JP2005200701A - メッキ方法及び該方法によりメッキされた電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】 無電解メッキ処理に要する液剤をより効率的に使用し得る、電子部品のメッキ方法を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明のメッキ方法は、回転可能な支持台（２２）に電子部品（６０）を配置する工程と、該支持台より上方に設けられた供給口（２８ａ）より該支持台上の電子部品の表面（６０ａ）に対し、無電解メッキ処理に要する複数の液剤を順次供給する工程と、該支持台の回転によって前記電子部品の表面に供給された液剤を該表面を伝わらせて該電子部品の外縁から順次除去する工程とを含む。
【選択図】 図５

Description

本発明は、メッキ方法、及び該方法によりメッキされたメッキ物に関する。特に、無電解方式に基づいて半導体素子その他の電子部品の表面をメッキする方法、及び該方法によりメッキされた電子部品に関する。

半導体素子等の電子部品（素子）を所定の回路基板に実装する前に、ハンダ付け性の付与等を目的として電子部品表面のメッキ処理（典型的にはＮｉメッキ）が行われる。
かかる電子部品のメッキ処理の一手段として、いわゆる無電解メッキ処理（湿式処理）が利用されている。無電解方式の採用により、電子部品表面にほぼ均等・均質にメッキ層を形成することができる。
他方、一般に無電解メッキ方式では、素子の洗浄処理、ジンケート処理、表面活性化処理（酸処理）、メッキ（還元）処理のように、内容の異なる何種類もの液剤（溶質の種類や有無に関係なく、洗浄水のみの場合を含む。以下同じ。）を使用しつつ多段階の処理が行われる。そして、例えば特許文献１〜３に記載されているように、各処理に必要な液剤を個々別々に貯留した処理容器を多数用意し、各処理に対応する容器から容器へと順番に素子の投入、浸漬、引き上げを順次繰り返すことが行われている。また、均一に素子全面に薬剤を行き渡らせるため、各容器において比較的多量の液剤を要していた。
このように、従来、素子の無電解メッキ処理を実施する場合には、使用する液剤ごとに貯留容器を必要とし、装置の大型化を招いていた。
そこで、特許文献４には、被メッキ物である素子を固定し得る一つの処理槽を設け、各液剤が貯蔵される貯蔵槽から順次液剤を該一の処理槽に供給、排出することにより、一つの処理槽で複数の処理を可能とした比較的小スケールのメッキ装置が開示されている。

特開平６−３１６７９２号公報 特開２０００−１１９８９９号公報 特開２００３−３４８９８号公報 特開２００３−７３８４５号公報

しかしながら、特許文献４に記載の装置においても、処理槽中に電子部品を浸漬するための十分量の各液剤を供給する必要があり、依然として大量の液剤を使用することに変わりはない。従って、無電解メッキ処理に要する液剤の使用量を少なくし、それによってメッキ処理に要するコストを低減することが望まれる。
そこで本発明は、かかる従来の課題を解決すべく開発されたものであり、メッキ処理に必要な液剤の使用量を低減可能なメッキ方法を提供することを目的とする。

ここで開示される本発明のメッキ方法は、電子部品をいわゆる無電解メッキ方式にてメッキするのに好適な方法である。この方法は、回転可能な支持台に被メッキ物である電子部品を配置する工程と、該支持台より上方に設けられた供給口より該支持台上の電子部品（被メッキ物）の表面に対し、無電解メッキ処理に要する複数の液剤を順次供給する工程と、該支持台の回転によって、前記電子部品の表面に供給された液剤を、該表面を伝わらせて該電子部品の外縁から順次除去する工程とを含む。
ここで「電子部品」とは、電子回路を構成する種々の素子、チップ類を包含する用語であり、能動部品、受動部品を問わない。例えば、表面にニッケルメッキが施されたＩＣチップ等の半導体素子および薄板状の半導体ウェハに所定の回路パターンが碁盤の目状に配列して成る半導体素子基板（即ちダイシング前の半導体ウェハをベースとする製品）は、本発明のメッキ方法が適用される電子部品の好適例である。

かかる構成のメッキ方法によると、メッキ処理に使用する各液剤の無駄を省いて電子部品１個あたりの無電解メッキに要する各液剤の使用量を低減することができる。即ち、本方法では、供給口から被メッキ物の表面に供給された各液剤を、支持台の回転による遠心力によって、当該被メッキ物表面の一部に滞留させることなく遠心方向（支持台の外縁方向）に拡散させることができる。このため、供給する液剤が少量であっても、該液剤で被メッキ物の表面上をほぼ均一に処理することができる。好ましくは、前記支持台上における前記供給口の位置（相対位置）を随時異ならせながら、該支持台上の電子部品（被メッキ物）の略全面に液剤を順次供給する。このような供給方式によると、比較的少量の液剤で被メッキ物の表面上をむらなく均一に処理することを容易に行い得る。
また、本方法では、各処理に用いられる液剤を被メッキ物表面に順次供給し得るとともに使用後（処理済み）の液剤は遠心力によって被メッキ物を伝わってその外縁から速やかに除去され得る。このため、無電解メッキに係る複数の処理を連続的に効率よく行うことができる。
また、本方法では、被メッキ物たる電子部品を浸積するためのある程度容積の嵩張る容器（処理槽）を設ける必要がなく、メッキ処理に要するスペースの縮小化に寄与し得る。

好ましい態様では、前記電子部品を真空吸着又は静電吸着により前記支持台上に固定する。このような吸着方式によると、支持台上に電子部品を固定するための複雑な治具を設ける必要が無い。また、格別な慎重さ（注意力）を要することなく取り扱い時の破損を防止しつつ薄板型やチップ型の電子部品を支持台上に容易に配置（固定）し得、メッキ処理を行うことができる。このため操作性がよい。
このような吸着方式を採用するほか、実質的にフラットな表面（電子部品載置面）を有する支持台（即ち、出っ張った構造の電子部品固定治具を表面に有しない支持台）を使用することが特に好ましい。フラットな表面形状の支持台は、特に薄板型やチップ型の電子部品、例えば薄板状の半導体ウェハにＩＣチップの回路パターンが碁盤の目状に多数配列・形成されているダイシング前の半導体素子基板（以下、単に「半導体ウェハ」という。）や該基板から切り出されたＩＣチップを配置するのに好適な支持台であり得る。かかるフラットな表面の支持台の採用により、前記真空吸着又は静電吸着によって電子部品（好ましくは前記薄板状又はチップ状の電子部品）を支持台上に容易に吸着・固定することができ、無電解メッキ処理のさらなる効率化を実現することができる。

また、好ましくは、前記複数の液剤のうちの少なくとも１種を前記電子部品表面から除去された後に回収する工程を更に含む。被メッキ物に供給された後に遠心力によって当該被メッキ物表面から除去された液剤をそれぞれ回収することにより、外部への液剤排出量を低減させることができる。さらに、個々に回収した液剤を再利用し、被メッキ物表面に再び供給することも可能である。このような液剤の再利用により、電子部品の単位量あたりの各液剤の使用量をより低減することができる。

また、本発明の他の一側面として、ここで開示されているメッキ方法のいずれかによってメッキされたことを特徴とする電子部品を提供する。本発明のメッキ方法によって、所望の膜厚でむらの無いメッキ層を有する半導体素子その他の電子部品が提供される。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項（支持台の形状、被メッキ物の固定手段、メッキ処理に必要な液剤の供給方法、等）以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

本発明のメッキ方法では、支持台上に配置された被メッキ物の表面に対し、支持台（即ち被メッキ物の載置面）よりも上方に設けられた所定の供給口より該支持台上の電子部品（被メッキ物）の表面に対して順次液剤を供給しつつ、被メッキ物を回転させてその外縁から液剤を順次除去・排出できればよく、種々の構成をその目的のために適用することができる。例えば、支持台上における電子部品の配置位置は、支持台表面の形状、或いは被メッキ物たる電子部品の大きさ、形状、一度に載せる数量等によって適宜異なり得る。薄型で比較的広い表面（被メッキ面）を有する半導体ウェハを配置する場合、典型的には、その中心部分と支持台における回転中心部分とが重なるように配置するとよい（後述する図１参照）。

また、種々の液剤を供給する方法としては、支持台上に配置した被メッキ物表面のいずれの部分に液剤を供給してもよい。例えば、被メッキ物表面のいずれか一点に対して液剤を順次供給してもよい。例えば図１に示すように、支持台（図示せず）に配置された被メッキ物１００（例えば薄型で比較的広い被メッキ表面を有する半導体ウェハ）の表面１０１の回転中心１０３又はその近傍に相当する部位に供給することが好ましい。例えば液剤１０５を供給するノズル１０８を前記回転中心１０３の上方に配置し、そのノズル１０８の下方に向けた供給口１０８ａから液剤１０５を放出するとよい。図示されるように、供給された液剤１０５は、支持台とともに回転する被メッキ物１００に生じる遠心力によって当該被メッキ物の表面１０１を伝わって遠心方向に拡散していき、そして外縁１０７から外部に排出される。
なお、液剤１０５の粘度その他の物性によって適宜異なり得るが、被メッキ物表面１０１への液剤１０５の供給は、支持台（被メッキ物）を回転させながら行ってもよいし、支持台の回転を停止して被メッキ物１００が静止した状態で行ってもよい。

供給口は１つに限定されず、複数設けてあってもよい。例えば、図２に示すように、被メッキ物表面１０１の回転中心１０３からその外縁１０７迄の距離ｒ（図示されるように円盤状の被メッキ物１００であってその中心１０３が支持台の回転中心と一致する場合には半径ｒ）に、複数のノズル１０８（供給口１０８ａ）を配置しておき、それらから同時に被メッキ物表面１０１の回転中心１０３からその外縁１０７にかけてスポット状に又は帯状に被メッキ物表面１０１に液剤１０５を供給してもよい。
また、図３に示すように、被メッキ物表面１０１の回転中心１０３からその外縁１０７迄の距離ｒに対応するスリット状の供給口１１８ａを備えたノズル１１８を配置しておき、被メッキ物表面１０１の回転中心１０３からその外縁１０７にかけて線状に液剤１０５を供給してもよい。
これら図２、図３に示すような供給方法を採用すると、被メッキ物１００の回転に応じて、液剤が被メッキ物表面の全面に均一に供給されるとともに、遠心力により液剤を均一に被メッキ表面に分散させ、そして外縁から排出することができる。

或いは、前記供給口を前記支持台上で移動させながら、被メッキ物の略全面に液剤を供給してもよい。例えば、図４に示すように、支持台（図示せず）の上方に設けたノズル１０８（供給口１０８ａ）を、被メッキ物１００の回転中心１０３と外縁１０７の間を図中矢印にて示すように往復運動させる。このように供給口１０８ａを移動させることにより、被メッキ物１００の回転とともに被メッキ物表面１０１全体に均一に液剤を供給することが容易に行える。なお、供給口１０８ａの移動は被メッキ物１００との相対的関係であり、図示するようなノズル１０８の移動に代えて支持台を移動可能に設置しても同様の効果を得ることができる。

本発明のメッキ方法では、従来の無電解メッキ処理に使用されていた複数の液剤を従来法どおりの順番で供給すればよく、使用する液剤の内容によって限定されない。すなわち、本発明の実施における「無電解メッキ処理に要する複数の液剤」には、従来行われてきた無電解メッキ処理に用いられ得るいずれの処理液、メッキ液も包含され得る。例えば、洗浄液（水を含む）、種々のジンケート処理液や表面活性化処理液（種々の酸）、所定のメッキ金属成分（ニッケル、金等）を含む所謂メッキ液は、ここでいう「無電解メッキ処理に要する複数の液剤」に包含され得る液剤の典型例である。

以下、本発明を好適に実施し得るメッキ装置を用いて本発明のメッキ方法の好適な一実施形態について図面を参照して具体的に説明する。しかし、本発明を以下の実施形態に限定することを意図したものではない。

図５に示すメッキ装置２０は、大まかにいって、回転テーブル２２と、チャンバー２４と、液剤貯留部２６と、ノズル２８と、排出部３０とから構成されている。
チャンバー２４は、回転テーブル２２を収容するとともに、液剤貯留部２６から供給された各液剤の回収及び飛散防止のために、箱体２４ａと蓋体２４ｂとから構成されている。
回転テーブル２２は、被メッキ物（例えばダイシング前の半導体ウェハのような薄板型電子部品）を固定し得る被メッキ物支持台を構成するものであり、フラットで典型的には円形状の載置面３２を有する。被メッキ物の固定方法としては、従来公知のいずれの手段であってもよいが、真空吸着又は静電吸着によって固定することが好適である。なお、真空吸着手段或いは静電吸着手段としては、従来のこの種の機構をそのまま適用すればよく、本発明の実施にあたって特別な機構を要求するものではない。例えば、従来の静電吸着チャックを構成するように、別途用意した吸着用電源から回転テーブル２２に吸着用電圧（例えば２００〜１０００Ｖ程度）を印加して載置面３２に吸着用静電気を発生させ得る手段を設けるとよい。或いは、従来のバキューム式吸着装置を構成するように、多数の吸引用小孔を回転テーブル２２の載置面３２に設け、それらを別途用意した吸着用真空ポンプに連通し、該真空ポンプを作動させて載置面３２に被メッキ物を吸引吸着し得る手段を設けるとよい。これら真空吸着手段或いは静電吸着手段の内容そのものは全く従来の構成でよく本発明を特徴づけるものではないため詳細な説明は省略する。
また、回転テーブル２２は回転軸３４に固定されており、さらに回転軸３４は図示しないモーターに接続されている。これにより、回転テーブル２２を任意の回転速度により回転することができる。さらに、回転テーブル２２内には、図示しないヒータが内蔵されており、各液剤による処理温度を制御可能としている。

液剤貯留部２６は、無電解メッキ処理に要する液剤を個々別々に貯留するいくつかの液剤槽２６ａ〜２６ｆを備える。例えば、一般的な無電解メッキ処理を行うため、洗浄用の純水槽２６ａと、第一のジンケート液が貯留される第一ジンケート液槽２６ｂと、活性化処理液が貯留される活性化処理液槽２６ｃと、第二のジンケート液が貯留される第二ジンケート液槽２６ｄと、Ｎｉメッキ液が貯留されるＮｉメッキ液槽２６ｅと、Ａｕメッキ液が貯留されるＡｕメッキ液槽２６ｆとを備える。しかし、これに限定されず、メッキ処理に用いられる液剤をそれぞれ貯留する液剤槽を必要な数だけ適宜増減して設けることができる。尚、各液剤の組成は従来と同様でよい。各液剤槽２６ａ〜２６ｆには、それぞれ排出口３６にバルブ３８を備えた供給管４０が接続されており、このバルブ３８の開閉操作により各液剤槽２６ａ〜２６ｆからの液剤の流出及び停止を制御可能としている。図示するように、各液剤槽２６ａ〜２６ｆから延びる供給管４０は、下流側において一本に収束されており、その先端には後述するノズル２８が設けられている。ノズル２８への液剤の流出及び停止は、バルブ４２によって制御される。

供給管先端に設けられたノズル２８は、いわゆる分岐ノズルであり、ここでは直線状に配列した６本のノズル２８（供給口２８ａ）から構成されている。各ノズル２８先端の供給口２８ａは、回転テーブル２２の載置面３２の上方であって回転テーブル２２の回転中心から外縁方向に６本のノズル２８が直線状に並列するようにして配置されている。従って、前述の図２に示すように、各ノズル２８から各液剤槽２６ａ〜２６ｆの液剤を回転テーブル２２上の電子部品（被メッキ物）６０に供給することができる。
或いは、前述した図４と同様、図示しないモーター等の駆動機構によって、１本又は複数本のノズル２８（供給口２８ａ）を回転テーブル２２の載置面３２の回転中心から外縁に向かって所定速度で移動させる形式のものであってもよい。

排出部３０は、チャンバー２４の底面に設けられており、チャンバー２４内に溜まった液剤を排出する排出口４４を備える。さらに、排出口４４は、液剤を再び供給管４０に循環させるポンプ４６を備える回収管４７と、液剤を外部に排出する排出管４８に分岐されており、それぞれの管に設けられたバルブ５０，５２の切り替えによって液剤の流出方向を制御している。また、好ましくは、チャンバー２４が密閉式であるため、液剤の蒸気を排気するための設備、例えば図示しない排気管を設けることができる。このような構成のメッキ装置２０によれば、チャンバー２４内のみを排気すれば、前の処理に用いられた液剤蒸気の残留による被メッキ表面の汚染を防止できるため、排気施設が小型化され、コストが低減される。

所望により、メッキ装置２０には、図６に示すように、回転テーブル２２の載置面３２に向かって所望の角度及び所定の距離で撹拌板５４を設けることができる。撹拌板５４を設けることによって、回転テーブル２２の回転とともに、供給された液剤を被メッキ物表面上により均一に撹拌及び／又は塗布することができる。このような目的で設置される撹拌板５４は、処理される液剤の種類及び供給量、並びに回転テーブル２２の回転数に応じて、載置面３２（被メッキ物表面）との距離及び接触角度を調整し、液剤の流動を制御することができる。また、所定の液剤による処理後には、例えば被メッキ物表面との距離を近づけて、高速回転で液剤を除去する前に若しくは後に又はこの除去とともに、被メッキ物表面上の液剤を掻き取ってもよい。
撹拌板５４における被メッキ物接触部分の材質や形状は特に限定されず、被メッキ物である電子部品の形状、物性に応じて適宜決定すればよい。好適な構成として、例えば、電子部品の表面に擦り傷等の影響を与えない軟質合成樹脂製のヘラ形状或いは吸水性及び保水性のよいスポンジ形状が挙げられる。

次に、このメッキ装置２０を用いて電子部品６０（ここでは碁盤の目状に回路パターンが配列するダイシング前の薄板状半導体ウェハ）を無電解メッキ処理する方法について説明する。なお、ここでは本発明のメッキ方法を実施するにあたって特に記載すべき事項について説明しており、ここに記載されていない事項（例えば各液剤の組成や調製方法）については本発明を何ら特徴づけるものではなく、従来の無電解メッキ処理と同様であればよい。

予め、各液剤槽２６ａ〜２６ｆには、無電解メッキ処理に要する各種の液剤をそれぞれ貯留しておく。例えば、洗浄用純水、ジンケート液、活性化処理液、Ｎｉメッキ液及びＡｕメッキ液を、それぞれ純水槽２６ａ、第一ジンケート液槽２６ｂ、活性化処理液槽２６ｃ、第二ジンケート液槽２６ｄ、Ｎｉメッキ液槽２６ｅ及びＡｕメッキ液槽２６ｆに貯留しておく。好適には、各液剤は、所定の処理温度に温度調整される。

図５に示すように、半導体ウェハ６０を回転テーブル２２の載置面３２に被メッキ表面６０ａを上にして固定する。ここでは、別途用意した吸着用真空ポンプ（図示せず）に連通する多数の吸引用小孔（図示せず）を回転テーブル２２の載置面３２に形成し、該真空ポンプを作動させることによって半導体ウェハ６０を載置面３２に吸引・吸着する。このような真空吸着（或いは前述の静電吸着）によると、特別な治具を要することなく半導体ウェハ６０のような薄板状の電子部品を回転テーブル２２に容易に固定し得る。このため、薄板形状であってもメッキ処理に伴う取り扱いの際の変形や破損が防止される。このため、半導体ウェハ６０を何らかの支持体等に貼り付けて補強する必要がない。
半導体ウェハ６０を配置した後、蓋体２４ｂを閉め、モーターを駆動させて回転テーブル２２を回転させる。回転速度は特に限定されないが、好ましくは１００〜６０００ｒｐｍ、特に５００〜３０００ｒｐｍ程度である。この範囲の回転速度であることにより、液剤が被メッキ表面６０ａ上を適度な流速で移動し、液剤処理が好適に行われる。また、回転速度は、温度、処理される液剤の種類や粘度等に応じて適宜変化させることが好ましい。液剤の種類や環境条件によって流動速度、粘性等が異なるためである。

先ず、純水による洗浄処理を行う。具体的には、純水槽２６ａからバルブ３８及びバルブ４２の開放によりノズル２８から半導体ウェハ６０の被メッキ表面６０ａに向けて純水を供給する。その放出速度は、液剤の種類（ここでは純水）及び被メッキ表面の面積や回転速度等により適宜選択され特に限定されないが、概ね１００〜１００００ｍｌ／分、特に１０００〜５０００ｍｌ／分程度である。そして、吐出時間は数秒〜数十秒、特に１〜５秒程度がよい。液剤（純水）は回転テーブル２２を停止した状態で供給してもよいし、適当な速度で回転させつつ供給してもよい。このとき、半導体ウェハ６０は回転テーブル２２に真空吸着・固定されており、供給する液剤（ここでは純水）の水圧による変形や破損の虞はない。
半導体ウェハ６０の被メッキ表面６０ａにおいて迅速に液剤（純水）を拡散させるため、液剤（純水）を供給した後は、液剤を供給する際よりも回転速度をやや高速側にシフトすることが好ましい。ここで、液剤（純水）は、半導体ウェハ６０の回転により被メッキ表面６０ａ上を遠心方向に伝っていき被メッキ表面６０ａ全面を流れるとともに、意図しない付着物（汚れ）を洗い流し、半導体ウェハ６０の外縁６０ｂから排出される。

所望により、バルブ３８を閉めて純水槽２６ａからの供給を停止するとともに、排出口４４のバルブ５０を開放しつつポンプ４６を作動させて、液剤（純水）を回収管４７から供給管４０に送出する。こうして液剤（純水）を循環させて再利用することにより、コストがより低減される。なお、液剤（純水）の再利用の有無やその程度は、当該回収した液剤の汚れの程度や被メッキ表面６０ａの清浄度に応じて適宜決定するとよい。回収した液剤（純水）と液剤槽２６ａから供給した液剤（純水）とを所定の比率で同時に使用してもよい。或いは、洗浄には全て液剤槽２６ａからの液剤（純水）を用い、一度用いた液剤（純水）は、全て排出管４８から外部に排出してもよい。この場合には、常に新鮮な液剤（純水）で処理できるために効率がよい。
あるいは、所望により、洗浄に用いられた液剤（純水）を、図示しない回収ポンプ及び回収管により液剤槽（純水槽）２６ａに戻してもよい。

所定の純水洗浄処理が完了したら純水槽２６ａからの純水の供給を止め、純水の再利用を行っている場合にはポンプ４６も停止する。そして、バルブ５０，５２の切り替えによってチャンバー２４内の処理済み液剤を排出管４８から排出する。このとき、好ましくは、回転テーブル２２の回転を継続し、半導体ウェハ６０の被メッキ表面６０ａに残留する純水を遠心方向に伝わらせ、その外縁から振り飛ばして積極的に除去するとよい。この目的には、回転テーブル２２の回転速度は、より高速とすることが好ましく、例えば２０００〜６０００ｒｐｍ、特に３０００〜４０００ｒｐｍである。また、電子部品（被メッキ物）の性状によるが、純水を迅速に除去するためにヒータによって回転テーブル２２を好適な温度に加熱してもよい。

次に、所定のジンケート液によりジンケート処理（第一ジンケート処理）が行われる。まず、図示しないヒータにより回転テーブル２２（即ち載置台３２上の半導体ウェハ６０）を第一ジンケート処理に好適な所定の温度に調節するとともに、第一ジンケート液槽２６ｂのバルブ３８を開放し、ノズル２８の供給口２８ａからジンケート液を半導体ウェハ６０の被メッキ表面６０ａに供給する。かかるジンケート液の供給により、仮に被メッキ表面６０ａ上に純水が残存している場合であっても該残存水は即座に洗い流され、ジンケート液による第一ジンケート処理が迅速に開始される。そして、前述の純水洗浄処理と同様、適当量のジンケート液をノズル２８の供給口２８ａから載置台３２上の半導体ウェハ６０に供給し、メッキ装置２０の各部を操作（回転テーブル２２の回転操作等）しつつ、当該ジンケート処理を適当な時間だけ実行する。なお、前述の純水による洗浄と同様、処理に用いたジンケート液は、ポンプ４６によって回収し、循環させて用いてもよい。或いは、全て第一ジンケート液槽２６ｂからの新たなジンケート液を処理に用い、一度処理に用いたジンケート液は、全て排出管４８から排出してもよい。

以下、液剤を随時異ならせて、前述した純水洗浄処理やジンケート処理と同様の操作を行って、各液剤槽２６ｃ〜２６ｆから活性化処理液、ジンケート液（第二ジンケート処理用ジンケート液）、Ｎｉメッキ液、及びＡｕメッキ液を順次供給しつつメッキ装置２０を操作（回転テーブル２２の回転操作等）して所定の時間、従来の無電解メッキ処理と同様の各処理を行っていくとよい。また、必要に応じて回転テーブル２２をヒータで加熱して処理温度を制御するとよい。なお、安定して高品質なメッキ膜を得るために、Ｎｉメッキ液及びＡｕメッキ液による処理に関しては、各メッキ液を回収・循環させずに、常にＮｉメッキ液槽２６ｅ及びＡｕメッキ液槽２６ｆから新しいメッキ液を半導体ウェハ６０の被メッキ表面６０ａに供給することが好ましい。また、所望の膜厚のメッキ層を得るために、メッキ液供給後は、回転テーブル２２の回転数を適宜調整し、被メッキ表面６０ａの全面に常にメッキ液が供給され続けることが好ましい。

これら液剤を順次用いて無電解メッキに要する一連の処理が全て完了した後、好ましくは、回転テーブル２２を高速回転しつつ被メッキ表面６０ａ上を乾燥させる。このとき、乾燥を容易とするために、適当な温度になるまでヒータを作動させて回転テーブル２２を加熱するとよい。なお、以上のメッキ方法は、各バルブ３８，４２、５０，５２の開閉、ポンプ４６の作動・停止、及び図示しないヒータによる温度制御、モーターの回転数等をコンピューターにより自動制御することにより、オートメーション化が可能である。

以上説明した本発明のメッキ方法によれば、無電解メッキに要する各液剤を電子部品の被メッキ表面に集中的に供給し得るため、大量の液剤を貯留・消費する処理槽（浸積槽）が不要となり、液剤の効率的利用が図られる。また、被メッキ物全体が浸漬されないため、乾燥工程も迅速に行うことができる。また、被メッキ物を各液剤に浸漬するための支持具等が不要となり、被メッキ物（特に薄板型の電子部品）を処理槽に出し入れするときのようなメッキ処理に伴う取り扱い時における被メッキ物の変形や破損を未然に防止することができる。

以上、本発明の好適な実施態様を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した態様を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

液剤の供給手段の一例を示す説明図。 液剤の供給手段の他の一例を示す説明図。 液剤の供給手段のさらに他の一例を示す説明図。 液剤の供給手段のさらに他の一例を示す説明図。 本発明のメッキ方法を実施するメッキ装置の一例を示す模式図。 メッキ装置に撹拌板を設けた例を示す説明図。

符号の説明

２０ メッキ装置
２２ 回転テーブル
２４ チャンバー
２６ 貯留部
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ 液剤槽
２８，１０８ ノズル
２８ａ，１０８ａ 供給口
３０ 排出部
３８，４２，５０，５２ バルブ
４０ 供給管
４６ ポンプ
４７ 回収管
４８ 排出管
５４ 撹拌板
６０，１００ 被メッキ物（電子部品）

Claims (6)

1. 電子部品の表面をメッキする方法であって、
   回転可能な支持台に電子部品を配置する工程と、
   該支持台より上方に設けられた供給口より該支持台上の電子部品の表面に対し、無電解メッキ処理に要する複数の液剤を順次供給する工程と、
   該支持台の回転によって、前記電子部品の表面に供給された液剤を、該表面を伝わらせて該電子部品の外縁から順次除去する工程と、
   を含む、メッキ方法。
2. 前記電子部品を真空吸着又は静電吸着により前記支持台上に固定する、請求項１に記載のメッキ方法。
3. 実質的にフラットな表面を有する支持台を使用する、請求項２に記載のメッキ方法。
4. 前記支持台上における前記供給口の位置を随時異ならせながら、該支持台上の電子部品の略全面に液剤を順次供給する、請求項１〜３のいずれかに記載のメッキ方法。
5. 前記複数の液剤のうちの少なくとも１種を前記電子部品表面から除去された後に回収する工程を更に含む、請求項１〜４のいずれかに記載のメッキ方法。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載のメッキ方法によってメッキされたことを特徴とする電子部品。

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