TW201339362A - 鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供可以有效率而且均一地加熱基板，同時防止在排出的鍍層液混入溫度調節水等，可以使鍍層液容易地再利用之鍍層處理裝置。本發明之解決手段為鍍層處理裝置(20)，具備：保持基板(W)使其旋轉的基板保持機構(110)，朝向被保持於基板保持機構(110)的基板(W)吐出鍍層液(35)之吐出機構(21)，以及使比熱容量比空氣還高的氣體所構成的高溫加熱用氣體(G)朝向被保持於基板保持機構(110)的基板(W)送出之氣體送出機構(190)。氣體送出機構(190)，係以與基板(W)的中心區域A1相比朝向基板(W)的周緣區域A2送出更多的加熱用氣體(G)的方式構成的。

Description

鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體
本發明係關於對基板的表面供給鍍層液進行鍍層處理之鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體。
一般而言，於半導體晶圓或液晶基板等基板，在表面被施以供形成電路之配線。此配線，替代鋁素材，而開始利用電阻低而可信賴性高的銅素材所構成者。然而，銅與鋁相比容易氧化，所以為了防止銅配線表面的氧化，期待著藉由具有高電子遷移耐性之金屬來進行鍍層處理。
鍍層處理，例如藉由對被形成銅配線的基板表面供給無電解鍍層液來進行。例如於專利文獻1，提出了具備可旋轉地保持基板的基板保持機構，以及對旋轉中的基板上吐出鍍層液的噴嘴之鍍層處理裝置。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利特開2009-249679號公報
然而，於鍍層處理中有必要進行基板的溫度控制。如此般進行基板的溫度控制的場合，除了對基板供給加熱至高溫的鍍層液以外，還進行對基板的背面供給背面溫度調 節水來進行加熱。然而，使用背面溫度調節水的場合，會在鍍層處理中及鍍層處理後產生的廢液中，混雜鍍層液與背面溫度調節水雙方。一般而言，鍍層液很昂貴，所以期待著由廢液中分離出鍍層液再利用。然而，於廢液中混雜著鍍層液與背面溫度調節水雙方的話，要由廢液分離出鍍層液，而再利用鍍層液是非常困難的。
此外，如記載於專利文獻1的鍍層處理裝置那樣對旋轉中的基板上供給鍍層液的場合，鍍層液會藉由離心力而由基板的中心側往周緣側流。在此場合，基板上的鍍層液的溫度，應該會朝向基板的周緣側而逐漸變低。因此，鍍層液的反應條件，應該會隨著基板上的位置不同而有所不同。
本發明是考慮到這一點而完成之發明，提供可以有效率而且均一地加熱基板，同時防止在排出的鍍層液中混入溫度調節水等，使得容易地再利用鍍層液成為可能之鍍層處理裝置、鍍層處理方法及記憶媒體。
根據本發明之一實施型態之鍍層處理裝置，係對基板供給鍍層液進行鍍層處理的鍍層處理裝置，特徵為具備：保持前述基板使其旋轉之基板保持機構，向被保持於前述基板保持機構的前述基板吐出前述鍍層液之吐出機構，使由比空氣的比熱容量更高的氣體所構成的高溫之加熱用氣體向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送 出機構；前述氣體送出機構，以與前述基板的中心區域相比朝向前述基板的周緣區域送出更多的前述加熱用氣體的方式構成。
根據本發明之一實施型態之鍍層處理方法，係對基板供給鍍層液進行鍍層處理之鍍層處理方法，特徵為具備：藉由基板保持機構保持前述基板的保持步驟，使前述基板旋轉的步驟，以及朝向前述基板由吐出機構吐出前述鍍層液的鍍層步驟；前述鍍層步驟，包含使比熱容量比空氣還高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體朝向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送出步驟；於前述氣體送出步驟，前述加熱用氣體，與前述基板的中心區域相比，朝向前述基板的周緣區域送出更多。
根據本發明之一實施型態之記憶媒體，係於鍍層處理裝置收容執行鍍層處理方法之用的電腦程式之記憶媒體，特徵為：前述鍍層處理方法，具備：藉由基板保持機構保持前述基板的保持步驟，使前述基板旋轉的步驟，以及朝向前述基板由吐出機構吐出前述鍍層液的鍍層步驟；前述鍍層步驟，包含使比熱容量比空氣還高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體朝向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送出步驟；於前述氣體送出步驟，前述加熱用氣體，與前述基板的中心區域相比，朝向前述基板的周緣區域送出更多的方法所構成。
根據本發明，可以使比熱容量較空氣更高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體，朝向被保持於基板保持機構的基板送出。因此，可以有效率地加熱基板，同時防止排出的鍍層液內混入溫度調節水等，可以容易地再利用鍍層液。此外，加熱用氣體，朝向基板的周緣區域送出地比基板的中心區域還要多。因此，比起基板的中心區域可以更加重點地加熱基板的周緣區域。亦即，於基板的周緣區域可以抑制鍍層液的熱為基板或周邊氛圍所奪走，藉此，可以抑制在基板周緣區域之鍍層液的溫度，與基板中心區域之鍍層液的溫度之間產生溫度差。
以下，參照圖1至圖5說明本發明之一實施型態。首先，藉由圖1說明本實施型態之鍍層處理系統90的全體構成。
鍍層處理系統
如圖1所示，鍍層處理系統90，包含載置收容複數枚(例如25枚)基板W(在此為半導體晶圓)的托架91，每次以特定枚數把基板W搬進及搬出之用的基板搬出搬入室92，以及進行基板W的鍍層處理或洗淨處理等各種處理之用的基板處理室93。基板搬出搬入室92與基板處理室93係相互鄰接設置的。
(基板搬出搬入室)
基板搬出搬入室92，具有托架載置部94、收容搬送裝置95的搬送室96、以及收容基板遞送台97之基板遞送室98。於基板搬出搬入室92，搬送室96與基板遞送室98中介著遞送口99連通連結。托架載置部94，載置複數個以水平狀態收容複數基板W的托架91。在搬送室96，進行基板W的搬送，在基板遞送室98，在與基板處理室93之間進行基板W的遞送。
於這樣的基板搬出搬入室92，在被載置於托架載置部94的任一個托架91與基板遞送台97之間，藉由搬送裝置95以每次特定枚數的方式搬送基板W。
(基板處理室)
此外，基板處理室93，於中央部，具有延伸於前後(圖1之左右)的基板搬送單元87、於基板搬送單元87的一方側及另一方側前後排列配置，對基板W供給鍍層液進行鍍層處理之複數的鍍層處理裝置20。
其中基板搬送單元87，包含構成為可移動於前後方向之基板搬送裝置88。此外基板搬送單元87，中介著基板搬出搬入口89連通於基板遞送室98的基板遞送台97。
於這樣的基板處理室93，對各鍍層處理裝置20，藉由基板搬送單元87之基板搬送裝置88，以保持於水平的狀態一次一枚地搬送基板W。接著，於各鍍層處理裝置20，基板W一次一枚地進行洗淨處理及鍍層處理。
各鍍層處理裝置20，僅有使用的鍍層液等有所不同，其他各點係約略相同的構成。因此，在以下的說明，只針對複數鍍層處理裝置20之中的一個鍍層處理裝置20的構成進行說明。
鍍層處理裝置
其次，參照圖2A及圖3，說明鍍層處理裝置20。圖2A係顯示鍍層處理裝置20之側面圖，圖3係顯示鍍層處理裝置20的平面圖。
鍍層處理裝置20，如圖2A及圖3所示，具備在殼體101的內部保持基板W而使其旋轉的基板保持機構110、朝向被保持於基板保持機構110的基板W的表面吐出鍍層液的吐出機構21、以及被連接於吐出機構21，對吐出機構21供給鍍層液的鍍層液供給機構30。
其中，於基板保持機構110的周圍，被配置著排出由基板W飛散的鍍層液等之液體排出機構140。此外，於基板W的下方(基板W的背面側)，設有朝向被保持於基板保持機構110的基板W的背面，送出由比熱容量比空氣高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體G之氣體送出機構190。此外，於氣體送出機構190，被連接著加熱加熱用氣體G而供給至氣體送出機構190的氣體供給機構170。進而，設有控制基板保持機構110、吐出機構21、鍍層液供給機構30、液體排出機構140、氣體供給機構170以及氣體送出機構190之控制機構160。又，所謂「高溫之加熱 用氣體」意味著被加熱至可以防止吐出到基板W上的鍍層液的溫度降低的程度的溫度之加熱用氣體。例如，加熱用氣體的溫度，被設定於與吐出到基板W上的鍍層液的溫度幾乎相等的溫度，或是比鍍層液的溫度稍微高的溫度。
(基板保持機構)
基板保持機構110，如圖2A及圖3所示，具有：在殼體101內上下延伸的中空圓筒狀的旋轉軸構件111，及被安裝於旋轉軸構件111的上端部之轉盤112，及設於轉盤112的上面外周部，支撐基板W的晶圓夾盤113、以及被連結於旋轉軸構件111，旋轉驅動旋轉軸構件111的旋轉機構162。
其中，旋轉機構162，藉由控制機構160控制，使旋轉軸構件111旋轉驅動，藉此，使藉由晶圓夾盤113支撐的基板W旋轉。在此場合，控制機構160，藉由控制旋轉機構162，可以使旋轉軸構件111及晶圓夾盤113旋轉，或者使其停止。此外，控制機構160，以能夠使旋轉軸構件111及晶圓夾盤113的轉速上升、下降，或者維持於一定值的方式進行控制。
進而，在基板W的背面側且為旋轉夾盤112的上方，與基板W隔著間隙S配置著背板171。背板171，對向於被保持於晶圓夾盤113的基板W的背面，被配置於保持在晶圓夾盤113的基板W與旋轉夾盤112之間。背 板171，被連結固定於貫通旋轉軸構件111的軸心之軸172。又，背板171亦可內藏加熱器。進而，於軸172的下端部，被連結著空氣壓缸等升降機構179。亦即，背板171，係以藉由升降機構179及軸172，在以晶圓夾盤113保持的基板W與旋轉夾盤112之間升降的方式構成的。
於背板171之中，被形成連通於設在其表面的複數開口173之第1流路174，此第1流路174，與貫通軸172的軸心之流體供給路175連通。此流體供給路175，被連接著透過閥146對基板W的背面供給處理液的背面處理液供給機構145連接。
此外，背板171，具有設於其表面的開口(下側送出口)191，與被形成於背板171內部的第2流路192。其中，第2流路192，連通於下側送出口191，同時使軸172連通於貫通上下的氣體供給路193。此氣體供給路193，中介著閥188被連接於後述的氣體供給機構170。亦即，設於背板171的下側送出口191，具有藉由氣體供給機構170把被加熱的高溫的加熱用氣體G朝向基板W的背面供給的作用。這些下側送出口191、第2流路192以及氣體供給路193，作為朝向基板W的背面送出高溫的加熱用氣體G的前述的氣體送出機構190的構成要素而發揮功能。針對氣體送出機構190的詳細內容於稍後詳述。
(吐出機構)
其次，說明朝向基板W吐出鍍層液等的吐出機構 21。吐出機構21，包含朝向基板W吐出CoP鍍層液等化學還原型的鍍層液之第1吐出噴嘴45。化學還原型的鍍層液，由鍍層液供給機構30被供給至第1吐出噴嘴45。又，在圖2A僅顯示1個第1吐出噴嘴45，但除了此第1吐出噴嘴45以外，亦可設有朝向基板W吐出CoP鍍層液等的化學還原型鍍層液之其他吐出噴嘴(追加的吐出噴嘴)。
此外，吐出機構21，如圖2A所示，進而具有包含吐出口71及吐出口72的第2吐出噴嘴70亦可。如圖2A及圖3所示，第2吐出噴嘴70，被安裝於臂74的先端部，此臂74，可延伸於上下方向同時被固定於藉由旋轉機構165旋轉驅動的支撐軸73。
於第2吐出噴嘴70，吐出口71，中介著閥76a被連接於供給置換型的鍍層液，例如Pd鍍層液的鍍層液供給機構76。此外，吐出口72，中介著閥77a被連接於供給洗淨處理液的洗淨處理液供給機構77。藉由設置這樣的第2吐出噴嘴70，於一個鍍層處理裝置20內，可以實施不僅是根據化學還原型的鍍層液之鍍層處理，還可以實施根據置換型的鍍層液之鍍層處理，及洗淨處理。
此外，亦可如圖2A所示，中介著閥78a進而連接著對第2吐出噴嘴70的吐出口72，供給先於鍍層處理而實施的前處理之用的前處理液，例如純水等清洗處理液之清洗處理液供給機構78。在此場合，藉由適切地控制閥77a及閥78a的開閉，由第2吐出噴嘴70，選擇性地對基板W 吐出洗淨處理液或清洗處理液之任一。
其次，說明第1吐出噴嘴45。如圖2A及圖3所示，第1吐出噴嘴45包含吐出口46。此外，第1吐出噴嘴45，被安裝於臂49的先端部，此臂49，亦可於基板W的半徑方向(於圖2A及圖3係由箭頭D顯示的方向)進退自如地構成。在此場合，第1吐出噴嘴45，可以在接近於基板W的中心部的中心位置，與比中心位置更靠周緣側的周緣位置之間移動。
(鍍層液供給機構)
其次，說明對吐出機構21之第1吐出噴嘴45，供給CoP鍍層液等之化學還原型鍍層液的鍍層液供給機構30。圖4係顯示鍍層處理裝置20之鍍層液及加熱用氣體G的流動之概略圖。
如圖4所示，鍍層液供給機構30，具有貯留鍍層液35的鍍層液供給槽31，及把鍍層液供給槽31的鍍層液35往吐出機構21的第1吐出噴嘴45供給之供給管33。
此外，如圖4所示，於鍍層液供給槽31，被安裝著把鍍層液35加熱到貯留溫度的槽用加熱手段50。此外，槽用加熱手段50與第1吐出噴嘴45之間，被安裝著把朝向吐出機構21的第1吐出噴嘴45的鍍層液35加熱調溫到比貯留溫度更高溫的吐出溫度之加熱手段60。
於鍍層液供給槽31，由貯藏著鍍層液35的各種成分的複數藥液供給源(未圖示)來供給各種藥液。例如被供 給含Co離子的CoSO4金屬鹽、還原劑(例如次亞磷酸等)、氨以及添加劑等之藥液。此時，以被貯留於鍍層液供給槽31內的鍍層液35的成分被適切地調整之方式，調整各種藥液的流量。
此外，如圖4所示，加熱手段60，係把藉由槽用加熱手段50加熱至貯留溫度的鍍層液35，進而加熱至吐出溫度之用。此加熱手段60，具有把溫度調節水等傳熱媒體66加熱到吐出溫度或者比吐出溫度更高的溫度的溫度媒體供給手段61，及被安裝於供給管33，藉由使來自溫度媒體供給手段61的傳熱媒體66的熱傳導至供給管33內的鍍層液35而進行溫度調節的溫度調節配管65。
然而，把藉由鍍層液供給機構30加熱的鍍層液，使用吐出機構21，朝向旋轉的基板W的中心區域吐出的場合，鍍層液藉由離心力由基板W的中心側朝向周緣側流去。此時，基板W的溫度或者基板W周邊的氛圍的溫度比鍍層液更低的話，鍍層液的熱會被基板W或基板W周邊的氛圍奪去，結果，隨著朝向基板W的周緣側流去，鍍層液的溫度會變低。因此，鍍層液的反應條件，應該會隨著基板上的位置不同而有所不同。作為供解決這樣的課題的方法之一，是考慮使基板W周邊的氛圍的溫度提高為相同，藉此防止鍍層液的溫度降低。然而，這樣的場合，把氛圍溫度提高太過的話，隨著朝向基板W的周緣側流去，鍍層液的溫度變高，結果鍍層液的反應條件還是會隨著基板上的位置不同而有所不同。此外，藉由使氛圍 溫度提高為相同，也可能會使鍍層液或其他構件因熱而劣化。
在此，根據本實施型態之氣體送出機構190的話，不使基板W周邊的氛圍溫度提高為相同，也可以重點提高對應於基板W的周緣區域的氛圍的溫度。因此，可以容易而且有效率地使基板W上的鍍層液的溫度分布不隨著位置改變而成為約略均一。以下，詳細說明氣體送出機構190。
根據本實施型態的氣體送出機構190，係以與基板W的中心區域相比朝向基板W的周緣區域送出更多的加熱用氣體G的方式構成的。例如，前述之下側送出口191，係以使在基板W的周緣區域每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量比在基板W的中心區域每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量還要大的方式，形成於背板171。藉此，可以使對應於基板W的周緣區域的氛圍的溫度，比起對應於基板W的中心區域的氛圍的溫度還要重點性地提高。又，於圖2A如符號A1、A2所示，以使具有基板W的半徑的1/2的半徑之圓W’以與基板W為同心的方式描繪而區劃基板W的場合之中心側的區域定義為中心區域A1，而周緣側的區域定義為周緣區域A2。
下側送出口191的具體的構成沒有特別限定，只要滿足「周緣區域A2比起中心區域A1，每單位面積吹噴的加熱用氣體G的量較多」的條件，可以採用種種的構成。以下，針對被形成於背板171的下側送出口191之例，參照 圖2B至圖2D進行說明。圖2B至圖2D分別為顯示被形成下側送出口191的背板171之一例的平面圖。又，於圖2B至圖2D，為了顯示與被配置於背板171的上方之基板W之對應關係，以虛線顯示基板W。
例如，如圖2B所示，複數圓形的下側送出口191亦可沿著基板W的半徑方向一列地形成於背板171。此外，如圖2C所示，排列於基板W的同心圓上之多數的圓形的下側送出口191被形成於背板171亦可。或者是如圖2D所示，亦可以是沿著基板W的圓周方向延伸的狹縫狀的下側送出口191被形成於背板171。又，由各下側送出口191送出的加熱用氣體G的溫度及壓力分別相等的場合，前述的條件等同於「背板171之中被形成於對應於基板W的周緣區域A2的區域之下側送出口191的面積，與被形成於對應於基板W的中心區域A1的區域之下側送出口191的面積相比，每基板W的單位面積要更大」之條件。
又，於圖2B至圖2D，顯示於背板171，不僅對應於基板W的周緣區域A2的區域，在對應於基板W的中心區域A1的區域也被形成下側送出口191之例。然而，不限於此，下側送出口191，亦可僅被形成於背板171之中對應於基板W的周緣區域A2的區域。
(氣體供給機構)
氣體供給機構170，如前所述，係加熱比熱容量比空氣更高的加熱用氣體G而供給至氣體送出機構190者。這 樣的氣體供給機構170，如圖4所示，具有貯留加熱用氣體G的氣體供給槽181，與把貯留於氣體供給槽181的加熱用氣體G往氣體供給路193供給的氣體供給管182。於氣體供給槽181，被連接著加熱調溫加熱用氣體G的氣體溫度調節單元183，藉此使加熱用氣體G被加熱到特定的溫度。
這樣的加熱用氣體G，係比熱容量比空氣(比熱容量1.0(J/g．K))還要高者，具體而言，例如可以舉出水蒸氣(比熱容量2.1(J/g．K))以及氦(比熱容量5.2(J/g．K))。其中由成本的觀點來看以使用水蒸氣為較佳。
作為加熱用氣體G使用水蒸氣的場合，氣體送出機構190之往氣體供給路193供給的加熱用氣體G，沒有必要一定由氣體供給槽181來供給。如圖4所示，中介著氣體供給管185連結氣體供給路193與加熱手段60的溫度媒體供給手段61，把依存於溫度媒體供給手段61的氣相的水蒸氣往氣體供給路193供給亦可。此外，中介著氣體供給管184連結氣體供給路193與鍍層液供給機構30之鍍層液供給槽31，把依存於鍍層液供給槽31的氣相的水蒸氣供給至氣體供給路193中的加熱用氣體G亦可。在此場合，可以使用來自溫度媒體供給手段61的水蒸氣，來自鍍層液供給槽31的水蒸氣，以及來自氣體供給槽181的水蒸氣之中的任一或者使用2個亦可，這些全部併用亦可。
此外，如圖4所示，設追加的氣體供給單元187，中介著氣體供給管186連接氣體送出機構190的氣體供給路193與追加的氣體供給單元187亦可。在此場合，追加的氣體供給單元187，亦可將鍍層液35所含有的成分之中的至少一種(例如氨)之氣體供給至氣體供給路193中的加熱用氣體G，將這些混合氣體供給至基板W。此外，把存在於鍍層液供給槽31的氣相之鍍層液35的成分(例如氨)，中介著氣體供給管184供給至氣體供給路193中的加熱用氣體G，將這些混合氣體供給至基板W亦可。又，在此場合，亦可單獨使用來自追加的氣體供給單元187的成分，亦可單獨使用來自鍍層液供給槽31的成分，亦可併用來自追加的氣體供給單元187的成分與來自鍍層液供給槽31的成分。如此，藉由朝向基板W供給鍍層液35的成分，可以防止鍍層處理中該成分由鍍層液35揮發，此外，還可以在鍍層處理中對鍍層液35補充由鍍層液35揮發的該成分。
(液體排出機構)
其次，參照圖2A說明排出由基板W飛散的鍍層液或洗淨液等的液體排出機構140。
液體排出機構140，設於基板保持機構110的周圍，具有：有排出口124、129、134之杯105，及被連結於杯105，使杯105於上下方向升降驅動的升降機構164，及被連接於杯105，把由基板W飛散的鍍層液等分別收集於排 出口124、129、134而排出的液體排出路120、125、130。如圖2A所示，於杯105的上部被形成開口105a。
在此場合，由基板W飛散的處理液，隨著液體的種類透過排出口124、129、134藉由液體排出路120、125、130排出。例如，由基板W飛散的CoP鍍層液，由鍍層液排出路120排出，由基板W飛散的Pd鍍層液，由鍍層液排出路125排出，由基板W飛散的洗淨液及清洗液，由處理液排出路130排出。如此進行而排出的CoP鍍層液及Pd鍍層液，分別被回收之後，再利用亦可。
包含複數個如以上所述構成的鍍層處理裝置20的鍍層處理系統90，依照被記錄於設在控制機構160的記憶媒體161的各種程式藉由控制機構160控制驅動，藉此對基板W進行種種處理。此處，記憶媒體161，收容各種設定資料或者後述的鍍層處理程式等各種程式。作為記憶媒體161，可以使用電腦可讀取的ROM或RAM等記憶體、或硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟片等碟片狀記憶媒體等習知之記憶媒體。
鍍層處理方法
於本實施型態，鍍層處理系統90及鍍層處理裝置20，依照被記錄於記憶媒體161的鍍層處理程式，以對基板W施行鍍層處理的方式被控制驅動。在以下的說明，首先參照圖5說明以一個鍍層處理裝至20對基板W施行根據置換鍍層之Pd鍍層處理，其後施以根據化學還原鍍 層之Co鍍層處理的方法。
(基板保持步驟)
首先，使用基板搬送單元87的基板搬送裝置88，把1枚基板W由基板遞送室98搬入一個鍍層處理裝置20。
於鍍層處理裝置20，首先，杯105被降低到特定位置，其次，藉由基板保持機構110的晶圓夾盤113保持搬入的基板W(基板保持步驟S300)。其後，藉由升降機構164使杯105上升到液體排出機構140的排出口134與基板W的外周端緣對向的位置。
(洗淨步驟)
其次，執行清洗處理、前洗淨處理以及其後的清洗處理所構成的洗淨步驟(S301)。首先，清洗處理液供給機構78的閥78a被打開，藉此，清洗處理液透過第2吐出噴嘴70的吐出口72被供給到基板W的表面。
其次，執行前洗淨步驟。首先，洗淨處理液供給機構77的閥77a被打開，藉此，洗淨處理液透過第2吐出噴嘴70的吐出口72被供給到基板W的表面。又，作為洗淨處理液例如可以使用蘋果酸，作為清洗處理液例如可以使用純水。其後，與前述的場合相同地進行，清洗處理液透過第2吐出噴嘴70的吐出口72被供給至基板W的表面。處理後的清洗處理液或洗淨處理液，透過杯105的排出口134以及處理液排出路130來廢棄。又，洗淨步驟S301 以及以下之各步驟的任一，在沒有特別提到時，基板W都是藉由基板保持機構101轉動於第1旋轉方向R1(圖3)。
(Pd鍍層步驟)
其次，執行Pd鍍層步驟(S302)。此Pd鍍層步驟S302，在前洗淨步驟後之基板W未被乾燥的狀態下作為置換鍍層處理步驟被執行。如此，藉由在基板W未乾燥的狀態下實行置換鍍層處理，可以防止基板W之被鍍層面之銅等氧化而無法良好地置換鍍層處理。
於Pd鍍層步驟，首先，藉由升降機構164使杯105下降到液體排出機構140的排出口129與基板W的外周端緣對向的位置。其次，打開鍍層液供給機構76的閥76a，藉此，含有Pd的鍍層液，透過第2吐出噴嘴70的吐出口71以所要的流量往基板W的表面吐出。如此進行，於基板W的表面被施以Pd鍍層。處理後的鍍層液，由杯105的排出口129排出。由排出口129排出的鍍層液，透過液體排出路125被回收再利用，或者被廢棄。
(清洗處理步驟)
其次，作為先於Co鍍層步驟實施的前處理，例如實行清洗處理步驟(S303)。此清洗處理步驟S303，作為前處理液例如清洗處理液被供給到基板W的表面。又，此清洗處理步驟之後，藉由藥液處理來洗淨處理基板W， 其後為了洗淨該藥液使用清洗處理液進行清洗處理亦可。
(Co鍍層步驟)
其後，於實行前述步驟S301~303的同樣一個鍍層處理裝置20，實行Co鍍層步驟(S304)。此Co鍍層步驟S304，作為化學還原鍍層處理步驟而實行。
於Co鍍層步驟S304，首先，藉由控制機構160控制基板保持機構110，使被保持於基板保持機構110的基板W旋轉。在此狀態，把藉由加熱手段60加熱到吐出溫度的鍍層液35，朝向基板W的表面由第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出。
藉由使用第1吐出噴嘴45朝向基板W吐出鍍層液35，於形成在基板W上的Pd鍍層上，形成Co鍍層。Co鍍層達到特定的厚度，例如1μm時，停止來自第1吐出噴嘴45的鍍層液35的吐出，結束Co鍍層步驟S304。Co鍍層步驟S304所需要的時間，例如可以為20分鐘~40分鐘程度。
又，Co鍍層步驟S304，沒有必要使基板W總是以一定的轉速旋轉，亦可暫時性地提高或降低轉速，或是暫時停止旋轉。此外，於Co鍍層步驟S304，亦可使第1吐出噴嘴45由基板W的中心側朝向基板W的周緣側水平移動(掃描)。
此外，於Co鍍層步驟S304，藉由升降機構164使杯105下降到排出口124與基板W的外周端緣對向的位置。 因此，處理後的鍍層液35，由杯105的排出口124排出。排出的處理後的鍍層液35，應透過液體排出路120被回收再利用。
然而於本實施型態，於Co鍍層步驟S304，約略在使鍍層液35由第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出的略同時，控制機構160控制氣體送出機構190，把高溫的加熱用氣體G(例如水蒸氣)朝向基板W的背面送出。亦即，氣體送出機構190，把被貯留於氣體供給機構170的氣體供給槽181而藉由氣體溫度調節單元183加熱的加熱用氣體G，依序透過氣體供給管182、氣體供給路193以及第2流路192，由背板171的下側送出口191朝向基板W的背面送出。或者是氣體送出機構190，把由鍍層液供給槽31或是溫度媒體供給手段61供給的加熱用氣體G，由背板171的下側送出口191朝向基板W的背面送出。
根據氣體送出機構190的加熱用氣體G的送出，是在由第1吐出噴嘴45吐出鍍層液35時連續地進行。其間，加熱用氣體G存在於基板W與背板171之間的間隙S，連續地加熱基板W。進而，藉由加熱用氣體G，也透過基板W加熱鍍層液35。於本實施型態，作為加熱用氣體G，使用比熱容量比空氣還高的氣體，例如水蒸氣，所以可以有效率地加熱基板W。此外，如前所述，氣體送出機構190，係以與基板W的中心區域A1相比朝向基板W的周緣區域A2送出更多的加熱用氣體G的方式構成的。因此，於基板W的背面側，基板W的周緣區域A2的周邊的 氛圍的溫度，變得比基板W的中心區域A1的周邊氛圍的溫度更高。藉此，可以抑制基板W上的鍍層液35的溫度隨著朝向基板W的周緣側而逐漸變低的情形，藉此，可以使基板W上的鍍層液35的溫度分布不隨位置改變而約略均一。亦即，可以使鍍層的成長在基板W的面內為均一。如此進行，藉由重點提高對應於基板W的周緣區域A2的氛圍的溫度，可以不過剩加熱鍍層液35或其他構件，補償起因於鍍層液35在基板W上的流動導致的鍍層液35的溫度降低。因此，可以有效率地實現基板W上之鍍層液35的均一的溫度分布。
其後，來自第1吐出噴嘴45的鍍層液35的吐出停止時，停止根據氣體供給機構170之往氣體送出機構190之加熱用氣體G的供給，藉此，停止根據氣體送出機構190之加熱用氣體G的送出。或者是，在來自第1吐出噴嘴45的鍍層液35的吐出停止之前或後，停止根據氣體供給機構170之加熱用氣體G的供給亦可。
如此，藉由從背板171的下側送出口191朝向基板W的背面，送出被加熱的加熱用氣體G，可以控制基板W周邊的氛圍溫度。藉此，可以防止隨著鍍層液朝向基板W的周緣側流動而鍍層液溫度降低。藉此，可以在保持一定溫度(例如60~90℃)的狀態下進行鍍層處理，使Co鍍層的成長在基板W的面內為均一。而且，朝向基板W供給的加熱用氣體G由氣體所構成，所以可以防止在由杯105的排出口124排出的鍍層液35混入加熱用的水等，可 以容易再利用排出的處理後之鍍層液35。特別是在Co鍍層步驟S304，鍍層處理所要的時間例如長達20~40分鐘的場合，藉由再利用鍍層液35，可以更有效率地減少廢液的量。
又，如前所述，亦可在加熱用氣體G含有鍍層液35所含有的成分之中的至少一種(例如氨)。在此場合，可以防止鍍層處理中該成分由鍍層液35揮發，或者是可在鍍層處理中對鍍層液35補充由鍍層液35揮發掉之該成分。
(洗淨步驟)
其次，對被施以Co鍍層處理的基板W的表面，實行由清洗處理、後洗淨處理以及其後的清洗處理所構成的洗淨步驟S305。此洗淨步驟S305，與前述之洗淨步驟S301約略相同，所以省略詳細說明。
(乾燥步驟)
其後，實行使基板W乾燥的乾燥步驟(S306)。例如，藉由使轉盤112旋轉，附著於基板W的液體藉由離心力往外甩飛，藉此基板W被乾燥。亦即，轉盤112，亦可具備作為使基板W的表面乾燥的乾燥機構之機能。
如此進行，於一個鍍層處理裝置20，對基板W的表面首先藉由置換鍍層被施以Pd鍍層，其次藉由化學還原鍍層施以Co鍍層。
其後，基板W亦可被搬送到Au鍍層處理用之其他的鍍層處理裝置20。在此場合，於其他的鍍層處理裝置20，於基板W的表面，藉由置換鍍層被施以Au鍍層處理。Au鍍層處理的方法，除了鍍層液及洗淨液不同以外，其他與Pd鍍層處理之前述的方法約略相同，所以省略詳細的說明。
(本實施型態之作用效果)
如此，根據本實施型態的話，如前所述，把比熱容量比空氣還高的高溫的加熱用氣體G(例如水蒸氣)朝向被保持於基板保持機構110的基板W送出，所以可有效率地加熱基板W，可以使根據鍍層液35之鍍層的成長在基板W的面內均一地進行。此外，可以防止由液體排出機構140排出的鍍層液被混入水等，可以容易再利用鍍層液。
此外，根據本實施型態的話，氣體送出機構190，係以與基板W的中心區域A1相比朝向基板W的周緣區域A2送出更多的加熱用氣體G的方式構成的。因此，藉此，可以重點提高基板W的周緣區域A2的氛圍的溫度，可以不過剩加熱鍍層液35或其他構件，補償起因於在基板W上的流動導致的鍍層液35的溫度降低。因此，可以有效率地實現鍍層液35的均一的溫度分布。
變形例
以下，針對本實施型態之各變形例進行說明。
在前述實施型態，說明了於Co鍍層步驟S304，在把鍍層液35由第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出的約略同時，開始進行被加熱的加熱用氣體G(例如水蒸氣)之往基板W的背面送出之態樣。然而不限於此，亦可於Co鍍層步驟S304，在把鍍層液35由第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出之前，開始進行加熱用氣體G(例如水蒸氣)之往基板W的背面送出。
在此場合，追加的氣體供給單元187(圖4)，亦可把惰性氣體(例如氮氣)供給至氣體供給路193中的加熱用氣體G。如此，藉由與加熱用氣體G一起把混合惰性氣體(例如氮氣)而朝向基板W送出，可以防止使被供給鍍層液35之前的基板W，因為加熱用氣體G而被氧化。
此外，於前述實施型態，亦可圖2A至圖2D以單點虛線所表示的，位於比下側送出口191更靠近基板W的中心側，把抽吸由下側送出口191送出的加熱用氣體G的下側抽吸口194形成於背板171。藉由設置這樣的下側抽吸口194，如圖2A中符號G’的箭頭所示，加熱基板W的周緣區域A2之後的加熱用氣體G，沿著基板W朝向基板W的中心側流去，接著由下側抽吸口194排出。這個場合，到達基板W的中心區域的加熱用氣體G的溫度，比朝向基板W的周緣區域A2送出時的溫度更低。亦即，藉由設置下側抽吸口194，可以安定地產生基板W的周緣區域A2的周邊氛圍的溫度，比基板W的中心區域A1周邊的 氛圍溫度更高之溫度分布。
藉由下側抽吸口194所抽吸的加熱用氣體G，例如透過使軸172上下貫通的氣體抽吸路195來回收。被回收的加熱用氣體G亦可排出至外部，或者回到氣體供給機構170再利用亦可。
此外，在前述實施型態，說明了使加熱用氣體G朝向基板W的背面送出的態樣，但不以此為限，亦可使加熱用氣體G進而朝向基板W的表面送出。例如，亦可如圖6所示，於基板W的表面側且在第1吐出噴嘴45之側邊設氣體噴嘴196，不僅對基板W的背面，也對基板W的表面送出加熱用氣體G。在此場合，氣體噴嘴196，被連接於氣體供給機構170，藉由控制機構160控制氣體供給機構170，使氣體噴嘴196朝向基板W的表面送出高溫的加熱用氣體G。此氣體噴嘴196，與設於背板171的下側送出口191的場合同樣，係以使在基板W的周緣區域A2每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量比在基板W的中心區域A1每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量還要大的方式構成的。藉此，於基板W的表面側，可以使基板W的周緣區域A2的周邊的氛圍的溫度，比基板W的中心區域A1的周邊氛圍的溫度更高。藉此，可以抑制基板W上的鍍層液35的溫度隨著朝向基板W的周緣側而逐漸變低的情形，藉此，可以使基板W上的鍍層液35的溫度分布不隨位置改變而約略均一。亦即，可以使鍍層的成長在基板W的面內為均一。
或者是，亦可如圖7所示，藉由使用氣體噴嘴196，僅由基板W的表面側朝向基板W的表面送出加熱用氣體G，在基板W的背面不送出加熱用氣體。於此場合，也可以控制基板W表面之鍍層液35的溫度，可以使鍍層的成長在基板W的面內為均一。
進而，亦可如圖8A所示，於基板W的上方離開基板W配置頂板151。在此場合，頂板151，以覆蓋杯105的開口105a的方式被配置於杯105上，成為覆蓋基板W的表面之約略全區域。此外，於頂板151，設有朝向基板W的表面送出加熱用氣體G的上側送出口197，以及被形成於對應於第1吐出噴嘴45的吐出口46以及第2吐出噴嘴70的吐出口71的位置之開口152。此處，上側送出口197，係以使在基板W的周緣區域A2每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量比在基板W的中心區域每單位面積所吹噴的加熱用氣體G的量還要大的方式，形成於頂板151。藉此，可以使對應於基板W的周緣區域A2的氛圍，比起對應於基板W的中心區域的氛圍還要重點性地加熱。
上側送出口197的具體的構成沒有特別限定，只要滿足「周緣區域A2比起中心區域A1，每單位面積吹噴的加熱用氣體G的量較多」的條件，可以採用種種的形狀。以下，針對被形成於頂板151的上側送出口197之例，參照圖8B至圖8D進行說明。圖8B至圖8D分別為顯示被形成上側送出口197的頂板151之一例的平面圖。又，於圖 8B至圖8D，為了顯示與被配置於頂板151的上方之基板W之對應關係，以虛線顯示基板W。
例如，如圖8B所示，複數圓形的上側送出口197亦可沿著基板W的半徑方向一列地形成於頂板151。此外，如圖8C所示，排列於基板W的同心圓上之多數的圓形的上側送出口197被形成於頂板151亦可。或者是如圖8D所示，亦可以是沿著基板W的圓周方向延伸的狹縫狀的上側送出口197被形成於頂板151。於各上側送出口197，透過氣體供給路198由氣體供給機構170供給加熱用氣體G。又，由各上側送出口197送出的加熱用氣體G的溫度及壓力分別相等的場合，前述的條件等同於「頂板151之中被形成於對應於基板W的周緣區域A2的區域之上側送出口197的面積，與被形成於對應於基板W的中心區域A1的區域之上側送出口197的面積相比，每基板W的單位面積要更大」之條件。
又，於圖8B至圖8D，顯示於頂板151，不僅對應於基板W的周緣區域A2的區域，在對應於基板W的中心區域A1的區域也被形成上側送出口197之例。然而，不限於此，上側送出口197，亦可僅被形成於頂板151之中對應於基板W的周緣區域A2的區域。
進而，頂板151，被連結於升降機構154，藉由以控制機構160控制，能夠與杯105一起升降。此外，頂板151，亦可藉由升降機構154對杯105獨立地進行升降。藉此，於前述之基板保持步驟S300，可以對基板保持機 構110搬進及搬出基板W。
如此，藉由在基板W的上方，設有覆蓋基板W的表面側約略全區域的頂板151，可以使由背板171的下側送出口191及由頂板151的上側送出口197送出的加熱用氣體G，或者是由鍍層液35產生的氣體(例如水蒸氣)存在於基板W與頂板151之間的空間。藉此，可以更有效率地加熱基板W及鍍層液35，可以更確實地使鍍層的成長在基板W的面內成為均一。
此外，如圖8A至圖8D以單點虛線所表示的，亦可與圖2A至圖2D所示的實施型態的場合同樣，位於比上側送出口197更靠近基板W的中心側，在頂板151設置抽吸由上側送出口197送出的加熱用氣體G之上側抽吸口199。藉由設置這樣的上側抽吸口199，如圖8A中符號G’的箭頭所示，加熱基板W的周緣區域A2之後的加熱用氣體G，沿著基板W朝向基板W的中心側流去，接著由上側抽吸口199排出。這個場合，到達基板W的中心區域A1的加熱用氣體G的溫度，比朝向基板W的周緣區域A2送出時的溫度更低。亦即，藉由設置上側抽吸口199，可以安定地產生基板W的周緣區域A2的周邊氛圍的溫度，比基板W的中心區域A1周邊的氛圍溫度更高之溫度分布。
此外，於圖8A所示的型態，亦可與圖6所示的型態的場合同樣，進而使加熱用氣體G由背板171的下側送出口191朝向基板W的背面送出。
此外，於圖6至圖8D，亦可與前述的實施型態同樣，藉由使用追加的氣體供給單元187(圖4)，在由氣體噴嘴196或上側送出口197所送出的加熱用氣體G，混合鍍層液35所含有的成分(例如氨)及/或惰性氣體(例如氮氣)。
進而，在圖6至圖8D所示的型態，於Co鍍層步驟S304，由氣體噴嘴196或上側送出口197往基板W的表面側送出加熱用氣體G的時機，不限於與第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出鍍層液35的時機約略相同。只要是可以充分補償基板W表面的鍍層液35溫度降低的話，亦可以在使鍍層液35由第1吐出噴嘴45的吐出口46吐出之後，再使加熱用氣體G由氣體噴嘴196或上側送出口197往基板W的表面送出。
又，於圖6至圖8D，對於與圖1至圖4所示之實施型態相同的部分賦予同一符號而省略詳細的說明。
進而，於前述各實施型態，顯示由氣體送出機構190沿著鉛直方向朝向基板W吹噴加熱用氣體G之例，但並不以此為限。例如，氣體送出機構190，亦可沿著水平方向由基板W的周緣側朝向中心側把加熱用氣體G朝向基板W送出。在此場合，也可以重點地提高對應於基板W的周緣區域A2的氛圍溫度，藉此，可以容易而且有效率地使基板W上的鍍層液的溫度分布不隨位置改變而約略均一。
此外，於前述各實施型態，顯示把加熱至特定溫度的 加熱用氣體G朝向基板W送出之例，但不以此為限。例如，亦可在鍍層處理中使加熱用氣體G的溫度變化為任意的溫度。在此場合於鍍層處理中可以每隔指定的時間就使溫度改變，或者因應於基板W的轉速而使加熱用氣體G的溫度改變。作為一例，可以考慮以使基板W上薄薄地形成初期的鍍層的步驟時之鍍層處理的溫度，與初期的鍍層上進而層積鍍層的步驟時之鍍層處理的溫度分別成為最佳溫度的方式，使加熱用氣體G的溫度變化為任意的溫度。針對加熱用氣體G的溫度變化，例如可以藉由在氣體送出機構190設置新的加熱手段(未圖示)來改變溫度，或者藉由使把被加熱至特定溫度的加熱用氣體G朝向基板W送出時的氣體送出機構190與基板W之距離(例如氣體噴嘴196與基板之距離)接近或者遠離以改變加熱用氣體G的溫度。藉此，可以更細微地控制基板W上的鍍層液35的溫度，因此，可以再更適切的條件下進行鍍層液35的反應，藉此，可以使鍍層的成長在基板W的面內為約略均一。
進而，於前述實施型態，作為由第1吐出噴嘴45朝向基板W吐出的化學還原型的鍍層液35，使用CoP鍍層液之例。然而使用的鍍層液35不限於CoP鍍層液，可以使用種種鍍層液35。例如，作為化學還原型的鍍層液35，可以使用CoWB鍍層液、CoWP鍍層液、CoB鍍層液或NiP鍍層液等種種鍍層液35。
〔實施例〕
(實施例1)
使直徑300mm的基板W旋轉，同時把加熱到約80度的NiP鍍層液朝向基板W表面的中心區域A1吐出。藉此，跨約10分鐘長的時間，施行對基板W之鍍層處理。此時，以由上方覆蓋基板W的方式配置頂板151。此外，使用設於頂板151的上側送出口197，把加熱到約90度的水蒸氣所構成的加熱用氣體G朝基板W表面的周緣區域A2送出。
測定了鍍層處理期間之基板W上的溫度分布。結果顯示於圖9(a)。此外，測定鍍層處理後所得到的NiP鍍層的厚度分布。結果顯示於圖9(b)。於圖9(a)(b)，橫軸顯示與基板W的中心點的距離。具體而言，於圖9(a)(b)的橫軸，「0」對應於基板W的中心點，而「±150」對應於基板W的周緣。
(比較例1)
除了未把加熱用氣體G朝向基板W送出之外，與實施例1的場合同樣地進行，對基板W實施鍍層處理。這個場合之基板W上的溫度分布的測定結果，以及所得到的鍍層的厚度分布的測定結果，與實施例1的結果一併顯示於圖9(a)及圖9(b)。
如圖9(a)所示，藉由使加熱用氣體G朝向基板W的表面的周緣區域A2送出，可以縮小中心區域A1之基板 W的溫度與周緣區域A2之基板W的溫度之差。此結果，如圖9(b)所示，可以使鍍層的成長在基板W的面內成為約略均一。
20‧‧‧鍍層處理裝置
21‧‧‧吐出機構
110‧‧‧基板保持機構
190‧‧‧氣體送出機構
圖1係顯示根據本發明之一實施型態之鍍層處理系統的全體構成之平面圖。
圖2A係顯示根據本發明之一實施型態之鍍層處理裝置的側面圖。
圖2B係顯示設於圖2A所示的背板的下側送出口之一例。
圖2C係顯示設於圖2A所示的背板的下側送出口之一例。
圖2D係顯示設於圖2A所示的背板的下側送出口之一例。
圖3係圖2A所示的鍍層處理裝置的平面圖。
圖4係顯示根據本發明之一實施型態之鍍層處理裝置之鍍層液及加熱用氣體的流動之概略圖。
圖5係顯示根據本發明之一實施型態之鍍層處理方法的流程圖。
圖6顯示鍍層處理裝置之變形例之概略圖。
圖7顯示鍍層處理裝置之變形例之概略圖。
圖8A顯示鍍層處理裝置之變形例之概略圖。
圖8B係顯示設於圖8A所示的頂板的上側送出口之一 例。
圖8C係顯示設於圖8A所示的頂板的上側送出口之一例。
圖8D係顯示設於圖8A所示的頂板的上側送出口之一例。
圖9(a)係顯示於實施例與比較例，基板上的溫度分布的測定結果，圖9(b)係顯示於實施例及比較例，形成於基板上的鍍層的厚度分布圖。
20‧‧‧鍍層處理裝置
87‧‧‧基板搬送單元
88‧‧‧基板搬送裝置
89‧‧‧基板搬出搬入口
90‧‧‧鍍層處理系統
91‧‧‧托架
92‧‧‧基板搬出搬入室
93‧‧‧基板處理室
94‧‧‧托架載置部
95‧‧‧收容搬送裝置
96‧‧‧搬送室
97‧‧‧基板遞送台
98‧‧‧基板遞送室
99‧‧‧遞送口
W‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種鍍層處理裝置，係對基板供給鍍層液進行鍍層處理的鍍層處理裝置，其特徵為具備：保持前述基板使其旋轉之基板保持機構，向被保持於前述基板保持機構的前述基板吐出前述鍍層液之吐出機構，以及使由比空氣的比熱容量更高的氣體所構成的高溫之加熱用氣體向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送出機構；前述氣體送出機構，以與前述基板的中心區域相比朝向前述基板的周緣區域送出更多的前述加熱用氣體的方式構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之鍍層處理裝置，其中前述加熱用氣體係由水蒸氣構成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之鍍層處理裝置，其中前述氣體送出機構，係由前述基板的背面側送出前述加熱用氣體。
  4. 如申請專利範圍第3項之鍍層處理裝置，其中進而在前述基板的背面側具備由前述基板隔著間隙而配置的背板(back plate)，前述氣體送出機構由設於前述背板的下側送出口朝向前述基板的背面送出前述加熱用氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項之鍍層處理裝置，其中於前述背板，被形成位於比前述下側送出口更靠前述基板的中 心側，抽吸由前述下側送出口送出的前述加熱用氣體之下側抽吸口。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之鍍層處理裝置，其中前述氣體送出機構，係由前述基板的表面側送出前述加熱用氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項之鍍層處理裝置，其中進而在前述基板的表面側具備由前述基板隔著間隙而配置的頂板(top plate)，前述氣體送出機構由設於前述頂板的上側送出口朝向前述基板的表面送出前述加熱用氣體。
  8. 如申請專利範圍第7項之鍍層處理裝置，其中於前述頂板，被形成位於比前述上側送出口更靠前述基板的中心側，抽吸由前述上側送出口送出的前述加熱用氣體之上側抽吸口。
  9. 如申請專利範圍第7項之鍍層處理裝置，其中進而具備被配置於前述基板保持機構的周圍，上部具有開口，排出由前述基板飛散的前述鍍層液之液體排出機構；前述頂板，係以在對前述基板供給前述鍍層液時，由上方覆蓋前述液體排出機構的前述開口的方式被配置。
  10. 一種鍍層處理方法，係對基板供給鍍層液進行鍍層處理之鍍層處理方法，其特徵為具備：藉由基板保持機構保持前述基板的保持步驟，使前述基板旋轉的步驟，以及朝向前述基板由吐出機構吐出前述鍍層液的鍍層步 驟；前述鍍層步驟，包含使比熱容量比空氣還高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體朝向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送出步驟；於前述氣體送出步驟，前述加熱用氣體，與前述基板的中心區域相比，朝向前述基板的周緣區域送出更多。
  11. 如申請專利範圍第10項之鍍層處理方法，其中前述加熱用氣體係由水蒸氣構成。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之鍍層處理方法，其中朝向前述基板的周緣區域送出的前述加熱用氣體，藉由設於對應於前述基板的中心區域的位置之抽吸口來抽吸。
  13. 一種記憶媒體，係於鍍層處理裝置收容執行鍍層處理方法之用的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述鍍層處理方法，具備：藉由基板保持機構保持前述基板的保持步驟，使前述基板旋轉的步驟，以及朝向前述基板由吐出機構吐出前述鍍層液的鍍層步驟；前述鍍層步驟，包含使比熱容量比空氣還高的氣體所構成的高溫的加熱用氣體朝向被保持於前述基板保持機構的前述基板送出的氣體送出步驟；於前述氣體送出步驟，前述加熱用氣體，與前述基板的中心區域相比，朝向前述基板的周緣區域送出更多的方法所構成。
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