TWI822821B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
[課題]提供提升被形成在基板之鍍敷之膜厚之均勻性的技術。
[解決手段]實施型態的基板處理裝置具備基板保持部、塗佈部、鍍敷液供給部。基板保持部保持基板。塗佈部係在被保持於基板保持部之基板之下面的周緣塗佈比起基板比熱更小的塗佈液。鍍敷液供給部係對塗佈有塗佈液之基板之上面供給鍍敷液。
Description
本揭示係關於基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1揭示對基板供給鍍敷液，進行鍍敷處理的基板處理裝置。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-3097號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示係提供提升被形成在基板之鍍敷之膜厚之均勻性的技術。
[用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣所得之基板處理裝置具備基板保持部、塗佈部和鍍敷液供給部。基板保持部保持基板。塗佈部係在被保持於基板保持部之基板之下面的周緣塗佈較基板比熱更小的塗佈液。鍍敷液供給部係對塗佈有塗佈液之基板之上面供給鍍敷液。
[發明之效果]
若藉由本揭示，則可以提升被形成在基板之鍍敷之膜厚的均勻性。
以下，參照附件圖面，詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法之實施型態。另外，藉由以下所示之實施型態所揭示的基板處理裝置及基板處理方法並非被限定者。
＜全體構成＞
圖1為表示實施型態所涉及之基板處理裝置之概略構成的圖。在以下中，為了使位置關係明確，規定互相正交之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向視為垂直向上方向。再者，將X軸方向設為左右方向。
如圖1所示般，基板處理裝置1具備搬入搬出站2和處理站3。搬入搬出站2和處理站3被鄰接設置。
搬入搬出站2具備載體載置部11和搬運部12。在載體載置部11被載置在水平狀態下收容複數片之基板，在本實施型態中為半導體晶圓(以下，稱為晶圓W)之複數載體C。
搬運部12係與載體載置部11鄰接而被設置，在內部具備基板搬運裝置13和收授部14。基板搬運裝置13具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置13可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在載體C和收授部14之間進行晶圓W之搬運。
處理站3係與搬運部12鄰接而被設置。處理站3具備搬運部15和複數之處理單元16。複數之處理單元16在Y軸方向被並列設置在搬運部15之兩側。
搬運部15在內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置17可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在收授部14和處理單元16之間進行晶圓W之搬運。
處理單元16係對藉由基板搬運裝置17被搬運之晶圓W進行特定之晶圓處理。
再者，基板處理裝置1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和記憶部19。在記憶部19儲存控制在基板處理裝置1中被實行之各種處理的程式。控制部18係藉由讀出並實行被記憶於記憶部19之程式，控制基板處理裝置1之動作。
並且，如此之程式係被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在構成上述般之基板處理裝置1中，首先搬入搬出站2之基板搬運裝置13從被載置在載體載置部11之載體C取出晶圓W，將取出的晶圓W載置在收授部14。被載置在收授部14之晶圓W藉由處理站3之基板搬運裝置17從收授部14被取出，而被搬入至處理單元16。
被搬入至處理單元16之晶圓W藉由處理單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，被載置在收授部14。而且，被載置在收授部14之處理完的晶圓W藉由基板搬運裝置13返回至載體載置部11之載體C。
＜處理單元之構成＞
接著，針對處理單元16之構成，參照圖2予以說明。圖2為表示實施型態所涉及之處理單元16之構成的圖。處理單元16係對晶圓W進行鍍敷處理之單元。具體而言，處理單元16係對晶圓W進行無電解鍍敷處理之單元。
處理單元16具備腔室20、基板保持部21、鍍敷液供給部22、洗淨液供給部23、沖洗液供給部24、塗層劑供給部25、除去液供給部26、加熱部27和回收杯28。
腔室20收容基板保持部21、加熱部27或回收杯28等。在腔室20之頂棚部設置有FFU(Fan Filter Unit) 20a。FFU20a在腔室20內形成向下流。
基板保持部21保持晶圓W(基板之一例)。具體而言，支持藉由基板搬運裝置17(參照圖1)被搬入之晶圓W之下面，水平地保持晶圓W。基板保持部21係真空吸附於晶圓W之下面的真空夾具型。基板保持部21吸附晶圓W之中央附近。
基板保持部21係經由旋轉軸桿(無圖示)而被安裝於旋轉馬達(無圖示)。旋轉馬達被驅動，以旋轉馬達產生的旋轉經由旋轉軸桿被傳達至基板保持部21，藉此基板保持部21旋轉。藉由在基板保持部21保持晶圓W之狀態下旋轉，晶圓W與基板保持部21同時旋轉。基板保持部21，即是晶圓W之旋轉速度藉由調整旋轉馬達之旋轉速度而被調整。
另外，在以下中，有使用以基板保持部21之旋轉軸為中心之旋轉座標系統而進行說明的情形。例如，有規定以基板保持部21之旋轉軸為中心之徑向，進行說明之情形。
再者，基板保持部21係藉由馬達、汽缸等之移動機構(無圖示)，能夠沿著上下方向移動。具體而言，基板保持部21係沿著上下方向在收授位置和處理位置之間移動。收授位置係較回收杯28更上方之位置，為進行基板搬運裝置17和晶圓W之收授的位置。處理位置係較收授位置更下方，對藉由基板保持部21被保持的晶圓W進行鍍敷處理等之位置。
鍍敷液供給部22具備鍍敷液供給噴嘴22a，和鍍敷液供給源22b。鍍敷液供給噴嘴22a被保持於噴嘴臂30。噴嘴臂30能沿著左右方向(X軸方向)及上下方向(Z軸方向)移動。
噴嘴臂30係藉由馬達或汽缸等之移動機構(無圖示)，沿著左右方向及上下方向移動。噴嘴臂30係沿著左右方向在第1退避位置和第1上升位置之間移動。第1退避位置係噴嘴臂30較回收杯28成為更靠徑向外側的位置，且不妨礙加熱部27朝上下方向移動的位置。第1上升位置係成為被保持於基板保持部21之晶圓W之上方的位置，從第1退避位置沿著X軸方向移動的位置。
再者，噴嘴臂30係沿著上下方向在第1上升位置和第1下降位置之間移動。第1下降位置係較第1上升位置更下方，成為較藉由基板保持部21被保持的晶圓W更上方的位置。
鍍敷液供給噴嘴22a係經由鍍敷液供給管線22c而被連接於鍍敷液供給源22b。鍍敷液供給噴嘴22a係從鍍敷液供給源22b供給被加熱成特定溫度的鍍敷液，對晶圓W吐出鍍敷液。藉此，在晶圓W之上面盛裝鍍敷液。
鍍敷液為無電解鍍敷用之鍍敷液。鍍敷液含有例如鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子等之金屬離子和次磷酸、二甲基胺硼烷等之還原劑。鍍敷液即使含有添加劑等亦可。作為藉由使用鍍敷液之鍍敷處理所產生的鍍敷膜，可舉出例如CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。
鍍敷液供給部22係藉由塗層劑供給部25而在形成有塗層劑之薄膜之晶圓W之上面盛裝鍍敷液。即是，鍍敷液供給部22係對塗佈有塗層劑(塗佈液之一例)的晶圓W(基板之一例)的上面供給鍍敷液。
洗淨液供給部23具備洗淨液供給噴嘴23a和洗淨液供給源23b。洗淨液供給噴嘴23a被保持於噴嘴臂30。
洗淨液供給噴嘴23a係經由洗淨液供給管線23c而被連接於洗淨液供給源23b。洗淨液供給噴嘴23a係從洗淨液供給源23b供給洗淨液，對晶圓W吐出洗淨液。洗淨液係例如甲酸、蘋果酸、琥珀酸、檸檬酸等之有機酸，或被稀釋成不使晶圓W之被鍍敷面腐蝕之程度之濃度的氟化氫(DHF)等。
沖洗液供給部24具備沖洗液供給噴嘴24a，和沖洗液供給源24b。沖洗液供給噴嘴24a被保持於噴嘴臂30。
沖洗液供給噴嘴24a係經由沖洗液供給管線24c而被連接於沖洗液供給源24b。沖洗液供給噴嘴24a係從沖洗液供給源24b供給沖洗液，對晶圓W吐出沖洗液。沖洗液例如為純水。
塗層劑供給部25具備塗層劑供給噴嘴25a，和塗層劑供給源25b。
塗層劑供給噴嘴25a係從腔室20之底部朝向上方延伸設置。塗層劑供給噴嘴25a係被設置在較晶圓W之周緣更靠徑向內側。塗層劑供給噴嘴25a係經由塗層劑供給管線25c而被連接於塗層劑供給源25b。塗層劑供給噴嘴25a係朝向晶圓W之下面吐出塗層劑，在晶圓W之下面之周緣及晶圓W之周側面塗佈塗層劑。
塗層劑(塗佈液之一例)係較晶圓W比熱更小的溶劑，相對於鍍敷液親和性低，相對於鍍敷液具有疏水性的溶劑。塗層劑例如有機溶劑、光阻或上塗層等。另外，塗層劑即使為鐵氟龍(註冊商標)等之氟系的溶劑。
如此一來，塗層劑供給部25(塗佈部之一例)係在被保持於基板保持部21之晶圓W(基板之一例)之下面之周緣塗佈較晶圓W比熱更小的塗層劑(塗佈液之一例)。再者，塗層劑供給部25(塗佈部之一例)係在晶圓W(基板之一例)之周側面塗佈塗層劑(塗佈液之一例)。
藉此，在晶圓W之下面之周緣，及晶圓W之周側面形成塗層劑之薄膜。塗層劑之薄膜係環狀地形成在徑向外側之晶圓W之下面。再者，塗層劑之薄膜被形成在晶圓W之周側面之全周。即是，在晶圓W上於上下方向之剖面形成成為L字狀之塗層劑之薄膜。
除去液供給部26具備除去液供給噴嘴26a和除去液供給源26b。
除去液供給噴嘴26a係從腔室20之底部朝向上方延伸設置。除去液供給噴嘴26a係被設置在較晶圓W之周緣更靠徑向內側。另外，在圖2中，雖然除去液供給噴嘴26a在X軸方向與塗層劑供給噴嘴25a並列設置，但是不限定於此。即使除去液供給噴嘴26a相對於基板保持部21之旋轉軸，在周方向，即是晶圓W之旋轉方向並列設置亦可。
除去液供給噴嘴26a係經由除去液供給管線26c而被連接於除去液供給源26b。除去液供給噴嘴26a係朝向晶圓W之下面吐出除去液。除去液係因應塗層劑而決定所使用的溶劑之種類，使塗層劑剝離之溶劑。例如，在使用光阻作為塗層劑之情況，除去液為稀釋劑等之有機溶劑。
如此這般，除去液供給部26係對塗佈有塗層劑(塗佈液之一例)的晶圓W(基板之一例)供給除去塗層劑之除去液。藉此，除去液供給部26除去被形成在晶圓W之下面之周緣，及晶圓W之周側面的塗層劑之薄膜。
另外，鍍敷液供給管線22c或塗層劑供給管線25c等設置有調整鍍敷液或調整塗層劑之吐出量之流量調整閥(無圖示)等。
加熱部27係板狀，被形成圓形狀。加熱部27在內部具備加熱器27a。加熱部27係從上面側加熱供給鍍敷液之晶圓W(基板之一例)。加熱部27係加熱被盛裝在晶圓W之鍍敷液，在晶圓W之上面形成鍍敷膜。加熱部27之直徑大於晶圓W之直徑。再者，加熱部27之直徑小於回收杯28之開口徑。
加熱部27係經由機械臂31被安裝於支持部32。機械臂31係藉由馬達、汽缸等之移動機構(無圖示)，能夠以支持部32為中心轉動，再者能沿著上下方向移動。
例如，若以轉動馬達(無圖示)產生的旋轉被傳達至機械臂31，則加熱部27與機械臂31同時轉動。加熱部27係在第2退避位置和第2上升位置之間轉動。第2退避位置係較回收杯28成為更靠徑向外側的位置，且成為能在基板搬運裝置17(參照圖1)和基板保持部21之間進行晶圓W之收授的位置。第2上升位置係覆蓋晶圓W之上方的位置，例如加熱部27與基板保持部21成為略同軸上的位置。在圖2中，以實線表示位於第2上升位置之加熱部27及機械臂31。
再者，加熱部27係沿著上下方向在第2上方位置和加熱位置之間移動。加熱位置係較第2上方位置更下方，不與被盛裝於晶圓W之鍍敷液接觸的位置。加熱位置係加熱盛裝鍍敷液之晶圓W的位置。在圖2中，以虛線表示位於加熱位置之加熱部27及機械臂31。
回收杯28係被設置在較基板保持部21更靠徑向外側，被設置在基板保持部21之周圍。回收杯28係承接從晶圓W飛散的液體，例如鍍敷液。藉由回收杯28被回收的液體經由排液管線28a被排出至外部。另外，排液管線28a具有複數路徑，因應回收之液體而切換路徑。回收杯28係以加熱部27或保持有晶圓W之基板保持部21成為可沿著上下方向移動之方式，上方開口。
＜晶圓處理順序＞
接著，針對實施型態所涉及之晶圓處理，參照圖3予以說明。圖3為實施型態所涉及之晶圓處理的流程圖。
基板處理裝置1進行洗淨處理(S10)。具體而言，基板處理裝置1係晶圓W被搬入至腔室20，以基板保持部21保持晶圓W，並使移動至處理位置。再者，基板處理裝置1係使噴嘴臂30從退避位置移動至下降位置。而且，基板處理裝置1係旋轉基板保持部21，邊使晶圓W旋轉，邊從洗淨液供給噴嘴23a吐出洗淨液，進行晶圓W之洗淨。
基板處理裝置1進行塗層處理(S11)。具體而言，基板處理裝置1係邊使晶圓W旋轉，邊從塗層劑供給噴嘴25a朝向晶圓W之下面之周緣吐出並塗佈塗層劑。而且，基板處理裝置1係停止塗層劑之吐出，藉由使晶圓W旋轉，使塗層劑乾燥。藉此，如圖4A所示般，在晶圓W之下面之周緣，及晶圓W之側周面形成塗層劑之薄膜m。在晶圓W於上下方向之剖面形成成為L字狀之塗層劑之薄膜m。圖4A為表示藉由實施型態所涉及之塗層處理形成有塗層劑之薄膜m之狀態的概略圖。再者，在圖4A等，為了說明，對塗層劑之薄膜標示符號「m」。
基板處理裝置1進行鍍敷處理(S12)。具體而言，基板處理裝置1係邊使晶圓W旋轉，邊從鍍敷液供給噴嘴22a供給鍍敷液。藉此，如圖4B所示般，在晶圓W之上面盛裝鍍敷液L。圖4B係在實施型態所涉及之鍍敷處理中，表示盛裝鍍敷液L之狀態的概略圖。另外，在圖4B等中，為了說明，對被盛裝在晶圓W之鍍敷液標示符號「L」。
在晶圓W之側周面，形成疏水性之塗層劑之薄膜m。如此這般，在晶圓W之外周端，即是徑向外側之端部，鍍敷液L之表面張力變大，在晶圓W之外周端側的鍍敷液L之盛裝量變多。
基板處理裝置1係於在晶圓W盛裝鍍敷液L之後，如圖4C所示般，使加熱部27下降至加熱位置，加熱鍍敷液L。圖4C為表示在實施型態所涉及之鍍敷處理中，加熱鍍敷液L之狀態的圖。
在晶圓W之下面之周緣，及晶圓W之側周面，形成較晶圓W比熱更小的塗層劑之薄膜m。如此這般，基板處理裝置1可以抑制在晶圓W之外周端側的散熱，可以抑制晶圓W之外周端側之溫度下降。再者，基板處理裝置1可以藉由增加在晶圓W之外周端側的鍍敷液L之盛裝量，抑制在晶圓W之外周端側之鍍敷液L之溫度下降。如此這般，基板處理裝置1可以抑制在晶圓W之外周端側的溫度下降，可以提升晶圓W之溫度的均勻性。
基板處理裝置1係藉由加熱部27加熱鍍敷液L，如圖4D所示般，在晶圓W之上面形成鍍敷膜M。圖4D係在實施型態所涉及之鍍敷處理中，表示形成有鍍敷膜M之狀態的概略圖。另外，在圖4D等中，為了說明，對被形成在晶圓W之上面的鍍敷膜標示符號「M」。
基板處理裝置1增加在晶圓W之外周端側的鍍敷液L之盛裝量，抑制在晶圓W之外周端側之溫度下降。藉此，基板處理裝置1可以抑制在晶圓W之外周端側的鍍敷膜M之厚度變薄之情形，使鍍敷膜M之厚度成為均勻。即是，基板處理裝置1可以提升鍍敷之膜厚的均勻性。
基板處理裝置1進行除去處理(S13)。具體而言，基板處理裝置1係如圖4E所示般，邊使晶圓W旋轉，邊從除去液供給噴嘴26a朝向晶圓W之下面吐出除去液。圖4E為表示實施型態所涉及之除去處理中，除去塗層劑之薄膜m之狀態的圖。藉此，基板處理裝置1係剝離並除去被形成在晶圓W之塗層劑之薄膜m。另外，基板處理裝置1係藉由除去塗層劑之薄膜m，例如在鍍敷液L附著於晶圓W之側周面之情況，可以與塗層劑之薄膜m同時除去附著於晶圓W之側周面的鍍敷液L。
基板處理裝置1進行沖洗處理(S14)。具體而言，基板處理裝置1係邊使晶圓W旋轉，邊從沖洗液供給噴嘴24a吐出沖洗液，藉由沖洗液洗淨晶圓W。
＜效果＞
於在晶圓W不形成上述塗層劑之薄膜m之比較例所涉及之基板處理裝置中，在晶圓W之外周端，鍍敷液L之表面張力變小。如此這般，比較例所涉及之基板處理裝置如圖5A所示般，在晶圓W之外周端側的鍍敷液之盛裝量變少。圖5A為表示在比較例所涉及之基板處理裝置中，盛裝有鍍敷液之狀態的圖。再者，在比較例所涉及之基板處理裝置中，在晶圓W之外周端側的散熱量變大，晶圓W之外周端側之溫度變低。
如此這般，比較例所涉及之基板處理裝置係若加熱被盛裝在晶圓W之鍍敷液L，則如圖5B所示般，晶圓W之外周端側之鍍敷膜M之厚度較其他處，例如晶圓W之中央附近之鍍敷膜M之厚度變更薄。如此這般，在比較例所涉及之基板處理裝置中，無法使被形成在晶圓W之鍍敷膜M之厚度成為均勻。圖5B為表示在比較例所涉及之基板處理裝置中，形成有鍍敷膜M之狀態的圖。
對此，實施型態所涉及之基板處理裝置1具備基板保持部21、塗層劑供給部25(塗佈部之一例)，和鍍敷液供給部22。基板保持部21保持晶圓W(基板之一例)。塗層劑供給部25係在被保持於基板保持部21之晶圓W之下面之周緣塗佈較晶圓W比熱更小的塗層劑(塗佈液之一例)。鍍敷液供給部22係對塗佈有塗層劑之晶圓W之上面供給鍍敷液L。
若，換言之，則基板處理裝置1，作為基板處理方法，具有保持晶圓W(基板之一例)的工程，和在被保持之晶圓W之下面的周緣塗佈較晶圓W比熱更小的塗層液(塗佈液之一例)的工程，和對塗佈有塗層劑之晶圓W之上面供給鍍敷液L的工程。
藉此，基板處理裝置1可以抑制晶圓W之周緣，即是晶圓W之外周端側之溫度下降之情形，使晶圓W之溫度成為均勻。如此這般，基板處理裝置1可以使晶圓W之鍍敷膜之厚度成為均勻。即是，基板處理裝置1可以提升鍍敷之膜厚的均勻性。
塗層劑供給部25(塗佈部之一例)係在晶圓W(基板之一例)之周側面塗佈塗層劑(塗佈液之一例)。
藉此，基板處理裝置1可以抑制晶圓W之外周端側之溫度下降之情形，使晶圓W之溫度成為均勻。如此這般，基板處理裝置1可以提升鍍敷之膜厚的均勻性。
塗層劑(塗佈液之一例)相對於鍍敷液具有疏水性。藉此，基板處理裝置1可以增大在晶圓W之外周端的表面張力，增加在晶圓W之外周端側的鍍敷液之盛裝量，並可以提升鍍敷之膜厚之均勻性。
基板處理裝置1具備除去液供給部26，其係對塗佈有塗層劑(塗佈液之一例)的晶圓W(基板之一例)供給除去塗層劑之除去液。
藉此，基板處理裝置1可以從晶圓W除去塗層劑之薄膜。再者，基板處理裝置1係在例如鍍敷液附著於晶圓W之側周面之情況，可以與塗層劑之薄膜同時除去附著於晶圓W之側周面的鍍敷液。
塗層劑(塗佈液之一例)為光阻，除去液為有機溶劑。藉此，基板處理裝置1係可以邊抑制晶圓W之外周端側之溫度下降，邊從晶圓W除去塗層劑。
基板處理裝置1具備從上面側加熱供給鍍敷液之晶圓W(基板之一例)的加熱部27。藉此，基板處理裝置1係使被盛裝在晶圓W之鍍敷液乾燥，可以在晶圓W之上面形成鍍敷膜。
＜變形例＞
變形例所涉及之基板處理裝置1即使使用水溶性抗蝕劑作為塗層劑(塗佈液之一例)亦可。在此情況，變形例所涉及的基板處理裝置1可以使用水作為除去液。藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1可以容易地剝離且除去塗層劑。
變形例所涉及之基板處理裝置1即使設置朝向晶圓W之周側面吐出並塗佈塗層劑之噴嘴亦可。藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1可以在晶圓W之周側面形成塗層劑之薄膜。
變形例所涉及之基板處理裝置1即使以其他處理單元16進行在晶圓W塗佈塗層劑之塗層處理亦可。再者，變形例所涉及之基板處理裝置1即使以其他處理單元16進行對晶圓W吐出除去液之除去處理亦可。即是，變形例所涉及之基板處理裝置1係在與鍍敷液供給部22相同之處理單元16(單元之一例)內設置塗層劑供給部25(塗佈部之一例)、除去液供給部26之至少一方。
藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1可以透過一個處理單元16進行較多的處理，例如可以邊以較多的處理單元16實行鍍敷處理，邊抑制基板處理裝置1之大型化。
再者，變形例所涉及之基板處理裝置1即使以分別不同的處理單元16進行塗層處理、鍍敷處理、除去處理亦可。即是，變形例所涉及之基板處理裝置1係在分別不同的處理單元16(單元之一例)內設置鍍敷液供給部22、塗層劑供給部25(塗佈部之一例)及除去液供給部26。
藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1係可以藉由不同的處理單元16進行各處理，簡化各處理單元16之構成。另外，變形例所涉及之基板處理裝置1係以不抵接於基板搬運裝置17之方式，在晶圓W之下面之周緣形成塗層劑之薄膜。藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1係可以在搬運形成有塗層劑之薄膜之晶圓W的情況，防止塗層劑附著於基板搬運裝置17之情形。
再者，變形例所涉及之基板處理裝置1即使使回收杯28朝上下方向移動，在基板搬運裝置17和基板保持部21之間對晶圓W進行收授亦可。變形例所涉及之基板處理裝置1中，塗層劑供給噴嘴25a及除去液供給噴嘴26a被設置成在基板搬運裝置17被插入至腔室20內之情況，不與基板搬運裝置17接觸。具體而言，塗層劑供給噴嘴25a及除去液供給噴嘴26a係被設置在較被插入至腔室20內之基板搬運裝置17更靠徑向外側。
藉此，變形例所涉及之基板處理裝置1可以對晶圓W之下面之周緣吐出塗層劑及除去液。
另外，應理解成此次揭示的實施型態係所有的點皆為例示，並非限制性者。實際上，上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者，上述實施型態可不脫離附件的申請專利範圍及其主旨地以各種型態進行省略、替換或變更。
1:基板處理裝置
16:處理單元
20:腔室
21:基板保持部
22:鍍敷液供給部
25:塗層劑供給部(塗佈部)
26:除去液供給部
27:加熱部
W:晶圓(基板)
[圖1]為表示實施型態所涉及之基板處理裝置之概略構成之圖。
[圖2]為表示實施型態所涉及之處理單元之概略構成之圖。
[圖3]為說明實施型態所涉及之晶圓處理的流程圖。
[圖4A]為表示藉由實施型態所涉及之塗層處理形成有塗層劑之薄膜之狀態的概略圖。
[圖4B]為表示在實施型態所涉及之鍍敷處理中，盛裝有鍍敷液之狀態的概略圖。
[圖4C]為表示在實施型態所涉及之鍍敷處理中，加熱鍍敷液之狀態的圖。
[圖4D]為表示在實施型態所涉及之鍍敷處理中，形成有鍍敷膜之狀態的概略圖。
[圖4E]為表示在實施型態所涉及之除去處理中，除去塗層劑之薄膜之狀態的圖。
[圖5A]為表示在比較例所涉及之基板處理裝置中，盛裝有鍍敷液之狀態的圖。
[圖5B]為表示在比較例所涉及之基板處理裝置中，形成有鍍敷膜之狀態的圖。
16:處理單元
20:腔室
20a:FFU
21:基板保持部
22:鍍敷液供給部
22a:鍍敷液供給噴嘴
22b:鍍敷液供給源
22c:鍍敷液供給管線
23:洗淨液供給部
23a:洗淨液供給噴嘴
23b:洗淨液供給源
23c:洗淨液供給管線
24:沖洗液供給部
24a:沖洗液供給噴嘴
24b:沖洗液供給源
24c:沖洗液供給管線
25:塗層劑供給部(塗佈部)
25a:塗層劑供給噴嘴
25b:塗層劑供給源
25c:塗層劑供給管線
26:除去液供給部
26a:除去液供給噴嘴
26b:除去液供給源
26c:除去液供給管線
27:加熱部
27a:加熱器
28:回收杯
28a:排液管線
30:噴嘴臂
31:機械臂
32:支持部
W:晶圓(基板)
Claims (7)
- 一種基板處理裝置，具備：基板保持部，其係保持基板；塗佈部，其係在被保持於上述基板保持部之上述基板之下面的周緣塗佈較上述基板比熱更小的塗佈液；鍍敷液供給部，其係對塗佈有上述塗佈液之上述基板之上面供給鍍敷液；及除去液供給部，其係對塗佈有上述塗佈液之上述基板供給除去上述塗佈液之除去液，上述塗佈部、上述除去液供給部之至少一方係被設置在與上述鍍敷液供給部相同的單元內。
- 如請求項1記載之基板處理裝置，其中上述塗佈部係在上述基板之周側面塗佈上述塗佈液。
- 如請求項2記載之基板處理裝置，其中上述塗佈液相對於上述鍍敷液具有疏水性。
- 如請求項1~3中之任一項記載之基板處理裝置，其中上述塗佈液為光阻，上述除去液為有機溶劑。
- 如請求項1~3中之任一項記載之基板處理裝置，其中 上述塗佈液為水溶性抗蝕劑，上述除去液為水。
- 如請求項1~3中之任一項記載之基板處理裝置，其中具備加熱部，其係從上面側加熱供給有上述鍍敷液的上述基板。
- 一種基板處理方法，具有：保持基板之工程；在被保持的上述基板之下面的周緣塗佈較上述基板比熱更小的塗佈液之工程；對塗佈有上述塗佈液之上述基板之上面供給鍍敷液之工程；及對塗佈有上述塗佈液之上述基板供給除去上述塗佈液之除去液之工程，塗佈上述塗佈液之工程，及供給上述除去液之工程之至少一方係在與供給上述鍍敷液之工程相同的單元內進行。
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