JP2000160399A - めっき装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 めっき装置に洗浄水処理機能及びめっき廃液
再生機能、めっき液及びめっき液を含む液の処理につい
て自己完結的な専用処理機能を持たせためっき装置を提
供する。 【解決手段】 めっき部１はめっき液１−１を収容する
と共に陽極電極１−３と陰極としての被めっき基板１−
４を対向して配置しめっきを行なうためのめっき槽１−
２、被めっき基板１−４をめっき後に洗浄する洗浄装置
１−６を具備し、管理部２はめっき液１−１の成分及び
／又は濃度を調整する調整槽２−１、めっき液２−８及
び添加剤２−７を注入する補充機構、めっき液１−１の
成分分析又は／及び濃度測定をする分析装置２−６、洗
浄液中に含まれる金属イオンを取り除く金属イオン採取
器２−５、めっき液の老かい物の除去及び金属イオン濃
度や水素イオン指数等を調整するめっき液再生装置２−
４を具備する。
再生機能、めっき液及びめっき液を含む液の処理につい
て自己完結的な専用処理機能を持たせためっき装置を提
供する。 【解決手段】 めっき部１はめっき液１−１を収容する
と共に陽極電極１−３と陰極としての被めっき基板１−
４を対向して配置しめっきを行なうためのめっき槽１−
２、被めっき基板１−４をめっき後に洗浄する洗浄装置
１−６を具備し、管理部２はめっき液１−１の成分及び
／又は濃度を調整する調整槽２−１、めっき液２−８及
び添加剤２−７を注入する補充機構、めっき液１−１の
成分分析又は／及び濃度測定をする分析装置２−６、洗
浄液中に含まれる金属イオンを取り除く金属イオン採取
器２−５、めっき液の老かい物の除去及び金属イオン濃
度や水素イオン指数等を調整するめっき液再生装置２−
４を具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はめっき装置に関し、
特に被めっき体を洗浄した洗浄液中に含まれる金属イオ
ンを除去する金属イオン除去機能、洗浄液再生機能、め
っき液中の老かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イ
オン指数等を調整してめっき液を再生するめっき液再生
機能を具備するめっき装置に関するものである。
特に被めっき体を洗浄した洗浄液中に含まれる金属イオ
ンを除去する金属イオン除去機能、洗浄液再生機能、め
っき液中の老かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イ
オン指数等を調整してめっき液を再生するめっき液再生
機能を具備するめっき装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、めっき工程は
配線用又は膜付用として多用されている。図６は従来の
この種のめっき装置の構成を示す図である。めっき装置
は図示するように、めっき部１と管理部２とからなり、
めっき部１にはめっき槽１−２が、管理部２に補充槽２
−２と補充槽２−３が設置されている。
配線用又は膜付用として多用されている。図６は従来の
この種のめっき装置の構成を示す図である。めっき装置
は図示するように、めっき部１と管理部２とからなり、
めっき部１にはめっき槽１−２が、管理部２に補充槽２
−２と補充槽２−３が設置されている。
【０００３】めっき槽１−２にはめっき液１−１が収容
され、該めっき液１−１中には治具に装着された被めっ
き基板１−４と陽極電極（溶解性）１−３とが対向して
配置され、該被めっき基板１−４と陽極電極１−３との
間にはめっき電源１−５が接続されている。また、ポン
プ１−１４及び温度調節器１−１５が設けられ、ポンプ
１−１４によりめっき液１−１が温度調節器１−１５に
送られ、該温度調節器１−１５でめっきを行なうに最適
な液温に調整されてめっき槽１−２に戻されるようにな
っている。
され、該めっき液１−１中には治具に装着された被めっ
き基板１−４と陽極電極（溶解性）１−３とが対向して
配置され、該被めっき基板１−４と陽極電極１−３との
間にはめっき電源１−５が接続されている。また、ポン
プ１−１４及び温度調節器１−１５が設けられ、ポンプ
１−１４によりめっき液１−１が温度調節器１−１５に
送られ、該温度調節器１−１５でめっきを行なうに最適
な液温に調整されてめっき槽１−２に戻されるようにな
っている。
【０００４】補充槽２−３には所定濃度のめっき液（例
えば所定濃度の硫酸銅を主体とした溶液）２−８が収容
されて、めっき液２−８はポンプ２−１１により配管３
を通してめっき槽１−２に供給されるようになってお
り、補充槽２−２には添加剤液２−７が収容され、ポン
プ２−９により配管４を通してめっき槽１−２に供給さ
れるようになっている。運転時には図示しない分析装置
でめっき槽１−２内のめっき液１−１の組成及び濃度を
分析し、該組成及び濃度が所定の値に維持されるよう
に、補充槽２−２や補充槽２−３から添加剤液２−７や
めっき液２−８がめっき槽１−２に供給される。
えば所定濃度の硫酸銅を主体とした溶液）２−８が収容
されて、めっき液２−８はポンプ２−１１により配管３
を通してめっき槽１−２に供給されるようになってお
り、補充槽２−２には添加剤液２−７が収容され、ポン
プ２−９により配管４を通してめっき槽１−２に供給さ
れるようになっている。運転時には図示しない分析装置
でめっき槽１−２内のめっき液１−１の組成及び濃度を
分析し、該組成及び濃度が所定の値に維持されるよう
に、補充槽２−２や補充槽２−３から添加剤液２−７や
めっき液２−８がめっき槽１−２に供給される。
【０００５】被めっき基板１−４と陽極電極１−３の間
にめっき電源１−５からめっき電流を通電すると、溶解
性の陽極電極（例えば、含リン銅電極）１−３から放出
された金属イオン（例えば、Ｃｕ2+）は被めっき基板１
−４の表面に付着し、金属めっき膜が形成される。陽極
電極１−３はめっき液１−１中に金属イオンを放出して
消耗していくから、定期的に該陽極電極１−３を交換す
る必要がある。
にめっき電源１−５からめっき電流を通電すると、溶解
性の陽極電極（例えば、含リン銅電極）１−３から放出
された金属イオン（例えば、Ｃｕ2+）は被めっき基板１
−４の表面に付着し、金属めっき膜が形成される。陽極
電極１−３はめっき液１−１中に金属イオンを放出して
消耗していくから、定期的に該陽極電極１−３を交換す
る必要がある。
【０００６】上記構成のめっき装置において、めっき後
の被めっき基板１−４を洗浄するには多くの洗浄水が排
出される。特に被めっき基板１−４が半導体ウエハ等の
半導体用基板である場合、多くの洗浄水や純水を消費す
る。また、この洗浄水にはめっき液が含まれているため
に金属イオン除去等の処理を必要とするため排水処理設
備に大きな負担がかかる。また、めっき液の劣化による
めっき液の廃液処理を行なう場合にも同様のことがいえ
る。
の被めっき基板１−４を洗浄するには多くの洗浄水が排
出される。特に被めっき基板１−４が半導体ウエハ等の
半導体用基板である場合、多くの洗浄水や純水を消費す
る。また、この洗浄水にはめっき液が含まれているため
に金属イオン除去等の処理を必要とするため排水処理設
備に大きな負担がかかる。また、めっき液の劣化による
めっき液の廃液処理を行なう場合にも同様のことがいえ
る。
【０００７】そこで、めっき装置に洗浄水処理機能及び
めっき廃液再生機能を持たせ、めっき液及びめっき液を
含む液の処理について自己完結的な専用処理機能を持た
せることは、一般設備の負荷軽減を考慮すると効率的な
方法といえる。このとき、めっき液を調整・管理するめ
っき液調整機能、洗浄に使用済みの洗浄水から金属イオ
ンを取り除く金属イオン除去機能、めっき廃液を再調整
・再生するめっき液再生機能をクリーン度が要求される
めっき部１が設置されている部屋とは異なる部屋に設置
し、めっき液の管理やめっき液の処理及び洗浄水の処理
を行なうことはメンテナンス上大きなメリットがある
が、従来このような要望に答えるめっき装置が開発され
ていない。
めっき廃液再生機能を持たせ、めっき液及びめっき液を
含む液の処理について自己完結的な専用処理機能を持た
せることは、一般設備の負荷軽減を考慮すると効率的な
方法といえる。このとき、めっき液を調整・管理するめ
っき液調整機能、洗浄に使用済みの洗浄水から金属イオ
ンを取り除く金属イオン除去機能、めっき廃液を再調整
・再生するめっき液再生機能をクリーン度が要求される
めっき部１が設置されている部屋とは異なる部屋に設置
し、めっき液の管理やめっき液の処理及び洗浄水の処理
を行なうことはメンテナンス上大きなメリットがある
が、従来このような要望に答えるめっき装置が開発され
ていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、めっき装置に洗浄水処理機能及び
めっき廃液再生機能、めっき液及びめっき液を含む液の
処理について自己完結的な専用処理機能を持たせ、且つ
これらの諸機能をクリーン度が要求されるめっき部が設
置されている部屋とは異なる部屋で行なわれるように
し、効率的でメンテナンス上も好適なめっき装置を提供
することを目的とする。
みてなされたもので、めっき装置に洗浄水処理機能及び
めっき廃液再生機能、めっき液及びめっき液を含む液の
処理について自己完結的な専用処理機能を持たせ、且つ
これらの諸機能をクリーン度が要求されるめっき部が設
置されている部屋とは異なる部屋で行なわれるように
し、効率的でメンテナンス上も好適なめっき装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、被めっき体にめっきを行なう
めっき部と、被めっき液及びめっき液を含む液の調整等
を行なう管理部とからなるめっき装置において、めっき
部はめっき液を収容すると共に、陽極電極と陰極として
のめっき体を対向して配置しめっきを行なうめっき槽、
被めっき体をめっき後に洗浄する洗浄装置を具備し、管
理部はめっき液の成分及び／又は濃度を調整する調整
槽、該調整槽にめっき液及び補充剤を注入する補充機
構、該調整槽のめっき液の一部を抽出して該めっき液の
成分分析又は／及び濃度測定をする分析装置、洗浄装置
で被めっき体を洗浄した洗浄液中に含まれる金属イオン
を取り除くか又は金属イオンを取り除いて洗浄液を再生
する装置、調整槽のめっき液を抽出して該めっき液の老
かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イオン指数等を
調整するめっき液再生装置を具備し、めっき部は第１の
部屋に設置し、管理部は第２の部屋に設置したことを特
徴とする。
請求項１に記載の発明は、被めっき体にめっきを行なう
めっき部と、被めっき液及びめっき液を含む液の調整等
を行なう管理部とからなるめっき装置において、めっき
部はめっき液を収容すると共に、陽極電極と陰極として
のめっき体を対向して配置しめっきを行なうめっき槽、
被めっき体をめっき後に洗浄する洗浄装置を具備し、管
理部はめっき液の成分及び／又は濃度を調整する調整
槽、該調整槽にめっき液及び補充剤を注入する補充機
構、該調整槽のめっき液の一部を抽出して該めっき液の
成分分析又は／及び濃度測定をする分析装置、洗浄装置
で被めっき体を洗浄した洗浄液中に含まれる金属イオン
を取り除くか又は金属イオンを取り除いて洗浄液を再生
する装置、調整槽のめっき液を抽出して該めっき液の老
かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イオン指数等を
調整するめっき液再生装置を具備し、めっき部は第１の
部屋に設置し、管理部は第２の部屋に設置したことを特
徴とする。
【００１０】上記のように、管理部にめっき液の成分及
び／又は濃度を調整する調整槽、めっき液及び補充剤を
注入する補充機構、めっき液の成分分析又は／及び濃度
測定をする分析装置、洗浄装置で被めっき体を洗浄した
洗浄液中に含まれる金属イオンを取り除くか又は金属イ
オンを取り除いて洗浄液を再生する装置、調整槽のめっ
き液を抽出して該めっき液の老かい物の除去及び金属イ
オン濃度や水素イオン指数等を調整するめっき液再生装
置を設けるので、洗浄水処理及びめっき廃液再生、めっ
き液及びめっき液を含む液の処理からなる自己完結的な
専用処理機能を有することになる。従って、これらの処
理が効率的に行なわれると同時に、めっき装置の殆どの
メンテナンス作業を管理部が設置されている第２の部屋
で行なうことができ、メンテナンス作業効率が向上する
と共にめっき部が設置されるクリーン度の高い第１の部
屋の汚染を防止できる。
び／又は濃度を調整する調整槽、めっき液及び補充剤を
注入する補充機構、めっき液の成分分析又は／及び濃度
測定をする分析装置、洗浄装置で被めっき体を洗浄した
洗浄液中に含まれる金属イオンを取り除くか又は金属イ
オンを取り除いて洗浄液を再生する装置、調整槽のめっ
き液を抽出して該めっき液の老かい物の除去及び金属イ
オン濃度や水素イオン指数等を調整するめっき液再生装
置を設けるので、洗浄水処理及びめっき廃液再生、めっ
き液及びめっき液を含む液の処理からなる自己完結的な
専用処理機能を有することになる。従って、これらの処
理が効率的に行なわれると同時に、めっき装置の殆どの
メンテナンス作業を管理部が設置されている第２の部屋
で行なうことができ、メンテナンス作業効率が向上する
と共にめっき部が設置されるクリーン度の高い第１の部
屋の汚染を防止できる。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のめっき装置において、第１の部屋はクリーンル
ームであり、第２の部屋は該クリーンルームよりクリー
ン度の低いユーティリティルームであることを特徴とす
る。
に記載のめっき装置において、第１の部屋はクリーンル
ームであり、第２の部屋は該クリーンルームよりクリー
ン度の低いユーティリティルームであることを特徴とす
る。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載のめっき装置において、第１の部屋に設置
されるめっき部が複数であるのに対し、第２の部屋に設
置される管理部は１つであることを特徴とする。
又は２に記載のめっき装置において、第１の部屋に設置
されるめっき部が複数であるのに対し、第２の部屋に設
置される管理部は１つであることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係るめっき装置
の構成例を示す図である。図１において、図６と同一符
号を付した部分は同一又は相当部分を示す。本めっき装
置は図示するように、めっき部１と管理部２とからな
る。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係るめっき装置
の構成例を示す図である。図１において、図６と同一符
号を付した部分は同一又は相当部分を示す。本めっき装
置は図示するように、めっき部１と管理部２とからな
る。
【００１４】めっき部１には、めっき槽１−２と洗浄装
置１−６が設けられている。めっき槽１−２内にはめっ
き液１−１が収容され、該めっき液１−１中に陽極電極
１−３と陰極となる治具に装着された被めっき基板（例
えば、半導体ウエハ）１−４が対向して配置されてい
る。陽極電極１−３と被めっき基板１−４の間にはめっ
き電源１−５が接続され、該めっき電源１−５から陽極
電極１−３と被めっき基板１−４の間にめっき電流を通
電することにより、被めっき基板１−４の表面に金属め
っき膜（例えば、銅めっき膜）を形成する。
置１−６が設けられている。めっき槽１−２内にはめっ
き液１−１が収容され、該めっき液１−１中に陽極電極
１−３と陰極となる治具に装着された被めっき基板（例
えば、半導体ウエハ）１−４が対向して配置されてい
る。陽極電極１−３と被めっき基板１−４の間にはめっ
き電源１−５が接続され、該めっき電源１−５から陽極
電極１−３と被めっき基板１−４の間にめっき電流を通
電することにより、被めっき基板１−４の表面に金属め
っき膜（例えば、銅めっき膜）を形成する。
【００１５】洗浄装置１−６はめっき後の被めっき基板
１−４’を洗浄するための装置で、めっき後の被めっき
基板１−４’に向けて洗浄水（例えば、純水）１−７を
噴射する洗浄ノズル１−８と、該洗浄ノズル１−８から
噴射された使用済みの洗浄水１−７’を受けて収容する
洗浄水槽１−９と、該洗浄水槽１−９の洗浄済みの洗浄
水１−７’を管理部２に送るポンプ１−１０を具備す
る。
１−４’を洗浄するための装置で、めっき後の被めっき
基板１−４’に向けて洗浄水（例えば、純水）１−７を
噴射する洗浄ノズル１−８と、該洗浄ノズル１−８から
噴射された使用済みの洗浄水１−７’を受けて収容する
洗浄水槽１−９と、該洗浄水槽１−９の洗浄済みの洗浄
水１−７’を管理部２に送るポンプ１−１０を具備す
る。
【００１６】管理部２は調整槽２−１、補充槽２−２、
補充槽２−３、めっき液再生装置２−４、金属イオン採
取器２−５及び分析装置２−６を具備する。調整槽２−
１には調整されためっき液１−１が収容され、補充槽２
−２には添加剤液２−７が収容され、補充槽２−３には
所定濃度のめっき液（例えば所定濃度の硫酸銅を主体と
した溶液）２−８が収容されている。添加剤液２−７は
ポンプ２−９により配管２−１０を通して調整槽２−１
に供給されるようになっており、めっき液２−８はポン
プ２−１１により配管２−１２を通して調整槽２−１に
供給されるようになっている。
補充槽２−３、めっき液再生装置２−４、金属イオン採
取器２−５及び分析装置２−６を具備する。調整槽２−
１には調整されためっき液１−１が収容され、補充槽２
−２には添加剤液２−７が収容され、補充槽２−３には
所定濃度のめっき液（例えば所定濃度の硫酸銅を主体と
した溶液）２−８が収容されている。添加剤液２−７は
ポンプ２−９により配管２−１０を通して調整槽２−１
に供給されるようになっており、めっき液２−８はポン
プ２−１１により配管２−１２を通して調整槽２−１に
供給されるようになっている。
【００１７】調整槽２−１とめっき槽１−２とは配管３
及び配管４で接続されており、調整槽２−１のめっき液
１−１はポンプ２−１３によりフィルタ２−１４及び配
管３を通してめっき槽１−２に送られ、めっき槽１−２
のめっき液１−１はポンプ１−１１により配管４を通っ
て調整槽２−１に送られるようになっている。つまり配
管３、ポンプ２−１３、フィルタ２−１４、配管４及び
ポンプ１−１１は、調整槽２−１とめっき槽１−２の間
をめっき液１−１を循環させるめっき液循環機構を構成
している。
及び配管４で接続されており、調整槽２−１のめっき液
１−１はポンプ２−１３によりフィルタ２−１４及び配
管３を通してめっき槽１−２に送られ、めっき槽１−２
のめっき液１−１はポンプ１−１１により配管４を通っ
て調整槽２−１に送られるようになっている。つまり配
管３、ポンプ２−１３、フィルタ２−１４、配管４及び
ポンプ１−１１は、調整槽２−１とめっき槽１−２の間
をめっき液１−１を循環させるめっき液循環機構を構成
している。
【００１８】調整槽２−１のめっき液１−１はポンプに
２−１５によりめっき液再生装置２−４に送られ、該液
再生装置２−４でめっき液１−１中の老かい物の除去及
び金属イオン濃度や水素イオン指数等が調整される。該
老かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イオン指数等
が調整されためっき液１−１はポンプ２−１６によりフ
ィルタ２−１７を通って調整槽２−１に送られる。つま
り、ポンプ２−１５、ポンプ２−１６及びフィルタ２−
１７は調整槽２−１とめっき液再生装置２−４の間をめ
っき液１−１を循環させる循環機構を構成している。
２−１５によりめっき液再生装置２−４に送られ、該液
再生装置２−４でめっき液１−１中の老かい物の除去及
び金属イオン濃度や水素イオン指数等が調整される。該
老かい物の除去及び金属イオン濃度や水素イオン指数等
が調整されためっき液１−１はポンプ２−１６によりフ
ィルタ２−１７を通って調整槽２−１に送られる。つま
り、ポンプ２−１５、ポンプ２−１６及びフィルタ２−
１７は調整槽２−１とめっき液再生装置２−４の間をめ
っき液１−１を循環させる循環機構を構成している。
【００１９】めっき部１の洗浄水槽１−９の洗浄に使用
済みの洗浄水１−７’はポンプ１−１０により配管１−
１２を通して管理部２の金属イオン採取器２−５に送ら
れ、該金属イオン採取器２−５で洗浄水１−７’から金
属イオン（例えば、Ｃｕ2+）を採取（除去）して、該金
属イオンを除去した使用済みの洗浄水１−７’を一般排
水２−１８として排出する。また、２−１９は温度調節
器であり、調整槽２−１のめっき液１−１はポンプ２−
２０により該温度調節器２−１９を通って液温が調整さ
れ、所定の液温に維持されるようになっている。
済みの洗浄水１−７’はポンプ１−１０により配管１−
１２を通して管理部２の金属イオン採取器２−５に送ら
れ、該金属イオン採取器２−５で洗浄水１−７’から金
属イオン（例えば、Ｃｕ2+）を採取（除去）して、該金
属イオンを除去した使用済みの洗浄水１−７’を一般排
水２−１８として排出する。また、２−１９は温度調節
器であり、調整槽２−１のめっき液１−１はポンプ２−
２０により該温度調節器２−１９を通って液温が調整さ
れ、所定の液温に維持されるようになっている。
【００２０】また、ポンプ２−１３で調整槽２−１から
送り出されためっき液１−１の一部は分析装置２−６に
送られ、めっき液の成分及び／又は濃度が分析される。
その分析結果に基づいて、ポンプ２−９やポンプ２−１
１を起動し、補充槽２−２内の添加剤液２−７や補充槽
２−３内のめっき液２−８を調整槽２−１に補充し、調
整槽２−１内のめっき液１−１の成分及び／又は濃度を
調整するようになっている。
送り出されためっき液１−１の一部は分析装置２−６に
送られ、めっき液の成分及び／又は濃度が分析される。
その分析結果に基づいて、ポンプ２−９やポンプ２−１
１を起動し、補充槽２−２内の添加剤液２−７や補充槽
２−３内のめっき液２−８を調整槽２−１に補充し、調
整槽２−１内のめっき液１−１の成分及び／又は濃度を
調整するようになっている。
【００２１】上記構成のめっき装置において、めっき電
源１−５から所定値の電圧を印加することにより、溶解
性の陽極電極（例えば、含リン銅電極）１−３から放出
された金属イオン（例えば、Ｃｕ2+）は被めっき基板１
−４の表面に付着し、金属めっき膜が形成される。めっ
き運転の継続と被めっき基板１−４の処理枚数に伴い、
めっき液１−１の組成、濃度及びめっき液量が変化す
る。その変化の状態に応じて、調整槽２−１に補充槽２
−２の添加剤液２−７や補充槽２−３のめっき液２−８
を補充し、めっき液１−１の組成成分及び濃度を所定の
値に維持する。なお、補充槽２−２の添加剤液２−７と
しては、有機添加剤液（ポリマー、レベラー、キャリア
及びＨＣｌの混合溶液）が用いられる。
源１−５から所定値の電圧を印加することにより、溶解
性の陽極電極（例えば、含リン銅電極）１−３から放出
された金属イオン（例えば、Ｃｕ2+）は被めっき基板１
−４の表面に付着し、金属めっき膜が形成される。めっ
き運転の継続と被めっき基板１−４の処理枚数に伴い、
めっき液１−１の組成、濃度及びめっき液量が変化す
る。その変化の状態に応じて、調整槽２−１に補充槽２
−２の添加剤液２−７や補充槽２−３のめっき液２−８
を補充し、めっき液１−１の組成成分及び濃度を所定の
値に維持する。なお、補充槽２−２の添加剤液２−７と
しては、有機添加剤液（ポリマー、レベラー、キャリア
及びＨＣｌの混合溶液）が用いられる。
【００２２】上記構成のめっき装置のめっき部１をクリ
ーンルーム等のクリーン度の高い第１の部屋に設置し、
管理部２をユーティリティルーム等のクリーン度の低い
第２の部屋に設置する。これにより、めっき部１の洗浄
装置１−６の洗浄水槽１−９中の洗浄に使用済みの洗浄
水１−７’はポンプ１−１０により管理部２の金属イオ
ン採取器２−５に送られ、金属イオンが除去され、一般
排水２−１８となって排出される。
ーンルーム等のクリーン度の高い第１の部屋に設置し、
管理部２をユーティリティルーム等のクリーン度の低い
第２の部屋に設置する。これにより、めっき部１の洗浄
装置１−６の洗浄水槽１−９中の洗浄に使用済みの洗浄
水１−７’はポンプ１−１０により管理部２の金属イオ
ン採取器２−５に送られ、金属イオンが除去され、一般
排水２−１８となって排出される。
【００２３】図２は本発明に係るめっき装置の他の構成
例を示す図である。図２において、図１と同一符号を付
した部分は同一又は相当部分を示す。本めっき装置が図
１に示すめっき装置と異なる点は、管理部２に金属イオ
ン採取器２−５に替えて洗浄水再生装置２−２１を設
け、めっき部１のポンプ１−１０により配管１−１２を
通して洗浄水槽１−９中の洗浄に使用済みの洗浄水１−
７’を該洗浄水再生装置２−２１に送り、該洗浄水再生
装置２−２１で洗浄水１−７’中の金属イオン及び異物
を除去して洗浄水を再生している点である。そして再生
した洗浄水を配管１−１３を通して、めっき部１の洗浄
ノズル１−８に供給し、洗浄水１−７として利用する。
また、洗浄水再生装置２−２１には必要に応じて純水２
−２２が補給される。
例を示す図である。図２において、図１と同一符号を付
した部分は同一又は相当部分を示す。本めっき装置が図
１に示すめっき装置と異なる点は、管理部２に金属イオ
ン採取器２−５に替えて洗浄水再生装置２−２１を設
け、めっき部１のポンプ１−１０により配管１−１２を
通して洗浄水槽１−９中の洗浄に使用済みの洗浄水１−
７’を該洗浄水再生装置２−２１に送り、該洗浄水再生
装置２−２１で洗浄水１−７’中の金属イオン及び異物
を除去して洗浄水を再生している点である。そして再生
した洗浄水を配管１−１３を通して、めっき部１の洗浄
ノズル１−８に供給し、洗浄水１−７として利用する。
また、洗浄水再生装置２−２１には必要に応じて純水２
−２２が補給される。
【００２４】図３は金属イオン採取器２−５の構成例を
示す図である。金属イオン採取器２−５はｐＨ調整槽１
２及びキレート樹脂塔１４を具備し、図１のめっき部１
の洗浄水槽１−９の洗浄に使用済みの洗浄水１−７’は
ポンプ１−１０により配管１−１２を通ってｐＨ調整槽
１２に送られ収容される。ここでｐＨ調整槽１２に中和
剤が注入され、洗浄水１−７’のｐＨ値が調整される。
ｐＨ値が調整された洗浄水１−７’はポンプ１３により
キレート樹脂塔１４に送られる。
示す図である。金属イオン採取器２−５はｐＨ調整槽１
２及びキレート樹脂塔１４を具備し、図１のめっき部１
の洗浄水槽１−９の洗浄に使用済みの洗浄水１−７’は
ポンプ１−１０により配管１−１２を通ってｐＨ調整槽
１２に送られ収容される。ここでｐＨ調整槽１２に中和
剤が注入され、洗浄水１−７’のｐＨ値が調整される。
ｐＨ値が調整された洗浄水１−７’はポンプ１３により
キレート樹脂塔１４に送られる。
【００２５】洗浄水１−７’がキレート樹脂塔１４を通
ると、洗浄水１−７’中に例えば金属イオンとしてＣｕ
2+イオンが含まれていると、化学反応（Ｒ＝Ｃａ＋Ｃｕ
2+→Ｒ＝Ｃｕ＋Ｃａ2+ 但し、Ｒは官能基を示す）によ
り、Ｃａ2+より選択性の強いＣｕ2+イオンは該キレート
樹脂塔１４のＣａ型キレート樹脂のＣａ2+と置き換わ
り、Ｃｕ2+イオンが官能基の末端に吸着し、洗浄水中の
Ｃｕ2+イオンが除去される。このようにキレート樹脂塔
１４で金属イオンの除去された洗浄水１−７’は一般排
水２−１８となって排出される。
ると、洗浄水１−７’中に例えば金属イオンとしてＣｕ
2+イオンが含まれていると、化学反応（Ｒ＝Ｃａ＋Ｃｕ
2+→Ｒ＝Ｃｕ＋Ｃａ2+ 但し、Ｒは官能基を示す）によ
り、Ｃａ2+より選択性の強いＣｕ2+イオンは該キレート
樹脂塔１４のＣａ型キレート樹脂のＣａ2+と置き換わ
り、Ｃｕ2+イオンが官能基の末端に吸着し、洗浄水中の
Ｃｕ2+イオンが除去される。このようにキレート樹脂塔
１４で金属イオンの除去された洗浄水１−７’は一般排
水２−１８となって排出される。
【００２６】図４は洗浄水再生装置２−２１の構成例を
示す図である。本洗浄水再生装置２−２１は洗浄排水貯
蔵槽２１、界面活性剤塔２２、紫外線殺菌塔２３、アニ
オン交換樹脂塔２４、カチオン交換樹脂塔２５を具備す
る。図２のめっき部１の洗浄水槽１−９の洗浄に使用済
みの洗浄水１−７’はポンプ１−１０により、配管１−
１２を通して洗浄排水貯蔵槽２１に貯留される。
示す図である。本洗浄水再生装置２−２１は洗浄排水貯
蔵槽２１、界面活性剤塔２２、紫外線殺菌塔２３、アニ
オン交換樹脂塔２４、カチオン交換樹脂塔２５を具備す
る。図２のめっき部１の洗浄水槽１−９の洗浄に使用済
みの洗浄水１−７’はポンプ１−１０により、配管１−
１２を通して洗浄排水貯蔵槽２１に貯留される。
【００２７】洗浄排水貯蔵槽２１の洗浄水１−７’はポ
ンプ２６はフィルタ２７を通し異物を除去した後、界面
活性剤塔２２を通ることにより有機添加の分解物や老か
い物を吸着除去してから、紫外線殺菌塔２３を通して雑
菌の繁殖を抑え、更にアニオン交換樹脂塔２４とカチオ
ン交換樹脂塔２５を通ることにより、それぞれ洗浄水１
−７’陰イオンと陽イオンとを水酸イオンＯＨ−と水素
イオンＨ＋とに置き換え、樹水に再生する。この後フィ
ルタ２８を通って異物が除去され、再生された純水とな
って三方弁２９から配管１−１３を通って、めっき部１
の洗浄ノズル１−８に供給される。なお、洗浄排水貯蔵
槽２１には必要に応じて、純水３０が開閉弁３１を介し
て補給される。
ンプ２６はフィルタ２７を通し異物を除去した後、界面
活性剤塔２２を通ることにより有機添加の分解物や老か
い物を吸着除去してから、紫外線殺菌塔２３を通して雑
菌の繁殖を抑え、更にアニオン交換樹脂塔２４とカチオ
ン交換樹脂塔２５を通ることにより、それぞれ洗浄水１
−７’陰イオンと陽イオンとを水酸イオンＯＨ−と水素
イオンＨ＋とに置き換え、樹水に再生する。この後フィ
ルタ２８を通って異物が除去され、再生された純水とな
って三方弁２９から配管１−１３を通って、めっき部１
の洗浄ノズル１−８に供給される。なお、洗浄排水貯蔵
槽２１には必要に応じて、純水３０が開閉弁３１を介し
て補給される。
【００２８】図５はめっき液再生装置２−４の構成例を
示す図である。めっき液再生装置２−４は界面活性剤塔
４１、界面活性剤塔４２、めっき液再生槽４３、添加剤
液槽４４、添加剤液槽４５、硫酸銅溶液槽４６、硫酸槽
４７及び塩酸槽４８を具備する。図１又は図２の調整槽
２−１からの老かい物等を含んだめっき液１−１がフィ
ルタ４９を通過することによって固形パーティクルが除
去される。更に特性の異なる界面活性剤塔４１及び４２
に通すことによって有機添加剤の分解物等の老かい物が
除去される。ここで特性の異なる２つの界面活性剤塔４
１及び４２を設ける理由は、有機添加物の分解物や老か
い物は分子量の大きいものから小さいものまであり、こ
れを効率良く吸着するためには、複数の種類の界面活性
剤塔を必要とするからである。
示す図である。めっき液再生装置２−４は界面活性剤塔
４１、界面活性剤塔４２、めっき液再生槽４３、添加剤
液槽４４、添加剤液槽４５、硫酸銅溶液槽４６、硫酸槽
４７及び塩酸槽４８を具備する。図１又は図２の調整槽
２−１からの老かい物等を含んだめっき液１−１がフィ
ルタ４９を通過することによって固形パーティクルが除
去される。更に特性の異なる界面活性剤塔４１及び４２
に通すことによって有機添加剤の分解物等の老かい物が
除去される。ここで特性の異なる２つの界面活性剤塔４
１及び４２を設ける理由は、有機添加物の分解物や老か
い物は分子量の大きいものから小さいものまであり、こ
れを効率良く吸着するためには、複数の種類の界面活性
剤塔を必要とするからである。
【００２９】次に、異なる界面活性剤塔４２を通っため
っき液１−１はめっき液再生槽４３に貯留される。めっ
き液再生槽４３には添加剤液槽４４からポンプ５５によ
り第１の添加剤５０が、添加剤液槽４５からポンプ５６
により第２の添加剤５１が、硫酸銅溶液槽４６からポン
プ５７により硫酸銅溶液５２が、硫酸槽４７からポンプ
５８により硫酸溶液５３が、塩酸槽４８からポンプ５９
により塩酸溶液５４がそれぞれ供給されるようになって
いる。
っき液１−１はめっき液再生槽４３に貯留される。めっ
き液再生槽４３には添加剤液槽４４からポンプ５５によ
り第１の添加剤５０が、添加剤液槽４５からポンプ５６
により第２の添加剤５１が、硫酸銅溶液槽４６からポン
プ５７により硫酸銅溶液５２が、硫酸槽４７からポンプ
５８により硫酸溶液５３が、塩酸槽４８からポンプ５９
により塩酸溶液５４がそれぞれ供給されるようになって
いる。
【００３０】ここでめっき液を適正な成分組成にするた
めに濃度の高い硫酸銅溶液５２を追加し、銅イオン濃度
を適正値にする。そして硫酸溶液５３や塩酸溶液５４を
加え、水素イオン指数（ｐＨ値）と塩素イオン濃度を調
整する。そして、有機添加剤である第１の添加剤５０、
有機添加剤である第２の添加剤５１を加えてめっき液１
−１を調整する。調整されためっき液１−１はポンプ２
−１６によりフィルタ２−１７を通して調整槽２−１に
送られる。なお、めっき再生槽４３には開閉弁６０を介
して純水６１が必要に応じて補給されるようになってい
る。
めに濃度の高い硫酸銅溶液５２を追加し、銅イオン濃度
を適正値にする。そして硫酸溶液５３や塩酸溶液５４を
加え、水素イオン指数（ｐＨ値）と塩素イオン濃度を調
整する。そして、有機添加剤である第１の添加剤５０、
有機添加剤である第２の添加剤５１を加えてめっき液１
−１を調整する。調整されためっき液１−１はポンプ２
−１６によりフィルタ２−１７を通して調整槽２−１に
送られる。なお、めっき再生槽４３には開閉弁６０を介
して純水６１が必要に応じて補給されるようになってい
る。
【００３１】また、上記例では図１及び図２に示す構成
のめっき装置において、めっき部１を設置する第１の部
屋をクリーンルームとする例を示したが、クリーンルー
ムに限定されるものではなく、クリーンブース、クリー
ンベンチ、クリーンボックス等のクリーン度の高い部屋
又は領域であればよい。
のめっき装置において、めっき部１を設置する第１の部
屋をクリーンルームとする例を示したが、クリーンルー
ムに限定されるものではなく、クリーンブース、クリー
ンベンチ、クリーンボックス等のクリーン度の高い部屋
又は領域であればよい。
【００３２】また、上記図１及び図２に示すめっき装置
の構成例では、めっき電源１−５を該めっき部１に設け
第１の部屋に設置するように図示しているが、このめっ
き電源１−５を管理部２が設置されている第２の部屋に
設け、ここから給電するように構成してもよい。こうす
ることにより、めっき電源１−５のメンテナンス作業も
管理部２が設置される第２の部屋で行なうことができ
る。特にめっき電源１−５に蓄電池を用いる場合は、ダ
ーティな蓄電池のメンテナンス作業をクリーン度の低い
第２の部屋で行なうことになり、好ましい。
の構成例では、めっき電源１−５を該めっき部１に設け
第１の部屋に設置するように図示しているが、このめっ
き電源１−５を管理部２が設置されている第２の部屋に
設け、ここから給電するように構成してもよい。こうす
ることにより、めっき電源１−５のメンテナンス作業も
管理部２が設置される第２の部屋で行なうことができ
る。特にめっき電源１−５に蓄電池を用いる場合は、ダ
ーティな蓄電池のメンテナンス作業をクリーン度の低い
第２の部屋で行なうことになり、好ましい。
【００３３】また、上記図１及び図２に示すめっき装置
の構成例では、１個のめっき部１に対して１個の管理部
を設けるように構成しているが、複数個のめっき部１に
対して、１個の管理部２を設け、複数個のめっき部１を
第１の部屋に設置し、１個の管理部２を第２の部屋に設
け、１個の管理部で複数個のめっき部を管理できるよう
に構成してもよい。
の構成例では、１個のめっき部１に対して１個の管理部
を設けるように構成しているが、複数個のめっき部１に
対して、１個の管理部２を設け、複数個のめっき部１を
第１の部屋に設置し、１個の管理部２を第２の部屋に設
け、１個の管理部で複数個のめっき部を管理できるよう
に構成してもよい。
【００３４】また、上記図１乃至図２に示すめっき装置
の構成例では、省略したが、めっき液や電解液等の液の
流量を測定するフローメータ、圧力を測定する圧力計、
温度計等、メンテナンスを必要とする機器は管理部２の
設置されるクリーン度の低い第２の部屋へ設置する。こ
れにより、めっき部１が設置されたクリーン度の高い第
１の部屋をこれらのメンテナンスで汚染させる心配がな
くなる。
の構成例では、省略したが、めっき液や電解液等の液の
流量を測定するフローメータ、圧力を測定する圧力計、
温度計等、メンテナンスを必要とする機器は管理部２の
設置されるクリーン度の低い第２の部屋へ設置する。こ
れにより、めっき部１が設置されたクリーン度の高い第
１の部屋をこれらのメンテナンスで汚染させる心配がな
くなる。
【００３５】なお、上記実施形態例では被めっき体とし
て、半導体ウエハ等の半導体用の被めっき基板１−４に
金属めっき膜を形成する場合を例に説明したが、被めっ
き体はこれに限定されるものではない。
て、半導体ウエハ等の半導体用の被めっき基板１−４に
金属めっき膜を形成する場合を例に説明したが、被めっ
き体はこれに限定されるものではない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、各請求項に記載の
発明によれば、管理部にめっき液の成分及び／又は濃度
を調整する調整槽、めっき液及び補充剤を注入する補充
機構、めっき液の成分分析又は／及び濃度測定をする分
析装置、洗浄装置で被めっき体を洗浄した洗浄液中に含
まれる金属イオンを取り除くか又は金属イオンを取り除
いて洗浄液を再生する装置、調整整槽のめっき液を抽出
して該めっき液の老かい物の除去及び金属イオン指数等
を調整するめっき液再生装置を設け、めっき部を第１の
部屋に設置し、管理部を第２の部屋に設置したので、下
記のような優れた効果が得られる。
発明によれば、管理部にめっき液の成分及び／又は濃度
を調整する調整槽、めっき液及び補充剤を注入する補充
機構、めっき液の成分分析又は／及び濃度測定をする分
析装置、洗浄装置で被めっき体を洗浄した洗浄液中に含
まれる金属イオンを取り除くか又は金属イオンを取り除
いて洗浄液を再生する装置、調整整槽のめっき液を抽出
して該めっき液の老かい物の除去及び金属イオン指数等
を調整するめっき液再生装置を設け、めっき部を第１の
部屋に設置し、管理部を第２の部屋に設置したので、下
記のような優れた効果が得られる。
【００３７】浄水処理及びめっき廃液再生、めっき液
及びめっき液を含む液の処理からなる自己完結的な専用
処理機能を有することにり、これらの処理が効率的に行
なわれる
及びめっき液を含む液の処理からなる自己完結的な専用
処理機能を有することにり、これらの処理が効率的に行
なわれる
【００３８】めっき装置の殆どのメンテナンス作業を
管理部が設置されている第２の部屋で行なうことがで
き、メンテナンス作業効率が向上すると共にめっき部が
設置されるクリーン度の高い第１の部屋の汚染を防止で
きる。
管理部が設置されている第２の部屋で行なうことがで
き、メンテナンス作業効率が向上すると共にめっき部が
設置されるクリーン度の高い第１の部屋の汚染を防止で
きる。
【図１】本発明に係るめっき装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に係るめっき装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図３】金属イオン採取器の構成例を示す図である。
【図４】洗浄水再生装置の構成例を示す図である。
【図５】めっき液再生装置の構成例を示す図である。
【図６】従来のめっき装置の構成例を示す図である。
１ めっき部 １−１ めっき液 １−２ めっき槽 １−３ 陽極電極 １−４ 被めっき基板 １−５ めっき電源 １−６ 洗浄装置 １−７ 洗浄水 １−８ 洗浄ノズル １−９ 洗浄水槽 １−１０ ポンプ １−１１ ポンプ ２ 管理部 ２−１ 調整槽 ２−２ 補充槽 ２−３ 補充槽 ２−４ めっき液再生装置 ２−５ 金属イオン採取器 ２−６ 分析装置 ２−７ 添加剤液 ２−８ めっき液 ２−９ ポンプ ２−１１ ポンプ ２−１３ ポンプ ２−１４ フィルタ ２−１５ ポンプ ２−１６ ポンプ ２−１７ フィルタ ２−１８ 一般排水 ２−１９ 温度調節器 ２−２０ ポンプ ２−２１ 洗浄水再生装置 ２−２２ 純水 １１ １２ ｐＨ調整槽 １３ ポンプ １４ キレート樹脂塔 ２１ 洗浄排水貯蔵槽 ２２ 界面活性剤塔 ２３ 紫外線殺菌塔 ２４ アニオン交換樹脂塔 ２５ カチオン交換樹脂塔 ２６ ポンプ ２７ フィルタ ２８ フィルタ ２９ 三方弁 ３０ 純水 ３１ 開閉弁 ４１ 界面活性剤塔 ４２ 界面活性剤塔 ４３ めっき液再生槽 ４４ 添加剤液槽 ４５ 添加剤液槽 ４６ 硫酸銅溶液槽 ４７ 硫酸槽 ４８ 塩酸槽 ４９ フィルタ ５０ 第１の添加剤 ５１ 第２の添加剤 ５２ 硫酸銅溶液 ５３ 硫酸溶液 ５４ 塩酸溶液 ５５ ポンプ ５６ ポンプ ５７ ポンプ ５８ ポンプ ５９ ポンプ ６０ 開閉弁 ６１ 純水
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 純逸 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 BB12 CA01 CA03 CB01 CB11 CB19 CB24 CB26 GA16 4M104 BB04 DD52
Claims (3)
- 【請求項１】 被めっき体にめっき行なう部と、めっき
液及びめっき液を含む液の調整等を行なう管理部とから
なるめっき装置において、 前記めっき部はめっき液を収容すると共に、陽極電極と
陰極としての前記被めっき体を対向して配置しめっきを
行なうめっき槽、前記被めっき体をめっき後に洗浄する
洗浄装置を具備し、 前記管理部はめっき液の成分及び／又は濃度を調整する
調整槽、該調整槽にめっき液及び補充剤を注入する補充
機構、該調整槽のめっき液の一部を抽出して該めっき液
の成分分析又は／及び濃度測定をする分析装置、前記洗
浄装置で前記被めっき体を洗浄した洗浄液中に含まれる
金属イオンを取り除くか又は金属イオンを取り除いた洗
浄液を再生する装置、前記調整槽のめっき液を抽出して
該めっき液の老かい物の除去及び金属イオン濃度や水素
イオン指数等を調整するめっき液再生装置を具備し、 前記めっき部は第１の部屋に設置し、前記管理部は第２
の部屋に設置したことを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のめっき装置において、 前記第１の部屋はクリーンルームであり、前記第２の部
屋は該クリーンルームよりクリーン度の低いユーティリ
ティルームであることを特徴とするめっき装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のめっキ装置にお
いて、 前記第１の部屋に設置されるめっき部が複数であるのに
対し、前記第２の部屋に設置される管理部は１つである
ことを特徴とするめっき装置。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP34261198A JP3967479B2 (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | めっき装置 |
| PCT/JP1999/006600 WO2000032850A1 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | Plating machine |
| TW088120666A TW473811B (en) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | Plating apparatus |
| KR1020047018838A KR100660485B1 (ko) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | 도금장치 |
| US09/601,084 US6379520B1 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | Plating apparatus |
| EP99973080A EP1052311A4 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | electroplating |
| KR1020007008160A KR100665384B1 (ko) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | 도금장치 |
| US10/187,801 USRE39123E1 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-26 | Plating apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34261198A JP3967479B2 (ja) | 1998-12-02 | 1998-12-02 | めっき装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3967479B2 JP3967479B2 (ja) | 2007-08-29 |
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ID=18355121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34261198A Expired - Lifetime JP3967479B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-12-02 | めっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3967479B2 (ja) |
Cited By (10)
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-
1998
- 1998-12-02 JP JP34261198A patent/JP3967479B2/ja not_active Expired - Lifetime
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