JP6926233B2 - 基板液処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板液処理装置に関する。

一般に、基板（ウエハ）を洗浄処理するための洗浄液や、基板をめっき処理するためのめっき液等の処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置が知られている（例えば特許文献１〜３参照）。このような基板液処理装置において、加熱された処理液を用いることがある。そのような液処理を適切に行うには、基板上において処理液が液処理に適した所望温度を有する必要があり、特に処理面の全面にわたって均一な液処理を行うには、処理面の全面にわたって処理液が均一な温度を有する必要がある。

しかしながら様々な要因で、処理液は処理面上において必ずしも均一な温度を有していないことがある。例えば基板の外周部の処理液は、中央部の処理液に比べて温度が低下し易い傾向がある。

そのような基板上の処理液の温度の不均一を解消するため、処理面を複数の処理ゾーンに分割するとともにヒータ等の加熱ユニットを複数の加熱ゾーンに分割し、それぞれの処理ゾーンに対応の加熱ゾーンを割り当てて、処理ゾーン単位で最適化された熱量によって処理液を加熱する方法が考えられる。しかしながら、処理液の加熱制御を処理ゾーン単位で適切に行うことは難しい。特に、加熱ユニットから発せられる熱は隣接する加熱ゾーン間で伝導するため、隣接する加熱ゾーン間で、処理液に対して実質的に付与する熱量に明確な差や勾配をつけることができない場合がある。

特開平９−１７７６１号公報 特開２００４−１０７７４７号公報 特開２０１２−１３６７８３号公報

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる基板液処理装置を提供する。

本発明の一態様は、処理液によって基板の処理面の液処理を行う基板液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部により保持された基板の処理面に処理液を供給する処理液供給部と、処理面上の処理液を加熱する加熱ユニットと、を備え、加熱ユニットは、ヒータと、ヒータを挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体と、を有し、ヒータは、加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有し、第１面状体及び第２面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる基板液処理装置に関する。

本発明によれば、基板上の処理液の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる。

図１は、めっき処理装置の構成を示す概略平面図である。 図２は、図１に示すめっき処理部の構成を示す断面図である。 図３は、加熱ユニットの平面図であり、加熱ユニットにおける複数の加熱ゾーンを示す。 図４は、図３の符合「ＩＶ」で示される箇所における加熱ユニット（第１の例）の断面構成を示す図である。 図５は、加熱ユニット（第２の例）の断面構成を示す図である。 図６は、加熱ユニットの一変形例の断面構成を示す図である。 図７は、加熱ユニットの他の変形例の断面構成を示す図である。 図８は、図１のめっき処理装置における基板のめっき処理を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。

まず、図１を参照して、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給して基板Ｗをめっき処理（液処理）する装置である。

図１に示すように、本発明の実施の形態に係るめっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウエハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。

めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。このめっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面（処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１（処理液）を供給するめっき液供給部５３（処理液供給部）と、を備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプであるが、基板保持部５２はこれに限られず、例えばチャック機構等によって基板Ｗの外縁部を把持するメカニカルチャックタイプであってもよい。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１（処理液ノズル）と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。

洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１および洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、およびリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２またはリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの上面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。

基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１および第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２および側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向および上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。

上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

本実施の形態では、ヒータ６３が駆動されて、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されるように構成されている。

蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（すなわち下方位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。

蓋体６の天井部６１には、ヒータ６３が設けられている。ヒータ６３は、蓋体６が下方位置に位置づけられた場合に、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。本実施の形態では、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在し、上述したように密封されており、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れることが防止されている。

本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有する。ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。

蓋体６の天井部６１および側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向および上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１および側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。

チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

［加熱ユニット（第１の例）］
上述のように本実施形態のめっき処理部５では、ヒータ６３と当該ヒータ６３を支持する天井部６１とを具備する加熱ユニット３５によって、基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される。

図３は、加熱ユニット３５の平面図であり、加熱ユニット３５における複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３を示す。加熱ユニット３５は、全体として円形の平面形状を持ち、水平方向に関して基板Ｗの処理面Ｓｗとほぼ同じサイズ若しくはやや大きなサイズを有し、基板Ｗの処理面Ｓｗの全体を覆うことができる。

本実施形態の加熱ユニット３５は、円形の平面形状を持つ第１加熱ゾーンＺ１と、第１加熱ゾーンＺ１を囲む環状の平面形状を持つ第２加熱ゾーンＺ２と、第２加熱ゾーンＺ２を囲む環状の平面形状を持つ第３加熱ゾーンＺ３とに分割される。それぞれの加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３は、蓋体６が下方位置に配置された際に（図２の実線位置参照）、直下に位置する基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液を加熱するために設けられている。このように処理面Ｓｗは複数の処理ゾーン（図示省略）に分割され、複数の処理ゾーンの各々には加熱ユニット３５のうちの特定の加熱ゾーンが割り当てられ、処理液は、対応の加熱ゾーンによって処理ゾーン単位で加熱される。

例えば第１加熱ゾーンＺ１は、処理面Ｓｗの中心を基準とした円形の平面形状を持つ処理ゾーンの処理液を主として加熱する。また第３加熱ゾーンＺ３は、環状の平面形状を持つ処理ゾーン（特に処理面Ｓｗの外周部を含む処理ゾーン）上の処理液を主として加熱する。そして第２加熱ゾーンＺ２は、第１加熱ゾーンＺ１が割り当てられる処理ゾーンと第３加熱ゾーンＺ３が割り当てられる処理ゾーンとの間の環状の平面形状を持つ処理ゾーンの処理液を主として加熱する。

なお、複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３の平面形状や配置は図示の形状や配置には限定されない。例えば、図３に示す加熱ユニット３５では中心Ｏから半径方向に相互に等しい幅で複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３が設けられているが、複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３の半径方向の幅は必ずしも相互に等しくなくてもよい。また図示の加熱ユニット３５では複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３が同心円状に設けられているが、例えば各加熱ゾーンが矩形状の平面形状を有していてもよい。また上述の第１加熱ゾーンＺ１、第２加熱ゾーンＺ２及び第３加熱ゾーンＺ３の呼称は、専ら加熱ゾーンを区別するために用いられているに過ぎず、加熱ゾーンの配置関係を限定するものではない。例えば、第１加熱ゾーンＺ１が第２加熱ゾーンＺ２及び第３加熱ゾーンＺ３よりも処理面Ｓｗの中心から離れていてもよいし、第１加熱ゾーンＺ１〜第３加熱ゾーンＺ３は必ずしも序数の順番に並んでいなくてもよい。なお処理面Ｓｗにおける処理ゾーンの平面形状や配置は、加熱ユニット３５の加熱ゾーンの平面形状や配置に対応する。

図４は、図３の符合「ＩＶ」で示される箇所における加熱ユニット３５（第１の例）の断面構成を示す図である。以下では、一例として、第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間の境界Ｂ２３の近傍の断面構造を説明するが、第１加熱ゾーンＺ１と第２加熱ゾーンＺ２との間の境界Ｂ１２近傍の断面も同様の構造を有する。

ヒータ６３は、加熱ユニット３５の複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３のそれぞれに設けられる複数の発熱体４０と、各発熱体４０を支持する支持プレート４１とを有する。発熱体４０及び支持プレート４１の具体的な構成は限定されず、典型的には面状発熱体であるマイカヒータによってヒータ６３を構成することができ、支持プレート４１をマイカ（雲母）によって構成してもよい。図示のヒータ６３では各発熱体４０が支持プレート４１に埋設されているが、各支持プレート４１に対する各発熱体４０の設置態様は限定されず、例えば一対の支持プレート４１間に各発熱体４０が配置されてもよい。

上述の構成を有する加熱ユニット３５において、第１天井板６１１（第１面状体）及び第２天井板６１２（第２面状体）のうちの少なくともいずれか一方は溝４５を有する。この溝４５は、複数の加熱ゾーンＺ１〜Ｚ３のうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる。

溝４５は、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に形成された空間により構成されている。溝４５の具体的な形状及び構成は図示の例に限定されない。溝４５は、図４に示すように第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２を貫通しない空間（すなわち側壁及び底壁によって定められる空間）であってもよい。また溝４５は、後述の図５に示すように第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２を貫通する空間（すなわち側壁によって定められる空間）であってもよい。

図４に示す加熱ユニット３５では、第１天井板６１１及び第２天井板６１２の各々が、隣接する加熱ゾーン間において１つの溝４５を有する。第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち、溝４５が設けられている箇所の高さ方向の断面積は、溝４５が設けられていない箇所の高さ方向の断面積よりも小さい。このような構成を有する溝４５は、伝熱に関する抵抗として働き、隣接する加熱ゾーン間における熱の伝導を抑制する。すなわち、第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち溝４５が設けられている箇所は、溝４５が設けられていない箇所に比べて伝導される熱量が抑えられる。このように隣接する加熱ゾーン間（図４では第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間）で熱が伝導されることを抑制することによって、加熱ゾーン単位の加熱制御を精度良く行うことができる。したがって基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御を、ゾーン単位で精度良く行うことができる。

［加熱ユニット（第２の例）］
図５は、加熱ユニット３５（第２の例）の断面構成を示す図である。本例において、上述の第１の例の加熱ユニット３５（図４参照）と同一又は類似の要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

本例の加熱ユニット３５において、第１天井板６１１（第１面状体）に設けられている溝４５は、第１天井板６１１を貫通する。図５に示す加熱ユニット３５の他の構成は、図４に示す加熱ユニット３５と同様である。

第１天井板６１１が有する溝４５が第１天井板６１１を完全に貫通することによって、第１天井板６１１を加熱ゾーン間で完全に分割することができる。これにより、第１天井板６１１を通じた熱の伝導が溝４５によって遮断され、隣り合う加熱ゾーン間で熱が伝えられることを効果的に抑えることができる。そのため隣り合う加熱ゾーン間において大きな温度差をつけることが容易であり、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液の加熱制御を処理ゾーン単位で高精度に行うことができる。また加熱ゾーン間において大きな温度差を付ける場合であっても、貫通孔として設けられる溝４５によって第１天井板６１１に生じうる熱応力を効果的に低減することができ、熱応力に起因する加熱ユニット３５の歪みの発生を防ぐことができる。

図５に示す第２天井板６１２が有する溝４５は、図４に示す第２天井板６１２が有する溝４５と同様に、ヒータ６３側に開口し、ヒータ６３とは反対側が第２天井板６１２によって閉じられている。なお第２天井板６１２が有する溝４５も、第１天井板６１１が有する溝４５と同様に、第２天井板６１２を貫通していてもよい。例えば第１天井板６１１が有する溝４５が第１天井板６１１を貫通しつつ、第２天井板６１２が有する溝４５が第２天井板６１２を貫通していてもよい。また第１天井板６１１が有する溝４５は第１天井板６１１を貫通しないが、第２天井板６１２が有する溝４５は第２天井板６１２を貫通していてもよい。

ただし加熱ユニット３５の強度を確保する観点からは、第２天井板６１２は溝４５によって完全には分割されていない方が好ましい。第２天井板６１２は、第１天井板６１１に比べ、処理面Ｓｗ上の処理液の加熱に対する寄与が小さい。処理面Ｓｗ上の処理液の加熱制御と加熱ユニット３５の強度確保とをバランス良く両立させる観点からは、第１天井板６１１が有する溝４５は第１天井板６１１を貫通しつつ、第２天井板６１２が有する溝４５は第２天井板６１２を貫通しないことが好ましい。

本件発明者は、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２が有する溝４５の形状及び配置等の特性を変えつつ、加熱ゾーン間に生じうる温度差を考察するシミュレーションを繰り返し行った。その結果、溝４５が貫通孔ではない場合には隣り合う加熱ゾーン間で１〜２℃程度の温度差しか付けられなくても、溝４５を貫通孔として構成することによって隣り合う加熱ゾーン間において１０℃以上の温度差を付けることができる場合があることが確認された。特に、第２天井板６１２を樹脂製断熱材で構成し且つ第１天井板６１１が有する溝４５を貫通孔とすることで、隣り合う加熱ゾーン間において３０℃以上の温度差を付けることができる場合があることも確認された。このように、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２が有する溝４５を貫通孔として構成することは、隣り合う加熱ゾーン間に大きな温度差を付けるのに非常に有効である。

［加熱ユニット（他の例）］
なお、溝４５は図４及び図５に示す形態には限定されず、様々な形態で第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に設けられることが可能である。例えば図４に示す各溝４５は、ヒータ６３に向かう方向に開口するが、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口していてもよい。また第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうちの一方（例えば第１天井板６１１）がヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５を有し、他方（例えば第２天井板６１２）がヒータ６３に向かう方向に開口する溝４５を有していてもよい。また第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうちの少なくとも一方が、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５及びヒータ６３に向かう方向に開口する溝４５の両者を有していてもよい。また形成場所に応じて溝４５の形態を決めてもよい。例えば、第１加熱ゾーンＺ１と第２加熱ゾーンＺ２との間の境界Ｂ１２に対応する領域に設けられる溝４５の形態と、第２加熱ゾーンＺ２と第３加熱ゾーンＺ３との間の境界Ｂ２３に対応する領域に設けられる溝４５の形態とを、互いに異ならせてもよい。

第１天井板６１１は、ヒータ６３と処理面Ｓｗとの間において、第２天井板６１２よりも処理面Ｓｗに近い位置に配置される。そのため処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱を処理ゾーン単位で精度良く制御する観点からは、第１天井板６１１及び第２天井板６１２のうち少なくとも第１天井板６１１に溝４５を設けることが好ましい。また発熱体４０からの熱を効率良く処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１に伝える観点からは、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口する溝４５を第１天井板６１１に形成し、第１天井板６１１の下面部の表面積を増大させて放熱面積を大きくすることが好ましい。

また図４及び図５に示す第１天井板６１１及び第２天井板６１２の各々は、隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域において１つの溝４５を有しているが、当該領域において２以上の溝４５を有していてもよい。ここで言う「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域」とは、隣接する加熱ゾーン間の境界を基準にして定められる境界近傍の領域を指し、隣接する加熱ゾーンの各々に設けられる発熱体４０が配置されない領域である。図４では符合「Ｂ」によって「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域」が表されており、隣接する加熱ゾーンのうちの一方又は両方の端部が「隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域Ｂ」に含まれていてもよい。

また第２天井板６１２を構成する材料を、第１天井板６１１を構成する材料と異ならせてもよい。例えば、伝熱性能（特に熱伝導性能及び熱放射性能）に優れた材料（例えばアルミニウム合金）によって第１天井板６１１を構成しつつ、第１天井板６１１の構成材料よりも伝熱性能が劣る材料（例えば樹脂）によって第２天井板６１２を構成してもよい。第１天井板６１１からの放射熱は、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液に対して直接的に伝えられる。したがって伝熱性能に優れた材料により第１天井板６１１を構成することで、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の処理液を効率良く加熱することができる。一方、第２天井板６１２と基板Ｗとの間にはヒータ６３及び第１天井板６１１が存在するので、第２天井板６１２の熱は、基本的に、処理面Ｓｗ上の処理液に対して直接的には伝えられない。また第２天井板６１２の熱は、第２天井板６１２を通じて加熱ユニット３５の加熱ゾーン間で伝えられるため、加熱ゾーン間で大きな温度差を付けることを阻害しうる。したがって、伝熱性能が低い材料により第２天井板６１２を構成することで、加熱ユニット３５の加熱ゾーン間において所望の温度差を付けることを容易にすることができる。

また図６に示すように、溝４５に充填部材４６が配置されていてもよい。加熱ゾーン間で大きな温度差を付ける観点からは、充填部材４６は、第１天井板６１１及び第２天井板６１２よりも伝熱性能（特に熱伝導性能）に劣る材料（例えば樹脂や他の断熱材）によって構成されることが好ましい。また第１天井板６１１が有する溝４５が貫通孔である場合、基板Ｗの処理中にパーティクルが当該溝４５を通って処理面Ｓｗ上に落下することを防ぐ観点からは、第１天井板６１１に設けられている溝４５に充填部材４６が配置されることが好ましい。図６に示す加熱ユニット３５では、第１天井板６１１が有する溝４５及び第２天井板６１２が有する溝４５の両方が貫通孔であり、これらの溝４５の各々の全体が、断熱材によって構成される充填部材４６により埋められている。この場合、加熱ユニット３５の強度を確保しつつ、加熱ゾーン間の伝熱を防いで、加熱ゾーン間で大きな温度差を容易に付けることが可能である。なお充填部材４６は、必ずしも溝４５の全体を埋めなくてもよく、溝４５の一部のみに配置されていてもよい。また貫通孔ではない溝４５（図４参照）に、充填部材４６が配置されていてもよい。

また加熱ユニット３５の複数の加熱ゾーンのうちの少なくとも２つの加熱ゾーンにおいて、第１天井板６１１と基板Ｗの処理面Ｓｗとの間の間隔がお互いに異なっていてもよい。すなわち、ある加熱ゾーンにおける第１天井板６１１が他の１以上の加熱ゾーンにおける第１天井板６１１よりも、基板Ｗの処理面Ｓｗ側（すなわち図７の下側）に突出していてもよい。この場合、ある加熱ゾーンにおける第１天井板６１１の処理面Ｓｗ側の面を、他の１以上の加熱ゾーンにおける第１天井板６１１の処理面Ｓｗ側の面よりも、処理面Ｓｗの近くに配置することができる。第１天井板６１１が処理面Ｓｗに近いほど、処理面Ｓｗ上の処理液が効率良く加熱される。したがって、第１天井板６１１と基板Ｗの処理面Ｓｗとの間の間隔を加熱ゾーン間で変えることにより、処理液の加熱効率を処理ゾーン毎に変えることができる。

図７では、第１加熱ゾーンＺ１における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間の間隔（「第１加熱間隔」とも称する）Ｄ１が、第２加熱ゾーンＺ２における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間隔（「第２加熱間隔」とも称する）Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。したがって第１加熱ゾーンＺ１に対応する処理ゾーンの処理液の温度は、第２加熱ゾーンＺ２に対応する処理ゾーンの処理液の温度よりも、加熱ユニット３５によって上昇されやすい。図７には示されていないが、第３加熱ゾーンＺ３における第１天井板６１１と処理面Ｓｗとの間の間隔（「第３加熱間隔」とも称する）Ｄ３を、第１加熱間隔Ｄ１及び／又は第２加熱間隔Ｄ２と異ならせてもよい。なお第１加熱間隔Ｄ１、第２加熱間隔Ｄ２及び第３加熱間隔Ｄ３の具体的な関係は限定されず、例えば「Ｄ３＜Ｄ２」や「Ｄ１＝Ｄ３」の関係が満たされていてもよい。処理面Ｓｗ上の処理液の温度を均一化する観点からは、処理液の温度が上昇し難い処理ゾーンに対応する加熱ゾーンの加熱間隔（例えば第１加熱間隔Ｄ１及び／又は第３加熱間隔Ｄ３）を、他の加熱ゾーンの加熱間隔（例えば第２加熱間隔Ｄ２）よりも小さくすることが好ましい。

なお加熱ユニット３５（特に各発熱体４０）の制御は制御部３（図１参照）によって行われる。例えば、基板Ｗの処理面Ｓｗの外周部のめっき液Ｌ１の加熱量を処理面Ｓｗの中央部のめっき液Ｌ１の加熱量よりも大きくする場合には、制御部３の制御下で、第３加熱ゾーンＺ３に配置される発熱体４０からの発熱量が第１加熱ゾーンＺ１に配置される発熱体４０からの発熱量よりも大きくされる。このような加熱制御を適切に行うために、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の温度を処理ゾーン毎に計測することができる赤外線センサ等の温度検出センサ（図示省略）を設置してもよい。この場合、制御部３は、その温度検出センサの検出結果に基づいて、各発熱体４０の発熱量（例えば各発熱体４０に通電する電力）を制御してもよい。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について、図８を用いて説明する。ここでは、基板液処理方法の一例として、めっき処理装置１を用いためっき処理方法について説明する。

めっき処理装置１によって実施されるめっき処理方法は、基板Ｗに対するめっき処理を含む。めっき処理は、めっき処理部５により実施される。以下に示すめっき処理部５の動作は、制御部３によって制御される。なお、下記の処理が行われている間、ファンフィルターユニット５９から清浄な空気がチャンバ５１内に供給され、排気管８１に向かって流れる。

まず、めっき処理部５に基板Ｗが搬入され、基板Ｗが基板保持部５２によって水平に保持される（ステップＳ１）。

次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの洗浄処理が行われる（ステップＳ２）。この洗浄処理では、まず回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転し、続いて、退避位置に位置づけられていたノズルアーム５６が吐出位置に移動し、回転する基板Ｗに洗浄液ノズル５４１から洗浄液Ｌ２が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄される。これにより基板Ｗに付着した付着物等が基板Ｗから除去される。基板Ｗに供給された洗浄液Ｌ２はドレンダクト５８１に排出される。

続いて、基板Ｗのリンス処理が行われる（ステップＳ３）。このリンス処理では、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面がリンス処理される。これにより基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ２が洗い流される。基板Ｗに供給されたリンス液Ｌ３はドレンダクト５８１に排出される。

次に、基板Ｗの処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１のパドルを形成するめっき液盛り付け工程が行われる（ステップＳ４）。この工程では、まず、基板Ｗの回転数がリンス処理時の回転数よりも低減され、例えば基板Ｗの回転数を５０〜１５０ｒｐｍにしてもよい。これにより、基板Ｗ上に形成されるめっき膜を均一化させることができる。なお、基板Ｗの回転を停止させて、めっき液Ｌ１の盛り付け量を増大してもよい。続いて、めっき液ノズル５３１から基板Ｗの上面（すなわち処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１が吐出される。このめっき液Ｌ１は表面張力によって処理面Ｓｗに留まり、めっき液Ｌ１の層（いわゆるパドル）が形成される。めっき液Ｌ１の一部は、処理面Ｓｗから流出してドレンダクト５８１介して排出される。所定量のめっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出された後、めっき液Ｌ１の吐出が停止される。その後、ノズルアーム５６は退避位置に位置づけられる。

次に、めっき液加熱処理工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。このめっき液加熱処理工程は、蓋体６が基板Ｗを覆う工程（ステップＳ５）と、不活性ガスを供給する工程（ステップＳ６）と、蓋体６を下方位置に配置してめっき液Ｌ１を加熱する加熱工程（ステップＳ７）と、蓋体６を基板Ｗ上から退避する工程（ステップＳ８）と、を有する。なお、めっき液加熱処理工程においても、基板Ｗの回転数は、めっき液盛り付け工程と同様の速度（あるいは回転停止）で維持されることが好適である。

蓋体６が基板Ｗを覆う工程（ステップＳ５）では、まず、蓋体移動機構７の旋回モータ７２が駆動されて、退避位置に位置づけられていた蓋体６が水平方向に旋回移動して、上方位置に位置づけられる。続いて、蓋体移動機構７のシリンダ７３が駆動されて、上方位置に位置づけられた蓋体６が下降して下方位置に位置づけられ、基板Ｗが蓋体６によって覆われて、基板Ｗの周囲の空間が閉塞化される。

基板Ｗが蓋体６によって覆われた後、蓋体６の天井部６１に設けられたガスノズル６６１から蓋体６の内側に不活性ガスが吐き出される（ステップＳ６）。これにより蓋体６の内側の空気が不活性ガスに置換され、基板Ｗの周囲が低酸素雰囲気になる。不活性ガスは、所定時間吐出され、その後、不活性ガスの吐出を停止する。

次に、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される（ステップＳ７）。めっき液Ｌ１の温度が、めっき液Ｌ１中の成分が析出する温度まで上昇すると、基板Ｗの上面にめっき液Ｌ１の成分が析出してめっき膜が形成され成長する。この加熱工程では、所望厚さのめっき膜を得るのに必要な時間、めっき液Ｌ１は加熱されて析出温度に維持される。

加熱工程が終了すると、蓋体移動機構７が駆動されて、蓋体６が退避位置に位置づけられる（ステップＳ８）。このようにして、基板Ｗのめっき液加熱処理工程（ステップＳ５〜Ｓ８）が終了する。

次に、基板Ｗのリンス処理が行われる（ステップＳ９）。このリンス処理では、まず、基板Ｗの回転数をめっき処理時の回転数よりも増大させ、例えばめっき処理前の基板リンス処理工程（ステップＳ３）と同様の回転数で基板Ｗを回転させる。続いて、退避位置に位置づけられていたリンス液ノズル５５１が、吐出位置に移動する。次に、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗの表面が洗浄され、基板Ｗ上に残存するめっき液Ｌ１が洗い流される。

続いて、基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳ１０）。この乾燥処理では、基板Ｗを高速で回転させ、例えば基板Ｗの回転数を基板リンス処理工程（ステップＳ９）の回転数よりも増大させる。これにより基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ３が振り切られて除去され、めっき膜が形成された基板Ｗが得られる。この場合、窒素（Ｎ_２）ガスなどの不活性ガスを基板Ｗに吹き付けて、基板Ｗの乾燥を促進してもよい。

その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されて、めっき処理部５から搬出される（ステップＳ１１）。

上述の一連の工程のうち、特に基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される際（ステップＳ７）に、溝４５によって区切られたヒータ６３の各加熱ゾーンにおける発熱体４０の通電状態が制御部３によって制御され、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御がゾーン単位で行われる。

以上説明したように本実施の形態では、ヒータ６３における隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に溝４５を設けることによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の加熱制御をゾーン単位で精度良く行うことができる。とりわけ、ヒータ６３と基板Ｗ（特に処理面Ｓｗ）との間に配置される第１天井板６１１に溝４５を設けることによって、ヒータ６３から基板Ｗに向かって発せられる熱量を加熱ゾーン毎に効果的に変えることができる。

また、ヒータ６３に向かう方向に開口するように溝４５を設けることによって、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２のうちヒータ６３に対向する箇所の表面積を増大させることができ、ヒータ６３から発せられた熱の放射を効率良く受けることができる。また、第１天井板６１１の露出面（すなわち下方面）及び第２天井板６１２の露出面（すなわち上方面）を平坦に形成することができる。一方、ヒータ６３から遠ざかる方向に開口するように溝４５を設けることによって、外方に露出される表面積を増大させることができ、ヒータ６３（特に各発熱体４０）で発せられた熱を効率良く外方へ伝えることができる。

また隣接する加熱ゾーン間に複数の溝４５を並べることによって、加熱ゾーン間における熱の伝導をより効果的に抑えることができるとともに、表面積を更に増大させることができる。

また、第１天井板６１１及び／又は第２天井板６１２に溝４５を形成する加工は比較的に簡単に行うことができ、加熱ユニット３５をシンプルに構成することができる。さらに、マイカヒータ等の汎用の装置をヒータ６３として活用することができ、加熱ユニット３５を安価に構成することも可能である。

本発明は上記実施の形態および変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態および変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

例えば、めっき液Ｌ１以外の処理液及びめっき処理以外の液処理に対しても本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法は有効である。また、基板液処理装置（めっき処理装置１）の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータが基板液処理装置を制御して上述のような基板液処理方法を実行させるプログラムが記録された記録媒体（例えば制御部３の記録媒体３１）として、本発明が具体化されてもよい。

１ めっき処理装置
３５ 加熱ユニット
４５ 溝
５２ 基板保持部
５３ めっき液供給部
６３ ヒータ
６１１ 第１天井板
６１２ 第２天井板
Ｌ１ めっき液
Ｓｗ 処理面
Ｗ 基板
Ｚ１ 第１加熱ゾーン
Ｚ２ 第２加熱ゾーン
Ｚ３ 第３加熱ゾーン

Claims (9)

1. 処理液によって基板の処理面の液処理を行う基板液処理装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部により保持された前記基板の前記処理面に前記処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理面上の前記処理液を加熱する加熱ユニットと、を備え、
   前記加熱ユニットは、ヒータと、前記ヒータを挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体と、を有し、
   前記第１面状体は、前記ヒータと前記処理面との間に配置され、
   前記ヒータは、前記加熱ユニットの複数の加熱ゾーンのそれぞれに設けられる複数の発熱体を有し、
   前記第１面状体及び前記第２面状体のうちの少なくともいずれか一方は溝を有し、当該溝は、前記複数の加熱ゾーンのうちの隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域に設けられる基板液処理装置。
2. 前記溝は、前記第１面状体及び前記第２面状体のうち少なくとも前記第１面状体に設けられている請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 前記溝は、前記ヒータに向かう方向に開口する請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
4. 前記溝は、前記ヒータから遠ざかる方向に開口する請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
5. 前記溝は、隣接する加熱ゾーン間の境界に対応する領域において複数設けられる請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
6. 前記ヒータは、前記複数の発熱体を支持する支持プレートを有し、
   前記支持プレートは、マイカによって構成される請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
7. 前記第１面状体に設けられている前記溝は、前記第１面状体を貫通している請求項２に記載の基板液処理装置。
8. 前記第１面状体に設けられている前記溝に配置されている充填部材を更に備える請求項７に記載の基板液処理装置。
9. 前記複数の加熱ゾーンのうちのある加熱ゾーンにおける前記第１面状体が、前記複数の加熱ゾーンのうちの他の１以上の加熱ゾーンにおける前記第１面状体よりも前記処理面側に突出することで、前記複数の加熱ゾーンのうちの少なくとも２つの加熱ゾーンにおいて、前記第１面状体と前記処理面との間の間隔がお互いに異なる請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。

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