TWI780051B - 基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體 - Google Patents

基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI780051B
TWI780051B TW106120389A TW106120389A TWI780051B TW I780051 B TWI780051 B TW I780051B TW 106120389 A TW106120389 A TW 106120389A TW 106120389 A TW106120389 A TW 106120389A TW I780051 B TWI780051 B TW I780051B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
mentioned
liquid
heating
patio
Prior art date
Application number
TW106120389A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201812095A (zh
Inventor
元松一騎
金子聡
坂本和紀
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201812095A publication Critical patent/TW201812095A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI780051B publication Critical patent/TWI780051B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
    • C23C18/163—Supporting devices for articles to be coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1676—Heating of the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1682—Control of atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供可以迅速上升基板上之處理液之溫度以防止處理液之劣化，而且可以使基板之液處理均勻化的基板液處理裝置。
基板液處理裝置(1)具有：保持基板(W)的基板保持部(52)；對保持於基板保持部(52)的基板(W)的上面供給處理液(L1)的處理液供給部(53)；及覆蓋基板(W)的蓋體(6)。蓋體(6)具有：配置於基板(W)之上方的天井部(61)；由天井部(61)向下方延伸的側壁部(62)；及設於天井部(61)，對基板(W)上之處理液(L1)進行加熱的加熱部(63)。在對基板(W)上之處理液(L1)進行加熱時蓋體(6)之側壁部(62)被配置於基板(W)之外周側。

Description

基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體
本發明關於基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體。
通常，使用對基板(晶圓)進行洗淨處理之洗淨液或對基板進行鍍敷處理之鍍敷液等之處理液來對基板進行液處理的基板液處理裝置為習知者。於該基板液處理裝置中對基板進行液處理時，存在對處理液進行加熱之情況。作為對處理液進行加熱的方法，在供給有處理液的基板之上方配置加熱器，對基板上之處理液進行加熱的方法為習知者。作為其他方法，亦有從下面加熱基板，對基板上之處理液進行加熱之方法。
但是，處理液透過加熱溫度上升造成有劣化傾向之虞慮。基於此，隨著處理液之加熱時間增長，處理液劣化導致降低基板之液處理效率的問題需要加以考慮。又，基板上之處理液之溫度不均勻之傾向亦存在。基於此，導致對基板的液處理速度不均勻，液處理的均勻化變為困難之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開平9-17761號公報
[專利文獻2]特開2004-107747號公報
[專利文獻3]特開2012-136783號公報
本發明考慮到此問題點，目的在於提供可以迅速上升基板上之處理液之溫度防止處理液之劣化，而且可以使基板之液處理均勻化的基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體。
本發明實施形態的基板處理裝置，係對基板供給處理液而對基板進行液處理的基板液處理裝置，具備：基板保持部，將基板保持；處理液供給部，對保持於基板保持部的基板之上面供給處理液；及蓋體，將保持於基板保持部的基板予以覆蓋。蓋體具有：天井部，配置於基板之上方；側壁部，由天井部向下方延伸；及加熱部，設於天井部，對基板上之處理液進行加熱。在對基板上之處理液進行加熱時蓋體之側壁部係配置於基板之外周側。
本發明實施形態的基板處理方法，係對基板供給處理液而對基板進行液處理者，具備：保持基板的工程；對基板的上面供給處理液的工程；藉由蓋體覆蓋基板的工程，該蓋體具有配置於所保持的基板之上方的天井 部，由天井部向下方延伸的側壁部，及設於天井部的加熱部；及藉由加熱部加熱基板上之處理液的工程。在加熱處理液的工程中，蓋體之側壁部係配置於基板之外周側。
本發明實施形態的記錄媒體，係記錄有程式者，該程式在被控制基板液處理裝置之動作的電腦執行時，係使電腦控制基板液處理裝置而執行上述基板液處理方法者。
依據本發明實施形態，可使基板上之處理液之溫度迅速上升，而且使基板之液處理均勻化。
1‧‧‧鍍敷處理裝置
31‧‧‧記錄媒體
52‧‧‧基板保持部
53‧‧‧鍍敷液供給部
531‧‧‧鍍敷液噴嘴
59‧‧‧風扇過濾器單元
6‧‧‧蓋體
61‧‧‧天井部
611‧‧‧第1天井板
612‧‧‧第2天井板
62‧‧‧側壁部
621‧‧‧下端
63‧‧‧加熱器
631‧‧‧內周側加熱器
632‧‧‧外周側加熱器
633‧‧‧中間加熱器
64‧‧‧蓋體蓋板
66‧‧‧惰性氣體供給部
73‧‧‧汽缸
L1‧‧‧鍍敷液
[圖1]圖1表示鍍敷處理裝置之構成的概略平面圖。
[圖2]圖2表示圖1所示鍍敷處理部之構成的斷面圖。
[圖3]圖3表示圖2之冷卻板的平面圖。
[圖4]圖4表示圖2之噴嘴臂部及蓋體的平面斷面圖。
[圖5]圖5表示圖2之加熱器的平面圖。
[圖6]圖6表示圖2之排氣機構的平面圖。
[圖7]圖7表示，圖6之排氣機構的一部分斷面圖。
[圖8]圖8表示圖1之鍍敷處理裝置中基板之鍍敷處理的流程圖。
[圖9A]圖9A係說明圖8之基板保持工程之圖。
[圖9B]圖9B係說明圖8之鍍敷液承載工程之圖。
[圖9C]圖9C係說明圖8之第1加熱工程之圖。
[圖9D]圖9D係說明圖8之第2加熱工程之圖。
[圖9E]圖9E係說明圖8之基板乾燥處理工程之圖。
以下，參照圖面對本發明之一實施形態進行說明。
首先，參照圖1對本發明實施形態的基板液處理裝置之構成進行說明。圖1表示作為本發明實施形態的基板液處理裝置之一例之鍍敷處理裝置之構成的概略圖。於此，鍍敷處理裝置，係對基板W供給鍍敷液L1(處理液)並對基板W進行鍍敷處理(液處理)的裝置。
如圖1所示，本發明實施形態的鍍敷處理裝置1具備：鍍敷處理單元2；及控制鍍敷處理單元2之動作的控制部3。
鍍敷處理單元2對基板W(晶圓)進行各種處理。鍍敷處理單元2進行的各種處理如後述。
控制部3，例如係電腦，具有動作控制部及記憶部。動作控制部，例如由CPU(Central Processing Unit)構成，藉由讀出記憶於記憶部的程式並執行，來控制鍍敷處理單元2之動作。記憶部，例如由RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟等之記憶裝置構成，記憶有控制鍍敷處理單元2中被執行之各種處理的 程式。又，程式可以是記錄於電腦可讀取的記錄媒體31者，或是由該記錄媒體31安裝於記憶部者。作為電腦可讀取的記錄媒體31例如可以舉出硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等。於記錄媒體31，例如記錄有被控制鍍敷處理裝置1之動作之電腦執行時，電腦對鍍敷處理裝置1進行控制並使執行後述之鍍敷處理方法的程式。
參照圖1說明鍍敷處理單元2之構成。圖1表示鍍敷處理單元2之構成的概略平面圖。
鍍敷處理單元2具有：搬出入站21；及與搬出入站21鄰接而設置的處理站22。
搬出入站21包含：載置部211；及與載置部211鄰接而設置的搬送部212。
於載置部211載置有將複數片基板W以水平狀態進行收納的複數個搬送容器(以下稱為「載具(carrier)C」)。
搬送部212包含搬送機構213與交接部214。搬送機構213，係包含保持基板W的保持機構，且構成為可以進行水平方向及鉛直方向之移動以及以鉛直軸為中心的旋動。
處理站22包含鍍敷處理部5。本實施形態中，處理站22所具有的鍍敷處理部5之個數為2個以上，但1個亦可。鍍敷處理部5配列於朝規定方向延伸的搬送路221之兩側(與後述之搬送機構222之移動方向正交的方向中之兩 側)。
於搬送路221設置有搬送機構222。搬送機構222構成為，包含保持基板W的保持機構，可以進行朝向水平方向及鉛直方向之移動以及以鉛直軸為中心之旋動。
於鍍敷處理單元2中，搬出入站21之搬送機構213在載具C與交接部214之間進行基板W之搬送。具體而言，搬送機構213由載置於載置部211的載具C取出基板W並將，取出的基板W載置於交接部214。又，搬送機構213透過處理站22之搬送機構222取出載置於交接部214的基板W，將其收納於載置部211之載具C。
於鍍敷處理單元2中，處理站22之搬送機構222在交接部214與鍍敷處理部5之間、鍍敷處理部5與交接部214之間進行基板W之搬送。具體而言，搬送機構222將載置於交接部214的基板W取出，將取出的基板W搬入鍍敷處理部5。又，搬送機構222由鍍敷處理部5取出基板W，將取出的基板W載置於交接部214。
接著參照圖2說明鍍敷處理部5之構成。圖2表示鍍敷處理部5之構成的概略斷面圖。
鍍敷處理部5構成為進行包含無電解鍍敷處理之液處理。該鍍敷處理部5具備：腔室51；配置於腔室51內，將基板W保持為水平的基板保持部52；及對保持於基板保持部52的基板W的上面供給鍍敷液L1(處理液)的鍍敷液供給部53(處理液供給部)。本實施形態中，基板保持部52具有對基板W之下面(背面)進行真空吸附的吸盤構件 521。該吸盤構件521成為所謂真空吸盤型。但是不限定於此，基板保持部52亦可以是藉由夾盤機構等把持基板W之外緣部的所謂機械夾盤型。
基板保持部52透過旋轉軸522連結有旋轉馬達523(旋轉驅動部)。藉由該旋轉馬達523被驅動使基板保持部52與基板W同時旋轉。旋轉馬達523被支撐於固定在腔室51的底座524。
於旋轉馬達523上設置有冷卻板525。於該冷卻板525的上面設置有流通冷卻液CL(例如冷卻水)的冷卻溝525a。如圖3所示，由上方看時冷卻溝525a形成為圍繞旋轉軸522。於冷卻溝525a之一端部設置有冷卻液流入部525b，在另一端部設置有冷卻液流出部525c。據此而構成為，由未圖示的冷卻液供給源所供給的冷卻液CL，可由冷卻液流入部525b流入冷卻溝525a，於冷卻溝525a流通並由冷卻液流出部525c流出。在冷卻液CL流通於冷卻溝525a之期間，與旋轉馬達523進行熱交換，旋轉馬達523被冷卻，旋轉馬達523之溫度上升被抑制。
如圖2所示，鍍敷液供給部53具有：對保持於，保持於基板保持部52的基板W吐出(供給)鍍敷液L1的鍍敷液噴嘴531(處理液噴嘴)；及對鍍敷液噴嘴531供給鍍敷液L1的鍍敷液供給源532。其中鍍敷液供給源532構成為將被加熱乃至調溫為規定溫度的鍍敷液L1供給至鍍敷液噴嘴531。由鍍敷液噴嘴531吐出之鍍敷液L1之吐出時之溫度例如為55℃以上75℃以下，更好為60℃以上70℃以下。鍍 敷液噴嘴531被保持於噴嘴臂部56，構成為可以移動。
鍍敷液L1係自催化反應型(Auto-catalytic reaction)(還原型)無電解鍍敷用之鍍敷液。鍍敷液L1例如含有鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子等之金屬離子，及次磷酸、二甲基胺硼烷等之還原劑。鍍敷液L1亦可以含有添加劑等。作為使用鍍敷液L1之鍍敷處理而形成的鍍敷膜P(金屬膜，參照圖9E)，例如可以舉出CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。
本實施形態的鍍敷處理部5中，作為其他處理液供給部而另具備：對保持於基板保持部52的基板W的上面供給洗淨液L2的洗淨液供給部54；及對該基板W的上面供給沖洗液L3的沖洗液供給部55。
洗淨液供給部54具有：對保持於基板保持部52的基板W吐出洗淨液L2的洗淨液噴嘴541；及對洗淨液噴嘴541供給洗淨液L2的洗淨液供給源542。洗淨液L2，例如可以使用蟻酸、蘋果酸、琥珀酸、檸檬酸、丙二酸等之有機酸、被稀釋成為不會腐蝕基板W之被鍍敷面之程度的濃度之氫氟酸(DHF)(氟化氫之水溶液)等。洗淨液噴嘴541被噴嘴臂部56保持，可以和鍍敷液噴嘴531同時移動。
沖洗液供給部55具有：對保持於基板保持部52的基板W吐出沖洗液L3的沖洗液噴嘴551；及對沖洗液噴嘴551供給沖洗液L3的沖洗液供給源552。其中沖洗液噴嘴551被保持於噴嘴臂部56，可以和鍍敷液噴嘴531及洗淨 液噴嘴541同時移動。沖洗液L3例如可以使用純水等。
在保持上述鍍敷液噴嘴531、洗淨液噴嘴541及沖洗液噴嘴551的噴嘴臂部56連結有未圖示的噴嘴移動機構。該噴嘴移動機構使噴嘴臂部56沿著水平方向及上下方向移動。更具體而言，如圖4所示，透過噴嘴移動機構使噴嘴臂部56可以在對基板W吐出處理液(鍍敷液L1、洗淨液L2或沖洗液L3)的吐出位置(圖4中二點虛線所示位置)，與由吐出位置退避的退避位置(圖4中實線所示位置)之間移動。其中吐出位置只要是對基板W的上面之中之任意位置可以供給處理液者即可，並未特別限定。例如，適合設為可以對基板W之中心供給處理液的位置。按對基板W供給鍍敷液L1之情況、供給洗淨液L2之情況、或供給沖洗液L3之情況而使噴嘴臂部56之吐出位置不同亦可。退避位置為，腔室51內之中，由上方看時與基板W不重疊的位置，與吐出位置分離的位置。噴嘴臂部56位於退避位置之情況下，迴避移動的蓋體6與噴嘴臂部56間之干渉。
於基板保持部52之周圍設置杯571。該杯571由上方看時形成為環狀，在基板W之旋轉時承接由基板W飛散的處理液，並將其導引至後述之排水管581。在杯571之外周側設置有氛圍遮斷蓋板572，用於抑制基板W之周圍之氛圍擴散至腔室51內。該氛圍遮斷蓋板572以在上下方向延伸的方式形成為圓筒狀，上端被開口。於氛圍遮斷蓋板572內可由上方插入後述之蓋體6。
於杯571之下方設置有排水管581。該排水管 581由上方看時形成為環狀，承受由杯571承接而降下的處理液或由基板W之周圍直接降下的處理液並將其排出。於排水管581之內周側設置有內側蓋板582。該內側蓋板582配置於冷卻板525之上方，防止處理液或基板W之周圍之氛圍之擴散。於後述之排氣管81之上方設置有將處理液導引至排水管581的導引構件583。構成為藉由該導引構件583防止由排氣管81之上方降下的處理液進入排氣管81內，由排水管581承受。
保持於基板保持部52的基板W係被蓋體6覆蓋。該蓋體6具有天井部61，及由天井部61朝下方延伸的側壁部62。其中，當蓋體6之位置被設於後述之第1間隔位置及第2間隔位置時，天井部61被配置於基板保持部52所保持的基板W之上方，以較小的間隔面對基板W。
天井部61包含：第1天井板611；及設於第1天井板611上的第2天井板612。後述之加熱器63(加熱部)設在第1天井板611與第2天井板612之間。第1天井板611及第2天井板612構成為將加熱器63密封，使加熱器63不接觸鍍敷液L1等之處理液。更具體而言，在第1天井板611與第2天井板612之間，於加熱器63之外周側設置密封環613，藉由該密封環613將加熱器63密封。第1天井板611及第2天井板612以對鍍敷液L1等之處理液具有耐腐蝕性者為較佳，例如可以由鋁合金形成。欲更進一步提高耐腐蝕性時，第1天井板611、第2天井板612及側壁部62可以鐵氟龍(登記商標)實施塗布。
蓋體6透過蓋體臂部71與蓋體移動機構7連結。蓋體移動機構7使蓋體6沿著水平方向及上下方向移動。更具體而言，蓋體移動機構7具有：使蓋體6沿著水平方向移動的旋動馬達72；及使蓋體6沿著上下方向移動的汽缸73(間隔調節部)。其中旋動馬達72安裝於相對於汽缸73設為可於上下方向移動的支撐板74上。可以使用包含馬達與滾珠螺桿之致動器(未圖示)來取代汽缸73。
如圖4所示，蓋體移動機構7之旋動馬達72使蓋體6在配置於基板保持部52所保持的基板W之上方的上方位置(圖4中二點虛線所示位置)與從上方位置退避的退避位置(圖4中實線所示位置)之間移動。其中，上方位置，係相對於保持於基板保持部52的基板W以較大的間隔對置之位置，由上方看時係與基板W重疊之位置。退避位置係腔室51內之中由上方看時與基板W不重疊之位置。蓋體6之位置被置於退避位置之情況下，移動的噴嘴臂部56迴避而不與蓋體6干渉。旋動馬達72之旋轉軸線沿著上下方向延伸，蓋體6係在上方位置與退避位置之間，在水平方向可以旋動移動。
如圖2所示，蓋體移動機構7之汽缸73使蓋體6朝上下方向移動，據以調節被供給有鍍敷液L1的基板W與天井部61之第1天井板611之間隔。更具體而言，汽缸73使蓋體6之位置被置於第1間隔位置(圖9C)、第2間隔位置(圖9D)與上述上方位置(圖2中二點虛線所示位置)。
於第1間隔位置中，基板W與第1天井板611之 間隔成為最小的第1間隔g1(圖9C)，第1天井板611最接近基板W。該情況下，為了防止鍍敷液L1之污損或鍍敷液L1內的氣泡產生，以使第1天井板611不接觸基板W上之鍍敷液L1的方式設定第1間隔g1為較佳。
於第2間隔位置中，基板W與第1天井板611之間隔成為大於第1間隔g1的第2間隔g2(圖9D)。據此而將蓋體6之位置置於比第1間隔位置更上方之位置。
於上方位置中，基板W與第1天井板611之間隔成為大於第2間隔g2，蓋體6之位置被置於比第2間隔位置更上方之位置。亦即在蓋體6朝水平方向旋動移動時，上方位置成為可以迴避蓋體6與杯571或氛圍遮斷蓋板572等之周圍之構造物之干渉的高度之位置。
蓋體6透過汽缸73可以在如上述說明的第1間隔位置、第2間隔位置與上方位置之間移動。本實施形態中構成為，蓋體6之位置被置於上述第1間隔位置及第2間隔位置之情況下，加熱器63被驅動，基板W上之鍍敷液L1被進行加熱。換言之，在對基板W上之鍍敷液L1進行加熱時，汽缸73可以將基板W與第1天井板611之間隔調節成為第1間隔g1與第2間隔g2。
如圖2所示，蓋體6之側壁部62，係由天井部61之第1天井板611之周緣部朝下方延伸，對基板W上之鍍敷液L1進行加熱時(蓋體6之位置被置於第1間隔位置及第2間隔位置之情況下)被配置於基板W之外周側。其中蓋體6之位置被置於第1間隔位置之情況下，如圖9C所示，側壁 部62之下端621被置於比基板W更低的位置。該情況下，側壁部62之下端621與基板W之下面之間的上下方向距離x1，例如設為10~30mm為較佳。如圖9D所示，蓋體6之位置被置於第2間隔位置之情況下，側壁部62之下端621亦被置於比基板W更低的位置。該情況下，側壁部62之下端621與基板W之下面之間的上下方向距離x2，例如設為4~5mm為較佳。
如圖2所示，於蓋體6之天井部61設有加熱器63。當蓋體6之位置被置於第1間隔位置及第2間隔位置時，加熱器63對基板W上之處理液(較佳為鍍敷液L1)進行加熱。本實施形態中，加熱器63設於蓋體6之第1天井板611與第2天井板612之間。該加熱器63如上述被實施密封，防止與鍍敷液L1等處理液之接觸。
如圖5所示，加熱器63具有：內周側加熱器631(內周側加熱部)；設於比內周側加熱器631更外周側的外周側加熱器632(外周側加熱部)；及置於內周側加熱器631與外周側加熱器632之間的中間加熱器633(中間加熱部)。構成為內周側加熱器631、外周側加熱器632及中間加熱器633相互分離，相互獨立進行驅動。又，由上方看時內周側加熱器631、外周側加熱器632及中間加熱器633分別形成為環狀，形成為相互同心狀。例如，各加熱器631、632、633較佳可以使用面狀發熱體亦即雲母加熱器。
內周側加熱器631及外周側加熱器632之中之 至少一方之每單位面積之發熱量大於中間加熱器633之每單位面積之發熱量。較佳為內周側加熱器631及外周側加熱器632之兩方之每單位面積之發熱量大於中間加熱器633之每單位面積之發熱量。該情況下，例如將內周側加熱器631及外周側加熱器632之每單位面積之加熱器容量設為大於中間加熱器633之每單位面積之加熱器容量。或者，將各加熱器631、632、633之每單位面積之加熱器容量設為同一，並將供給至內周側加熱器631及外周側加熱器632的電力設為大於供給至中間加熱器633的電力亦可。
如圖2所示，本實施形態中，於蓋體6的內側透過惰性氣體供給部66被供給有惰性氣體(例如氮(N2)氣體)。該惰性氣體供給部66具有對蓋體6的內側吐出惰性氣體的氣體噴嘴661及對氣體噴嘴661供給惰性氣體的惰性氣體供給源662。其中，氣體噴嘴661設於蓋體6之天井部61，在蓋體6覆蓋基板W的狀態下對基板W吐出惰性氣體。
蓋體6之天井部61及側壁部62被蓋體蓋板64覆蓋。該蓋體蓋板64透過支撐部65被載置於蓋體6之第2天井板612上。亦即在第2天井板612上設置由第2天井板612的上面朝上方突出的複數個支撐部65，將蓋體蓋板64載置於該支撐部65。蓋體蓋板64連同蓋體6可以沿著水平方向及上下方向移動。又，為抑制蓋體6內之熱由周圍釋放出，蓋體蓋板64具有較天井部61及側壁部62更高的隔熱性為較佳。例如蓋體蓋板64由樹脂材料形成為較佳，該樹脂材料具有耐熱性則更為較佳。
如圖2所示，在腔室51之上部設置對蓋體6之周圍供給清淨空氣(氣體)的風扇過濾器單元59(氣體供給部)。風扇過濾器單元59對腔室51內(特別是氛圍遮斷蓋板572內)供給空氣，供給的空氣向後述之排氣管81流動。於蓋體6之周圍形成該空氣向下流動的下降流，藉由該下降流使由鍍敷液L1等之處理液氣化的氣體向排氣管81流動。據此防止由處理液氣化的氣體上升而擴散至腔室51內。
本實施形態中構成為，基板W上之鍍敷液L1透過加熱器63進行加熱時之風扇過濾器單元59之氣體之供給量，比起基板W上被供給鍍敷液L1時為少。更具體而言，蓋體6之位置被置於第1間隔位置及第2間隔位置時，和蓋體6之位置被置於退避位置或上方位置時比較，風扇過濾器單元59之空氣之供給量變少。
上述風扇過濾器單元59所供給的氣體係由排氣機構8排出。如圖2所示，該排氣機構8具有：設於杯571之下方的2個排氣管81；及設於排水管581之下方的排氣管82。其中2個排氣管81貫穿排水管581之底部而分別與排氣管82連通。如圖6所示，排氣管82由上方看時實質上形成為半圓環狀。本實施形態中，於排水管581之下方設置1個排氣管82，於該排氣管82連通2個排氣管81。
如圖6所示，排氣管82具有：2個排氣流入部821；及1個排氣流出部822。更具體而言，在排氣管82之周方向之兩端部設置排氣流入部821，在排氣管82之中間部設置排氣流出部822。排氣流出部822與第2排氣管87連 結，排氣管82內之氣體由第2排氣管87排出。
如圖6及圖7所示，在排氣管82之中間部(亦即排氣流出部822之附近)設置管凹部823。該管凹部823，係設於排氣管82之底部，當處理液(鍍敷液L1、洗淨液L2或沖洗液L3)通過排氣管81流入排氣管82時，將該流入的處理液進行貯存。該管凹部823連結有排液管83。排液管83包含排液泵831，可以將貯存於管凹部823的處理液排出。
如圖7所示，在管凹部823設置有液面感測器84。該液面感測器84對貯存於管凹部823的處理液之液面進行檢測。又，於排氣管82設置有檢測壓力的壓力感測器85。另外，於排氣管82設置有管噴嘴86，管噴嘴86可以將管洗淨液(例如水)吐出至排氣管82內。據此而構成為可以藉由管洗淨液洗淨排氣管82內。
接著，使用圖8及圖9A~圖9E說明此種構成的本實施形態之作用。於此，作為基板液處理方法之一例而說明使用鍍敷處理裝置1的鍍敷處理方法。
藉由鍍敷處理裝置1實施的鍍敷處理方法係包含對基板W的鍍敷處理。鍍敷處理藉由鍍敷處理部5實施。以下所示鍍敷處理部5之動作係透過控制部3進行控制。又，在進行以下處理之期間，由風扇過濾器單元59使清淨空氣供給至腔室51內，流向排氣管81。又，冷卻液CL流通於設置在旋轉馬達523上的冷卻板525之冷卻溝525a，使旋轉馬達523被冷卻。
[基板保持工程]
首先，基板W被搬入鍍敷處理部5，如圖9A所示，搬入的基板W被保持於基板保持部52(步驟S1)。於此，基板W之下面被進行真空吸附，基板W被水平保持於基板保持部52。
[基板洗淨處理工程]
接著，保持於基板保持部52的基板W被進行洗淨處理(步驟S2)。該情況下，首先，旋轉馬達523被驅動使基板W以規定之旋轉數旋轉。接著，位置被置於退避位置(圖4中實線所示位置)的噴嘴臂部56朝向吐出位置(圖4中二點虛線所示位置)移動。接著，由洗淨液噴嘴541將洗淨液L2供給至旋轉的基板W，對基板W之表面進行洗淨。據此，而使附著於基板W的附著物等由基板W被除去。供給至基板W的洗淨液L2係由排水管581排出。
[基板沖洗處理工程]
接著，洗淨處理的基板W被進行沖洗處理(步驟S3)。該情況下，由沖洗液噴嘴551將沖洗液L3供給至旋轉的基板W，基板W之表面被進行沖洗處理。據此，基板W上殘存的洗淨液L2被沖洗掉。供給至基板W的沖洗液L3係由排水管581排出。
[鍍敷液承載工程]
接著，作為鍍敷液承載工程，使鍍敷液L1供給並承載於已進行沖洗處理的基板W上。該情況下，首先，使基板W之旋轉數降至低於沖洗處理時之旋轉數。例如可以將基板W之旋轉數設為50~150rpm。據此可以使形成於基板W上的後述之鍍敷膜P均勻化。又，欲增大鍍敷液L1之承載量時，可以使基板W之旋轉停止。
接著，如圖9B所示，由鍍敷液噴嘴531將鍍敷液L1吐出至基板W的上面。吐出的鍍敷液L1藉由表面張力滯留於基板W的上面，鍍敷液L1承載於基板W的上面而形成鍍敷液L1之層(所謂槳狀物(paddle))。鍍敷液L1之一部分由基板W的上面流出，由排水管581排出。規定量之鍍敷液L1由鍍敷液噴嘴531吐出之後，停止鍍敷液L1之吐出。
之後，使位置被置於吐出位置的噴嘴臂部56移動至退避位置。
[鍍敷液加熱處理工程]
接著，作為鍍敷液加熱處理工程而對承載於基板W上的鍍敷液L1進行加熱。該鍍敷液加熱處理工程具有：使蓋體6覆蓋基板W的工程(步驟S5)；供給惰性氣體的工程(步驟S6)；將基板W與第1天井板611之間隔設為第1間隔g1並對鍍敷液L1進行加熱的第1加熱工程(步驟S7)；及將該間隔設為第2間隔g2並對鍍敷液L1進行加熱的第2加熱工程(步驟S8)。又，鍍敷液加熱處理工程中，將基板W之旋轉 數維持於和鍍敷液承載工程同樣之速度(或者停止旋轉停止)為較佳。
<以蓋體覆蓋基板的工程>
首先，基板W被蓋體6覆蓋(步驟S5)。該情況下，首先，蓋體移動機構7之旋動馬達72被驅動，被置於退避位置(圖4中實線所示位置)的蓋體6沿著水平方向旋動移動而被置於上方位置(圖4中實線所示位置)。
接著，如圖9C所示，蓋體移動機構7之汽缸73被驅動，使被置於上方位置的蓋體6下降並被置於第1間隔位置。據此，基板W與蓋體6之第1天井板611之間隔成為第1間隔g1，蓋體6之側壁部62被配置於基板W之外周側。本實施形態中，蓋體6之側壁部62之下端621之位置被置於較基板W之下面更低的位置。如此而以蓋體6覆蓋基板W並將基板W之周圍之空間密閉。
<惰性氣體供給工程>
基板W被蓋體6覆蓋之後，由、設於蓋體6之天井部61的氣體噴嘴661將惰性氣體吐出至蓋體6的內側(步驟S6)。據此，蓋體6的內側被置換為惰性氣體，基板W之周圍成為低氧氛圍。惰性氣體被吐出規定時間之後，停止惰性氣體之吐出。
<第1加熱工程>
接著，作為第1加熱工程，對承載於基板W上的鍍敷液L1進行加熱(步驟S7)。第1加熱工程中，內周側加熱器631、外周側加熱器632及中間加熱器633被驅動，承載於基板W上的鍍敷液L1被加熱。亦即各加熱器631、632、633產生的熱量被傳遞至基板W上之鍍敷液L1，鍍敷液L1之溫度上升。於此，將內周側加熱器631及外周側加熱器632之每單位面積之發熱量設為大於中間加熱器633之每單位面積之發熱量。據此，增大基板W上之鍍敷液L1之中供給至內周側之部分及外周側之部分的熱量。因此，可以使溫度上升較難部分之溫度有效地上升，達成鍍敷液L1之溫度之均勻化。
第1加熱工程中的鍍敷液L1之加熱，係在鍍敷液L1之溫度上升至規定溫度為止的規定時間被進行。當鍍敷液L1之溫度上升至成分被析出之溫度時，鍍敷液L1之成分析出至基板W的上面而開始形成鍍敷膜P。
但是，第1加熱工程中，蓋體6與杯571之間之空間狹窄。於此，將由風扇過濾器單元59供給至蓋體6之周圍的空氣之供給量，設為小於鍍敷液承載工程(步驟S4)中空氣之供給量。據此而使通過蓋體6與杯571之間之空間的空氣之速度減低，可以抑制蓋體6被通過的空氣冷卻。又，如上述說明，當蓋體6之位置被置於第1間隔位置之期間，基板W被蓋體6覆蓋，因此可以抑制鍍敷液L1之氣化。據此，即使在空氣之供給量變少之情況下，亦可以防止由鍍敷液L1氣化的氣體擴散至周圍。
<第2加熱工程>
第1加熱工程結束之後進行第2加熱工程(步驟S8)。該情況下，首先，如圖9D所示，蓋體移動機構7之汽缸73被驅動使位置被置於第1間隔位置的蓋體6上升，而將其位置置於第2間隔位置。據此，基板W與蓋體6之第1天井板611之間隔成為第2間隔g2。該情況下，蓋體6之側壁部62亦配置於基板W之外周側，側壁部62之下端621之位置被置於較基板W之下面更低的位置。因此，基板W依然被蓋體6覆蓋，基板W之周圍之空間被密閉。
於第2加熱工程中，內周側加熱器631、外周側加熱器632及中間加熱器633亦被驅動，基板W上的鍍敷液L1被進行加熱。各加熱器631、632、633產生的熱量被傳遞至基板W上之鍍敷液L1。但是，鍍敷液L1之溫度實質上未上升，維持於第1加熱工程結束時之鍍敷液L1之溫度，鍍敷液L1被保溫。換言之，第2間隔位置設為使鍍敷液L1被保溫之位置。據此，可以防止鍍敷液L1之溫度過度上升，防止鍍敷液L1之劣化。
如上述說明，第2加熱工程中，蓋體6由第1間隔位置被提升至第2間隔位置。據此，側壁部62的內側之氛圍隨著蓋體6之提升而上升到達基板W之周圍。但是，第1加熱工程中側壁部62之下端621，被配置於較第2加熱工程中側壁部62之下端621更低的位置。因此，伴隨蓋體6之提升而到達基板W之周圍的氛圍，係在第1加熱工程中 在蓋體6的內側被加溫。結果，第2加熱工程中，可以抑制基板W之周圍區域之氛圍之溫度降低。
第2加熱工程的鍍敷液L1之加熱，係在設定的規定時間內進行以便能獲得規定厚度之鍍敷膜P。於該期間，鍍敷液L1之成分被析出，成長為基板W上之鍍敷膜P。
又，第2加熱工程中亦和第1加熱工程同樣地，蓋體6與杯571之間之空間變窄。於此，由風扇過濾器單元59供給的空氣之供給量，係和第1加熱工程(步驟S7)同樣地，設為小於鍍敷液承載工程(步驟S4)中的空氣之供給量。
但是，鍍敷液加熱處理工程中，各加熱器631、632、633產生的熱量亦能傳遞至旋轉馬達523。但是，如上述說明，冷卻液CL流通於冷卻板525之冷卻溝525a。據此，使旋轉馬達523被冷卻，而能抑制旋轉馬達523之溫度上升。
<蓋體退避工程>
第2加熱工程結束後，蓋體移動機構7被驅動，蓋體6之位置被置於退避位置(步驟S9)。該情況下，首先，蓋體移動機構7之汽缸73被驅動，使位置被置於第2間隔位置的蓋體6上升而被置於上方位置。之後，蓋體移動機構7之旋動馬達72被驅動，使位置被置於上方位置的蓋體6沿著水平方向旋動移動而將其位置置於退避位置。
蓋體6由第2間隔位置上升時，增大由風扇過濾器單元59供給的空氣之供給量，使回復鍍敷液承載工程(步驟S4)中空氣之供給量。據此，可以增大在基板W之周圍流動的空氣之流量，可以防止鍍敷液L1氣化的氣體上升而擴散。
如此，結束基板W之鍍敷液加熱處理工程(步驟S5~S9)。
[基板沖洗處理工程]
接著，對已實施鍍敷液加熱處理的基板W進行沖洗處理(步驟S10)。該情況下，首先，使基板W之旋轉數較鍍敷處理時之旋轉數增大。例如以和鍍敷處理前之基板沖洗處理工程(步驟S3)同樣之旋轉數使基板W旋轉。接著，使位置被置於退避位置的沖洗液噴嘴551移動至吐出位置。接著，由沖洗液噴嘴551將沖洗液L3供給至旋轉基板W，對基板W之表面進行洗淨。據此，而將基板W上殘存的鍍敷液L1沖洗掉。
[基板乾燥處理工程]
接著，對已實施沖洗處理的基板W進行乾燥處理(步驟S11)。該情況下，例如使基板W之旋轉數較基板沖洗處理工程(步驟S10)之旋轉數増大，使基板W高速旋轉。據此，基板W上殘存的沖洗液L3被沖掉除去，如圖9E所示，獲得形成有鍍敷膜P的基板W。該情況下，對基板W噴出 氮(N2)氣體等之惰性氣體來促進基板W之乾燥亦可。
[基板取出工程]
之後，將基板W由基板保持部52取出，由鍍敷處理部5搬出(步驟S12)。
如此而結束使用鍍敷處理裝置1的基板W之一連串之鍍敷處理方法(步驟S1~步驟S12)。
但是，在上述基板W之各種液處理之間，供給至基板W的處理液，如圖2所示被排出至排水管581。排出至排水管581的處理液被未圖示的回收部回收，但亦需考慮到因發生任何之問題致使處理液貯存於排水管581之情況。該情況下，貯存於排水管581之處理液之液面上升而到達排氣管81之上端時，處理液經由排氣管81流入排氣管82。流入排氣管82的處理液被貯存於圖6及圖7所示排氣管82之管凹部823。貯存於管凹部823的處理液之貯存量超出規定之基準量時，處理液之液面被液面感測器84檢測出。
當液面感測器84檢測出處理液之液面時，排液管83之排液泵831被驅動，管凹部823的處理液被排出。之後，由管噴嘴86吐出管洗淨液，藉由吐出的管洗淨液對排氣管82內進行洗淨。對排氣管82內進行洗淨後的管洗淨液係由排液管83排出。據此，即使處理液流入排氣管82內之情況下，亦能洗淨排氣管82內使其清淨。又，排氣管82內之壓力由壓力感測器85進行檢測，因此在檢測出的壓力大於規定之基準壓力值之情況下，亦由管噴嘴86吐出管洗 淨液，而可以洗淨排氣管82內使其清淨。
如此般依據本實施形態，對基板W上之鍍敷液L1進行加熱時，蓋體6之天井部61被配置於基板W之上方，而且蓋體6之側壁部62配置於基板W之外周側。據此，可以藉由蓋體6覆蓋基板W並將基板W之周圍之空間密閉，可以防止基板W周圍之氛圍擴散。因此，可以使基板W上之鍍敷液L1之溫度迅速上升並防止鍍敷液L1之劣化，而且可以使基板W之鍍敷處理均勻化。又，基板W被蓋體6覆蓋，因此可以抑制基板W上之鍍敷液L1之氣化。因此，可以抑制基板W上之鍍敷液L1因氣化而減低，可以有效且良好地形成鍍敷膜P。更進一步，基於鍍敷液L1之氣化可以被抑制，因此可以減低鍍敷液L1之使用量，而且可以抑制腔室51內產生鍍敷液L1之結露。
又，依據本實施形態，對基板W上之鍍敷液L1進行加熱時，蓋體6之側壁部62之下端621之位置被置於較基板W更低的位置。據此，可以更進一步防止基板W之周圍氛圍之擴散。因此，可以使鍍敷液L1之溫度更進一步迅速且更進一步均等地上升。
又，依據本實施形態，對基板W上之鍍敷液L1進行加熱時，被供給有鍍敷液L1的基板W與蓋體6之第1天井板611之間隔，可以調節為第1間隔g1與第2間隔g2。據此，將該間隔設為第1間隔g1進行鍍敷液L1之加熱使溫度上升之後，將該間隔設為第2間隔g2而可以對溫度上升的鍍敷液L1進行保溫。因此，可以防止鍍敷液L1之溫度過 度上升，可以更進一步防止鍍敷液L1之劣化。
又，依據本實施形態，不僅在將基板W與第1天井板611之間隔設為第1間隔g1之情況，即使在為了鍍敷液L1之保溫而將該間隔設為第2間隔g2之情況下，蓋體6之側壁部62之下端621之位置均被置於較基板W更低的位置。據此，可以有效地對鍍敷液L1進行保溫，而且可以使鍍敷液L1之溫度均等化。
又，依據本實施形態，加熱器63設置於蓋體6之第1天井板611與第2天井板612之間。據此，可以防止加熱器63接觸鍍敷液L1等之處理液。因此，加熱器63無需具有對鍍敷液L1等處理液之耐藥品性。
又，依據本實施形態，內周側加熱器631及外周側加熱器632之每單位面積之發熱量大於中間加熱器633之每單位面積之發熱量。於此，基板W上之鍍敷液L1之中內周側之部分，受到真空吸盤型的基板保持部52之吸盤構件521之影響而有較難保溫之傾向。又，基板W上之鍍敷液L1之中外周側之部分，受到蓋體6之周圍氛圍之影響而有較難保溫之傾向。但是，依據本實施形態，賦予基板W上之鍍敷液L1之中內周側之部分及外周側之部分的熱量，可以被設為大於賦予鍍敷液L1之中中間之部分(在內周側之部分與外周側之部分之間之部分)的熱量。因此，可以抑制基板W之內周側及外周側中鍍敷液L1之溫度上升速度之降低，可以使鍍敷液L1之溫度均等化。
又，依據本實施形態，覆蓋蓋體6之天井部61 及側壁部62的蓋體蓋板64具有較天井部61及側壁部62更高的隔熱性。據此，可以抑制蓋體6內之熱散出至周圍。因此，可以使鍍敷液L1之溫度更進一步迅速且更進一步均等地上升。
又，依據本實施形態，可以透過惰性氣體供給部66對蓋體6的內側供給惰性氣體。據此，可以將蓋體6的內側之氛圍設為低氧氛圍，可以抑制在基板W上所形成的鍍敷膜P上形成酸化膜。
另外，依據本實施形態，將基板W上之鍍敷液L1被加熱器63加熱時之風扇過濾器單元59之氣體之供給量，設為少於對基板W上供給鍍敷液L1時。據此，可以減低鍍敷液L1之加熱時流入蓋體6周圍的空氣之速度，可以抑制該空氣引起的蓋體6之被冷卻。因此，可以使鍍敷液L1之溫度更進一步迅速且更進一步均等地上升。
又，上述本實施形態中說明，藉由蓋體移動機構7之汽缸73使蓋體6相對於保持於基板保持部52的基板W沿著上下方向移動，來調節基板W與第1天井板611之間隔之例。但是，不限定於此。例如相對於蓋體6使基板W連同基板保持部52沿著上下方向移動，來調節基板W與第1天井板611之間隔亦可。
又，上述本實施形態中說明，對供給至基板W上的鍍敷液L1進行加熱之例。但是，加熱之處理液不限定於鍍敷液L1。例如欲藉由溫度上升來提高洗淨液L2之洗淨能力之情況下，對洗淨液L2進行加熱亦可。該情況下，對 基板W上供給洗淨液L2之後，蓋體6將基板W覆蓋，對供給至基板W上的洗淨液L2進行加熱亦可。
又，上述本實施形態中說明，鍍敷液噴嘴531和洗淨液噴嘴541及沖洗液噴嘴551同時被噴嘴臂部56保持之例。但是，不限定於此，將鍍敷液噴嘴531設於蓋體6之天井部61，在以蓋體6覆蓋基板W的工程之後，進行鍍敷液承載工程(步驟S4)亦可。該情況下，可以更進一步抑制鍍敷液L1之氣化，可以更進一步減低鍍敷液L1之使用量。
又，上述本實施形態中說明，在蓋體6之天井部61設置供給惰性氣體的氣體噴嘴661，而對蓋體6的內側供給惰性氣體的例。但是，只要能將蓋體6的內側之空間設為低氧氛圍即可，氣體噴嘴661不限定於設在蓋體6之天井部61。
又，上述本實施形態中，在蓋體6之側壁部62設置第2加熱器(未圖示)亦可。該情況下，可以加速基板W上之鍍敷液L1之溫度上升。
另外，上述本實施形態中說明，基板保持部52為真空吸盤型之例。該情況下，對基板W之背面供給加熱媒體而加熱基板W亦可。據此，可以加速基板W上之鍍敷液L1之溫度上升。
又，本發明不限定於上述實施形態及變形例之態樣，在實施階段在不脫離其要旨之範圍內可對構成要素實施變形並具體化。又，藉由適當組合上述實施形態及變形例揭示的複數個構成要素，可以形成各種發明。可以 由實施形態及變形例所示全部構成要素刪除幾個構成要素。另外，亦可以適當組合不同實施形態及變形例中的構成要素。
5‧‧‧鍍敷處理部
51‧‧‧腔室
52‧‧‧基板保持部
521‧‧‧吸盤構件
522‧‧‧旋轉軸
523‧‧‧旋轉馬達
524‧‧‧底座
525‧‧‧冷卻板
525a‧‧‧冷卻溝
53‧‧‧鍍敷液供給部
531‧‧‧鍍敷液噴嘴
532‧‧‧鍍敷液供給源
54‧‧‧洗淨液供給部
541‧‧‧洗淨液噴嘴
542‧‧‧洗淨液供給源
55‧‧‧沖洗液供給部
551‧‧‧沖洗液噴嘴
552‧‧‧沖洗液供給源
56‧‧‧噴嘴臂部
571‧‧‧杯
572‧‧‧氛圍遮斷蓋板
581‧‧‧排水管
582‧‧‧內側蓋板
583‧‧‧導引構件
59‧‧‧風扇過濾器單元
6‧‧‧蓋體
61‧‧‧天井部
611‧‧‧第1天井板
612‧‧‧第2天井板
613‧‧‧密封環
62‧‧‧側壁部
63‧‧‧加熱器
64‧‧‧蓋體蓋板
65‧‧‧支撐部
66‧‧‧惰性氣體供給部
661‧‧‧氣體噴嘴
662‧‧‧惰性氣體供給源
7‧‧‧蓋體移動機構
71‧‧‧蓋體臂部
72‧‧‧旋動馬達
73‧‧‧汽缸
74‧‧‧支撐板
8‧‧‧排氣機構
81‧‧‧排氣管
82‧‧‧排氣管
L1‧‧‧鍍敷液
L2‧‧‧洗淨液
L3‧‧‧沖洗液
W‧‧‧基板

Claims (20)

  1. 一種基板液處理裝置，係對基板供給處理液而對上述基板進行液處理者，具備：基板保持部，將上述基板保持；處理液供給部，對保持於上述基板保持部的上述基板之上面供給上述處理液；及蓋體，將保持於上述基板保持部的上述基板予以覆蓋；上述蓋體具有：天井部，配置於上述基板之上方；側壁部，由上述天井部向下方延伸；及加熱部，設於上述天井部，對上述基板上之上述處理液進行加熱；在對上述基板上之上述處理液進行加熱時上述蓋體之上述側壁部係配置於上述基板之外周側；上述加熱部具有：內周側加熱部；較上述內周側加熱部設於更外周側的外周側加熱部；及設置在上述內周側加熱部與上述外周側加熱部之間的中間加熱部；上述內周側加熱部及上述外周側加熱部之中之至少一方的每單位面積之發熱量，係大於上述中間加熱部的每單位面積之發熱量。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中上述蓋體另具有：蓋體蓋板，用於覆蓋上述天井部；上述蓋體蓋板具有較上述天井部更高的隔熱性。
  3. 一種基板液處理裝置，係對基板供給處理液而對上述基板進行液處理者，具備：基板保持部，將上述基板保持；處理液供給部，對保持於上述基板保持部的上述基板之上面供給上述處理液；及蓋體，將保持於上述基板保持部的上述基板予以覆蓋；上述蓋體具有：天井部，配置於上述基板之上方；側壁部，由上述天井部向下方延伸；及加熱部，設於上述天井部，對上述基板上之上述處理液進行加熱；在對上述基板上之上述處理液進行加熱時上述蓋體之上述側壁部係配置於上述基板之外周側；上述蓋體另具有：蓋體蓋板，用於覆蓋上述天井部；上述蓋體蓋板具有較上述天井部更高的隔熱性。
  4. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中在對上述基板上之上述處理液進行加熱時，上述側壁部之下端的位置被置於較上述基板更低的位置。
  5. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中另具備：間隔調節部，用於調節被供給有上述處理液 的上述基板與上述天井部之間隔；在對上述基板上之上述處理液進行加熱時，上述間隔調節部可以將上述間隔調節為第1間隔及比上述第1間隔大的第2間隔。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板液處理裝置，其中在上述間隔為上述第2間隔時上述側壁部之下端的位置被置於比上述基板更低的位置。
  7. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中上述天井部包含：第1天井板；及設於上述第1天井板上的第2天井板；上述加熱部設置於上述第1天井板與上述第2天井板之間。
  8. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中另具備：惰性氣體供給部，用於對上述蓋體的內側供給惰性氣體。
  9. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中另具備：氣體供給部，用於對上述蓋體之周圍供給氣 體；上述基板上之上述處理液被上述加熱部進行加熱時的上述氣體供給部之上述氣體之供給量，係少於對上述基板上供給上述處理液時。
  10. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中上述處理液供給部具有：處理液噴嘴，用於對上述基板吐出上述處理液；上述處理液噴嘴設於上述天井部。
  11. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板液處理裝置，其中上述處理液係鍍敷液。
  12. 一種基板液處理方法，係對基板供給處理液而對上述基板進行液處理者，具備：保持上述基板的工程；對上述基板的上面供給上述處理液的工程；藉由蓋體覆蓋該基板的工程，該蓋體具有：天井部，配置於被保持的上述基板之上方；側壁部，由上述天井部向下方延伸；及加熱部，設於上述天井部；及藉由上述加熱部加熱上述基板上之上述處理液的工程，上述加熱部係具有：內周側加熱部，較上述內周側加 熱部設於更外周側的外周側加熱部，及設置在上述內周側加熱部與上述外周側加熱部之間的中間加熱部，而且上述內周側加熱部及上述外周側加熱部之中之至少一方的每單位面積之發熱量，係大於上述中間加熱部的每單位面積之發熱量；在加熱上述處理液的工程中，上述蓋體之上述側壁部係配置於上述基板之外周側；對上述處理液進行加熱的工程係具有：第1加熱工程，將供給有上述處理液的上述基板與上述加熱部之間隔設為第1間隔而對上述處理液進行加熱；及第2加熱工程，將上述間隔設為大於上述第1間隔的第2間隔而對上述處理液進行加熱。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板液處理方法，其中在上述第2加熱工程中，上述側壁部之下端的位置被置於較上述基板更低的位置。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之基板液處理方法，其中對上述處理液進行加熱的工程中由氣體供給部供給至上述蓋體周圍的氣體之供給量，係少於供給上述處理液的工程中上述氣體之供給量。
  15. 一種基板液處理方法，係對基板供給處理液而對上述基板進行液處理者，具備： 保持上述基板的工程；對上述基板的上面供給上述處理液的工程；藉由蓋體覆蓋該基板的工程，該蓋體具有：天井部，配置於被保持的上述基板之上方；側壁部，由上述天井部向下方延伸；及加熱部，設於上述天井部；及藉由上述加熱部加熱上述基板上之上述處理液的工程，上述加熱部係具有：內周側加熱部，較上述內周側加熱部設於更外周側的外周側加熱部，及設置在上述內周側加熱部與上述外周側加熱部之間的中間加熱部，而且上述內周側加熱部及上述外周側加熱部之中之至少一方的每單位面積之發熱量，係大於上述中間加熱部的每單位面積之發熱量；在加熱上述處理液的工程中，上述蓋體之上述側壁部係配置於上述基板之外周側；對上述處理液進行加熱的工程中由氣體供給部供給至上述蓋體周圍的氣體之供給量，係少於供給上述處理液的工程中上述氣體之供給量。
  16. 如申請專利範圍第12、13或15項之基板液處理方法，其中在對上述處理液進行加熱的工程中，上述側壁部之下端的位置被置於較上述基板更低的位置。
  17. 如申請專利範圍第12、13或15項之基板液處理方法， 其中在藉由上述蓋體覆蓋上述基板的工程之後，在對上述處理液進行加熱的工程之前，對上述蓋體的內側供給惰性氣體。
  18. 如申請專利範圍第12、13或15項之基板液處理方法，其中於上述天井部設置有：噴嘴，用於對上述基板供給上述處理液；供給上述處理液的工程，係在覆蓋上述基板的工程之後被進行。
  19. 如申請專利範圍第12、13或15項之基板液處理方法，其中上述處理液係鍍敷液。
  20. 一種記錄媒體，係記錄有程式者，該程式在被控制基板液處理裝置之動作的電腦執行時，係使上述電腦控制上述基板液處理裝置而執行如申請專利範圍第12至18項中任一項之基板液處理方法者。
TW106120389A 2016-07-01 2017-06-19 基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體 TWI780051B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016131810A JP6736386B2 (ja) 2016-07-01 2016-07-01 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP2016-131810 2016-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201812095A TW201812095A (zh) 2018-04-01
TWI780051B true TWI780051B (zh) 2022-10-11

Family

ID=60806129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106120389A TWI780051B (zh) 2016-07-01 2017-06-19 基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10584420B2 (zh)
JP (1) JP6736386B2 (zh)
KR (1) KR102364189B1 (zh)
TW (1) TWI780051B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200094760A (ko) 2017-12-01 2020-08-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액 처리 장치
TWI823970B (zh) * 2018-07-31 2023-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
TWI822821B (zh) * 2018-08-06 2023-11-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
WO2020100804A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
TWI820263B (zh) * 2018-12-14 2023-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
CN113227453B (zh) * 2018-12-28 2024-04-16 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置和基板液处理方法
US20220154342A1 (en) 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2020255739A1 (ja) 2019-06-17 2020-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
TW202121520A (zh) * 2019-08-27 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理方法、基板液處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體
TW202129072A (zh) 2019-10-02 2021-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
KR20220091512A (ko) 2019-10-30 2022-06-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액 처리 방법 및 기판 액 처리 장치
KR20220136385A (ko) 2020-02-03 2022-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7350153B2 (ja) * 2020-03-04 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW202244320A (zh) 2021-01-19 2022-11-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201523725A (zh) * 2013-09-30 2015-06-16 Shibaura Mechatronics Corp 基板處理裝置及基板處理方法
US20160093503A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592581A (en) * 1993-07-19 1997-01-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus
JP3250090B2 (ja) * 1995-06-27 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
US6771895B2 (en) * 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
JP3837026B2 (ja) * 2001-01-23 2006-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2002246305A (ja) * 2001-02-21 2002-08-30 Ibiden Co Ltd ホットプレートユニット
JP3495033B1 (ja) 2002-09-19 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法
US20050217799A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Wafer heater assembly
KR20070058310A (ko) * 2005-12-02 2007-06-08 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 무전해 도금 장치 및 무전해 도금 방법
US8294068B2 (en) * 2008-09-10 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing lamphead with improved cooling

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201523725A (zh) * 2013-09-30 2015-06-16 Shibaura Mechatronics Corp 基板處理裝置及基板處理方法
US20160093503A1 (en) * 2014-09-29 2016-03-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018003097A (ja) 2018-01-11
KR20180004002A (ko) 2018-01-10
KR102364189B1 (ko) 2022-02-17
US20180002811A1 (en) 2018-01-04
US10584420B2 (en) 2020-03-10
JP6736386B2 (ja) 2020-08-05
TW201812095A (zh) 2018-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI780051B (zh) 基板液處理裝置、基板液處理方法及記錄媒體
JP5466261B2 (ja) 無電解めっき装置、無電解めっき方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2023169215A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US11795546B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
JP7221414B2 (ja) 基板液処理方法および基板液処理装置
WO2019116939A1 (ja) 基板液処理装置
WO2019107330A1 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記録媒体
JP7267470B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI823970B (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP7326461B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
US11441225B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
TWI831895B (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
US20220251709A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2020100804A1 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
US20220049356A1 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
WO2020241295A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202121520A (zh) 基板液處理方法、基板液處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent