TWI718283B - 鍍敷處理裝置、鍍敷處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

提供能夠使晶圓之溫度在面內均勻的鍍敷處理裝置、鍍敷處理方法及記憶媒體。

鍍敷處理裝置(1)具備保持基板(W)之基板保持部(52)、對基板(W)，供給鍍敷液(M1)之鍍敷液供給部(53)、對基板(W)，供給與鍍敷液(M1)之溫度不同之溫度的溶劑(N1)之溶劑供給部(55a)。從鍍敷液供給部(53)對基板(W)供給鍍敷液(M1)之後，從溶劑供給部(55a)對基板(W)之特定位置供給溶劑(N1)。

Description

鍍敷處理裝置、鍍敷處理方法及記憶媒體
本發明係關於鍍敷處理裝置、鍍敷處理方法及記憶媒體。
以往，在使用單片式鍍敷裝置之鍍敷處理製程中，要求晶圓之溫度在面內均勻化。但是，在單片式鍍敷處理裝置中，一般需要分別在晶圓之背面側及表面側設置用以使晶圓旋轉之旋轉機構和用以供給藥液之藥液供給機構。因此，難以在晶圓之表面側及背面側確保充分之空間，且要在晶圓之表面側及背面側設置用以直接加熱晶圓之溫度調節機器有困難。
於是，以往，例如進行調溫處理藥液本身，對晶圓供給該被調溫過之處理藥液，或亦對晶圓之背面側供給被調溫過之藥液或溫水。但是，於使用如此之調溫法之情況下，晶圓之中心部側之部分雖然可以比較均勻地加熱，但是有無法充分提高晶圓之周緣部之溫度的問題。在此情況下，有鍍敷之膜厚在晶圓之面內全體無法均勻之虞。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-249679號公報
本發明係考慮如此之點而創作出，能夠使晶圓之溫度在面內均勻的鍍敷處理裝置、鍍敷處理方法及記憶媒體。
藉由本發明之一實施型態所產生之鍍敷處理裝置，其特徵在於具備：保持基板之基板保持部；和對上述基板，供給鍍敷液之鍍敷液供給部；和對上述基板，供給構成與上述鍍敷液之溫度不同之溫度的上述鍍敷液之溶劑的溶劑供給部，從上述鍍敷液供給部對上述基板供給鍍敷液之後，從上述溶劑供給部對上述基板之特定位置供給溶劑。
藉由本發明之一實施型態之鍍敷處理方法之特徵在於具備：保持基板之基板保持工程；從鍍敷液供給部對上述基板供給鍍敷液之工程；從溶劑供給部對上述基板之特定位置供給與上述鍍敷液之溫度不同之溫度的溶劑之液供給工程。
若藉由本發明之上述實施型態時，可以使晶圓之溫度在面內均勻。
1‧‧‧鍍敷處理裝置
2‧‧‧鍍敷處理單元
3‧‧‧控制部
5‧‧‧鍍敷處理部
52‧‧‧基板保持部
53‧‧‧鍍敷液供給部
54‧‧‧噴嘴移動機構
55a‧‧‧溶劑供給部
55b‧‧‧洗淨液供給部
55c‧‧‧沖洗液供給部
56‧‧‧噴嘴移動機構
57‧‧‧杯體
58‧‧‧升降機構
531‧‧‧鍍敷液噴嘴
541‧‧‧機械臂
542‧‧‧移動體
551a‧‧‧溶劑噴嘴
圖1為表示鍍敷處理裝置及鍍敷處理裝置所具備之鍍敷處理單元之構成的概略俯視圖。
圖2為表示圖1所示之鍍敷處理單元所具備之鍍敷處理部之構成的概略剖面圖。
圖3(a)~(e)為表示藉由本發明之一實施型態之鍍敷處理方法的概略圖。
圖4為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概略圖。
圖5為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概略圖。
圖6為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概略圖。
圖7為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概略圖。
圖8為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概略圖。
圖9為表示鍍敷液供給部及溶劑供給部之變形例的概 略圖。
以下，參照圖面，針對本發明之一實施型態予以說明。
[鍍敷處理裝置之構成]
參照圖1，說明與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置之構成。圖1為表示與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置之構成的概略圖。
如圖1所示般，與本發明之一實施型態有關之鍍敷處理裝置1具備鍍敷處理單元2、控制鍍敷處理單元2之動作的控制部3。
鍍敷處理單元2係對基板進行各種處理。針對鍍敷處理單元2所進行的各種處理於後述。
控制部3係例如電腦，具備動作控制部和記憶部。動作控制部係由例如CPU(Central Processing Unit)構成，藉由讀出並實行被記憶於記憶部之程式，控制鍍敷處理單元2之動作。記憶部係由例如RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、硬碟等之記憶裝置所構成，記憶在鍍敷處理單元2中被實行的各種處理的程式。另外，即使程式被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者亦可，即使為從其記憶媒體被安裝在記憶部者亦可。就以藉由電腦可讀取之記憶媒體而言，可舉出例如有硬碟 (HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。在記錄媒體中，記錄有例如藉由用以控制鍍敷處理裝置1之動作的電腦而被實行之時，電腦控制鍍敷處理裝置1而實行後述之鍍敷處理方法的程式。
[鍍敷處理單元之構成]
參照圖1，說明鍍敷處理單元2之構成。圖1為表示鍍敷處理單元2之構成的概略剖面圖。
鍍敷處理單元2具備搬入搬出站21，和與搬入搬出站21鄰接設置的處理站22。
搬入搬出站21具備載置部211、與載置部211鄰接設置的搬運部212。
在載置部211被載置以水平狀態收容複數片之基板W的複數搬運容器(以下，記載成載體C)。
搬運部212具備搬運機構213和收授部214。搬運機構213具備保持基板W之保持機構，被構成能夠朝向水平向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心做旋轉。
處理站22具備鍍敷處理部5。在本實施型態中，雖然處理站22所具有的鍍敷處理部5的數量為2以上，但是即使為1亦可。鍍敷處理部5被配列在特定方向延伸之搬運路221的兩側上。
在搬運路221設置有搬運機構222。搬運機構222具備保持基板W之保持機構，被構成能夠朝向水平向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心做旋轉。
在鍍敷處理單元2中，搬入搬出站21之搬運機構213係在載體C和收授部214之間進行基板W之搬運。具體而言，搬運機構213係從被載置於載置部211的載體C取出基板W，且將取出的基板W載置於收授部214。再者，搬運機構213藉由處理站22之搬運機構222取出被載置於收授部214的基板W，且收容至載置部211之載體C。
在鍍敷處理單元2中，處理站22之搬運機構222係在收授部214和鍍敷處理部5之間、鍍敷處理部5和收授部214之間進行基板W的搬運。具體而言，搬運機構222係取出被載置於收授部214之基板W，且將取出之基板W搬入至鍍敷處理部5。再者，搬運機構222係從鍍敷處理部5取出基板W，且將取出的基板W載置於收授部214。
[鍍敷處理部之構成]
接著，參照圖2，說明鍍敷處理部5之構成。圖2為表示鍍敷處理部5之構成的概略剖面圖。
鍍敷處理部5係進行包含無電解鍍敷處理之基板處理者，具備腔室51、被配置在腔室51內，保持基板W之基板保持部52、對被保持在基板保持部52之基板W供給鍍敷液M1之鍍敷液供給部53。
其中，基板保持部52具備在腔室51內於垂直方向延伸的旋轉軸521，和被安裝於旋轉軸521之上端部的轉台522，和被設置在轉台522之上面外周部，支撐基板W之外緣部的挾盤523，和使旋轉軸521旋轉驅動的驅動部 524。
基板W被挾盤523支撐，在從轉台522之上面些許間隔開之狀態下，被水平保持在轉台522。在本實施型態中，基板保持部52所產生的基板W之保持方式，雖然係藉由可動之挾盤523把持基板W之外緣部的所謂機械式挾盤型，但是即使為真空吸附基板W之背面的所謂真空挾盤型亦可。
旋轉軸521之基端部藉由驅動部524被支撐成可旋轉，旋轉軸521之前端部，水平地支撐轉台522。當旋轉軸521旋轉時，被安裝在旋轉軸521之上端部的轉台522旋轉，依此，在被支撐於挾盤523之狀態下，被保持於轉台522之基板W旋轉。另外，即使在旋轉軸521內，設置無圖示之調溫液供給機構，從基板保持部52側朝向基板W之背面供給藥液、溫水或水蒸氣之調溫流體亦可。
鍍敷液供給部53具備對保持於基板保持部52之基板W，供給鍍敷液M1之鍍敷液噴嘴531，和對鍍敷液噴嘴531供給鍍敷液M1之鍍敷液供給源532。在鍍敷液供給源532之液槽貯留鍍敷液M1，在鍍敷噴嘴531，從鍍敷液供給源532，通過在其中間設置有閥533等之流量調整器的供給管路534，供給鍍敷液M1。
鍍敷液M1係自觸媒型(還原型)無電解鍍敷用的鍍敷液。鍍敷液M1含有例如鈷(Co)離子、鎳(Ni)離子、鎢(W)離子、銅(Cu)離子、鈀(Pd)離子、金(Au)離子等之金屬離子、次磷酸、二甲基胺硼烷等之還原劑。鍍敷液M1 即使含有添加劑等亦可。作為藉由使用鍍敷液M1之鍍敷處理所產生的金屬膜(鍍敷膜)，可舉出例如CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。
鍍敷液供給源532之液槽連接在其中間設置有泵535及加熱部536之循環管路537。液槽中之鍍敷液M1一面在循環管路537循環一面被加熱至特定溫度乃至被調溫。如此一來被加熱之鍍敷液M1從鍍敷液噴嘴531被吐出。另外，鍍敷液M1即使在供給管路534進一步被加熱乃至被調溫亦可。鍍敷液M1之吐出時之溫度例如55℃以上75℃以下，更佳為60℃以上70℃以下。
鍍敷液噴嘴531被連結於噴嘴移動機構54。噴嘴移動機構54驅動鍍敷液噴嘴531。噴嘴移動機構54具有機械臂541、沿著機械臂541能夠移動之驅動機構內裝型之移動體542、使機械臂541旋轉及升降的旋轉升降機構543。鍍敷液噴嘴531被安裝於移動體542。噴嘴移動機構54係可以使鍍敷噴嘴531在被保持於基板保持部52之基板W之中心之上方的位置和基板W之周緣之上方的位置之間移動，而且可以使移動至在俯視觀看下位於後述杯體57之外側的待機位置。
溶劑供給部55a具備對保持於基板保持部52之基板W，吐出鍍敷液N1之溶劑噴嘴551a，和對溶劑噴嘴551a供給溶劑N1之溶劑供給源552a。在溶劑供給源552a之液槽貯留溶劑N1，在溶劑噴嘴551a，從溶劑供給源552a，通過在其中間設置有閥553a等之流量調整器的供給管路 554a，供給溶劑N1。
溶劑N1包含構成鍍敷液M1之溶劑中之一個。作為如此之溶劑N1，可舉出例如，水、pH調整完成的溶劑、界面活性劑混合液等之液體，或水蒸氣等之氣體。另外，溶劑N1以不包含CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等、構成鍍敷液M1之鍍敷成分為佳。
溶劑供給源552a之液槽連接在其中間設置有泵556及加熱部557之循環管路558。液槽中之溶劑N1一面在循環管路558循環一面被加熱至特定溫度乃至被調溫。如此一來被加熱之溶劑N1從溶劑噴嘴551a被吐出。另外，溶劑N1即使在供給管路554進一步被加熱乃至被調溫亦可。溶劑N1之吐出時之溫度較鍍敷液之吐出時的溫度高，具體而言為75℃以上95℃以下，更佳為80℃以上90℃以下。
在本實施型態中，溶劑噴嘴551a與鍍敷液噴嘴531同時被安裝於移動體542。因此，鍍敷液噴嘴531和溶劑噴嘴551a成為一體而能夠在基板W上移動。即是，噴嘴移動機構54可以使鍍敷液噴嘴531及溶劑噴嘴551a移動至基板W之中心之上方的位置和基板W之周緣部之上方的位置之間之任意的位置。
另外，藉由上述鍍敷液供給部53和溶劑供給部55a，構成液供給部50。
鍍敷處理部5進一步具有對被保持在基板保持 部52之基板W，分別供給洗淨液N2及沖洗液N3之洗淨液供給部55b及沖洗液供給部55c。
洗淨液供給部55b具備對保持於基板保持部52之基板W，吐出洗淨液N2之噴嘴551b，和對噴嘴551b供給洗淨液N2之洗淨液供給源552b。在洗淨液供給源552b之槽貯留洗淨液N2，在噴嘴551b，從洗淨液供給源552b，通過在其中間設置有閥553b等之流量調整器的供給管路554b，供給洗淨液N2。
作為洗淨液N2，例如可以使用例如蟻酸、蘋果酸、琥珀酸、檸檬酸、丙二酸等之有機酸、被稀釋成不使基板W之被鍍敷面腐蝕之程度之濃度的氫氟酸(DHF)(氟化氫之水溶液)等。
沖洗液供給部55c具備對保持在基板保持部52之基板W，吐出沖洗液N3之噴嘴551c，和對噴嘴551c供給沖洗液N3之沖洗液供給源552c。在沖洗液供給源552c之液槽，貯留沖洗液N3，在噴嘴551c，從沖洗液供給源552c，通過在其中間設置有閥553c等之流量調整器的供給管路554c，供給沖洗液N3。
作為沖洗液N3，可以使用例如純水等。
鍍敷處理部5具有驅動噴嘴551b、551c之噴嘴移動機構56。噴嘴移動機構56具有機械臂561、沿著機械臂561能夠移動之驅動機構內裝型之移動體562、使機械臂561旋轉及升降的旋轉升降機構563。噴嘴551b、551c被安裝於移動體562。噴嘴移動機構56係可以使噴嘴551b、 551c在被保持於基板保持部52之基板W之中心之上方的位置和基板W之周緣部之上方的位置之間移動，而且可以使移動至在俯視觀看下位於後述杯體57之外側的待機位置。在本實施型態中，噴嘴551b、551c雖然藉由共同的機械臂被保持，但是即使個別被保持在不同的機械臂而成為可以獨立移動亦可。
在基板保持部52之周圍配置杯體57。杯體57係承接基板W飛散之各種處理液(例如，鍍敷液、洗淨液、沖洗液等)而排出至腔室51之外方。杯體57具有使杯體57在上下方向驅動之升降機構58。
[鍍敷處理方法]
接著，針對使用鍍敷處理裝置1之鍍敷處理方法予以說明。鍍敷處理裝置1被實施之鍍敷處理方法包含對基板W的鍍敷處理。鍍敷處理係藉由鍍敷處理部5被實施。以下所示之鍍敷處理部5之動作藉由控制部3被控制。
接著，基板W被搬入至鍍敷處理部5，被保持於基板保持部52(參照圖2)。在此期間，控制部3控制升降機構58，使杯體57下降至特定位置。接著，控制部3控制搬運機構222，在基板保持部52載置基板W。基板W係在其外緣部藉由挾盤523被支撐之狀態下，被水平保持在轉台522上。
接著，被保持於基板保持部52之基板W被洗淨處理。此時，控制部3係控制驅動部524，以特定速度使被 保持於基板保持部52之基板W旋轉，一面控制洗淨液供給部55b，使噴嘴551b位於基板W之上方，從噴嘴551b對基板W供給洗淨液N2。被供給至基板W之洗淨液N2藉由隨著基板W之旋轉的離心力，在基板W之表面擴散。依此，附著於基板W之附著物從基板W被除去。從基板W飛散之洗淨液N2經由杯體57被排出。
接著，洗淨後之基板W被沖洗處理。此時，控制部3係控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W旋轉，一面控制沖洗液供給部55c，使噴嘴551c位於基板W之上方，從噴嘴551c對基板W供給沖洗液N3。被供給至基板W之沖洗液N3藉由隨著基板W之旋轉的離心力，在基板W之表面擴散。依此，殘存在基板W上之洗淨液N2被沖洗。從基板W飛散之沖洗液N3經由杯體57被排出。
另外，即使接著沖洗處理，藉由無圖示之觸媒部供給，對沖洗後之基板W進行觸媒賦予處理亦可。
接著，對基板W進行鍍敷處理。鍍敷處理包含鍍敷液置換處理和鍍敷液盛入處理和鍍敷液處理。此時，首先控制部3係控制驅動部524，一面以特定速度(例如，100rpm以上300rpm以下程度)使被保持於基板保持部52之基板W旋轉，一面控制鍍敷液供給部53，而使鍍敷液噴嘴531位於基板W之中心部上方，從鍍敷液噴嘴531對基板W供給鍍敷液M1(參照圖3(a))。依此，將基板W之表面上之沖洗液N3快速地置換成鍍敷液M1。
當鍍敷置換處理結束時，控制部3減速被保持於基板保持部52之基板W之旋轉速度(例如，50rpm以上150rpm以下程度)，控制鍍敷液供給部53而開始鍍敷液盛上處理。鍍敷液盛上處理之期間，從鍍敷液供給部53對基板W供給鍍敷液M1，如後述般，在特定之時序，從溶劑供給部55a對基板W供給鍍敷液M1之溫度不同的溶劑N1(液供給工程)。以下，針對液供給工程予以詳細敘述。
首先，一面從鍍敷噴嘴531朝向基板W供給鍍敷液M1，一面使鍍敷液噴嘴531從基板W之中心部側朝向周緣部側移動(第1移動工程)(參照圖3(b))。此時，溶劑噴嘴551a也與鍍敷液噴嘴531同時成為一體而移動，但是來自溶劑噴嘴551a之溶劑N1之供給停止。依此，藉由來自鍍敷液M1之熱，基板W之中心部分附近被加熱。另外，鍍敷液M1之溫度係例如55℃以上75℃以下，更佳為60℃以上70℃以下。
接著，鍍敷液噴嘴531從基板W之中心部側上方到達至周緣部上方之途中的位置時，溶劑供給部55a被控制，開始從溶劑噴嘴551a供給溶劑N1。在該狀態下，鍍敷液噴嘴531及溶劑供給部55a朝向基板W之周緣部側上方進一步移動(第2移動工程)(參照圖3(c))。在此期間，因鍍敷液噴嘴531持續繼續供給鍍敷液M1，故鍍敷液M1和溶劑N1在基板W之表面上被混合。如上述般，溶劑N1之溫度較鍍敷液M1之溫度高，例如75℃以上95℃以下，更佳為80℃以上90℃以下。因此，鍍敷液M1和溶劑N1之混合液之 溫度較鍍敷液M1單體之溫度高。因此，藉由來自鍍敷液M1和溶劑N1之混合液的熱，基板W之周緣部側附近較基板W之中心部側附近強烈被加熱。
另外，鍍敷液M1和溶劑N1之流量比即使例如設為90：10以上50：50以下亦可。再者，即使使鍍敷液M1和溶劑N1之合計流量隨時成為一定值亦可。或是，即使先使鍍敷液M1之流量成為一定，使溶劑N1之流量成為可調亦可。並且，即使使鍍敷液M1及溶劑N1之流量在鍍敷液盛上處理之途中變化亦可。
接著，鍍敷液噴嘴531到達至基板W之周緣部上方之後，鍍敷液噴嘴531從基板W之周緣部側上方朝向中心部側上方而折回(第3移動工程)(參照圖3(d))。此時，來自鍍敷液噴嘴531之鍍敷液M1之供給，和來自溶劑噴嘴551a之溶劑N1之供給持續。因此，藉由來自鍍敷液M1和溶劑N1之混合液的熱，基板W之周緣部側附近較基板W之中心部側附近繼續被加熱。
之後，鍍敷液噴嘴531從基板W之周緣部側上方到達至中心部側上方之途中的位置時，溶劑供給部55a被控制，停止從溶劑噴嘴551a供給溶劑N1。在該狀態下，鍍敷液噴嘴531朝向基板W之中心部側上方進一步移動(第4移動工程)(參照圖3(e))。在此期間，因鍍敷液噴嘴531持續繼續供給鍍敷液M1，故藉由來自鍍敷液M1之熱，基板W之中心部側附近被加熱，其加熱之程度較基板W之周緣部側被減弱。
如此一來，在液供給工程中，因在至少一定的時間，同時供給鍍敷液M1和溶劑N1，故可以藉由鍍敷液M1和溶劑N1之混合液，重點性地加熱基板W之特定位置，具體而言基板W中欲加熱之區域(例如，周緣部側)。
另外，即使之後，鍍敷液噴嘴531及溶劑供給部55a在基板W之周緣部側上方和中心部側上方之間進一步移動，繼續實行鍍敷盛上處理亦可。
接著，控制部3控制鍍敷液供給部53，使鍍敷液噴嘴531位置於從基板W之中心以例如30mm以上100mm以下程度，更理想為30mm以上70mm以下程度，在半徑方向偏移之處上方。在該狀態下，從鍍敷液噴嘴531對基板W供給鍍敷液M1。依此，鍍敷液全面地擴散在基板W之全面，進行鍍敷液處理。
如此一來，由一連串之工程所構成之鍍敷處理結束之後，被保持於基板保持部52之基板W被洗淨處理。此時，控制部3係控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W旋轉，一面控制洗淨液供給部55b，使噴嘴551b位於基板W之上方，從噴嘴551b對基板W供給洗淨液N2。被供給至基板W之洗淨液N2藉由隨著基板W之旋轉的離心力，在基板W之表面擴散。依此，附著於基板W之異常鍍敷膜或反應副生成物等從基板W被除去。從基板W飛散之洗淨液N2經由杯體57被排出。
接著，控制部3係控制驅動部524，以特定速度使被保持於基板保持部52之基板W旋轉，一面控制沖洗 液供給部55c，使噴嘴551c位於基板W之上方，從噴嘴551c對基板W供給沖洗液N3。依此，基板W上之鍍敷液M1、洗淨液N2及沖洗液N3藉由隨著基板W之旋轉的離心力，從基板W飛散，經由杯體57被排出。
之後，基板W從鍍敷處理部5被搬出。此時，控制部3控制搬運機構222，從鍍敷處理部5取出基板W，將取出的基板W載置在收授部214，同時控制搬運機構213，取出被載置於收授部214之基板W，且收容至載置部211之載體C。
如上述說明般，若藉由本實施型態時，從鍍敷液噴嘴531對基板W供給鍍敷液M1，同時之後，溫度較鍍敷液M1之溫度高的溶劑N1從溶劑噴嘴551a被供給至基板W之特定的位置(液供給工程)。具體而言，鍍敷液噴嘴531在基板W之中心部上方附近移動之時，對基板W僅供給鍍敷液M1。另外，於鍍敷液噴嘴531在基板W之周緣部側上方附近移動之時，與鍍敷液M1同時從溶劑噴嘴551a供給溶劑N1。依此，因比起基板W之中心部側，周緣部側較強烈地被加熱，故可以充分地提高溫度相對性容易變低之區域的基板W之周緣部之溫度，可以使基板W之溫度在面內均勻。依此，可以使鍍敷之膜厚在基板W之面內均勻。
再者，若藉由本實施型態時，因使用鍍敷液M1所含之溶劑N1以作為加熱基板W之周緣部側之流體，故也不會有對鍍敷處理產生影響之虞。再者，也不會有增加鍍敷液M1之使用量之虞。
變形例
以下，針對本實施型態之各種變形例予以說明。
在上述實施型態中，雖然以將溶劑N1之溫度設為較鍍敷液M1之溫度高之情況為例進行說明，但是並不限定於此。即使與上述實施型態相反，使溶劑N1之溫度較鍍敷液M1之溫度低亦可。在此情況下，於鍍敷液噴嘴531在基板W之中心部側上方移動之時，與來自鍍敷液噴嘴531之鍍敷液M1，同時從溶劑噴嘴551a將溫度相對性低之溶劑N1供給至基板W之特定位置(基板W之中心部側之區域)亦可。另外，鍍敷液噴嘴531在基板W之周緣部側上方移動之時，即使對基板W僅供給鍍敷液M1亦可。依此，可以充分地提高溫度相對性地容易變低之基板W之周緣部之溫度，可以使基板W之溫度在面內成為均勻。
再者，在上述實施型態中，雖然舉出於鍍敷液噴嘴531在基板W之周緣部側上方附近移動之時，同時供給鍍敷液M1和溶劑N1之情況為例進行說明，但是若在基板W上生成鍍敷液M1和溶劑N1之混合液時，不一定要同時供給鍍敷液M1和溶劑N1亦可。例如，即使從鍍敷液噴嘴531對基板W僅供給鍍敷液M1，之後，停止從鍍敷液噴嘴531供給鍍敷液M1，同時從溶劑噴嘴551a對基板W之特定位置僅供給溶劑N1亦可。
再者，在上述實施型態中，雖然以鍍敷液噴嘴531和溶劑噴嘴551a並列成為一體而配置之情況為例進 行說明，但是並不限定於此。例如，如圖4至圖9所示般，鍍敷液噴嘴531及溶劑噴嘴551a即使設為與上述實施型態不同之配置亦可。以下，針對鍍敷液噴嘴531及溶劑噴嘴551a之配置的變形例進一步說明。
如圖4所示般，即使鍍敷液噴嘴531及溶劑噴嘴551a具有雙重構造亦可。在此情況下，被配置成鍍敷液噴嘴531位於中心，溶劑噴嘴551a包圍鍍敷液噴嘴531之周圍。即使溶劑噴嘴551a在俯視下，設為圓形狀等之環狀或C字狀亦可。在圖4中，藉由溶劑噴嘴551a被配置在鍍敷液噴嘴531之周圍，可以更有效率地進行鍍敷液M1和溶劑N1之混合。
如圖5所示般，即使取代溶劑噴嘴551a，將溶劑供給部55a之供給管路554b連接於往鍍敷液噴嘴531之配管(供給管路534)的途中亦可。在此情況下，來自溶劑供給部55a之溶劑N1與供給管路534中之鍍敷液M1混合，從鍍敷液噴嘴531被供給。在此情況下，可以更有效率地進行鍍敷液M1和溶劑N1之混合。
如圖6所示般，即使鍍敷液噴嘴531和溶劑噴嘴551a被配置成對基板W之表面傾斜亦可。此時，鍍敷液噴嘴531和溶劑噴嘴551a從側方觀看傾斜於互相不同之方向。依此，可以在旋轉之基板W上提高鍍敷液M1和溶劑N1之攪拌性，促進鍍敷液M1和溶劑N1之混合。另外，即使鍍敷液噴嘴531和溶劑噴嘴551a之傾斜角成為可以適當變更亦可。
如圖7所示般，即使鍍敷噴嘴531和溶劑噴嘴551a分別被安裝於不同機械臂541、541及移動體542、542，成為能夠在基板W上個別移動亦可。依此，因可以獨立地控制鍍敷液噴嘴531之位置和溶劑噴嘴551a之位置，故和鍍敷液噴嘴531之位置無關，能夠從溶劑噴嘴551a對基板W上之適當處僅以適當之量供給溶劑N1。
即使如圖8所示般，溶劑噴嘴551a被配置在基板W上之既定位置亦可。尤其，藉由將溶劑噴嘴551a固定在基板W之周緣部上方，可以有效果地提高基板W之周緣部之溫度。另外，溶劑噴嘴551a「被配置在基板W之既定位置」係指將溶劑噴嘴551a配置在基板W上之情況下不移動，被固定在既定位置之意。另外，溶劑噴嘴551a即使成為可以移動至例如位於杯體57之外側的待機位置亦可。
如圖9所示般，即使鍍敷液噴嘴531及溶劑噴嘴551a之至少一方被設置成2根以上亦可。例如，在圖9中，設置兩根鍍敷液噴嘴531A、531B，設置1根溶劑噴嘴551a，並且被一體化。鍍敷液噴嘴531A、531B即使成為能夠吐出互相不同之流量的鍍敷液M1(同一成分)亦可。依此，提供相對於鍍敷液M1從鍍敷液噴嘴531A、531B吐出之響應性，可以使鍍敷液M1之流量穩定化。
另外，本發明並不只限定於上述實施型態及變形例，在實施階段中只要在不脫離其主旨之範圍下可以使構成要素變形而予以具體化。再者，藉由組合上述實施型態及變形例所揭示之複數的構成要素之適當組合，可以 形成各種發明。即使從實施型態及變形例所示之全構成要素刪除幾個構成要素亦可。並且，即使適當組合涵蓋不同之實施型態及變形例的構成要素亦可。
5‧‧‧鍍敷處理部
50‧‧‧構成液供給部
51‧‧‧腔室
52‧‧‧基板保持部
53‧‧‧鍍敷液供給部
54‧‧‧噴嘴移動機構
55a‧‧‧溶劑供給部
55b‧‧‧洗淨液供給部
55c‧‧‧沖洗液供給部
56‧‧‧噴嘴移動機構
57‧‧‧杯體
58‧‧‧升降機構
531‧‧‧鍍敷液噴嘴
541‧‧‧機械臂
542‧‧‧移動體
551a‧‧‧溶劑噴嘴
551b‧‧‧噴嘴
551c‧‧‧噴嘴
521‧‧‧旋轉軸
522‧‧‧轉台
523‧‧‧挾盤
524‧‧‧驅動部
532‧‧‧鍍敷液供給源
533‧‧‧閥
534‧‧‧供給管路
535‧‧‧泵
536‧‧‧加熱部
537‧‧‧循環管路
543‧‧‧旋轉升降機構
552a‧‧‧溶劑供給源
552b‧‧‧洗淨液供給源
552c‧‧‧沖洗液供給源
553a‧‧‧閥
553b‧‧‧閥
553c‧‧‧閥
554a‧‧‧供給管路
554b‧‧‧供給管路
554c‧‧‧供給管路
556‧‧‧泵
557‧‧‧加熱部
558‧‧‧循環管路
562‧‧‧移動體
563‧‧‧旋轉升降機構
M1‧‧‧供給鍍敷液
N1‧‧‧吐出鍍敷液
N2‧‧‧供給洗淨液
N3‧‧‧沖洗液
W‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種鍍敷處理裝置，其特徵在於，具備：基板保持部，其係用以保持基板；鍍敷液供給部，其係對上述基板供給鍍敷液；溶劑供給部，其係對上述基板，供給構成上述鍍敷液的溶劑，該溶劑之溫度高於上述鍍敷液之溫度；及控制部，其係控制上述鍍敷液供給部，和上述溶劑供給部，上述控制部係於從上述鍍敷液供給部對上述基板之表面供給鍍敷液之後，從上述溶劑供給部對上述基板之表面側之周緣部供給溶劑，上述鍍敷液供給部包含供給上述鍍敷液之鍍敷液噴嘴，上述控制部係以下述之方式進行控制：在上述鍍敷液供給部供給上述鍍敷液，同時停止從上述溶劑供給部供給上述溶劑之狀態下，上述鍍敷液噴嘴從上述基板之中心部側朝向上述基板之周緣部側移動，上述鍍敷液噴嘴從上述基板之中心部側朝向上述基板之周緣部側移動之途中，上述鍍敷液供給部繼續供給上述鍍敷液，同時上述溶劑供給部開始供給上述溶劑。
  2. 如請求項1所載鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷液供給部包含供給上述鍍敷液之鍍敷液噴 嘴，上述溶劑供給部包含供給上述溶劑之溶劑噴嘴。
  3. 如請求項2所載鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷液噴嘴和上述溶劑噴嘴成為一體而能夠在上述基板上移動。
  4. 如請求項3所載鍍敷處理裝置，其中上述溶劑噴嘴被配置成包圍上述鍍敷液噴嘴之周圍。
  5. 如請求項2所載鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷液噴嘴和上述溶劑噴嘴從側方觀看傾斜於互相不同之方向。
  6. 如請求項2所載鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷液噴嘴和上述溶劑噴嘴成為能夠在上述基板上個別移動。
  7. 如請求項2所載鍍敷處理裝置，其中上述溶劑噴嘴被配置在上述基板上之既定位置。
  8. 如請求項2所載鍍敷處理裝置，其中上述鍍敷液噴嘴及上述溶劑噴嘴之至少一方被設置成2根以上。
  9. 一種鍍敷處理裝置，其特徵在於，具備：基板保持部，其係用以保持基板；鍍敷液供給部，其係對上述基板供給鍍敷液；及溶劑供給部，其係對上述基板，供給構成上述鍍敷液的溶劑，該溶劑之溫度高於上述鍍敷液之溫度，於從上述鍍敷液供給部對上述基板之表面供給鍍敷液之後，從上述溶劑供給部對上述基板之表面側之周緣部供給溶劑，上述鍍敷液供給部包含供給上述鍍敷液之鍍敷液噴嘴，上述溶劑供給部包含供給上述溶劑之溶劑噴嘴，上述鍍敷液噴嘴和上述溶劑噴嘴成為一體而能夠在上述基板上移動。
  10. 一種鍍敷處理方法，其特徵在於，具備：保持基板之基板保持工程；從鍍敷液供給部對上述基板之表面供給鍍敷液體之工程；及從溶劑供給部對上述基板之表面側之周緣部供給溫度高於上鍍敷液之溫度的溶劑之液供給工程，上述鍍敷液供給部包含供給上述鍍敷液之鍍敷液噴嘴，上述液供給工程具有：第1供給工程，其係在上述鍍敷液供給部供給上述鍍 敷液，同時停止從上述溶劑供給部供給上述溶劑之狀態下，上述鍍敷液噴嘴從上述基板之中心部側朝向上述基板之周緣部側移動；和第2供給工程，其係上述鍍敷液噴嘴從上述基板之中心部側朝向上述基板之周緣部側移動之途中，上述鍍敷液供給部繼續供給上述鍍敷液，同時上述溶劑供給部開始供給上述溶劑。
  11. 如請求項10所載之鍍敷處理方法，其中在上述液供給工程中，在至少一定時間同時供給上述鍍敷液和上述溶劑。
  12. 一種鍍敷處理方法，其特徵在於，具備：保持基板之基板保持工程；從鍍敷液供給部對上述基板之表面供給鍍敷液體之工程；及從溶劑供給部對上述基板之表面側之周緣部供給溫度高於上鍍敷液之溫度的溶劑之液供給工程，上述鍍敷液供給部包含供給上述鍍敷液之鍍敷液噴嘴，上述溶劑供給部包含供給上述溶劑之溶劑噴嘴，上述鍍敷液噴嘴和上述溶劑噴嘴成為一體而能夠在上述基板上移動。
  13. 一種記錄有程式之記憶媒體，該程式係在藉由用以控 制鍍敷處理裝置之動作的電腦被實行時，上述電腦控制上述鍍敷處理裝置而實行請求項10至12中之任一項所記載之鍍敷處理方法。
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