JP2003073845A - 回転式メッキ装置およびメッキ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回転式メッキ装置の設置スペースを小さく
し、半導体ウェハ表面への汚染物質の付着を防止する。 【解決手段】 回転式メッキ装置１の薬液貯蔵槽７およ
び純水貯蔵槽８を、薬液処理、水洗処理および乾燥処理
を行う処理槽２とは別に設けるように構成した。これに
より、回転式メッキ装置１の設置スペースを小さくで
き、また、半導体ウェハ３は、その処理中、処理槽２外
部に出されることがなく、汚染物質の付着およびクリー
ンルームの汚染を防止できる。さらに、回転式メッキ装
置１では、半導体ウェハ固定用治具４が、半導体ウェハ
３を固定した状態で、処理槽２内部で回転するように構
成にした。これにより、メッキ皮膜の膜厚均一化、洗浄
効果向上、半導体ウェハ３に付着した液滴の除去が可能
になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回転式メッキ装置お
よびメッキ方法に関し、特に半導体ウェハの表面にメッ
キ皮膜を成膜する回転式メッキ装置およびメッキ方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化に伴い、用いら
れる半導体装置も小型化し、半導体チップのボンディン
グパッドにはんだバンプが形成された半導体装置をプリ
ント基板に実装する、いわゆるベアチップ実装が広く行
われるようになっている。

【０００３】ボンディングパッドの材料としては、主
に、アルミニウムが用いられる。そして、このアルミニ
ウムから成るボンディングパッド（以下「アルミパッ
ド」という）に、無電解ニッケル（Ｎｉ）メッキ処理お
よび無電解金（Ａｕ）メッキ処理が施され、成膜された
各金属のメッキ皮膜上にはんだバンプが形成される。

【０００４】さらに、半導体ウェハに形成されたアルミ
パッド上にメッキ皮膜を成膜する場合に、ジンケート法
やパラジウム（Ｐｄ）触媒などを用いる方法もある。し
かし、ジンケート法では、メッキ装置に、アルミパッド
を洗浄するアルミクリーニング液が貯蔵されるアルミク
リーニング槽、ジンケート液が貯蔵されるジンケート
槽、硝酸水溶液が貯蔵される硝酸槽、Ｎｉメッキ液が貯
蔵されるＮｉ槽およびＡｕメッキ液が貯蔵されるＡｕ槽
などの薬液槽が必要であり、さらにそれぞれの薬液処理
後に、半導体ウェハに付着した薬液を水洗処理するため
の純水が貯蔵される純水槽が必要になる。また、触媒を
用いる方法でも、アルミクリーニング槽、Ｐｄ触媒を貯
蔵する触媒層、Ｎｉ槽およびＡｕ槽が必要であることに
加え、それぞれの薬液処理後に水洗処理する純水槽が必
要になる。

【０００５】図４は半導体ウェハの無電解メッキ処理を
行う従来のメッキ装置の一例の概略図である。メッキ装
置１００には、半導体ウェハ搬入口１０１と、半導体ウ
ェハ搬出口１０２とが設けられていて、メッキ装置１０
０は、並設された槽１０３を有している。この槽１０３
の内部には、無電解メッキ処理に用いられる薬液または
純水が貯蔵されており、薬液および純水は、無電解メッ
キ処理が行われる所定の順番になるように槽１０３に貯
蔵されている。また、半導体ウェハ搬出口１０２に最も
近い槽は、半導体ウェハ１０４を搬出前に乾燥処理する
乾燥槽１０５である。そして、槽１０３のうち、半導体
ウェハ搬入口１０１に最も近い槽１０３ａと、乾燥槽１
０５との間には、半導体ウェハ１０４が固定される半導
体ウェハ固定用治具１０６を昇降させる治具移動用アー
ム１０７を、水平方向に移動させるレールである治具移
動用レール１０８が配置されている。

【０００６】メッキ装置１００は、まず、半導体ウェハ
１０４が固定された半導体ウェハ固定用治具１０６に接
続された治具移動用アーム１０７を下降させ、半導体ウ
ェハ１０４を、槽１０３ａ内に浸漬する。そして、槽１
０３ａでの処理後、メッキ装置１００は、治具移動用ア
ーム１０７を上昇させて半導体ウェハ１０４を槽１０３
ａから引き上げ、半導体ウェハ搬出口１０２方向に治具
移動用レール１０８に沿って移動させる。次いで、半導
体ウェハ１０４は、槽１０３のうち、槽１０３ａの隣に
配置されている槽１０３ｂで同様に処理される。メッキ
装置１００は、乾燥槽１０５での乾燥終了までこの動作
を繰り返し、半導体ウェハ１０４に薬液処理、水洗処理
および乾燥処理を施す。

【０００７】この例のように、従来のメッキ装置は、通
常、これらの薬液および純水が貯蔵された槽が、合計１
０槽から１８槽程度、無電解メッキ処理における所定の
工程順に並設されていて、先頭から最後の槽まで、被メ
ッキ物を、各槽を順に移動させることにより薬液処理、
水洗処理および乾燥処理を施す、連続槽式メッキ装置で
あった。

【０００８】このような連続槽式メッキ装置によって半
導体ウェハに無電解メッキ処理を行う場合、被メッキ物
である半導体ウェハがごみや汚染物によって非常に影響
を受けやすいので、通常はクリーンルーム内に設置され
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の連続槽
式メッキ装置で、多数の被メッキ物を一度にメッキ処理
しようとした場合、被メッキ物を固定する固定用治具が
大型化するため、それに合わせて薬液または純水が貯蔵
される各槽も大型化し、その結果、これら各槽が並設さ
れた連続槽式メッキ装置は、非常に大型のものとなって
しまうという問題点があった。

【００１０】このような大型の連続槽式メッキ装置をク
リーンルーム内に設置しようとする場合、大きな設置ス
ペースが必要となるため、この連続槽式メッキ装置以外
の装置の配置も考慮し、非常に大型のクリーンルームが
必要になる。その結果、クリーンルームの建設費や維持
管理費が高額となり、無電解メッキ処理の低コストとい
う利点が相殺されてしまっていた。

【００１１】また、従来の連続槽式メッキ装置は、被メ
ッキ物の浸漬・引き上げが行われるため、薬液の貯蔵さ
れた各槽が開放された状態で配置されている。ところ
が、各薬液は、それぞれの薬液処理に適した所定液温で
槽に貯蔵されているため、薬液が加熱により気化するこ
とが起こり得る。従来、半導体ウェハを処理する場合な
どにあっては、この気化した薬液が、槽間を移動する半
導体ウェハ表面に付着して乾固し、半導体ウェハ表面の
絶縁性が低下する不良が起こりやすくなるという問題点
があった。さらに、気化した種々の薬液によって、クリ
ーンルーム内が汚染されるという問題点があった。

【００１２】これらについては、各槽に蓋を設けて、半
導体ウェハなどの被メッキ物が固定された固定用治具が
槽に出入りする場合のみ開く構成とする提案もある。し
かし、蓋によって薬液の気化量は減少するものの、槽か
ら槽へと被メッキ物を移動させる際、被メッキ物への気
化した薬液の付着を防止することはできない。

【００１３】また、純水が貯蔵されている槽には、必然
的に、固定用治具や被メッキ物自身に付着した薬液が混
入し、このような混入物は汚染物質となってしまう。そ
して、被メッキ物は、最終的には、薬液が水洗処理さ
れ、乾燥槽で温風乾燥される。この乾燥処理において、
その直前の水洗処理で被メッキ物表面に付着した液滴
が、そのまま温風乾燥されると、半導体ウェハ表面に汚
染物質濃度の高い染みが発生しやすくなる。

【００１４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、クリーンルームにおける設置スペースが小さ
く、被メッキ物表面への汚染物質の付着を防止する回転
式メッキ装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、クリー
ンルームにおける無電解メッキ処理によって被メッキ物
の表面にメッキ皮膜を成膜する回転式メッキ装置であっ
て、無電解メッキ処理における薬液処理に用いられる薬
液が貯蔵される薬液貯蔵槽と、被メッキ物の水洗処理に
用いられる純水が貯蔵される純水貯蔵槽と、加熱機構を
備え、開閉可能な蓋を有し、薬液または純水が供給され
る処理槽と、処理槽の内部に回転可能に配置され、被メ
ッキ物が固定される固定用治具と、を有することを特徴
とする回転式メッキ装置が提供される。

【００１６】上記構成によれば、無電解メッキ処理の薬
液処理に用いる薬液が、薬液貯蔵槽に貯蔵されていて、
この薬液が処理槽に供給される。また、被メッキ物に付
着した薬液の水洗処理に用いる純水が、純水貯蔵槽に貯
蔵されていて、被メッキ物に対する薬液処理後に、この
純水が処理槽に供給される。また、処理槽が、加熱機構
を備えており、被メッキ物が、処理槽内部で乾燥処理さ
れる。

【００１７】この回転式メッキ装置では、薬液貯蔵槽
を、薬液処理に用いる薬液ごとに設け、純水貯蔵槽はひ
とつとする。したがって、槽数が少なくて済み、設置ス
ペースを小さくすることができる。

【００１８】さらに、薬液貯蔵槽および純水貯蔵槽と、
薬液処理、水洗処理および乾燥処理を行う処理槽とが、
別々に設けられているので、被メッキ物は、無電解メッ
キ処理終了後まで、処理槽外部に出されることがなく、
薬液貯蔵槽から気化した薬液が付着するようなことがな
い。無電解メッキ処理終了後は、被メッキ物および処理
槽内部の乾燥も終了しており、被メッキ物の取り出し時
に、これらに残存する液滴などによって、クリーンルー
ムが汚染されない。

【００１９】また、薬液処理、水洗処理および乾燥処理
においては、処理槽内部に配置された固定用治具が、こ
れに被メッキ物を固定した状態で回転する。これによ
り、薬液処理では、処理槽内部の薬液が撹拌され、内部
の温度分布が均一に保たれるようになるので、メッキ皮
膜の膜厚が均一化されるようになる。一方、水洗処理で
は、処理槽に供給された純水が撹拌されることにより、
被メッキ物の洗浄効果が向上するようになる。また、乾
燥処理では、固定用治具の回転により、被メッキ物に付
着している汚染物質を含んだ液滴が、その遠心力によっ
て除去されるようになる。

【００２０】そして、回転式メッキ装置の薬液貯蔵槽お
よび純水貯蔵槽を、例えばクリーンルームの外部に設置
する場合には、クリーンルーム内での設置スペースをよ
り小さくすることができるとともに、薬液貯蔵槽から気
化する薬液によるクリーンルーム内の汚染を防止できる
ようになる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、半
導体ウェハのジンケート法を用いた無電解メッキ処理を
行う回転式メッキ装置に適用した場合を例にして、図面
を参照して詳細に説明する。

【００２２】図１は本発明の回転式メッキ装置の構成図
である。回転式メッキ装置１は、電熱ヒータなどの加熱
機構２ｃと、ファンなどを介して温度調節された清浄空
気を送風する図示しない送風機構とを備える処理槽２を
有する。処理槽２の外周には、温度調節された水やオイ
ルなどの熱媒を流通することのできる処理槽保温部２ａ
が設けられ、処理槽２内部を保温できるようになってい
る。また、処理槽２上部には、処理槽２からの液飛散防
止のため、図示しない蓋が設けられている。

【００２３】処理槽２内部には、無電解メッキ処理を行
う被メッキ物である半導体ウェハ３を固定し、半導体ウ
ェハ３を固定した状態で回転可能な固定用治具である半
導体ウェハ固定用治具４が配置されている。処理槽２外
部には、半導体ウェハ固定用治具４が固定された回転軸
５を回転駆動することによって半導体ウェハ固定用治具
４を回転させるモータ６が配置されている。このモータ
６は、正転方向および逆転方向の両方向に回転可能であ
って、かつ、回転速度を任意に変化させることができる
ようになっている。

【００２４】さらに、回転式メッキ装置１は、半導体ウ
ェハ３を薬液処理するための薬液が貯蔵される薬液貯蔵
槽７、および半導体ウェハ３に付着した薬液を水洗処理
する純水が貯蔵される純水貯蔵槽８を有している。

【００２５】この薬液貯蔵槽７として、回転式メッキ装
置１は、アルミクリーニング液が貯蔵される貯蔵槽であ
るアルミクリーニング槽９、ジンケート液が貯蔵される
貯蔵槽であるジンケート槽１０、Ｎｉメッキ液が貯蔵さ
れる貯蔵槽であるＮｉ槽１１、およびＡｕメッキ液が貯
蔵される貯蔵槽であるＡｕ槽１２を有している。

【００２６】そして、薬液貯蔵槽７のこれら各貯蔵槽の
外周には、薬液貯蔵槽保温部９ａ，１０ａ，１１ａ，１
２ａがそれぞれ設けられていて、貯蔵される薬液が保温
されるようになっている。さらに、アルミクリーニング
槽９、ジンケート槽１０、Ｎｉ槽１１およびＡｕ槽１２
には、各貯蔵槽に貯蔵されている薬液を導出する薬液導
出管９ｂ，１０ｂ，１１ｂ，１２ｂがそれぞれ設けられ
ていて、薬液の流路を切り替え可能な切り替え弁１３に
接続されている。この薬液導出管９ｂ，１０ｂ，１１
ｂ，１２ｂの外周には、それぞれ薬液導出管保温部９
ｃ，１０ｃ，１１ｃ，１２ｃが設けられていて、管を流
通する薬液が保温されるようになっている。

【００２７】また、回転式メッキ装置１が有する純水貯
蔵槽８の外周にも純水貯蔵槽保温部８ａが設けられてい
て、純水貯蔵槽８に貯蔵される純水が保温されるように
なっている。純水貯蔵槽８には、その純水を導出する純
水導出管８ｂが設けられていて、さらに、純水導出管８
ｂの途中には、給水口８ｃが配置されており、純水導出
管８ｂに、新たに純水を供給できるようになっている。

【００２８】薬液導出管９ｂ，１０ｂ，１１ｂ，１２ｂ
および純水導出管８ｂが接続される切り替え弁１３は、
供給管１４によって処理槽２と連結されており、この供
給管１４の外周には供給管保温部１４ａが設けられてい
て、管を流通する薬液あるいは純水が保温されるように
なっている。さらに、この供給管１４の途中には、ポン
プ１５が配置されており、このポンプ１５によって、薬
液あるいは純水が処理槽２に供給される。

【００２９】さらに、処理槽２内部からは、外部へ延び
る廃棄管１６が設けられていて、処理槽２内部の液が外
部へ廃棄されるようになっている。図２は回転式メッキ
装置の設置状態を示す図である。

【００３０】回転式メッキ装置１は、クリーンルーム内
に、処理槽保温部２ａおよび蓋２ｂを備える処理槽２、
この処理槽２内部に配置された、半導体ウェハ３の固定
された半導体ウェハ固定用治具４、半導体ウェハ固定用
治具４と回転軸５を介して接続されたモータ６、処理槽
２に連結された供給管１４、およびこの供給管１４の途
中に配置されたポンプ１５、ポンプ１５を経由して処理
槽２内部の液を再び供給管１４に戻す戻り管１７、およ
び廃棄管１６が設置されている。供給管１４および廃棄
管１６は、クリーンルーム内の処理槽２からクリーンル
ームの外部へと引き出されている。

【００３１】一方、クリーンルームの外部には、アルミ
クリーニング槽９、ジンケート槽１０、Ｎｉ槽１１、Ａ
ｕ槽１２および純水貯蔵槽８が配置されている。さら
に、これら各貯蔵槽から、図１に示した薬液導出管９
ｂ，１０ｂ，１１ｂ，１２ｂおよび純水導出管８ｂが、
同じく図１に示した切り替え弁１３を介して、クリーン
ルーム内から引き出されている供給管１４に接続されて
いる。

【００３２】図１および図２に示した回転式メッキ装置
１は、ひとつの処理槽２に、アルミクリーニング槽９、
ジンケート槽１０、Ｎｉ槽１１、Ａｕ槽１２および純水
貯蔵槽８から、切り替え弁１３を切り替えてポンプ１５
を用いることにより、目的の処理ごとに薬液あるいは純
水を供給することができるように構成されている。

【００３３】このような構成の回転式メッキ装置１で
は、従来のように各処理工程ごとに薬液槽や純水槽を設
けることなく、薬液ごとにアルミクリーニング槽９、ジ
ンケート槽１０、Ｎｉ槽１１およびＡｕ槽１２の薬液貯
蔵槽７とひとつの純水貯蔵槽８とがあればよいので、槽
数を大幅に減少できる。したがって、回転式メッキ装置
１の設置スペースを小さくできる。

【００３４】また、回転式メッキ装置１では、無電解メ
ッキ処理後の半導体ウェハ３の取り出しが処理槽２での
乾燥処理後であることから、無電解メッキ処理中の半導
体ウェハ３への汚染物質の付着が防止できる。また、取
り出し時には半導体ウェハ３および処理槽２の内壁が乾
燥済みであるので、処理槽２の蓋２ｂを開けても、薬液
によるクリーンルーム内の汚染がない。

【００３５】さらに、図１および図２に示した回転式メ
ッキ装置１では、半導体ウェハ３が固定される半導体ウ
ェハ固定用治具４が、モータ６によって回転されるよう
に構成されている。

【００３６】このように半導体ウェハ３が回転すること
により、薬液処理では、処理槽２内部の薬液が撹拌さ
れ、処理時に発生する水素ガスが半導体ウェハと接触し
て起こるメッキ欠損を防止することができる。さらに、
撹拌により処理槽２内部の温度分布が均一になるので、
メッキ皮膜の膜厚を均一化することができる。さらに、
水洗処理では、半導体ウェハ３が回転することにより、
処理槽２内部に供給された純水が撹拌されるので、洗浄
効率が向上する。また、水洗後、処理槽２が備える加熱
機構および送風機構による乾燥処理では、半導体ウェハ
３が固定されている半導体ウェハ固定用治具４を高速で
回転させることにより、その遠心力によって半導体ウェ
ハ３に付着している液滴を完全に除去することができ
る。これにより、その液滴に含まれる汚染物質の付着を
防止することができるようになる。

【００３７】さらに、本形態の回転式メッキ装置１で
は、薬液貯蔵槽７および純水貯蔵槽８を、薬液処理およ
び水洗処理を行う処理槽２と別に設けることにより、ク
リーンルームでの回転式メッキ装置１の設置状態の自由
度が増す。特に、薬液貯蔵槽７および純水貯蔵槽８をク
リーンルーム外に配置することにより、回転式メッキ装
置１のクリーンルーム内における設置スペースを大幅に
小さくできる。そして、薬液貯蔵槽７をクリーンルーム
外に配置することにより、半導体ウェハ３への気化した
薬液の付着、および気化した薬液によるクリーンルーム
内の汚染を防止できる。

【００３８】次に、本形態の回転式メッキ装置１を用い
た無電解メッキ処理について説明する。図３は半導体ウ
ェハのジンケート法を用いた無電解メッキ処理の流れ図
である。

【００３９】薬液であるアルミクリーニング液、ジンケ
ート液、Ｎｉメッキ液およびＡｕメッキ液は、あらかじ
め温度調節された状態で、アルミクリーニング槽９、ジ
ンケート槽１０、Ｎｉ槽１１およびＡｕ槽１２に、それ
ぞれ貯蔵されている。また、純水貯蔵槽８には、純水
が、あらかじめ温度調節された状態で貯蔵されている。

【００４０】処理槽２では、被メッキ物である半導体ウ
ェハ３が、処理槽２内部の半導体ウェハ固定用治具４に
固定され、蓋２ｂがされる。そして、アルミクリーニン
グ処理が行われる（ステップＳ１）。

【００４１】ステップＳ１でのアルミクリーニング処理
では、切り替え弁１３の切り替え後、まず、ポンプ１５
によって、アルミクリーニング液が、アルミクリーニン
グ槽９から薬液導出管９ｂ、切り替え弁１３、供給管１
４を経由して処理槽２に供給される。その際、薬液導出
管保温部９ｃ、供給管保温部１４ａおよび処理槽保温部
２ａには、温度調節された熱媒が流通されることによ
り、アルミクリーニング液の流通に伴う温度低下が防止
される。

【００４２】アルミクリーニング液が供給された処理槽
２では、モータ６が定期的に回転されることにより、回
転軸５を介して半導体ウェハ固定用治具４が回転され
る。そして、この半導体ウェハ固定用治具４の回転によ
り、アルミクリーニング液が撹拌され、処理槽２内部の
温度分布が均一に保たれた状態で、アルミクリーニング
液による薬液処理が行われる。

【００４３】アルミクリーニング液による薬液処理後、
処理槽２内部のアルミクリーニング液は、ポンプ１５に
よって、もとのアルミクリーニング槽９に戻され、次の
第１水洗処理が行われる（ステップＳ２）。

【００４４】ステップＳ２での第１水洗処理では、切り
替え弁１３の切り替え後、純水が、純水貯蔵槽８から純
水導出管８ｂ、切り替え弁１３、供給管１４を経由して
処理槽２に供給される。ここで、再びモータ６が回転さ
れることにより、処理槽２内部の半導体ウェハ３が回転
され、半導体ウェハ３に付着していたアルミクリーニン
グ液が水洗処理される。その際、モータ６の回転方向
を、正転方向と逆転方向を繰り返し変化させることによ
り、洗浄効果をさらに増すことができる。第１水洗処理
後、処理槽２内部の液は、廃液として廃棄管１６から廃
棄される。この第１水洗処理後、次に、第２水洗処理が
行われる（ステップＳ３）。

【００４５】ステップＳ３での第２水洗処理では、給水
口８ｃから純水導出管８ｂに新たに純水が供給され、こ
れがポンプ１５によって、処理槽２に供給される。処理
槽２では、この純水によって仕上げの水洗が行われる。
この第２水洗処理においても、モータ６の回転方向を、
正転方向と逆転方向を繰り返し変化させることにより、
洗浄効果を増すことができる。そして、第２水洗処理後
は、処理槽２内部の液が、廃棄管１６から廃棄される。

【００４６】以下、同様の手順で薬液処理および水洗処
理が行われる。すなわち、アルミクリーニング液による
薬液処理後に行われる第２水洗処理後のジンケート処理
（ステップＳ４）では、ジンケート液が、ジンケート槽
１０から処理槽２に供給され、ジンケート液による薬液
処理が行われた後、処理槽２内部のジンケート液がジン
ケート槽１０に戻され、第１水洗処理（ステップＳ
５）、第２水洗処理（ステップＳ６）が行われる。次い
で、無電解Ｎｉメッキ処理（ステップＳ７）では、Ｎｉ
メッキ液が、Ｎｉ槽１１から処理槽２に供給され、Ｎｉ
メッキ液による薬液処理が行われた後、処理槽２内部の
Ｎｉメッキ液がＮｉ槽１１に戻され、第１水洗処理（ス
テップＳ８）、第２水洗処理（ステップＳ９）が行われ
る。最後に、無電解Ａｕメッキ処理（ステップＳ１０）
では、Ａｕメッキ液が、Ａｕ槽１０から処理槽２に供給
され、Ａｕメッキ液による薬液処理が行われた後、処理
槽２内部のＡｕメッキ液がＡｕ槽１２に戻され、第１水
洗処理（ステップＳ１１）、第２水洗処理（ステップＳ
１２）が行われる。ただし、この第２水洗処理後の処理
槽２内部の液は、純水貯蔵槽８に戻すようにする。

【００４７】これらの薬液処理および水洗処理では、処
理槽２の処理槽保温部２ａに供給される熱媒も、処理槽
２に供給される薬液あるいは純水が変わるごとに、その
液温に応じて入れ替わるようになっており、処理槽２の
加熱機構と協働して内部温度の低下が防止される。

【００４８】Ａｕメッキ液による薬液処理後の乾燥処理
（ステップＳ１３）では、処理槽２内部の液を純水貯蔵
槽８に戻した後、処理槽２に何も薬液を入れない状態
で、モータ６を高速回転駆動して半導体ウェハ固定用治
具４を高速回転させる。これにより、半導体ウェハ３表
面に付着している液滴が遠心力で除去される。さらに、
処理槽２内部に温風を吹き入れ、半導体ウェハ３、半導
体ウェハ固定用治具４および処理槽２の内壁の乾燥を同
時に行い、無電解メッキ処理が終了する。

【００４９】そして、最後に、処理槽２の蓋２ｂを開
け、半導体ウェハ３および半導体ウェハ固定用治具４が
取り出される。このとき、処理槽２内部は、乾燥済みで
あるので、処理槽２外部への汚染物質の発生がない。し
たがって、半導体ウェハ３に汚染物質が付着することが
なく、また、クリーンルームが汚染されることもない。

【００５０】なお、上記の説明では、回転式メッキ装置
にて無電解メッキ処理を行う被メッキ物として、半導体
ウェハを例にして説明したが、本発明の回転式メッキ装
置は、そのほか、無電解メッキ処理が必要な種々の部
品、成形品などに適用することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、薬液貯
蔵槽および純水貯蔵槽を、薬液処理、水洗処理および乾
燥処理を行う処理槽とは別に設ける構成とした。薬液貯
蔵槽を薬液処理に用いる薬液ごとに設け、純水貯蔵槽を
ひとつとすることにより、回転式メッキ装置の設置スペ
ースを小さくできる。さらに、被メッキ物は、無電解メ
ッキ処理終了後まで、処理槽の外部に出されることがな
く、被メッキ物への汚染物質の付着がなくなるととも
に、乾燥処理後に取り出すので、クリーンルーム内の汚
染を防止できる。

【００５２】また、本発明では、固定用治具が、被メッ
キ物を固定した状態で、処理槽の内部で回転するように
構成にした。薬液処理、水洗処理および乾燥処理におい
て、固定用治具が回転することにより、薬液処理では均
一な膜厚のメッキ皮膜を成膜でき、水洗処理では洗浄効
果を向上でき、乾燥処理では被メッキ物に付着している
汚染物質を含む液滴を除去できる。

【００５３】また、薬液貯蔵槽および純水貯蔵槽を、ク
リーンルーム外に設置することで、クリーンルーム内で
の回転式メッキ装置の設置スペースをより小さくでき、
気化した薬液によるクリーンルーム内の汚染を防止でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回転式メッキ装置の構成の説明図であ
る。

【図２】回転式メッキ装置の設置状態を示す図である。

【図３】半導体ウェハのジンケート法を用いた無電解メ
ッキ処理の流れ図である。

【図４】半導体ウェハの無電解メッキ処理を行う従来の
メッキ装置の一例の概略図である。

【符号の説明】 １……回転式メッキ装置、２……処理槽、２ａ……処理
槽保温部、２ｃ……加熱機構、３……半導体ウェハ、４
……半導体ウェハ固定用治具、５……回転軸、６……モ
ータ、７……薬液貯蔵槽、８……純水貯蔵槽、８ａ……
純水貯蔵槽保温部、８ｂ……純水導出管、８ｃ……給水
口、９……アルミクリーニング槽、１０……ジンケート
槽、１１……Ｎｉ槽、１２……Ａｕ槽、９ａ，１０ａ，
１１ａ，１２ａ……薬液貯蔵槽保温部、９ｂ，１０ｂ，
１１ｂ，１２ｂ……薬液導出管、９ｃ，１０ｃ，１１
ｃ，１２ｃ……薬液導出管保温部、１３……切り替え
弁、１４……供給管、１４ａ……供給管保温部、１５…
…ポンプ、１６……廃棄管。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 クリーンルームにおける無電解メッキ処
   理によって被メッキ物の表面にメッキ皮膜を成膜する回
   転式メッキ装置であって、 前記無電解メッキ処理における薬液処理に用いられる薬
   液が貯蔵される薬液貯蔵槽と、 前記被メッキ物の水洗処理に用いられる純水が貯蔵され
   る純水貯蔵槽と、 加熱機構を備え、開閉可能な蓋を有し、前記薬液または
   前記純水が供給される処理槽と、 前記処理槽の内部に回転可能に配置され、前記被メッキ
   物が固定される固定用治具と、 を有することを特徴とする回転式メッキ装置。
2. 【請求項２】 前記薬液貯蔵槽と前記純水貯蔵槽とは、
   クリーンルームの外部に設置されることを特徴とする請
   求項１記載の回転式メッキ装置。
3. 【請求項３】 前記薬液貯蔵槽および前記純水貯蔵槽か
   ら前記処理槽への流路をひとつに切り替え可能な切り替
   え弁を有することを特徴とする請求項１記載の回転式メ
   ッキ装置。
4. 【請求項４】 前記薬液貯蔵槽および前記純水貯蔵槽と
   前記処理槽との間に配置されて、前記処理槽に前記薬液
   または前記純水を供給し、前記薬液処理または前記純水
   処理の後に前記処理槽の内部の前記薬液を前記薬液貯蔵
   槽に戻すポンプを有することを特徴とする請求項１記載
   の回転式メッキ装置。
5. 【請求項５】 前記処理槽は、熱媒が流通可能で前記処
   理槽の内部を保温する処理槽保温部を有することを特徴
   とする請求項１記載の回転式メッキ装置。
6. 【請求項６】 前記固定用治具は、正転方向および逆転
   方向に回転可能に配置されていることを特徴とする請求
   項１記載の回転式メッキ装置。
7. 【請求項７】 前記処理槽に新たに純水を給水する給水
   口を有することを特徴とする請求項１記載の回転式メッ
   キ装置。
8. 【請求項８】 前記被メッキ物は、半導体ウェハである
   ことを特徴とする請求項１記載の回転式メッキ装置。
9. 【請求項９】 無電解メッキ処理によって被メッキ物の
   表面にメッキ皮膜を成膜するメッキ方法であって、 前記無電解メッキ処理に用いる薬液を、内部に前記被メ
   ッキ物が固定された固定用治具が配置されている処理槽
   に供給して薬液処理を施し、 前記薬液処理の後、前記処理槽の内部の前記薬液を抜き
   出し、 前記薬液の抜き出された前記処理槽に純水を供給して第
   １水洗処理を施し、 前記第１水洗処理の後、前記処理槽の内部の液を抜き出
   し、 前記液の抜き出された前記処理槽に再び純水を供給して
   第２水洗処理を施すことを特徴とするメッキ方法。
10. 【請求項１０】 前記固定用治具を回転することによっ
    て前記被メッキ物を回転しながら前記薬液処理を行うこ
    とを特徴とする請求項９記載のメッキ方法。
11. 【請求項１１】 前記固定用治具を回転することによっ
    て前記被メッキ物を回転しながら前記第１水洗処理を行
    うことを特徴とする請求項９記載のメッキ方法。
12. 【請求項１２】 前記固定用治具を回転することによっ
    て前記被メッキ物を回転しながら前記第２水洗処理を行
    うことを特徴とする請求項９記載のメッキ方法。
13. 【請求項１３】 前記第２水洗処理の後、前記処理槽が
    備える加熱機構によって前記処理槽の内部で前記被メッ
    キ物に乾燥処理を施すことを特徴とする請求項９記載の
    メッキ方法。
14. 【請求項１４】 前記固定用治具を回転することによっ
    て前記被メッキ物を回転しながら前記乾燥処理を行うこ
    とを特徴とする請求項１３記載のメッキ方法。
15. 【請求項１５】 前記被メッキ物は、半導体ウェハであ
    ることを特徴とする請求項９記載のメッキ方法。