６と基板Ｗとの間のスペースを陽圧にすることを容易にし、当該スペースからの酸素等の気体の効果的な排出に寄与する。

［ガス供給部の第３典型例］
図５は、第３典型例に係るガス供給部１１の概略構成を示す断面図である。図５において、上述の図１～図４に示す要素と同一又は類似の要素は、同一の符号が付され、その詳細な説明を省略する。図５に示す要素の形状や寸法比は、必ずしも図１及び図２に示す要素の形状や寸法比には対応しておらず、また図５では一部要素の図示が省略されている。

本例のガス供給部１１のガス供給ノズル１２は、蓋体６の天井部６１に設けられている。図示のガス供給ノズル１２は、回転軸線Ａｘに沿って天井部６１を貫通する鉛直流路と、当該鉛直流路に接続され蓋体６の内側において水平方向に延びる水平流路とを有し、水平流路の端部開口によってガス供給口１３が構成されている。図示のガス供給口１３は、周方向にわたって単一の開口により構成されている。なお、１又は複数の仕切りが水平流路に設けられ、当該１又は複数の仕切りによってお互いに区切られた複数の開口によって複数のガス供給口１３が構成されていてもよい。

ガス供給口１３の開口方向は、基板Ｗの内側から基板Ｗの外周側に向かう水平方向である。ガス供給口１３から噴出された不活性ガスは、基板Ｗの内側から基板Ｗの外周側に向かって放射状に進行し、基板Ｗと蓋体６（特に側壁部６２）との間を通って蓋体６の外側に排出される。これにより、酸素を含む気体を、基板Ｗの内側から外側に向かう不活性ガスとともに蓋体６の外側に排出することができる。

なお図示は省略するが、本例においても、上述の気流ガイド部２４（図３参照）及び／又は鍔部２６（図４参照）が設けられていてもよい。

［ガス供給部の第４典型例］
図６は、第４典型例に係るガス供給部１１の概略構成を示す平面図である。図６において、上述の図１～図５に示す要素と同一又は類似の要素は、同一の符号が付され、その詳細な説明を省略する。図６に示す要素の形状や寸法比は、必ずしも図１及び図２に示す要素の形状や寸法比には対応しておらず、また図６では一部要素の図示が省略されている。

本例の基板保持部５２は、蓋体６が下方位置（すなわち処理位置）に配置されている状態で、基板Ｗを、回転軸線Ａｘを中心に順周方向Ｄｆに回転させる。めっき液Ｌ１が上面Ｓｗに載せられている基板Ｗを低速で回転させることによって、上面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の状態を保ちつつ当該めっき液Ｌ１の局所的な質の偏りを防ぎ、上面Ｓｗの全体にわたる均質な液処理を実現することができる。

一方、ガス供給部１１は複数のガス供給ノズル１２（図６に示す例では２つのガス供給ノズル１２）を有し、ガス供給口１３が複数設けられている。各ガス供給ノズル１２のガス供給口１３の中心を通る延長ラインＬｖであって、対応のガス供給口１３の開口方向へ直線状に延びる延長ラインＬｖを仮想的に設定する。各ガス供給口１３の開口方向は、対応の延長ラインＬｖが回転軸線Ａｘを通過しないように、且つ、順周方向Ｄｆに追従する方向に設定される。すなわち、各ガス供給口１３から噴出される不活性ガスによって、基板Ｗの上方において順周方向Ｄｆに沿って旋回する気流が作り出されるように、各ガス供給口１３の開口方向が設定されている。

図６に示す例では、各ガス供給ノズル１２が基板Ｗの外周よりも外側に設置されており、上下方向に関して各ガス供給ノズル１２（特に各ガス供給口１３）は基板Ｗと重ならない。なおガス供給ノズル１２（特にガス供給口１３）は、基板Ｗの外周よりも内側に位置していてもよく、上下方向に関して基板Ｗと重なっていてもよい。例えば鉛直流路及び水平流路を有するガス供給ノズル１２において、水平流路の端部開口により構成される複数のガス供給口１３を基板Ｗの外周よりも内側に配置してもよい（図示省略）。鉛直流路は、回転軸線Ａｘと平行に（例えば回転軸線Ａｘに沿って）天井部６１を貫通するように設けられており、水平流路は、鉛直流路に接続され、蓋体６の内側スペースに配置されている。この場合にも、各ガス供給口１３の開口方向を、対応の延長ラインＬｖが回転軸線Ａｘを通過しないように、且つ、順周方向Ｄｆに追従する方向に設定することによって、基板Ｗの上方に順周方向Ｄｆに流れる旋回気流を作り出すことが可能である。

このように基板Ｗの上方における気流の旋回方向を基板Ｗの回転方向に対応させることによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１と基板Ｗの上方の気流との間の相対速度を低減することができる。これにより基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が、蓋体６と基板Ｗとの間のスペースに供給される不活性ガスから受ける影響を抑え、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の状態を安定化させることができる。

なお各ガス供給口１３の開口方向は、対応の延長ラインＬｖが回転軸線Ａｘを通過しないように、且つ、順周方向Ｄｆとは逆の周方向（すなわち逆周方向）Ｄｒに追従する方向に設定されてもよい。この場合、各ガス供給口１３から噴出される不活性ガスにより、基板Ｗの上方において逆周方向Ｄｒに沿って旋回する気流が作り出されるように、各ガス供給口１３の開口方向が設定される。この場合、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１と基板Ｗの上方の旋回気流との間の相対速度が比較的大きい状態で、基板Ｗと蓋体６との間のスペースから酸素を含む気体を旋回気流によって効果的に排出することができる。また基板保持部５２によって基板Ｗが停止させられた状態で、基板Ｗの上方に旋回気流が作り出されるように、各ガス供給口１３の開口方向が設定されてもよい。

基板Ｗの上方に所望の旋回気流を作り出すためには、全てのガス供給ノズル１２のガス供給口１３の開口方向が、共通の周方向（すなわち順周方向Ｄｆ又は逆周方向Ｄｒ）に追従する方向に設定されることが好ましい。ただし、一部のガス供給ノズル１２のガス供給口１３の開口方向のみが、共通の周方向に追従する方向に設定されていてもよい。すなわち複数のガス供給口１３のうちの２以上のガス供給口１３の各々の開口方向を、順周方向Ｄｆ及び逆周方向Ｄｒのうちの一方に追従する方向としてもよい。

［ガス供給部の第５典型例］
図７は、めっき処理方法の一例を示すフローチャートである。本典型例はめっき処理方法（すなわち基板液処理方法）に関連しており、特にガス供給口１３からの不活性ガスの噴出タイミングに関する。そのため本典型例に係るめっき処理方法は、例えば上述の第１典型例～第４典型例に係る装置によって実施されてもよいし、他の構成を有する装置によって実施されてもよい。

以下では、まずめっき処理方法の全体の流れについて説明し、その後、不活性ガスの供給タイミングについて説明する。

めっき処理装置１によって実施されるめっき処理方法は、基板Ｗに対するめっき処理を含む。めっき処理は、めっき処理部５により実施される。以下に示すめっき処理部５の動作は、制御部３によって制御される。なお、下記の処理が行われている間、ファンフィルターユニット５９から清浄な空気がチャンバ５１内に供給され、排気管８１に向かって流れる。

まず、めっき処理部５に基板Ｗが搬入され、基板Ｗが基板保持部５２によって水平に保持される（図７に示すＳ１）。

次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの洗浄処理が行われる（Ｓ２）。この洗浄処理では、まず回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転し、続いて、退避位置に位置づけられていたノズルアーム５６が吐出位置に移動し、回転する基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液ノズル５４１から洗浄液Ｌ２が供給される。これにより基板Ｗの表面が洗浄され、基板Ｗに付着した付着物等が基板Ｗから除去される。基板Ｗに供給された洗浄液Ｌ２はドレンダクト５８１に排出される。

続いて、基板Ｗのリンス処理が行われる（Ｓ３）。このリンス処理では、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。これにより基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ２が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ３はドレンダクト５８１に排出される。

次に、基板保持部５２により保持されている基板Ｗの上面Ｓｗにめっき液Ｌ１を供給し、基板Ｗの上面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１のパドルを形成するめっき液盛り付け工程が行われる（Ｓ４）。この工程では、まず、基板Ｗの回転数がリンス処理時の回転数よりも低減され、例えば基板Ｗの回転数を５０～１５０ｒｐｍにしてもよい。これにより、基板Ｗ上に形成されるめっき膜を均一化させることができる。なお、基板Ｗの回転を停止させて、めっき液Ｌ１の盛り付け量を増大してもよい。続いて、めっき液ノズル５３１から基板Ｗの上面Ｓｗにめっき液Ｌ１が吐出される。このめっき液Ｌ１は表面張力によって上面Ｓｗに留まり、めっき液Ｌ１の層（いわゆるパドル）が形成される。めっき液Ｌ１の一部は、上面Ｓｗから流出してドレンダクト５８１介して排出される。所定量のめっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出された後、めっき液Ｌ１の吐出が停止される。その後、ノズルアーム５６は退避位置に位置づけられる。

次に、めっき液加熱処理工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。このめっき液加熱処理工程は、蓋体６が基板Ｗを覆う工程（Ｓ５）と、不活性ガスを供給する工程（Ｓ６）と、蓋体６を下方位置に配置してめっき液Ｌ１を加熱する加熱工程（Ｓ７）と、蓋体６を基板Ｗ上から退避する工程（Ｓ８）と、を有する。なお、めっき液加熱処理工程においても、基板Ｗの回転数は、めっき液盛り付け工程と同様の速度（或いは回転停止）で維持されることが好適である。

蓋体６が基板Ｗを覆う工程（Ｓ５）では、まず、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、退避位置に位置づけられていた蓋体６が水平方向に旋回移動して、上方位置に位置づけられる。続いて、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が下降して下方位置に位置づけられ、基板Ｗが蓋体６により覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。このようにして基板保持部５２に保持されている基板Ｗの上面Ｓｗが、下方位置（すなわち処理位置）に配置されている蓋体６により覆われる。

基板Ｗが蓋体６によって覆われた後、基板Ｗの上面Ｓｗにめっき液Ｌ１が載せられている状態で、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスが噴出される。これにより、基板保持部５２に保持されている基板Ｗと下方位置に配置されている蓋体６との間のスペースに不活性ガスが供給され（Ｓ６）、基板Ｗの周囲を低酸素雰囲気に保ちつつ基板Ｗの上面Ｓｗのめっき処理を行うことができる。

次に、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される（Ｓ７）。めっき液Ｌ１の温度が、めっき液Ｌ１中の成分が析出する温度まで上昇すると、基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１の成分が析出してめっき膜が形成され成長する。この加熱工程では、所望厚さのめっき膜を得るのに必要な時間、めっき液Ｌ１は加熱されて析出温度に維持される。

加熱工程が終了すると、蓋体移動機構７が駆動されて、蓋体６が退避位置に位置づけられる（Ｓ８）。このようにして、基板Ｗのめっき液加熱処理工程（Ｓ５～Ｓ８）が終了する。

次に、基板Ｗのリンス処理が行われる（Ｓ９）。このリンス処理では、まず、基板Ｗの回転数をめっき処理時の回転数よりも増大させ、例えばめっき処理前の基板リンス処理工程（Ｓ３）と同様の回転数で基板Ｗを回転させる。続いて、退避位置に位置づけられていたリンス液ノズル５５１が、吐出位置に移動する。次に、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄され、基板Ｗ上に残存するめっき液Ｌ１が洗い流される。

続いて、基板Ｗの乾燥処理が行われる（Ｓ１０）。この乾燥処理では、基板Ｗを高速で回転させ、例えば基板Ｗの回転数を基板リンス処理工程（Ｓ９）の回転数よりも増大させる。これにより基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ３が振り切られて除去され、めっき膜が形成された基板Ｗが得られる。この場合、窒素（Ｎ_２）ガスなどの不活性ガスを基板Ｗに吹き付けて、基板Ｗの乾燥を促進してもよい。

その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されて、めっき処理部５から搬出される（Ｓ１１）。

上述のように、本典型例に係るめっき処理方法によれば、めっき液Ｌ１が載せられた基板Ｗの上面Ｓｗを蓋体６により覆いつつ、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスが噴出される（Ｓ６）。この不活性ガス供給工程（Ｓ６）において、ガス供給口１３の開口方向は、基板保持部５２に保持されている基板Ｗの上面Ｓｗ以外に向けられている。これにより、めっき液Ｌ１の温度の低下やめっき液Ｌ１の状態の乱れを防ぎつつ、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスを供給することができ、基板Ｗの液処理を安定的に行うことができる。

なおめっき液Ｌ１の酸化を防ぐ観点からは、めっき液Ｌ１が基板Ｗ上に載せられた後、可能な限り早期に、基板Ｗの上面Ｓｗの周囲を低酸素雰囲気にすることが好ましい。また基板Ｗのめっき処理の質を高める観点からは、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が、ガス供給口１３から噴出される不活性ガスから受ける影響を可能な限り低減することが好ましい。そのため図７に示すように、様々なタイミングでガス供給口１３から不活性ガスを噴出させることが可能である。

例えば、蓋体６が下方位置に配置される前に、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスが噴出されてもよい（例えば図７のＳ１２－１参照）。この場合、蓋体６が下方位置に配置される前に、不活性ガス供給工程（Ｓ６）に先立って、天井部６１と側壁部６２とによって区画されるスペース（すなわち蓋体６の内側スペース）に不活性ガスを溜めておくことができる。

また基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液Ｌ２が載せられている状態で、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスが噴出されてもよい（例えば図７のＳ１２－２参照）。これにより不活性ガス供給工程（Ｓ６）に先立つ基板洗浄処理工程（Ｓ２）の間に、蓋体６の内側スペースに不活性ガスを溜めておくことができる。

また基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液Ｌ２が供給される前に、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスを噴出させて、天井部６１と側壁部６２とによって区画されるスペースに不活性ガスが溜められてもよい（例えば図７のＳ１２－３参照）。これにより、不活性ガス供給工程（Ｓ６）に先立つ基板洗浄処理工程（Ｓ２）の前に、蓋体６の内側スペースに不活性ガスを溜めておくことができる。

また基板Ｗにリンス液Ｌ３が供給される前（すなわち基板洗浄処理工程（Ｓ２）と基板リンス処理工程（Ｓ３）との間）に、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスを噴出させてもよい。また基板Ｗにめっき液Ｌ１が供給される前（すなわち基板リンス処理工程Ｓ３とめっき液盛り付け工程Ｓ４との間）に、ガス供給ノズル１２のガス供給口１３から不活性ガスを噴出させてもよい。

上述のように不活性ガス供給工程（Ｓ６）に先立って蓋体６の内側スペースに不活性ガスを溜めておくことで、不活性ガス供給工程（Ｓ６）において、迅速に、基板Ｗの周囲を低酸素雰囲気にすることができる。なお蓋体６の内側スペースに不活性ガスを長時間にわたって留めておくためには、不活性ガスは軽い方が好ましく、例えばヘリウムを不活性ガスとして好適に用いることができる。

なおガス供給ノズル１２のガス供給口１３からの不活性ガスの噴出は、不活性ガス供給工程の前（Ｓ１～Ｓ５参照）及び不活性ガス供給工程（Ｓ６）の間において断続的に行われてもよいし、継続的に行われてもよい。

ガス供給ノズル１２のガス供給口１３は、蓋体６が下方位置に配置される前に及び下方位置に配置されている蓋体６が基板Ｗの上面Ｓｗを覆っている間に、不活性ガスを噴出してもよい。この場合、蓋体６が下方位置に配置されている間にガス供給口１３から噴出される不活性ガスの流量よりも大きい流量の不活性ガスを、蓋体６が下方位置に配置される前にガス供給口１３から噴出することが可能である。蓋体６が下方位置に配置される前は、蓋体６に設けられるガス供給ノズル１２が基板Ｗの上面Ｓｗから遠く離れた位置にあるため、ガス供給口１３から大流量の不活性ガスを噴出させても、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が不活性ガスから受ける影響は小さい。一方、蓋体６が下方位置に配置されている間は、ガス供給ノズル１２が基板Ｗの近くに位置するため、ガス供給口１３から噴出される不活性ガスの流量を小さくすることによって、不活性ガスが基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に及ぼす影響を小さくすることができる。このように蓋体６が下方位置に配置される前後において不活性ガスの噴出流量を変えることで、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に与える影響の大きさを抑えつつ、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに必要量の不活性ガスを迅速に供給することが可能である。

またガス供給ノズル１２のガス供給口１３は、基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液Ｌ２が載せられている間に及び基板Ｗの上面Ｓｗにめっき液Ｌ１が載せられている間に、不活性ガスを噴出してもよい。この場合、基板Ｗの上面Ｓｗにめっき液Ｌ１が載せられている間にガス供給口１３から噴出される不活性ガスの流量よりも大きい流量の不活性ガスを、基板Ｗの上面Ｓｗに洗浄液Ｌ２が載せられている間にガス供給口１３から噴出することが可能である。基板Ｗのめっき処理において、基板Ｗ上の洗浄液Ｌ２の状態が乱されても実質的な影響は小さいが、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の状態の乱れは、めっき処理の質に対して比較的な大きな影響をもたらしうる。そのため基板洗浄処理工程（Ｓ２）において、基板Ｗ上の洗浄液Ｌ２を揺らしうるような大流量の不活性ガスをガス供給口１３から噴出させることにより、蓋体６の内側スペースに不活性ガスを迅速に供給することが可能である。一方、不活性ガス供給工程（Ｓ６）おいて、ガス供給口１３から小流量の不活性ガスを噴出させることにより、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の状態を乱すことなく、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに不活性ガスを供給することができる。このように基板洗浄処理工程及び不活性ガス供給工程において不活性ガスの噴出流量を変えることで、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に与える影響の大きさを抑えつつ、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに必要量の不活性ガスを迅速に供給することができる。

またガス供給ノズル１２のガス供給口１３は、不活性ガスに加えて水蒸気を噴出させてもよい。下方位置に配置されている蓋体６が基板Ｗの上面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１を覆っている間に、ガス供給口１３は、基板Ｗと蓋体６との間のスペースに、不活性ガス及び水蒸気の混合ガスを供給してもよい。この場合、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の蒸発が抑えられ、めっき液Ｌ１の量の減少を抑えることができ、また蒸発によるめっき液Ｌ１の温度低下を抑えることができる。なお不活性ガス及び水蒸気を含む混合ガスの生成方法は限定されない。例えば、純水が貯留されている純水タンク（図示省略）内で不活性ガスを使ってバブリングを行うことにより（すなわち不活性ガスが純水を通過させられることにより）、不活性ガス及び水蒸気を含む混合ガスが生成されてもよい。また純水タンク内の純水を加熱することにより水蒸気を生成し、当該水蒸気及び不活性ガスに混ぜ合わせることによって混合ガスが生成されてもよい。

本開示は上記実施の形態及び変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の装置及び方法を形成できる。実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態及び変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

例えば、めっき液Ｌ１以外の処理液及びめっき処理以外の液処理に対しても本開示に係る基板液処理装置及び基板液処理方法は有効である。また、基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行された際に、コンピュータが基板液処理装置を制御して上述の基板液処理方法を実行させるプログラムを記録した記録媒体（例えば記録媒体３１）として、本開示が具体化されてもよい。

６蓋体
１１ガス供給部
１３ガス供給口
５２基板保持部
５３めっき液供給部
Ｌ１めっき液
Ｓｗ上面
Ｗ基板

Claims

基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面を覆う蓋体と、
前記基板保持部に保持されている前記基板と前記蓋体との間のスペースであって前記基板の前記上面に面するスペースに不活性ガスを供給するガス供給部であって、前記不活性ガスを噴出するガス供給口を有するガス供給部と、を備え、
前記ガス供給口の開口方向は、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面以外に向けられており、
前記ガス供給口は、前記スペースにおいて前記不活性ガスが水平方向に流れるように、前記不活性ガスを噴出する、基板液処理装置。
前記蓋体は、水平方向に延びる天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、前記天井部に設けられて発熱する加熱部と、を有する請求項１に記載の基板液処理装置。
前記ガス供給部は、前記側壁部に設けられている請求項２に記載の基板液処理装置。
前記ガス供給部は、前記天井部に設けられている請求項２又は３に記載の基板液処理装置。
前記開口方向は、前記天井部に向けられている請求項２～４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
前記天井部と前記側壁部との間の隅部に設けられ、前記スペースに露出されるガイド面を有する気流ガイド部を備え、
前記開口方向は、前記ガイド面に向けられている請求項２～５のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
前記側壁部から前記基板保持部側に向かって延在する鍔部を備える請求項２～６のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
前記開口方向は、水平方向である請求項１～７のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
前記開口方向は、前記基板の外周側から前記基板の内側に向かう方向である請求項１～８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
前記開口方向は、前記基板の内側から前記基板の外周側に向かう方向である請求項１～８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面を覆う蓋体と、
前記基板保持部に保持されている前記基板と前記蓋体との間のスペースに不活性ガスを供給するガス供給部であって、前記不活性ガスを噴出するガス供給口を有するガス供給部と、を備え、
前記ガス供給口の開口方向は、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面以外に向けられており、
前記ガス供給口は複数設けられ、
前記基板保持部は、回転軸線を中心に前記基板を順周方向に回転させ、
前記複数のガス供給口のうちの２以上のガス供給口のそれぞれの中心を通る２以上の延長ラインであって、前記２以上のガス供給口のそれぞれの前記開口方向へ直線状に延びる２以上の延長ラインは、前記回転軸線を通過せず、
前記２以上のガス供給口の各々の前記開口方向は、前記順周方向とは逆向きの逆周方向及び前記順周方向のうちの一方に追従する方向である基板液処理装置。
前記２以上のガス供給口の各々の前記開口方向は、前記順周方向に追従する方向である請求項１１に記載の基板液処理装置。
前記不活性ガスはヘリウムである請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
基板保持部により保持されている基板の上面に処理液を供給する工程と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面を、処理位置に配置されている蓋体により覆う工程と、
前記上面に前記処理液が載せられている状態でガス供給口から不活性ガスが噴出され、前記基板保持部に保持されている前記基板と前記処理位置に配置されている前記蓋体との間のスペースであって前記基板の前記上面に面するスペースに前記不活性ガスを供給する工程と、を含み、
前記ガス供給口の開口方向は、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面以外に向けられており、
前記ガス供給口は、前記スペースにおいて前記不活性ガスが水平方向に流れるように、前記不活性ガスを噴出する、基板液処理方法。
前記蓋体は、水平方向に延びる天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、を有し、
前記蓋体が前記処理位置に配置される前に、前記天井部と前記側壁部とによって区画されるスペースに前記不活性ガスが溜められる請求項１４に記載の基板液処理方法。
基板保持部により保持されている基板の上面に処理液を供給する工程と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面を、処理位置に配置されている蓋体により覆う工程と、
前記上面に前記処理液が載せられている状態でガス供給口から不活性ガスが噴出され、前記基板保持部に保持されている前記基板と前記処理位置に配置されている前記蓋体との間のスペースに前記不活性ガスを供給する工程と、を含み、
前記ガス供給口の開口方向は、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面以外に向けられており、
前記ガス供給口は、前記蓋体が前記処理位置に配置される前に及び前記処理位置に配置されている前記蓋体が前記上面を覆っている間に、前記不活性ガスを噴出し、
前記蓋体が前記処理位置に配置されている間に前記ガス供給口から噴出される前記不活性ガスの流量よりも大きい流量の前記不活性ガスを、前記蓋体が前記処理位置に配置される前に前記ガス供給口から噴出させる基板液処理方法。
基板保持部により保持されている基板の上面に処理液を供給する工程と、
前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面を、処理位置に配置されている蓋体により覆う工程と、
前記上面に前記処理液が載せられている状態でガス供給口から不活性ガスが噴出され、前記基板保持部に保持されている前記基板と前記処理位置に配置されている前記蓋体との間のスペースに前記不活性ガスを供給する工程と、を含み、
前記ガス供給口の開口方向は、前記基板保持部に保持されている前記基板の前記上面以外に向けられており、
前記処理液とは異なる洗浄液を前記上面に供給する工程を含み、
前記上面に前記洗浄液が載せられている状態で、前記ガス供給口から前記不活性ガスが噴出される基板液処理方法。
前記蓋体は、水平方向に延びる天井部と、前記天井部から下方に延びる側壁部と、を有し、
前記上面に前記洗浄液が供給される前に、前記天井部と前記側壁部とによって区画されるスペースに前記不活性ガスが溜められる請求項１７に記載の基板液処理方法。
前記ガス供給口は、前記上面に前記洗浄液が載せられている間に及び前記上面に前記処理液が載せられている間に、前記不活性ガスを噴出し、
前記上面に前記処理液が載せられている間に前記ガス供給口から噴出される前記不活性ガスの流量よりも大きい流量の前記不活性ガスを、前記上面に前記洗浄液が載せられている間に前記ガス供給口から噴出させる請求項１７又は１８に記載の基板液処理方法。