JP2003027289A - メッキ装置、メッキ方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

メッキ装置、メッキ方法、および半導体装置の製造方法

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JP2003027289A JP2001206084A JP2001206084A JP2003027289A JP 2003027289 A JP2003027289 A JP 2003027289A JP 2001206084 A JP2001206084 A JP 2001206084A JP 2001206084 A JP2001206084 A JP 2001206084A JP 2003027289 A JP2003027289 A JP 2003027289A
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plating solution
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organic substance
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 成分が適切に調整されたメッキ液を用いて、
かつメッキ液を廃棄することなく、連続的にメッキ処理
を行うことが可能にする。 【解決手段】 循環タンク１，２を満たすメッキ液が、
バルブ２１〜２４の働きにより、交互にメッキチャンバ
２０を循環する。休止中の循環タンク１（または２）で
は、ＴＯＣＵＶランプ１１（または１２）を点灯させ
る。メッキ処理により劣化したメッキ液に含まれる、メ
ッキ処理を阻害する物質、すなわちメッキ処理の中で添
加剤が分解されることにより生成された有機物質が、Ｔ
ＯＣＵＶにより分解され無害化される。減少した添加剤
は、成分調整器３３から休止中の循環タンク１または２
へ補充される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、メッキ装置、メ
ッキ方法、および半導体装置の製造方法に関し、特に、
良好な液質のメッキ液を用いて、メッキ処理を中断なく
実行するための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】メッキ処理を用いて半導体基板の上に配
線などを形成する工程では、メッキ液中の成分を一定に
保持することが重要であることが知られている。この目
的のために、調合されたメッキ液をプロセスに適用し、
プロセス品質の劣化が明らかになるか、或いは、経験的
に求めた劣化期間が経過した後に、メッキ液を捨て、新
たにメッキ液を調合するという方法が、従来より知られ
ていた。場合によっては、主成分濃度が一定となるよ
う、各成分を定期的に一定量ずつ補いながら長期間利用
するという方法も採用されていた。
【０００３】銅メッキを例にとれば、メッキ液の主成分
は、Ｃｕ（銅）イオン、硫酸、および塩酸の無機成分に
加えて、ブライトナおよびキャリアの添加剤成分を含ん
でいる。従来のメッキ用途では、これらの成分の変動に
対するマージンが大きかったために、上記の液管理手法
で充分な性能を発揮することが可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デザイ
ンルールが０．２５μｍ以下である先端デバイスを製造
するには、より高い埋込性能が要求される。例えば、幅
が０．２５μｍでアスペクト比が４であるヴィアホール
を、安定して埋め込むことが必要とされている。上記の
従来の液管理手法では、各成分を厳しいスペックへと管
理することが困難であるため、ある成分が規格から外れ
易くなる。これを抑えるためには、頻繁に液を交換する
ことが必要であり、その結果、コストの上で見合わない
という問題が現れていた。
【０００５】また、本願発明者の調査によれば、厳しい
サイズのパターンでは、各成分を添加することにより主
成分を管理範囲に収めるように管理しても、埋込性能が
安定しないことが分かってきた。本願発明者はこの要因
を更に調査した結果、従来から管理してきた添加剤成分
から分解して発生する副生成物が、メッキ液中に蓄積
し、この副生成物が添加剤の効果を抑制したり、加速し
たりするため、埋込性能の安定性を阻害することを突き
止めた。
【０００６】高度な埋込性能が要求される先端半導体製
造プロセスには、副生成物濃度を厳しく管理することが
必須であるが、副生成物の検出ピークは添加剤そのもの
のピークと重畳し、また、ピークも低いため、現状で
は、これをオンラインで定量測定する手法がない。よっ
て、オフラインで測定したデータに基づき、蓄積副生成
物を低濃度に管理するしかなく、そのためには、頻繁に
メッキ液をダンプ（廃棄）することを免れ得ない。しか
し、高頻度でメッキ液を排出することは、コストが嵩む
ほか、環境的な側面からも現実的でない。なぜなら、Ｃ
ｕイオンの排出濃度については、日本国の水質汚濁防止
法第３条及び下水道法第１２条により、３ｐｐｍ以下に
抑えることが義務づけられており、通常用いる数十ｇ／
Ｌ（”Ｌ”はリットルを表す）のＣｕイオンを廃棄する
には、大量の水による希釈か、特別な処理を必要とする
からである。
【０００７】つまり、現在の技術では、メッキ処理の性
能の面からも、コストの面からも、環境の面からも問題
が生じるため、先端デバイスの製造に見合った精度でメ
ッキ液の主成分管理を達成することができない。また、
液交換によるプロセス装置のダウンタイムも工業的には
問題となる。
【０００８】この発明は、従来の技術における上記した
問題点を解消するためになされたもので、先端デバイス
の製造に見合った精度でのメッキ液の主成分管理を、メ
ッキ処理の性能の面からも、コストの面からも、環境の
面からも問題を生じることなく達成し得るメッキ装置、
メッキ方法、およびこれらを利用した半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明の装置はメッ
キ装置であって、メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬
される処理対象へメッキ処理を施すためのメッキチャン
バと、前記メッキ液に含まれる有機物質を分解する有機
物質分解手段を各々が有する複数の循環タンクと、前記
複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選択したもの
と前記メッキチャンバとの間で前記メッキ液を循環可能
に連通させる第１バルブと、前記複数の循環タンクのう
ちの選択された前記一つと前記メッキチャンバとの間
で、前記メッキ液を循環させるポンプと、を備える。
【００１０】第２の発明の装置は、第１の発明のメッキ
装置において、前記メッキ液の成分を補充する成分調整
器と、前記複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選
択したものと前記成分調整器とを連通させる第２バルブ
と、をさらに備える。
【００１１】第３の発明の装置は、第２の発明のメッキ
装置において、前記メッキ液の成分を分析する成分分析
器と、前記複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選
択したものと前記成分分析器とを連通させる第３バルブ
と、をさらに備える。
【００１２】第４の発明の装置は、第３の発明のメッキ
装置において、前記第１ないし第３バルブ、前記有機物
質分解手段、および前記成分調整器を制御する制御器
を、さらに備え、前記制御器は、前記メッキ処理が所定
量に達する毎に前記第１バルブを順次切り替え、前記複
数の循環タンクのうち前記第１バルブが選択しないもの
について、前記有機物質の濃度が許容範囲に達したこと
を前記成分分析器の分析結果が示すまで、前記有機物質
分解手段を作動させ、前記複数の循環タンクのうち前記
第１バルブが選択しないものについて、前記メッキ液の
成分の濃度が許容範囲に達したことを前記成分分析器の
分析結果が示すまで、前記成分調整器を作動させる。
【００１３】第５の発明の装置はメッキ装置であって、
メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬される処理対象へ
メッキ処理を施すためのメッキチャンバと、前記メッキ
液に含まれる有機物質を分解する有機物質分解手段を一
方が有し、各々が自身と前記メッキチャンバとの間で前
記メッキ液を循環可能なように前記メッキチャンバへ連
通する、２個の循環タンクと、前記２個の循環タンクと
前記メッキチャンバとの間で、前記メッキ液を循環させ
るポンプと、を備える。
【００１４】第６の発明の装置は、第５の発明のメッキ
装置において、前記メッキ液の成分を、循環するメッキ
液へ補充する成分調整器を、さらに備える。
【００１５】第７の発明の装置は、第６の発明のメッキ
装置において、循環する前記メッキ液の成分を分析する
成分分析器を、さらに備える。
【００１６】第８の発明の装置は、第７の発明のメッキ
装置において、前記有機物質分解手段、および前記成分
調整器を制御する制御器を、さらに備え、前記制御器
は、前記メッキ液の成分の濃度が許容範囲にあることを
前記成分分析器の分析結果が示すように、前記成分調整
器を制御する。
【００１７】第９の発明の装置は、第５ないし第７のい
ずれかの発明のメッキ装置において、前記有機物質分解
手段を制御する制御器を、さらに備え、前記制御器は、
前記メッキチャンバが、前記処理対象へ前記メッキ処理
を施している期間に限り、前記有機物質分解手段を作動
させる。
【００１８】第１０の発明の装置はメッキ装置であっ
て、メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬される処理対
象へメッキ処理を施すためのメッキチャンバと、自身と
前記メッキチャンバとの間で前記メッキ液を循環可能な
ように前記メッキチャンバへ連通する循環タンクと、前
記メッキ液に含まれる有機物質を分解する有機物質分解
手段を有し、自身と前記循環タンクとの間で前記メッキ
液を循環可能なように前記循環タンクへ連通する、バッ
ファタンクと、前記循環タンクと前記メッキチャンバと
の間で、前記メッキ液を循環させる第１ポンプと、前記
バッファタンクと前記循環タンクとの間で、前記メッキ
液を循環させる第２ポンプと、を備える。
【００１９】第１１の発明の装置は、第１０の発明のメ
ッキ装置において、前記メッキ液の成分を、前記バッフ
ァタンクと前記循環タンクとの間を循環するメッキ液へ
補充する成分調整器を、さらに備える。
【００２０】第１２の発明の装置では、第１ないし第１
１のいずれかの発明のメッキ装置において、前記有機物
質分解手段が、紫外線を発生する紫外線ランプを有す
る。
【００２１】第１３の発明の装置では、第１ないし第１
１のいずれかの発明のメッキ装置において、前記有機物
質分解手段が、前記メッキ液を電気分解する一対の電極
を有する。
【００２２】第１４の発明の装置では、第１３の発明の
メッキ装置において、前記一対の電極の少なくとも一方
の材料の主成分が、前記処理対象へメッキされる材料の
主成分と同一である。
【００２３】第１５の発明の装置では、第１４の発明の
メッキ装置において、前記一対の電極の双方の材料の主
成分が、前記処理対象へメッキされる前記材料の前記主
成分と同一である。
【００２４】第１６の発明の装置は、第１５の発明のメ
ッキ装置において、極性を切り替え自在に、前記一対の
電極へ電流を供給する電流供給手段を、さらに備える。
【００２５】第１７の発明の装置は、第１ないし第１６
のいずれかの発明のメッキ装置において、前記メッキ液
の循環経路に介挿され、前記メッキ液から炭酸ガスを除
去する炭酸ガス除去膜を、さらに備える。
【００２６】第１８の発明の装置はメッキ装置であっ
て、メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬される処理対
象へメッキ処理を施すためのメッキチャンバと、前記メ
ッキ液を循環可能なように前記メッキチャンバに連通す
る循環経路と、前記循環経路に介挿され、前記メッキ液
を循環させるポンプと、前記循環経路に介挿され、前記
メッキ液から炭酸ガスを除去する炭酸ガス除去膜と、を
備える。
【００２７】第１９の発明の方法はメッキ方法であっ
て、(a)第１の発明のメッキ装置を準備する工程と、(b)
前記処理対象を準備する工程と、(c)前記メッキ装置を
用いて前記処理対象へ前記メッキ処理を施す処理工程
と、を備えており、前記処理工程(c)は、(c-1)前記メッ
キ処理が所定量に達する毎に前記第１バルブを順次切り
替える処理工程と、(c-2)前記複数の循環タンクのうち
前記第１バルブが選択しないものについて、前記有機物
質の濃度が許容範囲に達するまで、前記有機物質分解手
段を作動させる工程と、(c-3)前記複数の循環タンクの
うち前記第１バルブが選択しないものについて、前記メ
ッキ液の成分の濃度が許容範囲に達するまで、前記メッ
キ液の前記成分を補充する工程と、を備えている。
【００２８】第２０の発明の方法はメッキ方法であっ
て、(a)第５の発明のメッキ装置を準備する工程と、(b)
前記処理対象を準備する工程と、(c)前記メッキ装置を
用いて前記処理対象へ前記メッキ処理を施す処理工程
と、を備えており、前記処理工程(c)は、(c-1)循環する
前記メッキ液の成分の濃度が許容範囲にあるように、前
記成分を補充する工程を備えている。
【００２９】第２１の発明の方法はメッキ方法であっ
て、(a)第１０の発明のメッキ装置を準備する工程と、
(b)前記処理対象を準備する工程と、(c)前記メッキ装置
を用いて前記処理対象へ前記メッキ処理を施す処理工程
と、を備えており、前記処理工程(c)は、(c-1)前記メッ
キチャンバと前記メッキチャンバとの間で前記メッキ液
を循環させる工程と、(c-2)前記工程(c-1)と並行して、
前記循環タンクと前記メッキチャンバとの間で、前記メ
ッキ液を循環させる工程と、(c-3)前記工程(c-2)と並行
して、前記有機物質分解手段を作動させる工程と、(c-
4)前記工程(c-2)と並行して、前記メッキ液の成分を、
前記バッファタンクと前記循環タンクとの間を循環する
メッキ液へ補充する工程と、を備える。
【００３０】第２２の発明の方法は、メッキ方法であっ
て、(a)第１４の発明のメッキ装置を準備する工程と、
(b)前記処理対象を準備する工程と、(c)前記メッキ装置
を用いて前記処理対象へ前記メッキ処理を施す処理工程
と、(d)前記一対の電極に供給する電流の極性を、反復
的に切り替える工程と、を備える。
【００３１】第２３の発明の製造方法は半導体装置の製
造方法であって、(a)第１ないし第１８のいずれかの発
明のメッキ装置を準備する工程と、(b)前記処理対象と
して半導体基板を準備する工程と、(c)前記メッキ装置
を用いて前記半導体基板へ半導体装置の材料をメッキ処
理する工程と、を備える。
【００３２】第２４の発明の製造方法は半導体装置の製
造方法であって、第１９ないし第２２のいずれかの発明
のメッキ方法を用いて、前記処理対象としての半導体基
板へ半導体装置の材料をメッキ処理する。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態によるメッキ
装置として、以下の各実施の形態では、半導体基板（す
なわち半導体ウェハ）をメッキ処理の対象とし、この半
導体基板の上に半導体装置の材料をメッキする装置とし
て構成されたものについて説明する。またメッキする材
料が、先端的な半導体プロセスにおいて代表的な銅（Ｃ
ｕ)である例を取り上げる。しかしながら、本発明は、
以上の例に限定されるものではなく、銅以外の材料をメ
ッキする装置、半導体基板以外の対象をメッキ処理の対
象とする装置一般に適用可能である。
【００３４】実施の形態１． （装置の構成）図１は、実施の形態１によるメッキ装置
の構成を示すブロック図である。このメッキ装置１０１
は、２個の循環タンク１，２、メッキチャンバ２０、バ
ルブ２１〜２４、成分分析器３１、制御器３２、成分調
整器３３、バルブ４１，４２、配管５１，５２、ポンプ
５３、および炭酸ガス除去膜５４を備えている。循環タ
ンク１および２は、ＴＯＣＵＶ(Total Organic Carbon
Ultra-Violet)ランプ１１および１２を、それぞれ備え
ている。
【００３５】メッキチャンバ２０は、メッキ液を収容
し、このメッキ液へ浸漬される処理対象としての半導体
基板へメッキ処理を施す装置要素である。メッキ液は、
循環タンク１，２および配管５１，５２にも収容されて
いる。循環タンク１は、バルブ２１，２２および配管５
１，５２を通じてメッキチャンバ２０へ接続されてい
る。同様に、循環タンク２は、バルブ２３，２４および
配管５１，５２を通じてメッキチャンバ２０へ接続され
ている。バルブ２１，２２の組、およびバルブ２３，２
４の組のうちの一方を開き他方を閉じることにより、循
環タンク１，２のうちの一方を自在に選択し、選択した
ものとメッキチャンバ２０とを、メッキ液を循環可能な
ように連通させることができる。
【００３６】ＴＯＣＵＶランプ１１，１２は、ＴＯＣＵ
Ｖを照射するランプであり、メッキ液に含まれる有機物
質を分解するために設けられている。ＵＶ（紫外線）
は、１〜４００ｎｍの波長域の電磁波を一般に意味す
る。しかし、工業的に適用可能な紫外線ランプは限られ
ており、波長１８５ｎｍまたは２５４ｎｍをスペクトル
の主ピークとする紫外線を照射するランプが、通常にお
いて使用されている。これらのうち、波長１８５ｎｍを
スペクトルの主ピークとする紫外線は、ほとんどの種類
の有機物質を効果的に分解するという優れた特性を有し
ており、ＴＯＣＵＶと称されている。したがって、ＴＯ
ＣＵＶランプは、装置１０１への利用に特に適してい
る。
【００３７】ポンプ５３および炭酸ガス除去膜５４は、
循環タンク１，２とメッキチャンバ２０との間をメッキ
液が循環する経路である循環経路のいずれかの部位に介
挿される。図１の例では、これらは配管５２に介挿され
ている。ポンプ５３は、メッキ液を循環させる機能を果
たす。炭酸ガス除去膜５４は、循環するメッキ液に含ま
れる炭酸ガス（ＣＯ2）を除去する膜であり、例えばポ
リプロピレンを材料としている。循環経路は、配管５
１，５２だけでなく、メッキチャンバ２０、および循環
タンク１，２をも含む。したがって例えば、ポンプ５３
は配管５１に設けられても良く、炭酸ガス除去膜５４は
循環タンク１，２内に設けられても良い。
【００３８】成分調整器３３は、メッキ液の成分を補充
する装置要素であり、バルブ４２を通じて循環タンク
１，２へ接続されている。成分分析器３１は、メッキ液
の成分を分析する装置要素であり、バルブ４１を通じて
循環タンク１，２へ接続されている。バルブ４２は、循
環タンク１，２の一つを自在に選択し、選択したものと
成分調整器３３とを連通させる。同様に、バルブ４１
は、循環タンク１，２の一つを自在に選択し、選択した
ものと成分分析器３１とを連通させる。制御器３２は、
バルブ２１〜２４，４１，４２を制御するとともに、成
分分析器３１による分析結果にもとづいて、ＴＯＣＵＶ
ランプ１１，１２、および成分調整器３３を制御する。
【００３９】（装置の動作）図２は、装置１０１を用い
て半導体基板へメッキ処理を施すメッキ方法の手順を示
すフローチャートである。処理を開始する前の準備とし
て、メッキ液を調整し、メッキ液の循環経路、すなわち
メッキチャンバ２０、配管５１，５２、および循環タン
ク１，２に、調整したメッキ液を満たす。メッキ液の調
製は、Ｃｕイオン、Ｈ2ＳＯ4、およびＨＣｌを含む無機
成分と、ブライトナ（またはアクセラレータ）およびキ
ャリア（またはサプレッサ）を含む有機成分とを、所定
の濃度に調整することにより行う。ブライトナ（または
アクセラレータ）およびキャリア（またはサプレッサ）
は、添加剤に属する。各成分の濃度は、添加剤の種類や
半導体基板のパターンサイズにも依存するが、例えば、
Ｃｕイオン＝１７．５ｇ／Ｌ、Ｃｌイオン＝５０ｐｐ
ｍ、ブライトナ＝１ｍＬ／Ｌ、キャリア＝２５ｍＬ／Ｌ
に設定される。場合によっては、レベラと呼ばれる有機
成分も加える。
【００４０】準備が完了すると、ポンプ５３を作動さ
せ、メッキチャンバ２０で半導体基板へのメッキ処理を
行う（ステップＳ１）。メッキ処理の技術それ自体は従
来周知であるので、その詳細な説明は略する。メッキ処
理が開始された当初は、ＴＯＣＵＶランプ１１，１２は
オフ状態であってよい。メッキ処理開始時には、例えば
バルブ２１，２２を開とし、バルブ２３，２４を閉とす
る。これにより、メッキ液はメッキチャンバ２０と循環
タンク１との間で循環する。すなわち、循環タンク１に
満たされたメッキ液を用いてメッキ処理が行われる。
【００４１】有機成分の劣化に関するデータを、処理開
始前に予め採取しておき、埋込性能あるいは成膜特性が
劣化する処理量（例えば、処理枚数あるいは処理時間）
を確認しておく。確認された上記所定量に処理量が達す
るまで（ステップＳ３）、メッキ処理が反復的に行われ
る（ステップＳ１，Ｓ４）。処理量が所定量に達する
と、バルブ２１，２２を閉とし、バルブ２３，２４を開
とする（ステップＳ５）。その結果、メッキ液はメッキ
チャンバ２０と循環タンク２との間で循環する。すなわ
ち、循環タンク２に満たされた未使用のメッキ液を用い
てメッキ処理が行われる（ステップＳ１）。したがっ
て、メッキ処理が滞ることがなく、ダウンタイムのない
連続処理の形態でメッキ処理を継続することが可能とな
る。
【００４２】バルブ切り替えと同時に、循環タンク１に
設置されたＴＯＣＵＶランプ１１を点灯させる（ステッ
プＳ６）。休止中の循環タンク１の中に存在する劣化し
たメッキ液には、多くの場合、充分な無機成分が存在し
ており、Ｃｕイオン、Ｈ2ＳＯ4、およびＣｌイオンの濃
度は、通常スペックすなわち許容範囲にある場合が多
い。一方、有機成分は分解し、副生成物としての、より
小さな分子量を持つ物質へと変成している。したがっ
て、劣化したメッキ液には、副生成物と、添加剤が混在
している。このため、劣化したメッキ液に、分解した量
の添加剤を追加することで添加剤の濃度を調整するだけ
では、メッキ処理の進行にともなって副生成物が徐々に
蓄積され、先端デバイスの製造に用いる場合に、埋込不
良などのプロセス上の不具合を引き起こす可能性があ
る。
【００４３】これに対して、装置１０１を用いたメッキ
方法では、正常なメッキ処理を阻害する要因となる添加
剤の副生成物が、添加剤に由来する低分子な物質である
ことに着目し、ＴＯＣＵＶを照射することにより、副生
成物を分解する。副生成物は、つぎの化学式が示すよう
に、ＣＯ2とＨ2Ｏに分解される。これにより、阻害物質
が無害化される。ＴＯＣＵＶランプ１１の点灯は、阻害
物質が無害化されるまで行う（ステップＳ６，Ｓ７）。
炭酸ガス除去膜５４は、発生したＣＯ2を除去するのに
有効である。
【００４４】
【化１】
【００４５】その後、不足する添加剤を追加し、必要に
応じて、無機成分も調整した上で、プロセスに適用中の
循環タンク２のメッキ液が劣化するまで待機する（ステ
ップＳ８）。循環タンク１の中のメッキ液の調製は、循
環タンク２のメッキ液が劣化することにより、メッキ処
理に使用される循環タンクを、循環タンク２から循環タ
ンク１へ切り替える直前に行っても良い。メッキ液の調
整は、成分調整器３３を用いて行うことができる。この
とき、バルブ４２は循環タンク１を選択し、成分調整器
３３へ連通させる。また、メッキ液の調整は成分分析器
３１による分析結果にもとづいて適切に行うことができ
る。このとき、バルブ４１は循環タンク１を選択し、成
分分析器３１へ連通させる。さらに、ＴＯＣＵＶランプ
１１の制御（ステップＳ６，７）も、成分分析器３１に
よる分析結果にもとづいて適切に行うことができる。
【００４６】循環タンク２の中のメッキ液を使用開始し
た（ステップＳ５）後に、処理量が所定量に達すると
（ステップＳ３）、バルブ２１，２２を開とし、バルブ
２３，２４を閉とする（ステップＳ５）。その結果、循
環タンク２は休止状態に入り、循環タンク１に満たされ
た調整済みのメッキ液を用いてメッキ処理が行われる
（ステップＳ５，Ｓ１）。その後、循環タンク１につい
て行った上記の処理（ステップＳ６〜Ｓ８）を、循環タ
ンク２に対して行う。以上の処理を、終了すべき時が到
来するまで（ステップＳ２）、反復的に実行する。
【００４７】以上のように、装置１０１を用いたメッキ
方法では、ダウンタイムを生じることなく、メッキ処理
を継続することができる。しかも、メッキ液を廃棄する
ことなく不足添加剤を追加するだけで、各成分濃度が適
正な許容範囲内に調整されたメッキ液を用いてメッキ処
理を行うことが可能である。このため、デザインルール
の厳しい先端的な半導体装置を、低コストで製造するこ
とができる。さらに、メッキ液を廃棄する必要がないの
で、Ｃｕイオン排出をともなわない。したがって、環境
負荷を緩和することも可能である。
【００４８】（実施の形態１の別の例）装置１０１で
は、図２の手順は制御器３２によって自動的に行われ
る。すなわち、ステップＳ３における判断、バルブ２１
〜２４の切り替え（ステップＳ５）、ＴＯＣＵＶランプ
１１，１２の制御（ステップＳ６，Ｓ７）、ならびに、
メッキ液の調整（ステップＳ８）のためのバルブ４１，
４２および成分調整器３３の制御は、制御器３２の指示
にもとづいて行われる。
【００４９】これに対して、制御器３２を除去して、こ
れらの処理を手動で実行することも可能である。また、
成分分析器３１を除去して、あらかじめ確認されたデー
タにもとづいて、メッキ液の調整を行うことも可能であ
る。さらに、成分調整器３３を除去して、あらかじめ調
合された補充液を、手動で循環タンク１または２へ補充
することも可能である。ただし、これらの形態に比べ
て、制御器３２を備える装置１０１は、処理の能率およ
び精度の上で優れている。
【００５０】さらに、循環タンクを３個以上とすること
も可能である。図３は、３個の循環タンク１〜３を備え
たメッキ装置１０１ａを例示している。循環タンク３は
ＴＯＣＵＶランプ１３を有している。循環タンク３には
バルブ２５，２６が接続されている。また、バルブ４
１，４２は、３個の循環タンク１〜３の一つを自在に選
択可能である。バルブ２１〜２６は、循環タンク１〜３
のうちの一つを選択して、メッキチャンバ２０へ連通さ
せる。循環タンク１〜３のうち休止中の２個の循環タン
クに対して、図２のステップＳ６〜Ｓ８の処理が行われ
る。例えば、休止中の２個の循環タンクのうちの一方に
ステップＳ６，Ｓ７の処理を実行しつつ、他方にはステ
ップＳ８の処理を実行することが可能である。処理量が
所定量に達するまでの時間、すなわちバルブ２１〜２６
の切り替えの周期が、一つの循環タンクに対するステッ
プＳ６〜Ｓ８の処理に要する時間よりも短いときに、装
置１０１ａは有効である。
【００５１】実施の形態２．図４は、実施の形態２によ
るメッキ装置の構成を示すブロック図である。このメッ
キ装置１０２は、２個の循環タンク１，２のうちの一つ
（図４の例では循環タンク１）にのみＴＯＣＵＶランプ
１１が設けられ、成分調整器３３および成分分析器３１
は、上記一つにのみ接続されている点において、装置１
０１とは特徴的に異なっている。バルブ４１，４２（図
１）は除去されている。
【００５２】図５は、装置１０２の動作説明図である。
図５の例では、メッキチャンバ２０を流れるメッキ液の
２０％が循環タンク１を流れ、８０％が循環タンク２を
流れる。バルブ２１〜２４は、循環タンク１，２を循環
するメッキ液の流量を調節する機能を果たしている。Ｔ
ＯＣＵＶランプ１１は、常時点灯してもよいが、好まし
くはメッキチャンバ２０でメッキ処理が行われている期
間に限り点灯させる。循環するメッキ液の２０％が循環
タンク１を通過するため、循環経路を一巡するごとに、
メッキ液に含まれる阻害物質は２０％低減される。
【００５３】メッキチャンバ２０から循環タンク１，２
へ向かうメッキ液に含まれる各成分の濃度は、例えば、
図５の左下に描かれる通りとなっている。このとき、循
環タンク２を通過しても、メッキ液の成分構成に変化は
ない。これに対して、循環タンク１を通過したメッキ液
では、阻害物質が分解されており、その濃度はゼロとな
っている。また、ブライトナおよびキャリアの成分によ
っては、これらの濃度も低下する場合がある。図５に
は、ブライトナの濃度が０．９９ｍＬ／Ｌから０．５ｍ
Ｌ／Ｌへ半減し、キャリアの濃度が２４．９８ｍＬ／Ｌ
から１３ｍＬ／Ｌへ半減する例を示している。
【００５４】その後、二つの循環タンク１，２を通過し
たメッキ液は合流する。合流した後の各成分の濃度の適
正値からのずれを補正するために、循環タンク１内のメ
ッキ液にブライトナおよびキャリアを補充する。補充量
は、２個の循環タンク１，２へ分流する比率にもとづい
て算出する。図５の例では、ブライトナが１．０４ｍＬ
／Ｌとなり、キャリアが２５．０８ｍＬ／Ｌとなるよう
に、成分の調整が行われる。その結果、合流後のメッキ
液では、ブライトナが１．０ｍＬ／Ｌとなり、キャリア
が２５ｍＬ／Ｌとなる。また、阻害物質は、０．０２４
ｍＬ／Ｌとなる。他の成分については、メッキ液が循環
タンク１，２へ入る前と合流した後との間で、変動はな
い。ブライトナおよびキャリアの補充に加えて、無機成
分に変動がある場合には、無機成分を補充することも可
能である。
【００５５】このように、メッキ液が一巡する毎に、阻
害物質が２０％低減され、各成分濃度が適正な許容範囲
内に調整されたメッキ液が、常にメッキチャンバ２０へ
供給される。すなわち、適切に調整されたメッキ液を用
いて、かつメッキ液を廃棄することなく、連続的にメッ
キ処理を行うことが可能である。
【００５６】装置１０２では、流量比を調整するバルブ
２１〜２４、およびメッキ液の調整のための成分調整器
３３の制御は、制御器３２の指示にもとづいて自動的に
行われる。また、ＴＯＣＵＶランプ１１をメッキ処理中
にのみ点灯させる制御も、制御器３２によって行われ
る。成分調整器３３の制御は、流量比と成分分析器３１
による分析結果との双方にもとづいて、適切に行われ
る。これに対して、制御器３２を除去して、これらの処
理を手動で実行することも可能である。また、成分分析
器３１を除去して、あらかじめ確認されたデータにもと
づいて、メッキ液の調整を行うことも可能である。さら
に、成分調整器３３を除去して、あらかじめ調合された
補充液を、手動で循環タンク１へ補充することも可能で
ある。また、バルブ２１〜２４を除去して、流量比を固
定することも可能である。
【００５７】実施の形態３．図６は、実施の形態３によ
るメッキ装置の構成を示すブロック図である。このメッ
キ装置１０３は、ＴＯＣＵＶランプ１１が、メッキ液を
電気分解する一対の電極１５，１６へ置き換えられ、Ｔ
ＯＣＵＶランプ１２が、同様の一対の電極１７，１８に
置き換えられている点において、装置１０１とは特徴的
に異なっている。また、電極１４〜１６へ電流を供給す
る電源６０が、さらに設けられている。制御器３２は、
ＴＯＣＵＶランプ１１，１２（図１）の制御に代えて、
電源６０を制御する。電極１４〜１６の材料として、白
金、酸化イリジウムなどの電気化学的に貴な金属を用い
ることが可能である。
【００５８】電極１５，１６の対、または電極１７，１
８の対に電流を供給することにより、メッキ液を電気分
解することができる。このときに、電極の表面で阻害物
質が分解される。すなわち、電極１５〜１８は、装置１
０１（図１）におけるＴＯＣＵＶランプ１１，１２と同
等の機能を果たす。
【００５９】図７は、装置１０３を用いて半導体基板へ
メッキ処理を施すメッキ方法の手順を示すフローチャー
トである。この方法は、ステップＳ６がステップＳ１１
へ置き換えられている点において、図２の手順とは特徴
的に異なっている。すなわち、ステップＳ１１およびＳ
７を通じて、休止中の循環タンク１（または２）の中の
メッキ液に含まれる阻害物質が無害化されるまで、一対
の電極１５，１６（または１７，１８）へ電流が供給さ
れる。
【００６０】図６へ戻って、一対の電極１５，１６（ま
たは１７，１８）のうち、少なくとも陽極となる電極に
ついては、その材料の主成分として、メッキされる材料
の主成分と同一の銅を用いるのが、より好ましい。この
場合には、陽極および陰極では、つぎの化学式が示す電
極反応が生じる。すなわち、陽極の銅が銅イオンとなっ
てメッキ液中に溶解するので、メッキ液に含まれるメッ
キ材料である銅の濃度に変動を生じることなく、銅の濃
度を一定に保持することが可能となる。すなわち、メッ
キ材料の濃度を調整する必要がなくなる。
【００６１】
【化２】
【００６２】電極１５〜１８のすべてについて、その材
料の主成分として、メッキされる材料の主成分と同一の
銅を用いるのが、さらに好ましい。このとき、陽極が消
耗するのにともなって、等量だけ陰極が肥大する。した
がって、一対の電極１５，１６（または１７，１８）の
間で、電流の極性を反復的に切り替えることにより、あ
るいは、一対の電極１５，１６（または１７，１８）の
間で電極を互いに交換することにより、電極１５〜１８
を半永久的に使用することが可能となる。この目的のた
めに、電源６０には、極性を反転するスイッチ機構が組
み込まれるのが望ましい。このスイッチ機構は、制御器
３２によって制御される。
【００６３】実施の形態４．図８は、実施の形態４によ
るメッキ装置の構成を示すブロック図である。このメッ
キ装置１０４は、循環タンク２がバッファタンク４へ置
き換えられている点において、装置１０１（図１）とは
特徴的に異なっている。バッファタンク４と循環タンク
１との間でメッキ液が循環可能なように、バッファタン
ク４は配管７３，７４を通じて循環タンク１に連通して
いる。また、循環タンク１とバッファタンク４との間を
循環するメッキ液の循環経路のいずれかの部位には、メ
ッキ液を循環させるためのポンプ７５が介挿されてい
る。図８の例では、ポンプ７５は配管７４へ介挿されて
いる。バッファタンク４にはＴＯＣＵＶランプ１４が設
けられるが、循環タンク１にはＴＯＣＵＶランプは設け
られなくても良い。メッキ液の成分を補充する成分調整
器３３は、循環タンク１とバッファタンク４との間を循
環するメッキ液の循環経路のいずれかの部位に連通す
る。図８の例では、成分調整器３３は配管７４へ連通し
ている。
【００６４】図８には、成分分析器３１および制御器３
２を除去した例を示しているが、これらを備えても良
い。成分分析器３１は、バッファタンク４の中のメッキ
液の成分を分析可能なように、バッファタンク４へ連通
させると良い。制御器３２は、成分調整器３３による分
析結果にもとづいて、ＴＯＣＵＶランプ１４および成分
調整器３３を制御するように構成すると良い。
【００６５】装置１０４では、バッファタンク４をクリ
ーンエリア７０の外部、例えばサブクリーンエリア、あ
るいは図８が示すようにクリーンエリア７０の床７１の
下方（例えば、下の階）へ設置することができる。この
ため、維持費の高いクリーンエリア７０の面積を節減す
ることができるという利点が得られる。
【００６６】図９は、装置１０４を用いて半導体基板へ
メッキ処理を施すメッキ方法の手順を示すフローチャー
トである。処理を開始する前の準備として、メッキ液を
調整し、メッキ液の二つの循環経路、すなわちメッキチ
ャンバ２０、配管５１，５２、循環タンク１、配管７
３，７４、およびバッファタンクに、調整したメッキ液
を満たす。
【００６７】準備が完了すると、ポンプ５３を作動さ
せ、メッキチャンバ２０で半導体基板へのメッキ処理を
行う（ステップＳ２１）。ステップＳ２１と並行して、
以下のステップＳ２２〜Ｓ２４を実行する。ステップＳ
２２〜Ｓ２４の処理も、互いに並行して行われる。ステ
ップＳ２２では、ポンプ７４を作動させ、循環タンク１
とバッファタンク４との間でメッキ液を循環させる。ス
テップＳ２３では、ＴＯＣＵＶランプ１４を点灯させる
ことにより、メッキ液の中の阻害物質を無害化させる。
ステップＳ２４では、循環タンク１とバッファタンク４
との間を循環するメッキ液へ、メッキ液の成分を補充す
る。処理を終了すべき時が到来する（ステップＳ２５）
まで、ステップＳ２１〜Ｓ２４の処理を反復する。
【００６８】以上の手順により、阻害物質の濃度が低く
抑えられ、かつ各成分濃度が適正な許容範囲内に調整さ
れたメッキ液が、常にメッキチャンバ２０へ供給され
る。すなわち、適切に調整されたメッキ液を用いて、か
つメッキ液を廃棄することなく、連続的にメッキ処理を
行うことが可能である。なお、ＴＯＣＵＶランプ１４に
代えて、装置１０３（図６）と同様に、電極１５，１６
を用いることも可能である。
【００６９】実施の形態５．図１０は、実施の形態５に
よるメッキ装置の構成を示すブロック図である。このメ
ッキ装置１０５のように、循環タンク１とメッキチャン
バ２０との間を循環するメッキ液の循環経路に、炭酸ガ
ス除去膜５４が介挿されるのみで、ＴＯＣＵＶランプ等
の有機物質分解手段を設けず、成分調整器３３も設けな
い形態を実施することも可能である。有機物質分解手段
がなくても、炭酸ガスはメッキチャンバ２０におけるメ
ッキ処理にともなって発生する。この炭酸ガスを連続的
に除去することにより、炭酸ガスに由来するメッキ不良
を、メッキ処理の中断なく、かつメッキ液の交換なしに
抑制することができる。
【００７０】
【発明の効果】第１の発明の装置では、各々が有機物質
分解手段を有する複数の循環タンクが、選択自在かつメ
ッキ液を循環可能なように、メッキチャンバへ連通す
る。このため、メッキチャンバへ連通する循環タンクを
順次切り替え、メッキチャンバへ連通しない循環タンク
の有機物質分解手段を作動させることにより、メッキチ
ャンバによる処理対象へのメッキ処理を、メッキ処理を
阻害する有機物質の濃度の低いメッキ液を用いて、かつ
中断なしで、さらにメッキ液の廃棄をともなうことなく
実行することができる。
【００７１】第２の発明の装置では、成分調整器と第２
バルブとが備わるので、メッキチャンバへ連通しない循
環タンクのメッキ液の成分の濃度が適度となるまで、成
分を補充することができる。それによって、メッキチャ
ンバによる処理対象へのメッキ処理を、適切な成分濃度
のメッキ液を用いて、かつ中断なしで実行することがで
きる。
【００７２】第３の発明の装置では、成分分析器と第３
バルブとが備わるので、メッキチャンバへ連通しない循
環タンクのメッキ液の成分を分析することができる。こ
のため、分析結果にもとづいて高い精度でかつ容易に、
成分濃度の調整を行うことができる。
【００７３】第４の発明の装置では、制御器が備わるの
で、メッキチャンバへ連通する循環タンクの切り替え、
有機物質の分解、およびメッキ液の成分の調整が、自動
的に行われる。
【００７４】第５の発明の装置では、メッキ液を循環可
能なようにメッキチャンバへ２個の循環タンクが連通
し、２個の循環タンクの一方には有機物質分解手段が備
わる。このため、２個の循環タンクとメッキチャンバと
の間でメッキ液を循環させつつ有機物質分解手段を作動
させることにより、メッキチャンバによる処理対象への
メッキ処理を、メッキ処理を阻害する有機物質の濃度の
低いメッキ液を用いて、かつ中断なしで、さらにメッキ
液の廃棄をともなうことなく実行することができる。
【００７５】第６の発明の装置では、成分調整器が備わ
るので、循環するメッキ液の成分の濃度が適度な範囲に
保持されるように、成分を補充することができる。それ
によって、メッキチャンバによる処理対象へのメッキ処
理を、適切な成分濃度のメッキ液を用いて、かつ中断な
しで実行することができる。
【００７６】第７の発明の装置では、成分分析器が備わ
るので、分析結果にもとづいて高い精度でかつ容易に、
成分濃度の調整を行うことができる。
【００７７】第８の発明の装置では、制御器が備わるの
で、有機物質の分解、およびメッキ液の成分の調整が、
自動的に行われる。
【００７８】第９の発明の装置では、制御器が備わるの
で、必要なときに自動的に有機物質の分解が行われる。
すなわち、人手を要することなく、有機物質の分解が無
駄なく、有効に実行される。
【００７９】第１０の発明の装置では、有機物質分解手
段を有するバッファタンクが、循環タンクに連通してい
る。このため、循環タンクとメッキチャンバとの間、お
よびバッファタンクと循環タンクとの間でメッキ液を循
環させつつ、有機物質分解手段を作動させることによ
り、メッキチャンバによる処理対象へのメッキ処理を、
メッキ処理を阻害する有機物質の濃度の低いメッキ液を
用いて、かつ中断なしで、さらにメッキ液の廃棄をとも
なうことなく実行することができる。さらに、半導体基
板へメッキ処理を行う用途において、バッファタンクを
クリーンエリアの外へ設置することができるので、維持
費の高いクリーンエリアの面積を節減することができ
る。
【００８０】第１１の発明の装置では、成分調整器が備
わるので、循環するメッキ液の成分の濃度が適度な範囲
に保持されるように、成分を補充することができる。そ
れによって、メッキチャンバによる処理対象へのメッキ
処理を、適切な成分濃度のメッキ液を用いて、かつ中断
なしで実行することができる。
【００８１】第１２の発明の装置では、有機物質分解手
段が紫外線ランプを有するので、有機物質の分解が有効
に行われ、かつ取り扱いが容易であり、さらに装置を低
廉なものとすることができる。
【００８２】第１３の発明の装置では、有機物質分解手
段が電気分解のための一対の電極を有するので、有機物
質の分解が有効に行われ、かつ取り扱いが容易であり、
さらに装置を低廉なものとすることができる。
【００８３】第１４の発明の装置では、一対の電極の少
なくとも一方の材料の主成分が、処理対象へメッキされ
る材料の主成分と同一である。このため、一方の電極を
陽極に用いることにより、メッキ処理にともなう主成分
の減少を補うことができる。
【００８４】第１５の発明の装置では、一対の電極の双
方の材料の主成分が、処理対象へメッキされる材料の主
成分と同一である。このため、一対の電極へ供給する電
流の極性を反復的に切り替えるか、あるいは、一対の電
極を反復的に互いに交換することにより、一対の電極の
消耗を抑えることができる。
【００８５】第１６の発明の装置では、電流供給手段が
備わるので、一対の電極へ供給する電流の極性を反復的
に切り替えることによって、一対の電極の消耗を抑える
ことができる。
【００８６】第１７の発明の装置では、炭酸ガス除去膜
が備わるので、有機物質の分解にともなって発生する炭
酸ガス、およびメッキチャンバでのメッキ処理にともな
って発生する炭酸ガスを、効果的に除去することができ
る。
【００８７】第１８の発明の装置では、炭酸ガス除去膜
が備わるので、メッキチャンバでのメッキ処理にともな
って発生する炭酸ガスを、メッキ処理の中断なく、かつ
メッキ液の廃棄をともなうことなく、効果的に除去する
ことができる。
【００８８】第１９の発明の方法では、第１の発明のメ
ッキ装置を用いることにより、処理対象へメッキ処理が
施される。しかも、第１バルブおよび有機物質分解手段
が所定の手順で操作され、かつメッキ液の成分の補充が
所定の手順で行われるので、メッキ処理を阻害する有機
物質の濃度が低く、かつ成分濃度が適切に調整されたメ
ッキ液を用いて、メッキ液の廃棄をともなうことなく、
さらに中断なくメッキ処理を実行することができる。
【００８９】第２０の発明の方法では、第５の発明のメ
ッキ装置を用いることにより、処理対象へメッキ処理が
施される。しかも、有機物質分解手段が所定の手順で操
作され、かつメッキ液の成分の補充が所定の手順で行わ
れるので、メッキ処理を阻害する有機物質の濃度が低
く、かつ成分濃度が適切に調整されたメッキ液を用い
て、メッキ液の廃棄をともなうことなく、さらに中断な
くメッキ処理を実行することができる。
【００９０】第２１の発明の方法では、第１０の発明の
メッキ装置を用いることにより、処理対象へメッキ処理
が施される。しかも、有機物質分解手段が所定の手順で
操作され、かつメッキ液の成分の補充が所定の手順で行
われるので、メッキ処理を阻害する有機物質の濃度が低
く、かつ成分濃度が適切に調整されたメッキ液を用い
て、メッキ液の廃棄をともなうことなく、さらに中断な
くメッキ処理を実行することができる。
【００９１】第２２の発明の方法では、第１４の発明の
メッキ装置を用いることにより、処理対象へメッキ処理
が施される。しかも、一対の電極へ供給する電流の極性
が反復的に切り替えられるので、一対の電極の消耗を抑
えることができる。
【００９２】第２３の発明の製造方法では、本発明のメ
ッキ装置を用いることによって、デザインルールの厳し
い先端的な半導体装置を、低コストで、かつ環境に負荷
を与えることなく製造することができる。
【００９３】第２４の発明の製造方法では、本発明のメ
ッキ方法を用いることによって、デザインルールの厳し
い先端的な半導体装置を、低コストで、かつ環境に負荷
を与えることなく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１による装置のブロック図であ
る。
【図２】 図１の装置を用いたメッキ方法の手順を示す
流れ図である。
【図３】 実施の形態１の別の例による装置のブロック
図である。
【図４】 実施の形態２による装置のブロック図であ
る。
【図５】 図４の装置の動作説明図である。
【図６】 実施の形態３による装置のブロック図であ
る。
【図７】 図６の装置を用いたメッキ方法の手順を示す
流れ図である。
【図８】 実施の形態４による装置のブロック図であ
る。
【図９】 図８の装置を用いたメッキ方法の手順を示す
流れ図である。
【図１０】 実施の形態５による装置のブロック図であ
る。
【符号の説明】
１〜３ 循環タンク、４ バッファタンク、１１〜１４
ＴＯＣＵＶランプ（紫外線ランプ，有機物質分解手
段）、１５〜１８ 電極（有機物質分解手段）、２１〜
２６，４１，４２ バルブ、３１ 成分分析器、３２
制御器、３３ 成分調整器、５３，７５ ポンプ、５４
炭酸ガス除去膜、５１，５２，７３，７４ 配管、６
０ 電源（電流供給手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 17/06 Ｃ２５Ｄ 17/06 Ｃ 21/14 21/14 Ｂ 21/18 21/18 Ｇ

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬さ
    れる処理対象へメッキ処理を施すためのメッキチャンバ
    と、 前記メッキ液に含まれる有機物質を分解する有機物質分
    解手段を各々が有する複数の循環タンクと、 前記複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選択した
    ものと前記メッキチャンバとの間で前記メッキ液を循環
    可能に連通させる第１バルブと、 前記複数の循環タンクのうちの選択された前記一つと前
    記メッキチャンバとの間で、前記メッキ液を循環させる
    ポンプと、を備えるメッキ装置。
  2. 【請求項２】 前記メッキ液の成分を補充する成分調整
    器と、 前記複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選択した
    ものと前記成分調整器とを連通させる第２バルブと、を
    さらに備える、請求項１に記載のメッキ装置。
  3. 【請求項３】 前記メッキ液の成分を分析する成分分析
    器と、 前記複数の循環タンクの一つを自在に選択し、選択した
    ものと前記成分分析器とを連通させる第３バルブと、を
    さらに備える、請求項２に記載のメッキ装置。
  4. 【請求項４】 前記第１ないし第３バルブ、前記有機物
    質分解手段、および前記成分調整器を制御する制御器
    を、さらに備え、 前記制御器は、 前記メッキ処理が所定量に達する毎に前記第１バルブを
    順次切り替え、 前記複数の循環タンクのうち前記第１バルブが選択しな
    いものについて、前記有機物質の濃度が許容範囲に達し
    たことを前記成分分析器の分析結果が示すまで、前記有
    機物質分解手段を作動させ、 前記複数の循環タンクのうち前記第１バルブが選択しな
    いものについて、前記メッキ液の成分の濃度が許容範囲
    に達したことを前記成分分析器の分析結果が示すまで、
    前記成分調整器を作動させる、請求項３に記載のメッキ
    装置。
  5. 【請求項５】 メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬さ
    れる処理対象へメッキ処理を施すためのメッキチャンバ
    と、 前記メッキ液に含まれる有機物質を分解する有機物質分
    解手段を一方が有し、各々が自身と前記メッキチャンバ
    との間で前記メッキ液を循環可能なように前記メッキチ
    ャンバへ連通する、２個の循環タンクと、 前記２個の循環タンクと前記メッキチャンバとの間で、
    前記メッキ液を循環させるポンプと、を備えるメッキ装
    置。
  6. 【請求項６】 前記メッキ液の成分を、循環するメッキ
    液へ補充する成分調整器を、さらに備える、請求項５に
    記載のメッキ装置。
  7. 【請求項７】 循環する前記メッキ液の成分を分析する
    成分分析器を、さらに備える、請求項６に記載のメッキ
    装置。
  8. 【請求項８】 前記有機物質分解手段、および前記成分
    調整器を制御する制御器を、さらに備え、 前記制御器は、 前記メッキ液の成分の濃度が許容範囲にあることを前記
    成分分析器の分析結果が示すように、前記成分調整器を
    制御する、請求項７に記載のメッキ装置。
  9. 【請求項９】 前記有機物質分解手段を制御する制御器
    を、さらに備え、 前記制御器は、 前記メッキチャンバが、前記処理対象へ前記メッキ処理
    を施している期間に限り、前記有機物質分解手段を作動
    させる、請求項５ないし請求項７のいずれかに記載のメ
    ッキ装置。
  10. 【請求項１０】 メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬
    される処理対象へメッキ処理を施すためのメッキチャン
    バと、 自身と前記メッキチャンバとの間で前記メッキ液を循環
    可能なように前記メッキチャンバへ連通する循環タンク
    と、 前記メッキ液に含まれる有機物質を分解する有機物質分
    解手段を有し、自身と前記循環タンクとの間で前記メッ
    キ液を循環可能なように前記循環タンクへ連通する、バ
    ッファタンクと、 前記循環タンクと前記メッキチャンバとの間で、前記メ
    ッキ液を循環させる第１ポンプと、 前記バッファタンクと前記循環タンクとの間で、前記メ
    ッキ液を循環させる第２ポンプと、を備えるメッキ装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記メッキ液の成分を、前記バッファ
    タンクと前記循環タンクとの間を循環するメッキ液へ補
    充する成分調整器を、さらに備える、請求項１０に記載
    のメッキ装置。
  12. 【請求項１２】 前記有機物質分解手段が、紫外線を発
    生する紫外線ランプを有する、請求項１ないし請求項１
    １のいずれかに記載のメッキ装置。
  13. 【請求項１３】 前記有機物質分解手段が、前記メッキ
    液を電気分解する一対の電極を有する、請求項１ないし
    請求項１１のいずれかに記載のメッキ装置。
  14. 【請求項１４】 前記一対の電極の少なくとも一方の材
    料の主成分が、前記処理対象へメッキされる材料の主成
    分と同一である、請求項１３に記載のメッキ装置。
  15. 【請求項１５】 前記一対の電極の双方の材料の主成分
    が、前記処理対象へメッキされる前記材料の前記主成分
    と同一である、請求項１４に記載のメッキ装置。
  16. 【請求項１６】 極性を切り替え自在に、前記一対の電
    極へ電流を供給する電流供給手段を、さらに備える、請
    求項１５に記載のメッキ装置。
  17. 【請求項１７】 前記メッキ液の循環経路に介挿され、
    前記メッキ液から炭酸ガスを除去する炭酸ガス除去膜
    を、さらに備える、請求項１ないし請求項１６のいずれ
    かに記載のメッキ装置。
  18. 【請求項１８】 メッキ液を収容し当該メッキ液へ浸漬
    される処理対象へメッキ処理を施すためのメッキチャン
    バと、 前記メッキ液を循環可能なように前記メッキチャンバに
    連通する循環経路と、 前記循環経路に介挿され、前記メッキ液を循環させるポ
    ンプと、 前記循環経路に介挿され、前記メッキ液から炭酸ガスを
    除去する炭酸ガス除去膜と、を備えるメッキ装置。
  19. 【請求項１９】 (a)請求項１に記載のメッキ装置を準
    備する工程と、 (b)前記処理対象を準備する工程と、 (c)前記メッキ装置を用いて前記処理対象へ前記メッキ
    処理を施す処理工程であって、 (c-1)前記メッキ処理が所定量に達する毎に前記第１バ
    ルブを順次切り替える処理工程と、 (c-2)前記複数の循環タンクのうち前記第１バルブが選
    択しないものについて、前記有機物質の濃度が許容範囲
    に達するまで、前記有機物質分解手段を作動させる工程
    と、 (c-3)前記複数の循環タンクのうち前記第１バルブが選
    択しないものについて、前記メッキ液の成分の濃度が許
    容範囲に達するまで、前記メッキ液の前記成分を補充す
    る工程と、を有する処理工程と、 を備えるメッキ方法。
  20. 【請求項２０】 (a)請求項５に記載のメッキ装置を準
    備する工程と、 (b)前記処理対象を準備する工程と、 (c)前記メッキ装置を用いて前記処理対象へ前記メッキ
    処理を施す処理工程であって、 (c-1)循環する前記メッキ液の成分の濃度が許容範囲に
    あるように、前記成分を補充する工程、を有する処理工
    程と、 を備えるメッキ方法。
  21. 【請求項２１】 (a)請求項１０に記載のメッキ装置を
    準備する工程と、 (b)前記処理対象を準備する工程と、 (c)前記メッキ装置を用いて前記処理対象へ前記メッキ
    処理を施す処理工程であって、 (c-1)前記メッキチャンバと前記メッキチャンバとの間
    で前記メッキ液を循環させる工程と、 (c-2)前記工程(c-1)と並行して、前記循環タンクと前記
    メッキチャンバとの間で、前記メッキ液を循環させる工
    程と、 (c-3)前記工程(c-2)と並行して、前記有機物質分解手段
    を作動させる工程と、 (c-4)前記工程(c-2)と並行して、前記メッキ液の成分
    を、前記バッファタンクと前記循環タンクとの間を循環
    するメッキ液へ補充する工程と、を有する処理工程と、 を備えるメッキ方法。
  22. 【請求項２２】 (a)請求項１４に記載のメッキ装置を
    準備する工程と、 (b)前記処理対象を準備する工程と、 (c)前記メッキ装置を用いて前記処理対象へ前記メッキ
    処理を施す処理工程と、 (d)前記一対の電極に供給する電流の極性を、反復的に
    切り替える工程と、を備える、メッキ方法。
  23. 【請求項２３】 (a)請求項１ないし請求項１８のいず
    れかに記載のメッキ装置を準備する工程と、 (b)前記処理対象として半導体基板を準備する工程と、 (c)前記メッキ装置を用いて前記半導体基板へ半導体装
    置の材料をメッキ処理する工程と、を備える半導体装置
    の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１９ないし請求項２２のいずれ
    かに記載のメッキ方法を用いて、前記処理対象としての
    半導体基板へ半導体装置の材料をメッキ処理する、半導
    体装置の製造方法。
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