JP7297905B2 - 基板液処理方法、基板液処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板液処理方法、基板液処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

無電解めっき処理において、基板上でめっき液を加熱することにより、基板上におけるめっき金属の析出を促すことができる。例えば特許文献１は、ヒータを有する蓋体によって基板を覆うことにより、基板上のめっき液の温度を迅速に上昇させることができる基板液処理装置を開示する。

特開２０１８－３０９７号公報

本開示は、無電解めっき処理において、基板の表面の凹部に、ボイドを生じさせることなく、金属を埋め込むのに有利な技術を提供する。

本開示の一態様は、シード層が積層されている凹部を含む表面を持つ基板を準備する工程と、基板の表面に無電解めっき液を供給して、凹部を無電解めっき液で満たしつつ表面上に無電解めっき液の液膜を形成する工程と、シード層上において金属を析出させる第１の温度から、第１の温度よりも低い第２の温度に液膜の温度を調整し、凹部が、ボイドを生じさせないように、金属によって底部側から埋められる工程と、を含む基板液処理方法に関する。

本開示によれば、無電解めっき処理において、基板の表面の凹部に、ボイドを生じさせることなく、金属を埋め込むのに有利である。

図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。 図２は、めっき処理部の構成の一例を示す概略断面図である。 図３は、第１実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。 図４は、第１実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液の温度との関係の一例を示すグラフである。 図５Ａは、第１実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を例示する図である。 図５Ｂは、第１実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を例示する図である。 図５Ｃは、第１実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を例示する図である。 図６は、第２実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。 図７は、第２実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液の温度の関係の一例を示すグラフである。 図８は、第３実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。 図９は、第３実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液の温度の関係の一例を示すグラフである。 図１０Ａは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を示す図である。 図１０Ｂは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を示す図である。 図１０Ｃは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を示す図である。 図１０Ｄは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を示す図である。 図１０Ｅは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板の凹部の断面状態を示す図である。 図１１は、第４実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。 図１２は、第４実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液の温度の関係の一例を示すグラフである。

以下、図面を参照して基板液処理装置及び基板液処理方法を例示する。

まず、図１を参照して、基板液処理装置の構成を説明する。図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液を供給して基板Ｗをめっき処理する装置である。

図１に示すように、めっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウェハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。

めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。めっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２により保持された基板Ｗの上面（処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給部５３と、を備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプである。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、Ｃｕ、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。

洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１および洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、およびリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２またはリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの上面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。

基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２および側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。

上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

本実施の形態では、ヒータ６３が駆動されて、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されるように構成されている。

蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（すなわち下方位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。

蓋体６の天井部６１には、ヒータ６３が設けられている。ヒータ６３は、蓋体６が下方位置に位置づけられた場合に、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。本実施の形態では、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在し、上述したように密封されており、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れることが防止されている。

本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有する。ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。

蓋体６の天井部６１および側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向および上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。

チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

［無電解めっき処理］
次に、上述のめっき処理部５によって行われる無電解めっき処理の流れを例示する。

以下、例として、めっき液Ｌ１が銅イオンを含み、無電解めっき処理によって基板Ｗの処理面Ｓｗの凹部（例えばビア（孔）やトレンチ（溝））にめっき金属として銅を埋め込む場合について説明する。ただし以下に説明する技術は、銅以外の金属がめっき金属として用いられる場合にも有効である。

基板Ｗの処理面Ｓｗの凹部に銅を埋め込んで配線を形成する技術において、凹部の区画面上に銅やコバルトを含むシード層を積層しておき、当該シード層を触媒面として用いて無電解めっき処理を行うことで、凹部に銅を埋め込むことができる。この場合、凹部における銅の成膜は、シード層の状態等に応じて、必ずしも均一的には進行しない。例えば、凹部の開口部では、凹部の底部側若しくは中央部に先行して、銅の成膜が進行することがある。この場合、凹部の底部側若しくは中央部における銅の埋め込みが完了する前に、凹部の開口部における銅の埋め込みが完了し、凹部の内部には銅が埋め込まれていない空洞（すなわちボイド）が生じてしまうことがある。

そのようなボイドの発生を防ぐために、凹部における銅の成膜速度をコントロールしつつ、無電解めっき処理を進めることが有効である。すなわち、凹部の底部側若しくは中央部における銅の成膜速度に比べ、凹部の開口部における銅の成膜速度を抑えることで、凹部の底部側若しくは中央部における銅の埋め込みが完了する前に開口部が銅により閉じられることを回避することができる。例えば、錯化剤やめっき反応を阻害する抑制剤が混ぜられているめっき液Ｌ１を用いることにより、凹部の開口部における銅の成膜速度を抑えることができる。

しかしながら、凹部の大きさ（例えば開口径）やシード層の厚みによっては、錯化剤や抑制剤で凹部の開口部における銅の成膜速度を必ずしも十分には抑えることができないこともある。例えばシード層をＰＶＤ（物理的気層成長法）によって形成する場合、凹部の開口部近傍におけるシード層の堆積量が相対的に多くなる傾向があるため、開口部の径がシード層によって小さくなりやすい。凹部の開口部の径が小さい場合、開口部における銅の成膜速度がめっき液に含まれる抑制剤により抑えられても、凹部の底部側若しくは中央部における銅の埋め込みが完了する前に開口部が銅により閉じられてしまうことがある。

本件発明者は、鋭意研究の結果、凹部の開口部と底部側及び中央部との間で、めっき液Ｌ１の温度とめっき処理の反応性との関係が一致しないという現象に基づく多段階温度調整成膜技術を新たに見出した。

めっき反応が積極的に進む温度（すなわちめっき温度）にめっき液Ｌ１の温度を上昇させてめっき液Ｌ１を活性化させた後、めっき反応が相対的に抑制される温度までめっき液Ｌ１の温度を降下させる。この場合、十分量のめっき液Ｌ１が近くに存在している凹部の開口部では、めっき液Ｌ１の温度低下に伴ってめっき反応が抑制され、一旦析出した銅が錯化剤によって再びめっき液Ｌ１中に溶解することもある。一方、凹部の底部側及び中央部では、限られたスペースにシード層や析出銅が存在するため、一旦活性化されためっき液Ｌ１の温度を下げても、めっき液Ｌ１中の還元剤から放出された電子が消費されてめっき反応が続行して、めっき銅が析出し続けることがある。

このような凹部の場所による反応性の違いを利用し、以下のようにして無電解めっき処理を行うことができる。すなわち、めっき液Ｌ１の温度を上昇させてめっき液Ｌ１を一旦活性化させた後、基板Ｗの処理面Ｓｗ上でめっき液Ｌ１の温度を下げる。この際、凹部の開口部が析出銅によって閉じられない程度に開口部におけるめっき反応が抑えられ、場合によっては、凹部の開口部の銅をめっき液Ｌ１中に溶解させる。一方、凹部の底部側及び中央部では、めっき反応を続行させて、銅を析出させる。これにより、ボイドの発生を防いで、凹部の全体にわたって銅（めっき金属）を適切に埋め込むことができる。

上述のようにしてボイドの発生を防ぎつつ凹部に銅を適切に埋め込むには、めっき液Ｌ１の温度コントロールを、制御部３の制御下で、めっき液Ｌ１、シード層、及びその他の処理条件に応じて適切に行う必要がある。以下に、めっき液Ｌ１の温度コントロールに関する典型的な実施形態を例示する。各実施形態におけるめっき液Ｌ１の温度コントロールは、制御部３（図１参照）がめっき処理部５の各要素を制御することによって行われる。

以下の各実施形態では主として「基板Ｗ上へのめっき液Ｌ１の供給」～「凹部における銅（めっき金属）の埋め込み」について説明するが、以下では明記されていない任意の処理が各工程の前後で行われてもよい。例えば、めっき液Ｌ１の供給に先立って、洗浄液Ｌ２を使った基板Ｗの処理面Ｓｗの洗浄処理及びリンス液Ｌ３を使った処理面Ｓｗのリンス処理が行われてもよい。また凹部に銅が埋め込まれた後に、リンス液Ｌ３を使った基板Ｗの処理面Ｓｗのリンス処理及び処理面Ｓｗの乾燥処理が実施され、その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されてめっき処理部５から搬出されてもよい。それぞれの処理の具体的なやり方は限定されない。例えば、基板Ｗの乾燥処理は、典型的には基板Ｗを高速回転させることによって行われるが、不活性ガス供給部６６により不活性ガスを基板Ｗに吹き付けて処理面Ｓｗの乾燥を促進してもよい。

［第１実施形態］
図３は、第１実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。図４は、第１実施形態に係る無電解めっき処理における時間とめっき液Ｌ１の温度との関係の一例を示すグラフである。図５Ａ～図５Ｃは、第１実施形態に係る無電解めっき処理における基板Ｗの凹部１１の断面状態を例示する図である。

本実施形態では、まず図２に示すように、基板Ｗが基板保持部５２に保持されて準備状態に置かれる（図３のＳ１１）。基板Ｗの表面（すなわち処理面Ｓｗ）は多数の凹部１１を含み、これらの凹部１１にはシード層１２が積層されている（図５Ａ参照）。凹部１１は限定されず、典型的には、トレンチ（絶縁膜に形成される上層配線を配置するための溝）やビア（上層配線と下層配線とをつなぐ孔）が凹部１１を構成しうる。

シード層１２は、めっき液Ｌ１中の金属イオンを還元するために必要な電子をめっき部分に供給するための電極として機能する任意の材料によって構成可能であり、本例では銅イオンを還元する銅膜によって構成されている。図示は省略するが、めっき金属（本例では銅）の拡散を防止するためのバリア層（例えばタンタル（Ｔａ）や窒化タンタル（ＴａＮ））が、シード層１２と基板Ｗの処理面Ｓｗとの間に設けられていてもよい。またシード層１２自体をバリア層として機能させてもよい。

基板Ｗの準備が整った後、ノズルアーム５６が基板Ｗの上方の吐出位置に配置され、めっき液供給部５３（すなわちめっき液ノズル５３１）から処理面Ｓｗにめっき液Ｌ１（すなわち無電解めっき液）が供給される（Ｓ１２）。これにより各凹部１１がめっき液Ｌ１で満たされつつ、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１の液膜１４が形成される（図５Ａ参照）。このとき、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１（すなわち液膜１４）は、室温（すなわち常温）よりも高い温度を有する（図４の「めっき液供給」で示される範囲参照）。常温は５℃～３５℃の範囲の温度を意味し、通常の室温は１５℃～２５℃（例えば２２℃～２４℃程度）であることが多い。

基板Ｗ上に着地した後のめっき液Ｌ１は、室温及び基板Ｗの温度の影響を受けて、通常は、めっき液ノズル５３１から吐出された直後よりも温度が低くなる。また図４の「めっき液供給」で示される範囲には、便宜的に、めっき液Ｌ１の温度が一定である状態が示されているが、実際には、基板Ｗ上に着地した後のめっき液Ｌ１の温度は変動しうる。図４に示す例では、基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給されている間、基板上のめっき液Ｌ１は、後述の第１の温度よりも多少低い温度を有する。ただし基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給されている間の基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度は限定されず、例えば第１の温度よりも相当低い温度（例えば室温又は室温に近い温度）であってもよいし、第１の温度よりも高くてもよい。

基板Ｗの処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１の液膜１４が形成された後、ノズルアーム５６が退避位置に配置され、蓋体６が下方位置（図２において実線で示される位置）に配置されて、液膜１４はヒータ６３により加熱される。すなわち液膜１４は、シード層１２上において銅（すなわちめっき金属）を析出させるのに適しためっき温度（第１の温度）に調整される（Ｓ１３；図４の「加熱」で示される範囲参照）。これによりシード層１２上にはめっき銅１３が徐々に析出し、凹部１１はめっき銅１３によって徐々に埋められる（図５Ｂ参照）。なお、基板Ｗに着地した直後のめっき液Ｌ１が、めっき反応を誘発するのに十分な高温を有する場合、液膜１４の温度が第１の温度に調整される前から、凹部１１においてめっき銅１３の析出が生じている。

基板Ｗ上の液膜１４をめっき温度（第１の温度）に加熱した後、液膜１４の温度は第１の温度から下げられ、第１の温度よりも低い温度（第２の温度）に液膜１４の温度が調整される。液膜１４は、しばらくの間、第１の温度又は第１の温度の近くの温度に維持されてもよいが、析出しためっき銅１３によって凹部１１の開口部が塞がれる前に、液膜１４は第２の温度に調整される。本実施形態では、蓋体６が下方位置から上方位置（図２において二点鎖線で示される位置）に移動され、ヒータ６３は、基板Ｗ上の液膜１４を実質的に加熱しない位置に配置される。これにより基板Ｗ上の液膜１４は、めっき温度（第１の温度）から室温（第２の温度）に向けて自然冷却される（Ｓ１４；図４の「加熱停止」で示される範囲参照）。

このようにして基板Ｗ上の液膜１４の温度を緩やかに下げることによって、凹部１１の開口部におけるめっき反応が抑えられる一方で、凹部１１の底部側及び中央部では引き続きめっき銅１３が析出される。これにより、液膜１４がめっき温度（第１の温度）から室温（第２の温度）に冷却される間、凹部１１は底部側から開口部に向けて徐々にめっき銅１３によって埋められ、最終的には凹部１１の全体がめっき銅１３によって埋められる（図５Ｃ参照）。このようにして凹部１１は、ボイドを生じさせないように、めっき銅１３（めっき金属）によって底部側から埋められる。

上述の一連の無電解めっき処理は、制御部３（図１参照）の制御下で行われる。制御部３は、基板Ｗ上の液膜１４をめっき温度（第１の温度）から第２の温度に調整し、凹部１１が、ボイドを生じさせないように、析出銅によって底部側から埋められるように、ヒータ６３を有する蓋体６（すなわち温度調整部）を制御する。

なお図示の形態において第２の温度は室温となっているが、第２の温度は室温よりも高くてもよいし、低くてもよい。例えば、基板Ｗ上の液膜１４をめっき温度（第１の温度）に加熱した後、蓋体６を下方位置から、高さ方向に関して上方位置と下方位置との間に位置する中間位置に移動させてもよい。この場合、基板Ｗ上の液膜１４の温度は、第１の温度から、第１の温度と室温との間の温度（第２の温度）に向けて徐々に降下する。

また基板Ｗ上の液膜１４は、ヒータ６３を有する蓋体６（カバー部材）が処理面Ｓｗの上方に配置されることによって加熱され、液膜１４の温度は処理面Ｓｗとヒータ６３との間の距離が変えられることによって調整される。したがって基板Ｗ上の液膜１４の温度を調整する温度調整部は、蓋体６（厳密にはヒータ６３）を含むが、液膜１４の温度を変えることができる他の装置及び他の手段を含んでいてもよい。

例えば、温度調整部は不活性ガス供給部６６（図２参照）を含んでいてもよい。基板Ｗ上の液膜１４の温度をめっき温度（第１の温度）から第２の温度に調整する際、不活性ガス供給部６６は、基板の処理面Ｓｗと蓋体６（特に第１天井板６１１）との間に不活性ガスを供給してもよい。この場合、新たに供給された不活性ガスによって基板Ｗと蓋体６との間の気体が置換され、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の蒸発が促進され、その結果、基板Ｗ上の液膜１４の温度を下げることができる。また制御部３の制御下でヒータ６３の発熱状態（例えばヒータ６３の通電のオンオフ状態）を変えることによって、基板Ｗ上の液膜１４の温度が調整されてもよい。蓋体６を下方位置に配置した状態でヒータ６３の通電をオフにすることによって、基板Ｗの処理面Ｓｗを蓋体６により覆った状態で、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度を緩やかに下げることができる。

［第２実施形態］
本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図６は、第２実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。図７は、第２実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液Ｌ１の温度の関係の一例を示すグラフである。

本実施形態では、基板Ｗ上の液膜１４の温度を下げてめっき温度（第１の温度）から第２の温度に調整する際、第１の温度よりも低い温度を有するめっき液Ｌ１が基板Ｗの処理面Ｓｗに供給される。これによりめっき液Ｌ１の温度は、自然冷却に比べ、短時間で急激に降下させられる。なお図７には、便宜的に、基板Ｗ上の液膜１４の温度が第１めっき温度から第２めっき温度に、瞬間的に変化している状態が示されている。ただし実際には、多少の時間をかけて、基板Ｗ上の液膜１４の温度が第１めっき温度から第２めっき温度に変化しうる。

本実施形態では上述の第１実施形態と同様に、基板Ｗが基板保持部５２上に準備され（図６のＳ２１）、めっき液ノズル５３１から基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給される（Ｓ２２；図７において「めっき液供給」で示される範囲参照）。そして蓋体６を下方位置に配置して、基板Ｗ上の液膜１４を加熱して、液膜１４の温度を第１めっき温度（第１の温度）に調整する（Ｓ２３；図７において「高温加熱」で示される範囲参照）。

その後、蓋体６が下方位置から上方位置に移動し、ノズルアーム５６が退避位置から吐出位置に移動し、めっき液供給部５３（めっき液ノズル５３１）から基板Ｗの処理面Ｓｗに新たなめっき液Ｌ１が供給される。処理面Ｓｗに新たに供給されるめっき液Ｌ１の温度は、第１の温度よりも低い温度であり、典型的には第２めっき温度或いは第２めっき温度よりも僅かに高い温度又は僅かに低い温度である。これにより処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度は、第１めっき温度から第２めっき温度に向けて急激に降下する。

めっき液ノズル５３１から基板Ｗの処理面Ｓｗへの新たなめっき液Ｌ１の供給が完了した後、ノズルアーム５６は吐出位置から退避位置に移動する。その後、蓋体６は上方位置から下降して中間位置（高さ方向に関して上方位置と下方位置との間の位置）に配置される。これにより、ヒータ６３により基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されて、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度が第２めっき温度に保持される（Ｓ２４；図７において「中温加熱」で示される範囲参照）。

図７に示す例において、第２めっき温度は第１めっき温度と室温との間の温度である。第１めっき温度のめっき液Ｌ１及び第２めっき温度のめっき液Ｌ１は、いずれもめっき反応によって処理面Ｓｗ上（特にシード層１２及びめっき銅１３上）に新たなめっき銅１３を析出させる。第１めっき温度のめっき液Ｌ１は、第２めっき温度のめっき液Ｌ１よりも活性化されており、凹部１１の全体にわたってめっき銅１３を析出させる。一方、第２めっき温度のめっき液Ｌ１は、凹部１１の底部側及び中央部におけるめっき反応が、凹部１１の開口部におけるめっき反応よりも活発であり、底部側及び中央部において相対的に多くの量のめっき銅１３を析出させる。これにより凹部１１はめっき銅１３によって底部側から埋められ、凹部１１におけるボイドの発生が防がれている。

［第３実施形態］
本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図８は、第３実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。図９は、第３実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液Ｌ１の温度の関係の一例を示すグラフである。図１０Ａ～図１０Ｅは、第３実施形態に係る無電解めっき処理における基板Ｗの凹部１１の断面状態を示す図である。

本実施形態では、基板Ｗ上の液膜１４を第２の温度に調整した後、第２の温度よりも高く且つめっき銅１３を析出させる第３の温度に液膜１４が加熱される。液膜１４を適切なタイミングで第３の温度に加熱することによって、凹部１１の開口部がめっき銅１３によって閉じられるのを防ぎつつ、凹部１１へのめっき銅１３の埋め込みを高速化することが可能である。

本実施形態では上述の第１実施形態と同様に、基板Ｗが基板保持部５２上に準備され（図８のＳ３１）、めっき液ノズル５３１から基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給される（Ｓ３２；図９において「めっき液供給」で示される範囲及び図１０Ａ参照）。その後、蓋体６を下方位置に配置して、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱して、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度をめっき温度（第１の温度）に調整する（Ｓ３３；図９において「第１加熱」で示される範囲参照）。

その後、蓋体６が下方位置から上方位置に移動し、基板Ｗ上の液膜１４はめっき温度（第１の温度）から室温（第２の温度）に向けて自然冷却される（Ｓ３４；図９の「加熱停止」で示される範囲参照）。この冷却工程において液膜１４の温度が相対的に高い間（例えば液膜１４の温度が第１の温度に比較的近い間）、シード層１２上には銅が徐々に析出し、凹部１１がめっき銅１３によって徐々に埋められる（図１０Ｂ参照）。一方、この冷却工程において液膜１４の温度が相対的に低い間（例えば液膜１４の温度が第２の温度に比較的近い間）、無電解めっき処理の反応性が弱まる。そして第２の温度に近い温度及び第２の温度を有する液膜１４は、少なくとも凹部１１の開口部において、めっき銅１３を溶解して低減させる（図１０Ｃ参照）。このようにして凹部１１におけるめっき銅１３の一部が液膜１４に溶け出して消失することにより、凹部１１の開口部のスペースの径（すなわち凹部１１の開口径）を大きくすることができる。

その後、蓋体６は上方位置から下方位置に移動し、ヒータ６３によって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱され、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度がめっき温度（第３の温度）に調整される（Ｓ３５；図９において「第２加熱」で示される範囲参照）。これにより液膜１４ではめっき反応が進み、凹部１１は底部側から開口部に向けて徐々にめっき銅１３によって埋められ（図１０Ｄ参照）、最終的には凹部１１の全体がめっき銅１３によって埋められる（図１０Ｅ参照）。

以上説明したように本実施形態によれば、凹部１１において一旦析出しためっき銅１３の一部が液膜１４に溶解され、凹部１１の開口部のスペースの径が拡げられる。これにより、凹部の底部側若しくは中央部における銅の埋め込みが完了する前に開口部が銅により閉じられてしまうことを、効果的に回避することができる。

なお図９に示す例では、第１の温度及び第３の温度は互いに同じ温度となっているが、互いに異なる温度であってもよい。また第２の温度は室温でなくてもよく、室温よりも高い温度や室温よりも低い温度であってもよい。典型的には、蓋体６（厳密にはヒータ６３）の高さ方向位置を調整することによって、第１の温度及び第３の温度を互いに異ならせたり、第２の温度を室温よりも高くしたりすることができる。また、不活性ガス供給部６６（すなわちガスノズル６６１）から蓋体６と基板Ｗとの間に供給する不活性ガスの量（流速）を大きくしたり、当該不活性ガスの温度を下げたりすることによって、第２の温度を室温よりも低い温度にすることが可能である。

また上述では、液膜１４の温度を第１の温度から第２の温度に下げて、再び液膜１４の加熱を開始するまでの間に、凹部１１（特に開口部）でめっき銅１３が液膜１４に溶け出す例を説明したが、凹部１１においてめっき銅１３は液膜１４に溶け出さなくてもよい。例えば、基板Ｗ上の液膜１４が第２の温度及び第２の温度に近い温度を有する場合に、凹部１１の開口部におけるめっき銅１３の成膜速度が、凹部１１の底部側若しくは中央部におけるめっき銅１３の成膜速度よりも遅い又は実質的に停止していてもよい。

［第４実施形態］
本実施形態において、上述の第２実施形態及び第３実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１１は、第４実施形態に係る無電解めっき処理の一例を示すフローチャートである。図１２は、第４実施形態に係る無電解めっき処理における処理時間とめっき液Ｌ１の温度の関係の一例を示すグラフである。

本実施形態では上述の第３実施形態と同様に、基板Ｗが基板保持部５２上に準備され（図１１のＳ４１）、めっき液供給部５３（めっき液ノズル５３１）から基板Ｗ上にめっき液Ｌ１が供給される（Ｓ４２；図１２において「めっき液供給」で示される範囲参照）。その後、蓋体６を下方位置に配置して、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱して、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度をめっき温度（第１の温度）に調整する（Ｓ４３；図１２において「第１加熱」で示される範囲参照）。

その後、蓋体６が下方位置から上方位置に移動し、ノズルアーム５６が退避位置から吐出位置に移動し、めっき液供給部５３（めっき液ノズル５３１）から基板Ｗの処理面Ｓｗに新たなめっき液Ｌ１が供給される。処理面Ｓｗに新たに供給されるめっき液Ｌ１の温度は、第１の温度よりも低い温度（例えば室温又は室温以下の温度）である。これにより処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度は、めっき温度（第１の温度）から室温（第２の温度）に向けて急激に下がる（Ｓ４４）。なお図１２には、便宜的に、基板Ｗ上の液膜１４の温度が第１の温度から第２の温度に、瞬間的に変化している状態が示されている。ただし実際には、多少の時間をかけて、基板Ｗ上の液膜１４の温度が第１の温度から第２の温度に変化しうる。

その後、蓋体６が上方位置に配置された状態で、基板Ｗ及び液膜１４は室温環境下にしばらくの間置かれる（図１２において「加熱停止」で示される範囲参照）。この期間のうちの少なくとも一部の間（例えば前半）、凹部１１の開口部におけるめっき反応が抑えられる一方で、凹部１１の底部側及び中央部では引き続きめっき銅１３が析出される。またこの期間のうちの少なくとも一部の間（例えば後半）、凹部１１においてめっき銅１３の一部が液膜１４に溶解し、凹部１１の開口部のスペースの径が拡げられてもよい。

その後、蓋体６は上方位置から下方位置に移動し、ヒータ６３によって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱され、処理面Ｓｗ上の液膜１４の温度がめっき温度（第３の温度）に調整される（Ｓ４５；図１２において「第２加熱」で示される範囲参照）。これにより液膜１４ではめっき反応が進み、最終的には凹部１１の全体が銅によって埋められる。

なお図１２に示す例では、第１の温度及び第３の温度は互いに同じ温度となっているが、互いに異なる温度であってもよい。また第２の温度は室温でなくてもよく、室温よりも高い温度や室温よりも低い温度であってもよい。

また上述では、液膜１４の温度を第１の温度から第２の温度に下げて、再び第３の温度に上げるまでの間に、凹部１１（特に開口部）でめっき銅１３が液膜１４に溶け出す例を説明したが、凹部１１においてめっき銅１３は液膜１４に溶け出さなくてもよい。

［変形例］
めっき液Ｌ１の温度を下げる場合、積極的な冷却と自然冷却とが組み合わされてもよい。例えば、第２実施形態（図７参照）において、基板Ｗ上に新たなめっき液Ｌ１を供給して液膜１４の温度を第２めっき温度に下げた後、自然冷却させてもよい。また第４実施形態（図１２参照）において、基板Ｗ上に新たなめっき液Ｌ１を供給して液膜１４の温度を「第１の温度と室温との間の温度」に下げた後に、液膜１４を室温まで自然冷却させてもよい。自然冷却を行う場合、ヒータ６３からの熱によって基板Ｗ上の液膜１４の温度が上昇しないような位置に蓋体６は配置されることが好ましい。例えば蓋体６を上方位置（図２において二点鎖線で示される位置）に配置することによって、基板Ｗ上の液膜１４を室温まで自然冷却することができる。

上述の無電解めっき処理（基板液処理方法）において、めっき銅１３の析出を促すように基板Ｗ上の液膜１４の温度を上げる工程と、液膜１４の温度を下げる工程とが、交互に繰り返し行われてもよい。例えば、上述の第３実施形態（図９参照）及び第４実施形態（図１２参照）において、基板Ｗ上の液膜１４の温度を第３の温度に上げた後に、第３の温度から降下させてもよいし、更にその後、液膜１４の温度を上げてもよい。この場合、凹部１１におけるめっき銅１３の析出を下方から上方に向けて徐々に進めることができ、ボイドの発生を効果的に回避することができる。

なお本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。

また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板液処理方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

１１ 凹部
１２ シード層
１３ めっき銅
１４ 液膜
Ｌ１ めっき液
Ｓｗ 処理面
Ｗ 基板

Claims (10)

1. シード層が積層されている凹部を含む表面を持つ基板を準備する工程と、
   前記基板の前記表面に無電解めっき液を供給して、前記凹部を前記無電解めっき液で満たしつつ前記表面上に前記無電解めっき液の液膜を形成する工程と、
   前記シード層上において金属を析出させる第１の温度から、前記第１の温度よりも低い第２の温度に前記液膜の温度を調整し、前記凹部が、ボイドを生じさせないように、前記金属によって底部側から埋められる工程と、を含み、
   前記液膜は、ヒータを有するカバー部材が前記基板の前記表面の上方に配置されることによって加熱され、
   前記液膜の温度は、前記基板の前記表面と前記ヒータとの間の距離が変えられることによって調整される、基板液処理方法。
2. 前記第２の温度は室温である請求項１に記載の基板液処理方法。
3. 析出した前記金属によって前記凹部の開口部が塞がれる前に、前記液膜が前記第２の温度に調整される請求項１又は２に記載の基板液処理方法。
4. 前記液膜を前記第２の温度に調整した後、前記第２の温度よりも高く且つ前記金属を析出させる第３の温度に前記液膜を加熱する工程を含む請求項１～３のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
5. 前記金属の析出を促すように前記液膜の温度を上げる工程と、前記液膜の温度を下げる工程とが、交互に繰り返し行われる請求項１～４のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
6. 前記第２の温度を有する前記液膜は、少なくとも前記凹部の開口部において、前記金属を溶解して低減させる請求項４又は５に記載の基板液処理方法。
7. 前記液膜の温度を前記第２の温度に調整する際、前記基板の前記表面と前記カバー部材との間にガスが供給される請求項１～６のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
8. 前記液膜の温度を前記第２の温度に調整する際、前記第１の温度よりも低い温度を有する前記無電解めっき液が前記基板の前記表面に供給される請求項１～７のいずれか一項に記載の基板液処理方法。
9. 基板の表面であってシード層が積層されている凹部を含む表面に無電解めっき液を供給して、前記凹部を前記無電解めっき液で満たしつつ前記表面上に前記無電解めっき液の液膜を形成するめっき液供給部と、
   前記液膜の温度を調整する温度調整部と、
   前記温度調整部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記シード層上において金属を析出させる第１の温度から、前記第１の温度よりも低い第２の温度に前記液膜の温度を調整し、前記凹部が、ボイドを生じさせないように、前記金属によって底部側から埋められるように前記温度調整部を制御し、
   前記温度調整部は、ヒータを有するカバー部材を有し、
   前記液膜は、前記カバー部材が前記基板の前記表面の上方に配置されることによって加熱され、
   前記制御部は、前記液膜の温度が、前記基板の前記表面と前記ヒータとの間の距離が変えられることによって調整されるように前記温度調整部を制御する、基板液処理装置。
10. コンピュータに、
    シード層が積層されている凹部を含む表面を持つ基板を準備する手順と、
    前記基板の前記表面に無電解めっき液を供給して、前記凹部を前記無電解めっき液で満たしつつ前記表面上に前記無電解めっき液の液膜を形成する手順と、
    前記シード層上において金属を析出させる第１の温度から、前記第１の温度よりも低い第２の温度に前記液膜の温度を調整し、前記凹部が、ボイドを生じさせないように、前記金属によって底部側から埋められる手順と、を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
    前記液膜は、ヒータを有するカバー部材が前記基板の前記表面の上方に配置されることによって加熱され、
    前記液膜の温度は、前記基板の前記表面と前記ヒータとの間の距離が変えられることによって調整される、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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