TWI535888B - Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium - Google Patents

Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium Download PDF

Info

Publication number
TWI535888B
TWI535888B TW101123280A TW101123280A TWI535888B TW I535888 B TWI535888 B TW I535888B TW 101123280 A TW101123280 A TW 101123280A TW 101123280 A TW101123280 A TW 101123280A TW I535888 B TWI535888 B TW I535888B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
plating solution
nozzle
plating
temperature
Prior art date
Application number
TW101123280A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201319312A (zh
Inventor
Yuichiro Inatomi
Takashi Tanaka
Mitsuaki Iwashita
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201319312A publication Critical patent/TW201319312A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI535888B publication Critical patent/TWI535888B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/1676—Heating of the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1675—Process conditions
    • C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體
本發明，是有關於朝基板的表面供給電鍍液來進行電鍍處理用的電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
近年來，在半導體晶圓和液晶基板等的基板中，為了在表面形成電路而被施加配線。此配線，是取代鋁素材而利用電阻較低且信賴性較高的銅素材者。但是，銅與鋁相比較因為容易被氧化，所以為了防止銅配線表面的氧化，期望藉由具有較高的電移耐性的金屬進行電鍍處理。
電鍍處理，是例如，藉由朝形成有銅配線的基板的表面供給無電解電鍍液而被實施。例如在專利文獻1中的電鍍處理裝置，具備：將基板旋轉的基板旋轉機構、及在基板上將電鍍液吐出的噴嘴、及將噴嘴沿著基板的方向移動的噴嘴移動機構。依據專利文獻1的電鍍處理裝置的話，藉由一邊將基板旋轉一邊供給電鍍液，在基板的表面上形成電鍍液的均勻地流動。藉此，橫跨基板的表面全域均勻地被施加電鍍處理。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-249679號公報
由無電解電鍍所進行的電鍍處理，已知會受到電鍍液的組成、溫度等的反應條件的影響。但是，一邊將基板旋轉一邊供給電鍍液的情況時，電鍍液是成為從基板的中心部朝向周緣部流動。因此，基板上的電鍍液的溫度，是被認為會隨著從基板的中心部朝向周緣部變低。因此，電鍍液的反應條件，是被認為基板的中心部及基板的周緣部為相異。
本發明的目的是提供一種可有效地解決這種課題的電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體。
依據本發明的第1觀點的話，可提供一種電鍍處理裝置，是朝基板供給電鍍液來進行電鍍處理，其特徵為，具備：將前述基板保持並使旋轉的基板旋轉保持機構、及朝向被保持在前述基板旋轉保持機構的前述基板將電鍍液吐出的吐出機構、及朝前述吐出機構供給電鍍液的電鍍液供給機構、及將前述吐出機構及前述電鍍液供給機構控制的控制機構，前述吐出機構，是具有：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，前述電鍍液供給機構，是使被供給至前述第1噴嘴的電鍍液的溫度比被供給至前述第2噴嘴的電鍍 液的溫度更高。
依據本發明的第2觀點的話，可提供一種電鍍處理方法，是對基板供給電鍍液來進行電鍍處理，其特徵為：具備：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上、及朝前述基板透過吐出機構將電鍍液吐出的過程，前述吐出機構，是配置：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，從前述第1噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度，是比從前述第2噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度更高。
依據本發明的第3觀點的話，可提供一種記憶媒體，是容納有使電鍍處理裝置實行電鍍處理方法用的電腦程式，其特徵為：前述電鍍處理方法，是朝基板供給電鍍液並進行電鍍處理的方法，具備：將基板配置於基板旋轉保持機構上、及朝前述基板透過吐出機構將電鍍液吐出的過程，前述吐出機構，是配置：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，從前述第1噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度，是比從前述第2噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度更高。
依據本發明的話，朝向基板將電鍍液吐出的吐出機構 ，是具有：包含朝向基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比第1噴嘴的吐出口更接近基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴。且，朝吐出機構供給電鍍液的電鍍液供給機構，是使被供給至第1噴嘴的電鍍液的溫度比被供給至第2噴嘴的電鍍液的溫度更高。因此，在基板的周緣部，從第1噴嘴被供給的電鍍液及從第2噴嘴被供給的電鍍液會被混合，藉此，基板的周緣部中的電鍍液的溫度，即使是比從第1噴嘴被吐出的時的電鍍液的溫度更低的情況，也可以抑制在基板的周緣部中的電鍍液的溫度及基板的中心部或中心部附近中的電鍍液的溫度之間發生差異。藉此，可以抑制在：基板的中心部中的電鍍液的反應條件、及基板的周緣部中的電鍍液的反應條件之間發生差異。
以下，參照第1圖乃至第9圖(a)~(e)，說明本發明的實施例。首先由第1圖，說明本實施例中的電鍍處理系統1整體。
電鍍處理系統
如第1圖所示，電鍍處理系統1，是包含：載置將基板2(在此為半導體晶圓)複數枚(例如25枚)收容的載體3並將基板2每次預定枚數地搬入及搬出用的基板搬入出室5、及進行基板2的電鍍處理和洗淨處理等的各種的處理 用的基板處理室6。基板搬入出室5及基板處理室6，是被鄰接地設置。
(基板搬入出室)
基板搬入出室5，是具有：將載體載置部4、搬運裝置8收容的搬運室9、將基板收授台10收容的基板收授室11。在基板搬入出室5中，搬運室9及基板收授室11是透過收授口12被連通連結。載體載置部4，是載置複數個在水平狀態下收容複數基板2的載體3。在搬運室9中，基板2的搬運被進行，在基板收授室11中，在與基板處理室6之間進行基板2的收授。
在這種基板搬入出室5中，在被載置於載體載置部4的其中任一個的載體3及基板收授台10之間，藉由搬運裝置8使基板2每次預定枚數地被搬運。
(基板處理室)
且基板處理室6，是具有：在中央部朝前後延伸的基板搬運單元13、及在基板搬運單元13的一方側及另一方側朝前後被並列配置且朝基板2供給電鍍液來進行電鍍處理的複數電鍍處理裝置20。
其中基板搬運單元13，是包含構成可朝前後方向移動的基板搬運裝置14。且基板搬運單元13，是透過基板搬入出口15與基板收授室11的基板收授台10連通。
在這種基板處理室6中，對於各電鍍處理裝置20， 藉由基板搬運單元13的基板搬運裝置14，使基板2，是在1枚1枚地被水平保持的狀態下被搬運。且，在各電鍍處理裝置20中，基板2，是1枚1枚地被洗淨處理及電鍍處理。
各電鍍處理裝置20，是只有使用的電鍍液等不同，其他的點是由大致相同構成所構成。因此，在以下的說明中，說明複數電鍍處理裝置20之中的一個電鍍處理裝置20的構成。
電鍍處理裝置
以下，參照第2圖及第3圖，說明電鍍處理裝置20。第2圖，是顯示電鍍處理裝置20的側面圖，第3圖，是顯示電鍍處理裝置20的俯視圖。
電鍍處理裝置20，是如第2圖及第3圖所示，具備：由外殼101的內部將基板2保持並使旋轉的基板旋轉保持機構110、及朝向被保持在基板旋轉保持機構110的基板2的表面將電鍍液吐出的吐出機構21、及朝吐出機構21供給電鍍液的電鍍液供給機構30、及藉由昇降機構164朝上下方向被驅動並將藉由具有排出口124、129、134的杯105從基板2飛散的電鍍液等朝各別排出口124、129、134收集並排出的液排出機構120、125、130、及將基板旋轉保持機構110、吐出機構21及電鍍液供給機構30控制的控制機構160。
(基板旋轉保持機構)
其中基板旋轉保持機構110，是如第2圖及第3圖所示，具有：在外殼101內朝上下延伸的中空圓筒狀的旋轉軸111、及被安裝於旋轉軸111的上端部的旋轉台112、及設在旋轉台112的上面外周部並將基板2支撐的晶圓挾盤113、及將旋轉軸111旋轉驅動的旋轉機構162。其中旋轉機構162，是藉由控制機構160被控制，藉由旋轉機構162使旋轉軸111被旋轉驅動，藉此，使藉由晶圓挾盤113被支撐的基板2被旋轉。
(吐出機構)
接著說明，朝向基板2將電鍍液等吐出的吐出機構21。吐出機構21，是包含朝向基板2將CoP電鍍液等的化學還元型的電鍍液吐出的第1噴嘴40及第2噴嘴45。化學還元型的電鍍液，是從電鍍液供給機構30被供給至第1噴嘴40及第2噴嘴45。對於第1噴嘴40及第2噴嘴45的詳細是如後述。
且吐出機構21，是如第2圖所示，進一步具有包含吐出口71及吐出口72的第3噴嘴70也可以。如第2圖及第3圖所示，第3噴嘴70，是被安裝於臂74的先端部，此臂74，是被固定於可朝上下方向延伸並且藉由旋轉機構165被旋轉驅動的支撐軸73。
在第3噴嘴70中，吐出口71，是透過閥76a與供給置換型式的電鍍液例如Pd電鍍液的電鍍液供給機構76連 接。且吐出口72，是透過閥77a與供給洗淨處理液的洗淨處理液供給機構77連接。藉由設置這種第3噴嘴70，在一電鍍處理裝置20內，不是只有由化學還元型的電鍍液所產生的電鍍處理，也可實施由置換型式的電鍍液所產生的電鍍處理、及洗淨處理。
且如第2圖所示，在第3噴嘴70的吐出口72，透過閥78a進一步與供給在電鍍處理之前被實施的前處理用的前處理液例如純水等的清洗處理液的清洗處理液供給機構78連接也可以。此情況，藉由將閥77a及閥78a的開閉適切地控制，從吐出口72，選擇洗淨處理液或清洗處理液的其中任一朝基板2吐出。
[第1噴嘴]
如第2圖及第3圖所示，第1噴嘴40，是包含複數吐出口41。且第1噴嘴40，是被安裝於臂44的先端部，此臂44，是可朝上下方向延伸並且藉由旋轉機構165被固定於被旋轉驅動的支撐軸43。
如第3圖所示，第1噴嘴40的各吐出口41，是沿著基板2的半徑方向被並列設置。因此，對於基板2上的領域之中基板2的半徑方向中的預定範圍內的領域，可以將電鍍液從第1噴嘴40直接供給。在此的「直接供給」，是電鍍液到達基板2上的預定領域為止的路徑，不是使比該預定領域更基板2的中心側滴下的電鍍液藉由起因於基板2的旋轉的離心力成到達該預定領域的路徑，而是在該 預定領域上使電鍍液滴下的路徑的意思。
一般，電鍍處理裝置20內的環境溫度或是基板2的溫度，是比從第1噴嘴40或是第2噴嘴45朝向基板2被吐出時的電鍍液的溫度更低。因此，在基板2的中心部或是中心部附近被滴下的電鍍液是在基板2上藉由離心力朝外方流動時，電鍍液的溫度，是被認為會隨著朝向基板2的周緣側而降低。因此，只有在基板2的中心部或是中心部附近將電鍍液滴下，將該電鍍液藉由離心力遍及基板2全域的電鍍處理的情況時，基板2上的電鍍液的溫度，是被認為會隨著從基板2的中心部朝向周緣部變低。
在此依據本實施例的話，藉由設置上述的第1噴嘴40，對於基板2上的領域之中基板2的半徑方向中的預定範圍內的領域，可以將電鍍液從第1噴嘴40直接供給。因此，可以抑制：到達比基板2上的領域之中基板2的中心部更周緣側的領域的電鍍液的溫度、及到達基板的中心部的電鍍液的溫度之間發生差異。
[第2噴嘴]
接著說明第2噴嘴45。如第2圖及第3圖所示，第2噴嘴45是包含吐出口46。且第2噴嘴45，是被安裝於臂49的先端部，此臂49，是成為可朝基板2的半徑方向(在第2圖及第3圖藉由箭頭D所示的方向)進退自如。因此，第2噴嘴45，是成為可在：第2噴嘴45的吐出口46比第1噴嘴40的各吐出口41更接近基板2的中心部的中 心位置、及比中心位置更周緣側的周緣位置之間移動。又在第3圖中，中心位置中的第2噴嘴是由符號45'表示，周緣位置中的第2噴嘴是由符號45"表示。
接著參照第7圖，說明第2噴嘴45的吐出口46的具體的形狀。第7圖，是將第3圖所示的第2噴嘴45從VII-VII方向所見的剖面圖。又在第3圖中及第7圖中，由符號R1所示的箭頭，是顯示基板2右旋轉時的旋轉方向(第1旋轉方向)，由符號R2所示的箭頭，是顯示基板2左旋轉的時的旋轉方向(第2旋轉方向)。
如第7圖所示，第2噴嘴45的吐出口46，是包含沿著從基板2的法線方向(在第7圖由箭頭N所示的方向)傾斜的傾斜方向(在第7圖由箭頭S1所示的方向)朝向基板2將電鍍液35吐出的傾斜吐出口46a。在此的「傾斜」，是如第7圖，箭頭N及箭頭S1沒有平行，且箭頭N及箭頭S1沒有垂直地交叉的意思。
如第7圖所示，傾斜吐出口46a，是使傾斜吐出口46a的傾斜方向S1對應第1旋轉方向R1地構成。在此的「傾斜吐出口46a的傾斜方向S1是對應第1旋轉方向R1」，是顯示從傾斜吐出口46a被吐出的電鍍液的吐出方向的向量S1，是如第7圖所示，不具有基板2的第2旋轉方向R2的成分，而具有基板2的第1旋轉方向R1的成分的意思。又「傾斜吐出口46a的傾斜方向S1是對應第1旋轉方向R1」的文義及「第1旋轉方向R1是對應傾斜吐出口46a的傾斜方向S1」的文義是同義。
傾斜吐出口46a中的傾斜的程度雖未特別限定，但是例如使傾斜方向S1及基板的法線方向N形成的角度成為5~60度的範圍內地構成傾斜吐出口46a。
說明上述的吐出口46包含傾斜吐出口46a的優點。在此考慮，使用傾斜吐出口46a，在旋轉的基板2上將電鍍液35吐出的情況。此情況，與基板2衝突的電鍍液35給與基板2衝擊的大小，是依存於：在電鍍液35衝突的領域中的水平方向中的基板2的移動速度及水平方向中的電鍍液35的移動速度的差、及垂直方向中的電鍍液35的速度。在此，傾斜吐出口46a的傾斜方向S1是對應基板2的旋轉方向的情況時，在電鍍液35衝突的領域中的水平方向中的基板2的移動速度、及水平方向中的電鍍液35的移動速度之間的差會變小。因此，藉由構成傾斜吐出口46a的傾斜方向S1是對應基板2的旋轉方向的傾斜吐出口46a，就可減弱與基板2衝突的電鍍液35衝擊基板2。即，使用傾斜吐出口46a將電鍍液35朝向基板2吐出時，電鍍液35雖會衝擊基板2，但是基板2朝第1旋轉方向R1旋轉的情況，會比基板2朝第2旋轉方向R2旋轉的情況更小。
(電鍍液供給機構)
接著說明，在吐出機構21的第1噴嘴40及第2噴嘴45，供給CoP電鍍液等的化學還元型的電鍍液的電鍍液供給機構30。第4圖，是顯示電鍍液供給機構30的圖。
如第4圖所示，電鍍液供給機構30，是具有：將電鍍液35貯留的供給槽桶31、及將供給槽桶31的電鍍液35朝第1噴嘴40供給的第1供給管33A、及將供給槽桶31的電鍍液35朝第2噴嘴45供給的第2供給管33B。第1閥32A是被插入第1供給管33A中，第2閥32B是被插入第2供給管33B中。
且如第4圖所示，在供給槽桶31中，安裝有將電鍍液35加熱至貯留溫度的槽桶用加熱手段50。且在槽桶用加熱手段50及第1噴嘴40之間，在第1供給管33A，安裝有將電鍍液35加熱至比貯留溫度更高溫的第1吐出溫度的第1加熱手段60A。同樣地，在槽桶用加熱手段50及第2噴嘴45之間，在第2供給管33B，安裝有將電鍍液35加熱至比貯留溫度更高溫的第2吐出溫度的第2加熱手段60B。對於槽桶用加熱手段50、第1加熱手段60A及第2加熱手段60B，是如後詳細說明。
又上述的「貯留溫度」，是比由電鍍液35內的自我反應所產生的金屬離子的析出所進行的溫度(電鍍溫度)更低，且比常溫更高的預定的溫度。且「第1吐出溫度」及「第2吐出溫度」，是與上述的電鍍溫度等同，或是比電鍍溫度更高的預定的溫度。依據本實施例的話，如此，電鍍液35是由二階段被加熱至電鍍溫度以上的溫度。
因此，與電鍍液35是在供給槽桶31內被加熱至電鍍溫度以上的溫度的情況相比，可以防止供給槽桶31內的電鍍液35中的還元劑的鈍化和成分的蒸發。藉此，可以 加長電鍍液35的壽命。
且與在供給槽桶31中電鍍液35是由常溫被貯留，其後藉由第1加熱手段60A及第2加熱手段60B被加熱至電鍍溫度以上的溫度的情況相比，可以將電鍍液35由小能量迅速地加熱至電鍍溫度以上的溫度。藉此，可以抑制金屬離子的析出。
在供給槽桶31中，電鍍液35的各種的成分是從被貯藏的複數藥液供給源(無圖示)使各種藥液被供給。例如，包含Co離子的CoSO4金屬鹽、還元劑(例如次亞磷酸等)及添加劑等的藥液被供給。此時，各種藥液的流量被調整，使被貯留在供給槽桶31內的電鍍液35的成分被適切地調整。
[槽桶用加熱手段]
槽桶用加熱手段50，是如第4圖所示，具有：在供給槽桶31的附近形成電鍍液35的循環路徑的循環管52、及被安裝於循環管52並將電鍍液35加熱至貯留溫度的加熱器53、及被插入循環管52並使電鍍液35循環的泵56。藉由設置槽桶用加熱手段50，就可以將供給槽桶31內的電鍍液35一邊在供給槽桶31附近循環一邊加熱至上述的貯留溫度為止。
且如第4圖所示，在循環管52中連接有第1供給管33A及第2供給管33B。在此，閥36被開放，第1閥32A及第2閥32B被閉鎖時，是使通過加熱器53的電鍍 液35返回至供給槽桶31。另一方面，閥36被閉鎖，第1閥32A及第2閥32B被開放時，是使通過加熱器53的電鍍液35到達第1噴嘴40及第2噴嘴45。
又如第4圖所示，過濾器55是被插設於循環管52也可以。藉此，將電鍍液35藉由槽桶用加熱手段50加熱時，可以將被包含於電鍍液35的各式各樣的不純物除去。且如第4圖所示，在循環管52，設置將電鍍液35的特性監控用的監控手段57也可以。監控手段57，是例如由：將電鍍液35的溫度監控的溫度監控、和將電鍍液35的pH監控的pH監控等所構成。
且如第4圖所示，電鍍液供給機構30，是與供給槽桶31連接，進一步具有將被貯留在供給槽桶31的電鍍液35中的溶存氧及溶存氫除去的脫氣手段37也可以。此脫氣手段37，是例如將氮等的惰性氣體供給至供給槽桶31內。此情況，在電鍍液35中藉由將氮等的惰性氣體溶解，可以將已經溶存在電鍍液35中的氧和氫等的其他的氣體朝電鍍液35外部排出。從電鍍液35被排出的氧和氫，是藉由排氣手段38從供給槽桶31被排出。
[第1加熱手段]
接著參照第5圖，說明第1加熱手段60A。第1加熱手段60A，是進一步將藉由槽桶用加熱手段50被加熱至貯留溫度為止的電鍍液35，加熱至第1吐出溫度為止。此第1加熱手段60A，是如第5圖所示，具有：將預定的 傳熱媒體加熱至第1吐出溫度或比第1吐出溫度更高的溫度的第1溫度媒體供給手段61A、及被安裝於第1供給管33A將來自第1溫度媒體供給手段61A的傳熱媒體的熱朝第1供給管33A內的電鍍液35傳導用的溫度調節器62。且如第5圖所示，被設置成至第1噴嘴40的內部，進一步設有將通過位於第1噴嘴40內的第1供給管33A的電鍍液35保持於第1吐出溫度用的溫度保持器65也可以。
溫度調節器62，是具有：將從第1溫度媒體供給手段61A被供給的溫度調節用的傳熱媒體(例如溫水)導入的供給口62a、及將傳熱媒體排出的排出口62b。從供給口62a被供給的傳熱媒體，是在流動於溫度調節器62的內部的空間62c的期間與第1供給管33A接觸。藉此，流動於第1供給管33A的電鍍液35是被加熱至第1吐出溫度。在使用於電鍍液35的加熱之後的傳熱媒體，是從排出口62b被排出。
較佳是，溫度調節器62內的第1供給管33A，是如第5圖所示形成螺旋狀。藉此，可以加大傳熱媒體及第1供給管33A之間的接觸面積，藉此，可以將傳熱媒體的熱效率良好地朝電鍍液35傳達。
溫度保持器65，是使藉由溫度調節器62被加熱至第1吐出溫度的電鍍液35從第1噴嘴40被吐出為止之期間，保持電鍍液35的溫度用者。此溫度保持器65，是如第5圖所示，具有：在溫度保持器65內與第1供給管33A接觸地延伸的保溫配管65c、及將從第1溫度媒體供給手 段61A被供給的傳熱媒體朝保溫配管65c導入的供給口65a、及將傳熱媒體排出的排出口65b。保溫配管65c，是沿著第1供給管33A延伸至第1噴嘴40的先端部附近為止，藉此，從第1噴嘴40的各吐出口41被吐出的電鍍液35的溫度可以均勻地被保持於第1吐出溫度。
保溫配管65c，是如第5圖所示，在第1噴嘴40的內部被開放，並與溫度保持器65內的空間65d相通也可以。此情況，溫度保持器65，是具有由：位於其剖面中心的第1供給管33A、與第1供給管33A的外周可熱接觸地被配設的保溫配管65c、及位於保溫配管65c的外周的空間65d所構成的三重構造(三重配管的構造)。從供給口65a被供給的傳熱媒體，是至第1噴嘴40的先端部為止通過保溫配管65c將電鍍液35保溫，其後，通過溫度保持器65內的空間65d從排出口65b被排出。流動於空間65d的傳熱媒體，是可將流動於保溫配管65c的傳熱媒體(及流動於其內側的第1供給管33A的電鍍液35)及溫度保持器65的外側的環境熱遮斷地作用。因此，可以抑制流動於保溫配管65c的傳熱媒體的熱損失，並且從流動於保溫配管65c的傳熱媒體朝流動於第1供給管33A的電鍍液35的熱傳達可以有效率地進行。
又在第5圖中顯示，被供給至溫度調節器62的傳熱媒體、及被供給至溫度保持器65的傳熱媒體，皆是從第1溫度媒體供給手段61A被供給的傳熱媒體的例。但是，不限定於此，被供給至溫度調節器62的傳熱媒體、及被 供給至溫度保持器65的傳熱媒體，是各別從個別的傳熱媒體的供給源被供給也可以。
[第2加熱手段]
接著參照第6圖，說明第2加熱手段60B。第2加熱手段60B，是進一步將藉由槽桶用加熱手段50被加熱至貯留溫度為止的電鍍液35，加熱至第2吐出溫度為止用者。此第2加熱手段60B，是如第6圖所示，具有：將預定的傳熱媒體加熱至第2吐出溫度或是比第2吐出溫度更高的溫度的第2溫度媒體供給手段61B、及被安裝於第2供給管33B並將來自第2溫度媒體供給手段61B的傳熱媒體的熱朝第2供給管33B內的電鍍液35傳導的溫度調節器62。且如第6圖所示，進一步設有溫度保持器65也可以，其是被設置至第2噴嘴45的內部，將通過位於第2噴嘴45內的第2供給管33B的電鍍液35保持於第2吐出溫度用。
第2加熱手段60B，只有傳熱媒體是藉由第2溫度媒體供給手段61B被加熱至第2吐出溫度或是比第2吐出溫度更高的溫度的點不同，其他的點，是與第5圖所示的第1加熱手段60A大致相同。有關第6圖所示的第2加熱手段60B，對於與第5圖所示的第1加熱手段60A相同的部分是附加同一符號並省略詳細的說明。
又上述的第1加熱手段60A及第2加熱手段60B，是藉由控制機構160控制使第1吐出溫度比第2吐出溫度更 高。即，具有第1加熱手段60A及第2加熱手段60B的電鍍液供給機構30，是使被供給至第1噴嘴40的電鍍液的溫度比被供給至第2噴嘴45的電鍍液的溫度更高。藉此，如後述，可以更確實地抑制在：到達比基板2上的領域之中基板2的中心部更周緣側的領域的電鍍液的溫度、及到達基板的中心部的電鍍液的溫度之間發生差異。
(液排出機構)
接著，對於將從基板2飛散的電鍍液和洗淨液等排出的液排出機構120、125、130，參照第2圖進行說明。如第2圖所示，在外殼101內配置有杯105，其是藉由昇降機構164朝上下方向被驅動，且具有排出口124、129、134。液排出機構120、125、130，是成為將各別被收集在排出口124、129、134的液排出者。
從基板2飛散的處理液，是依據種類分別透過排出口124、129、134藉由液排出機構120、125、130被排出。例如，從基板2飛散的CoP電鍍液是從電鍍液排出機構120被排出，從基板2飛散的Pd電鍍液是從電鍍液排出機構125被排出，從基板2飛散的洗淨液及清洗處理液是從處理液排出機構130被排出。 (其他的構成要素)
如第2圖所示，電鍍處理裝置20，進一步具有：朝基板2的背面供給處理液的背面處理液供給機構145、及 朝基板2的背面供給氣體的背面氣體供給機構150也可以。
包含複數如以上構成的電鍍處理裝置20電鍍處理系統1，是藉由被記錄在被設在控制機構160的記憶媒體161的各種程式而由控制機構160被驅動控制，藉此對於基板2進行各式各樣的處理。在此，記憶媒體161，是容納有各種的設定資料和後述的電鍍處理程式等的各種的程式。記憶媒體161，可使用可被電腦讀取的ROM和RAM等的記憶體、或硬碟(HDD)、CD-ROM、DVD-ROM和軟碟(FD)等的碟片狀記憶媒體等的公知者。
電鍍處理方法
在本實施例中，電鍍處理系統1及電鍍處理裝置20，是藉由被記錄在記憶媒體161的電鍍處理程式，使對於基板2施加電鍍處理地被驅動控制。在以下的說明中，一開始，是由一電鍍處理裝置20對於基板2藉由置換電鍍施加Pd電鍍處理，其後，對於藉由化學還元電鍍施加Co電鍍處理的方法，參照第8圖及第9圖(a)~(e)進行說明。
(基板搬入過程及基板受取工程)
一開始，實行基板搬入過程及基板收容工程。首先，使用基板搬運單元13的基板搬運裝置14，將1枚的基板2從基板收授室11朝一電鍍處理裝置20搬入。在電鍍處 理裝置20中，一開始，杯105是降下至預定位置為止，接著，被搬入的基板2是藉由晶圓挾盤113被支撐，其後，藉由昇降機構164使杯105上昇至排出口134及基板2的外周端緣相面對的位置為止。
(洗淨過程)
接著，清洗處理，由前洗淨處理及其後的清洗處理所構成的洗淨過程被實行(S301)。一開始，使清洗處理液供給機構78的閥78a被打開，藉此，使清洗處理液透過第3噴嘴70的吐出口72朝基板2的表面被供給。接著，前洗淨過程被實行。一開始，使洗淨處理液供給機構77的閥77a被打開，藉此，使洗淨處理液透過第3噴嘴70的吐出口72朝基板2的表面被供給。其後，與上述的情況同樣地使清洗處理液透過第3噴嘴70的吐出口72朝基板2的表面被供給。處理後的清洗處理液和洗淨處理液，是透過杯105的排出口134及處理液排出機構130被廢棄。又在洗淨過程S301及以下的各過程的其中任一，只要未特別說明，基板2皆是藉由基板旋轉保持機構110朝第1旋轉方向R1被旋轉。
(Pd電鍍過程)
接著，Pd電鍍過程被實行(S302)。此Pd電鍍過程，是在前洗淨工程後的基板2未乾燥的狀態期間，作為置換電鍍處理過程被實行。如此，藉由在基板2未乾燥的狀態 下實行置換電鍍處理過程，可以防止基板2的被電鍍面的銅等被氧化而無法好良好地進行置換電鍍處理。
在鈀(Pd)電鍍過程中，一開始，藉由昇降機構164將杯105下降至排出口129及基板2的外周端緣相面對的位置為止。接著，使電鍍液供給機構76的閥76a被打開，藉此，包含Pd的電鍍液，是透過第3噴嘴70的吐出口71朝基板2的表面被吐出所期的流量。藉此，在基板2的表面Pd施加電鍍。處理後的電鍍液，是從杯105的排出口129被排出。從排出口129被排出的電鍍液，是透過排出機構125，被回收再利用，或是被排棄。
(清洗處理過程)
接著，在Co電鍍過程先被實施的前處理，例如使清洗處理過程被實行(S303)。在此清洗處理過程S303中，作為前處理液的例如清洗處理液是被供給至基板2的表面。
(Co電鍍過程)
其後，由與上述的過程S301~303被實行者相同的電鍍處理裝置20，使Co電鍍過程被實行(S304)。此Co電鍍過程S304，是作為化學還元電鍍處理過程被實行。此Co電鍍過程S304，是如第8圖所示，包含：液置換過程S305(第1過程)、及培養工程S306(第2過程)、及電鍍膜成長過程S307(第3過程)。
又在Co電鍍過程中析出形成電鍍層的元素不限定於Co，其他的元素同時析出也可以。例如，在Co電鍍過程所使用的電鍍液，不是只有Co的離子而包含其他的元素的離子的情況時，其他的元素與Co同時析出也可以。在此說明，在電鍍液包含鈷(Co)的離子及磷(P)的離子，因此，形成有不是只有Co也包含P的電鍍層(CoP)的情況。又在以下的說明中，即使在電鍍層包含Co以外的元素的情況，將藉由Co電鍍過程所獲得的電鍍層稱為「Co電鍍層」。
上述的過程S305~307之中液置換過程S305，是在上述的清洗處理過程S303中將被供給至基板2的清洗處理液，藉由形成CoP的電鍍液35置換的過程。且培養工程S306，是在液置換過程S305之後，橫跨後述的Pd電鍍層83上的全域形成初期的Co電鍍層84的過程。又初期的Co電鍍層84，是厚度為數十nm以下的Co電鍍層84。且電鍍膜成長過程S307，是在藉由培養過程S306被形成的初期的Co電鍍層84上進一步進行電鍍反應，使形成具有充分的厚度例如百nm以上的厚度的Co電鍍層84的過程。
以下，對於Co電鍍過程參照第9圖(a)~(e)詳細說明。第9圖(a)，是顯示Pd電鍍過程S302及清洗處理過程S303被實施之後的基板2的圖。如第9圖(a)所示，基板2，是具有：由有機化合物等所構成的絕緣層81、及由銅等所構成的配線82、及將配線82覆蓋的Pd電鍍層83。且在基板2上，存在藉由清洗處理過程S303被供給的清 洗處理液79。又在Co電鍍過程S304的各過程S305、S306、S307中，只要未特別說明，第2噴嘴45的吐出口46是比第1噴嘴40的各吐出口41更接近基板2的中心部的位置。
一開始，如第9圖(b)所示，將藉由第1加熱手段60A被加熱至第1吐出溫度的電鍍液35，朝向基板2的表面從第1噴嘴40的各吐出口41吐出。此外將藉由第2加熱手段60B被加熱至第2吐出溫度的電鍍液35，朝向基板2的表面從第2噴嘴45的吐出口46吐出。從其中第1噴嘴40的各吐出口41被吐出的電鍍液35，是如第9圖(b)所示，到達基板2上的領域之中基板2的半徑方向中的預定範圍內的領域。且從第2噴嘴45的吐出口46被吐出的電鍍液35，是到達基板2的大致中心部。
[液置換過程]
藉由使用第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出，如第9圖(b)所示，存在於基板2上的清洗處理液79，是藉由形成CoP的電鍍液35被置換。即，完成上述的液置換過程S305。在液置換過程S305所需要的時間，是依據基板2的尺寸和電鍍液35的流量不同，例如1秒~2分鐘程度。
[培養過程]
使用接著第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2將電 鍍液35吐出的話，如第9圖(c)所示，在Pd電鍍層83上初期的Co電鍍層84會部分地形成。進一步持續朝向基板2將電鍍液35吐出的話，如第9圖(d)所示，橫跨Pd電鍍層83上的全域形成初期的Co電鍍層84。即，完成上述的培養過程S306。
[電鍍膜成長過程]
接著使用第1噴嘴40及第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出的話，如第9圖(e)所示，Pd電鍍層83上的Co電鍍層84的厚度，會到達預定的厚度例如1μm。即，完成上述的電鍍膜成長過程S307。
又在Co電鍍過程S304中，杯105是藉由昇降機構164被下降至排出口124及基板2的外周端緣相面對的位置為止。因此，處理後的電鍍液35，是從杯105的排出口124被排出。被排出的處理後的電鍍液35，是透過排出機構120，被回收再利用，或是被排棄。
(洗淨過程)
接著，對於Co電鍍處理被施加的基板2的表面，使由清洗處理、後洗淨處理及其後的清洗處理所構成的洗淨過程S308被實行。此洗淨過程S308，因為是與上述的洗淨過程S301大致相同，所以省略詳細的說明。
(乾燥過程)
其後，使將基板2乾燥的乾燥過程被實行(S309)。例如，藉由將旋轉台112旋轉，使附著在基板2的液體藉由離心力朝外方被甩開，藉此使基板2被乾燥。即，旋轉台112，是具備將基板2的表面乾燥的乾燥機構的功能也可以。
如此，在一電鍍處理裝置20中，對於基板2的表面，一開始Pd電鍍是藉由置換電鍍被施加，接著Co電鍍是藉由化學還元電鍍被施加。
其後，基板2，是朝Au電鍍處理用的其他的電鍍處理裝置20被搬運也可以。此情況，在其他的電鍍處理裝置20中，在基板2的表面，Au電鍍處理是藉由置換電鍍被施加。Au電鍍處理的方法，是電鍍液及洗淨液不同的點以外，因為是與Pd電鍍處理用的上述的方法大致相同，所以省略詳細的說明。
(起因於溫度的本實施例的作用效果)
在此依據本實施例的話，如上述，朝向基板2將電鍍液35吐出的吐出機構21，是具有：包含沿著基板2的半徑方向被並列的複數吐出口41的第1噴嘴40、及包含可以位於比第1噴嘴40的各吐出口41更接近基板2的中心部的位置的吐出口46的第2噴嘴45。因此，可以藉由第2噴嘴45朝基板2的中心部供給電鍍液35，並且藉由第1噴嘴40，可以將電鍍液35朝基板2上的領域之中比基板2的中心部更周緣側的預定領域直接供給。因此，與只 有經由基板2的中心部的電鍍液35到達上述預定領域的情況相比，到達上述預定領域的電鍍液35的溫度可以較高。藉此，可以抑制在：基板2的中心部中的電鍍液35的反應條件、及基板2的周緣部中的電鍍液35的反應條件之間發生差異。藉此，形成於基板2的Co電鍍層84的厚度，可以橫跨基板2的全域大致均勻。
但是在本實施例的電鍍處理方法中，如上述，電鍍處理期間，基板2是藉由基板旋轉保持機構110被旋轉。因此，基板2上的領域之中位於比基板2的中心部更周緣側的預定領域中，不是只有從第1噴嘴40被直接供給的電鍍液35，即使從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35經由基板2的中心部的電鍍液35也會到達。此情況，從第1噴嘴40朝該預定領域被直接供給的電鍍液35、及經由基板2的中心部的電鍍液35會被混合，藉此，該預定領域中的電鍍液35的溫度，會比從第1噴嘴40被吐出的時的電鍍液35的溫度(第1吐出溫度)更低。
在此依據本實施例的話，如上述，電鍍液供給機構30，是使被供給至第1噴嘴40的電鍍液的溫度(第1吐出溫度)比被供給至第2噴嘴45的電鍍液的溫度(第2吐出溫度)更高。因此，在上述預定領域中即使來自第1噴嘴40的電鍍液35及來自第2噴嘴45的電鍍液35被混合的情況，也可以抑制被混合的電鍍液35的溫度、及從第2噴嘴45到達基板2的中心部的電鍍液35的溫度(第2吐出溫度)之間發生差異。藉此，形成於基板2的Co電鍍層 84的厚度，可以更確實地橫跨基板2的全域大致均勻。
又在基板2的周緣部中，不是只有從第1噴嘴40被直接供給的電鍍液35、及經由基板2的中心部的來自第2噴嘴45的電鍍液35，經由基板2的其他的領域的來自第1噴嘴40的電鍍液也會到達。因此，藉由混合使電鍍液35的溫度降低的現象，是在基板2的周緣部最顯著。因此，較佳是，第1噴嘴40的各吐出口41，是將電鍍液35朝基板2的周緣部附近直接供給。藉此，可以抑制在：基板2的中心部或是中心部附近中的電鍍液35的反應條件、及基板2的周緣部中的與電鍍液35的反應條件之間發生差異，藉此，形成於基板2的Co電鍍層84的厚度可以更確實地橫跨基板2的全域大致均勻。
(起因於吐出角度的本實施例的作用效果)
且依據本實施例的話，如上述，第2噴嘴45的吐出口46，是包含沿著從基板2的法線方向N傾斜的傾斜方向S1朝向基板2將電鍍液35吐出地構成的傾斜吐出口46a。且，傾斜吐出口46a的傾斜方向S1，是對應基板2的第1旋轉方向R1。因此，可以減弱已到達基板2的中心部的電鍍液35所給與基板2的衝擊。藉此，在基板2的中心部或中心部附近可以防止上述的培養過程S306及電鍍膜成長過程S307被阻礙。
接著說明，將吐出口46包含傾斜吐出口46a的效果，與比較的形態比較。第10圖，是顯示使用具有沿著基 板2的法線方向N朝向基板2的中心部將電鍍液35吐出地構成的垂直吐出口101的噴嘴100朝向基板2將電鍍液35吐出的情況的圖。在第10圖所示的比較的形態中，電鍍液35的移動速度的成分，是全部成為垂直方向中的成分。因此，與本實施例的情況相比，到達基板2的中心部的電鍍液35所給與基板2的衝擊會變大。此情況，在基板2的中心部或是中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35的狀態會成為不穩定。如第10圖所示，在基板2的中心部或是中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35的量會減少，且電鍍液35的流動會變激烈。
一般，在化學還元型的電鍍液35中，電鍍液35中的還元劑是對於基板2的Pd電鍍層83將電子放出，藉由在Pd電鍍層83上由金屬離子(例如Co離子)收取此電子，使金屬(Co)被析出在Pd電鍍層83上。此情況，在電鍍液35及Pd電鍍層83之間，會形成任何供進行電子的收受用的層。例如，在界面形成一對正負的帶電粒子而形成呈層狀並列形成的雙電層。此情況，為了迅速地實施電子的收受，穩定地維持供進行電子的收受用的層是很重要。
在此依據上述的比較的形態的話，在基板2的中心部或是中心部附近，存在於基板2上的電鍍液35的狀態會成為不穩定。此情況，進行電子的收受用的層會變不穩定，此結果，電子的收受的速度會變小，或是無法進行電子的收受。因此依據比較的形態的話，形成於基板2的中心部或是中心部附近的Co電鍍層84的厚度，是與形成於基 板的其他的領域的Co電鍍層84的厚度相比成為較薄。或是無法在基板2的中心部形成Co電鍍層84。
對於此依據本實施例的話，如上述，藉由使用傾斜吐出口46a朝向基板2的中心部將電鍍液35吐出，就可以減弱已到達基板2的中心部的電鍍液35所給與基板2的衝擊。藉此，可以穩定地維持供進行電子的收受用的層，因此，電鍍液35及Pd電鍍層83之間的電子的收受可以迅速地實施。藉此，可以防止形成於基板2的中心部的Co電鍍層84的厚度，與形成於基板的其他的領域的Co電鍍層84的厚度相比成為較薄。且，藉由使用傾斜吐出口46a，不會減少電鍍液35的吐出流量，就可以減弱電鍍液35給與基板2的衝擊。
電鍍液供給機構的變形例
又在本實施例中顯示了，電鍍液供給機構30，是具有：將電鍍液35貯留的供給槽桶31、及將供給槽桶31內的電鍍液35加熱至貯留溫度的槽桶用加熱手段50、及將供給槽桶31的電鍍液35朝第1噴嘴40供給的第1供給管33A、及被安裝於第1供給管33A並將被供給至第1噴嘴40的電鍍液35加熱至第1吐出溫度的第1加熱手段60A、及將供給槽桶31的電鍍液35朝第2噴嘴45供給的第2供給管、及被安裝於第2供給管33B並將被供給至第2噴嘴45的電鍍液35加熱至第2吐出溫度的第2加熱手段60B的例。但是不限定於此，只要可實現使被供給至 第1噴嘴40的電鍍液35的溫度比被供給至第2噴嘴45的電鍍液35的溫度更高，可採用各式各樣的電鍍液供給機構30的構成。
例如在電鍍液供給機構30中，未設有將供給槽桶31內的電鍍液35加熱至貯留溫度的槽桶用加熱手段50也可以。此情況，常溫的電鍍液35是到達第1加熱手段60A及第2加熱手段60B。且，電鍍液35是藉由第1加熱手段60A被加熱至第1吐出溫度，且，電鍍液35是藉由第2加熱手段60B被加熱至第2吐出溫度。
且在電鍍液供給機構30，未設有第2加熱手段60B也可以。此情況，藉由槽桶用加熱手段50被實現的上述的貯留溫度，是被設定成比電鍍溫度更高。即，藉由槽桶用加熱手段50，供給槽桶31內的電鍍液35，是被加熱至比電鍍溫度更高的溫度。藉此，可以將從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35的溫度，加熱至與電鍍溫度等同，或是比電鍍溫度更高的預定溫度。且，藉由第1加熱手段60A，可以使被供給至第1噴嘴40的電鍍液35的溫度比被供給至第2噴嘴45的電鍍液35的溫度更高。
或是如第11圖所示，電鍍液供給機構30，是具有：將電鍍液35貯留的第1供給槽桶31A及第2供給槽桶31B、及將第1供給槽桶31A的電鍍液35朝第1噴嘴40供給的第1供給管33A、及將第2供給槽桶31B的電鍍液35朝第2噴嘴45供給的第2供給管33B、及將第1供給槽桶31A內的電鍍液35加熱至第1貯留溫度的第1槽桶 用加熱手段50A、及將第2供給槽桶31B內的電鍍液35加熱至第2貯留溫度的第2槽桶用加熱手段50B也可以。在此第1槽桶用加熱手段50A及第2槽桶用加熱手段50B，是只有目標溫度是不同，其他的點，是與第4圖所示的上述的槽桶用加熱手段50大致相同。有關第11圖所示的第1槽桶用加熱手段50A及第2槽桶用加熱手段50B，對於與第4圖所示的槽桶用加熱手段50相同部分是附加同一符號並省略詳細的說明。
在第11圖所示的變形例中，藉由控制機構160控制第1槽桶用加熱手段50A及前述第2槽桶用加熱手段50B，使上述的第1貯留溫度比第2貯留溫度更高。且第1貯留溫度及第2貯留溫度，是被設定成比上述的電鍍溫度更高。因此，被供給至第1噴嘴40及第2噴嘴45的電鍍液35的溫度，可以比電鍍溫度更高，且，被供給至第1噴嘴40的電鍍液35的溫度，可以比被供給至第2噴嘴45的電鍍液35的溫度更高。
又，如第11圖所示的變形例的一點鏈線所示，電鍍液供給機構30進一步包含第1加熱手段60A及第2加熱手段60B也可以。此情況，電鍍液35，是與第4圖所示的形態的情況同樣地，藉由槽桶用加熱手段50A、50B及加熱手段60A、60B由二階段被加熱。因此，被貯留各第1供給槽桶31A及第2供給槽桶31B的電鍍液35的溫度，可以成為比電鍍溫度更低的溫度。藉此，在第1供給槽桶31A內及第2供給槽桶31B內會引起電鍍液35中的還 元劑的鈍化和成分的蒸發，此結果可以防止電鍍液35的壽命縮短。
第2噴嘴的變形例
且在本實施例中顯示，第2噴嘴45的吐出口46，是包含沿著從基板2的法線方向N傾斜的傾斜方向S1朝向基板2將電鍍液35吐出地構成的傾斜吐出口46a的例。但是，不限定於此，第2噴嘴45的吐出口46，是進一步包含沿著基板2的法線方向N朝向基板2將電鍍液35吐出地構成的垂直吐出口46b也可以。第12圖，是顯示第2噴嘴45具有進一步包含垂直吐出口46b吐出口46的俯視圖，第13圖，是將第12圖所示的第2噴嘴45從XIII-XIII方向所見的剖面圖。
如第13圖所示，垂直吐出口46b，是沿著與基板2的法線方向N平行的方向S2將電鍍液35吐出者。在第13圖所示的例，在傾斜吐出口46a中連接傾斜吐出口用第2供給管33B(1)，在垂直吐出口46b中連接垂直吐出口用第2供給管33B(2)。且，雖未圖示，在傾斜吐出口用第2供給管33B(1)及垂直吐出口用第2供給管33B(2)及第2供給管33B之間設有閉鎖手段，可選擇將第2供給管33B內的電鍍液35朝傾斜吐出口用第2供給管33B(1)或是垂直吐出口用第2供給管33B(2)的其中任一方供給。此閉鎖手段，是藉由控制機構160被控制。因此，藉由控制機構160控制閉鎖手段，就可以停止朝傾斜吐出口 46a或是垂直吐出口46b的其中任一方的電鍍液35的供給。即，閉鎖手段，是可以藉由來自控制機構160的控制將傾斜吐出口46a或是垂直吐出口46b的其中任一方閉鎖。
第2噴嘴45的吐出口46是進一步包含上述的垂直吐出口46b的情況時，藉由依據狀況分用傾斜吐出口46a及垂直吐出口46b，就可以獲得以下的效果。例如在上述的液置換過程S305中，使用第2噴嘴45的垂直吐出口46b朝向基板2將電鍍液35吐出。另一方面，在上述的培養過程S306及電鍍膜成長過程S307中，使用第2噴嘴45的傾斜吐出口46a朝向基板2將電鍍液35吐出。因此，在液置換過程S305中，到達基板2的電鍍液35可以給與基板2強力衝擊，藉此，可以促進基板2上的清洗處理液被置換成電鍍液35。且在培養過程S306及電鍍膜成長過程S307中，與上述的本實施例的情況同樣地，可以減弱到達基板2的電鍍液35給與基板2的衝擊。藉此可以防止衝擊阻礙：初期的Co電鍍層84的形成、及Co電鍍層84的成長。
第1噴嘴的變形例
且在本實施例中顯示，第1噴嘴40，是包含沿著基板2的半徑方向被並列的複數吐出口41的例。但是，只要第1噴嘴40可以對於基板2上的領域之中基板2的半徑方向中的預定範圍內的領域將電鍍液35直接供給，不 限定第1噴嘴40的具體的形態。如第14圖所示，第1噴嘴40，是包含沿著基板2的半徑方向延伸的狹縫狀的吐出口42也可以。或是雖未圖示，藉由將獨立的複數噴嘴沿著基板2的半徑方向並列地構成第1噴嘴40也可以。
且與第2噴嘴45的傾斜吐出口46a的情況同樣地，在第1噴嘴40中，吐出口41或是吐出口42，是沿著從基板2的法線方向N傾斜的傾斜方向朝向基板2將電鍍液35吐出的構成也可以。藉此，可以減弱從第1噴嘴40被吐出的電鍍液35與基板2衝突時的衝擊。藉此，培養過程S306及電鍍膜成長過程S307時，可以更穩定地維持在電鍍液35及Pd電鍍層83之間供進行電子的收受用的層。
控制方法的第1變形例
且在本實施例中顯示，在第2噴嘴45的吐出口46是位於比第1噴嘴40的各吐出口41更接近基板2的中心部的位置的狀態下，第2噴嘴45是朝向基板2將電鍍液35吐出的例。但是，不限定於此，藉由控制機構160控制第2噴嘴45及臂49，在第2噴嘴45從中心位置朝周緣位置移動期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出也可以。
第15圖(a)(b)，是顯示在上述的液置換過程S305中，第2噴嘴45從中心位置朝周緣位置移動期間朝向基板2將電鍍液35吐出的例的圖。在第15圖(b)，藉由箭頭 D1顯示從中心位置朝向周緣位置的方向。此情況，一開始如第15圖(a)所示，在中心位置中第2噴嘴45是朝向基板2的中心部將電鍍液35吐出。接著如第15圖(b)所示，第2噴嘴45從中心位置朝周緣位置移動期間，第2噴嘴45是朝向基板2將電鍍液35吐出。藉此，如第15圖(a)(b)所示，在從基板2的中心部朝向周緣部的方向中，基板2上的清洗處理液79是依序被置換成電鍍液35。
但是從中心位置朝周緣位置移動期間第2噴嘴45是朝向基板2將電鍍液35吐出的情況時，被吐出的電鍍液35的速度成分，是成為對應第2噴嘴45的移動速度的速度成分，且包含從基板2的中心部朝向周緣部的水平方向的速度成分。因此，可加強電鍍液35朝向基板2的周緣部推壓清洗處理液79的力，藉此，可以更有效率地將基板2上的清洗處理液79置換成電鍍液35。
控制方法的第2變形例
又在上述的控制方法的第1變形例中顯示，在第2噴嘴45從中心位置朝周緣位置移動期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出，藉由控制機構160控制第2噴嘴45及臂49的例。但是，不限定於此，在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出，藉由控制機構160控制第2噴嘴45及臂49也可以。
第16圖(a)(b)，是顯示在上述的培養過程S306中， 在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間，第2噴嘴45是朝向基板2將電鍍液35吐出的例的圖。在第16圖(a)(b)，藉由箭頭D2顯示從周緣位置朝向中心位置的方向。
但是在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間第2噴嘴45是朝向基板2將電鍍液35吐出的情況時，被吐出的電鍍液的速度成分，是成為對應第2噴嘴45的移動速度的速度成分，且包含從基板2的周緣部朝向中心部的水平方向的速度成分。另一方面，基板2是藉由基板旋轉保持機構110被旋轉，因此，在基板2上既存的電鍍液35，是藉由離心力，從基板2的中心部朝向周緣部移動。 即，從第2噴嘴45朝向基板2被吐出的電鍍液35的水平方向中的速度成分、及在基板2上既存的電鍍液35的水平方向中的速度成分，是成為相反。此情況，如第16圖(a)(b)所示，在從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35及基板2上既存的電鍍液35會衝突，藉此藉由使電鍍液35的流動停滯，而在基板2上形成電鍍液35的液隆起部分35a。依據本變形例的話，藉由形成這種液隆起部分35a，可以更穩定地維持供進行電子的收受用的層，藉此，電鍍液35及Pd電鍍層83之間的電子的收受可以更迅速地實施。藉此，可以促進在Pd電鍍層83上形成初期的Co電鍍層84。
又在本變形例中顯示，在培養過程S306中，在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間第2噴嘴45是朝 向基板2將電鍍液35吐出的例。但是，不限定於此，在上述的電鍍膜成長過程S307，在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出，藉由控制機構160控制第2噴嘴45及臂49也可以。藉此，可以促進Co電鍍層84成長。
較佳是，控制機構160，是控制第2噴嘴45及臂49，當液置換過程S305時在第2噴嘴45從中心位置朝周緣位置移動期間第2噴嘴是朝向基板2將電鍍液35吐出，當培養過程S306時在第2噴嘴45從周緣位置朝中心位置移動期間第2噴嘴是朝向基板2將電鍍液35吐出。藉此，皆可以有效率地實施液置換過程S305及培養過程S306。
控制方法的第3變形例
且在本實施例中顯示，基板2是藉由基板旋轉保持機構110朝第1旋轉方向R1被旋轉的例。但是，不限定於此，依據狀況將基板2朝第2旋轉方向R2旋轉也可以。
在例如上述的液置換過程S305中，控制機構160是控制基板旋轉保持機構110及第2噴嘴45，使在基板2朝第2旋轉方向R2旋轉期間從第2噴嘴45的傾斜吐出口46a將電鍍液35朝向基板2吐出也可以。在此傾斜吐出口46a是對應如上述第1旋轉方向R1，且第2旋轉方向R2是與第1旋轉方向R1相反方向。因此，將基板2朝第2旋轉方向R2旋轉的情況時，在電鍍液35衝撞的領域中 的水平方向中的基板2的移動速度、及水平方向中的電鍍液35的移動速度差會變大。因此，藉由在基板2朝第2旋轉方向R2旋轉期間從傾斜吐出口46a朝向基板2將電鍍液35吐出，可以加強與基板2衝突的電鍍液35給與基板2的衝擊。藉此，可以加強電鍍液35推壓清洗處理液79的力，藉此，可以更有效率地將基板2上的清洗處理液79置換成電鍍液35。
較佳是，控制機構160是控制基板旋轉保持機構110及第2噴嘴45，當液置換過程S305時在基板2朝第2旋轉方向R2旋轉期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出，當培養過程S306時在基板2朝第1旋轉方向R1旋轉期間使第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出。藉此，在液置換過程S305時可以加強電鍍液35給與基板2的衝擊，且，在培養過程S306時可以減弱電鍍液35給與基板2的衝擊。藉此，皆可以有效率地實施液置換過程S305及培養過程S306。
控制方法的第4變形例
且在本實施例中顯示，在液置換過程S305、培養過程S306及電鍍膜成長過程S307的全部的過程，從第1噴嘴40及第2噴嘴45的雙方朝向基板2將電鍍液35吐出的例。但是，不限定於此，只要在液置換過程S305至少使用第2噴嘴45，在培養過程S306至少使用第1噴嘴40，在各過程中所使用的第1噴嘴40及第2噴嘴45可以適 宜決定。例如，在液置換過程S305中，只有使用第2噴嘴45朝向基板2將電鍍液35吐出也可以。且在培養過程S306及電鍍膜成長過程S307中，只有使用第1噴嘴40朝向基板2將電鍍液35吐出也可以。
其他的變形例
且在本實施例及各變形例中顯示，藉由使用第2噴嘴45的傾斜吐出口46a，在培養過程S306時減弱從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35給與基板2的衝擊的例。但是，減弱從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35給與基板2衝擊用的具體的手段並不特別限定。例如，第2噴嘴45的吐出口46是包含只有垂直吐出口46b的情況，藉由將電鍍液供給機構30的第2閥32B適宜調整，就可以減小在培養過程S306時從第2噴嘴45朝向基板2被吐出的電鍍液35的基板2的法線方向N中的吐出速度。藉此，在培養過程S306時可以減弱從第2噴嘴45被吐出的電鍍液35給與基板2的衝擊。此情況，較佳是，控制機構160是控制電鍍液供給機構30，使在培養過程S306時從第2噴嘴45朝向基板2被吐出的電鍍液35的基板2的法線方向N中的吐出速度，是比在液置換過程S305時從第2噴嘴45朝向基板2被吐出的電鍍液35的基板2的法線方向N中的吐出速度更小。藉此，皆可以有效率地實施液置換過程S305及培養過程S306。
且在本實施例及各變形例中，從第1噴嘴40及第2 噴嘴45朝向基板2被吐出的化學還元型的電鍍液35，是顯示使用CoP電鍍液的例。但是，使用的電鍍液35不限定於CoP電鍍液，各式各樣的電鍍液35皆可使用。例如，化學還元型的電鍍液35，可使用：鎢化鈷硼(CoWB)電鍍液、鎢化鈷磷(CoWP)電鍍液、CoB電鍍液或是鎳磷(NiP)電鍍液等各式各樣的電鍍液35。
且在本實施例及各變形例中顯示，第1噴嘴40，是包含沿著基板2的半徑方向被並列的複數吐出口41，或是包含沿著基板2的半徑方向延伸的狹縫狀的吐出口42的例。但是，不限定於此，第1噴嘴40是只有包含1個圓形的吐出口41也可以。如第17圖所示，吐出機構21，是由：包含朝向基板2將電鍍液35吐出的吐出口41的第1噴嘴40、及包含可以位於比第1噴嘴40的吐出口41更接近基板2的中心部的位置的吐出口46的第2噴嘴45所構成也可以。即使此情況，依據本實施例及各變形例的話，電鍍液供給機構30，可使被供給至第1噴嘴40的電鍍液35的溫度比被供給至第2噴嘴45的電鍍液35的溫度更高。因此，基板2上的領域之中到達比基板2的中心部更周緣側的領域的電鍍液35的溫度可以提高。藉此，可以抑制在：基板2的中心部中的電鍍液35的反應條件、及基板2的周緣部中的電鍍液35的反應條件之間發生差異。
[實施例]
說明使用上述的電鍍處理裝置20的第1噴嘴40及第2噴嘴45，朝向基板2將電鍍液吐出的例。
(實施例1)
使用：具有複數吐出口41的第1噴嘴40、及位於基板2的中心部的第2噴嘴45，朝向基板2將CoP電鍍液吐出。此時，被供給至第1噴嘴40的電鍍液的溫度為90℃，被供給至第2噴嘴45的電鍍液的溫度為80℃沿著基板2的半徑方向測量了基板2的溫度。結果如第18圖所示。又在第18圖中，橫軸是顯示基板2上中的位置，縱軸是顯示所測量的溫度。且在第18圖的橫軸中，「0」是對應基板2的中心部，「±150」是對應基板2的周緣部。
(比較例1)
只有使用位於基板2的中心部的第2噴嘴45，朝向基板2將CoP電鍍液吐出。此時，被供給至第2噴嘴45的電鍍液的溫度為80℃沿著基板2的半徑方向測量了基板2的溫度。結果是與實施例1的結果一起如第18圖所示。
如第18圖所示，藉由使用：具有複數吐出口41的第1噴嘴40、及位於基板2的中心部的第2噴嘴45，可以將基板2的溫度，橫跨基板2的全域大致均一化。
1‧‧‧電鍍處理系統
2‧‧‧基板
3‧‧‧載體
4‧‧‧載體載置部
5‧‧‧基板搬入出室
6‧‧‧基板處理室
8‧‧‧搬運裝置
9‧‧‧搬運室
10‧‧‧基板收授台
11‧‧‧基板收授室
12‧‧‧收授口
13‧‧‧基板搬運單元
14‧‧‧基板搬運裝置
15‧‧‧基板搬入出口
20‧‧‧電鍍處理裝置
21‧‧‧吐出機構
30‧‧‧電鍍液供給機構
31‧‧‧供給槽桶
31A‧‧‧第1供給槽桶
31B‧‧‧第2供給槽桶
32A‧‧‧第1閥
32B‧‧‧第2閥
33A‧‧‧第1供給管
33B‧‧‧第2供給管
35‧‧‧電鍍液
35a‧‧‧液隆起部分
36‧‧‧閥
37‧‧‧脫氣手段
38‧‧‧排氣手段
40‧‧‧第1噴嘴
41‧‧‧吐出口
42‧‧‧吐出口
43‧‧‧支撐軸
44‧‧‧臂
45‧‧‧第2噴嘴
46‧‧‧吐出口
46a‧‧‧傾斜吐出口
46b‧‧‧垂直吐出口
49‧‧‧臂
50‧‧‧槽桶用加熱手段
50A‧‧‧第1槽桶用加熱手段
50B‧‧‧第2槽桶用加熱手段
52‧‧‧循環管
53‧‧‧加熱器
55‧‧‧過濾器
56‧‧‧泵
57‧‧‧監控手段
60A‧‧‧第1加熱手段
60B‧‧‧第2加熱手段
61A‧‧‧第1溫度媒體供給手段
61B‧‧‧第2溫度媒體供給手段
62‧‧‧溫度調節器
62a‧‧‧供給口
62b‧‧‧排出口
62c‧‧‧空間
65‧‧‧溫度保持器
65a‧‧‧供給口
65b‧‧‧排出口
65c‧‧‧保溫配管
65d‧‧‧空間
70‧‧‧第3噴嘴
71‧‧‧吐出口
72‧‧‧吐出口
73‧‧‧支撐軸
74‧‧‧臂
76‧‧‧電鍍液供給機構
76a‧‧‧閥
77‧‧‧洗淨處理液供給機構
77a‧‧‧閥
78‧‧‧清洗處理液供給機構
78a‧‧‧閥
79‧‧‧清洗處理液
81‧‧‧絕緣層
82‧‧‧配線
83‧‧‧Pd電鍍層
84‧‧‧Co電鍍層
100‧‧‧噴嘴
101‧‧‧外殼
101‧‧‧垂直吐出口
105‧‧‧杯
110‧‧‧基板旋轉保持機構
111‧‧‧旋轉軸
112‧‧‧旋轉台
113‧‧‧晶圓挾盤
120‧‧‧電鍍液排出機構
124‧‧‧排出口
125‧‧‧電鍍液排出機構
129‧‧‧排出口
130‧‧‧處理液排出機構
134‧‧‧排出口
145‧‧‧背面處理液供給機構
150‧‧‧背面氣體供給機構
160‧‧‧控制機構
161‧‧‧記憶媒體
162‧‧‧旋轉機構
164‧‧‧昇降機構
165‧‧‧旋轉機構
[第1圖]顯示本發明的實施例中的電鍍處理系統的概略構成的俯視圖。
[第2圖]顯示本發明的實施例中的電鍍處理裝置的側面圖。
[第3圖]第2圖所示的電鍍處理裝置的俯視圖。
[第4圖]顯示本發明的實施例中的電鍍液供給機構的圖。
[第5圖]顯示電鍍液供給機構的第1加熱手段的圖。
[第6圖]顯示電鍍液供給機構的第2加熱手段的圖。
[第7圖]將第3圖的第2噴嘴從VII-VII方向所見的剖面圖。
[第8圖]顯示電鍍處理方法的流程圖。
[第9圖(a)~(e)]顯示形成有Co電鍍層的樣子的圖。
[第10圖]顯示在比較的形態中，從具有垂直吐出口的噴嘴朝向基板使電鍍液被吐出的樣子的圖。
[第11圖]顯示電鍍液供給機構的變形例的圖。
[第12圖]顯示第2噴嘴的變形例的俯視圖。
[第13圖]將第12圖的第2噴嘴從XIII-XIII方向所見的剖面圖。
[第14圖]顯示第1噴嘴的變形例的俯視圖。
[第15圖(a)(b)]顯示第2噴嘴的控制方法的第1變形例的圖。
[第16圖(a)(b)]顯示第2噴嘴的控制方法的第2變形 例的圖。
[第17圖]顯示第1噴嘴40的進一步的變形例的圖。
[第18圖]顯示在實施例中，測量了基板的溫度的結果的圖。
2‧‧‧基板
20‧‧‧電鍍處理裝置
21‧‧‧吐出機構
30‧‧‧電鍍液供給機構
40‧‧‧第1噴嘴
41‧‧‧吐出口
43‧‧‧支撐軸
44‧‧‧臂
45‧‧‧第2噴嘴
46‧‧‧吐出口
49‧‧‧臂
70‧‧‧第3噴嘴
71‧‧‧吐出口
73‧‧‧支撐軸
74‧‧‧臂
76‧‧‧電鍍液供給機構
76a‧‧‧閥
77‧‧‧洗淨處理液供給機構
77a‧‧‧閥
78‧‧‧清洗處理液供給機構
78a‧‧‧閥
101‧‧‧外殼
105‧‧‧杯
110‧‧‧基板旋轉保持機構
111‧‧‧旋轉軸
112‧‧‧旋轉台
113‧‧‧晶圓挾盤
120‧‧‧電鍍液排出機構
124‧‧‧排出口
125‧‧‧電鍍液排出機構
129‧‧‧排出口
130‧‧‧處理液排出機構
134‧‧‧排出口
145‧‧‧背面處理液供給機構
150‧‧‧背面氣體供給機構
160‧‧‧控制機構
161‧‧‧記憶媒體
162‧‧‧旋轉機構
164‧‧‧昇降機構
165‧‧‧旋轉機構

Claims (8)

  1. 一種電鍍處理裝置，是朝基板供給電鍍液來進行電鍍處理，其特徵為，具備：將前述基板保持並使旋轉的基板旋轉保持機構、及朝向被保持在前述基板旋轉保持機構的前述基板將電鍍液吐出的吐出機構、及朝前述吐出機構供給電鍍液的電鍍液供給機構、及將前述吐出機構及前述電鍍液供給機構控制的控制機構，前述吐出機構，是具有：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，前述電鍍液供給機構，是使被供給至前述第1噴嘴的電鍍液的溫度比被供給至前述第2噴嘴的電鍍液的溫度更高。
  2. 如申請專利範圍第1項的電鍍處理裝置，其中，前述電鍍液供給機構，是具有：將電鍍液貯留的供給槽桶、及將前述供給槽桶的電鍍液朝前述第1噴嘴供給的第1供給管、及被安裝於前述第1供給管並將被供給至前述第1噴嘴的電鍍液加熱的第1加熱手段、及將前述供給槽桶的電鍍液朝前述第2噴嘴供給的第2供給管。
  3. 如申請專利範圍第2項的電鍍處理裝置，其中， 前述電鍍液供給機構進一步具有第2加熱手段，其是被安裝於前述第2供給管，將被供給至前述第2噴嘴的電鍍液加熱，前述第1加熱手段及前述第2加熱手段，是使被供給至前述第1噴嘴的電鍍液的溫度比被供給至前述第2噴嘴的電鍍液的溫度更高。
  4. 如申請專利範圍第2或3項的電鍍處理裝置，其中，前述電鍍液供給機構，是進一步具有將前述供給槽桶內的電鍍液加熱的槽桶用加熱手段。
  5. 如申請專利範圍第4項的電鍍處理裝置，其中，前述槽桶用加熱手段，是使前述供給槽桶內的電鍍液的溫度，比電鍍液的自我反應所進行的電鍍溫度更低溫。
  6. 如申請專利範圍第1項的電鍍處理裝置，其中，前述電鍍液供給機構，是具有：將電鍍液貯留的第1供給槽桶及第2供給槽桶、及將前述第1供給槽桶的電鍍液朝前述第1噴嘴供給的第1供給管、及將前述第2供給槽桶的電鍍液朝前述第2噴嘴供給的第2供給管、及將前述第1供給槽桶內的電鍍液加熱的第1槽桶用加熱手段、及將前述第2供給槽桶內的電鍍液加熱的第2槽桶用加熱手段，前述第1槽桶用加熱手段及前述第2槽桶用加熱手段，是使被供給至前述第1噴嘴的電鍍液的溫度比被供給至前述第2噴嘴的電鍍液的溫度更高。
  7. 一種電鍍處理方法，是對基板供給電鍍液來進行電鍍處理，其特徵為具備下列步驟：將前述基板配置於基板旋轉保持機構上、及朝前述基板透過吐出機構將電鍍液吐出的過程，前述吐出機構，是配置：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，從前述第1噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度，是比從前述第2噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度更高。
  8. 一種記憶媒體，是容納有使電鍍處理裝置實行電鍍處理方法用的電腦程式，其特徵為：前述電鍍處理方法，是朝基板供給電鍍液並進行電鍍處理的方法，具備：將基板配置於基板旋轉保持機構上、及朝前述基板透過吐出機構將電鍍液吐出的過程，前述吐出機構，是配置：包含朝向前述基板將電鍍液吐出的吐出口的第1噴嘴、及包含可以位於比前述第1噴嘴的吐出口更接近前述基板的中心部的位置的吐出口的第2噴嘴，從前述第1噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫度，是比從前述第2噴嘴朝向前述基板被吐出的電鍍液的溫 度更高。
TW101123280A 2011-06-29 2012-06-28 Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium TWI535888B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011144795A JP5634341B2 (ja) 2011-06-29 2011-06-29 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201319312A TW201319312A (zh) 2013-05-16
TWI535888B true TWI535888B (zh) 2016-06-01

Family

ID=47423885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101123280A TWI535888B (zh) 2011-06-29 2012-06-28 Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9505019B2 (zh)
JP (1) JP5634341B2 (zh)
KR (1) KR101765570B1 (zh)
TW (1) TWI535888B (zh)
WO (1) WO2013001985A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6064875B2 (ja) 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6118719B2 (ja) 2013-12-16 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6190278B2 (ja) 2014-01-08 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置
KR102432858B1 (ko) * 2015-09-01 2022-08-16 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 구비하는 반도체 처리 장치
JP6526543B2 (ja) * 2015-10-28 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置及びめっき処理方法
JP6707386B2 (ja) * 2016-04-07 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法及び記憶媒体
TWI831895B (zh) * 2018-12-28 2024-02-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP7467264B2 (ja) 2020-07-14 2024-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法およびノズル
US11747729B2 (en) * 2021-03-19 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor developer tool and methods of operation

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
JP3280883B2 (ja) * 1996-05-08 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
US7341634B2 (en) * 2002-08-27 2008-03-11 Ebara Corporation Apparatus for and method of processing substrate
JP4369325B2 (ja) * 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP2005200701A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Toyota Motor Corp メッキ方法及び該方法によりメッキされた電子部品
US7770535B2 (en) * 2005-06-10 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chemical solution application apparatus and chemical solution application method
JP4547016B2 (ja) * 2008-04-04 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、半導体製造方法
JP4571208B2 (ja) * 2008-07-18 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013001985A1 (ja) 2013-01-03
KR101765570B1 (ko) 2017-08-07
US9505019B2 (en) 2016-11-29
US20140134345A1 (en) 2014-05-15
TW201319312A (zh) 2013-05-16
KR20140033136A (ko) 2014-03-17
JP2013010994A (ja) 2013-01-17
JP5634341B2 (ja) 2014-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI535888B (zh) Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium
US9255331B2 (en) Apparatus for plating process
JP5666419B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5815827B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
TWI539037B (zh) Electroplating treatment, electroplating treatment and memory media
KR102651512B1 (ko) 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체
TWI535889B (zh) Electroplating treatment device, electroplating treatment method and memory medium
JP5667550B2 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
WO2013080781A1 (ja) めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
TWI846928B (zh) 基板液處理方法、基板液處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體
US20220049356A1 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method