WO2021065589A1 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

Abstract

めっき液の熱劣化を抑えつつめっき液を迅速に加熱するのに有利な技術を提供する。基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、処理面上のめっき液及び基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、液流路に接続される蒸気吐出口であってヒータからの熱により純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、を備える。

Description

基板液処理装置及び基板液処理方法

　本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。

　基板上のめっき液を加熱することによって、基板のめっき処理を促進することができる。

　例えば特許文献１が開示する装置では、基板保持部に保持されている基板が蓋体によって覆われ、蓋体が有するヒータによって基板上のめっき液が加熱される。

特開２０１８－３０９７号公報

　本開示は、めっき液の熱劣化を抑えつつめっき液を迅速に加熱するのに有利な技術を提供する。

　本開示の一態様は、基板を保持する基板保持部と、基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、処理面上のめっき液及び基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、液流路に接続される蒸気吐出口であってヒータからの熱により純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、を備える基板液処理装置に関する。

　本開示によれば、めっき液の熱劣化を抑えつつめっき液を迅速に加熱するのに有利である。

図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。 図２は、めっき処理部の構成例を示す概略断面図である。 図３は、第１実施形態に係る加熱体の概略構成を例示する図であり、蓋体が下方位置に配置されている状態を示す。 図４は、第２実施形態に係る加熱体の概略構成を例示する図であり、蓋体が下方位置に配置されている状態を示す。 図５は、第３実施形態に係る加熱体の概略構成を例示する図であり、蓋体が下方位置に配置されている状態を示す。 図６は、第４実施形態に係るめっき処理方法（基板液処理方法）の一典型例を示すフローチャートである。 図７は、第５実施形態に係るめっき処理方法（基板液処理方法）の一典型例を示すフローチャートである。

　以下、図面を参照して基板液処理装置及び基板液処理方法を例示する。

　まず、図１を参照して、基板液処理装置の構成を説明する。図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液を供給して基板Ｗをめっき処理する装置である。

　図１に示すように、めっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

　めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウェハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

　制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

　図１を参照して、めっき処理ユニット２の構成を説明する。図１は、めっき処理ユニット２の構成を示す概略平面図である。

　めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

　搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

　載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

　搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

　処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

　搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

　めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

　めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

　次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

　めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。めっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され、基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２により保持された基板Ｗの上面（処理面Ｓｗ）にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給部５３と、を備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプである。

　基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

　めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

　めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、Ｃｕ、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

　本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上面に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの上面にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。

　洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

　リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１及び洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

　上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、及びリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２又はリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの上面のうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

　基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

　カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。

　基板保持部５２に保持された基板Ｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

　天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２及び側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

　第１天井板６１１には、純水（ＤＩＷ）が流される液流路６７と、液流路６７に接続される複数の蒸気吐出口６８とが形成されている。図示の液流路６７はヒータ６３よりも下方に設けられているが、液流路６７は、ヒータ６３よりも上方に設けられていてもよいし、ヒータ６３よりも上方及び下方の両側に設けられていてもよい。各蒸気吐出口６８は、下方に開口し、基板Ｗの処理面Ｓｗに向けられている。液流路６７内の純水は、ヒータ６３からの熱により加熱され、気化されて水蒸気になる。このようにして作られる水蒸気は、蒸気吐出口６８から噴出され、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の液膜を加熱するのに使われる。

　蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

　蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

　蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

　蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。

　蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。

　本実施の形態では、蓋体６が下方位置に位置づけられている状態で、ヒータ６３が発熱して液流路６７内の純水が気化し、蒸気吐出口６８から噴出された水蒸気が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に混ざることによって、めっき液Ｌ１は加熱される。

　上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

　本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有する。ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。

　蓋体６の天井部６１及び側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向及び上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１及び側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。

　チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

　上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれ連通している。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

［加熱体］
　次に、基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する加熱体の構成例を説明する。そのような加熱体は、上述の図２に示す例では処理面Ｓｗを覆う蓋体６によって構成されるが、蓋体６に加えて又は蓋体６の代わりに他の要素（例えば後述の下方カバー体）を含んでいてもよい。

［第１実施形態］
　図３は、第１実施形態に係る加熱体１１の概略構成を例示する図であり、蓋体６が下方位置に配置されている状態を示す。本実施形態は、上述の図２に示されるめっき処理部５に対応するが、理解を容易にするために図３には簡略化された構成が示されている。例えば、蓋体６を構成する一部の要素（例えば図２に示されている第１天井板６１１及び第２天井板６１２等）の図示が図３では省略されている。図３において、蓋体６は断面構成が示されているが、基板保持部５２、基板Ｗ及びめっき液Ｌ１の液膜は側方から見た状態が示されている。

　本実施形態の加熱体１１は、ヒータ６３、液流路６７及び蒸気吐出口６８を有する蓋体６を含む。下方位置に位置づけられて基板Ｗの処理面Ｓｗを覆う蓋体６の蒸気吐出口６８は、処理面Ｓｗと蓋体６との間に水蒸気Ｖを噴出させる。各蒸気吐出口６８から噴出された水蒸気Ｖは、処理面Ｓｗと蓋体６との間において気体又は微小水滴（エアロゾル）の形態を有する。一方、水蒸気Ｖは基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に接触又は含有されることで液体（純水）に変わる。

　液流路６７は、水平方向（図３の横方向）に関し、基板Ｗの処理面Ｓｗよりも長い範囲にわたって延在する。液流路６７は、蓋体６が下方位置に配置されている状態で、水平方向のうちの少なくとも一方向に関して処理面Ｓｗの全体を覆う。すなわち蓋体６が下方位置に配置されている状態で、液流路６７は、必ずしも処理面Ｓｗの全体を覆うように設けられていなくてもよいが、水平方向のうちのある方向に関しては処理面Ｓｗの両端間の範囲の全体を覆うように延在する。

　複数の蒸気吐出口６８は、水平方向に関し、ほぼ均等に分散するように配置されている。各蒸気吐出口６８は、チャンバ５１（図２参照）内の通常の気圧下では、液流路６７内の水蒸気Ｖは通過させるが、液流路６７内の純水Ｄは表面張力によって基本的に通過させないような径を有することが好ましい。蓋体６が有する複数の蒸気吐出口６８のうちの少なくとも一部は、蓋体６が下方位置に配置されている状態で、水平方向のうちの少なくとも一方向に関して処理面Ｓｗの全体と対向するように設けられている。すなわち蓋体６が下方位置に配置されている状態で、少なくとも一部の蒸気吐出口６８は、必ずしも処理面Ｓｗの全体と対向していなくてもよいが、水平方向のうちのある方向に関しては処理面Ｓｗの両端間の範囲の全体と対向するように分布している。

　上述の構成によれば、蓋体６が有する複数の蒸気吐出口６８は、基板Ｗの処理面Ｓｗの外周部を含む全体に向けて、水蒸気Ｖを噴出させることができる。特に、基板保持部５２によって回転軸線Ａを中心に基板Ｗを回転させつつ各蒸気吐出口６８から水蒸気Ｖを噴出させることによって、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の全体を、水蒸気Ｖによって加熱することができる。なお、基板Ｗを回転させることなく、各蒸気吐出口６８から水蒸気Ｖを噴出させてもよい。この場合、蓋体６が有する複数の蒸気吐出口６８は、基板Ｗの処理面Ｓｗの全体と向かい合うように分布することが好ましい。

　水蒸気Ｖは、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に接触又は含まれることにより液体（純水）に変化して潜熱を放出する。そのため基板Ｗ上のめっき液Ｌ１は、水蒸気Ｖから放出される潜熱によって加熱される。更に、水蒸気Ｖが気体から液体に変化した直後の純水は高温（例えば１００℃近傍の温度）を有する。そのため、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１とめっき液Ｌ１に混入した高温純水との間の温度差に起因して、めっき液Ｌ１は更に加熱される。

　液流路６７には、供給配管１５を介して純水供給源１３及び圧縮ガス源１４（気体供給部）が接続されている。供給配管１５は、液流路６７と一体的に設けられてもよいし、液流路６７とは別体として設けられてもよい。液流路６７は主として蓋体６内に設けられる流路を指し、供給配管１５は主として蓋体６よりも外側に設けられる配管を指す。

　純水供給源１３と液流路６７との間の供給配管１５には、純水供給切換弁１６と、純水供給切換弁１６よりも液流路６７側に位置する流量調整弁１２とが設けられている。流量調整弁１２と純水供給切換弁１６とをつなぐ供給配管１５からは、圧縮ガス源１４に接続される供給配管１５が分岐しており、この分岐点と圧縮ガス源１４との間の供給配管１５にはガス供給切換弁１７が設けられている。純水供給切換弁１６及びガス供給切換弁１７は、供給配管１５における純水Ｄ及び圧縮ガスの流れを許容するか遮断するかを切り換える。流量調整弁１２は、供給配管１５（純水供給部２５及びガス供給部２６）から液流路６７への純水Ｄ及び圧縮ガスの供給量を調整する。

　図３に示す構成において、液流路６７に接続される供給配管１５の一部及び純水供給源１３は、液流路６７への純水Ｄの供給を行う純水供給部２５として働く。一方、液流路６７に接続される供給配管１５の一部及び圧縮ガス源１４は、液流路６７への圧縮ガス（気体）の供給を行うガス供給部２６として働く。供給配管１５のうちガス供給切換弁１７よりも下流側の部分及び純水供給切換弁１６よりも下流側の部分は、純水供給部２５及びガス供給部２６として働き、純水供給源１３からの純水Ｄ及び圧縮ガス源１４からの圧縮ガスの両方が流されうる。

　流量調整弁１２、純水供給切換弁１６、ガス供給切換弁１７、ヒータ６３及び基板保持部５２は、制御部３（図１参照）の制御下で駆動する。例えば、純水供給源１３から液流路６７に純水Ｄを供給する場合、純水供給切換弁１６は開かれ且つガス供給切換弁１７は閉じられ、流量調整弁１２によって液流路６７への純水Ｄの供給量が調整される。一方、圧縮ガス源１４から液流路６７に圧縮ガスを供給する場合、純水供給切換弁１６は閉じられ且つガス供給切換弁１７は開かれ、流量調整弁１２によって液流路６７への圧縮ガスの供給量が調整される。圧縮ガス源１４から液流路６７に圧縮ガスを供給するタイミングは限定されない。典型的には、メンテナンス作業を行う場合に、液流路６７内のすべての純水Ｄを各蒸気吐出口６８から吐出させるために、圧縮ガス源１４から液流路６７に圧縮ガスが送られてもよい。

　本実施形態の制御部３は蒸気噴出制御部としても機能し、ヒータ６３及び流量調整弁１２のうちの少なくともいずれか一方を制御して、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出を調整する。

　例えば、制御部３は流量調整弁１２を制御して液流路６７に供給する純水Ｄの量を変えることにより、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出量を調整することができる。ヒータ６３の発熱温度が所定温度に設定されている状態で、液流路６７内の純水Ｄの量が増やされると、ヒータ６３は発熱温度が所定温度よりも温度が下がらないように、より大きな発熱を行う。その結果、液流路６７ではより多量の純水Ｄが気化され、各蒸気吐出口６８からはより多量の水蒸気Ｖが噴出される。一方、ヒータ６３の発熱温度が所定温度に設定されている状態で、液流路６７内の純水Ｄの量が減らされると、ヒータ６３は発熱温度が所定温度よりも温度が上がらないように、発熱量を抑える。その結果、液流路６７では、より少量の純水Ｄが気化され、各蒸気吐出口６８からはより少量の水蒸気Ｖが噴出される。ヒータ６３の当該特性を利用し、制御部３は、流量調整弁１２を制御して液流路６７内の純水Ｄの量を加減することにより、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出量を調整することができる。

　また制御部３はヒータ６３の発熱状態を制御することによって、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出量を調整することができる。ヒータ６３の発熱量を増大させることによって、液流路６７ではより多量の純水Ｄが気化され、各蒸気吐出口６８からはより多量の水蒸気Ｖが噴出される。一方、ヒータ６３の発熱量を低減させることによって、より少量の純水Ｄが気化され、各蒸気吐出口６８からはより少量の水蒸気Ｖが噴出される。

　液流路６７における純水Ｄの蒸発量よりも液流路６７への純水Ｄの供給量が多い場合、液流路６７からあふれた純水Ｄが各蒸気吐出口６８から漏れ出してしまう懸念がある。一方、液流路６７における純水Ｄの蒸発量よりも液流路６７への純水Ｄの供給量が少ない場合、液流路６７内のすべての純水Ｄが蒸発して液流路６７が空焚き状態に置かれる懸念がある。したがって各蒸気吐出口６８からの液垂れや液流路６７の空焚きを防ぐ観点からは、各蒸気吐出口６８から水蒸気Ｖを噴出させている間、適量の純水Ｄが液流路６７内に存在するように、制御部３は流量調整弁１２を制御することが好ましい。

　液流路６７内に純水Ｄが存在しない状態（すなわち液流路６７が空の状態）でヒータ６３が発熱する場合、放射熱によって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱することができる。そのため、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を放射熱によって加熱する場合には、液流路６７への純水Ｄの供給を意図的に止めてもよい。例えば、加熱工程の前半は水蒸気Ｖによるめっき液Ｌ１の加熱を行い、後半はヒータ６３の発熱に基づく放射熱によるめっき液Ｌ１の加熱を行う場合、液流路６７内のすべての純水Ｄを意図的に蒸発させるように、制御部３は流量調整弁１２を制御してもよい。

　次に、図３に示すめっき処理部５によって行われるめっき処理方法（基板液処理方法）の一例を説明する。詳細な説明は省略するが、下記の各処理は、めっき処理装置１の各要素が制御部３の制御下で作動することによって、適切に行われる。また必要に応じて、下記されていない処理や各要素の作動が行われてもよい。

　めっき処理部５に搬入された基板Ｗは、基板保持部５２に載せられ、基板保持部５２によって保持される。

　その後、めっき液供給部５３（図２参照）によって、基板保持部５２に保持されている基板Ｗの処理面Ｓｗに、めっき液Ｌ１が供給される。具体的には、蓋体６が上方位置に位置づけられた状態でノズルアーム５６が吐出位置に配置され、めっき液ノズル５３１から処理面Ｓｗに向けてめっき液Ｌ１が吐出される。なお、基板Ｗ上へのめっき液Ｌ１の供給に先立って、洗浄液Ｌ２を使った処理面Ｓｗの洗浄処理及びリンス液Ｌ３を使った処理面Ｓｗのリンス処理が行われる。

　その後、蓋体６（すなわち加熱体１１）によって、基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１の液膜が加熱される。具体的には、基板Ｗ上に所望量のめっき液Ｌ１が供給されてめっき液Ｌ１の液膜が処理面Ｓｗ上に形成された後、ノズルアーム５６が退避位置に移動させられ、蓋体６が下方位置に位置づけられる。そして蓋体６を下方位置に配置した状態でヒータ６３を発熱させて、液流路６７内の純水Ｄを気化し、各蒸気吐出口６８から処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１に向けて水蒸気Ｖを噴出させる。

　なお、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出を開始するタイミングは限定されない。例えば、蓋体６が下方位置に位置づけられる前から（例えば蓋体６が上方位置に位置づけられている間に又は上方位置から下方位置に移動する間に）、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出を開始してもよい。また蓋体６が下方位置に位置づけられた後に、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出を開始してもよい。水蒸気Ｖの噴出開始タイミングは、例えば、ヒータ６３の発熱を開始するタイミング及び／又は液流路６７への純水Ｄの供給を開始するタイミングに応じて定められる。

　各蒸気吐出口６８から噴出された水蒸気Ｖが処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１に接触及び含まれることによって、めっき液Ｌ１は加熱され、処理面Ｓｗにおけるめっき処理を促すことができる。水蒸気Ｖを使っためっき液Ｌ１の加熱は、上述のように水蒸気Ｖが気体から液体（純水）に変化する際に放出される潜熱と、高温液体（純水）及びめっき液Ｌ１の温度差とに基づいて行われる。そのため、例えば高温の蒸気以外の気体（例えば不活性ガス）をめっき液Ｌ１に吹き付けてめっき液Ｌ１を加熱する場合に比べ、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度をエネルギー効率良く迅速に上昇させることができる。その一方で、液流路６７において液体（純水Ｄ）から気体（水蒸気Ｖ）に変化して各蒸気吐出口６８から噴出される水蒸気Ｖは、純水の沸点近傍の温度（通常は１００℃近傍の温度）を有する。したがって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１は、１００℃を大幅に超える高温（例えば２００℃以上の温度）の気体に晒されることなく、１００℃近傍の温度の水蒸気Ｖによって加熱される。そのため、加熱に伴うめっき液Ｌ１の熱劣化の程度が非常に小さい。

　基板Ｗの処理面Ｓｗのめっき処理が終了した後、リンス液Ｌ３を使った処理面Ｓｗのリンス処理及び処理面Ｓｗの乾燥処理が実施され、その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されてめっき処理部５から搬出される。これらの処理の具体的なやり方は限定されない。例えば、基板Ｗの乾燥処理は、典型的には基板Ｗを高速回転させることによって行われるが、不活性ガス供給部６６により不活性ガスを基板Ｗに吹き付けて処理面Ｓｗの乾燥を促進してもよい。

　以上説明したように本実施形態によれば、水蒸気Ｖを使って基板Ｗの処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１が加熱されるため、めっき液Ｌ１の熱劣化を抑えつつ、めっき液Ｌ１を迅速に加熱することができる。

　また水蒸気Ｖは、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうちの吹き付けられた箇所で、液体に変わって潜熱を放出する。そのため、めっき液Ｌ１に接触しても液化しない高温気体を使ってめっき液Ｌ１を加熱する場合に比べ、より効果的に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を局所的に加熱することができる。したがって、エリア毎にめっき液Ｌ１の加熱の程度を容易に変えることができる。例えば基板Ｗの外周部におけるめっき液Ｌ１の加熱の程度を他の箇所におけるめっき液Ｌ１の加熱の程度よりも大きくして、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の全体の温度を均一化することも可能である。めっき処理の進行は、めっき液Ｌ１の温度に依存する。したがって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の加熱の程度をエリア毎に調整してめっき液Ｌ１の全体にわたる温度を均一化することにより、基板Ｗの処理面Ｓｗ全体にわたるめっき処理を安定的に行うことができる。

　また純水Ｄ（液体）は、水蒸気Ｖ（気体）に比べ、水分密度が高く、常温に近い温度を有するため、取り扱い性に優れる。したがって純水Ｄが蓋体６の液流路６７に送られ、液流路６７で作られる水蒸気Ｖをめっき液Ｌ１の加熱に用いる本実施形態の装置及び方法は、利便性及び安全性が高い。また本実施形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の加熱に使われる水蒸気Ｖはめっき液Ｌ１の直上で純水Ｄから作られるため、水蒸気Ｖを気体の状態で長距離移動させる必要がなく、エネルギー効率に優れている。

　また基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の加熱に使われる水蒸気Ｖは１００℃近傍の温度を有するため、より高温の気体を用いる場合に比べて、周囲環境への影響は小さい。また水蒸気Ｖは、室温（常温）では水になるため、化学的にも周囲環境への影響は非常に小さい。

［第２実施形態］
　本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

　図４は、第２実施形態に係る加熱体１１の概略構成を例示する図であり、蓋体６が下方位置に配置されている状態を示す。理解を容易にするために図４には簡略化された構成が示されている。

　基板Ｗの処理面Ｓｗは、複数の処理領域（図４に示す例では第１処理領域Ｒ１、第２処理領域Ｒ２及び第３処理領域Ｒ３）を含む。図４に示す例では、基板Ｗが基板保持部５２によって回転させられる場合の回転軸線Ａ（すなわち基板Ｗの中心軸線）からの距離に応じて３つの処理領域Ｒ１～Ｒ３が定められている。第１処理領域Ｒ１は回転軸線Ａが通過する円形状領域であり、第３処理領域Ｒ３は基板Ｗの外周部を含む環状領域であり、第２処理領域Ｒ２は第１処理領域Ｒ１と第３処理領域Ｒ３との間の環状領域である。

　これらの処理領域Ｒ１～Ｒ３の各々には１以上の蒸気吐出口６８が割り当てられている。各蒸気吐出口６８は、蓋体６が下方位置に位置づけられている状態で、割り当てられている処理領域の直上に配置され、割り当てられている処理領域に向けて開口する。各蒸気吐出口６８から噴出される水蒸気Ｖは、基板Ｗの対応の処理領域に向かって進行し、対応の処理領域上のめっき液Ｌ１を加熱するのに使われる。

　液流路６７は、複数の処理領域Ｒ１～Ｒ３のそれぞれに割り当てられる複数の区分流路（図４に示す例では第１区分流路６７ａ、第２区分流路６７ｂ及び第３区分流路６７ｃ）を有する。複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々は、対応の処理領域に割り当てられている各蒸気吐出口６８に接続されている。複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々における純水Ｄは、ヒータ６３により加熱されて気化され、水蒸気の形態で対応の蒸気吐出口６８から噴出される。

　ヒータ６３は、複数の処理領域Ｒ１～Ｒ３のそれぞれに割り当てられる複数の区分ヒータ部（図４に示す例では第１区分ヒータ部６３ａ、第２区分ヒータ部６３ｂ及び第３区分ヒータ部６３ｃ）を有する。複数の区分ヒータ部６３ａ～６３ｃの各々は、対応の処理領域に割り当てられている区分流路６７ａ～６７ｃの全体を覆うように配置され、対応の区分流路６７ａ～６７ｃ内の純水Ｄを加熱する。

　制御部３（蒸気噴出制御部）は、複数の蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出を、処理領域Ｒ１～Ｒ３毎に調整する。具体的には、各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出量が処理領域Ｒ１～Ｒ３毎に調整され、水蒸気Ｖによるめっき液Ｌ１の加熱の程度を処理領域Ｒ１～Ｒ３毎に変えることが可能である。

　一般に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１のうち、基板Ｗの外周部上（すなわち第３処理領域Ｒ３上）のめっき液Ｌ１の温度が局所的に低下しやすい傾向がある。当該傾向が示される場合、基板Ｗの処理面Ｓｗの外周部に向けて噴出される水蒸気Ｖの量を、処理面Ｓｗの他の部分に向けて噴出される水蒸気Ｖの量よりも多くすることによって、外周部におけるめっき液Ｌ１の局所的な温度低下を防ぐことができる。このように、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の温度プロファイルに応じて、それぞれの処理領域Ｒ１～Ｒ３に向けて噴出させる水蒸気Ｖの量を調整することで、処理領域Ｒ１～Ｒ３間におけるめっき液Ｌ１の温度差を低減し、めっき液Ｌ１全体の温度を均一化できる。

　各蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖの噴出量を処理領域Ｒ１～Ｒ３毎に調整する手法の一例として、制御部３は、流量調整弁１２を制御して、純水供給部２５から複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々に対する純水Ｄの供給量を調整してもよい。この場合、相対的に多量の水蒸気Ｖの噴出が望まれる処理領域に割り当てられる区分流路には相対的に多量の純水Ｄが供給され、相対的に少量の水蒸気Ｖの噴出が望まれる処理領域に割り当てられる区分流路には相対的に少量の純水Ｄが供給される。複数の区分ヒータ部６３ａ～６３ｃは、上述のように「対応の区分流路６７ａ～６７ｃ内の純水Ｄの量に応じて発熱の程度が変わる」という特性を有する。そのため相対的に多量の純水Ｄが供給される区分流路では相対的に多量の水蒸気Ｖが生じ、相対的に少量の純水Ｄが供給される区分流路では相対的に少量の水蒸気Ｖが生じる。したがって複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々に対する純水Ｄの供給量を調整することによって、処理領域毎に、水蒸気Ｖの噴出量を変えることができる。

　複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々に対する純水Ｄの供給量を調整することによって水蒸気Ｖの噴出量を処理領域Ｒ１～Ｒ３毎に調整する場合、複数の区分流路６７ａ～６７ｃはお互いに接続されていなくてもよい。例えば、流量調整弁１２とそれぞれの区分流路６７ａ～６７ｃとが互いに別個の供給配管（図示省略）を介して接続され、流量調整弁１２は、制御部３の制御下で、これらの区分流路６７ａ～６７ｃに供給する純水Ｄの流量を互いに独立して調整してもよい。またこれらの区分流路６７ａ～６７ｃは、図示しない連絡流路を介してお互いに接続されていてもよい。この場合、例えば、区分流路６７ａ～６７ｃの各々が特有の長さ及び／又は容積を有することによって、複数の区分流路６７ａ～６７ｃの各々に対する純水Ｄの供給量を調整することが可能である。

　他の例として、制御部３は、複数の区分ヒータ部６３ａ～６３ｃの各々を制御して、複数の区分ヒータ部６３ａ～６３ｃの各々の発熱を調整してもよい。この場合、相対的に多量の水蒸気Ｖの噴出が望まれる処理領域に割り当てられる区分ヒータ部は相対的に大きなエネルギーの発熱を行い、相対的に少量の水蒸気Ｖの噴出が望まれる処理領域に割り当てられる区分ヒータ部は相対的に小さなエネルギーの発熱を行う。

［第３実施形態］
　本実施形態において、上述の第２実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

　図５は、第３実施形態に係る加熱体１１の概略構成を例示する図であり、蓋体６が下方位置に配置されている状態を示す。理解を容易にするために図５には簡略化された構成が示されている。

　本実施形態の加熱体１１は、基板Ｗを上方から覆う蓋体６に加え、基板Ｗを下方から覆う下方カバー体４０を更に含む。下方カバー体４０は、ヒータ６３（すなわち第４区分ヒータ部６３ｄ）、液流路６７（すなわち第４区分流路６７ｄ）、及び複数の蒸気吐出口６８を有する。第４区分流路６７ｄは、第４区分ヒータ部６３ｄによって覆われるように設けられ、供給配管１５及び複数の蒸気吐出口６８に接続されている。

　図５に示す下方カバー体４０は、円環状の平面形状を有し、基板保持部５２に保持されている基板Ｗの一部（特に第３処理領域Ｒ３に対応する外周部）を覆う。下方カバー体４０に設けられている各蒸気吐出口６８は上向きに開口し、基板保持部５２により保持されている基板Ｗのうちの処理面Ｓｗとは反対側の裏面に向けられている。下方カバー体４０の各蒸気吐出口６８は、基板Ｗの裏面（特に第３処理領域Ｒ３に対応する外周部）に向けて、下方カバー体４０と基板Ｗとの間に水蒸気Ｖを噴出させる。

　第４区分流路６７ｄには、供給配管１５を介して純水供給源１３及び圧縮ガス源１４が接続されている。供給配管１５は、第４区分流路６７ｄと一体的に設けられてもよいし、第４区分流路６７ｄとは別体として設けられてもよい。第４区分流路６７ｄは主として下方カバー体４０内に設けられる流路を指し、供給配管１５は主として下方カバー体４０よりも外側に設けられる配管を指す。

　純水供給源１３と第３区分流路６７ｃとの間の供給配管１５には、第１純水供給切換弁１６ａと、第１純水供給切換弁１６ａよりも第３区分流路６７ｃ側に位置する第１流量調整弁１２ａとが設けられている。純水供給源１３と第４区分流路６７ｄとの間の供給配管１５には、第２純水供給切換弁１６ｂと、第２純水供給切換弁１６ｂよりも第４区分流路６７ｄ側に位置する第２流量調整弁１２ｂとが設けられている。

　第１流量調整弁１２ａと第１純水供給切換弁１６ａとをつなぐ供給配管１５からは、圧縮ガス源１４に接続される供給配管１５が分岐しており、この分岐点と圧縮ガス源１４との間の供給配管１５には第１ガス供給切換弁１７ａが設けられている。第２流量調整弁１２ｂと第２純水供給切換弁１６ｂとをつなぐ供給配管１５からは、圧縮ガス源１４に接続される供給配管１５が分岐しており、この分岐点と圧縮ガス源１４との間の供給配管１５には第２ガス供給切換弁１７ｂが設けられている。

　第１流量調整弁１２ａ、第２流量調整弁１２ｂ、第１純水供給切換弁１６ａ、第２純水供給切換弁１６ｂ、第１ガス供給切換弁１７ａ及び第２ガス供給切換弁１７ｂは、制御部３（図１参照）の制御下で駆動する。また第１区分ヒータ部６３ａ、第２区分ヒータ部６３ｂ、第３区分ヒータ部６３ｃ及び第４区分ヒータ部６３ｄも、制御部３の制御下で駆動する。

　例えば、純水供給源１３から第３区分流路６７ｃに純水を供給する場合、第１純水供給切換弁１６ａは開かれ且つ第１ガス供給切換弁１７ａは閉じられ、第１流量調整弁１２ａによって第３区分流路６７ｃへの純水の供給量が調整される。また圧縮ガス源１４から第３区分流路６７ｃに圧縮ガスを供給する場合、第１純水供給切換弁１６ａは閉じられ且つ第１ガス供給切換弁１７ａは開かれ、第１流量調整弁１２ａによって第３区分流路６７ｃへの圧縮ガスの供給量が調整される。図５に示す第１区分流路６７ａ、第２区分流路６７ｂ及び第３区分流路６７ｃは、図示しない連絡流路を介し、お互いに接続されている。したがって第３区分流路６７ｃに純水Ｄ及び圧縮ガスが供給されることによって、第１区分流路６７ａ及び第２区分流路６７ｂにも純水Ｄ及び圧縮ガスが供給される。

　また純水供給源１３から第４区分流路６７ｄに純水Ｄを供給する場合、第２純水供給切換弁１６ｂは開かれ且つ第２ガス供給切換弁１７ｂは閉じられ、第２流量調整弁１２ｂによって第４区分流路６７ｄへの純水の供給量が調整される。また圧縮ガス源１４から第４区分流路６７ｄに圧縮ガスを供給する場合、第２純水供給切換弁１６ｂは閉じられ且つ第２ガス供給切換弁１７ｂは開かれ、第２流量調整弁１２ｂによって第４区分流路６７ｄへの圧縮ガスの供給量が調整される。

　本実施形態によれば、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を、上方から蓋体６によって加熱しつつ、下方から下方カバー体４０によって加熱することができる。すなわち上述の第２実施形態と同様に、蓋体６の各蒸気吐出口６８から噴出される水蒸気Ｖによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される。また下方カバー体４０の各蒸気吐出口６８から噴出される水蒸気Ｖによって、基板Ｗが加熱され、当該基板Ｗの加熱によってめっき液Ｌ１も加熱される。

　このように加熱体１１として蓋体６及び下方カバー体４０を用いることによって、より迅速に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を所望温度に加熱することが可能である。また下方カバー体４０を用いることによって、蓋体６から噴出させる水蒸気Ｖの量を抑えることも可能である。下方カバー体４０から噴出される水蒸気Ｖは、基板Ｗを介してめっき液Ｌ１を加熱する。したがって下方カバー体４０を用いることによって、めっき液Ｌ１に混入する水蒸気Ｖの量を抑えつつ、めっき液Ｌ１を加熱することができる。

［第４実施形態］
　本実施形態において、上述の第１実施形態～第３実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

　加熱体１１から吐出される水蒸気Ｖは、上述の第１実施形態～第３実施形態では主として基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱するために使われているが、基板Ｗを加熱するために使われてもよい。すなわち加熱体１１は、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１及び基板Ｗのうちの少なくともいずれか一方を加熱することが可能である。

　例えば、基板Ｗの処理面Ｓｗにめっき液Ｌ１を供給するのに先立って、水蒸気Ｖを使って基板Ｗが加熱されてもよい。この場合、めっき液Ｌ１の付与によって基板Ｗが低温になることを防ぎ、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１がめっき処理に適した温度から懸け離れることを回避することができる。そのため、処理面Ｓｗ上のめっき液Ｌ１を加熱してめっき処理に最適な所望温度にめっき液Ｌ１を到達させるのに要する時間を、短縮することが可能である。

　図６は、第４実施形態に係るめっき処理方法（基板液処理方法）の一典型例を示すフローチャートである。本実施形態のめっき処理方法を実施するめっき処理装置１（基板液処理装置）は限定されず、上述の第１実施形態～第３実施形態に係るめっき処理部５のいずれかを使って本実施形態のめっき処理方法を実施することが可能である。

　本実施形態のめっき処理方法では、基板Ｗにめっき液Ｌ１が供給されるのに先立って、基板Ｗは水蒸気Ｖによって直接的に加熱される（図６のＳ１参照）。

　具体的には、基板Ｗは、めっき処理部５に搬入されて基板保持部５２により保持されている状態で、処理面Ｓｗにめっき液Ｌ１が載せられる前に加熱体１１の蒸気吐出口６８から吐出された水蒸気Ｖが使われて加熱される。すなわち蒸気吐出口６８から吐出された水蒸気Ｖを、処理面Ｓｗに何も載せられていない状態の基板Ｗに接触させる。基板Ｗのうち水蒸気Ｖが直接的に接触する箇所は限定されず、基板Ｗの処理面Ｓｗ及び／又は裏面を水蒸気Ｖによって直接的に加熱してもよい。基板Ｗの処理面Ｓｗの温度を効率的に上げる観点からは、加熱体１１の少なくとも一部の蒸気吐出口６８は処理面Ｓｗに向けられていることが好ましい。

　水蒸気Ｖにより加熱された基板Ｗ（特に処理面Ｓｗ）は、室温よりも高い温度を有するが、水蒸気Ｖの温度以下の温度（例えば１００℃以下の温度）となる。例えば、水蒸気Ｖにより加熱された基板Ｗ（特に処理面Ｓｗ）は、めっき処理に最適な所望温度又は当該所望温度の近傍の温度を有する。

　なお基板Ｗを基板保持部５２上にセッティングした後に、基板Ｗ上にめっき液Ｌ１を供給するのに先立って、洗浄処理やリンス処理などの他の処理が実施される場合、当該他の処理の実施後に、加熱体１１により基板Ｗを加熱する上述の工程（Ｓ１）が行われる。

　その後、水蒸気Ｖが使われて加熱された基板Ｗの処理面Ｓｗに、めっき液供給部５３（図２参照）からめっき液Ｌ１が供給される（Ｓ２）。めっき液Ｌ１が付与される時点で基板Ｗの処理面Ｓｗは室温よりも高い温度を有するので、めっき液Ｌ１の付与によって基板Ｗの温度が低温になることを効果的に回避することができる。めっき液Ｌ１の付与による基板Ｗの温度低下を抑える観点からは、室温よりも高い温度のめっき液Ｌ１がめっき液供給部５３から基板Ｗに付与されることが好ましい。例えば、めっき処理に最適な所望温度又は当該所望温度の近傍の温度を有するめっき液Ｌ１が基板Ｗの処理面Ｓｗに付与されるように、めっき液ノズル５３１から処理面Ｓｗに向けてめっき液Ｌ１が吐出されてもよい。

　その後、上述の第１実施形態～第３実施形態と同様に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱体１１により加熱されて、めっき処理に適した所望温度にめっき液Ｌ１の温度が調整され、めっき処理が促進される（Ｓ３）。

　例えば、上述の蓋体６から放出される水蒸気Ｖを使って基板Ｗ及びめっき液Ｌ１を加熱する場合、水蒸気Ｖにより基板Ｗを十分に加熱した後、蓋体６が下方位置から上方位置に移動させられる。そしてめっき液ノズル５３１が吐出位置に移動させられ、吐出位置に位置されているめっき液ノズル５３１から基板Ｗにめっき液Ｌ１が付与される。基板Ｗへのめっき液Ｌ１の付与が終了した後、めっき液ノズル５３１は退避位置に移動させられ、蓋体６は上方位置から下方位置に移動させられる。そして、下方位置に配置されている蓋体６の蒸気吐出口６８からの水蒸気Ｖによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される。

　その後、リンス処理によって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が洗い流され、乾燥処理によって基板Ｗが乾燥される（Ｓ４）。

［第５実施形態］
　本実施形態において、上述の第４実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

　本実施形態においても、めっき液Ｌ１の付与に先立って基板Ｗが加熱されるが、基板Ｗ上の加熱媒体液を介して基板Ｗが加熱される。すなわち、水蒸気Ｖを使って基板Ｗ上の加熱媒体液を直接的に加熱し、温度が上昇した当該加熱媒体液によって基板Ｗを間接的に加熱する。使用可能な加熱媒体液は限定されず、典型的には純水を加熱媒体液として用いることができる。以下の説明では、リンス液供給部５５のリンス液ノズル５５１（図２参照）からリンス液Ｌ３として吐出される純水を、加熱媒体液としても用いる場合について例示する。

　図７は、第５実施形態に係るめっき処理方法（基板液処理方法）の一典型例を示すフローチャートである。本実施形態のめっき処理方法を実施するめっき処理装置１（基板液処理装置）は限定されず、上述の第１実施形態～第３実施形態に係るめっき処理部５のいずれかを使って本実施形態のめっき処理方法を実施することが可能である。

　本実施形態のめっき処理方法では、基板Ｗにめっき液Ｌ１が供給されるのに先立って、基板Ｗの処理面Ｓｗに純水（加熱媒体液）が供給される（図７のＳ１１参照）。本例では、リンス液供給部５５から基板Ｗの処理面Ｓｗに純水が付与される。

　その後、加熱体１１により、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の純水（加熱媒体）を介し、基板Ｗが加熱される（Ｓ１２）。具体的には、加熱体１１の蒸気吐出口６８から噴出した水蒸気Ｖが使われて、基板Ｗの処理面Ｓｗ上の純水を加熱することにより、基板Ｗが加熱される。これにより基板Ｗは、室温よりも高い温度を有し、例えばめっき処理に最適な所望温度又は当該所望温度の近傍の温度を有する。なお、基板Ｗの加熱時間を短縮する観点からは、加熱された純水（加熱媒体液）が基板Ｗに付与されることが好ましく、例えばめっき処理に最適な所望温度又は当該所望温度の近傍の温度を有する純水（加熱媒体液）が処理面Ｓｗに供給されてもよい。

　その後、純水（加熱媒体液）を介して加熱された基板Ｗの処理面Ｓｗに、めっき液供給部５３（図２参照）からめっき液Ｌ１が供給され、処理面Ｓｗ上の純水（加熱媒体液）がめっき液Ｌ１に置換される（Ｓ１３）。典型的には、基板保持部５２によって基板Ｗを回転させつつ、吐出位置に配置されているめっき液ノズル５３１から処理面Ｓｗに向けてめっき液Ｌ１を吐出させることによって、処理面Ｓｗ上の純水を徐々にめっき液Ｌ１に置き換えることができる。

　その後、上述の第４実施形態と同様に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱体１１により加熱され（Ｓ１４）、リンス処理によって基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が洗い流され、乾燥処理によって基板Ｗが乾燥される（Ｓ１５）。

　例えば、上述の蓋体６から放出される水蒸気Ｖを使って基板Ｗ及びめっき液Ｌ１を加熱する場合、蓋体６を上方位置に配置しつつ、吐出位置に配置されているリンス液ノズル５５１から基板Ｗの処理面Ｓｗに向けて純水（加熱媒体液）が吐出される。その後、リンス液ノズル５５１は退避位置に移動させられ、蓋体６は下方位置に移動させられ、下方位置に配置されている蓋体６の蒸気吐出口６８から吐出される水蒸気Ｖによって基板Ｗ上の純水（加熱媒体液）が加熱される。その後、蓋体６は上方位置に移動させられ、めっき液ノズル５３１が吐出位置に移動させられ、吐出位置に配置されているめっき液ノズル５３１から基板Ｗの処理面Ｓｗに向けてめっき液Ｌ１が吐出される。基板Ｗへのめっき液Ｌ１の付与が終了した後、めっき液ノズル５３１は退避位置に移動させられ、蓋体６が上方位置から下方位置に移動させられる。そして、下方位置に配置されている蓋体６の蒸気吐出口６８から吐出された水蒸気Ｖによって、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１が加熱される。

　なお、めっき液Ｌ１の付与に先立って水蒸気Ｖを使って基板Ｗを加熱しておく上述の第４実施形態及び第５実施形態の技術は、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を水蒸気Ｖ以外の手段を使って加熱する場合や基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱しない場合にも応用可能である。

［変形例］
　蓋体６が有するヒータ６３、液流路６７、及び複数の蒸気吐出口６８は、基板Ｗの処理面Ｓｗの全体と対向するように設けられていてもよいし、処理面Ｓｗの一部の範囲のみと対向するように設けられていてもよい。同様に、下方カバー体４０が有するヒータ６３、液流路６７、及び複数の蒸気吐出口６８は、基板Ｗの裏面の全体と対向するように設けられていてもよいし、当該裏面の一部の範囲のみと対向するように設けられていてもよい。例えば、基板Ｗの外周部上のめっき液Ｌ１の温度が局所的に低下しやすい場合、加熱体１１（すなわち蓋体６及び／又は下方カバー体４０）は、少なくとも基板Ｗの外周部に向けて水蒸気Ｖを噴出させることが好ましい。

　また蓋体６及び下方カバー体４０のうちの一方からは基板Ｗに向けて水蒸気Ｖが噴出させ、他方からは水蒸気Ｖを噴出させなくてもよい。例えば、下方カバー体４０の各蒸気吐出口６８から基板Ｗの裏面に向けて水蒸気Ｖを噴出させる一方で、蓋体６の液流路６７には純水Ｄを供給せずに、蓋体６のヒータ６３の発熱に基づく放射熱によりめっき液Ｌ１を加熱してもよい。

　また加熱体１１は、水蒸気Ｖを使っためっき液Ｌ１の加熱に加え、上述以外の加熱手段を用いてもよい。例えば、蓋体６及び／又は下方カバー体４０から水蒸気Ｖを噴出させつつ、不活性ガス供給部６６（ガスノズル６６１）によって蓋体６と基板Ｗとの間に高温の不活性ガスを供給してもよい。

　また蓋体６及び／又は下方カバー体４０において水平方向に延在する液流路６７は、基板保持部５２に保持されている基板Ｗとヒータ６３との間に設けられていてもよいし、ヒータ６３を介して当該基板Ｗとは反対側に設けられていてもよい。水平方向に延在する液流路６７がヒータ６３を介して基板Ｗとは反対側に設けられる場合、ヒータ６３から液流路６７に向かって放出される熱は液流路６７内の純水Ｄの気化に使われ、ヒータ６３から基板Ｗに向かって放出される熱はめっき液Ｌ１の加熱に使われる。また水平方向に延在する液流路６７は、対応のヒータ６３を上下から挟む位置に設けられていてもよい。例えば、ヒータ６３を介して基板Ｗとは反対側に設けられる液流路６７（第１液流路）において純水Ｄを気化し、水蒸気Ｖを第１液流路から、ヒータ６３と各蒸気吐出口６８との間に設けられる液流路６７（第２液流路）に流入させてもよい。この場合、第１液流路で生じた水蒸気Ｖは、第２液流路においてヒータ６３により更に加熱された後に各蒸気吐出口６８から噴出される。そのため、より確実に、各蒸気吐出口６８から液体（純水）が垂れることを防ぐことができる。

　また液流路６７に供給される純水Ｄの温度は限定されず、常温（室温）の純水Ｄが液流路６７に供給されてもよい。また常温よりも高い温度の純水Ｄが液流路６７に供給されてもよい。この場合、液流路６７における純水Ｄの気化の時間を短縮することができる。液流路６７に高温の純水Ｄを供給する手法は限定されない。例えば、純水供給源１３に高温の純水Ｄを貯留しておいてもよいし、純水供給源１３から液流路６７に至る供給配管１５の途中に設けられる加熱装置（図示省略）によって供給配管１５内の純水Ｄを加熱してもよい。

　また各蒸気吐出口６８から水蒸気Ｖを噴出させないアイドル運転時には、液流路６７には純水Ｄが貯留されていてもよいし、貯留されていなくてもよい。

　また、蓋体６及び／又は下方カバー体４０から水蒸気Ｖを噴出させている間、基板Ｗは、基板保持部５２によって回転させられずに停止していてもよい。この場合、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１の全体を水蒸気Ｖによって均等に加熱する観点からは、蓋体６が有する複数の蒸気吐出口６８が、処理面Ｓｗの全体と対向するように均等に分布することが好ましい。

　本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。

　また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板液処理方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

Claims (12)

1. 　基板を保持する基板保持部と、
   　前記基板の処理面にめっき液を供給するめっき液供給部と、
   　前記処理面上の前記めっき液及び前記基板のうちの少なくともいずれか一方を加熱する加熱体であって、ヒータと、純水が流される液流路と、前記液流路に接続される蒸気吐出口であって前記ヒータからの熱により前記純水が気化されて作られる水蒸気を噴出させる蒸気吐出口とを有する加熱体と、を備える基板液処理装置。
2. 　前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する蓋体であって、前記処理面を覆う蓋体を含み、
   　前記蓋体の前記蒸気吐出口は、前記処理面と前記蓋体との間に前記水蒸気を噴出させる請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 　前記加熱体は、前記ヒータ、前記液流路及び前記蒸気吐出口を有する下方カバー体であって、前記基板を下方から覆う下方カバー体を含み、
   　前記下方カバー体の前記蒸気吐出口は、前記基板に向けて前記水蒸気を噴出させる請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
4. 　前記加熱体は、少なくとも前記基板の外周部に向けて前記水蒸気を噴出させる請求項１～３のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
5. 　前記液流路に接続される純水供給部と、
   　前記純水供給部から前記液流路への前記純水の供給量を調整する流量調整弁と、
   　前記ヒータ及び前記流量調整弁のうちの少なくともいずれか一方を制御して、前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を調整する蒸気噴出制御部と、を備える請求項１～４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
6. 　前記処理面は、複数の処理領域を含み、
   　前記蒸気吐出口は複数設けられ、前記複数の処理領域の各々に１以上の前記蒸気吐出口が割り当てられており、
   　前記蒸気噴出制御部は、前記複数の前記蒸気吐出口からの前記水蒸気の噴出を、処理領域毎に調整する請求項５に記載の基板液処理装置。
7. 　前記液流路は、前記複数の処理領域のそれぞれに割り当てられる複数の区分流路を有し、
   　前記蒸気噴出制御部は、前記流量調整弁を制御して、前記複数の区分流路の各々に対する前記純水の供給量を調整する請求項６に記載の基板液処理装置。
8. 　前記ヒータは、前記複数の処理領域のそれぞれに割り当てられる複数の区分ヒータ部を有し、
   　前記蒸気噴出制御部は、前記ヒータを制御して、前記複数の区分ヒータ部の各々の発熱を調整する請求項６又は７に記載の基板液処理装置。
9. 　前記液流路に接続され、前記液流路に気体を供給する気体供給部を備える請求項１～８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
10. 　基板の処理面にめっき液を供給する工程と、
    　ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により、前記処理面上の前記めっき液を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて、前記処理面上の前記めっき液を加熱する工程と、を含む基板液処理方法。
11. 　ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により基板を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて前記基板を加熱する工程と、
    　前記水蒸気が使われて加熱された前記基板の処理面にめっき液を供給する工程と、を含む基板液処理方法。
12. 　基板に加熱媒体液を供給する工程と、
    　ヒータ、液流路及び蒸気吐出口を有する加熱体により、前記基板上の前記加熱媒体液を介して前記基板を加熱する工程であって、前記液流路を流される純水が前記ヒータからの熱により気化されて作られ且つ前記蒸気吐出口から噴出した水蒸気が使われて、前記基板上の前記加熱媒体液を加熱することにより前記基板を加熱する工程と、
    　前記加熱媒体液を介して加熱された前記基板の処理面にめっき液を供給する工程と、を含む基板液処理方法。

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