TWI521630B - 基板處理裝置與基板處理方法 - Google Patents

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TWI521630B
TWI521630B TW101134973A TW101134973A TWI521630B TW I521630 B TWI521630 B TW I521630B TW 101134973 A TW101134973 A TW 101134973A TW 101134973 A TW101134973 A TW 101134973A TW I521630 B TWI521630 B TW I521630B
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東京威力科創股份有限公司
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Description

基板處理裝置與基板處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓或平板顯示器用玻璃基板等基板進行液體處理之基板處理裝置與基板處理方法。
在製造半導體晶圓或平板顯示器用玻璃基板等之製程中，作為基板處理，有時對基板進行利用液體之液體處理。
基板處理，有時係以基板的表面(圖案面)面向上方的姿態來支持基板，對該表面供給處理液，由處理液儲存皿來接收從基板流下的處理液，在該處理液儲存皿內將處理液儲存至與基板的背面液接之高度以上來進行液體處理(專利文獻1)。
又，有時將處理液供給至面對基板的底面所設之對向構件與基板的底面之間而形成液體層，介由液體層對基板賦予超音波振動來進行液體處理(專利文獻2)。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-35866號公報
專利文獻2：日本特開2002-75943號公報
在對基板進行液體處理之製程中，有時以處理液來清洗基板的表面，並進行沖洗處理、乾燥。
在專利文獻1的基板處理裝置中，使用清洗液來作為處理液，藉此可清洗基板的表面。可是，在清洗後，為了對該表面進行沖洗處理，需要以沖洗液替換清洗液之製程。又，為了使該表面乾燥，需要將所供給的沖洗液排放之製程。在專利文獻2的基板處理裝置中，雖亦可將基板送出，以其他基板處理裝置進行沖洗處理等，但有時送出等需要時間。此等製程數的增加以及處理時間的增加，導致製造成本的增加。因此，為了減少基板從液體處理到清洗以及乾燥之製程數(處理時間)，所要求的是可在一個處理單元中進行：將基板浸漬於液體層之處理(DIP處理)，以及旋轉基板並供給液體且予以甩出之液膜處理。
本發明係基於此等情事所製成，提供一種可在將基板浸漬於液體層並加以清洗之後，予以旋轉來進行液膜處理之基板處理裝置與基板處理方法。
根據本發明的一態樣，提供一種基板處理裝置，其包含：儲存槽，儲存液體；基板支持部，將基板以可旋轉方式水平地支持；驅動部，使該基板支持部，在使基板浸漬於該儲存槽內的液體之浸漬位置，與該浸漬位置上方且基板不浸漬於液體之分離位置之間移動；以及杯體部，設於該儲存槽的外周側，包圍該基板支持部在該分離位置中所支持的該基板。
根據本發明的另一態樣，提供一種基板處理方法，其特徵為包含：基板支持步驟，藉由基板支持部水平地支持基板；旋轉步驟，使該基板支持部旋轉，藉以使該基板旋轉；液膜形成步驟，對該旋轉的基板供給第1液體，而在該旋轉的基板上形成液膜；儲存步驟，將第2液體儲存於儲存槽，該儲存槽由下列構件所形成：儲存構件底部，以面對由該基板支持部所支持的該基板之方式設置；以及儲存構件堰堤部，以包圍該儲存構件底部之方式設置；浸漬步驟，使支持該基板的該基板支持部移動，藉以將該基板浸漬於該第2液體；以及分離步驟，使支持該基板的該基板支持部移動，藉以使該基板與該第2液體分離。
根據本發明的實施形態，提供一種可在將基板浸漬於液體層並加以清洗之後，予以旋轉來進行液膜處理之基板處理裝置與基板處理方法。
10‧‧‧基板支持部
10a‧‧‧頂板構件
10s‧‧‧爪部
10n‧‧‧頂板噴嘴
10L‧‧‧加熱部
20‧‧‧儲存構件底部(儲存槽)
20a‧‧‧底板構件
20n‧‧‧底板噴嘴
20m、20m1~20m5‧‧‧噴吐口
20s、20s1~20s5‧‧‧超音波振動板
21‧‧‧儲存構件堰堤部(儲存槽)
23‧‧‧密封構件
30‧‧‧驅動部
30M‧‧‧馬達
30a‧‧‧板驅動部
30b‧‧‧底板驅動部
40‧‧‧杯體部
40a‧‧‧第1液體收容部
40b‧‧‧第2液體收容部
40g‧‧‧區隔導件
41c、41d‧‧‧排液口
41e‧‧‧排氣口
50‧‧‧液體供給源
51~54‧‧‧配管
51a‧‧‧三方閥
56‧‧‧集合閥
57‧‧‧供給管
61‧‧‧運送機構
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧控制器
201‧‧‧記憶媒體
202‧‧‧處理器
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係顯示本發明實施形態的基板處理裝置之概略剖面圖。
圖2係說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。
圖3係說明本實施形態中所實施的晶圓送入之說明圖。
圖4(a)(b)係說明本實施形態中所實施的SPM處理之說明圖。
圖5係說明本實施形態中所實施的H2SO4處理之說明圖。
圖6係說明本實施形態中所實施的HDIW處理之說明圖。
圖7(a)(b)係說明本實施形態中所實施的SC1以及CDIW處理之說明圖。
圖8係說明本實施形態中所實施的超音波清洗處理之說明圖。
圖9(a)(b)係說明本實施形態中所實施的CDIW以及乾燥處理之說明圖。
[實施發明的最佳形態]
以下，參照附加圖式，並說明本發明非限定的例示之實施形態。在附加的所有圖式中，對相同或相對應之構件或零件附上相同或相對應之參照元件符號，以省略重複的說明。又，圖式之目的並不在於顯示構件或零件間的相對比例，從而具體的尺寸，應由所屬技術領域中具通常知識者參照以下非限定的實施形態來加以決定。
(基板處理裝置之構成)
首先，參照圖1，並說明本發明實施形態的基板處理裝置。在本實施形態中，作為處理的基板，係使用半導體晶圓(以下稱為晶圓)。
如圖示，基板處理裝置100包含：基板支持部10，支持晶圓W；儲存構件底部20，以面對受支持的晶圓W的底面之方式設置；儲存構件堰堤部21，以在儲存構件底部20的外周側包圍儲存構件底部20之方式設置；以及驅動部30，調整基板支持部10與儲存構件底部20之間的分離距離。又，基板處理裝置100中設有杯體部40，包圍儲存構件底部20的周圍，來回收供給至晶圓W的液體，並予以排放至排液口41c等。
基板支持部10包含：圓環形的頂板構件10a，含有頂板噴嘴10n；爪部10s，將晶圓W夾持在頂板構件10a的下方；以及加熱部10L，將液體(處理液等)加熱。基板支持部10，係以晶圓W的表面(圖案面)面向下方的姿態來支持晶圓W。
頂板構件10a，配置於面對晶圓W的表面之位置。頂板噴嘴10n，配置於頂板構件10a的中央，對晶圓W的頂面供給液體。爪部10s，能以等間隔設置3個爪部。加熱部10L將晶圓W或液體加熱至既定溫度，以使晶圓W表面上的液體的液溫保持均一。加熱部10L，例如可使用LED。
儲存構件底部20包含：圓環形的底板構件20a，含有底板噴嘴20n以 及複數的噴吐口20m(圖4(b))；以及後述的超音波振動板20s(圖4(b))。底板噴嘴20n配置於底板構件20a的中央。複數的噴吐口20m從底板構件20a的中心部往外周部配置。底板噴嘴20n以及噴吐口20m，對晶圓W的底面供給液體。
儲存構件堰堤部21，係以包圍底板構件20a的外周側之方式設置之圓筒形狀的構件。儲存構件堰堤部21可進行移動，以改變與底板構件20a的相對位置關係；當儲存構件堰堤部21的上端之位置高於底板構件20a的上端時，由底板構件20a與儲存構件堰堤部21形成可儲存液體之儲存槽。此時，為了防止儲存於儲存槽的液體從底板構件20a與儲存構件堰堤部21之間隙洩漏，在底板構件20a與儲存構件堰堤部21之滑動部上設有例如O型環等密封構件23。在此，使底板構件20a與儲存構件堰堤部21的相對位置關係改變之方法，可為使底板構件20a或儲存構件堰堤部21任一方移動之方法，或是使底板構件20a與儲存構件堰堤部21雙方相對移動之方法。
驅動部30包含：馬達30M，將旋轉基板支持部10的頂板構件10a以可旋轉方式支持；板驅動部30a，使基板支持部10(頂板構件10a)與儲存構件底部20之分離距離改變；以及底板驅動部30b，使底板構件20a升降。馬達30M，可使頂板構件10a與由頂板構件10a所支持的晶圓W旋轉。板驅動部30a，可減少基板支持部10與儲存構件底部20之分離距離。此時，由基板支持部10(頂板構件10a)所支持的晶圓W，浸漬於儲存在儲存槽的液體(清洗液等)之液體層。底板驅動部30b，可使底板構件20a的上端表面與堰堤部21的上端表面之相對位置關係改變。此時，藉由底板構件20a與儲存構件堰堤部21，可進行可儲存液體的儲存槽之形成，以及儲存在儲存槽的液體之排放。
杯體部40包含：環狀的第1液體收容部40a，將儲存在儲存槽的液體排放；環狀的第2液體收容部40b，設於第1液體收容部40a的更外周側，收容供給至旋轉的晶圓W上之液體其中因離心力而甩出之液體；以及可動式的區隔導件40g，區隔第1液體收容部40a與第2液體收容部40b。又， 杯體部40包含：排液口41c，將流入第1液體收容部40a的液體排放；排液口41d，將流入第2液體收容部40b的液體排放；以及排氣口41e，將基板處理裝置100內的環境氣體加以換氣。在此，區隔導件40g，在上方的導引位置Gup(圖1中以實線顯示的位置)，可將液體排放至排液口41c；在下方的導引位置Gdw(圖1中以虛線顯示的位置)，可將液體排放至排液口41d。
基板處理裝置100的液體供給系統，係將液體供給源50連接至底板噴嘴20n。液體供給源50，在本實施形態中，包含4根配管51~54。所供給的液體(處理液)，作為清洗液係從配管52供給SC1；作為沖洗液係從配管51供給常溫的去離子水(CDIW)以及從配管53供給高溫的去離子水(HDIW)；作為光阻剥離的處理液係供給來自配管54的硫酸(H2SO4)。又，對於配管51~54，設有集合閥56。集合閥56的入口連接至配管51~54；集合閥56的出口連接至供給管57。又，集合閥56對應配管51~54而設有三方閥。
在此，所謂三方閥，係選擇性地將閘閥開啟或關閉，藉此將所求的液體選擇性地供給至供給管57。具體而言，當三方閥51a開啟時，流經配管51的去離子水(CDIW)流入供給管57。另一方面，在關閉的其他三方閥中，流經對應的配管52~54的液體，直接流經配管52~54，不流入供給管57。
另，亦可將複數的個別的閘閥設置在配管51~54來取代具有上述構成之集合閥56，藉以作為將液體選擇性地供給至供給管57之構成。
供給管57，介由未圖示的流量控制器以及供給閥，連接至底板噴嘴20n。又，供給管57連接至未圖示的排放管。排放管具有開閉閥。再者，在供給管57介由開閉閥連接有配管，該配管供給氮氣以作為在後述的乾燥製程(圖9(b))中使用之非活性氣體。
另一方面，從自底板構件20a的中心部成螺旋狀配置之複數的噴吐口20m(圖4(b))中，介由開閉閥噴吐過氧化氫溶液，以作為在後述的SPM處理(圖4(a))中所使用之處理液。又，從基板支持部10的頂板噴嘴10n，供給液 體(以及氮氣)。配管以及閘閥等之構成，與底板噴嘴20n之情形相同，故省略說明。
又，如圖1所示，基板處理裝置100，具有統一控制其整體動作之控制器200。控制器200，控制基板處理裝置100的所有功能零件(例如基板支持部10、驅動部30、集合閥56、超音波振動板20s1~20s5等)之動作。控制器200，可由作為硬體有例如通用電腦、作為軟體有用以使該電腦動作的程式(裝置控制程式以及處理程序等)，來加以實現。軟體，係儲存於固定設置於電腦中的硬碟驅動等的記憶媒體，或儲存於CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可裝卸地安裝在電腦中的記憶媒體。此種記憶媒體在圖1中以參照元件符號201所顯示。處理器202，係因應需要而依據來自未圖示的使用者介面之指示等，從記憶媒體201中叫出既定的處理程序並執行之，藉此在控制器200的控制之下使基板處理裝置100的各功能零件動作來進行既定的處理。
(基板處理的動作)
其次，參照圖2~圖9，並說明在上述的基板處理裝置100中所實施的基板處理方法之一例。圖2係說明本實施形態的基板處理方法之流程圖。圖3~圖9係說明所實施的基板處理之各製程之說明圖。參照圖2，並說明圖3~圖9的各製程。
首先，在圖2的步驟S101(以及圖3)中，藉由運送機構61(圖3)將晶圓W運送入基板處理裝置100內，配置於基板支持部10的下方。在此，藉由未圖示的傳遞機構，將晶圓W從運送機構61傳遞至基板支持部10，由爪部10s(旋轉夾盤)支持晶圓W。在本實施例中，晶圓W係表面(圖案面)朝向下方而受支持。其後，前進至步驟S102。另，晶圓W亦可圖案面朝向上方而受支持。
在圖2的步驟S102(以及圖4)中，基板處理裝置100進行將晶圓W的表面上所形成之光阻加以剥離之處理。
具體而言，首先，在圖4(a)中，基板處理裝置100，藉由驅動部30的板驅動部30a使基板支持部10移動至下方(M1)。又，藉由驅動部30的馬達30M使晶圓W(頂板構件10a)以既定的轉速(例如500rpm)旋轉。此時，區隔導件40g位於上方的導引位置Gup。
其次，開啟配管54的三方閥，從底板噴嘴20n對晶圓W的表面噴吐硫酸(H2SO4)。又，從噴吐口20m對晶圓W的表面噴吐過氧化氫溶液(H2O2)。此時，硫酸與過氧化氫溶液之混合液產生在晶圓W的表面上。又，混合液中，產生硫酸與過氧化氫溶液之化學反應(H2SO4+H2O2→H2SO5+H2O)，產生含有具強氧化力之H2SO5之SPM。
晶圓W的表面上之SPM，受到晶圓W的旋轉之離心力，在晶圓W的表面上從表面中央朝外周緣擴散。此時，SPM，在晶圓W的表面上形成SPM的液膜。因此，可藉由SPM的氧化反應，將殘存在晶圓W的表面上之無用光阻加以剥離。
又，晶圓W的表面上之SPM的溫度，往晶圓W的外周降低。因此，基板處理裝置100進行控制，俾以藉由加熱部10L將晶圓W或SPM加熱，使晶圓W的表面上之液溫保持均一。再者，晶圓W的表面上之SPM的液膜因離心力從晶圓W的外周緣飛濺，飛濺出的SPM由杯體部40的第1液體收容部40a所接收，從排液口41c排出。
在此，圖4(b)中，顯示說明噴吐過氧化氫溶液之噴吐口20m的位置之平面圖。在本實施形態中，具有5個噴吐口(20m1~20m5)。噴吐口(20m1~20m5)，可從底板構件20a的圓形表面之中心部成螺旋狀配置。從噴吐口20m噴吐之過氧化氫溶液，可由未圖示之開閉閥來控制其流量。
以上，當將晶圓W的表面上所形成之光阻加以剥離之基板處理結束時，則前進至步驟S103。
在圖2的步驟S103(以及圖5)中，基板處理裝置100使晶圓W不停旋轉並從底板噴嘴20n對晶圓W的表面噴吐硫酸，以作為光阻剥離之後處理。在此情形，並不從噴吐口20m噴吐過氧化氫溶液。又，其他條件與步驟S102相同，故省略說明。基板處理裝置100，將位於晶圓W的表面上之在步驟S102中所產生之SPM的液膜，替換為硫酸的液膜。
以上，當替換結束時，則停止晶圓W的旋轉，前進至步驟S104。
在圖2的步驟S104(以及圖6)中，基板處理裝置100進行將晶圓W浸漬於HDIW之處理(以下稱為DIP處理)。
具體而言，首先，基板處理裝置100令儲存構件堰堤部21的上端之位置高於底板構件20a的上端之位置(M1)，而形成可儲存液體之儲存槽。其次，開啟配管53的三方閥，從底板噴嘴20n供給HDIW，將HDIW儲存於儲存槽中。再者，基板處理裝置100，使區隔導件40g移動至下方的導引位置Gdw(G1)。
其次，基板處理裝置100，藉由板驅動部30a使基板支持部10移動至下方(M2)，使晶圓W浸漬於儲存在儲存槽的HDIW內，以既定的時間進行DIP處理。在此，在DIP處理中，連續地供給HDIW，將液體排放至排液口41d並進行清洗(溢流清洗)。藉由此DIP處理，可將晶圓W的表面上所殘存的經剥離之光阻或硫酸加以除去而均勻地清洗。又，可同時清洗附著有在步驟S102以及S103中所使用的處理液(SPM等)之底板構件20a等。另，在DIP處理中，基板處理裝置100亦可藉由馬達30M使晶圓W(頂板構件10a)以低旋轉的轉速旋轉。
以上，當DIP處理結束時，則前進至步驟S105。
在圖2的步驟S105(以及圖7(a))中，基板處理裝置100進行使晶圓W 旋轉並以SC1對晶圓W進行清洗(旋轉清洗)之處理。
具體而言，首先，基板處理裝置100藉由板驅動部30a使基板支持部10移動至上方(M1)，使晶圓W從儲存槽的HDIW內升起而分離。又，基板處理裝置100藉由底板驅動部30b，令底板構件20a的上端之位置高於儲存構件堰堤部21的上端之位置(M2)，以將步驟S104的HDIW從第1液體收容部40a的排液口41c排出。此時，可同時進行步驟S104的DIP處理中所使用的HDIW之排出，以及後述的旋轉清洗之準備。
其次，基板處理裝置100藉由馬達30M使晶圓W(頂板構件10a)以既定的轉速(例如1000rpm)旋轉，從頂板噴嘴10n以及底板噴嘴20n對旋轉的晶圓W之表面背面噴吐SC1。此時，噴吐在晶圓W的表面背面上之SC1，受到晶圓W的旋轉之離心力，在晶圓W的表面背面上形成液膜。因此，可將附著在晶圓W的表面背面上之微粒加以除去。又，晶圓W的表面背面上之SC1的液膜因離心力從晶圓W的外周緣飛濺，飛濺出的SC1由杯體部40的第2液體收容部40b所接收，從排液口41d排出。
以上，當晶圓W的旋轉清洗結束時，則前進至步驟S106。
在圖2的步驟S106(以及圖7(b))中，基板處理裝置100進行對晶圓W的表面背面噴吐CDIW藉以將晶圓W的表面背面上的SC1加以除去之處理，以作為SC1的旋轉清洗之後處理。處理的內容，與步驟S105相同，故省略說明。基板處理裝置100，當SC1的除去結束時，則前進至步驟S107。
在圖2的步驟S107(以及圖8)中，基板處理裝置100藉由超音波振動板20s對晶圓W賦予振動，對晶圓W進行超音波清洗。
具體而言，首先，基板處理裝置100與步驟S104同樣地形成儲存槽，將CDIW儲存於儲存槽(M1)。又，基板處理裝置100藉由馬達30M使晶圓W(頂板構件10a)以低速旋轉。其次，基板處理裝置100，藉由板驅動部30a 使基板支持部10移動至下方(M2)，使晶圓W浸漬於儲存在儲存槽的CDIW內。此時，基板處理裝置100，以既定的時間藉由超音波振動板20s對晶圓W等賦予振動，對晶圓W進行物理性清洗。在本實施形態中，連續地供給CDIW，將液體排放至排液口41d並進行清洗(溢流清洗)。又，基板處理裝置100，可同時清洗附著有在步驟S105中所使用的處理液(SC1等)之底板構件20a等，可削減基板處理裝置100的清洗之製程(時間)。
在此，進行超音波清洗之超音波振動板20s示於圖4(b)。在本實施形態中，超音波振動板20s，具有5個超音波振動元件(20s1~20s5)。超音波振動元件(20s1~20s5)，可從底板構件20a的圓形表面之中心部往外周部配置。又，超音波振動元件(20s1~20s5)，可藉由控制器200來分別控制其輸出。
以上，當超音波清洗之處理結束時，則前進至步驟S108。
在圖2的步驟S108(以及圖9(a))中，基板處理裝置100使晶圓W旋轉並對晶圓W進行沖洗處理。
具體而言，首先，基板處理裝置100藉由板驅動部30a使基板支持部10移動至上方(M1)，使晶圓W從儲存槽的CDIW內升起而分離。又，基板處理裝置100藉由底板驅動部30b，令底板構件20a的上端之位置高於儲存構件堰堤部21的上端之位置(M2)，以將步驟S107的CDIW從第2液體收容部40b的排液口41d排出。此時，可同時進行步驟S107的超音波清洗處理中所使用的CDIW之排出，以及後述的沖洗處理，可削減基板處理裝置100的超音波清洗中所使用的CDIW之排出之時間。
其次，基板處理裝置100藉由馬達30M使晶圓W(頂板構件10a)以既定的轉速(例如1000rpm)旋轉，從頂板噴嘴10n以及底板噴嘴20n對旋轉的晶圓W之表面背面噴吐CDIW。此時，噴吐在晶圓W的表面背面上之CDIW，受到晶圓W的旋轉之離心力，在晶圓W的表面背面上形成液膜。因此，可清洗殘存在晶圓W的表面背面上之無用的前處理的處理液等，進 行沖洗處理。又，晶圓W的表面背面上之CDIW的液膜因離心力從晶圓W的外周緣飛濺，飛濺出的CDIW由杯體部40的第2液體收容部40b所接收，從排液口41d排出。
以上，當沖洗處理結束時，則前進至步驟S109。
在圖2的步驟S109(以及圖9(b))中，基板處理裝置100使晶圓W旋轉並對晶圓W進行乾燥處理。
具體而言，首先，基板處理裝置100使來自頂板噴嘴10n以及底板噴嘴20n之CDIW之噴吐停止。其次，基板處理裝置100從頂板噴嘴10n以及底板噴嘴20n釋放出非活性氣體(N2氣體)。因此，可將晶圓W的表面上所殘存的CDIW除去，使晶圓W的表面背面乾燥。
以上，當乾燥處理結束時，則前進至步驟S110。
在圖2的步驟S110中，藉由運送機構61(圖3)將處理完畢的晶圓W送出至基板處理裝置100外。送出方法，與步驟S101的相反順序相同，故省略說明。當送出結束時，則前進至圖中的「END」，結束基板處理的動作。
以上，雖參照實施形態說明了本發明，但本發明並不限於此，可參照附加的申請專利範圍，進行各種變形或變更。
又，作為所使用的液體，雖例示了H2SO4、SC1、以及DIW等，但並不限於其等，當然可使用適合所實施的液體處理之液體。
在上述實施形態中，雖以對晶圓進行基板處理之情形為例進行了說明，但在製造平板顯示器用玻璃基板等基板之製程，對基板進行液體處理之情形中，亦可使用本發明。
10‧‧‧基板支持部
10a‧‧‧頂板構件
10s‧‧‧爪部
10n‧‧‧頂板噴嘴
10L‧‧‧加熱部
20‧‧‧儲存構件底部(儲存槽)
20a‧‧‧底板構件
20n‧‧‧底板噴嘴
20m‧‧‧噴吐口
20s‧‧‧超音波振動板
21‧‧‧儲存構件堰堤部(儲存槽)
23‧‧‧密封構件
30‧‧‧驅動部
30M‧‧‧馬達
30a‧‧‧板驅動部
30b‧‧‧底板驅動部
40‧‧‧杯體部
40a‧‧‧第1液體收容部
40b‧‧‧第2液體收容部
40g‧‧‧區隔導件
41c、41d‧‧‧排液口
41e‧‧‧排氣口
50‧‧‧液體供給源
51~54‧‧‧配管
51a‧‧‧三方閥
56‧‧‧集合閥
57‧‧‧供給管
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧控制器
201‧‧‧記憶媒體
202‧‧‧處理器
W‧‧‧晶圓(基板)

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含：基板支持部，將基板以可旋轉方式水平地支持；儲存構件底部與儲存構件堰堤部，該儲存構件底部設置在該基板支持部下方，以及該儲存構件堰堤部包圍該儲存構件底部，該儲存構件底部與該儲存構件堰堤部可在垂直方向相對移動，以產生第一位置關係與第二位置關係，其中在該第一位置關係中，該儲存構件堰堤部從該儲存構件底部向上突出，以使該儲存構件底部與該儲存構件堰堤部形成儲存槽，該儲存槽將液體儲存在該儲存構件底部上以及該儲存構件堰堤部內部，以及其中在該第二位置關係中，該儲存構件堰堤部不從該儲存構件底部向上突出，以允許存在於該儲存構件底部上的液體越過該儲存構件堰堤部而流到該儲存構件底部之外；板驅動部，使該基板支持部可移動至下列位置：令該基板支持部所支持的該基板浸漬於該儲存槽內所儲存的液體中之浸漬位置，與在該浸漬位置上方且該基板支持部所支持的該基板不浸漬於該儲存槽內所儲存的液體中之分離位置；以及杯體部，設置成包圍該儲存構件底部與該儲存構件堰堤部並且包圍著該基板支持部所支持的該基板，其中當液體被供給至該基板且該儲存構件底部與該儲存構件堰堤部產生該第二位置關係時，該杯體部係設置成容納已被供給至該基板的液體。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該杯體部更包含：區隔第1液體收容部與第2液體收容部之可動式的區隔導件。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該儲存構件底部包含：對該儲存槽或該基板供給液體之底板噴嘴。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該儲存構件底部包含：對浸漬於該儲存槽的液體內之基板賦予振動之超音波振動板。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該基板支持部，在對於該儲存槽夾隔著該基板的相反側具有圓環形的 頂板構件。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該基板支持部包含：將該基板或該基板上的液體加熱之加熱部。
  7. 一種基板處理方法，其特徵為包含：基板支持步驟，藉由基板支持部水平地支持基板；旋轉步驟，使該基板支持部旋轉，藉以使該基板旋轉；液膜形成步驟，對該旋轉的基板供給第1液體，而在該旋轉的基板上形成液膜；儲存步驟，將第2液體儲存於儲存槽，該儲存槽由下列構件所形成：儲存構件底部，設置在該基板支持部下方；以及儲存構件堰堤部，設置成包圍著該儲存構件底部，該儲存構件底部與該儲存構件堰堤部可在垂直方向相對移動；浸漬步驟，使支持該基板的該基板支持部移動，藉以將該基板浸漬於該第2液體；以及分離步驟，使支持該基板的該基板支持部移動，藉以使該基板與該第2液體分離。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，該液膜形成步驟包含以下步驟：將從該旋轉的基板上甩出的該第1液體，排放至包圍該儲存構件堰堤部之環狀的第1液體收容部；該浸漬步驟包含以下步驟：將儲存於該儲存槽的該第2液體，收容於設於比該第1液體收容部更外周側之環狀的第2液體收容部。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中，該分離步驟包含以下步驟：令該儲存構件底部的上端之位置高於該儲存構件堰堤部的上端之位置，藉以將該第1液體排放至該第1液體收容部。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中，該浸漬步驟包含以下步驟：利用設於該儲存構件底部之超音波振動板，介由該第1液體對該基板賦予振動。
  11. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中更包含：乾燥步驟，對該基板支持部與該基板之間隙，以及該基板與該儲存構件底部之間隙供給非活性氣體以使該基板乾燥。
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