TWI535889B - Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium - Google Patents

Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium Download PDF

Info

Publication number
TWI535889B
TWI535889B TW101123281A TW101123281A TWI535889B TW I535889 B TWI535889 B TW I535889B TW 101123281 A TW101123281 A TW 101123281A TW 101123281 A TW101123281 A TW 101123281A TW I535889 B TWI535889 B TW I535889B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
nozzle
plating solution
plating
discharge
Prior art date
Application number
TW101123281A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201319313A (zh
Inventor
Yuichiro Inatomi
Takashi Tanaka
Mitsuaki Iwashita
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201319313A publication Critical patent/TW201319313A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI535889B publication Critical patent/TWI535889B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
    • C23C18/163—Supporting devices for articles to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1676—Heating of the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48—Coating with alloys
    • C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/0165—Holder for holding a Printed Circuit Board [PCB] during processing, e.g. during screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0736—Methods for applying liquids, e.g. spraying
    • H05K2203/075—Global treatment of printed circuits by fluid spraying, e.g. cleaning a conductive pattern using nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體
本發明係關於一種用以對基板之表面供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
近年來，對於半導體晶圓或液晶基板等的基板，為了在其表面形成電路而施行了配線。該配線，係利用由電性電阻低且可靠度高的銅素材所構成者來取代鋁素材。但是，由於銅與鋁相較易被氧化，所以為了防止銅配線表面之氧化，較期望藉由具有較高之電子遷移(electro migration)耐性的金屬來進行電鍍處理。
電鍍處理，例如是藉由對形成有銅配線的基板之表面供應無電解電鍍液而實施。例如在專利文獻1中，有提出一種電鍍處理裝置，其具備：使基板旋轉的基板旋轉機構；及在基板上吐出電鍍液的噴嘴；以及使噴嘴朝向順沿基板之方向移動的噴嘴移動機構。依據專利文獻1所記載的電鍍處理裝置，則藉由一邊使基板旋轉一邊供應電鍍液，可在基板之表面上形成有電鍍液均一的流動。藉此，可及於基板之表面全區而均一地施予電鍍處理。
(專利文獻1)日本特開2009-249679號公報
藉由無電解電鍍而進行的電鍍處理，係以受到來自電鍍液之組成、溫度等的反應條件之影響為人所周知。可是，在一邊使基板旋轉一邊供應電鍍液的情況，電鍍液將會從基板之中心部朝向周緣部流動。因而，可視為基板上的電鍍液之溫度，會隨著從基板之中心部朝向周緣部而變低。因此，可視為電鍍液的反應條件，在基板之中心部和基板之周緣部有所不同。
本發明之目的係在於提供一種可有效解決此種課題的電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
依據本發明的第1態樣，可提供一種電鍍處理裝置，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為，具備：基板旋轉保持機構，其係保持前述基板並使旋轉；及吐出機構，其係朝向由前述基板旋轉保持機構所保持的前述基板吐出電鍍液；以及控制機構，其係控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口。
依據本發明的第2態樣，可提供一種電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理方法，其 特徵為，具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液。
依據本發明的第3態樣，可提供一種記憶媒體，係儲存有用以使電鍍處理裝置執行電鍍處理方法的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的方法，並由以下的方法所構成，具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液。
依據本發明，朝向基板吐出電鍍液的吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比第1噴嘴之吐出口還更接近基板之中心部的吐出口。因此，可藉由第2噴嘴將電鍍液供應至基板之中心部或中心部附近，並且可藉由第1噴嘴，將電鍍液直接供應至基板上之區域之中比基板之中心部還位在周緣側的預定區域。因此，比起僅有經由基板之中心部或中心部附近的電鍍液到達上述預定區域的情況，還可提高到達上述預定區域之電鍍液的溫度。藉此，可抑制：在基板之中心部的電鍍液之反應條件、與基板之周緣部的電鍍液之反應條件之間產生差異。
以下，參照第1圖至第9圖(a)至(e)，就本發明之實施形態加以說明。首先藉由第1圖，就本實施形態的電鍍處理系統1全體加以說明。
<電鍍處理系統>
如第1圖所示，電鍍處理系統1，係包含：基板搬入出室5，其係載置容納複數片(例如25片)基板2(在此為半導體晶圓)的載具(carrier)3，用以逐次搬入及搬 出預定片數的基板2；以及基板處理室6，其係用以進行基板2之電鍍處理或洗淨處理等的各種處理。基板搬入出室5和基板處理室6，係鄰接而設置。
(基板搬入出室)
基板搬入出室5，係具有載具載置部4、容納搬運裝置8的搬運室9、以及容納基板交接台10的基板交接室11。在基板搬入出室5，係中介交接口12而連通連結有搬運室9和基板交接室11。載具載置部4，係載置複數個以水平狀態容納複數片基板2的載具3。搬運室9，係進行基板2之搬運，而基板交接室11，係在與基板處理室6之間進行基板2之交接。
在如此的基板搬入出室5，係在被載置於載具載置部4之其中一個載具3與基板交接台10之間，藉由搬運裝置8逐次搬運預定片數的基板2。
(基板處理室)
又基板處理室6，係具有：基板搬運單元13，其係在中央部朝向前後延伸；以及複數個電鍍處理裝置20，其係在基板搬運單元13之一方側及另一方側朝向前後排列配置，且對基板2供應電鍍液並進行電鍍處理。
此中的基板搬運單元13，係包含以能夠朝向前後方向移動之方式所構成的基板搬運裝置14。又基板搬運單元13，係中介基板搬入出口15而連通於基板交接室11的基 板交接台10。
在如此的基板處理室6，係對各電鍍處理裝置20，藉由基板搬運單元13的基板搬運裝置14，在保持水平的狀態下逐片搬運基板2。然後，於各電鍍處理裝置20，逐片洗淨處理基板2及電鍍處理基板2。
各電鍍處理裝置20，不同點僅在於所用的電鍍液等，其他方面則是大致相同的構成。因此，在以下的說明中，係就複數個電鍍處理裝置20之中的一個電鍍處理裝置20之構成加以說明。
<電鍍處理裝置>
以下，參照第2圖及第3圖，就電鍍處理裝置20加以說明。第2圖係顯示電鍍處理裝置20的側視圖，第3圖係顯示電鍍處理裝置20的俯視圖。
如第2圖及第3圖所示，電鍍處理裝置20，係具備：基板旋轉保持機構110，其係在殼體101之內部保持基板2並使旋轉；及吐出機構21，其係朝向由基板旋轉保持機構110所保持的基板2之表面吐出電鍍液；及電鍍液供應機構30，其係對吐出機構21供應電鍍液；及液排出機構120、125、130，其係藉由升降機構164而朝向上下方向驅動，且藉由具有排出口124、129、134的杯子(cup)105將從基板2飛散出的電鍍液等分別集中並排出至排出口124、129、134；以及控制機構106，其係控制基板旋轉保持機構110、吐出機構21及電鍍液供應機構30。
(基板旋轉保持機構)
此中的基板旋轉保持機構110，係如第2圖及第3圖所示，具有：中空圓筒狀的旋轉軸111，其係在殼體101內朝向上下延伸；及轉盤(turn table)112，其係安裝於旋轉軸111之上端部；及晶圓夾頭(wafer chuck)113，其係設置在轉盤112之上面外周部，且支撐基板2；以及旋轉機構162，其係旋轉驅動旋轉軸111。此中的旋轉機構162，係可藉由控制機構160而控制，且可藉由旋轉機構162來旋轉驅動旋轉軸111，藉此可使由晶圓夾頭113所支撐的基板2旋轉。
(吐出機構)
其次，就朝向基板2吐出電鍍液等的吐出機構21加以說明。吐出機構21，係包含：朝向基板2吐出CoP(鈷磷)電鍍液等之化學還原型電鍍液的第1噴嘴40及第2噴嘴45。化學還原型電鍍液，係從電鍍液供應機構30供應至第1噴嘴40及第2噴嘴45。有關第1噴嘴40及第2噴嘴45之詳細將於後述。
又吐出機構21，係如第2圖所示，也可復具有：包含吐出口71及吐出口72的第3噴嘴70。如第2圖及第3圖所示，第3噴嘴70，係安裝於手臂(arm)74之前端部，而該手臂74，係能夠朝向上下方向延伸並且固定於可藉由旋轉機構165而旋轉驅動的支撐軸73。
在第3噴嘴70中，吐出口71，係中介閥76a而連接於供應置換型電鍍液、例如Pd(鈀)電鍍液的電鍍液供應機構76。又吐出口72，係中介閥77a而連接於供應洗淨處理液的洗淨處理液供應機構77。藉由如此的第3噴嘴70，在一個電鍍處理裝置20內，不僅能夠實施藉由化學還原型電鍍液所進行的電鍍處理，還能夠實施藉由置換型電鍍液所進行的電鍍處理、及洗淨處理。
又如第2圖所示，供應早於電鍍處理而實施的前處理用之前處理液、例如純水等水洗(rinse)處理液的水洗處理液供應機構78，也可進一步中介閥78a而連接於第3噴嘴70之吐出口72。在此情況下，藉由適切地控制閥77a及閥78a之開閉，就可從吐出口72，將洗淨處理液或水洗處理液之其中一種處理液選擇性地朝向基板2吐出。
[第1噴嘴]
如第2圖及第3圖所示，第1噴嘴40，係包含複數個吐出口41。又第1噴嘴40，係安裝於手臂44之前端部，而該手臂44，係能夠朝向上下方向延伸並且固定於藉由旋轉機構165而旋轉驅動的支撐軸43。
如第3圖所示，第1噴嘴40之各吐出口41，係以沿著基板2之半徑方向而排列的方式所設置。因此，對基板2上之區域之中位在基板2之半徑方向的預定範圍內之區域，可從第1噴嘴40直接供應電鍍液。在此所謂「直接供應」，係意指：電鍍液到達基板2上之預定區域的路 徑，並非是滴落在比該預定區域還靠近基板2之中心側的電鍍液藉由基板2之旋轉所引起的離心力到達該預定區域的路徑，而是成為電鍍液滴落在該預定區域上的路徑之意。
一般而言，電鍍處理裝置20內之環境溫度或基板2之溫度，係比從第1噴嘴40或第2噴嘴45朝向基板2吐出時的電鍍液之溫度還低。因此，可視為：滴落在基板2之中心部或中心部附近的電鍍液在基板2上藉由離心力而流動至外方時，電鍍液之溫度，係隨著朝向基板2之周緣側而變低。因此，可視為：僅在基板2之中心部或中心部附近滴下電鍍液，且使該電鍍液藉由離心力而遍及於基板2全區的電鍍處理之情況下，基板2上的電鍍液之溫度，係隨著從基板2之中心部朝向周緣部而變低。
在此依據本實施形態，則藉由設置上述的第1噴嘴40，可對基板2上之區域之中位在基板2之半徑方向的預定範圍內之區域，將電鍍液從第1噴嘴40直接供應。因此，可抑制：在到達基板2上之區域之中比基板2之中心部還靠近周緣側之區域的電鍍液之溫度、與到達基板之中心部的電鍍液之溫度之間產生差異。
[第2噴嘴]
其次就第2噴嘴45加以說明。如第2圖及第3圖所示，第2噴嘴45係包含吐出口46。又第2噴嘴45，係安裝於手臂49之前端部，而該手臂49，係以在基板2之半 徑方向(在第2圖及第3圖中由箭號D所示的方向)成為進退自如的方式所構成。因此，第2噴嘴45，係能夠在中心位置與周緣位置之間移動，該中心位置係第2噴嘴45之吐出口46比第1噴嘴40之各吐出口41還更接近基板2之中心部，該周緣位置係比中心位置還更位在周緣側。另外在第3圖中，位在中心位置的第2噴嘴係以符號45’表示，位在周緣位置的第2噴嘴係以符號45”表示。
其次參照第7圖，就第2噴嘴45之吐出口46的具體形狀加以說明。第7圖係從VII-VII方向觀看到第3圖的第2噴嘴45之剖視圖。另外在第3圖及第7圖中，以符號R1所示的箭號，係顯示基板2右旋轉時的旋轉方向(第1旋轉方向)，以符號R2所示的箭號，係顯示基板2左旋轉時的旋轉方向(第2旋轉方向)。
如第7圖所示，第2噴嘴45之吐出口46，係包含：以沿著從基板2之法線方向(第7圖中以箭號N表示的方向)傾斜的傾斜方向(第7圖中以箭號S1表示的方向)朝向基板2吐出電鍍液35之方式所構成的傾斜吐出口46a。在此所謂「傾斜」，係意指：在第7圖中，箭號N和箭號S1並未平行，且箭號N和箭號S1並未正交之意。
如第7圖所示，傾斜吐出口46a，係以傾斜吐出口46a之傾斜方向S1對應於第1旋轉方向R1的方式所構成。在此所謂「傾斜吐出口46a之傾斜方向S1對應於第1旋轉方向R1」，係意指：顯示從傾斜吐出口46a吐出的電鍍液之吐出方向的向量S1，如第7圖所示，並非具有基板 2之第2旋轉方向R2的成分，而是具有基板2之第1旋轉方向R1的成分之意。另外，「傾斜吐出口46a之傾斜方向S1對應於第1旋轉方向R1」的詞句和「第1旋轉方向R1對應於傾斜吐出口46a之傾斜方向S1」的詞句為同義。
位在傾斜吐出口46a的傾斜之程度雖然未被特別限定，但是例如是以傾斜方向S1和基板之法線方向N所成的角之角度成為5度至60度之範圍內的方式來構成傾斜吐出口46a。
就如上所述吐出口46包含傾斜吐出口46a的優點加以說明。在此，就使用傾斜吐出口46a，在旋轉中的基板2上吐出電鍍液35的情況加以考量。在此情況下，碰撞到基板2的電鍍液35帶給基板2的衝擊之大小，係依存於：電鍍液35所碰撞的區域之位在水平方向的基板2之移動速度、與位在水平方向的電鍍液35之移動速度的差異、以及位在垂直方向的電鍍液35之速度。在此，在傾斜吐出口46a之傾斜方向S1對應於基板2之旋轉方向的情況下，電鍍液35所碰撞的區域之位在水平方向的基板2之移動速度、與位在水平方向的電鍍液35之移動速度的差異會變小。因而，藉由以傾斜吐出口46a之傾斜方向S1對應於基板2之旋轉方向的方式來構成傾斜吐出口46a，則能夠減弱碰撞到基板2的電鍍液35帶給基板2之衝擊。亦即，在使用傾斜吐出口46a而將電鍍液35朝向基板2吐出時，電鍍液35帶給基板2之衝擊，係以基板2 朝向第1旋轉方向R1旋轉的情況，比基板2朝向第2旋轉方向R2旋轉的情況還小。
(電鍍液供應機構)
其次，就對吐出機構21之第1噴嘴40及第2噴嘴45，供應CoP電鍍液等之化學還原型電鍍液的電鍍液供應機構30加以說明。第4圖係顯示電鍍液供應機構30的示意圖。
如第4圖所示，電鍍液供應機構30，係具有：供應槽31，其係貯留電鍍液35；及第1供應管33A，其係將供應槽31之電鍍液35供應至第1噴嘴40；以及第2供應管33B，其係將供應槽31之電鍍液35供應至第2噴嘴45。在第1供應管33A係中介插入有第1閥32A，在第2供應管33B係中介插入有第2閥32B。
又如第4圖所示，在供應槽31係安裝有將電鍍液35加熱至貯留溫度的槽用加熱手段50。又在槽用加熱手段50與第1噴嘴40之間，於第1供應管33A，安裝有將電鍍液35加熱至比貯留溫度還高溫之第1吐出溫度的第1加熱手段60A。同樣地，在槽用加熱手段50與第2噴嘴45之間，於第2供應管33B，安裝有將電鍍液35加熱至比貯留溫度還高溫之第2吐出溫度的第2加熱手段60B。有關槽用加熱手段50、第1加熱手段60A及第2加熱手段60B，將於後面詳細說明。
另外上述的「貯留溫度」，係成為比藉由電鍍液35 內之自我反應而進行金屬離子之析出的溫度(電鍍溫度)還低、且比常溫還高的預定溫度。又「第1吐出溫度」及「第2吐出溫度」，係成為等於上述的電鍍溫度、或比電鍍溫度還高的預定溫度。依據本實施形態，電鍍液35係如此地以二階段來加熱至電鍍溫度以上的溫度。
因此，比起電鍍液35在供應槽31內加熱至電鍍溫度以上之溫度的情況，還可在供應槽31內的電鍍液35中防止還原劑(reducing agent)之失去活性(deactivation)或成分之蒸發。藉此，可延長電鍍液35的壽命。
又，比起在供應槽31中電鍍液35在常溫下貯留，之後藉由第1加熱手段60A及第2加熱手段60B加熱至電鍍溫度以上之溫度的情況，還可將電鍍液35以較小的能量飛快地加熱至電鍍溫度以上的溫度。藉此，可抑制金屬離子之析出。
在供應槽31，係可從貯藏著電鍍液35之各種成分的複數個藥液供應源(未圖示)供應各種藥液。例如，可供應包含Co(鈷)離子的CoSO4金屬鹽(metal salt)、還原劑(例如，次磷酸(hypophosphorous acid)等)及添加劑等的藥液。此時，調整各種藥液的流量，以便適切地調整貯留在供應槽31內的電鍍液35之成分。
[槽用加熱手段]
如第4圖所示，槽用加熱手段50，係具有：循環管52，其係在供應槽31之附近形成電鍍液35之循環路徑； 及加熱器53，其係安裝於循環管52，且將電鍍液35加熱至貯留溫度；以及泵浦56，其係中介插入循環管52，且使電鍍液35循環。藉由設置槽用加熱手段50，可使供應槽31內的電鍍液35一邊在供應槽31附近循環一邊加熱至上述的貯留溫度。
又如第4圖所示，在循環管52係連接有第1供應管33A及第2供應管33B。在此，在閥36開放，而第1閥32A及第2閥32B閉鎖時，通過加熱器53的電鍍液35會送回供應槽31。另一方面，在閥36閉鎖，而第1閥32A及第2閥32B開放時，通過加熱器53的電鍍液35會到達第1噴嘴40及第2噴嘴45。
另外如第4圖所示，也可在循環管52中介插入有過濾器55。藉此，在藉由槽用加熱手段50來加熱電鍍液35時，可去除電鍍液35中所含的各種雜質。又如第4圖所示，也可在循環管52，設置有監視電鍍液35之特性的監視手段57。監視手段57，例如是由監視電鍍液35之溫度的溫度監視器、或監視電鍍液35之pH的pH監視器等所構成。
又如第4圖所示，電鍍液供應機構30，也可復具有脫氣(deaeration)手段37，該脫氣手段37係連接於供應槽31，且將貯留於供應槽31的電鍍液35中之溶解氧及溶解氫予以去除。該脫氣手段37，係以例如將氮等的惰性氣體供應至供應槽31內的方式所構成。在此情況下，藉由使氮等的惰性氣體溶解於電鍍液35中，可將已溶解於電鍍 液35中的氧或氫等之其他氣體排出至電鍍液35之外部。從電鍍液35排出的氧或氫，係可藉由排氣手段38而從供應槽31排出。
[第1加熱手段]
其次參照第5圖，就第1加熱手段60A加以說明。第1加熱手段60A，係用以將藉由槽用加熱手段50而被加熱至貯留溫度的電鍍液35，進一步加熱至第1吐出溫度。如第5圖所示，該第1加熱手段60A，係具有：第1溫度介質供應手段61A，其係將預定的傳熱介質加熱至第1吐出溫度或比第1吐出溫度還高的溫度；以及溫度調節器62，其係安裝於第1供應管33A，且使來自第1溫度介質供應手段61A的傳熱介質之熱傳導至第1供應管33A內的電鍍液35。又如第5圖所示，也可復設置有：溫度保持器65，其係以到達第1噴嘴40之內部的方式所設置，用以將通過位在第1噴嘴40內之第1供應管33A的電鍍液35保持在第1吐出溫度。
溫度調節器62，係具有：供應口62a，其係導入從第1溫度介質供應手段61A供應的溫度調節用之傳熱介質(例如溫水)；以及排出傳熱介質的排出口62b。從供應口62a供應來的傳熱介質，係在流動於溫度調節器62之內部的空間62c之期間與第1供應管33A接觸。藉此，流動於第1供應管33A的電鍍液35可加熱至第1吐出溫度。被用於電鍍液35之加熱後的傳熱介質，係從排出口 62b被排出。
較佳為，溫度調節器62內的第1供應管33A，係如第5圖所示地形成螺旋狀。藉此，可增大傳熱介質與第1供應管33A之間的接觸面積，且藉此可將傳熱介質之熱效率佳地傳至電鍍液35。
溫度保持器65，係在藉由溫度調節器62加熱至第1吐出溫度的電鍍液35從第1噴嘴40吐出為止之期間，用以保持電鍍液35的溫度。如第5圖所示，該溫度保持器65，係具有：保溫管65c，其係在溫度保持器65內延伸接觸到第1供應管33A；及供應口65a，其係將從第1溫度介質供應手段61A供應的傳熱介質導入保溫管65c；以及排出口65b，其係排出傳熱介質。保溫管65c，係沿著第1供應管33A而延伸至第1噴嘴40之前端部附近，藉此，可將從第1噴嘴40之各吐出口41吐出的電鍍液35之溫度均一地保持在第1吐出溫度。
如第5圖所示，保溫管65c，也可在第1噴嘴40之內部開放，且與溫度保持器65內的空間65d相通。在此情況下，溫度保持器65，係具有三層構造(三層配管的構造)，該三層構造係由：位在溫度保持器65之剖面中心的第1供應管33A、以熱的方式接觸到第1供應管33A之外周而配設的保溫管65c、以及位在保溫管65c之外周的空間65d所構成。從供應口65a供應來的傳熱介質，係在到達第1噴嘴40之前端部為止通過保溫管65c來保溫電鍍液35，之後，通過溫度保持器65內的空間65d而從排 出口65b排出。流動於空間65d的傳熱介質，係進行以下的作用：以熱的方式切斷流動於保溫管65c的傳熱介質(及流動於其內側之第1供應管33A的電鍍液35)與溫度保持器65之外側的環境。因而，可抑制流動於保溫管65c的傳熱介質之熱損失，並且可有效率地進行從流動於保溫管65c的傳熱介質朝向流動於第1供應管33A的電鍍液35之熱傳遞。
另外在第5圖中，供應至溫度調節器62的傳熱介質、和供應至溫度保持器65的傳熱介質中之任一個，都是顯示成為從第1溫度介質供應手段61A所供應的傳熱介質之例。然而，並未受限於此，供應至溫度調節器62的傳熱介質、和供應至溫度保持器65的傳熱介質，也可分別從個別的傳熱介質之供應源來供應。
[第2加熱手段]
其次參照第6圖，就第2加熱手段60B加以說明。第2加熱手段60B，係用以將藉由槽用加熱手段50加熱至貯留溫度的電鍍液35，進一步加熱至第2吐出溫度。如第6圖所示，該第2加熱手段60B，係具有：第2溫度介質供應手段61B，其係將預定的傳熱介質加熱至第2吐出溫度或比第2吐出溫度還高的溫度；以及溫度調節器62，其係安裝於第2供應管33B，且使來自第2溫度介質供應手段61B的傳熱介質之熱傳導至第2供應管33B內的電鍍液35。又如第6圖所示，也可復設置有：溫度保持器65，其 係以到達第2噴嘴45之內部的方式所設置，用以將通過位在第2噴嘴45內之第2供應管33B的電鍍液35保持在第2吐出溫度。
第2加熱手段60B，不同點僅在於：傳熱介質藉由第2溫度介質供應手段61B加熱至第2吐出溫度或比第2吐出溫度還高的溫度，其他點則與第5圖所示的第1加熱手段60A大致相同。關於第6圖所示的第2加熱手段60B，在與第5圖所示的第1加熱手段60A相同的部分係附記相同符號並省略詳細說明。
另外上述的第1加熱手段60A及第2加熱手段60B，係以第1吐出溫度比第2吐出溫度還高的方式藉由控制機構160來控制。亦即，具有第1加熱手段60A及第2加熱手段60B的電鍍液供應機構30，係構成為：供應至第1噴嘴40的電鍍液之溫度比供應至第2噴嘴45的電鍍液之溫度還高。藉此，如後述般，可更確實地抑制：在到達基板2上之區域之中比基板2之中心部還靠近周緣側之區域的電鍍液之溫度、與到達基板之中心部的電鍍液之溫度之間產生差異。
(液排出機構)
其次，參照第2圖就將從基板2飛散的電鍍液或洗淨液等予以排出的液排出機構120、125、130加以說明。如第2圖所示，在殼體(casing)101內，係配置有：可藉由升降機構164朝向上下方向驅動，且具有排出口124、 129、134的杯子105。液排出機構120、125、130，係分別將集中於排出口124、129、134的液體予以排出。
從基板2飛散的處理液，係就每一種類透過排出口124、129、134而藉由液排出機構120、125、130來排出。例如，從基板2飛散的CoP電鍍液係從電鍍液排出機構120排出，從基板2飛散的Pd電鍍液係從電鍍液排出機構125排出，而從基板2飛散的洗淨液及水洗處理液係從處理液排出機構130排出。
(其他的構成要素)
如第2圖所示，電鍍處理裝置20，也可復具有：背面處理液供應機構145，其係對基板2之背面供應處理液；以及背面氣體供應機構150，其係對基板2之背面供應氣體。
包含複數個如以上構成之電鍍處理裝置20的電鍍處理系統1，係按照記錄於設置在控制機構160之記憶媒體161中的各種程式而由控制機構160所驅動控制，藉此可進行對應基板2的各種處理。在此，記憶媒體161，係儲存有各種的設定資料或後述的電鍍處理程式等之各種的程式。作為記錄媒體161，係可使用能夠由電腦讀取的ROM或RAM等之記憶體、或硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟等的碟狀記憶媒體等公知物。
<電鍍處理方法>
在本實施形態中，電鍍處理系統1及電鍍處理裝置20，係按照記錄於記憶媒體161中的電鍍處理程式來驅動控制，以便對基板2施予電鍍處理。在以下的說明中，起初，參照第8圖及第9圖(a)至(c)，就在一個電鍍處理裝置20中藉由置換電鍍來對基板2施予Pd電鍍處理，之後，藉由化學還原電鍍來施予Co電鍍處理的方法加以說明。
(基板搬入製程及基板接收製程)
起初，執行基板搬入製程及基板接收製程。首先，使用基板搬運單元13的基板搬運裝置14，將1片基板2從基板交接室11搬入一個電鍍處理裝置20。在電鍍處理裝置20中，起初，杯子105會下降至預定位置，其次，被搬入的基板2可藉由晶圓夾頭113來支撐，之後，杯子105可藉由升降機構164而上升至排出口134和基板2之外周端緣相對向的位置。
(洗淨製程)
其次，執行由水洗處理、前洗淨處理及之後之水洗處理所構成的洗淨製程(S301)。起初，水洗處理液供應機構78的閥78a打開，藉此，水洗處理液可透過第3噴嘴70之吐出口72而供應至基板2之表面。其次，執行前洗淨製程。起初，洗淨處理液供應機構77的閥77a打開，藉此，洗淨處理液可透過第3噴嘴70之吐出口72而供應 至基板2之表面。之後，與上述的情況同樣地使水洗處理液透過第3噴嘴70之吐出口72而供應至基板2之表面。處理後的水洗處理液或洗淨處理液，係透過杯子105之排出口134及處理液排出機構130而廢棄。另外在洗淨製程S301及以下的各製程之其中一個製程中，只要沒有特別提及，基板2，也可藉由基板旋轉保持機構110而在第1旋轉方向R1旋轉。
(Pd電鍍製程)
其次，執行Pd電鍍製程(S302)。該Pd電鍍製程，係在前洗淨製程後之基板2尚未乾燥的狀態之期間，當作置換電鍍處理製程來執行。如此，藉由在基板2尚未乾燥的狀態下執行置換電鍍處理製程，可防止：基板2之被電鍍面的銅等氧化且無法優異地進行置換電鍍處理。
在Pd電鍍製程中，起初，使杯子105藉由升降機構164下降至排出口129和基板2之外周端緣相對向的位置。其次，電鍍液供應機構76的閥76a打開，藉此，包含Pd的電鍍液，可透過第3噴嘴70之吐出口71以所期望的流量朝向基板2之表面吐出。藉此，對基板2之表面施予Pd電鍍。處理後的電鍍液，係從杯子105之排出口129排出。從排出口129排出的電鍍液，係透過排出機構125，被回收再利用、或被廢棄。
(水洗處理製程)
其次，例如執行水洗處理製程(S303)，作為早於Co電鍍製程而實施的前處理。在該水洗處理製程S303中，例如將水洗處理液當作前處理液而供應至基板2之表面。
(Co電鍍製程)
之後，在與執行上述的製程S301至S303相同的電鍍處理裝置20中，執行Co電鍍製程(S304)。該Co電鍍製程S304，係當作化學還原電鍍處理製程來執行。如第8圖所示，該Co電鍍製程S304，係包含液置換製程S305(第1製程)、培養(incubation)製程S306(第2製程)及電鍍膜成長製程S307(第3製程)。
另外在Co電鍍製程中析出而形成電鍍層的元素並不受限於Co，也可同時析出其他的元素。例如，在Co電鍍製程中使用的電鍍液，不僅包含Co之離子而且還包含有其他元素之離子的情況，也可與Co同時析出其他元素。在此，係在電鍍液中包含有Co之離子及P(磷)之離子，因此，就不僅包含Co也包含P的電鍍層(CoP)之情況加以說明。另外在以下的說明中，即便是在電鍍層中包含有Co以外之元素的情況，也將藉由Co電鍍製程所得的電鍍層稱為「Co電鍍層」。
上述的製程S305至S307之中的液置換製程S305，係成為：藉由形成CoP的電鍍液35來置換在上述的水洗處理製程S303中供應至基板2的水洗處理液之製程。又 培養製程S306，係成為：在液置換製程S305之後，及於後述的Pd電鍍層83上之全區而形成初始的Co電鍍層84之製程。另外所謂初始的Co電鍍層84，係指厚度為數十nm以下的Co電鍍層84之意。又電鍍膜成長製程S307，係成為：在藉由培養製程S306而形成之初始的Co電鍍層84上更進一步進行電鍍反應，且形成足夠的厚度、例如一百nm以上之厚度的Co電鍍層84之製程。
以下，參照第9圖(a)至(e)就Co電鍍製程加以詳細說明。第9圖(a)係顯示實施Pd電鍍製程S302及水洗處理製程S303後的基板2之示意圖。如第9圖(a)所示，基板2，係具有：由有機化合物等所構成的絕緣層81；及由銅等所構成的配線82；以及以覆蓋配線82之方式所設置的Pd電鍍層83。又在基板2上，係存在有藉由水洗處理製程S303而供應的水洗處理液79。另外在Co電鍍製程S304之各製程S305、S306、S307中，只要沒有特別提及，第2噴嘴45之吐出口46係位在比第1噴嘴40之各吐出口41還接近基板2之中心部。
起初，如第9圖(b)所示，將藉由第1加熱手段60A而被加熱至第1吐出溫度的電鍍液35，朝向基板2之表面從第1噴嘴40之各吐出口41吐出。此外，將藉由第2加熱手段60B而被加熱至第2吐出溫度的電鍍液35，朝向基板2之表面從第2噴嘴45之吐出口46吐出。此中從第1噴嘴40之各吐出口41吐出的電鍍液35，係如第9圖(b)所示，到達基板2上之區域之中位在基板2之半徑 方向的預定範圍內之區域。又從第2噴嘴45之吐出口46吐出的電鍍液35，係到達基板2之大致中心部。
[液置換製程]
藉由使用第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35，如第9圖(b)所示，可使存在於基板2上的水洗處理液79，由形成CoP的電鍍液35所置換。亦即，完成上述的液置換製程S305。液置換製程S305所需的時間，雖然因基板2之尺寸或電鍍液35之流量而異，但是例如成為1秒至2分鐘左右。
[培養製程]
接著當使用第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35時，就如第9圖(c)所示，可在Pd電鍍層83上局部地形成初始的Co電鍍層84。當更進一步朝向基板2持續吐出電鍍液35時，就如第9圖(d)所示，及於Pd電鍍層83上之全區形成有初始的Co電鍍層84。亦即，完成上述的培養製程S306。
[電鍍膜成長製程]
接著當使用第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35時，就如第9圖(e)所示，Pd電鍍層83上的Co電鍍層84之厚度，到達預定的厚度、例如1μm。亦即，完成上述的電鍍膜成長製程S307。
另外在Co電鍍製程S304中，杯子105可藉由升降機構164而下降至排出口124和基板2之外周端緣相對向的位置。因此，處理後的電鍍液35，係可從杯子105之排出口124排出。經排出之處理後的電鍍液35，係透過排出機構120，被回收再利用、或被廢棄。
(洗淨製程)
其次，對已施予Co電鍍處理的基板2之表面，執行由水洗處理、後洗淨處理及之後的水洗處理所構成的洗淨製程S308。該洗淨製程S308，由於是與上述的洗淨製程S301大致相同，所以省略詳細說明。
(乾燥製程)
之後，執行使基板2乾燥的乾燥製程(S309)。例如，藉由使轉盤(turn table)112旋轉，附著於基板2的液體就會藉由離心力而朝向外方飛出，藉此可乾燥基板2。亦即，轉盤112，也可具備作為使基板2之表面乾燥的乾燥機構之功能。
如此，在一個電鍍處理裝置20中，對基板2之表面，起初藉由置換電鍍來施予Pd電鍍，其次藉由化學還原電鍍來施予Co電鍍。
之後，基板2，也可搬運至Au(金)電鍍處理用之其他的電鍍處理裝置20。在此情況下，在其他的電鍍處理裝置20中，可在基板2之表面，藉由置換電鍍來施予Au電 鍍處理。Au電鍍處理之方法，除了電鍍液及洗淨液不同以外，其餘由於與Pd電鍍處理用的上述方法大致相同，所以省略詳細說明。
(起因於溫度的本實施形態之作用效果)
在此依據本實施形態，則如上述般，朝向基板2吐出電鍍液35的吐出機構21，係具有第1噴嘴40及第2噴嘴45，該第1噴嘴40係包含沿著基板2之半徑方向排列的複數個吐出口41，該第2噴嘴45係包含可位在比第1噴嘴40之各吐出口41還更接近基板2之中心部的吐出口46。因此，可藉由第2噴嘴45將電鍍液35供應至基板2之中心部，並且可藉由第1噴嘴40，將電鍍液35直接供應至基板2上之區域之中比基板2之中心部還位在周緣側的預定區域。因此，比起僅有經由基板2之中心部的電鍍液35到達上述預定區域的情況，還可提高到達上述預定區域之電鍍液35的溫度。藉此，可抑制在基板2之中心部的電鍍液35之反應條件、與基板2之周緣部的電鍍液35之反應條件之間產生差異。藉此，可將形成於基板2的Co電鍍層84之厚度，及於基板2之全區而形成大致均等。
可是在本實施形態的電鍍處理方法中，如上述般，在電鍍處理之期間，基板2是藉由基板旋轉保持機構110而旋轉。因此，可視為：在基板2上之區域之中位在比基板2之中心部還靠近周緣側的預定區域，不僅從第1噴嘴40 直接供應的電鍍液35、就連從第2噴嘴45吐出的電鍍液35、即經由基板2之中心部的電鍍液35也會到達。在此情況下，可視為：從第1噴嘴40直接供應至該預定區域的電鍍液35、和經由基板2之中心部的電鍍液35會混合，藉此，該預定區域中的電鍍液35之溫度，會比從第1噴嘴40吐出時的電鍍液35之溫度(第1吐出溫度)還低。
在此依據本實施形態，則如上述般，電鍍液供應機構30，係構成為：供應至第1噴嘴40的電鍍液之溫度(第1吐出溫度)比供應至第2噴嘴45的電鍍液之溫度(第2吐出溫度)還高。因此，即便是在上述預定區域中來自第1噴嘴40的電鍍液35和來自第2噴嘴45的電鍍液35混合的情況，也可抑制：在混合後的電鍍液35之溫度、與從第2噴嘴45到達基板2之中心部的電鍍液35之溫度(第2吐出溫度)之間產生差異。藉此，可將形成於基板2的Co電鍍層84之厚度，及於基板2之全區而更確實地形成大致均等。
另外在基板2之周緣部，可視為：不僅從第1噴嘴40直接供應的電鍍液35、及經由基板2之中心部之來自第2噴嘴45的電鍍液35，就連經由基板2之其他區域之來自第1噴嘴40的電鍍液也會到達。因而，可視為：電鍍液35之溫度因混合而變低的現象，係在基板2之周緣部最為顯著。因此，較佳是構成為：第1噴嘴40之各吐出口41，係對基板2之周緣部附近直接供應電鍍液35。藉此， 可抑制：在基板2之中心部或中心部附近的電鍍液35之反應條件、與基板2之周緣部的電鍍液35之反應條件之間產生差異，藉此，可將形成於基板2的Co電鍍層84之厚度及於基板2之全區而更確實地形成大致均等。
(起因於吐出角度的本實施形態之作用效果)
又依據本實施形態，則如上述般，第2噴嘴45之吐出口46，係包含：以沿著從基板2之法線方向N傾斜的傾斜方向S1朝向基板2吐出電鍍液35之方式所構成的傾斜吐出口46a。又，傾斜吐出口46a之傾斜方向S1係對應於基板2之第1旋轉方向R1。因此，可減弱到達基板2之中心部的電鍍液35帶給基板2之衝擊。藉此，在基板2中心部或中心部附近可防止上述的培養製程S306及電鍍膜成長製程S307受到阻礙。
其次，與比較形態相較來說明吐出口46包含傾斜吐出口46a的效果。第10圖係顯示在使用具有垂直吐出口101的噴嘴100朝向基板2吐出電鍍液35的情況之示意圖，該垂直吐出口101係構成為：沿著基板2之法線方向N而朝向基板2之中心部吐出電鍍液35。在第10圖所示的比較形態中，電鍍液35的移動速度之成分，係全部成為位在垂直方向的成分。因此，比起本實施形態的情況，到達基板2之中心部的電鍍液35帶給基板2的衝擊會變大。在此情況下，可視為：在基板2之中心部或中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35之狀態會變得不穩定。 例如第10圖所示，可視為：在基板2之中心部或中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35之量會變少、或電鍍液35之流動會變得急劇。
一般而言，在化學還原型電鍍液35中，可視為：電鍍液35中之還原劑會對基板2之Pd電鍍層83釋出電子，且在Pd電鍍層83上金屬離子(例如Co離子)會接收該電子，藉此會在Pd電鍍層83上析出金屬(Co)。在此情況下，可視為：在電鍍液35與Pd電鍍層83之間，係形成有用以進行電子之授受的幾個層。例如，可視為：在界面形成有藉由正負之帶電粒子形成對並以層狀排列而形成的電性雙重層。在此情況下，為了迅速地實施電子之授受，重要的是穩定維持用以進行電子之授受的層。
在此依據上述之比較形態，則在基板2之中心部或中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35之狀態會變得不穩定。在此情況下，用以進行電子之授受的層會變得不穩定，結果，可視為：電子之授受的速度會變小、或無法進行電子之授受。因此依據比較形態，則可視為：形成於基板2之中心部或中心部附近的Co電鍍層84之厚度，變得比形成於基板之其他區域的Co電鍍層84之厚度還薄。或是，可視為：在基板2之中心部沒有形成Co電鍍層84。
相對於此，依據本實施形態，則如上述般，藉由使用傾斜吐出口46a朝向基板2之中心部吐出電鍍液35，可減弱到達基板2之中心部的電鍍液35帶給基板2之衝擊。藉此，可穩定維持用以進行電子之授受的層。因此，可迅 速地實施電鍍液35與Pd電鍍層83之間的電子之授受。藉此，可防止：形成於基板2之中心部的Co電鍍層84之厚度，變得比形成於基板之其他區域的Co電鍍層84之厚度還薄。又，藉由使用傾斜吐出口46a，不會減低電鍍液35之吐出流量，而可減弱電鍍液35帶給基板2的衝擊。
<電鍍液供應機構的變化例>
另外在本實施形態中，電鍍液供應機構30，係顯示具有以下之構件為例：供應槽31，其係貯留電鍍液35；及槽用加熱手段50，其係將供應槽31內的電鍍液35加熱至貯留溫度；及第1供應管33A，其係將供應槽31的電鍍液35供應至第1噴嘴40；及第1加熱手段60A，其係安裝於第1供應管33A，且將供應至第1噴嘴40的電鍍液35加熱至第1吐出溫度；第2供應管33B，其係將供應槽31的電鍍液35供應至第2噴嘴45；以及第2加熱手段60B，其係安裝於第2供應管33B，且將供應至第2噴嘴45的電鍍液35加熱至第2吐出溫度。然而，並非被限定於此，只要可實現供應至第1噴嘴40的電鍍液35之溫度變得比供應至第2噴嘴45的電鍍液35之溫度還高，則可採用電鍍液供應機構30之各種構成。
例如在電鍍液供應機構30中，也可不設置將供應槽31內的電鍍液35加熱至貯留溫度的槽用加熱手段50。在此情況下，常溫的電鍍液35會到達第1加熱手段60A及第2加熱手段60B。然後，電鍍液35可藉由第1加熱手 段60A而加熱至第1吐出溫度，又電鍍液35可藉由第2加熱手段60B而加熱至第2吐出溫度。
又，在電鍍液供應機構30中，也可不設置第2加熱手段60B。在此情況下，係設定為：藉由槽用加熱手段50而實現之上述的貯留溫度，變得比電鍍溫度還高。亦即，藉由槽用加熱手段50，供應槽31內的電鍍液35，可加熱至比電鍍溫度還高的溫度。藉此，可將從第2噴嘴45吐出的電鍍液35之溫度，設為等於電鍍溫度、或比電鍍溫度還高的預定溫度。又，藉由第1加熱手段60A，可將供應至第1噴嘴40的電鍍液35之溫度設為比供應至第2噴嘴45的電鍍液35之溫度還高。
或是，如第11圖所示，電鍍液供應機構30，也可具有：第1供應槽31A及第2供應槽31B，其係貯留電鍍液35；及第1供應管33A，其係將第1供應槽31A之電鍍液35供應至第1噴嘴40；及第2供應管33B，其係將第2供應槽31B之電鍍液35供應至第2噴嘴45；及第1供應槽用加熱手段50A，其係將第1供應槽31A內之電鍍液35加熱至第1貯留溫度；以及第2供應槽用加熱手段50B，其係將第2供應槽31B內之電鍍液35加熱至第2貯留溫度。在此第1供應槽用加熱手段50A及第2供應槽用加熱手段50B，不同點僅在於目標溫度，其他點，係與第4圖所示之上述的槽用加熱手段50大致相同。有關第11圖所示的第1供應槽用加熱手段50A及第2供應槽用加熱手段50B，係在與第4圖所示的槽用加熱手段50相同的 部分附記相同符號並省略詳細說明。
在第11圖所示的變化例中，係以上述的第1貯留溫度變得比第2貯留溫度還高的方式，藉由控制機構160來控制用第1供應槽用加熱手段50A及前述第2供應槽用加熱手段50B。又第1貯留溫度及第2貯留溫度，係設定為變得比上述的電鍍溫度還高。因此，可將供應至第1噴嘴40及第2噴嘴45的電鍍液35之溫度，設為比電鍍溫度還高，且將供應至第1噴嘴40的電鍍液35之溫度，設為比供應至第2噴嘴45的電鍍液35之溫度還高。
另外，如在第11圖所示的變化例中由一點鏈線所示，電鍍液供應機構30也可復包含第1加熱手段60A及第2加熱手段60B。在此情況下，電鍍液35，係與第4圖所示的形態之情況同樣，可藉由供應槽用加熱手段50A、50B和加熱手段60A、60B進行二階段加熱。因此，可將貯留於各第1供應槽31A及第2供應槽31B的電鍍液35之溫度，設為比電鍍溫度還低的溫度。藉此，會在第1供應槽31A內及第2供應槽31B內發生電鍍液35中的還原劑之失去活性或成分之蒸發，結果可防止電鍍液35之壽命變短。
<第2噴嘴的變化例>
又在本實施形態中，第2噴嘴45之吐出口46，係顯示包含以沿著從基板2之法線方向N傾斜的傾斜方向S1朝向基板2吐出電鍍液35之方式所構成的傾斜吐出口46a 之例。然而，並不被限於此，第2噴嘴45之吐出口46，也可復包含：以沿著基板2之法線方向N朝向基板2吐出電鍍液35之方式所構成的垂直吐出口46b。第12圖係顯示具有復包含垂直吐出口46b之吐出口46的第2噴嘴45之俯視圖，第13圖係從XIII-XIII方向觀看到第12圖所示的第2噴嘴45之剖視圖。
如第13圖所示，垂直吐出口46b，係沿著與基板2之法線方向N呈平行的方向S2而吐出電鍍液35。在第13圖所示之例中，在傾斜吐出口46a係連接有傾斜吐出口用第2供應管33B(1)，而在垂直吐出口46b係連接有垂直吐出口用第2供應管33B(2)。又，雖然未圖示，但是在傾斜吐出口用第2供應管33B(1)及垂直吐出口用第2供應管33B(2)與第2供應管33B之間，係設置有：將第2供應管33B內之電鍍液35選擇性地供應至傾斜吐出口用第2供應管33B(1)或垂直吐出口用第2供應管33B(2)之其中一方的閉鎖手段。該閉鎖手段，係可藉由控制機構160而控制。因而，藉由控制機構160來控制閉鎖手段，藉此可停止電鍍液35對傾斜吐出口46a或垂直吐出口46b之其中一方的供應。亦即，閉鎖手段，係可根據來自控制機構160之控制而閉鎖傾斜吐出口46a或垂直吐出口46b之其中一方。
在第2噴嘴45之吐出口46復包含上述的垂直吐出口46b之情況，藉由按照狀況來分開使用傾斜吐出口46a和垂直吐出口46b，可獲得以下的效果。例如在上述的液置 換製程S305中，係使用第2噴嘴45之垂直吐出口46b朝向基板2吐出電鍍液35。另一方面，在上述的培養製程S306及電鍍膜成長製程S307中，係使用第2噴嘴45之傾斜吐出口46a朝向基板2吐出電鍍液35。因此，在液置換製程S305中，可加強到達基板2的電鍍液35帶給基板2之衝擊，藉此，可促進基板2上之水洗處理液置換成電鍍液35。又在培養製程S306及電鍍膜成長製程S307中，係與上述的本實施形態之情況同樣，可減弱到達基板2的電鍍液35帶給基板2之衝擊。藉此，可防止因衝擊而阻礙初始的Co電鍍層84之形成、及Co電鍍層84之成長。
<第1噴嘴的變化例>
又在本實施形態中，係顯示第1噴嘴40，包含沿著基板2之半徑方向而排列的複數個吐出口41之例。然而，只要第1噴嘴40可對沿著基板2上之區域之中位在基板2之半徑方向的預定範圍內之區域直接供應電鍍液35，則第1噴嘴40之具體的形態未被限定。例如第14圖所示，第1噴嘴40，也可包含沿著基板2之半徑方向而延伸的開縫(slit)狀之吐出口42。或是，雖然未圖示，但是也可藉由沿著基板2之半徑方向而排列獨立的複數個噴嘴來構成第1噴嘴40。
又與第2噴嘴45之傾斜吐出口46a的情況同樣，即便是在第1噴嘴40，也可構成為：吐出口41或吐出口 42，沿著從基板2之法線方向N傾斜的傾斜方向朝向基板2吐出電鍍液35。藉此，可減弱從第1噴嘴40吐出的電鍍液35碰撞基板2時之衝擊。藉此，在培養製程S306及電鍍膜成長製程S307時，可更穩定維持用以在電鍍液35與Pd電鍍層83之間進行電子之授受的層。
<控制方法的第1變化例>
又在本實施形態中，係顯示在第2噴嘴45之吐出口46位在比第1噴嘴40之各吐出口41還接近基板2之中心部的狀態下，第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35之例。然而，並未被限於此，也可藉由控制機構160來控制第2噴嘴45及手臂49，以便在第2噴嘴45從中心位置移動往周緣位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。
第15圖(a)及(b)係顯示在上述的液置換製程S305中，在第2噴嘴45從中心位置移動往周緣位置之期間朝向基板2吐出電鍍液35之例的示意圖。在第15圖(b)中，藉由箭號D1來表示從中心位置朝向周緣位置的方向。在此情況下，起初如第15圖(a)所示，在中心位置，第2噴嘴45會朝向基板2之中心部吐出電鍍液35。其次如第15圖(b)所示，在第2噴嘴45從中心位置移動往周緣位置之期間第2噴嘴45會朝向基板2吐出電鍍液35。藉此，如第15圖(a)及(b)所示，在從基板2之中心部朝向周緣部的方向，基板2上的水洗處理液79 會依次置換成電鍍液35。
可是，在從中心位置移動往周緣位置之期間當第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35時，在被吐出的電鍍液35之速度成分中，係包含有：對應於第2噴嘴45之移動速度的速度成分、即從基板2之中心部朝向周緣部的水平方向之速度成分。因此，電鍍液35朝向基板2之周緣部推動水洗處理液79之力會變強，藉此，可將基板2上之水洗處理液79更有效率地置換成電鍍液35。
<控制方法的第2變化例>
另外在上述之控制方法的第1變化例中，係顯示藉由控制機構160來控制第2噴嘴45及手臂49，以便在第2噴嘴45從中心位置移動往周緣位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35之例。然而，並未被限於此，也可藉由控制機構160來控制第2噴嘴45及手臂49，以便在第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。
第16圖(a)及(b)係顯示在上述的培養製程S306中，在第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35之例的示意圖。在第16圖(a)及(b)中，係藉由箭號D2來表示從周緣位置朝向中心位置的方向。
可是，在第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間當第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35時，在被吐 出的電鍍液35之速度成分中，係包含有：對應於第2噴嘴45之移動速度的速度成分、即從基板2之周緣部朝向中心部的水平方向之速度成分。另一方面，基板2係藉由基板旋轉保持機構110而旋轉，因此，可視為：已存在於基板2上的電鍍液35，係根據離心力，而從基板2之中心部朝向周緣部移動。亦即，從第2噴嘴45朝向基板2吐出的電鍍液35之水平方向的速度成分、和已存在於基板2上的電鍍液35之水平方向的速度成分，係相反的。在此情況下，如第16圖(a)及(b)所示，可視為：從第2噴嘴45吐出的電鍍液35和已存在於基板2上的電鍍液35會碰撞，電鍍液35之流動會因此而停滯，藉此在基板2上形成有電鍍液35之裝滿液體部分35a。依據本變化例，則藉由形成如此的裝滿液體部分35a，可更穩定維持用以進行電子之授受的層，藉此，可更迅速地實施電鍍液35與Pd電鍍層83之間的電子之授受。藉此，可促進在Pd電鍍層83上形成有初始的Co電鍍層84。
另外在本變化例中，係顯示在培養製程S306中，第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35之例。然而，並未被限於此，即便是在上述的電鍍膜成長製程S307中，也可藉由控制機構160來控制第2噴嘴45及手臂49，以便在第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。藉此，可促進Co電鍍層84成長。
較佳為，控制機構160，係控制第2噴嘴45及手臂49，以便在液置換製程S305時第2噴嘴45從中心位置移動往周緣位置之期間使第2噴嘴朝向基板2吐出電鍍液35，而在培養製程S306時第2噴嘴45從周緣位置移動往中心位置之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。藉此，可同時有效率地實施液置換製程S305及培養製程S306。
<控制方法的第3變化例>
又在本實施形態中，顯示基板2藉由基板旋轉保持機構110在第1旋轉方向R1旋轉之例。然而，並未被限於此，也可按照狀況使基板2在第2旋轉方向R2旋轉。
例如在上述的液置換製程S305中，控制機構160也可控制基板旋轉保持機構110及第2噴嘴45，以便基板2在第2旋轉方向R2旋轉之期間使電鍍液35從第2噴嘴45之傾斜吐出口46a朝向基板2吐出。在此傾斜吐出口46a係如上述般地對應於第1旋轉方向R1，又第2旋轉方向R2係成為與第1旋轉方向R1呈相反的方向。因此，在使基板2朝向第2旋轉方向R2旋轉的情況，電鍍液35所碰撞的區域之水平方向的基板2之移動速度、與水平方向的電鍍液35之移動速度的差異就會變大。因而，基板2在第2旋轉方向R2旋轉之期間會從傾斜吐出口46a朝向基板2吐出電鍍液35，藉此可加強碰撞基板2的電鍍液35帶給基板2之衝擊。藉此，可加強電鍍液35推動水洗處 理液79之力，藉此，可將基板2上的水洗處理液79更有效率地置換成電鍍液35。
較佳為，控制機構160，係控制基板旋轉保持機構110及第2噴嘴45，以便在液置換製程S305時第基板2在第2旋轉方向R2旋轉之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35，而在培養製程S306時基板2在第1旋轉方向R1旋轉之期間使第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。藉此，在液置換製程S305時可加強電鍍液35帶給基板2之衝擊，且在培養製程S306時可減弱電鍍液35帶給基板2之衝擊。藉此，可同時有效率地實施液置換製程S305及培養製程S306。
<控制方法的第4變化例>
又在本實施形態中，係顯示在液置換製程S305、培養製程S306及電鍍膜成長製程S307之全部的製程中，從第1噴嘴40及第2噴嘴45之雙方朝向基板2吐出電鍍液35之例。然而，並不被限於此，只要在液置換製程S305中至少使用第2噴嘴45，在培養製程S306中至少使用第1噴嘴40，就可適當決定在各製程中使用的第1噴嘴40及第2噴嘴45。例如，在液置換製程S305中，也可僅使用第2噴嘴45朝向基板2吐出電鍍液35。又在培養製程S306及電鍍膜成長製程S307中，也可僅使用第1噴嘴40朝向基板2吐出電鍍液35。
<其他的變化例>
又在本實施形態及各變化例中，係顯示藉由使用第2噴嘴45之傾斜吐出口46a，在培養製程S306時可減弱從第2噴嘴45吐出的電鍍液35帶給基板2之衝擊之例。然而，用以減弱從第2噴嘴45吐出的電鍍液35帶給基板2之衝擊的具體手段並未被特別限定。例如，即便是在第2噴嘴45之吐出口46僅包含垂直吐出口46b的情況，也可藉由適當調整電鍍液供應機構30之第2閥32B，來減小在培養製程S306時從第2噴嘴45朝向基板2吐出的電鍍液35之位在基板2之法線方向N的吐出速度。藉此，可在培養製程S306時減弱從第2噴嘴45吐出的電鍍液35帶給基板2之衝擊。在此情況下，較佳為，控制機構160控制電鍍液供應機構30，以便使在培養製程S306時從第2噴嘴45朝向基板2吐出的電鍍液35之位在基板2之法線方向N的吐出速度，是比在液置換製程S305時從第2噴嘴45朝向基板2吐出的電鍍液35之位在基板2之法線方向N的吐出速度還小。藉此，可同時有效率地實施液置換製程S305及培養製程S306。
又在本實施形態及各變化例中，係顯示使用CoP電鍍液，作為從第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2吐出的化學還原型電鍍液35之例。然而，所使用的電鍍液35並不被限於CoP電鍍液，而可使用各種的電鍍液35。例如，作為化學還原型電鍍液35，可使用CoWB(鎢化鈷硼)電鍍液、CoWP(鎢化鈷磷)電鍍液、CoB(鈷硼)電 鍍液或NiP(鎳磷)電鍍液等各種的電鍍液35。
又在本實施形態及各變化例中，係顯示電鍍液供應機構30，構成為供應至第1噴嘴40的電鍍液35之溫度比供應至第2噴嘴45的電鍍液35之溫度還高之例。然而，並未被限於此，也可使供應至第1噴嘴40的電鍍液35之溫度和供應至第2噴嘴45的電鍍液35之溫度成為大致相同。例如第17圖所示，供應槽31內之溫度也可藉由槽用加熱手段50加熱至電鍍溫度以上之溫度，且該加熱後的電鍍液35也可供應至第1噴嘴40及第2噴嘴45。即便是在該情況下，依據本實施形態及各變化例，可對基板2上之區域之中位在基板2之半徑方向的預定範圍內之區域，從第1噴嘴40直接供應電鍍液35。因此，可提高到達基板2上之區域之中比基板2之中心部還靠近周緣測之區域的電鍍液35之溫度。藉此，可抑制：在基板2之中心部的電鍍液35之反應條件、與基板2之周緣部的電鍍液35之反應條件之間產生差異。
[實施例]
就使用上述的電鍍處理裝置20之第2噴嘴45，在基板2之中心部形成Co電鍍層之例加以說明。
改變所用的吐出口46之型式(傾斜吐出口46a或垂直吐出口46b)、電鍍液35之吐出流量及電鍍液之溫度，並藉由第2噴嘴45朝向基板2之中心部吐出電鍍液。此時，觀察到是否在基板2之中心部，形成有具有足夠厚度 的Co電鍍層。將結果顯示於表1。
如表1所示，在使用傾斜吐出口46a的情況，即便是在將吐出流量設為1000ml/min的情況，也可將基板2之中心部Co電鍍層予以成膜。如此藉由使用傾斜吐出口46a，並不會減低電鍍液35的吐出流量，而可形成基板2之中心部Co電鍍層。
1‧‧‧電鍍處理系統
2‧‧‧基板
3‧‧‧載具
4‧‧‧載具載置部
5‧‧‧基板搬入出室
6‧‧‧基板處理室
8‧‧‧搬運裝置
9‧‧‧搬運室
10‧‧‧基板交接台
11‧‧‧基板交接室
12‧‧‧交接口
13‧‧‧基板搬運單元
14‧‧‧基板搬運裝置
15‧‧‧基板搬入出口
20‧‧‧電鍍處理裝置
21‧‧‧吐出機構
30‧‧‧電鍍液供應機構
31‧‧‧供應槽
32A‧‧‧第1閥
32B‧‧‧第2閥
33A‧‧‧第1供應管
33B‧‧‧第2供應管
33B(1)‧‧‧傾斜吐出口用第2供應管
33B(2)‧‧‧垂直吐出口用第2供應管
35‧‧‧電鍍液
35a‧‧‧裝滿液體部分
37‧‧‧脫氣手段
38‧‧‧排氣手段
40‧‧‧第1噴嘴
41‧‧‧吐出口
43‧‧‧支撐軸
44‧‧‧手臂
45、45’、45”‧‧‧第2噴嘴
46‧‧‧吐出口
46a‧‧‧傾斜吐出口
46b‧‧‧垂直吐出口
49‧‧‧手臂
50‧‧‧槽用加熱手段
51‧‧‧第1供應槽用加熱手段
52‧‧‧第2供應槽用加熱手段
52‧‧‧循環管
53‧‧‧加熱器
55‧‧‧過濾器
56‧‧‧泵浦
57‧‧‧監視手段
60A‧‧‧第1加熱手段
60B‧‧‧第2加熱手段
61A‧‧‧第1溫度介質供應手段
61B‧‧‧第2溫度介質供應手段
62‧‧‧溫度調節器
62a‧‧‧供應口
62b‧‧‧排出口
62c‧‧‧空間
65‧‧‧溫度保持器
65a‧‧‧供應口
65b‧‧‧排出口
65c‧‧‧保溫管
65d‧‧‧空間
70‧‧‧第3噴嘴
71‧‧‧吐出口
72‧‧‧吐出口
73‧‧‧支撐軸
74‧‧‧手臂
76‧‧‧液供應機構
76a‧‧‧閥
77‧‧‧洗淨液供應機構
77a‧‧‧閥
78‧‧‧水洗處理液供應機構
78a‧‧‧閥
79‧‧‧水洗處理液
81‧‧‧絕緣層
82‧‧‧配線
83‧‧‧Pd電鍍層
84‧‧‧Co電鍍層
101‧‧‧殼體
105‧‧‧杯子
110‧‧‧基板旋轉保持機構
111‧‧‧旋轉軸
112‧‧‧轉盤
113‧‧‧晶圓夾頭
120、125、130‧‧‧液排出機構
124、129、134‧‧‧排出口
145‧‧‧背面處理液供應機構
150‧‧‧背面氣體供應機構
160‧‧‧控制機構
161‧‧‧記憶媒體
162‧‧‧旋轉機構
164‧‧‧升降機構
165‧‧‧旋轉機構
N‧‧‧法線方向
R1‧‧‧第1旋轉方向
R2‧‧‧第2旋轉方向
S1‧‧‧傾斜方向(向量)
第1圖係顯示本發明實施形態的電鍍處理系統之概略構成的俯視圖。
第2圖係顯示本發明實施形態的電鍍處理裝置之側視圖。
第3圖係第2圖所示的電鍍處理裝置之俯視圖。
第4圖係顯示本發明實施形態的電鍍液供應機構之示意圖。
第5圖係顯示電鍍液供應機構的第1加熱手段之示意 圖。
第6圖係顯示電鍍液供應機構的第2加熱手段之示意圖。
第7圖係從VII-VII方向觀看到第3圖的第2噴嘴之剖視圖。
第8圖係顯示電鍍處理方法的流程圖。
第9圖(a)至(e)係顯示形成有Co電鍍層的樣態之示意圖。
第10圖係顯示在比較形態中，從具有垂直吐出口的噴嘴朝向基板吐出電鍍液之樣態的示意圖。
第11圖係顯示電鍍液供應機構的變化例之示意圖。
第12圖係顯示第2噴嘴的變化例之俯視圖。
第13圖係從XIII-XIII方向觀看到第12圖的第2噴嘴之剖視圖。
第14圖係顯示第1噴嘴的變化例之俯視圖。
第15圖(a)及(b)係顯示第2噴嘴的控制方法之第1變化例的示意圖。
第16圖(a)及(b)係顯示第2噴嘴的控制方法之第2變化例的示意圖。
第17圖係顯示電鍍液供應機構之另一變化例的示意圖。
2‧‧‧基板
20‧‧‧電鍍處理裝置
21‧‧‧吐出機構
30‧‧‧電鍍液供應機構
40‧‧‧第1噴嘴
41‧‧‧吐出口
43‧‧‧支撐軸
44‧‧‧手臂
45‧‧‧第2噴嘴
46‧‧‧吐出口
49‧‧‧手臂
70‧‧‧第3噴嘴
71‧‧‧吐出口
72‧‧‧吐出口
73‧‧‧支撐軸
74‧‧‧手臂
76‧‧‧液供應機構
76a‧‧‧閥
77‧‧‧洗淨液供應機構
77a‧‧‧閥
78‧‧‧水洗處理液供應機構
78a‧‧‧閥
101‧‧‧殼體
105‧‧‧杯子
110‧‧‧基板旋轉保持機構
111‧‧‧旋轉軸
112‧‧‧轉盤構
124、129、134‧‧‧排出口
145‧‧‧背面處理液供應機構
150‧‧‧背面氣體供應機構
160‧‧‧控制機構
161‧‧‧記憶媒體
162‧‧‧旋轉機構
164‧‧‧升降機構
165‧‧‧旋轉機構

Claims (20)

  1. 一種電鍍處理裝置，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為，具備：基板旋轉保持機構，其係保持前述基板並使旋轉；及吐出機構，其係朝向由前述基板旋轉保持機構所保持的前述基板吐出電鍍液；以及控制機構，其係控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，前述第2噴嘴之前述吐出口，係包含：以沿著從前述基板之法線方向傾斜的傾斜方向朝向前述基板吐出電鍍液之方式所構成的傾斜吐出口。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍處理裝置，其中，前述控制機構，係能夠控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，以使得在前述基板於對應前述傾斜方向的第1旋轉方向進行旋轉之期間，能從前述傾斜吐出口朝向前述基板吐出電鍍液。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的電鍍處理裝置，其中，前述控制機構，係在控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，以使得在前述基板於前述第1旋轉方向進行 旋轉之期間，能從前述第2噴嘴之前述傾斜吐出口朝向前述基板吐出電鍍液之前，先行控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，以使得在前述基板於與前述第1旋轉方向相反的第2旋轉方向進行旋轉之期間，能從前述傾斜吐出口朝向前述基板吐出電鍍液。
  4. 如申請專利範圍第2或3項中任一項所述的電鍍處理裝置，其中，前述第2噴嘴之前述吐出口，係更進一步具備：以沿著前述基板之法線方向朝向前述基板吐出電鍍液之方式所構成的垂直吐出口，該電鍍處理裝置設置有：閉鎖手段，其係根據來自前述控制機構之控制而閉鎖前述傾斜吐出口或前述垂直吐出口之其中任一方。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍處理裝置，其中，前述第2噴嘴，係能夠在中心位置與周緣位置之間移動，該中心位置係前述第2噴嘴之吐出口比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部，該周緣位置係比前述中心位置還更位在周緣側。
  6. 一種電鍍處理裝置，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為，具備：基板旋轉保持機構，其係保持前述基板並使旋轉；及吐出機構，其係朝向由前述基板旋轉保持機構所保持的前述基板吐出電鍍液；以及控制機構，其係控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構， 前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，前述第2噴嘴，係能夠在中心位置與周緣位置之間移動，該中心位置係前述第2噴嘴之吐出口比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部，該周緣位置係比前述中心位置還更位在周緣側。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述的電鍍處理裝置，其中，前述控制機構，係以如下的方式控制前述第2噴嘴：首先在前述第2噴嘴從前述中心位置移動往前述周緣位置之期間使前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，其次在前述第2噴嘴從前述周緣位置移動往前述中心位置之期間使前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液。
  8. 如申請專利範圍第1或6項所述的電鍍處理裝置，其中，前述第1噴嘴，係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口。
  9. 如申請專利範圍第1或6項所述的電鍍處理裝置，其中，前述第1噴嘴，係包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口。
  10. 如申請專利範圍第1或6項所述的電鍍處理裝置，其中，更進一步具備：對前述吐出機構供應電鍍液的電鍍液供應機構， 前述電鍍液供應機構，係構成為：供應至前述第1噴嘴的電鍍液之溫度比供應至前述第2噴嘴的電鍍液之溫度還更高。
  11. 一種電鍍處理裝置，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理裝置，其特徵為，具備：基板旋轉保持機構，其係保持前述基板並使旋轉；及吐出機構，其係朝向由前述基板旋轉保持機構所保持的前述基板吐出電鍍液；以及控制機構，其係控制前述基板旋轉保持機構及前述吐出機構，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，前述電鍍處理裝置，更進一步具備：對前述吐出機構供應電鍍液的電鍍液供應機構，前述電鍍液供應機構，係構成為：供應至前述第1噴嘴的電鍍液之溫度比供應至前述第2噴嘴的電鍍液之溫度還更高。
  12. 一種電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為，具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及 在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，係包含第1製程及第2製程，該第1製程係以藉由電鍍液來置換供應至前述基板的前處理液之方式朝向前述基板吐出電鍍液，該第2製程係在前述第1製程之後朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第1製程中，至少透過前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，透過前述第1噴嘴及前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程時從前述第2噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之位於前述基板之法線方向的吐出速度，是比在前述第1製程時從前述第2噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之位於前述基板之法線方向的吐出速度還更小。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的電鍍處理方法，其中，在前述第2製程中，透過前述第1噴嘴及前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液， 前述第2噴嘴之吐出口，係包含：以沿著從前述基板之法線方向傾斜的傾斜方向朝向前述基板吐出電鍍液之方式所構成的傾斜吐出口，在前述第2製程中，前述基板，係於對應前述傾斜方向的第1旋轉方向進行旋轉，在前述第1製程中，前述基板，係於與前述第1旋轉方向相反的第2旋轉方向進行旋轉。
  14. 一種電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為，具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，係包含第1製程及第2製程，該第1製程係以藉由電鍍液來置換供應至前述基板的前處理液之方式朝向前述基板吐出電鍍液，該第2製程係在前述第1製程之後朝向前述基板吐出電鍍液， 在前述第1製程中，至少透過前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，透過前述第1噴嘴及前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，前述第2噴嘴之吐出口，係包含：以沿著從前述基板之法線方向傾斜的傾斜方向朝向前述基板吐出電鍍液之方式所構成的傾斜吐出口，在前述第2製程中，前述基板，係於對應前述傾斜方向的第1旋轉方向進行旋轉，在前述第1製程中，前述基板，係於與前述第1旋轉方向相反的第2旋轉方向進行旋轉。
  15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項所述的電鍍處理方法，其中，在前述第2製程中，透過前述第1噴嘴及前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，前述第2噴嘴，係能夠在中心位置與周緣位置之間移動，該中心位置係前述第2噴嘴之吐出口比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部，該周緣位置係比前述中心位置還更位在周緣側，在前述第1製程中，前述第2噴嘴，係從前述中心位置移動往前述周緣位置之期間朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，前述第2噴嘴，係從前述周緣位置移動往前述中心位置之期間朝向前述基板吐出電鍍液。
  16. 一種電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為，具備： 將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，係包含第1製程及第2製程，該第1製程係以藉由電鍍液來置換供應至前述基板的前處理液之方式朝向前述基板吐出電鍍液，該第2製程係在前述第1製程之後朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第1製程中，至少透過前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，透過前述第1噴嘴及前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，前述第2噴嘴，係能夠在中心位置與周緣位置之間移動，該中心位置係前述第2噴嘴之吐出口比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部，該周緣位置係比前述中心位置還更位在周緣側，在前述第1製程中，前述第2噴嘴，係從前述中心位 置移動往前述周緣位置之期間朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，前述第2噴嘴，係從前述周緣位置移動往前述中心位置之期間朝向前述基板吐出電鍍液。
  17. 如申請專利範圍第12、14、16項中任一項所述的電鍍處理方法，其中，從前述第1噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之溫度，係比從前述第2噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之溫度還更高。
  18. 一種電鍍處理方法，係對基板供應電鍍液並進行電鍍處理的電鍍處理方法，其特徵為，具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上的製程；及對前述基板供應前處理液作為前處理的製程；以及在對前述基板供應前處理液之後，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，前述吐出機構，係具有第1噴嘴及第2噴嘴，該第1噴嘴係包含沿著前述基板之半徑方向排列的複數個吐出口、或包含沿著前述基板之半徑方向延伸的吐出口，該第2噴嘴係包含可位在比前述第1噴嘴之吐出口還更接近前述基板之中心部的吐出口，且將前述第1噴嘴或前述第2噴嘴之中至少任一方朝向前述基板配置並吐出電鍍液，從前述第1噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之溫度，係比從前述第2噴嘴朝向前述基板吐出的電鍍液之溫度還更高。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的電鍍處理方法，其中，透過吐出機構而朝向前述基板吐出電鍍液的製程，係 包含第1製程及第2製程，該第1製程係以藉由電鍍液來置換供應至前述基板的前處理液之方式朝向前述基板吐出電鍍液，該第2製程係在前述第1製程之後朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第1製程中，至少透過前述第2噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液，在前述第2製程中，至少透過前述第1噴嘴朝向前述基板吐出電鍍液。
  20. 一種記憶媒體，係儲存有用以使電鍍處理裝置執行電鍍處理方法的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電鍍處理方法，係由如申請專利範圍第12至19項中任一項所述的方法所構成。
TW101123281A 2011-06-29 2012-06-28 Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium TWI535889B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011144800A JP5666394B2 (ja) 2011-06-29 2011-06-29 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201319313A TW201319313A (zh) 2013-05-16
TWI535889B true TWI535889B (zh) 2016-06-01

Family

ID=47423886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101123281A TWI535889B (zh) 2011-06-29 2012-06-28 Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9777379B2 (zh)
JP (1) JP5666394B2 (zh)
KR (1) KR101765567B1 (zh)
TW (1) TWI535889B (zh)
WO (1) WO2013001986A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6707386B2 (ja) 2016-04-07 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法及び記憶媒体
TWI776991B (zh) * 2017-11-28 2022-09-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置，基板液處理方法及記錄媒體

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002034963A1 (fr) * 2000-10-26 2002-05-02 Ebara Corporation Dispositif et procede pour depot electrolytique
US6824612B2 (en) * 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
JP2005200701A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Toyota Motor Corp メッキ方法及び該方法によりメッキされた電子部品
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013010995A (ja) 2013-01-17
WO2013001986A1 (ja) 2013-01-03
KR20140031329A (ko) 2014-03-12
KR101765567B1 (ko) 2017-08-07
US20150232994A1 (en) 2015-08-20
TW201319313A (zh) 2013-05-16
JP5666394B2 (ja) 2015-02-12
US9777379B2 (en) 2017-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI535888B (zh) Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium
KR101765572B1 (ko) 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체
JP5666419B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
KR20140143148A (ko) 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체
JP5815827B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
KR20130140126A (ko) 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체
TWI535889B (zh) Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium
TWI539037B (zh) Electroplating treatment, electroplating treatment and memory media
JP5667550B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
WO2013080781A1 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体