JP3568460B2

JP3568460B2 - メッキ液再生装置及び基板メッキ装置並びにメッキシステム

Info

Publication number: JP3568460B2
Application number: JP2000200973A
Authority: JP
Inventors: 剛屋根; 保廣溝畑
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-03
Filing date: 2000-07-03
Publication date: 2004-09-22
Anticipated expiration: 2020-07-03
Also published as: JP2002020899A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対してメッキ処理を施す際に発生する、メッキ液を主成分とした廃液を再生するためのメッキ液再生装置及び基板メッキ装置並びにメッキシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板メッキ装置による基板への電解メッキ処理においては、時間が経過するにしたがって装置内のメッキ液が減少するので、この減少分を補うように液補充装置からメッキ液を補充している。
【０００３】
なお、メッキ液には、一般的に有機物系の添加剤（ブライトナーやキャリアーと呼ばれる）が数種類混合されているが、これは空気に触れたりすること等により次第に劣化して添加剤としての機能が低下してゆく。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、メッキ液の補充を行っても添加剤が劣化した状態でメッキ液に含まれているので、劣化した添加剤の存在がメッキ処理の仕上がりに悪影響を与えるのである。そこで、このような悪影響を防止するため、特に半導体産業においては基板の汚染を防止するためにメッキ液そのものを定期的に交換して廃液として処分するようにしているので、必然的にメッキ液の消費が多くなってメッキ処理に要するコストがかさむという問題がある。
【０００５】
なお、上記のようなメッキ液の交換を行うと、そのための作業が必要となってメンテナンスが煩雑となる。また、メッキ液の廃液には銅イオンが多く含まれているので、廃液を出すことは地球環境保全にとって好ましくない。また、廃液処理を行う必要があるので、そのための処理費用がかさむという問題ものある。
【０００６】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、劣化した添加剤を除去してメッキ液を再利用可能にすることにより、メッキ処理に要するコストを低減することができるメッキ液再生装置及び基板メッキ装置並びにメッキシステムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載のメッキ液再生装置は、メッキ液を主成分とする廃液を再生するメッキ液再生装置において、廃液を取り込む取込管と、取り込んだ廃液を貯留する貯留タンクと、廃液中の劣化した添加剤を除去する添加剤除去手段と、前記添加剤除去手段を通った廃液を除去済みメッキ液として貯留する再生タンクと、前記再生タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を分析する添加剤分析部と、前記添加剤分析部による分析結果に応じて添加剤を補充する添加剤補充部と、添加剤が補充された除去済みメッキ液を再生メッキ液として送り出す送出管と、前記取込管から前記貯留タンクに廃液を取り込ませ、前記貯留タンクの廃液を前記添加剤除去手段に流通させて前記再生タンクに貯留させ、前記添加剤分析部と前記添加剤補充部を制御して前記再生タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を所定値に調整した後に、前記送出管から再生メッキ液として送り出すように制御する制御部と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
また、請求項２に記載のメッキ液再生装置は、請求項１に記載のメッキ液再生装置において、前記再生タンクは前記貯留タンクを兼用し、前記添加剤除去手段は前記再生タンクから送出されて再び前記再生タンクに戻される循環路に配設され、前記制御部は廃液を前記添加剤除去手段に複数回循環させるようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項３に記載のメッキ液再生装置は、請求項１または２に記載のメッキ液再生装置において、前記添加剤除去手段に加えて、廃液中のパーティクルを除去するパーティクル除去手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項４に記載のメッキ液再生装置は、請求項１ないし３のいずれかに記載のメッキ液再生装置において、前記再生タンクと送出管との間に別個のバッファタンクを備え、前記再生タンク内の再生メッキ液を前記バッファタンクに移送した後に、前記送出管から送り出すことを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項５に記載の基板メッキ装置は、請求項１に記載のメッキ液再生装置を備え、基板へのメッキ処理で発生する廃液を再生し、基板へのメッキ処理に再利用することを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項６に記載のメッキシステムは、請求項５に記載の基板メッキ装置と、前記基板メッキ装置にメッキ液を補充する液補充装置とを備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項７に記載のメッキシステムは、請求項６に記載のメッキシステムにおいて、前記基板メッキ装置から取り込んだメッキ液を分析して添加剤の濃度を分析するメッキ液分析装置をさらに備え、前記メッキ液分析装置で発生する廃液をも前記メッキ液再生装置で再生することを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
すなわち、取込管を通して廃液を貯留タンクに貯留し、この廃液を添加剤除去手段に通すことで劣化した添加剤を除去し、再生タンクに除去済みメッキ液として貯留する。添加剤分析部で分析した濃度に応じて添加剤補充部から添加剤を補充して濃度が所定濃度に達するように制御部が調整した後、再生タンク内の再生メッキ液を送出管から送り出す。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明によれば、再生タンクを循環する循環路に配設された添加剤除去手段に対して廃液を複数回循環させるので、劣化した添加剤の除去率を高めることができる。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明によれば、パーティクル除去手段により廃液中のパーティクルを除去することでメッキ液の清浄度を高くできる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明によれば、バッファタンクにメッキ液を移送した直後に次に処理する廃液を取り込むことができる。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明によれば、メッキ液再生装置を備えているので、劣化した添加剤の悪影響を除去することができる。
【００１９】
また、請求項６に記載の発明によれば、メッキ液再生装置を備えた基板メッキ装置と、液補充装置とを備えたメッキシステムにおいても上記同様の作用を生じる。
【００２０】
また、請求項７に記載の発明によれば、さらにメッキ液分析装置を備えたメッキシステムであっても上記同様の作用を生じる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図１は本発明の一実施例に係り、メッキ液再生装置の概略構成を示したブロック図である。
【００２２】
メッキ液再生装置１は、メッキ液を主成分とした廃液を取り込んで再生メッキ液として再生するための処理を施す再生処理部３と、劣化した添加剤を除去したメッキ液について添加剤の濃度を分析する添加剤分析部５と、この添加剤分析部５の分析結果に基づき、劣化した添加剤を除去したメッキ液に対して添加剤を補充する添加剤補充部７と、再生処理部３に廃液を取り込んだり、再生処理部３から再生メッキ液を送出したり、添加剤分析部５による分析結果に基づき添加剤補充部７を制御して、劣化した添加剤を除去したメッキ液が所定の添加剤濃度になるように制御する等の制御を行う制御部９とを備えている。
【００２３】
なお、添加剤分析部５は、例えば、ＣＶＳ法（サイクリック・ボルタメトリック・ストリッピング）によりメッキ液中の添加剤濃度を定量する。
【００２４】
再生処理部３は、ポンプ１１を備えた取込管１３からメッキ液の廃液を再生タンク１５に取り込む。この再生タンク１５は液面を検出する上限センサ１５ａと下限センサ１５ｂを備えており、制御部９がこれらの出力を参照しつつポンプ１１の駆動を行う。さらに再生タンク１５は、その底部から廃液を取り込んで再生タンク１５の上部に戻す循環路１７を備えている。
【００２５】
この循環路１７には、有機物吸着フィルタ１９と、その下流にパーティクル除去フィルタ２１が取り付けられている。循環路１７に設けられたポンプ２３を駆動すると、再生タンク１５の廃液が有機物吸着フィルタ１９とパーティクル除去フィルタ２１を通って再び再生タンク１５に戻されるようになっている。有機物吸着フィルタ１９とパーティクル除去フィルタ２１の位置関係を入れ替えて、パーティクル除去フィルタ２１を有機物吸着フィルタ１９の上流に配設してもよい。
【００２６】
なお、本実施例における再生タンク１５は、本発明における貯留タンクと再生タンクに相当する。
【００２７】
上述した添加剤分析部５のサンプリング配管５ａは、再生タンク１５の下限センサ１５ｂよりもやや下方に下端部が位置するように配設されている。また、上述した添加剤補充部７の供給管７ａは、再生タンク１５の上限センサ１５ａ付近にその下端部が位置するように配設されている。
【００２８】
再生タンク１５の側方にはバッファタンク２５が備えられている。このバッファタンク２５にも、再生タンク１５と同様に上限センサ２５ａと下限センサ２５ｂが取り付けられている。再生タンク１５からバッファタンク２５には移送管２７が架設されており、その始端が再生タンク１５の下限センサ１５ｂ付近に位置し、その終端がバッファタンク２５の上限センサ２５ａ付近に位置している。また、移送管２７にはポンプ２９が取り付けられている。
【００２９】
なお、再生タンク１５とバッファタンク２５に取り付けられている上限センサ１５ａ，２５ａと下限センサ１５ｂ，２５ｂとしては静電容量センサが例示される。
【００３０】
始端がバッファタンク２５の下限センサ２５ｂ付近に位置するように設けられた送出管３１は、バッファタンク２５内の再生メッキ液をメッキ液再生装置１から送り出すために用いられる。再生メッキ液の送り出しは、送出管３１に取り付けられたポンプ３３を作動させることにより行われる。
【００３１】
上述したポンプ１１，２３，２９，３３は、磁気結合力により発生させた回転力によって流体を送り出すマグネットポンプまたはベローズポンプが利用可能である。
【００３２】
本発明の添加剤除去手段に相当する有機物吸着フィルタ１９は、例えば、活性炭、活性炭素繊維、ゼオライト、活性アルミナ等のセラミックなどの吸着剤を含むもので構成されている。ゼオライトとはシリケートの格子を有する結晶性モレキュラーシーブを指し、その膜は混合気体の分離に適している。その結晶中には、分子ふるいとして利用可能な数オングストロームの細孔が存在する。
【００３３】
また、本発明のパーティクル除去手段に相当するパーティクル除去フィルタ２１は、フッ素樹脂やポリエチレンなどからなる穴径０．１μｍ程度のメンブランフィルタが例示される。
【００３４】
次に、図２及び図３の動作説明図を参照しつつ上述した構成のメッキ液再生装置の動作について説明する。なお、既に再生処理を施して得られた再生メッキ液がバッファタンク２５に貯留されているものとする。
【００３５】
まず、制御部９がポンプ１１を作動させ、例えば、図示しない基板メッキ装置から排出されたメッキ液を含む廃液を取込管１３より取り込んで再生タンク１５に貯留させる。このとき上限センサ１５ａが作動すると、制御部９がポンプ１１を停止させる。この状態を示すのが図２（ａ）である。
【００３６】
なお、再生タンク１５に廃液が貯留された時点で、添加剤分析部５により添加剤の劣化度合いを調べ、後述する廃液の循環時間や循環回数を調整することが好ましい。
【００３７】
次に、ポンプ３３を作動させて、バッファタンク２５に貯留している再生メッキ液を送出管３１から外部に送り出す。
【００３８】
次に、制御部９はポンプ２３を作動させる。これにより再生タンク１５に貯留している廃液が循環路１７を流通し、有機物吸着フィルタ１９とパーティクル除去フィルタ２１を通って再び再生タンク１５に戻る。上記の状態を示すのが図２（ｂ）である。この循環を一定時間あるいは一定回数だけ繰り返す。これにより、廃液に含まれている劣化した添加剤が有機物吸着フィルタ１９により取り除かれるとともに、廃液中のパーティクルがパーティクル除去フィルタ２１によって除去される。一般的に、高レベルの清浄度が求められる半導体産業などにおいては、処理液の再利用などが敬遠されがちであるが、廃液中のパーティクルを除去することで再生メッキ液の清浄度を高くできるので再生メッキ液の利用を促進できる。
【００３９】
なお、廃液中には劣化していない正常な添加剤も含まれているが、それらは分子量が大きいままであるので有機物吸着フィルタ１９によっては吸着されにくい。劣化した添加剤は劣化度合い等によって分子量が様々であることから、一度有機物吸着フィルタ１９に通すだけでは完全に除去しきれない場合がある。そこで、上述した構成により、廃液を有機物吸着フィルタ１９に循環させて劣化した添加剤の除去率を高めることができるようにしている。
【００４０】
制御部９はポンプ２３を停止させて循環を終了させた後、添加剤分析部５により再生タンク１５内の、劣化した添加剤及びパーティクルが除去された廃液（以下、これを除去済みメッキ液と称する）について添加剤濃度を分析する。具体的には、サンプリング配管５ａから除去済みメッキ液を採取し、ＣＶＳ法によって添加剤の濃度を定量する。そして、その結果に基づいて添加剤補充部７が除去済みメッキ液に対し、供給管７ａから添加剤を補充する（図３（ａ）参照）。
【００４１】
なお、除去済みメッキ液に添加剤補充部７から添加剤を補充した後、添加剤分析部５により添加剤の定量を再度行い、添加剤の補充量が適切か否かを確認することが好ましい。
【００４２】
再生タンク１５に貯留している、添加剤が調整された除去済みメッキ液（以下、これを再生メッキ液と称する）をバッファタンク２５に移送する。具体的にはポンプ２９を作動させて、移送管２７を通して移送する（図３（ｂ）参照）。このようにバッファタンク２５に再生メッキ液を移送するので、次に再生すべき廃液を再生タンク１５に素早く取り込むことができる。したがって、見かけ上、廃液の再生処理時間を見かけ上短くすることができる。
【００４３】
上述した再生メッキ装置１によると、廃液を添加剤吸着フィルタ１９に通すことで劣化した添加剤を除去し、添加剤の濃度を調整して再生メッキ液として送り出すようにしたので、メッキ液を主成分とした廃液を再利用可能である。したがって、メッキ処理に要するコストを低減することができる。
【００４４】
なお、メッキ液再生装置は、次のように変形実施が可能である。
【００４５】
（１）上記の構成では、本発明における貯留タンクと再生タンクが再生タンク１５によって兼用されているが、貯留タンクを別個に設ける構成としてもよい。この場合には貯留タンクから再生タンクへの配管中に有機物吸着フィルタ１９とパーティクル除去フィルタ２１を配設すればよい。
【００４６】
（２）パーティクル除去フィルタ２１は必須ではなく、有機物吸着フィルタ１９だけとしてもよい。この場合には、例えば、メッキ液再生装置１から送出された再生メッキ液を使用する装置側でパーティクルを除去すればよい。
【００４７】
（３）本発明に係るメッキ液再生装置は、バッファタンク２５を必須構成要件とするものではなく、メッキ液の再生時間が長くなっても問題がない場合にはバッファタンク２５を設ける必要はない。
【００４８】
（４）有機物吸着フィルタ１９に代えて、廃液にオゾンガス若しくは酸素ガス、若しくはオゾンガスと酸素ガスの両方を含ませるとともに紫外線照射を照射することで劣化した添加剤を分解除去する分解ユニットや、触媒を用いて劣化した添加剤を吸着分解する触媒ユニットなどの添加剤除去手段を採用してもよい。
【００４９】
＜基板メッキ装置＞
図４は本発明に係る基板メッキ装置の一実施例を示した図である。
【００５０】
基板メッキ装置４１は、上述したメッキ液再生装置１と、メッキ処理面を下方に向けた状態で基板Ｗを支持する支持部４３と、基板Ｗにメッキ処理を施すためのメッキ槽４５と、メッキ液を循環させるためのメッキ液循環槽４７とを備えている。なお、新しいメッキ液を補充する液補充装置をさらに備えた構成としてもよい。
【００５１】
支持部４３は、メッキ槽４５に対して昇降可能に、かつ鉛直軸周りに回転可能に構成されている。メッキ処理を施す際には、支持部４３ごとメッキ槽４５に下降し、低速で基板Ｗを回転するようになっている。
【００５２】
具体的には、環状を呈し、基板Ｗの下面周辺部に当接して基板Ｗを支持するとともに、メッキ処理面に導通をとり、さらにメッキ液が周辺へ流出することを防止するマスク部材４３ａと、このマスク部材４３ａを下端部に取り付けられ、回転および昇降可能に構成されたスピンベース４３ｂと、基板Ｗの裏面に当接して基板Ｗをマスク部材４３ａに押し当てる基板押さえ４３ｃとを備える。
【００５３】
メッキ槽４５は二重に構成されており、中央部が処理槽４５ａであり、その外周部が回収槽４５ｂである。メッキ液が下部から供給される処理槽４５ａはパンチングプレート４５ｃにより上下に仕切られ、その下部にはアノード電極４５ｄが配設されている。
【００５４】
処理槽４５ａから溢れて回収槽４５ｂに回収されたメッキ液は、メッキ液循環槽４７に送られて一時的に貯留され、ポンプ４７ａによって再び処理槽４５ａに送られる。また、メッキ液循環槽４７には添加剤補充部４９が付設されており、純水、硫酸銅などを主成分とするメッキ液に有機物添加剤を補充するようになっている。さらに処理槽４７には、メッキ液再生装置１からの取込管１３と送出管３１が延出されている。
【００５５】
上述した構成の基板メッキ装置４１では、支持部４３に基板Ｗを支持させた状態で、図中に点線で示すように処理槽４５ａに基板Ｗを浸漬させる。さらに、ポンプ４７ａを作動させてメッキ液を循環させるとともに、スピンベース４３ｂを回転させながらメッキ処理を施すようになっている。
【００５６】
メッキ処理を行うにつれて、メッキ液には、基板Ｗの汚れが持ち込まれることによる汚染や、メッキ槽４５や循環系からの溶出物による汚染や、アノード電極４５ｄの表面から遊離したフィルム状析出物（いわゆるブラックフィルム）による汚染などが生じるとともに、添加剤が劣化して生じた有機物の残骸が混在することになる。そこで、所定時間使用して従来なら廃棄していたメッキ液（廃液）を、取込管１３からメッキ液再生装置１内に送るとともに、バッファタンク２５内の再生メッキ液を送出管３１からメッキ液循環槽４７に取り込む。
【００５７】
これにより、劣化した添加剤の悪影響を除去した再生メッキ液を使用してメッキ処理を行うことができるので、メッキ液の消費量が抑制できる。したがって、基板メッキ装置におけるメッキ処理に必要なコストを抑制することができるのである。
【００５８】
＜基板メッキ装置＞
図５は本発明に係るメッキシステムの一実施例を示したブロック図である。
【００５９】
１台の基板メッキ装置４１は、１台のメッキ液再生装置１の取込管１３と送出管３１が接続されている。また、不足したメッキ液を補うための１台の液補充装置５１が基板メッキ装置４１に付設されているとともに、基板メッキ装置４１のメッキ液循環槽４７のメッキ液を分析するための１台のメッキ液分析装置５３が備えられている。このメッキ液分析装置５３は、濃度情報などの分析結果を液補充装置５１に与える。
【００６０】
上述した構成のメッキシステムでは、メッキ液を主成分とせず、例えば、リンス液などを多く含む廃液が基板メッキ装置４１及びメッキ液分析装置５３からでる。これらはメッキ液として再生することができないものであるので、それぞれの装置から廃棄４１ｘ，５３ｘされる。一方、基板メッキ装置４１とメッキ液分析装置５３から出される、メッキ液を主成分とした廃液は取込管３１からメッキ液再生装置１に取り込まれ、再生メッキ液に再生されてそれぞれの装置に送出管３１を介して供給される。
【００６１】
このような構成によるとメッキシステムにおいても再生メッキ液を使用することができるので、基板メッキ装置１およびメッキ液分析装置５３におけるメッキ液の消費量が抑制できる。したがって、メッキシステムにおけるメッキ処理に必要なコストを低減することができる。
【００６２】
なお、メッキシステムとしては、メッキ液分析装置５３を備えず、基板メッキ装置４１と、液補充装置５１と、メッキ液再生装置１とからなるシステムであってもメッキ処理に必要なコストを低減可能である。
【００６３】
また、上記のメッキシステムでは、１台の基板メッキ装置４１に一台のメッキ液再生装置１を備えている構成を例示したが、メッキ液再生装置１の稼働率を高めるために図６のような構成としてもよい。
【００６４】
すなわち、複数台の基板メッキ装置４１（図６では３台）に１台のメッキ液再生装置１と、１台のメッキ液分析装置５３と、液補充装置５１とを接続するのである。このような構成により、メッキ液再生装置１は、複数台の基板メッキ装置４１と１台のメッキ液分析装置５３のうちのいずれかの廃液を再生処理することになるので、稼働率を向上させることができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、廃液を添加剤除去手段に通して劣化した添加剤を除去し、添加剤の濃度を調整して再生メッキ液として送り出すようにしたので、メッキ液を主成分とした廃液を再利用することができる。したがって、メッキ処理に要するコストを低減することができる。
【００６６】
また、請求項２に記載の発明によれば、廃液を複数回循環させる構成とすることにより劣化した添加剤の除去率を高めることができるので、適切に廃液を再生することができる。
【００６７】
また、請求項３に記載の発明によれば、廃液中のパーティクルを除去することで再生メッキ液の清浄度を高くできるので、高レベルの清浄度が求められる半導体産業などにおいても再生メッキ液の利用を促進できる。
【００６８】
また、請求項４に記載の発明によれば、バッファタンクにメッキ液を移送した直後に廃液を取り込んで次の廃液の再生に取りかかることができるので、見かけ上の廃液の再生に要する時間を短縮することができる。
【００６９】
また、請求項５に記載の発明によれば、劣化した添加剤の悪影響を除去した再生メッキ液を使用することができるので、メッキ液の消費量が抑制できる。したがって、基板メッキ装置におけるメッキ処理に必要なコストを抑制することができる。
【００７０】
また、請求項６に記載の発明によれば、メッキシステムにおいても再生メッキ液を使用することができるので、基板メッキ装置におけるメッキ液の消費量が抑制できる。したがって、メッキシステムにおけるメッキ処理に必要なコストを低減することができる。
【００７１】
また、請求項７に記載の発明によれば、さらにメッキ液分析装置を備えたメッキシステムであっても再生メッキ液を使用することができるので、メッキ液の消費量が低減でき、メッキシステムにおけるメッキ処理に要するコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係るメッキ液再生装置の概略構成を示したブロック図である。
【図２】動作説明に供する図である。
【図３】動作説明に供する図である。
【図４】実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示した図である。
【図５】メッキシステムの一例を示したブロック図である。
【図６】メッキシステムの他の例を示したブロック図である。
【符号の説明】
１ … メッキ液再生装置
３ … 再生処理部
５ … 添加再分析部
７ … 添加剤補充部
９ … 制御部
１３ … 取込管
１５ … 再生タンク（貯留タンク、再生タンク）
１７ … 循環路
１９ … 有機物吸着フィルタ（添加剤除去手段）
２１ … パーティクル除去フィルタ（パーティクル除去手段）
２５ … バッファタンク
３１ … 送出管
４１ … 基板メッキ装置
５１ … 液補充装置
５３ … メッキ液分析装置

Claims

メッキ液を主成分とする廃液を再生するメッキ液再生装置において、
廃液を取り込む取込管と、
取り込んだ廃液を貯留する貯留タンクと、
廃液中の劣化した添加剤を除去する添加剤除去手段と、
前記添加剤除去手段を通った廃液を除去済みメッキ液として貯留する再生タンクと、
前記再生タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を分析する添加剤分析部と、
前記添加剤分析部による分析結果に応じて添加剤を補充する添加剤補充部と、
添加剤が補充された除去済みメッキ液を再生メッキ液として送り出す送出管と、
前記取込管から前記貯留タンクに廃液を取り込ませ、前記貯留タンクの廃液を前記添加剤除去手段に流通させて前記再生タンクに貯留させ、前記添加剤分析部と前記添加剤補充部を制御して前記再生タンクに貯留している除去済みメッキ液の添加剤濃度を所定値に調整した後に、前記送出管から再生メッキ液として送り出すように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするメッキ液再生装置。
請求項１に記載のメッキ液再生装置において、
前記再生タンクは前記貯留タンクを兼用し、
前記添加剤除去手段は前記再生タンクから送出されて再び前記再生タンクに戻される循環路に配設され、
前記制御部は廃液を前記添加剤除去手段に複数回循環させるようにしたことを特徴とするメッキ液再生装置。
請求項１または２に記載のメッキ液再生装置において、
前記添加剤除去手段に加えて、廃液中のパーティクルを除去するパーティクル除去手段を備えたことを特徴とするメッキ液再生装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載のメッキ液再生装置において、
前記再生タンクと送出管との間に別個のバッファタンクを備え、
前記再生タンク内の再生メッキ液を前記バッファタンクに移送した後に、前記送出管から送り出すことを特徴とするメッキ液再生装置。
請求項１に記載のメッキ液再生装置を備え、
基板へのメッキ処理で発生する廃液を再生し、基板へのメッキ処理に再利用することを特徴とする基板メッキ装置。
請求項５に記載の基板メッキ装置と、
前記基板メッキ装置にメッキ液を補充する液補充装置とを備えたことを特徴とするメッキシステム。
請求項６に記載のメッキシステムにおいて、
前記基板メッキ装置から取り込んだメッキ液を分析して添加剤の濃度を分析するメッキ液分析装置をさらに備え、
前記メッキ液分析装置で発生する廃液をも前記メッキ液再生装置で再生することを特徴とするメッキシステム。