JPH1036999A - メッキ液中の不純物除去方法と装置 - Google Patents
メッキ液中の不純物除去方法と装置Info
- Publication number
- JPH1036999A JPH1036999A JP21186696A JP21186696A JPH1036999A JP H1036999 A JPH1036999 A JP H1036999A JP 21186696 A JP21186696 A JP 21186696A JP 21186696 A JP21186696 A JP 21186696A JP H1036999 A JPH1036999 A JP H1036999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating liquid
- plating solution
- plating
- activated carbon
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Filtration Of Liquid (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メッキ装置からのメッキ液の移送に伴うコス
トと作業上の危険を除去するメッキ液の浄化方法及び装
置を提供すること。 【解決手段】 活性炭をメッキ液中に飛散させず且つメ
ッキ液を透過する活性炭収納容器を用いて、メッキ液中
の不純物の除去を行う方法であり、例えば、活性炭をメ
ッキ液中に飛散させず且つメッキ液を透過する活性炭収
納容器をメッキ液中に浸漬、撹拌すること、または、メ
ッキ槽１から排出させたメッキ液を活性炭を含むフィル
ター槽３に導き、メッキ液中の不純物を除去した後にメ
ッキ槽１内に再循環させるメッキ液中の不純物除去方法
である。例えば、半導体ライン内で不純物除去作業が可
能となり、汚染されたメッキ液を回収し、メッキ液製造
メーカのプラントに移送する手間とそれに要するコスト
を削減した。また、メッキ液を常時濾過可能としたこと
で、メッキ液の有機物による劣化を抑制させ、メッキ液
の液寿命を延ばすことができた。
トと作業上の危険を除去するメッキ液の浄化方法及び装
置を提供すること。 【解決手段】 活性炭をメッキ液中に飛散させず且つメ
ッキ液を透過する活性炭収納容器を用いて、メッキ液中
の不純物の除去を行う方法であり、例えば、活性炭をメ
ッキ液中に飛散させず且つメッキ液を透過する活性炭収
納容器をメッキ液中に浸漬、撹拌すること、または、メ
ッキ槽１から排出させたメッキ液を活性炭を含むフィル
ター槽３に導き、メッキ液中の不純物を除去した後にメ
ッキ槽１内に再循環させるメッキ液中の不純物除去方法
である。例えば、半導体ライン内で不純物除去作業が可
能となり、汚染されたメッキ液を回収し、メッキ液製造
メーカのプラントに移送する手間とそれに要するコスト
を削減した。また、メッキ液を常時濾過可能としたこと
で、メッキ液の有機物による劣化を抑制させ、メッキ液
の液寿命を延ばすことができた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ液不純物除
去システムに関し、特に連続的にメッキ液を循環しなが
ら、浄化処理するシステムに関する。
去システムに関し、特に連続的にメッキ液を循環しなが
ら、浄化処理するシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】メッキ液中に有機物が混入するとメッキ
表面の異常が発生する。その有機物を除去する方法に以
下の方法がある。 （１）金属成分のみを取り出し、それを用いて新たにメ
ッキ液を調合する。 （２）メッキ液槽に活性炭粒を投入し、撹拌して液中の
不純物を吸着させた後、その活性炭を濾過し除去する。
表面の異常が発生する。その有機物を除去する方法に以
下の方法がある。 （１）金属成分のみを取り出し、それを用いて新たにメ
ッキ液を調合する。 （２）メッキ液槽に活性炭粒を投入し、撹拌して液中の
不純物を吸着させた後、その活性炭を濾過し除去する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記（１）、（２）の
メッキ液中の有機物除去方法はともにメッキ液製造メー
カーのプラントで実行されるため、メッキ処理用のライ
ンの装置から不純物を含んだメッキ液を回収し、前記メ
ーカーに移送する手間とコストが必要であり、更に回収
作業者が健康を害する懸念もあった。仮りに（２）の方
法を半導体製造ライン内で行った場合、活性炭粒がライ
ン中に飛散し、半導体ウエハの歩留りに重大な影響を及
ぼすので、（２）の方法を半導体製造ライン内のメッキ
装置に対して行うことはできない。
メッキ液中の有機物除去方法はともにメッキ液製造メー
カーのプラントで実行されるため、メッキ処理用のライ
ンの装置から不純物を含んだメッキ液を回収し、前記メ
ーカーに移送する手間とコストが必要であり、更に回収
作業者が健康を害する懸念もあった。仮りに（２）の方
法を半導体製造ライン内で行った場合、活性炭粒がライ
ン中に飛散し、半導体ウエハの歩留りに重大な影響を及
ぼすので、（２）の方法を半導体製造ライン内のメッキ
装置に対して行うことはできない。
【０００４】そこで、本発明の課題はメッキ装置からの
メッキ液の移送に伴うコストと作業上の危険を除去する
メッキ液の浄化方法及び装置を提供することである。
メッキ液の移送に伴うコストと作業上の危険を除去する
メッキ液の浄化方法及び装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は次の
構成により解決される。すなわち、活性炭をメッキ液中
に飛散させず且つメッキ液を透過する活性炭収納容器を
用いて、メッキ液中の不純物の除去を行うメッキ液中の
不純物除去方法、または、
構成により解決される。すなわち、活性炭をメッキ液中
に飛散させず且つメッキ液を透過する活性炭収納容器を
用いて、メッキ液中の不純物の除去を行うメッキ液中の
不純物除去方法、または、
【０００６】活性炭をメッキ液中に飛散させず且つメッ
キ液を透過する活性炭収納容器をメッキ液中に浸漬、撹
拌することでメッキ液中の不純物の除去を行うメッキ液
中の不純物除去方法、または、
キ液を透過する活性炭収納容器をメッキ液中に浸漬、撹
拌することでメッキ液中の不純物の除去を行うメッキ液
中の不純物除去方法、または、
【０００７】メッキ槽から排出させたメッキ液を活性炭
を含むフィルター槽に導き、メッキ液中の不純物を除去
した後にメッキ槽内に再循環させるメッキ液中の不純物
除去方法、または、
を含むフィルター槽に導き、メッキ液中の不純物を除去
した後にメッキ槽内に再循環させるメッキ液中の不純物
除去方法、または、
【０００８】メッキ槽から排出させたメッキ液を活性炭
を含むフィルター槽に導く配管と該活性炭を含むフィル
ター槽から排出したメッキ液をメッキ槽に循環する配管
を設けたメッキ液中の不純物除去装置である。
を含むフィルター槽に導く配管と該活性炭を含むフィル
ター槽から排出したメッキ液をメッキ槽に循環する配管
を設けたメッキ液中の不純物除去装置である。
【０００９】本発明はメッキ液中の不純物、主に有機物
を活性炭フィルタを用いて除去し、新液に近い状態にし
てメッキ液をメッキ槽に戻すメッキ液の循環系を設けた
ものであり、メッキ装置内での不純物除去を可能とし、
メッキ液の移送に伴うコストと作業上の危険を除去する
ことができた。
を活性炭フィルタを用いて除去し、新液に近い状態にし
てメッキ液をメッキ槽に戻すメッキ液の循環系を設けた
ものであり、メッキ装置内での不純物除去を可能とし、
メッキ液の移送に伴うコストと作業上の危険を除去する
ことができた。
【００１０】また、本発明は活性炭をメッキ液中に飛散
させず且つメッキ液を透過する活性炭収納容器をメッキ
液の循環系に設けて、これを不純物除去手段とすること
で、半導体ライン内で不純物除去作業が可能となり、汚
染されたメッキ液を回収し、メッキ液製造メーカのプラ
ントに移送する手間とそれに要するコストを削減した。
させず且つメッキ液を透過する活性炭収納容器をメッキ
液の循環系に設けて、これを不純物除去手段とすること
で、半導体ライン内で不純物除去作業が可能となり、汚
染されたメッキ液を回収し、メッキ液製造メーカのプラ
ントに移送する手間とそれに要するコストを削減した。
【００１１】また、メッキ液を常時濾過可能としたこと
で、メッキ液の有機物による劣化を抑制させ、液寿命を
延ばすことができた。
で、メッキ液の有機物による劣化を抑制させ、液寿命を
延ばすことができた。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を次に説明す
る。図１に本発明の一実施例のメッキ槽内のメッキ液の
浄化系の構成図を示す。メッキ液を満たしたメッキ槽１
でメッキ作業をした後、メッキ液中の有機物など不純物
含有濃度が所定濃度以上になると、浄化処理を行うため
にメッキ槽１内のメッキ液をポンプ２により抜き出し、
活性炭を収納容器に充填した活性炭フィルター槽３およ
びフッ素樹脂（ＰＴＦＥなど）をフィルター成分として
収納容器に充填したファイナルフィルター槽４に順次送
り、ファイナルフィルター槽４を出たメッキ液はメッキ
液槽１に戻して再使用する。
る。図１に本発明の一実施例のメッキ槽内のメッキ液の
浄化系の構成図を示す。メッキ液を満たしたメッキ槽１
でメッキ作業をした後、メッキ液中の有機物など不純物
含有濃度が所定濃度以上になると、浄化処理を行うため
にメッキ槽１内のメッキ液をポンプ２により抜き出し、
活性炭を収納容器に充填した活性炭フィルター槽３およ
びフッ素樹脂（ＰＴＦＥなど）をフィルター成分として
収納容器に充填したファイナルフィルター槽４に順次送
り、ファイナルフィルター槽４を出たメッキ液はメッキ
液槽１に戻して再使用する。
【００１３】本実施例ではポンプ２はメッキ液を図１の
浄化系に循環させるために、高い吐き出し圧が必要であ
り、エアーを吸い込んでも動作するダイアフラム型ポン
プを使用した。
浄化系に循環させるために、高い吐き出し圧が必要であ
り、エアーを吸い込んでも動作するダイアフラム型ポン
プを使用した。
【００１４】活性炭フィルター槽３は、メッキ液中の有
機物の除去を行うものであり、ここでは市販のカートリ
ッジタイプのものを使用した。また、ファイナルフィル
ター槽４ではメッキ液中のゴミ及び活性炭フィルター槽
３から離脱した活性炭粒の除去を０．２μｍのフィルタ
を用いて行った。これをメッキ液槽１に戻し、２４時間
循環させることでメッキ液中の有機物を実用レベルまで
除去することができた。
機物の除去を行うものであり、ここでは市販のカートリ
ッジタイプのものを使用した。また、ファイナルフィル
ター槽４ではメッキ液中のゴミ及び活性炭フィルター槽
３から離脱した活性炭粒の除去を０．２μｍのフィルタ
を用いて行った。これをメッキ液槽１に戻し、２４時間
循環させることでメッキ液中の有機物を実用レベルまで
除去することができた。
【００１５】図２には本実施例により浄化したメッキ液
中の有機物の残量を紫外線吸収スペクトルの変化によっ
て調べた結果である。同図のスペクトル曲線のピーク
（Ａ）の減少が有機物残量の減少を表している。
中の有機物の残量を紫外線吸収スペクトルの変化によっ
て調べた結果である。同図のスペクトル曲線のピーク
（Ａ）の減少が有機物残量の減少を表している。
【００１６】本実施例によれば、活性炭フィルター槽３
をメッキ液の循環系に設けてメッキ液内の不純物を除去
することができるので、例えば半導体製造ライン内で不
純物除去作業が可能となる。
をメッキ液の循環系に設けてメッキ液内の不純物を除去
することができるので、例えば半導体製造ライン内で不
純物除去作業が可能となる。
【００１７】こうして、汚染されたメッキ液を回収し
て、メッキ液製造業者のプラントに移送する手間とそれ
に要するコストを削減することができた。また、活性炭
フィルター槽３を含むメッキ液の循環系を設けてメッキ
液を常時ろ過可能としたので、メッキ液の有機物による
劣化が抑制され、メッキ液寿命を延ばすことができた。
て、メッキ液製造業者のプラントに移送する手間とそれ
に要するコストを削減することができた。また、活性炭
フィルター槽３を含むメッキ液の循環系を設けてメッキ
液を常時ろ過可能としたので、メッキ液の有機物による
劣化が抑制され、メッキ液寿命を延ばすことができた。
【図１】 本発明の一実施例のメッキ槽内のメッキ液の
浄化系の構成図である。
浄化系の構成図である。
【図２】 本発明の一実施例のメッキ槽内のメッキ液の
浄化系での循環ろ過時間の紫外線吸収スペクトルであ
る。
浄化系での循環ろ過時間の紫外線吸収スペクトルであ
る。
１ メッキ槽 ２ ポンプ ３ 活性炭フィルター槽 ４ ファイナ
ルフィルター槽
ルフィルター槽
Claims (4)
- 【請求項１】 活性炭をメッキ液中に飛散させず且つメ
ッキ液を透過する活性炭収納容器を用いて、メッキ液中
の不純物の除去を行うことを特徴とするメッキ液中の不
純物除去方法。 - 【請求項２】 活性炭をメッキ液中に飛散させず且つメ
ッキ液を透過する活性炭収納容器をメッキ液中に浸漬、
撹拌することでメッキ液中の不純物の除去を行うことを
特徴とするメッキ液中の不純物除去方法。 - 【請求項３】 メッキ槽から排出させたメッキ液を活性
炭を含むフィルター槽に導き、メッキ液中の不純物を除
去した後にメッキ槽内に再循環させることを特徴とする
メッキ液中の不純物除去方法。 - 【請求項４】 メッキ槽から排出させたメッキ液を活性
炭を含むフィルター槽に導く配管と該活性炭を含むフィ
ルター槽から排出したメッキ液をメッキ槽に循環する配
管を設けたことを特徴とするメッキ液中の不純物除去装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21186696A JPH1036999A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | メッキ液中の不純物除去方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21186696A JPH1036999A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | メッキ液中の不純物除去方法と装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036999A true JPH1036999A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16612918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21186696A Pending JPH1036999A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | メッキ液中の不純物除去方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1036999A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003042434A1 (fr) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Asahi Engineering Co.,Ltd | Procede et dispositif de traitement de surface d'un objet traite |
| WO2013085304A1 (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 주식회사 엠에스씨 | 주석-은 합금 도금액의 생성방법 및 그 도금액 |
| CN107502947A (zh) * | 2017-10-09 | 2017-12-22 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种电镀液净化系统及方法 |
| CN113832528A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-24 | 合肥新汇成微电子股份有限公司 | 一种可快速清洗电镀液的金凸块电镀系统 |
| CN113846371A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-12-28 | 株洲岱勒新材料有限责任公司 | 一种电镀金刚石线锯的镀液净化方法 |
-
1996
- 1996-07-23 JP JP21186696A patent/JPH1036999A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003042434A1 (fr) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | Asahi Engineering Co.,Ltd | Procede et dispositif de traitement de surface d'un objet traite |
| US7323096B2 (en) | 2001-11-14 | 2008-01-29 | Hideo Yoshida | Method for treating the surface of object and apparatus thereof |
| US7857952B2 (en) | 2001-11-14 | 2010-12-28 | Hideo Yoshida | Method for treating the surface of object and apparatus thereof |
| WO2013085304A1 (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-13 | 주식회사 엠에스씨 | 주석-은 합금 도금액의 생성방법 및 그 도금액 |
| US9657403B2 (en) | 2011-12-09 | 2017-05-23 | Msc Co., Ltd. | Method for preparing tin-silver alloy plating solution and plating solution prepared by same |
| CN107502947A (zh) * | 2017-10-09 | 2017-12-22 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种电镀液净化系统及方法 |
| CN107502947B (zh) * | 2017-10-09 | 2024-03-26 | 广东威迪科技股份有限公司 | 一种电镀液净化系统及方法 |
| CN113832528A (zh) * | 2021-10-22 | 2021-12-24 | 合肥新汇成微电子股份有限公司 | 一种可快速清洗电镀液的金凸块电镀系统 |
| CN113846371A (zh) * | 2021-10-28 | 2021-12-28 | 株洲岱勒新材料有限责任公司 | 一种电镀金刚石线锯的镀液净化方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5364534A (en) | Process and apparatus for treating waste liquids | |
| US20220204378A1 (en) | Wash water processing apparatus and sterilization and purification unit, and wash water processing method of semiconductor element or liquid-crystal glasses | |
| KR100386438B1 (ko) | 포토레지스트 현상액 및 제막액의 회수장치 및 회수방법 | |
| JP3087680B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH1036999A (ja) | メッキ液中の不純物除去方法と装置 | |
| JP5844558B2 (ja) | 水酸化テトラアルキルアンモニウム含有廃液の再生処理方法 | |
| JP2620839B2 (ja) | 放射性汚染物質を有するキレート剤液の処理方法 | |
| JP2000160399A (ja) | めっき装置 | |
| JP2012024735A (ja) | 酸素処理適用ボイラの洗浄方法及び装置 | |
| KR101646192B1 (ko) | 인산 용액의 오염 물질 제거 방법 및 플랜트 | |
| JP2002228795A (ja) | 放射性排水の処理方法及び処理装置 | |
| WO2006137194A1 (ja) | 基体表面上の有機被膜の除去方法および除去装置 | |
| JP3568460B2 (ja) | メッキ液再生装置及び基板メッキ装置並びにメッキシステム | |
| JP2003340458A (ja) | 機能水の回収方法 | |
| JP2004073986A (ja) | 排水処理装置及び排水処理方法 | |
| JP4065356B2 (ja) | 界面活性剤含有排水の処理方法 | |
| JP2968809B2 (ja) | 半田ディップ機の洗浄水循環処理装置 | |
| JP3568461B2 (ja) | メッキシステム及びそれに用いられるメッキ液分析装置 | |
| JPS5959296A (ja) | 廃水の三次処理方法 | |
| JPS60118283A (ja) | 有機溶剤含有排水の処理方法 | |
| JP3325921B2 (ja) | プリント基板洗浄水再生装置 | |
| JP4774617B2 (ja) | 活性炭の洗浄方法 | |
| JP2002011471A (ja) | 排水の浄化処理方法 | |
| RU6945U1 (ru) | Установка для непрерывного жидкостного химического травления и очистки изделий, преимущественно полупроводниковых пластин | |
| JP2021191566A (ja) | 純水製造方法及び製造装置 |