KR20200094760A - 기판 액 처리 장치 - Google Patents

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KR20200094760A
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liquid
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ceiling plate
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KR1020207018462A
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카즈키 모토마츠
사토시 가네코
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 상의 처리액의 가열 제어를 존 단위로 정밀도 좋게 행할 수 있는 기판 액 처리 장치를 제공한다. 기판 액 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 기판의 처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리면 상의 처리액을 가열하는 가열 유닛을 구비한다. 가열 유닛은 히터와 히터를 사이에 두도록 하여 마련되는 제 1 면상체 및 제 2 면상체를 가진다. 히터는 가열 유닛의 복수의 가열 존의 각각에 마련되는 복수의 발열체를 가진다.

Description

기판 액 처리 장치
본 발명은 기판 액 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 기판(웨이퍼)을 세정 처리하기 위한 세정액, 또는 기판을 도금 처리하는 위한 도금액 등의 처리액을 이용하여 기판을 액 처리하는 기판 액 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1 ~ 3 참조). 이러한 기판 액 처리 장치에 있어서, 가열된 처리액을 이용하는 경우가 있다. 그러한 액 처리를 적절히 행하기 위해서는, 기판 상에 있어서 처리액이 액 처리에 적합한 원하는 온도를 가질 필요가 있으며, 특히 처리면의 전면(全面)에 걸쳐 균일한 액 처리를 행하기 위해서는, 처리면의 전면에 걸쳐 처리액이 균일한 온도를 가질 필요가 있다.
그러나 다양한 요인으로, 처리액은 처리면 상에 있어서 반드시 균일한 온도를 가지지 않는 경우가 있다. 예를 들면 기판의 외주부의 처리액은, 중앙부의 처리액에 비해 온도가 저하되기 쉬운 경향이 있다.
그러한 기판 상의 처리액의 온도의 불균일을 해소하기 위하여, 처리면을 복수의 처리 존으로 분할하고 또한 히터 등의 가열 유닛을 복수의 가열 존으로 분할하고, 각각의 처리 존에 대응하는 가열 존을 할당하여, 처리 존 단위로 최적화된 열량에 의해 처리액을 가열하는 방법이 상정된다. 그러나, 처리액의 가열 제어를 처리 존 단위로 적절하게 행하는 것은 어렵다. 특히, 가열 유닛으로부터 발해지는 열은 인접하는 가열 존 사이에서 전도되기 때문에, 인접하는 가열 존 사이에서, 처리액에 대하여 실질적으로 부여하는 열량에 명확한 차 또는 구배를 부여할 수 없는 경우가 있다.
일본특허공개공보 평09-017761호 일본특허공개공보 2004-107747호 일본특허공개공보 2012-136783호
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 기판 상의 처리액의 가열 제어를 존 단위로 정밀도 좋게 행할 수 있는 기판 액 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일태양은, 처리액에 의해 기판의 처리면의 액 처리를 행하는 기판 액 처리 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 처리면 상의 처리액을 가열하는 가열 유닛을 구비하고, 가열 유닛은, 히터와 히터를 사이에 두도록 하여 마련되는 제 1 면상체(面狀體) 및 제 2 면상체를 가지고, 히터는, 가열 유닛의 복수의 가열 존의 각각에 마련되는 복수의 발열체를 가지고, 제 1 면상체 및 제 2 면상체 중 적어도 어느 일방은 홈을 가지고, 상기 홈은, 복수의 가열 존 중 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 마련되는 기판 액 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기판 상의 처리액의 가열 제어를 존 단위로 정밀도 좋게 행할 수 있다.
도 1은 도금 처리 장치의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 도금 처리부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 가열 유닛의 평면도이며, 가열 유닛에 있어서의 복수의 가열 존을 나타낸다.
도 4는 도 3의 부호 'IV'로 나타나는 개소에 있어서의 가열 유닛(제 1 예)의 단면 구성을 나타내는 도이다.
도 5는 가열 유닛(제 2 예)의 단면 구성을 나타내는 도이다.
도 6은 가열 유닛의 일 변형예의 단면 구성을 나타내는 도이다.
도 7은 가열 유닛의 다른 변형예의 단면 구성을 나타내는 도이다.
도 8은 도 1의 도금 처리 장치에 있어서의 기판의 도금 처리를 나타내는 순서도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 하나의 실시의 형태에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하여, 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 액 처리 장치의 구성을 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시의 형태에 따른 기판 액 처리 장치의 일례로서의 도금 처리 장치의 구성을 나타내는 개략도이다. 여기서, 도금 처리 장치는, 기판(W)에 도금액(L1)(처리액)을 공급하여 기판(W)을 도금 처리(액 처리)하는 장치이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시의 형태에 따른 도금 처리 장치(1)는 도금 처리 유닛(2)과, 도금 처리 유닛(2)의 동작을 제어하는 제어부(3)를 구비하고 있다.
도금 처리 유닛(2)은 기판(W)(웨이퍼)에 대한 각종 처리를 행한다. 도금 처리 유닛(2)이 행하는 각종 처리에 대해서는 후술한다.
제어부(3)는 예를 들면 컴퓨터이며, 동작 제어부와 기억부를 가지고 있다. 동작 제어부는 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)로 구성되어 있고, 기억부에 기억되어 있는 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 도금 처리 유닛(2)의 동작을 제어한다. 기억부는 예를 들면 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 하드 디스크 등의 기억 디바이스로 구성되어 있고, 도금 처리 유닛(2)에서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램을 기억한다. 또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체(31)에 기록된 것이어도 되고, 그 기록 매체(31)로부터 기억부에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체(31)로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등을 들 수 있다. 기록 매체(31)에는, 예를 들면 도금 처리 장치(1)의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 컴퓨터가 도금 처리 장치(1)를 제어하여 후술하는 도금 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된다.
도 1을 참조하여, 도금 처리 유닛(2)의 구성을 설명한다. 도 1은 도금 처리 유닛(2)의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도금 처리 유닛(2)은 반입반출 스테이션(21)과, 반입반출 스테이션(21)에 인접하여 마련된 처리 스테이션(22)을 가지고 있다.
반입반출 스테이션(21)은 배치부(211)와, 배치부(211)에 인접하여 마련된 반송부(212)를 포함하고 있다.
배치부(211)에는 복수 매의 기판(W)을 수평 상태로 수용하는 복수의 반송 용기(이하 '캐리어(C)'라고 함)가 배치된다.
반송부(212)는 반송 기구(213)와 전달부(214)를 포함하고 있다. 반송 기구(213)는 기판(W)을 유지하는 유지 기구를 포함하고, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하게 되도록 구성되어 있다.
처리 스테이션(22)은 도금 처리부(5)를 포함하고 있다. 본 실시의 형태에 있어서, 처리 스테이션(22)이 가지는 도금 처리부(5)의 개수는 2 개 이상이지만, 1 개여도 된다. 도금 처리부(5)는 정해진 방향으로 연장되는 반송로(221)의 양측(후술하는 반송 기구(222)의 이동 방향에 직교하는 방향에 있어서의 양측)에 배열되어 있다.
반송로(221)에는 반송 기구(222)가 마련되어 있다. 반송 기구(222)는 기판(W)을 유지하는 유지 기구를 포함하고, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하게 되도록 구성되어 있다.
도금 처리 유닛(2)에 있어서, 반입반출 스테이션(21)의 반송 기구(213)는 캐리어(C)와 전달부(214)와의 사이에서 기판(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 반송 기구(213)는 배치부(211)에 배치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 전달부(214)에 배치한다. 또한, 반송 기구(213)는 처리 스테이션(22)의 반송 기구(222)에 의해 전달부(214)에 배치된 기판(W)을 취출하여, 배치부(211)의 캐리어(C)에 수용한다.
도금 처리 유닛(2)에 있어서, 처리 스테이션(22)의 반송 기구(222)는 전달부(214)와 도금 처리부(5)와의 사이, 도금 처리부(5)와 전달부(214)와의 사이에서 기판(W)의 반송을 행한다. 구체적으로, 반송 기구(222)는 전달부(214)에 배치된 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 도금 처리부(5)로 반입한다. 또한, 반송 기구(222)는 도금 처리부(5)로부터 기판(W)을 취출하고, 취출한 기판(W)을 전달부(214)에 배치한다.
이어서 도 2를 참조하여, 도금 처리부(5)의 구성을 설명한다. 도 2는 도금 처리부(5)의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도금 처리부(5)는 무전해 도금 처리를 포함하는 액 처리를 행한다. 이 도금 처리부(5)는 챔버(51)와, 챔버(51) 내에 배치되어, 기판(W)을 수평으로 유지하는 기판 유지부(52)와, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 상면(처리면(Sw))에 도금액(L1)(처리액)을 공급하는 도금액 공급부(53)(처리액 공급부)를 구비한다. 본 실시의 형태에서는, 기판 유지부(52)는 기판(W)의 하면(이면)을 진공 흡착하는 척 부재(521)를 가진다. 이 기판 유지부(52)는 이른바 진공 척 타입이지만, 기판 유지부(52)는 이에 한정되지 않으며, 예를 들면 척 기구 등에 의해 기판(W)의 외연부를 파지하는 메커니컬 척 타입이어도 된다.
기판 유지부(52)에는 회전 샤프트(522)를 개재하여 회전 모터(523)(회전 구동부)가 연결되어 있다. 회전 모터(523)가 구동되면, 기판 유지부(52)는 기판(W)과 함께 회전한다. 회전 모터(523)는 챔버(51)에 고정된 베이스(524)에 지지되어 있다.
도금액 공급부(53)는 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 도금액(L1)을 토출(공급)하는 도금액 노즐(531)(처리액 노즐)과, 도금액 노즐(531)에 도금액(L1)을 공급하는 도금액 공급원(532)을 가진다. 도금액 공급원(532)은 정해진 온도로 가열 내지 온도 조절된 도금액(L1)을 도금액 노즐(531)에 공급한다. 도금액 노즐(531)로부터 토출될 때의 도금액(L1)의 온도는 예를 들면 55℃ 이상 75℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 60℃ 이상 70℃ 이하이다. 도금액 노즐(531)은 노즐 암(56)에 유지되어, 이동 가능하게 구성되어 있다.
도금액(L1)은 자기 촉매형(환원형) 무전해 도금용의 도금액이다. 도금액(L1)은, 예를 들면 코발트(Co) 이온, 니켈(Ni) 이온, 텅스텐(W) 이온, 구리(Cu) 이온, 팔라듐(Pd) 이온, 금(Au) 이온 등의 금속 이온과, 차아인산, 디메틸아민보란 등의 환원제를 함유한다. 도금액(L1)은 첨가제 등을 함유하고 있어도 된다. 도금액(L1)을 사용한 도금 처리에 의해 형성되는 도금막(금속막)으로서는, 예를 들면 CoWB, CoB, CoWP, CoWBP, NiWB, NiB, NiWP, NiWBP 등을 들 수 있다.
본 실시의 형태에 따른 도금 처리부(5)는, 다른 처리액 공급부로서, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 상면에 세정액(L2)을 공급하는 세정액 공급부(54)와, 당해 기판(W)의 상면에 린스액(L3)을 공급하는 린스액 공급부(55)를 더 구비한다.
세정액 공급부(54)는 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 세정액(L2)을 토출하는 세정액 노즐(541)과, 세정액 노즐(541)에 세정액(L2)을 공급하는 세정액 공급원(542)을 가진다. 세정액(L2)으로서는, 예를 들면 포름산, 사과산, 호박산, 구연산, 말론산 등의 유기산, 기판(W)의 피도금면을 부식시키지 않을 정도의 농도로 희석된 불화 수소산(DHF)(불화 수소의 수용액) 등을 사용할 수 있다. 세정액 노즐(541)은 노즐 암(56)에 유지되어, 도금액 노즐(531)과 함께 이동 가능하게 되어 있다.
린스액 공급부(55)는 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 린스액(L3)을 토출하는 린스액 노즐(551)과, 린스액 노즐(551)에 린스액(L3)을 공급하는 린스액 공급원(552)을 가진다. 이 중 린스액 노즐(551)은 노즐 암(56)에 유지되어, 도금액 노즐(531) 및 세정액 노즐(541)과 함께 이동 가능하게 되어 있다. 린스액(L3)으로서는, 예를 들면 순수 등을 사용할 수 있다.
상술한 도금액 노즐(531), 세정액 노즐(541) 및 린스액 노즐(551)을 유지하는 노즐 암(56)에, 도시하지 않은 노즐 이동 기구가 연결되어 있다. 이 노즐 이동 기구는 노즐 암(56)을 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 보다 구체적으로, 노즐 이동 기구에 의해, 노즐 암(56)은 기판(W)에 처리액(도금액(L1), 세정액(L2) 또는 린스액(L3))을 토출하는 토출 위치와, 토출 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 되어 있다. 토출 위치는 기판(W)의 상면 중 임의의 위치에 처리액을 공급 가능하면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급 가능한 위치를 토출 위치로 하는 것이 적합하다. 기판(W)에 도금액(L1)을 공급하는 경우, 세정액(L2)을 공급하는 경우, 린스액(L3)을 공급하는 경우에서, 노즐 암(56)의 토출 위치는 상이해도 된다. 퇴피 위치는 챔버(51) 내 중, 상방에서 봤을 경우에 기판(W)과 중첩되지 않는 위치로서, 토출 위치로부터 먼 위치이다. 노즐 암(56)이 퇴피 위치에 위치되어 있는 경우, 이동하는 덮개체(6)가 노즐 암(56)과 간섭하는 것이 회피된다.
기판 유지부(52)의 주위에는 컵(571)이 마련되어 있다. 이 컵(571)은 상방에서 봤을 경우에 링 형상으로 형성되어 있고, 기판(W)의 회전 시에, 기판(W)으로부터 비산한 처리액을 받아, 후술하는 드레인 덕트(581)로 안내한다. 컵(571)의 외주측에는 분위기 차단 커버(572)가 마련되어 있어, 기판(W)의 주위의 분위기가 챔버(51) 내에 확산되는 것을 억제하고 있다. 이 분위기 차단 커버(572)는 상하 방향으로 연장되도록 원통 형상으로 형성되어 있고, 상단이 개구되어 있다. 분위기 차단 커버(572) 내에, 후술하는 덮개체(6)가 상방으로부터 삽입 가능하게 되어 있다.
컵(571)의 하방에는 드레인 덕트(581)가 마련되어 있다. 이 드레인 덕트(581)는 상방에서 봤을 경우에 링 형상으로 형성되어 있고, 컵(571)에 의해 받아져 하강한 처리액, 또는 기판(W)의 주위로부터 직접적으로 하강한 처리액을 받아 배출한다. 드레인 덕트(581)의 내주측에는 내측 커버(582)가 마련되어 있다.
기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)은 덮개체(6)에 의해 덮인다. 이 덮개체(6)는 천장부(61)와, 천장부(61)로부터 하방으로 연장되는 측벽부(62)를 가진다. 천장부(61)는 덮개체(6)가 후술의 하방 위치에 위치된 경우에, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 상방에 배치되어, 기판(W)에 대하여 비교적 작은 간격으로 대향한다.
천장부(61)는 제 1 천장판(611)과, 제 1 천장판(611) 상에 마련된 제 2 천장판(612)을 포함한다. 제 1 천장판(611)과 제 2 천장판(612) 사이에는 히터(63)(가열부)가 개재되고, 히터(63)를 사이에 두도록 하여 마련되는 제 1 면상체 및 제 2 면상체로서 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)이 마련되어 있다. 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)은 히터(63)를 밀봉하여, 히터(63)가 도금액(L1) 등의 처리액에 접하지 않도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로, 제 1 천장판(611)과 제 2 천장판(612) 사이로서 히터(63)의 외주측에 씰 링(613)이 마련되어 있고, 이 씰 링(613)에 의해 히터(63)가 밀봉되어 있다. 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)은 도금액(L1) 등의 처리액에 대한 내부식성을 가지는 것이 적합하며, 예를 들면 알루미늄 합금에 의해 형성되어 있어도 된다. 또한 내부식성을 높이기 위하여, 제 1 천장판(611), 제 2 천장판(612) 및 측벽부(62)는 테플론(등록 상표)으로 코팅되어 있어도 된다.
덮개체(6)에는 덮개 암(71)을 개재하여 덮개체 이동 기구(7)가 연결되어 있다. 덮개체 이동 기구(7)는 덮개체(6)를 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시킨다. 보다 구체적으로, 덮개체 이동 기구(7)는 덮개체(6)를 수평 방향으로 이동시키는 선회 모터(72)와, 덮개체(6)를 상하 방향으로 이동시키는 실린더(73)(간격 조절부)를 가진다. 이 중 선회 모터(72)는, 실린더(73)에 대하여 상하 방향으로 이동 가능하게 마련된 지지 플레이트(74) 상에 장착되어 있다. 실린더(73)의 대체로서, 모터와 볼 나사를 포함하는 액츄에이터(도시하지 않음)를 이용해도 된다.
덮개체 이동 기구(7)의 선회 모터(72)는, 덮개체(6)를, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 상방에 배치된 상방 위치와, 상방 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동시킨다. 상방 위치는 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)에 대하여 비교적 큰 간격으로 대향하는 위치로서, 상방에서 봤을 경우에 기판(W)과 중첩되는 위치이다. 퇴피 위치는 챔버(51) 내 중, 상방에서 봤을 경우에 기판(W)과 중첩되지 않는 위치이다. 덮개체(6)가 퇴피 위치에 위치되어 있는 경우, 이동하는 노즐 암(56)이 덮개체(6)와 간섭하는 것이 회피된다. 선회 모터(72)의 회전축선은 상하 방향으로 연장되어 있고, 덮개체(6)는 상방 위치와 퇴피 위치와의 사이에서, 수평 방향으로 선회 이동 가능하게 되어 있다.
덮개체 이동 기구(7)의 실린더(73)는 덮개체(6)를 상하 방향으로 이동시켜, 처리면(Sw) 상에 도금액(L1)이 축적된 기판(W)과 천장부(61)의 제 1 천장판(611)과의 간격을 조절한다. 보다 구체적으로, 실린더(73)는 덮개체(6)를 하방 위치(도 2에서 실선으로 나타내는 위치)와, 상방 위치(도 2에서 이점 쇄선으로 나타내는 위치)에 위치시킨다.
덮개체(6)가 하방 위치에 배치되는 경우, 제 1 천장판(611)이 기판(W)에 근접한다. 이 경우, 도금액(L1)의 오손(汚損) 또는 도금액(L1) 내에서의 기포 발생을 방지하기 위하여, 제 1 천장판(611)이 기판(W) 상의 도금액(L1)에 접하지 않도록 하방 위치를 설정하는 것이 적합하다.
상방 위치는 덮개체(6)를 수평 방향으로 선회 이동시킬 시에, 컵(571), 또는 분위기 차단 커버(572) 등의 주위의 구조물에 덮개체(6)가 간섭하는 것을 회피 가능한 높이 위치로 되어 있다.
본 실시의 형태에서는, 히터(63)가 구동되어, 상술한 하방 위치에 덮개체(6)가 위치되었던 경우에, 기판(W) 상의 도금액(L1)이 가열되도록 구성되어 있다.
덮개체(6)의 측벽부(62)는 천장부(61)의 제 1 천장판(611)의 주연부로부터 하방으로 연장되어 있고, 기판(W) 상의 도금액(L1)을 가열할 시(즉 하방 위치에 덮개체(6)가 위치된 경우)에 기판(W)의 외주측에 배치된다. 덮개체(6)가 하방 위치에 위치된 경우, 측벽부(62)의 하단은 기판(W)보다 낮은 위치에 위치되어도 된다.
덮개체(6)의 천장부(61)에는 히터(63)가 마련되어 있다. 히터(63)는 덮개체(6)가 하방 위치에 위치된 경우에, 기판(W) 상의 처리액(적합하게는 도금액(L1))을 가열한다. 본 실시의 형태에서는, 히터(63)는 덮개체(6)의 제 1 천장판(611)과 제 2 천장판(612) 사이에 개재되고, 상술한 바와 같이 밀봉되어 있어, 히터(63)가 도금액(L1) 등의 처리액에 접하는 것이 방지되고 있다.
본 실시의 형태에 있어서는, 덮개체(6)의 내측에, 불활성 가스 공급부(66)에 의해 불활성 가스(예를 들면, 질소(N2) 가스)가 공급된다. 이 불활성 가스 공급부(66)는 덮개체(6)의 내측에 불활성 가스를 토출하는 가스 노즐(661)과, 가스 노즐(661)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원(662)을 가진다. 가스 노즐(661)은 덮개체(6)의 천장부(61)에 마련되어 있고, 덮개체(6)가 기판(W)을 덮은 상태로 기판(W)을 향해 불활성 가스를 토출한다.
덮개체(6)의 천장부(61) 및 측벽부(62)는 덮개체 커버(64)에 의해 덮여 있다. 이 덮개체 커버(64)는 덮개체(6)의 제 2 천장판(612) 상에, 지지부(65)를 개재하여 배치되어 있다. 즉, 제 2 천장판(612) 상에, 제 2 천장판(612)의 상면으로부터 상방에 돌출되는 복수의 지지부(65)가 마련되어 있고, 이 지지부(65)에 덮개체 커버(64)가 배치되어 있다. 덮개체 커버(64)는 덮개체(6)와 함께 수평 방향 및 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 덮개체 커버(64)는 덮개체(6) 내의 열이 주위로 빠져나가는 것을 억제하기 위하여, 천장부(61) 및 측벽부(62)보다 높은 단열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 덮개체 커버(64)는 수지 재료에 의해 형성되어 있는 것이 적합하며, 그 수지 재료가 내열성을 가지는 것이 보다 한층 적합하다.
챔버(51)의 상부에, 덮개체(6)의 주위로 청정한 공기(기체)를 공급하는 팬 필터 유닛(59)(기체 공급부)이 마련되어 있다. 팬 필터 유닛(59)은 챔버(51) 내(특히, 분위기 차단 커버(572) 내)로 공기를 공급하고, 공급된 공기는 후술하는 배기관(81)을 향해 흐른다. 덮개체(6)의 주위에는, 이 공기가 하향으로 흐르는 다운 플로우가 형성되고, 도금액(L1) 등의 처리액으로부터 기화한 가스는, 이 다운 플로우에 의해 배기관(81)을 향해 흐른다. 이와 같이 하여, 처리액으로부터 기화한 가스가 상승하여 챔버(51) 내에 확산되는 것을 방지하고 있다.
상술한 팬 필터 유닛(59)으로부터 공급된 기체는, 배기 기구(8)에 의해 배출되도록 되어 있다. 이 배기 기구(8)는, 컵(571)의 하방에 마련된 2 개의 배기관(81)과, 드레인 덕트(581)의 하방에 마련된 배기 덕트(82)를 가진다. 이 중 2 개의 배기관(81)은, 드레인 덕트(581)의 저부를 관통하여, 배기 덕트(82)에 각각 연통하고 있다. 배기 덕트(82)는, 상방에서 봤을 경우에 실질적으로 반원 링 형상으로 형성되어 있다. 본 실시의 형태에서는, 드레인 덕트(581)의 하방에 1 개의 배기 덕트(82)가 마련되어 있고, 이 배기 덕트(82)에 2 개의 배기관(81)이 연통하고 있다.
[가열 유닛(제 1 예)]
상술한 바와 같이 본 실시 형태의 도금 처리부(5)에서는, 히터(63)와 당해 히터(63)를 지지하는 천장부(61)를 구비하는 가열 유닛(35)에 의해, 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)이 가열된다.
도 3은 가열 유닛(35)의 평면도이며, 가열 유닛(35)에 있어서의 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)을 나타낸다. 가열 유닛(35)은 전체로서 원형의 평면 형상을 가지고, 수평 방향에 관하여 기판(W)의 처리면(Sw)과 대략 동일한 사이즈 혹은 약간 큰 사이즈를 가져, 기판(W)의 처리면(Sw)의 전체를 덮을 수 있다.
본 실시 형태의 가열 유닛(35)은, 원형의 평면 형상을 가지는 제 1 가열 존(Z1)과, 제 1 가열 존(Z1)을 둘러싸는 환상의 평면 형상을 가지는 제 2 가열 존(Z2)과, 제 2 가열 존(Z2)을 둘러싸는 환상의 평면 형상을 가지는 제 3 가열 존(Z3)으로 분할된다. 각각의 가열 존(Z1 ~ Z3)은 덮개체(6)가 하방 위치에 배치되었을 시에(도 2의 실선 위치 참조), 직하(直下)에 위치하는 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 처리액을 가열하기 위하여 마련되어 있다. 이와 같이 처리면(Sw)은 복수의 처리 존(도시 생략)으로 분할되고, 복수의 처리 존의 각각에는 가열 유닛(35) 중 특정의 가열 존이 할당되며, 처리액은 대응하는 가열 존에 의해 처리 존 단위로 가열된다.
예를 들면 제 1 가열 존(Z1)은, 처리면(Sw)의 중심을 기준으로 한 원형의 평면 형상을 가지는 처리 존의 처리액을 주로 가열한다. 또한 제 3 가열 존(Z3)은, 환상의 평면 형상을 가지는 처리 존(특히 처리면(Sw)의 외주부를 포함하는 처리 존) 상의 처리액을 주로 가열한다. 그리고 제 2 가열 존(Z2)은, 제 1 가열 존(Z1)이 할당되는 처리 존과 제 3 가열 존(Z3)이 할당되는 처리 존 사이의 환상의 평면 형상을 가지는 처리 존의 처리액을 주로 가열한다.
또한, 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)의 평면 형상 및 배치는 도시의 형상 및 배치에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 3에 나타내는 가열 유닛(35)에서는 중심(O)으로부터 반경 방향으로 상호 동일한 폭으로 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)이 마련되어 있지만, 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)의 반경 방향의 폭은 반드시 서로 동일하지 않아도 된다. 또한 도시의 가열 유닛(35)에서는 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)이 동심원 형상으로 마련되어 있지만, 예를 들면 각 가열 존이 직사각형 형상의 평면 형상을 가지고 있어도 된다. 또한 상술한 제 1 가열 존(Z1), 제 2 가열 존(Z2) 및 제 3 가열 존(Z3)의 호칭은, 오로지 가열 존을 구별하기 위하여 이용되고 있는 것에 불과하며, 가열 존의 배치 관계를 한정하는 것은 아니다. 예를 들면, 제 1 가열 존(Z1)이 제 2 가열 존(Z2) 및 제 3 가열 존(Z3)보다 처리면(Sw)의 중심으로부터 멀어도 되고, 제 1 가열 존(Z1) ~ 제 3 가열 존(Z3)은 반드시 서수의 순서로 배열되어 있지 않아도 된다. 또한 처리면(Sw)에 있어서의 처리 존의 평면 형상 및 배치는, 가열 유닛(35)의 가열 존의 평면 형상 및 배치에 대응한다.
도 4는 도 3의 부호 'IV'로 나타내지는 개소에 있어서의 가열 유닛(35)(제 1 예)의 단면 구성을 나타내는 도이다. 이하에서는, 일례로서, 제 2 가열 존(Z2)과 제 3 가열 존(Z3) 사이의 경계(B23)의 근방의 단면 구조를 설명하지만, 제 1 가열 존(Z1)과 제 2 가열 존(Z2) 사이의 경계(B12) 근방의 단면도 동일한 구조를 가진다.
히터(63)는 가열 유닛(35)의 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3)의 각각에 마련되는 복수의 발열체(40)와, 각 발열체(40)를 지지하는 지지 플레이트(41)를 가진다. 발열체(40) 및 지지 플레이트(41)의 구체적인 구성은 한정되지 않으며, 전형적으로는 면상 발열체인 마이카 히터에 의해 히터(63)를 구성할 수 있고, 지지 플레이트(41)를 마이카(운모)에 의해 구성해도 된다. 도시의 히터(63)에서는 각 발열체(40)가 지지 플레이트(41)에 매설되어 있지만, 각 지지 플레이트(41)에 대한 각 발열체(40)의 설치 태양은 한정되지 않고, 예를 들면 한 쌍의 지지 플레이트(41) 간에 각 발열체(40)가 배치되어도 된다.
상술한 구성을 가지는 가열 유닛(35)에 있어서, 제 1 천장판(611)(제 1 면상체) 및 제 2 천장판(612)(제 2 면상체) 중 적어도 어느 일방은 홈(45)을 가진다. 이 홈(45)은, 복수의 가열 존(Z1 ~ Z3) 중 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 마련된다.
홈(45)은, 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)에 형성된 공간에 의해 구성되어 있다. 홈(45)의 구체적인 형상 및 구성은 도시한 예에 한정되지 않는다. 홈(45)은, 도 4에 나타내는 바와 같이 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)을 관통하지 않는 공간(즉 측벽 및 저벽에 의해 정해지는 공간)이어도 된다. 또한 홈(45)은, 후술의 도 5에 나타내는 바와 같이 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)을 관통하는 공간(즉 측벽에 의해 정해지는 공간)이어도 된다.
도 4에 나타내는 가열 유닛(35)에서는, 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)의 각각이, 인접하는 가열 존 사이에 있어서 1 개의 홈(45)을 가진다. 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612) 중, 홈(45)이 마련되어 있는 개소의 높이 방향의 단면적은, 홈(45)이 마련되어 있지 않은 개소의 높이 방향의 단면적보다 작다. 이러한 구성을 가지는 홈(45)은, 전열에 관한 저항으로서 기능하여, 인접하는 가열 존 사이에 있어서의 열의 전도를 억제한다. 즉, 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612) 중 홈(45)이 마련되어 있는 개소는, 홈(45)이 마련되어 있지 않은 개소에 비해 전도되는 열량이 억제된다. 이와 같이 인접하는 가열 존 사이(도 4에서는 제 2 가열 존(Z2)과 제 3 가열 존(Z3)과의 사이)에서 열이 전도되는 것을 억제함으로써, 가열 존 단위의 가열 제어를 정밀도 좋게 행할 수 있다. 따라서 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)의 가열 제어를, 존 단위로 정밀도 좋게 행할 수 있다.
[가열 유닛(제 2 예)]
도 5는 가열 유닛(35)(제 2 예)의 단면 구성을 나타내는 도이다. 본 예에 있어서, 상술한 제 1 예의 가열 유닛(35)(도 4 참조)과 동일 또는 유사한 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
본 예의 가열 유닛(35)에 있어서, 제 1 천장판(611)(제 1 면상체)에 마련되어 있는 홈(45)은, 제 1 천장판(611)을 관통한다. 도 5에 나타내는 가열 유닛(35)의 다른 구성은, 도 4에 나타내는 가열 유닛(35)과 동일하다.
제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)이 제 1 천장판(611)을 완전하게 관통함으로써, 제 1 천장판(611)을 가열 존 사이에서 완전하게 분할할 수 있다. 이에 의해, 제 1 천장판(611)을 통한 열의 전도가 홈(45)에 의해 차단되어, 이웃하는 가열 존 사이에서 열이 전해지는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 때문에 이웃하는 가열 존 사이에 있어서 큰 온도차를 부여하는 것이 용이하며, 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 처리액의 가열 제어를 처리 존 단위로 고정밀도로 행할 수 있다. 또한 가열 존 사이에 있어서 큰 온도차를 부여하는 경우라도, 관통홀로서 마련되는 홈(45)에 의해 제 1 천장판(611)에 생길 수 있는 열 응력을 효과적으로 저감시킬 수 있어, 열 응력에 기인하는 가열 유닛(35)의 일그러짐의 발생을 방지할 수 있다.
도 5에 나타내는 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)은, 도 4에 나타내는 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)과 마찬가지로, 히터(63)측에 개구되고, 히터(63)와는 반대측이 제 2 천장판(612)에 의해 닫혀 있다. 또한 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)도, 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)과 마찬가지로, 제 2 천장판(612)을 관통하고 있어도 된다. 예를 들면 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)이 제 1 천장판(611)을 관통하면서, 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)이 제 2 천장판(612)을 관통하고 있어도 된다. 또한 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)은 제 1 천장판(611)을 관통하지 않지만, 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)은 제 2 천장판(612)을 관통하고 있어도 된다.
단 가열 유닛(35)의 강도를 확보하는 관점으로부터는, 제 2 천장판(612)은 홈(45)에 의해 완전하게는 분할되어 있지 않은 편이 바람직하다. 제 2 천장판(612)은 제 1 천장판(611)에 비해, 처리면(Sw) 상의 처리액의 가열에 대한 기여가 작다. 처리면(Sw) 상의 처리액의 가열 제어와 가열 유닛(35)의 강도 확보를 밸런스 좋게 양립시키는 관점으로부터는, 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)은 제 1 천장판(611)을 관통하면서, 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)은 제 2 천장판(612)을 관통하지 않는 것이 바람직하다.
본건 발명자는, 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)의 형상 및 배치 등의 특성을 바꾸면서, 가열 존 사이에 생길 수 있는 온도차를 고찰하는 시뮬레이션을 반복하여 행했다. 그 결과, 홈(45)이 관통홀이 아닌 경우에는 이웃하는 가열 존 사이에서 1 ~ 2℃ 정도의 온도차 밖에 부여되지 않아도, 홈(45)을 관통홀로서 구성함으로써 이웃하는 가열 존 사이에 있어서 10℃ 이상의 온도차를 부여할 수 있는 경우가 있는 것이 확인되었다. 특히, 제 2 천장판(612)을 수지제 단열재로 구성하고 또한 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)을 관통홀로 함으로써, 이웃하는 가열 존 사이에 있어서 30℃ 이상의 온도차를 부여할 수 있는 경우가 있는 것도 확인되었다. 이와 같이, 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)을 관통홀로서 구성하는 것은, 이웃하는 가열 존 사이에 큰 온도차를 부여하는데 매우 유효하다.
[가열 유닛(다른 예)]
또한, 홈(45)은 도 4 및 도 5에 나타내는 형태에는 한정되지 않고, 다양한 형태로 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)에 마련되는 것이 가능하다. 예를 들면 도 4에 나타내는 각 홈(45)은, 히터(63)를 향하는 방향으로 개구되지만, 히터(63)로부터 멀어지는 방향으로 개구되어 있어도 된다. 또한 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612) 중 일방(예를 들면 제 1 천장판(611))이 히터(63)로부터 멀어지는 방향으로 개구되는 홈(45)을 가지고, 타방(예를 들면 제 2 천장판(612))이 히터(63)를 향하는 방향으로 개구되는 홈(45)을 가지고 있어도 된다. 또한 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612) 중 적어도 일방이, 히터(63)로부터 멀어지는 방향으로 개구되는 홈(45) 및 히터(63)를 향하는 방향으로 개구되는 홈(45)의 양자를 가지고 있어도 된다. 또한 형성 장소에 따라 홈(45)의 형태를 결정해도 된다. 예를 들면, 제 1 가열 존(Z1)과 제 2 가열 존(Z2) 사이의 경계(B12)에 대응하는 영역에 마련되는 홈(45)의 형태와, 제 2 가열 존(Z2)과 제 3 가열 존(Z3) 사이의 경계(B23)에 대응하는 영역에 마련되는 홈(45)의 형태를 서로 상이하게 해도 된다.
제 1 천장판(611)은 히터(63)와 처리면(Sw)과의 사이에 있어서, 제 2 천장판(612)보다 처리면(Sw)에 가까운 위치에 배치된다. 그 때문에 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)의 가열을 처리 존 단위로 정밀도 좋게 제어하는 관점으로부터는, 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612) 중 적어도 제 1 천장판(611)에 홈(45)을 마련하는 것이 바람직하다. 또한 발열체(40)로부터의 열을 효율 좋게 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)에 전하는 관점으로부터는, 히터(63)로부터 멀어지는 방향으로 개구되는 홈(45)을 제 1 천장판(611)에 형성하고, 제 1 천장판(611)의 하면부의 표면적을 증대시켜 방열 면적을 크게 하는 것이 바람직하다.
또한 도 4 및 도 5에 나타내는 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)의 각각은, 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 있어서 1 개의 홈(45)을 가지고 있지만, 당해 영역에 있어서 2 이상의 홈(45)을 가지고 있어도 된다. 여기서 말하는 '인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역'이란, 인접하는 가열 존 사이의 경계를 기준으로 하여 정해지는 경계 근방의 영역을 가리키며, 인접하는 가열 존의 각각에 마련되는 발열체(40)가 배치되지 않은 영역이다. 도 4에서는 부호 'B'에 의해 '인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역'이 나타나 있으며, 인접하는 가열 존 중 일방 또는 양방의 단부가 '인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역 B'에 포함되어 있어도 된다.
또한 제 2 천장판(612)을 구성하는 재료를, 제 1 천장판(611)을 구성하는 재료와 상이하게 해도 된다. 예를 들면, 전열 성능(특히 열전도 성능 및 열방사 성능)이 우수한 재료(예를 들면 알루미늄 합금)에 의해 제 1 천장판(611)을 구성하면서, 제 1 천장판(611)의 구성 재료보다 전열 성능이 떨어지는 재료(예를 들면 수지)에 의해 제 2 천장판(612)을 구성해도 된다. 제 1 천장판(611)으로부터의 방사열은, 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 처리액에 대하여 직접적으로 전해진다. 따라서 전열 성능이 뛰어난 재료에 의해 제 1 천장판(611)을 구성함으로써, 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 처리액을 효율 좋게 가열할 수 있다. 한편, 제 2 천장판(612)과 기판(W)과의 사이에는 히터(63) 및 제 1 천장판(611)이 존재하므로, 제 2 천장판(612)의 열은, 기본적으로, 처리면(Sw) 상의 처리액에 대하여 직접적으로는 전해지지 않는다. 또한 제 2 천장판(612)의 열은, 제 2 천장판(612)을 통하여 가열 유닛(35)의 가열 존 사이에서 전해지기 때문에, 가열 존 사이에서 큰 온도차를 부여하는 것을 저해할 수 있다. 따라서, 전열 성능이 낮은 재료에 의해 제 2 천장판(612)을 구성함으로써, 가열 유닛(35)의 가열 존 사이에 있어서 원하는 온도차를 부여하는 것을 용이하게 할 수 있다.
또한 도 6에 나타내는 바와 같이, 홈(45)에 충전 부재(46)가 배치되어 있어도 된다. 가열 존 사이에서 큰 온도차를 부여하는 관점으로부터는, 충전 부재(46)는, 제 1 천장판(611) 및 제 2 천장판(612)보다 전열 성능(특히 열전도 성능)이 떨어지는 재료(예를 들면 수지 또는 다른 단열재)에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 또한 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45)이 관통홀인 경우, 기판(W)의 처리 중에 파티클이 당해 홈(45)을 통하여 처리면(Sw) 상에 낙하하는 것을 방지하는 관점으로부터는, 제 1 천장판(611)에 마련되어 있는 홈(45)에 충전 부재(46)가 배치되는 것이 바람직하다. 도 6에 나타내는 가열 유닛(35)에서는, 제 1 천장판(611)이 가지는 홈(45) 및 제 2 천장판(612)이 가지는 홈(45)의 양방이 관통홀이며, 이들 홈(45)의 각각의 전체가, 단열재에 의해 구성되는 충전 부재(46)에 의해 매립되어 있다. 이 경우, 가열 유닛(35)의 강도를 확보하면서, 가열 존 사이의 전열을 막아, 가열 존 사이에서 큰 온도차를 용이하게 부여하는 것이 가능하다. 또한 충전 부재(46)는, 반드시 홈(45)의 전체를 매립하지 않아도 되며, 홈(45)의 일부에만 배치되어 있어도 된다. 또한 관통홀이 아닌 홈(45)(도 4 참조)에, 충전 부재(46)가 배치되어 있어도 된다.
또한 가열 유닛(35)의 복수의 가열 존 중 적어도 2개의 가열 존에 있어서, 제 1 천장판(611)과 기판(W)의 처리면(Sw) 사이의 간격이 서로 상이해도 된다. 즉, 어느 가열 존에 있어서의 제 1 천장판(611)이 다른 1 이상의 가열 존에 있어서의 제 1 천장판(611)보다, 기판(W)의 처리면(Sw)측(즉 도 7의 하측)으로 돌출되어 있어도 된다. 이 경우, 어느 가열 존에 있어서의 제 1 천장판(611)의 처리면(Sw)측의 면을, 다른 1 이상의 가열 존에 있어서의 제 1 천장판(611)의 처리면(Sw)측의 면보다, 처리면(Sw)의 근처에 배치할 수 있다. 제 1 천장판(611)이 처리면(Sw)에 가까울수록, 처리면(Sw) 상의 처리액이 효율 좋게 가열된다. 따라서, 제 1 천장판(611)과 기판(W)의 처리면(Sw) 사이의 간격을 가열 존 사이에서 변경함으로써, 처리액의 가열 효율을 처리 존마다 변경할 수 있다.
도 7에서는, 제 1 가열 존(Z1)에 있어서의 제 1 천장판(611)과 처리면(Sw) 사이의 간격('제 1 가열 간격'이라고도 칭함)(D1)이, 제 2 가열 존(Z2)에 있어서의 제 1 천장판(611)과 처리면(Sw)과의 간격('제 2 가열 간격'이라고도 칭함)(D2)보다 작다(D1 < D2). 따라서 제 1 가열 존(Z1)에 대응하는 처리 존의 처리액의 온도는, 제 2 가열 존(Z2)에 대응하는 처리 존의 처리액의 온도보다, 가열 유닛(35)에 의해 상승되기 쉽다. 도 7에는 나타나 있지 않지만, 제 3 가열 존(Z3)에 있어서의 제 1 천장판(611)과 처리면(Sw) 사이의 간격('제 3 가열 간격'이라고도 칭함)(D3)을, 제 1 가열 간격(D1) 및/또는 제 2 가열 간격(D2)과 상이하게 해도 된다. 또한 제 1 가열 간격(D1), 제 2 가열 간격(D2) 및 제 3 가열 간격(D3)의 구체적인 관계는 한정되지 않으며, 예를 들면 'D3 < D2' 또는 'D1 = D3'의 관계가 충족되어 있어도 된다. 처리면(Sw) 상의 처리액의 온도를 균일화하는 관점으로부터는, 처리액의 온도가 상승하기 어려운 처리 존에 대응하는 가열 존의 가열 간격(예를 들면 제 1 가열 간격(D1) 및/또는 제 3 가열 간격(D3))을, 다른 가열 존의 가열 간격(예를 들면 제 2 가열 간격(D2))보다 작게 하는 것이 바람직하다.
또한 가열 유닛(35)(특히 각 발열체(40))의 제어는 제어부(3)(도 1 참조)에 의해 행해진다. 예를 들면, 기판(W)의 처리면(Sw)의 외주부의 도금액(L1)의 가열량을 처리면(Sw)의 중앙부의 도금액(L1)의 가열량보다 크게 하는 경우에는, 제어부(3)의 제어 하에서, 제 3 가열 존(Z3)에 배치되는 발열체(40)로부터의 발열량이 제 1 가열 존(Z1)에 배치되는 발열체(40)로부터의 발열량보다 크게 된다. 이러한 가열 제어를 적절히 행하기 위하여, 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)의 온도를 처리 존마다 계측할 수 있는 적외선 센서 등의 온도 검출 센서(도시 생략)를 설치해도 된다. 이 경우, 제어부(3)는 그 온도 검출 센서의 검출 결과에 기초하여, 각 발열체(40)의 발열량(예를 들면 각 발열체(40)에 통전하는 전력)을 제어해도 된다.
이어서, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시의 형태의 작용에 대하여, 도 8을 이용하여 설명한다. 여기서는, 기판 액 처리 방법의 일례로서, 도금 처리 장치(1)를 이용한 도금 처리 방법에 대하여 설명한다.
도금 처리 장치(1)에 의해 실시되는 도금 처리 방법은, 기판(W)에 대한 도금 처리를 포함한다. 도금 처리는 도금 처리부(5)에 의해 실시된다. 이하에 나타내는 도금 처리부(5)의 동작은 제어부(3)에 의해 제어된다. 또한, 하기의 처리가 행해지고 있는 동안, 팬 필터 유닛(59)으로부터 청정한 공기가 챔버(51) 내로 공급되어, 배기관(81)을 향해 흐른다.
먼저, 도금 처리부(5)로 기판(W)이 반입되어, 기판(W)이 기판 유지부(52)에 의해 수평으로 유지된다(단계(S1)).
이어서, 기판 유지부(52)에 유지된 기판(W)의 세정 처리가 행해진다(단계(S2)). 이 세정 처리에서는, 먼저 회전 모터(523)가 구동되어 기판(W)이 정해진 회전수로 회전하고, 이어서, 퇴피 위치에 위치되어 있던 노즐 암(56)이 토출 위치로 이동하고, 회전하는 기판(W)에 세정액 노즐(541)로부터 세정액(L2)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이에 의해 기판(W)에 부착한 부착물 등이 기판(W)으로부터 제거된다. 기판(W)에 공급된 세정액(L2)은 드레인 덕트(581)로 배출된다.
이어서, 기판(W)의 린스 처리가 행해진다(단계(S3)). 이 린스 처리에서는, 회전하는 기판(W)에 린스액 노즐(551)로부터 린스액(L3)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 린스 처리된다. 이에 의해 기판(W) 상에 잔존하는 세정액(L2)이 씻겨내진다. 기판(W)에 공급된 린스액(L3)은 드레인 덕트(581)로 배출된다.
이어서, 기판(W)의 처리면(Sw) 상에 도금액(L1)의 퍼들을 형성하는 도금액 축적 공정이 행해진다(단계(S4)). 이 공정에서는, 먼저, 기판(W)의 회전수가 린스 처리 시의 회전수보다 저감되어, 예를 들면 기판(W)의 회전수를 50 ~ 150 rpm으로 해도 된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 형성되는 도금막을 균일화시킬 수 있다. 또한, 기판(W)의 회전을 정지시켜, 도금액(L1)의 축적량을 증대해도 된다. 이어서, 도금액 노즐(531)로부터 기판(W)의 상면(즉 처리면(Sw))에 도금액(L1)이 토출된다. 이 도금액(L1)은 표면 장력에 의해 처리면(Sw)에 머물어, 도금액(L1)의 층(이른바 퍼들)이 형성된다. 도금액(L1)의 일부는, 처리면(Sw)으로부터 유출되어 드레인 덕트(581)를 거쳐 배출된다. 정해진 양의 도금액(L1)이 도금액 노즐(531)로부터 토출된 후, 도금액(L1)의 토출이 정지된다. 이 후, 노즐 암(56)은 퇴피 위치에 위치된다.
이어서, 도금액 가열 처리 공정으로서, 기판(W) 상에 축적된 도금액(L1)이 가열된다. 이 도금액 가열 처리 공정은, 덮개체(6)가 기판(W)을 덮는 공정(단계(S5))과, 불활성 가스를 공급하는 공정(단계(S6))과, 덮개체(6)를 하방 위치에 배치하여 도금액(L1)을 가열하는 가열 공정(단계(S7))과, 덮개체(6)를 기판(W) 상으로부터 퇴피하는 공정(단계(S8))을 가진다. 또한, 도금액 가열 처리 공정에 있어서도, 기판(W)의 회전수는, 도금액 축적 공정과 동일한 속도(혹은 회전 정지)로 유지되는 것이 적합하다.
덮개체(6)가 기판(W)을 덮는 공정(단계(S5))에서는, 먼저, 덮개체 이동 기구(7)의 선회 모터(72)가 구동되어, 퇴피 위치에 위치되어 있던 덮개체(6)가 수평 방향으로 선회 이동하여, 상방 위치에 위치된다. 이어서, 덮개체 이동 기구(7)의 실린더(73)가 구동되어, 상방 위치에 위치된 덮개체(6)가 하강하여 하방 위치에 위치되고, 기판(W)이 덮개체(6)에 의해 덮여, 기판(W)의 주위의 공간이 폐색화된다.
기판(W)이 덮개체(6)에 의해 덮인 후, 덮개체(6)의 천장부(61)에 마련된 가스 노즐(661)로부터 덮개체(6)의 내측에 불활성 가스가 토출된다(단계(S6)). 이에 의해 덮개체(6)의 내측의 공기가 불활성 가스로 치환되어, 기판(W)의 주위가 저산소 분위기가 된다. 불활성 가스는 정해진 시간 토출되고, 이 후, 불활성 가스의 토출을 정지한다.
이어서, 기판(W) 상에 축적된 도금액(L1)이 가열된다(단계(S7)). 도금액(L1)의 온도가, 도금액(L1) 중의 성분이 석출되는 온도까지 상승하면, 기판(W)의 상면에 도금액(L1)의 성분이 석출되어 도금막이 형성되고 성장한다. 이 가열 공정에서는, 원하는 두께의 도금막을 얻는데 필요한 시간, 도금액(L1)은 가열되어 석출 온도로 유지된다.
가열 공정이 종료되면, 덮개체 이동 기구(7)가 구동되어, 덮개체(6)가 퇴피 위치에 위치된다(단계(S8)). 이와 같이 하여, 기판(W)의 도금액 가열 처리 공정(단계(S5 ~ S8))이 종료된다.
이어서, 기판(W)의 린스 처리가 행해진다(단계(S9)). 이 린스 처리에서는, 먼저, 기판(W)의 회전수를 도금 처리 시의 회전수보다 증대시켜, 예를 들면 도금 처리 전의 기판 린스 처리 공정(단계(S3))과 동일한 회전수로 기판(W)을 회전시킨다. 이어서, 퇴피 위치에 위치되어 있던 린스액 노즐(551)이, 토출 위치로 이동한다. 이어서, 회전하는 기판(W)에 린스액 노즐(551)로부터 린스액(L3)이 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정되고, 기판(W) 상에 잔존하는 도금액(L1)이 씻겨내진다.
이어서, 기판(W)의 건조 처리가 행해진다(단계(S10)). 이 건조 처리에서는, 기판(W)을 고속으로 회전시켜, 예를 들면 기판(W)의 회전수를 기판 린스 처리 공정(단계(S9))의 회전수보다 증대시킨다. 이에 의해 기판(W) 상에 잔존하는 린스액(L3)이 털어내져 제거되고, 도금막이 형성된 기판(W)이 얻어진다. 이 경우, 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스를 기판(W)에 분사하여, 기판(W)의 건조를 촉진해도 된다.
이 후, 기판(W)이 기판 유지부(52)로부터 취출되어, 도금 처리부(5)로부터 반출된다(단계(S11)).
상술한 일련의 공정 중, 특히 기판(W)의 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)이 가열될 시(단계(S7))에, 홈(45)에 의해 구획된 히터(63)의 각 가열 존에 있어서의 발열체(40)의 통전 상태가 제어부(3)에 의해 제어되어, 처리면(Sw) 상의 도금액(L1)의 가열 제어가 존 단위로 행해진다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시의 형태에서는, 히터(63)에 있어서의 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 홈(45)을 마련함으로써, 기판(W) 상의 도금액(L1)의 가열 제어를 존 단위로 정밀도 좋게 행할 수 있다. 특히, 히터(63)와 기판(W)(특히 처리면(Sw)) 사이에 배치되는 제 1 천장판(611)에 홈(45)을 마련함으로써, 히터(63)로부터 기판(W)을 향해 발해지는 열량을 가열 존마다 효과적으로 변경할 수 있다.
또한, 히터(63)를 향하는 방향으로 개구되도록 홈(45)을 마련함으로써, 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612) 중 히터(63)에 대향하는 개소의 표면적을 증대시킬 수 있어, 히터(63)로부터 발해진 열의 방사를 효율 좋게 받을 수 있다. 또한, 제 1 천장판(611)의 노출면(즉 하방 면) 및 제 2 천장판(612)의 노출면(즉 상방면)을 평탄하게 형성할 수 있다. 한편, 히터(63)로부터 멀어지는 방향으로 개구되도록 홈(45)을 마련함으로써, 외방에 노출되는 표면적을 증대시킬 수 있어, 히터(63)(특히 각 발열체(40))로 발해진 열을 효율 좋게 외방으로 전할 수 있다.
또한 인접하는 가열 존 사이에 복수의 홈(45)을 배열함으로써, 가열 존 사이에 있어서의 열의 전도를 보다 효과적으로 억제할 수 있고 또한, 표면적을 더 증대시킬 수 있다.
또한, 제 1 천장판(611) 및/또는 제 2 천장판(612)에 홈(45)을 형성하는 가공은 비교적으로 간단하게 행할 수 있어, 가열 유닛(35)을 심플하게 구성할 수 있다. 또한, 마이카 히터 등의 범용의 장치를 히터(63)로서 활용할 수 있어, 가열 유닛(35)을 저가로 구성하는 것도 가능하다.
본 발명은 상기 실시의 형태 및 변형예 그대로에 한정되는 것이 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시의 형태 및 변형예에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의해, 각종 발명을 형성할 수 있다. 실시의 형태 및 변형예에 나타나는 전구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시의 형태 및 변형예에 걸치는 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.
예를 들면, 도금액(L1) 이외의 처리액 및 도금 처리 이외의 액 처리에 대해서도 본 발명에 따른 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법은 유효하다. 또한, 기판 액 처리 장치(도금 처리 장치(1))의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때에, 컴퓨터가 기판 액 처리 장치를 제어하여 상술한 바와 같은 기판 액 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체(예를 들면 제어부(3)의 기록 매체(31))로서, 본 발명이 구체화되어도 된다.
1 : 도금 처리 장치
35 : 가열 유닛
45 : 홈
52 : 기판 유지부
53 : 도금액 공급부
63 : 히터
611 : 제 1 천장판
612 : 제 2 천장판
L1 : 도금액
Sw : 처리면
W : 기판
Z1 : 제 1 가열 존
Z2 : 제 2 가열 존
Z3 : 제 3 가열 존

Claims (9)

  1. 처리액에 의해 기판의 처리면의 액 처리를 행하는 기판 액 처리 장치로서,
    상기 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상기 처리면에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리면 상의 상기 처리액을 가열하는 가열 유닛을 구비하고,
    상기 가열 유닛은 히터와, 상기 히터를 사이에 두도록 하여 마련되는 제 1 면상체 및 제 2 면상체를 가지고,
    상기 제 1 면상체는 상기 히터와 상기 처리면 사이에 배치되고,
    상기 히터는, 상기 가열 유닛의 복수의 가열 존의 각각에 마련되는 복수의 발열체를 가지고,
    상기 제 1 면상체 및 상기 제 2 면상체 중 적어도 어느 일방은 홈을 가지고, 상기 홈은 상기 복수의 가열 존 중 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 마련되는 기판 액 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 제 1 면상체 및 상기 제 2 면상체 중 적어도 상기 제 1 면상체에 마련되어 있는 기판 액 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 히터를 향하는 방향으로 개구되는 기판 액 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 홈은, 상기 히터로부터 멀어지는 방향으로 개구되는 기판 액 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홈은 인접하는 가열 존 사이의 경계에 대응하는 영역에 있어서 복수 마련되는 기판 액 처리 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히터는 상기 복수의 발열체를 지지하는 지지 플레이트를 가지고,
    상기 지지 플레이트는 마이카에 의해 구성되는 기판 액 처리 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 면상체에 마련되어 있는 상기 홈은 상기 제 1 면상체를 관통하고 있는 기판 액 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 면상체에 마련되어 있는 상기 홈에 배치되어 있는 충전 부재를 더 구비하는 기판 액 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 가열 존 중 적어도 2 개의 가열 존에 있어서, 상기 제 1 면상체와 상기 처리면 사이의 간격이 서로 상이한 기판 액 처리 장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917761A (ja) 1995-06-27 1997-01-17 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP2004107747A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
JP2012136783A (ja) 2005-12-02 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置、無電解めっき方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6128617A (ja) 1984-07-18 1986-02-08 Penta Ocean Constr Co Ltd 鋼製杭の打込み固定工法
JPS6128617U (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 日産自動車株式会社 射出成形金型の２次スプル−ブツシユ
JPH10249891A (ja) 1997-03-07 1998-09-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd 射出成形機の射出ノズル
JP3883802B2 (ja) * 2000-10-26 2007-02-21 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置
US6858084B2 (en) * 2000-10-26 2005-02-22 Ebara Corporation Plating apparatus and method
KR101004222B1 (ko) * 2001-02-09 2010-12-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
JP3982402B2 (ja) * 2002-02-28 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4339045B2 (ja) * 2003-08-18 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 無電解メッキ装置および無電解メッキ方法
JP6526543B2 (ja) * 2015-10-28 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
JP6736386B2 (ja) 2016-07-01 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917761A (ja) 1995-06-27 1997-01-17 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP2004107747A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Tokyo Electron Ltd 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
JP2012136783A (ja) 2005-12-02 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 無電解めっき装置、無電解めっき方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

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